JP2000323021A - Manufacture of electron emission source, electron emission source and fluorescent light emission type display - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve high efficient electron emission by low voltage driving by using a carbon material containing at least one of carbon nanotube, fullerene, nanoparticle, and nanocapsule. SOLUTION: A plate 602 for forming a projecting part having a sharp recessed part 301 formed in a single-crystal substrate 101 is pressed against a paste type carbon layer 703 covering a cathode conductor 702 on an insulating substrate 701 and containing a carbon nanotube, and dried up for forming an emitter having a sharp projecting part. After that, the insulating layer and a gate electrode are laminated to the emitter for finishing an electron emission source.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子を放出する電
子放出源の製造方法、これによって製造した電子放出源
及び前記電子放出源を使用した蛍光発光型表示器に関す
る。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a method for manufacturing an electron emission source for emitting electrons, an electron emission source manufactured by the method, and a fluorescent display using the electron emission source.

【０００２】[0002]

【従来の技術】電界の作用によって電子を放出する電界
電子放出源は、熱エネルギーを利用する電子源（熱電子
放出源）に比べ、省エネルギーで長寿命化が可能等、優
れた点が多い。現在よく使われている電界電子放出源の
材料としては、シリコン等の半導体、タングステン、モ
リブデンなどの金属、ダイヤモンドライクカーボン（Ｄ
ＬＣ；Diamond-Like Carbon）等が知られている。2. Description of the Related Art A field electron emission source that emits electrons by the action of an electric field has many advantages over an electron source that uses thermal energy (thermoelectron emission source), such as energy saving and a longer life. Currently used materials for field electron sources include semiconductors such as silicon, metals such as tungsten and molybdenum, and diamond-like carbon (D
LC; Diamond-Like Carbon) and the like.

【０００３】電界放出現象は、金属または半導体表面の
印加電界を１０^９Ｖ／ｍ程度にするとトンネル効果によ
り障壁を通過して常温でも真空中に電子放出が行われる
現象である。このため、電子を放出する電子放出材料に
よって形成された電子放出素子へ引出し電極（以下ゲー
ト電極という）から、いかに高い電界を印加できるかが
その引き出し電流を決定する。The field emission phenomenon is a phenomenon in which when an electric field applied to the surface of a metal or semiconductor is set to about 10 ⁹ V / m, electrons are emitted into a vacuum even at room temperature through a barrier due to a tunnel effect. For this reason, how much a high electric field can be applied from an extraction electrode (hereinafter referred to as a gate electrode) to an electron-emitting device formed of an electron-emitting material that emits electrons determines the extraction current.

【０００４】一方、電子放出素子が鋭利な先端を持つほ
ど、該電子放出素子に印加される電界強度が高くなるこ
とが知られている。このためには、前記の半導体や金属
等の電子放出部の先端を鋭利な針状に加工することが必
要となる。しかしながら、前記半導体や金属等の先端を
鋭利な針状に加工することは容易でなく又、大規模な装
置が必要になるため極めて高価になるという問題があ
る。[0004] On the other hand, it is known that the sharper a tip of an electron-emitting device, the higher the electric field intensity applied to the electron-emitting device. For this purpose, it is necessary to process the tip of the electron emitting portion of the semiconductor or metal into a sharp needle shape. However, it is not easy to process the tip of the semiconductor, metal, or the like into a sharp needle shape, and there is a problem that a large-scale device is required and the cost becomes extremely high.

【０００５】以上の点から、最近、カーボンナノチュー
ブが電子放出材料として注目されつつある。カーボンナ
ノチューブはその外径が１〜数１０ｎｍ、長さが０．１
〜数μｍと形状的には低電圧で電子放出を行わせるのに
十分な構造形態を持ち、その材料であるカーボンは化学
的に安定、機械的にも強靱であるという特徴を持つた
め、電子放出材料としては、理想的な材料である。した
がって、特開平１０−３１９５４号公報に記載されてい
るように、カーボンナノチューブを含むペースト材料を
カソード導体上、あるいは前記カソード導体上に被着さ
れた抵抗層上に印刷後、焼成し、その上方にリブ状ゲー
ト電極等のゲート電極を配置することによって電子放出
源を形成することができる。[0005] In view of the above, recently, carbon nanotubes have been receiving attention as electron-emitting materials. Carbon nanotubes have an outer diameter of 1 to several tens nm and a length of 0.1
It has a structural form sufficient to emit electrons at a low voltage of ~ several μm, and the material carbon is chemically stable and mechanically tough. It is an ideal material for the release material. Therefore, as described in JP-A-10-31954, a paste material containing carbon nanotubes is printed on a cathode conductor or on a resistive layer applied on the cathode conductor, and then baked, and then baked. An electron emission source can be formed by arranging a gate electrode such as a rib-shaped gate electrode.

【０００６】また、前記電子放出源に対向するように蛍
光体を被着したアノード電極を設けて、これらを真空気
密容器内に配設することによって蛍光発光型表示器を形
成すれば、前記ゲート電極及びアノード電極を所定の正
電位に駆動することによって、前記カーボンナノチュー
ブからの放出電子により前記蛍光体を発光表示させるこ
とができる。Further, if a fluorescent light emitting display is formed by providing an anode electrode coated with a fluorescent material so as to face the electron emission source and disposing them in a vacuum-tight container, By driving the electrode and the anode electrode to a predetermined positive potential, the phosphor can emit light by the emitted electrons from the carbon nanotube.

【０００７】尚、カーボンナノチューブを含むペースト
材料としては、アーク放電法によって生成したカーボン
ナノチューブを含むカーボン材料を、エチルセルロース
をテルピオネールに溶解した溶液に、超音波等によって
良く分散したものを使用することができる。As the paste material containing carbon nanotubes, a material obtained by dispersing a carbon material containing carbon nanotubes produced by an arc discharge method in a solution of ethyl cellulose dissolved in terpionaire by ultrasonic waves or the like is used. Can be.

【０００８】[0008]

【発明が解決しようとする課題】前記従来の電子放出源
では、カーボンナノチューブを含むペースト材料を印刷
形成後、単に乾燥させるにすぎない方法であるため、前
記ペースト材料をカソード導体等の上に被着したときに
は、前記カーボンナノチューブがペースト液に濡れた状
態である。したがって、前記ペースト液の表面張力によ
り、カーボンナノチューブの多くは絶縁基板に対して略
平行に倒れた状態に形成され、前記絶縁基板に対して垂
直に立った状態あるいはこれに近い状態のカーボンナノ
チューブが少なくなる。よって、電界の集中が生じ難く
なるため電子放出能力が低くなり、その結果、電子放出
の開始電圧が高くなり、低電圧で高効率に電子放出を生
じさせることが困難であるという問題があった。In the above-mentioned conventional electron emission source, since the paste material containing carbon nanotubes is simply dried after printing, the paste material is coated on a cathode conductor or the like. When attached, the carbon nanotubes are in a state of being wetted by the paste solution. Therefore, due to the surface tension of the paste liquid, most of the carbon nanotubes are formed in a state of being inclined substantially in parallel to the insulating substrate, and the carbon nanotubes standing in a state perpendicular to the insulating substrate or in a state close to this state are formed. Less. Therefore, concentration of an electric field is less likely to occur, so that the electron emission capability is reduced. As a result, the electron emission start voltage is increased, and it is difficult to generate electrons efficiently at a low voltage. .

【０００９】また、スクリーン印刷用版を構成するメッ
シュの凹凸の影響によって、エミッタをスクリーン印刷
によって形成した場合に凹凸が無制御に形成されるた
め、ゲート電極とエミッタ間の間隙をμｍ以下に制御す
ることが困難であった。したがって、低電圧化が困難と
いう問題があった。[0009] Further, since the unevenness is formed without control when the emitter is formed by screen printing due to the influence of the unevenness of the mesh constituting the screen printing plate, the gap between the gate electrode and the emitter is controlled to be less than μm. It was difficult to do. Therefore, there is a problem that it is difficult to lower the voltage.

【００１０】一方、カーボンナノチューブ以外にも微少
なカーボン材料としてフラーレン、ナノパーティクルや
ナノカプセル等も注目されているが、カーボンナノチュ
ーブの代わりにこれらを用いて、前記同様にこれらをペ
ースト状にしてカソード導体等の上に被着形成するのみ
では電界の集中が生じ難いため、電子放出の開始電圧が
高くなり、低電圧で高効率に電子放出を生じさせること
が困難であるという問題があった。したがって、上記構
成の電子放出源を蛍光発光型表示器に使用した場合に、
低電圧の駆動では高輝度な発光表示を得ることが困難で
あるという問題があった。On the other hand, other than carbon nanotubes, fullerenes, nanoparticles, nanocapsules and the like have been attracting attention as fine carbon materials. However, instead of carbon nanotubes, these are used to form pastes in the same manner as described above to form cathodes. Since the concentration of the electric field is unlikely to occur only by forming the layer on a conductor or the like, the starting voltage of electron emission is increased, and there is a problem that it is difficult to efficiently generate electrons at a low voltage. Therefore, when the electron emission source having the above configuration is used for a fluorescent display,
There is a problem that it is difficult to obtain a high-luminance light-emitting display by driving at a low voltage.

【００１１】本発明は、前記問題点に鑑み成されたもの
で、カーボンナノチューブ、フラーレン、ナノパーティ
クル及びナノカプセルの中の少なくとも一つを有するカ
ーボン材料を用いて、低電圧駆動で高効率な電子放出を
可能にすることを課題としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has been made by using a carbon material having at least one of carbon nanotubes, fullerenes, nanoparticles, and nanocapsules, by using a carbon material having at least one of low voltage and high efficiency. The task is to enable release.

【００１２】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、絶縁基
板、前記絶縁基板上に形成されたカソード導体及び前記
カソード導体に電気的に接続して形成されたエミッタを
有するエミッタ基板を備えると共に前記エミッタから離
間してゲート電極を配設して成る電子放出源の製造方法
において、前記絶縁基板に前記カソード導体を被着する
工程と、カーボンナノチューブ、フラーレン、ナノパー
ティクル及びナノカプセルの中の少なくとも一つを有す
るカーボン材料を含むペースト材料を前記カソード導体
に被着してカーボン層を形成する工程と、単結晶基板に
異方性エッチングを施して凹部を形成することにより凸
部形成用の版を形成する工程と、前記ペースト状のカー
ボン層に前記凸部形成用の版を押付けることによって前
記カーボン層に凸部を形成し前記エミッタを形成する工
程と、前記エミッタから離間する位置に前記ゲート電極
を形成する工程とを備えて成ることを特徴とする電子放
出源の製造方法が提供される。According to the present invention, there is provided an emitter substrate having an insulating substrate, a cathode conductor formed on the insulating substrate, and an emitter electrically connected to the cathode conductor. In a method for manufacturing an electron emission source comprising a gate electrode provided apart from the emitter, a step of applying the cathode conductor to the insulating substrate, wherein at least one of carbon nanotubes, fullerenes, nanoparticles and nanocapsules is provided. A step of applying a paste material containing a carbon material having one to the cathode conductor to form a carbon layer, and performing anisotropic etching on the single crystal substrate to form a concave portion, thereby forming a convex portion forming plate. Forming a convex portion on the carbon layer by pressing the plate for forming the convex portion on the paste-like carbon layer. A step of forming by forming the emitter and method of manufacturing an electron-emitting source, characterized by comprising a step of forming the gate electrode at a position spaced from the emitter is provided.

【００１３】また、本発明によれば、絶縁基板、前記絶
縁基板上に形成されたカソード導体及び前記カソード導
体に電気的に接続して形成されたエミッタを有するエミ
ッタ基板を備えると共に前記エミッタから離間してゲー
ト電極を配設して成る電子放出源の製造方法において、
前記絶縁基板に前記カソード導体を被着する工程と、前
記カソード導体に抵抗層を被着する工程と、カーボンナ
ノチューブ、フラーレン、ナノパーティクル及びナノカ
プセルの中の少なくとも一つを有するカーボン材料を含
むペースト材料を前記抵抗層に被着してカーボン層を形
成する工程と、単結晶基板に異方性エッチングを施して
凹部を形成することにより凸部形成用の版を形成する工
程と、前記ペースト状のカーボン層に前記凸部形成用の
版を押付けることによって前記カーボン層に凸部を形成
し前記エミッタを形成する工程と、前記エミッタから離
間する位置に前記ゲート電極を形成する工程とを備えて
成ることを特徴とする電子放出源の製造方法が提供され
る。According to the present invention, there is provided an emitter substrate having an insulating substrate, a cathode conductor formed on the insulating substrate, and an emitter electrically connected to the cathode conductor. In the method for manufacturing an electron emission source comprising arranging a gate electrode,
A step of applying the cathode conductor to the insulating substrate; a step of applying a resistive layer to the cathode conductor; and a paste containing a carbon material having at least one of carbon nanotubes, fullerenes, nanoparticles, and nanocapsules. Forming a carbon layer by applying a material to the resistive layer to form a carbon layer; performing anisotropic etching on the single crystal substrate to form a concave portion; Forming a convex portion on the carbon layer by pressing the plate for forming the convex portion on the carbon layer to form the emitter, and forming the gate electrode at a position separated from the emitter. A method for manufacturing an electron emission source is provided.

【００１４】前記単結晶基板は、例えば、単結晶Ｓｉウ
エハによって形成することができる。また、前記エミッ
タから離間する位置に前記ゲート電極を形成する工程
は、前記エミッタ上に絶縁層を形成する工程と、前記絶
縁層上にゲート電極層を形成する工程と、前記エミッタ
の凸部が露出するまで、前記絶縁層及びゲート電極層の
一部をエッチングして除去することにより前記ゲート電
極を形成する工程とを備えるようにしてもよい。The single crystal substrate can be formed, for example, from a single crystal Si wafer. The step of forming the gate electrode at a position separated from the emitter includes the steps of forming an insulating layer on the emitter, forming a gate electrode layer on the insulating layer, and forming the convex part of the emitter. Forming the gate electrode by etching and removing a part of the insulating layer and the gate electrode layer until the gate electrode is exposed.

【００１５】本発明によれば、以上のようにして製造さ
れた電子放出源が提供される。また、本発明によれば、
電子放出源及び蛍光体が被着されたアノード電極を真空
気密容器内に配設し、前記電子放出源から放出される電
子を前記蛍光体に射突させることにより発光表示を行う
蛍光発光型表示器において、前記電子放出源として、請
求項５記載の電子放出源を使用したことを特徴とする蛍
光発光型表示器が提供される。According to the present invention, there is provided an electron emission source manufactured as described above. According to the present invention,
A fluorescent light-emitting display in which an electron emission source and an anode electrode on which a phosphor is adhered are disposed in a vacuum-tight container and electrons emitted from the electron emission source are projected on the phosphor to emit light. A fluorescent light-emitting display device, wherein the electron emission source according to claim 5 is used as the electron emission source.

【００１６】[0016]

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて、本発明の実
施の形態について説明する。尚、各図において同一部分
には同一符号を付している。図１乃至図１２は、本発明
の実施形態に係る電子放出源の製造方法の製造工程を示
す部分側断面図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings, the same parts are denoted by the same reference numerals. 1 to 12 are partial side sectional views showing the manufacturing steps of the method for manufacturing an electron emission source according to the embodiment of the present invention.

【００１７】先ず、図１に示すように、例えば単結晶Ｓ
ｉのウエハによって形成された単結晶基板１０１上に、
フォトレジスト層１０２をスクリーン印刷した後、図２
に示すように、エミッタに凸部を形成する領域のみが開
口するようにパターニング処理して、フォトレジスト層
１０２に開口部２０１を形成する。次に、ＫＯＨ水溶液
によって異方性エッチングを行うことにより、図３に示
すように、単結晶基板１０１の開口部２０１から露出し
た部分に、４つの（１，１，１）面で囲まれた逆ピラミ
ッド状の凹部３０１を複数個形成する。First, as shown in FIG.
On the single crystal substrate 101 formed by the wafer i,
After screen printing of the photoresist layer 102, FIG.
As shown in (1), an opening 201 is formed in the photoresist layer 102 by performing a patterning process so that only a region where a projection is formed in the emitter is opened. Next, by performing anisotropic etching with a KOH aqueous solution, as shown in FIG. 3, the portion exposed from the opening 201 of the single crystal substrate 101 is surrounded by four (1,1,1) planes. A plurality of inverted pyramid-shaped concave portions 301 are formed.

【００１８】次に、図４に示すように、単結晶基板１０
１の露出面にＳｉＯ_２の熱酸化膜４０１を形成し、その
後、図５に示すように、酸化膜４０１をＢＨＦでエッチ
ングして除去することにより、逆ピラミッド状の凹部３
０１の頂部を先鋭化する。次に、フォトレジスト層１０
２を除去し、図６に示すように、単結晶基板１０１の裏
面（凹部３０１が形成された面の裏面）を、ガラスや金
属等によって形成された台座用基板６０１に貼付し固定
して、凸部形成用の版６０２を作成する。Next, as shown in FIG.
5, a thermal oxide film 401 of SiO ₂ is formed on the exposed surface, and then, as shown in FIG.
The top of 01 is sharpened. Next, the photoresist layer 10
2, and as shown in FIG. 6, the back surface of the single crystal substrate 101 (the back surface of the surface on which the concave portion 301 is formed) is attached and fixed to a pedestal substrate 601 formed of glass, metal, or the like. A plate 602 for forming a convex portion is formed.

【００１９】一方、図７に示すように、硼珪酸ガラス等
の絶縁基板７０１上に、銀ペーストをスクリーン印刷に
より被着し、焼成することによって、カソード導体７０
２を被着形成する。次に、アーク放電法によって生成し
たカーボンナノチューブを含むカーボン材料を、エチル
セルローズを有機溶剤に溶解した溶液に良く分散して、
カーボンナノチューブを含むペースト材料を作成し、ス
クリーン印刷によりカソード導体７０２上に塗布して、
カーボンナノチューブを含むカーボン層７０３を形成す
る。On the other hand, as shown in FIG. 7, a silver paste is applied on an insulating substrate 701 made of borosilicate glass or the like by screen printing and baked to form a cathode conductor 70.
2 is formed. Next, the carbon material containing the carbon nanotubes generated by the arc discharge method is well dispersed in a solution of ethyl cellulose dissolved in an organic solvent,
A paste material containing carbon nanotubes is prepared and applied on the cathode conductor 702 by screen printing,
A carbon layer 703 including carbon nanotubes is formed.

【００２０】次に、前記ペースト状のカーボン層７０３
を軽く乾燥させた後、前述のようにして作成した凸部形
成用の版６０２を、凹部３０１がカーボン層７０３に対
面するように配置して、約３００ｋｇ／ｃｍ^２程度の圧
力で押圧する。これにより、カーボン層７０３に含まれ
るカーボンナノチューブが凹部３０１内に侵入すると共
に、前記凹部３０１以外の単結晶基板１０１に対面する
カーボン層７０３の部分の表面は、単結晶基板１０１に
よって押圧される。Next, the paste-like carbon layer 703 is formed.
Is lightly dried, and the plate 602 for forming convex portions formed as described above is arranged so that the concave portions 301 face the carbon layer 703, and pressed with a pressure of about 300 kg / cm ² . As a result, the carbon nanotubes contained in the carbon layer 703 enter the recess 301, and the surface of the portion of the carbon layer 703 facing the single crystal substrate 101 other than the recess 301 is pressed by the single crystal substrate 101.

【００２１】この状態で、さらにカーボン層７０３を乾
燥させた後、凸部形成用の版６０２を除去することによ
り、図８に示すように、絶縁基板７０１、カソード導体
７０２及び凸部８０１を有するエミッタ８０２が積層形
成されたエミッタ基板８０３が完成する。ここで、凸部
８０１は凹部３０１とほぼ同じ形状に形成されるため、
凸部８０１の先端は先鋭化され又、エミッタ８０２の凸
部８０１以外の部分は凸部形成用の版６０２によって押
圧されて平坦に形成される。In this state, after the carbon layer 703 is further dried, the plate 602 for forming the convex portions is removed, thereby providing an insulating substrate 701, a cathode conductor 702, and the convex portions 801 as shown in FIG. An emitter substrate 803 on which the emitters 802 are laminated is completed. Here, since the convex portion 801 is formed in substantially the same shape as the concave portion 301,
The tip of the projection 801 is sharpened, and the portion of the emitter 802 other than the projection 801 is pressed by the projection forming plate 602 to be formed flat.

【００２２】次に、図９に示すように、ＣＶＤ（Chemic
al Vapor Depotision）等の方法でエミッタ８０２上に
ＳｉＯ_２等によって形成された絶縁層９０１を積層形成
した後、スパッタ等の方法で絶縁層９０１上にＮｂ等の
ゲート電極層９０２を積層形成する。次に、図１０に示
すように、フォトレジスト１００１をスピンコートした
後、ＣＦ_４等によって破線の位置までエッチング（エッ
チバック）を行なう。これにより、図１１に示すよう
に、凸部８０１先端のゲート電極層９０２を除去して開
口部１１１を形成し、これによりゲート電極１１２を形
成する。Next, as shown in FIG.
After an insulating layer 901 formed of SiO ₂ or the like is formed on the emitter 802 by a method such as Al Vapor Depotision, a gate electrode layer 902 such as Nb is formed on the insulating layer 901 by a method such as sputtering. Next, as shown in FIG. 10, after a photoresist 1001 is spin-coated, etching (etchback) is performed using CF ₄ or the like to a position indicated by a broken line. As a result, as shown in FIG. 11, the gate electrode layer 902 at the tip of the convex portion 801 is removed to form the opening 111, thereby forming the gate electrode 112.

【００２３】その後、ゲート電極１１２から露出した絶
縁層９０１の上部をＢＨＦによりエッチング処理して、
図１２に示すように、ゲート電極１１２の開口部１１１
からエミッタ８０２の凸部８０１を露出させる。これに
より、絶縁基板７０１、カソード導体７０２及び凸部８
０１を有するエミッタ８０２が積層されたエミッタ基板
８０３上に、絶縁層９０１及びゲート電極１１２が積層
された電子放出源が完成する。Thereafter, the upper portion of the insulating layer 901 exposed from the gate electrode 112 is etched with BHF,
As shown in FIG. 12, an opening 111 of a gate electrode 112 is formed.
The projection 801 of the emitter 802 is exposed. Thereby, the insulating substrate 701, the cathode conductor 702, and the projection 8
An electron emission source in which an insulating layer 901 and a gate electrode 112 are stacked on an emitter substrate 803 on which an emitter 802 having a layer 01 is stacked is completed.

【００２４】このようにして得られた電子放出源におい
ては、カソード導体７０２とゲート電極１１２間に所定
の電圧を印加することにより、エミッタ８０２に形成さ
れた凸部８０１に電界の集中が生じる。これにより、電
子放出の開始電圧が低くなり、低電圧で高効率に電子放
出を生じさせることが可能になる。また、エミッタ８０
２を構成するカーボンナノチューブの多くが、凸部８０
１の先端部や先端部近傍から、絶縁基板７０１に垂直な
方向又はこれに近い方向に突出し、さらに電界の集中が
生じる。これにより、さらに電子放出の開始電圧が低く
なり、低電圧で高効率に電子放出を生じさせることが可
能になる。In the electron emission source thus obtained, when a predetermined voltage is applied between the cathode conductor 702 and the gate electrode 112, an electric field is concentrated on the projection 801 formed on the emitter 802. As a result, the start voltage of electron emission is reduced, and electron emission can be generated with low voltage and high efficiency. Also, the emitter 80
Most of the carbon nanotubes constituting the protrusions 2
1 protrudes in a direction perpendicular to or close to the insulating substrate 701 from the front end portion or the vicinity of the front end portion, further concentrating the electric field. As a result, the electron emission start voltage is further reduced, and electron emission can be generated with low voltage and high efficiency.

【００２５】尚、上記実施の形態では、カソード導体７
０２上にエミッタ８０２を形成するようにしたが、カソ
ード導体７０２上に電子放出の安定化や電極短絡時の過
電流防止等を図るためにＲｕＯ_２系の抵抗層（図示せ
ず）をスクリーン印刷等により被着形成し、前記抵抗層
上に、凸部８０１を有するエミッタ８０２を形成するよ
うな工程を付加してもよい。In the above embodiment, the cathode conductor 7
Although the emitter 802 is formed on the cathode 02, a RuO ₂ -based resistive layer (not shown) is screen-printed on the cathode conductor 702 in order to stabilize electron emission and prevent overcurrent when an electrode is short-circuited. A step of forming an emitter 802 having a convex portion 801 on the resistance layer may be added.

【００２６】また、上記実施の形態においては、エミッ
タ８０２上に、絶縁層７０４及びゲート電極１１２を積
層形成するようにしたが、凸部８０１を有するエミッタ
８０２をドット状に形成すると共に、絶縁層７０４及び
ゲート電極１１２をエミッタ８０２を囲むような格子状
にして絶縁基板７０１上又はカソード導体７０２上に積
層形成する、あるいは、前記抵抗層を有する場合には絶
縁層７０４及びゲート電極１１２を前記抵抗層上に積層
形成することによりリブ状のゲート電極を形成するよう
にする等、種々の変更が可能である。さらに、メッシュ
状のゲート電極をエミッタ８０２から所定距離離間して
対面する位置に形成するようにしてもよい。Further, in the above embodiment, the insulating layer 704 and the gate electrode 112 are formed on the emitter 802 by lamination. However, the emitter 802 having the convex portion 801 is formed in a dot shape and the insulating layer 704 is formed. The insulating layer 704 and the gate electrode 112 are formed on the insulating substrate 701 or the cathode conductor 702 in a lattice shape so as to surround the emitter 802, or when the insulating layer 704 and the gate electrode 112 are provided, Various modifications are possible, such as forming a gate electrode in the form of a rib by stacking on a layer. Furthermore, a mesh-shaped gate electrode may be formed at a position facing the emitter 802 at a predetermined distance.

【００２７】さらにまた、前記実施の形態においては、
エミッタ８０２の材料としてカーボンナノチューブを有
するカーボン材料を使用したが、フラーレン、ナノパー
ティクルあるいはナノカプセルを含むカーボン材料を使
用することも可能である。即ち、ペースト状のカーボン
層７０３の材料として、カーボンナノチューブ、フラー
レン、ナノパーティクル及びナノカプセルの中、少なく
とも一つを有するカーボン材料を含むペースト材料を使
用することが可能である。この場合にも、エミッタ８０
２に形成した凸部に電界の集中が生じるため、電子放出
の開始電圧が低くなり、低電圧で高効率に電子放出を生
じさせることが可能になる。Further, in the above embodiment,
Although a carbon material having carbon nanotubes is used as the material of the emitter 802, a carbon material containing fullerene, nanoparticle, or nanocapsule can be used. That is, a paste material including a carbon material having at least one of carbon nanotubes, fullerenes, nanoparticles, and nanocapsules can be used as the material of the paste-like carbon layer 703. Also in this case, the emitter 80
Since the concentration of the electric field occurs in the projections formed in No. 2, the electron emission start voltage is reduced, and the electron emission can be efficiently generated at a low voltage.

【００２８】また、前記実施の形態においては、ゲート
電極１１２をカソード導体７０２の上方に配設する立体
構造の電子放出源の例で説明したが、カソード導体７０
２とゲート電極１１２の双方をエミッタ基板８０３上の
同一平面上に配設することにより、平面的な電子放出源
を構成することも可能である。Further, in the above-described embodiment, an example of the three-dimensional electron emission source in which the gate electrode 112 is disposed above the cathode conductor 702 has been described.
By arranging both the gate electrode 2 and the gate electrode 112 on the same plane on the emitter substrate 803, a planar electron emission source can be formed.

【００２９】次に、上記電子放出源を使用して、蛍光発
光型表示器を形成する。図１３は、本発明の実施の形態
に係る蛍光発光型表示器の一部切欠き側面図であり、前
記実施の形態の電子放出源を使用した例である。図１３
において、蛍光発光型表示器は、硼珪酸ガラスによって
形成された背面基板としての絶縁基板７０１、硼珪酸ガ
ラスによって形成され透光性を有する前面基板としての
絶縁基板１３１、及び、絶縁基板７０１、１３１の周囲
を封着するシールガラス１３４とを有し、その内部が真
空状態に保持された真空気密容器を備えている。Next, a fluorescent display is formed using the above-mentioned electron emission source. FIG. 13 is a partially cutaway side view of a fluorescent light emitting display according to an embodiment of the present invention, which is an example using the electron emission source of the embodiment. FIG.
In the fluorescent light-emitting display device, an insulating substrate 701 as a back substrate formed of borosilicate glass, an insulating substrate 131 as a light-transmitting front substrate formed of borosilicate glass, and insulating substrates 701 and 131 And a sealing glass 134 for sealing the periphery thereof, and a vacuum airtight container whose inside is kept in a vacuum state.

【００３０】また、前述したように、絶縁基板７０１の
内面上には、カソード導体７０２、カソード導体７０２
に連続して被着形成され凸部８０１を有するエミッタ８
０２、エミッタ８０２上に形成された絶縁層９０１及び
絶縁層９０１上に被着形成されたゲート電極１１２が積
層配設されている。絶縁層９０１及びゲート電極１１２
に形成された開口部１１１からは凸部８０１が露出して
いる。As described above, the cathode conductor 702 and the cathode conductor 702 are provided on the inner surface of the insulating substrate 701.
8 having a convex portion 801 formed continuously on the substrate 8
02, an insulating layer 901 formed on the emitter 802 and a gate electrode 112 deposited on the insulating layer 901 are stacked. Insulating layer 901 and gate electrode 112
The convex part 801 is exposed from the opening part 111 formed in FIG.

【００３１】一方、絶縁基板１３１の内面上には、アノ
ード電極１３２及びアノード電極１３２に被着された蛍
光体１３３が積層配設されている。尚、文字やグラフィ
ック等を表示する形式の蛍光発光型表示器の場合には、
カソード導体７０２、アノード電極１３２及びゲート電
極１１２は、各々、マトリクス状に形成する、あるい
は、特定の電極をベタ状に形成して他の電極をマトリク
ス状に形成する等、適宜目的に応じたパターンに形成す
る。また、大画面表示装置の画素用発光素子として使用
する蛍光発光型表示器の場合にも、前記各電極のパター
ンを適宜選定して形成する。On the other hand, on the inner surface of the insulating substrate 131, an anode electrode 132 and a phosphor 133 attached to the anode electrode 132 are laminated. In the case of a fluorescent display of a type that displays characters, graphics, etc.,
The cathode conductor 702, the anode electrode 132, and the gate electrode 112 are each formed in a matrix, or a pattern suitable for the purpose, such as forming a specific electrode in a solid shape and forming another electrode in a matrix. Formed. Also, in the case of a fluorescent light emitting display used as a light emitting element for a pixel of a large screen display device, the pattern of each electrode is appropriately selected and formed.

【００３２】上記構成の蛍光発光型表示器において、カ
ソード導体７０２、ゲート電極１１２及びアノード電極
１３２間に所定電圧の駆動信号を供給することにより蛍
光体１３３が発光し、各電極の形成パターンや駆動信号
に応じて、文字やグラフィック等の発光表示、あるいは
発光素子としての発光表示を行わせることができる。こ
のとき、エミッタ８０２に形成された凸部８０１や凸部
８０１の先端近傍に突出したカーボンナノチューブに電
界集中が生じるため、低電圧駆動により、高輝度で高品
位な発光表示を得ることが可能になる。尚、本蛍光発光
型表示器において、前述した各種の電子放出源を使用す
ることができる。In the fluorescent light-emitting display device having the above-described structure, a driving signal of a predetermined voltage is supplied between the cathode conductor 702, the gate electrode 112, and the anode electrode 132, so that the phosphor 133 emits light. Light emission display such as characters or graphics or light emission display as a light emitting element can be performed in accordance with a signal. At this time, since the electric field is concentrated on the protrusion 801 formed on the emitter 802 and the carbon nanotube protruding near the tip of the protrusion 801, high-luminance and high-quality light-emitting display can be obtained by low-voltage driving. Become. It should be noted that the above-described various electron emission sources can be used in the present fluorescent light emitting display.

【００３３】以上述べたように本実施の形態に係る電子
放出源の製造方法は、絶縁基板、前記絶縁基板上に形成
されたカソード導体及び前記カソード導体に電気的に接
続して形成されたエミッタを有するエミッタ基板を備え
ると共に前記エミッタから離間してゲート電極を配設
し、前記カソード導体と前記ゲート電極間に電圧を印加
することにより前記エミッタから電子を放出するように
した電子放出源の製造方法において、絶縁基板７０１に
カソード導体７０２を被着する工程と、カーボンナノチ
ューブ、フラーレン、ナノパーティクル及びナノカプセ
ルの中の少なくとも一つを有するカーボン材料を含むペ
ースト材料を前記カソード導体に被着してカーボン層７
０３を形成する工程と、ＳｉＯ_２等によって形成された
単結晶基板１０１に異方性エッチングを施して凹部３０
１を形成することにより凸部形成用の版６０２を形成す
る工程と、前記ペースト状のカーボン層７０３に前記凸
部形成用の版６０２を所定の押圧力で押付けることによ
ってカーボン層７０３に凸部８０１を形成しエミッタ８
０２を形成する工程と、エミッタ８０２から離間する位
置に、Ｎｂ等によって形成されたゲート電極１１２を形
成する工程とを備えている。As described above, the method of manufacturing an electron emission source according to the present embodiment comprises an insulating substrate, a cathode conductor formed on the insulating substrate, and an emitter electrically connected to the cathode conductor. Manufacturing an electron emission source comprising: an emitter substrate having: a gate electrode disposed apart from the emitter; and applying a voltage between the cathode conductor and the gate electrode to emit electrons from the emitter. In the method, applying a cathode conductor 702 to an insulating substrate 701, and applying a paste material including a carbon material having at least one of carbon nanotubes, fullerenes, nanoparticles, and nanocapsules to the cathode conductor. Carbon layer 7
03, and anisotropically etching the single crystal substrate 101 formed of SiO ₂ or the like to form the recesses 30.
1 and the step of forming the plate 602 for forming convex portions by pressing the plate 602 for forming convex portions on the paste-like carbon layer 703 with a predetermined pressing force. Forming part 801 and forming emitter 8
02 and a step of forming a gate electrode 112 made of Nb or the like at a position separated from the emitter 802.

【００３４】また、本実施の形態に係る電子放出源の製
造方法は、上記製造方法において、絶縁基板７０１にカ
ソード導体７０２を被着する工程と、カーボンナノチュ
ーブ、フラーレン、ナノパーティクル及びナノカプセル
の中の少なくとも一つを有するカーボン材料を含むペー
スト材料を被着してカーボン層７０３を形成する工程と
の間に、前記カソード導体にＲｕＯ_２系等の抵抗層を被
着する工程を付加して、前記抵抗層上にカーボン層７０
３を形成し、これにより前記抵抗層上にエミッタ８０２
を形成した後、エミッタ８０２に離間する位置にゲート
電極を形成するようにしている。さらに、ＳｉＯ_２等に
よって形成された単結晶基板１０１に異方性エッチング
を施して凹部３０１を形成することにより凸部形成用の
版６０２を形成する工程に加えて、単結晶基板１０１の
露出面である凹部３０１に酸化膜４０１を形成し、酸化
膜４０１をエッチングして除去することにより、凹部３
０１の頂部を先鋭化する工程を付加している。The method of manufacturing an electron emission source according to the present embodiment is the same as the above-described manufacturing method, except that the step of attaching the cathode conductor 702 to the insulating substrate 701 and the step of forming a carbon nanotube, fullerene, nanoparticle and nanocapsule are performed. Between the step of applying a paste material containing a carbon material having at least one of the above to form a carbon layer 703, the step of applying a RuO ₂ -based resistance layer or the like to the cathode conductor is added. A carbon layer 70 on the resistance layer
3 to form an emitter 802 on the resistance layer.
Is formed, a gate electrode is formed at a position separated from the emitter 802. Further, in addition to the step of forming the concave portion 301 by performing anisotropic etching on the single crystal substrate 101 formed of SiO ₂ or the like to form the plate 602 for forming the convex portion, the exposed surface of the single crystal substrate 101 is formed. An oxide film 401 is formed in the concave portion 301, which is formed by etching, and the oxide film 401 is removed by etching.
A step of sharpening the top portion of 01 is added.

【００３５】ここで、エミッタ８０２から離間する位置
にゲート電極１１２を形成する工程は、エミッタ８０２
の上にＳｉＯ_２等によって形成された絶縁層９０１を形
成する工程と、絶縁層９０１上にゲート電極層９０２を
形成する工程と、エミッタ８０２の凸部８０１が露出す
るまで、絶縁層９０１及びゲート電極層９０２の一部を
エッチングして除去して開口部１１１を形成することに
よりゲート電極１１２を形成する工程とを備えるようす
ることができる。Here, the step of forming the gate electrode 112 at a position separated from the emitter 802 includes the steps of:
Forming an insulating layer 901 formed of SiO ₂ or the like thereon, forming a gate electrode layer 902 on the insulating layer 901, and forming the insulating layer 901 and the gate until the projection 801 of the emitter 802 is exposed. Forming a gate electrode 112 by forming a portion of the opening portion 111 by removing a part of the electrode layer 902 by etching.

【００３６】したがって、前記実施の形態によれば、エ
ミッタ８０２の先端部に先鋭な凸部８０１を容易に形成
することができるので、凸部８０１に電界の集中が生
じ、低電圧駆動で高効率な電子放出が可能で容易に製造
可能な電子放出源の製造方法を提供することができる。
また、エミッタ８０２の凸部８０１以外の部分を平坦に
形成することができるので、ゲート電極とエミッタ間の
間隙をμｍ以下に制御することが可能になり、さらに低
電圧駆動が可能になるという効果を奏する。Therefore, according to the above-described embodiment, a sharp convex portion 801 can be easily formed at the tip of the emitter 802, so that an electric field is concentrated on the convex portion 801 and low-voltage driving enables high efficiency. It is possible to provide a method of manufacturing an electron emission source capable of easily emitting electrons and easily manufacturing the same.
Further, since the portion other than the convex portion 801 of the emitter 802 can be formed flat, the gap between the gate electrode and the emitter can be controlled to be less than μm, and further, the low voltage driving becomes possible. To play.

【００３７】また、前記実施の形態によれば、電子放出
源及び蛍光体１３３が被着されたアノード電極１３２
を、絶縁基板７０１、１３１及びシールガラス１３４を
備える真空気密容器内に配設し、前記電子放出源から放
出される電子を蛍光体１３３に射突させることにより発
光表示を行う蛍光発光型表示器において、上記のように
して製造された電子放出源が使用される。これにより、
低電圧の駆動が可能で又、高輝度な発光表示を得ること
が可能になる。Further, according to the above-described embodiment, the anode 132 having the electron emission source and the phosphor 133 attached thereto.
Is disposed in a vacuum-tight container provided with insulating substrates 701 and 131 and a sealing glass 134, and emits light by emitting electrons emitted from the electron emission source to the phosphor 133 so as to emit light. In the above, the electron emission source manufactured as described above is used. This allows
Driving at a low voltage is possible, and a high-luminance light-emitting display can be obtained.

【００３８】[0038]

【発明の効果】本発明によれば、カーボンナノチュー
ブ、フラーレン、ナノパーティクル及びナノカプセルの
中の少なくとも一つを有するカーボン材料を用いて、低
電圧で高効率な電子放出源の製造方法を提供することが
可能になる。これにより、電子放出特性の優れた電子放
出源を提供することが可能になる。また、低電圧駆動可
能で、高輝度で高品位な蛍光発光型表示器を提供するこ
とが可能になる。According to the present invention, there is provided a method for producing a low-voltage and high-efficiency electron emission source using a carbon material having at least one of carbon nanotubes, fullerenes, nanoparticles and nanocapsules. It becomes possible. This makes it possible to provide an electron emission source having excellent electron emission characteristics. Further, it is possible to provide a high-luminance, high-quality fluorescent light-emitting display device that can be driven at a low voltage.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の実施の形態に係る電子放出源の製造方
法を説明するための部分側断面図である。FIG. 1 is a partial side sectional view for explaining a method for manufacturing an electron emission source according to an embodiment of the present invention.

【図２】本発明の実施の形態に係る電子放出源の製造工
程を説明するための部分側断面図である。FIG. 2 is a partial side sectional view for explaining a manufacturing process of the electron emission source according to the embodiment of the present invention.

【図３】本発明の実施の形態に係る電子放出源の製造工
程を説明するための部分側断面図である。FIG. 3 is a partial side sectional view for explaining a manufacturing process of the electron emission source according to the embodiment of the present invention.

【図４】本発明の実施の形態に係る電子放出源の製造工
程を説明するための部分側断面図である。FIG. 4 is a partial side sectional view for explaining a manufacturing process of the electron emission source according to the embodiment of the present invention.

【図５】本発明の実施の形態に係る電子放出源の製造工
程を説明するための部分側断面図である。FIG. 5 is a partial cross-sectional view for explaining a manufacturing process of the electron emission source according to the embodiment of the present invention.

【図６】本発明の実施の形態に係る電子放出源の製造方
法を説明するための部分側断面図である。FIG. 6 is a partial cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the electron emission source according to the embodiment of the present invention.

【図７】本発明の実施の形態に係る電子放出源の製造工
程を説明するための部分側断面図である。FIG. 7 is a partial side sectional view for explaining a manufacturing process of the electron emission source according to the embodiment of the present invention.

【図８】本発明の実施の形態に係る電子放出源の製造工
程を説明するための部分側断面図である。FIG. 8 is a partial side sectional view for explaining a manufacturing process of the electron emission source according to the embodiment of the present invention.

【図９】本発明の実施の形態に係る電子放出源の製造工
程を説明するための部分側断面図である。FIG. 9 is a partial cross-sectional view for explaining a manufacturing process of the electron emission source according to the embodiment of the present invention.

【図１０】本発明の実施の形態に係る電子放出源の製造
工程を説明するための部分側断面図である。FIG. 10 is a partial cross-sectional view for explaining a manufacturing process of the electron emission source according to the embodiment of the present invention.

【図１１】本発明の実施の形態に係る電子放出源の製造
工程を説明するための部分側断面図である。FIG. 11 is a partial cross-sectional view for explaining a manufacturing process of the electron emission source according to the embodiment of the present invention.

【図１２】本発明の実施の形態に係る電子放出源の製造
工程を説明するための部分側断面図である。FIG. 12 is a partial cross-sectional view for explaining a manufacturing process of the electron emission source according to the embodiment of the present invention.

【図１３】本発明の実施の形態に係る蛍光発光型表示器
の一部切欠き側面図である。FIG. 13 is a partially cutaway side view of the fluorescent light emitting display according to the embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１１２・・・ゲート電極 １３１・・・真空気密容器を構成する背面基板としての
絶縁基板 １３２・・・アノード電極 １３３・・・蛍光体 １３４・・・真空気密容器を構成するシールガラス ３０１・・・凹部 ６０２・・・凸部形成用の版 ７０１・・・真空気密容器を構成する前面基板としての
絶縁基板 ７０２・・・カソード導体 ７０３・・・カーボン層 ７０４・・・絶縁層 ８０１・・・凸部 ８０２・・・エミッタ ８０３・・・エミッタ基板 ９０１・・・絶縁層 ９０２・・・ゲート電極層Reference numeral 112: Gate electrode 131: Insulating substrate as a rear substrate constituting a vacuum-tight container 132 ... Anode electrode 133: Phosphor 134: Seal glass constituting a vacuum-tight container 301 ... Concave portion 602: Plate for forming convex portion 701: Insulating substrate as front substrate constituting vacuum-tight container 702: Cathode conductor 703: Carbon layer 704: Insulating layer 801: Convex Part 802 Emitter 803 Emitter substrate 901 Insulating layer 902 Gate electrode layer

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 絶縁基板、前記絶縁基板上に形成された
カソード導体及び前記カソード導体に電気的に接続して
形成されたエミッタを有するエミッタ基板を備えると共
に前記エミッタから離間してゲート電極を配設して成る
電子放出源の製造方法において、 前記絶縁基板に前記カソード導体を被着する工程と、 カーボンナノチューブ、フラーレン、ナノパーティクル
及びナノカプセルの中の少なくとも一つを有するカーボ
ン材料を含むペースト材料を前記カソード導体に被着し
てカーボン層を形成する工程と、 単結晶基板に異方性エッチングを施して凹部を形成する
ことにより凸部形成用の版を形成する工程と、 前記ペースト状のカーボン層に前記凸部形成用の版を押
付けることによって前記カーボン層に凸部を形成し前記
エミッタを形成する工程と、 前記エミッタから離間する位置に前記ゲート電極を形成
する工程とを備えて成ることを特徴とする電子放出源の
製造方法。An emitter substrate having an insulating substrate, a cathode conductor formed on the insulating substrate, and an emitter electrically connected to the cathode conductor, and a gate electrode spaced from the emitter. A step of applying the cathode conductor to the insulating substrate; and a paste material containing a carbon material having at least one of carbon nanotubes, fullerenes, nanoparticles, and nanocapsules. Forming a carbon layer by applying anisotropic etching to the single crystal substrate to form a concave portion by forming a concave portion by applying anisotropic etching to the single crystal substrate; By pressing the plate for forming the convex portion on the carbon layer, a convex portion is formed on the carbon layer to form the emitter. That step a, method of manufacturing an electron-emitting source, characterized by comprising a step of forming the gate electrode at a position spaced from the emitter. 【請求項２】 絶縁基板、前記絶縁基板上に形成された
カソード導体及び前記カソード導体に電気的に接続して
形成されたエミッタを有するエミッタ基板を備えると共
に前記エミッタから離間してゲート電極を配設して成る
電子放出源の製造方法において、 前記絶縁基板に前記カソード導体を被着する工程と、 前記カソード導体に抵抗層を被着する工程と、 カーボンナノチューブ、フラーレン、ナノパーティクル
及びナノカプセルの中の少なくとも一つを有するカーボ
ン材料を含むペースト材料を前記抵抗層に被着してカー
ボン層を形成する工程と、 単結晶基板に異方性エッチングを施して凹部を形成する
ことにより凸部形成用の版を形成する工程と、 前記ペースト状のカーボン層に前記凸部形成用の版を押
付けることによって前記カーボン層に凸部を形成し前記
エミッタを形成する工程と、 前記エミッタから離間する位置に前記ゲート電極を形成
する工程とを備えて成ることを特徴とする電子放出源の
製造方法。2. An insulating substrate, comprising: an emitter substrate having an emitter formed on the insulating substrate, a cathode conductor formed on the insulating substrate, and an emitter electrically connected to the cathode conductor; and a gate electrode spaced from the emitter. In the method for manufacturing an electron emission source, a step of attaching the cathode conductor to the insulating substrate; a step of attaching a resistive layer to the cathode conductor; and a step of depositing carbon nanotubes, fullerenes, nanoparticles, and nanocapsules. Forming a carbon layer by applying a paste material containing a carbon material having at least one of the above to the resistance layer; and forming a concave portion by performing anisotropic etching on the single crystal substrate to form a concave portion. Forming a printing plate; and pressing the projection-forming plate against the paste-like carbon layer. Process and method of manufacturing the electron emission source characterized by comprising a step of forming the gate electrode at a position spaced from the emitter to form the emitter to form a convex portion in the layer. 【請求項３】前記単結晶基板は単結晶Ｓｉウエハによっ
て形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載
の電子放出源の製造方法。3. The method according to claim 1, wherein the single crystal substrate is formed of a single crystal Si wafer. 【請求項４】 前記エミッタから離間する位置に前記ゲ
ート電極を形成する工程は、 前記エミッタ上に絶縁層を形成する工程と、 前記絶縁層上にゲート電極層を形成する工程と、 前記エミッタの凸部が露出するまで、前記絶縁層及びゲ
ート電極層の一部をエッチングして除去することにより
前記ゲート電極を形成する工程とを備えて成ることを特
徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の電子放出
源の製造方法。4. The step of forming the gate electrode at a position separated from the emitter, the step of forming an insulating layer on the emitter, the step of forming a gate electrode layer on the insulating layer, Forming the gate electrode by etching and removing a part of the insulating layer and the gate electrode layer until the projection is exposed. 4. The method according to claim 1, further comprising: A method for manufacturing an electron emission source according to claim 1. 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか一に記載の方
法によって製造した電子放出源。5. An electron emission source manufactured by the method according to claim 1. 【請求項６】 電子放出源及び蛍光体が被着されたアノ
ード電極を真空気密容器内に配設し、前記電子放出源か
ら放出される電子を前記蛍光体に射突させることにより
発光表示を行う蛍光発光型表示器において、前記電子放
出源として、請求項５記載の電子放出源を使用したこと
を特徴とする蛍光発光型表示器。6. An anode electrode on which an electron emission source and a phosphor are adhered is disposed in a vacuum-tight container, and electrons emitted from the electron emission source are projected on the phosphor to produce a light-emitting display. 6. A fluorescent light emitting display, wherein the electron emitting source according to claim 5 is used as the electron emitting source.