JP2000315820A - High intensity light emitting diode - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は発光ダイオードに関
し、特に光度が大きい発光ダイオードの技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, to a technique for a light emitting diode having a high luminous intensity.
【０００２】[0002]
【従来の技術】Biing-Jye Lee氏のアメリカ特許第5,78
9,768号は図１に示すように、ｎ型GaAs構成の半導体基
板１２をｎ型後電極１０上に形成し、半導体基板１２上
に多層のブラッグ反射層３０を形成する。この多層のブ
ラッグ反射層（distributed Bragg reflector）３０はA
lGaInP或いはAlGaAs等の材料で構成される。積層構造１
４を反射層３０上に形成し、この積層構造１４中はAlGa
InP構成のn型下クラッド層１４０、AlGaInP構成の活性
層１４２、及びAlGaInP構成のp型上クラッド層１４４を
含む。ｐ型ウィンドウ層１６を上クラッド層１４４上に
形成し、このウィンドウ層１６はGaP、GaAsP、GaInP、
或いはAlGaAs等の透明材料で構成する。ｐ型接触層１７
をウィンドウ層１６上に形成し、この接触層１７をGa
P、GaAsP、GaInP、或いはGaAs等の材料で構成する。一
層透明導電層１９を接触層１７上に形成し、同時に接触
層１７の中央中空部分まで延ばす。またウィンドウ層１
６との接触部分にショットキー障壁を形成する。この導
電層１９は酸化インジウム、酸化スズ、或いは酸化亜鉛
インジウム等の透明材料で構成する。またｐ型前電極２
０を導電層１９上に形成する。従来のＬＥＤの特徴は導
電層１９と接触層１７の接触面にオーミック・コンタク
トを形成することで、導電層１９とウィンドウ層１６の
接触面にショットキー障壁を形成、前電極２０から送り
出された電流は導電層１９中で拡散した後、オーミック
・コンタクトを通過、ショットキー障壁を通過せずに下
方向の活性層１４２まで流れ、後電極１０からの電流に
遭遇すると発光作用が発生する。従来の技術は、前電極
２０から送り出された電流はオーミック・コンタクトを
通過するけれども、ショットキー障壁は通過しない。ウ
ィンドウ層１６は相当な厚さと導電性を有するため電流
がウィンドウ層１６を通過するとき、一部の電流は拡散
して前電極２０の真下へいき、これらの一部の電流は下
方向へ活性層１４２まで流れる。前電極２０の真下で後
電極１０から来た電流が遭遇すると発光作用が発生す
る。しかし前電極２０の真下、活性層１４２中で発生し
た光線は前電極２０に遮られて発光効率が悪くなる。ア
メリカ特許第5,153,889号の第二実施例のＬＥＤ構造
は、ウィンドウ層と上クラッド層の間に電流阻止層を設
け、電流の拡散をコントロールする。しかし従来のＬＥ
Ｄの欠点は二段のウェハー製造工程が必要で、更に明確
に言うと上クラッド層上に電流阻止層を形成した後、必
ずエッチング方式で電流阻止層の不必要な部分を除去す
る。その後、二段目のウィンドウ層のウェハーを形成す
る。二段ウェハー製造工程は製造設備、製造コスト、製
品品質等すべて一段ウェハー製造工程よりコストがかか
る。2. Description of the Related Art Biing-Jye Lee's U.S. Pat.
No. 9,768, as shown in FIG. 1, a semiconductor substrate 12 having an n-type GaAs structure is formed on an n-type rear electrode 10, and a multilayer Bragg reflection layer 30 is formed on the semiconductor substrate 12. The multilayer Bragg reflector 30 is A
It is made of a material such as lGaInP or AlGaAs. Laminated structure 1
4 is formed on the reflective layer 30 and the laminated structure 14 has AlGa
It includes an n-type lower cladding layer 140 having an InP configuration, an active layer 142 having an AlGaInP configuration, and a p-type upper cladding layer 144 having an AlGaInP configuration. A p-type window layer 16 is formed on the upper cladding layer 144, and the window layer 16 is made of GaP, GaAsP, GaInP,
Alternatively, it is made of a transparent material such as AlGaAs. p-type contact layer 17
Is formed on the window layer 16, and the contact layer 17 is
It is made of a material such as P, GaAsP, GaInP, or GaAs. A more transparent conductive layer 19 is formed on the contact layer 17, and at the same time extends to the central hollow portion of the contact layer 17. Window layer 1
A Schottky barrier is formed at a contact portion with the gate electrode 6. The conductive layer 19 is made of a transparent material such as indium oxide, tin oxide, or zinc indium oxide. Also, the p-type front electrode 2
0 is formed on the conductive layer 19. The feature of the conventional LED is that an ohmic contact is formed at the contact surface between the conductive layer 19 and the contact layer 17, thereby forming a Schottky barrier at the contact surface between the conductive layer 19 and the window layer 16, and sent out from the front electrode 20. After the current is diffused in the conductive layer 19, it passes through the ohmic contact and does not pass through the Schottky barrier, but flows down to the active layer 142. When the current from the rear electrode 10 is encountered, a light emitting action occurs. In the prior art, the current delivered from the front electrode 20 passes through the ohmic contact but does not pass through the Schottky barrier. The window layer 16 has a considerable thickness and conductivity, so that when a current passes through the window layer 16, some current diffuses and goes directly under the front electrode 20, and some of these currents are activated downward. Flow to layer 142. When a current coming from the rear electrode 10 is encountered just below the front electrode 20, a light emitting action occurs. However, the light generated in the active layer 142 immediately below the front electrode 20 is blocked by the front electrode 20 and the luminous efficiency deteriorates. The LED structure of the second embodiment of U.S. Pat. No. 5,153,889 provides a current blocking layer between the window layer and the upper cladding layer to control current spreading. However, conventional LE
The disadvantage of D is that it requires a two-step wafer manufacturing process. More specifically, after forming the current blocking layer on the upper cladding layer, unnecessary portions of the current blocking layer are always removed by etching. Thereafter, a wafer for the second window layer is formed. The two-stage wafer manufacturing process is more costly than the one-stage wafer manufacturing process in terms of manufacturing equipment, manufacturing cost, product quality, and the like.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】本発明の主な目的は、
電流を活性層へ流して拡散、従来のＬＥＤより優れた発
光効率を達成する。本発明のさらなる目的は、その製造
に一段だけのウェハー製造工程が必要な発光効率が高い
発光ダイオードを提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION The main object of the present invention is to:
The current flows into the active layer and diffuses to achieve higher luminous efficiency than conventional LEDs. It is a further object of the present invention to provide a light emitting diode with high luminous efficiency which requires only one wafer manufacturing step for its manufacture.
【０００４】[0004]
【発明を解決するための手段】後電極上に半導体基板を
形成し、半導体基板上に積層構造を形成する。この積層
構造中は下クラッド層、活性層、及び上クラッド層を含
む。上クラッド層上にウィンドウ層を形成し、このウィ
ンドウ層中で前電極下方適当な距離をおいた所にドライ
エッチング或いはウェットエッチングで予定深度の円環
状溝を形成する。前電極下の適当な距離をおいた所でウ
ィンドウ層上に接触層を設ける。接触層上に透明導電層
の外周部分を形成して、接触層との間にオーミック・コ
ンタクトを形成する。その他の部分は直接ウィンドウ層
に接触して、ウィンドウ層との間にショットキー障壁を
形成する。また導電層上には前電極を形成する。SUMMARY OF THE INVENTION A semiconductor substrate is formed on a rear electrode, and a laminated structure is formed on the semiconductor substrate. The laminated structure includes a lower clad layer, an active layer, and an upper clad layer. A window layer is formed on the upper cladding layer, and an annular groove having a predetermined depth is formed by dry etching or wet etching at an appropriate distance below the front electrode in the window layer. A contact layer is provided on the window layer at an appropriate distance below the front electrode. An outer peripheral portion of the transparent conductive layer is formed on the contact layer to form an ohmic contact with the contact layer. Other portions directly contact the window layer to form a Schottky barrier between the window layer and the window layer. A front electrode is formed on the conductive layer.
【０００５】[0005]
【発明の実施の形態】図２に示すのは、本発明第一実施
例の発光ダイオードの構造で、ｎ型GaAs構成の半導体基
板１２をｎ型後電極１０上に形成、半導体基板１２上に
多層のブラッグ反射層（distributed Bragg reflecto
r）３０を形成し、この多層のブラッグ反射層（distrib
uted Bragg reflector）３０はAlGaInP或いはAlGaAs等
の材料で構成する。積層構造１４を反射層３０上に形成
し、この積層構造１４はAlGaInP構成のn型下クラッド層
１４０、AlGaInP構成の活性層１４２、及びAlGaInP構成
のp型上クラッド層１４４を含む。ｐ型ウィンドウ層１
６を上クラッド層１４４上に形成し、このウィンドウ層
１６はGaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、或いはAlGaAs等の
透明材料で構成される。ウィンドウ層１６中の前電極２
０下で、適当な距離をおいた所に、ドライエッチング或
いはウエットエッチングにより予定深度の円環状溝を形
成する。一層ｐ型接触層１７を前電極２０下の適当な距
離を離した所で、ウィンドウ層１６上に形成し、この接
触層１７はGaP、GaAsP、GaInP或いはGaAs等の透明材料
で構成する。一層透明導電層１９の周囲部分を接触層１
７上に形成し、並びに接触層１７との間にオーミック・
コンタクトを形成、その他の部分はウィンドウ層１６と
直接接触し、同時にウィンドウ層１６との間にショット
キー障壁を形成、この導電層１９は酸化亜鉛インジウ
ム、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化マグネ
シウム等の透明材料で構成する。またｐ型前電極２０を
導電層１９上に形成する。導電層１９と接触層１７の間
にオーミック・コンタクトを形成し、またウィンドウ層
１６との間にショットキー障壁を形成する。円環状溝を
設置するため前電極２０から送りだされた電流は導電層
１９中で拡散した後、オーミック・コンタクト部分を通
過するが、ショットキー障壁は通過しない。オーミック
・コンタクト部分を下方向へ流れる電流は前電極２０へ
向かい、下方向への拡散の機会が相当小さくなり、前電
極２０から送りだされた全ての電流は、活性層１４２中
で、全て前電極２０下の適当な距離をおいた所で、発光
作用が発生して前電極２０の阻止を回避し、ＬＥＤの発
光効果を増す。本発明の第一実施例のＬＥＤは、僅かに
一段だけのウェハー工程が必要で、アメリカ特許第5,15
3,889号の第二実施例のＬＥＤは二段ウェハー工程が必
要で、設備製造、製造時間、製造能率等の方面で、明ら
かに生産コストを下げることができる。FIG. 2 shows the structure of a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention. A semiconductor substrate 12 having an n-type GaAs structure is formed on an n-type rear electrode 10 and is formed on the semiconductor substrate 12. Multi-layer Bragg reflective layer
r) 30 to form a multilayer Bragg reflector (distrib)
The uted Bragg reflector 30 is made of a material such as AlGaInP or AlGaAs. A laminated structure 14 is formed on the reflective layer 30, and the laminated structure 14 includes an n-type lower cladding layer 140 having an AlGaInP configuration, an active layer 142 having an AlGaInP configuration, and a p-type upper cladding layer 144 having an AlGaInP configuration. p-type window layer 1
6 is formed on the upper cladding layer 144, and the window layer 16 is made of a transparent material such as GaP, GaAsP, GaInP, AlGaInP, or AlGaAs. Front electrode 2 in window layer 16
At 0, an annular groove having a predetermined depth is formed at an appropriate distance by dry etching or wet etching. A single p-type contact layer 17 is formed on the window layer 16 at a suitable distance below the front electrode 20, and this contact layer 17 is made of a transparent material such as GaP, GaAsP, GaInP or GaAs. The peripheral portion of the one-layer transparent conductive layer 19 is contact layer 1
7 and between the contact layer 17 and the
A contact is formed, and the other parts are in direct contact with the window layer 16 and at the same time form a Schottky barrier between the window layer 16 and this conductive layer 19 is made of indium zinc oxide, indium oxide, tin oxide, zinc oxide, magnesium oxide. And the like. Further, a p-type front electrode 20 is formed on the conductive layer 19. An ohmic contact is formed between the conductive layer 19 and the contact layer 17, and a Schottky barrier is formed between the conductive layer 19 and the window layer 16. The current sent from the front electrode 20 to set the annular groove diffuses in the conductive layer 19 and then passes through the ohmic contact portion, but does not pass through the Schottky barrier. The current flowing downward through the ohmic contact portion goes to the front electrode 20, and the opportunity for downward diffusion is considerably reduced, and all the current sent from the front electrode 20 is all At a suitable distance below the electrode 20, a light emitting action occurs to avoid blocking the front electrode 20 and increase the light emitting effect of the LED. The LED of the first embodiment of the present invention requires only one step of the wafer process and is disclosed in U.S. Pat.
The LED of the second embodiment of No. 3,889 requires a two-stage wafer process, and can clearly reduce the production cost in terms of equipment manufacturing, manufacturing time, manufacturing efficiency, and the like.
【０００６】第二実施例が第一実施例と違う点は、図３
に示すように絶縁層１８が設けられ、接触層１７の前電
極２０下部分を除去する必要が無い。第一実施例中で、
電圧降下の状況では前電極２０と後電極１０間のショッ
トキー障壁は抵抗が不足するため、適当な厚さの絶縁層
１８を設置して、電流拡散のコントロールを達成、発光
効率の増加を達成する。絶縁層１８は酸化珪素、窒化珪
素、酸化アルミニウム等の材料で構成する。第三実施例
が第一実施例と違う点は、図４に示すように第一実施例
中でショットキー障壁を形成する所に絶縁層１８を設け
る。第一実施例中で電圧降下の状況では前電極２０と後
電極１０間のショットキー障壁は抵抗が不足するため、
適当な厚さの絶縁層１８を設置して、電流拡散のコント
ロールを達成し、発光効率を増加させる。第四実施例が
第一実施例と違う点は、図５に示すように接触層１７を
ウィンドウ層１６上に形成した後、その中央部分にウィ
ンドウ層１６底部まで延伸する円柱形凹穴を形成し、導
電層１９を接触層１７上と円柱形凹穴の底壁と側壁に形
成する。また前電極２０を凹穴中央の導電層１９上に形
成する。導電層１９と接触層１７の間にオーミック・コ
ンタクトを形成し、ウィンドウ層１６との間にショット
キー障壁を形成、そのため前電極２０が送り出した電流
は導電層１９中で拡散した後、オーミック・コンタクト
部分を通過するだけで、ショットキー障壁は通過せず、
オーミック・コンタクト部分を下向きに流れる電流は前
電極２０真下で拡散する機会が最小となり、前電極２０
から送り出された電流を活性層１４２中で、全て前電極
２０真下の適当な距離をとって、発光作用が発生する。
そのため前電極２０の障害を避けることができて、ＬＥ
Ｄの発光効果が増進する。The difference between the second embodiment and the first embodiment is that FIG.
As shown in FIG. 7, the insulating layer 18 is provided, and there is no need to remove the portion of the contact layer 17 below the front electrode 20. In the first embodiment,
In the case of a voltage drop, the Schottky barrier between the front electrode 20 and the rear electrode 10 has insufficient resistance. Therefore, an insulating layer 18 having an appropriate thickness is provided to control the current diffusion and achieve an increase in luminous efficiency. I do. The insulating layer 18 is made of a material such as silicon oxide, silicon nitride, and aluminum oxide. The third embodiment is different from the first embodiment in that an insulating layer 18 is provided at a place where a Schottky barrier is formed in the first embodiment as shown in FIG. In a voltage drop situation in the first embodiment, the Schottky barrier between the front electrode 20 and the rear electrode 10 has insufficient resistance.
An insulating layer 18 having an appropriate thickness is provided to achieve control of current spreading and increase luminous efficiency. The fourth embodiment is different from the first embodiment in that a contact hole 17 is formed on the window layer 16 as shown in FIG. Then, the conductive layer 19 is formed on the contact layer 17 and on the bottom and side walls of the cylindrical concave hole. Further, the front electrode 20 is formed on the conductive layer 19 at the center of the concave hole. An ohmic contact is formed between the conductive layer 19 and the contact layer 17, and a Schottky barrier is formed between the conductive layer 19 and the window layer 16. Just passing through the contact part, not through the Schottky barrier,
The current flowing downward through the ohmic contact portion has a minimum chance of diffusing immediately below the front electrode 20, and
All of the currents sent out of the active layer 142 take an appropriate distance directly below the front electrode 20 in the active layer 142 to generate a light emitting action.
Therefore, it is possible to avoid the obstacle of the front electrode 20 and to
The light emitting effect of D increases.
【０００７】第五実施例が第四実施例と違う点は図６に
示すように、第四実施例のショットキー障壁を形成した
ところに絶縁層１８を形成する。第四実施例中で電圧降
下の状況では前電極２０と後電極１０間のショットキー
障壁は抵抗が不足するため、適当な厚さの絶縁層１８を
設置して、電流拡散のコントロールを達成、発光効率を
増加させる。第六実施例が第一実施例と違う点は図７に
示すように、前電極２０をＬＥＤの外周部分の導電層１
９上に形成し、また接触層１７をＬＥＤの中央部分で導
電層１９上に形成する。このようにＬＥＤが生産する光
線はその中央部分から発出する。この設計は発出する光
線を光ファイバーへ直接入れるのに適している。第七実
施例が第六実施例と違う点は図８に示すように、第六実
施例の導電層１９とウィンドウ層１６をショットキー障
壁の位置に形成し、導電層１９とウィンドウ層１６の間
に更にもう一層絶縁層１８を設ける。第六実施例のＬＥ
Ｄ導電層１９とウィンドウ層１６の間は、電圧降下の状
況で前電極２０と後電極１０間のショットキー障壁は抵
抗が不足するため、適当な厚さの絶縁層１８を設置して
電流拡散をコントロールする目的を達成し、発光効率を
増加させる。第八実施例が第七実施例と違う点は図９に
示すように、上クラッド層１４４上に適当な厚さのウィ
ンドウ層１６を形成した後、中央部分を残して、その他
の残り部分をドライエッチング或いはウエットエッチン
グ方式で適当な厚さを除去し、中央に円柱状突起を形成
する。第九実施例が第八実施例と違う点は図１０に示す
ように、第八実施例で導電層１９とウィンドウ層１６が
ショットキー障壁を形成した位置に、導電層１９とウィ
ンドウ層１６間に更にもう一層絶縁層１８を設ける。第
八実施例のＬＥＤ導電層１９とウィンドウ層１６の間
で、電圧降下の状況では前電極２０と後電極１０間のシ
ョットキー障壁は抵抗が不足するため、適当な厚さの絶
縁層１８を設置して、本発明の電流拡散をコントロール
し、発光効率を増進する目的を達成する。The fifth embodiment differs from the fourth embodiment in that, as shown in FIG. 6, an insulating layer 18 is formed where the Schottky barrier of the fourth embodiment is formed. In the fourth embodiment, the Schottky barrier between the front electrode 20 and the rear electrode 10 has insufficient resistance in the case of a voltage drop, so that an insulating layer 18 having an appropriate thickness is provided to achieve control of current diffusion. Increase luminous efficiency. The sixth embodiment differs from the first embodiment in that the front electrode 20 is connected to the conductive layer 1 on the outer peripheral portion of the LED as shown in FIG.
9 and a contact layer 17 is formed on the conductive layer 19 at the center of the LED. Thus, the light rays produced by the LED emerge from its central part. This design is suitable for directing outgoing light rays into an optical fiber. The seventh embodiment differs from the sixth embodiment in that the conductive layer 19 and the window layer 16 of the sixth embodiment are formed at the positions of the Schottky barriers, as shown in FIG. An insulating layer 18 is further provided therebetween. LE of the sixth embodiment
Since the Schottky barrier between the front electrode 20 and the rear electrode 10 has insufficient resistance between the D conductive layer 19 and the window layer 16 due to a voltage drop, the insulating layer 18 having an appropriate thickness is provided to spread the current. To achieve the purpose of controlling the luminous efficiency and increase the luminous efficiency. The eighth embodiment is different from the seventh embodiment in that a window layer 16 having an appropriate thickness is formed on an upper cladding layer 144, and then the other portions are left except for a central portion, as shown in FIG. An appropriate thickness is removed by dry etching or wet etching, and a columnar projection is formed at the center. The ninth embodiment differs from the eighth embodiment in that, as shown in FIG. 10, the conductive layer 19 and the window layer 16 form a Schottky barrier between the conductive layer 19 and the window layer 16 in the eighth embodiment. Is further provided with an insulating layer 18. Between the LED conductive layer 19 and the window layer 16 of the eighth embodiment, the Schottky barrier between the front electrode 20 and the rear electrode 10 has insufficient resistance in a voltage drop situation. It is installed to control the current spreading of the present invention and achieve the purpose of enhancing the luminous efficiency.
【０００８】[0008]
【発明の効果】本発明の発光ダイオードは、電流を十分
にコントロールして活性層に流し拡散して従来の発光ダ
イオードより、より高い発光効率を達成する。また本発
明は一段だけのウェハー工程が必要なため従来のものよ
りコストダウンができる。The light emitting diode according to the present invention achieves higher luminous efficiency than the conventional light emitting diode by sufficiently controlling the current and flowing the active layer to diffuse. Further, the present invention requires only one wafer step, so that the cost can be reduced as compared with the conventional one.
【図１】従来の発光ダイオード構造表示図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a conventional light emitting diode structure.
【図２】本発明の第一実施例の構造表示断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing the structure of the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第二実施例の構造表示断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a structure according to a second embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第三実施例の構造表示断面図である。FIG. 4 is a structural sectional view of a third embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第四実施例の構造表示断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a structure according to a fourth embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第五実施例の構造表示断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a structure according to a fifth embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第六実施例の構造表示断面図である。FIG. 7 is a structural sectional view of a sixth embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第七実施例の構造表示断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing a structure according to a seventh embodiment of the present invention.
【図９】本発明の第八実施例の構造表示断面図である。FIG. 9 is a sectional view showing a structure according to an eighth embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の第九実施例の構造表示断面図であ
る。FIG. 10 is a structural sectional view of a ninth embodiment of the present invention.
１０ 後電極 １２ 半導体基板 １４ 積層構造 １４０ n型下クラッド層 １４２ 活性層 １４４ p型上クラッド層 １６ ウィンドウ層 １７ 接触層 １８ 絶縁層 １９ 導電層 ２０ 前電極 ３０ 反射層 Reference Signs List 10 back electrode 12 semiconductor substrate 14 laminated structure 140 n-type lower clad layer 142 active layer 144 p-type upper clad layer 16 window layer 17 contact layer 18 insulating layer 19 conductive layer 20 front electrode 30 reflective layer
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成１２年６月７日（２０００．６．７）[Submission date] June 7, 2000 (2000.6.7)
【手続補正１】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【特許請求の範囲】[Claims]
Claims (8)
基板と該半導体基板上に形成した第一導電性を有する第
一クラッド層と該第一クラッド層上に形成した活性層と
該活性層上に形成した第二導電性の第二クラッド層と該
第二クラッド層上に形成した第二導電性を有するウィン
ドウ層から構成され、この該ウィンドウ層の適当な位置
で上表面から下表面へ延伸した予定形状を有する溝を形
成し、該ウィンドウ層は第一部分と第二部分に分けら
れ、該第一部分の電流は第二部分を流れず、ウィンドウ
層の第一部分上に接触層を形成し、接触層上に透明導電
層の第一部分が形成され、該接触層との間にオーミック
・コンタクトを形成し、透明導電層の第二部分が直接に
ウィンドウ層の溝の表面、及びウィンドウ層の第二部分
上表面と接触して、並びにウィンドウ層との間にショッ
トキー障壁を形成し、またウィンドウ層第二部分上の位
置で、導電層上に第二電極が形成されることを特徴とす
る高光度発光ダイオード。A first electrode; a semiconductor substrate formed on the first electrode; a first cladding layer having a first conductivity formed on the semiconductor substrate; and an active layer formed on the first cladding layer. A second conductive second clad layer formed on the active layer and a second conductive window layer formed on the second clad layer, and from an upper surface at an appropriate position of the window layer. Forming a groove having a predetermined shape extending to the lower surface, wherein the window layer is divided into a first portion and a second portion, the current of the first portion does not flow through the second portion, and the contact layer is formed on the first portion of the window layer; Forming a first portion of the transparent conductive layer on the contact layer, forming an ohmic contact with the contact layer, the second portion of the transparent conductive layer directly on the surface of the groove in the window layer, and In contact with the upper surface of the second part of the window layer, Beauty to form a Schottky barrier between the window layer, also at a location on the second sub-window layer, high intensity light emitting diode, wherein a second electrode is formed on the conductive layer.
体基板と半導体基板上に形成した第一導電性の第一クラ
ッド層と第一クラッド層上に形成した活性層と活性層上
に形成した第二導電性の第二クラッド層と第二クラッド
層上に形成した第二導電性のウィンドウ層から構成さ
れ、この該ウィンドウ層の適当な位置で、上表面から下
表面へ延伸した予定形状を有する溝を形成し、該ウィン
ドウ層は第一部分と第二部分に分けられ、第一部分の電
流は第二部分を流れず、 接触層は、該接触層の第一部分をウィンドウ層の第一部
分上に形成し、またこの接触層の第二部分をウィンドウ
層の第二部分上に形成し、 絶縁層は、この絶縁層の第一部分を溝の表面上に形成
し、絶縁層の第二部分を接触層の第二部分上に形成し、 前記透明導電層を接触層の第一部分と絶縁層上に形成
し、また接触層の第一部分との間にオーミック・コンタ
クトを形成し、及び第二電極をウィンドウ層第二部分上
の位置で導電層上に形成することを特徴とする高光度発
光ダイオード。2. The first electrode, a semiconductor substrate formed on the first electrode, a first conductive first cladding layer formed on the semiconductor substrate, an active layer formed on the first cladding layer, and an active layer formed on the first cladding layer. A second conductive second cladding layer formed on the second cladding layer and a second conductive window layer formed on the second cladding layer, at an appropriate position of the window layer, extending from the upper surface to the lower surface. Forming a groove having a predetermined shape, wherein the window layer is divided into a first portion and a second portion, wherein current of the first portion does not flow through the second portion; Forming a second portion of the contact layer on a second portion of the window layer, the insulating layer forming a first portion of the insulating layer on a surface of the groove, and a second portion of the insulating layer. Forming a portion on a second portion of the contact layer, wherein the transparent conductive layer is Forming an ohmic contact between the first portion and the insulating layer; forming an ohmic contact between the first portion of the contact layer; and forming the second electrode on the conductive layer at a location on the second portion of the window layer. And high light intensity light emitting diode.
体基板と半導体基板上に形成した第一導電性を有する第
一クラッド層と第一クラッド層上に形成した活性層と活
性層上に形成した第二導電性の第二クラッド層と第二ク
ラッド層上に形成した第二導電性を有するウィンドウ層
から構成され、この該ウィンドウ層の適当な位置で上表
面から下表面へ延伸した予定形状を有する溝を形成し、
該ウィンドウ層は第一部分と第二部分に分けられ、該第
一部分の電流は第二部分を流れず、ウィンドウ層の第一
部分上に接触層が形成され、 前記絶縁層の第一部分を溝の表面上に形成し、絶縁層の
第二部分をウィンドウ層の第二部分上に形成し、 接触層と絶縁層の上に透明導電層を形成し、接触層との
間にオーミック・コンタクトを形成し、及びウィンドウ
層第二部分上の位置で、導電層上に第二電極を形成する
ことを特徴とする高光度発光ダイオード。3. The first electrode, a semiconductor substrate formed on the first electrode, a first cladding layer having a first conductivity formed on the semiconductor substrate, an active layer formed on the first cladding layer, and an active layer. A second conductive second cladding layer formed on the second cladding layer and a second conductive window layer formed on the second cladding layer, and extending from the upper surface to the lower surface at an appropriate position of the window layer. Forming a groove having a predetermined shape,
The window layer is divided into a first portion and a second portion, the current of the first portion does not flow through the second portion, a contact layer is formed on the first portion of the window layer, and the first portion of the insulating layer is formed on a surface of the groove. Forming a second portion of the insulating layer on the second portion of the window layer; forming a transparent conductive layer on the contact layer and the insulating layer; forming an ohmic contact between the contact layer and the contact layer. And forming a second electrode on the conductive layer at a position on the second portion of the window layer.
体基板と半導体基板上に形成した第一導電性を有する第
一クラッド層と第一クラッド層上に形成した活性層と活
性層上に形成した第二導電性の第二クラッド層と第二ク
ラッド層上に形成した第二導電性を有するウィンドウ層
から構成され、 このウィンドウ層中央に予定形状を有する凹穴を形成
し、この該凹穴はウィンドウ層底部まで延伸し、 ウィンドウ層の表面に前記接触層を形成し、この接触層
中央には凹穴に対応するホールがあり、 ウィンドウ層の比較的低い位置の表面上に、前記透明導
電層を設け、ウィンドウ層中央凹穴の側面上、及び接触
層上、並びに接触層との間にオーミック・コンタクトを
設け、及びに第二電極を凹穴中央で導電層上に形成する
ことを特徴とする高光度発光ダイオード。4. The first electrode, a semiconductor substrate formed on the first electrode, a first cladding layer having a first conductivity formed on the semiconductor substrate, an active layer formed on the first cladding layer, and an active layer. A second conductive second clad layer formed on the second clad layer and a second conductive window layer formed on the second clad layer; a concave hole having a predetermined shape is formed in the center of the window layer; The recess extends to the bottom of the window layer and forms the contact layer on the surface of the window layer, and at the center of the contact layer there is a hole corresponding to the recess, on a relatively low surface of the window layer, Providing the transparent conductive layer, providing an ohmic contact on the side of the central recess of the window layer, on the contact layer, and between the contact layer, and forming a second electrode on the conductive layer at the center of the concave hole. Characterized by high luminosity Light diode.
板と半導体基板上に形成した第一導電性を有する第一ク
ラッド層と第一クラッド層上に形成した活性層と活性層
上に形成した第二導電性の第二クラッド層と第二クラッ
ド層上に形成した第二導電性を有するウィンドウ層から
構成され、このウィンドウ層中央に予定形状を有する凹
穴を形成し、この該凹穴はウィンドウ層底部まで延伸
し、ウィンドウ層の上表面に前記接触層を形成し、この
接触層中央には凹穴に対応するホールがあり、絶縁層を
ウィンドウ層の比較的低い位置の表面上で、ウィンドウ
層中央凹穴の側面上に形成し、 透明導電層を接触層と絶縁層上に形成し、同時に接触層
の間にオーミック・コンタクトを形成、並びに第二電極
を凹穴中央で導電層上に形成することを特徴とする高光
度発光ダイオード。5. A first electrode, a semiconductor substrate formed on the first electrode, a first clad layer having a first conductivity formed on the semiconductor substrate, an active layer formed on the first clad layer, and an active layer formed on the first clad layer A second conductive second clad layer formed on the second clad layer and a second conductive window layer formed on the second clad layer, a concave hole having a predetermined shape is formed at the center of the window layer, and The recess extends to the bottom of the window layer and forms the contact layer on the upper surface of the window layer. In the center of the contact layer there is a hole corresponding to the recess, and the insulating layer is formed on the surface of the window layer at a relatively low position. A transparent conductive layer is formed on the contact layer and the insulating layer, at the same time an ohmic contact is formed between the contact layers, and a second electrode is formed in the center of the concave hole. Characterized by being formed on a conductive layer And high light intensity light emitting diode.
体基板と半導体基板上に形成した第一導電性を有する第
一クラッド層と第一クラッド層上に形成した活性層と活
性層上に形成した第二導電性の第二クラッド層と第二ク
ラッド層上に形成した第二導電性を有するウィンドウ層
から構成され、この該ウィンドウ層の中央に予定形状を
有する突起を形成し、該ウィンドウ層中央突起の表面上
に接触層を形成し、ウィンドウ層の比較的低い位置の表
面上に透明導電層を形成し、ウィンドウ層中央突起の側
面上、及び接触層上、並びに接触層間にオーミック・コ
ンタクトを形成し、及び第二電極をウィンドウ層の比較
的低い位置の表面上の位置で導電層上に形成することを
特徴とする高光度発光ダイオード。6. The first electrode, a semiconductor substrate formed on the first electrode, a first cladding layer having a first conductivity formed on the semiconductor substrate, an active layer formed on the first cladding layer, and an active layer. Consisting of a second conductive second cladding layer formed on the second conductive window layer formed on the second cladding layer, forming a projection having a predetermined shape at the center of the window layer, A contact layer is formed on the surface of the window layer center protrusion, a transparent conductive layer is formed on a relatively low surface of the window layer, and on a side surface of the window layer center protrusion, on the contact layer, and between the contact layers. A high intensity light emitting diode comprising: forming an ohmic contact; and forming the second electrode on the conductive layer at a location on a relatively low surface of the window layer.
体基板と半導体基板上に形成した第一導電性を有する第
一クラッド層と第一クラッド層上に形成した活性層と活
性層上に形成した第二導電性の第二クラッド層と、第二
クラッド層上に形成した第二導電性を有するウィンドウ
層から構成され、このウィンドウ層の中央に予定形状を
有する突起を形成し、ウィンドウ層の中央突起の表面上
に接触層を形成し、ウィンドウ層の比較的低い位置の表
面上とウィンドウ層中央突起の側面に絶縁層を形成し、 透明導電層を接触層と絶縁層上に形成し、並びに接触層
の間にオーミック・コンタクトを形成、及び第二電極を
ウィンドウ層の比較的低い位置上で導電層上に形成する
ことを特徴とする高光度発光ダイオード。7. The first electrode, a semiconductor substrate formed on the first electrode, a first cladding layer having a first conductivity formed on the semiconductor substrate, an active layer formed on the first cladding layer, and an active layer. The second conductive second clad layer formed on the second clad layer, formed from the second conductive window layer formed on the second clad layer, forming a projection having a predetermined shape in the center of this window layer, A contact layer is formed on the surface of the center protrusion of the window layer, an insulating layer is formed on the surface of the window layer at a relatively low position and on the side surface of the center protrusion of the window layer, and a transparent conductive layer is formed on the contact layer and the insulating layer. A high intensity light emitting diode, comprising: forming and forming an ohmic contact between the contact layers; and forming the second electrode on the conductive layer at a relatively low location of the window layer.
層の材料にGaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP及びAlGaAsから
選び、接触層の材料はGaP、GaAsP、GaInP、及びGaAsか
ら選び、前記導電層の材料は酸化亜鉛インジウム、酸化
インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化マグネシウムか
ら選び、基板はGaAsを含み、第一クラッド層がAlGaInP
を含み、第二クラッド層はAlGaInPを含み、前記絶縁層
の材料は酸化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウムから選
び、半導体基板と積層構造の間に更に反射層を形成し、
この反射層は多層のブラッグ反射層（distributed Brag
g reflector）で構成され、該多層のブラッグ反射層（d
istributed Bragg reflector）の材料はAlGaInPとAlGaA
sから選び、予定形状溝が環形溝であるのを特徴とす
る、請求項１又は請求項２又は請求項３又は請求項４又
は請求項５又は請求項６又は請求項７記載の高光度発光
ダイオード。8. The active layer contains AlGaInP, the window layer material is selected from GaP, GaAsP, GaInP, AlGaInP and AlGaAs, the contact layer material is selected from GaP, GaAsP, GaInP and GaAs. The material is selected from indium zinc oxide, indium oxide, tin oxide, zinc oxide and magnesium oxide, the substrate contains GaAs, and the first cladding layer is AlGaInP
Containing, the second cladding layer contains AlGaInP, the material of the insulating layer is selected from silicon oxide, silicon nitride, aluminum oxide, further forming a reflective layer between the semiconductor substrate and the laminated structure,
This reflective layer is a multilayer Bragg reflective layer (distributed Brag
g reflector) and the multilayer Bragg reflector layer (d
The material of the istributed Bragg reflector is AlGaInP and AlGaA
8. The high-luminance light emission according to claim 1, wherein the predetermined shape groove is an annular groove selected from s. diode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11119496A JP2000315820A (en) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | High intensity light emitting diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11119496A JP2000315820A (en) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | High intensity light emitting diode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000315820A true JP2000315820A (en) | 2000-11-14 |
Family
ID=14762715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11119496A Pending JP2000315820A (en) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | High intensity light emitting diode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000315820A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030052060A (en) * | 2001-12-20 | 2003-06-26 | 엘지전자 주식회사 | light emitting device and method for manufacturing the same |
| KR100608930B1 (en) | 2004-04-14 | 2006-08-08 | 광주과학기술원 | Method for fabricating ?-nitride compound semiconductor light-emitting device using maskless selective wet etching |
| CN1316640C (en) * | 2003-10-13 | 2007-05-16 | 光磊科技股份有限公司 | Light-emitting element capable of increasing light-emitting action area |
| CN1324719C (en) * | 2004-04-01 | 2007-07-04 | 光磊科技股份有限公司 | Led |
| US8120041B2 (en) | 2006-11-17 | 2012-02-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same |
| CN109031839A (en) * | 2018-09-04 | 2018-12-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of panel, driving method, preparation method, regulation device and regulator control system |
-
1999
- 1999-04-27 JP JP11119496A patent/JP2000315820A/en active Pending
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| CN109031839B (en) * | 2018-09-04 | 2021-03-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | Panel, driving method, manufacturing method, regulating device and regulating system |
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