JP2000327420A - Dielectric porcelain composition - Google Patents
Dielectric porcelain compositionInfo
- Publication number
- JP2000327420A JP2000327420A JP11138003A JP13800399A JP2000327420A JP 2000327420 A JP2000327420 A JP 2000327420A JP 11138003 A JP11138003 A JP 11138003A JP 13800399 A JP13800399 A JP 13800399A JP 2000327420 A JP2000327420 A JP 2000327420A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- dielectric constant
- pbtio
- porcelain composition
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体磁器コンデ
ンサ材料として用いられる誘電体磁器組成物に関する。The present invention relates to a dielectric ceramic composition used as a dielectric ceramic capacitor material.
【0002】[0002]
【従来の技術】誘電体磁器コンデンサの組成物として
は、高誘電率であること、誘電正接(tanδ)が
小さいこと、焼成温度が低いこと、等が望まれる。こ
のような誘電体磁器組成物としてチタン酸バリウム(B
aTiO3 )等の強誘電体を主成分とするものと、鉛
(Pb)を含む誘電体を主成分とするものがある。チタ
ン酸バリウムを用いた誘電体磁器組成物は、誘電率が高
く、小型で大容量のコンデンサが得られるものの、その
焼成温度がいずれも1300〜1400°Cと高く、こ
のため焼成コストが高くつく他、内部電極材料に130
0°C以上でも溶融しない高融点の貴金属類、例えば白
金やパラジウム等を用いなければならない。また、これ
らのうち低温焼成用の組成系においては、室温での比誘
電率(ε)が2000程度と低いといった欠点があっ
た。2. Description of the Related Art A composition for a dielectric ceramic capacitor is desired to have a high dielectric constant, a small dielectric loss tangent (tan δ), a low firing temperature, and the like. As such a dielectric porcelain composition, barium titanate (B
aTiO 3 ) and other materials mainly containing a ferroelectric material such as aTiO 3 ) and a dielectric material containing lead (Pb). The dielectric porcelain composition using barium titanate has a high dielectric constant, and a small-sized and large-capacity capacitor can be obtained. However, the firing temperature is as high as 1300 to 1400 ° C., and the firing cost is high. In addition, 130 for internal electrode material
High melting point noble metals that do not melt even at 0 ° C. or higher, such as platinum and palladium, must be used. Among these, the composition system for low-temperature firing has a drawback that the relative dielectric constant (ε) at room temperature is as low as about 2000.
【0003】一方、鉛系の材料を組合わせた誘電体磁器
組成物としては、これまでも数多くの研究がなされてい
る。例えば、主成分としてPb(Fe1/2Nb1/2)O3
のものとして特開昭57−57204号公報によって、
Pb(Mg1/3Nb2/3)O3のものとして特開昭55−
51758号公報によるものがあり、Pb(Mg1/2W
1/2)O3のものとして特開昭52−21699号公報に
よるものが知られている。[0003] On the other hand, many studies have been made on dielectric ceramic compositions combining lead-based materials. For example, Pb (Fe 1/2 Nb 1/2 ) O 3
According to JP-A-57-57204,
Pb (Mg 1/3 Nb 2/3 ) O 3
No. 51758, Pb (Mg 1/2 W
By JP 52-21699 JP are known as being 1/2) O 3.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記した鉛系の材料を
組合わせた誘電体磁器組成物は、いずれも静電容量の温
度変化率が小さく、チタン酸バリウム系の組成物よりも
優れているものの、それぞれ高温での絶縁抵抗が低くな
り、焼成温度が比較的高くなり、誘電率と絶縁抵抗の両
方を高くできないなどの問題があった。The dielectric porcelain compositions in which the above-mentioned lead-based materials are combined have a small rate of change in capacitance with temperature and are superior to barium titanate-based compositions. However, there has been a problem that the insulation resistance at high temperatures becomes low, the firing temperature becomes relatively high, and both the dielectric constant and the insulation resistance cannot be increased.
【0005】例えば、PMN−PTの2成分系組成物に
ついてみるならば、これら2成分の比率を変えることで
キュリー点を移動させ室温付近での誘電率が高い材料を
作成することも可能である。しかし、温度による誘電率
の変化が大きく、このままでは実用的ではない。なお、
PMNとはPb(Mg1/3Nb2/3)O3 を表し、PTは
PbTiO3 である。For example, in the case of a two-component composition of PMN-PT, it is possible to shift the Curie point by changing the ratio of these two components to produce a material having a high dielectric constant near room temperature. . However, the change in the dielectric constant with temperature is large, and it is not practical as it is. In addition,
PMN represents Pb (Mg 1/3 Nb 2/3 ) O 3 , and PT is PbTiO 3 .
【0006】本発明は上記した従来の問題を解決するた
めになされたもので、その目的とするところは、比較的
低い温度で焼成することができ、また高い比誘電率と低
い誘電正接を有する誘電体磁器組成物を提供することに
ある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and has as its object to be able to be fired at a relatively low temperature and to have a high relative dielectric constant and a low dielectric loss tangent. An object of the present invention is to provide a dielectric ceramic composition.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 −PbTiO
3 の2成分系の固溶体からなる誘電体磁器組成物におい
て、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 とPbTiO3のモル
比率(%)が、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3:90.0
〜97.0、PbTiO3 :3.0〜10.0で表され
た主成分を100重量部とし、副成分としてBaTiO
3 を0.1〜5重量部含有していることを特徴とする。In order to achieve the above object, the present invention provides Pb (Mg 1/3 Nb 2/3 ) O 3 -PbTiO.
In the dielectric porcelain composition comprising a binary solid solution of 3 , the molar ratio (%) between Pb (Mg 1/3 Nb 2/3 ) O 3 and PbTiO 3 is Pb (Mg 1/3 Nb 2/3). ) O 3 : 90.0
~97.0, PbTiO 3: and 100 parts by weight expressed principal component at 3.0 to 10.0, BaTiO as a sub-component
3 in an amount of 0.1 to 5 parts by weight.
【0008】このような組成においては、誘電率が50
00以上と高く、誘電正接が2.0%以下と低く、また
焼成温度も950〜1080°Cと低い誘電体磁器組成
物が得られた。In such a composition, the dielectric constant is 50
The dielectric ceramic composition was as high as 00 or more, the dielectric loss tangent was as low as 2.0% or less, and the firing temperature was as low as 950 to 1080 ° C.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的構成につい
て説明する。本発明に係る誘電体磁器組成物は、主成分
として、Pb(Mg1/3Nb2/3)O 3 とPbTiO3 の
2成分を主成分としている。Pb(Mg1/3Nb2/3)O
3 とPbTiO3 の割合は、モル比率(%)でPb(M
g1/3Nb2/3)O3 が90.0〜97.0であって、P
bTiO3 が3.0〜10.0である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, a specific configuration of the present invention will be described.
Will be explained. The dielectric ceramic composition according to the present invention comprises a main component
As Pb (Mg1/3Nb2/3) O ThreeAnd PbTiOThreeof
It has two components as main components. Pb (Mg1/3Nb2/3) O
ThreeAnd PbTiOThreeIs a molar ratio (%) of Pb (M
g1/3Nb2/3) OThreeIs 90.0 to 97.0, and P
bTiOThreeIs 3.0 to 10.0.
【0010】主成分を上記の範囲に限定した理由は、主
成分をPb〔(Mg1/3 Nb2/3)XTi1−X〕O3 (但
し、0≦X≦1)で表したとき、Xが0.90より小さ
いかまたは0.97より大きいと静電容量の変化率が3
0%を超えてしまい好ましくないからである。The reason for limiting the main component to the above range is that the main component is represented by Pb [(Mg 1/3 Nb 2/3 ) X Ti 1 -X ] O 3 (where 0 ≦ X ≦ 1). When X is smaller than 0.90 or larger than 0.97, the rate of change of the capacitance is 3
This is because it exceeds 0% and is not preferable.
【0011】さらに、本発明においては副成分としてB
aTiO3 を添加している。この副成分の主成分に対す
る割合は、主成分を100重量部としたとき、0.1重
量部以上で5重量部以下とされる。Furthermore, in the present invention, B
aTiO 3 is added. The ratio of the subcomponent to the main component is 0.1 parts by weight or more and 5 parts by weight or less when the main component is 100 parts by weight.
【0012】副成分を上記の範囲に限定した理由は、B
aTiO3 の添加量が主成分に対して0.1重量部より
少ないと静電容量の変化率が−70%を超えてしまい、
BaTiO3 の添加量が主成分に対して5.0重量部よ
り多いと誘電率が5000より小さくなってしまうから
である。The reason that the auxiliary component is limited to the above range is as follows.
If the amount of aTiO 3 added is less than 0.1 part by weight with respect to the main component, the rate of change in capacitance exceeds -70%,
This is because if the amount of BaTiO 3 added is more than 5.0 parts by weight with respect to the main component, the dielectric constant becomes smaller than 5000.
【0013】このようなPb(Mg1/3Nb2/3)O3 −
PbTiO3 の2成分系を主成分とし、副成分としてB
aTiO3 を添加した誘電体磁器組成物においては、誘
電率を5000以上と高く、誘電正接を2.0%以下と
低く、また焼成温度を950〜1080°Cとすること
ができる。Such Pb (Mg 1/3 Nb 2/3 ) O 3 −
The main component is a two-component system of PbTiO 3 , and B is
In the dielectric ceramic composition to which aTiO 3 is added, the dielectric constant can be as high as 5000 or more, the dielectric loss tangent can be as low as 2.0% or less, and the firing temperature can be 950 to 1080 ° C.
【0014】〔実施例〕次に、本発明に係る誘電体磁器
組成物を用いた誘電体磁器コンデンサの製造方法につい
て説明する。出発原料として、工業用のPb3O4 ,M
gO,Nb2O4 ,TiO2 を用い、これらを秤量し、
予めPb(Mg1/3Nb2/3)O3 ,PbTiO3 となる
ようにそれぞれ配合した。次に、Pb(Mg1/3N
b2/3)O3 は780°Cで、PbTiO3 は950°
Cでそれぞれ2時間仮焼結し、所定の化合物粉体を作成
した。このようにして作成した化合物粉体を表1の実施
例1〜9に示す組成比になるように配合し混練した。EXAMPLE Next, a method of manufacturing a dielectric ceramic capacitor using the dielectric ceramic composition according to the present invention will be described. As a starting material, industrial Pb 3 O 4 , M
gO, Nb 2 O 4 , and TiO 2 were weighed,
Pb (Mg 1/3 Nb 2/3 ) O 3 and PbTiO 3 were respectively blended in advance. Next, Pb (Mg 1/3 N
b 2/3 ) O 3 at 780 ° C., PbTiO 3 at 950 °
Each of them was pre-sintered with C for 2 hours to prepare a predetermined compound powder. The compound powders thus prepared were blended and kneaded so as to have the composition ratios shown in Examples 1 to 9 in Table 1.
【0015】[0015]
【表1】 [Table 1]
【0016】その後、この粉体にポリビニルアルコール
を3重量加えて混練し、これを1ton/cm2 の圧力
で加圧し直径12mm、厚さ1mmの円板を形成した。
この円板を大気中で電気炉を用いて、表1に示す焼成条
件で3時間焼成した。Thereafter, 3 parts by weight of polyvinyl alcohol was added to the powder and kneaded, and the mixture was pressurized at a pressure of 1 ton / cm 2 to form a disc having a diameter of 12 mm and a thickness of 1 mm.
This disc was fired in the air using an electric furnace under the firing conditions shown in Table 1 for 3 hours.
【0017】次に、内部電極としてAgペーストを80
0°Cで焼き付け、測定試料とした。そして、各試料に
ついて比誘電率(ε)および誘電正接(tanδ)を1
KHz、1Vrms、20°Cの条件で測定した。Next, an Ag paste was used as an internal electrode for 80 minutes.
It was baked at 0 ° C. to obtain a measurement sample. The relative dielectric constant (ε) and the dielectric loss tangent (tan δ) of each sample are set to 1
The measurement was performed under the conditions of KHz, 1 Vrms and 20 ° C.
【0018】その結果を表1に示す。また、表1に比較
例1〜4を示す。Table 1 shows the results. Table 1 shows Comparative Examples 1 to 4.
【0019】表1から明らかなように、この発明による
誘電体磁器組成物の範囲内においては、誘電率が500
0以上、誘電正接が2.0%以下、焼成温度が950〜
1080°Cを満足する。さらに、温度による誘電率の
変化が少なくなっている。As apparent from Table 1, within the range of the dielectric ceramic composition according to the present invention, the dielectric constant is 500.
0 or more, the dielectric loss tangent is 2.0% or less, and the firing temperature is 950 to 950.
Satisfies 1080 ° C. Furthermore, the change in dielectric constant due to temperature is reduced.
【0020】[0020]
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る誘電体
磁器組成物は、誘電率を5000以上と高く、誘電正接
を2.0%以下と低く、大容量のコンデンサを製作する
ことができる。また、焼成温度を950〜1080°C
と低くすることができるので、コンデンサの作成時に白
金、パラジウム等の高融点貴金属を同時に焼成すること
ができる。As described above, the dielectric ceramic composition according to the present invention has a high dielectric constant of 5000 or more and a low dielectric loss tangent of 2.0% or less, and can produce a large-capacity capacitor. . In addition, the firing temperature is 950 to 1080 ° C.
Therefore, high-melting precious metals such as platinum and palladium can be simultaneously fired at the time of making the capacitor.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉山 浩司 栃木県芳賀郡二宮町大字久下田1065番地 日立エーアイシー株式会社芳賀工場内 Fターム(参考) 4G030 AA07 AA10 AA16 AA20 AA40 BA09 5E001 AE03 AE04 5G303 AA01 AB06 AB07 AB15 BA12 CA01 CB03 CB17 CB21 CB25 CB35 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Koji Sugiyama 1065 Kushita, Ninomiya-cho, Haga-gun, Tochigi Pref. AB07 AB15 BA12 CA01 CB03 CB17 CB21 CB25 CB35
Claims (1)
O3 の2成分系の固溶体からなる誘電体磁器組成物にお
いて、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 とPbTiO3のモ
ル比率(%)が Pb(Mg1/3Nb2/3)O3:90.0〜97.0 PbTiO3 :3.0〜10.0 で表された主成分を100重量部とし、副成分としてB
aTiO3 を0.1〜5重量部含有していることを特徴
とする誘電体磁器組成物。1. Pb (Mg 1/3 Nb 2/3 ) O 3 -PbTi
In the dielectric ceramic composition comprising a two-component solid solution of O 3, Pb (Mg 1/3 Nb 2/3) O 3 molar ratio (%) of PbTiO 3 is Pb (Mg 1/3 Nb 2/3 ) O 3 : 90.0 to 97.0 PbTiO 3 : 3.0 to 10.0 A main component represented by 100 parts by weight, and B as a subcomponent
The dielectric ceramic composition characterized in that ATiO 3 to contain 0.1 to 5 parts by weight.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11138003A JP2000327420A (en) | 1999-05-19 | 1999-05-19 | Dielectric porcelain composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11138003A JP2000327420A (en) | 1999-05-19 | 1999-05-19 | Dielectric porcelain composition |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000327420A true JP2000327420A (en) | 2000-11-28 |
Family
ID=15211797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11138003A Pending JP2000327420A (en) | 1999-05-19 | 1999-05-19 | Dielectric porcelain composition |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000327420A (en) |
-
1999
- 1999-05-19 JP JP11138003A patent/JP2000327420A/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH05152158A (en) | Ceramic capacitor | |
JP2958819B2 (en) | Non-reducing dielectric porcelain composition | |
JP2958818B2 (en) | Non-reducing dielectric porcelain composition | |
JP3087644B2 (en) | Dielectric porcelain composition | |
JPS6128619B2 (en) | ||
JP2000327420A (en) | Dielectric porcelain composition | |
JPS6227029B2 (en) | ||
CN1085638C (en) | Dielectric ceramic composition | |
JPS6227028B2 (en) | ||
JP2803320B2 (en) | Dielectric porcelain composition | |
JP2958822B2 (en) | Non-reducing dielectric porcelain composition | |
JP2926827B2 (en) | Dielectric porcelain composition | |
JPH0238540B2 (en) | ||
JPH04368709A (en) | Nonreducing dielectric porcelain composition material | |
JPS6230151B2 (en) | ||
JP3450134B2 (en) | Dielectric porcelain composition | |
JP2958824B2 (en) | Non-reducing dielectric porcelain composition | |
JPH0815009B2 (en) | Dielectric porcelain composition | |
JPH09110524A (en) | Nonreducing dielectric porcelain composition | |
JPS6216483B2 (en) | ||
JPS6216482B2 (en) | ||
JPS6149268B2 (en) | ||
JPS6224382B2 (en) | ||
JPH0582341B2 (en) | ||
JPS5849662A (en) | High dielectric constant ceramic composition |