JP2000315249A - 接触・非接触兼用ｉｃカードとその製造方法 - Google Patents

接触・非接触兼用ｉｃカードとその製造方法

Info

Publication number
JP2000315249A
JP2000315249A JP12410199A JP12410199A JP2000315249A JP 2000315249 A JP2000315249 A JP 2000315249A JP 12410199 A JP12410199 A JP 12410199A JP 12410199 A JP12410199 A JP 12410199A JP 2000315249 A JP2000315249 A JP 2000315249A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
base material
contact
card
circuit pattern
conductive paste
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12410199A
Other languages
English (en)
Inventor
Naoshi Akiguchi
尚士 秋口
Norito Tsukahara
法人 塚原
Hideki Miyagawa
秀規 宮川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP12410199A priority Critical patent/JP2000315249A/ja
Publication of JP2000315249A publication Critical patent/JP2000315249A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Credit Cards Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 作業工程が少なく、接合不良の発生がなく、
かつ、低コスト、高信頼性を十分に満足できる接触・非
接触兼用カードとその製造方法を提供する。 【解決手段】 硬化した導電性ペーストにより回路パタ
ーンと接続された金属箔の外部電極を備える一方の基材
１に配置したＩＣチップ７、コイルパターンを含む回路
パターン４などを他方の基材８で覆うように２つの基材
を重ね合わせてラミネートして一体型のカードを完成さ
せる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣカードとその
製造に関するものであり、特に、コイルとＩＣチップと
を内蔵し、かつ、カード外部に露出された外部電極を有
し、上記コイル又は上記外部電極を介してカード外部と
デ−タの授受を行う接触・非接触兼用ＩＣカードとその
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、接触・非接触兼用カードの構造や
構造と製造方法は、特公平４−１６８３１号や第２６９
４１６８号や特開平７−２３９９２２号に示されるよう
なものが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】接触・非接触兼用カー
ドにおいては、その使用範囲が広がるにつれて、より低
コスト、高信頼性の性能が求められている。従来の一般
的な方法においては、図２０に示すように、ＩＣチップ
７、電子部品、両面ガラエポ基板１５、内部電極１７、
及び、接触方式のための外部電極１６、非接触方式のた
めの銅線コイル２０等を含むモジュ−ルを作る。これを
詳しく説明すると、図２０（ａ）〜（ｆ）において、１
８は両面ガラエポ基板１５の内部電極１７とＩＣチップ
７の電極とをワイヤーボンディングにより電気的に接続
するワイヤ、１９は両面ガラエポ基板１５上においてワ
イヤーボンディングされたＩＣチップ７を封止して接合
する封止剤、２１は両面ガラエポ基板１５の内部電極１
７と銅線コイル２０とを接続して銅線コイル２０を両面
ガラエポ基板１５に接合する半田である。このようにモ
ジュ−ルを作った後、それを射出成形したり又はラミネ
ートしたりして、接触・非接触兼用カード２２にカード
化するものである。このため、上記したように作業工程
が多く、それぞれの部品の接合部分が多く、接合不良が
発生する可能性が高く、また、構造も複雑になり、低コ
スト、高信頼性を十分に満足できないことがあった。
【０００４】従って、本発明の目的は、上記問題を解決
することにあって、作業工程が少なく、接合不良の発生
がなく、かつ、低コスト、高信頼性を十分に満足できる
接触・非接触兼用カードとその製造方法を提供すること
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下のように構成する。
【０００６】本発明の第１態様によれば、コイルとＩＣ
チップとを内蔵し、かつ、カード外部に露出された外部
電極を有し、上記コイル又は上記外部電極を介してカー
ド外部とデ−タの授受を行う接触・非接触兼用ＩＣカー
ドの製造方法において、２つのＩＣカード用絶縁性基材
である第１基材と第２基材のうちの上記第１基材の外部
電極配置部分に貫通穴を設け、次いで、上記第１基材の
一方の面に、導電性ペーストにて、上記コイルを構成す
るコイルパターンを含む回路パターンを、上記貫通穴に
上記導電性ペーストが挿入されるように、印刷し、上記
ＩＣチップの電極が上記回路パターンと電気的に接続す
るように、上記回路パターンの上に上記ＩＣチップを配
置し、さらに、上記第１基材の他方の面に、上記貫通穴
に挿入された上記導電性ペーストを介して上記回路パタ
ーンと電気的に接続されるように金属箔を配置して上記
外部電極を構成し、上記導電性ペーストを硬化させた
後、上記第２基材を上記配置されたＩＣチップ及び上記
回路パターンを覆うように上記第１基材に重ね合わせて
ラミネートして一体型のカードを完成させることを特徴
とする接触・非接触兼用ＩＣカードの製造方法を提供す
る。
【０００７】本発明の第２態様によれば、コイルとＩＣ
チップとを内蔵し、かつ、カード外部に露出された外部
電極を有し、上記コイル又は上記外部電極を介してカー
ド外部とデ−タの授受を行う接触・非接触兼用ＩＣカー
ドの製造方法において、２つのＩＣカード用絶縁性基材
のである第１基材と第２基材のうちの上記第１基材の外
部電極配置部分に貫通穴を設け、次いで、上記第１基材
の一方の面に、導電性ペーストにて、上記コイルを構成
するコイルパターンを含む回路パターンを、上記貫通穴
に上記導電性ペーストが挿入されるように、印刷し、上
記ＩＣチップの電極が上記回路パターンと電気的に接続
するように、上記回路パターンの上に上記ＩＣチップを
配置し、さらに、上記第１基材の他方の面に、上記貫通
穴に挿入された上記導電性ペーストを介して上記回路パ
ターンと電気的に接続されるように金属箔を配置して上
記外部電極を構成するとともに上記導電性ペーストを硬
化させ、上記第２基材の所定の位置に貫通穴を設け、そ
の貫通穴に挿入するように回路パターンを導電性ペース
トにより印刷し、上記第２基材の回路パターン印刷面の
反対面に、金属箔を上記貫通穴に挿入された上記導電性
ペーストを介して上記回路パターンと電気的に接続され
るように配置するとともに、上記導電性ペーストを硬化
させ、次いで、上記第１基材の上記ＩＣチップ及び上記
回路パターンを覆うように上記第１基材に上記第２基材
を重ね合わせてラミネートして、一体型のカードを完成
させる工程とを備えることを特徴とする接触・非接触兼
用ＩＣカードの製造方法を提供する。
【０００８】本発明の第３態様によれば、コイルとＩＣ
チップとを内蔵し、かつ、カード外部に露出された外部
電極を有し、上記コイル又は上記外部電極を介してカー
ド外部とデ−タの授受を行う接触・非接触兼用ＩＣカー
ドの製造方法において、２つのＩＣカード用絶縁性基材
である第１基材と第２基材のうちの上記第１基材の第１
基材用外部電極配置部分に所定の第１基材用貫通穴を設
け、次いで、上記第１基材の一方の面に、第１基材用導
電性ペーストにて、上記コイルを構成するコイルパター
ンを含む第１基材用回路パターンを、上記第１基材用貫
通穴に上記第１基材用導電性ペーストが挿入されるよう
に、印刷し、上記ＩＣチップの電極が上記第１基材用回
路パターンと電気的に接続するように、上記第１基材用
回路パターンの上に上記ＩＣチップを配置し、さらに、
上記第１基材の他方の面に、上記第１基材用貫通穴に挿
入された上記第１基材用導電性ペーストを介して上記第
１基材用回路パターンと電気的に接続されるように第１
基材用金属箔を配置して上記第１基材用外部電極を構成
するとともに、上記第１基材用導電性ペーストを硬化さ
せ、上記第２基材の所定の位置に第２基材用貫通穴を設
け、その第２基材用貫通穴に挿入するように第２基材用
回路パターンを第２基材用導電性ペーストにより印刷
し、上記第２基材の第２基材用回路パターン印刷面の反
対面に、第２基材用金属箔を上記第２基材用貫通穴に挿
入された上記第２基材用導電性ペーストを介して上記第
２基材用回路パターンと電気的に接続されるように、か
つ、上記第１基材にすでに配置されている上記第１基材
用金属箔と表裏の同じ位置になるように配置するととも
に、上記第２基材用導電性ペーストを硬化させ、次い
で、上記第１基材の上記ＩＣチップ及び上記第１基材用
回路パターンを覆うように上記第２基材を上記第１基材
に重ね合わせてラミネートして、上記第１基材の上記第
１基材用外部電極と上記カードの表裏の同じ位置に第２
基材用外部電極が設けられている一体型のカードを製造
するようにしたことを特徴とする接触・非接触兼用ＩＣ
カードの製造方法を提供する。
【０００９】本発明の第４態様によれば、上記のＩＣチ
ップ及び上記回路パターンを覆うように重ね合わせる上
記第２基材が、少なくとも１枚以上の熱可塑性樹脂製シ
−トより構成される第１態様に記載の接触・非接触兼用
ＩＣカードの製造方法を提供する。
【００１０】本発明の第５態様によれば、上記第１基材
及び上記第２基材のそれぞれが、厚さ０．０５ｍｍ〜
０．７ｍｍの熱可塑性樹脂製シ−トである第１〜４のい
ずれかの態様に記載の接触・非接触兼用ＩＣカードの製
造方法を提供する。
【００１１】本発明の第６態様によれば、上記導電性ペ
ーストが、主として、１種類以上の金属粒子と熱硬化性
樹脂とより構成され、上記金属粒子の重量割合が導電性
ペースト全体重量の５５％以上９５％以下を占める第１
〜５のいずれかの態様に記載の接触・非接触兼用ＩＣカ
ードの製造方法を提供する。
【００１２】本発明の第７態様によれば、上記金属箔の
厚さは０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍの金箔、又は、厚さ
０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍの銅箔、又は、錫箔にニッケ
ルに次いで金をメッキしたメッキ箔より構成される第１
〜６のいずれかの態様に記載の接触・非接触兼用ＩＣカ
ードの製造方法を提供する。
【００１３】本発明の第８態様によれば、上記金属箔
が、厚さ０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍの金属箔支持層に金
を蒸着又はスッパタリングして形成される金属箔より構
成される第１〜６のいずれかの態様に記載の接触・非接
触兼用ＩＣカードの製造方法を提供する。
【００１４】本発明の第９態様によれば、上記ＩＣチッ
プが配置された上記第１基材の厚さより、上記ＩＣチッ
プを覆うように重ね合わされる上記第２基材の厚さが
０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ厚い第１〜８のいずれかの態
様に記載の接触・非接触兼用ＩＣカードの製造方法を提
供する。
【００１５】本発明の第１０態様によれば、コイルとＩ
Ｃチップとを内蔵し、かつ、カード外部に露出された外
部電極を有し、上記コイル又は上記外部電極を介してカ
ード外部とデ−タの授受を行う接触・非接触兼用ＩＣカ
ードにおいて、硬化した導電性ペーストにて形成され、
かつ、上記ＩＣチップの電極が電気的に接続され、上記
コイルを構成するコイルパターンを含む回路パターン
と、上記硬化した導電性ペーストより構成されかつ上記
回路パターンの一方の面から柱状に突出した突出部を介
して上記回路パターンと電気的に接続されるように配置
されて上記外部電極を構成する金属箔と、上記突出部、
上記ＩＣチップ、上記回路パターン、及び上記金属箔の
上記外部電極部分以外の部分を覆う絶縁性樹脂部とを備
えたことを特徴とする接触・非接触兼用ＩＣカードを提
供する。
【００１６】本発明の第１１態様によれば、コイルとＩ
Ｃチップとを内蔵し、かつ、カード外部に露出された外
部電極を有し、上記コイル又は上記外部電極を介してカ
ード外部とデ−タの授受を行う接触・非接触兼用ＩＣカ
ードにおいて、硬化した導電性ペーストにて形成され、
かつ、上記ＩＣチップの電極が電気的に接続され、上記
コイルを構成するコイルパターンを含む回路パターン
と、上記硬化した導電性ペーストより構成されかつ上記
回路パターンの両方の面からそれぞれ柱状に突出した突
出部を介して上記回路パターンと電気的に接続されるよ
うに配置されて上記外部電極を構成する金属箔と、上記
突出部、上記ＩＣチップ、上記回路パターン、及び上記
金属箔の上記外部電極部分以外の部分を覆う絶縁性樹脂
部とを備えたことを特徴とする接触・非接触兼用ＩＣカ
ードを提供する。
【００１７】本発明の第１２態様によれば、コイルとＩ
Ｃチップとを内蔵し、かつ、カード外部に露出された外
部電極を有し、上記コイル又は上記外部電極を介してカ
ード外部とデ−タの授受を行う接触・非接触兼用ＩＣカ
ードにおいて、硬化した導電性ペーストにて形成され、
かつ、上記ＩＣチップの電極が電気的に接続され、上記
コイルを構成するコイルパターンを含む回路パターン
と、上記硬化した導電性ペーストより構成されかつ上記
回路パターンの両方の面の表裏対応する位置からそれぞ
れ柱状に突出した突出部を介して上記回路パターンと電
気的に接続されるように上記カードの表裏の同じ位置に
配置されて上記２つの外部電極を構成する金属箔と、上
記突出部、上記ＩＣチップ、上記回路パターン、及び上
記金属箔の上記外部電極部分以外の部分を覆う絶縁性樹
脂部とを備えたことを特徴とする接触・非接触兼用ＩＣ
カードを提供する。
【００１８】本発明の第１３態様によれば、上記導電性
ペーストが、主として、１種類以上の金属粒子と熱硬化
性樹脂とより構成され、上記金属粒子の重量割合が導電
性ペースト全体重量の５５％以上９５％以下を占める第
１０〜１２のいずれかの態様に記載の接触・非接触兼用
ＩＣカードを提供する。
【００１９】本発明の第１４態様によれば、上記金属箔
が、厚さ０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍの金箔、又は、厚さ
０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍの銅箔、又は、錫箔にニッケ
ルに次いで金をメッキしたメッキ箔より構成される第１
０〜１３のいずれかの態様に記載の接触・非接触兼用Ｉ
Ｃカードを提供する。
【００２０】本発明の第１５態様によれば、上記金属箔
が、厚さ０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍの金属箔支持層に金
を蒸着又はスッパタリングして形成される金属箔より構
成される第１０〜１３のいずれかの態様に記載の接触・
非接触兼用ＩＣカードを提供する。
【００２１】本発明の第１６態様によれば、第１〜９の
いずれかの態様に記載の接触・非接触兼用ＩＣカードの
製造方法により製造された接触・非接触兼用ＩＣカード
を提供する。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明にかかる実施の形
態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２３】以下、本発明の実施の形態について、図１
から図１９を用いて説明する。 （第１実施形態）図１は、本発明の第１実施形態の接触
・非接触兼用ＩＣカードの製造方法の断面図を示し、図
１において、接触・非接触兼用ＩＣカード９は、図１
（ａ），（ｂ）に示すように、２つのＩＣカード用絶縁
性基材である、第１基材１と第２基材８とのうちの一つ
の基材である第１基材１の外部電極６が配置される外部
電極配置部分に所定寸法形状の貫通穴２を設ける。次い
で、図１（ｃ）に示すように、その第１基材１に、導電
性ペーストにてコイルを構成するコイルパターンを含む
回路パターン４を、上記貫通穴２が導電性ペーストによ
り挿入、好ましくは、充填されるように、印刷する。次
いで、図１（ｄ）に示すように、ＩＣチップ７の電極、
さらに必要に応じて電子部品５の電極が、それぞれ、回
路パターン４と電気的に接続するよう上記回路パターン
４の上にＩＣチップ７及び電子部品５を配置する。、次
いで、さらに、図１（ｅ）に示すように、印刷された回
路パターン４の第１基材１の反対面に、上記外部電極を
構成する金属箔６を上記貫通穴２に挿入、好ましくは、
充填されて硬化されて柱状の突出部３となる導電性ペー
ストを介して上記回路パターン４と電気的に接続される
ように配置する。次いで、図１（ｆ）に示すように、導
電性ペーストを硬化させた後、もう一つの基材である第
２基材８をＩＣチップ７、電子部品５、パターン及びパ
ターンコイルパターンを含む回路パターン４を覆うよう
に重ね合わせて図１（ｇ）に示すような上記接触・非接
触兼用ＩＣカード９を構成する。このＩＣカード９にお
いては、第１基材１と第２基材８とは一体的になって絶
縁性樹脂部５０を構成している。
【００２４】なお、必要に応じて、ＩＣチップ７などを
覆う場合には、上記２つの基材１，８が透明であれば、
ＩＣカード９の表面又は裏面又は両面に隠蔽用のコーテ
ィング又はシートを貼り付けるか、上記２つの基材１，
８を不透明なものにすればよい。
【００２５】上記第１基材１及び第２基材８のそれぞれ
は、絶縁性の高い材料を用いることが好ましく、たとえ
ば、ポリエステル樹脂やポリ塩化ビニル樹脂やポリオレ
フィン系樹脂が使用可能であり、また、これらの樹脂の
表面に接着剤が塗布されたものも使用可能であるが、特
にこれらに限定されるものではない。第１基材１及び第
２基材８のそれぞれの厚さは、特に限定されるものでは
ないが、第１基材１及び第２基材８のそれぞれの厚さを
合わせて、製造するカード９の公差を含む厚さ内である
ことが望ましい。そのカード９の公差を含む厚さを外れ
る場合は、公差内にカード９の厚さを入れることが難し
い場合がある。
【００２６】上記貫通穴２の大きさは、特に限定される
ものではないが、好ましくは、直径０．３ｍｍから２ｍ
ｍの大きさである。直径０．３ｍｍ未満では、導電性ペ
ーストの挿入又は充填が難しく、直径２ｍｍを超える場
合には、貫通穴２内を導電性ペーストにより完全に挿入
又は充填できず、硬化した導電性ペーストより構成され
る柱状の突出部３が完全に形成されず、導通できなくな
る場合がある。貫通穴２を開ける方法については、ダイ
スによるパンチングやドリルによるドリリング等を用い
ることができるが、特にこれらに限定されない。
【００２７】上記導電性ペーストは、電気的な導通を有
するものであれは、使用することができ、その導通抵抗
等の電気特性及び、粘度等の材料特性については、特に
限定されるものではない。
【００２８】上記コイルパターンを含む回路パターン４
は、特に限定されるものではない。コイルパターンを含
む回路パターン４の形成方法は、特に限定されるもので
はないが、印刷方法によるものが好ましい。コイルパタ
ーンを含む回路パターン４の形成後の導電性ペーストの
硬化方法は、特に限定されるものではないが、加熱硬化
するのが望ましく、硬化温度は、８０℃から１５０℃が
望ましい。８０℃未満では、硬化するのに時間がかか
り、１５０℃を超えるときには、第１基材１が熱変形す
ることがあるためである。
【００２９】上記電子部品５は、チップコンデンサ、ジ
ャンパ−チップ、及びチップ抵抗等が使用可能である
が、その容量や大きさ等については、特に限定されるも
のではない。
【００３０】上記金属箔６は、外部電極の一例として使
用されるものであって、電気的な導通を有するものであ
れは、使用することができ、その導通抵抗等の特性や、
材質については、特に限定されるものではない。この金
属箔６の例については、後述する。
【００３１】上記ＩＣチップ７は、特に限定されるもの
ではない。電子部品５及びＩＣチップ７は、電気回路の
仕様により、電子部品５とＩＣチップ７を合わせて１つ
以上のＩＣチップ７及び電子部品５をカード９に搭載す
ることができる。
【００３２】上記第１基材１と第２基材８とが一体化さ
れた一体型のカード９を完成させるためのラミネート方
法は、加熱加圧してプレスする方法が望ましいが、特に
これに限定されるものではない。加熱加圧する装置や治
具等については、特に限定されるものではない。加熱温
度は、９０℃から１５０℃が望ましい。９０℃未満の場
合では、ラミネートできないことがあり、１５０℃を越
える場合では、第１及び第２基材１，８が熱変形するこ
とがあるためである。ラミネート時の加圧力は、１０kg
／cm2から５０kg／cm2が望ましい。１０kg／cm2未満で
は、ラミネートできないことがあり、５０kg／cm2を超
える場合には、第１又は第２基材１，８が変形すること
があるためである。
【００３３】上記第１実施形態によれば、作業工程が少
なく、接合不良の発生がなく、かつ、低コスト、高信頼
性を十分に満足できる接触・非接触兼用カードとその製
造方法を得ることができる。さらに、上記接触・非接触
兼用ＩＣカードは、回路基板を用いることなしに、電子
回路が形成できるという効果がある。 （第２実施形態）図２（ａ），（ｂ）は、それぞれ、本
発明の第２実施形態の接触・非接触兼用ＩＣカードの製
造方法の各工程を説明するための第１基材などの断面図
を示し、図２（ａ），（ｂ）において、上記接触・非接
触兼用ＩＣカード９Ａは、第１実施形態において、第１
基材１Ａ及び第２基材８Ａが熱可塑性樹脂から形成され
ているものである。図２（ａ），（ｂ）はそれぞれ図１
の（ｆ），（ｇ）に対応する図である。
【００３４】この熱可塑性樹脂としては、ポリエステル
樹脂やポリオレフィン系樹脂が使用可能であり、特に、
熱圧着により第１基材１Ａと第２基材８Ａとがラミネー
トできるものが好ましいが、これらに限定されるもので
はない。用いられる熱可塑性樹脂の形態としては、厚さ
が０．０５ｍｍから０．７ｍｍのシートが好ましい。
０．０５ｍｍ未満では、破断する可能性が高く、０．７
ｍｍを越えると、所定の貫通穴２内に導電性ペーストを
完全に挿入又は充填できず、硬化した導電性ペーストよ
り構成される柱状の突出部３が完全に形成されず、導通
できなくなる場合がある。カード９Ａを製造する際に
は、これらのシートを組み合わせて、製造するカード９
Ａの公差を含む厚さ内に入るものを用いることが望まし
い。そのカード９Ａの公差を含む厚さを外れる場合は、
公差内にカード９Ａの厚さを入れることが難しい場合が
ある。
【００３５】ＩＣカード９Ａにおいては、第１基材１Ａ
と第２基材８Ａとは一体的になって絶縁性樹脂部５０Ａ
を構成している。
【００３６】その他の貫通穴２、導電性ペースト、突出
部３、コイルパターンを含む回路パターン４、電子部品
５、金属箔６、ＩＣチップ７、及び、一体型のカード９
Ａを完成させるためのラミネート方法等に用いられる材
質、方法や装置等については、第１実施形態と同様であ
る。
【００３７】この第２実施形態によれば、第１基材１Ａ
及び第２基材８Ａがともに熱可塑性樹脂から形成されて
いるため、加熱して熱可塑性樹脂を可塑化して互いにラ
ミネート接合することができ、接着剤を用いることなし
に、第１基材１Ａと第２基材８Ａとがラミネートできる
という効果を奏することができる。 （第３実施形態）図３（ａ），（ｂ）は、それぞれ、本
発明の第３実施形態の接触・非接触兼用ＩＣカードの製
造方法の各工程を説明するための第１基材などの断面図
を示し、図３（ａ），（ｂ）に示ように、第１実施形態
において、ＩＣチップ７、電子部品５、コイルパターン
を含む回路パターン４を覆うように重ね合わせるもう一
つの第２基材８Ｂが、少なくとも１つ以上の熱可塑性樹
脂製シート８Ｂ−１，８Ｂ−２から構成されている。図
３（ａ），（ｂ）はそれぞれ図１の（ｆ），（ｇ）に対
応する図である。
【００３８】第２基材８Ｂのこれらのシート８Ｂ−１，
８Ｂ−２は、厚さにおいて、互いに同一であっても、異
なっていてもよく、特に限定されることはない。
【００３９】第２基材８Ｂのこれらのシート８Ｂ−１，
８Ｂ−２は、一体型のカード９Ｂを製造する際に、第１
基材１と第２基材８Ｂとをラミネートするときに同時に
ラミネートしてもよく、また、先に、第２基材８Ｂのシ
ート８Ｂ−１，８Ｂ−２同士をラミネートしておき、次
いで、ラミネートされた第２基材８Ｂと第１基材１とを
一体型のカード９Ｂへとラミネートしてもよく、特に限
定されない。ＩＣカード９Ｂにおいては、第１基材１と
第２基材８Ｂとは一体的になって絶縁性樹脂部５０Ｂを
構成している。
【００４０】その他の第１基材１、貫通穴２、導電性ペ
ースト、突出部３、コイルパターンを含む回路パターン
４、電子部品５、金属箔６、ＩＣチップ７、及び、一体
型のカード９Ｂを完成させるためのラミネート方法等に
用いられる材質、方法や装置等については、第１実施形
態と同様である。
【００４１】上記第３実施形態によれば、第２基材８Ｂ
を、少なくとも１つ以上の熱可塑性樹脂製シート８Ｂ−
１，８Ｂ−２から構成するようにしたので、熱可塑性樹
脂製シート８Ｂ−１，８Ｂ−２として厚さの異なるもの
を数種類用意しておき、適宜組み合わせることにより所
定のカード９Ｂの厚さにすることができる。よって、厚
さの異なる多くの種類の第２基材８を必要とせず、ま
た、いろいろな種類の厚さのシ−ト８Ｂ−１，８Ｂ−２
を組み合わせて使用できるという効果を奏することがで
きる。また、第２基材８Ｂのシート８Ｂ−１，８Ｂ−２
がともに熱可塑性樹脂から形成されているため、加熱し
て熱可塑性樹脂を可塑化して互いにラミネート接合する
ことができ、接着剤を用いることなしに、ラミネートで
きるという効果を奏することができる。さらに、第２実
施形態のように第１基材１Ａも熱可塑性樹脂から形成す
るようにすれば、第１基材１Ａ及び第２基材８Ｂのシー
ト８Ｂ−１，８Ｂ−２がともに熱可塑性樹脂から形成さ
れているため、加熱して熱可塑性樹脂を可塑化して互い
にラミネート接合することができ、接着剤を用いること
なしに、ラミネートできるという効果を奏することがで
きる。 （第４実施形態）図４（ａ），（ｂ）は、本発明の第４
実施形態の接触・非接触兼用ＩＣカードの製造方法にお
いて、第１実施形態の回路パターン４を第１基材１に印
刷したときの導電性ペーストの断面図を示し、図４
（ａ）は、第１基材１に印刷された導電性ペーストの熱
硬化性樹脂の硬化前を、図４（ｂ）は、上記導電性ペー
ストの熱硬化性樹脂の硬化後を示す。図４（ａ），
（ｂ）において、導電性ペーストは、主として、１種類
以上の金属粒子１１と熱硬化性樹脂１２とより構成され
ており、その金属粒子１１の重量割合がペースト全体重
量の５５％以上９５％以下を占めることより構成されて
いる。
【００４２】導電性ペーストの塗布方法は、特に限定さ
れるものではないが、印刷方法によるものが好ましい。
【００４３】導電性ペーストを構成する金属粒子１１と
しては、電気的な導通を有するものであれは、使用する
ことができ、その導通抵抗等の電気特性等については、
特に限定されるものではないが、好ましくは、銀粉、金
粉、アルミニウム粉、ニッケル粉や銅粉である。また、
その形状については、球状や鱗片状のものが使用でき
る。金属粒子１１の大きさについては、特に限定されな
いが、好ましくは、直径０．００３ｍｍから０．０２ｍ
ｍであり、０．００３ｍｍ未満のものでは、導電性ペー
ストの分離が発生して電気的導通がとれない場合があ
り、０．０２ｍｍを越えるものでは、ペースト状をなさ
ず、印刷できない場合がある。よって、上記金属粒子の
直径は０．００３ｍｍから０．０２ｍｍであるのが好ま
しい。
【００４４】金属粒子１１の重量割合が導電性ペースト
全体の重量の５５％未満のものでは、硬化時に電気的導
通がとれない場合があり、９５％を越えるものでは、ペ
ースト状をなさず、印刷できないことがある。よって、
上記金属粒子の重量割合がペースト全体重量の５５％以
上９５％以下を占めるのが好ましい。
【００４５】導電性ペーストを構成する熱硬化性樹脂１
２としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂やアクリル
樹脂等が使用可能であるが、特にこれらに限定されるこ
とはない。
【００４６】その他の導電性ペーストを構成するものに
ついては、特に限定されるものではなく、如何なるもの
も使用可能である。
【００４７】その他の第１基材１，１Ａ、第２基材８，
８Ａ，８Ｂ、貫通穴２、コイルパターンを含む回路パタ
ーン４、電子部品５、金属箔６、ＩＣチップ７、及び、
一体型のカード９，９Ａ，９Ｂを完成させるためのラミ
ネート方法等に用いられる材質、方法や装置等について
は、第１実施形態と同様である。
【００４８】上記第４実施形態によれば、基材に導電性
ペーストにより回路パターンを形成するため、回路基板
を用いることなしに、電子回路が形成できるという効果
がある。また、規定された導電ペーストを用いることに
より、電気的に安定した回路を形成することができる。 （第５実施形態）図５（ａ），（ｂ）は、本発明の第５
実施形態の接触・非接触兼用ＩＣカードの金属箔６の２
つの例の断面図を示し、図５（ａ）は、金箔又は銅箔６
Ａを、図５（ｂ）は、一例としての錫箔のメッキ箔支持
層６Ｂ−３上に２つのメッキ層６Ｂ−１，６Ｂ−２、例
えば、ニッケルメッキ層６Ｂ−１、次いで、金メッキ層
６Ｂ−２が形成されたメッキ箔６Ｂを示す。
【００４９】金属箔６Ａ，６Ｂのそれぞれの厚さについ
ては、０．０５ｍｍから０．５ｍｍのものが好ましく、
０．０５ｍｍ未満のものでは、摩耗による破損が発生し
やすく、０．５ｍｍを越える場合のものは、一体型のカ
ードにする際に完全にカード内に収納できないことがあ
る。
【００５０】金箔又は銅箔６Ａの金又は銅の純度につい
ては、特に限定されないが、好ましくは、９０％以上の
純度のものである。
【００５１】メッキ箔６Ｂについては、メッキ箔支持層
６Ｂ−３上に形成された各メッキ層６Ｂ−１，６Ｂ−２
の厚さは、特に限定されるものではなく、また、その製
造方法も、特に限定されるものではない。各層の金属の
純度についても、特に限定されるものでない。
【００５２】その他の第１基材１，１Ａ、第２基材８，
８Ａ，８Ｂ、貫通穴２、導電性ペースト、突出部３、コ
イルパターンを含む回路パターン４、電子部品５、ＩＣ
チップ７、及び、一体型のカード９，９Ａ，９Ｂを完成
させるためのラミネート方法等に用いられる材質、方法
や装置等については、第１実施形態と同様である。
【００５３】上記第５実施形態によれば、基材に導電性
ペーストにより回路パターンを形成するため、回路基板
を用いることなしに、電子回路が形成できるという効果
を奏することができる。また、簡易に電極を形成するこ
とができる。 （第６実施形態）図６（ａ），（ｂ）は、本発明の第６
実施形態の接触・非接触兼用ＩＣカードの金属箔６の２
つの例の断面図を示し、図６（ａ）は、金６Ｃ−１を金
属箔支持層６Ｃ−２に蒸着した金属箔６Ｃを、図６
（ｂ）は、金６Ｄ−１を金属箔支持層６Ｄ−２にスパッ
タした金属箔６Ｄを示す。
【００５４】各金属箔６Ｃ，６Ｄの厚さについては、
０．０５ｍｍから０．５ｍｍのものが好ましく、０．０
５ｍｍ未満のものでは、摩耗による破損が発生しやす
く、０．５ｍｍを越える場合のものは、一体型のカード
にする際に完全にカード内に収納できないことがある。
【００５５】蒸着又はスパッタされる金属箔支持層６Ｃ
−２，６Ｄ−２としては、特に限定されることはない
が、好ましくは、錫箔、亜鉛箔、アルミニウム箔や銅箔
等である。
【００５６】蒸着した金箔６Ｃ−１及びスパッタした金
箔６Ｄ−１の各層の厚さは、特に限定されるものではな
く、また、その製造方法も、特に限定されるものではな
い。各層の金属の純度についても、特に限定されるもの
でない。
【００５７】その他の第１基材１，１Ａ、第２基材８，
８Ａ，８Ｂ、貫通穴２、導電性ペースト、突出部３、コ
イルパターンを含む回路パターン４、電子部品５、ＩＣ
チップ７、及び、一体型のカード９，９Ａ，９Ｂを完成
させるためのラミネート方法等に用いられる材質、方法
や装置等については、第１実施形態と同様である。
【００５８】上記第６実施形態によれば、基材に導電性
ペーストにより回路パターンを形成するため、回路基板
を用いることなしに、電子回路が形成できるという効果
を奏することができる。また、簡易に電極を形成するこ
とができる。 （第７実施形態）図７（ａ），（ｂ）は、本発明の第７
実施形態の接触・非接触兼用ＩＣカードの製造方法の各
工程を説明するための第１基材などの断面図を示し、図
７（ａ），（ｂ）において、ＩＣチップ７、電子部品
５、コイルパターンを含む回路パターン４を覆うように
重ね合わせるもう一つの第２基材８Ｆが、第１基材１Ｆ
より０．０５ｍｍから０．５ｍｍ厚く構成されている。
なお、第１基材１Ｆは上記第１基材１，１Ａにそれぞれ
適用することができ、第２基材８Ｆは上記第２基材８，
８Ａ，８Ｂにそれぞれ適用することができる。
【００５９】第２基材８Ｆを第１基材１Ｆより厚くする
ことにより、より確実にＩＣチップ７、電子部品５、コ
イルパターンを含む回路パターン４を覆うことができ
る。製造するカード９Ｆの厚さが規定されている場合
に、第２基材８Ｆと第１基材１Ｆの厚さの差が０．０５
ｍｍ未満の場合には、完全に覆うことができない場合が
あり、０．５ｍｍを越える場合には、カードに反りが発
生する場合がある。
【００６０】ＩＣカード９Ｆにおいては、第１基材１Ｆ
と第２基材８Ｆとは一体的になって絶縁性樹脂部５０Ｆ
を構成している。
【００６１】その他の第１基材１Ｆ、第２基材８Ｆ、貫
通穴２、導電性ペースト、突出部３、コイルパターンを
含む回路パターン４、電子部品５、金属箔６、ＩＣチッ
プ７、及び、一体型のカード９Ｈを完成させるためのラ
ミネート方法等に用いられる材質、方法や装置等につい
ては、第１実施形態と同様である。
【００６２】上記第７実施形態によれば、第２基材８Ｆ
の厚さを第１基材１Ｆの厚さより大きくすることによ
り、より確実に、ＩＣチップ７、電子部品５、コイルパ
ターンを含む回路パターン４を覆うことができて、容易
に平面性の良い接触・非接触兼用ＩＣカード９Ｆが得ら
れるという効果を奏することができる。 （第８実施形態）図８（ａ）〜（ｇ）は、それぞれ、本
発明の第８実施形態の接触・非接触兼用ＩＣカードの製
造方法の各工程を説明するための第１基材などの断面図
を示し、図８（ａ），（ｂ）において、２つの基材のう
ちの第１基材１の外部電極が配置される外部電極配置部
分に所定の寸法形状の貫通穴２を設ける。次いで、図８
（ｃ）に示すように、その第１基材１に、導電性ペース
トにてコイルパターンを含む回路パターン４を、上記貫
通穴２に導電性ペーストが挿入、好ましくは、充填され
るように印刷する。次いで、図８（ｄ）に示すように、
ＩＣチップ７の電極及び電子部品５の電極が回路パター
ン４と電気的に接続されるように上記回路パターン４の
上に、ＩＣチップ７及び電子部品５を合わせて１つ以上
のＩＣチップ７及び電子部品５を配置する。さらに、図
８（ｅ）に示すように、印刷された回路パターン４の第
１基材１の反対面に、金属箔６を上記貫通穴２に挿入、
好ましくは、充填されて硬化された導電性ペーストより
構成される柱状の突出部３を介して上記回路パターン４
と電気的に接続されるように配置する。次いで、図８
（ｆ）に示すように、導電性ペーストを硬化させる工程
と、もう一つの第２基材８Ｇの所定の位置に貫通穴２Ｇ
を設け、その貫通穴２Ｇに挿入、好ましくは、充填する
ように回路パターン４Ｇを導電性ペーストにより印刷
し、その第２基材８Ｇの回路パターン印刷面の反対面
に、金属箔６Ｇを上記貫通穴２Ｇに挿入、好ましくは、
充填して硬化した導電性ペーストより構成される柱状の
突出部３Ｇを介して上記回路パターン４Ｇと電気的に接
続されるように配置し、この導電性ペーストを硬化させ
る工程を行う。次いで、図８（ｆ），（ｇ）に示すよう
に、上記第１基材１のＩＣチップ７、電子部品５、コイ
ルパターンを含む回路パターン４、及び回路パターン４
Ｇを覆うように第２基材８Ｇを第１基材１に重ね合わせ
てラミネートして、図８（ｇ）に示すように、一体型の
カード９Ｇを完成させるものである。
【００６３】回路パターン４Ｇは、特に限定されるもの
ではない。回路パターン４Ｇの形成方法は、特に限定さ
れるものではないが、印刷方法によるものが好ましい。
回路パターン４Ｇの形成後の導電性ペーストの硬化方法
は、特に限定されるものではないが、加熱硬化するのが
望ましく、硬化温度は、８０℃から１５０℃が望まし
い。８０℃未満では、硬化するのに時間がかかり、１５
０℃を超える場合には、第１基材１又は第２基材８Ｇが
熱変形することがある。
【００６４】ＩＣカード９Ｇにおいては、第１基材１と
第２基材８Ｇとは一体的になって絶縁性樹脂部５０Ｇを
構成している。
【００６５】その他の第１基材１、第２基材８Ｇ、貫通
穴２，２Ｇ、導電性ペースト、突出部３，３Ｇ、コイル
パターンを含む回路パターン４、回路パターン４Ｇ、電
子部品５、金属箔６，６Ｇ、ＩＣチップ７、及び、一体
型のカード９Ｇを完成させるためのラミネート方法等に
用いられる材質、方法や装置等については、第１実施形
態と同様である。また、第８実施形態の貫通穴２Ｇ、導
電性ペースト、突出部３Ｇ、回路パターン４Ｇ、金属箔
６Ｇに用いられるラミネート方法等の材質、方法や装置
等は、第１実施形態の貫通穴２、導電性ペースト、突出
部３、回路パターン４、金属箔６に用いられるラミネー
ト方法等の材質、方法や装置等と同様である。なお、回
路パターン４Ｇは上記コイルパターンを含む必要はな
い。
【００６６】上記第８実施形態によれば、基材に導電性
ペーストにより回路パターンを形成するため、回路基板
を用いることなしに、電子回路が形成できるという効果
と、両方の基材に金属箔の外部電極を配置して回路パタ
ーンと導電性ペーストにより接続するようにしたので、
カード９Ｇの両面に外部電極を配置できるという効果が
ある。 （第９実施形態）図９（ａ），（ｂ）は、本発明の第９
実施形態の接触・非接触兼用ＩＣカードの製造方法の各
工程を説明するための第１基材などの断面図を示し、図
９（ａ），（ｂ）において、この接触・非接触兼用ＩＣ
カード９Ｈは、第８実施形態において、第１基材１Ｈ及
び第２基材８Ｈがともに熱可塑性樹脂から形成されてい
るものである。図９（ａ），（ｂ）はそれぞれ図８の
（ｆ），（ｇ）に対応する図である。
【００６７】この熱可塑性樹脂としては、ポリエステル
樹脂やポリオレフィン系樹脂が使用可能であり、特に、
熱圧着によりラミネートできるものが好ましいが、これ
らに限定されるものではない。用いられる熱可塑性樹脂
の形態としては、厚さが０．０５ｍｍから０．７ｍｍの
シ−トが好ましい。０．０５ｍｍ未満では、破断する可
能性が高く、０．７ｍｍを越えると、所定の貫通穴内に
導電性ペーストを完全に挿入又は充填できず、導通でき
なくなる場合がある。カード９Ｈを製造する際には、こ
れらのシ−トを組み合わせて、製造するカード９Ｈの公
差を含む厚さ内に入るものを用いることが望ましい。そ
のカード９Ｈの公差を含む厚さをはずれる場合は、公差
内にカード９Ｈの厚さを入れることが難しい場合があ
る。
【００６８】ＩＣカード９Ｈにおいては、第１基材１Ｈ
と第２基材８Ｈとは一体的になって絶縁性樹脂部５０Ｈ
を構成している。
【００６９】その他の貫通穴２，２Ｇ、導電性ペース
ト、突出部３，３Ｇ、コイルパターンを含む回路パター
ン４、回路パターン４Ｇ、電子部品５、金属箔６，６
Ｇ、ＩＣチップ７、及び、一体型のカード９Ｈを完成さ
せるためのラミネート方法等に用いられる材質、方法や
装置等については、第８実施形態と同様である。
【００７０】上記第９実施形態によれば、第１基材１Ｈ
及び第２基材８Ｈがともに熱可塑性樹脂から形成されて
いるため、加熱して熱可塑性樹脂を可塑化して互いにラ
ミネート接合することができ、接着剤を用いることなし
に、ラミネートできるという効果を奏することができ
る。 （第１０実施形態）図１０（ａ），（ｂ）は、本発明の
第１０実施形態の接触・非接触兼用ＩＣカードの製造方
法において、第８実施形態の回路パターン４，４Ｇを第
１基材１，１Ｈ又は第２基材８Ｇ，８Ｈに印刷したとき
の導電性ペーストの断面図を示し、図１０（ａ）は、第
１基材１，１Ｈ又は第２基材８Ｇ，８Ｈに印刷された導
電性ペーストの熱硬化性樹脂の硬化前を、図１０（ｂ）
は、導電性ペーストの熱硬化性樹脂の硬化後を示す。図
１０（ａ），（ｂ）において、導電性ペーストは、主と
して、１種類以上の金属粒子１１１と熱硬化性樹脂１１
２とより構成され、その金属粒子１１１の重量割合がペ
ースト全体重量の５５％以上９５％以下を占めることよ
り構成されている。
【００７１】導電性ペーストの塗布方法は、特に限定さ
れるものではないが、印刷方法によるものが好ましい。
【００７２】導電性ペーストを構成する金属粒子１１１
としては、電気的な導通を有するものであれは、使用す
ることができ、その導通抵抗等の電気特性等について
は、特に限定されるものではないが、好ましくは、銀
粉、金粉、アルミニウム粉、ニッケル粉、又は、銅粉で
ある。また、その形状については、球状や鱗片状のもの
がしようできる。金属粒子１１１の大きさについては、
特に限定されないが、好ましくは、直径０．００３ｍｍ
から０．０２ｍｍであり、０．００３ｍｍ未満のもので
は、ペーストの分離が発生する場合があり、０．０２ｍ
ｍを越えるものでは、印刷できない場合がある。
【００７３】金属粒子１１１の重量割合がペースト全体
重量の５５％未満のものでは、硬化時に導電性ペースト
の分離が発生して電気的導通がとれない場合があり、９
５％を越えるものでは、ペースト状をなさず、印刷でき
ないことがある。よって、上記金属粒子の重量割合がペ
ースト全体重量の５５％以上９５％以下を占めるのが好
ましい。
【００７４】導電性ペーストを構成する熱硬化性樹脂１
１２としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂やアクリ
ル樹脂等が使用可能であるが、特にこれらに限定される
ことはない。
【００７５】その他の導電性ペーストを構成するものに
ついては、特に限定されるものではなく、いかなるもの
も使用可能である。
【００７６】その他の第１基材１，１Ｈ、第２基材８
Ｇ，８Ｈ、貫通穴２，２Ｇ、突出部３，３Ｇ、コイルパ
ターンを含む回路パターン４、回路パターン４Ｇ、電子
部品５、金属箔６，６Ｇ、ＩＣチップ７、及び、一体型
のカード９Ｇ，９Ｈを完成させるためのラミネート方法
等に用いられる材質、方法や装置等については、第８実
施形態と同様である。
【００７７】上記第１０実施形態によれば、基材に導電
性ペーストにより回路パターンを形成するため、回路基
板を用いることなしに、電子回路が形成できるという効
果がある。又、電気的に安定した回路を形成することが
できる。 （第１１実施形態）図１１（ａ），（ｂ）は、本発明の
第１１実施形態の接触・非接触兼用ＩＣカードは第８実
施形態の金属箔６，６Ｇの２つの例の断面図を示し、図
１１（ａ）は、金箔又は銅箔１６Ａを、図１１（ｂ）
は、一例としての錫箔のメッキ箔支持層１６Ｂ−３上に
２つのメッキ層１６Ｂ−１，１６Ｂ−２、例えば、ニッ
ケルメッキ層１６Ｂ−１、次いで、金メッキ層１６Ｂ−
２が形成されたメッキ箔１６Ｂを示す。
【００７８】金属箔１６Ａ，１６Ｂのそれぞれの厚さに
ついては、０．０５ｍｍから０．５ｍｍのものが好まし
く、０．０５ｍｍ未満のものでは、摩耗による破損が発
生しやすく、０．５ｍｍを越える場合のものは、一体型
のカードにする際に完全にカード内に収納できないこと
がある。
【００７９】金箔又は銅箔１６Ａの金又は銅の純度につ
いては、特に限定されないが、好ましくは、９０％以上
の純度のものである。
【００８０】メッキ箔１６Ｂについては、メッキ箔支持
層１６Ｂ−３上に形成された各メッキ層１６Ｂ−１，１
６Ｂ−２の厚さは、特に限定されるものではなく、ま
た、その製造方法も、特に限定されるものではない。各
層の金属の純度についても、特に限定されるものでな
い。
【００８１】その他の第１基材１，１Ｈ、第２基材８
Ｇ，８Ｈ、貫通穴２，２Ｇ、導電性ペースト、突出部
３，３Ｇ、コイルパターンを含む回路パターン４、回路
パターン４Ｇ、電子部品５、ＩＣチップ７、及び、一体
型のカード９Ｇ，９Ｈを完成させるためのラミネート方
法等に用いられる材質、方法や装置等については、第８
実施形態と同様である。
【００８２】上記第１１実施形態によれば、基材に導電
性ペーストにより回路パターンを形成するため、回路基
板を用いることなしに、電子回路が形成できるという効
果を奏することができる。また、簡易に電極を形成する
ことができる。 （第１２実施形態）図１２（ａ），（ｂ）は、本発明の
第１２実施形態の接触・非接触兼用ＩＣカードは第８実
施形態の金属箔６，６Ｇの２つの例の断面図を示し、図
１２（ａ）は、金１６Ｃ−１を金属箔支持層１６Ｃ−２
に蒸着した金属箔１６Ｃを、図１２（ｂ）は、金１６Ｄ
−１を金属箔支持層１６Ｄ−２にスパッタした金属箔１
６Ｄを示す。
【００８３】各金属箔１６Ｃ，１６Ｄの厚さについて
は、０．０５ｍｍから０．５ｍｍのものが好ましく、
０．０５ｍｍ未満のものでは、摩耗による破損が発生し
やすく、０．５ｍｍを越える場合のものは、一体型のカ
ード９Ｇ，９Ｈにする際に完全にカード内に収納できな
いことがある。
【００８４】蒸着又はスパッタされる金属箔支持層１６
Ｃ−２，１６Ｄ−２としては、特に限定されることはな
いが、好ましくは、錫箔、亜鉛箔、アルミニウム箔や銅
箔等である。
【００８５】蒸着した金箔１６Ｃ−１及びスパッタした
金箔１６Ｄ−１の各層の厚さは、特に限定されるもので
はなく、また、その製造方法も、特に限定されるもので
はない。各層の金属の純度についても、特に限定される
ものでない。
【００８６】その他の第１基材１，１Ｈ、第２基材８
Ｇ，８Ｈ、貫通穴２，２Ｇ、導電性ペースト、突出部
３，３Ｇ、コイルパターンを含む回路パターン４、回路
パターン４Ｇ、電子部品５、ＩＣチップ７、及び、一体
型のカード９Ｇ，９Ｈを完成させるためのラミネート方
法等に用いられる材質、方法や装置等については、第８
実施形態と同様である。
【００８７】上記第１２実施形態によれば、基材に導電
性ペーストにより回路パターンを形成するため、回路基
板を用いることなしに、電子回路が形成できるという効
果を奏することができる。また、簡易に電極を形成する
ことができる。 （第１３実施形態）図１３（ａ），（ｂ）は、本発明の
第１３実施形態の接触・非接触兼用ＩＣカードの製造方
法の各工程を説明するための第１基材などの断面図を示
し、図１３（ａ），（ｂ）において、ＩＣチップ７、電
子部品５、コイルパターンを含む回路パターン４、及び
回路パターン４Ｇを覆うように重ね合わせるもう一つの
第２基材８Ｊが、第１基材１Ｊより０．０５ｍｍから
０．５ｍｍ厚く構成されている。図１３（ａ），（ｂ）
はそれぞれ図８の（ｆ），（ｇ）に対応する図である。
【００８８】第２基材８Ｊを第１基材１Ｊより厚くする
ことにより、より確実にＩＣチップ７、電子部品５、コ
イルパターンを含む回路パターン４、及び回路パターン
４Ｇを覆うことができる。製造するカードの厚さが規定
されている場合に、第２基材８Ｊと第１基材１Ｊの厚さ
の差が０．０５ｍｍ未満の場合には、完全に覆うことが
できない場合があり、０．５ｍｍを越える場合には、カ
ードに反りが発生する場合がある。
【００８９】なお、第１基材１Ｊは上記第１基材１，１
Ｈにそれぞれ適用することができ、第２基材８Ｊは上記
第２基材８Ｇ，８Ｈにそれぞれ適用することができる。
【００９０】ＩＣカード９Ｊにおいては、第１基材１Ｊ
と第２基材８Ｊとは一体的になって絶縁性樹脂部５０Ｊ
を構成している。
【００９１】その他の第１基材１Ｊ、第２基材８Ｊ、貫
通穴２，２Ｇ、導電性ペースト、突出部３，３Ｇ、コイ
ルパターンを含む回路パターン４、回路パターン４Ｇ、
電子部品５、金属箔６，６Ｇ、ＩＣチップ７、及び、一
体型のカード９Ｊを完成させるためのラミネート方法等
に用いられる材質、方法や装置等については、第８実施
形態と同様である。
【００９２】上記第１３実施形態によれば、第２基材８
Ｊの厚さを第１基材１Ｊの厚さより大きくすることによ
り、より確実に、ＩＣチップ７、電子部品５、コイルパ
ターンを含む回路パターン４、及び回路パターン４Ｇを
覆うことができて、容易に平面性の良い接触・非接触兼
用ＩＣカードが得られるという効果を奏することができ
る。 （第１４実施形態）図１４は、本発明の第１４実施形態
の接触・非接触兼用ＩＣカードの製造方法の各工程を説
明するための第１基材などの断面図を示し、図１４
（ａ），（ｂ）において、２つの基材のうちの第１基材
１の外部電極が配置される外部電極配置部分に所定寸法
形状の貫通穴２を設け、次いで、図１４（ｃ）に示すよ
うに、その第１基材１に、導電性ペーストにてコイルパ
ターンを含む回路パターン４を、上記貫通穴２に導電性
ペーストが挿入、好ましくは、充填されるように印刷す
る。次いで、図１４（ｄ）に示すように、ＩＣチップ７
の電極及び電子部品５の電極が回路パターン４と電気的
に接続されるように上記回路パターン４の上に、ＩＣチ
ップ７及び電子部品５を合わせて１つ以上のＩＣチップ
７及び電子部品５を配置する。さらに、図１４（ｅ）に
示すように、印刷された回路パターン４の第１基材１の
反対面に、金属箔６を上記貫通穴２に挿入、好ましく
は、充填されて硬化した導電性ペーストより構成される
柱状の突出部３を介して上記回路パターン４と電気的に
接続されるように配置する。次いで、図１４（ｆ）に示
すように、導電性ペーストを硬化させ、次いで、もう一
つの第２基材８Ｋの所定の位置に貫通穴２Ｇを設け、そ
の貫通穴２Ｇに挿入、好ましくは、充填するように回路
パターン４Ｇを導電性ペーストにより印刷し、その第２
基材８Ｋの回路パターン印刷面の反対面に、金属箔６Ｇ
を配置する。このとき、金属箔６Ｇは、上記貫通穴２Ｇ
に挿入、好ましくは、充填して硬化した導電性ペースト
より構成される柱状の突出部３Ｇを介して上記回路パタ
ーン４Ｇと電気的に接続されるように配置し、かつ、上
記のもう一方の第１基材１にすでに配置されている金属
箔６と、表裏の同じ位置になるように配置するととも
に、導電性ペーストを硬化させる。さらに、図１４
（ｆ），（ｇ）に示すように、上記の第１基材１のＩＣ
チップ７、電子部品５、及びコイルパターンを含む回路
パターン４、及び回路パターン４Ｇを覆うように第２基
材８Ｋを第１基材１に重ね合わせてラミネートして、図
１４（ｇ）に示すように、カード９Ｋの表裏の同じ位置
に金属箔６，６Ｇの外部電極が設けられている一体型の
カード９Ｋを完成させるものである。
【００９３】その他の第１基材１、第２基材８Ｋ、貫通
穴２，２Ｇ、導電性ペースト、突出部３，３Ｇ、コイル
パターンを含む回路パターン４、回路パターン４Ｇ、電
子部品５、金属箔６，６Ｇ、ＩＣチップ７、及び、一体
型のカード９Ｋを完成させるためのラミネート方法等に
用いられる材質、方法や装置等については、第８実施形
態と同様である。
【００９４】上記第１４実施形態によれば、基材に導電
性ペーストにより回路パターンを形成するため、回路基
板を用いることなしに、電子回路が形成できるという効
果と、カード９Ｋの両面に外部電極を配置できるという
効果がある。 （第１５実施形態）図１５（ａ），（ｂ）は、本発明の
第１５実施形態の接触・非接触兼用ＩＣカードの製造方
法の各工程を説明するための第１基材などの断面図を示
し、図１５（ａ），（ｂ）において、この接触・非接触
兼用ＩＣカード９Ｌは、第１基材１Ｌ及び第２基材８Ｌ
が熱可塑性樹脂から形成されているものである。図１５
（ａ），（ｂ）はそれぞれ図１４の（ｆ），（ｇ）に対
応する図である。
【００９５】この熱可塑性樹脂としては、ポリエステル
樹脂やポリオレフィン系樹脂が使用可能であり、特に、
熱圧着によりラミネートできるものが好ましいが、これ
らに限定されるものではない。用いられる熱可塑性樹脂
の形態としては、厚さが０．０５ｍｍから０．７ｍｍの
シ−トが好ましい。０．０５ｍｍ未満では、破断する可
能性が高く、０．７ｍｍを越えると、所定の貫通穴内に
導電性ペーストを完全に挿入、好ましくは、充填でき
ず、導通できなくなる場合がある。カード９Ｌを製造す
る際には、これらのシ−トを組み合わせて、製造するカ
ード９Ｌの公差を含む厚さ内に入るものを用いることが
望ましい。そのカード９Ｌの公差を含む厚さをはずれる
場合は、公差内にカード９Ｌの厚さを入れることが難し
い場合がある。
【００９６】その他の貫通穴２，２Ｇ、導電性ペース
ト、突出部３，３Ｇ、コイルパターンを含む回路パター
ン４、回路パターン４Ｇ、電子部品５、金属箔６，６
Ｇ、ＩＣチップ７、及び、一体型のカード９Ｌを完成さ
せるためのラミネート方法等に用いられる材質、方法や
装置等については、第１４実施形態と同様である。
【００９７】上記第１５実施形態によれば、第１基材１
Ｌ及び第２基材８Ｌがともに熱可塑性樹脂から形成され
ているため、加熱して熱可塑性樹脂を可塑化して互いに
ラミネート接合することができ、接着剤を用いることな
しに、ラミネートできるという効果を奏することができ
る。 （第１６実施形態）図１６（ａ），（ｂ）は、本発明の
第１６実施形態の接触・非接触兼用ＩＣカードの製造方
法において、第１４実施形態の回路パターン４，４Ｇを
第１基材１，１Ｌ又は第２基材８Ｋ，８Ｌに印刷したと
きの導電性ペーストの断面図を示し、図１６（ａ）は、
第１基材１，１Ｌ又は第２基材８Ｋ，８Ｌに印刷された
導電性ペーストの熱硬化性樹脂の硬化前を、図１６
（ｂ）は、導電性ペーストの熱硬化性樹脂の硬化後を示
す。図１６（ａ），（ｂ）において、導電性ペースト、
突出部３は、主として、１種類以上の金属粒子２１１と
熱硬化性樹脂２１２とより構成され、その金属粒子１１
の重量割合がペースト全体重量の５５％以上９５％以下
を占めることより構成されている。
【００９８】導電性ペーストの塗布方法は、特に限定さ
れるものではないが、印刷方法によるものが好ましい。
【００９９】導電性ペーストを構成する金属粒子２１１
としては、電気的な導通を有するものであれは、使用す
ることができ、その導通抵抗等の電気特性等について
は、特に限定されるものではないが、好ましくは、銀
粉、金粉、アルミニウム粉、ニッケル粉、又は、銅粉で
ある。また、その形状については、球状や鱗片状のもの
がしようできる。金属粒子２１１の大きさについては、
特に限定されないが、好ましくは、直径０．００３ｍｍ
から０．０２ｍｍであり、０．００３ｍｍ未満のもので
は、ペーストの分離が発生する場合があり、０．０２ｍ
ｍを越えるものでは、印刷できない場合がある。
【０１００】金属粒子２１１の重量割合がペースト全体
重量の５５％未満のものでは、硬化時に導電性ペースト
の分離が発生して電気的導通がとれない場合があり、９
５％を越えるものでは、ペースト状をなさず、印刷でき
ないことがある。よって、上記金属粒子の重量割合がペ
ースト全体重量の５５％以上９５％以下を占めるのが好
ましい。
【０１０１】導電性ペーストを構成する熱硬化性樹脂２
１２としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂やアクリ
ル樹脂等が使用可能であるが、特にこれらに限定される
ことはない。
【０１０２】その他の導電性ペーストを構成するものに
ついては、特に限定されるものではなく、いかなるもの
も使用可能である。
【０１０３】その他の基材１，１Ｌ、基材８Ｋ，８Ｌ、
貫通穴２，２Ｇ、コイルパターンを含む回路パターン
４、回路パターン４Ｇ、電子部品５、金属箔６，６Ｇ、
ＩＣチップ７、及び、一体型のカード９Ｋ，９Ｌを完成
させるためのラミネート方法等に用いられる材質、方法
や装置等については、第１４実施形態と同様である。
【０１０４】上記第１６実施形態によれば、基材に導電
性ペーストにより回路パターンを形成するため、回路基
板を用いることなしに、電子回路が形成できるという効
果がある。また、電気的に安定した回路を形成すること
ができる。 （第１７実施形態）図１７（ａ），（ｂ）は、本発明の
第１７実施形態の接触・非接触兼用ＩＣカードは第１４
実施形態の金属箔６，６Ｇの２つの例の断面図を示し、
図１７（ａ）は、金箔又は銅箔２６Ａを、図１７（ｂ）
は、一例としての錫箔のメッキ箔支持層２６Ｂ−３上に
２つのメッキ層２６Ｂ−１，２６Ｂ−２、例えば、ニッ
ケルメッキ層２６Ｂ−１、次いで、金メッキ層２６Ｂ−
２が形成されたメッキ箔２６Ｂを示す。
【０１０５】金属箔２６Ａ，２６Ｂのそれぞれの厚さに
ついては、０．０５ｍｍから０．５ｍｍのものが好まし
く、０．０５ｍｍ未満のものでは、摩耗による破損が発
生しやすく、０．５ｍｍを越える場合のものは、一体型
のカードにする際に完全にカード内に収納できないこと
がある。
【０１０６】金箔又は銅箔２６Ａの金又は銅の純度のつ
いては、特に限定されないが、好ましくは、９０％以上
の純度のものである。
【０１０７】メッキ箔２６Ｂについては、メッキ箔支持
層２６Ｂ−３上に形成された各メッキ層２６Ｂ−１，２
６Ｂ−２の厚さは、特に限定されるものではなく、ま
た、その製造方法も、特に限定されるものではない。各
層の金属の純度についても、特に限定されるものでな
い。
【０１０８】その他の第１基材１，１Ｌ、第２基材８
Ｋ，８Ｌ、貫通穴２，２Ｇ、導電性ペースト、突出部
３，３Ｇ、コイルパターンを含む回路パターン４、回路
パターン４Ｇ、電子部品５、ＩＣチップ７、及び、一体
型のカード９Ｋ，９Ｌを完成させるためのラミネート方
法等に用いられる材質、方法や装置等については、第１
４実施形態と同様である。
【０１０９】上記第１７実施形態によれば、基材に導電
性ペーストにより回路パターンを形成するため、回路基
板を用いることなしに、電子回路が形成できるという効
果がある。また、簡易に電極を形成することができる。 （第１８実施形態）図１８（ａ），（ｂ）は、本発明の
第１８実施形態の接触・非接触兼用ＩＣカードは第１４
実施形態の金属箔６，６Ｇの２つの例の断面図を示し、
図１８（ａ）は、金２６Ｃ−１を金属箔支持層２６Ｃ−
２に蒸着した金属箔２６Ｃを、図１８（ｂ）は、金２６
Ｄ−１を金属箔支持層２６Ｄ−２にスパッタした金属箔
２６Ｄを示す。
【０１１０】各金属箔２６Ｃ，２６Ｄの厚さについて
は、０．０５ｍｍから０．５ｍｍのものが好ましく、
０．０５ｍｍ未満のものでは、摩耗による破損が発生し
やすく、０．５ｍｍを越える場合のものは、一体型のカ
ード９Ｇ，９Ｈにする際に完全にカード内に収納できな
いことがある。
【０１１１】蒸着又はスパッタされる金属箔支持層２６
Ｃ−２，２６Ｄ−２としては、特に限定されることはな
いが、好ましくは、錫箔、亜鉛箔、アルミニウム箔や銅
箔等である。
【０１１２】蒸着した金箔２６Ｃ−１及びスパッタした
金箔２６Ｄ−１の各層の厚さは、特に限定されるもので
はなく、また、その製造方法も、特に限定されるもので
はない。各層の金属の純度についても、特に限定される
ものでない。
【０１１３】その他の第１基材１，１Ｌ、第２基材８
Ｋ，８Ｌ、貫通穴２，２Ｇ、導電性ペースト、突出部
３，３Ｇ、コイルパターンを含む回路パターン４、回路
パターン４Ｇ、電子部品５、ＩＣチップ７、及び、一体
型のカード９Ｋ，９Ｌを完成させるためのラミネート方
法等に用いられる材質、方法や装置等については、第１
４実施形態と同様である。
【０１１４】上記第１８実施形態によれば、基材に導電
性ペーストにより回路パターンを形成するため、回路基
板を用いることなしに、電子回路が形成できるという効
果を奏することができる。また、簡易に電極を形成する
ことができる。 （第１９実施形態）図１９（ａ），（ｂ）は、本発明の
第１９実施形態の接触・非接触兼用ＩＣカードの製造方
法の各工程を説明するための第１基材などの断面図を示
し、図１９（ａ），（ｂ）において、ＩＣチップ７、電
子部品５、コイルパターンを含む回路パターン４、及び
回路パターン４Ｇを覆うように重ね合わせるもう一つの
第２基材８Ｍが、第１基材１Ｍより０．０５ｍｍから
０．５ｍｍ厚く構成されている。図１９（ａ），（ｂ）
はそれぞれ図１４の（ｆ），（ｇ）に対応する図であ
る。
【０１１５】第２基材８Ｍを第１基材１Ｍより厚くする
ことにより、より確実にＩＣチップ７、電子部品５、コ
イルパターンを含む回路パターン４、及び回路パターン
４Ｇを覆うことができる。製造するカードの厚さが規定
されている場合に、第２基材８Ｍと第１基材１Ｍの厚さ
の差が０．０５ｍｍ未満の場合には、完全に覆うことが
できない場合があり、０．５ｍｍを越える場合には、カ
ードに反りが発生する場合がある。
【０１１６】なお、第１基材１Ｍは上記第１基材１，１
Ｌにそれぞれ適用することができ、第２基材８Ｍは上記
第２基材８Ｋ，８Ｌにそれぞれ適用することができる。
その他の第１基材１Ｍ、第２基材８Ｍ、貫通穴２，２
Ｇ、導電性ペースト、突出部３，３Ｇ、コイルパターン
を含む回路パターン４、回路パターン４Ｇ、電子部品
５、金属箔６，６Ｇ、ＩＣチップ７、及び、一体型のカ
ード９Ｋ，９Ｌを完成させるためのラミネート方法等に
用いられる材質、方法や装置等については、第１４実施
形態と同様である。
【０１１７】上記第１９実施形態によれば、第２基材８
Ｍを第１基材１Ｍより厚くすることにより、より確実
に、ＩＣチップ７、電子部品５、コイルパターンを含む
回路パターン４、及び回路パターン４Ｇを覆うことがで
きて、容易に平面性の良い接触・非接触兼用ＩＣカード
が得られるという効果を奏することができる。
【０１１８】
【実施例】次に、本発明の上記各実施形態のより具体的
な実施例を説明する。 （実施例１）上記第１実施形態のより具体的な実施例１
を図１を参照しながら説明する。
【０１１９】第１基材１（ポリ塩化ビニル樹脂０．３８
ｍｍ厚）に、ダイスを用いたパンチングにより、直径
０．５ｍｍの貫通穴２を１０ヶ所開け、導電性ペースト
（エポキシ樹脂中に直径０．００５ｍｍの銀粉を７５％
配合調整したもの）を用いて、コイルパターンを含む回
路パターン４を形成すると同時に、上記貫通穴２を導電
性ペーストを充填する。次いで、上記回路パターン４上
の所定の位置に、ＩＣチップ７を配置し、その反対面の
貫通穴２のところに、金属箔６（０．２ｍｍ厚、銅箔に
ニッケル、次いで金メッキしたもの）を配置し、硬化炉
にて、導電性ペーストを硬化した。硬化条件は１４０
℃、３０分であった。
【０１２０】もう１つの第２基材８（ポリ塩化ビニル樹
脂０．３８ｍｍ厚）を上記第１基材１に対して、上記第
１基材１上のＩＣチップ７と、コイルパターンを含む回
路パターン４を覆うように重ね合わせ、プレス機によ
り、１４０℃、４０kg／cm2、３０分の加熱加圧条件で
ラミネートし、一体型のカード９を製造した。
【０１２１】なお、以上の説明では、第１基材１及び第
２基材８、貫通穴２、導電性ペースト、突出部３、コイ
ルパターンを含む回路パターン４、金属箔６、ＩＣチッ
プ７等の材質、大きさ、厚みや、また、工程での圧力、
温度を限定したが、これらは、一つの例であり、本発明
がこれに限定されるものではない。 （実施例２）上記第２実施形態のより具体的な実施例２
として、実施例１において、第１基材１Ａ及び第２基材
８Ａの材料として、ポリ塩化ビニル樹脂の代わりに、熱
可塑性樹脂であるポリエステル樹脂（０．３８ｍｍ厚）
を使用して、一体型のカード９Ａを製造した。
【０１２２】なお、以上の説明では、第１基材１Ａ及び
第２基材８Ａ等の材質を限定したが、これらは、一つの
例であり、本発明がこれに限定されるものではない。そ
の他の材料及び工程と条件は、実施例１と同じであっ
た。 （実施例３）上記第３実施形態のより具体的な実施例３
として、実施例１における第２基材８Ｂの材料として、
ポリ塩化ビニル樹脂の代わりに、熱可塑性樹脂であるポ
リエステル樹脂（０．１９ｍｍ厚）を２枚使用して、一
体型のカード９Ｂを製造した。
【０１２３】なお、以上の説明では、第１基材８Ｂの材
質を限定したが、これらは、一つの例であり、本発明が
これに限定されるものではない。その他の材料及び工程
と条件は、実施例１と同じであった。 （実施例４）上記第４実施形態のより具体的な実施例４
として、実施例１において導電性ペーストとして、エポ
キシ樹脂中に直径０．００５ｍｍの銀粉を７５％配合調
整したものの代わりに、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹
脂中に直径０．０１ｍｍの銅粉を８５％配合調整したも
のを使用して、一体型のカードを製造した。
【０１２４】なお、以上の説明では、導電性ペーストの
材質を限定したが、これらは、一つの例であり、本発明
がこれに限定されるものではない。その他の材料及び工
程と条件は、実施例１と同じであった。 （実施例５）上記第５実施形態のより具体的な実施例５
として、実施例１における金属箔６として、銅箔にニッ
ケル、次いで金メッキしたものの代わりに、金箔（０．
２ｍｍ厚）６Ａを使用して、一体型のカードを製造し
た。
【０１２５】なお、以上の説明では、金属箔６の材質を
限定したが、これらは、一つの例であり、本発明がこれ
に限定されるものではない。その他の材料及び工程と条
件は、実施例１と同じであった。 （実施例６）上記第６実施形態のより具体的な実施例６
として、実施例１において、金属箔６として、銅箔にニ
ッケル、次いで金メッキしたものの代わりに、銅箔に金
を蒸着したもの（０．２ｍｍ厚、蒸着厚み０．０００１
ｍｍ）を使用して、一体型のカードを製造した。
【０１２６】なお、以上の説明では、金属箔６の材質を
限定したが、これらは、一つの例であり、本発明がこれ
に限定されるものではない。その他の材料及び工程と条
件は、実施例１と同じであった。 （実施例７）上記第７実施形態のより具体的な実施例７
として、実施例１における第１基材１Ｆ及び第２基材８
Ｆの材料として、ポリ塩化ビニル樹脂の代わりに、ポリ
エステル樹脂で、それぞれ０．２８ｍｍ厚と０．５６ｍ
ｍ厚のものを各１枚用いて、一体型のカード９Ｆを製造
した。
【０１２７】なお、以上の説明では、第１基材１Ｆ及び
第２基材８Ｆ等の材質、厚さを限定したが、これらは、
一つの例であり、本発明がこれに限定されるものではな
い。その他の材料及び工程と条件は、実施例１と同じで
あった。 （実施例８）上記第８実施形態のより具体的な実施例８
として、図８を参照しながら説明する。
【０１２８】第１基材１（ポリ塩化ビニル樹脂０．３８
ｍｍ厚）に、ダイスを用いたパンチングにより、直径
０．５ｍｍの貫通穴２を１０ヶ所開け、導電性ペースト
（エポキシ樹脂中に直径０．００５ｍｍの銀粉を７５％
配合調整したもの）を用いて、コイルパターンを含む回
路パターン４を形成すると同時に、上記貫通穴２を導電
性ペーストを充填する。次いで、上記回路パターン４上
の所定の位置に、ＩＣチップ７を配置し、その反対面の
貫通穴２のところに、金属箔６（０．２ｍｍ厚、銅箔に
ニッケル、次いで金メッキしたもの）を配置し、硬化炉
にて、導電性ペーストを硬化した。（硬化条件：１４０
℃、３０分）。
【０１２９】もう１つの第２基材８Ｇ（ポリ塩化ビニル
樹脂０．３８ｍｍ厚）に、ダイスを用いたパンチングに
より、直径０．５ｍｍの貫通穴２Ｇを１０ヶ所開け、導
電性ペースト（エポキシ樹脂中に直径０．００５ｍｍの
銀粉を７５％配合調整したもの）を用いて、回路パター
ン４Ｇを形成すると同時に、上記貫通穴２Ｇを導電性ペ
ーストを充填し、その反対面の貫通穴２Ｇのところに、
金属箔６Ｇ（０．２ｍｍ厚、銅箔にニッケル、次いで金
メッキしたもの）を配置し、硬化炉にて、導電性ペース
トを硬化した。（硬化条件：１４０℃、３０分）。
【０１３０】もう１つの第２基材８Ｇを上記第１基材１
に対して、上記第１基材１上のＩＣチップ７と、コイル
パターンを含む回路パターン４及び回路パターン４Ｇを
覆うように重ね合わせ、プレス機により、１４０℃、４
０kg／cm2、３０分の加熱加圧条件でラミネートし、一
体型のカード９Ｈを製造した。
【０１３１】なお、以上の説明では、第１基材１及び第
２基材８、貫通穴２、導電性ペースト、突出部３、コイ
ルパターンを含む回路パターン４、回路パターン４Ｇ、
金属箔６、ＩＣチップ７等の材質、大きさ、厚みや、ま
た、工程での圧力、温度を限定したが、これらは、一つ
の例であり、本発明がこれに限定されるものではない。 （実施例９）上記第９実施形態のより具体的な実施例９
として、実施例８における第１基材１Ｈ及び第２基材８
Ｈの材料として、ポリ塩化ビニル樹脂の代わりに、熱可
塑性樹脂であるポリエステル樹脂（０．３８ｍｍ厚）を
使用して、一体型のカード９Ｈを製造した。
【０１３２】なお、以上の説明では、第１基材１Ｈ及び
第２基材８Ｈ等の材質を限定したが、これらは、一つの
例であり、本発明がこれに限定されるものではない。そ
の他の材料及び工程と条件は、実施例８と同じであっ
た。 （実施例１０）上記第１０実施形態のより具体的な実施
例１０として、実施例８における導電性ペーストとし
て、エポキシ樹脂中に直径０．００５ｍｍの銀粉を７５
％配合調整したものの代わりに、熱硬化性樹脂であるエ
ポキシ樹脂中に直径０．０１ｍｍの銅粉を８５％配合調
整したものを使用して、一体型のカード９Ｈを製造し
た。
【０１３３】なお、以上の説明では、導電性ペーストの
材質を限定したが、これらは、一つの例であり、本発明
がこれに限定されるものではない。その他の材料及び工
程と条件は、実施例８と同じであった。 （実施例１１）上記第１１実施形態のより具体的な実施
例１１として、実施例８における金属箔６として、銅箔
にニッケル、次いで金メッキしたものの代わりに、金箔
（０．２ｍｍ厚）１６Ａを使用して、一体型のカードを
製造した。
【０１３４】なお、以上の説明では、金属箔６の材質を
限定したが、これらは、一つの例であり、本発明がこれ
に限定されるものではない。その他の材料及び工程と条
件は、実施例８と同じであった。 （実施例１２）上記第１２実施形態のより具体的な実施
例１２として、実施例８における金属箔６として、銅箔
にニッケル、次いで金メッキしたものの代わりに、銅箔
に金を蒸着したもの（０．２ｍｍ厚、蒸着厚み０．００
０１ｍｍ）１６Ｃを使用して、一体型のカードを製造し
た。
【０１３５】なお、以上の説明では、金属箔６の材質を
限定したが、これらは、一つの例であり、本発明がこれ
に限定されるものではない。その他の材料及び工程と条
件は、実施例８と同じであった。 （実施例１３）上記第１３実施形態のより具体的な実施
例１３として、実施例８における第１基材１Ｊ及び第２
基材８Ｊの材料として、ポリ塩化ビニル樹脂の代わり
に、ポリエステル樹脂で、それぞれ０．２８ｍｍ厚と
０．５６ｍｍ厚のものを各１枚用いて、一体型のカード
９Ｊを製造した。
【０１３６】なお、以上の説明では、第１基材１Ｊ及び
第２基材８Ｊ等の材質、厚さを限定したが、これらは、
一つの例であり、本発明がこれに限定されるものではな
い。その他の材料及び工程と条件は、実施例８と同じで
あった。 （実施例１４）上記第１４実施形態のより具体的な実施
例１４として、図１４を参照しながら説明する。
【０１３７】第１基材１（ポリ塩化ビニル樹脂０．３８
ｍｍ厚）に、ダイスを用いたパンチングにより、直径
０．５ｍｍの貫通穴２を１０ヶ所開け、導電性ペースト
（エポキシ樹脂中に直径０．００５ｍｍの銀粉を７５％
配合調整したもの）を用いて、コイルパターンを含む回
路パターン４を形成すると同時に、上記貫通穴２を導電
性ペーストを充填する。次いで、上記回路パターン４上
の所定の位置に、ＩＣチップ７を配置し、その反対面の
貫通穴２のところに、金属箔６（０．２ｍｍ厚、銅箔に
ニッケル、次いで金メッキしたもの）を配置し、硬化炉
にて、導電性ペーストを硬化した。硬化条件は、１４０
℃、３０分であった。
【０１３８】もう１つの第２基材８Ｋ（ポリ塩化ビニル
樹脂０．３８ｍｍ厚）に、ダイスを用いたパンチングに
より、直径０．５ｍｍの貫通穴２Ｇを１０ヶ所開け、導
電性ペースト（エポキシ樹脂中に直径０．００５ｍｍの
銀粉を７５％配合調整したもの）を用いて、回路パター
ン４Ｇを形成すると同時に、上記貫通穴２Ｇを導電性ペ
ーストを充填し、その反対面の貫通穴２Ｇのところに、
金属箔６Ｇ（０．２ｍｍ厚、銅箔にニッケル、次いで金
メッキしたもの）を、第１基材１にすでに配置されてい
る金属箔６と表裏の同じ位置になるように配置し、硬化
炉にて、導電性ペーストを硬化した。硬化条件は、１４
０℃、３０分であった。
【０１３９】もう１つの第２基材８Ｋを上記第１基材１
に対して、第１基材１上のＩＣチップ７と、コイルパタ
ーンを含む回路パターン４、及び回路パターン４Ｇを覆
うように重ね合わせ、プレス機により、１４０℃、４０
kg／cm2、３０分の加熱加圧条件でラミネートし、カー
ド９Ｋの表裏の同じ位置に外部電極が設けられている一
体型のカード９Ｋを製造した。
【０１４０】なお、以上の説明では、第１基材１及び第
２基材８Ｋ、貫通穴２，２Ｇ、導電性ペースト、突出部
３，３Ｇ、コイルパターンを含む回路パターン４、回路
パターン４Ｇ、金属箔６，６Ｇ、ＩＣチップ７等の材
質、大きさ、厚みや、また、工程での圧力、温度を限定
したが、これらは、一つの例であり、本発明がこれに限
定されるものではない。 （実施例１５）上記第１５実施形態のより具体的な実施
例１５として、実施例１４における第１基材１Ｌ及び第
２基材８Ｌの材料として、ポリ塩化ビニル樹脂の代わり
に、熱可塑性樹脂であるポリエステル樹脂（０．３８ｍ
ｍ厚）を使用して、一体型のカード９Ｌを製造した。
【０１４１】なお、以上の説明では、第１基材１Ｌ及び
第２基材８Ｌ等の材質を限定したが、これらは、一つの
例であり、本発明がこれに限定されるものではない。そ
の他の材料及び工程と条件は、実施例１４と同じであっ
た。 （実施例１６）上記第１６実施形態のより具体的な実施
例１６として、実施例１４における導電性ペーストとし
て、エポキシ樹脂中に直径０．００５ｍｍの銀粉を７５
％配合調整したものの代わりに、熱硬化性樹脂であるエ
ポキシ樹脂中に直径０．０１ｍｍの銅粉を８５％配合調
整したものを使用して、一体型のカードを製造した。
【０１４２】なお、以上の説明では、導電性ペーストの
材質を限定したが、これらは、一つの例であり、本発明
がこれに限定されるものではない。その他の材料及び工
程と条件は、実施例１４と同じであった。 （実施例１７）上記第１７実施形態のより具体的な実施
例１７として、実施例１４における金属箔６として、銅
箔にニッケル、次いで金メッキしたものの代わりに、金
箔（０．２ｍｍ厚）２６Ａを使用して、一体型のカード
を製造した。
【０１４３】なお、以上の説明では、金属箔６の材質を
限定したが、これらは、一つの例であり、本発明がこれ
に限定されるものではない。その他の材料及び工程と条
件は、実施例１４と同じであった。 （実施例１８）上記第１８実施形態のより具体的な実施
例１８として、実施例１４における金属箔６として、銅
箔にニッケル、次いで金メッキしたものの代わりに、銅
箔に金を蒸着したもの（０．２ｍｍ厚、蒸着厚み０．０
００１ｍｍ）２６Ｃを使用して、一体型のカードを製造
した。
【０１４４】なお、以上の説明では、金属箔６の材質を
限定したが、これらは、一つの例であり、本発明がこれ
に限定されるものではない。その他の材料及び工程と条
件は、実施例１４と同じであった。 （実施例１９）上記第１９実施形態のより具体的な実施
例１９として、実施例１４における第１基材１Ｍ及び第
２基材８Ｍの材料として、ポリ塩化ビニル樹脂の代わり
に、ポリエステル樹脂で、それぞれ０．２８ｍｍ厚と
０．５６ｍｍ厚のものを各１枚用いて、一体型のカード
９Ｍを製造した。
【０１４５】なお、以上の説明では、第１基材１Ｍ及び
第２基材８Ｍ等の材質、厚さを限定したが、これらは、
一つの例であり、本発明がこれに限定されるものではな
い。その他の材料及び工程と条件は、実施例１４と同じ
であった。 （比較例１）図２０に示すように、外部電極１６とＩＣ
チップ７との接合をするための電極１７を有する金メッ
キされた両面ガラエポ基板１５にＩＣチップ７を接着
し、ワイヤーボンディング１８により、両面ガラエポ基
板１５に接合し、エポキシ樹脂系封止剤１９で封止した
後（硬化条件：１５０℃、２時間）、銅線製巻き線コイ
ル２０を両面ガラエポ基板１５に、半田２１により接合
してモジュールを完成させた。次いで、射出成形機内に
モジュールを投入し、射出成形して、カード２２を製造
した。
【０１４６】上記実施例１〜１９と上記比較例１のサン
プルをｎ＝１０個ずつ作製し、各種の信頼性試験後の接
合不良率を調べた。
【０１４７】この結果より、上記実施例１〜１９の接合
不良率は全て０％であるのに対して、上記比較例１の接
合不良率は２０％と３０％となっており、上記実施例１
〜１９では、接合不良の発生がなく、かつ、低コスト、
高信頼性を十分に満足できることがわかる。
【０１４８】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、その他種々の態様で実施できる。
【０１４９】例えば、上記実施形態においては、ＩＣチ
ップ７の他に電子部品５を搭載するものについて記載し
たが、本発明としては、接触・非接触兼用ＩＣカードと
しては、少なくともＩＣチップ７が搭載されればよく、
電子部品５を搭載しないものにも本発明を適用すること
ができる。
【０１５０】また、上記各実施形態は任意に組み合わせ
て使用することにより、それぞれの実施形態の効果を組
み合わせることができる。
【０１５１】
【発明の効果】以上のように本発明の上記第１態様によ
れば、硬化した導電性ペーストにより回路パターンと接
続された金属箔の外部電極を備える一方の基材に配置し
たＩＣチップ、コイルパターンを含む回路パターンなど
を他方の基材で覆うように２つの基材を重ね合わせてラ
ミネートして一体型のカードを完成させるようにしたの
で、作業工程が少なく、接合不良の発生がなく、かつ、
低コスト、高信頼性を十分に満足できる接触・非接触兼
用カードの構造と製造方法が得られる。また、基材に導
電性ペーストにより回路パターンを形成するため、回路
基板を用いることなしに、電子回路が形成できるという
効果がある。
【０１５２】上記別の態様によれば、第１基材及び第２
基材がともに熱可塑性樹脂から形成されるようにすれ
ば、加熱して熱可塑性樹脂を可塑化して互いにラミネー
ト接合することができ、接着剤を用いることなしに、第
１基材と第２基材とがラミネートできるという効果を奏
することができる。
【０１５３】上記別の態様によれば、第２基材を、少な
くとも１つ以上の熱可塑性樹脂製シートから構成するよ
うにすれば、熱可塑性樹脂製シートとして厚さの異なる
ものを数種類用意しておき、適宜組み合わせることによ
り所定のカードの厚さにすることができる。よって、所
定のカードの厚さにするために、多くの厚さの種類の第
２基材を必要とせず、また、いろいろな種類の厚さのシ
−トを組み合わせて使用できるという効果を奏すること
ができる。また、第２基材のシートがともに熱可塑性樹
脂から形成されているため、加熱して熱可塑性樹脂を可
塑化して互いにラミネート接合することができ、接着剤
を用いることなしに、ラミネートできるという効果を奏
することができる。さらに、第１基材も熱可塑性樹脂か
ら形成するようにすれば、第１基材及び第２基材のシー
トがともに熱可塑性樹脂から形成されているため、加熱
して熱可塑性樹脂を可塑化して互いにラミネート接合す
ることができ、接着剤を用いることなしに、ラミネート
できるという効果を奏することができる。
【０１５４】上記別の形態によれば、第２基材の厚さを
第１基材の厚さより大きくすれば、より確実に、ＩＣチ
ップ、コイルパターンを含む回路パターンを覆うことが
できて、容易に平面性の良い接触・非接触兼用ＩＣカー
ドが得られるという効果を奏することができる。
【０１５５】上記別の態様によれば、基材に導電性ペー
ストにより回路パターンを形成するため、回路基板を用
いることなしに、電子回路が形成できるという効果と、
両方の基材に金属箔の外部電極を配置して回路パターン
と導電性ペーストにより接続するようにすれば、カード
の両面に外部電極を配置できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 （ａ）〜（ｇ）は、それぞれ、本発明の第１
実施形態による接触・非接触兼用カードの製造方法の各
工程を説明するための第１基材などの断面図である。
【図２】 （ａ），（ｂ）は、それぞれ、本発明の第２
実施形態による接触・非接触兼用カードの製造方法の各
工程を説明するための第１基材などの断面図である。
【図３】 （ａ），（ｂ）は、それぞれ、本発明の第３
実施形態による接触・非接触兼用カードの製造方法の各
工程を説明するための第１基材などの断面図である。
【図４】 （ａ），（ｂ）は、本発明の第４実施形態に
よる接触・非接触兼用カードの製造方法の導電性ペース
ト印刷工程を説明するための硬化前後の導電性ペースト
などの断面図である。
【図５】 （ａ），（ｂ）は、本発明の第５実施形態に
よる接触・非接触兼用カードの金属箔の２つの例の断面
図である。
【図６】 （ａ），（ｂ）は、本発明の第６実施形態に
よる接触・非接触兼用カードの金属箔の２つの例の断面
図である。
【図７】 （ａ），（ｂ）は、本発明の第７実施形態に
よる接触・非接触兼用カードの製造方法の各工程を説明
するための第１基材などの断面図である。
【図８】 （ａ）〜（ｇ）は、それぞれ、本発明の第８
実施形態による接触・非接触兼用カードの製造方法の各
工程を説明するための第１基材などの断面図である。
【図９】 （ａ），（ｂ）は、本発明の第９実施形態に
よる接触・非接触兼用カードの製造方法の各工程を説明
するための第１基材などの断面図である。
【図１０】 （ａ），（ｂ）は、本発明の第１０実施形
態による接触・非接触兼用カードの製造方法の各工程を
説明するための第１基材などの断面図である。
【図１１】 （ａ），（ｂ）は、本発明の第１１実施形
態による接触・非接触兼用カードの金属箔の断面図であ
る。
【図１２】 （ａ），（ｂ）は、本発明の第１２実施形
態による接触・非接触兼用カードの金属箔の断面図であ
る。
【図１３】 （ａ），（ｂ）は、本発明の第１３実施形
態による接触・非接触兼用カードの製造方法の各工程を
説明するための第１基材などの断面図である。
【図１４】 （ａ）〜（ｇ）は、それぞれ、本発明の第
４実施形態による接触・非接触兼用カードの製造方法の
各工程を説明するための第１基材などの断面図である。
【図１５】 （ａ），（ｂ）は、本発明の第１５実施形
態による接触・非接触兼用カードの製造方法の各工程を
説明するための第１基材などの断面図である。
【図１６】 （ａ），（ｂ）は、本発明の第１６実施形
態による接触・非接触兼用カードの製造方法の各工程を
説明するための第１基材などの断面図である。
【図１７】 （ａ），（ｂ）は、本発明の第１７実施形
態による接触・非接触兼用カードの金属箔の断面図であ
る。
【図１８】 （ａ），（ｂ）は、本発明の第１８実施形
態による接触・非接触兼用カードの金属箔の断面図であ
る。
【図１９】 （ａ），（ｂ）は、本発明の第１９実施形
態による接触・非接触兼用カードの製造方法の各工程を
説明するための第１基材などの断面図である。
【図２０】 （ａ）〜（ｆ）は従来の接触・非接触兼用
カードの製造方法を説明するための各工程での基板など
の部分断面図である。
【符号の説明】
１，１Ａ，１Ｆ，１Ｈ，１Ｊ，１Ｌ，１Ｍ…接触・非接
触兼用カードの基材、２，２Ｇ…貫通穴、３，３Ｇ…突
出部、４…コイルパターンを含む回路パターン、４Ｇ…
回路パターン、５…電子部品、６，６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，
６Ｄ，６Ｇ，１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄ，２６
Ａ，２６Ｂ，２６Ｃ，２６Ｄ…金属箔、７…ＩＣチッ
プ、８，８Ａ，８Ｂ，８Ｆ，８Ｇ，８Ｈ，８Ｊ，８Ｋ，
８Ｌ，８Ｍ…接触・非接触兼用カードの基材、９，９
Ａ，９Ｂ，９Ｇ，９Ｈ，９Ｊ，９Ｋ，９Ｌ，９Ｍ…接触
・非接触兼用カード、１１，１１１，２１１…金属粒
子、１２，１１２，２１２…熱硬化性樹脂、１５…両面
ガラエポ基板、１６…外部電極、１７…内部電極、１８
…ワイヤーボンディング、１９…封止剤、２０…銅線コ
イル、２１…半田、２２…接触・非接触兼用カード、５
０，５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｆ，５０Ｇ，５０Ｈ，５０
Ｊ，５０Ｋ，５０Ｌ，５０Ｍ…絶縁性樹脂部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮川 秀規 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2C005 MA18 MA19 MA31 NA02 NA09 NB07 PA03 PA09 PA27 RA04 TA21 TA22 5B035 AA00 BB09 CA01 CA25

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 コイルとＩＣチップ（７）とを内蔵し、
    かつ、カード外部に露出された外部電極（６）を有し、
    上記コイル又は上記外部電極を介してカード外部とデ−
    タの授受を行う接触・非接触兼用ＩＣカードの製造方法
    において、 ２つのＩＣカード用絶縁性基材である第１基材（１，１
    Ａ，１Ｆ）と第２基材（８，８Ａ，８Ｂ，８Ｆ）のうち
    の上記第１基材の外部電極配置部分に貫通穴（２）を設
    け、 次いで、上記第１基材の一方の面に、導電性ペーストに
    て、上記コイルを構成するコイルパターンを含む回路パ
    ターン（４）を、上記貫通穴に上記導電性ペーストが挿
    入されるように、印刷し、 上記ＩＣチップの電極が上記回路パターンと電気的に接
    続するように、上記回路パターンの上に上記ＩＣチップ
    （７）を配置し、 さらに、上記第１基材の他方の面に、上記貫通穴に挿入
    された上記導電性ペーストを介して上記回路パターンと
    電気的に接続されるように金属箔（６）を配置して上記
    外部電極を構成し、 上記導電性ペーストを硬化させた後、上記第２基材を上
    記配置されたＩＣチップ及び上記回路パターンを覆うよ
    うに上記第１基材に重ね合わせてラミネートして一体型
    のカード（９，９Ａ，９Ｂ，９Ｆ）を完成させることを
    特徴とする接触・非接触兼用ＩＣカードの製造方法。
  2. 【請求項２】 コイルとＩＣチップ（７）とを内蔵し、
    かつ、カード外部に露出された外部電極（６）を有し、
    上記コイル又は上記外部電極を介してカード外部とデ−
    タの授受を行う接触・非接触兼用ＩＣカードの製造方法
    において、 ２つのＩＣカード用絶縁性基材のである第１基材（１，
    １Ｈ，１Ｊ）と第２基材（８Ｇ，８Ｈ，８Ｊ）のうちの
    上記第１基材の外部電極配置部分に貫通穴（２）を設
    け、 次いで、上記第１基材の一方の面に、導電性ペーストに
    て、上記コイルを構成するコイルパターンを含む回路パ
    ターン（４）を、上記貫通穴に上記導電性ペーストが挿
    入されるように、印刷し、 上記ＩＣチップの電極が上記回路パターンと電気的に接
    続するように、上記回路パターンの上に上記ＩＣチップ
    を配置し、 さらに、上記第１基材の他方の面に、上記貫通穴に挿入
    された上記導電性ペーストを介して上記回路パターンと
    電気的に接続されるように金属箔（６）を配置して上記
    外部電極を構成するとともに上記導電性ペーストを硬化
    させ、 上記第２基材の所定の位置に貫通穴（２Ｇ）を設け、そ
    の貫通穴に挿入するように回路パターン（４Ｇ）を導電
    性ペーストにより印刷し、上記第２基材の回路パターン
    印刷面の反対面に、金属箔（６Ｇ）を上記貫通穴に挿入
    された上記導電性ペーストを介して上記回路パターンと
    電気的に接続されるように配置するとともに、上記導電
    性ペーストを硬化させ、 次いで、上記第１基材の上記ＩＣチップ及び上記回路パ
    ターンを覆うように上記第１基材に上記第２基材を重ね
    合わせてラミネートして、一体型のカード（９Ｇ，９
    Ｈ，９Ｊ）を完成させる工程とを備えることを特徴とす
    る接触・非接触兼用ＩＣカードの製造方法。
  3. 【請求項３】 コイルとＩＣチップ（７）とを内蔵し、
    かつ、カード外部に露出された外部電極（６）を有し、
    上記コイル又は上記外部電極を介してカード外部とデ−
    タの授受を行う接触・非接触兼用ＩＣカードの製造方法
    において、 ２つのＩＣカード用絶縁性基材である第１基材（１，１
    Ｌ，１Ｍ）と第２基材（８Ｋ，８Ｌ，８Ｍ）のうちの上
    記第１基材の第１基材用外部電極配置部分に所定の第１
    基材用貫通穴（２）を設け、 次いで、上記第１基材の一方の面に、第１基材用導電性
    ペーストにて、上記コイルを構成するコイルパターンを
    含む第１基材用回路パターン（４）を、上記第１基材用
    貫通穴に上記第１基材用導電性ペーストが挿入されるよ
    うに、印刷し、 上記ＩＣチップの電極が上記第１基材用回路パターンと
    電気的に接続するように、上記第１基材用回路パターン
    の上に上記ＩＣチップ（７）を配置し、 さらに、上記第１基材の他方の面に、上記第１基材用貫
    通穴に挿入された上記第１基材用導電性ペーストを介し
    て上記第１基材用回路パターンと電気的に接続されるよ
    うに第１基材用金属箔（６）を配置して上記第１基材用
    外部電極を構成するとともに、上記第１基材用導電性ペ
    ーストを硬化させ、 上記第２基材の所定の位置に第２基材用貫通穴（２Ｇ）
    を設け、その第２基材用貫通穴に挿入するように第２基
    材用回路パターン（４Ｇ）を第２基材用導電性ペースト
    により印刷し、上記第２基材の第２基材用回路パターン
    印刷面の反対面に、第２基材用金属箔（６Ｇ）を上記第
    ２基材用貫通穴に挿入された上記第２基材用導電性ペー
    ストを介して上記第２基材用回路パターンと電気的に接
    続されるように、かつ、上記第１基材にすでに配置され
    ている上記第１基材用金属箔と表裏の同じ位置になるよ
    うに配置するとともに、上記第２基材用導電性ペースト
    を硬化させ、 次いで、上記第１基材の上記ＩＣチップ及び上記第１基
    材用回路パターンを覆うように上記第２基材を上記第１
    基材に重ね合わせてラミネートして、上記第１基材の上
    記第１基材用外部電極と上記カードの表裏の同じ位置に
    第２基材用外部電極が設けられている一体型のカード
    （９Ｋ，９Ｌ，９Ｍ）を製造するようにしたことを特徴
    とする接触・非接触兼用ＩＣカードの製造方法。
  4. 【請求項４】 上記のＩＣチップ及び上記回路パターン
    を覆うように重ね合わせる上記第２基材（８）が、少な
    くとも１枚以上の熱可塑性樹脂製シ−トより構成される
    請求項１に記載の接触・非接触兼用ＩＣカードの製造方
    法。
  5. 【請求項５】 上記第１基材（１）及び上記第２基材
    （８）のそれぞれが、厚さ０．０５ｍｍ〜０．７ｍｍの
    熱可塑性樹脂製シ−トである請求項１〜４のいずれかに
    記載の接触・非接触兼用ＩＣカードの製造方法。
  6. 【請求項６】 上記導電性ペーストが、主として、１種
    類以上の金属粒子（１１）と熱硬化性樹脂（１２）とよ
    り構成され、上記金属粒子の重量割合が導電性ペースト
    全体重量の５５％以上９５％以下を占める請求項１〜５
    のいずれかに記載の接触・非接触兼用ＩＣカードの製造
    方法。
  7. 【請求項７】 上記金属箔（６）の厚さは０．０５ｍｍ
    〜０．５ｍｍの金箔（６Ａ）、又は、厚さ０．０５ｍｍ
    〜０．５ｍｍの銅箔（６Ａ）、又は、錫箔にニッケルに
    次いで金をメッキしたメッキ箔（６Ｂ）より構成される
    請求項１〜６のいずれかに記載の接触・非接触兼用ＩＣ
    カードの製造方法。
  8. 【請求項８】 上記金属箔（６）が、厚さ０．０５ｍｍ
    〜０．５ｍｍの金属箔支持層に金を蒸着又はスッパタリ
    ングして形成される金属箔（６Ｃ，６Ｄ）より構成され
    る請求項１〜６のいずれかに記載の接触・非接触兼用Ｉ
    Ｃカードの製造方法。
  9. 【請求項９】 上記ＩＣチップが配置された上記第１基
    材（１Ｆ）の厚さより、上記ＩＣチップを覆うように重
    ね合わされる上記第２基材（８Ｆ）の厚さが０．０５ｍ
    ｍ〜０．５ｍｍ厚い請求項１〜８のいずれかに記載の接
    触・非接触兼用ＩＣカードの製造方法。
  10. 【請求項１０】 コイルとＩＣチップ（７）とを内蔵
    し、かつ、カード外部に露出された外部電極（６）を有
    し、上記コイル又は上記外部電極を介してカード外部と
    デ−タの授受を行う接触・非接触兼用ＩＣカードにおい
    て、 硬化した導電性ペーストにて形成され、かつ、上記ＩＣ
    チップの電極が電気的に接続され、上記コイルを構成す
    るコイルパターンを含む回路パターン（４）と、 上記硬化した導電性ペーストより構成されかつ上記回路
    パターンの一方の面から柱状に突出した突出部（３）を
    介して上記回路パターンと電気的に接続されるように配
    置されて上記外部電極を構成する金属箔（６）と、 上記突出部、上記ＩＣチップ、上記回路パターン、及び
    上記金属箔の上記外部電極部分以外の部分を覆う絶縁性
    樹脂部（５０，５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｆ）とを備えたこ
    とを特徴とする接触・非接触兼用ＩＣカード。
  11. 【請求項１１】 コイルとＩＣチップ（７）とを内蔵
    し、かつ、カード外部に露出された外部電極（６）を有
    し、上記コイル又は上記外部電極を介してカード外部と
    デ−タの授受を行う接触・非接触兼用ＩＣカードにおい
    て、 硬化した導電性ペーストにて形成され、かつ、上記ＩＣ
    チップの電極が電気的に接続され、上記コイルを構成す
    るコイルパターンを含む回路パターン（４）と、 上記硬化した導電性ペーストより構成されかつ上記回路
    パターンの両方の面からそれぞれ柱状に突出した突出部
    （３，３Ｇ）を介して上記回路パターンと電気的に接続
    されるように配置されて上記外部電極を構成する金属箔
    （６，６Ｇ）と、 上記突出部、上記ＩＣチップ、上記回路パターン、及び
    上記金属箔の上記外部電極部分以外の部分を覆う絶縁性
    樹脂部（５０Ｇ，５０Ｈ，５０Ｊ）とを備えたことを特
    徴とする接触・非接触兼用ＩＣカード。
  12. 【請求項１２】 コイルとＩＣチップ（７）とを内蔵
    し、かつ、カード外部に露出された外部電極（６）を有
    し、上記コイル又は上記外部電極を介してカード外部と
    デ−タの授受を行う接触・非接触兼用ＩＣカードにおい
    て、 硬化した導電性ペーストにて形成され、かつ、上記ＩＣ
    チップの電極が電気的に接続され、上記コイルを構成す
    るコイルパターンを含む回路パターン（４）と、 上記硬化した導電性ペーストより構成されかつ上記回路
    パターンの両方の面の表裏対応する位置からそれぞれ柱
    状に突出した突出部（３，３Ｇ）を介して上記回路パタ
    ーンと電気的に接続されるように上記カードの表裏の同
    じ位置に配置されて上記２つの外部電極を構成する金属
    箔（６，６Ｇ）と、 上記突出部、上記ＩＣチップ、上記回路パターン、及び
    上記金属箔の上記外部電極部分以外の部分を覆う絶縁性
    樹脂部（５０Ｋ，５０Ｌ，５０Ｍ）とを備えたことを特
    徴とする接触・非接触兼用ＩＣカード。
  13. 【請求項１３】 上記導電性ペーストが、主として、１
    種類以上の金属粒子と熱硬化性樹脂とより構成され、上
    記金属粒子の重量割合が導電性ペースト全体重量の５５
    ％以上９５％以下を占める請求項１０〜１２のいずれか
    に記載の接触・非接触兼用ＩＣカード。
  14. 【請求項１４】 上記金属箔（６）が、厚さ０．０５ｍ
    ｍ〜０．５ｍｍの金箔（６Ａ）、又は、厚さ０．０５ｍ
    ｍ〜０．５ｍｍの銅箔（６Ａ）、又は、錫箔にニッケル
    に次いで金をメッキしたメッキ箔（６Ｂ）より構成され
    る請求項１０〜１３のいずれかに記載の接触・非接触兼
    用ＩＣカード。
  15. 【請求項１５】 上記金属箔（６）が、厚さ０．０５ｍ
    ｍ〜０．５ｍｍの金属箔支持層に金を蒸着又はスッパタ
    リングして形成される金属箔（６Ｃ，６Ｄ）より構成さ
    れる請求項１０〜１３のいずれかに記載の接触・非接触
    兼用ＩＣカード。
  16. 【請求項１６】 請求項１〜９のいずれかに記載の接触
    ・非接触兼用ＩＣカードの製造方法により製造された接
    触・非接触兼用ＩＣカード。
JP12410199A 1999-04-30 1999-04-30 接触・非接触兼用ｉｃカードとその製造方法 Pending JP2000315249A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12410199A JP2000315249A (ja) 1999-04-30 1999-04-30 接触・非接触兼用ｉｃカードとその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12410199A JP2000315249A (ja) 1999-04-30 1999-04-30 接触・非接触兼用ｉｃカードとその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000315249A true JP2000315249A (ja) 2000-11-14

Family

ID=14876960

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12410199A Pending JP2000315249A (ja) 1999-04-30 1999-04-30 接触・非接触兼用ｉｃカードとその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000315249A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002236901A (ja) * 2001-02-08 2002-08-23 Dainippon Printing Co Ltd 電子情報記録媒体、および、電子情報読み取り・書込み装置
WO2004053787A1 (en) * 2002-12-06 2004-06-24 Jt Corp Method for manufacturing ic card by laminating a plurality of foils
US6780668B1 (en) 1999-07-16 2004-08-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Package of semiconductor device and method of manufacture thereof
JP2008522466A (ja) * 2004-11-25 2008-06-26 テレコム・イタリア・エッセ・ピー・アー 移動体通信機器用の共用ｉｃカード及び無線トランシーバモジュール
CN101986773A (zh) * 2010-11-03 2011-03-16 东莞红板多层线路板有限公司 软硬结合线路板的制作方法
JP2015110300A (ja) * 2013-12-06 2015-06-18 大日本印刷株式会社 カード、カードの製造方法
JP2016212778A (ja) * 2015-05-13 2016-12-15 凸版印刷株式会社 デュアルインターフェース通信媒体

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6780668B1 (en) 1999-07-16 2004-08-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Package of semiconductor device and method of manufacture thereof
US7090482B2 (en) 1999-07-16 2006-08-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device package manufacturing method and semiconductor device package manufactured by the method
JP2002236901A (ja) * 2001-02-08 2002-08-23 Dainippon Printing Co Ltd 電子情報記録媒体、および、電子情報読み取り・書込み装置
WO2004053787A1 (en) * 2002-12-06 2004-06-24 Jt Corp Method for manufacturing ic card by laminating a plurality of foils
AU2003208049B2 (en) * 2002-12-06 2007-04-05 Jt Corp Dual-Interface IC card by laminating a plurality of foils and method of same
US7253024B2 (en) 2002-12-06 2007-08-07 Jt Corp. Dual-interface IC card by laminating a plurality of foils and method of same
JP2008522466A (ja) * 2004-11-25 2008-06-26 テレコム・イタリア・エッセ・ピー・アー 移動体通信機器用の共用ｉｃカード及び無線トランシーバモジュール
JP4891253B2 (ja) * 2004-11-25 2012-03-07 テレコム・イタリア・エッセ・ピー・アー 移動体通信機器用の共用ｉｃカード及び無線トランシーバモジュール
US8611956B2 (en) 2004-11-25 2013-12-17 Telecom Italia S.P.A. Joint IC card and wireless transceiver module for mobile communication equipment
CN101986773A (zh) * 2010-11-03 2011-03-16 东莞红板多层线路板有限公司 软硬结合线路板的制作方法
CN101986773B (zh) * 2010-11-03 2012-07-04 东莞红板多层线路板有限公司 软硬结合线路板的制作方法
JP2015110300A (ja) * 2013-12-06 2015-06-18 大日本印刷株式会社 カード、カードの製造方法
JP2016212778A (ja) * 2015-05-13 2016-12-15 凸版印刷株式会社 デュアルインターフェース通信媒体

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7768795B2 (en) Electronic circuit device, electronic device using the same, and method for manufacturing the same
US11657989B2 (en) Method for making a three-dimensional liquid crystal polymer multilayer circuit board including membrane switch including air
CN1812088B (zh) 多层构造半导体微型组件及制造方法
JP4716038B2 (ja) 電子部品及びその製造方法
JP6103054B2 (ja) 樹脂多層基板の製造方法
JP4241147B2 (ja) Ｉｃカードの製造方法
JP4992310B2 (ja) 積層基板の製造方法
JPH07307574A (ja) 多層金属プリント基板とモールドモジュール
US20090186169A1 (en) Three-dimensional liquid crystal polymer multilayer circuit board including battery and related methods
JPH1126902A (ja) 突起電極付きプリント配線基板とその製造方法
US8778124B2 (en) Method for making three-dimensional liquid crystal polymer multilayer circuit boards
JP4228677B2 (ja) 回路基板
JP2009081183A (ja) 配線基板の製造方法
JP2001028482A (ja) 多層配線基板およびその製造方法
CN112738974A (zh) 电池保护板及其制作方法、移动终端
JP2000315249A (ja) 接触・非接触兼用ｉｃカードとその製造方法
JP4285339B2 (ja) 回路モジュールおよび回路モジュールの製造方法
JP2003142797A (ja) 電子部品実装済完成品の製造方法及び電子部品実装済完成品
JP4179736B2 (ja) 半導体素子実装済部品の製造方法及び半導体素子実装済完成品の製造方法
JP2001036246A (ja) 配線基板およびこれを用いた多層配線基板
US20120298728A1 (en) Method for manufacturing substrate
CN105956652B (zh) 一种智能卡及其制造方法
JP2003197822A (ja) 配線基板、多層配線基板およびそれらの製造方法
JP3868745B2 (ja) チップ内蔵基材及びその製造方法
US20040074669A1 (en) Circuit board and method of making circuit board