JP2000332424A - 多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物、バイアホールの形成法および多層配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザ光によるバイアホール形成に供したと
き、５０μｍ以下の径のバイアホールを開けることが可
能で、かつ加工速度が大きい、多層配線基板用の電気絶
縁性樹脂組成物を提供すること、前記電気絶縁性樹脂組
成物を用いて、該組成物の層に効率よく５０μｍ以下の
バイアホールを形成する方法を提供すること、前記電気
絶縁性樹脂組成物を用いて多層配線基板用を効率よく製
造することが可能な多層配線基板の製造方法を提供する
こと 【解決手段】 多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物
であって、電気絶縁性樹脂と５００ｎｍ〜１５００ｎｍ
の範囲に吸収領域のある染料、顔料もしくは赤外吸収色
素、または紫外線吸収剤から選ばれる、レーザ光を吸収
する物質を含有することを特徴とする多層配線基板用の
電気絶縁性樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線基板
製造分野、特にビルドアップ法による多層配線基板の製
造の際に用いられる電気絶縁性樹脂組成物、この組成物
の層にバイアホールを形成する方法、および前記組成物
を使用してバイアホールを形成した多層配線基板を製造
する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の軽薄短小化、高機能
化、薄層化の流れが急速に進んできている。このため、
電子部品の高密度実装が必須となり、これに対応するた
め、多層配線板も小型化、高密度化、軽量化などが求め
られており、多層配線板の導体幅、導体間隔、スルーホ
ールやバイアホールなどの微細化、小径化高密度化が大
きな課題となってきている。多層配線板の高密度化の一
つの方法として、最近ビルドアップ法が注目を集めてい
る。その特徴は層間接続を従来のドリル穴開けによるス
ルーホールの代わりに、レーザによる孔あけ方法により
絶縁膜に微細なバイアホールを形成することにある。

【０００３】たとえば、特開平１０−１９０２３４号公
報には、絶縁体層および導体層にホール（スルホール、
バイアホール、など）を形成する多層配線板の製造方法
において、絶縁体層および導体層を積層する工程と、レ
ーザ照射による該導体層および該絶縁体層に孔をあける
工程と、該導体層間を該孔を介して電気的接続する工程
よりなる多層配線板の製造法が記載されている。この方
法ではレーザで直接絶縁体層および導体層に孔あけを行
うためドリル、エッチングなどによって導体層を予め孔
あけする必要がなく製造工程が減少するという利点を有
している。この公報に具体的に示されている方法は、高
エネルギーレーザである炭酸ガスレーザを用いて絶縁体
層および導体層に孔を開ける方法である。炭酸ガスレー
ザは高エネルギーを有しているため、加工速度が速いと
いう利点を有しているものの、レーザ光の波長が１０．
６μｍという長い波長であるためレーザ光を小さく絞る
ことができない。したがって、通常バイアホール等の加
工径は５０μｍ以上と大きく、小さなバイアホールを開
けることは不可能である。また多層配線基板のバイアホ
ールを形成するために、レーザとして波長が約３５０ｎ
ｍの高調波固体レーザ、波長が約２５０ｎｍのエキシマ
レーザを用いる方法も提案されている。高調波固体レー
ザは波長が約３５０ｎｍであるので、５０μｍ以下の小
さいバイアホールは開くが、出力光が弱い為に、加工速
度がやや遅いという欠点を有している。またエキシマレ
ーザも５０μｍ以下の小さいバイアホールは開くが、加
工速度はかなり遅く、さらに装置価格が高いという欠点
を持っている。その他のレーザとして波長が約１μｍで
ビームを十分絞ることが可能で、出力も十分あり、装置
価格もそれほど高くない、ＹＡＧ、ＹＬＦ等の赤外レー
ザ、波長が約５３０ｎｍの第二高調波を出すＹＡＧレー
ザ等がある。しかし、多層配線基板用の電気絶縁性樹脂
は通常５００ｎｍから１μｍ前後の光の吸収性が弱いた
めに、このレーザを用いても加工速度が小さく、実際に
使用することは現実的ではない。したがって、加工速度
が大きくかつ小さなバイアホールを形成することが可能
な多層配線基板用の製造技術が望まれていた。

【０００４】一方、特開平１−２０６６９８号公報に
は、絶縁層と導体層を交互に複数層形成し、絶縁層側か
らレーザ光を照射し絶縁層にバイアホールを形成する方
法では、レーザ光が下部導体層を温度上昇させ、その近
傍の絶縁層を昇華させるため、バイアホールの形状が、
下部導体層に接している部分の方が大きくなり、後の工
程である上部導体層の形成に悪影響を与えるので、絶縁
層にキレート化合物のような染料を含ませ、絶縁層に積
極的にレーザ光を吸収させ、下部導体層の温度上昇を抑
制することが示されている。しかし、前記公報には、多
層配線基板の製造において、５０μｍ以下の小径のバイ
アホールを効率よくあけるという考え方はなにも示され
ていない。また、前記公報のバイアホールの形成法で
は、小径のバイアホールを効率よく形成することはでき
ない。その理由は、５０μｍ以下のバイアホールを形成
するには、ただレーザ光を吸収する染料を添加するだけ
ではだめで、レーザ光に対する吸光係数の大きい染料を
少量添加する（１０重量％以下）ことが必要で、またこ
の場合レーザ光を７０％吸収することが必要である。し
かし、前記公報にはこのことについて何も言及していな
い。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑みなされたものであり、その目的は、レーザ光による
バイアホール形成に供したとき、５０μｍ以下の径のバ
イアホールを加工することが可能で、かつ加工速度が大
きい、多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物を提供す
ること、前記電気絶縁性樹脂組成物を用いて、該組成物
の層に効率よく５０μｍ以下のバイアホールを形成する
方法を提供すること、前記電気絶縁性樹脂組成物を用い
て多層配線基板用を効率よく作製することが可能な多層
配線基板の製造方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題は、以下の多層
配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物、バイアホールの形
成法および多層配線基板の製造方法を提供することによ
り解決される。 （１）多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物であっ
て、電気絶縁性樹脂と５００ｎｍ〜１５００ｎｍの範囲
に吸収領域のある染料、顔料または赤外線吸収色素から
選ばれる１種以上のレーザ光を吸収する物質を含有する
ことを特徴とする多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成
物。 （２）多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物であっ
て、電気絶縁性樹脂とレーザ光を吸収する紫外線吸収剤
の１種以上を含有することを特徴とする多層配線基板用
の電気絶縁性樹脂組成物。 （３）前記赤外線吸収色素が、下記一般式で示される化
合物であることを特徴とする前記（１）に記載の電気絶
縁性樹脂組成物。

【０００７】

【化２】

【０００８】式中、Ｚによって完成される環は、置換基
を有していてよい芳香族炭化水素環、またはヘテロ環を
示し、ＴはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｎ−Ｒ¹、ＣＲ²Ｒ³、または
ＣＲ⁴＝ＣＲ⁵を示し、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、およびＲ⁵
は置換基を有していてよいアルキル基、アリール基、ま
たはアルケニル基を示す。Ｑは置換基を有していてよい
アルキレン基を示し、また式中のＣ原子およびＮ原子と
直接結合しないメチレン基をＯまたはＳで置換してもよ
い。Ｌは置換基を有していてよいポリメチン基を示し、
複数の置換基によって環を形成してもよい。Ｘは陰イオ
ンを示す。

【０００９】（４） 前記レーザ光を吸収する物質また
はレーザ光を吸収する紫外線吸収剤が、レーザ光を７０
％以上吸収する量加えられていることを特徴とする前記
（１）ないし（３）のいずれか１に記載の電気絶縁性樹
脂組成物。 （５）前記電気絶縁性樹脂組成物が、レーザ光でバイア
ホールを形成する工程を含む多層配線基板の製造に用い
られることを特徴とする前記（１）ないし（４）のいず
れか１に記載の電気絶縁性樹脂組成物。 （６）前記（１）ないし（５）のいずれか１に記載の電
気絶縁性樹脂組成物からなる層にレーザ光を用いて孔径
が５０μｍ以下のバイアホールを形成する方法。 （７）前記（１）に記載の電気絶縁性樹脂組成物を用
い、該組成物の層を波長が１０６０ｎｍのレーザ光でバ
イアホールを形成する工程を含むことを特徴とする、多
層配線基板の製造方法。 （８）前記（１）に記載の電気絶縁性樹脂組成物を用
い、該組成物の層を波長が５３０ｎｍのレーザ光でバイ
アホールを形成する工程を含むことを特徴とする、多層
配線基板の製造方法。 （９）前記（２）に記載の電気絶縁性樹脂組成物を用
い、該組成物の層を波長が４００ｎｍ以下のレーザ光で
バイアホールを形成する工程を含むことを特徴とする、
多層配線基板の製造方法。 （１０）前記電気絶縁性樹脂組成物の層に５０μｍ以下
のバイアホールを形成することを特徴とする前記（７）
ないし（９）のいずれか１に記載の多層配線基板の製造
方法。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明は、多層配線基板用の電気
絶縁性樹脂の中にレーザ光を吸収する物質を含ませるこ
とを特徴とし、レーザ光を吸収する物質を含む電気絶縁
性樹脂組成物を用いることにより、該組成物の層に、小
さな径のバイアホールを効率よく（加工速度の向上）形
成することが可能となったものである。本発明において
使用する電気絶縁性樹脂としては多層配線基板に用いら
れる電気絶縁性樹脂が特に制限なく使用することが可能
で、たとえばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエス
テル樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、ポリフェニレン
エーテル樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ビスマレ
イミド・トリアジン樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹
脂、シリコーン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリスルホ
ン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルスルホ
ン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、
ポリエチレンなどが挙げられる。好ましくは、エポキシ
樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール
樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオ
キシド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂などを挙
げることができる。

【００１１】次に、本発明の電気絶縁性樹脂組成物にお
いて使用されるレーザ光を吸収する物質について説明す
る。レーザ光を吸収する物質としてまず挙げられるの
は、レーザ光を吸収する色素であり、この中には、通常
顔料、あるいは染料と呼ばれるものが含まれる。たとえ
ば、日本顔料技術協会編、（株）誠文堂新光社発行の
「顔料便覧」第１２頁〜１３頁に記載の黒色顔料、第２
６頁〜３８頁に記載の赤色顔料、第３９頁〜４０頁に記
載の紫色顔料、第４１頁〜４４頁に記載の青色顔料、が
挙げられる。中でも、５００ｎｍ〜１５００ｎｍの範囲
に吸収領域のある顔料が好ましく用いられる。また、染
料としては、社団法人有機化学協会編、（株）丸善発行
の「染料便覧」の第３８２頁〜３９０頁に記載の黒色染
料、第３３１頁〜３４６頁に記載の赤色染料、第３４６
頁〜３５１頁に記載の紫色染料、第３５２頁〜３６８頁
に記載の青色染料を用いることができる。中でも、５０
０ｎｍ〜１５００ｎｍの範囲に吸収領域のある染料が好
ましく用いられる。

【００１２】また、５００ｎｍ〜１５００ｎｍの範囲に
吸収領域のある赤外線吸収色素としては、上記の顔料お
よび染料の他に、下記一般式で示されるものが好ましく
用いられる。この赤外線吸収色素は、実質的に無色であ
るため絶縁樹脂層の透明性を損なわない。

【００１３】

【化３】

【００１４】式中、Ｚによって完成される環は、置換基
を有していてよい芳香族炭化水素環、またはヘテロ環を
示し、ＴはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｎ−Ｒ¹、ＣＲ²Ｒ³、または
ＣＲ⁴＝ＣＲ⁵を示し、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、およびＲ⁵
は置換基を有していてよいアルキル基、アリール基、ま
たはアルケニル基を示す。Ｑは置換基を有していてよい
アルキレン基を示し、また式中のＣ原子およびＮ原子と
直接結合しないメチレン基をＯまたはＳで置換してもよ
い。Ｌは置換基を有していてよいポリメチン基を示し、
複数の置換基によって環を形成してもよい。Ｘは陰イオ
ンを示す。

【００１５】上記一般式において、Ｚによって完成され
る芳香族炭化水素環、またはヘテロ環の例としては、ベ
ンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、キノリン環、ピ
ラジン環、キノキサリン環等が挙げられる。Ｚ上には、
さらに他の置換基を結合させてよい。このような置換基
としては、例えば、アルキル基、アリール基、複素環残
基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリーロキシ基、ア
ルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルカルボニル
基、アリールカルボニル基、アルキルオキシカルボニル
基、アリーロキシカルボニル基、アルキルカルボニルオ
キシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルキルアミド
基、アリールアミド基、アルキルカルバモイル基、アリ
ールカルバモイル基、アルキルアミノ基、アリールアミ
ノ基、カルボン酸基、アルキルスルホニル基、アリール
スルホニル基、アルキルスルホンアミド基、アリールス
ルホンアミド基、アルキルスルファモイル基、アリール
スルファモイル基、シアノ基、ニトロ基等の種々の置換
基を挙げることができる。そして、Ｚ上に結合される上
記置換基の数は、通常、０または１〜４程度が好まし
い。尚、置換基が２つ以上であるとき、複数の置換基は
互いに同じものであっても異なるものであってもよい。

【００１６】前記置換基の中でも、ハロゲン原子（例え
ばＦ、Ｃｌ等である）、シアノ基、置換若しくは非置換
で炭素原子数１〜２０のアルコキシ基（例えばメトキシ
基、エトキシ基、ドデシルオキシ基、メトキシエトキシ
基等である）、炭素原子数６〜２０の置換もしくは非置
換のフェノキシ基（例えばフェノキシ基、３，５−ジク
ロロフェノキシ基、２，４−ジ−ｔ−ペンチルフェノキ
シ基等である）、置換もしくは非置換の炭素原子数１〜
２０のアルキル基（例えばメチル基、エチル基、イソブ
チル基、ｔ−ペンチル基、オクタデシル基、シクロヘキ
シル基等である）、炭素原子数６〜２０で置換もしくは
非置換のフェニル基（例えばフェニル基、４−メチルフ
ェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、３，５
−ジクロロフェニル基等である）等が好ましい。

【００１７】前記一般式において、ＴはＯ、Ｓ、Ｓｅ、
Ｎ−Ｒ¹、ＣＲ²Ｒ³ 、又は−ＣＲ⁴＝ＣＲ⁵ −である。
この場合、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 及びＲ⁵ で表される
基としては、置換もしくは非置換の、アルキル基、アリ
ール基及びアルケニル基が好ましく、特にアルキル基が
好ましい。Ｒ¹ 〜Ｒ⁵ で表される基の炭素原子数は１〜
３０であることが好ましく、特に１〜２０であることが
好ましい。

【００１８】また、これらＲ¹ 〜Ｒ⁵ で表される基がさ
らに置換基を有していてもよい。このような置換基とし
ては、スルホン酸基、アルキルカルボニルオキシ基、ア
ルキルアミド基、アルキルスルホンアミド基、アルコキ
シカルボニル基、アルキルアミノ基、アルキルカルバモ
イル基、アルキルスルファモイル基、アルコキシ基、ア
リールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ア
ルキル基、アリール基、カルボキシル基、ハロゲン原
子、シアノ基等が好ましい。

【００１９】これらの置換基の中でも、ハロゲン原子
（Ｆ、Ｃｌ等）、シアノ基、置換もしくは非置換で炭素
原子数１〜２０のアルコキシ基（例えばメトキシ基、エ
トキシ基、ドデシルオキシ基、メトキシエトキシ基
等）、炭素原子数６〜２０で置換もしくは非置換でフェ
ノキシ基（例えばフェノキシ基、３，５−ジ−クロロフ
ェノキシ基、２，４−ジ−ｔ−ペンチルフェノキシ基
等）、置換もしくは非置換で炭素原子数１〜２０のアル
キル基（例えばメチル基、エチル基、イソブチル基、ｔ
−ペンチル基、オクタデシル基、シクロヘキシル基
等）、または炭素原子数６〜２０で置換もしくは非置換
のフェニル基（例えばフェニル基、４−メチルフェニル
基、４−メチルフェニル基、４−トリフルオロメチルフ
ェニル基、３，５−ジクロロフェニル基等）が特に好ま
しい。

【００２０】Ｒ¹ 〜Ｒ⁵ としては、炭素原子数１〜８の
非置換アルキル基が最も好ましく、Ｔとしては、−Ｃ
（ＣＨ₃）₂−が特に好ましい。又、Ｑで表される２価の
基で形成される環としては、５、６、もしくは７員の炭
素環もしくはヘテロ環が好ましい。

【００２１】Ｑで表されるアルキレン基の基としては、
エチレン基、プロピレン基、もしくはブチレン基、或い
はこれらの基を形成する置換されていてもよいメチレン
基のうち、一般式中のＣ若しくはＮと直接結合していな
いメチレン基を−Ｏ−若しくは−Ｓ−で置き換えて生じ
る基が好ましく、これらの基は置換基を有していてもよ
い。これらの中でも、特にエチレン基、プロピレン基、
ブチレン基、−ＣＨ₂ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂
−、−ＣＨ₂ＳＣＨ₂−、−ＣＨ₂ＳＣＨ₂ＣＨ₂−が好ま
しく、これらの基は置換基を有していてもよい。

【００２２】これらＱで表されるアルキレン基の置換基
としては、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ等）、ニトロ基、シ
アノ基、置換されていてもよい炭素原子数２０以下のア
ルキル基（例えばメチル基、エチル基、トリフルオロメ
チル基、２−メトキシエチル基、シクロヘキシル基、ベ
ンジル基等）、炭素原子数６〜２０の置換されていても
よいフェニル基（例えばフェニル基、ｐ−メトキシフェ
ニル基、ｍ−クロロフェニル基、ｐ−トルイル基、ｐ−
フルオロフェニル基等）、炭素原子数１〜２０の置換さ
れていてもよいアルコキシ基（メトキシ基、２−メトキ
シエトキシ基、２，２，３，３−テトラフルオロプロピ
ルオキシ基等）、炭素原子数６〜２０の置換されていて
もよいフェノキシ基（例えばフェノキシ基、ｐ−メトキ
シフェノキシ基、３，５−ジクロロフェノキシ基、ｐ−
ブチルフェノキシ基等）、炭素原子数１〜２０の置換さ
れていてもよいアルキルスルホニル基（例えばメタンス
ルホニル基、ブタンスルホニル基、ドデカンスルホニル
基等）、炭素原子数６〜２０の置換されていてもよいア
リールスルホニル基（例えばフェニルスルホニル基、ｐ
−トルエンスルホニル基、ｍ−クロロベンゼンスルホニ
ル基等）等を挙げることができる。

【００２３】Ｑで表されるアルキレン基の中でも、エチ
レン基、プロピレン基、ブチレン基等の基の１箇以上の
水素原子が、Ｆ、Ｃｌ、または炭素原子数１ないし４の
アルキル基で置換されて形成される基が、Ｑで表される
２価の基の中でも特に好ましいものに分類される。

【００２４】上記一般式で示される化合物のＬは置換基
を有していてよいポリメチン基を示し、複数の置換基に
よって環を形成してもよい。環はさらに置換基によって
置換されていてもよい。ポリメチン基としてはメチレン
基が共役二重結合で連結されて生じるペンタメチン基、
或いはヘプタメチン基等が挙げられ、下記式で示される
構造を有しているものが好ましい。

【００２５】

【化４】

【００２６】

【化５】

【００２７】

【化６】

【００２８】

【化７】

【００２９】

【化８】

【００３０】

【化９】

【００３１】これらの中でも、化５、化６、化７、化８
および化９で表されるトリカルボシアニンを形成する連
結基が特に好ましい。化４〜化９において、ｉは１又は
２であり、ｊは０又は１である。又、Ｙは水素原子また
は１価の基を表す。

【００３２】Ｙで表される１価の基としては、低級アル
キル基（メチル基等）、低級アルコキシ基（メトキシ基
等）、置換アミノ基（ジメチルアミノ基、ジフェニルア
ミノ基、メチルフェニルアミノ基、モルホリノ基、イミ
ダゾリジン基、エトキシカルボニルピペラジン基等）、
アルキルカルボニルオキシ基（アセトキシ基等）、アル
キルチオ基（メチルチオ基等）、シアノ基、ニトロ基、
ハロゲン原子（Ｂｒ、Ｃｌ、Ｆ等）等が好ましい。

【００３３】Ｙで表される基のうち特に好ましいものは
水素原子である。またＲ⁷ 及びＲ⁸はそれぞれ水素原子
又は低級アルキル基（メチル基等）である。

【００３４】前記一般式中のＸ- で表される陰イオンと
しては、例えば、ハライドイオン（Ｉ^- 、Ｂｒ^- 、Ｃｌ
^- 等）、過ハロゲン酸イオン（ＣｌＯ₄ ^- 、ＢｒＯ
₄ ^- 等）、ＢＦ₄ ^- 、ＰＦ₆ ^- 、スルホン酸イオン（ＣＨ₃
ＳＯ₃ ^- 、ＣＦ₃ＳＯ₃ ^- 等）、下記式で表されるイオ
ン、

【００３５】

【化１０】

【００３６】

【化１１】

【００３７】ＨＳＯ₃ ^- 、ＳＯ₄ ^2-、ＰＯ₄ ^3-、Ｈ₂ＰＯ₄
^- 、ヘテロポリ酸イオン（〔ＰＯ₄ ・１２ＭｏＯ₃〕^3-
等）、カルボン酸イオン（ＨＣＯ₃ ^- 、ＣＯ₃ ^2-、ＣＨ₃
ＣＯ₂ ^-、^-Ｏ₂Ｃ−ＣＯ₂ ^-、下記式表されるイオン、

【００３８】

【化１２】

【００３９】

【化１３】

【００４０】等を挙げることができる。なお、上記一般
式において、Ｘ- はＺ、Ｑ、Ｔ或いはＬに置換基として
結合していてもよい（例えば、−ＳＯ₃ ^- や−（ＣＨ₂）
₄ＳＯ₃ ^- 等として）。

【００４１】前記一般式で示される赤外線吸収色素の好
ましい具体例を以下に示す。

【００４２】

【化１４】

【００４３】

【化１５】

【００４４】

【化１６】

【００４５】

【化１７】

【００４６】

【化１８】

【００４７】

【化１９】

【００４８】

【化２０】

【００４９】

【化２１】

【００５０】

【化２２】

【００５１】本発明において、レーザ光を吸収する物質
として上記一般式で示される化合物を用いると、絶縁樹
脂層の透明性を損なわないだけでなく、１０重量％以下
の添加量でレーザ光を７０％以上吸収することができ、
５０μｍ以下の径のバイアホールをあけることができ
る。また、高湿下での電気絶縁性、長期保存性、耐熱
性、層間接続信頼性が良好であるという効果を有する。

【００５２】また、本発明において使用されるレーザ光
を吸収する物質として用いられる紫外線吸収剤には、下
記の構造式で示されるものが好ましく用いられるが、本
発明はこれらに限定されるものではない。

【００５３】

【化２３】

【００５４】前記式で示される化合物において、Ｒ₁、
Ｒ₂、Ｒ₃、およびＲ₄の組み合わせとしては、たとえば
以下の表１に示されるものが挙げられる。

【００５５】

【表１】

【００５６】

【化２４】

【００５７】前記式で示されるベンゾトリアゾール化合
物において、Ｘ、Ｒ₁、Ｒ₂の組み合わせとしては、たと
えば以下の表２に示されるものが挙げられる。また、他
のベンゾトリアゾール系の紫外線吸収剤として、２−
（２’−ヒドロキシ−４’−オクトキシフェニル）ベン
ゾトリアゾール、２−［２’−ヒドロキシ−３’−
（３”，４”，５”，６”−テトラヒドロフタリルイミ
ドメチル）−５’−メチルフェニル］ベンゾトリアゾー
ル、２，２−メチレンビス−［４−（１，１，３，３−
テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾー
ル−２−イル）フェノール］等を挙げることができる。

【００５８】

【表２】

【００５９】また、前記の紫外線吸収剤のほかに、下記
式で示される紫外線吸収剤が挙げられる。

【００６０】

【化２５】

【００６１】式中、Ｒはアルキル基を示し、たとえばＣ
₂Ｈ₅、Ｃ₁₂Ｈ₂₅等が挙げられる。さらに、以下の構造式
を有する紫外線吸収剤を使用することもできる。

【００６２】

【化２６】

【００６３】前記式中、Ｒとしては、Ｃ₈Ｈ₁₇、ＣＨ₂Ｃ
ＨＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）ｎＣＨ₃、ＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂
Ｏ−ｉＣ₈Ｈ₁₇等が挙げられる。紫外線吸収剤としては
このほかに、２−エチルヘキシル−２−シアノ−３，
３’−ジフェニルアクリレート、エチル−２−シアノ−
３，３’−ジフェニルアクリレート等のシアノアクリレ
ート系紫外線吸収剤などが挙げられる。

【００６４】前記のレーザ光を吸収する物質の添加量
は、一般的に電気絶縁性樹脂組成物の０．１〜１０重量
％加えられるが、好ましくは、レーザ光を７０％以上吸
収する量添加することが適切である。また、本発明の電
気絶縁性樹脂組成物の調製は、前記絶縁性樹脂とレーザ
光を吸収する顔料、染料もしくは赤外線吸収色素、また
は紫外線吸収剤、および他に必要な添加剤、たとえば、
無機フィラー、消泡剤、界面活性剤などとともに、ソル
ベントナフサなどの溶剤に溶解させることにより調製す
ることができる。

【００６５】本発明において使用されるレーザ光の種類
としてはＸｅレーザ、アルゴンレーザ、高調波固体レー
ザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＬＦレーザなど
が好ましく用いられる。さらに好ましくは高調波固体レ
ーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＬＦレーザで
ある。Ｘｅレーザ、アルゴンレーザは波長が短く、ビー
ムを充分小さく絞ることが可能で、微小なバイアホール
を形成することができる。また波長が約３５０ｎｍの高
調波固体レーザおよび波長が約２５０ｎｍのエキシマレ
ーザは、紫外線レーザと呼ばれているものであり、本来
は出力光が弱い為に、加工速度がやや遅いという欠点を
有していたが、本発明の電気絶縁性樹脂組成物、中でも
特に、紫外線吸収剤を含むものに適用すると、加工速度
が改善され、十分効率よくバイアホールを形成すること
が可能である。またこれらのレーザは、約３５０ｎｍあ
るいは約２５０ｎｍと波長も短いため、５０μｍ以下の
微小なバイアホールをも形成することが可能である。Ｙ
ＡＧ、ＹＬＦ等の赤外レーザは波長が約１μｍ（１０６
０ｎｍ）であり、またビームを十分絞ることが可能であ
るため微小なバイアホールを形成することができ、ま
た、出力も十分あり、装置価格もそれほど高くないとい
う特長を有している。これらのＹＡＧ、ＹＬＦ等の赤外
レーザで、本発明の電気絶縁性樹脂組成物、中でも特
に、５００ｎｍ〜１５００ｎｍの範囲に吸収領域のある
染料、顔料または赤外吸収色素を含む電気絶縁性樹脂組
成物の層を加工すると、小径のバイアホールを加工速度
も十分速く形成することができる。また、ＹＡＧ、ＹＬ
Ｆレーザは、約５３０ｎｍの第二高調波を出すことがで
き、この波長を用いて加工することもでき、同様の効果
を得ることができる。

【００６６】次に、本発明の多層配線基板の製造法につ
いて説明する。まず、配線パターンが形成された絶縁基
材上に前記本発明の電気絶縁性樹脂組成物を塗布し、熱
硬化処理が必要なものは加熱硬化等の処理を行う。その
後、レーザを用いてバイアホール加工を行う。引き続き
メッキ処理を行う。まず無電解メッキ処理を行うことが
好ましい。この場合、無電解メッキ前に樹脂表面の脱脂
処理、触媒付与、触媒活性化等の前処理を行う。この行
程は特に限定されるものではなく、当業者に公知の市販
の処理液を適宜使用することが可能である。また、必ず
しも脱脂処理を行わなくても良い。この無電解メッキは
銅あるいはニッケル等を用いることができ、膜厚は電解
メッキが可能であれば良く、通常０．２〜０．５μｍ程
度である。

【００６７】更に配線パターンを形成するための電解メ
ッキを行う。電解メッキは通常銅が配線用としては好適
である。電解銅メッキ液は硫酸銅浴、ピロリン酸銅浴等
を用いることができる。勿論これらに限定されるもので
はない。電解銅メッキ後、通常のサブトラクティブ法に
より、配線を形成する。この際には、市販のフィルム状
のフォトレジスト（ドライフィルムレジストＤＦＲ）を
ラミネートして、あるいは液状のフォトレジストを塗布
して、使用することができる。この結果、第２層の配線
が形成され、同時にバイアホール部ではメッキ銅によ
り、第１層と第２層が接続される。これらの一連の工程
は、常法にしたがって、実施することができる。

【００６８】上記の絶縁基材としては有機基材、たとえ
ば前記の電気絶縁性樹脂、無機基材あるいは両者の複合
体等、特に限定はされないが、具体的にはガラスエポキ
シ基板やセラミックス基板等が好ましく用いられる。ま
た配線パターンに使用される金属箔としては、銅、ステ
ンレス、ニクロム、タングステン、アルミニウムなどが
好ましく用いられる。さらに好ましくは銅、ステンレス
である。特に好ましくは銅であり圧延銅箔、電解銅箔の
方法で製造されたものが好ましく特に電解銅箔は絶縁層
樹脂との接着、密着性に優れている。該金属箔の厚みは
特に限定するものではないが０．５〜５０μｍであるこ
とが好ましい。

【００６９】本発明において作製される多層配線基板
は、上記のようなレーザ光を吸収する物質を含む電気絶
縁性樹脂組成物を使用しているため、バイアホールを形
成する際の加工速度が大きくなる、より小さい径のバイ
アホールを開けることができるという効果のほか、バイ
アホール形成の際の歩留まりの向上に基づき、層間接続
信頼性が向上し、さらに耐熱性の向上に基づき半田耐熱
性が良好になるという効果も得られる。

【００７０】

【実施例】以下に実施例を示し本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明はこれらの実施例により限定される
ものではない。なお、以下の「部」はすべて「重量部」
を意味する。 実施例１ （Ａ）成分としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エ
ポキシ等量４６９、油化シェルエポキシ（株）製エピコ
ート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂（エポキシ等量２１５，大日本インキ化学工
業（株）製エピクロンＮ―６７３）４０部の混合物を調
製し、（Ｂ）成分としてフェノールノボラック樹脂（フ
ェノール性水酸基等量１０４、昭和高分子（株）製ＢＲ
Ｇ―５５７）２６部をエチルジグリコールアセテート２
０部溶解させた溶液を調製し、（Ａ）成分と（Ｂ）成分
をソルベントナフサ２０部に攪拌しながら加熱溶解さ
せ、そこへ（Ｃ）成分として末端エポキシ化ポリブタジ
エンゴム（ナガセ化成工業（株）製デナレックスＲ―４
５ＥＰＴ）１５部と（Ｄ）成分として２−フェニルー
４，５―ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品
１．５部、微粉砕シリカ２部、およびシリコン系消泡剤
０．５部の混合物、（Ｅ）成分として下記化構造式で表
される赤外線吸収色素３重量部を添加しエポキシ樹脂組
成物を作製した。

【００７１】

【化２７】

【００７２】次に、３５μｍの銅箔をガラスエポキシ基
板の両面に貼った銅張積層板から、常法にしたがって、
内層回路基板を作製した。次いで、上記の方法で得られ
たエポキシ樹脂組成物をスクリーン印刷にて乾燥膜厚が
５０μｍになるように銅張積層板の一面に塗布し、１２
０℃で１０分乾燥した後、裏面も同様に塗布、乾燥させ
１５０℃で３０分加熱硬化させた。その後、波長１．０
６μｍのＹＡＧレーザにより穴開けを行ったところ３０
μｍのバイアホールを開けることができた。

【００７３】次にメルテックス社製の処理剤を用い、以
下の（１）から（５）の手順で、無電解銅メッキまで行
った。 （１）前処理剤（ＰＣ２３６）を用い、２５℃で３分間
浸漬処理し、２分間純水で水洗した。 （２）触媒付与剤（アクチベーター４４４）を用い、２
５℃で６分間浸漬処理し、２分間純水で水洗した。 （３）活性化処理剤（ＰＡ４９１）を用い、２５℃で１
０分間浸漬処理し、２分間純水で水洗した。 （４）無電解銅メッキ液（ＣＵ３９０）を用い、２５
℃、ｐＨ１２．９の条件下１０分間浸漬処理を行った
後、純水で５分間水洗した。 （５）１００℃で１５分間乾燥した。 この結果、膜厚約０．３μｍの無電解銅メッキ膜が形成
された。

【００７４】引き続き、メルテックス社製の脱脂処理剤
（ＰＣ４５５）を用い、２５℃で３０秒浸漬処理後、２
分間水洗を行い、次いで電解銅メッキを行った。電解銅
メッキ液は硫酸銅７５ｇ／ｌ、硫酸１９０ｇ／ｌ、塩素
イオン約５０ｐｐｍ、及びメルテックス社製カパーグリ
ームＰＣＭ５ｍｌ／ｌの組成で、２５℃、２．５Ａ／１
００ｃｍ²、４０分の条件でメッキを行った。この結
果、約２０μｍの銅が析出した。これをオーブンに入
れ、１６０℃で６０分間放置した。この工程により層間
接続部が形成された。次にドライフィルムレジストを用
い、常法によりエッ銅のチングを行い、第２層の配線を
形成した。バイアホールの最小径が３０μｍの多層配線
基板が得られた。これを２６０℃、２０秒間の半田耐熱
試験を行ったところ、バイアホール部での配線等の剥が
れ、膨れなどは発生せず、また導通テストにおいても不
良のものはなかった。

【００７５】比較例１ 実施例１の赤外線吸収色素を用いない他は、全く同様に
配合してエポキシ樹脂組成物を作製し、この樹脂組成物
を用いて、実施例１と同様に塗布乾燥硬化後、レーザに
よる穴開け加工を試みたたが、バイアホールはあけるこ
とができなかった。

【００７６】実施例２ 上記実施例１の（Ｅ）成分として下記構造式で示される
紫外線吸収剤であるチヌビン３２６を２重量部添加する
以外は実施例１と全く同様に配合してエポキシ樹脂組成
物を調製し、その塗布乾燥硬化後、波長３５５ｎｍのＹ
ＡＧレーザの第三高調波により穴開けを行ったところ３
０μｍのバイアホールを開けることができた。

【００７７】

【化２８】

【００７８】比較例２ 実施例２の紫外線吸収剤を用いない他は、全く同様に配
合してエポキシ樹脂組成物を調製し、その塗布乾燥硬化
後、レーザによる穴開け加工を実施例と全く同様の条件
で行ったが、バイアホールの加工速度は実施例２の約１
／２であった。引き続き、実施例１と同様に、無電解銅
メッキ、電解銅メッキ、銅のエッチングを行い、配線及
び層間接続部を形成し、半田耐熱試験を行ったところ、
バイアホール部での配線等の剥がれが発生し、また導通
テストにおいても不良のものがあった。

【００７９】

【発明の効果】本発明は、上記のように電気絶縁性樹脂
にレーザ光を吸収する物質を加えたことにより、バイア
ホールを形成する際の加工速度が大きくなる、より小さ
い径のバイアホールを開けることができるという効果の
ほか、層間接続信頼性が向上し、さらに半田耐熱性が良
好になるという効果も得られる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０５ // Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０５ 7/032 7/032 Ｃ０８Ｌ 101/00 Ｆターム(参考） 2H025 AA10 AA20 AB15 AC08 CB08 CB19 CB30 CC02 CC20 4J002 BD121 BH021 BL011 CC031 CC161 CD001 CF001 CG001 CH071 CK001 CM041 CN031 CP031 EU056 EU066 EU076 EU106 EU186 EU216 EV326 FD056 FD096 GQ05 5E346 AA12 AA15 AA43 BB01 CC08 CC09 CC55 DD03 DD25 DD32 DD48 EE33 FF15 GG15 GG17 GG22 HH26 HH33

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物
   であって、電気絶縁性樹脂と５００ｎｍ〜１５００ｎｍ
   の範囲に吸収領域のある染料、顔料または赤外線吸収色
   素から選ばれる１種以上のレーザ光を吸収する物質を含
   有することを特徴とする多層配線基板用の電気絶縁性樹
   脂組成物。
2. 【請求項２】 多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物
   であって、電気絶縁性樹脂とレーザ光を吸収する紫外線
   吸収剤の１種以上を含有することを特徴とする多層配線
   基板用の電気絶縁性樹脂組成物。
3. 【請求項３】 前記赤外線吸収色素が、下記一般式で示
   される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の
   電気絶縁性樹脂組成物。 【化１】 式中、Ｚによって完成される環は、置換基を有していて
   よい芳香族炭化水素環、またはヘテロ環を示し、Ｔは
   Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｎ−Ｒ¹、ＣＲ²Ｒ³、またはＣＲ⁴＝ＣＲ
   ⁵を示し、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、およびＲ⁵は置換基を有
   していてよいアルキル基、アリール基、またはアルケニ
   ル基を示す。Ｑは置換基を有していてよいアルキレン基
   を示し、また式中のＣ原子およびＮ原子と直接結合しな
   いメチレン基をＯまたはＳで置換してもよい。Ｌは置換
   基を有していてよいポリメチン基を示し、複数の置換基
   によって環を形成してもよい。Ｘは陰イオンを示す。
4. 【請求項４】 前記レーザ光を吸収する物質またはレー
   ザ光を吸収する紫外線吸収剤が、レーザ光を７０％以上
   吸収する量加えられていることを特徴とする請求項１な
   いし請求項３のいずれか１項に記載の電気絶縁性樹脂組
   成物。
5. 【請求項５】 前記電気絶縁性樹脂組成物が、レーザ光
   でバイアホールを形成する工程を含む多層配線基板の製
   造に用いられることを特徴とする請求項１ないし請求項
   ４のいずれか１項に記載の電気絶縁性樹脂組成物。
6. 【請求項６】 請求項１ないし請求項５のいずれか１項
   に記載の電気絶縁性樹脂組成物からなる層にレーザ光を
   用いて孔径が５０μｍ以下のバイアホールを形成する方
   法。
7. 【請求項７】 請求項１に記載の電気絶縁性樹脂組成物
   を用い、該組成物の層を波長が１０６０ｎｍのレーザ光
   でバイアホールを形成する工程を含むことを特徴とす
   る、多層配線基板の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項１に記載の電気絶縁性樹脂組成物
   を用い、該組成物の層を波長が５３０ｎｍのレーザ光で
   バイアホールを形成する工程を含むことを特徴とする、
   多層配線基板の製造方法。
9. 【請求項９】 請求項２に記載の電気絶縁性樹脂組成物
   を用い、該組成物の層を波長が４００ｎｍ以下のレーザ
   光でバイアホールを形成する工程を含むことを特徴とす
   る、多層配線基板の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記電気絶縁性樹脂組成物の層に５０
    μｍ以下のバイアホールを形成することを特徴とする請
    求項７ないし請求項９のいずれか１項に記載の多層配線
    基板の製造方法。