JP2000332424A - 多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物、バイアホールの形成法および多層配線基板の製造方法 - Google Patents
多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物、バイアホールの形成法および多層配線基板の製造方法Info
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- JP2000332424A JP2000332424A JP11142379A JP14237999A JP2000332424A JP 2000332424 A JP2000332424 A JP 2000332424A JP 11142379 A JP11142379 A JP 11142379A JP 14237999 A JP14237999 A JP 14237999A JP 2000332424 A JP2000332424 A JP 2000332424A
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザ光によるバイアホール形成に供したと
き、50μm以下の径のバイアホールを開けることが可
能で、かつ加工速度が大きい、多層配線基板用の電気絶
縁性樹脂組成物を提供すること、前記電気絶縁性樹脂組
成物を用いて、該組成物の層に効率よく50μm以下の
バイアホールを形成する方法を提供すること、前記電気
絶縁性樹脂組成物を用いて多層配線基板用を効率よく製
造することが可能な多層配線基板の製造方法を提供する
こと 【解決手段】 多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物
であって、電気絶縁性樹脂と500nm〜1500nm
の範囲に吸収領域のある染料、顔料もしくは赤外吸収色
素、または紫外線吸収剤から選ばれる、レーザ光を吸収
する物質を含有することを特徴とする多層配線基板用の
電気絶縁性樹脂組成物。
き、50μm以下の径のバイアホールを開けることが可
能で、かつ加工速度が大きい、多層配線基板用の電気絶
縁性樹脂組成物を提供すること、前記電気絶縁性樹脂組
成物を用いて、該組成物の層に効率よく50μm以下の
バイアホールを形成する方法を提供すること、前記電気
絶縁性樹脂組成物を用いて多層配線基板用を効率よく製
造することが可能な多層配線基板の製造方法を提供する
こと 【解決手段】 多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物
であって、電気絶縁性樹脂と500nm〜1500nm
の範囲に吸収領域のある染料、顔料もしくは赤外吸収色
素、または紫外線吸収剤から選ばれる、レーザ光を吸収
する物質を含有することを特徴とする多層配線基板用の
電気絶縁性樹脂組成物。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線基板
製造分野、特にビルドアップ法による多層配線基板の製
造の際に用いられる電気絶縁性樹脂組成物、この組成物
の層にバイアホールを形成する方法、および前記組成物
を使用してバイアホールを形成した多層配線基板を製造
する方法に関する。
製造分野、特にビルドアップ法による多層配線基板の製
造の際に用いられる電気絶縁性樹脂組成物、この組成物
の層にバイアホールを形成する方法、および前記組成物
を使用してバイアホールを形成した多層配線基板を製造
する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器の軽薄短小化、高機能
化、薄層化の流れが急速に進んできている。このため、
電子部品の高密度実装が必須となり、これに対応するた
め、多層配線板も小型化、高密度化、軽量化などが求め
られており、多層配線板の導体幅、導体間隔、スルーホ
ールやバイアホールなどの微細化、小径化高密度化が大
きな課題となってきている。多層配線板の高密度化の一
つの方法として、最近ビルドアップ法が注目を集めてい
る。その特徴は層間接続を従来のドリル穴開けによるス
ルーホールの代わりに、レーザによる孔あけ方法により
絶縁膜に微細なバイアホールを形成することにある。
化、薄層化の流れが急速に進んできている。このため、
電子部品の高密度実装が必須となり、これに対応するた
め、多層配線板も小型化、高密度化、軽量化などが求め
られており、多層配線板の導体幅、導体間隔、スルーホ
ールやバイアホールなどの微細化、小径化高密度化が大
きな課題となってきている。多層配線板の高密度化の一
つの方法として、最近ビルドアップ法が注目を集めてい
る。その特徴は層間接続を従来のドリル穴開けによるス
ルーホールの代わりに、レーザによる孔あけ方法により
絶縁膜に微細なバイアホールを形成することにある。
【0003】たとえば、特開平10−190234号公
報には、絶縁体層および導体層にホール(スルホール、
バイアホール、など)を形成する多層配線板の製造方法
において、絶縁体層および導体層を積層する工程と、レ
ーザ照射による該導体層および該絶縁体層に孔をあける
工程と、該導体層間を該孔を介して電気的接続する工程
よりなる多層配線板の製造法が記載されている。この方
法ではレーザで直接絶縁体層および導体層に孔あけを行
うためドリル、エッチングなどによって導体層を予め孔
あけする必要がなく製造工程が減少するという利点を有
している。この公報に具体的に示されている方法は、高
エネルギーレーザである炭酸ガスレーザを用いて絶縁体
層および導体層に孔を開ける方法である。炭酸ガスレー
ザは高エネルギーを有しているため、加工速度が速いと
いう利点を有しているものの、レーザ光の波長が10.
6μmという長い波長であるためレーザ光を小さく絞る
ことができない。したがって、通常バイアホール等の加
工径は50μm以上と大きく、小さなバイアホールを開
けることは不可能である。また多層配線基板のバイアホ
ールを形成するために、レーザとして波長が約350n
mの高調波固体レーザ、波長が約250nmのエキシマ
レーザを用いる方法も提案されている。高調波固体レー
ザは波長が約350nmであるので、50μm以下の小
さいバイアホールは開くが、出力光が弱い為に、加工速
度がやや遅いという欠点を有している。またエキシマレ
ーザも50μm以下の小さいバイアホールは開くが、加
工速度はかなり遅く、さらに装置価格が高いという欠点
を持っている。その他のレーザとして波長が約1μmで
ビームを十分絞ることが可能で、出力も十分あり、装置
価格もそれほど高くない、YAG、YLF等の赤外レー
ザ、波長が約530nmの第二高調波を出すYAGレー
ザ等がある。しかし、多層配線基板用の電気絶縁性樹脂
は通常500nmから1μm前後の光の吸収性が弱いた
めに、このレーザを用いても加工速度が小さく、実際に
使用することは現実的ではない。したがって、加工速度
が大きくかつ小さなバイアホールを形成することが可能
な多層配線基板用の製造技術が望まれていた。
報には、絶縁体層および導体層にホール(スルホール、
バイアホール、など)を形成する多層配線板の製造方法
において、絶縁体層および導体層を積層する工程と、レ
ーザ照射による該導体層および該絶縁体層に孔をあける
工程と、該導体層間を該孔を介して電気的接続する工程
よりなる多層配線板の製造法が記載されている。この方
法ではレーザで直接絶縁体層および導体層に孔あけを行
うためドリル、エッチングなどによって導体層を予め孔
あけする必要がなく製造工程が減少するという利点を有
している。この公報に具体的に示されている方法は、高
エネルギーレーザである炭酸ガスレーザを用いて絶縁体
層および導体層に孔を開ける方法である。炭酸ガスレー
ザは高エネルギーを有しているため、加工速度が速いと
いう利点を有しているものの、レーザ光の波長が10.
6μmという長い波長であるためレーザ光を小さく絞る
ことができない。したがって、通常バイアホール等の加
工径は50μm以上と大きく、小さなバイアホールを開
けることは不可能である。また多層配線基板のバイアホ
ールを形成するために、レーザとして波長が約350n
mの高調波固体レーザ、波長が約250nmのエキシマ
レーザを用いる方法も提案されている。高調波固体レー
ザは波長が約350nmであるので、50μm以下の小
さいバイアホールは開くが、出力光が弱い為に、加工速
度がやや遅いという欠点を有している。またエキシマレ
ーザも50μm以下の小さいバイアホールは開くが、加
工速度はかなり遅く、さらに装置価格が高いという欠点
を持っている。その他のレーザとして波長が約1μmで
ビームを十分絞ることが可能で、出力も十分あり、装置
価格もそれほど高くない、YAG、YLF等の赤外レー
ザ、波長が約530nmの第二高調波を出すYAGレー
ザ等がある。しかし、多層配線基板用の電気絶縁性樹脂
は通常500nmから1μm前後の光の吸収性が弱いた
めに、このレーザを用いても加工速度が小さく、実際に
使用することは現実的ではない。したがって、加工速度
が大きくかつ小さなバイアホールを形成することが可能
な多層配線基板用の製造技術が望まれていた。
【0004】一方、特開平1−206698号公報に
は、絶縁層と導体層を交互に複数層形成し、絶縁層側か
らレーザ光を照射し絶縁層にバイアホールを形成する方
法では、レーザ光が下部導体層を温度上昇させ、その近
傍の絶縁層を昇華させるため、バイアホールの形状が、
下部導体層に接している部分の方が大きくなり、後の工
程である上部導体層の形成に悪影響を与えるので、絶縁
層にキレート化合物のような染料を含ませ、絶縁層に積
極的にレーザ光を吸収させ、下部導体層の温度上昇を抑
制することが示されている。しかし、前記公報には、多
層配線基板の製造において、50μm以下の小径のバイ
アホールを効率よくあけるという考え方はなにも示され
ていない。また、前記公報のバイアホールの形成法で
は、小径のバイアホールを効率よく形成することはでき
ない。その理由は、50μm以下のバイアホールを形成
するには、ただレーザ光を吸収する染料を添加するだけ
ではだめで、レーザ光に対する吸光係数の大きい染料を
少量添加する(10重量%以下)ことが必要で、またこ
の場合レーザ光を70%吸収することが必要である。し
かし、前記公報にはこのことについて何も言及していな
い。
は、絶縁層と導体層を交互に複数層形成し、絶縁層側か
らレーザ光を照射し絶縁層にバイアホールを形成する方
法では、レーザ光が下部導体層を温度上昇させ、その近
傍の絶縁層を昇華させるため、バイアホールの形状が、
下部導体層に接している部分の方が大きくなり、後の工
程である上部導体層の形成に悪影響を与えるので、絶縁
層にキレート化合物のような染料を含ませ、絶縁層に積
極的にレーザ光を吸収させ、下部導体層の温度上昇を抑
制することが示されている。しかし、前記公報には、多
層配線基板の製造において、50μm以下の小径のバイ
アホールを効率よくあけるという考え方はなにも示され
ていない。また、前記公報のバイアホールの形成法で
は、小径のバイアホールを効率よく形成することはでき
ない。その理由は、50μm以下のバイアホールを形成
するには、ただレーザ光を吸収する染料を添加するだけ
ではだめで、レーザ光に対する吸光係数の大きい染料を
少量添加する(10重量%以下)ことが必要で、またこ
の場合レーザ光を70%吸収することが必要である。し
かし、前記公報にはこのことについて何も言及していな
い。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑みなされたものであり、その目的は、レーザ光による
バイアホール形成に供したとき、50μm以下の径のバ
イアホールを加工することが可能で、かつ加工速度が大
きい、多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物を提供す
ること、前記電気絶縁性樹脂組成物を用いて、該組成物
の層に効率よく50μm以下のバイアホールを形成する
方法を提供すること、前記電気絶縁性樹脂組成物を用い
て多層配線基板用を効率よく作製することが可能な多層
配線基板の製造方法を提供することにある。
鑑みなされたものであり、その目的は、レーザ光による
バイアホール形成に供したとき、50μm以下の径のバ
イアホールを加工することが可能で、かつ加工速度が大
きい、多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物を提供す
ること、前記電気絶縁性樹脂組成物を用いて、該組成物
の層に効率よく50μm以下のバイアホールを形成する
方法を提供すること、前記電気絶縁性樹脂組成物を用い
て多層配線基板用を効率よく作製することが可能な多層
配線基板の製造方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題は、以下の多層
配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物、バイアホールの形
成法および多層配線基板の製造方法を提供することによ
り解決される。 (1)多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物であっ
て、電気絶縁性樹脂と500nm〜1500nmの範囲
に吸収領域のある染料、顔料または赤外線吸収色素から
選ばれる1種以上のレーザ光を吸収する物質を含有する
ことを特徴とする多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成
物。 (2)多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物であっ
て、電気絶縁性樹脂とレーザ光を吸収する紫外線吸収剤
の1種以上を含有することを特徴とする多層配線基板用
の電気絶縁性樹脂組成物。 (3)前記赤外線吸収色素が、下記一般式で示される化
合物であることを特徴とする前記(1)に記載の電気絶
縁性樹脂組成物。
配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物、バイアホールの形
成法および多層配線基板の製造方法を提供することによ
り解決される。 (1)多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物であっ
て、電気絶縁性樹脂と500nm〜1500nmの範囲
に吸収領域のある染料、顔料または赤外線吸収色素から
選ばれる1種以上のレーザ光を吸収する物質を含有する
ことを特徴とする多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成
物。 (2)多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物であっ
て、電気絶縁性樹脂とレーザ光を吸収する紫外線吸収剤
の1種以上を含有することを特徴とする多層配線基板用
の電気絶縁性樹脂組成物。 (3)前記赤外線吸収色素が、下記一般式で示される化
合物であることを特徴とする前記(1)に記載の電気絶
縁性樹脂組成物。
【0007】
【化2】
【0008】式中、Zによって完成される環は、置換基
を有していてよい芳香族炭化水素環、またはヘテロ環を
示し、TはO、S、Se、N−R1、CR2R3、または
CR4=CR5を示し、R1、R2、R3、R4、およびR5
は置換基を有していてよいアルキル基、アリール基、ま
たはアルケニル基を示す。Qは置換基を有していてよい
アルキレン基を示し、また式中のC原子およびN原子と
直接結合しないメチレン基をOまたはSで置換してもよ
い。Lは置換基を有していてよいポリメチン基を示し、
複数の置換基によって環を形成してもよい。Xは陰イオ
ンを示す。
を有していてよい芳香族炭化水素環、またはヘテロ環を
示し、TはO、S、Se、N−R1、CR2R3、または
CR4=CR5を示し、R1、R2、R3、R4、およびR5
は置換基を有していてよいアルキル基、アリール基、ま
たはアルケニル基を示す。Qは置換基を有していてよい
アルキレン基を示し、また式中のC原子およびN原子と
直接結合しないメチレン基をOまたはSで置換してもよ
い。Lは置換基を有していてよいポリメチン基を示し、
複数の置換基によって環を形成してもよい。Xは陰イオ
ンを示す。
【0009】(4) 前記レーザ光を吸収する物質また
はレーザ光を吸収する紫外線吸収剤が、レーザ光を70
%以上吸収する量加えられていることを特徴とする前記
(1)ないし(3)のいずれか1に記載の電気絶縁性樹
脂組成物。 (5)前記電気絶縁性樹脂組成物が、レーザ光でバイア
ホールを形成する工程を含む多層配線基板の製造に用い
られることを特徴とする前記(1)ないし(4)のいず
れか1に記載の電気絶縁性樹脂組成物。 (6)前記(1)ないし(5)のいずれか1に記載の電
気絶縁性樹脂組成物からなる層にレーザ光を用いて孔径
が50μm以下のバイアホールを形成する方法。 (7)前記(1)に記載の電気絶縁性樹脂組成物を用
い、該組成物の層を波長が1060nmのレーザ光でバ
イアホールを形成する工程を含むことを特徴とする、多
層配線基板の製造方法。 (8)前記(1)に記載の電気絶縁性樹脂組成物を用
い、該組成物の層を波長が530nmのレーザ光でバイ
アホールを形成する工程を含むことを特徴とする、多層
配線基板の製造方法。 (9)前記(2)に記載の電気絶縁性樹脂組成物を用
い、該組成物の層を波長が400nm以下のレーザ光で
バイアホールを形成する工程を含むことを特徴とする、
多層配線基板の製造方法。 (10)前記電気絶縁性樹脂組成物の層に50μm以下
のバイアホールを形成することを特徴とする前記(7)
ないし(9)のいずれか1に記載の多層配線基板の製造
方法。
はレーザ光を吸収する紫外線吸収剤が、レーザ光を70
%以上吸収する量加えられていることを特徴とする前記
(1)ないし(3)のいずれか1に記載の電気絶縁性樹
脂組成物。 (5)前記電気絶縁性樹脂組成物が、レーザ光でバイア
ホールを形成する工程を含む多層配線基板の製造に用い
られることを特徴とする前記(1)ないし(4)のいず
れか1に記載の電気絶縁性樹脂組成物。 (6)前記(1)ないし(5)のいずれか1に記載の電
気絶縁性樹脂組成物からなる層にレーザ光を用いて孔径
が50μm以下のバイアホールを形成する方法。 (7)前記(1)に記載の電気絶縁性樹脂組成物を用
い、該組成物の層を波長が1060nmのレーザ光でバ
イアホールを形成する工程を含むことを特徴とする、多
層配線基板の製造方法。 (8)前記(1)に記載の電気絶縁性樹脂組成物を用
い、該組成物の層を波長が530nmのレーザ光でバイ
アホールを形成する工程を含むことを特徴とする、多層
配線基板の製造方法。 (9)前記(2)に記載の電気絶縁性樹脂組成物を用
い、該組成物の層を波長が400nm以下のレーザ光で
バイアホールを形成する工程を含むことを特徴とする、
多層配線基板の製造方法。 (10)前記電気絶縁性樹脂組成物の層に50μm以下
のバイアホールを形成することを特徴とする前記(7)
ないし(9)のいずれか1に記載の多層配線基板の製造
方法。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明は、多層配線基板用の電気
絶縁性樹脂の中にレーザ光を吸収する物質を含ませるこ
とを特徴とし、レーザ光を吸収する物質を含む電気絶縁
性樹脂組成物を用いることにより、該組成物の層に、小
さな径のバイアホールを効率よく(加工速度の向上)形
成することが可能となったものである。本発明において
使用する電気絶縁性樹脂としては多層配線基板に用いら
れる電気絶縁性樹脂が特に制限なく使用することが可能
で、たとえばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエス
テル樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、ポリフェニレン
エーテル樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ビスマレ
イミド・トリアジン樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹
脂、シリコーン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリスルホ
ン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルスルホ
ン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、
ポリエチレンなどが挙げられる。好ましくは、エポキシ
樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール
樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオ
キシド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂などを挙
げることができる。
絶縁性樹脂の中にレーザ光を吸収する物質を含ませるこ
とを特徴とし、レーザ光を吸収する物質を含む電気絶縁
性樹脂組成物を用いることにより、該組成物の層に、小
さな径のバイアホールを効率よく(加工速度の向上)形
成することが可能となったものである。本発明において
使用する電気絶縁性樹脂としては多層配線基板に用いら
れる電気絶縁性樹脂が特に制限なく使用することが可能
で、たとえばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエス
テル樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、ポリフェニレン
エーテル樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ビスマレ
イミド・トリアジン樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹
脂、シリコーン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリスルホ
ン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルスルホ
ン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、
ポリエチレンなどが挙げられる。好ましくは、エポキシ
樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール
樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオ
キシド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂などを挙
げることができる。
【0011】次に、本発明の電気絶縁性樹脂組成物にお
いて使用されるレーザ光を吸収する物質について説明す
る。レーザ光を吸収する物質としてまず挙げられるの
は、レーザ光を吸収する色素であり、この中には、通常
顔料、あるいは染料と呼ばれるものが含まれる。たとえ
ば、日本顔料技術協会編、(株)誠文堂新光社発行の
「顔料便覧」第12頁〜13頁に記載の黒色顔料、第2
6頁〜38頁に記載の赤色顔料、第39頁〜40頁に記
載の紫色顔料、第41頁〜44頁に記載の青色顔料、が
挙げられる。中でも、500nm〜1500nmの範囲
に吸収領域のある顔料が好ましく用いられる。また、染
料としては、社団法人有機化学協会編、(株)丸善発行
の「染料便覧」の第382頁〜390頁に記載の黒色染
料、第331頁〜346頁に記載の赤色染料、第346
頁〜351頁に記載の紫色染料、第352頁〜368頁
に記載の青色染料を用いることができる。中でも、50
0nm〜1500nmの範囲に吸収領域のある染料が好
ましく用いられる。
いて使用されるレーザ光を吸収する物質について説明す
る。レーザ光を吸収する物質としてまず挙げられるの
は、レーザ光を吸収する色素であり、この中には、通常
顔料、あるいは染料と呼ばれるものが含まれる。たとえ
ば、日本顔料技術協会編、(株)誠文堂新光社発行の
「顔料便覧」第12頁〜13頁に記載の黒色顔料、第2
6頁〜38頁に記載の赤色顔料、第39頁〜40頁に記
載の紫色顔料、第41頁〜44頁に記載の青色顔料、が
挙げられる。中でも、500nm〜1500nmの範囲
に吸収領域のある顔料が好ましく用いられる。また、染
料としては、社団法人有機化学協会編、(株)丸善発行
の「染料便覧」の第382頁〜390頁に記載の黒色染
料、第331頁〜346頁に記載の赤色染料、第346
頁〜351頁に記載の紫色染料、第352頁〜368頁
に記載の青色染料を用いることができる。中でも、50
0nm〜1500nmの範囲に吸収領域のある染料が好
ましく用いられる。
【0012】また、500nm〜1500nmの範囲に
吸収領域のある赤外線吸収色素としては、上記の顔料お
よび染料の他に、下記一般式で示されるものが好ましく
用いられる。この赤外線吸収色素は、実質的に無色であ
るため絶縁樹脂層の透明性を損なわない。
吸収領域のある赤外線吸収色素としては、上記の顔料お
よび染料の他に、下記一般式で示されるものが好ましく
用いられる。この赤外線吸収色素は、実質的に無色であ
るため絶縁樹脂層の透明性を損なわない。
【0013】
【化3】
【0014】式中、Zによって完成される環は、置換基
を有していてよい芳香族炭化水素環、またはヘテロ環を
示し、TはO、S、Se、N−R1、CR2R3、または
CR4=CR5を示し、R1、R2、R3、R4、およびR5
は置換基を有していてよいアルキル基、アリール基、ま
たはアルケニル基を示す。Qは置換基を有していてよい
アルキレン基を示し、また式中のC原子およびN原子と
直接結合しないメチレン基をOまたはSで置換してもよ
い。Lは置換基を有していてよいポリメチン基を示し、
複数の置換基によって環を形成してもよい。Xは陰イオ
ンを示す。
を有していてよい芳香族炭化水素環、またはヘテロ環を
示し、TはO、S、Se、N−R1、CR2R3、または
CR4=CR5を示し、R1、R2、R3、R4、およびR5
は置換基を有していてよいアルキル基、アリール基、ま
たはアルケニル基を示す。Qは置換基を有していてよい
アルキレン基を示し、また式中のC原子およびN原子と
直接結合しないメチレン基をOまたはSで置換してもよ
い。Lは置換基を有していてよいポリメチン基を示し、
複数の置換基によって環を形成してもよい。Xは陰イオ
ンを示す。
【0015】上記一般式において、Zによって完成され
る芳香族炭化水素環、またはヘテロ環の例としては、ベ
ンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、キノリン環、ピ
ラジン環、キノキサリン環等が挙げられる。Z上には、
さらに他の置換基を結合させてよい。このような置換基
としては、例えば、アルキル基、アリール基、複素環残
基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリーロキシ基、ア
ルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルカルボニル
基、アリールカルボニル基、アルキルオキシカルボニル
基、アリーロキシカルボニル基、アルキルカルボニルオ
キシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルキルアミド
基、アリールアミド基、アルキルカルバモイル基、アリ
ールカルバモイル基、アルキルアミノ基、アリールアミ
ノ基、カルボン酸基、アルキルスルホニル基、アリール
スルホニル基、アルキルスルホンアミド基、アリールス
ルホンアミド基、アルキルスルファモイル基、アリール
スルファモイル基、シアノ基、ニトロ基等の種々の置換
基を挙げることができる。そして、Z上に結合される上
記置換基の数は、通常、0または1〜4程度が好まし
い。尚、置換基が2つ以上であるとき、複数の置換基は
互いに同じものであっても異なるものであってもよい。
る芳香族炭化水素環、またはヘテロ環の例としては、ベ
ンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、キノリン環、ピ
ラジン環、キノキサリン環等が挙げられる。Z上には、
さらに他の置換基を結合させてよい。このような置換基
としては、例えば、アルキル基、アリール基、複素環残
基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリーロキシ基、ア
ルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルカルボニル
基、アリールカルボニル基、アルキルオキシカルボニル
基、アリーロキシカルボニル基、アルキルカルボニルオ
キシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルキルアミド
基、アリールアミド基、アルキルカルバモイル基、アリ
ールカルバモイル基、アルキルアミノ基、アリールアミ
ノ基、カルボン酸基、アルキルスルホニル基、アリール
スルホニル基、アルキルスルホンアミド基、アリールス
ルホンアミド基、アルキルスルファモイル基、アリール
スルファモイル基、シアノ基、ニトロ基等の種々の置換
基を挙げることができる。そして、Z上に結合される上
記置換基の数は、通常、0または1〜4程度が好まし
い。尚、置換基が2つ以上であるとき、複数の置換基は
互いに同じものであっても異なるものであってもよい。
【0016】前記置換基の中でも、ハロゲン原子(例え
ばF、Cl等である)、シアノ基、置換若しくは非置換
で炭素原子数1〜20のアルコキシ基(例えばメトキシ
基、エトキシ基、ドデシルオキシ基、メトキシエトキシ
基等である)、炭素原子数6〜20の置換もしくは非置
換のフェノキシ基(例えばフェノキシ基、3,5−ジク
ロロフェノキシ基、2,4−ジ−t−ペンチルフェノキ
シ基等である)、置換もしくは非置換の炭素原子数1〜
20のアルキル基(例えばメチル基、エチル基、イソブ
チル基、t−ペンチル基、オクタデシル基、シクロヘキ
シル基等である)、炭素原子数6〜20で置換もしくは
非置換のフェニル基(例えばフェニル基、4−メチルフ
ェニル基、4−トリフルオロメチルフェニル基、3,5
−ジクロロフェニル基等である)等が好ましい。
ばF、Cl等である)、シアノ基、置換若しくは非置換
で炭素原子数1〜20のアルコキシ基(例えばメトキシ
基、エトキシ基、ドデシルオキシ基、メトキシエトキシ
基等である)、炭素原子数6〜20の置換もしくは非置
換のフェノキシ基(例えばフェノキシ基、3,5−ジク
ロロフェノキシ基、2,4−ジ−t−ペンチルフェノキ
シ基等である)、置換もしくは非置換の炭素原子数1〜
20のアルキル基(例えばメチル基、エチル基、イソブ
チル基、t−ペンチル基、オクタデシル基、シクロヘキ
シル基等である)、炭素原子数6〜20で置換もしくは
非置換のフェニル基(例えばフェニル基、4−メチルフ
ェニル基、4−トリフルオロメチルフェニル基、3,5
−ジクロロフェニル基等である)等が好ましい。
【0017】前記一般式において、TはO、S、Se、
N−R1、CR2R3 、又は−CR4=CR5 −である。
この場合、R1 、R2 、R3 、R4 及びR5 で表される
基としては、置換もしくは非置換の、アルキル基、アリ
ール基及びアルケニル基が好ましく、特にアルキル基が
好ましい。R1 〜R5 で表される基の炭素原子数は1〜
30であることが好ましく、特に1〜20であることが
好ましい。
N−R1、CR2R3 、又は−CR4=CR5 −である。
この場合、R1 、R2 、R3 、R4 及びR5 で表される
基としては、置換もしくは非置換の、アルキル基、アリ
ール基及びアルケニル基が好ましく、特にアルキル基が
好ましい。R1 〜R5 で表される基の炭素原子数は1〜
30であることが好ましく、特に1〜20であることが
好ましい。
【0018】また、これらR1 〜R5 で表される基がさ
らに置換基を有していてもよい。このような置換基とし
ては、スルホン酸基、アルキルカルボニルオキシ基、ア
ルキルアミド基、アルキルスルホンアミド基、アルコキ
シカルボニル基、アルキルアミノ基、アルキルカルバモ
イル基、アルキルスルファモイル基、アルコキシ基、ア
リールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ア
ルキル基、アリール基、カルボキシル基、ハロゲン原
子、シアノ基等が好ましい。
らに置換基を有していてもよい。このような置換基とし
ては、スルホン酸基、アルキルカルボニルオキシ基、ア
ルキルアミド基、アルキルスルホンアミド基、アルコキ
シカルボニル基、アルキルアミノ基、アルキルカルバモ
イル基、アルキルスルファモイル基、アルコキシ基、ア
リールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ア
ルキル基、アリール基、カルボキシル基、ハロゲン原
子、シアノ基等が好ましい。
【0019】これらの置換基の中でも、ハロゲン原子
(F、Cl等)、シアノ基、置換もしくは非置換で炭素
原子数1〜20のアルコキシ基(例えばメトキシ基、エ
トキシ基、ドデシルオキシ基、メトキシエトキシ基
等)、炭素原子数6〜20で置換もしくは非置換でフェ
ノキシ基(例えばフェノキシ基、3,5−ジ−クロロフ
ェノキシ基、2,4−ジ−t−ペンチルフェノキシ基
等)、置換もしくは非置換で炭素原子数1〜20のアル
キル基(例えばメチル基、エチル基、イソブチル基、t
−ペンチル基、オクタデシル基、シクロヘキシル基
等)、または炭素原子数6〜20で置換もしくは非置換
のフェニル基(例えばフェニル基、4−メチルフェニル
基、4−メチルフェニル基、4−トリフルオロメチルフ
ェニル基、3,5−ジクロロフェニル基等)が特に好ま
しい。
(F、Cl等)、シアノ基、置換もしくは非置換で炭素
原子数1〜20のアルコキシ基(例えばメトキシ基、エ
トキシ基、ドデシルオキシ基、メトキシエトキシ基
等)、炭素原子数6〜20で置換もしくは非置換でフェ
ノキシ基(例えばフェノキシ基、3,5−ジ−クロロフ
ェノキシ基、2,4−ジ−t−ペンチルフェノキシ基
等)、置換もしくは非置換で炭素原子数1〜20のアル
キル基(例えばメチル基、エチル基、イソブチル基、t
−ペンチル基、オクタデシル基、シクロヘキシル基
等)、または炭素原子数6〜20で置換もしくは非置換
のフェニル基(例えばフェニル基、4−メチルフェニル
基、4−メチルフェニル基、4−トリフルオロメチルフ
ェニル基、3,5−ジクロロフェニル基等)が特に好ま
しい。
【0020】R1 〜R5 としては、炭素原子数1〜8の
非置換アルキル基が最も好ましく、Tとしては、−C
(CH3)2−が特に好ましい。又、Qで表される2価の
基で形成される環としては、5、6、もしくは7員の炭
素環もしくはヘテロ環が好ましい。
非置換アルキル基が最も好ましく、Tとしては、−C
(CH3)2−が特に好ましい。又、Qで表される2価の
基で形成される環としては、5、6、もしくは7員の炭
素環もしくはヘテロ環が好ましい。
【0021】Qで表されるアルキレン基の基としては、
エチレン基、プロピレン基、もしくはブチレン基、或い
はこれらの基を形成する置換されていてもよいメチレン
基のうち、一般式中のC若しくはNと直接結合していな
いメチレン基を−O−若しくは−S−で置き換えて生じ
る基が好ましく、これらの基は置換基を有していてもよ
い。これらの中でも、特にエチレン基、プロピレン基、
ブチレン基、−CH2OCH2−、−CH2OCH2CH2
−、−CH2SCH2−、−CH2SCH2CH2−が好ま
しく、これらの基は置換基を有していてもよい。
エチレン基、プロピレン基、もしくはブチレン基、或い
はこれらの基を形成する置換されていてもよいメチレン
基のうち、一般式中のC若しくはNと直接結合していな
いメチレン基を−O−若しくは−S−で置き換えて生じ
る基が好ましく、これらの基は置換基を有していてもよ
い。これらの中でも、特にエチレン基、プロピレン基、
ブチレン基、−CH2OCH2−、−CH2OCH2CH2
−、−CH2SCH2−、−CH2SCH2CH2−が好ま
しく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【0022】これらQで表されるアルキレン基の置換基
としては、ハロゲン原子(F、Cl等)、ニトロ基、シ
アノ基、置換されていてもよい炭素原子数20以下のア
ルキル基(例えばメチル基、エチル基、トリフルオロメ
チル基、2−メトキシエチル基、シクロヘキシル基、ベ
ンジル基等)、炭素原子数6〜20の置換されていても
よいフェニル基(例えばフェニル基、p−メトキシフェ
ニル基、m−クロロフェニル基、p−トルイル基、p−
フルオロフェニル基等)、炭素原子数1〜20の置換さ
れていてもよいアルコキシ基(メトキシ基、2−メトキ
シエトキシ基、2,2,3,3−テトラフルオロプロピ
ルオキシ基等)、炭素原子数6〜20の置換されていて
もよいフェノキシ基(例えばフェノキシ基、p−メトキ
シフェノキシ基、3,5−ジクロロフェノキシ基、p−
ブチルフェノキシ基等)、炭素原子数1〜20の置換さ
れていてもよいアルキルスルホニル基(例えばメタンス
ルホニル基、ブタンスルホニル基、ドデカンスルホニル
基等)、炭素原子数6〜20の置換されていてもよいア
リールスルホニル基(例えばフェニルスルホニル基、p
−トルエンスルホニル基、m−クロロベンゼンスルホニ
ル基等)等を挙げることができる。
としては、ハロゲン原子(F、Cl等)、ニトロ基、シ
アノ基、置換されていてもよい炭素原子数20以下のア
ルキル基(例えばメチル基、エチル基、トリフルオロメ
チル基、2−メトキシエチル基、シクロヘキシル基、ベ
ンジル基等)、炭素原子数6〜20の置換されていても
よいフェニル基(例えばフェニル基、p−メトキシフェ
ニル基、m−クロロフェニル基、p−トルイル基、p−
フルオロフェニル基等)、炭素原子数1〜20の置換さ
れていてもよいアルコキシ基(メトキシ基、2−メトキ
シエトキシ基、2,2,3,3−テトラフルオロプロピ
ルオキシ基等)、炭素原子数6〜20の置換されていて
もよいフェノキシ基(例えばフェノキシ基、p−メトキ
シフェノキシ基、3,5−ジクロロフェノキシ基、p−
ブチルフェノキシ基等)、炭素原子数1〜20の置換さ
れていてもよいアルキルスルホニル基(例えばメタンス
ルホニル基、ブタンスルホニル基、ドデカンスルホニル
基等)、炭素原子数6〜20の置換されていてもよいア
リールスルホニル基(例えばフェニルスルホニル基、p
−トルエンスルホニル基、m−クロロベンゼンスルホニ
ル基等)等を挙げることができる。
【0023】Qで表されるアルキレン基の中でも、エチ
レン基、プロピレン基、ブチレン基等の基の1箇以上の
水素原子が、F、Cl、または炭素原子数1ないし4の
アルキル基で置換されて形成される基が、Qで表される
2価の基の中でも特に好ましいものに分類される。
レン基、プロピレン基、ブチレン基等の基の1箇以上の
水素原子が、F、Cl、または炭素原子数1ないし4の
アルキル基で置換されて形成される基が、Qで表される
2価の基の中でも特に好ましいものに分類される。
【0024】上記一般式で示される化合物のLは置換基
を有していてよいポリメチン基を示し、複数の置換基に
よって環を形成してもよい。環はさらに置換基によって
置換されていてもよい。ポリメチン基としてはメチレン
基が共役二重結合で連結されて生じるペンタメチン基、
或いはヘプタメチン基等が挙げられ、下記式で示される
構造を有しているものが好ましい。
を有していてよいポリメチン基を示し、複数の置換基に
よって環を形成してもよい。環はさらに置換基によって
置換されていてもよい。ポリメチン基としてはメチレン
基が共役二重結合で連結されて生じるペンタメチン基、
或いはヘプタメチン基等が挙げられ、下記式で示される
構造を有しているものが好ましい。
【0025】
【化4】
【0026】
【化5】
【0027】
【化6】
【0028】
【化7】
【0029】
【化8】
【0030】
【化9】
【0031】これらの中でも、化5、化6、化7、化8
および化9で表されるトリカルボシアニンを形成する連
結基が特に好ましい。化4〜化9において、iは1又は
2であり、jは0又は1である。又、Yは水素原子また
は1価の基を表す。
および化9で表されるトリカルボシアニンを形成する連
結基が特に好ましい。化4〜化9において、iは1又は
2であり、jは0又は1である。又、Yは水素原子また
は1価の基を表す。
【0032】Yで表される1価の基としては、低級アル
キル基(メチル基等)、低級アルコキシ基(メトキシ基
等)、置換アミノ基(ジメチルアミノ基、ジフェニルア
ミノ基、メチルフェニルアミノ基、モルホリノ基、イミ
ダゾリジン基、エトキシカルボニルピペラジン基等)、
アルキルカルボニルオキシ基(アセトキシ基等)、アル
キルチオ基(メチルチオ基等)、シアノ基、ニトロ基、
ハロゲン原子(Br、Cl、F等)等が好ましい。
キル基(メチル基等)、低級アルコキシ基(メトキシ基
等)、置換アミノ基(ジメチルアミノ基、ジフェニルア
ミノ基、メチルフェニルアミノ基、モルホリノ基、イミ
ダゾリジン基、エトキシカルボニルピペラジン基等)、
アルキルカルボニルオキシ基(アセトキシ基等)、アル
キルチオ基(メチルチオ基等)、シアノ基、ニトロ基、
ハロゲン原子(Br、Cl、F等)等が好ましい。
【0033】Yで表される基のうち特に好ましいものは
水素原子である。またR7 及びR8はそれぞれ水素原子
又は低級アルキル基(メチル基等)である。
水素原子である。またR7 及びR8はそれぞれ水素原子
又は低級アルキル基(メチル基等)である。
【0034】前記一般式中のX- で表される陰イオンと
しては、例えば、ハライドイオン(I- 、Br- 、Cl
- 等)、過ハロゲン酸イオン(ClO4 - 、BrO
4 - 等)、BF4 - 、PF6 - 、スルホン酸イオン(CH3
SO3 - 、CF3SO3 - 等)、下記式で表されるイオ
ン、
しては、例えば、ハライドイオン(I- 、Br- 、Cl
- 等)、過ハロゲン酸イオン(ClO4 - 、BrO
4 - 等)、BF4 - 、PF6 - 、スルホン酸イオン(CH3
SO3 - 、CF3SO3 - 等)、下記式で表されるイオ
ン、
【0035】
【化10】
【0036】
【化11】
【0037】HSO3 - 、SO4 2-、PO4 3-、H2PO4
- 、ヘテロポリ酸イオン(〔PO4 ・12MoO3〕3-
等)、カルボン酸イオン(HCO3 - 、CO3 2-、CH3
CO2 -、-O2C−CO2 -、下記式表されるイオン、
- 、ヘテロポリ酸イオン(〔PO4 ・12MoO3〕3-
等)、カルボン酸イオン(HCO3 - 、CO3 2-、CH3
CO2 -、-O2C−CO2 -、下記式表されるイオン、
【0038】
【化12】
【0039】
【化13】
【0040】等を挙げることができる。なお、上記一般
式において、X- はZ、Q、T或いはLに置換基として
結合していてもよい(例えば、−SO3 - や−(CH2)
4SO3 - 等として)。
式において、X- はZ、Q、T或いはLに置換基として
結合していてもよい(例えば、−SO3 - や−(CH2)
4SO3 - 等として)。
【0041】前記一般式で示される赤外線吸収色素の好
ましい具体例を以下に示す。
ましい具体例を以下に示す。
【0042】
【化14】
【0043】
【化15】
【0044】
【化16】
【0045】
【化17】
【0046】
【化18】
【0047】
【化19】
【0048】
【化20】
【0049】
【化21】
【0050】
【化22】
【0051】本発明において、レーザ光を吸収する物質
として上記一般式で示される化合物を用いると、絶縁樹
脂層の透明性を損なわないだけでなく、10重量%以下
の添加量でレーザ光を70%以上吸収することができ、
50μm以下の径のバイアホールをあけることができ
る。また、高湿下での電気絶縁性、長期保存性、耐熱
性、層間接続信頼性が良好であるという効果を有する。
として上記一般式で示される化合物を用いると、絶縁樹
脂層の透明性を損なわないだけでなく、10重量%以下
の添加量でレーザ光を70%以上吸収することができ、
50μm以下の径のバイアホールをあけることができ
る。また、高湿下での電気絶縁性、長期保存性、耐熱
性、層間接続信頼性が良好であるという効果を有する。
【0052】また、本発明において使用されるレーザ光
を吸収する物質として用いられる紫外線吸収剤には、下
記の構造式で示されるものが好ましく用いられるが、本
発明はこれらに限定されるものではない。
を吸収する物質として用いられる紫外線吸収剤には、下
記の構造式で示されるものが好ましく用いられるが、本
発明はこれらに限定されるものではない。
【0053】
【化23】
【0054】前記式で示される化合物において、R1、
R2、R3、およびR4の組み合わせとしては、たとえば
以下の表1に示されるものが挙げられる。
R2、R3、およびR4の組み合わせとしては、たとえば
以下の表1に示されるものが挙げられる。
【0055】
【表1】
【0056】
【化24】
【0057】前記式で示されるベンゾトリアゾール化合
物において、X、R1、R2の組み合わせとしては、たと
えば以下の表2に示されるものが挙げられる。また、他
のベンゾトリアゾール系の紫外線吸収剤として、2−
(2’−ヒドロキシ−4’−オクトキシフェニル)ベン
ゾトリアゾール、2−[2’−ヒドロキシ−3’−
(3”,4”,5”,6”−テトラヒドロフタリルイミ
ドメチル)−5’−メチルフェニル]ベンゾトリアゾー
ル、2,2−メチレンビス−[4−(1,1,3,3−
テトラメチルブチル)−6−(2H−ベンゾトリアゾー
ル−2−イル)フェノール]等を挙げることができる。
物において、X、R1、R2の組み合わせとしては、たと
えば以下の表2に示されるものが挙げられる。また、他
のベンゾトリアゾール系の紫外線吸収剤として、2−
(2’−ヒドロキシ−4’−オクトキシフェニル)ベン
ゾトリアゾール、2−[2’−ヒドロキシ−3’−
(3”,4”,5”,6”−テトラヒドロフタリルイミ
ドメチル)−5’−メチルフェニル]ベンゾトリアゾー
ル、2,2−メチレンビス−[4−(1,1,3,3−
テトラメチルブチル)−6−(2H−ベンゾトリアゾー
ル−2−イル)フェノール]等を挙げることができる。
【0058】
【表2】
【0059】また、前記の紫外線吸収剤のほかに、下記
式で示される紫外線吸収剤が挙げられる。
式で示される紫外線吸収剤が挙げられる。
【0060】
【化25】
【0061】式中、Rはアルキル基を示し、たとえばC
2H5、C12H25等が挙げられる。さらに、以下の構造式
を有する紫外線吸収剤を使用することもできる。
2H5、C12H25等が挙げられる。さらに、以下の構造式
を有する紫外線吸収剤を使用することもできる。
【0062】
【化26】
【0063】前記式中、Rとしては、C8H17、CH2C
HCH2O(CH2)nCH3、CH2CH(OH)CH2
O−iC8H17等が挙げられる。紫外線吸収剤としては
このほかに、2−エチルヘキシル−2−シアノ−3,
3’−ジフェニルアクリレート、エチル−2−シアノ−
3,3’−ジフェニルアクリレート等のシアノアクリレ
ート系紫外線吸収剤などが挙げられる。
HCH2O(CH2)nCH3、CH2CH(OH)CH2
O−iC8H17等が挙げられる。紫外線吸収剤としては
このほかに、2−エチルヘキシル−2−シアノ−3,
3’−ジフェニルアクリレート、エチル−2−シアノ−
3,3’−ジフェニルアクリレート等のシアノアクリレ
ート系紫外線吸収剤などが挙げられる。
【0064】前記のレーザ光を吸収する物質の添加量
は、一般的に電気絶縁性樹脂組成物の0.1〜10重量
%加えられるが、好ましくは、レーザ光を70%以上吸
収する量添加することが適切である。また、本発明の電
気絶縁性樹脂組成物の調製は、前記絶縁性樹脂とレーザ
光を吸収する顔料、染料もしくは赤外線吸収色素、また
は紫外線吸収剤、および他に必要な添加剤、たとえば、
無機フィラー、消泡剤、界面活性剤などとともに、ソル
ベントナフサなどの溶剤に溶解させることにより調製す
ることができる。
は、一般的に電気絶縁性樹脂組成物の0.1〜10重量
%加えられるが、好ましくは、レーザ光を70%以上吸
収する量添加することが適切である。また、本発明の電
気絶縁性樹脂組成物の調製は、前記絶縁性樹脂とレーザ
光を吸収する顔料、染料もしくは赤外線吸収色素、また
は紫外線吸収剤、および他に必要な添加剤、たとえば、
無機フィラー、消泡剤、界面活性剤などとともに、ソル
ベントナフサなどの溶剤に溶解させることにより調製す
ることができる。
【0065】本発明において使用されるレーザ光の種類
としてはXeレーザ、アルゴンレーザ、高調波固体レー
ザ、エキシマレーザ、YAGレーザ、YLFレーザなど
が好ましく用いられる。さらに好ましくは高調波固体レ
ーザ、エキシマレーザ、YAGレーザ、YLFレーザで
ある。Xeレーザ、アルゴンレーザは波長が短く、ビー
ムを充分小さく絞ることが可能で、微小なバイアホール
を形成することができる。また波長が約350nmの高
調波固体レーザおよび波長が約250nmのエキシマレ
ーザは、紫外線レーザと呼ばれているものであり、本来
は出力光が弱い為に、加工速度がやや遅いという欠点を
有していたが、本発明の電気絶縁性樹脂組成物、中でも
特に、紫外線吸収剤を含むものに適用すると、加工速度
が改善され、十分効率よくバイアホールを形成すること
が可能である。またこれらのレーザは、約350nmあ
るいは約250nmと波長も短いため、50μm以下の
微小なバイアホールをも形成することが可能である。Y
AG、YLF等の赤外レーザは波長が約1μm(106
0nm)であり、またビームを十分絞ることが可能であ
るため微小なバイアホールを形成することができ、ま
た、出力も十分あり、装置価格もそれほど高くないとい
う特長を有している。これらのYAG、YLF等の赤外
レーザで、本発明の電気絶縁性樹脂組成物、中でも特
に、500nm〜1500nmの範囲に吸収領域のある
染料、顔料または赤外吸収色素を含む電気絶縁性樹脂組
成物の層を加工すると、小径のバイアホールを加工速度
も十分速く形成することができる。また、YAG、YL
Fレーザは、約530nmの第二高調波を出すことがで
き、この波長を用いて加工することもでき、同様の効果
を得ることができる。
としてはXeレーザ、アルゴンレーザ、高調波固体レー
ザ、エキシマレーザ、YAGレーザ、YLFレーザなど
が好ましく用いられる。さらに好ましくは高調波固体レ
ーザ、エキシマレーザ、YAGレーザ、YLFレーザで
ある。Xeレーザ、アルゴンレーザは波長が短く、ビー
ムを充分小さく絞ることが可能で、微小なバイアホール
を形成することができる。また波長が約350nmの高
調波固体レーザおよび波長が約250nmのエキシマレ
ーザは、紫外線レーザと呼ばれているものであり、本来
は出力光が弱い為に、加工速度がやや遅いという欠点を
有していたが、本発明の電気絶縁性樹脂組成物、中でも
特に、紫外線吸収剤を含むものに適用すると、加工速度
が改善され、十分効率よくバイアホールを形成すること
が可能である。またこれらのレーザは、約350nmあ
るいは約250nmと波長も短いため、50μm以下の
微小なバイアホールをも形成することが可能である。Y
AG、YLF等の赤外レーザは波長が約1μm(106
0nm)であり、またビームを十分絞ることが可能であ
るため微小なバイアホールを形成することができ、ま
た、出力も十分あり、装置価格もそれほど高くないとい
う特長を有している。これらのYAG、YLF等の赤外
レーザで、本発明の電気絶縁性樹脂組成物、中でも特
に、500nm〜1500nmの範囲に吸収領域のある
染料、顔料または赤外吸収色素を含む電気絶縁性樹脂組
成物の層を加工すると、小径のバイアホールを加工速度
も十分速く形成することができる。また、YAG、YL
Fレーザは、約530nmの第二高調波を出すことがで
き、この波長を用いて加工することもでき、同様の効果
を得ることができる。
【0066】次に、本発明の多層配線基板の製造法につ
いて説明する。まず、配線パターンが形成された絶縁基
材上に前記本発明の電気絶縁性樹脂組成物を塗布し、熱
硬化処理が必要なものは加熱硬化等の処理を行う。その
後、レーザを用いてバイアホール加工を行う。引き続き
メッキ処理を行う。まず無電解メッキ処理を行うことが
好ましい。この場合、無電解メッキ前に樹脂表面の脱脂
処理、触媒付与、触媒活性化等の前処理を行う。この行
程は特に限定されるものではなく、当業者に公知の市販
の処理液を適宜使用することが可能である。また、必ず
しも脱脂処理を行わなくても良い。この無電解メッキは
銅あるいはニッケル等を用いることができ、膜厚は電解
メッキが可能であれば良く、通常0.2〜0.5μm程
度である。
いて説明する。まず、配線パターンが形成された絶縁基
材上に前記本発明の電気絶縁性樹脂組成物を塗布し、熱
硬化処理が必要なものは加熱硬化等の処理を行う。その
後、レーザを用いてバイアホール加工を行う。引き続き
メッキ処理を行う。まず無電解メッキ処理を行うことが
好ましい。この場合、無電解メッキ前に樹脂表面の脱脂
処理、触媒付与、触媒活性化等の前処理を行う。この行
程は特に限定されるものではなく、当業者に公知の市販
の処理液を適宜使用することが可能である。また、必ず
しも脱脂処理を行わなくても良い。この無電解メッキは
銅あるいはニッケル等を用いることができ、膜厚は電解
メッキが可能であれば良く、通常0.2〜0.5μm程
度である。
【0067】更に配線パターンを形成するための電解メ
ッキを行う。電解メッキは通常銅が配線用としては好適
である。電解銅メッキ液は硫酸銅浴、ピロリン酸銅浴等
を用いることができる。勿論これらに限定されるもので
はない。電解銅メッキ後、通常のサブトラクティブ法に
より、配線を形成する。この際には、市販のフィルム状
のフォトレジスト(ドライフィルムレジストDFR)を
ラミネートして、あるいは液状のフォトレジストを塗布
して、使用することができる。この結果、第2層の配線
が形成され、同時にバイアホール部ではメッキ銅によ
り、第1層と第2層が接続される。これらの一連の工程
は、常法にしたがって、実施することができる。
ッキを行う。電解メッキは通常銅が配線用としては好適
である。電解銅メッキ液は硫酸銅浴、ピロリン酸銅浴等
を用いることができる。勿論これらに限定されるもので
はない。電解銅メッキ後、通常のサブトラクティブ法に
より、配線を形成する。この際には、市販のフィルム状
のフォトレジスト(ドライフィルムレジストDFR)を
ラミネートして、あるいは液状のフォトレジストを塗布
して、使用することができる。この結果、第2層の配線
が形成され、同時にバイアホール部ではメッキ銅によ
り、第1層と第2層が接続される。これらの一連の工程
は、常法にしたがって、実施することができる。
【0068】上記の絶縁基材としては有機基材、たとえ
ば前記の電気絶縁性樹脂、無機基材あるいは両者の複合
体等、特に限定はされないが、具体的にはガラスエポキ
シ基板やセラミックス基板等が好ましく用いられる。ま
た配線パターンに使用される金属箔としては、銅、ステ
ンレス、ニクロム、タングステン、アルミニウムなどが
好ましく用いられる。さらに好ましくは銅、ステンレス
である。特に好ましくは銅であり圧延銅箔、電解銅箔の
方法で製造されたものが好ましく特に電解銅箔は絶縁層
樹脂との接着、密着性に優れている。該金属箔の厚みは
特に限定するものではないが0.5〜50μmであるこ
とが好ましい。
ば前記の電気絶縁性樹脂、無機基材あるいは両者の複合
体等、特に限定はされないが、具体的にはガラスエポキ
シ基板やセラミックス基板等が好ましく用いられる。ま
た配線パターンに使用される金属箔としては、銅、ステ
ンレス、ニクロム、タングステン、アルミニウムなどが
好ましく用いられる。さらに好ましくは銅、ステンレス
である。特に好ましくは銅であり圧延銅箔、電解銅箔の
方法で製造されたものが好ましく特に電解銅箔は絶縁層
樹脂との接着、密着性に優れている。該金属箔の厚みは
特に限定するものではないが0.5〜50μmであるこ
とが好ましい。
【0069】本発明において作製される多層配線基板
は、上記のようなレーザ光を吸収する物質を含む電気絶
縁性樹脂組成物を使用しているため、バイアホールを形
成する際の加工速度が大きくなる、より小さい径のバイ
アホールを開けることができるという効果のほか、バイ
アホール形成の際の歩留まりの向上に基づき、層間接続
信頼性が向上し、さらに耐熱性の向上に基づき半田耐熱
性が良好になるという効果も得られる。
は、上記のようなレーザ光を吸収する物質を含む電気絶
縁性樹脂組成物を使用しているため、バイアホールを形
成する際の加工速度が大きくなる、より小さい径のバイ
アホールを開けることができるという効果のほか、バイ
アホール形成の際の歩留まりの向上に基づき、層間接続
信頼性が向上し、さらに耐熱性の向上に基づき半田耐熱
性が良好になるという効果も得られる。
【0070】
【実施例】以下に実施例を示し本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明はこれらの実施例により限定される
ものではない。なお、以下の「部」はすべて「重量部」
を意味する。 実施例1 (A)成分としてビスフェノールA型エポキシ樹脂(エ
ポキシ等量469、油化シェルエポキシ(株)製エピコ
ート1001)30重量部、クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂(エポキシ等量215,大日本インキ化学工
業(株)製エピクロンN―673)40部の混合物を調
製し、(B)成分としてフェノールノボラック樹脂(フ
ェノール性水酸基等量104、昭和高分子(株)製BR
G―557)26部をエチルジグリコールアセテート2
0部溶解させた溶液を調製し、(A)成分と(B)成分
をソルベントナフサ20部に攪拌しながら加熱溶解さ
せ、そこへ(C)成分として末端エポキシ化ポリブタジ
エンゴム(ナガセ化成工業(株)製デナレックスR―4
5EPT)15部と(D)成分として2−フェニルー
4,5―ビス(ヒドロキシメチル)イミダゾール粉砕品
1.5部、微粉砕シリカ2部、およびシリコン系消泡剤
0.5部の混合物、(E)成分として下記化構造式で表
される赤外線吸収色素3重量部を添加しエポキシ樹脂組
成物を作製した。
説明するが、本発明はこれらの実施例により限定される
ものではない。なお、以下の「部」はすべて「重量部」
を意味する。 実施例1 (A)成分としてビスフェノールA型エポキシ樹脂(エ
ポキシ等量469、油化シェルエポキシ(株)製エピコ
ート1001)30重量部、クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂(エポキシ等量215,大日本インキ化学工
業(株)製エピクロンN―673)40部の混合物を調
製し、(B)成分としてフェノールノボラック樹脂(フ
ェノール性水酸基等量104、昭和高分子(株)製BR
G―557)26部をエチルジグリコールアセテート2
0部溶解させた溶液を調製し、(A)成分と(B)成分
をソルベントナフサ20部に攪拌しながら加熱溶解さ
せ、そこへ(C)成分として末端エポキシ化ポリブタジ
エンゴム(ナガセ化成工業(株)製デナレックスR―4
5EPT)15部と(D)成分として2−フェニルー
4,5―ビス(ヒドロキシメチル)イミダゾール粉砕品
1.5部、微粉砕シリカ2部、およびシリコン系消泡剤
0.5部の混合物、(E)成分として下記化構造式で表
される赤外線吸収色素3重量部を添加しエポキシ樹脂組
成物を作製した。
【0071】
【化27】
【0072】次に、35μmの銅箔をガラスエポキシ基
板の両面に貼った銅張積層板から、常法にしたがって、
内層回路基板を作製した。次いで、上記の方法で得られ
たエポキシ樹脂組成物をスクリーン印刷にて乾燥膜厚が
50μmになるように銅張積層板の一面に塗布し、12
0℃で10分乾燥した後、裏面も同様に塗布、乾燥させ
150℃で30分加熱硬化させた。その後、波長1.0
6μmのYAGレーザにより穴開けを行ったところ30
μmのバイアホールを開けることができた。
板の両面に貼った銅張積層板から、常法にしたがって、
内層回路基板を作製した。次いで、上記の方法で得られ
たエポキシ樹脂組成物をスクリーン印刷にて乾燥膜厚が
50μmになるように銅張積層板の一面に塗布し、12
0℃で10分乾燥した後、裏面も同様に塗布、乾燥させ
150℃で30分加熱硬化させた。その後、波長1.0
6μmのYAGレーザにより穴開けを行ったところ30
μmのバイアホールを開けることができた。
【0073】次にメルテックス社製の処理剤を用い、以
下の(1)から(5)の手順で、無電解銅メッキまで行
った。 (1)前処理剤(PC236)を用い、25℃で3分間
浸漬処理し、2分間純水で水洗した。 (2)触媒付与剤(アクチベーター444)を用い、2
5℃で6分間浸漬処理し、2分間純水で水洗した。 (3)活性化処理剤(PA491)を用い、25℃で1
0分間浸漬処理し、2分間純水で水洗した。 (4)無電解銅メッキ液(CU390)を用い、25
℃、pH12.9の条件下10分間浸漬処理を行った
後、純水で5分間水洗した。 (5)100℃で15分間乾燥した。 この結果、膜厚約0.3μmの無電解銅メッキ膜が形成
された。
下の(1)から(5)の手順で、無電解銅メッキまで行
った。 (1)前処理剤(PC236)を用い、25℃で3分間
浸漬処理し、2分間純水で水洗した。 (2)触媒付与剤(アクチベーター444)を用い、2
5℃で6分間浸漬処理し、2分間純水で水洗した。 (3)活性化処理剤(PA491)を用い、25℃で1
0分間浸漬処理し、2分間純水で水洗した。 (4)無電解銅メッキ液(CU390)を用い、25
℃、pH12.9の条件下10分間浸漬処理を行った
後、純水で5分間水洗した。 (5)100℃で15分間乾燥した。 この結果、膜厚約0.3μmの無電解銅メッキ膜が形成
された。
【0074】引き続き、メルテックス社製の脱脂処理剤
(PC455)を用い、25℃で30秒浸漬処理後、2
分間水洗を行い、次いで電解銅メッキを行った。電解銅
メッキ液は硫酸銅75g/l、硫酸190g/l、塩素
イオン約50ppm、及びメルテックス社製カパーグリ
ームPCM5ml/lの組成で、25℃、2.5A/1
00cm2、40分の条件でメッキを行った。この結
果、約20μmの銅が析出した。これをオーブンに入
れ、160℃で60分間放置した。この工程により層間
接続部が形成された。次にドライフィルムレジストを用
い、常法によりエッ銅のチングを行い、第2層の配線を
形成した。バイアホールの最小径が30μmの多層配線
基板が得られた。これを260℃、20秒間の半田耐熱
試験を行ったところ、バイアホール部での配線等の剥が
れ、膨れなどは発生せず、また導通テストにおいても不
良のものはなかった。
(PC455)を用い、25℃で30秒浸漬処理後、2
分間水洗を行い、次いで電解銅メッキを行った。電解銅
メッキ液は硫酸銅75g/l、硫酸190g/l、塩素
イオン約50ppm、及びメルテックス社製カパーグリ
ームPCM5ml/lの組成で、25℃、2.5A/1
00cm2、40分の条件でメッキを行った。この結
果、約20μmの銅が析出した。これをオーブンに入
れ、160℃で60分間放置した。この工程により層間
接続部が形成された。次にドライフィルムレジストを用
い、常法によりエッ銅のチングを行い、第2層の配線を
形成した。バイアホールの最小径が30μmの多層配線
基板が得られた。これを260℃、20秒間の半田耐熱
試験を行ったところ、バイアホール部での配線等の剥が
れ、膨れなどは発生せず、また導通テストにおいても不
良のものはなかった。
【0075】比較例1 実施例1の赤外線吸収色素を用いない他は、全く同様に
配合してエポキシ樹脂組成物を作製し、この樹脂組成物
を用いて、実施例1と同様に塗布乾燥硬化後、レーザに
よる穴開け加工を試みたたが、バイアホールはあけるこ
とができなかった。
配合してエポキシ樹脂組成物を作製し、この樹脂組成物
を用いて、実施例1と同様に塗布乾燥硬化後、レーザに
よる穴開け加工を試みたたが、バイアホールはあけるこ
とができなかった。
【0076】実施例2 上記実施例1の(E)成分として下記構造式で示される
紫外線吸収剤であるチヌビン326を2重量部添加する
以外は実施例1と全く同様に配合してエポキシ樹脂組成
物を調製し、その塗布乾燥硬化後、波長355nmのY
AGレーザの第三高調波により穴開けを行ったところ3
0μmのバイアホールを開けることができた。
紫外線吸収剤であるチヌビン326を2重量部添加する
以外は実施例1と全く同様に配合してエポキシ樹脂組成
物を調製し、その塗布乾燥硬化後、波長355nmのY
AGレーザの第三高調波により穴開けを行ったところ3
0μmのバイアホールを開けることができた。
【0077】
【化28】
【0078】比較例2 実施例2の紫外線吸収剤を用いない他は、全く同様に配
合してエポキシ樹脂組成物を調製し、その塗布乾燥硬化
後、レーザによる穴開け加工を実施例と全く同様の条件
で行ったが、バイアホールの加工速度は実施例2の約1
/2であった。引き続き、実施例1と同様に、無電解銅
メッキ、電解銅メッキ、銅のエッチングを行い、配線及
び層間接続部を形成し、半田耐熱試験を行ったところ、
バイアホール部での配線等の剥がれが発生し、また導通
テストにおいても不良のものがあった。
合してエポキシ樹脂組成物を調製し、その塗布乾燥硬化
後、レーザによる穴開け加工を実施例と全く同様の条件
で行ったが、バイアホールの加工速度は実施例2の約1
/2であった。引き続き、実施例1と同様に、無電解銅
メッキ、電解銅メッキ、銅のエッチングを行い、配線及
び層間接続部を形成し、半田耐熱試験を行ったところ、
バイアホール部での配線等の剥がれが発生し、また導通
テストにおいても不良のものがあった。
【0079】
【発明の効果】本発明は、上記のように電気絶縁性樹脂
にレーザ光を吸収する物質を加えたことにより、バイア
ホールを形成する際の加工速度が大きくなる、より小さ
い径のバイアホールを開けることができるという効果の
ほか、層間接続信頼性が向上し、さらに半田耐熱性が良
好になるという効果も得られる。
にレーザ光を吸収する物質を加えたことにより、バイア
ホールを形成する際の加工速度が大きくなる、より小さ
い径のバイアホールを開けることができるという効果の
ほか、層間接続信頼性が向上し、さらに半田耐熱性が良
好になるという効果も得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/00 G03F 7/004 505 // G03F 7/004 505 7/032 7/032 C08L 101/00 Fターム(参考) 2H025 AA10 AA20 AB15 AC08 CB08 CB19 CB30 CC02 CC20 4J002 BD121 BH021 BL011 CC031 CC161 CD001 CF001 CG001 CH071 CK001 CM041 CN031 CP031 EU056 EU066 EU076 EU106 EU186 EU216 EV326 FD056 FD096 GQ05 5E346 AA12 AA15 AA43 BB01 CC08 CC09 CC55 DD03 DD25 DD32 DD48 EE33 FF15 GG15 GG17 GG22 HH26 HH33
Claims (10)
- 【請求項1】 多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物
であって、電気絶縁性樹脂と500nm〜1500nm
の範囲に吸収領域のある染料、顔料または赤外線吸収色
素から選ばれる1種以上のレーザ光を吸収する物質を含
有することを特徴とする多層配線基板用の電気絶縁性樹
脂組成物。 - 【請求項2】 多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物
であって、電気絶縁性樹脂とレーザ光を吸収する紫外線
吸収剤の1種以上を含有することを特徴とする多層配線
基板用の電気絶縁性樹脂組成物。 - 【請求項3】 前記赤外線吸収色素が、下記一般式で示
される化合物であることを特徴とする請求項1に記載の
電気絶縁性樹脂組成物。 【化1】 式中、Zによって完成される環は、置換基を有していて
よい芳香族炭化水素環、またはヘテロ環を示し、Tは
O、S、Se、N−R1、CR2R3、またはCR4=CR
5を示し、R1、R2、R3、R4、およびR5は置換基を有
していてよいアルキル基、アリール基、またはアルケニ
ル基を示す。Qは置換基を有していてよいアルキレン基
を示し、また式中のC原子およびN原子と直接結合しな
いメチレン基をOまたはSで置換してもよい。Lは置換
基を有していてよいポリメチン基を示し、複数の置換基
によって環を形成してもよい。Xは陰イオンを示す。 - 【請求項4】 前記レーザ光を吸収する物質またはレー
ザ光を吸収する紫外線吸収剤が、レーザ光を70%以上
吸収する量加えられていることを特徴とする請求項1な
いし請求項3のいずれか1項に記載の電気絶縁性樹脂組
成物。 - 【請求項5】 前記電気絶縁性樹脂組成物が、レーザ光
でバイアホールを形成する工程を含む多層配線基板の製
造に用いられることを特徴とする請求項1ないし請求項
4のいずれか1項に記載の電気絶縁性樹脂組成物。 - 【請求項6】 請求項1ないし請求項5のいずれか1項
に記載の電気絶縁性樹脂組成物からなる層にレーザ光を
用いて孔径が50μm以下のバイアホールを形成する方
法。 - 【請求項7】 請求項1に記載の電気絶縁性樹脂組成物
を用い、該組成物の層を波長が1060nmのレーザ光
でバイアホールを形成する工程を含むことを特徴とす
る、多層配線基板の製造方法。 - 【請求項8】 請求項1に記載の電気絶縁性樹脂組成物
を用い、該組成物の層を波長が530nmのレーザ光で
バイアホールを形成する工程を含むことを特徴とする、
多層配線基板の製造方法。 - 【請求項9】 請求項2に記載の電気絶縁性樹脂組成物
を用い、該組成物の層を波長が400nm以下のレーザ
光でバイアホールを形成する工程を含むことを特徴とす
る、多層配線基板の製造方法。 - 【請求項10】 前記電気絶縁性樹脂組成物の層に50
μm以下のバイアホールを形成することを特徴とする請
求項7ないし請求項9のいずれか1項に記載の多層配線
基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11142379A JP2000332424A (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | 多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物、バイアホールの形成法および多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11142379A JP2000332424A (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | 多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物、バイアホールの形成法および多層配線基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000332424A true JP2000332424A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=15314012
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11142379A Pending JP2000332424A (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | 多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物、バイアホールの形成法および多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000332424A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1999
- 1999-05-21 JP JP11142379A patent/JP2000332424A/ja active Pending
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