JP2000323372A - Proximity effect correcting method and manufacture of semiconductor element using the same - Google Patents
Proximity effect correcting method and manufacture of semiconductor element using the sameInfo
- Publication number
- JP2000323372A JP2000323372A JP11126659A JP12665999A JP2000323372A JP 2000323372 A JP2000323372 A JP 2000323372A JP 11126659 A JP11126659 A JP 11126659A JP 12665999 A JP12665999 A JP 12665999A JP 2000323372 A JP2000323372 A JP 2000323372A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- exposure
- proximity effect
- electron beam
- particle beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、同一のデバイス層
を光露光及び荷電粒子ビーム露光の両方を用いて形成す
るいわゆる同層ミックス・アンド・マッチ式のリソグラ
フィにおける近接効果補正方法に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a proximity effect correction method in so-called same-layer mix-and-match lithography, in which the same device layer is formed using both light exposure and charged particle beam exposure.
【０００２】[0002]
【従来の技術】光露光と電子ビーム露光のミックス・ア
ンド・マッチでデバイスパターンを形成する場合の近接
効果補正方法としては、電子ビーム露光で形成するパタ
ーンについては、パターンに応じてドーズを変化させる
方法により補正し、光露光で露光するパターンについて
は、マスク上のパターン寸法をリサイズする方法により
補正するものが知られている。2. Description of the Related Art As a proximity effect correction method for forming a device pattern by mixing and matching of light exposure and electron beam exposure, the dose of a pattern formed by electron beam exposure is changed according to the pattern. With respect to a pattern that is corrected by a method and exposed by light exposure, a pattern that is corrected by a method of resizing a pattern dimension on a mask is known.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上記の近接効果補正方
法は、電子ビーム露光がポイントビームや可変成形ビー
ムを用いる描画方式の場合は可能である。しかしなが
ら、マスク上のパターンを一括して転写する方式の場合
は事実上実行不可能である。本発明は、このような問題
点に鑑みてなされたもので、光露光と荷電粒子ビーム露
光の同層ミックス・アンド・マッチ露光に適し、近接効
果を高精度で補正できるとともに、スループットの高い
ウエハ露光にも適用可能な近接効果補正方法を提供する
ことを目的とする。The above-described proximity effect correction method is possible when the electron beam exposure is a drawing method using a point beam or a variable shaped beam. However, the method of transferring the pattern on the mask collectively is practically impossible. The present invention has been made in view of such a problem, and is suitable for the same layer mix-and-match exposure of light exposure and charged particle beam exposure. An object of the present invention is to provide a proximity effect correction method applicable to exposure.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】上
記課題を解決するため、本発明の近接効果補正方法は、
リソグラフィ手法で形成するデバイスの同一層内におい
て光露光と荷電粒子ビーム露光の双方を用いてパターン
形成する際に近接効果を補正する方法であって；光露光
により形成したパターンと荷電粒子ビーム露光により形
成したパターンに及ぼす荷電粒子線の後方散乱粒子線の
近接効果を同一の方法で補正することを特徴とする。Means for Solving the Problems and Embodiments of the Invention In order to solve the above problems, a proximity effect correction method according to the present invention comprises:
A method for correcting the proximity effect when forming a pattern using both light exposure and charged particle beam exposure in the same layer of a device formed by a lithographic method; the pattern formed by light exposure and the charged particle beam exposure The proximity effect of the backscattered particle beam of the charged particle beam on the formed pattern is corrected by the same method.
【０００５】本発明の近接効果補正方法においては、後
方散乱粒子線量を被露光面内で均一化することにより近
接効果を補正することができる。例えば加速電圧が５０
KV以上の電子ビームの場合は、近接効果の大部分は、場
所によって後方散乱電子線量に差が出ることに起因す
る。この後方散乱電子量を補正する方法は、光で形成し
たパターンも電子ビームで形成したパターンにも共通に
適用できる。補正露光は、それ用のマスクを作成して光
露光により行うこともできる。この方法はドーズを調整
して補正する方法ではないので、電子ビーム露光のパタ
ーン形成が縮小転写であっても問題なく適用できる。In the proximity effect correction method of the present invention, the proximity effect can be corrected by making the backscattered particle dose uniform within the surface to be exposed. For example, if the acceleration voltage is 50
For electron beams above KV, most of the proximity effect is due to differences in backscattered electron dose from place to place. This method of correcting the amount of backscattered electrons can be commonly applied to a pattern formed by light and a pattern formed by an electron beam. Correction exposure can also be performed by light exposure after preparing a mask for it. Since this method is not a method of correcting the dose by adjusting the dose, it can be applied without any problem even if the pattern formation of the electron beam exposure is the reduction transfer.
【０００６】あるいは、マスク上のパターン寸法を局部
的にリサイズすることにより近接効果を補正することも
できる。この場合も、光露光パターン及び荷電粒子ビー
ム露光パターンの双方に同一の補正方法を使えるので、
補正パラメータを従来のようにリサイズとドーズ補正の
２種類用意する必要もなく、高精度の補正を容易に行う
ことができる。本発明の半導体素子製造方法は、同一層
内で光露光と荷電粒子ビーム露光の双方を行うリソグラ
フィ手法で形成する層を少なくとも一層以上有する半導
体素子の製造方法であって、光露光により形成したパタ
ーンと荷電粒子ビーム露光により形成したパターンに及
ぼす荷電粒子線の後方散乱粒子線の近接効果を同一の方
法で補正することを特徴とする。Alternatively, the proximity effect can be corrected by locally resizing the pattern dimension on the mask. Also in this case, since the same correction method can be used for both the light exposure pattern and the charged particle beam exposure pattern,
It is not necessary to prepare two types of correction parameters, that is, resizing and dose correction as in the related art, and highly accurate correction can be easily performed. The method for manufacturing a semiconductor device of the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device having at least one layer formed by a lithography technique in which both light exposure and charged particle beam exposure are performed in the same layer. And the proximity effect of the backscattered particle beam of the charged particle beam on the pattern formed by the charged particle beam exposure is corrected by the same method.
【０００７】以下、図面を参照しつつ説明する。図１
は、本発明の１実施例に係る近接効果補正方法を説明す
るための図である。（Ａ）は模式的なパターン配置を示
す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿ったド
ーズ分布を示す模式的なグラフである。この例では、比
較的幅広（例えば１．０μm ）のラインパターン１、５
と、比較的幅狭（例えば０．１μm ）のラインパターン
３、４が存在する。幅広のパターン１、５は光露光で形
成し、幅狭のパターン３、４は電子ビーム露光で形成す
る。Hereinafter, description will be made with reference to the drawings. FIG.
FIG. 3 is a diagram for explaining a proximity effect correction method according to one embodiment of the present invention. (A) is a plan view showing a schematic pattern arrangement, and (B) is a schematic graph showing a dose distribution along the line BB of (A). In this example, relatively wide (for example, 1.0 μm) line patterns 1 and 5 are used.
The line patterns 3 and 4 having a relatively narrow width (for example, 0.1 μm) exist. The wide patterns 1 and 5 are formed by light exposure, and the narrow patterns 3 and 4 are formed by electron beam exposure.
【０００８】図１（Ａ）のＢ−Ｂ線におけるドーズ分布
は図１（Ｂ）に示すように、各光露光パターン１に対応
した部位の柱状のドーズ１５と、電子ビーム露光パター
ン１３に対応した部位のドーズ１７がある。さらに、電
子ビーム露光時の後方散乱電子量に対応したバックグラ
ウンドドーズ６がのる。このバックグラウンドドーズ６
は、電子ビーム露光パターン１３と、その光露光パター
ン２に加わっている。このままでは、電子ビーム露光パ
ターン３に近い光露光パターン２のドーズ１６が他より
大きくなって、同パターン２の線幅が広くなる。また、
電子ビーム露光パターン１３は、中央部と周辺部でドー
ズが異なり該パターン１３の線幅が異なってくる。As shown in FIG. 1B, the dose distribution at the line BB in FIG. 1A corresponds to the columnar dose 15 at the portion corresponding to each light exposure pattern 1 and the electron beam exposure pattern 13. There is a dose 17 at the site. Further, a background dose 6 corresponding to the amount of backscattered electrons at the time of electron beam exposure is applied. This background dose 6
Are added to the electron beam exposure pattern 13 and its light exposure pattern 2. In this state, the dose 16 of the light exposure pattern 2 close to the electron beam exposure pattern 3 becomes larger than the others, and the line width of the pattern 2 becomes wider. Also,
The dose of the electron beam exposure pattern 13 is different between the central portion and the peripheral portion, and the line width of the pattern 13 is different.
【０００９】この問題を回避するため、パターン領域全
体を、電子ビーム露光の後方散乱電子の拡がり幅より十
分小さい区域８、９、１１、１２等に区域分けを行い、
各区域あるいはその近傍を含めて電子ビーム露光パター
ンの面積率を算出し、それらの各区域での後方散乱電子
量を算出する。これらの量が転写領域全体で一様になる
よう補正露光を行って、点線１４で示した点線のドーズ
を与える。ここで電子ビーム露光パターンが密な区域
（パターン１３の中央部）での補正露光量が０になるよ
う全体の補正露光量を決定することができる。補正露光
は、補正用のマスクを作成して光露光によりウエハ毎に
行うことができる。補正用マスクのパターン形状の決定
方法については、特開平９−１８０９７８号の方法によ
ることができる。In order to avoid this problem, the entire pattern region is divided into regions 8, 9, 11, 12 and the like which are sufficiently smaller than the spread width of the backscattered electrons in the electron beam exposure.
The area ratio of the electron beam exposure pattern including each area or its vicinity is calculated, and the backscattered electron amount in each area is calculated. Correction exposure is performed so that these amounts become uniform over the entire transfer area, and a dotted dose indicated by a dotted line 14 is given. Here, the entire correction exposure amount can be determined so that the correction exposure amount in an area where the electron beam exposure pattern is dense (the central portion of the pattern 13) becomes zero. The correction exposure can be performed for each wafer by forming a correction mask and performing light exposure. The method of determining the pattern shape of the correction mask can be based on the method disclosed in JP-A-9-18097.
【００１０】本実施例の後方散乱電子量を補正する方法
は、光で形成したパターンも電子ビームで形成したパタ
ーンも共通に適用できる。また、この方法は、ドーズを
調整して補正する方法ではないので、電子ビーム露光の
パターン形成が縮小転写であっても問題なく適用でき
る。The method for correcting the amount of backscattered electrons in this embodiment can be applied to both a pattern formed by light and a pattern formed by an electron beam. Further, since this method is not a method of correcting the dose by adjusting the dose, the method can be applied without any problem even if the pattern formation of the electron beam exposure is reduced transfer.
【００１１】図２は、本発明の他の１実施例に係る近接
効果補正方法を説明するための図である。（Ａ）は模式
的なパターン配置を示す平面図であり、（Ｂ）は後方散
乱電子量とリサイズ量との関係を示すグラフである。こ
の例でも比較的幅広のラインパターン３１、３５と比較
的幅狭のラインパターン３３、４４が存在する。幅広の
パターン３１、３５は光露光で形成し、幅狭のパターン
３３、４４は電子ビーム露光で形成する。FIG. 2 is a diagram for explaining a proximity effect correction method according to another embodiment of the present invention. (A) is a plan view showing a schematic pattern arrangement, and (B) is a graph showing the relationship between the amount of backscattered electrons and the amount of resizing. Also in this example, there are relatively wide line patterns 31, 35 and relatively narrow line patterns 33, 44. The wide patterns 31 and 35 are formed by light exposure, and the narrow patterns 33 and 44 are formed by electron beam exposure.
【００１２】この方法は、電子ビーム露光部のパターン
密度分布が比較的均一であり、近接効果が著しくない場
合に特に有効である。そこで、補正露光をウエハ毎に行
う方法を採らず、マスク上のパターンの寸法を、近接効
果を補正する方向に太らせたり痩せさせたりする方法
（リサイズ）により近接効果を補正する。This method is particularly effective when the pattern density distribution of the electron beam exposure portion is relatively uniform and the proximity effect is not significant. Therefore, the proximity effect is corrected by a method (resize) of increasing or decreasing the dimension of the pattern on the mask in the direction in which the proximity effect is corrected, without using the method of performing the correction exposure for each wafer.
【００１３】具体的には、まず非露光領域を後方散乱電
子の拡がり半径より十分小さい寸法を持つ複数の区域２
１、２２、２３等に分割し、各区域で電子ビーム露光パ
ターンの面積率を算出し、各区域での後方散乱電子によ
るドーズ量をその区域での上記面積率と、その近傍での
面積率に重みをかけた値とから算出する。このような方
法の詳細は特開平９−１８０９７８号や１０−９０８７
８号に開示されている方法を応用することができる。さ
らに、そのような方法の具体例について後述する。More specifically, first, the non-exposed area is divided into a plurality of areas 2 having a size sufficiently smaller than the spread radius of the backscattered electrons.
1, 22, 23, etc., the area ratio of the electron beam exposure pattern in each area is calculated, and the dose due to backscattered electrons in each area is calculated as the area ratio in the area and the area rate in the vicinity thereof. Is calculated from the weighted value. Details of such a method are described in JP-A-9-180978 and 10-9087.
No. 8 can be applied. Further, specific examples of such a method will be described later.
【００１４】図２（Ｂ）は実験によって得られた、後方
散乱電子量とリサイズ量との関係を示すグラフの一例で
ある。横軸は後方散乱電子量を表し、最も後方散乱電子
量の多い区域を１００％とし、他はその区域との％を表
している。縦軸はリサイズ量（マスク上のパターン寸法
をいくら変えると正しい転写パターン寸法が得られる
か）を示す。この例では、後方散乱電子量０の区域でパ
ターンを５％太らせる。そして後方散乱電子量３５％の
区域ではパターンはそのままとする。後方散乱電子量１
００％の区域では６％パターンを痩せさせる。FIG. 2B is an example of a graph showing the relationship between the amount of backscattered electrons and the amount of resize obtained by experiments. The horizontal axis represents the amount of backscattered electrons, and the area with the largest amount of backscattered electrons is defined as 100%, and the others represent% with that area. The vertical axis indicates the resize amount (how much the pattern size on the mask can be changed to obtain the correct transfer pattern size). In this example, the pattern is thickened by 5% in an area where the amount of backscattered electrons is 0. The pattern is left as it is in the area of the backscattered electron amount of 35%. Backscattered electron quantity 1
In the area of 00%, the pattern is thinned by 6%.
【００１５】この実施例では、マスク上のパターン寸法
を局部的にリサイズするので、光露光パターンと電子ビ
ーム露光パターンの双方に同一の補正方法を使え、補正
パラメータをリサイズとドーズ補正の２種類用意する必
要もなく、高精度の補正を容易に行うことができる。In this embodiment, since the pattern size on the mask is locally resized, the same correction method can be used for both the light exposure pattern and the electron beam exposure pattern, and two types of correction parameters, resize and dose correction, are prepared. This makes it possible to easily perform highly accurate correction.
【００１６】次にマスク上のパターンをリサイズする方
法の例を説明する。図３は、本発明の１実施例に係る近
接効果補正方法を組み込んだパターン転写用マスク作製
と同マスクを用いるウエハ転写露光のフローチャートで
ある。まず、レジスト塗布済のマスク基板を準備し（５
１）、この基板のレジスト上に電子ビーム描画によりマ
スクパターンを描く（５２）。Next, an example of a method for resizing a pattern on a mask will be described. FIG. 3 is a flow chart of the fabrication of a pattern transfer mask incorporating the proximity effect correction method according to one embodiment of the present invention and the wafer transfer exposure using the same mask. First, a resist-coated mask substrate is prepared (5.
1) A mask pattern is drawn on the resist of this substrate by electron beam drawing (52).
【００１７】次に、別途作成しておいた近接効果補正用
マスク（５４、作成方法後述）を用いて（５４）、パタ
ーン転写用マスクの補正露光を行う（５３）。この際
に、マスク上に形成されるパターンが、後のウエハへの
電子ビーム転写時の近接効果の分も上乗せして補正され
た（過剰補正された）ものとなるように、補正マスクの
パターン及び露光量を決定する。その後、現像（５
５）、エッチング（５６）を経て、近接効果補正織り込
み済のパターン転写用マスクが完成する（５７）。そし
て、このパターン転写用マスクを用いてウエハ上への電
子ビーム転写を行う（５８）。この一回の転写露光で、
マスク描画時及び電子ビーム転写時の近接効果補正をも
含んだ露光を行うことができる。Next, using a proximity effect correction mask (54, a method of which will be described later) prepared separately (54), the pattern transfer mask is corrected and exposed (53). At this time, the pattern of the correction mask is adjusted so that the pattern formed on the mask is corrected (excessively corrected) by adding the proximity effect at the time of electron beam transfer to the wafer later. And the exposure amount. Then, develop (5
5) After etching (56), a pattern transfer mask in which the proximity effect correction weaving has been completed is completed (57). Then, electron beam transfer onto the wafer is performed using this pattern transfer mask (58). In this one transfer exposure,
Exposure including proximity effect correction during mask drawing and electron beam transfer can be performed.
【００１８】図４は、本発明の１実施例で用いる近接効
果補正用マスクの作成方法を説明するための図である。
（ａ）はパターンの平面図であり、（ｂ）は各区域の補
正基準面積を示す。転写を行う場合の電子ビームの加速
電圧を１００kVと仮定して後方散乱電子の拡がり幅を６
０μm とした。そして、マスクを一点鎖線の区切りで示
す５μm ×５μm の区域に分割した。このパターン中に
は、右側に大きい長方形のパターン８３があり、左側に
高密度の線状のパターン８１がある。また、５０nmのＭ
ｏの下地パターン８５、８７（上下に延びる帯状）が形
成されている。各区域で非露光部の面積は、７１、７４
で示した区域では非露光部の面積は０である。７５、７
６、７７で示した区域では、非露光部の面積は最大にな
っている。FIG. 4 is a diagram for explaining a method of forming a proximity effect correction mask used in one embodiment of the present invention.
(A) is a plan view of a pattern, and (b) shows a correction reference area of each area. Assuming that the accelerating voltage of the electron beam at the time of transfer is 100 kV, the spread width of the backscattered electrons is 6
It was set to 0 μm. Then, the mask was divided into 5 μm × 5 μm areas indicated by dashed lines. In this pattern, there is a large rectangular pattern 83 on the right side, and a high-density linear pattern 81 on the left side. Also, the 50 nm M
The base patterns 85 and 87 of o (a strip extending vertically) are formed. The area of the non-exposed part in each area is 71, 74
In the area indicated by, the area of the non-exposed portion is 0. 75, 7
In the areas indicated by reference numerals 6 and 77, the area of the non-exposed portion is maximized.
【００１９】各区域でＳ1 ：下地パターンのない領域の
面積（例えば図で右下がりのハッチング部）、Ｓ2 ：非
露光部分の面積（図で左下がりのハッチング部）を全区
域について計算し、（Ｓ1 Ｋ1 ＋Ｓ2 ）の値を算出し
た。ここでＫ1 は０．５とする。最小線幅のパターンを
含み且つ（Ｓ1 Ｋ1 ＋Ｓ2 ）の値が最小となる区域（図
で７２と７３）での値０．６を得る。各区域での（Ｓ1
Ｋ1 ＋Ｓ2 ）の値から０．６を引いた値を（ｂ）に示
す。例えば区域７１、７４では０．２となり０．６を引
くと−０．４となるが、負の領域では０とする。このよ
うな数字に比例した大きさの開口を各区域の中央に設け
た近接効果補正用マスクを作製し、このマスクを用いて
転写時の後方散乱電子の拡がり程度のボケを持つビーム
で転写用マスクに補正露光を行う。In each area, S 1 : the area of a region without a base pattern (for example, a hatched portion falling to the right in the figure), and S 2 : the area of a non-exposed portion (a hatched portion to the left in the figure) is calculated for all the areas. , (S 1 K 1 + S 2 ) were calculated. Here K 1 is set to 0.5. A value 0.6 is obtained in an area (72 and 73 in the figure) including the pattern of the minimum line width and having the minimum value of (S 1 K 1 + S 2 ). (S 1 in each area
The value obtained by subtracting 0.6 from the value of (K 1 + S 2 ) is shown in FIG. For example, in the areas 71 and 74, it becomes 0.2, and when 0.6 is subtracted, it becomes -0.4, but in a negative area, it becomes 0. Producing a proximity effect correction mask in which an opening having a size proportional to such a number is provided in the center of each area, and using this mask, a beam having a blur that is about the extent of backscattered electrons spreading during transfer is used for transfer. Corrective exposure is performed on the mask.
【００２０】このようにして作成したパターン転写用マ
スクを用い、電子ビーム縮小転写装置を用いてウエハへ
転写露光すると、ウエハ上で近接効果が適正に補正され
たパターンを得ることができる。上記の実測による適正
露光強さの決め方は次のとおりである。まず、特開平５
−１７５１１０号の方法で、図４（ｂ）に示した値に比
例した面積を持つ穴を各区域に設けた補正用マスクを作
り、露光時間を５段階変えた値で補正露光を行い、５種
類のパターン転写用マスクを得る。この５種類のマスク
を用いて電子ビーム転写を行い、得られた５種類のパタ
ーンの近接効果の補正の程度から、パターン転写用マス
ク作成時の補正露光の最適強度を求める。When the pattern transfer mask thus prepared is transferred and exposed to a wafer by using an electron beam reduction transfer apparatus, a pattern on which the proximity effect is properly corrected can be obtained on the wafer. The method of determining the appropriate exposure intensity based on the above actual measurement is as follows. First, JP-A-5
According to the method of No. 175110, a correction mask having holes in each area having an area proportional to the value shown in FIG. 4B is formed, and correction exposure is performed by changing the exposure time by five steps. Various types of pattern transfer masks are obtained. Electron beam transfer is performed using these five types of masks, and the optimum intensity of the correction exposure at the time of creating the pattern transfer mask is determined from the degree of correction of the proximity effect of the obtained five types of patterns.
【００２１】次に上記説明した近接効果補正方法を利用
したデバイス製造方法の１実施例を説明する。図５は、
微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パ
ネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の
製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）では、半
導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製
作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製
作する。この時、光パターン及び電子ビームパターンに
ついて局部的にリサイズを施すことにより近接効果の補
正を行ってもよい。Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described proximity effect correction method will be described. FIG.
The flow of manufacturing micro devices (semiconductor chips such as ICs and LSIs, liquid crystal panels, CCDs, thin-film magnetic heads, micromachines, etc.) is shown. In step 1 (circuit design), a circuit of a semiconductor device is designed. Step 2 (mask fabrication) forms a mask on which the designed circuit pattern is formed. At this time, the proximity effect may be corrected by locally resizing the light pattern and the electron beam pattern.
【００２２】一方、ステップ３（ウエハ製造）では、シ
リコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（酸化）では、ウエハの表面を酸化させる。ステップ５
（ＣＶＤ）では、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステ
ップ６（電極形成）では、ウエハ上に電極を蒸着によっ
て形成する。ステップ７（イオン打ち込み）では、ウエ
ハにイオンを打ち込む。ステップ８（レジスト処理）で
は、ウエハに感光剤を塗布する。ステップ９（電子ビー
ム露光）では、ステップ２で作ったマスクを用いて電子
ビーム転写装置によって、マスクの回路パターンをウエ
ハに焼付露光する。ステップ１０（光露光）では、同じ
くステップ２で作った光露光用マスクを用いて、光ステ
ッパーによってマスクの回路パターンをウエハに焼付露
光する。この前又は後に、電子ビームの後方散乱電子を
均一化する近接効果補正露光を行ってもよい。On the other hand, in step 3 (wafer manufacturing), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4
In (oxidation), the surface of the wafer is oxidized. Step 5
In (CVD), an insulating film is formed on the wafer surface. Step 6 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. Step 7 (ion implantation) implants ions into the wafer. In step 8 (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. In step 9 (electron beam exposure), the circuit pattern of the mask is printed and exposed on the wafer by the electron beam transfer device using the mask created in step 2. In step 10 (light exposure), the circuit pattern of the mask is printed and exposed on the wafer by the optical stepper using the light exposure mask similarly formed in step 2. Before or after this, proximity effect correction exposure for equalizing the backscattered electrons of the electron beam may be performed.
【００２３】ステップ１１（現像）では、露光したウエ
ハを現像する。ステップ１２（エッチング）では、レジ
スト像以外の部分を選択的に削り取る。ステップ１３
（レジスト剥離）では、エッチングがすんで不要となっ
たレジストを取り除く。ステップ４からステップ１３を
繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パタ
ーンが形成される。In step 11 (development), the exposed wafer is developed. In step 12 (etching), portions other than the resist image are selectively removed. Step 13
In (resist removal), the unnecessary resist after etching is removed. By repeatedly performing steps 4 to 13, multiple circuit patterns are formed on the wafer.
【００２４】ステップ１４（組立）は、後工程と呼ば
れ、上の工程によって作製されたウエハを用いて半導体
チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシン
グ、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ１５（検査）では、ステ
ップ１４で作製された半導体デバイスの動作確認テス
ト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て
半導体デバイスが完成しこれが出荷（ステップ１６）さ
れる。Step 14 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced by the above process, and includes an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). And the like. In step 15 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 14 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 16).
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、光露光と荷電粒子ビーム露光のミックス・ア
ンド・マッチ露光に適し、近接効果を高精度で補正でき
るとともに、スループットの高いウエハ露光にも適用可
能な近接効果補正方法を提供できる。As is apparent from the above description, according to the present invention, the present invention is suitable for mix-and-match exposure of light exposure and charged particle beam exposure, and can correct the proximity effect with high accuracy and achieve high throughput. A proximity effect correction method applicable to wafer exposure can be provided.
【図１】本発明の１実施例に係る近接効果補正方法を説
明するための図である。（Ａ）は模式的なパターン配置
を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿っ
たドーズ分布を示す模式的なグラフである。FIG. 1 is a diagram for explaining a proximity effect correction method according to one embodiment of the present invention. (A) is a plan view showing a schematic pattern arrangement, and (B) is a schematic graph showing a dose distribution along the line BB of (A).
【図２】本発明の他の１実施例に係る近接効果補正方法
を説明するための図である。（Ａ）は模式的なパターン
配置を示す平面図であり、（Ｂ）は後方散乱電子量とリ
サイズ量との関係を示すグラフである。FIG. 2 is a diagram for explaining a proximity effect correction method according to another embodiment of the present invention. (A) is a plan view showing a schematic pattern arrangement, and (B) is a graph showing the relationship between the amount of backscattered electrons and the amount of resizing.
【図３】本発明の１実施例に係る近接効果補正方法を組
み込んだパターン転写用マスク作製と同マスクを用いる
ウエハ転写露光のフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart of manufacturing a pattern transfer mask incorporating the proximity effect correction method according to one embodiment of the present invention and wafer transfer exposure using the same mask.
【図４】本発明の１実施例で用いる近接効果補正用マス
クの作成方法を説明するための図である。（ａ）はパタ
ーンの平面図であり、（ｂ）は各区域の補正基準面積を
示す。FIG. 4 is a diagram for explaining a method of creating a proximity effect correction mask used in one embodiment of the present invention. (A) is a plan view of a pattern, and (b) shows a correction reference area of each area.
【図５】ウエハプロセスの詳細を含むデバイス製造のフ
ローを示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a flow of device manufacturing including details of a wafer process.
１、２、５ 光露光パターン ３、４、１３ 電子
ビーム露光パターン ６ バックグラウンドドーズ ８、９、１１、１２ 区域 １４ 補正露光ドー
ズ １５、１６、１７ ドーズ ２１、２２、２３ 区域 ３１、３５ 幅広のラインパターン ３３、４４ 幅
狭のラインパターン1, 2, 5 light exposure pattern 3, 4, 13 electron beam exposure pattern 6 background dose 8, 9, 11, 12 area 14 correction exposure dose 15, 16, 17 dose 21, 22, 23 area 31, 35 wide Line pattern 33, 44 Narrow line pattern
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｓ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/30 541S
Claims (5)
同一層内において光露光と荷電粒子ビーム露光の双方を
用いてパターン形成する際に近接効果を補正する方法で
あって；光露光により形成したパターンと荷電粒子ビー
ム露光により形成したパターンに及ぼす荷電粒子線の後
方散乱粒子線の近接効果を同一の方法で補正することを
特徴とする近接効果補正方法。1. A method for correcting a proximity effect when forming a pattern by using both light exposure and charged particle beam exposure in the same layer of a device formed by a lithography method; A proximity effect correction method, wherein the proximity effect of a backscattered particle beam of a charged particle beam on a pattern formed by charged particle beam exposure is corrected by the same method.
の双方を行うリソグラフィ手法で形成する層を少なくと
も一層以上有する半導体素子の製造方法であって、 光露光により形成したパターンと荷電粒子ビーム露光に
より形成したパターンに及ぼす荷電粒子線の後方散乱粒
子線の近接効果を同一の方法で補正することを特徴とす
る半導体素子製造方法。2. A method for manufacturing a semiconductor device having at least one layer formed by a lithography method for performing both light exposure and charged particle beam exposure in the same layer, comprising: a pattern formed by light exposure and a charged particle beam. A method of manufacturing a semiconductor device, wherein a proximity effect of a backscattered particle beam of a charged particle beam on a pattern formed by exposure is corrected by the same method.
することにより補正することを特徴とする請求項１記載
の近接効果補正方法又は請求項２記載の半導体素子製造
方法。3. The proximity effect correction method according to claim 1, wherein the backscattering particle dose is corrected by equalizing the dose in the surface to be exposed.
イズすることにより補正することを特徴とする請求項１
記載の近接効果補正方法又は請求項２記載の半導体素子
製造方法。4. The correction according to claim 1, wherein the pattern size on the mask is locally resized.
3. The method for correcting a proximity effect according to claim 2, or the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 2.
圧の電子線の感応基板上における後方散乱電子の拡り寸
法をマスク上の寸法に換算した寸法より小さい区域に区
分けし、上記区域単位で後方散乱電子量から局部的リサ
イズ量を求めることを特徴とする請求項１記載の近接効
果補正方法又は請求項２記載の半導体素子製造方法。5. A pattern region on a mask is divided into regions smaller than a size obtained by converting a spread size of backscattered electrons on a substrate sensitive to an electron beam of the acceleration voltage into a size on a mask, and is divided into the above-mentioned area units. 3. The proximity effect correction method according to claim 1, wherein the local resize amount is obtained from the backscattered electron amount.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11126659A JP2000323372A (en) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | Proximity effect correcting method and manufacture of semiconductor element using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11126659A JP2000323372A (en) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | Proximity effect correcting method and manufacture of semiconductor element using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323372A true JP2000323372A (en) | 2000-11-24 |
Family
ID=14940702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11126659A Pending JP2000323372A (en) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | Proximity effect correcting method and manufacture of semiconductor element using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000323372A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003052803A1 (en) * | 2001-12-04 | 2003-06-26 | Sony Corporation | Mask and method for making the same, and method for making semiconductor device |
| CN100378983C (en) * | 2004-06-14 | 2008-04-02 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | Semiconductor unit |
| JP2008235909A (en) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Asml Netherlands Bv | Uniform background radiation of maskless lithography |
| WO2015108015A1 (en) * | 2014-01-20 | 2015-07-23 | 東京エレクトロン株式会社 | Exposure device, method for forming resist pattern, and storage medium |
-
1999
- 1999-05-07 JP JP11126659A patent/JP2000323372A/en active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003052803A1 (en) * | 2001-12-04 | 2003-06-26 | Sony Corporation | Mask and method for making the same, and method for making semiconductor device |
| US6955993B2 (en) | 2001-12-04 | 2005-10-18 | Sony Corporation | Mask and method for making the same, and method for making semiconductor device |
| CN100378983C (en) * | 2004-06-14 | 2008-04-02 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | Semiconductor unit |
| JP2008235909A (en) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Asml Netherlands Bv | Uniform background radiation of maskless lithography |
| WO2015108015A1 (en) * | 2014-01-20 | 2015-07-23 | 東京エレクトロン株式会社 | Exposure device, method for forming resist pattern, and storage medium |
| JP2015156472A (en) * | 2014-01-20 | 2015-08-27 | 東京エレクトロン株式会社 | Exposure apparatus, method for forming resist pattern, and storage medium |
| US10101669B2 (en) | 2014-01-20 | 2018-10-16 | Tokyo Electron Limited | Exposure apparatus, resist pattern forming method, and storage medium |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4218528B2 (en) | Method for forming exposure mask pattern and method for manufacturing semiconductor device | |
| US20020036273A1 (en) | Methods for manufacturing reticles for charged-particle-beam microlithography exhibiting reduced proximity effects, and reticles produced using same | |
| JPS59222840A (en) | Pattern transferring | |
| JP2001022051A (en) | Reticle and production of semiconductor device | |
| US6741732B2 (en) | Exposure method and device manufacturing method using this exposure method | |
| JP3094927B2 (en) | Electron beam exposure apparatus and its exposure method | |
| JP3311302B2 (en) | Exposure method | |
| US6906336B2 (en) | Methods for reducing blur and variation in blur in projected images produced by charged-particle-beam microlithography | |
| KR100412017B1 (en) | Exposure method and x-ray mask structure for use with the same | |
| JP2000323372A (en) | Proximity effect correcting method and manufacture of semiconductor element using the same | |
| JP3526385B2 (en) | Pattern forming equipment | |
| JP3332872B2 (en) | Exposure method | |
| US6642532B2 (en) | Methods for determining a pattern on a microlithography reticle to minimize proximity effects in pattern elements in chips located on substrate periphery | |
| JP2874688B2 (en) | Mask and electron beam exposure method using the same | |
| US6531251B2 (en) | Proximity effect correction methods | |
| JP2004071767A (en) | Mask, exposing method, and process for fabricating semiconductor device | |
| US6337164B1 (en) | Charged-particle-beam microlithography methods exhibiting improved pattern-feature accuracy, and device manufacturing methods comprising same | |
| JPH0620903A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| KR20050121746A (en) | Exposure method, mask, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device | |
| US5808892A (en) | Line edge and size definition in e-beam exposure | |
| JP2003077798A (en) | Proximity effect correcting method and device manufacturing method | |
| JP2001007011A (en) | Method, device, and mask for correcting proximity effect and manufacture of device | |
| KR19980019015A (en) | Method for compensating electron beam exposure | |
| JPH11354423A (en) | Method for correcting proximity effect | |
| JP3473821B2 (en) | Exposure amount setting method, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040629 |