JP2000323059A - Cathode-ray tube - Google Patents

Cathode-ray tube

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JP2000323059A
JP2000323059A JP11127372A JP12737299A JP2000323059A JP 2000323059 A JP2000323059 A JP 2000323059A JP 11127372 A JP11127372 A JP 11127372A JP 12737299 A JP12737299 A JP 12737299A JP 2000323059 A JP2000323059 A JP 2000323059A
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JP
Japan
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lens
electron
grid
electron beam
deflection
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JP11127372A
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Japanese (ja)
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Junichi Kimiya
淳一 木宮
Koji Awano
孝司 粟野
Shigeru Sugawara
繁 菅原
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a good image characteristic in the whole area of a screen by decreasing distortion according to an anti-symmetrical coma constituent of a side beam generated at a periphery of the screen. SOLUTION: A quadrupole lens is formed between grids G51, G52 and a final focusing lens is formed between grids G52, GM1 in a first lens area, and each final focusing lens is formed between grids GM1, GM2 and between grids GM2, G6 in a second and a third lens areas. The quadrupole lens does not give a function for changing a side beam orbit, and has a deflection means for generating deflection forces 1, 3 that bend side beam in a center beam direction in synchronism with deflection of an electron beam according to a deflection magnetic field in the first, the third lens areas, and has a deflection means for generating a deflection force 2 that bends the side beam in a direction reverse to the center beam direction in synchronism with deflection of an electron beam according to a deflection magnetic field in the second area, and those deflection forces have a structure to offset each other.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、陰極線管に係
り、特に、ダイナミックアスティグ補償を行う電子銃を
搭載する陰極線管に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cathode ray tube, and more particularly to a cathode ray tube having an electron gun for performing dynamic astig compensation.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、カラー受像管は、図1に示すよ
うに、パネルl及びこのパネルlに一体に接合されたフ
ァンネル2からなる外囲器を有し、そのパネルlの内面
に、青、緑、赤に発光するストライプ状或いはドット状
の3色蛍光体層からなる蛍光体スクリーン3(ターゲッ
ト)が形成されている。この蛍光体スクリーン3に対向
して、その内側に多数のアパーチャの形成されたシャド
ウマスク4がパネルlの内面に装着されている。一方、
ファンネル2のネック5内には、3電子ビーム6B,6
G,6Rを放出する電子銃7が配設されている。そし
て、この電子銃7から放出される3電子ビーム6B,6
G,6Rは、ファンネル2の外側に装着された偏向ヨー
ク8の発生する水平並びに垂直偏向磁界により偏向され
てシャドウマスク4を介して蛍光体スクリーン3に向け
られ、蛍光体スクリーン3がこの3電子ビーム6B,6
G,6Rによって水平並びに垂直に走査されることによ
り、カラー画像が表示される。
2. Description of the Related Art Generally, as shown in FIG. 1, a color picture tube has a panel 1 and an envelope composed of a funnel 2 integrally joined to the panel 1, and an inner surface of the panel 1 has a blue color. , A phosphor screen 3 (target) formed of a striped or dot-shaped three-color phosphor layer that emits green and red light. Opposed to the phosphor screen 3, a shadow mask 4 having a large number of apertures formed inside is mounted on the inner surface of the panel l. on the other hand,
In the neck 5 of the funnel 2, three electron beams 6B, 6
An electron gun 7 for emitting G and 6R is provided. The three electron beams 6B and 6 emitted from the electron gun 7
G and 6R are deflected by the horizontal and vertical deflection magnetic fields generated by the deflection yoke 8 mounted outside the funnel 2 and directed to the phosphor screen 3 via the shadow mask 4, and the phosphor screen 3 is Beam 6B, 6
By scanning horizontally and vertically by G and 6R, a color image is displayed.

【0003】このようなカラー受像管においては、セル
フコンバーゼンス方式のインライン型カラー受像管が広
く実用化されている。このセルフコンバーゼンス方式イ
ンライン型カラー受像管では、電子銃7を同一水平面状
を通るセンタービーム6G及びその両側の一対のサイド
ビーム6B,6Rからなる一列配置の3電子ビーム6
B,6G,6Rを放出するインライン型電子銃が採用さ
れ、電子銃の主レンズ部分の低圧側と高圧側のグリッド
のサイドビームが通過する孔の位置を偏心させることに
よって、スクリーン中央において3本の電子ビームを集
中させている。また、偏向ヨーク8の発生する水平偏向
磁界をビンクッション形及び垂直偏向磁界をバレル形と
して、上記一列配置の3電子ビーム6B,6G,6Rを
画面全域で自己集中させている。
In such a color picture tube, a self-convergence type in-line color picture tube has been widely put into practical use. In this self-convergence type in-line type color picture tube, the three electron beams 6 arranged in a line composed of a center beam 6G passing through the electron gun 7 in the same horizontal plane and a pair of side beams 6B and 6R on both sides thereof.
An in-line type electron gun that emits B, 6G, and 6R is adopted. By eccentrically positioning the holes through which the side beams of the grid on the low-voltage side and the high-voltage side of the main lens portion of the electron gun are positioned, three lines are provided at the center of the screen. Focusing the electron beam. The horizontal deflection magnetic field generated by the deflection yoke 8 is a bincushion type and the vertical deflection magnetic field is a barrel type. The three electron beams 6B, 6G, and 6R arranged in a line are concentrated on the entire screen.

【0004】この様なセルフコンバーゼンス方式インラ
イン型カラー受像管では、非斉一磁界中を通過した電子
ビームは、非点収差を受け、特に、蛍光体スクリーンの
周辺部に達する電子ビームは、そのビームスポットが歪
み、解像度が著しく劣化される。このような偏向収差に
よる解像度の劣化を解決する手段として、昨今、特開昭
61−99249号公報及び特開平2ー72546号公
報に開示されているような、ダイナミックフォーカスタ
イプの電子銃が開発されている。これらの電子銃は、い
ずれも基本的には、第1乃至第5グリッドからなり、電
子ビームの進行方向に沿って、電子ビームを発生する電
子ビーム発生部、4極子レンズ、最終集束レンズを有
し、前記4極子レンズは、互いに隣接する第3及び第4
電極の対向面に、各3個の非対称の電子ビーム通過孔を
設けることにより形成される。この4極子レンズと最終
集束レンズが前記偏向ヨークの磁界の変化と同期して変
化されることによって、画面周辺に偏向される電子ビー
ムが偏向磁界の偏向収差を受けて著しく歪むことが補正
される。
In such a self-convergence type in-line color picture tube, an electron beam passing through a non-uniform magnetic field is subjected to astigmatism. In particular, an electron beam reaching a peripheral portion of a phosphor screen is subjected to a beam spot. Is distorted, and the resolution is significantly deteriorated. As means for solving the deterioration of resolution due to such a deflection aberration, a dynamic focus type electron gun has been recently developed as disclosed in JP-A-61-99249 and JP-A-2-72546. ing. Each of these electron guns basically comprises first to fifth grids, and has an electron beam generator for generating an electron beam, a quadrupole lens, and a final focusing lens along the traveling direction of the electron beam. The quadrupole lens includes third and fourth lenses adjacent to each other.
It is formed by providing three asymmetric electron beam passage holes on the opposing surface of the electrode. When the quadrupole lens and the final focusing lens are changed in synchronization with the change in the magnetic field of the deflection yoke, the electron beam deflected to the periphery of the screen is corrected to be significantly distorted due to the deflection aberration of the deflection magnetic field. .

【0005】また、このような電子銃としてその最終集
束レンズが電子ビーム進行方向に拡張されている拡張電
界型であり、そのカソード側に4極子レンズを付加した
ダイナミックフォーカスタイプの電子銃も開発されてい
る。このようなダイナミックフォーカスタイプの電子銃
は、例えば、特開昭64−38947に開示されてい
る。最終集束レンズとそのカソード側との間に4極子レ
ンズを有するダイナミックフォーカスタイプの電子銃で
は、画面中央から画面周辺に向かって、電子ビ−ムが偏
向磁界により偏向される時に、最終集束レンズのレンズ
パワーが弱められ、4極子レンズのレンズ作用が変化さ
れて画面全域でのフオーカス特性が向上される。しか
し、このタイプでは、最終集束レンズが弱まる際にサイ
ドビームの軌道が変化してしまう現象がある。この現象
は、従来の電子銃では、4極子レンズにサイドビームの
軌道を変化させる手段を付加して解決している。
Further, as such an electron gun, a dynamic focus type electron gun in which a final focusing lens is extended in an electron beam traveling direction and an quadrupole lens is added to a cathode side thereof has been developed. ing. Such a dynamic focus type electron gun is disclosed in, for example, JP-A-64-38947. In a dynamic focus type electron gun having a quadrupole lens between the final focusing lens and its cathode side, when the electron beam is deflected by the deflecting magnetic field from the center of the screen toward the periphery of the screen, the electron focusing of the final focusing lens is performed. The lens power is weakened, the lens function of the quadrupole lens is changed, and the focus characteristic over the entire screen is improved. However, in this type, there is a phenomenon that the trajectory of the side beam changes when the final focusing lens weakens. This phenomenon is solved in the conventional electron gun by adding a means for changing the trajectory of the side beam to the quadrupole lens.

【0006】しかしながら、このようなダイナミックフ
オーカスタイプの電子銃では、図2に実線で示されるよ
うに画面中央部に集束されている際のサイドビーム軌道
Aと、破線で示される画面周辺部に集束されている時の
サイドビーム軌道Bとでは、最終集束レンズを通過する
際の軌道が異なってしまう。これは、最終集束レンズの
カソード側に付加された4極子レンズにより、画面中央
部から画面周辺部にかけて、電子ビームが偏向される
際、軌道が曲げられ、最終集束レンズへのサイドビーム
の入射位置並びに入射角度が異なる為である。
However, in such a dynamic focus type electron gun, the side beam trajectory A when focused on the center of the screen as shown by the solid line in FIG. The trajectory when passing through the final focusing lens is different from the side beam trajectory B when focusing is performed. This is because when the electron beam is deflected from the center of the screen to the periphery of the screen by the quadrupole lens added to the cathode side of the final focusing lens, the trajectory is bent, and the incident position of the side beam on the final focusing lens In addition, the incident angles are different.

【0007】このように最終集束レンズ内を通過するサ
イドビームの軌道が異なってくると、画面中央部に電子
ビームが集束される場合(図中では、実線の軌道:A)
では、インライン軸上の左右に均等に最終集束レンズの
球面収差を受け、画面上に丸く集束されるのに対し、画
面周辺部に電子ビームが偏向される場合(図中では、破
線の軌道:B)のサイドビームは、最終集束レンズでセ
ンタービームにより近ずくようにこの最終集束レンズを
通過することとなり、その結果、最終集束レンズのセン
タービームに比べてより球面収差を受けることとなる。
従って、画面周辺に偏向されるサイドビームのビームス
ポットは、図3に示すようにセンタービーム軌道とは、
反対側にハローを有するように歪む問題がある。この
為、画面の周辺部に偏向されるサイドビームスポット
は、左右非対称のコマ成分による歪みを有し、画面周辺
での画像特性が劣化される問題がある。
If the trajectories of the side beams passing through the final focusing lens are different, the electron beam is focused at the center of the screen (the trajectory indicated by the solid line in the figure: A).
In this case, the spherical aberration of the final focusing lens is evenly distributed to the left and right on the in-line axis, and the beam is converged round on the screen, while the electron beam is deflected to the periphery of the screen (in FIG. The side beam of B) passes through the final focusing lens so as to be closer to the center beam at the final focusing lens, and as a result, suffers more spherical aberration than the center beam of the final focusing lens.
Therefore, the beam spot of the side beam deflected to the periphery of the screen is, as shown in FIG.
There is the problem of distortion to have a halo on the other side. For this reason, the side beam spot deflected to the peripheral portion of the screen has distortion due to asymmetrical coma components, and there is a problem that image characteristics around the screen are deteriorated.

【0008】また、このような画面周辺部でのサイドビ
ームの歪み現象は、特に電子ビ−ム進行方向に拡張され
た拡張電界型の最終集束レンズを有し、そのカソード側
に4極子レンズを付加している電子銃では、最終集束レ
ンズが電子ビ−ム進行方向に比較的長いため、画像特性
の劣化が顕著に現れることとなる。
The side beam distortion phenomenon at the peripheral portion of the screen is particularly caused by an extended electric field type final focusing lens extended in the electron beam traveling direction, and a quadrupole lens on the cathode side. In the additional electron gun, since the final focusing lens is relatively long in the direction in which the electron beam travels, the deterioration of the image characteristics appears remarkably.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】以上のように、セルフ
コンバーゼンス方式のインライン型カラー受像管では、
非斉一磁界中を通過した電子ビームは、非点収差を受
け、特に、蛍光体スクリーンの周辺部に達する電子ビー
ムは、そのビームスポットが歪み、解像度が著しく劣化
される。これを解決する為に、ダイナミックフォーカス
タイプの電子銃が開発され、4極子レンズと最終集束レ
ンズが前記偏向ヨークの磁界の変化と同期して変化する
ことによって、画面周辺に偏向される電子ビームが偏向
磁界の偏向収差を受け著しく歪むことが補正される。
As described above, in a self-convergence type in-line type color picture tube,
The electron beam that has passed through the non-uniform magnetic field undergoes astigmatism. In particular, the electron beam reaching the peripheral portion of the phosphor screen has a distorted beam spot, and the resolution is significantly deteriorated. In order to solve this, a dynamic focus type electron gun has been developed, and the quadrupole lens and the final focusing lens change in synchronization with the change in the magnetic field of the deflection yoke, so that the electron beam deflected around the screen is changed. Significant distortion due to the deflection aberration of the deflection magnetic field is corrected.

【0010】また、このようなダイナミックフォーカス
タイプの電子銃には、最終集束レンズが電子ビーム進行
方向に拡張された拡張電界型の最終集束レンズを有し、
そのカソード側に4極子レンズを付加したものがある。
このようなダイナミックフォーカスタイプの電子銃で
は、画面中央から画面周辺に向かって、電子ビ−ムが偏
向磁界により偏向される時に、最終集束レンズが弱めら
れ、4極子レンズのレンズ作用が変化されて画面全域で
のフオーカス特性が向上される。しかし、このタイプで
は、最終集束レンズが弱まる際にサイドビームの軌道が
変化してしまう現象がある。このような現象は、従来の
電子銃では、4極子レンズにサイドビームの軌道を変化
させる機能を与えて解決している。
Further, such a dynamic focus type electron gun has an extended electric field type final focusing lens in which the final focusing lens is extended in the electron beam traveling direction.
There is one in which a quadrupole lens is added to the cathode side.
In such a dynamic focus type electron gun, when the electron beam is deflected by the deflecting magnetic field from the center of the screen toward the periphery of the screen, the final focusing lens is weakened, and the lens action of the quadrupole lens is changed. Focus characteristics over the entire screen are improved. However, in this type, there is a phenomenon that the trajectory of the side beam changes when the final focusing lens weakens. In a conventional electron gun, such a phenomenon is solved by giving the quadrupole lens a function of changing the trajectory of the side beam.

【0011】しかしながら、このようなタイプの電子銃
では、画面中央部に集束されるサイドビーム軌道と、画
面周辺部に集束されるサイドビーム軌道とでは、最終集
束レンズを通過する際の軌道が異なってしまう。このよ
うに最終集束レンズ内を通過するサイドビームの軌道が
異なると、画面中央部に電子ビームが集束される場合に
は、インライン軸上の左右に均等に最終集束レンズの球
面収差を受け、画面上に丸く集束されるのに対し、画面
周辺部に電子ビームが偏向される場合には、サイドビー
ムが最終集束レンズでセンタービームにより近ずくよう
に最終集束レンズを通過することとなる。その結果、最
終集束レンズのセンタービームに比べてより球面収差を
受け、画面周辺に偏向されるサイドビームのビームスポ
ットは、ハローを有するように歪む問題がある。この
為、画面の周辺部に偏向されるサイドビームスポット
は、左右非対称のコマ成分による歪みを有し、画面周辺
での画像特性が劣化される。特に、拡張電界型の最終集
束レンズを有し、そのカソード側に4極子レンズを付加
している電子銃では、最終集束レンズが電子ビ−ム進行
方向に比較的長いため、画像特性の劣化が顕著に現れる
問題がある。
However, in such an electron gun, the trajectory when passing through the final focusing lens is different between the side beam trajectory focused at the center of the screen and the side beam trajectory focused at the periphery of the screen. Would. If the trajectory of the side beam passing through the final focusing lens is different in this way, when the electron beam is focused at the center of the screen, the spherical aberration of the final focusing lens is evenly distributed to the left and right on the in-line axis, If the electron beam is deflected toward the periphery of the screen while being focused upward, the side beam passes through the final focusing lens so as to be closer to the center beam by the final focusing lens. As a result, there is a problem that the beam spot of the side beam deflected to the periphery of the screen is distorted so as to have a halo due to more spherical aberration than the center beam of the final focusing lens. For this reason, the side beam spot deflected to the peripheral portion of the screen has a distortion due to the asymmetrical frame component, and the image characteristics around the screen are degraded. In particular, in an electron gun having an extended electric field type final focusing lens and a quadrupole lens added to the cathode side, the image quality is degraded because the final focusing lens is relatively long in the electron beam traveling direction. There is a problem that stands out.

【0012】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
であり、その目的は、画面周辺で生じるサイドビームの
左右非対称のコマ成分による歪みを軽減することによ
り、画面全域における良好な画像特性を得ることにあ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to reduce distortion caused by asymmetrical frame components of a side beam generated around a screen, thereby improving good image characteristics over the entire screen. To get.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】インライン方向に配置さ
れた3本の電子ビームを形成、射出する電子ビーム形成
部と、この電子ビームを加速集束させる主電子レンズ部
とを有する電子銃と、この電子銃から放出した電子ビー
ムを画面上、水平並びに垂直方向に偏向走査する偏向磁
界を発生する偏向ヨークとを少なくとも備えた陰極線管
において、前記主電子レンズ部は、少なくともその連続
的に変化する軸上電位分布によって形成され、その電位
分布内の電子ビーム進行方向に順次第1、第2、第3の
レンズ領域が形成され、前記各レンズ領域には、前記偏
向磁界に同期してサイドビーム軌道を変化させる手段を
有し、各レンズ領域のサイドビーム軌道の変化は、互い
にその変化を略打ち消すように作用する構造を有する。
ここで、サイドビームの軌跡を変化せしめるとは、サイ
ドビームの軌道と偏向方向を変化させることに該当す
る。
An electron gun having an electron beam forming unit for forming and emitting three electron beams arranged in an in-line direction, and a main electron lens unit for accelerating and focusing the electron beams. And a deflection yoke for generating a deflection magnetic field for horizontally and vertically deflecting and scanning an electron beam emitted from an electron gun on a screen, wherein the main electron lens unit has at least its continuously changing axis. The first, second, and third lens regions are sequentially formed in the electron beam traveling direction within the potential distribution, and a side beam trajectory is formed in each of the lens regions in synchronization with the deflection magnetic field. , And has a structure in which a change in the side beam trajectory of each lens area acts so as to substantially cancel each other.
Here, changing the trajectory of the side beam corresponds to changing the trajectory and the deflection direction of the side beam.

【0014】また、インライン方向に配置された3本の
電子ビームを形成し、射出する電子ビーム形成部と、こ
の電子ビームを加速集束させる主電子レンズ部を有する
電子銃と、この電子銃から放出した電子ビームを画面
上、水平並びに垂直方向に偏向走査する偏向磁界を発生
する偏向ヨークとを少なくとも備えた陰極線管におい
て、前記主電子レンズ部は、少なくともその連続的に変
化する軸上電位分布によって形成され、その軸上電位分
布内において電子ビ−ム進行方向に順次第1、第2、第
3のレンズ領域を有し、前記偏向磁界に同期して第1及
び第3のレンズ領域のサイドビ−ム軌道が変化する時、
その変化を打ち消すように、第2のレンズ領域にサイド
ビ−ム軌道を変化させる手段を有する構造を陰極線管
は、備えている。
Further, an electron beam forming section for forming and emitting three electron beams arranged in the in-line direction, an electron gun having a main electron lens section for accelerating and converging the electron beam, and an electron beam emitted from the electron gun And a deflection yoke that generates a deflection magnetic field that deflects and scans the electron beam on the screen in the horizontal and vertical directions, wherein the main electron lens portion is at least formed by a continuously changing axial potential distribution. It has first, second, and third lens regions sequentially in the electron beam traveling direction within the on-axis potential distribution, and side beams of the first and third lens regions are synchronized with the deflection magnetic field. -When the trajectory changes,
The cathode ray tube has a structure having means for changing the side beam trajectory in the second lens area so as to cancel the change.

【0015】図4には、このような陰極線管における電
子ビ−ム軌道が概略的に示されている。第1のレンズ領
域では、グリッドG51とグリッドG52間に4極子レ
ンズQLが形成され、グリッドG52とグリッドGM1
間に最終集束レンズが形成されている。また、第2レン
ズ領域では、グリッドGM1及びグリッドGM2間に最
終集束レンズが形成され、第3のレンズ領域では、グリ
ッドGM2とグリッドG6間に最終集束レンズが形成さ
れている。グリッドG51及びG52間の4極子レンズ
QLは、従来例として説明したような、サイドビーム軌
道を変化させる機能を与えず、グリッドG52及びGM
1間の最終集束レンズを構成する第1のレンズ領域に
は、前記偏向磁界による前記電子ビームの偏向に同期し
て、サイドビームをセンタービーム方向に曲げる偏向力
1を発生する偏向手段を有し、グリッドGM1及びGM
2間の最終集束レンズを構成する第2のレンズ領域に
は、前記偏向磁界による前記電子ビームの偏向に同期し
て、サイドビームをセンタービ−ム方向とは逆方向に曲
げる偏向力2を発生する偏向手段を有し、グリッドGM
2及びG6間の最終集束レンズを構成する第3のレンズ
領域には、前記偏向磁界による前記電子ビームの偏向に
同期して、サイドビームをセンタービーム方向に曲げる
偏向力3を発生する偏向手段を有し、これら偏向手段の
発生する偏向力1、2、3は、互いに略打ち消すような
構造を有している。従って、図4に示されるようにサイ
ドビームが画面中央部に集束される場合の軌道(図中で
は実線の軌道:A)と、画面周辺部にサイドビームが偏
向される場合の軌道(図中では破線の軌道:B)とで
は、、グリッドG52及びグリッドGM1間の最終集束
レンズを構成する第1のレンズ領域、グリッドGM2及
びグリッドG6間の第3のレンズ領域とで略同じ軌道を
通過することとなる。このことにより、センタービ−ム
軌道とは反対側にコマ成分のハローを有する形状に歪む
ことが無く、画面周辺での画像特性を劣化させることが
防止される。
FIG. 4 schematically shows an electron beam trajectory in such a cathode ray tube. In the first lens area, a quadrupole lens QL is formed between the grid G51 and the grid G52, and the grid G52 and the grid GM1 are formed.
A final focusing lens is formed in between. In the second lens area, a final focusing lens is formed between the grids GM1 and GM2, and in the third lens area, a final focusing lens is formed between the grids GM2 and G6. The quadrupole lens QL between the grids G51 and G52 does not provide the function of changing the side beam trajectory as described in the conventional example, and the grids G52 and GM
The first lens region constituting the final focusing lens between the first and second lens units has a deflecting means for generating a deflecting force 1 for bending a side beam toward a center beam in synchronization with the deflection of the electron beam by the deflecting magnetic field. , Grids GM1 and GM
In the second lens region constituting the final focusing lens between the two, a deflection force 2 for bending the side beam in the direction opposite to the center beam direction is generated in synchronization with the deflection of the electron beam by the deflection magnetic field. Having a deflecting means for changing the grid GM
A deflecting means for generating a deflecting force 3 for bending the side beam in the direction of the center beam in synchronization with the deflection of the electron beam by the deflecting magnetic field is provided in a third lens area constituting the final focusing lens between the second and G6. The deflecting forces 1, 2, and 3 generated by these deflecting means have a structure that substantially cancels each other. Accordingly, as shown in FIG. 4, the trajectory when the side beam is focused at the center of the screen (the trajectory indicated by the solid line in FIG. 4A) and the trajectory when the side beam is deflected toward the periphery of the screen (see FIG. In the trajectory indicated by the broken line: B), in the first lens area constituting the final focusing lens between the grid G52 and the grid GM1, and the third lens area between the grid GM2 and the grid G6, the trajectories pass substantially the same trajectory. It will be. As a result, a shape having a halo of a coma component on the side opposite to the center beam trajectory is not distorted, and deterioration of image characteristics around the screen is prevented.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下図面を参照してこの発明の一
実施例に係る陰極線管について図面を参照して説明す
る。尚、この発明においては、陰極線管の構造は、電子
銃のみが異なることから、その陰極線管の構造について
は、詳述しない。詳しくは、図1を参照した従来例の説
明を参照されたい。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A cathode ray tube according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the present invention, the structure of the cathode ray tube differs from that of the electron gun only, so that the structure of the cathode ray tube will not be described in detail. For details, refer to the description of the conventional example with reference to FIG.

【0017】(第1の実施例1)図5は、本発明の第1
の実施例を示す陰極線管の電子銃部分の概略断面図であ
る。図5において、第1グリッドGl、第2グリッドG
2、第3グリッドG3、第4グリッドG4、第5グリッ
ドG51、第6グリッドG52、第7グリッドGM1、
第8グリッドGM2、第9グリッドG6、コンバーゼン
スカップがこの順序で配置され、絶縁支持体(図示せ
ず)により支持固定されている。図5に示すように第1
グリッドG1は、接地され、第2グリッドG2と第4グ
リッドG4とは、接続され、陰極線管の外部より直流電
圧V2が与えられ、第3グリッドG3と第6グリッドG
52もまた接続され、陰極線管外部より前記偏向装置の
偏向磁界に同期した交流電圧が重畳された中位の直流電
圧(V3+Vd)が与えられている。第5グリッドG5
1及び第8グリッドGM2には、第9グリッドG6に陰
極線管外部より与えられる直流電圧Ebを前記電子銃の
近傍に配置された抵抗器R1により、所望の比で分割さ
れた電圧(V51,VM2)がそれぞれ与えられる。第
7グリッドGM1には、第8グリッドGM2に与えられ
た電圧VM2の電圧が抵抗器R2を介して与えられてい
る。この時、第5グリッドG51に与えられる電圧V5
1と第6グリッドG52に与えられる電圧(V3+V
d)は、略等しく、交流電圧Vdによって第5グリッド
G51及び第6グリッドG52間の4極子レンズQLの
レンズパワーが変化される。
FIG. 5 shows a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic sectional view of an electron gun portion of a cathode ray tube showing the embodiment of FIG. In FIG. 5, the first grid Gl and the second grid G
2, third grid G3, fourth grid G4, fifth grid G51, sixth grid G52, seventh grid GM1,
The eighth grid GM2, the ninth grid G6, and the convergence cup are arranged in this order, and are supported and fixed by an insulating support (not shown). As shown in FIG.
The grid G1 is grounded, the second grid G2 and the fourth grid G4 are connected, and a DC voltage V2 is applied from outside the cathode ray tube, and the third grid G3 and the sixth grid G
52 is also connected, and a medium-level DC voltage (V3 + Vd) on which an AC voltage synchronized with the deflection magnetic field of the deflection device is superimposed is supplied from outside the cathode ray tube. Fifth grid G5
The DC voltage Eb applied to the ninth grid G6 from the outside of the cathode ray tube is divided into a voltage (V51, VM2) divided by a resistor R1 arranged in the vicinity of the electron gun at the first and eighth grids GM2. ) Is given respectively. The voltage of the voltage VM2 applied to the eighth grid GM2 is applied to the seventh grid GM1 via the resistor R2. At this time, the voltage V5 applied to the fifth grid G51
1 and the voltage (V3 + V) applied to the sixth grid G52.
d) are substantially equal, and the lens power of the quadrupole lens QL between the fifth grid G51 and the sixth grid G52 is changed by the AC voltage Vd.

【0018】また、第7グリッドGM1及び第8グリッ
ドGM2に印加される電圧VM2は、第6グリッドG5
2に供給される電圧V3と、第9グリッドG6に印加さ
れる電圧Ebの略中間の電圧に定められている。従っ
て、第6グリッドG52及び第7グリッドGM1間に最
終集束レンズELの第1のレンズ領域が形成され、第7
グリッドGM1及び第8グリッドGM2間に最終集束レ
ンズELの第2のレンズ領域が形成され、第8グリッド
GM2及び第9グリッドG6間に最終集束レンズELの
第3のレンズ領域が形成される。この最終集束レンズE
Lは、これら第1、第2、第3の3つレンズ領域から構
成される電界拡張された長焦点の大口径レンズとなり、
スクリーン上でより小さい電子ビームスポットを形成す
ることができる。
The voltage VM2 applied to the seventh grid GM1 and the eighth grid GM2 is equal to the voltage of the sixth grid G5.
2 and a voltage substantially intermediate between the voltage Eb applied to the ninth grid G6. Accordingly, the first lens area of the final focusing lens EL is formed between the sixth grid G52 and the seventh grid GM1, and the seventh lens area is formed.
The second lens area of the final focusing lens EL is formed between the grid GM1 and the eighth grid GM2, and the third lens area of the final focusing lens EL is formed between the eighth grid GM2 and the ninth grid G6. This final focusing lens E
L is an electric field-expanded long focal point large aperture lens composed of the first, second, and third lens regions,
A smaller electron beam spot can be formed on the screen.

【0019】また、最終集束レンズELの第1、第2、
第3のレンズ領域は、第6グリッドG52に前記偏向磁
界に同期した電圧Vdが印加された時、第1及び第3の
レンズ領域は、弱まり、第2のレンズ領域は、以下の作
用により、電子ビ−ムが画面中央部にあるときには、第
7グリッドGM1の電圧VM1が第8グリッドGM2の
電圧VM2よりも低位の電圧となり、電子ビ−ムが画面
周辺部にある時には、第7グリッドGM1の電圧VM1
が第8グリッドGM2の電圧VM2よりも高位の電圧と
なり、電位差を生じて第2レンズ領域のレンズが作用す
る。この第2領域の電位差の発生は、第6グリッドG5
2に供給される偏向磁界と同期したパラボラ状のダイナ
ミック電圧Vdが第6グリッドG52及び第7グリッド
GM1間の電極間容量C67、第7グリッドGM1及び
第8グリッドGM2間の電極間容量C78、第8グリッ
ドGM2及び第9グリッドG6間の電極間容量C89と
により、キャパシタンスで分割され、図6及び図7に示
されるように、第6グリッドには、A×Vdの交流電
圧、第7グリッドにはB×Vdの交流電圧が重畳され、
このことにより第7グリッドGM7及び第8グリッドG
M2間に電位差を発生させる。この各重畳率A及びB
は、図8に示す等価的な交流回路を解くことにより、以
下のように求めることができる。
Further, the first, second,
When a voltage Vd synchronized with the deflection magnetic field is applied to the sixth grid G52, the first and third lens regions are weakened, and the second lens region is formed by the following operation. When the electronic beam is at the center of the screen, the voltage VM1 of the seventh grid GM1 is lower than the voltage VM2 of the eighth grid GM2. When the electronic beam is at the periphery of the screen, the seventh grid GM1 is used. Voltage VM1
Is higher than the voltage VM2 of the eighth grid GM2, and a potential difference is generated to operate the lens in the second lens area. The generation of the potential difference in the second area is caused by the sixth grid G5
The parabolic dynamic voltage Vd synchronized with the deflecting magnetic field supplied to the second grid 2 is a capacitance C67 between the sixth grid G52 and the seventh grid GM1, a capacitance C78 between the seventh grid GM1 and the eighth grid GM2, The capacitance is divided by the interelectrode capacitance C89 between the eighth grid GM2 and the ninth grid G6, and as shown in FIGS. 6 and 7, the sixth grid has an AC voltage of A × Vd and the seventh grid has Is superimposed with an AC voltage of B × Vd,
As a result, the seventh grid GM7 and the eighth grid G
A potential difference is generated between M2. These superposition rates A and B
Can be obtained as follows by solving the equivalent AC circuit shown in FIG.

【0020】 第6グリッドの重畳電圧(交流分): A×Vd A=C67・(C89+C78)/(C67・C78+C78・C89+C89・C67) 第7グリッドの重畳電圧(交流分): B×Vd B=C67・C78/(C67・C78+C78・C89+C89・C67) この実施例の最終集束レンズ部を構成する、第5グリッ
ドG51、第6グリッドG52、第7グリッドGM1、
第8グリッドGM2、第9グリッドG6の部分の詳細が
図4に示されている。
A superimposed voltage on the sixth grid (AC component): A × Vd A = C67 · (C89 + C78) / (C67 · C78 + C78 · C89 + C89 · C67) A superimposed voltage on the seventh grid (AC component) B × Vd B = C67 · C78 / (C67 · C78 + C78 · C89 + C89 · C67) The fifth grid G51, the sixth grid G52, and the seventh grid GM1, which constitute the final focusing lens unit of this embodiment.
FIG. 4 shows details of the eighth grid GM2 and the ninth grid G6.

【0021】第5グリッドG51の第6グリッドG52
側には、図9(a)に示されるような3個の縦長孔が穿
設されており、第6グリッドG52の第5グリッドG5
1側には、図9(b)に示されるような3個の横長孔が
穿設され、第5グリッドG51及び第6グリッドG52
間に4極子レンズQLが形成されている。第6グリッド
G52の第7グリッドGM1側は、3個の円形孔が穿設
された厚板電極で構成され、第7グリッドGM1及び第
8グリッドGM2も3個の円形孔が穿設された厚板電極
で構成され、第9グリッドG6の第8グリッドGM2側
にも3個の円形孔が穿設された厚板電極が配置されてい
る。
The sixth grid G52 of the fifth grid G51
On the side, three vertically long holes as shown in FIG. 9A are formed, and the fifth grid G5 of the sixth grid G52 is formed.
On one side, three horizontally long holes as shown in FIG. 9B are formed, and a fifth grid G51 and a sixth grid G52 are formed.
A quadrupole lens QL is formed between them. The seventh grid GM1 side of the sixth grid G52 is formed of a thick plate electrode having three circular holes formed therein, and the seventh grid GM1 and the eighth grid GM2 are also formed of a thick plate electrode having three circular holes formed therein. A thick plate electrode composed of plate electrodes and having three circular holes formed on the eighth grid GM2 side of the ninth grid G6 is also arranged.

【0022】そして、第5グリッドG51の第6グリッ
ドG52側の3個の縦長孔のセンター孔の中心とサイド
ビーム孔の中心の距離(SG;以下、センタービーム孔
とサイドビーム孔の距離をSGと記載する。)は、第6
グリッドG52の第5グリッドG51側の3個の横長孔
のSGと略同じであり、この4極子レンズQL部分で
の、偏向磁界に同期した第6グリッドG52に印加され
るダイナミック電圧Vdによってサイドビームの軌道が
変化されないように構成されている。
Then, the distance between the center of the center hole of the three vertically long holes on the sixth grid G52 side of the fifth grid G51 and the center of the side beam hole (SG; hereinafter, the distance between the center beam hole and the side beam hole is SG). Is the sixth.
The SG is substantially the same as the SG of three horizontally long holes on the fifth grid G51 side of the grid G52, and the side beam is generated by the dynamic voltage Vd applied to the sixth grid G52 in synchronization with the deflection magnetic field in the quadrupole lens QL. The trajectory is not changed.

【0023】最終集束レンズELの第1のレンズ領域を
構成する、第6グリットG52及び第7グリッドGM1
間は、第6グリッドG52の第7グリッドGM1側の厚
板電極のセンター孔の中心とサイドビーム孔の中心の距
離SG52は、第7グリッドGM1の第6グリッドG5
2側の厚板電極のセンター孔の中心とサイドビーム孔の
中心の距離SGM1よりも小さく定められ、サイドビー
ムがセンタービーム方向へと曲げる作用を有することと
なる。この為、偏向磁界に同期したダイナミック電圧V
dが印加されると、このレンズ作用は、弱くなり、サイ
ドビームは、センタービームから離れる方向(図4に示
される1の方向)に変化される。また、最終集束レンズ
ELの第3のレンズ領域を構成する第8グリッドGM2
及び第9グリッドG6間も同ように、第8グリッドGM
2の第9グリッドG6側の厚板電極のセンター孔の中心
とサイドビーム孔の中心の距離SGM2は、第7グリッ
ドGM1の第6グリッドG52側の厚板電極のセンター
孔の中心とサイドビーム孔の中心の距離SG6よりも小
さく定められ、サイドビームがセンタービーム方向へと
曲げる作用を有するようになる。この為、偏向磁界に同
期したダイナミック電圧Vdが印加された際に、このレ
ンズ作用は、弱くなり、サイドピームは、センタービー
ムから離れる方向(図4に示される3の方向)に変化さ
れる。また、最終集束レンズELの第2のレンズ領域を
構成する第7グリッドGM1及び第8グリッドGM2間
では、第7グリッドGM1の第8グリッドGM2側の厚
板電極のセンター孔の中心とサイドビーム孔の中心の距
離SGM1は、第8グリッドGM2の第7グリッドGM
1側の厚板電極のセンタ−孔の中心とサイドビーム孔の
中心の距離SGM2よりも大きく定められ、先に述べた
ように、この最終集束レンズELの第2領域では、電子
ビ−ムが画面中央部にあるときには、第7グリッドGM
1の電圧VM1が第8グリッドGM2の電圧GM2より
も低位の電圧となり、ダイナミック電圧Vdが印加され
て電子ビームが画面周辺部に向かう際には、第7グリッ
ドGM1の電圧VM1が第8グリッドGM2の電圧VM
2よりも高位の電圧となる。この時サイドビームは、ダ
イナミック電圧Vdが印加されると同時に、センタービ
ーム方向(図4に示される2の方向)に曲げられ、先の
最終集束レンズELの第1及び第3のレンズ領域のサイ
ドビームのセンタービームから離れる方向(図4に示さ
れる1及び2の方向)へと変化する作用を略打ち消すよ
うになる。そのため、サイドビームの画面中央部に電子
ビ−ムが集束される場合の軌道(図4において、実線の
軌道:A)と、画面周辺部に電子ビ−ムが偏向される場
合の軌道(図4において、破線の軌道:B)とでは、グ
リッドG52及びグリッドGM1間の最終集束レンズを
構成する第1のレンズ領域、グリッドGM2及びグリッ
ドG6間の第3のレンズ領域とで略同じ軌道を通過する
こととなる。このことにより、図2を参照して説明した
ように従来例において発生されるようなセンタービーム
軌道とは反対側にコマ成分のハローを有する形状に歪む
ことが無く、画面周辺での画像特性を劣化させることが
無い。
The sixth grid G52 and the seventh grid GM1, which constitute the first lens area of the final focusing lens EL.
Between them, the distance SG52 between the center of the center hole of the thick plate electrode on the seventh grid GM1 side of the sixth grid G52 and the center of the side beam hole is equal to the sixth grid G5 of the seventh grid GM1.
The distance between the center of the center hole of the thick plate electrode on the second side and the center of the side beam hole is set to be smaller than SGM1, and the side beam has an action of bending in the center beam direction. Therefore, the dynamic voltage V synchronized with the deflection magnetic field
When d is applied, this lens action is weakened, and the side beam is changed in a direction away from the center beam (direction 1 shown in FIG. 4). In addition, an eighth grid GM2 forming the third lens area of the final focusing lens EL
Similarly, between the ninth grid G6 and the eighth grid GM
The distance SGM2 between the center of the center hole of the thick plate electrode on the ninth grid G6 side and the center of the side beam hole is the center of the center hole of the thick plate electrode on the sixth grid G52 side of the seventh grid GM1 and the side beam hole. Is determined to be smaller than the distance SG6 of the center of the side beam, so that the side beam has an action of bending toward the center beam. Therefore, when a dynamic voltage Vd synchronized with the deflecting magnetic field is applied, the effect of the lens is weakened, and the side beam is changed in a direction away from the center beam (direction 3 shown in FIG. 4). Further, between the seventh grid GM1 and the eighth grid GM2 constituting the second lens area of the final focusing lens EL, the center of the center hole of the thick plate electrode on the eighth grid GM2 side of the seventh grid GM1 and the side beam hole Is the distance SGM1 of the center of the seventh grid GM of the eighth grid GM2.
The distance between the center of the center hole of the thick plate electrode on one side and the center of the side beam hole is set to be larger than the distance SGM2. As described above, in the second region of the final focusing lens EL, the electron beam is not formed. When in the center of the screen, the seventh grid GM
1 is lower than the voltage GM2 of the eighth grid GM2, and when the dynamic voltage Vd is applied and the electron beam goes to the peripheral portion of the screen, the voltage VM1 of the seventh grid GM1 is changed to the eighth grid GM2. Voltage VM
The voltage is higher than 2. At this time, the side beam is bent in the center beam direction (direction 2 shown in FIG. 4) at the same time when the dynamic voltage Vd is applied, and the side beam in the first and third lens areas of the final focusing lens EL is formed. The effect of changing the direction of the beam away from the center beam (directions 1 and 2 shown in FIG. 4) is substantially cancelled. Therefore, the trajectory when the electron beam is focused at the center of the screen of the side beam (the trajectory indicated by the solid line in FIG. 4A) and the trajectory when the electron beam is deflected toward the periphery of the screen (FIG. 4, the trajectory indicated by the broken line: B) passes through substantially the same trajectory in the first lens area constituting the final focusing lens between the grid G52 and the grid GM1, and in the third lens area between the grid GM2 and the grid G6. Will be done. As a result, as described with reference to FIG. 2, the image characteristic around the screen is not distorted into a shape having a halo of a coma component on the side opposite to the center beam trajectory generated in the conventional example. There is no deterioration.

【0024】また、この発明においては、上述した実施
例以外にも他の実施例として、例えば、図10に示す様
な構造の電子銃においても同様な効果を得ることができ
る。すなわち、電子銃のグリッド構成並びに供給電圧の
配置等は、図4と同じであるが、図10に示すように、
第6グリッドG52の第7グリッドGM1との対向面、
第7グリッドGM1、第8グリッドGM2、第9グリッ
ドG6の第8グリッドGM2との対向面の電極構造とし
て図11に示すような3電子ビームに共通の電子ビ−ム
通過孔を有する外周電極が設けられている。
Further, in the present invention, similar effects can be obtained in an electron gun having a structure as shown in FIG. 10 as another embodiment other than the above-described embodiment. That is, the grid configuration of the electron gun and the arrangement of the supply voltage are the same as those in FIG. 4, but as shown in FIG.
A surface of the sixth grid G52 facing the seventh grid GM1,
As the electrode structure of the seventh grid GM1, eighth grid GM2, and ninth grid G6 facing the eighth grid GM2, an outer peripheral electrode having an electron beam passage hole common to three electron beams as shown in FIG. Is provided.

【0025】この様な構造においても、第1の実施例と
同様に第5グリッドG51の第6グリッドG52側に
は、図9(a)に示されるような3個の縦長孔が穿設さ
れ、第6グリッドG52の第5グリッドG51側には、
図9(b)に示されるような3個の横長孔が穿設され、
第5グリッドG51、第6グリッドG52間で4極子レ
ンズQLが形成されている。この4極子レンズQL部分
での、偏向磁界に同期した第6グリッドG52に印加さ
れるダイナミック電圧Vdによってサイドビームの軌道
が変化されないように構成されている。そして、最終集
束レンズELの第1のレンズ領域を構成する第6グリッ
ドG52及び第7グリッドGM1の間には、図10に示
されるようグリッドG52のセンター孔の中心とサイド
ビーム孔の中心の距離SG52が、図10のグリッドG
M1のセンター孔の中心とサイドビーム孔の中心の距離
SGM1よりも小さく定められ、また、対向する外周電
極の影響により、サイドビームがセンタービーム方向へ
と曲がる作用を有するように構成されている。この為、
偏向磁界に同期したダイナミック電圧Vdが印加される
と、このレンズ作用は、弱くなり、サイドビームは、セ
ンタービームから離れる方向(図10において1で示さ
れる方向)へと変化される。また、最終集束レンズEL
の第3のレンズ領域を構成する、図10のグリッドGM
2も同様に、センター孔の中心とサイドビーム孔の中心
の距離SGM2は、図10のグリッドG6のセンター孔
の中心とサイドビーム孔の中心の距離SG6よりも小さ
く定められ、また、対向している外周電極とによりサイ
ドビームがセンタービーム方向へと曲がる作用を有する
構造となっている。
Also in such a structure, three vertically long holes as shown in FIG. 9A are formed on the sixth grid G52 side of the fifth grid G51 similarly to the first embodiment. , On the fifth grid G51 side of the sixth grid G52,
Three oblong holes are drilled as shown in FIG.
A quadrupole lens QL is formed between the fifth grid G51 and the sixth grid G52. The trajectory of the side beam is not changed by the dynamic voltage Vd applied to the sixth grid G52 in synchronization with the deflection magnetic field in the quadrupole lens QL. Then, between the sixth grid G52 and the seventh grid GM1, which constitute the first lens area of the final focusing lens EL, as shown in FIG. 10, the distance between the center of the center hole of the grid G52 and the center of the side beam hole as shown in FIG. SG52 is the grid G in FIG.
The distance between the center of the center hole of M1 and the center of the side beam hole is set to be smaller than the distance SGM1, and the side beam is bent in the direction of the center beam due to the influence of the opposed outer peripheral electrode. Because of this,
When a dynamic voltage Vd synchronized with the deflecting magnetic field is applied, the lens action is weakened, and the side beam is changed in a direction away from the center beam (direction indicated by 1 in FIG. 10). Also, the final focusing lens EL
Of the third lens area of FIG.
Similarly, the distance SGM2 between the center of the center hole and the center of the side beam hole is determined to be smaller than the distance SG6 between the center of the center hole and the center of the side beam hole of the grid G6 in FIG. The outer peripheral electrode has a structure in which the side beam bends in the direction of the center beam.

【0026】この為、偏向磁界に同期したダイナミック
電圧Vdが印加された際にこのレンズ作用は、弱くな
り、サイドビームは、センタービームから離れる方向
(図10で示される3で示される方向)に変化される。
また、最終集束レンズELの第2のレンズ領域を構成す
る第7グリッドGM1及び第8グリッドGM2間では、
図10のグリッドGM1のセンター孔の中心とサイドビ
ーム孔の中心の距離SGM1は、図10のグリッドGM
2のセンター孔の中心とサイドビーム孔の中心の距離S
GM2よりも大きく定められ、既に説明したように、こ
の最終集束レンズELの第2領域では、電子ビームが画
面中央部にあるときには、第7グリッドGM1の電圧V
M1が第8グリッドGM2の電圧VM2よりも低位の電
圧となり、ダイナミック電圧Vdが印加されて電子ビ−
ムが画面周辺部に向けられる際には、第7グリッドGM
1の電圧VMIが第8グリッドGM2の電圧VM2より
も高位の電圧となる。この時サイドビームは、ダイナミ
ック電圧Vdが印加されると同時に、センタービーム方
向(図10における2で示される方向)に曲げられ、先
の最終集束レンズELの第1及び第3のレンズ領域のサ
イドビームがセンタービームから離れる方向(図10に
おける1及び2で示す方向)へと変化する作用を略打ち
消すこととなる。そのため、図10のサイドビームの画
面中央部に電子ビ−ムが集束される場合の軌道(図中で
は実線の軌道:A)と、画面周辺部に電子ビームが偏向
される場合の軌道(図中では破線の軌道:B)とでは、
グリッドG52及びGM1間の最終集束レンズを構成す
る第1のレンズ領域、グリッドGM2及びG6間の第3
のレンズ領域とで略同じ軌道を通過することになる。こ
のことにより、図2を参照して説明した従来例で発生さ
れる図3に示すようなセンタービ−ム軌道とは反対側に
コマ成分のハローを有する形状に歪むことが無く、画面
周辺での画像特性を劣化させることが無い。
For this reason, when a dynamic voltage Vd synchronized with the deflection magnetic field is applied, the effect of this lens is weakened, and the side beam is moved away from the center beam (direction indicated by 3 in FIG. 10). Be changed.
In addition, between the seventh grid GM1 and the eighth grid GM2 constituting the second lens area of the final focusing lens EL,
The distance SGM1 between the center of the center hole and the center of the side beam hole of the grid GM1 of FIG.
Distance S between the center of the center hole and the center of the side beam hole
GM2, and as described above, in the second region of the final focusing lens EL, when the electron beam is at the center of the screen, the voltage V of the seventh grid GM1
M1 becomes a voltage lower than the voltage VM2 of the eighth grid GM2, the dynamic voltage Vd is applied, and the electron beam
When the camera is pointed at the periphery of the screen, the seventh grid GM
The voltage VMI of 1 is higher than the voltage VM2 of the eighth grid GM2. At this time, the side beam is bent in the center beam direction (direction indicated by 2 in FIG. 10) at the same time when the dynamic voltage Vd is applied, and the side beam in the first and third lens regions of the final focusing lens EL is formed. The effect of the beam changing in the direction away from the center beam (directions indicated by 1 and 2 in FIG. 10) is substantially canceled. Therefore, the trajectory when the electron beam is focused on the center of the screen of the side beam in FIG. 10 (the trajectory indicated by the solid line in FIG. 10A) and the trajectory when the electron beam is deflected toward the periphery of the screen (see FIG. In the dashed orbit: B)
A first lens area constituting the final focusing lens between grids G52 and GM1, a third lens area between grids GM2 and G6
Pass through substantially the same trajectory as the lens area. As a result, a shape having a halo of a coma component on the opposite side to the center beam trajectory as shown in FIG. 3 generated in the conventional example described with reference to FIG. Does not deteriorate the image characteristics.

【0027】以上、2つの実施例について説明したが、
これに限ることはなく、例えば上記実施例では、電子銃
のグリッド構成を第1〜第9グリッドとしたが、この第
3グリッド、第4グリッドを省いた電極構成であっても
良く、第6グリッド〜第9グリッドまでの構成が上述し
たような構成であればよい。
The two embodiments have been described above.
The present invention is not limited to this. For example, in the above embodiment, the grid configuration of the electron gun is the first to ninth grids, but the third grid and the fourth grid may be omitted. The configuration from the grid to the ninth grid may be any configuration as described above.

【0028】また、上記実施例の第7グリッドGM1及
び第8グリッドGM2間の構造もこれに限らず、例え
ば、この部分に4極子レンズを付加することもできる。
例えば、図12(a)及び12(b)に示すグリッドの
組合せ、図12(c)及び12(d)に示すグリッドの
組合せ及び図12(e)及び12(f)に示すグリッド
の組合せが配置されても良い。これらのセンター通過孔
及びサイドビーム通過孔間の距離SGM1、SGM2が
コントロールされ、或いは、図12(c)及び12
(d)に示すグリッド及び図12(e)及び12(f)
に示すグリッドのヒサシ電極部の位置を適切に定めるこ
とによってもこの発明の実施例とすることができる。
The structure between the seventh grid GM1 and the eighth grid GM2 in the above embodiment is not limited to this. For example, a quadrupole lens can be added to this portion.
For example, the combination of the grids shown in FIGS. 12A and 12B, the combination of the grids shown in FIGS. 12C and 12D, and the combination of the grids shown in FIGS. It may be arranged. The distances SGM1 and SGM2 between these center passage holes and side beam passage holes are controlled, or as shown in FIGS.
The grid shown in (d) and FIGS. 12 (e) and 12 (f)
The embodiment of the present invention can also be achieved by appropriately determining the position of the stub electrode portion of the grid shown in FIG.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上述べた如く、インライン方向に配置
された3本の電子ビームを形成、射出する電子ビーム形
成部と、この電子ビームを加速集束させる、主電子レン
ズ部を有する電子銃と、この電子銃から放出した電子ビ
ームを画面上、水平、垂直方向に偏向走査する偏向磁界
を発生する偏向ヨークとを少なくとも備えた陰極線管に
おいて、前記主電子レンズ部は、少なくともその連続的
に変化する軸上電位分布によって形成され、この軸上分
布内の電子ビーム進行方向に順次第1、第2、第3のレ
ンズ領域を有し、前記各レンズ領域には前記偏向磁界に
同期してサイドビーム軌道を変化せしめる手段を有し、
各レンズ領域のサイドビーム軌道の変化は、互いにその
変化を略打ち消すように作用する構成としている。
As described above, an electron beam forming unit for forming and emitting three electron beams arranged in the in-line direction, an electron gun having a main electron lens unit for accelerating and focusing the electron beams, and In a cathode ray tube having at least a deflection yoke for generating a deflection magnetic field for deflecting and scanning an electron beam emitted from the electron gun in a horizontal and vertical direction on a screen, the main electron lens portion is at least continuously changed. It is formed by an on-axis potential distribution, and has first, second, and third lens regions sequentially in the electron beam traveling direction within the on-axis distribution. Each of the lens regions has a side beam in synchronization with the deflection magnetic field. Have means to change the orbit,
The change in the side beam trajectory of each lens area acts so as to substantially cancel each other out.

【0030】また、インライン方向に配置された3本の
電子ビームを形成、射出する電子ビーム形成部と、この
電子ビームを加速集束させる主電子レンズ部を有する電
子銃と、この電子銃から放出した電子ビームを画面上で
水平並びに垂直方向に偏向走査する偏向磁界を発生する
偏向ヨークとを少なくとも備えた陰極線管において、前
記主電子レンズ部は、少なくともその連続的に変化する
軸上電位分布によって形成され、その軸上電位分布内の
電子ビ−ム進行方向に順次第1、第2、第3のレンズ領
域を有し、前記偏向磁界に同期して第1、第3のレンズ
領域のサイド・ビーム軌道が変化する時、その変化を打
ち消すように、第2のレンズ領域にサイドビ−ム軌道を
変化させる手段を有する構成としている。
Further, an electron beam forming unit for forming and emitting three electron beams arranged in the in-line direction, an electron gun having a main electron lens unit for accelerating and focusing the electron beam, and an electron beam emitted from the electron gun And a deflection yoke for generating a deflection magnetic field for horizontally and vertically deflecting and scanning the electron beam on the screen, wherein the main electron lens portion is formed by at least the continuously changing axial potential distribution. And a first, a second, and a third lens region in the electron beam traveling direction in the on-axis potential distribution, and the first and third lens regions are synchronized with the deflection magnetic field. When the beam trajectory changes, the second lens area has a means for changing the side beam trajectory so as to cancel the change.

【0031】すなわち、第1のレンズ領域は、第5及び
第6グリッドG51、G52間に4極子レンズQLが形
成され、また、第6及び第7グリッドG52、GM1間
に最終集束レンズが形成されて構成される。第2のレン
ズ領域は、第7グリッドGM1及び第8グリッドGM2
間に最終集束レンズが形成されて構成される。第3のレ
ンズ領域は、第8グリッドGM2及び第9グリッドG6
間に最終集束レンズが形成されて構成される。第5及び
第6グリッドG51、G52間の4極子レンズQLに
は、サイドビーム軌道を変化させる手段が与えられず、
第6及び第7グリッドG52、GM1間の最終集束レン
ズを構成する第1のレンズ領域には、前記偏向磁界によ
る前記電子ビームの偏向に同期して、サイドビームをセ
ンタービ−ム方向(図4において1で示される方向)に
曲げる偏向手段を有し、第7及び第8グリッドGM1、
GM2間の最終集束レンズを構成する第2のレンズ領域
には、前記偏向磁界による前記電子ビームの偏向に同期
して、サイドビームをセンタービーム方向とは逆方向
(図4において2で示される方向)に曲げる偏向手段を
有し、第8及び第9グリッドGM2、G6間の最終集束
レンズを構成する第3のレンズ領域には、前記偏向磁界
による前記電子ビームの偏向に同期して、サイドビーム
をセンタービ−ム方向(図4において3で示される方
向)に曲げる偏向手段を有し、これら偏向手段の発生す
るベクトル成分1、2、3の力は、略打ち消すような構
成されている。そのため、図4に示すように画面中央部
に電子ビ−ムが集束される場合のサイドビームの軌道
(図中では実線の軌道:A)と、画面周辺部に電子ビ−
ムが偏向される場合のサイドビームの軌道(図中では破
線の軌道:B)とでは、第6及び第7グリッドG52、
GM1間の最終集束レンズを構成する第1のレンズ領
域、第8及び第9グリッドGM2、G6間の第3のレン
ズ領域とで略同じ軌道を通過することになる。このこと
により、従来発生されるようなセンタービーム軌道とは
反対側にコマ成分のハローを有する形状に歪むことが無
く、画面周辺での画像特性を劣化させることが無くな
る。
That is, in the first lens area, a quadrupole lens QL is formed between the fifth and sixth grids G51 and G52, and a final focusing lens is formed between the sixth and seventh grids G52 and GM1. It is composed. The second lens area includes a seventh grid GM1 and an eighth grid GM2.
A final focusing lens is formed in between. The third lens area includes an eighth grid GM2 and a ninth grid G6.
A final focusing lens is formed in between. The quadrupole lens QL between the fifth and sixth grids G51 and G52 is not provided with a means for changing the side beam trajectory,
In the first lens area constituting the final focusing lens between the sixth and seventh grids G52 and GM1, the side beam is directed in the center beam direction (FIG. 4) in synchronization with the deflection of the electron beam by the deflection magnetic field. In the direction indicated by 1), the seventh and eighth grids GM1,
In the second lens region constituting the final focusing lens between the GMs 2, the side beam is directed in a direction opposite to the center beam direction (direction indicated by 2 in FIG. 4) in synchronization with the deflection of the electron beam by the deflection magnetic field. ), The third lens area constituting the final focusing lens between the eighth and ninth grids GM2 and G6 has a side beam in synchronization with the deflection of the electron beam by the deflection magnetic field. Is bent in the direction of the center beam (indicated by 3 in FIG. 4), and the forces of the vector components 1, 2, and 3 generated by these deflection means are configured to substantially cancel. Therefore, as shown in FIG. 4, the trajectory of the side beam when the electron beam is focused at the center of the screen (the trajectory of the solid line in the figure: A) and the electron beam at the periphery of the screen.
With the trajectory of the side beam when the beam is deflected (the trajectory indicated by the broken line in the figure: B), the sixth and seventh grids G52,
The first lens area constituting the final focusing lens between GM1 and the third lens area between the eighth and ninth grids GM2 and G6 pass substantially the same trajectory. As a result, a shape having a halo of a coma component on the side opposite to the center beam trajectory which is conventionally generated is not distorted, and the image characteristics around the screen are not degraded.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】一般的な陰極線管の構造を概略的に示す断面図
である。
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a general cathode ray tube.

【図2】従来の陰極線管に組み込まれる電子銃における
問題を説明するための電極構造並びにビーム軌跡を概略
的に示す断面図である。
FIG. 2 is a sectional view schematically showing an electrode structure and a beam trajectory for describing a problem in an electron gun incorporated in a conventional cathode ray tube.

【図3】図2に示された電子銃の電極構造においてスク
リーン上の周辺部に形成されるビームスポットの形状を
概略的に示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view schematically showing a shape of a beam spot formed in a peripheral portion on a screen in the electrode structure of the electron gun shown in FIG.

【図4】この発明における陰極線管に搭載される電子銃
の1実施例に係る電極構造並びにビーム軌跡を概略的に
示す断面図である。
FIG. 4 is a sectional view schematically showing an electrode structure and a beam trajectory according to an embodiment of an electron gun mounted on a cathode ray tube according to the present invention.

【図5】図4に示した電極構造を有する電子銃の構造及
びその各電極に与えられる電圧並びにその結線を示す模
式図である。
5 is a schematic diagram showing the structure of an electron gun having the electrode structure shown in FIG. 4, the voltage applied to each electrode thereof, and the connection thereof.

【図6】図5に示された電子銃の電極に与えられる電圧
及び変化を示すグラフである。
6 is a graph showing a voltage applied to an electrode of the electron gun shown in FIG. 5 and a change.

【図7】図5に示された電子銃の電極に与えられる電圧
の変化を示すグラフである。
FIG. 7 is a graph showing a change in a voltage applied to an electrode of the electron gun shown in FIG.

【図8】図5に示された電子銃の電極構造における交流
的な等価回路を示す回路図である。
8 is a circuit diagram showing an AC equivalent circuit in the electrode structure of the electron gun shown in FIG.

【図9】(a)及び(b)は、図5に示された電子銃の
電極を示す平面図である。
FIGS. 9A and 9B are plan views showing electrodes of the electron gun shown in FIG.

【図10】この発明の他の実施例に係る陰極線管に搭載
される電子銃の他の実施例に係る電極構造並びにビーム
軌跡を概略的に示す断面図である。
FIG. 10 is a sectional view schematically showing an electrode structure and a beam trajectory according to another embodiment of an electron gun mounted on a cathode ray tube according to another embodiment of the present invention.

【図11】図10に示される電子銃の電極を概略的に示
す平面図である。
11 is a plan view schematically showing an electrode of the electron gun shown in FIG.

【図12】(a)から(f)は、この発明の他の実施例
に係る陰極線管に搭載される電子銃の更に他の実施例に
係る電極構造を概略的に示す平面図である。
FIGS. 12A to 12F are plan views schematically showing an electrode structure according to still another embodiment of an electron gun mounted on a cathode ray tube according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…パネル 2…ファンネル 3…蛍光体スクリーン 4…マスク 5…ネック 7…電子銃 8…偏向ヨーク KR,KG,KB…カソード 100…抵抗器 6B,6G,6R…電子ビーム C56,C67,C78…電極間容量 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Panel 2 ... Funnel 3 ... Phosphor screen 4 ... Mask 5 ... Neck 7 ... Electron gun 8 ... Deflection yoke KR, KG, KB ... Cathode 100 ... Resistor 6B, 6G, 6R ... Electron beam C56, C67, C78 ... Electrode capacitance

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菅原 繁 埼玉県深谷市幡羅町1丁目9番2号 株式 会社東芝深谷電子工場内 Fターム(参考) 5C041 AA03 AA12 AB07 AC17 AC26 AC34 AC35 AD02  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Shigeru Sugawara 1-9-2 Hara-cho, Fukaya-shi, Saitama F-term in Fukaya Electronics Factory, Toshiba Corporation (reference) 5C041 AA03 AA12 AB07 AC17 AC26 AC34 AC35 AD02

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】インライン方向に配置された3本の電子ビ
ームを形成し、射出する電子ビーム形成部及びこの電子
ビームを加速集束させる主電子レンズ部を有する電子銃
と、 この電子銃から放出した電子ビームを画面上で水平並び
に垂直方向に偏向走査する偏向磁界を発生する偏向ヨー
クとを少なくとも備えた陰極線管において、 前記主電子レンズ部は、少なくともその連続的に変化す
る軸上電位分布によって形成され、その分布内では、電
子ビ−ム進行方向に沿って少なくとも第1及び第2のレ
ンズ領域を有し、前記各レンズ領域は、前記偏向磁界に
同期してサイドビーム軌道を変化させる手段を有し、各
レンズ領域のサイドビーム軌道の変化は、互いにその変
化を略打ち消すように作用することを特徴とする陰極線
管。
1. An electron gun having an electron beam forming portion for forming and emitting three electron beams arranged in an in-line direction, a main electron lens portion for accelerating and focusing the electron beam, and an electron beam emitted from the electron gun. A deflection yoke for generating a deflection magnetic field for horizontally and vertically deflecting and scanning an electron beam on a screen, wherein the main electron lens section is formed by at least the continuously changing axial potential distribution. The distribution has at least a first and a second lens area along the electron beam traveling direction, and each of the lens areas has means for changing a side beam trajectory in synchronization with the deflection magnetic field. A cathode ray tube, wherein a change in the side beam trajectory of each lens region acts so as to substantially cancel each other.
【請求項2】インライン方向に配置された3本の電子ビ
ームを形成し、射出する電子ビーム形成部及びこの電子
ビームを加速集束させる主電子レンズ部を有する電子銃
と、 この電子銃から放出した電子ビームを画面上で水平並び
に垂直方向に偏向走査する偏向磁界を発生する偏向ヨー
クとを少なくとも備えた陰極線管において、 前記主電子レンズ部は、少なくともその連続的に変化す
る軸上電位分布によって形成され、その分布内では、電
子ビ−ム進行方向に沿って順次第1、第2、第3のレン
ズ領域を有し、前記各レンズ領域は、前記偏向磁界に同
期してサイドビーム軌道を変化させる手段を有し、各レ
ンズ領域のサイドビーム軌道の変化は、互いにその変化
を略打ち消すように作用することを特徴とする請求項1
に記載の陰極線管。
2. An electron gun having an electron beam forming section for forming and emitting three electron beams arranged in an in-line direction, and an electron gun having a main electron lens section for accelerating and focusing the electron beam, and emitted from the electron gun. And a deflection yoke that generates a deflection magnetic field that deflects and scans the electron beam in the horizontal and vertical directions on the screen. The main electron lens section is formed by at least the continuously changing axial potential distribution. Within the distribution, there are first, second, and third lens regions sequentially along the traveling direction of the electron beam, and each of the lens regions changes the side beam trajectory in synchronization with the deflection magnetic field. 2. The apparatus according to claim 1, further comprising means for causing a change in the side beam trajectory of each lens area to substantially cancel each other.
A cathode ray tube according to claim 1.
【請求項3】インライン方向に配置された3本の電子ビ
ームを形成し、射出する電子ビーム形成部及びこの電子
ビームを加速集束させる、主電子レンズ部を有する電子
銃と、 この電子銃から放出した電子ビームを画面上で水平並び
に垂直方向に偏向走査する偏向磁界を発生する偏向ヨー
クとを少なくとも備えた陰極線管において、 前記主電子レンズ部は、少なくともその連続的に変化す
る軸上電位分布によって形成され、その分布内におい
て、電子ビ−ム進行方向に沿って順次第1、第2、第3
のレンズ領域を有し、前記偏向磁界に同期して第1及び
第3のレンズ領域のサイドビーム軌道が変化する時、そ
の変化を略打ち消すように、第2のレンズ領域のサイド
ビーム軌道を変化させる手段を有することを特徴とする
陰極線管。
3. An electron beam forming unit for forming and emitting three electron beams arranged in an in-line direction, an electron gun having a main electron lens unit for accelerating and focusing the electron beam, and emission from the electron gun. A deflection yoke that generates a deflection magnetic field that deflects and scans the electron beam on the screen in horizontal and vertical directions, wherein the main electron lens portion is at least by its continuously changing axial potential distribution. Are formed, and within the distribution thereof, the first, second, and third portions are sequentially formed along the electron beam traveling direction.
When the side beam trajectories of the first and third lens regions change in synchronization with the deflection magnetic field, the side beam trajectory of the second lens region is changed so as to substantially cancel the change. A cathode ray tube having means for causing the cathode ray tube to emit light.
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