JP2000328248A - Method for cleaning thin film forming apparatus and thin film forming apparatus - Google Patents

Method for cleaning thin film forming apparatus and thin film forming apparatus

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JP2000328248A
JP2000328248A JP11132038A JP13203899A JP2000328248A JP 2000328248 A JP2000328248 A JP 2000328248A JP 11132038 A JP11132038 A JP 11132038A JP 13203899 A JP13203899 A JP 13203899A JP 2000328248 A JP2000328248 A JP 2000328248A
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Japan
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cleaning
film forming
electrode
film
gas
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Japanese (ja)
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Hiroshi Murakami
浩 村上
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Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • C23C16/5096—Flat-bed apparatus

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cleaning method for a thin film forming apparatus which converts gaseous deposition raw material to a plasma and forms a thin film on an article for deposition under this plasma and a thin film forming apparatus executing the cleaning method. SOLUTION: This method for cleaning the film forming apparatus consists in introducing a cleaning gas from a gas supply device 4 into a deposition chamber 1 when cleaning, maintaining the gaseous pressure in the deposition chamber 1 at a prescribed cleaning pressure, converting this cleaning gas to the plasma by impression of high-frequency electric power from a high-frequency power source device 5 to a high-frequency electrode 4, impressing the DC electric power of cleaning of the high-frequency electrode 4 itself to the high-frequency electrode from a DC power source device 6, installing a substrate (an article for deposition) S to the substrate holder 2 in the deposition chamber 1, introducing the gaseous deposition raw material from the gas supply device 4 into the deposition chamber 1 and maintaining the gaseous pressure in the deposition chamber 1 at the prescribed deposition pressure in an exhauster VC.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は成膜原料ガスをプラ
ズマ化し、そのプラズマのもとで被成膜物品に薄膜を形
成する薄膜形成装置のクリーニング方法及び該クリーニ
ング方法を実施できる薄膜形成装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of cleaning a thin film forming apparatus for forming a thin film on an article to be formed under the plasma of a film forming raw material gas, and a thin film forming apparatus capable of performing the cleaning method. .

【０００２】[0002]

【従来の技術】成膜原料ガスをプラズマ化し、そのプラ
ズマのもとで被成膜物品に薄膜を形成する薄膜形成装置
は半導体デバイスの作製等に広く利用されている。かか
る薄膜形成装置においては、被成膜物品に目的とする薄
膜を形成するとき、装置における成膜室内の被成膜物品
以外のプラズマに露出される各部にも反応生成物が膜状
に堆積していく。2. Description of the Related Art A thin film forming apparatus for converting a film forming material gas into a plasma and forming a thin film on an article to be formed under the plasma is widely used for manufacturing semiconductor devices and the like. In such a thin film forming apparatus, when a target thin film is formed on an article on which a film is to be formed, a reaction product is deposited in a film shape on each part of the apparatus other than the article on which a film is to be formed in a film forming chamber of the apparatus. To go.

【０００３】このように堆積していく反応生成物を放置
しておくと、その堆積量が次第に増加し、剥がれ落ちや
すくなってくる。剥がれ落ちた反応生成物が所謂パーテ
ィクルとなって被成膜物品上に付着すると、被成膜物品
上に形成される膜にさまざまの欠陥が生じる。そこで、
このような被成膜物品外への反応生成物の付着堆積増加
を防止するために、かかる反応生成物をエッチングする
エッチングガスのプラズマを成膜室内に発生させ、該エ
ッチングガスプラズマにより堆積反応生成物を除去する
ドライクリーニングが行われている。If the reaction product thus deposited is left undisturbed, the amount of the reaction product gradually increases, and the reaction product tends to peel off. When the peeled-off reaction product becomes so-called particles and adheres to a film-forming article, various defects occur in a film formed on the film-forming article. Therefore,
In order to prevent such an increase in the adhesion and deposition of the reaction product outside the article to be formed, plasma of an etching gas for etching the reaction product is generated in the film forming chamber, and the deposition gas is generated by the etching gas plasma. Dry cleaning for removing objects is performed.

【０００４】例えば、薄膜形成装置の代表例である平行
平板型電極を用いる装置では、互いに対向する平行平板
型電極間に導入したエッチング用ガスを該電極への高周
波電力印加によりプラズマ化し、該プラズマのもとで該
電極その他に付着した反応生成物のエッチングを行って
いる。For example, in an apparatus using a parallel plate type electrode which is a typical example of a thin film forming apparatus, an etching gas introduced between parallel plate type electrodes facing each other is turned into plasma by applying high frequency power to the electrode, and the plasma is formed. The reaction products attached to the electrodes and the like are etched under the following conditions.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにエッチングガスプラズマにより不要な反応生成物を
ドライクリーニングするにあたり、クリーニング速度を
上げようとして、ガスプラズマ化のために印加する高周
波電力を増大させると、該電力が印加される高周波電極
に発生する自己バイアス電圧も増加する。そのため該高
周波電極が集中的にエッチングされ、該電極の著しい損
傷を招き、該電極を頻繁に交換しなければならなくな
る。However, when dry cleaning unnecessary reaction products by etching gas plasma as described above, it is necessary to increase the high frequency power applied for gas plasma in order to increase the cleaning speed. The self-bias voltage generated at the high-frequency electrode to which the power is applied also increases. As a result, the high-frequency electrode is intensively etched, causing significant damage to the electrode and requiring frequent replacement of the electrode.

【０００６】高周波の周波数を高めてガスの分解を高
め、それによりクリーニング速度を速めようとすると、
今度は周波数の増加に伴い高周波電極における自己バイ
アス電圧が低下し、高周波電極のクリーニング速度を高
めることができなくなる。 また、プラズマは高周波電
極付近に形成されるから、電極と電極近傍に存在する部
品、例えば被成膜物品を設置するホルダのクリーニング
は行われるとしても、電極から遠い位置にある成膜室壁
等のクリーニングは困難である。このように電極から遠
い位置にある成膜室壁等についてもクリーニングするに
はクリーニング時間を長くすればよいのであるが、それ
では電極や電極近傍の部品がエッチングされ過ぎて、損
傷が大きくなり、頻繁に交換しなければならなくなる。In order to increase the frequency of the high frequency to increase the decomposition of the gas and thereby increase the cleaning speed,
This time, as the frequency increases, the self-bias voltage at the high-frequency electrode decreases, and the cleaning speed of the high-frequency electrode cannot be increased. In addition, since the plasma is formed near the high-frequency electrode, even if the electrode and the components existing near the electrode, for example, the holder for installing the article to be film-formed are cleaned, the wall of the film-forming chamber far from the electrode, etc. Cleaning is difficult. In order to clean even the film forming chamber wall and the like located far from the electrode as described above, the cleaning time may be increased. However, the electrode and components near the electrode are excessively etched, and the damage is increased. Will have to be replaced.

【０００７】そこで本発明は、成膜原料ガスをプラズマ
化し、そのプラズマのもとで被成膜物品に薄膜を形成す
る薄膜形成装置のクリーニング方法であって、薄膜形成
時に成膜原料ガスプラズマ生成領域に臨む、反応生成物
が堆積しやすい部分を、装置部品の頻繁な交換を必要と
するような著しい損傷を招くことなく速やかにクリーニ
ングできる薄膜形成装置のクリーニング方法及び該クリ
ーニング方法を実施できる薄膜形成装置を提供すること
を課題とする。Accordingly, the present invention provides a method of cleaning a thin film forming apparatus for forming a thin film on an article to be formed under the plasma by converting the film forming material gas into plasma. A method of cleaning a thin film forming apparatus capable of quickly cleaning a portion facing a region where reaction products are likely to accumulate without causing significant damage that requires frequent replacement of device parts, and a thin film capable of implementing the cleaning method It is an object to provide a forming apparatus.

【０００８】また本発明は、成膜原料ガスをプラズマ化
し、そのプラズマのもとで、被成膜物品へのイオン照射
を併用して、該被成膜物品に薄膜を形成する薄膜形成装
置のクリーニング方法であって、薄膜形成時に成膜原料
ガスプラズマ生成領域に臨む、反応生成物が堆積しやす
い部分を、装置部品の頻繁な交換を必要とするような著
しい損傷を招くことなく速やかにクリーニングできる薄
膜形成装置のクリーニング方法及び該クリーニング方法
を実施できる薄膜形成装置を提供することを課題とす
る。The present invention also provides a thin film forming apparatus for forming a thin film on a film-forming article by converting a film-forming raw material gas into plasma, and using the plasma in combination with ion irradiation to the film-forming article. A cleaning method that quickly cleans a portion where a reaction product is likely to accumulate on a film forming material gas plasma generation region when forming a thin film without causing significant damage that requires frequent replacement of device parts. It is an object of the present invention to provide a method of cleaning a thin film forming apparatus capable of performing the method and a thin film forming apparatus capable of performing the cleaning method.

【０００９】[0009]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
本発明は、次の第１〜第３タイプの薄膜形成装置のクリ
ーニング方法及び第１〜第３タイプの薄膜形成装置を提
供する。 （１）薄膜形成装置のクリーニング方法 第１タイプのクリーニング方法 成膜室内に被成膜物品を設置し、該成膜室内に成膜原料
ガスを導入するととに該成膜室内気圧を所定の成膜圧力
に維持し、該成膜原料ガスを該成膜室内に設置したガス
プラズマ化用高周波電極への高周波電力印加によりプラ
ズマ化し、該プラズマのもとで被成膜物品に薄膜を形成
する薄膜形成装置のクリーニング方法であり、クリーニ
ングにあたり、前記成膜室内にクリーニング用ガスを導
入するとともに該成膜室内気圧を所定のクリーニング圧
力に維持し、該クリーニング用ガスを前記高周波電極へ
の高周波電力印加によりプラズマ化するとともに該高周
波電極にそれ自身のクリーニングのための直流電圧も印
加することを特徴とする薄膜形成装置のクリーニング方
法。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides the following first to third type thin film forming apparatus cleaning methods and first to third type thin film forming apparatuses. (1) Cleaning Method for Thin Film Forming Apparatus First Type Cleaning Method An article to be formed is set in a film forming chamber, a film forming material gas is introduced into the film forming chamber, and the pressure in the film forming chamber is adjusted to a predetermined pressure. A thin film that is maintained at a film pressure and is turned into plasma by applying a high-frequency power to a high-frequency electrode for gas plasma installed in the film-forming chamber, and forms a thin film on a film-forming article under the plasma. A cleaning method for a forming apparatus, wherein a cleaning gas is introduced into the film-forming chamber and a pressure of the film-forming chamber is maintained at a predetermined cleaning pressure for cleaning, and high-frequency power is applied to the high-frequency electrode by the cleaning gas. Characterized in that a plasma is generated by the method and a DC voltage for cleaning itself is applied to the high-frequency electrode. .

【００１０】前記薄膜形成装置はいわゆるプラズマＣＶ
Ｄ装置である。前記ガスプラズマ化用高周波電極として
は、円筒形等の筒形の電極でもよいし、被成膜物品を設
置するホルダに対向配置される平板形の電極でもよく、
特に制限はない。被成膜物品を設置するホルダに対向配
置される平板形の電極を採用する場合、前記薄膜形成装
置の代表例は平行平板電極型のプラズマＣＶＤ装置であ
る。The thin film forming apparatus is a so-called plasma CV.
D device. As the high-frequency electrode for gas plasma, a cylindrical electrode such as a cylindrical electrode may be used, or a plate-shaped electrode that is arranged to face a holder on which a film-forming article is installed,
There is no particular limitation. In the case of employing a flat plate-shaped electrode opposed to a holder on which a film-forming article is installed, a typical example of the thin film forming apparatus is a parallel plate electrode type plasma CVD apparatus.

【００１１】このクリーニング方法によると、被成膜物
品への薄膜形成時に反応生成物が堆積しやすいガスプラ
ズマ化用高周波電極に堆積した反応生成物を非成膜時に
クリーニング除去できる。該高周波電極近傍の成膜室内
壁面等に堆積した反応生成物もクリーニングできる。ク
リーニングにあたっては、前記成膜室内にクリーニング
用ガスを導入するとともに該成膜室内気圧を所定のクリ
ーニング圧力に維持し、該クリーニング用ガスを前記高
周波電極への高周波電力印加によりプラズマ化するとと
もに該高周波電極にそれ自身のクリーニングのための直
流バイアス電圧も印加する。According to this cleaning method, the reaction product deposited on the gas plasma-forming high-frequency electrode, on which the reaction product tends to deposit when the thin film is formed on the article to be deposited, can be cleaned and removed during non-film formation. Reaction products deposited on the wall surface of the film formation chamber near the high-frequency electrode can also be cleaned. In cleaning, a cleaning gas is introduced into the film forming chamber, the pressure in the film forming chamber is maintained at a predetermined cleaning pressure, and the cleaning gas is turned into plasma by applying high frequency power to the high frequency electrode. A DC bias voltage for cleaning itself is also applied to the electrode.

【００１２】ガスプラズマ化用高周波電極や成膜室内壁
面等に堆積した反応生成物は該クリーニング用ガスプラ
ズマのもとにエッチングされ、クリーニングされる。特
に反応生成物が堆積しやすいガスプラズマ化用高周波電
極には、それ自身のクリーニングのための直流バイアス
電圧も印加される。それによりクリーニング用ガスプラ
ズマ中のエッチングに寄与するイオンが該高周波電極へ
引き寄せられ、該高周波電極の著しい損傷を招く大きい
高周波電力印加や長時間の高周波電力印加を要すること
なく、直流電圧印加によるクリーニング速度制御下に速
やかに該高周波電極をプラズマエッチングによりクリー
ニングできる。The reaction products deposited on the high-frequency electrode for gas plasma or on the wall surface of the film forming chamber are etched and cleaned under the gas plasma for cleaning. In particular, a DC bias voltage for cleaning itself is also applied to the high-frequency electrode for gas plasma in which reaction products are easily deposited. As a result, ions contributing to etching in the cleaning gas plasma are attracted to the high-frequency electrode, and cleaning by DC voltage application is not required without applying a large high-frequency power or a long-time high-frequency power application that causes significant damage to the high-frequency electrode. The high-frequency electrode can be quickly cleaned by plasma etching under speed control.

【００１３】かくして薄膜形成時に成膜原料ガスプラズ
マ生成領域に臨む、反応生成物が堆積しやすい部分、特
にガスプラズマ化用高周波電極を、その頻繁な交換を必
要とするような著しい損傷を招くことなく速やかにクリ
ーニングできる。高周波電極近傍の成膜室内壁面等に堆
積した反応生成物もクリーニングできる。成膜室内壁面
への反応生成物の堆積を充分抑制するために、前記成膜
室内における前記プラズマの生成領域に、成膜室内壁面
より内側に位置して臨む、前記ガスプラズマ化用高周波
電極から独立した防着板兼電極を設置しておき、クリー
ニングにあたり、さらに、該防着板兼電極にそのクリー
ニングのためのクリーニング用電界を発生させるように
してもよい。[0013] Thus, when the thin film is formed, the portion where the reaction product is likely to be deposited, particularly the high frequency electrode for gas plasma, which faces the plasma gas generation region of the film-forming source gas, causes a remarkable damage that requires frequent replacement. Cleaning can be done quickly Reaction products deposited on the wall surface of the film formation chamber near the high-frequency electrode can also be cleaned. In order to sufficiently suppress the deposition of reaction products on the wall surface of the film formation chamber, the plasma generation region in the film formation chamber is located inside the wall surface of the film formation chamber, An independent deposition-preventing plate / electrode may be provided, and upon cleaning, an electric field for cleaning may be generated on the deposition-preventing plate / electrode.

【００１４】かかるクリーニング用電界を発生させるこ
とで、クリーニング用ガスプラズマ中のエッチングに寄
与するイオンが防着板兼電極へ引き寄せられ、該防着板
兼電極はクリーニング用電界によるクリーニング速度制
御下に速やかにプラズマエッチングによりクリーニング
される。かかるクリーニング用電界として、高周波電界
及び（又は）直流電界を採用できる。防着板兼電極に付
着する物質が絶縁性物質であるときは、該防着板兼電極
に電荷が飽和するとこを防止するために、高周波電界及
び直流電界のうち少なくとも高周波電界を発生させるよ
うにするとよい。防着板兼電極に付着する物質が導電性
物質であるきとは、直流電界を発生させるだけでもよ
い。 第２タイプのクリーニング方法 成膜室内に被成膜物品を設置し、該成膜室内に成膜原料
ガスを導入するとともに該成膜室内気圧を所定の成膜圧
力に維持し、該成膜原料ガスを該成膜室に対し設置した
ガスプラズマ化用高周波電極への高周波電力印加により
プラズマ化し、該プラズマのもとで被成膜物品に薄膜を
形成する薄膜形成装置のクリーニング方法であり、前記
成膜室内における前記プラズマの生成領域に、成膜室内
壁面より内側に位置して臨む、前記成膜原料ガスプラズ
マ化用高周波電極から独立した防着板兼電極を設置して
おき、クリーニングにあたり、前記成膜室内にクリーニ
ング用ガスを導入するとともに該成膜室内を所定のクリ
ーニング圧力に維持し、該クリーニング用ガスを前記高
周波電極への高周波電力印加によりプラズマ化するとと
もに前記防着板兼電極にそのクリーニングのためのクリ
ーニング用電界を発生させることを特徴とする薄膜形成
装置のクリーニング方法。By generating such a cleaning electric field, ions contributing to etching in the cleaning gas plasma are attracted to the electrode and plate, and the electrode and plate are controlled under the cleaning speed control by the electric field for cleaning. It is quickly cleaned by plasma etching. As such a cleaning electric field, a high-frequency electric field and / or a DC electric field can be adopted. When the substance adhering to the deposition-preventing plate / electrode is an insulating material, at least a high-frequency electric field out of a high-frequency electric field and a DC electric field is generated to prevent the electric charge from being saturated in the deposition-preventing plate / electrode. It is good to When the substance adhering to the deposition-preventing plate and the electrode is a conductive substance, only a DC electric field may be generated. A second type of cleaning method, an article to be formed is placed in a film forming chamber, a film forming material gas is introduced into the film forming chamber, and the pressure in the film forming chamber is maintained at a predetermined film forming pressure. A method for cleaning a thin film forming apparatus in which a gas is turned into plasma by applying high frequency power to a high frequency electrode for gas plasma installed in the film forming chamber, and a thin film is formed on the article to be formed under the plasma, In the plasma generation region in the film forming chamber, a deposition-preventing plate / electrode independent from the high-frequency electrode for forming a film forming material gas plasma facing the inside located from the wall surface of the film forming chamber is installed. A cleaning gas is introduced into the film-forming chamber, the film-forming chamber is maintained at a predetermined cleaning pressure, and the cleaning gas is applied by applying high-frequency power to the high-frequency electrode. A cleaning electric field for cleaning the deposition-preventing plate / electrode.

【００１５】前記薄膜形成装置はいわゆるプラズマＣＶ
Ｄ装置である。このクリーニング方法によると、防着板
兼電極で成膜原料ガスプラズマ生成領域から遮られた成
膜室内壁面部分への反応生成物の堆積が抑制される。被
成膜物品への薄膜形成時に反応生成物が堆積しやすい防
着板兼電極に堆積した反応生成物を非成膜時にクリーニ
ング除去できる。The thin film forming apparatus is a so-called plasma CV.
D device. According to this cleaning method, the deposition of reaction products on the wall surface of the film forming chamber, which is shielded from the film forming material gas plasma generation region by the deposition-preventing plate and the electrode, is suppressed. The reaction product deposited on the deposition-preventing plate and the electrode, on which the reaction product tends to deposit when the thin film is formed on the article to be deposited, can be removed by cleaning during non-film formation.

【００１６】クリーニングにあたっては、前記成膜室内
にクリーニング用ガスを導入するとともに該成膜室内気
圧を所定のクリーニング圧力に維持し、該クリーニング
用ガスを前記ガスプラズマ化用高周波電極への高周波電
力印加によりプラズマ化する。また、防着板兼電極に
は、それ自身をクリーニングするためにクリーニング用
電界を発生させる。At the time of cleaning, a cleaning gas is introduced into the film-forming chamber, the pressure in the film-forming chamber is maintained at a predetermined cleaning pressure, and the cleaning gas is applied with high-frequency power to the gas-plasma-forming high-frequency electrode. Into plasma. In addition, an electric field for cleaning is generated in the deposition-preventing plate / electrode for cleaning itself.

【００１７】防着板兼電極に堆積した反応生成物は該ク
リーニング用ガスプラズマのもとにエッチングされる。
そのとき、防着板兼電極にはクリーニング用電界を発生
させているので、クリーニング用ガスプラズマ中のエッ
チングに寄与するイオンが該防着板兼電極へ引き寄せら
れやすくなり、それにより該防着板兼電極はクリーニン
グ用電界によるクリーニング速度制御下に速やかにプラ
ズマエッチングによりクリーニングされる。かかるクリ
ーニング用電界としては既述の場合と同様に高周波電界
及び（又は）直流電界を採用できる。The reaction product deposited on the deposition-preventing plate / electrode is etched under the cleaning gas plasma.
At this time, since a cleaning electric field is generated on the deposition-preventing plate / electrode, ions contributing to the etching in the cleaning gas plasma are easily attracted to the deposition-preventing plate / electrode, whereby The common electrode is quickly cleaned by plasma etching under the control of the cleaning speed by the cleaning electric field. As the cleaning electric field, a high-frequency electric field and / or a DC electric field can be adopted as in the case described above.

【００１８】成膜室内に対し設置されるガスプラズマ化
用高周波電極は、成膜室の外周に沿って配置される誘導
コイル電極、成膜室内に設置される電極のいずれでもよ
い。誘導コイル電極を採用する場合、前記薄膜形成装置
はいわゆる誘導コイル型プラズマＣＶＤ装置である。前
記ガスプラズマ化用高周波電極として成膜室内に設置さ
れる電極を採用する場合、それは、円筒形等の筒形の電
極でもよいし、被成膜物品を設置するホルダに対向配置
される平板形の電極でもよく、特に制限はない。被成膜
物品を設置するホルダに対向配置される平板形の電極を
採用する場合、前記薄膜形成装置の代表例は平行平板電
極型のプラズマＣＶＤ装置である。ガスプラズマ化用高
周波電極が成膜室内に設置された電極であるときは、こ
の電極にも反応生成物が堆積しやすいが、クリーニング
用ガスのプラズマ化のためにこの電極に高周波電力が印
加されることで、自己バイアス電圧が発生し、それによ
りクリーニング用ガスプラズマ中のエッチングに寄与す
るイオンが該電極に引き寄せられやすく、該電極もクリ
ーニングされる。The gas plasma generating high-frequency electrode provided in the film forming chamber may be either an induction coil electrode arranged along the outer periphery of the film forming chamber or an electrode provided in the film forming chamber. When an induction coil electrode is employed, the thin film forming apparatus is a so-called induction coil type plasma CVD apparatus. When an electrode installed in a film forming chamber is adopted as the high-frequency electrode for gas plasma formation, it may be a cylindrical electrode such as a cylindrical shape, or a plate-shaped electrode arranged to face a holder for installing an article to be film-formed. Electrode may be used, and there is no particular limitation. In the case of employing a flat plate-shaped electrode opposed to a holder on which a film-forming article is installed, a typical example of the thin film forming apparatus is a parallel plate electrode type plasma CVD apparatus. When the gas plasma-generating high-frequency electrode is an electrode installed in a film forming chamber, reaction products are liable to deposit on this electrode, but high-frequency power is applied to this electrode to convert the cleaning gas into a plasma. As a result, a self-bias voltage is generated, whereby ions contributing to etching in the cleaning gas plasma are easily attracted to the electrode, and the electrode is also cleaned.

【００１９】かくして薄膜形成時に成膜原料ガスプラズ
マ生成領域に臨む、反応生成物が堆積しやすい部分、特
に防着板兼電極、或いはさらに成膜室内に設置されるガ
スプラズマ化用高周波電極を、その頻繁な交換を必要と
するような著しい損傷を招くことなく速やかにクリーニ
ングできる。成膜室内に設置されるガスプラズマ化用高
周波電極については、これをより速やかにクリーニング
するために、該電極に、それ自身のクリーニングのため
の直流バイアス電圧をさらに印加してもよい。 第３タイプのクリーニング方法 イオン源を備えた成膜室内に被成膜物品を設置し、該成
膜室内に成膜原料ガスを導入するととに該成膜室内気圧
を所定の成膜圧力に維持し、該成膜原料ガスを該成膜室
に対し設置したガスプラズマ化用高周波電極への高周波
電力印加によりプラズマ化し、該プラズマのもとで、前
記イオン源から被成膜物品へのイオン照射を併用して該
被成膜物品に薄膜を形成する薄膜形成装置のクリーニン
グ方法であり、クリーニングにあたり、前記成膜室内に
クリーニング用ガスを導入するとともに該成膜室内を所
定のクリーニング圧力に維持し、該クリーニング用ガス
を前記高周波電極への高周波電力印加によりプラズマ化
するとともに前記イオン源のイオン引出し電極系におけ
る接地用電極にそのクリーニングのためのクリーニング
用電界を発生させることを特徴とする薄膜形成装置のク
リーニング方法。Thus, a portion where a reaction product is likely to be deposited, particularly a deposition-preventing electrode, or a high-frequency gas plasma-forming electrode installed in a film-forming chamber, facing the film-forming source gas plasma generation region when forming a thin film, It can be cleaned quickly without causing significant damage requiring frequent replacement. In order to clean the high frequency electrode for gas plasma installed in the film forming chamber more quickly, a DC bias voltage for cleaning itself may be further applied to the electrode. Third Type Cleaning Method An object to be film-formed is set in a film forming chamber equipped with an ion source, and a film forming material gas is introduced into the film forming chamber, and the pressure in the film forming chamber is maintained at a predetermined film forming pressure. The film-forming source gas is turned into plasma by applying high-frequency power to a gas-plasma-forming high-frequency electrode installed in the film-forming chamber, and under the plasma, the ion source irradiates the film-forming article with ions. Is a method of cleaning a thin film forming apparatus for forming a thin film on the article to be formed by using a cleaning gas. In cleaning, a cleaning gas is introduced into the film forming chamber and the film forming chamber is maintained at a predetermined cleaning pressure. The cleaning gas is turned into plasma by applying high-frequency power to the high-frequency electrode, and the grounding electrode in the ion extraction electrode system of the ion source is used for cleaning. A method for cleaning a thin film forming apparatus, comprising: generating a cleaning electric field.

【００２０】前記薄膜形成装置はいわゆるプラズマＣＶ
Ｄ装置である。このクリーニング方法によると、被成膜
物品への薄膜形成時に成膜原料ガス生成領域に臨み、反
応生成物が堆積しやすいイオン引出し電極系における接
地用電極に堆積した反応生成物を非成膜時にクリーニン
グ除去できる。クリーニングにあたっては、前記成膜室
内にクリーニング用ガスを導入するとともに該成膜室内
気圧を所定のクリーニング圧力に維持し、該クリーニン
グ用ガスを前記ガスプラズマ化用高周波電極への高周波
電力印加によりプラズマ化する。また、前記接地用電極
には、それをクリーニングするためにクリーニング用電
界を発生させる。The thin film forming apparatus is a so-called plasma CV
D device. According to this cleaning method, the reaction product deposited on the grounding electrode in the ion extraction electrode system, which faces the film forming source gas generation region when forming a thin film on the article to be film-deposited and where the reaction product is liable to deposit, is used during non-film formation. Cleaning can be removed. In cleaning, a cleaning gas is introduced into the film-forming chamber, the pressure in the film-forming chamber is maintained at a predetermined cleaning pressure, and the cleaning gas is converted into plasma by applying high-frequency power to the high-frequency electrode for gas-plasma formation. I do. In addition, a cleaning electric field is generated in the grounding electrode to clean it.

【００２１】接地用電極に堆積した反応生成物は該クリ
ーニング用ガスプラズマのもとにエッチングされる。そ
のとき、接地用電極にはクリーニング用電界を発生させ
ているので、クリーニング用ガスプラズマ中のエッチン
グに寄与するイオンが該接地用電極へ引き寄せられやす
くなり、それにより該接地用電極はクーニング用電界に
よるクリーニング速度制御下に速やかにプラズマエッチ
ングによりクリーニングされる。かかるクリーニング用
電界としては既述の場合と同様に高周波電界及び（又
は）直流電界を採用できる。The reaction product deposited on the ground electrode is etched under the cleaning gas plasma. At this time, since a cleaning electric field is generated on the grounding electrode, ions contributing to etching in the cleaning gas plasma are easily attracted to the grounding electrode. Cleaning is quickly performed by plasma etching under the control of the cleaning speed. As the cleaning electric field, a high-frequency electric field and / or a DC electric field can be adopted as in the case described above.

【００２２】成膜室内に対し設置されるガスプラズマ化
用高周波電極は、成膜室の外周に沿って配置される誘導
コイル電極、成膜室内に設置される電極のいずれでもよ
い。誘導コイル電極を採用する場合、前記薄膜形成装置
はいわゆる誘導コイル型プラズマＣＶＤ装置である。前
記ガスプラズマ化用高周波電極として成膜室内に設置さ
れる電極を採用する場合、代表例として円筒形等の筒形
の電極を挙げることができる。The gas plasma generating high-frequency electrode installed in the film forming chamber may be either an induction coil electrode arranged along the outer periphery of the film forming chamber or an electrode installed in the film forming chamber. When an induction coil electrode is employed, the thin film forming apparatus is a so-called induction coil type plasma CVD apparatus. When an electrode installed in a deposition chamber is adopted as the high-frequency electrode for gas plasma generation, a typical example is a cylindrical electrode such as a cylindrical electrode.

【００２３】ガスプラズマ化用高周波電極が成膜室内に
設置された電極であるときは、この電極にも反応生成物
が堆積しやすいが、クリーニング用ガスのプラズマ化の
ためにこの電極に高周波電力が印加されることで、自己
バイアス電圧が発生し、それによりクリーニング用ガス
プラズマ中のエッチングに寄与するイオンが該電極に引
き寄せられやすく、該電極もクリーニングされる。When the high-frequency electrode for gas plasma is an electrode installed in a film forming chamber, reaction products are liable to deposit on this electrode. Is applied, a self-bias voltage is generated, whereby ions contributing to etching in the cleaning gas plasma are easily attracted to the electrode, and the electrode is also cleaned.

【００２４】かくして薄膜形成時に成膜原料ガスプラズ
マ生成領域に臨む、反応生成物が堆積しやすい部分、特
にイオン引出し電極系の接地用電極、或いはさらに成膜
室内に設置されるガスプラズマ化用高周波電極を、その
頻繁な交換を必要とするような著しい損傷を招くことな
く速やかにクリーニングできる。成膜室内に設置される
ガスプラズマ化用高周波電極については、これをより速
やかにクリーニングするために、該電極に、それ自身の
クリーニングのための直流バイアス電圧も印加すること
ができる。 （２）薄膜形成装置 第１タイプの薄膜形成装置 成膜室と、成膜室内に設置された被成膜物品ホルダと、
成膜室内において前記ホルダに対向設置されたガスプラ
ズマ化用高周波電極と、成膜室内を所定圧力に設定する
ための排気装置と、成膜室内に成膜原料ガスを供給する
ための成膜原料ガス供給装置と、成膜室内にクリーニン
グ用ガスを供給するためのクリーニング用ガス供給装置
と、前記高周波電極に高周波電力を印加するための高周
波電源装置と、前記高周波電極に前記高周波電源装置か
らの高周波電力印加とともに該高周波電極クリーニング
用の直流電圧を印加できる直流電源装置と、を備え、成
膜室内クリーニングが可能であることを特徴とする薄膜
形成装置。Thus, a portion where a reaction product is likely to be deposited, particularly a grounding electrode of an ion extraction electrode system, or a high frequency for gas plasma generation installed in a film forming chamber, which faces the plasma gas generating region of a film forming material gas when forming a thin film. The electrode can be cleaned quickly without causing significant damage requiring frequent replacement thereof. In order to clean the high frequency electrode for gas plasma installed in the film formation chamber more quickly, a DC bias voltage for cleaning itself can be applied to the electrode. (2) Thin-film forming apparatus First-type thin-film forming apparatus A film forming chamber, a film-forming article holder installed in the film forming chamber,
A high-frequency electrode for gas plasma provided opposite to the holder in the film forming chamber, an exhaust device for setting a predetermined pressure in the film forming chamber, and a film forming material for supplying a film forming material gas into the film forming chamber A gas supply device, a cleaning gas supply device for supplying a cleaning gas into the film formation chamber, a high-frequency power supply device for applying high-frequency power to the high-frequency electrode, and a high-frequency power supply device for the high-frequency electrode. A DC power supply device capable of applying a DC voltage for cleaning the high-frequency electrode together with the application of high-frequency power, and capable of cleaning a film forming chamber.

【００２５】この薄膜形成装置によると、前記（１）に
記載の第１タイプのクリーニング方法を実施できる。こ
の薄膜形成装置はプラズマＣＶＤ装置であり、代表的に
は平行平板電極型のプラズマＣＶＤ装置である。この薄
膜形成装置においては、前記被成膜物品ホルダと前記高
周波電極との間の領域に、前記成膜室内壁面より内側に
位置して臨む防着板兼電極と、該防着板兼電極に、該防
着板兼電極クリーニング用の電界を発生させるための電
源装置と、をさらに備えていてもよい。 第２タイプの薄膜形成装置 成膜室と、成膜室内に設置された被成膜物品ホルダと、
成膜室に対し設置されたガスプラズマ化用高周波電極
と、成膜室内を所定圧力に設定するための排気装置と、
成膜室内に成膜原料ガスを供給するための成膜原料ガス
供給装置と、成膜室内にクリーニング用ガスを供給する
ためのクリーニング用ガス供給装置と、前記高周波電極
に高周波電力を印加するための第１の高周波電源装置
と、前記成膜室内のプラズマ生成領域に、該成膜室内壁
面より内側に位置して臨む防着板兼電極と、該防着板兼
電極に、該防着板兼電極クリーニング用の電界を発生さ
せるための第２の電源装置と、を備え、成膜室内クリー
ニングが可能であることを特徴とする薄膜形成装置。According to this thin film forming apparatus, the first type cleaning method described in the above (1) can be performed. This thin film forming apparatus is a plasma CVD apparatus, typically a parallel plate electrode type plasma CVD apparatus. In this thin film forming apparatus, in a region between the article holder and the high-frequency electrode, a deposition-preventing plate / electrode facing inside the wall surface of the deposition chamber, And a power supply device for generating the electric field for cleaning the deposition-preventing plate and the electrode. A second type of thin film forming apparatus; a film forming chamber; a film-formed article holder installed in the film forming chamber;
A high-frequency electrode for gas plasma provided for the film forming chamber, and an exhaust device for setting the film forming chamber to a predetermined pressure,
A film forming material gas supply device for supplying a film forming material gas into the film forming chamber, a cleaning gas supply device for supplying a cleaning gas to the film forming chamber, and a high frequency power applied to the high frequency electrode A first high-frequency power supply device, a deposition-protecting plate / electrode facing the plasma generation region inside the film-forming chamber and located inside the wall surface of the deposition chamber, and the deposition-protecting plate / electrode A second power supply device for generating an electric field for electrode cleaning, wherein the film forming chamber can be cleaned.

【００２６】この薄膜形成装置によると、前記（１）に
記載の第２タイプのクリーニング方法を実施できる。こ
の薄膜形成装置もプラズマＣＶＤ装置である。成膜室に
対し設置されたガスプラズマ化用高周波電極は、成膜室
の外周に沿って配置される誘導コイル電極、成膜室内に
設置される電極のいずれでもよい。成膜室内に設置され
るガスプラズマ化用高周波電極は、円筒形等の筒形電
極、被成膜物品ホルダに対向設置される平板形電極等の
いずれであってもによい。被成膜物品ホルダに対向設置
される平板形電極を採用する場合、この薄膜形成装置の
代表例は平行平板電極型のプラズマＣＶＤ装置である。 第３タイプの薄膜形成装置 成膜室と、成膜室内に設置された被成膜物品ホルダと、
薄膜形成時に前記ホルダに設置される被成膜物品にイオ
ンを照射するためのイオン源と、成膜室に対し設置され
たガスプラズマ化用高周波電極と、成膜室内を所定圧力
に設定するための排気装置と、成膜室内に成膜原料ガス
を供給するための成膜原料ガス供給装置と、成膜室内に
クリーニング用ガスを供給するためのクリーニング用ガ
ス供給装置と、前記高周波電極に高周波電力を印加する
ための第１の高周波電源装置と、前記イオン源のイオン
引出し電極系における接地用電極に該接地用電極クリー
ニング用の電界を発生させるための第２の電源装置と、
前記イオン源のイオン引出し電極系における接地用電極
を接地させ、又は前記第２の電源装置に接続するための
スイッチング装置と、を備え、成膜室内クリーニングが
可能であることを特徴とする薄膜形成装置。According to this thin film forming apparatus, the second type cleaning method described in the above (1) can be performed. This thin film forming apparatus is also a plasma CVD apparatus. The high frequency electrode for gas plasma installed in the film formation chamber may be either an induction coil electrode arranged along the outer periphery of the film formation chamber or an electrode installed in the film formation chamber. The high-frequency electrode for gas-plasmaization installed in the film formation chamber may be any of a cylindrical electrode such as a cylindrical electrode, and a flat-plate electrode opposed to a film-formed article holder. In the case of employing a flat electrode which is opposed to a film-formed article holder, a typical example of the thin film forming apparatus is a parallel flat electrode type plasma CVD apparatus. A thin film forming apparatus of a third type; a film forming chamber; a film-formed article holder installed in the film forming chamber;
An ion source for irradiating ions to a film-forming article installed in the holder at the time of forming a thin film, a gas plasma-forming high-frequency electrode installed for the film forming chamber, and setting the film forming chamber to a predetermined pressure. An exhaust device, a film forming material gas supply device for supplying a film forming material gas into the film forming chamber, a cleaning gas supply device for supplying a cleaning gas into the film forming chamber, and a high frequency A first high-frequency power supply for applying power, a second power supply for generating an electric field for cleaning the grounding electrode on a grounding electrode in the ion extraction electrode system of the ion source,
A switching device for grounding an electrode for grounding in the ion extraction electrode system of the ion source or for connecting to the second power supply device, wherein cleaning in a film forming chamber is possible. apparatus.

【００２７】この薄膜形成装置によると、前記（１）に
記載の第３タイプのクリーニング方法を実施できる。こ
の薄膜形成装置も基本的にはプラズマＣＶＤ装置であ
る。成膜室に対し設置されたガスプラズマ化用高周波電
極は、成膜室の外周に沿って配置される誘導コイル電
極、成膜室内に設置される電極のいずれでもよい。成膜
室内に設置されるガスプラズマ化用高周波電極は、代表
例として円筒形等の筒形電極を挙げることができる。According to this thin film forming apparatus, the third type cleaning method described in the above (1) can be performed. This thin film forming apparatus is also basically a plasma CVD apparatus. The high frequency electrode for gas plasma installed in the film formation chamber may be either an induction coil electrode arranged along the outer periphery of the film formation chamber or an electrode installed in the film formation chamber. As a typical example of the high-frequency electrode for gas plasma installed in the film formation chamber, a cylindrical electrode such as a cylindrical electrode can be given.

【００２８】この薄膜形成装置においては、前記ガスプ
ラズマ化用高周波電極が前記成膜室内に設置されてお
り、該高周波電極に前記第１の高周波電源装置からの高
周波電力印加とともに該高周波電極クリーニング用の直
流電圧を印加できる直流電源装置をさらに備えていても
よい。In this thin film forming apparatus, the high-frequency electrode for gas plasma is installed in the film forming chamber, and high-frequency power is applied to the high-frequency electrode from the first high-frequency power supply and the high-frequency electrode is cleaned. May be further provided with a DC power supply device capable of applying the DC voltage.

【００２９】[0029]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は本発明に係る薄膜形成装置
の１例の概略構成を示している。図１に示す薄膜形成装
置は平行平板電極型のプラズマＣＶＤ装置であり、成膜
室１、該室内に設置された平板形の基板ホルダ２、該室
内において基板ホルダ２の上方に設置された平板形のガ
スプラズマ化用高周波電極３、成膜室１内へ成膜原料ガ
ス又はクリーニング用ガスを供給するためのガス供給装
置４、電極３に接続された高周波電源装置５及び直流電
源装置６、成膜室１内から排気するために室１に接続さ
れた排気装置ＶＣを備えている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration of an example of a thin film forming apparatus according to the present invention. The thin film forming apparatus shown in FIG. 1 is a parallel plate electrode type plasma CVD apparatus, and includes a film forming chamber 1, a flat substrate holder 2 installed in the chamber, and a flat plate installed above the substrate holder 2 in the chamber. A high-frequency electrode 3 for forming a gas plasma, a gas supply device 4 for supplying a film-forming material gas or a cleaning gas into the film-forming chamber 1, a high-frequency power supply device 5 and a DC power supply device 6 connected to the electrode 3, An exhaust device VC is connected to the chamber 1 for exhausting the gas from the film forming chamber 1.

【００３０】基板ホルダ２はその上に設置される、ここ
での被成膜物品である基板Ｓを薄膜形成にあたり、必要
に応じ所定温度に加熱することができるヒータ２１を内
蔵している。ガス供給装置４は成膜原料ガス供給装置の
部分とクリーニング用ガス供給装置の部分とを含んでお
り、成膜室１内へ、薄膜形成時には成膜原料ガスを、非
成膜時の成膜室内クリーニング時にはクリーニング用ガ
スをそれぞれ供給できる。The substrate holder 2 has a built-in heater 21 capable of heating the substrate S, which is the article on which the film is to be formed, to a predetermined temperature when forming a thin film. The gas supply device 4 includes a portion of a film forming material gas supply device and a portion of a cleaning gas supply device. At the time of indoor cleaning, a cleaning gas can be supplied.

【００３１】高周波電源装置５は、成膜室内へ供給され
るガスをプラズマ化するにあたり、高周波電極３へマッ
チングボックス５２を介して高周波電源５１から所定の
ガスプラズマ化用高周波電力を供給することができる。
直流電源装置６は高周波電力ブロッキング用のフィルタ
回路６２を介して電圧可変の直流電源６１を接続したも
のであり、成膜室内クリーニング時に、電極３に、それ
自身のクリーニングのための所定の直流バイアス電圧を
印加するものである。The high frequency power supply 5 supplies a predetermined high frequency power for gas plasma from the high frequency power supply 51 to the high frequency electrode 3 via the matching box 52 when the gas supplied into the film forming chamber is turned into plasma. it can.
The DC power supply 6 is connected to a variable-voltage DC power supply 61 via a filter circuit 62 for blocking high-frequency power, and a predetermined DC bias for cleaning itself is applied to the electrode 3 during cleaning of the film forming chamber. A voltage is applied.

【００３２】図１中、ＩＳは電気絶縁性部材を示してい
る。なお、後述する各薄膜形成装置においてもＩＳで示
す部材は電気絶縁性部材である。この薄膜形成装置にお
いて薄膜を形成するときは、次のようにする。すなわ
ち、成膜室１内の基板ホルダ２上に被成膜基板Ｓを設置
し、必要に応じ、該基板をヒータ２１で加熱する。ま
た、成膜室１内から排気装置ＶＣで排気して成膜室内を
所定の成膜圧力に維持しつつ該成膜室１内へガス供給装
置４から成膜原料ガスを所定量供給する。そして高周波
電源装置５から高周波電極３へ所定の高周波電力を供給
（印加）する。これより成膜原料ガスをプラズマ化し、
該プラズマのもとで基板Ｓに目的とする薄膜を形成す
る。In FIG. 1, IS indicates an electrically insulating member. In each of the thin film forming apparatuses described below, the member indicated by IS is an electrically insulating member. When a thin film is formed in this thin film forming apparatus, the following is performed. That is, the deposition target substrate S is set on the substrate holder 2 in the deposition chamber 1, and the substrate is heated by the heater 21 as necessary. Further, a gas is supplied from the gas supply device 4 into the film forming chamber 1 in a predetermined amount while maintaining the film forming chamber at a predetermined film forming pressure by evacuating the film forming chamber 1 with the exhaust device VC. Then, a predetermined high frequency power is supplied (applied) from the high frequency power supply device 5 to the high frequency electrode 3. From this, the film forming material gas is turned into plasma,
A target thin film is formed on the substrate S under the plasma.

【００３３】成膜室内のクリーニングは非成膜時に行
う。クリーニングにあたっては、成膜室１内から排気装
置ＶＣで排気して成膜室内を所定のクリーニング圧力に
維持しつつ該成膜室１内へガス供給装置４からクリーニ
ング用ガスを所定量供給する。そして高周波電源装置５
から高周波電極３へ所定の高周波電力を供給（印加）す
る。これよりクリーニング用ガスをプラズマ化すると同
時に、直流電源装置６から高周波電極３に所定の直流バ
イアス電圧も印加する。The cleaning inside the film forming chamber is performed at the time of non-film formation. At the time of cleaning, a predetermined amount of a cleaning gas is supplied from the gas supply device 4 into the film forming chamber 1 while exhausting the film from the film forming chamber 1 with the exhaust device VC and maintaining the film forming chamber at a predetermined cleaning pressure. And the high frequency power supply 5
A predetermined high-frequency power is supplied (applied) to the high-frequency electrode 3 from. Thus, at the same time that the cleaning gas is turned into plasma, a predetermined DC bias voltage is also applied to the high-frequency electrode 3 from the DC power supply 6.

【００３４】かくして、基板Ｓへの薄膜形成時に反応生
成物が堆積しやすいガスプラズマ化用高周波電極３に堆
積した反応生成物をクリーニング除去できる。該高周波
電極近傍の成膜室内壁面等に堆積した反応生成物もクリ
ーニングできる。ガスプラズマ化用高周波電極３や成膜
室１の内壁面等に堆積した反応生成物はクリーニング用
ガスプラズマのもとにエッチングされ、クリーニングさ
れる。特に反応生成物が堆積しやすいガスプラズマ化用
高周波電極３には、それ自身のクリーニングのための直
流電圧も印加される。それによりクリーニング用ガスプ
ラズマ中のエッチングに寄与するイオンが高周波電極４
へ引き寄せられ、高周波電極３の著しい損傷を招く大き
い高周波電力印加や長時間の高周波電力印加を要するこ
となく、速やかに高周波電極４をプラズマエッチングに
よりクリーニングできる。In this manner, the reaction products deposited on the gas plasma-forming high-frequency electrode 3 in which the reaction products tend to deposit when the thin film is formed on the substrate S can be removed by cleaning. Reaction products deposited on the wall surface of the film formation chamber near the high-frequency electrode can also be cleaned. Reaction products deposited on the high-frequency electrode 3 for gas plasma, the inner wall surface of the film forming chamber 1, and the like are etched and cleaned under the cleaning gas plasma. In particular, a DC voltage for cleaning itself is also applied to the high-frequency electrode 3 for gas plasma formation where reaction products are easily deposited. As a result, ions contributing to the etching in the cleaning gas plasma are converted into high-frequency electrodes 4.
The high-frequency electrode 4 can be quickly cleaned by plasma etching without requiring large-frequency power application or long-time high-frequency power application that causes significant damage to the high-frequency electrode 3.

【００３５】かくして薄膜形成時に成膜原料ガスプラズ
マ生成領域に臨む、反応生成物が堆積しやすい部分、特
にガスプラズマ化用高周波電極３を、その頻繁な交換を
必要とするような著しい損傷を招くことなく速やかにク
リーニングできる。高周波電極近傍の成膜室内壁面等に
堆積した反応生成物もクリーニングできる図１に示す薄
膜形成装置を用いて次のクリーニング実験（実験例１）
を行った。また、図１の装置において、高周波電極３に
は直流電源装置６を接続せず、高周波電源装置５のみ接
続して次のクリーニング実験（比較実験例１）も行っ
た。Thus, the portion where the reaction product is liable to deposit, especially the high-frequency electrode 3 for gas plasma, which faces the plasma gas generating region of the film-forming raw material during the formation of the thin film, causes significant damage that requires frequent replacement. Cleaning can be done quickly without any problems. The following cleaning experiment (Experimental example 1) using the thin film forming apparatus shown in FIG. 1 that can clean the reaction products deposited on the wall surface of the film forming chamber near the high-frequency electrode.
Was done. Further, in the apparatus shown in FIG. 1, the DC power supply 6 was not connected to the high frequency electrode 3 and only the high frequency power supply 5 was connected, and the next cleaning experiment (Comparative Experimental Example 1) was also performed.

【００３６】いずれの実験においても、薄膜形成時に、
成膜原料ガスとしてモノシランガスと水素ガスを用いて
基板Ｓ上にシリコン膜を形成する際、反応生成物として
高周波電極３や成膜室１における高周波電極３とホルダ
２の間のプラズマ生成領域に臨む成膜室内壁の部分にシ
リコン膜が形成されることを想定し、予め高周波電極３
のプラズマ生成領域に臨む表面及び高周波電極３とホル
ダ２の間のプラズマ生成領域に臨む成膜室内壁の部分を
シリコンウエハで被覆し、そのシリコンウエハのエッチ
ングを行うことにした。 ・実験例１ クリーニング用ガス（エッチングガス）： ＮＦ3 ５０ｃｃｍ 成膜室内ガス圧 ： １００ｍＴｏｒｒ 高周波電極３ ： ４０ＭＨｚ ２００Ｗの高周波電力印加とともに −１００Ｖの直流電圧を印加 電極３でのシリコンウエハエッチング速度 ：９００Å／ｍｉｎ 成膜室１内壁でのシリコンウエハエッチング速度：３００Å／ｍｉｎ なお、高周波電極３への印加直流電圧のみ、さらに−２００Ｖ、−３００Ｖと 変化させ、他の条件を同じにしたときのエッチング速度も調べた。 ・比較実験例１ クリーニング用ガス（エッチングガス）： ＮＦ3 ５０ｃｃｍ 成膜室内ガス圧 ： １００ｍＴｏｒｒ 高周波電極３ ： ４０ＭＨｚ ２００Ｗの高周波電力印加 電極３でのシリコンウエハエッチング速度 ：７００Å／ｍｉｎ 成膜室１内壁でのシリコンウエハエッチング速度：３００Å／ｍｉｎ 上記実験結果のうち高周波電極でのエッチングについて
図５に示す。In any of the experiments, when forming the thin film,
When a silicon film is formed on the substrate S using a monosilane gas and a hydrogen gas as a film forming source gas, the reaction product faces a high-frequency electrode 3 or a plasma generation region between the high-frequency electrode 3 and the holder 2 in the film forming chamber 1. Assuming that a silicon film is formed on the inner wall of the film forming chamber,
The surface facing the plasma generation region and the portion of the inner wall of the film formation chamber facing the plasma generation region between the high-frequency electrode 3 and the holder 2 are covered with a silicon wafer, and the silicon wafer is etched. Experimental Example 1 Cleaning gas (etching gas): NF 3 50 ccm Deposition chamber gas pressure: 100 mTorr High-frequency electrode 3: 40 MHz 200 W high-frequency power and -100 V DC voltage were applied. Silicon wafer etching rate at electrode 3: 900 ° / Min Silicon wafer etching rate on the inner wall of the film forming chamber 1: 300ｍｉｎ / min In addition, only the DC voltage applied to the high-frequency electrode 3 was further changed to -200 V and -300 V, and the etching rate when other conditions were the same. I also checked. Comparative Experiment Example 1 Cleaning gas (etching gas): NF 3 50 ccm Gas pressure in the film forming chamber: 100 mTorr High frequency electrode 3: 40 MHz Applying high frequency power of 200 W Silicon wafer etching rate at electrode 3: 700 ° / min Inner wall of film forming chamber 1 FIG. 5 shows the etching at the high-frequency electrode among the above experimental results.

【００３７】これらの実験から、高周波電極３に直流バ
イアス電圧を印加して高周波電極３でのエッチング速度
を制御でき、該制御により速やかにエッチングできるこ
とが分かる。なお、クリーニング時に高周波電極３に印
加する高周波電力の周波数は４０ＭＨｚに限定されるも
のではなく、例えば、２７ＭＨｚ、６０ＭＨｚ等も採用
できる。From these experiments, it can be seen that a DC bias voltage is applied to the high-frequency electrode 3 so that the etching rate at the high-frequency electrode 3 can be controlled, and that the etching can be performed quickly. The frequency of the high-frequency power applied to the high-frequency electrode 3 at the time of cleaning is not limited to 40 MHz, but may be, for example, 27 MHz or 60 MHz.

【００３８】図２は本発明に係る薄膜形成装置の他の例
を示している。図２の薄膜形成装置は、図１の薄膜形成
装置において、成膜室１内に防着板兼電極８を設置し、
この防着板兼電極８に、該防着板兼電極のクリーニング
のためのクリーニング電界を発生させる電源装置７を接
続し、ガスプラズマ化用高周波電極３には高周波電源装
置５だけを接続したものである。その他の点は図１に示
す薄膜形成装置と同様であり、同じ部品には同じ参照符
号を付してある。 防着板兼電極８は、成膜室１内にお
けるプラズマの生成領域に、成膜室１内壁面より内側に
位置して臨んでおり、前記ガスプラズマ化用高周波電極
３から独立している筒形（ここでは円筒形）の部材であ
る。略ホルダ２から高周波電極４にわたり延在してい
る。FIG. 2 shows another example of the thin film forming apparatus according to the present invention. The thin film forming apparatus shown in FIG. 2 is different from the thin film forming apparatus shown in FIG.
A power supply unit 7 for generating a cleaning electric field for cleaning the deposition-preventing plate / electrode is connected to the deposition-preventing plate / electrode 8, and only the high-frequency power supply 5 is connected to the high-frequency electrode 3 for gas plasma. It is. The other points are the same as those of the thin film forming apparatus shown in FIG. 1, and the same parts are denoted by the same reference numerals. The deposition-preventing plate / electrode 8 faces the plasma generation region in the film-forming chamber 1 so as to be located inside the inner wall surface of the film-forming chamber 1 and is independent of the high-frequency electrode 3 for gas plasma formation. It is a shaped (here cylindrical) member. It extends substantially from the holder 2 to the high-frequency electrode 4.

【００３９】電源装置７は、防着板兼電極８に高周波電
界を発生させるための高周波電源装置の部分７１と、防
着板兼電極８に直流電界を発生させるための直流電源装
置の部分７２とを含んでいる。成膜室内のクリーニング
にあたり防着板兼電極８に、高周波電源装置の部分７１
は高周波電源７１１からマッチングボックス７１２を介
して所定の高周波電力を印加でき、直流電源装置の部分
７２は電圧可変の直流電源７２１から高周波ブロッキン
グ用フィルタ回路７２２を介して所定の直流電圧を印加
できる。The power supply device 7 includes a high-frequency power supply unit 71 for generating a high-frequency electric field on the electrode 8 and a DC power supply unit 72 for generating a DC electric field on the electrode 8. And In cleaning the inside of the film forming chamber, the part 71 of the high frequency power supply
Can apply a predetermined high-frequency power from a high-frequency power supply 711 through a matching box 712, and the DC power supply unit 72 can apply a predetermined DC voltage from a variable-voltage DC power supply 721 through a high-frequency blocking filter circuit 722.

【００４０】この薄膜形成装置において薄膜を形成する
ときは、成膜室１内の基板ホルダ２上に被成膜基板Ｓを
設置し、必要に応じ、該基板をヒータ２１で加熱する。
また、成膜室１内から排気装置ＶＣで排気して成膜室内
を所定の成膜圧力に維持しつつ該成膜室１内へガス供給
装置４から成膜原料ガスを所定量供給する。そして高周
波電源装置５から高周波電極３へ所定の高周波電力を供
給（印加）する。これより成膜原料ガスをプラズマ化
し、該プラズマのもとで基板Ｓに目的とする薄膜を形成
する。この薄膜形成時、防着板兼電極８で成膜原料ガス
プラズマ生成領域から遮られた成膜室１の内壁面部分へ
の反応生成物の堆積が抑制される。When a thin film is formed by this thin film forming apparatus, a substrate S to be formed is set on a substrate holder 2 in a film forming chamber 1 and the substrate is heated by a heater 21 as required.
Further, a gas is supplied from the gas supply device 4 into the film forming chamber 1 in a predetermined amount while maintaining the film forming chamber at a predetermined film forming pressure by evacuating the film forming chamber 1 with the exhaust device VC. Then, a predetermined high frequency power is supplied (applied) from the high frequency power supply device 5 to the high frequency electrode 3. Thus, the film forming source gas is turned into plasma, and a target thin film is formed on the substrate S under the plasma. During the formation of the thin film, the deposition of the reaction product on the inner wall surface of the film forming chamber 1 which is shielded from the film forming material gas plasma generation region by the deposition-preventing plate / electrode 8 is suppressed.

【００４１】成膜室１内のクリーニングは非成膜時に行
う。クリーニングにあたっては、成膜室１内から排気装
置ＶＣで排気して成膜室内を所定のクリーニング圧力に
維持しつつ該成膜室１内へガス供給装置４からクリーニ
ング用ガスを所定量供給する。そして高周波電源装置５
から高周波電極３へ所定の高周波電力を供給（印加）す
る。これよりクリーニング用ガスをプラズマ化する。ま
た、これと同時的に、防着板兼電極８に、電源装置７に
おける高周波電源装置の部分７１から所定の高周波電力
を印加するとともに、直流電源装置の部分７２から所定
の直流電圧を印加する。このようにして防着板兼電極８
に、これをクリーニングするための高周波電界及び直流
電界を発生させる。The cleaning in the film forming chamber 1 is performed during non-film formation. In cleaning, a predetermined amount of a cleaning gas is supplied from the gas supply device 4 into the film forming chamber 1 while exhausting air from the film forming chamber 1 by the exhaust device VC and maintaining the film forming chamber at a predetermined cleaning pressure. And the high frequency power supply 5
A predetermined high-frequency power is supplied (applied) to the high-frequency electrode 3 from. Thus, the cleaning gas is turned into plasma. At the same time, a predetermined high-frequency power is applied to the adhesion-preventing plate / electrode 8 from the high-frequency power supply portion 71 of the power supply device 7 and a predetermined DC voltage is applied from the DC power supply portion 72. . In this manner, the deposition-preventing plate / electrode 8 is formed.
Then, a high-frequency electric field and a direct-current electric field for cleaning this are generated.

【００４２】かくして、薄膜形成時に防着板兼電極８に
堆積した反応生成物はクリーニング用ガスプラズマのも
とにエッチングされる。そのとき、防着板兼電極８には
クリーニング用電界を発生させているので、クリーニン
グ用ガスプラズマ中のエッチングに寄与するイオンが防
着板兼電極８へ引き寄せられやすくなり、それにより該
防着板兼電極８は速やかにプラズマエッチングによりク
リーニングされる。Thus, the reaction products deposited on the deposition-preventing plate / electrode 8 during the formation of the thin film are etched under the cleaning gas plasma. At this time, since a cleaning electric field is generated on the deposition-preventing plate / electrode 8, ions contributing to the etching in the cleaning gas plasma are easily attracted to the deposition-preventing plate / electrode 8, whereby the deposition The plate / electrode 8 is quickly cleaned by plasma etching.

【００４３】また、ガスプラズマ化用高周波電極３に堆
積した反応生成物は、クリーニング用ガスのプラズマ化
のためにこの電極に高周波電力が印加されることで、自
己バイアス電圧が発生し、それによりクリーニング用ガ
スプラズマ中のエッチングに寄与するイオンが該電極に
引き寄せられやすく、該電極もクリーニングされる。か
くして薄膜形成時に成膜原料ガスプラズマ生成領域に臨
む、反応生成物が堆積しやすい部分、特に防着板兼電極
８及びガスプラズマ化用高周波電極３を、その頻繁な交
換を必要とするような著しい損傷を招くことなく速やか
にクリーニングできる。The reaction products deposited on the gas plasma-generating high-frequency electrode 3 generate a self-bias voltage when high-frequency power is applied to this electrode for the purpose of turning the cleaning gas into a plasma. Ions contributing to etching in the cleaning gas plasma are easily attracted to the electrode, and the electrode is also cleaned. Thus, the portion where the reaction product is likely to be deposited, particularly the deposition-protection plate / electrode 8 and the high-frequency electrode for gas plasma 3 facing the film-forming source gas plasma generation region at the time of thin film formation need to be replaced frequently. It can be cleaned quickly without causing significant damage.

【００４４】図２に示す薄膜形成装置において、ガスプ
ラズマ化用高周波電極３のクリーニング速度を一層大き
くするために、図２に示す薄膜形成装置中の防着板兼電
極８とこれに接続された電源装置７とを図１の装置に適
用した薄膜形成装置とすることもできる。かかる薄膜形
成装置は図３に示す装置となる。図２、図３にそれぞれ
示す薄膜形成装置において、電源装置７は、高周波電源
装置部分７１と直流電源装置部分７２の双方を含んでい
るが、これら電源装置部分のうち何れか一方を備えるだ
けのものでもよい。但し、防着板兼電極８に付着する物
質が絶縁性物質であるときは、該防着板兼電極８に電荷
が飽和するとこを防止するために、少なくとも高周波電
源装置部分７１は採用する。防着板兼電極８に付着する
物質が導電性物質であるきとは、直流電源装置部分７２
を採用するだけでもよい。In the thin film forming apparatus shown in FIG. 2, in order to further increase the cleaning speed of the high-frequency electrode 3 for gas plasma, it is connected to the electrode 8 and the electrode 8 in the thin film forming apparatus shown in FIG. The power supply device 7 may be a thin film forming device applied to the device of FIG. Such a thin film forming apparatus is the apparatus shown in FIG. In the thin film forming apparatuses shown in FIGS. 2 and 3, the power supply device 7 includes both the high-frequency power supply portion 71 and the DC power supply portion 72, but only includes one of these power supply portions. It may be something. However, when the substance adhering to the deposition-preventing plate / electrode 8 is an insulating substance, at least the high-frequency power supply unit 71 is employed to prevent the electric charge from being saturated in the deposition-preventing plate / electrode 8. When the substance adhering to the deposition-preventing plate / electrode 8 is a conductive substance, the DC power supply unit 72
May be adopted.

【００４５】図２に示す薄膜形成装置において、防着板
兼電極８には直流電圧を印加せず、高周波電源装置７１
から高周波電力のみを印加するようにした薄膜形成装置
を用いて次のクリーニング実験（実験例２、３及び比較
実験例２）を行った。いずれの実験においても、高周波
電極３のプラズマ生成領域に臨む表面及び防着板兼電極
８のプラズマ生成領域に臨む内面をシリコンウエハで被
覆し、そのシリコンウエハのエッチングを行うことにし
た。 ・実験例２ クリーニング用ガス（エッチングガス）： ＮＦ3 ５０ｃｃｍ 成膜室内ガス圧 ： １００ｍＴｏｒｒ 高周波電極３ ： ４０ＭＨｚ ２００Ｗの高周波電力印加 防着板兼電極４ ： ４０ＭＨｚ ２０Ｗの高周波電力印加 電極３でのシリコンウエハエッチング速度 ：８００Å／ｍｉｎ 防着板兼電極４でのシリコンウエハエッチング速度：４８０Å／ｍｉｎ ・実験例３ クリーニング用ガス（エッチングガス）： ＮＦ3 ５０ｃｃｍ 成膜室内ガス圧 ： １００ｍＴｏｒｒ 高周波電極３ ： ４０ＭＨｚ ２００Ｗの高周波電力印加 防着板兼電極４ ： ４０ＭＨｚ ５０Ｗの高周波電力印加 電極３でのシリコンウエハエッチング速度 ：８４０Å／ｍｉｎ 防着板兼電極４でのシリコンウエハエッチング速度：８００Å／ｍｉｎ ・比較実験例２ クリーニング用ガス（エッチングガス）： ＮＦ3 ５０ｃｃｍ 成膜室内ガス圧 ： １００ｍＴｏｒｒ 高周波電極３ ： ４０ＭＨｚ ２００Ｗの高周波電力印加 防着板兼電極４ ： 高周波電力印加なし 電極３でのシリコンウエハエッチング速度 ：７００Å／ｍｉｎ 防着板兼電極４でのシリコンウエハエッチング速度：２９０Å／ｍｉｎ 上記実験結果を図７に示す。In the thin film forming apparatus shown in FIG. 2, a high-frequency power supply 71
The following cleaning experiments (Experimental Examples 2 and 3 and Comparative Experimental Example 2) were performed using a thin film forming apparatus configured to apply only high-frequency power from the above. In each experiment, the surface of the high-frequency electrode 3 facing the plasma generation region and the inner surface of the deposition-preventing plate / electrode 8 facing the plasma generation region were covered with a silicon wafer, and the silicon wafer was etched. Experimental Example 2 Cleaning gas (etching gas): NF 3 50 ccm Deposition chamber gas pressure: 100 mTorr High frequency electrode 3: 40 MHz Applying 200 W high frequency power Deposition plate / electrode 4: 40 MHz 20 W high frequency power application Silicon at electrode 3 Wafer etching rate: 800 ° / min. Silicon wafer etching rate at electrode / plate 4: 480 ° / min. ・ Experimental example 3 Cleaning gas (etching gas): NF 3 50 ccm Gas pressure in film forming chamber: 100 mTorr High frequency electrode 3: 40 MHz 200 W high-frequency power application: Electrode for plate and electrode 4: 40 MHz High-frequency power of 50 W Silicon wafer etching rate at electrode 3: 840 ° / min Silicon wafer etching rate at electrode and plate 4: 800 ° / min 2 chestnuts Training gas (etching gas): NF 3 50 ccm deposition chamber gas pressure: 100 mTorr RF electrode 3: 40 MHz 200 W of RF power applying preventing plate and electrode 4: Silicon wafer etch rate in the high-frequency power applying None electrode 3: 700 Å / min Etching rate of silicon wafer on deposition-preventing plate / electrode 4: 290 ° / min The experimental results are shown in FIG.

【００４６】この実験から、防着板兼電極４への印加高
周波電力を加減して該電極４でのエッチング速度を制御
でき、その制御により防着板兼電極４上の薄膜形成時の
反応生成物速やかにをエッチングできることが分かる。
図４は本発明に係る薄膜形成装置のさらに他の例を示し
ている。図４の薄膜形成装置は誘導コイル型プラズマＣ
ＶＤ装置である。From this experiment, it is possible to control the etching rate at the electrode 4 by adjusting the high-frequency power applied to the electrode 4 and to control the reaction at the time of forming a thin film on the electrode 4. It can be seen that the material can be etched quickly.
FIG. 4 shows still another example of the thin film forming apparatus according to the present invention. The thin film forming apparatus of FIG.
It is a VD device.

【００４７】図４に示す薄膜形成装置は、図１に示す薄
膜形成装置において、ガスプラズマ化用高周波電極３が
あった部位、すなわち成膜室内の基板ホルダ２に対向す
る位置に防着板兼電極８０を設置し、これに図２中に示
すクリーニング用電界形成のための電源装置７を接続
し、また、高周波電極３に代えて成膜室１の外周を囲繞
する誘導コイル電極３０を設け、これに高周波電源５０
を接続したものである。The thin film forming apparatus shown in FIG. 4 is the same as the thin film forming apparatus shown in FIG. An electrode 80 is installed, a power supply device 7 for forming a cleaning electric field shown in FIG. 2 is connected thereto, and an induction coil electrode 30 surrounding the outer periphery of the film forming chamber 1 is provided instead of the high-frequency electrode 3. And a high frequency power supply 50
Are connected.

【００４８】防着板兼電極８０は、成膜室１内における
プラズマの生成領域に、成膜室１内壁面より内側に位置
して臨んでいる。その他の点は図１に示す装置と同様で
あり、同じ部品には同じ参照符号を付してある。この薄
膜形成装置において薄膜を形成するときは、成膜室１内
の基板ホルダ２上に被成膜基板Ｓを設置し、必要に応
じ、該基板をヒータ２１で加熱する。また、成膜室１内
から排気装置ＶＣで排気して成膜室内を所定の成膜圧力
に維持しつつ該成膜室１内へガス供給装置４から成膜原
料ガスを所定量供給する。そして高周波電源５０から誘
導コイル電極３０へ所定の高周波電力を供給（印加）す
る。The deposition-protecting plate / electrode 80 faces the plasma generation region in the film forming chamber 1 so as to be located inside the inner wall surface of the film forming chamber 1. The other points are the same as those of the apparatus shown in FIG. 1, and the same parts are denoted by the same reference numerals. When a thin film is formed by this thin film forming apparatus, a substrate S to be formed is set on a substrate holder 2 in a film forming chamber 1, and the substrate is heated by a heater 21 as necessary. Further, a gas is supplied from the gas supply device 4 into the film forming chamber 1 in a predetermined amount while maintaining the film forming chamber at a predetermined film forming pressure by evacuating the film forming chamber 1 with the exhaust device VC. Then, a predetermined high frequency power is supplied (applied) from the high frequency power supply 50 to the induction coil electrode 30.

【００４９】これより成膜原料ガスをプラズマ化し、該
プラズマのもとで基板Ｓに目的とする薄膜を形成する。
この薄膜形成時、防着板兼電極８０で成膜原料ガスプラ
ズマ生成領域から遮られた成膜室１の内壁面部分への反
応生成物の堆積が抑制される。成膜室１内のクリーニン
グは非成膜時に行う。クリーニングにあたっては、成膜
室１内から排気装置ＶＣで排気して成膜室内を所定のク
リーニング圧力に維持しつつ該成膜室１内へガス供給装
置４からクリーニング用ガスを所定量供給する。そして
高周波電源５０から誘導コイル電極３０へ所定の高周波
電力を供給（印加）する。これよりクリーニング用ガス
をプラズマ化する。また、これと同時的に、防着板兼電
極８０に、電源装置７における高周波電源装置の部分７
１から所定の高周波電力を印加するとともに、直流電源
装置の部分７２から所定の直流電圧を印加する。このよ
うにして防着板兼電極８０に、これをクリーニングする
ための高周波電界及び直流電界を発生させる。Thus, the film forming source gas is turned into plasma, and a target thin film is formed on the substrate S under the plasma.
During the formation of the thin film, the deposition of the reaction product on the inner wall surface of the film forming chamber 1 that is shielded from the film forming material gas plasma generation region by the deposition-preventing plate / electrode 80 is suppressed. Cleaning in the film forming chamber 1 is performed during non-film formation. At the time of cleaning, a predetermined amount of a cleaning gas is supplied from the gas supply device 4 into the film forming chamber 1 while exhausting the film from the film forming chamber 1 with the exhaust device VC and maintaining the film forming chamber at a predetermined cleaning pressure. Then, a predetermined high frequency power is supplied (applied) from the high frequency power supply 50 to the induction coil electrode 30. Thus, the cleaning gas is turned into plasma. At the same time, a portion 7 of the high-frequency power supply
1 and a predetermined high-frequency power, and a predetermined DC voltage from a portion 72 of the DC power supply. In this way, a high-frequency electric field and a DC electric field for cleaning the deposition-proof plate / electrode 80 are generated.

【００５０】かくして、薄膜形成時に防着板兼電極８０
に堆積した反応生成物はクリーニング用ガスプラズマの
もとにエッチングされる。そのとき、防着板兼電極８０
にはクリーニング用電界を発生させているので、防着板
兼電極８０は速やかにプラズマエッチングによりクリー
ニングされる。また、ホルダ２と防着板兼電極８０との
間でクリーニング用ガスプラズマに臨む成膜室１の内壁
面部分もプラズマクリーニングされる。Thus, when the thin film is formed, the deposition preventing plate / electrode 80 is formed.
The reaction product deposited on the substrate is etched under a cleaning gas plasma. At this time, the electrode plate 80 and the electrode
, A cleaning electric field is generated, so that the deposition-preventing plate / electrode 80 is quickly cleaned by plasma etching. In addition, the inner wall surface of the film forming chamber 1 facing the cleaning gas plasma between the holder 2 and the electrode plate 80 is also plasma-cleaned.

【００５１】かくして薄膜形成時に成膜原料ガスプラズ
マ生成領域に臨む、反応生成物が堆積しやすい部分、特
に防着板兼電極８０を、その頻繁な交換を必要とするよ
うな著しい損傷を招くことなく速やかにクリーニングで
きる。図４に示す装置においても、電源装置７は、高周
波電源装置部分７１と直流電源装置部分７２のうち何れ
か一方を備えるだけのものでもよい。但し、防着板兼電
極８０に付着する物質が絶縁性物質であるときは、少な
くとも高周波電源装置の部分７１は採用する。防着板兼
電極８０に付着する物質が導電性物質であるきとは、直
流電源装置部分７２を採用するだけでもよい。Thus, the portion where the reaction product is liable to deposit, particularly the deposition-protecting plate / electrode 80, which faces the plasma generating region of the film-forming raw material gas during the formation of the thin film, is likely to be remarkably damaged so that its frequent replacement is required. Cleaning can be done quickly In the device shown in FIG. 4 as well, the power supply device 7 may include only one of the high-frequency power supply unit 71 and the DC power supply unit 72. However, when the substance adhering to the deposition-preventing plate / electrode 80 is an insulating substance, at least the portion 71 of the high-frequency power supply device is employed. When the substance adhering to the deposition-preventing plate / electrode 80 is a conductive substance, the DC power supply unit 72 may be simply employed.

【００５２】図５は本発明に係る薄膜形成装置のさらに
他の例を示している。図５の薄膜形成装置は基本的には
プラズマＣＶＤ装置であるが、成膜室１の上端にイオン
源１０を連設してある。成膜室１内には平板形の基板ホ
ルダ２が設置してあり、その上方に筒形（ここでは円筒
形）のガスプラズマ化用高周波電極３００が設置してあ
る。また成膜室１には成膜室１内から排気するための排
気装置ＶＣが接続されており、前記の高周波電極３００
には、高周波電源５１とマッチングボックス５２からな
る、図１中に示すものと同様の高周波電源装置５が接続
されている。基板ホルダ２はその上に設置される被成膜
基板Ｓを薄膜形成にあたり必要に応じ加熱するヒータ２
１を内蔵している。FIG. 5 shows still another example of the thin film forming apparatus according to the present invention. Although the thin film forming apparatus of FIG. 5 is basically a plasma CVD apparatus, an ion source 10 is connected to the upper end of the film forming chamber 1. A flat substrate holder 2 is installed in the film forming chamber 1, and a cylindrical (here, cylindrical) high-frequency electrode 300 for gasification is installed above the substrate holder 2. The film forming chamber 1 is connected to an exhaust device VC for exhausting gas from the inside of the film forming chamber 1.
Is connected to a high-frequency power supply 5 similar to that shown in FIG. The substrate holder 2 is provided with a heater 2 for heating the film-forming substrate S mounted thereon as necessary when forming a thin film.
1 is built in.

【００５３】イオン源１０は、プラズマ容器１０１を含
んでおり、容器１０１は側周壁を構成する高周波電極１
０１ａ及び上壁を構成する高周波電極１０１ｂからな
る。電極１０１ａ、１０１ｂは部材ＩＳにより電気的に
絶縁されており、両電極１０１ａ、１０１ｂにはマッチ
ングボックス１０２を介して高周波電源１０３が接続さ
れている。また両電極１０１ａ、１０１ｂには正電圧を
印加できる電圧可変の直流電源１０４が接続されてい
る。さらに、プラズマ容器１０１にはガス供給装置４０
も接続されている。プラズマ容器１０１の成膜室１に臨
むイオンビーム引出し口には、３枚電極からなるイオン
引出し電極系Ｅが設けられており、電極系Ｅはプラズマ
容器１０１から成膜室１に向けて順次配置された第１電
極ｅ１、第２電極ｅ２、第３電極ｅ３からなる。これら
電極はイオンの通過を許すように多孔及び（又は）スリ
ットを有する電極である。第１電極ｅ１は正電源１０４
が接続されたプラズマ容器１０１と導通しており、第２
電極ｅ２は負電圧を印加できる電圧可変の負電源１０５
が接続されている。第３電極ｅ３は接地用電極であり、
薄膜形成時には、スイッチング装置ＳＷを介して接地さ
れるが、後述するクリーニング時には、スイッチング装
置ＳＷによる切替え操作により高周波電源装置７１に接
続される。The ion source 10 includes a plasma container 101, and the container 101 is a high-frequency electrode 1 forming a side peripheral wall.
01a and a high-frequency electrode 101b constituting an upper wall. The electrodes 101a and 101b are electrically insulated by a member IS, and a high-frequency power source 103 is connected to both electrodes 101a and 101b via a matching box 102. A variable voltage DC power supply 104 capable of applying a positive voltage is connected to both electrodes 101a and 101b. Further, the gas supply device 40 is provided in the plasma container 101.
Is also connected. An ion extraction electrode system E composed of three electrodes is provided at an ion beam extraction port facing the film formation chamber 1 of the plasma container 101, and the electrode systems E are sequentially arranged from the plasma container 101 toward the film formation chamber 1. Composed of the first electrode e1, the second electrode e2, and the third electrode e3. These electrodes are electrodes having porosity and / or slits to allow the passage of ions. The first electrode e1 is a positive power supply 104
Is connected to the connected plasma container 101, and the second
The electrode e2 is a voltage-variable negative power supply 105 to which a negative voltage can be applied.
Is connected. The third electrode e3 is a ground electrode,
At the time of thin film formation, it is grounded via the switching device SW, but at the time of cleaning described later, it is connected to the high frequency power supply device 71 by a switching operation by the switching device SW.

【００５４】ガス供給装置４０は、成膜原料ガス供給装
置の部分とクリーニング用ガス供給装置の部分とを含ん
でおり、薄膜形成時には成膜原料ガスを、プラズマ容器
１０１を介して成膜室１内へ供給し、後述するクリーニ
ング時には、クリーニング用ガスをプラズマ容器１０１
を介して成膜室１内へ供給する。このように供給される
成膜原料ガスの一部は、プラズマ容器１０１においてプ
ラズマ化され、イオン照射に利用される。クリーニング
時にはイオン源１０は作動させず、クリーニング用ガス
はそのまま成膜室１内へ流入する。The gas supply device 40 includes a portion of a film forming material gas supply device and a portion of a cleaning gas supply device. When a thin film is formed, the film forming material gas is supplied to the film forming chamber 1 via a plasma container 101. The cleaning gas is supplied to the inside of the plasma container 101 during cleaning described later.
Is supplied to the inside of the film forming chamber 1. A part of the film forming source gas supplied in this manner is turned into plasma in the plasma container 101 and used for ion irradiation. At the time of cleaning, the ion source 10 is not operated, and the cleaning gas flows into the film forming chamber 1 as it is.

【００５５】なお、かかるガス供給装置４０は成膜室１
に接続することもできる。また、イオン源用ガスとして
成膜原料ガスやクリーニング用ガスとは別種のガスを用
いるときは、原料ガス供給装置やクリーニング用ガス供
給装置は成膜室１に接続し、イオン源用ガスの供給装置
はプラズマ容器１０１に接続することもできる。各ガス
の供給装置の接続箇所は、薄膜形成やクリーニングに差
し支えないのであれば任意である。The gas supply device 40 is connected to the film forming chamber 1
Can also be connected. When a gas different from the film forming source gas and the cleaning gas is used as the ion source gas, the source gas supply device and the cleaning gas supply device are connected to the film forming chamber 1 to supply the ion source gas. The device can also be connected to the plasma vessel 101. The connection point of each gas supply device is arbitrary as long as it does not interfere with thin film formation and cleaning.

【００５６】この薄膜形成装置において薄膜を形成する
ときは、イオン源１０のイオン引出し電極系Ｅの接地用
電極ｅ３を接地させておき、成膜室１内の基板ホルダ２
上に被成膜基板Ｓを設置し、必要に応じ、該基板をヒー
タ２１で加熱する。さらに成膜室１内から排気装置ＶＣ
で排気して成膜室１内を所定の成膜圧力に維持するとと
もにプラズマ容器１０１内を所定の圧力に維持しつつ、
ガス供給装置４０から成膜原料ガスをプラズマ容器１０
１を介して成膜室１内へ所定量供給する。When a thin film is formed in this thin film forming apparatus, the ground electrode e3 of the ion extraction electrode system E of the ion source 10 is grounded, and the substrate holder 2 in the film forming chamber 1 is grounded.
The substrate S on which the film is to be formed is placed thereon, and the substrate is heated by the heater 21 as necessary. Further, an exhaust device VC is provided from inside the film forming chamber 1.
While maintaining the inside of the film forming chamber 1 at a predetermined film forming pressure and the inside of the plasma container 101 at a predetermined pressure,
The film forming source gas is supplied from the gas supply device 40 to the plasma container 10.
A predetermined amount is supplied into the film formation chamber 1 through the first chamber 1.

【００５７】そしてイオン源用の高周波電源１０３から
マッチングボックス１０２を介してプラズマ容器１０１
に所定の高周波電力を印加し、それによりプラズマ容器
１０１における成膜原料ガスの一部をプラズマ化すると
ともに、成膜室１内へ流入した成膜原料ガスを高周波電
源装置５からガスプラズマ化用高周波電極３００への高
周波電力の印加によりプラズマ化し、このプラズマのも
とで、前記イオン源１０からのホルダ２上基板Ｓへのイ
オン照射を併用して、該基板上に目的とする薄膜を形成
する。なお、イオン源１０からのイオンビーム引出しは
電極系Ｅによる制御下になされる。Then, a plasma container 101 is supplied from a high frequency power source 103 for an ion source through a matching box 102.
A predetermined high-frequency power is applied to the plasma chamber 101, whereby a part of the film-forming raw material gas in the plasma container 101 is turned into plasma. Plasma is generated by application of high-frequency power to the high-frequency electrode 300, and under this plasma, the target thin film is formed on the substrate 2 by simultaneously irradiating the substrate S on the holder 2 with ions from the ion source 10. I do. The extraction of the ion beam from the ion source 10 is performed under the control of the electrode system E.

【００５８】成膜室１内のクリーニングは非成膜時に行
う。クリーニングにあたっては、成膜室１内から排気装
置ＶＣで排気して成膜室内を所定のクリーニング圧力に
維持しつつガス供給装置４０からプラズマ容器１０１を
介して成膜室１内へ所定量のクリーニング用ガスを供給
する。そして高周波電源装置５から成膜室内の高周波電
極３００に所定の高周波電力を供給（印加）し、それに
より成膜室内にクリーニング用ガスプラズマを生成す
る。またイオン源１０において、そのイオン照射は停止
したままとしておくが、イオン引出し電極系Ｅの接地用
電極ｅ３に高周波電源装置７１から高周波電力を印加
し、それにより電極ｅ３に、それをクリーニングするた
めの高周波電界を発生させる。The cleaning in the film forming chamber 1 is performed during non-film formation. In cleaning, a predetermined amount of cleaning is performed from the gas supply device 40 to the inside of the film formation chamber 1 via the plasma container 101 while maintaining the film formation chamber at a predetermined cleaning pressure by evacuating the film formation chamber 1 with the exhaust device VC. Supply gas for use. Then, a predetermined high-frequency power is supplied (applied) from the high-frequency power supply device 5 to the high-frequency electrode 300 in the film formation chamber, thereby generating a cleaning gas plasma in the film formation chamber. In the ion source 10, the ion irradiation is kept stopped, but high-frequency power is applied from the high-frequency power supply 71 to the ground electrode e3 of the ion extraction electrode system E, thereby cleaning the electrode e3. To generate a high-frequency electric field.

【００５９】かくして、被成膜基板Ｓへの薄膜形成時に
成膜原料ガス生成領域に臨み、反応生成物が堆積してい
るイオン引出し電極系Ｅにおける接地用電極ｅ３をプラ
ズマクリーニングできる。接地用電極ｅ３に堆積した反
応生成物は該クリーニング用ガスプラズマのもとにエッ
チングされる。そのとき、接地用電極ｅ３にはクリーニ
ング用高周波電界を発生させているので、クリーニング
用ガスプラズマ中のエッチングに寄与するイオンが該接
地用電極ｅ３へ引き寄せられやすくなり、それにより接
地用電極ｅ３は速やかにプラズマエッチングによりクリ
ーニングされる。Thus, when the thin film is formed on the film-forming substrate S, the grounding electrode e3 in the ion extraction electrode system E where the reaction product is deposited can be plasma-cleaned while facing the film-forming source gas generation region. The reaction product deposited on the ground electrode e3 is etched under the cleaning gas plasma. At this time, since a cleaning high-frequency electric field is generated at the grounding electrode e3, ions contributing to the etching in the cleaning gas plasma are easily attracted to the grounding electrode e3. It is quickly cleaned by plasma etching.

【００６０】成膜室１内のガスプラズマ化用高周波電極
３００には、クリーニング用ガスのプラズマ化のために
高周波電源装置５から高周波電力が印加されていて自己
バイアス電圧が発生し、それによりクリーニング用ガス
プラズマ中のエッチングに寄与するイオンが該電極に引
き寄せられやすく、該電極３００もクリーニングされ
る。A high-frequency power is applied to the high-frequency electrode 300 for gasification in the film forming chamber 1 from the high-frequency power supply 5 for turning the cleaning gas into plasma, and a self-bias voltage is generated. Ions contributing to etching in the use gas plasma are easily attracted to the electrode, and the electrode 300 is also cleaned.

【００６１】かくして薄膜形成時に成膜原料ガスプラズ
マ生成領域に臨む、反応生成物が堆積しやすい部分、特
にイオン引出し電極系Ｅの接地用電極ｅ３及び成膜室１
内のガスプラズマ化用高周波電極３００を、その頻繁な
交換を必要とするような著しい損傷を招くことなく速や
かにクリーニングできる。なお、ガスプラズマ化用高周
波電極３００については、これをより速やかにクリーニ
ングするために、該電極に、それ自身のクリーニングの
ための直流電圧も印加できるように、図５に鎖線で示す
ように直流電源装置６を接続してもよい。直流電源装置
６は図１に示すものと同様、直流電源６１から高周波ブ
ロッキング用のフィルタ回路６２を介して電極３００に
直流電圧を印加できるものでよい。Thus, the portion where the reaction product is likely to be deposited, which faces the plasma gas generating region of the film-forming source gas when forming the thin film, particularly the ground electrode e3 of the ion extraction electrode system E and the film-forming chamber 1
The high-frequency electrode for gas plasma 300 inside can be quickly cleaned without causing significant damage that requires frequent replacement thereof. In order to clean the high-frequency electrode for gas plasma 300 more rapidly, a DC voltage for cleaning itself can be applied to the electrode as shown by a chain line in FIG. The power supply 6 may be connected. The DC power supply device 6 may be a device capable of applying a DC voltage from the DC power supply 61 to the electrode 300 via the high frequency blocking filter circuit 62, as in the case of FIG.

【００６２】また、イオン引出し電極系Ｅの接地用電極
ｅ３には、図５に鎖線で示すように、該電極ｅ３にクリ
ーニング用の直流電界を形成する直流電源装置７２（直
流電源７２１からフィルタ回路７２２を介して電極ｅ３
に直流電圧を印加できるもの）を接続して、高周波電源
装置７１とともに用いてもよい。但し、接地用電極ｅ３
に付着する物質が絶縁性物質であるときは、少なくとも
高周波電源装置７１を採用する。接地用電極ｅ３に付着
する物質が導電性物質であるきとは、直流電源装置７２
を採用するだけでもよい。As shown by a dashed line in FIG. 5, a grounding electrode e3 of the ion extraction electrode system E has a DC power supply device 72 (a DC power supply 721 to a filter circuit) for forming a cleaning DC electric field on the electrode e3. The electrode e3 via the 722
Which can apply a DC voltage to the high-frequency power supply 71. However, the ground electrode e3
When the substance adhering to is an insulating substance, at least the high frequency power supply 71 is employed. When the substance adhering to the ground electrode e3 is a conductive substance, the DC power supply 72
May be adopted.

【００６３】ガスプラズマ化用高周波電極については、
図５に示す電極３００に代えて図４に示す誘導コイル電
極３０を採用し、これに高周波電源５０を接続して用い
ることもできる。As for the high frequency electrode for gas plasma,
The induction coil electrode 30 shown in FIG. 4 may be used instead of the electrode 300 shown in FIG. 5, and a high-frequency power supply 50 may be connected to this.

【００６４】[0064]

【発明の効果】以上説明したように本発明によると、成
膜原料ガスをプラズマ化し、そのプラズマのもとで被成
膜物品に薄膜を形成する薄膜形成装置のクリーニング方
法であって、薄膜形成時に成膜原料ガスプラズマ生成領
域に臨む、反応生成物が堆積しやすい部分を、装置部品
の頻繁な交換を必要とするような著しい損傷を招くこと
なく速やかにクリーニングできる薄膜形成装置のクリー
ニング方法及び該クリーニング方法を実施できる薄膜形
成装置を提供することができる。As described above, according to the present invention, there is provided a method of cleaning a thin film forming apparatus for forming a thin film on an article to be formed under the plasma by converting a film forming material gas into a plasma. A method of cleaning a thin film forming apparatus capable of quickly cleaning a portion where a reaction product is likely to accumulate, sometimes facing a film forming material gas plasma generation region, without causing significant damage that requires frequent replacement of device parts. A thin film forming apparatus capable of performing the cleaning method can be provided.

【００６５】また本発明によると、成膜原料ガスをプラ
ズマ化し、そのプラズマのもとで、被成膜物品へのイオ
ン照射を併用して、該被成膜物品に薄膜を形成する薄膜
形成装置のクリーニング方法であって、薄膜形成時に成
膜原料ガスプラズマ生成領域に臨む、反応生成物が堆積
しやすい部分を、装置部品の頻繁な交換を必要とするよ
うな著しい損傷を招くことなく速やかにクリーニングで
きる薄膜形成装置のクリーニング方法及び該クリーニン
グ方法を実施できる薄膜形成装置を提供することができ
る。Further, according to the present invention, a thin film forming apparatus for forming a thin film on a film-forming article by converting a film-forming raw material gas into plasma, and using the plasma in combination with ion irradiation on the film-forming article. Cleaning method, a portion where a reaction product is likely to accumulate in a film forming material gas plasma generation region at the time of forming a thin film can be quickly removed without causing significant damage that requires frequent replacement of device parts. A method for cleaning a thin film forming apparatus capable of cleaning and a thin film forming apparatus capable of performing the cleaning method can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明に係る薄膜形成装置の１例の概略構成を
示す図である。FIG. 1 is a view showing a schematic configuration of an example of a thin film forming apparatus according to the present invention.

【図２】本発明に係る薄膜形成装置の他の例の概略構成
を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of another example of the thin film forming apparatus according to the present invention.

【図３】本発明に係る薄膜形成装置のさらに他の例の概
略構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of still another example of the thin film forming apparatus according to the present invention.

【図４】本発明に係る薄膜形成装置のさらに他の例の概
略構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of still another example of the thin film forming apparatus according to the present invention.

【図５】本発明に係る薄膜形成装置のさらに他の例の概
略構成を示す図である。FIG. 5 is a view showing a schematic configuration of still another example of the thin film forming apparatus according to the present invention.

【図６】図１の薄膜形成装置等によるクリーニング速度
（エッチング速度）を調べた実験の結果を示す図であ
る。6 is a diagram showing the results of an experiment in which a cleaning rate (etching rate) by the thin film forming apparatus and the like in FIG. 1 was examined.

【図７】図２の薄膜形成装置の変形例等によるクリーニ
ング速度（エッチング速度）を調べた実験の結果を示す
図である。FIG. 7 is a diagram showing the results of an experiment in which a cleaning rate (etching rate) was examined by a modification of the thin film forming apparatus of FIG. 2 and the like.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 成膜室 ２ 基板ホルダ ２１ ヒータ ３ ガスプラズマ化用高周波電極 ３０ 誘導コイル電極 ４、４０ ガス供給装置 ５ 高周波電源装置 ５１、５０ 高周波電源 ５２ マッチングボックス ６ 直流電源装置 ６１ 直流電源 ６２ 高周波ブロッキング用フィルタ回路 ７ 電源装置 ７１ 高周波電源装置部分 ７１１ 高周波電源 ７１２ マッチングボックス ７２ 直流電源装置部分 ７２１ 直流電源 ７２２ 高周波ブロッキング用フィルタ回路 ＶＣ 排気装置 ＩＳ 電気絶縁性部材 Ｓ 被成膜基板 ８、８０ 防着板兼電極 １０ イオン源 １０１ プラズマ容器 １０１ａ 容器１０１の側周壁を構成する高周波電極 １０１ｂ 容器１０１の上壁を構成する高周波電極 １０２ マッチングボックス １０３ 高周波電源 １０４ 正電源 １０５ 負電源 Ｅ イオン引出し電極系 ｅ１ 第１電器区 ｅ２ 第２電極 ｅ３ 第３電極（接地用電極） ＳＷ スイッチング装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Film-forming chamber 2 Substrate holder 21 Heater 3 High-frequency electrode for gas plasma 30 Induction coil electrode 4, 40 Gas supply device 5 High-frequency power supply 51, 50 High-frequency power supply 52 Matching box 6 DC power supply 61 DC power supply 62 Filter for high-frequency blocking Circuit 7 Power supply unit 71 High-frequency power supply unit 711 High-frequency power supply 712 Matching box 72 DC power supply unit 721 DC power supply 722 High-frequency blocking filter circuit VC exhaust device IS Electrically insulating member S Deposition substrate 8, 80 Deposition plate and electrode DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Ion source 101 Plasma container 101a High frequency electrode which comprises the side wall of container 101 High frequency electrode which comprises the upper wall of container 101 Matching box 103 High frequency power supply 104 Positive power supply 105 Negative power supply E Ion extraction electrode e1 first collector ku e2 second electrode e3 third electrode (ground electrode) SW switching device

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────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成１２年５月９日（２０００．５．９）[Submission date] May 9, 2000 (200.5.9)

【手続補正１】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】００３４[Correction target item name] 0034

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【００３４】かくして、基板Ｓへの薄膜形成時に反応生
成物が堆積しやすいガスプラズマ化用高周波電極３に堆
積した反応生成物をクリーニング除去できる。該高周波
電極近傍の成膜室内壁面等に堆積した反応生成物もクリ
ーニングできる。ガスプラズマ化用高周波電極３や成膜
室１の内壁面等に堆積した反応生成物はクリーニング用
ガスプラズマのもとにエッチングされ、クリーニングさ
れる。特に反応生成物が堆積しやすいガスプラズマ化用
高周波電極３には、それ自身のクリーニングのための直
流電圧も印加される。それによりクリーニング用ガスプ
ラズマ中のエッチングに寄与するイオンが高周波電極３
へ引き寄せられ、高周波電極３の著しい損傷を招く大き
い高周波電力印加や長時間の高周波電力印加を要するこ
となく、速やかに高周波電極３をプラズマエッチングに
よりクリーニングできる。In this manner, the reaction products deposited on the gas plasma-forming high-frequency electrode 3 in which the reaction products tend to deposit when the thin film is formed on the substrate S can be removed by cleaning. Reaction products deposited on the wall surface of the film formation chamber near the high-frequency electrode can also be cleaned. Reaction products deposited on the high-frequency electrode 3 for gas plasma, the inner wall surface of the film forming chamber 1, and the like are etched and cleaned under the cleaning gas plasma. In particular, a DC voltage for cleaning itself is also applied to the high-frequency electrode 3 for gas plasma formation where reaction products are easily deposited. As a result, ions that contribute to the etching in the cleaning gas plasma are converted into the high-frequency electrode 3.
The high-frequency electrode 3 can be quickly cleaned by plasma etching without requiring a large high-frequency power application or a long-time high-frequency power application that causes the high-frequency electrode 3 to be significantly damaged.

【手続補正２】[Procedure amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】００３６[Correction target item name] 0036

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【００３６】いずれの実験においても、薄膜形成時に、
成膜原料ガスとしてモノシランガスと水素ガスを用いて
基板Ｓ上にシリコン膜を形成する際、反応生成物として
高周波電極３や成膜室１における高周波電極３とホルダ
２の間のプラズマ生成領域に臨む成膜室内壁の部分にシ
リコン膜が形成されることを想定し、予め高周波電極３
のプラズマ生成領域に臨む表面及び高周波電極３とホル
ダ２の間のプラズマ生成領域に臨む成膜室内壁の部分を
シリコンウエハで被覆し、そのシリコンウエハのエッチ
ングを行うことにした。 ・実験例１ クリーニング用ガス（エッチングガス）： ＮＦ3 ５０ｃｃｍ 成膜室内ガス圧 ： １００ｍＴｏｒｒ 高周波電極３ ： ４０ＭＨｚ ２００Ｗの高周波電力印加とともに −１００Ｖの直流電圧を印加 電極３でのシリコンウエハエッチング速度 ：９００Å／ｍｉｎ 成膜室１内壁でのシリコンウエハエッチング速度：３００Å／ｍｉｎ なお、高周波電極３への印加直流電圧のみ、さらに−２００Ｖ、−３００Ｖと 変化させ、他の条件を同じにしたときのエッチング速度も調べた。 ・比較実験例１ クリーニング用ガス（エッチングガス）： ＮＦ3 ５０ｃｃｍ 成膜室内ガス圧 ： １００ｍＴｏｒｒ 高周波電極３ ： ４０ＭＨｚ ２００Ｗの高周波電力印加 電極３でのシリコンウエハエッチング速度 ：７００Å／ｍｉｎ 成膜室１内壁でのシリコンウエハエッチング速度：３００Å／ｍｉｎ 上記実験結果のうち高周波電極でのエッチングについて
図６に示す。In any of the experiments, when forming the thin film,
When a silicon film is formed on the substrate S using a monosilane gas and a hydrogen gas as a film forming source gas, the reaction product faces a high-frequency electrode 3 or a plasma generation region between the high-frequency electrode 3 and the holder 2 in the film forming chamber 1. Assuming that a silicon film is formed on the inner wall of the film forming chamber,
The surface facing the plasma generation region and the portion of the inner wall of the film formation chamber facing the plasma generation region between the high-frequency electrode 3 and the holder 2 are covered with a silicon wafer, and the silicon wafer is etched. Experimental Example 1 Cleaning gas (etching gas): NF 3 50 ccm Deposition chamber gas pressure: 100 mTorr High-frequency electrode 3: 40 MHz 200 W high-frequency power was applied and a -100 V DC voltage was applied. Silicon wafer etching rate at electrode 3: 900 ° / Min Silicon wafer etching rate on the inner wall of the film forming chamber 1: 300ｍｉｎ / min In addition, only the DC voltage applied to the high-frequency electrode 3 was further changed to -200 V and -300 V, and the etching rate when other conditions were the same. I also checked. Comparative Experiment Example 1 Cleaning gas (etching gas): NF 3 50 ccm Gas pressure in the film forming chamber: 100 mTorr High frequency electrode 3: 40 MHz Applying high frequency power of 200 W Silicon wafer etching rate at electrode 3: 700 ° / min Inner wall of film forming chamber 1 FIG. 6 shows etching with a high-frequency electrode among the above experimental results.

【手続補正３】[Procedure amendment 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】００３８[Correction target item name] 0038

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【００３８】図２は本発明に係る薄膜形成装置の他の例
を示している。図２の薄膜形成装置は、図１の薄膜形成
装置において、成膜室１内に防着板兼電極８を設置し、
この防着板兼電極８に、該防着板兼電極のクリーニング
のためのクリーニング電界を発生させる電源装置７を接
続し、ガスプラズマ化用高周波電極３には高周波電源装
置５だけを接続したものである。その他の点は図１に示
す薄膜形成装置と同様であり、同じ部品には同じ参照符
号を付してある。 防着板兼電極８は、成膜室１内にお
けるプラズマの生成領域に、成膜室１内壁面より内側に
位置して臨んでおり、前記ガスプラズマ化用高周波電極
３から独立している筒形（ここでは円筒形）の部材であ
る。略ホルダ２から高周波電極３にわたり延在してい
る。FIG. 2 shows another example of the thin film forming apparatus according to the present invention. The thin film forming apparatus shown in FIG. 2 is different from the thin film forming apparatus shown in FIG.
A power supply unit 7 for generating a cleaning electric field for cleaning the deposition-preventing plate / electrode is connected to the deposition-preventing plate / electrode 8, and only the high-frequency power supply 5 is connected to the high-frequency electrode 3 for gas plasma. It is. The other points are the same as those of the thin film forming apparatus shown in FIG. 1, and the same parts are denoted by the same reference numerals. The deposition-preventing plate / electrode 8 faces the plasma generation region in the film-forming chamber 1 so as to be located inside the inner wall surface of the film-forming chamber 1 and is independent of the high-frequency electrode 3 for gas plasma formation. It is a shaped (here cylindrical) member. It extends substantially from the holder 2 to the high-frequency electrode 3 .

【手続補正４】[Procedure amendment 4]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】００４５[Correction target item name] 0045

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【００４５】図２に示す薄膜形成装置において、防着板
兼電極８には直流電圧を印加せず、高周波電源装置７１
から高周波電力のみを印加するようにした薄膜形成装置
を用いて次のクリーニング実験（実験例２、３及び比較
実験例２）を行った。いずれの実験においても、高周波
電極３のプラズマ生成領域に臨む表面及び防着板兼電極
８のプラズマ生成領域に臨む内面をシリコンウエハで被
覆し、そのシリコンウエハのエッチングを行うことにし
た。 ・実験例２ クリーニング用ガス（エッチングガス）： ＮＦ3 ５０ｃｃｍ 成膜室内ガス圧 ： １００ｍＴｏｒｒ 高周波電極３ ： ４０ＭＨｚ ２００Ｗの高周波電力印加 防着板兼電極８ ： ４０ＭＨｚ ２０Ｗの高周波電力印加 電極３でのシリコンウエハエッチング速度 ：８００Å／ｍｉｎ 防着板兼電極８でのシリコンウエハエッチング速度：４８０Å／ｍｉｎ ・実験例３ クリーニング用ガス（エッチングガス）： ＮＦ3 ５０ｃｃｍ 成膜室内ガス圧 ： １００ｍＴｏｒｒ 高周波電極３ ： ４０ＭＨｚ ２００Ｗの高周波電力印加 防着板兼電極８ ： ４０ＭＨｚ ５０Ｗの高周波電力印加 電極３でのシリコンウエハエッチング速度 ：８４０Å／ｍｉｎ 防着板兼電極８でのシリコンウエハエッチング速度：８００Å／ｍｉｎ ・比較実験例２ クリーニング用ガス（エッチングガス）： ＮＦ3 ５０ｃｃｍ 成膜室内ガス圧 ： １００ｍＴｏｒｒ 高周波電極３ ： ４０ＭＨｚ ２００Ｗの高周波電力印加 防着板兼電極８ ： 高周波電力印加なし 電極３でのシリコンウエハエッチング速度 ：７００Å／ｍｉｎ 防着板兼電極８でのシリコンウエハエッチング速度：２９０Å／ｍｉｎ 上記実験結果を図７に示す。In the thin film forming apparatus shown in FIG. 2, a high-frequency power supply 71
The following cleaning experiments (Experimental Examples 2 and 3 and Comparative Experimental Example 2) were performed using a thin film forming apparatus configured to apply only high-frequency power from the above. In each experiment, the surface of the high-frequency electrode 3 facing the plasma generation region and the inner surface of the deposition-preventing plate / electrode 8 facing the plasma generation region were covered with a silicon wafer, and the silicon wafer was etched. Experimental Example 2 Cleaning gas (etching gas): NF 3 50 ccm Deposition chamber gas pressure: 100 mTorr High frequency electrode 3: 40 MHz Applying 200 W high frequency power Deposition plate and electrode 8 : 40 MHz 20 W high frequency power application Silicon at electrode 3 Wafer etching rate: 800 ° / min. Silicon wafer etching rate at electrode / plate 8 : 480 ° / min. ・ Experimental example 3 Cleaning gas (etching gas): NF 3 50 ccm Deposition chamber gas pressure: 100 mTorr High frequency electrode 3: 40 MHz 200 W high frequency power application: Electrodepositing plate / electrode 8 : 40 MHz Applying 50 W high frequency power: Silicon wafer etching rate at electrode 3: 840 ° / min Silicon wafer etching rate at deposition plate / electrode 8 : 800 ° / min 2 chestnuts Training gas (etching gas): NF 3 50 ccm deposition chamber gas pressure: 100 mTorr RF electrode 3: 40 MHz 200 W of RF power applying preventing plate and electrode 8: silicon wafer etch rate in the high-frequency power applying None electrode 3: 700 Å / min Etching rate of silicon wafer on deposition-preventing plate / electrode 8 : 290 ° / min The results of the above experiment are shown in FIG.

【手続補正５】[Procedure amendment 5]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】００４６[Correction target item name] 0046

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【００４６】この実験から、防着板兼電極８への印加高
周波電力を加減して該電極８でのエッチング速度を制御
でき、その制御により防着板兼電極８上の薄膜形成時の
反応生成物を速やかにをエッチングできることが分か
る。図４は本発明に係る薄膜形成装置のさらに他の例を
示している。図４の薄膜形成装置は誘導コイル型プラズ
マＣＶＤ装置である。From this experiment, it is possible to control the etching rate at the electrode 8 by adjusting the high-frequency power applied to the electrode 8 and to control the reaction when the thin film is formed on the electrode 8. it can be seen that etch quickly things. FIG. 4 shows still another example of the thin film forming apparatus according to the present invention. The thin film forming apparatus of FIG. 4 is an induction coil type plasma CVD apparatus.

【手続補正６】[Procedure amendment 6]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】符号の説明[Correction target item name] Explanation of sign

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【符号の説明】 １ 成膜室 ２ 基板ホルダ ２１ ヒータ ３ ガスプラズマ化用高周波電極 ３０ 誘導コイル電極 ４、４０ ガス供給装置 ５ 高周波電源装置 ５１、５０ 高周波電源 ５２ マッチングボックス ６ 直流電源装置 ６１ 直流電源 ６２ 高周波ブロッキング用フィルタ回路 ７ 電源装置 ７１ 高周波電源装置部分 ７１１ 高周波電源 ７１２ マッチングボックス ７２ 直流電源装置部分 ７２１ 直流電源 ７２２ 高周波ブロッキング用フィルタ回路 ＶＣ 排気装置 ＩＳ 電気絶縁性部材 Ｓ 被成膜基板 ８、８０ 防着板兼電極 １０ イオン源 １０１ プラズマ容器 １０１ａ 容器１０１の側周壁を構成する高周波電極 １０１ｂ 容器１０１の上壁を構成する高周波電極 １０２ マッチングボックス １０３ 高周波電源 １０４ 正電源 １０５ 負電源 Ｅ イオン引出し電極系 ｅ１ 第１電極 ｅ２ 第２電極 ｅ３ 第３電極（接地用電極） ＳＷ スイッチング装置[Description of Signs] 1 Film forming chamber 2 Substrate holder 21 Heater 3 High frequency electrode for gas plasma 30 Induction coil electrode 4, 40 Gas supply device 5 High frequency power supply 51, 50 High frequency power supply 52 Matching box 6 DC power supply 61 DC power supply 62 High-frequency blocking filter circuit 7 Power supply device 71 High-frequency power supply unit 711 High-frequency power supply 712 Matching box 72 DC power supply unit 721 DC power supply 722 High-frequency blocking filter circuit VC exhaust device IS Electrically insulating member S Deposition substrate 8, 80 Deposition plate / electrode 10 Ion source 101 Plasma container 101a High-frequency electrode forming the side wall of container 101 High-frequency electrode forming the upper wall of container 101 Matching box 103 High-frequency power supply 104 Positive power supply 105 Negative power supply E ON extraction electrode system e1 first electrode e2 second electrode e3 third electrode (electrode for grounding) SW switching device

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】成膜室内に被成膜物品を設置し、該成膜室
内に成膜原料ガスを導入するととに該成膜室内気圧を所
定の成膜圧力に維持し、該成膜原料ガスを該成膜室内に
設置したガスプラズマ化用高周波電極への高周波電力印
加によりプラズマ化し、該プラズマのもとで被成膜物品
に薄膜を形成する薄膜形成装置のクリーニング方法であ
り、クリーニングにあたり、前記成膜室内にクリーニン
グ用ガスを導入するとともに該成膜室内気圧を所定のク
リーニング圧力に維持し、該クリーニング用ガスを前記
高周波電極への高周波電力印加によりプラズマ化すると
ともに該高周波電極にそれ自身のクリーニングのための
直流電圧も印加することを特徴とする薄膜形成装置のク
リーニング方法。An object to be deposited is set in a film forming chamber, and a film forming material gas is introduced into the film forming chamber, and the pressure in the film forming chamber is maintained at a predetermined film forming pressure. This is a method for cleaning a thin film forming apparatus in which a gas is converted into plasma by applying high frequency power to a high frequency electrode for gas plasma installed in the film forming chamber, and a thin film is formed on a film to be formed under the plasma. Introducing a cleaning gas into the film forming chamber, maintaining the pressure in the film forming chamber at a predetermined cleaning pressure, applying the high frequency power to the high frequency electrode to convert the cleaning gas into plasma, A method for cleaning a thin film forming apparatus, wherein a DC voltage for cleaning itself is also applied. 【請求項２】前記成膜室内における前記プラズマの生成
領域に、成膜室内壁面より内側に位置して臨む、前記ガ
スプラズマ化用高周波電極から独立した防着板兼電極を
設置しておき、クリーニングにあたり、さらに、該防着
板兼電極にそのクリーニングのためのクリーニング用電
界を発生させる請求項１記載の薄膜形成装置のクリーニ
ング方法。2. A deposition plate / electrode, which is located inward of a wall surface of the film forming chamber and is independent of the high-frequency electrode for gas plasma, is provided in a region where the plasma is generated in the film forming chamber. 2. The method for cleaning a thin film forming apparatus according to claim 1, further comprising: generating a cleaning electric field for cleaning the deposition-preventing plate and the electrode during the cleaning. 【請求項３】成膜室内に被成膜物品を設置し、該成膜室
内に成膜原料ガスを導入するととに該成膜室内気圧を所
定の成膜圧力に維持し、該成膜原料ガスを該成膜室に対
し設置したガスプラズマ化用高周波電極への高周波電力
印加によりプラズマ化し、該プラズマのもとで被成膜物
品に薄膜を形成する薄膜形成装置のクリーニング方法で
あり、前記成膜室内における前記プラズマの生成領域
に、成膜室内壁面より内側に位置して臨む、前記成膜原
料ガスプラズマ化用高周波電極から独立した防着板兼電
極を設置しておき、クリーニングにあたり、前記成膜室
内にクリーニング用ガスを導入するとともに該成膜室内
を所定のクリーニング圧力に維持し、該クリーニング用
ガスを前記高周波電極への高周波電力印加によりプラズ
マ化するとともに前記防着板兼電極にそのクリーニング
のためのクリーニング用電界を発生させることを特徴と
する薄膜形成装置のクリーニング方法。3. A film-forming material is placed in a film-forming chamber, a film-forming material gas is introduced into the film-forming chamber, and the pressure in the film-forming chamber is maintained at a predetermined film-forming pressure. A method for cleaning a thin film forming apparatus in which a gas is turned into plasma by applying high frequency power to a high frequency electrode for gas plasma installed in the film forming chamber, and a thin film is formed on the article to be formed under the plasma, In the plasma generation region in the film forming chamber, a deposition-preventing plate / electrode independent from the high-frequency electrode for forming a film forming material gas plasma facing the inside located from the wall surface of the film forming chamber is installed. A cleaning gas is introduced into the film formation chamber, the film formation chamber is maintained at a predetermined cleaning pressure, and the cleaning gas is turned into plasma by applying high-frequency power to the high-frequency electrode. The cleaning method of a thin film forming apparatus characterized by generating a cleaning electric field for the cleaning deposition preventing plate and electrode. 【請求項４】イオン源を備えた成膜室内に被成膜物品を
設置し、該成膜室内に成膜原料ガスを導入するととに該
成膜室内気圧を所定の成膜圧力に維持し、該成膜原料ガ
スを該成膜室に対し設置したガスプラズマ化用高周波電
極への高周波電力印加によりプラズマ化し、該プラズマ
のもとで、前記イオン源から被成膜物品へのイオン照射
を併用して該被成膜物品に薄膜を形成する薄膜形成装置
のクリーニング方法であり、クリーニングにあたり、前
記成膜室内にクリーニング用ガスを導入するとともに該
成膜室内を所定のクリーニング圧力に維持し、該クリー
ニング用ガスを前記高周波電極への高周波電力印加によ
りプラズマ化するとともに前記イオン源のイオン引出し
電極系における接地用電極にそのクリーニングのための
クリーニング用電界を発生させることを特徴とする薄膜
形成装置のクリーニング方法。4. An article to be formed is placed in a film forming chamber provided with an ion source, and a film forming material gas is introduced into the film forming chamber, and the pressure in the film forming chamber is maintained at a predetermined film forming pressure. And applying the high frequency power to the high frequency electrode for gas plasma installed in the film forming chamber to convert the film forming material gas into plasma, and applying the ion irradiation from the ion source to the film forming article under the plasma. A cleaning method of a thin film forming apparatus for forming a thin film on the article on which the film is to be formed in combination, wherein a cleaning gas is introduced into the film forming chamber and the film forming chamber is maintained at a predetermined cleaning pressure for cleaning. The cleaning gas is turned into plasma by applying high-frequency power to the high-frequency electrode, and a cleaning electrode for cleaning the grounding electrode in the ion extraction electrode system of the ion source. The cleaning method of a thin film forming apparatus characterized by generating a. 【請求項５】前記ガスプラズマ化用高周波電極を前記成
膜室内に設置し、クリーニングにあたり、前記クリーニ
ング用ガスを該高周波電極への高周波電力印加によりプ
ラズマ化するとともに該高周波電極にそれ自身のクリー
ニングのための直流電圧も印加する請求項４記載の薄膜
形成装置のクリーニング方法。5. The high frequency electrode for gas plasma is installed in the film forming chamber, and in cleaning, the cleaning gas is turned into plasma by applying high frequency power to the high frequency electrode, and the high frequency electrode is cleaned by itself. 5. The method for cleaning a thin film forming apparatus according to claim 4, wherein a DC voltage is also applied. 【請求項６】成膜室と、 成膜室内に設置された被成膜物品ホルダと、 成膜室内において前記ホルダに対向設置されたガスプラ
ズマ化用高周波電極と、 成膜室内を所定圧力に設定するための排気装置と、 成膜室内に成膜原料ガスを供給するための成膜原料ガス
供給装置と、 成膜室内にクリーニング用ガスを供給するためのクリー
ニング用ガス供給装置と、 前記高周波電極に高周波電力を印加するための高周波電
源装置と、 前記高周波電極に前記高周波電源装置からの高周波電力
印加とともに該高周波電極クリーニング用の直流電圧を
印加できる直流電源装置と、 を備え、成膜室内クリーニングが可能であることを特徴
とする薄膜形成装置。6. A film-forming chamber, a film-forming article holder installed in the film-forming chamber, a gas-plasma-forming high-frequency electrode installed opposite to the holder in the film-forming chamber, and a pressure in the film-forming chamber at a predetermined pressure. An exhaust device for setting; a film forming material gas supply device for supplying a film forming material gas into the film forming chamber; a cleaning gas supply device for supplying a cleaning gas to the film forming chamber; A high-frequency power supply for applying high-frequency power to the electrode; and a direct-current power supply for applying high-frequency power from the high-frequency power supply to the high-frequency electrode and a DC voltage for cleaning the high-frequency electrode. A thin film forming apparatus characterized by being capable of cleaning. 【請求項７】前記被成膜物品ホルダと前記高周波電極と
の間の領域に、前記成膜室内壁面より内側に位置して臨
む防着板兼電極と、 該防着板兼電極に、該防着板兼電極クリーニング用の電
界を発生させるための電源装置と、 をさらに備えている請求項６記載の薄膜形成装置。7. A deposition-protecting plate / electrode facing inside the wall surface of the film-forming chamber in a region between the film-formed article holder and the high-frequency electrode; 7. The thin film forming apparatus according to claim 6, further comprising: a power supply device for generating an electric field for cleaning the deposition-preventing plate and the electrode. 【請求項８】成膜室と、 成膜室内に設置された被成膜物品ホルダと、 成膜室に対し設置されたガスプラズマ化用高周波電極
と、 成膜室内を所定圧力に設定するための排気装置と、 成膜室内に成膜原料ガスを供給するための成膜原料ガス
供給装置と、 成膜室内にクリーニング用ガスを供給するためのクリー
ニング用ガス供給装置と、 前記高周波電極に高周波電力を印加するための第１の高
周波電源装置と、 前記成膜室内のプラズマ生成領域に、該成膜室内壁面よ
り内側に位置して臨む防着板兼電極と、 該防着板兼電極に、該防着板兼電極クリーニング用の電
界を発生させるための第２の電源装置と、 を備え、成膜室内クリーニングが可能であることを特徴
とする薄膜形成装置。8. A film-forming chamber, a film-forming article holder installed in the film-forming chamber, a high-frequency electrode for gas plasma installed in the film-forming chamber, and an apparatus for setting the film-forming chamber to a predetermined pressure. An exhaust device, a film forming material gas supply device for supplying a film forming material gas into the film forming chamber, a cleaning gas supply device for supplying a cleaning gas to the film forming chamber, A first high-frequency power supply for applying power, a deposition-protecting plate / electrode facing the plasma generation region in the film-forming chamber and located inside the wall surface of the film-forming chamber, A second power supply device for generating an electric field for cleaning the deposition-preventing plate and the electrode; and a cleaning apparatus capable of cleaning a film forming chamber. 【請求項９】成膜室と、 成膜室内に設置された被成膜物品ホルダと、 薄膜形成時に前記ホルダに設置される被成膜物品にイオ
ンを照射するためのイオン源と、 成膜室に対し設置されたガスプラズマ化用高周波電極
と、 成膜室内を所定圧力に設定するための排気装置と、 成膜室内に成膜原料ガスを供給するための成膜原料ガス
供給装置と、 成膜室内にクリーニング用ガスを供給するためのクリー
ニング用ガス供給装置と、 前記高周波電極に高周波電力を印加するための第１の高
周波電源装置と、 前記イオン源のイオン引出し電極系における接地用電極
に該接地用電極クリーニング用の電界を発生させるため
の第２の電源装置と、 前記イオン源のイオン引出し電極系における接地用電極
を接地させ、又は前記第２の電源装置に接続するための
スイッチング装置と、 を備え、成膜室内クリーニングが可能であることを特徴
とする薄膜形成装置。9. A film-forming chamber, a film-forming article holder installed in the film-forming chamber, an ion source for irradiating ions to a film-forming article installed in the holder when forming a thin film, A high-frequency electrode for gas plasma provided for the chamber, an exhaust device for setting a predetermined pressure in the film forming chamber, a film forming material gas supply device for supplying a film forming material gas into the film forming chamber, A cleaning gas supply device for supplying a cleaning gas into the film forming chamber; a first high-frequency power supply device for applying high-frequency power to the high-frequency electrode; and a ground electrode in an ion extraction electrode system of the ion source. A second power supply device for generating an electric field for cleaning the grounding electrode, and a grounding electrode in the ion extraction electrode system of the ion source, or for connecting to the second power supply device. Comprising a switching device, a thin film forming apparatus characterized by deposition chamber cleaning is possible. 【請求項１０】前記ガスプラズマ化用高周波電極が前記
成膜室内に設置されており、該高周波電極に前記第１の
高周波電源装置からの高周波電力印加とともに該高周波
電極クリーニング用の直流電圧を印加できる直流電源装
置をさらに備えている請求項９記載の薄膜形成装置。10. A high frequency electrode for gas plasma is installed in the film forming chamber, and a high frequency power from the first high frequency power supply and a DC voltage for cleaning the high frequency electrode are applied to the high frequency electrode. The thin film forming apparatus according to claim 9, further comprising a direct current power supply capable of performing the operation.
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