JP2000323552A - Wafer loader - Google Patents
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- JP2000323552A JP2000323552A JP13350299A JP13350299A JP2000323552A JP 2000323552 A JP2000323552 A JP 2000323552A JP 13350299 A JP13350299 A JP 13350299A JP 13350299 A JP13350299 A JP 13350299A JP 2000323552 A JP2000323552 A JP 2000323552A
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの製
造加工の各工程間において、次工程の装置へウエハを供
給するためのウエハローダに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer loader for supplying a wafer to an apparatus in a next step between semiconductor wafer manufacturing processes.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般的な半導体ウエハの製造加工工程に
おいては、まず、シリコン単結晶インゴットをワイヤソ
ーや内周刃等により一定の厚さにスライシングして一連
の薄板状のウエハを得る。通常この時点では、ウエハは
厚さが不均一でまた表面にスライシングで凹凸が生じて
いるため、ラッピングを行なって、表面の凹凸を平坦に
すると共に加工歪みの深さを均一化してウエハの厚さを
均一に調製している。2. Description of the Related Art In a general semiconductor wafer manufacturing process, first, a silicon single crystal ingot is sliced to a predetermined thickness by a wire saw, an inner peripheral blade or the like to obtain a series of thin wafers. Normally, at this point, the wafer has an uneven thickness and irregularities are generated by slicing on the surface. Therefore, lapping is performed to flatten the irregularities on the surface and to equalize the depth of the processing distortion, thereby increasing the thickness of the wafer. The uniformity is adjusted.
【０００３】ラッピング後のウエハには、加工によって
加工歪層が生じ、この加工歪層には微小なメタルや研磨
粉、シリコン屑等のパーティクルが付着しているため、
これらを除去するために、強酸およびフッ酸等を用いた
化学的腐食法によってエッチングを行なっている。[0003] A processing strain layer is formed on the wafer after lapping by processing, and fine metal, polishing powder, silicon dust and other particles adhere to the processing strain layer.
In order to remove these, etching is performed by a chemical corrosion method using a strong acid, hydrofluoric acid or the like.
【０００４】エッチング後のウエハは、表面に付着して
いる酸をアルカリ中和し、水洗し乾燥させてから、片面
に鏡面研磨を行なう。通常、鏡面研磨には、粗研磨と仕
上げ研磨との二段階研磨があり、最終的には仕上げ研磨
で微細な表面粗さであるマイクロラフネスの向上、ヘイ
ズの除去を行なった後、最終洗浄工程へ進む。最終洗浄
によって表面が高清浄化されたウエハは、エピタキシャ
ル成長膜形成工程へ送られる。[0004] After etching, the acid adhering to the surface of the wafer is alkali-neutralized, washed with water and dried, and then mirror-polished on one side. Usually, mirror polishing includes two-step polishing of rough polishing and finish polishing, and finally, the final polishing step is performed after improving micro-roughness, which is a fine surface roughness, and removing haze by final polishing. Proceed to. The wafer whose surface has been highly cleaned by the final cleaning is sent to an epitaxially grown film forming step.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】通常、上記の如き各工
程間のウエハの搬送は、複数枚のウエハをカセット状の
キャリヤ内に収納し、キャリヤ単位で前工程から次工程
へ移動されている。即ち、例えばエッチング後のウエハ
を所定枚数キャリヤ内に収納し、次の研磨工程へ搬送
し、このキャリヤ内から順次ウエハを取り出して、研磨
装置へ供給する。また、研磨後のウエハを所定枚数キャ
リヤに収納し、次の洗浄工程へ搬送し、キャリヤ内から
順次ウエハを取り出して洗浄装置へ供給する。Generally, in the transfer of wafers between the above-described steps, a plurality of wafers are stored in a cassette-like carrier, and the wafers are moved from the previous step to the next step in carrier units. . That is, for example, a predetermined number of wafers after etching are stored in a carrier, transported to the next polishing step, and wafers are sequentially taken out from the carrier and supplied to a polishing apparatus. The polished wafers are stored in a predetermined number of carriers, transported to the next cleaning step, and sequentially taken out of the carriers and supplied to the cleaning device.
【０００６】しかしながら、現在、このようなウエハの
キャリヤ内から次工程への供給はドライ環境中で行われ
ている。そのため、ウエハ表面には前工程の汚れが固着
された状態となっており、研磨や洗浄工程ではその汚れ
の除去が困難で、その分、作業工程の負担を増加してい
る。However, at present, such a wafer is supplied from the carrier to the next process in a dry environment. For this reason, dirt from the previous process is fixed on the wafer surface, and it is difficult to remove the dirt in the polishing and cleaning processes, thereby increasing the work load.
【０００７】また、ウエハのキャリヤからの抜き取り
は、ドライ状態では吸着ハンドやベルトコンベヤを用い
た方法が利用可能であり、容易に行えるが、このような
方法ではハンドやベルトがウエハ表面に接触することに
なるため、接触面に傷が生じやすく汚れが付着する原因
ともなる。In the dry state, a method using a suction hand or a belt conveyor can be used and the wafer can be easily removed from the carrier. However, in such a method, the hand or the belt comes into contact with the wafer surface. As a result, the contact surface is easily scratched, which causes dirt to adhere.
【０００８】本発明の目的は、上記問題点に鑑み、半導
体ウエハの製造加工の各工程間において、キャリヤ内に
収容されているウエハを次工程の装置へ供給する際に、
ウエハ表面が濡れた状態で、且つウエハ表面に傷をつけ
たり汚れを付着させることなく効率的にキャリヤからウ
エハを抜き取り次工程へ移送できる装置を提供すること
にある。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, an object of the present invention is to supply a wafer housed in a carrier to an apparatus in a next step between semiconductor wafer manufacturing processes.
It is an object of the present invention to provide an apparatus capable of efficiently extracting a wafer from a carrier and transferring the wafer to the next step without damaging or contaminating the wafer surface while the wafer surface is wet.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明に係るウエハローダは、浸漬
水がオーバーフロー可能に供給される水槽と、複数枚の
ウエハがそれぞれほぼ水平な状態で互いに平行な間隔を
あけて縦方向に積層収容されるウエハ収容キャリヤと、
該ウエハ収容キャリヤを前記水槽内で昇降可能に保持す
るステージ機構と、水槽上方の予め定められたウエハ取
り出し位置で、前記ステージ機構によって上昇され位置
決めされた前記キャリヤ内のウエハをキャリヤから抜き
出し、次工程のための所定位置へ運ぶハンドリングロボ
ットとを備え、前記ウエハ取り出し位置が、抜き出し対
象のウエハより下段のウエハが水槽内の浸漬水中に浸漬
状態となる位置に定められているウエハローダであっ
て、前記ウエハ取り出し位置におけるウエハの存在の有
無を検知するセンサー機構を更に備え、前記ステージ機
構は、前記センサー機構による検知結果に基づいて、前
記ウエハ収容キャリヤの昇降制御を行うものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a wafer loader comprising: a water tank in which immersion water is supplied in an overflowable manner; A wafer-accommodating carrier that is stacked and accommodated in the vertical direction at intervals parallel to each other,
A stage mechanism for holding the wafer accommodating carrier so as to be able to move up and down in the water tank; and extracting a wafer in the carrier raised and positioned by the stage mechanism at a predetermined wafer take-out position above the water tank. A handling robot that carries the wafer to a predetermined position for a process, wherein the wafer take-out position is set at a position where a wafer below the wafer to be taken out is immersed in immersion water in a water tank, The apparatus further includes a sensor mechanism for detecting the presence or absence of a wafer at the wafer unloading position, and the stage mechanism performs elevation control of the wafer storage carrier based on a detection result by the sensor mechanism.
【００１０】また、請求項２に記載の発明に係るウエハ
ローダは、請求項１に記載のウエハローダにおいて、前
記ウエハ収容キャリヤは、ウエハの略半分が収容される
ハーフキャリヤであり、前記センサー機構は、前記予め
定められたウエハ取り出し位置のハーフキャリヤから突
出するウエハ略半分相当領域に対して、下方から所定波
長領域のウエハ不透過光波を照射する水槽***出部と、
前記領域上方の前記光波の進路上に配置された水槽外受
光部とを有し、前記ステージ機構は、前記取り出し位置
に前記光波を遮るウエハが存在せず、前記受光部が射出
部からの光波を検出したとき、その検出信号の出力結果
に応じてキャリヤを上昇させる方向に駆動するように制
御され、前記取り出し位置にウエハが達し、前記光波を
遮り、前記受光部から光波不検出の信号が出力されたと
き、キャリヤ上昇方向の駆動を停止するように制御され
るものである。According to a second aspect of the present invention, in the wafer loader according to the first aspect, the wafer accommodating carrier is a half carrier accommodating substantially half of the wafer, and the sensor mechanism includes: For a region corresponding to approximately half of the wafer protruding from the half carrier at the predetermined wafer take-out position, an in-water-ejecting unit that irradiates a wafer-impermeable light wave of a predetermined wavelength region from below,
A light-receiving unit outside the water tank disposed on the path of the light wave above the region, wherein the stage mechanism has no wafer that blocks the light wave at the take-out position, and the light-receiving unit is a light wave from the emission unit. Is detected, the carrier is controlled to be driven in a direction to raise the carrier in accordance with the output result of the detection signal, the wafer reaches the take-out position, interrupts the light wave, and a light wave non-detection signal is output from the light receiving portion. When it is output, it is controlled to stop driving in the carrier ascending direction.
【００１１】本発明においては、キャリヤ内に縦方向に
積層収納された複数枚のウエハをキャリヤごと水槽内の
浸漬水中に浸漬し、水槽内でキャリヤをステージ機構に
より上昇させることによって、ウエハ取り出し位置に達
したキャリヤ内のウエハを順次上から一枚ずつ浸漬水お
よびキャリヤから抜き出すものである。従って、ウエハ
は抜き出される直前まで浸漬水に接し、表面が乾燥する
ことなく濡れたままの状態で次工程の装置へ供給するこ
とができるため、ウエハ表面の汚れが乾燥と共に固着し
て除去しにくくなるという問題は回避され、次工程への
影響は軽減される。In the present invention, a plurality of wafers stacked and stored in the carrier in the vertical direction are immersed together with the carrier in immersion water in a water tank, and the carrier is raised by a stage mechanism in the water tank, so that a wafer removal position is obtained. , The wafers in the carrier that has reached are sequentially extracted one by one from the top from the immersion water and the carrier. Therefore, the wafer is kept in contact with the immersion water until immediately before being taken out, and can be supplied to the next process apparatus without drying the surface, so that the dirt on the wafer surface is fixed and removed together with the drying. The problem of becoming difficult is avoided, and the influence on the next process is reduced.
【００１２】また、本発明では、センサー機構によって
ウエハ取り出し位置におけるウエハの存在の有無を検知
し、この検知結果に基づいてステージ機構がウエハ収容
キャリヤの昇降制御を行うため、最上段のウエハが抜き
出されて取り出し位置にウエハが存在しないという検知
結果が得られると、速やかにステージ機構はキャリヤを
上昇させるように制御させることができる。このような
キャリヤのステージ機構による昇降作業の更なる自動化
によって、ウエハのキャリヤからの供給作業が効率的と
なり、全体的な作業工程の効率も向上する。In the present invention, the presence / absence of a wafer at the wafer take-out position is detected by the sensor mechanism, and the stage mechanism controls the elevation of the wafer storage carrier based on the detection result. When a detection result indicating that the wafer is taken out and no wafer is present at the take-out position is obtained, the stage mechanism can be promptly controlled to raise the carrier. By further automating the lifting operation by the carrier stage mechanism, the supply operation of the wafer from the carrier becomes more efficient, and the efficiency of the entire operation process is also improved.
【００１３】さらに、ハンドリングロボットもセンサー
機構による検知結果に基づいて駆動制御される構成とす
れば、より作業の効率化が図れる。即ち、前記取り出し
位置にウエハが存在するという検知結果に応じてハンド
リングロボットによるウエハの抜き出し作業を自動的に
開始できる。Further, if the handling robot is configured to be driven and controlled based on the result of detection by the sensor mechanism, work efficiency can be further improved. That is, the operation of extracting the wafer by the handling robot can be automatically started in response to the detection result that the wafer exists at the extraction position.
【００１４】本発明のセンサー機構としては、ウエハ収
容キャリヤとしていわゆるハーフキャリヤを用い、ウエ
ハのハーフキャリヤから突出している領域を対象とした
光センサの利用が簡便である。As the sensor mechanism of the present invention, a so-called half carrier is used as a wafer accommodating carrier, and it is simple to use an optical sensor for an area of the wafer projecting from the half carrier.
【００１５】即ち、水槽内下方に所定波長領域のウエハ
不透過光波を照射する射出部を備え、水槽外上方の前記
射出部からの光波の進路上に受光部を備え、丁度取り出
し位置にあるウエハのハーフキャリヤより突出している
領域がこの光路を遮るように設定すると、受光部での光
波の不受光、受光が前記取り出し位置におけるウエハの
有無に一致することから、受光部からの検知出力をその
ままウエハの存在確認の検知結果とすることができる。That is, an emission section for irradiating a wafer non-transmitted light wave in a predetermined wavelength region is provided below the water tank, and a light receiving section is provided on a path of the light wave from the emission section above the water tank, and the wafer at the take-out position is provided. If the area protruding from the half carrier is set so as to block this optical path, the detection output from the light receiving unit is directly used because the light receiving / receiving at the light receiving unit matches the presence or absence of the wafer at the take-out position. This can be a detection result of wafer presence confirmation.
【００１６】そこで、受光部から、光波受光の信号、即
ちウエハ不在の検知信号が出力されたら、ステージ機構
がキャリヤを上昇させる方向に駆動制御されれば、その
時点でキャリヤ内の最上段に収納されているウエハがキ
ャリヤと共に上昇して前記取り出し位置に達する。これ
により前記光路を遮り、受光部は光波不受光、即ちウエ
ハ有りの検知信号が出力し、ステージ機構が駆動停止す
るよう制御されるものとする。Therefore, when a light wave receiving signal, that is, a detection signal of absence of a wafer, is output from the light receiving section, if the stage mechanism is driven and controlled in a direction to raise the carrier, it is stored in the uppermost stage in the carrier at that time. The lifted wafer moves up with the carrier to reach the unloading position. Thus, the optical path is blocked, and the light receiving unit is controlled to output a detection signal indicating no light wave reception, that is, the presence of a wafer, and to stop driving the stage mechanism.
【００１７】なお、水槽内で射出されて浸漬水中を進む
光波は、浸漬水面から出ると、異なる媒体へ浸入するこ
ととなり屈折するが、本発明の水槽では、浸漬水はオー
バーフロー状態であるため、異なる２つの媒体の境界面
である浸漬水面の位置は常に一定であり、光路も変動す
ることなく一定である。従って、ウエハの取り出し位置
は、射出部と受光部との間の光路中であれば、浸漬水面
位置でも、あるいは水面上、または水面下のいずれでも
設定可能である。The light wave emitted in the water tank and traveling in the immersion water is refracted when it comes out of the immersion water surface and enters a different medium. However, in the water tank of the present invention, since the immersion water is in an overflow state, The position of the immersion water surface, which is the interface between the two different media, is always constant, and the optical path is also constant without fluctuation. Therefore, the take-out position of the wafer can be set at the immersion water surface position, or above or below the water surface, as long as it is in the optical path between the emission unit and the light reception unit.
【００１８】センサー機構に用いる光波としては、ウエ
ハに対して不透過であると共に、ウエハ素材に影響を及
ぼすことのない波長域のものであれば良い。例えば、射
出部が可視光線を射出するものとすれば、受光部をその
光線の波長域に対応する光電変換素子等のフォトディテ
クタで形成するのが最も簡便な構成の一つとして望まし
い。The light wave used for the sensor mechanism may be in a wavelength range that is opaque to the wafer and does not affect the material of the wafer. For example, if the emitting unit emits visible light, it is desirable as one of the simplest configurations to form the light receiving unit with a photodetector such as a photoelectric conversion element corresponding to the wavelength range of the light.
【００１９】また、以上のような本発明のウエハ検知方
法においては、ハンドリングロボットにエッジクランプ
方式のものを用いるのが適している。エッジクランプ方
式では、上記センサー機構を妨害することなく、またウ
エハ表面への接触がほとんどないことから、ウエハ表面
を傷つけたり直接汚れを付与することもなく好ましい。
この場合、ウエハ保持の際にクランプ部のみが浸漬水中
に位置するものとすれば、ロボット側から水槽側への不
純物汚染も極めて少なくできる。またこのクランプ部を
不純物溶出のない材質で形成することによって、水槽汚
染はさらに低減でき、ウエハへの汚染物質の付着も無視
できるものとなる。Further, in the above-described wafer detection method of the present invention, it is suitable to use an edge clamp type for the handling robot. The edge clamp method is preferable because it does not hinder the sensor mechanism and hardly touches the wafer surface, so that the wafer surface is not damaged or directly stained.
In this case, if only the clamp portion is located in the immersion water when holding the wafer, impurity contamination from the robot side to the water tank side can be extremely reduced. Further, by forming the clamp portion from a material that does not elute impurities, water tank contamination can be further reduced, and adhesion of contaminants to the wafer can be neglected.
【００２０】本発明のウエハローダでは、ウエハは引き
抜かれるまで水槽中で待機状態となるため、ウエハ表面
に付着していた不純物等の汚れが浸漬水流に接して取り
除かれ、浮上してオーバーフローと共に水槽外へ排出さ
れるという洗浄効果も得られる。前記水槽内に供給され
る浸漬水は、洗浄水、純水、又は予め定められた処理が
施された機能水のいずれかを用いるが、特に、洗浄水や
機能水を用いることによって待機中のウエハ表面に対す
る洗浄効果が向上する。In the wafer loader of the present invention, since the wafer is in a standby state in the water tank until it is pulled out, dirt such as impurities adhering to the wafer surface is removed by contact with the immersion water flow, floats and overflows out of the water tank. The cleaning effect of being discharged to the drain is also obtained. The immersion water supplied into the water tank may be any one of cleaning water, pure water, or functional water subjected to a predetermined process. The cleaning effect on the wafer surface is improved.
【００２１】機能水とは、主に純水を基にし特定の処理
を施したもので、パーティクル除去、金属不純物除去、
有機物除去、或は自然酸化膜除去や静電気除去等の機能
を持つ種々のものが選択できる。具体的には、例えば、
メガソニック（以下、ＭＳと記す）照射超純水や、オゾ
ン添加超純水、電解アノード水、電解カソード水、低溶
存酸素水、電気抵抗調整水、ＭＳ照射＋オゾン水、ＭＳ
照射＋アノード水、カソード水＋オゾン水、カソード水
＋低溶存酸素水、或はこれら機能水を組み合わせたもの
＋電気抵抗調整水等が挙げられる。The functional water is a water that has been subjected to a specific treatment mainly based on pure water.
Various substances having a function of removing organic substances, removing a natural oxide film, removing static electricity, and the like can be selected. Specifically, for example,
Megasonic (hereinafter referred to as MS) irradiation ultrapure water, ozone-added ultrapure water, electrolytic anode water, electrolytic cathode water, low dissolved oxygen water, electric resistance adjusted water, MS irradiation + ozone water, MS
Irradiation + anode water, cathode water + ozone water, cathode water + low-dissolved oxygen water, or a combination of these functional waters + electric resistance adjusting water.
【００２２】さらに、本発明においては、オアーバーフ
ロー方向は、ウエハ抜き出し方向に対して逆の方向であ
ることが望ましい。これは、溝内で浮上したウエハは、
オーバーフロー流方向にも付勢されるため、その付勢方
向に何も規制がなければそのまま水面上を移動してしま
い、ハンドリングロボットでのウエハ保持が困難になっ
てしまうためである。Further, in the present invention, it is desirable that the overbar flow direction is opposite to the wafer extracting direction. This is because the wafer that floated in the groove
This is because the wafer is also urged in the overflow flow direction, and if there is no restriction in the urged direction, it moves on the water surface as it is, making it difficult for the handling robot to hold the wafer.
【００２３】ウエハの抜き出しは、通常キャリヤの開放
端からハンドリングロボットの保持機構をキャリヤ内へ
進入させ、ウエハを保持した状態の保持機構を、進入方
向と逆方向へ戻すことによって行われる。この抜き出し
方向とオーバーフロー流の方向が一致すると、ウエハは
オーバーフロー流によって浮上すると共に引き抜き方向
へ移動し、キャリヤの外へ出てしまうが、オーバーフロ
ー方向を、抜き出し方向と逆方向となるように設定して
おけば、ウエハはキャリヤ内の奥側へ付勢され、常にキ
ャリヤ奥側の壁面に突き当たり、それ以上の移動は規制
され、常に水面上の一定位置に留まることになるため、
ハンドリングロボットによる保持が容易となる。The removal of the wafer is usually performed by moving the holding mechanism of the handling robot into the carrier from the open end of the carrier and returning the holding mechanism holding the wafer in the direction opposite to the direction of entry. When the direction of the extraction and the direction of the overflow flow coincide, the wafer floats by the overflow flow and moves in the extraction direction, and moves out of the carrier, but the overflow direction is set to be opposite to the extraction direction. If this is done, the wafer will be urged to the back side inside the carrier, and will always hit the wall surface on the back side of the carrier, further movement will be regulated, and will always remain at a certain position on the water surface,
The holding by the handling robot becomes easy.
【００２４】なお、本発明によるウエハローダは、ミラ
ーウエハ製造プロセスに限らず、ＳＯＩプロセスやデバ
イスのＣＭＰプロセス、またガラス基板、各種ディスク
等の研磨、洗浄工程など、各加工プロセスにおける工程
間でウエハ様の被加工物が表面濡れ状態で搬送・供給さ
れることが望ましいものであれば、広く応用可能であ
る。The wafer loader according to the present invention is not limited to a mirror wafer manufacturing process, but also includes a wafer-like process between each processing process such as an SOI process, a CMP process for a device, a polishing process for a glass substrate and various disks, and a cleaning process. If the workpiece is desirably transported and supplied in a wet state on the surface, it can be widely applied.
【００２５】[0025]
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態として、可
視光線を用いた光センサーによるウエハ検知機構を備え
たウエハローダを図１に示す。図１（ａ）及び（ｃ）は
各作業工程における概略正面断面図、（ｂ）及び（ｄ）
は各作業工程における上から見た概略平面図である。図
２はウエハ抜き取り時の概略側断面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows a wafer loader provided with a wafer detecting mechanism using an optical sensor using visible light as an embodiment of the present invention. 1 (a) and 1 (c) are schematic front sectional views in each operation step, and FIGS. 1 (b) and 1 (d).
FIG. 3 is a schematic plan view of each operation step as viewed from above. FIG. 2 is a schematic side sectional view at the time of wafer removal.
【００２６】本実施形態のウエハローダは、四角形状の
水槽１と、複数枚のウエハＷを縦方向に互いに平行な等
間隔を持って積層収納するハーフキャリヤ３を水槽１内
で昇降させるステージ機構２と、水槽１の上方のウエハ
取り出し位置Ｐで該位置ＰにあるウエハＷをハーフキャ
リヤ１１内から抜き出して次工程のための所定位置へ運
ぶハンドリングロボット２０とから主に構成されるもの
である。The wafer loader of the present embodiment has a stage mechanism 2 for raising and lowering a rectangular water tank 1 and a half carrier 3 for stacking and storing a plurality of wafers W at equal intervals parallel to each other in the vertical direction. And a handling robot 20 for extracting a wafer W at the position P above the water tank 1 from the half carrier 11 and transporting the wafer W to a predetermined position for the next process.
【００２７】ハーフキャリヤ３は、ウエハの略半分領域
を保持収容するものであって、キャリヤ内の互いに対面
する両側内壁面の対称位置に縦方向に並行に突設した複
数の突条によって両側内壁面で対向する複数段のウエハ
保持用溝４を形成したものである。この対向する溝４
に、ウエハ両側周縁部が挿入されることによってウエハ
Ｗがキャリヤ３内に保持される。The half carrier 3 holds and accommodates a substantially half area of the wafer. The half carrier 3 has a plurality of ridges projecting in parallel in the vertical direction at symmetrical positions on both inner wall surfaces facing each other in the carrier. A plurality of wafer holding grooves 4 facing each other on a wall surface are formed. This opposing groove 4
Then, the wafer W is held in the carrier 3 by inserting the peripheral portions on both sides of the wafer.
【００２８】一方、ステージ機構２は、ハーフキャリヤ
３ごと、キャリヤ最上部位置にあるウエハＷから下方へ
順次、浸漬水面上のウエハ取り出し位置Ｐに上昇させる
ものであり、少なくとも各ウエハ間隔毎に段階的な昇降
を制御できるものである。On the other hand, the stage mechanism 2 raises the half carrier 3 sequentially from the wafer W at the uppermost position of the carrier downward to the wafer take-out position P on the immersion water surface. It can control the vertical ascent and descent.
【００２９】また水槽１内には、装置系外の供給源（不
図示）から浸漬水が供給管６を通して噴射供給され、図
２に示すように、オーバーフロー状態で複数のウエハＷ
をキャリヤ３ごと浸漬する。その浸漬水供給量は、流量
制御部５を介して制御される。水槽上面でのオーバーフ
ロー流量は、浸漬水供給量によって決定するため、所望
のオーバーフロー流量は、流量制御部５での調整によっ
て得ることができる。Also, immersion water is injected and supplied into the water tank 1 from a supply source (not shown) outside the apparatus system through a supply pipe 6, and as shown in FIG.
Is immersed together with the carrier 3. The supply amount of the immersion water is controlled via the flow control unit 5. Since the overflow flow rate on the upper surface of the water tank is determined by the supply amount of the immersion water, a desired overflow flow rate can be obtained by adjusting the flow rate control unit 5.
【００３０】本実施形態では、ウエハ取り出し位置Ｐ
は、水槽１からオーバーフロー状態にある浸漬水面７位
置にほぼ一致するものとし、その時点で最も上位置にあ
る抜き出し対象のウエハＷのみが浸漬水面７上に抜き出
し方向（キャリヤ開放側）とは逆方向のオーバーフロー
流によって浮上し、それより下方にあるウエハＷは浸漬
水中に留まるものとする。In this embodiment, the wafer removal position P
Is almost coincident with the position of the immersion water surface 7 in the overflow state from the water tank 1, and only the wafer W to be extracted at the highest position at that time is on the immersion water surface 7 in the direction opposite to the extraction direction (carrier open side). It is assumed that the wafer W that floats by the overflow flow in the direction and is located below the wafer W stays in the immersion water.
【００３１】また、本実施例においては、ウエハ検知用
のセンサー機構として、水槽１内の浸漬水面７より下部
壁面に設けられた波長領域６００ｎｍ〜７００ｎｍの略
平行光波Ｌを射出する射出部１１と、水槽１外上部に設
けられ、射出部１１からの光波Ｌを受光あるいは不受光
の検知信号を制御部１０へ出力する受光部１２とを備え
ている。In the present embodiment, as a sensor mechanism for detecting a wafer, an emission unit 11 for emitting substantially parallel light waves L in a wavelength region of 600 nm to 700 nm provided on a lower wall surface from the immersion water surface 7 in the water tank 1 is provided. And a light receiving unit 12 that is provided outside and above the water tank 1 and outputs a detection signal of receiving or not receiving the light wave L from the emission unit 11 to the control unit 10.
【００３２】前記光波Ｌは、ウエハＷに対して不透過で
あると共に全く変質、変形等を生じせしめないものであ
る。また射出部１１は、取り出し位置ＰにあるウエハＷ
のハーフキャリヤ３から突出している略半分領域へ向け
て照射するものであり、受光部１２の入射部は、取り出
し位置ＰにウエハＷが存在しない時、前記略半分領域に
遮られることなくそのまま進む光波Ｌを受光するように
光路上の所定位置に配置されるものである。The light wave L is opaque to the wafer W and does not cause any deterioration or deformation. In addition, the injection unit 11 moves the wafer W
When the wafer W is not present at the take-out position P, the incident portion of the light receiving section 12 proceeds without being interrupted by the substantially half area. It is arranged at a predetermined position on the optical path so as to receive the light wave L.
【００３３】受光部１２から光波Ｌを受光したという検
知信号が出力されると、制御部１０は、取り出し位置Ｐ
に抜き出し対象のウエハＷが存在しないとしてステージ
機構２にキャリヤ３を上昇させる方向に駆動制御する指
令を出力する。When a detection signal indicating that the light wave L has been received is output from the light receiving section 12, the control section 10 sets the pick-up position P
, And outputs a command to the stage mechanism 2 to drive and control the carrier 3 in a direction to raise the carrier 3.
【００３４】このステージ機構２の駆動は、溝４の上下
間隔分づつの段階的上昇であり、ステージ機構２による
キャリヤ３の上昇は、ウエハＷが取り出し位置Ｐに達す
るまで段階的に上昇し続ける。キャリヤ３内のウエハＷ
が取り出し位置Ｐに達して光波Ｌが遮られ、受光部１２
から光波Ｌ不受光の検知信号が出力されると、制御部１
０は、ステージ機構２に上昇駆動を停止する指令を出力
し、その時点のキャリヤ３の位置決めを決定する。ここ
で、制御部１０はウエハＷが取り出し位置Ｐに存在する
として、ハンドリングロボット２０へ動作開始信号を出
力する。The driving of the stage mechanism 2 is a stepwise rise corresponding to the vertical interval of the groove 4, and the rise of the carrier 3 by the stage mechanism 2 continues to rise stepwise until the wafer W reaches the unloading position P. . Wafer W in carrier 3
Reaches the take-out position P, the light wave L is interrupted,
When a detection signal of light wave L non-reception is output from the
0 outputs a command to stop the ascending drive to the stage mechanism 2 to determine the positioning of the carrier 3 at that time. Here, the control unit 10 outputs an operation start signal to the handling robot 20 assuming that the wafer W exists at the unloading position P.
【００３５】ハンドリングロボット２０は、水平方向に
伸縮するアーム部２１の先端にクランプ機構２２を備え
ており、上記のごとく取り出し位置Ｐの浸漬水面７上に
浮上状態にあるウエハＷを、周縁部４点で好ましくは点
接触により保持するものである。クランプ機構２２は、
アーム部２１から水平方向に伸縮可能にアーム部先端に
取付けられた第１クランプ部２２ａと、第１クランプ部
２２ａに対して間隔を拡げ且つ狭められるように摺動す
る第２クランプ部２２ｂとで構成され、第１クランプ部
２２ａの先端下部に突設された２つのクランプ突起２３
ａと、第２クランプ部２２ｂの下部に突設された２つの
クランプ突起２３ｂとの間にウエハＷを挟持する。The handling robot 20 is provided with a clamp mechanism 22 at the tip of an arm portion 21 which expands and contracts in the horizontal direction, and moves the wafer W floating above the immersion water surface 7 at the take-out position P as described above. In terms of point, it is preferably held by point contact. The clamp mechanism 22
A first clamp portion 22a attached to the distal end of the arm portion so as to be able to expand and contract in the horizontal direction from the arm portion 21 and a second clamp portion 22b that slides so as to be wider and narrower than the first clamp portion 22a. And two clamp projections 23 projecting below the distal end of the first clamp portion 22a.
a and two clamp projections 23b projecting below the second clamp portion 22b.
【００３６】またこのクランプ機構２２は、アーム部２
１の伸張によって水槽１の上部へ移動され、第１クラン
プ部２２ａの位置決め後、第２クランプ部２２ｂがキャ
リヤ２内の対象ウエハＷ上をその表面に沿って移動し、
アーム部２１側のクランプ突起２３ａとこれに対向する
位置のクランプ突起２３ｂとでウエハＷを挟んで保持す
る。The clamp mechanism 22 is connected to the arm 2
1 is moved to the upper part of the water tank 1 by extension of the first clamp part 22a, and after the positioning of the first clamp part 22a, the second clamp part 22b moves on the target wafer W in the carrier 2 along the surface thereof,
The wafer W is held between the clamp projection 23a on the arm 21 side and the clamp projection 23b at a position facing the clamp projection 23a.
【００３７】このようにハンドリングロボット２０で実
際に浸漬水に接するのはクランプ突起（２３ａ，２３
ｂ）のみであるため、水槽１への汚染の問題は非常に小
さい。特に、クランプ突起（２３ａ，２３ｂ）の材質
に、不純物溶出のない、たとえば、ＰＥＥＫ（ポリエー
テルエーテルケトン）を用いることによって水槽１への
ハンドリングロボット２０からの汚染は極めて少なくな
る。As described above, the handling robot 20 actually comes into contact with the immersion water only by the clamp projections (23a, 23a).
Since only b), the problem of contamination of the water tank 1 is very small. In particular, by using PEEK (polyetheretherketone), which does not elute impurities, as the material of the clamp projections (23a, 23b), contamination of the water tank 1 from the handling robot 20 is extremely reduced.
【００３８】以上の構成を備えた本実施形態のウエハロ
ーダによるキャリヤ３からのウエハの抜き出し動作は以
下の通りである。まず、上記センサー機構によってウエ
ハの検知が開始される際には、その前に、図１（ａ），
（ｂ）に示すように、初期状態としてハーフキャリヤ３
内の全てのウエハＷが水槽１内水中に浸漬された状態、
即ち、ステージ機構２は、ハーフキャリヤ３を最下方位
置に下降させた状態となっている。The operation of extracting a wafer from the carrier 3 by the wafer loader of the present embodiment having the above configuration is as follows. First, before the detection of a wafer is started by the sensor mechanism, before the wafer detection is started, FIG.
As shown in (b), the half carrier 3 is set as an initial state.
A state in which all the wafers W are immersed in the water in the water tank 1;
That is, the stage mechanism 2 is in a state where the half carrier 3 is lowered to the lowermost position.
【００３９】このとき、ハーフキャリヤ３内で最上段に
あるウエハＷも浸漬水面７より下方にあり、取り出し位
置ＰにウエハＷは存在せず、センサー機構によるウエハ
検知を開始すると、射出部１１から射出された光波Ｌは
遮られるものもなくそのまま受光部１２で受光され、受
光に応じた検知信号が制御部１０に出力される。At this time, the uppermost wafer W in the half carrier 3 is also below the immersion water surface 7, no wafer W exists at the take-out position P, and when the wafer detection by the sensor mechanism is started, the injection unit 11 The emitted light wave L is received without any interruption by the light receiving unit 12, and a detection signal corresponding to the received light is output to the control unit 10.
【００４０】制御部１０は、取り出し位置Ｐに抜き出し
対象のウエハＷが存在しないとしてステージ機構２にキ
ャリヤ３を上昇させる方向に駆動制御する指令を出力
し、ステージ機構２は、制御部１０からの指令に応じて
キャリヤ３の上昇を開始する。図１（ｃ），（ｄ）に示
すように、ステージ機構２によるキャリヤ３の上昇に伴
って、最上段に収容されているウエハＷが光波Ｌの光路
を遮る取り出し位置Ｐに達すると、受光部１２は光波Ｌ
の不受光に応じた検知信号を制御部１０へ出力する。The control section 10 outputs a command to the stage mechanism 2 to drive and control the carrier 3 in a direction to raise the carrier 3 on the assumption that the wafer W to be unloaded is not present at the unloading position P. The ascent of the carrier 3 is started according to the command. As shown in FIGS. 1C and 1D, as the carrier 3 is raised by the stage mechanism 2, when the wafer W accommodated in the uppermost stage reaches the take-out position P where the optical path of the light wave L is blocked, light is received. The part 12 is a light wave L
And outputs a detection signal corresponding to the non-light reception to the control unit 10.
【００４１】制御部１０は、ウエハＷが取り出し位置Ｐ
に存在するものとしてステージ機構２に駆動停止指令を
出力すると共に、ハンドリングロボット２０へ駆動開始
指令を出力し、センサー機構によるウエハ検知を一時停
止する。ステージ機構２の駆動が停止し、取り出し位置
Ｐに位置するウエハＷは、オーバーフロー流により浸漬
水面７上に浮上状態でキャリヤ３内に留まっており、ハ
ンドリングロボット２０のクランプ機構２１の駆動によ
り、クランプ突起（２３ａ，２３ｂ）で周縁４点で挟持
され、キャリヤ３外へ抜き出され、次工程へ供給され
る。The control unit 10 determines that the wafer W is in the unloading position P
As a result, a drive stop command is output to the stage mechanism 2 and a drive start command is output to the handling robot 20 to temporarily stop wafer detection by the sensor mechanism. The drive of the stage mechanism 2 is stopped, and the wafer W located at the take-out position P remains in the carrier 3 in a floating state on the immersion water surface 7 due to the overflow flow, and is clamped by the driving of the clamp mechanism 21 of the handling robot 20. It is clamped at the four peripheral edges by the projections (23a, 23b), pulled out of the carrier 3, and supplied to the next step.
【００４２】このようにキャリヤ３内の最上段にあった
ウエハＷが抜き出され、次工程への移動が終了し、次の
ウエハＷ抜き出し作業を開始する時点で再びセンサー機
構によるウエハ検知を再会する。このとき、取り出し位
置Ｐに光波Ｌを遮るウエハＷが存在しなくなっており、
光波Ｌが再び受光部１２で受光され、その検知信号が制
御部１０に出力される。As described above, the wafer W on the uppermost stage in the carrier 3 is extracted, the movement to the next process is completed, and the wafer detection by the sensor mechanism is again performed when the next wafer W extraction operation is started. I do. At this time, the wafer W that blocks the light wave L does not exist at the take-out position P,
The light wave L is received by the light receiving unit 12 again, and the detection signal is output to the control unit 10.
【００４３】制御部１０は再びステージ機構２へキャリ
ヤ３を上昇させる方向へ駆動制御させる指令を出力し、
ステージ機構２は、次の段の溝４に収容されているウエ
ハＷが取り出し位置Ｐに達して光波Ｌを遮るまでキャリ
ヤ３を上昇させる。取り出し位置Ｐに達したウエハＷ
は、上記と同様にハンドリングロボット２０クランク機
構２１によって挟持され、キャリヤ３外へ抜き出され
る。The control unit 10 again outputs a command to the stage mechanism 2 to drive and control the carrier 3 in a direction to raise the carrier 3.
The stage mechanism 2 raises the carrier 3 until the wafer W accommodated in the next-stage groove 4 reaches the take-out position P and blocks the light wave L. Wafer W that has reached the unloading position P
Is gripped by the handling robot 20 crank mechanism 21 and pulled out of the carrier 3 in the same manner as described above.
【００４４】以上の動作が、キャリヤ３内の最下段に収
容されているウエハＷが抜き出され、次工程へ供給され
るまで繰り返される。The above operation is repeated until the wafer W stored in the lowermost stage in the carrier 3 is extracted and supplied to the next step.
【００４５】このように、本実施形態のウエハローダに
よれば、ハーフキャリヤ３内の複数枚のウエハＷに対す
る検知およびハンドリングロボットによる抜き出し作業
が自動化され、濡れ状態のウエハの効率的な工程間移動
が行える。As described above, according to the wafer loader of the present embodiment, the detection of a plurality of wafers W in the half carrier 3 and the unloading operation by the handling robot are automated, and the efficient movement of the wet wafer between processes can be performed. I can do it.
【００４６】なお、水槽１内へ供給される浸漬水には、
少なくとも清浄な超純水が用いられるが、よりウエハＷ
表面に付着している不純物の除去効果を高めるため、洗
浄水や予め定められた処理が施された機能水とすること
が好ましい。The immersion water supplied into the water tank 1 includes:
At least clean ultrapure water is used, but more wafer W
In order to enhance the effect of removing impurities adhering to the surface, it is preferable to use cleaning water or functional water that has been subjected to a predetermined treatment.
【００４７】機能水としては、例えば、メガソニック
（以下、ＭＳと記す）照射超純水や、オゾン添加超純
水、電解アノード水、電解カソード水、低溶存酸素水、
電気抵抗調整水、ＭＳ照射＋オゾン水、ＭＳ照射＋アノ
ード水、カソード水＋オゾン水、カソード水＋低溶存酸
素水、或はこれら機能水を組み合わせたもの＋電気抵抗
調整水等が挙げられる。Examples of the functional water include megasonic (hereinafter abbreviated as MS) irradiated ultrapure water, ozone-added ultrapure water, electrolytic anode water, electrolytic cathode water, low-dissolved oxygen water,
Electric resistance adjusting water, MS irradiation + ozone water, MS irradiation + anode water, cathode water + ozone water, cathode water + low dissolved oxygen water, or a combination of these functional waters + electric resistance adjusting water.
【００４８】[0048]
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明のウエハロ
ーダによれば、表面の濡れ状態を維持したままウエハを
次行程へ効率的に供給できるため、表面乾燥による汚れ
の固着で研磨や洗浄工程への負担が増すという問題が解
消されるだけでなく、他の待機中のキャリヤ内ウエハに
対して、浸漬水による洗浄効果が得られるという効果が
ある。As described above, according to the wafer loader of the present invention, the wafer can be efficiently supplied to the next process while maintaining the wet state of the surface. In addition to solving the problem that the load on the carrier increases, there is an effect that a cleaning effect of the immersion water can be obtained with respect to other wafers in the carrier during standby.
【図１】本発明の一実施の形態としてのウエハローダの
概略構成図であり、（ａ），（ｃ）は各作業過程におけ
る概略正面断面図であり、（ｂ），（ｄ）はそれぞれ各
作業過程における上から見た概略平面図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a wafer loader as one embodiment of the present invention, in which (a) and (c) are schematic front sectional views in each work process, and (b) and (d) are each It is the schematic plan view seen from the top in the work process.
【図２】図１のウエハローダの概略側面断面図である。FIG. 2 is a schematic side sectional view of the wafer loader of FIG. 1;
１：水槽 ２：ステージ機構 ３：ハーフキャリヤ ４：溝 ５：流量制御部 ６：供給管 ７：浸漬水面 Ｐ：ウエハ取り出し位置 Ｗ：ウエハ １０：制御部 １１：射出部 Ｌ：光波 １２：受光部 ２０：ハンドリングロボット ２１：アーム部 ２２：クランプ機構 ２２ａ：第１クランプ部 ２２ｂ：第２クランプ部 ２３ａ，２３ｂ：クランプ突起 1: water tank 2: stage mechanism 3: half carrier 4: groove 5: flow control unit 6: supply pipe 7: immersion water surface P: wafer removal position W: wafer 10: control unit 11: emission unit L: light wave 12: light receiving unit 20: Handling robot 21: Arm 22: Clamp mechanism 22a: First clamp 22b: Second clamp 23a, 23b: Clamp protrusion
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 健郎 群馬県安中市中野谷555番地の１ 株式会 社スーパーシリコン研究所内 (72)発明者 川副 公之 群馬県安中市中野谷555番地の１ 株式会 社スーパーシリコン研究所内 (72)発明者 波田野 光一 東京都港区港南３丁目５番16号 ラップマ スターエスエフティ株式会社内 (72)発明者 松本 康男 東京都港区港南３丁目５番16号 ラップマ スターエスエフティ株式会社内 (72)発明者 三浦 弘之 東京都港区港南３丁目５番16号 ラップマ スターエスエフティ株式会社内 Ｆターム(参考） 5F031 CA02 DA01 FA03 FA12 GA36 GA43 GA49 HA72 JA05 JA22 MA23 PA02 PA26 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Kenro Hayashi 555 Nakanoya, Nakanaka, Annaka City, Gunma Prefecture Inside the Super Silicon Research Laboratories Co., Ltd. 1. Inside Super Silicon Laboratories, Inc. (72) Inventor Koichi Hatano 3-5-16-1 Konan, Minato-ku, Tokyo Lapma Stars STF Co., Ltd. (72) Yasuo Matsumoto 3-5-1 Konan, Minato-ku, Tokyo No. Lapma Star SFT Co., Ltd. (72) Inventor Hiroyuki Miura 3-5-16 Konan, Minato-ku, Tokyo Flap term within the Lapma Star SFT Co., Ltd. 5F031 CA02 DA01 FA03 FA12 GA36 GA43 GA49 HA72 JA05 JA22 MA23 PA02 PA26
Claims (2)
る水槽と、 複数枚のウエハがそれぞれほぼ水平な状態で互いに平行
な間隔をあけて縦方向に積層収容されるウエハ収容キャ
リヤと、 該ウエハ収容キャリヤを前記水槽内で昇降可能に保持す
るステージ機構と、 水槽上方の予め定められたウエハ取り出し位置で、前記
ステージ機構によって上昇され位置決めされた前記キャ
リヤ内のウエハをキャリヤから抜き出し、次工程のため
の所定位置へ運ぶハンドリングロボットとを備え、前記
ウエハ取り出し位置が、抜き出し対象のウエハより下段
のウエハが水槽内の浸漬水中に浸漬状態となる位置に定
められているウエハローダであって、 前記ウエハ取り出し位置におけるウエハの存在の有無を
検知するセンサー機構を更に備え、 前記ステージ機構は、前記センサー機構による検知結果
に基づいて、前記ウエハ収容キャリヤの昇降制御を行う
ことを特徴とするウエハローダ。1. A water tank in which immersion water is supplied in an overflowable manner, a wafer storage carrier in which a plurality of wafers are stacked and stored in a vertical direction at parallel intervals with each other in a substantially horizontal state; A stage mechanism for holding the carrier so as to be able to move up and down in the water tank; and, at a predetermined wafer unloading position above the water tank, withdrawing the wafer in the carrier raised and positioned by the stage mechanism from the carrier. A handling robot that carries the wafer to a predetermined position, wherein the wafer removal position is set to a position where a wafer below the wafer to be extracted is immersed in immersion water in a water tank, wherein the wafer removal is performed. The stage further comprising a sensor mechanism for detecting the presence or absence of a wafer at the position; Structure, based on a detection result by the sensor mechanism, and performs elevation control of the wafer accommodating carrier loader.
半分が収容されるハーフキャリヤであり、 前記センサー機構は、前記予め定められたウエハ取り出
し位置のハーフキャリヤから突出するウエハ略半分相当
領域に対して、下方から所定波長領域のウエハ不透過光
波を照射する水槽***出部と、前記領域上方の前記光波
の進路上に配置された水槽外受光部とを有し、 前記ステージ機構は、前記取り出し位置に前記光波を遮
るウエハが存在せず、前記受光部が射出部からの光波を
検出したとき、その検出信号の出力結果に応じてキャリ
ヤを上昇させる方向に駆動するように制御され、前記取
り出し位置にウエハが達し、前記光波を遮り、前記受光
部から光波不検出の信号が出力されたとき、キャリヤ上
昇方向の駆動を停止するように制御されることを特徴と
する請求項１に記載のウエハローダ。2. The wafer-accommodating carrier is a half-carrier for accommodating substantially half of a wafer, and the sensor mechanism is configured to control an area corresponding to a substantially half of a wafer protruding from the half-carrier at the predetermined wafer unloading position. A light emitting unit for irradiating a wafer non-transmitted light wave in a predetermined wavelength region from below, and an out-of-water light receiving unit disposed on a path of the light wave above the region, When there is no wafer that blocks the light wave at the position and the light receiving unit detects the light wave from the emitting unit, the light receiving unit is controlled to drive in a direction to raise the carrier according to the output result of the detection signal, and the take-out is performed. When the wafer reaches the position, interrupts the light wave, and outputs a light wave non-detection signal from the light receiving unit, the drive in the carrier rising direction is controlled to be stopped. Loader according to claim 1, characterized in that.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13350299A JP2000323552A (en) | 1999-05-14 | 1999-05-14 | Wafer loader |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13350299A JP2000323552A (en) | 1999-05-14 | 1999-05-14 | Wafer loader |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323552A true JP2000323552A (en) | 2000-11-24 |
Family
ID=15106279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13350299A Ceased JP2000323552A (en) | 1999-05-14 | 1999-05-14 | Wafer loader |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000323552A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR100487427B1 (en) * | 2001-11-06 | 2005-05-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Sputter of manufacturing Liquid Crystal Display devices |
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-
1999
- 1999-05-14 JP JP13350299A patent/JP2000323552A/en not_active Ceased
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