JP2000332271A - 太陽電池素子およびその形成方法 - Google Patents
太陽電池素子およびその形成方法Info
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極を焼き付けた後の酸処理工程で電極の接
合強度が弱くなると共に、工程が煩雑であるいう問題が
あった。 【解決手段】 一導電型不純物を含有する半導体基板の
一主面側に他の導電型不純物を含有する領域と表面電極
を設けると共に、他の主面側に裏面電極を設けた太陽電
池素子において、前記表面電極および／または裏面電極
に金属フッ化物を含有させた。
合強度が弱くなると共に、工程が煩雑であるいう問題が
あった。 【解決手段】 一導電型不純物を含有する半導体基板の
一主面側に他の導電型不純物を含有する領域と表面電極
を設けると共に、他の主面側に裏面電極を設けた太陽電
池素子において、前記表面電極および／または裏面電極
に金属フッ化物を含有させた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池素子に関
し、特に結晶系の半導体基板を用いた太陽電池素子に関
する。
し、特に結晶系の半導体基板を用いた太陽電池素子に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の太陽電池素子を図２に示す。例え
ば厚さ０．５ｍｍ程度の単結晶または多結晶シリコンな
どから成るｐ型シリコンウェハ１の主面側に０．２〜
０．５μｍの深さにリン（Ｐ）などを拡散させたエミッ
タ層１ａを設け、このエミッタ層１ａの表面に銀などか
ら成るグリッド状表面電極３ａを設け、この表面電極３
ａの間に窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などから成る
反射防止膜２を設け、シリコンウェハ１の他の主面側に
銀などから成る裏面電極４ａを設けて構成されている。
そして表面電極３ａおよび裏面電極４ａ上に、外部リー
ド線（不図示）が容易に接続できるように、半田層３
ｂ、４ｂを設けている。
ば厚さ０．５ｍｍ程度の単結晶または多結晶シリコンな
どから成るｐ型シリコンウェハ１の主面側に０．２〜
０．５μｍの深さにリン（Ｐ）などを拡散させたエミッ
タ層１ａを設け、このエミッタ層１ａの表面に銀などか
ら成るグリッド状表面電極３ａを設け、この表面電極３
ａの間に窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などから成る
反射防止膜２を設け、シリコンウェハ１の他の主面側に
銀などから成る裏面電極４ａを設けて構成されている。
そして表面電極３ａおよび裏面電極４ａ上に、外部リー
ド線（不図示）が容易に接続できるように、半田層３
ｂ、４ｂを設けている。
【０００３】また、シリコンウェハ１の他の主面側にア
ルミニウムなどを高濃度に拡散させたｐ+ 領域１ｂを設
け、シリコンウェハ１の裏面側の内部電界によって少数
キャリアである電子の再結合速度を遅くさせて短絡電流
を向上させ、もって太陽電池の変換効率を高めることも
提案されている。
ルミニウムなどを高濃度に拡散させたｐ+ 領域１ｂを設
け、シリコンウェハ１の裏面側の内部電界によって少数
キャリアである電子の再結合速度を遅くさせて短絡電流
を向上させ、もって太陽電池の変換効率を高めることも
提案されている。
【０００４】このような結晶系シリコンで形成される太
陽電池素子では、低コスト化のために、表面電極３ａお
よび裏面電極４ａは一般に印刷・焼成法で形成される。
印刷・焼成法では、シリコンとの密着強度を向上させる
ために、銀粉未と有機ビヒクルにガラスフリットを銀１
００重量部に対して０．１〜５重量部添加してペースト
状にしたものをスクリーン印刷法によりシリコン基板１
の表面に印刷して６００〜８００℃で１〜３０分程度焼
成することにより形成する。つまり、電極ペースト中に
ガラスフリットを添加して、電極ペースト中の金属成分
の焼結を促進させるとともに、基板材料のシリコンと共
融状態を作って密着強度を向上させるものである。その
後、金属ペースト中のバインダーあるいはガラスフリッ
トなどを取り除いて、電気伝導性を向上させると共に、
素子特性を向上させるために、酸処理を行って表面電極
３ａと裏面電極４ａの表面部に半田層３ｂ、４ｂを形成
する。
陽電池素子では、低コスト化のために、表面電極３ａお
よび裏面電極４ａは一般に印刷・焼成法で形成される。
印刷・焼成法では、シリコンとの密着強度を向上させる
ために、銀粉未と有機ビヒクルにガラスフリットを銀１
００重量部に対して０．１〜５重量部添加してペースト
状にしたものをスクリーン印刷法によりシリコン基板１
の表面に印刷して６００〜８００℃で１〜３０分程度焼
成することにより形成する。つまり、電極ペースト中に
ガラスフリットを添加して、電極ペースト中の金属成分
の焼結を促進させるとともに、基板材料のシリコンと共
融状態を作って密着強度を向上させるものである。その
後、金属ペースト中のバインダーあるいはガラスフリッ
トなどを取り除いて、電気伝導性を向上させると共に、
素子特性を向上させるために、酸処理を行って表面電極
３ａと裏面電極４ａの表面部に半田層３ｂ、４ｂを形成
する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の太陽電池で
は、表面電極３ａと裏面電極４ａを焼き付けた後に酸処
理を行うことから、電気伝導性が向上して素子の特性が
著しく向上するようになるが、その反面金属粉末間およ
び金属電極３ａ、４ａとシリコンウェハ１との間の結合
力を確保しているガラスフリットやバインダなどが除去
されるため、表面電極３ａおよび裏面電極４ａの接合強
度が弱くなるという問題を誘発する。
は、表面電極３ａと裏面電極４ａを焼き付けた後に酸処
理を行うことから、電気伝導性が向上して素子の特性が
著しく向上するようになるが、その反面金属粉末間およ
び金属電極３ａ、４ａとシリコンウェハ１との間の結合
力を確保しているガラスフリットやバインダなどが除去
されるため、表面電極３ａおよび裏面電極４ａの接合強
度が弱くなるという問題を誘発する。
【０００６】また、この従来の太陽電池素子では、表面
電極３ａと裏面電極４ａを焼き付けた後に酸処理を行う
ことから、太陽電池素子の製造工程が煩雑であるという
問題もある。
電極３ａと裏面電極４ａを焼き付けた後に酸処理を行う
ことから、太陽電池素子の製造工程が煩雑であるという
問題もある。
【０００７】本発明はこのような従来技術の問題点に鑑
みてなされたものであり、電極を焼き付けた後の酸処理
工程で電極の接合強度が弱くなると共に、工程が煩雑で
あるという問題を解消した太陽電池素子を提供すること
を目的とする。
みてなされたものであり、電極を焼き付けた後の酸処理
工程で電極の接合強度が弱くなると共に、工程が煩雑で
あるという問題を解消した太陽電池素子を提供すること
を目的とする。
【０００８】
【問題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る太陽電池素子では、一導電型不純物
を含有する半導体基板の一主面側に他の導電型不純物を
含有する領域と表面電極を設けると共に、他の主面側に
裏面電極を設けた太陽電池素子において、前記表面電極
および／または裏面電極に金属フッ化物を含有させた。
に、請求項１に係る太陽電池素子では、一導電型不純物
を含有する半導体基板の一主面側に他の導電型不純物を
含有する領域と表面電極を設けると共に、他の主面側に
裏面電極を設けた太陽電池素子において、前記表面電極
および／または裏面電極に金属フッ化物を含有させた。
【０００９】上記太陽電池素子では、前記表面電極およ
び／または裏面電極が銀を主成分として構成されると共
に、この銀１００重量部に対して前記フッ化物を０．１
〜１０重量部含有させることが望ましい。
び／または裏面電極が銀を主成分として構成されると共
に、この銀１００重量部に対して前記フッ化物を０．１
〜１０重量部含有させることが望ましい。
【００１０】また、請求項３に係る太陽電池素子の製造
方法では、一導電型不純物を含有する半導体基板の一主
面側に他の導電型不純物を含有する領域を形成し、この
半導体基板の一主面側と他の主面側に金属ペーストを印
刷して焼き付けることによって表面電極と裏面電極を形
成する太陽電池素子の形成方法において、前記金属ペー
ストに金属フッ化物を添加して印刷して焼き付けること
によって前記表面電極および／または裏面電極を形成す
る。
方法では、一導電型不純物を含有する半導体基板の一主
面側に他の導電型不純物を含有する領域を形成し、この
半導体基板の一主面側と他の主面側に金属ペーストを印
刷して焼き付けることによって表面電極と裏面電極を形
成する太陽電池素子の形成方法において、前記金属ペー
ストに金属フッ化物を添加して印刷して焼き付けること
によって前記表面電極および／または裏面電極を形成す
る。
【００１１】このように構成すると、フッ素がすべての
元素と強い化学反応をおこす性質を持つことから、従来
の酸処理工程が不要になって電極強度が向上すると共
に、製造工程が簡略化する。
元素と強い化学反応をおこす性質を持つことから、従来
の酸処理工程が不要になって電極強度が向上すると共
に、製造工程が簡略化する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図
面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る太陽
電池素子の一実施形態を示す図であり、１は半導体基
板、１ａはエミッタ層、１ｂはｐ+ 領域、３ａは表面電
極、４ａは裏面電極、３ｂ、４ｂは表面電極３ａと裏面
電極４ａの半田層である。
面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る太陽
電池素子の一実施形態を示す図であり、１は半導体基
板、１ａはエミッタ層、１ｂはｐ+ 領域、３ａは表面電
極、４ａは裏面電極、３ｂ、４ｂは表面電極３ａと裏面
電極４ａの半田層である。
【００１３】半導体基板１は、０．２〜１０ｍｍ程度の
厚みを有するシリコンウェハから成る。このシリコンウ
ェハは、Ｃｚ法、Ｆｚ法、ＥＦＧ法、あるいは鋳造法な
どで形成された単結晶シリコンまたは多結晶シリコンな
どをスライスして形成され、例えばボロン（Ｂ）などの
ｐ型不純物を１×１０16〜１×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ
3 程度含有する。なおシリコン以外の半導体材料を用い
てもよい。
厚みを有するシリコンウェハから成る。このシリコンウ
ェハは、Ｃｚ法、Ｆｚ法、ＥＦＧ法、あるいは鋳造法な
どで形成された単結晶シリコンまたは多結晶シリコンな
どをスライスして形成され、例えばボロン（Ｂ）などの
ｐ型不純物を１×１０16〜１×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ
3 程度含有する。なおシリコン以外の半導体材料を用い
てもよい。
【００１４】この半導体基板１の一主面側にエミッタ層
１ａを設け、ｐ−ｎ接合部を形成する。エミッタ層１ａ
の深さは２０００〜１００００Å程度である。このエミ
ッタ層は例えばオキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3 ）などを用
いてリン（Ｐ）などを１×１０16〜１×１０20ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ3 程度気相拡散させることにより、形成され
る。
１ａを設け、ｐ−ｎ接合部を形成する。エミッタ層１ａ
の深さは２０００〜１００００Å程度である。このエミ
ッタ層は例えばオキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3 ）などを用
いてリン（Ｐ）などを１×１０16〜１×１０20ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ3 程度気相拡散させることにより、形成され
る。
【００１５】また、半導体基板１の他の主面側にアルミ
ニウムなどを１×１０20〜１×１０22ａｔｏｍｓ／ｃｍ
3 程度高濃度に拡散させたｐ+ 領域１ｂを設け、半導体
基板１の裏面側の内部電界によって少数キャリア（電
子）の再結合速度を遅くさせて短絡電流を向上させ、も
って太陽電池の変換効率を高めるのが望ましい。
ニウムなどを１×１０20〜１×１０22ａｔｏｍｓ／ｃｍ
3 程度高濃度に拡散させたｐ+ 領域１ｂを設け、半導体
基板１の裏面側の内部電界によって少数キャリア（電
子）の再結合速度を遅くさせて短絡電流を向上させ、も
って太陽電池の変換効率を高めるのが望ましい。
【００１６】半導体基板１の一主面側には表面電極２が
形成されると共に、他の主面側には裏面電極３が形成さ
れる。この表面電極２と裏面電極３は銀粉末を主成分と
するペーストを半導体基板１の一主面画および他の主面
側に厚膜手法で塗布して６００〜８００℃程度の温度で
焼き付けることにより形成される。
形成されると共に、他の主面側には裏面電極３が形成さ
れる。この表面電極２と裏面電極３は銀粉末を主成分と
するペーストを半導体基板１の一主面画および他の主面
側に厚膜手法で塗布して６００〜８００℃程度の温度で
焼き付けることにより形成される。
【００１７】半導体基板１の表面側に金属フッ化物を
０．１〜１０重量％程度添加したＡｇペーストをスクリ
ーン印刷して表面電極３ａを形成するとともに、半導体
基板１の裏面側に金属フッ化物を添加したＡｇ−Ａｌペ
ーストをスクリーン印刷して裏面電極４ａを形成する。
これら金属ペーストを乾燥した後、大気中で６００〜８
００℃程度で焼き付けることにより形成する。その後、
半田槽に浸漬して表面電極３ａと裏面電極４ａ上に半田
層３ｂ、４ｂを形成する。このとき図１に示すように、
表面電極３ａは半導体基板１上に直接形成する場合もあ
るが、半導体基板１上に反射防止膜を形成し、その上に
表面電極材料を塗布するファイヤースルー法も用いられ
る。
０．１〜１０重量％程度添加したＡｇペーストをスクリ
ーン印刷して表面電極３ａを形成するとともに、半導体
基板１の裏面側に金属フッ化物を添加したＡｇ−Ａｌペ
ーストをスクリーン印刷して裏面電極４ａを形成する。
これら金属ペーストを乾燥した後、大気中で６００〜８
００℃程度で焼き付けることにより形成する。その後、
半田槽に浸漬して表面電極３ａと裏面電極４ａ上に半田
層３ｂ、４ｂを形成する。このとき図１に示すように、
表面電極３ａは半導体基板１上に直接形成する場合もあ
るが、半導体基板１上に反射防止膜を形成し、その上に
表面電極材料を塗布するファイヤースルー法も用いられ
る。
【００１８】金属フッ化物としては、例えばフッ化銀、
フッ化カルシウム、フッ化カリウム、フッ化ナトリウム
などがある。
フッ化カルシウム、フッ化カリウム、フッ化ナトリウム
などがある。
【００１９】フッ素はすべての元素と直接強い化学反応
をおこす性質を持つことから、フッ化物を添加した金属
ペーストを太陽電池素子の電極として印刷、乾燥、焼成
すると電気伝導性を得ることができ、従来の酸処理を行
う必要が無くなる。これは、金属フッ化物中のフッ素イ
オンが金属ペースト中のバインダーあるいはガラスフリ
ットと反応を起こすためと考えられる。
をおこす性質を持つことから、フッ化物を添加した金属
ペーストを太陽電池素子の電極として印刷、乾燥、焼成
すると電気伝導性を得ることができ、従来の酸処理を行
う必要が無くなる。これは、金属フッ化物中のフッ素イ
オンが金属ペースト中のバインダーあるいはガラスフリ
ットと反応を起こすためと考えられる。
【００２０】この金属フッ化物が銀に対して、０．１重
量部以下の含有であれば電気伝導性が充分向上せず、ま
た１０重量部以上の含有であれば電極ペースト中の金属
成分の焼結が充分促進されない。したがって、金属フッ
化物は銀１００重量部に対して０．１重量部〜１０重量
部の範囲で添加することが望ましい。
量部以下の含有であれば電気伝導性が充分向上せず、ま
た１０重量部以上の含有であれば電極ペースト中の金属
成分の焼結が充分促進されない。したがって、金属フッ
化物は銀１００重量部に対して０．１重量部〜１０重量
部の範囲で添加することが望ましい。
【００２１】半導体基板１の一主面側の表面電極３ａ間
には反射防止膜を形成してもよい。この反射防止膜は半
導体基板１に入射する光を効率よく吸収するための膜で
あり、その厚みが５００〜１０００Å、屈折率が１．９
０〜２．３０程度になるようにプラズマＣＶＤ法などで
形成される。この反射防止膜の材料としては窒化シリコ
ン膜の他に、一酸化シリコン（ＳｉＯ）、二酸化シリコ
ン（ＳｉＯ2 ）、二酸化チタン（ＴｉＯ2 ）などがあ
る。
には反射防止膜を形成してもよい。この反射防止膜は半
導体基板１に入射する光を効率よく吸収するための膜で
あり、その厚みが５００〜１０００Å、屈折率が１．９
０〜２．３０程度になるようにプラズマＣＶＤ法などで
形成される。この反射防止膜の材料としては窒化シリコ
ン膜の他に、一酸化シリコン（ＳｉＯ）、二酸化シリコ
ン（ＳｉＯ2 ）、二酸化チタン（ＴｉＯ2 ）などがあ
る。
【００２２】これらの太陽電池素子は、通常、複数枚を
リード線（不図示）で接続してモジュール化して使用さ
れる。
リード線（不図示）で接続してモジュール化して使用さ
れる。
【００２３】
【実施例】ボロン（Ｂ）を含有するＦｚ法で形成した単
結晶から成るシリコンウェハの一主面側にオキシ塩化リ
ン（ＰＯＣｌ3 ）を用いてリン（Ｐ）を気相拡散させる
ことにより、２０００〜１００００Å程度の深さを有す
るエミッタ層１ａを設けてｐ−ｎ接合部を形成した。ま
たシリコンウェハ１の他の主面側にアルミニウムを１×
１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 拡散させたｐ+ 領域１ｂを形
成した。
結晶から成るシリコンウェハの一主面側にオキシ塩化リ
ン（ＰＯＣｌ3 ）を用いてリン（Ｐ）を気相拡散させる
ことにより、２０００〜１００００Å程度の深さを有す
るエミッタ層１ａを設けてｐ−ｎ接合部を形成した。ま
たシリコンウェハ１の他の主面側にアルミニウムを１×
１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 拡散させたｐ+ 領域１ｂを形
成した。
【００２４】シリコンウェハ１の一主面側に銀１００重
量部に対してＡｇＦを１重量部含有するペーストをスク
リーン印刷して表面電極材料を塗布するとともに、シリ
コンウェハ１の他の主面側に銀１００重量部に対してＡ
ｇＦを１重量部含有するＡｇ−Ａｌペーストをスクリー
ン印刷して裏面電極材料を塗布した。このペーストを乾
燥した後に大気中で７００℃で焼き付けて太陽電池素子
を形成した。
量部に対してＡｇＦを１重量部含有するペーストをスク
リーン印刷して表面電極材料を塗布するとともに、シリ
コンウェハ１の他の主面側に銀１００重量部に対してＡ
ｇＦを１重量部含有するＡｇ−Ａｌペーストをスクリー
ン印刷して裏面電極材料を塗布した。このペーストを乾
燥した後に大気中で７００℃で焼き付けて太陽電池素子
を形成した。
【００２５】また、比較例として、シリコンウェハの一
主面側に金属フッ化物を含まない従来の銀ペーストを印
刷すると共に、他の主面側に金属フッ化物を含まない銀
／アルミニウムペーストを印刷して乾燥した後、大気中
で７００℃で焼き付けて酸処理を行って太陽電池素子を
形成した。
主面側に金属フッ化物を含まない従来の銀ペーストを印
刷すると共に、他の主面側に金属フッ化物を含まない銀
／アルミニウムペーストを印刷して乾燥した後、大気中
で７００℃で焼き付けて酸処理を行って太陽電池素子を
形成した。
【００２６】これら太陽電池素子の電気特性と電極強度
を測定した。なお、電気特性は太陽電池の受光面側にＡ
Ｍ１．５相当の光を当てて、Ｉ−Ｖ測定したものであ
る。また、電極強度は、２ｍｍ幅のリボン状金属端子を
表面電極３ｂに半田付けして、太陽電池の表面と直交す
る垂直方向に沿って２０ｍｍ／ｍｉｎの速度で引っ張っ
た際に、破壊が生じた外力を測定したものである。その
結果を表１に示す。
を測定した。なお、電気特性は太陽電池の受光面側にＡ
Ｍ１．５相当の光を当てて、Ｉ−Ｖ測定したものであ
る。また、電極強度は、２ｍｍ幅のリボン状金属端子を
表面電極３ｂに半田付けして、太陽電池の表面と直交す
る垂直方向に沿って２０ｍｍ／ｍｉｎの速度で引っ張っ
た際に、破壊が生じた外力を測定したものである。その
結果を表１に示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】表１から明らかなように、従来の酸処理を
行った太陽電池素子の電極接合強度が１．２Ｋｇである
のに対し、銀１００重量部に対してＡｇＦを１重量部含
有する銀ペーストを用いた太陽電池素子の電極接合強度
は１．８４Ｋｇであり、従来の太陽電池素子よりも０．
６４Ｋｇ電極強度の向上が見られた。
行った太陽電池素子の電極接合強度が１．２Ｋｇである
のに対し、銀１００重量部に対してＡｇＦを１重量部含
有する銀ペーストを用いた太陽電池素子の電極接合強度
は１．８４Ｋｇであり、従来の太陽電池素子よりも０．
６４Ｋｇ電極強度の向上が見られた。
【００２９】さらに、酸処理を行った従来の太陽電池素
子では、変換効率が１６．２３％であるのに対し、銀１
００重量部に対してＡｇＦを１重量部含有する銀ペース
トを用いた本発明の太陽電池素子では、変換効率が１
６．３１％であり、従来の太陽電池素子と同等の特性を
示していた。
子では、変換効率が１６．２３％であるのに対し、銀１
００重量部に対してＡｇＦを１重量部含有する銀ペース
トを用いた本発明の太陽電池素子では、変換効率が１
６．３１％であり、従来の太陽電池素子と同等の特性を
示していた。
【００３０】
【発明の効果】以上のように，本発明に係わる太陽電池
素子によれば、表面電極および／または裏面電極に金属
フッ化物を添加したことから、電極強度が向上し、モジ
ュール化の際のリード線の配線方法、また接続方法にも
自由度を与える。また、酸処理を行わないので、従来の
酸処理を行う必要が無く、製造工程を簡略化できる。さ
らに、酸処理を行うことなく電気伝導性を得ることがで
きるが、電気伝導性が不十分な場合でも、従来の酸処理
よりも低温あるいは短時間もしくは低濃度の酸処理で電
気伝導性を得ることができる。
素子によれば、表面電極および／または裏面電極に金属
フッ化物を添加したことから、電極強度が向上し、モジ
ュール化の際のリード線の配線方法、また接続方法にも
自由度を与える。また、酸処理を行わないので、従来の
酸処理を行う必要が無く、製造工程を簡略化できる。さ
らに、酸処理を行うことなく電気伝導性を得ることがで
きるが、電気伝導性が不十分な場合でも、従来の酸処理
よりも低温あるいは短時間もしくは低濃度の酸処理で電
気伝導性を得ることができる。
【図１】本発明に係わる太陽電池素子の形成方法の一実
施形態を示す図である。
施形態を示す図である。
【図２】従来の太陽電池素子を示す図である。
１‥‥‥半導体基板、１ａ‥‥‥エミッタ層、１ｂ‥‥
‥ｐ+ 領域、３ａ‥‥‥表面電極、４ａ‥‥‥裏面電極
‥ｐ+ 領域、３ａ‥‥‥表面電極、４ａ‥‥‥裏面電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 白沢 勝彦 滋賀県八日市市蛇溝町長谷野1166番地の６ 京セラ株式会社滋賀工場内 Ｆターム(参考） 5F051 AA02 AA03 BA11 FA06 FA08 FA10 FA13 FA15 FA24 FA30 GA04
Claims (4)
- 【請求項１】 一導電型不純物を含有する半導体基板の
一主面側に他の導電型不純物を含有する領域と表面電極
を設けると共に、他の主面側に裏面電極を設けた太陽電
池素子において、前記表面電極および／または裏面電極
に金属フッ化物を含有させたことを特徴とする太陽電池
素子。 - 【請求項２】 前記表面電極および／または裏面電極が
銀を主成分として構成されると共に、この銀１００重量
部に対して前記金属フッ化物を０．１〜１０重量部含有
させたことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池素
子。 - 【請求項３】 一導電型不純物を含有する半導体基板の
一主面側に他の導電型不純物を含有する領域を形成し、
この半導体基板の一主面側と他の主面側に金属ペースト
を印刷して焼き付けることによって表面電極と裏面電極
を形成する太陽電池素子の形成方法において、前記金属
ペーストに金属フッ化物を添加して印刷して焼き付ける
ことによって前記表面電極および／または裏面電極を形
成することを特徴とする太陽電池素子の形成方法。 - 【請求項４】 前記金属ペーストが銀を主成分として構
成されると共に、この銀１００重量部に対して前記金属
フッ化物が０．１〜１０重量部添加されることを特徴と
する請求項３に記載の太陽電池素子の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11143382A JP2000332271A (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | 太陽電池素子およびその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11143382A JP2000332271A (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | 太陽電池素子およびその形成方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000332271A true JP2000332271A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=15337484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000332271A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008109164A (ja) * | 2008-01-17 | 2008-05-08 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
| JP2018067547A (ja) * | 2016-10-21 | 2018-04-26 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ | 導電性ペースト組成物及びそれを用いて製造される半導体デバイス |
-
1999
- 1999-05-24 JP JP11143382A patent/JP2000332271A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008109164A (ja) * | 2008-01-17 | 2008-05-08 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
| JP4506838B2 (ja) * | 2008-01-17 | 2010-07-21 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
| JP2018067547A (ja) * | 2016-10-21 | 2018-04-26 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ | 導電性ペースト組成物及びそれを用いて製造される半導体デバイス |
| JP7083615B2 (ja) | 2016-10-21 | 2022-06-13 | ソーラー ペースト リミテッド ライアビリティ カンパニー | 導電性ペースト組成物、導電性ペースト組成物を用いて半導体デバイスを製造する方法、及び半導体デバイス |
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