JP2000311641A - Sealed panel device and its manufacture - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、封止パネル装置及
びその製造方法に関し、より詳しくは、対向配置された
２枚のパネルの間の空間が真空にされたパネル装置の真
空度を良好に維持することを可能とする封止パネル装置
及びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sealing panel device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a panel device in which the space between two opposed panels is evacuated to improve the degree of vacuum. The present invention relates to a sealing panel device capable of being maintained and a manufacturing method thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、画像表示装置の分野において、
対向配置された２枚のパネルの間の空間が真空にされた
封止パネル装置が用いられている。封止パネル装置の一
般的な構成において、真空空間を規定する部材は、２枚
のパネル及びこれら２枚のパネルの間に介在する接合材
料層、あるいは２枚のパネルを所定の離間距離にて保持
するための支持部材である枠体と接合材料層との組合せ
である。枠体は、通常、剛性材料で構成されているの
で、真空空間の真空度の維持の良否を決定付ける部材
は、実質的には接合材料層である。2. Description of the Related Art For example, in the field of image display devices,
A sealing panel device is used in which a space between two panels arranged opposite to each other is evacuated. In a general configuration of a sealing panel device, a member that defines a vacuum space includes two panels and a bonding material layer interposed between the two panels, or the two panels at a predetermined separation distance. This is a combination of a frame serving as a support member for holding and a bonding material layer. Since the frame is usually made of a rigid material, the member that determines whether or not the degree of vacuum in the vacuum space is maintained is substantially a bonding material layer.
【０００３】かかる封止パネル装置の具体例として、平
面画像表示装置、例えば冷陰極電界電子放出型の表示装
置（以下、単に表示装置と称する）を挙げることができ
る。この表示装置は、基板上に蛍光体層とアノード電極
とが形成されて成るアノード・パネルと、支持体上に冷
陰極電界電子放出部（以下、単に電子放出部と称する）
が形成されて成るカソード・パネルとが、真空空間を挟
んで対向配置された構成を有する。電子放出部は、１つ
あるいは複数の冷陰極電界電子放出素子（以下、単に電
界放出素子と称する）から構成され、各電界放出素子は
電子放出領域を有し、電子放出領域が或る強度以上の電
界中に置かれたときに電子放出領域から真空中へ向けて
電子が放出され、この電子はアノード電極に引き寄せら
れ、且つ、蛍光体に衝突することにより、発光を得る。As a specific example of such a sealing panel device, there is a flat image display device, for example, a cold cathode field emission display device (hereinafter simply referred to as a display device). This display device has an anode panel in which a phosphor layer and an anode electrode are formed on a substrate, and a cold cathode field emission portion (hereinafter simply referred to as an electron emission portion) on a support.
Are formed so as to face each other with a vacuum space interposed therebetween. The electron emission section is composed of one or more cold cathode field emission devices (hereinafter simply referred to as field emission devices). When placed in the electric field, electrons are emitted from the electron emission region toward the vacuum, and the electrons are attracted to the anode electrode and collide with the phosphor to emit light.
【０００４】上述の表示装置に代表される封止パネル装
置において、接合材料層の構成材料として、低融点のガ
ラス系材料、所謂フリットガラスが広く用いられてい
る。フリットガラスは、ガラス微粒子を有機バインダ中
に分散させた高粘度のペースト状材料であり、所定のパ
ターンに塗布した後、焼成によって有機バインダを除去
することにより、固体状の接合材料層となる。In a sealing panel device represented by the above-described display device, a low-melting glass material, so-called frit glass, is widely used as a constituent material of a bonding material layer. Frit glass is a high-viscosity paste-like material in which glass fine particles are dispersed in an organic binder. After being applied in a predetermined pattern, the organic binder is removed by firing to form a solid bonding material layer.
【０００５】また、特開平７−１２２１８９号公報に
は、２枚のパネル１，２の間にガラス・スペーサ１３を
介在させ、フリットガラスのような接合材料を用いるこ
となく、互いに直接接合して気密的に封止する技術が開
示されている。この直接接合は、具体的には陽極接合に
よって行われる。即ち、２枚のパネル１，２とガラス・
スペーサ１３にそれぞれ電極を形成し、両パネルを３０
０゜Ｃ程度に加熱しながら、これらの電極間にパネル
１，２側が正、ガラス・スペーサ１３側が負となるよう
な直流電圧を印加し、パネル１，２とガラス・スペーサ
１３との接触面において両者を融着させている。In Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-122189, a glass spacer 13 is interposed between two panels 1 and 2 and directly joined to each other without using a joining material such as frit glass. A technique for hermetically sealing is disclosed. This direct bonding is specifically performed by anodic bonding. That is, two panels 1 and 2 and glass
Electrodes are formed on the spacers 13 and both panels are
While heating to about 0 ° C., a DC voltage is applied between these electrodes so that the panels 1 and 2 are positive and the glass spacer 13 is negative, and the contact surface between the panels 1 and 2 and the glass spacer 13 is applied. Are fused together.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
封止方法には問題点もある。先ず、フリットガラスを使
用して形成された封止パネル装置は、両パネル間の絶縁
性能には優れるものの、真空空間の汚染や真空度の劣化
を生じ易い。真空空間の汚染は、主としてフリットガラ
スのペーストに含まれる有機バインダに起因する。ま
た、真空度の劣化は、フリットガラスの高温焼成中にお
ける脱ガスに起因する。フリットガラスのペーストは一
般に高粘度であるため、パネル上に所定のパターンに塗
布する際に、塗膜中に気泡が形成され易く、この気泡の
中に含まれていたガスがパネル間の空間に放出されて真
空度を劣化させる。However, the conventional sealing method has problems. First, a sealing panel device formed using frit glass has excellent insulation performance between both panels, but is liable to cause contamination of a vacuum space and deterioration of the degree of vacuum. The contamination of the vacuum space is mainly caused by the organic binder contained in the frit glass paste. Further, the deterioration of the degree of vacuum is caused by degassing during frit glass firing at a high temperature. Since frit glass paste generally has a high viscosity, bubbles are easily formed in a coating film when applied in a predetermined pattern on a panel, and gas contained in the bubbles is transferred to a space between panels. It is released and deteriorates the degree of vacuum.
【０００７】パネル間の空間に何らかのガスが存在して
いると、例えば冷陰極電界電子放出型の表示装置におい
ては、このガスから生じたイオンによって微小な電子放
出領域がスパッタされ、電子放出効率が変化したり、あ
るいは電子放出領域が損傷を受けて表示装置の寿命が短
縮するといった問題がある。また、フリットガラスの塗
布量、塗布厚さ、塗布幅等の制御は煩雑であり、均一な
塗膜形成が難しいために、局部的なパネルの接合不良を
生じ易い。更に、フリットガラスの焼成にはおおよそ４
５０゜Ｃ以上の高温を要するので、加熱や冷却の工程に
時間がかかり、生産性を大幅に向上させることが困難で
ある。If any gas is present in the space between the panels, for example, in a cold cathode field emission display device, a small electron emission region is sputtered by ions generated from this gas, and the electron emission efficiency is reduced. There is a problem that the lifetime of the display device is shortened due to change or damage to the electron emission region. Further, the control of the application amount, the application thickness, the application width, and the like of the frit glass is complicated, and it is difficult to form a uniform coating film. Furthermore, about 4 times for frit glass firing.
Since a high temperature of 50 ° C. or higher is required, it takes time for the heating and cooling steps, and it is difficult to greatly improve the productivity.
【０００８】一方、陽極接合では、真空空間の汚染や真
空度の劣化の問題は比較的起こり難いが、陽極接合を行
うための電極を予めパネルとガラス・スペーサとに形成
しておく必要があること、数百Ｖオーダーの高電圧を要
すること、従って、パネルの構成材料の選択幅が限られ
ること等の問題がある。On the other hand, in anodic bonding, contamination of the vacuum space and deterioration of the degree of vacuum are relatively unlikely to occur, but it is necessary to previously form electrodes for anodic bonding on the panel and the glass spacer. In addition, there is a problem that a high voltage on the order of several hundred V is required, and the selection range of the constituent material of the panel is limited.
【０００９】そこで本発明は、真空空間の真空度を向上
させると共に高真空度の長期間維持を可能とする信頼性
の高い封止パネル装置、及び、かかる封止パネル装置
を、煩雑な操作を一切必要とせず、高い生産性をもって
製造することが可能な製造方法を提供することを目的と
する。Accordingly, the present invention provides a highly reliable sealing panel device capable of improving the degree of vacuum in a vacuum space and maintaining a high degree of vacuum for a long period of time. It is an object of the present invention to provide a manufacturing method that can be manufactured with high productivity without any need.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の第１の態様に係る封止パネル装置は、対向
配置された第１パネルと第２パネルとが、周縁部におい
て、外側接着層と該外側接着層から離間した内側接着層
とから成る接着層によって接着され、第１パネルと第２
パネルと接着層とによって囲まれた空間が真空にされて
おり、接着層は低融点金属材料から成ることを特徴とす
る。According to a first aspect of the present invention, there is provided a sealing panel device comprising: a first panel and a second panel disposed opposite to each other; The first panel and the second panel are bonded by an adhesive layer including an outer adhesive layer and an inner adhesive layer separated from the outer adhesive layer.
A space surrounded by the panel and the adhesive layer is evacuated, and the adhesive layer is made of a low melting point metal material.
【００１１】本明細書中において、「低融点」の語が意
味する温度範囲は、概ね４００゜Ｃ以下である。一般的
なフリットガラスの軟化温度は６００゜Ｃ前後、焼成温
度は４５０゜Ｃ前後であるから、低融点金属材料の融点
はこれらの温度よりも更に低い。融点の下限は、特に限
定されるものではない。但し、余り低すぎると、接着を
行うための加熱時に接着層の表面に吸着した水分を除去
することができないので、概ね１２０゜Ｃ以上であるこ
とが好ましい。尚、後述する封止パネル装置の製造方法
によっては、接着層を形成するための加熱を真空中で行
うため、接着層表面に吸着した水分は１００゜Ｃ未満で
も除去できる。従って、水分除去の観点のみで考える
と、融点が１００゜Ｃ未満の低融点金属材料も使用可能
であるが、通常の使用環境下における封止パネル装置の
信頼性を考慮すると、やはり融点の下限は概ね１２０゜
Ｃ以上であることが好ましい。In this specification, the term "low melting point" means a temperature range of about 400 ° C. or less. Since the softening temperature of general frit glass is around 600 ° C. and the firing temperature is around 450 ° C., the melting point of the low melting point metal material is even lower than these temperatures. The lower limit of the melting point is not particularly limited. However, if the temperature is too low, moisture adsorbed on the surface of the adhesive layer during heating for bonding cannot be removed, so that the temperature is preferably about 120 ° C. or more. In addition, depending on the manufacturing method of the sealing panel device described later, since the heating for forming the adhesive layer is performed in a vacuum, moisture adsorbed on the surface of the adhesive layer can be removed even at less than 100 ° C. Therefore, from the viewpoint of moisture removal alone, a low-melting metal material having a melting point of less than 100 ° C. can be used. Is preferably about 120 ° C. or more.
【００１２】本発明の第１の態様に係る封止パネル装置
は、換言すれば、内側接着層と外側接着層という二重の
シール部材により気密性が保持された装置であり、内
側、外側いずれか一方の接着層に劣化や損傷が万一生じ
ても、他方の接着層で気密性を保持することが可能であ
る。従って、「第１パネルと第２パネルと接着層とによ
って囲まれた空間」とは、内側接着層が正常な状態に維
持される限りにおいて、より具体的には「第１パネルと
第２パネルと内側接着層とによって囲まれた空間」であ
り、内側接着層に万一異常が生じた場合には、「第１パ
ネルと第２パネルと外側接着層とによって囲まれた空
間」である。[0012] In other words, the sealing panel device according to the first aspect of the present invention is a device in which airtightness is maintained by a double sealing member of an inner adhesive layer and an outer adhesive layer. Even if one of the adhesive layers is deteriorated or damaged, the other adhesive layer can maintain airtightness. Therefore, the “space surrounded by the first panel, the second panel, and the adhesive layer” is more specifically “the first panel and the second panel” as long as the inner adhesive layer is maintained in a normal state. And a space surrounded by the inner adhesive layer "and, if an abnormality occurs in the inner adhesive layer," a space surrounded by the first panel, the second panel, and the outer adhesive layer ".
【００１３】尚、外側接着層と内側接着層のいずれもが
正常である場合に、これら両接着層の間の微小空間が如
何なる雰囲気に維持されるかは、後述の製造方法におい
て、第１パネルと第２パネルとの接着を行う雰囲気に依
る。即ち、両パネルの接着を真空雰囲気中で行えば、上
記微小空間の雰囲気も真空となり、不活性ガス雰囲気中
で行えば不活性ガス雰囲気となる。接着層の厚さは、第
１パネルと第２パネルと接着層とによって囲まれた空間
が確実に真空状態に保持される厚さであって、しかも、
封止パネル装置に要求される第１パネルと第２パネルと
の対向距離に基づき決定すればよく、概ね０．１ｍｍ乃
至０．２ｍｍを例示することができる。[0013] When both the outer adhesive layer and the inner adhesive layer are normal, what atmosphere is maintained in the minute space between the two adhesive layers is determined by the first panel in the manufacturing method described later. And the atmosphere in which the second panel is bonded. That is, if the two panels are bonded in a vacuum atmosphere, the atmosphere in the minute space becomes vacuum, and if the panels are bonded in an inert gas atmosphere, the atmosphere becomes an inert gas atmosphere. The thickness of the adhesive layer is a thickness that ensures that a space surrounded by the first panel, the second panel, and the adhesive layer is maintained in a vacuum state, and
What is necessary is just to determine based on the facing distance of the 1st panel and the 2nd panel required for a sealing panel apparatus, for example, about 0.1 mm-0.2 mm can be illustrated.
【００１４】本発明の第１の態様に係る封止パネル装置
においては、外側接着層と内側接着層とは、同一の低融
点金属材料から構成されていても、異なる低融点金属材
料から構成されていてもよい。異なる低融点金属材料を
用いる場合には、製造プロセスの容易化の観点から、双
方の低融点金属材料の融点が略等しいことが特に好まし
いが、高い方の融点において融点の低い方の低融点金属
材料の過度の変形や流失を抑制し得る限りにおいて、双
方の融点の若干の相違は許容される。尚、このことは、
後述する本発明の第２の態様に係る封止パネル装置、及
び本発明の第１の態様乃至第３の態様に係る封止パネル
装置の製造方法における第１外側接着層と第１内側接着
層との間、並びに、第２外側接着層と第２内側接着層と
の間にもすべて成り立つ。In the sealing panel device according to the first aspect of the present invention, the outer adhesive layer and the inner adhesive layer are made of different low-melting metal materials even if they are made of the same low-melting metal material. May be. When using different low-melting point metal materials, it is particularly preferable that both low-melting point metal materials have substantially the same melting point from the viewpoint of facilitation of the manufacturing process. As long as excessive deformation and loss of the material can be suppressed, a slight difference between the two melting points is acceptable. This means that
A first outer adhesive layer and a first inner adhesive layer in a sealing panel device according to a second aspect of the present invention described below, and a method of manufacturing the sealing panel device according to the first to third aspects of the present invention. , And between the second outer adhesive layer and the second inner adhesive layer.
【００１５】本発明の第１の態様に係る封止パネル装置
においては、第１パネルと第２パネルとの間隔を一定に
維持するための間隔維持部材が、第１パネルと第２パネ
ルとの間に挟持されている構成とすることもできる。間
隔維持部材は、典型的には、絶縁性を有するガラスやセ
ラミック等の剛性材料から構成することができる。間隔
維持部材を用いることにより、接着層のみを用いる場合
に比べて、第１パネルと第２パネルとの対向距離をより
精度良く制御することが可能となる。間隔維持部材の構
成材料や形状や寸法は特に限定されないが、所望の対向
距離に応じて選択された直径を有する球体、あるいは円
筒体であることが好ましい。尚、後述する本発明の第１
の態様に係る封止パネル装置の製造方法において間隔維
持部材を用いる場合も同様である。間隔維持部材は、第
１パネルと第２パネルと接着層とによって囲まれた空間
内にて挟持されていてもよいし、空間外にて挟持されて
いてもよい。In the sealing panel device according to the first aspect of the present invention, the gap maintaining member for maintaining the gap between the first panel and the second panel constant is provided between the first panel and the second panel. It is also possible to adopt a configuration sandwiched between them. The gap maintaining member can be typically made of a rigid material such as glass or ceramic having an insulating property. By using the gap maintaining member, it is possible to more accurately control the facing distance between the first panel and the second panel as compared with the case where only the adhesive layer is used. The constituent material, shape, and dimensions of the gap maintaining member are not particularly limited, but are preferably spherical or cylindrical having a diameter selected according to a desired facing distance. In addition, the first of the present invention described later.
The same applies to the case where the gap maintaining member is used in the method of manufacturing the sealed panel device according to the aspect. The gap maintaining member may be held in a space surrounded by the first panel, the second panel, and the adhesive layer, or may be held outside the space.
【００１６】上記の目的を達成するための本発明の第２
の態様に係る封止パネル装置は、枠体、並びに、該枠体
を挟んで対向配置された第１パネル及び第２パネルから
成り、枠体と第１パネルとは第１接着層によって接着さ
れ、枠体と第２パネルとは、第２外側接着層と該第２外
側接着層から離間した第２内側接着層とから構成された
第２接着層によって接着され、第１パネルと第１接着層
と枠体と第２接着層と第２パネルとによって囲まれた空
間が真空にされ、第２接着層は、低融点金属材料から成
ることを特徴とする。The second object of the present invention to achieve the above object.
The sealing panel device according to the aspect of the present invention comprises a frame, and a first panel and a second panel which are arranged to face each other with the frame interposed therebetween, and the frame and the first panel are bonded by a first adhesive layer. , The frame body and the second panel are adhered by a second adhesive layer composed of a second outer adhesive layer and a second inner adhesive layer separated from the second outer adhesive layer, and the first panel and the first adhesive A space surrounded by the layer, the frame, the second adhesive layer, and the second panel is evacuated, and the second adhesive layer is made of a low melting point metal material.
【００１７】本発明の第２の態様に係る封止パネル装置
にあっては、枠体の高さを選択することにより、本発明
の第１の態様に係る封止パネル装置に比べて、パネル間
の対向距離をより長く設定することが可能である。枠体
は、絶縁性を有するガラス、セラミック等の剛性材料か
ら構成することができる。尚、後述する本発明の第２の
態様及び第３の態様に係る封止パネル装置の製造方法に
おける枠体も同様とすればよい。In the sealed panel device according to the second aspect of the present invention, the height of the frame is selected, so that the panel is compared with the sealed panel device according to the first aspect of the present invention. It is possible to set the facing distance between them longer. The frame can be made of a rigid material such as glass or ceramic having an insulating property. It should be noted that the same applies to a frame in a method of manufacturing a sealed panel device according to a second embodiment and a third embodiment of the present invention described later.
【００１８】本発明の第２の態様に係る封止パネル装置
においては、２層の接着層の内の１層（即ち、第２接着
層）は必ず低融点金属材料から構成される。従って、２
層共フリットガラスを用いて構成されていた従来の封止
パネル装置に比べ、真空度の維持がより確実となり、封
止パネル装置の長寿命化を図ることができる。第２の態
様に係る封止パネル装置は、第１接着層の構成材料によ
って、更に、４種類の構成に分けることができる。In the sealing panel device according to the second aspect of the present invention, one of the two adhesive layers (ie, the second adhesive layer) is always made of a low melting point metal material. Therefore, 2
As compared with a conventional sealing panel device that uses frit glass for both layers, the degree of vacuum is more reliably maintained, and the life of the sealing panel device can be extended. The sealing panel device according to the second aspect can be further divided into four types of configurations depending on the constituent material of the first adhesive layer.
【００１９】第１の構成においては、第１接着層は低融
点金属材料から成り、第１接着層を構成する低融点金属
材料の融点と、第２接着層を構成する低融点金属材料の
融点とは略等しい。かかる構成を採ることによって、１
回の加熱プロセスで第１パネルと枠体、第２パネルと枠
体を同時に接着できるので、製造された封止パネル装置
の残留熱歪みが低減され得る。第１接着層も、第２接着
層と同様に２重構成とすることができる。即ち、第１接
着層は、第１外側接着層と、該第１外側接着層から離間
する第１内側接着層とから構成されていてもよい。In the first configuration, the first adhesive layer is made of a low-melting metal material, and the melting point of the low-melting metal material forming the first adhesive layer and the melting point of the low-melting metal material forming the second adhesive layer. Is approximately equal to By adopting such a configuration, 1
Since the first panel and the frame body and the second panel and the frame body can be simultaneously bonded in one heating process, residual thermal distortion of the manufactured sealing panel device can be reduced. The first adhesive layer can also have a double configuration, like the second adhesive layer. That is, the first adhesive layer may be composed of a first outer adhesive layer and a first inner adhesive layer separated from the first outer adhesive layer.
【００２０】第２の構成においては、第１接着層は低融
点金属材料から成り、第１接着層を構成する低融点金属
材料の融点は、第２接着層を構成する低融点金属材料の
融点よりも高い。かかる構成を採ることによって、第１
パネルと枠体の接着、第２パネルと枠体の接着とを独立
した加熱プロセスにて行うことができるので、製造され
る封止パネル装置の組立て精度を向上させることができ
る。第１接着層も、第２接着層と同様に２重構成とする
ことができる。即ち、第１接着層は、第１外側接着層
と、該第１外側接着層から離間する第１内側接着層とか
ら構成されていてもよい。In the second configuration, the first adhesive layer is made of a low-melting metal material, and the melting point of the low-melting metal material forming the first adhesive layer is the melting point of the low-melting metal material forming the second adhesive layer. Higher than. By adopting such a configuration, the first
Since the bonding between the panel and the frame and the bonding between the second panel and the frame can be performed by independent heating processes, the assembly accuracy of the manufactured sealing panel device can be improved. The first adhesive layer can also have a double configuration, like the second adhesive layer. That is, the first adhesive layer may be composed of a first outer adhesive layer and a first inner adhesive layer separated from the first outer adhesive layer.
【００２１】第３の構成においては、第１接着層はフリ
ットガラス（ガラスペーストとも呼ばれる）から成る。
フリットガラスは低融点金属材料には望むことのできな
い高い絶縁性を備えている。従って、例えば第１パネル
が高電圧仕様であって、第１パネル上に形成されたパッ
シベーション膜等の薄い絶縁層のみでは絶縁性が不足す
る場合に、フリットガラスを用いる構成は極めて有効で
ある。In the third configuration, the first adhesive layer is made of frit glass (also called glass paste).
Frit glass has high insulating properties that cannot be expected from low melting point metal materials. Therefore, a configuration using frit glass is extremely effective, for example, when the first panel has a high-voltage specification and the insulating properties are insufficient with only a thin insulating layer such as a passivation film formed on the first panel.
【００２２】更に、第４の構成においては、第１接着層
の一部分はフリットガラスから成り、第１接着層の残部
は低融点金属材料から成る構成が採られる。フリットガ
ラスにより構成される第１接着層の一部分と、低融点金
属材料により構成される第１接着層の残部とは、第１接
着層の形成領域内において如何なる配置としてもよい。
例えば、複数の「一部分」が残部の中に点在していても
よい。例えば、第１パネルが封止パネル装置の外部へ導
出される電極を含む場合には、この電極の導出部の周囲
のみをフリットガラスで覆う構成が可能である。尚、第
４の構成においても、第１の構成あるいは第２の構成に
関して述べたと同様に、第１接着層の残部を第１外側接
着層と第１内側接着層の２重構成とすることが可能であ
る。Further, in the fourth configuration, a part of the first adhesive layer is made of frit glass, and the remaining part of the first adhesive layer is made of a low melting point metal material. A part of the first adhesive layer made of frit glass and the rest of the first adhesive layer made of the low melting point metal material may be arranged in any manner in the formation region of the first adhesive layer.
For example, a plurality of "parts" may be scattered in the rest. For example, when the first panel includes an electrode led out of the sealing panel device, a configuration in which only the periphery of the lead-out part of the electrode is covered with frit glass is possible. In the fourth configuration, as in the first configuration or the second configuration, the remaining portion of the first adhesive layer may have a double configuration of a first outer adhesive layer and a first inner adhesive layer. It is possible.
【００２３】尚、以上述べた第１の構成乃至第４の構成
において、第１パネルや第２パネルが封止パネル装置の
外部へ引き出される電極を含む場合には、電極上に絶縁
層を形成し、かかる絶縁層の上に第１接着層や第２接着
層を形成又は配置しておけばよい。このような構成にお
いては、第１パネルや第２パネルにはかかる絶縁層が含
まれる。あるいは又、場合によっては、第１接着層や第
２接着層と接する電極の部分（表面）に絶縁層（例えば
電極を構成する材料の酸化膜）を形成しておいてもよ
い。In the first to fourth configurations described above, when the first panel or the second panel includes an electrode led out of the sealing panel device, an insulating layer is formed on the electrode. Then, the first adhesive layer and the second adhesive layer may be formed or arranged on the insulating layer. In such a configuration, the first panel and the second panel include such an insulating layer. Alternatively, in some cases, an insulating layer (for example, an oxide film of a material forming the electrode) may be formed on a portion (surface) of the electrode in contact with the first adhesive layer or the second adhesive layer.
【００２４】上記の目的を達成するための本発明の第１
の態様に係る封止パネル装置の製造方法（以下、第１の
態様に係る製造方法と称する）は、本発明の第１の態様
に係る封止パネル装置を製造するための方法であり、
（イ）第１パネル及び／又は第２パネルの周縁部に、低
融点金属材料から成り、外側接着層と該外側接着層から
離間した内側接着層とから構成された接着層を形成し、
あるいは配置する工程と、（ロ）接着層を構成する低融
点金属材料の融点以上の温度に接着層を加熱することに
より、第１パネルと第２パネルとを接着層によって接着
する工程、を有することを特徴とする。The first object of the present invention for achieving the above object is as follows.
The method for manufacturing a sealed panel device according to the first aspect (hereinafter, referred to as a manufacturing method according to the first aspect) is a method for manufacturing the sealed panel device according to the first aspect of the present invention,
(B) forming an adhesive layer made of a low-melting metal material on the periphery of the first panel and / or the second panel, the adhesive layer being composed of an outer adhesive layer and an inner adhesive layer separated from the outer adhesive layer;
Or (b) heating the adhesive layer to a temperature equal to or higher than the melting point of the low-melting metal material forming the adhesive layer, thereby bonding the first panel and the second panel with the adhesive layer. It is characterized by the following.
【００２５】ここで、本明細書中で用いる接着層の「形
成」と「配置」の語について説明する。接着層の「形
成」とは、接着層が第１パネルや第２パネル、枠体の表
面に原子間力によって密着している状態を指す。かかる
接着層の形成は、例えば、蒸着法、スパッタリング法、
イオン・プレーティング法等の真空薄膜形成技術を用い
て達成することができるし、あるいは又、第１パネルや
第２パネル、枠体（後述する）上で接着層を一旦溶融さ
せることによって達成することもできる。一方、接着層
の「配置」とは、接着層が第１パネルや第２パネル、枠
体の表面に重力や摩擦力により保持されている状態を指
す。かかる「配置」は、低融点金属材料から成る線材や
箔を第１パネルや第２パネル、枠体の表面に載置した
り、貼り付けることにより達成される。箔のようにある
程度の密着性をもってパネルや枠体の表面に保持される
ことが可能であって、場合によっては保持面を下に向け
ても脱落しない密着性を有する接着層を用いるときに
は、第１パネルと第２パネルの両方、第１パネルと枠体
の両方、第２パネルと枠体の両方に接着層を配置するこ
ともできる。しかし、線材のように単に重力によって第
１パネルや第２パネル、枠体の表面に保持されるような
接着層を用いる場合には、接着層の配置は、第１パネル
と第２パネルのいずれか一方、第１パネルと枠体のいず
れか一方、第２パネルと枠体のいずれか一方のみに対し
て行うことが好ましい。Here, the terms “formation” and “arrangement” of the adhesive layer used in this specification will be described. “Formation” of the adhesive layer refers to a state in which the adhesive layer is in close contact with the surface of the first panel, the second panel, or the frame by an atomic force. The formation of such an adhesive layer includes, for example, an evaporation method, a sputtering method,
This can be achieved by using a vacuum thin film forming technique such as an ion plating method, or by temporarily melting an adhesive layer on a first panel, a second panel, or a frame (described later). You can also. On the other hand, “arrangement” of the adhesive layer refers to a state in which the adhesive layer is held on the surfaces of the first panel, the second panel, and the frame by gravity or frictional force. Such “arrangement” is achieved by placing or sticking a wire or foil made of a low melting point metal material on the surfaces of the first panel, the second panel, and the frame. When using an adhesive layer that can be held on the surface of the panel or frame body with a certain degree of adhesion like a foil, and in some cases, has an adhesion that does not fall off even when the holding surface faces down, An adhesive layer can be arranged on both the first panel and the second panel, both the first panel and the frame, and both the second panel and the frame. However, when using an adhesive layer such as a wire rod that is simply held on the surface of the first panel, the second panel, or the frame by gravity, the arrangement of the adhesive layer may be any of the first panel and the second panel. On the other hand, it is preferable to perform the operation on only one of the first panel and the frame, or only one of the second panel and the frame.
【００２６】本発明の第１の態様に係る製造方法の工程
（イ）においては、接着層の形成あるいは配置は、第１
パネル及び第２パネルのいずれか一方、又は両方に対し
て行うことができる。第１パネル及び第２パネルのいず
れか一方に接着層を形成あるいは配置する場合とは、
（１）第１パネルに内側接着層の全体と外側接着層の全
体とを形成する場合、及び、（２）第２パネルに内側接
着層の全体と外側接着層の全体とを形成する場合であ
る。また、第１パネル及び第２パネルの両方に接着層を
形成あるいは配置する場合とは、（３）第１パネルと第
２パネルにそれぞれ内側接着層の一部と外側接着層の一
部とを形成する場合、（４）第１パネルに内側接着層の
全体、第２パネルに外側接着層の全体をそれぞれ形成す
る場合、（５）第１パネルに外側接着層の全体、第２パ
ネルに内側接着層の全体をそれぞれ形成する場合、
（６）第１パネルに内側接着層の全体と外側接着層の一
部を形成し、第２パネルに外側接着層の一部を形成する
場合、及び、（７）第１パネルに内側接着層の一部を形
成し、第２パネルに外側接着層の全体と内側接着層の一
部を形成する場合である。第１パネル又は第２パネルに
対する接着層の濡れ性が十分に高い場合、接着層をいず
れか一方のパネルに形成すれば十分である。In the step (a) of the manufacturing method according to the first aspect of the present invention, the formation or arrangement of the adhesive layer is performed according to the first method.
The operation can be performed on one or both of the panel and the second panel. The case where the adhesive layer is formed or arranged on one of the first panel and the second panel is as follows.
(1) When the entirety of the inner adhesive layer and the entirety of the outer adhesive layer are formed on the first panel, and (2) When the entirety of the inner adhesive layer and the entirety of the outer adhesive layer are formed on the second panel. is there. Further, the case where an adhesive layer is formed or arranged on both the first panel and the second panel means that (3) a part of the inner adhesive layer and a part of the outer adhesive layer are respectively provided on the first panel and the second panel. In the case of forming (4) the entirety of the inner adhesive layer on the first panel and the entirety of the outer adhesive layer on the second panel, (5) the entirety of the outer adhesive layer on the first panel and the inner side of the second panel When forming the entire adhesive layer respectively,
(6) a case where the entire inner adhesive layer and a part of the outer adhesive layer are formed on the first panel, and a part of the outer adhesive layer is formed on the second panel; and (7) the inner adhesive layer is formed on the first panel. Are formed, and the entire outer adhesive layer and a part of the inner adhesive layer are formed on the second panel. When the wettability of the adhesive layer to the first panel or the second panel is sufficiently high, it is sufficient to form the adhesive layer on one of the panels.
【００２７】本発明の第１の態様に係る製造方法の工程
（イ）では、第１パネルと第２パネルとの間隔を一定に
維持するための間隔維持部材を予め第１パネル又は第２
パネル上に配置しておくことが好ましい。間隔維持部材
は、第１パネル又は第２パネル上に単に置くことによっ
て配置することができるし、あるいは又、塗布、散布、
吹付け等の任意の方法により配置することもでき、配置
のパターンはランダムであっても規則的であっても構わ
ない。接着層を「形成」する場合、プロセスの容易化の
観点から、工程（イ）における間隔維持部材の配置のタ
イミングを、接着層の形成後とすることが好ましい。
又、接着層を「配置」する場合、工程（イ）における間
隔維持部材の配置のタイミングは、接着層の配置前後の
いずれでも構わない。In the step (a) of the manufacturing method according to the first aspect of the present invention, an interval maintaining member for maintaining a constant interval between the first panel and the second panel is provided in advance with the first panel or the second panel.
It is preferable to arrange on a panel. The spacing member can be placed by simply placing it on the first panel or the second panel, or alternatively, by applying, spraying,
They can be arranged by any method such as spraying, and the arrangement pattern may be random or regular. In the case of “forming” the adhesive layer, from the viewpoint of facilitation of the process, it is preferable that the timing of disposing the interval maintaining member in the step (a) be after the formation of the adhesive layer.
In the case of “arranging” the adhesive layer, the timing of arranging the gap maintaining member in step (a) may be before or after the arrangement of the adhesive layer.
【００２８】上記の目的を達成するための本発明の第２
の態様に係る封止パネル装置の製造方法（以下、第２の
態様に係る製造方法と称する）は、本発明の第２の態様
に係る封止パネル装置を製造するための方法であり、枠
体、並びに、該枠体を挟んで対向配置された第１パネル
及び第２パネルから成る封止パネル装置の製造方法であ
って、（イ）第１パネルの周縁部及び／又は枠体に、低
融点金属材料から成り、且つ、第１外側接着層と該第１
外側接着層から離間した第１内側接着層とから構成され
た第１接着層を形成し、あるいは配置し、一方、第２パ
ネルの周縁部及び／又は枠体に、低融点金属材料から成
り、且つ、第２外側接着層と該第２外側接着層から離間
した第２内側接着層とから構成された第２接着層を形成
し、あるいは配置する工程と、（ロ）第１接着層を構成
する低融点金属材料の融点、及び第２接着層を構成する
低融点金属材料の融点以上の温度に第１接着層及び第２
接着層を加熱することにより、枠体と第１パネルとを第
１接着層によって接着し、且つ、枠体と第２パネルとを
第２接着層によって接着する工程、を有することを特徴
とする。The second object of the present invention for achieving the above object is as follows.
The manufacturing method of the sealed panel device according to the aspect (hereinafter, referred to as the manufacturing method according to the second aspect) is a method for manufacturing the sealed panel device according to the second aspect of the present invention, and includes a frame. A method for manufacturing a sealed panel device comprising a body, and a first panel and a second panel arranged to face each other with the frame interposed therebetween, wherein (a) a peripheral portion of the first panel and / or a frame are provided; A first outer adhesive layer formed of a low-melting metal material;
Forming or arranging a first adhesive layer composed of a first inner adhesive layer separated from the outer adhesive layer, while a peripheral portion and / or a frame of the second panel is made of a low melting metal material; And forming or disposing a second adhesive layer composed of a second outer adhesive layer and a second inner adhesive layer separated from the second outer adhesive layer; and (b) forming the first adhesive layer. The first adhesive layer and the second adhesive layer are heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the low melting point metal material and the melting point of the low melting point metal material forming the second adhesive layer.
Heating the adhesive layer, thereby bonding the frame and the first panel with the first adhesive layer, and bonding the frame and the second panel with the second adhesive layer. .
【００２９】本発明の第２の態様に係る製造方法では、
第１パネルと枠体と第２パネルの三者が１回の加熱プロ
セスにより同時に接着される。従って、第１接着層と第
２接着層がいずれも低融点金属材料から構成されること
が前提となっている。ここで、第１接着層を構成する低
融点金属材料の融点が第２接着層を構成する低融点金属
材料の融点と異なっている場合には、工程（ロ）におけ
る加熱温度を融点の高い方に合わせて設定する必要があ
る。但し、第１接着層を構成する低融点金属材料の融点
が第２接着層を構成する低融点金属材料の融点と余り大
きく異なっていると、融点の高い方の接着層を溶融し得
る温度において、融点の低い方の接着層が過度に変形し
たり、あるいは流失する虞れがある。従って、第１接着
層を構成する低融点金属材料の融点と、第２接着層を構
成する低融点金属材料の融点とが略等しくなるように、
例えば、温度差が０゜Ｃ〜１００゜Ｃ程度となるよう
に、第１接着層を構成する低融点金属材料及び第２接着
層を構成する低融点金属材料を選択することが特に好ま
しい。In the manufacturing method according to the second aspect of the present invention,
The first panel, the frame, and the second panel are simultaneously bonded by a single heating process. Therefore, it is assumed that both the first adhesive layer and the second adhesive layer are made of a low melting point metal material. Here, when the melting point of the low melting point metal material forming the first adhesive layer is different from the melting point of the low melting point metal material forming the second bonding layer, the heating temperature in the step (b) is set to the higher melting point. It is necessary to set according to. However, if the melting point of the low-melting metal material forming the first adhesive layer is significantly different from the melting point of the low-melting metal material forming the second adhesive layer, at a temperature at which the higher-melting adhesive layer can be melted. The adhesive layer having a lower melting point may be excessively deformed or run off. Therefore, the melting point of the low-melting metal material forming the first adhesive layer is substantially equal to the melting point of the low-melting metal material forming the second adhesive layer.
For example, it is particularly preferable to select the low melting point metal material forming the first adhesive layer and the low melting point metal material forming the second bonding layer so that the temperature difference becomes about 0 ° C. to 100 ° C.
【００３０】本発明の第２の態様に係る製造方法の工程
（イ）においては、第１接着層の形成あるいは配置は、
第１パネル及び枠体のいずれか一方、又は両方に対して
行うことができる。第１パネル又は枠体に対する接着層
の濡れ性が十分に高い場合、いずれか一方に形成しても
よい。また、第２接着層の形成あるいは配置は、第２パ
ネル及び枠体のいずれか一方、又は両方に対して行うこ
とができる。第２パネル又は枠体に対する接着層の濡れ
性が十分に高い場合、いずれか一方に形成してもよい。In step (a) of the manufacturing method according to the second aspect of the present invention, the formation or arrangement of the first adhesive layer
It can be performed on either one or both of the first panel and the frame. When the wettability of the adhesive layer with respect to the first panel or the frame is sufficiently high, it may be formed on either one of them. Further, formation or arrangement of the second adhesive layer can be performed on one or both of the second panel and the frame. When the wettability of the adhesive layer with respect to the second panel or the frame is sufficiently high, it may be formed on either one of them.
【００３１】上記の目的を達成するための本発明の第３
の態様に係る封止パネル装置の製造方法（以下、第３の
態様に係る製造方法と称する）は、本発明の第２の態様
に係る封止パネル装置を製造するための方法であり、枠
体、並びに、該枠体を挟んで対向配置された第１パネル
及び第２パネルから成る封止パネル装置の製造方法であ
って、（イ）第１パネルの周縁部と枠体とを第１接着層
によって接着する工程と、（ロ）第２パネルの周縁部及
び／又は枠体に、低融点金属材料から成り、且つ、第２
外側接着層と該第２外側接着層から離間した第２内側接
着層から構成された第２接着層を形成し、あるいは配置
する工程と、（ハ）第２接着層を構成する低融点金属材
料の融点以上の温度に第２接着層を加熱することによ
り、枠体と第２パネルとを第２接着層によって接着する
工程、を有することを特徴とする。The third object of the present invention for achieving the above object is as follows.
The method for manufacturing the sealed panel device according to the aspect (hereinafter, referred to as the manufacturing method according to the third aspect) is a method for manufacturing the sealed panel device according to the second aspect of the present invention, and includes a frame. A method for manufacturing a sealed panel device comprising a body, and a first panel and a second panel opposed to each other with the frame interposed therebetween, wherein (a) the peripheral portion of the first panel and the frame are first Bonding with an adhesive layer; and (b) forming a second melting point metal material on a peripheral portion and / or a frame of the second panel;
Forming or arranging a second adhesive layer composed of an outer adhesive layer and a second inner adhesive layer separated from the second outer adhesive layer; and (c) a low-melting metal material constituting the second adhesive layer A step of heating the second adhesive layer to a temperature equal to or higher than the melting point to bond the frame and the second panel with the second adhesive layer.
【００３２】本発明の第３の態様に係る製造方法の工程
（ロ）においては、第２接着層の形成あるいは配置は、
第２パネル及び枠体のいずれか一方、又は両方に対して
行うことができる。第２パネル又は枠体に対する接着層
の濡れ性が十分に高い場合、いずれか一方に形成しても
よい。In the step (b) of the manufacturing method according to the third aspect of the present invention, the formation or arrangement of the second adhesive layer is
It can be performed on either one or both of the second panel and the frame. When the wettability of the adhesive layer with respect to the second panel or the frame is sufficiently high, it may be formed on either one of them.
【００３３】本発明の第３の態様に係る製造方法では、
第１パネルと枠体とを先ず接着し、しかる後に枠体と第
２パネルとを接着する。従って、第１パネルと枠体と第
２パネルの三者を同時に接着する本発明の第２の態様に
係る製造方法に比べ、三者の位置合わせが容易となり、
位置合わせ精度を向上させることができる。但し、枠体
と第２パネルとの接着時に、既に形成されている第１接
着層を変形させないよう、第１接着層の構成材料は、第
２接着層の構成材料よりも高い融点あるいは焼成温度を
有している必要がある。第１接着層の構成材料として
は、（１）低融点金属材料、（２）フリットガラス、
（３）フリットガラスと低融点金属材料の組合せ、のい
ずれかを用いることができる。In the manufacturing method according to the third aspect of the present invention,
The first panel and the frame are bonded first, and then the frame and the second panel are bonded. Therefore, compared to the manufacturing method according to the second aspect of the present invention in which the first panel, the frame body, and the second panel are simultaneously bonded, the positioning of the three members becomes easier,
Positioning accuracy can be improved. However, the constituent material of the first adhesive layer has a higher melting point or sintering temperature than the constituent material of the second adhesive layer so as not to deform the already formed first adhesive layer when the frame body and the second panel are bonded. It is necessary to have The constituent materials of the first adhesive layer include (1) a low melting point metal material, (2) frit glass,
(3) Any one of a combination of frit glass and a low melting point metal material can be used.
【００３４】上記（１）の低融点金属材料は、第２接着
層を構成する低融点金属材料の融点よりも高い融点を有
する。第１接着層の構成材料としてかかる低融点金属材
料を用いる場合には、工程（イ）において、第１接着層
を構成する低融点金属材料の融点以上の温度にて第１接
着層を加熱し、工程（ハ）において、第２接着層を構成
する低融点金属材料の融点以上の温度であって、第１接
着層を構成する低融点金属材料の融点よりも低い温度に
第２接着層を加熱する。この場合、工程（イ）に先立
ち、第１パネルの周縁部及び／又は枠体に低融点金属材
料から成る第１接着層を形成し、あるいは配置しておけ
ばよい。The low melting point metal material of (1) has a melting point higher than the melting point of the low melting point metal material forming the second adhesive layer. When the low-melting metal material is used as a constituent material of the first adhesive layer, in the step (a), the first adhesive layer is heated at a temperature equal to or higher than the melting point of the low-melting metal material forming the first adhesive layer. In the step (c), the second adhesive layer is heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the low-melting metal material forming the second adhesive layer and lower than the melting point of the low-melting metal material forming the first adhesive layer. Heat. In this case, prior to the step (a), a first adhesive layer made of a low-melting metal material may be formed or arranged on the peripheral portion and / or the frame of the first panel.
【００３５】上記（２）のフリットガラスは、第２接着
層を構成する低融点金属材料の融点よりも高い焼成温度
（封着温度あるいは固着温度とも呼ばれる）を有する。
第１接着層の構成材料としてかかるフリットガラスを用
いる場合には、工程（イ）において、フリットガラスを
焼成することによって第１パネルの周縁部と枠体とを接
着し、工程（ハ）において、第２接着層を構成する低融
点金属材料の融点以上の温度であって、第１接着層を構
成するフリットガラスの焼成温度よりも低い温度に第２
接着層を加熱する。この場合、工程（イ）に先立ち、第
１パネルの周縁部及び／又は枠体にフリットガラスから
成る第１接着層を形成しておけばよい。The frit glass of the above (2) has a firing temperature (also called a sealing temperature or a fixing temperature) higher than the melting point of the low melting point metal material constituting the second adhesive layer.
When using such frit glass as a constituent material of the first adhesive layer, in step (a), the frit glass is fired to bond the peripheral portion of the first panel to the frame, and in step (c), The temperature of the second adhesive layer is set to a temperature equal to or higher than the melting point of the low melting metal material and lower than the firing temperature of the frit glass forming the first adhesive layer.
Heat the adhesive layer. In this case, prior to the step (a), the first adhesive layer made of frit glass may be formed on the peripheral portion and / or the frame of the first panel.
【００３６】上記（３）のフリットガラスと低融点金属
材料の組合せを採用する場合、フリットガラスの焼成温
度と低融点金属材料の融点は、いずれも第２接着層を構
成する低融点金属材料の融点よりも高い。第１接着層の
構成材料としてかかるフリットガラスと低融点金属材料
の組合せを用いる場合には、工程（イ）において、フリ
ットガラスを焼成し、且つ、第１接着層を構成する低融
点金属材料を溶融させることによって第１パネルの周縁
部と枠体とを接着し、工程（ハ）において、第２接着層
を構成する低融点金属材料の融点以上の温度であって、
第１接着層の残部を構成する低融点金属材料の融点より
も低い温度に第２接着層を加熱する。この場合、工程
（イ）に先立ち、第１パネルの周縁部及び／又は枠体に
フリットガラスから成る第１接着層の一部分を形成し、
また、低融点金属材料から成る第１接着層の残部を形成
し、あるいは配置しておけばよい。In the case where the combination of the frit glass and the low melting point metal material of the above (3) is employed, the firing temperature of the frit glass and the melting point of the low melting point metal material are all the same as those of the low melting point metal material forming the second adhesive layer. Higher than the melting point. When the combination of the frit glass and the low melting point metal material is used as the constituent material of the first adhesive layer, in the step (a), the frit glass is baked and the low melting point metal material forming the first adhesive layer is used. By melting, the peripheral portion of the first panel and the frame are bonded to each other.
The second adhesive layer is heated to a temperature lower than the melting point of the low-melting metal material forming the remainder of the first adhesive layer. In this case, prior to the step (a), a part of a first adhesive layer made of frit glass is formed on a peripheral portion and / or a frame of the first panel,
Further, the remaining portion of the first adhesive layer made of a low melting point metal material may be formed or arranged.
【００３７】低融点金属材料は、高粘度ペースト状にて
使用されるフリットガラスとは異なり、接着層として構
成された場合にも層内に気泡を含むことがなく、また、
接着層の幅や厚さ等の寸法精度にも優れている。従っ
て、低融点金属材料から成る接着層を用いれば、脱ガス
や接着不良による経時的な封止パネル装置の真空度劣化
を防止し、封止パネル装置の性能及び長期信頼性を大幅
に改善することができる。Unlike the frit glass used in the form of a high-viscosity paste, the low-melting-point metal material does not contain air bubbles in the layer even when formed as an adhesive layer.
Excellent in dimensional accuracy such as width and thickness of the adhesive layer. Therefore, the use of an adhesive layer made of a low-melting metal material prevents deterioration of the degree of vacuum in the sealing panel device over time due to degassing or poor adhesion, and greatly improves the performance and long-term reliability of the sealing panel device. be able to.
【００３８】本発明の第１の態様に係る封止パネル装置
の製造方法における工程（ロ）、本発明の第２の態様に
係る封止パネル装置の製造方法における工程（ロ）、本
発明の第３の態様に係る封止パネル装置の製造方法にお
ける工程（イ）あるいは（ハ）における加熱は、ランプ
を用いた加熱、レーザを用いた加熱、炉を用いた加熱等
の公知の加熱方法により行うことができる。The step (b) in the method for manufacturing the sealed panel device according to the first embodiment of the present invention, the step (b) in the method for manufacturing the sealed panel device according to the second embodiment of the present invention, The heating in the step (a) or (c) in the method for manufacturing the sealed panel device according to the third embodiment is performed by a known heating method such as heating using a lamp, heating using a laser, and heating using a furnace. It can be carried out.
【００３９】本発明の封止パネル装置あるいはその製造
方法における第１パネルと第２パネルと接着層とによっ
て囲まれた空間、あるいは、第１パネルと第１接着層と
枠体と第２接着層と第２パネルとによって囲まれた空間
（以下、これらの空間を総称して、単に空間と呼ぶ場合
がある）の真空度は、封止パネル装置の構成に応じて異
なる。封止パネル装置として冷陰極電界電子放出型の表
示装置を想定した場合、要求される真空度はおおよそ１
０-2Ｐａのオーダー、あるいはそれ以上（即ち、より低
圧）である。The space surrounded by the first panel, the second panel, and the adhesive layer in the sealed panel device or the manufacturing method of the present invention, or the first panel, the first adhesive layer, the frame, and the second adhesive layer The degree of vacuum in a space surrounded by the first panel and the second panel (hereinafter, these spaces may be collectively simply referred to as a space) differs depending on the configuration of the sealing panel device. Assuming a cold cathode field emission display device as the sealing panel device, the required degree of vacuum is approximately 1
It is on the order of 0 -2 Pa or higher (ie, lower pressure).
【００４０】本発明の封止パネル装置の製造方法には、
両パネルの接着と上記空間を真空とするタイミングの違
いに基づき、更に、２つの態様が含まれる。一方の態様
は、両パネルの接着と同時に上記空間を真空とする態様
である。具体的には、本発明の第１の態様に係る製造方
法の工程（ロ）、本発明の第２の態様に係る製造方法の
工程（ロ）、及び本発明の第３の態様に係る製造方法の
工程（ハ）において、加熱を真空雰囲気中で行い、以
て、空間を真空にする。尚、本発明の第１の態様に係る
製造方法のかかる態様を本発明の第１Ａの態様と称し、
本発明の第２の態様に係る製造方法のかかる態様を本発
明の第２Ａの態様と称し、本発明の第３の態様に係る製
造方法のかかる態様を本発明の第３Ａの態様と称する。
尚、本発明の第１の態様に係る製造方法の工程（ロ）、
本発明の第２の態様に係る製造方法の（ロ）、本発明の
第３の態様に係る製造方法の工程（ハ）を総称して、加
熱・接着工程と呼ぶ場合がある。加熱・接着工程におい
ては、先ず、大気雰囲気を不活性ガスで置換した後、雰
囲気温度を昇温し、その後、雰囲気を真空とすることが
好ましく、あるいは又、大気雰囲気を不活性ガスで置換
した後、雰囲気を真空とし、その後、雰囲気温度を昇温
することが好ましく、あるいは又、大気雰囲気を不活性
ガスで置換した後、雰囲気を真空としながら雰囲気温度
を昇温することが好ましい。The manufacturing method of the sealing panel device of the present invention includes:
Based on the difference between the adhesion of both panels and the timing at which the space is evacuated, two more modes are included. One mode is a mode in which the space is evacuated simultaneously with the bonding of both panels. Specifically, the process (b) of the manufacturing method according to the first embodiment of the present invention, the process (b) of the manufacturing method according to the second embodiment of the present invention, and the manufacturing according to the third embodiment of the present invention. In step (c) of the method, the heating is performed in a vacuum atmosphere, and the space is evacuated. Incidentally, such an aspect of the manufacturing method according to the first aspect of the present invention is referred to as an aspect 1A of the present invention,
Such an aspect of the manufacturing method according to the second aspect of the present invention is referred to as an aspect 2A of the present invention, and such an aspect of the manufacturing method according to the third aspect of the present invention is referred to as an aspect 3A of the present invention.
In addition, the step (b) of the manufacturing method according to the first aspect of the present invention,
The step (c) of the manufacturing method according to the second aspect of the present invention (b) and the step (c) of the manufacturing method according to the third aspect of the present invention may be collectively referred to as a heating / adhering step. In the heating / adhering step, first, after replacing the air atmosphere with an inert gas, the temperature of the atmosphere is increased, and then it is preferable that the atmosphere is evacuated, or the air atmosphere is replaced with an inert gas. Thereafter, it is preferable that the atmosphere is evacuated and then the temperature of the atmosphere is raised. Alternatively, it is preferable to replace the air atmosphere with an inert gas and then raise the temperature of the atmosphere while evacuating the atmosphere.
【００４１】もう一方の態様は、加熱・接着工程の後
に、上記空間を真空とする態様である。具体的には、本
発明の第１の態様に係る製造方法の工程（ロ）の後に、
あるいは、本発明の第２の態様に係る製造方法の工程
（ロ）の後に、更にあるいは、本発明の第３の態様に係
る製造方法の工程（ハ）の後に、空間を排気することに
より真空にする。尚、本発明の第１の態様に係る製造方
法のかかる態様を本発明の第１Ｂの態様と称し、本発明
の第２の態様に係る製造方法のかかる態様を本発明の第
２Ｂの態様と称し、本発明の第３の態様に係る製造方法
のかかる態様を本発明の第３Ｂの態様と称する。これら
第１Ｂの態様、第２Ｂの態様、及び第３Ｂの態様にかか
る製造方法では、加熱・接着工程における加熱を必ずし
も真空下ではなく、常圧下、あるいは減圧下で行える場
合もある。更に、常圧下あるいは減圧下の雰囲気は、大
気であっても、あるいは窒素ガスや周期律表０族に属す
るガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガス雰囲気であ
ってもよい。但し、外側と内側に設けられた接着層（即
ち、第１の態様に係る製造方法では外側接着層と内側接
着層、第２の態様及び第３の態様に係る製造方法では第
２外側接着層と第２内側接着層、更に、第２の態様及び
第３の態様に係る製造方法において第１接着層も二重に
形成される場合、第１外側接着層と第１内側接着層）の
間に形成される微小空間内も真空にする観点からは、加
熱・接着工程も真空中で行うことが特に好ましい。Another mode is a mode in which the space is evacuated after the heating / adhering step. Specifically, after the step (b) of the manufacturing method according to the first aspect of the present invention,
Alternatively, after the step (b) of the manufacturing method according to the second aspect of the present invention, or further, or after the step (c) of the manufacturing method according to the third aspect of the present invention, the space is evacuated to obtain a vacuum. To Note that such an aspect of the manufacturing method according to the first aspect of the present invention is referred to as an aspect 1B of the present invention, and such an aspect of the manufacturing method according to the second aspect of the present invention is referred to as an aspect of the second aspect of the present invention. This aspect of the manufacturing method according to the third aspect of the present invention is referred to as a 3B aspect of the present invention. In the manufacturing methods according to the 1B, 2B, and 3B modes, the heating in the heating / adhering step is not necessarily performed under vacuum, but may be performed under normal pressure or reduced pressure. Further, the atmosphere under normal pressure or reduced pressure may be air or an inert gas atmosphere containing nitrogen gas or a gas belonging to Group 0 of the periodic table (for example, Ar gas). However, the adhesive layers provided on the outer side and the inner side (that is, the outer adhesive layer and the inner adhesive layer in the manufacturing method according to the first embodiment, the second outer adhesive layer in the manufacturing methods according to the second embodiment and the third embodiment) And between the first inner adhesive layer and the second inner adhesive layer, and further, when the first adhesive layer is also formed double in the manufacturing method according to the second and third aspects. It is particularly preferable that the heating / adhering step is also performed in a vacuum from the viewpoint of making the inside of the minute space formed in the vacuum.
【００４２】排気は、第１Ｂの態様及び第２Ｂの態様に
係る製造方法では工程（ロ）の後に設けられる工程
（ハ）において、また、第３Ｂの態様に係る製造方法で
は工程（ハ）の後に設けられる工程（ニ）において、排
気管を通じて行うことができる。この排気管は、第１パ
ネル及び／又は第２パネルに設けられた貫通孔の周囲
に、接合層を用いて接合されており、貫通孔は、封止パ
ネル装置の機能に影響を与えない部位に設けられてい
る。排気管は、空間が所定の真空度に達した後に熱融着
によって封止し得る材料を用いて構成されることが好適
であり、典型的にはガラス管を用いて構成される。尚、
封止を行う前に、封止パネル装置全体を一旦加熱してか
ら降温させると、空間に残留ガスを放出させることがで
き、この残留ガスを排気により空間外へ除去することが
できるので好適である。また、加熱・接着工程における
加熱を不活性ガス雰囲気中で行うことは、残留ガスを低
減する上で一層効果的である。The exhaust gas is supplied in the step (c) provided after the step (b) in the manufacturing method according to the first and second embodiments, and in the step (c) in the manufacturing method according to the third embodiment. In the step (d) provided later, it can be performed through an exhaust pipe. This exhaust pipe is joined using a joining layer around a through hole provided in the first panel and / or the second panel, and the through hole is a portion that does not affect the function of the sealing panel device. It is provided in. The exhaust pipe is preferably configured using a material that can be sealed by heat fusion after the space reaches a predetermined vacuum degree, and is typically configured using a glass tube. still,
If the entire sealing panel device is once heated and then cooled before sealing, the residual gas can be released into the space, and this residual gas can be removed to the outside by exhaust, which is preferable. is there. Further, performing the heating in the heating / adhering step in an inert gas atmosphere is more effective in reducing the residual gas.
【００４３】尚、排気管を第１パネル及び／又は第２パ
ネルに接合する接合層は、加熱・接着工程において影響
を受けない材料で構成する必要がある。即ち、第１Ｂの
態様に係る製造方法においては、接着層を構成する低融
点金属材料の融点よりも高い融点を有する低融点金属材
料、又は、高い焼成温度を有するフリットガラスを用い
て接合層を構成することが好ましい。第２Ｂの態様に係
る製造方法においては、第１接着層を構成する低融点金
属材料の融点、及び第２接着層を構成する低融点金属材
料の融点よりも高い融点を有する低融点金属材料、又は
高い焼成温度を有するフリットガラスを用いて接合層を
構成することが好ましい。第３Ｂの態様に係る製造方法
においては、第１接着層の構成材料に依ってバリエーシ
ョンが生ずる。即ち、第１接着層が低融点金属材料から
構成される場合には、この低融点金属材料の融点よりも
高い融点を有する低融点金属材料、又は、高い焼成温度
を有するフリットガラスを用いて接合層を構成すること
ができる。第１接着層の全体又は一部がフリットガラス
を用いて構成される場合には、このフリットガラスの焼
成温度よりも高い焼成温度を有するフリットガラスを用
いて接合層を構成することができる。Incidentally, the joining layer for joining the exhaust pipe to the first panel and / or the second panel must be made of a material which is not affected by the heating / adhering process. That is, in the manufacturing method according to the aspect 1B, the bonding layer is formed using a low-melting metal material having a melting point higher than the melting point of the low-melting metal material forming the adhesive layer, or frit glass having a high firing temperature. It is preferable to configure. In the manufacturing method according to the second aspect, the low-melting metal material having a melting point higher than the melting point of the low-melting metal material forming the first adhesive layer and the low-melting metal material forming the second adhesive layer; Alternatively, the bonding layer is preferably formed using frit glass having a high firing temperature. In the manufacturing method according to the aspect 3B, variations occur depending on the constituent material of the first adhesive layer. That is, when the first adhesive layer is made of a low-melting metal material, bonding is performed using a low-melting metal material having a melting point higher than that of the low-melting metal material or frit glass having a high firing temperature. Layers can be configured. When the whole or a part of the first adhesive layer is formed using frit glass, the bonding layer can be formed using frit glass having a firing temperature higher than the firing temperature of the frit glass.
【００４４】以上述べた本発明の第１あるいは第２の態
様に係る封止パネル装置、本発明の第１の態様〜第３の
態様に係る封止パネル装置の製造方法において、低融点
金属材料として、Ｉｎ（インジウム：融点１５７゜
Ｃ）；インジウム−金系の低融点合金；Ｓｎ80Ａｇ
20（融点２２０〜３７０゜Ｃ）、Ｓｎ95Ｃｕ5（融点２
２７〜３７０゜Ｃ）等の錫（Ｓｎ）系高温はんだ；Ｐｂ
97.5Ａｇ2.5（融点３０４゜Ｃ）、Ｐｂ94.5Ａｇ5.5（融
点３０４〜３６５゜Ｃ）、Ｐｂ97.5Ａｇ1.5Ｓｎ1.0（融
点３０９゜Ｃ）等の鉛（Ｐｂ）系高温はんだ；Ｚｎ95Ａ
ｌ5（融点３８０゜Ｃ）等の亜鉛（Ｚｎ）系高温はん
だ；Ｓｎ5Ｐｂ95（融点３００〜３１４゜Ｃ）、Ｓｎ2Ｐ
ｂ98（融点３１６〜３２２゜Ｃ）等の錫−鉛系標準はん
だ；Ａｕ88Ｇａ1 2（融点３８１゜Ｃ）等のろう材（以上
の添字は全て原子％を表す）を例示することができる。In the above-described method of manufacturing the sealing panel device according to the first or second aspect of the present invention and the method of manufacturing the sealing panel device according to the first to third aspects of the present invention, the low melting point metal material may be used. In (indium: melting point: 157 ° C.); indium-gold based low melting point alloy; Sn 80 Ag
20 (melting point 220-370 ° C.), Sn 95 Cu 5 (melting point 2
27-370 ° C.) Tin (Sn) based high temperature solder; Pb
Lead (Pb) -based high-temperature solder such as 97.5 Ag 2.5 (melting point 304 ° C.), Pb 94.5 Ag 5.5 (melting point 304-365 ° C.), Pb 97.5 Ag 1.5 Sn 1.0 (melting point 309 ° C.); Zn 95 A
l 5 (melting point 380 ° C) zinc such as (Zn) based high-temperature solder; Sn 5 Pb 95 (melting point 300-314 ° C), Sn 2 P
b 98 (melting point 316 to 322 ° C) tin, such as - lead-based standard solder; be exemplified Au 88 Ga 1 2 (melting point 381 ° C) brazing material, such as (or more subscript represents all atomic%) it can.
【００４５】本発明の封止パネル装置あるいはその製造
方法においては、低融点金属材料に対する濡れ性を改善
するための下地層を接着層形成予定部位に形成してもよ
い。接着層形成予定部位は、本発明の第１の態様に係る
封止パネル装置あるいは本発明の第１の態様に係る製造
方法においては、第１パネル及び／又は第２パネルに存
在する。第１の態様に係る製造方法においては、工程
（イ）に先立って下地層を形成する。本発明の第２の態
様に係る製造方法においては、接着層形成予定部位は、
第１パネル、枠体及び第２パネルのいずれかに存在す
る。本発明の第２の態様に係る製造方法においては、工
程（イ）に先立って下地層を形成する。更に、本発明の
第２の態様に係る封止パネル装置、あるいは本発明の第
３の態様に係る製造方法においては、接着層形成予定部
位は、第２パネル及び／又は枠体（使用する第１接着層
の材料に依っては、更に、第１パネル及び／又は枠体）
に存在する。第３の態様に係る製造方法においては、工
程（ロ）に先立って（第１パネル及び／又は枠体も対象
とする場合には工程（イ）に先立って）下地層を形成す
る。In the sealing panel device or the method of manufacturing the same according to the present invention, a base layer for improving the wettability with respect to the low melting point metal material may be formed at the portion where the adhesive layer is to be formed. In the sealing panel device according to the first aspect of the present invention or the manufacturing method according to the first aspect of the present invention, the site where the adhesive layer is to be formed exists on the first panel and / or the second panel. In the manufacturing method according to the first aspect, an underlayer is formed prior to step (a). In the manufacturing method according to the second aspect of the present invention, the portion where the adhesive layer is to be formed is:
It is present in any of the first panel, the frame, and the second panel. In the manufacturing method according to the second aspect of the present invention, an underlayer is formed prior to step (a). Furthermore, in the sealing panel device according to the second aspect of the present invention or the manufacturing method according to the third aspect of the present invention, the portion where the adhesive layer is to be formed is the second panel and / or the frame (the (1) Depending on the material of the adhesive layer, further, the first panel and / or frame)
Exists. In the manufacturing method according to the third aspect, an underlayer is formed prior to the step (b) (or the step (a) when the first panel and / or frame is also targeted) before the step (b).
【００４６】第１パネルや第２パネル、枠体の表面に対
する低融点金属材料の濡れ性が劣る場合、かかる下地層
を設けることにより、加熱前の下地層と接着層との位置
合わせ精度がそれ程高くなくても、加熱を経て最終的な
接着が終了した時点で低融点金属材料が自らの表面張力
により下地層の上に自己整合的に収斂し、最終的に下地
層と接着層とを正確に位置合わせできるというメリット
も得られる。下地層の構成材料としては、チタン（Ｔ
ｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、酸化銅（ＣｕＯ）を例示する
ことができる。下地層の厚さは０．１μｍ前後であれば
よい。尚、下地層の表面には自然酸化膜が成長する場合
があるので、接着層や第１接着層、第２接着層を形成す
る直前に、自然酸化膜を除去することが好適である。自
然酸化膜の除去は、エッチング法、超音波印加法等の公
知の方法で行うことができる。下地層の形成方法とし
て、スパッタ法、めっき法を例示することができる。When the low-melting-point metal material has poor wettability to the surfaces of the first panel, the second panel, and the frame, by providing such an underlayer, the positioning accuracy between the underlayer and the adhesive layer before heating is significantly reduced. Even if it is not high, when the final bonding is completed after heating, the low melting point metal material converges on the underlayer by self-alignment due to its own surface tension, and finally the underlayer and the adhesive layer are accurately aligned. The advantage that the position can be adjusted is obtained. As a constituent material of the underlayer, titanium (T
i), nickel (Ni), and copper oxide (CuO). The thickness of the underlayer may be about 0.1 μm. Since a natural oxide film may grow on the surface of the underlayer, it is preferable to remove the natural oxide film immediately before forming the adhesive layer, the first adhesive layer, and the second adhesive layer. The removal of the natural oxide film can be performed by a known method such as an etching method and an ultrasonic wave application method. Examples of the method of forming the underlayer include a sputtering method and a plating method.
【００４７】本発明の第２の態様に係る封止パネル装置
において、枠体は、第２内側接着層を保持する第２内側
凹部と、第２外側接着層を保持する第２外側凹部とを第
２パネルとの対向面に有していてもよい。尚、第２内側
凹部と第２外側凹部とを、単に「凹部」と総称する場合
がある。枠体の各辺の長手方向に垂直な断面で見た時の
凹部の断面形状や寸法については、特に限定されない
が、第２内側接着層と第２外側接着層とをそれぞれ保持
した時に、第２内側接着層及び第２外側接着層が共に第
２パネルと十分に接触し、しかも、凹部から過度にはみ
出さない程度の形状及び寸法が選択されていることが好
ましい。かかる選択により、第２内側接着層と第２外側
接着層との間の微小空間が発生せず（即ち、微小空間が
枠体で埋め込まれた状態となり）、封止パネル装置の製
造方法における両パネルの接着と真空排気とのタイミン
グ選択の自由度が増す。尚、第１接着層も低融点金属材
料により構成され、しかも該第１接着層が第１内側接着
層と第１外側接着層とから構成される場合には、枠体の
第１接着層側にも、同様の凹部を設けることができる。
即ち、枠体は、第１内側接着層を保持する第１内側凹部
と、第１外側接着層を保持する第１外側凹部とを有して
いてもよい。In the sealing panel device according to the second aspect of the present invention, the frame includes a second inner concave portion holding the second inner adhesive layer and a second outer concave portion holding the second outer adhesive layer. It may be provided on the surface facing the second panel. Note that the second inner concave portion and the second outer concave portion may be simply referred to as “recess portions”. The cross-sectional shape and dimensions of the concave portion when viewed in a cross section perpendicular to the longitudinal direction of each side of the frame are not particularly limited, but when holding the second inner adhesive layer and the second outer adhesive layer, It is preferable that the shape and dimensions are selected such that both the inner adhesive layer and the second outer adhesive layer are in sufficient contact with the second panel and do not excessively protrude from the recess. By such a selection, a minute space between the second inner adhesive layer and the second outer adhesive layer is not generated (that is, the minute space is embedded in the frame), and both are used in the method of manufacturing the sealed panel device. The degree of freedom in selecting the timing of panel bonding and evacuation is increased. When the first adhesive layer is also made of a low-melting metal material and the first adhesive layer is made up of a first inner adhesive layer and a first outer adhesive layer, the first adhesive layer side of the frame body may be used. A similar concave portion can be provided in the second embodiment.
That is, the frame body may have a first inner concave portion holding the first inner adhesive layer and a first outer concave portion holding the first outer adhesive layer.
【００４８】本発明の第２の態様に係る製造方法におい
ては、枠体に、第１内側接着層を保持する第１内側凹部
と第１外側接着層を保持する第１外側凹部とを第１パネ
ルとの対向面に形成しておくか、第２内側接着層を保持
する第２内側凹部と第２外側接着層を保持する第２外側
凹部とを第２パネルとの対向面に形成しておくか、若し
くは、第１内側接着層を保持する第１内側凹部と第１外
側接着層を保持する第１外側凹部とを第１パネルとの対
向面に形成し、且つ、第２内側接着層を保持する第２内
側凹部と第２外側接着層を保持する第２外側凹部とを第
２パネルとの対向面に形成しておくことができる。凹部
の寸法や形状については、前述の通りである。[0048] In the manufacturing method according to the second aspect of the present invention, the frame includes a first inner concave portion holding the first inner adhesive layer and a first outer concave portion holding the first outer adhesive layer. A second inner concave portion holding the second inner adhesive layer and a second outer concave portion holding the second outer adhesive layer are formed on the surface facing the second panel. Alternatively, a first inner concave portion holding the first inner adhesive layer and a first outer concave portion holding the first outer adhesive layer are formed on the surface facing the first panel, and the second inner adhesive layer is formed. And a second outer concave portion holding the second outer adhesive layer can be formed on a surface facing the second panel. The dimensions and shape of the recess are as described above.
【００４９】本発明の第３の態様に係る製造方法におい
ては、第２内側接着層と第２外側接着層とから成る第２
接着層が低融点金属材料から構成されるので、枠体に
は、第２内側接着層を保持する第２内側凹部と第２外側
接着層を保持する第２外側凹部とを第２パネルとの対向
面に形成しておくことができる。凹部の寸法や形状につ
いては、前述の通りである。尚、第１接着層も低融点金
属材料により構成され、しかも該第１接着層が第１内側
接着層と第１外側接着層とから構成される場合には、枠
体の第１パネルとの対向面にも、同様の凹部を設けるこ
とができる。即ち、枠体は、第１内側接着層を保持する
第１内側凹部と、第１外側接着層を保持する第１外側凹
部とを第１パネルとの対向面に有していてもよい。尚、
本発明の第１の態様〜第３の態様に係る製造方法におい
て、かかる凹部を有する枠体に前述の下地層を形成する
場合、接着層形成予定部位は凹部の壁面となるので、該
壁面に下地層を形成すればよい。かかる壁面に下地層を
形成した枠体を使用する場合、第１パネルや第２パネル
にも下地層が形成されていてもよい。[0049] In the manufacturing method according to the third aspect of the present invention, the second method comprises the second inner adhesive layer and the second outer adhesive layer.
Since the adhesive layer is made of a low-melting metal material, the frame has a second inner concave portion for holding the second inner adhesive layer and a second outer concave portion for holding the second outer adhesive layer. It can be formed on the facing surface. The dimensions and shape of the recess are as described above. In addition, when the first adhesive layer is also made of a low-melting metal material, and when the first adhesive layer is made up of the first inner adhesive layer and the first outer adhesive layer, the first adhesive layer is not connected to the first panel of the frame. A similar concave portion can be provided on the facing surface. That is, the frame may have a first inner concave portion holding the first inner adhesive layer and a first outer concave portion holding the first outer adhesive layer on the surface facing the first panel. still,
In the manufacturing method according to the first to third aspects of the present invention, when the above-described base layer is formed on the frame having the concave portion, the portion where the adhesive layer is to be formed is the wall surface of the concave portion. An underlayer may be formed. When using a frame having an underlayer formed on such a wall surface, the underlayer may be formed on the first panel and the second panel.
【００５０】本発明の製造方法においては、接着層や第
１接着層、第２接着層の表面に自然酸化膜が成長する場
合があるので、加熱による接着を行う直前に、自然酸化
膜を除去することが好適である。自然酸化膜の除去は、
例えば、希塩酸を用いたウェットエッチング法、塩素系
ガスを用いたドライエッチング法、超音波印加法等の公
知の方法で行うことができる。In the manufacturing method of the present invention, a natural oxide film may grow on the surface of the adhesive layer, the first adhesive layer, and the second adhesive layer. It is preferred to do so. Removal of the native oxide film
For example, it can be performed by a known method such as a wet etching method using diluted hydrochloric acid, a dry etching method using a chlorine-based gas, and an ultrasonic wave application method.
【００５１】本発明における第１パネルあるいは第２パ
ネルは、少なくとも表面が絶縁性部材より構成されてい
ればよく、ガラス基板、表面に絶縁層が形成されたガラ
ス基板、石英基板、表面に絶縁層が形成された石英基
板、表面に絶縁膜が形成された半導体基板を用いること
ができる。The first panel or the second panel according to the present invention only needs to have at least a surface made of an insulating member. A glass substrate, a glass substrate having an insulating layer formed on the surface, a quartz substrate, and an insulating layer formed on the surface Can be used, and a semiconductor substrate having an insulating film formed on the surface thereof can be used.
【００５２】本発明の第１あるいは第２の態様に係る封
止パネル装置、本発明の第１の態様〜第３の態様に係る
封止パネル装置の製造方法において、封止パネル装置
は、例えば、第１パネルは、基板、並びに、該基板上に
形成されたアノード電極及び蛍光体層から成り、第２パ
ネルは、支持体、並びに、該支持体上に形成され、アノ
ード電極と蛍光体層とに対向した冷陰極電界電子放出部
（以下、単に電子放出部と称する）から成り、電子放出
部から放出された電子が蛍光体層に衝突して該蛍光体層
が発光する構成とすることができる。尚、このような構
造の封止パネル装置を、以下、冷陰極電界電子放出型表
示装置と呼び、場合によっては、単に表示装置と呼ぶ。In the method for manufacturing the sealed panel device according to the first or second aspect of the present invention and the sealed panel device according to the first to third aspects of the present invention, the sealed panel device may be, for example, , The first panel includes a substrate, and an anode electrode and a phosphor layer formed on the substrate. The second panel includes a support, and the anode electrode and the phosphor layer formed on the support. And a cold cathode field electron emission portion (hereinafter, simply referred to as an electron emission portion) opposed to the electron emission portion, wherein electrons emitted from the electron emission portion collide with the phosphor layer and the phosphor layer emits light. Can be. Note that the sealing panel device having such a structure is hereinafter referred to as a cold cathode field emission display device, and in some cases, is simply referred to as a display device.
【００５３】この場合、本発明の第１の態様に係る封止
パネル装置、本発明の第１の態様に係る封止パネル装置
の製造方法において、第１パネルと第２パネルとは互い
に交換可能である。また、本発明の第２の態様に係る封
止パネル装置、本発明の第２若しくは第３の態様に係る
封止パネル装置の製造方法においては、第１パネルと第
２パネルとを交換すると同時に、第１接着層と第２接着
層とを交換してもよい。In this case, in the sealed panel device according to the first aspect of the present invention and the method for manufacturing the sealed panel device according to the first aspect of the present invention, the first panel and the second panel are interchangeable. It is. Further, in the sealed panel device according to the second aspect of the present invention and the method for manufacturing the sealed panel device according to the second or third aspect of the present invention, the first panel and the second panel are exchanged at the same time. The first and second adhesive layers may be exchanged.
【００５４】表示装置を構成する電子放出部は１つある
いは複数の電界放出素子から成る。電界放出素子として
は、公知の如何なる型式の電界放出素子をも用いること
ができ、所謂スピント型電界放出素子、エッジ型電界放
出素子、及び、平面型電界放出素子の形式を例示するこ
とができる。尚、電子放出部は、複数（例えば、数十乃
至千個程度）のスピント型電界放出素子、あるいは、複
数（例えば、数十乃至数百個程度）のエッジ型電界放出
素子、あるいは、１つ若しくは複数の平面型電界放出素
子から構成することができる。The electron-emitting portion of the display device comprises one or a plurality of field emission devices. As the field emission device, any known type of field emission device can be used, and examples thereof include a so-called Spindt type field emission device, edge type field emission device, and flat type field emission device. Note that the electron-emitting portion includes a plurality (for example, about several tens to 1,000) of Spindt-type field emission elements, a plurality of (for example, about several tens to several hundred) edge-type field emission elements, or one electron emission section. Alternatively, it can be composed of a plurality of planar field emission devices.
【００５５】[0055]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、発明の実
施の形態（以下、実施の形態と略称する）に基づき本発
明を説明するが、それに先立ち、スピント型電界放出素
子、エッジ型電界放出素子、及び、平面型電界放出素子
の概要を説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described based on embodiments of the present invention (hereinafter, abbreviated as embodiments) with reference to the drawings. The outline of the field emission device and the planar type field emission device will be described.
【００５６】スピント型電界放出素子の構造を図２１に
示す。即ち、スピント型電界放出素子は、支持体５１上
に形成されたカソード電極５２、カソード電極５２上を
含む支持体５１上に形成された絶縁層５３、絶縁層５３
上に形成されたゲート電極５４、ゲート電極５４及び絶
縁層５３を貫通した開口部５５、並びに、開口部５５の
底部に位置するカソード電極５２上に形成された錐状形
状を有する電子放出電極５６から構成されており、電子
放出電極５６の先端部（電子放出領域）から電子が放出
される。FIG. 21 shows the structure of the Spindt-type field emission device. That is, the Spindt-type field emission device includes a cathode electrode 52 formed on a support 51, an insulating layer 53 formed on the support 51 including the cathode electrode 52, and an insulating layer 53.
A gate electrode 54 formed thereon, an opening 55 penetrating the gate electrode 54 and the insulating layer 53, and a conical electron emission electrode 56 formed on the cathode electrode 52 located at the bottom of the opening 55. , And electrons are emitted from the tip (electron emission region) of the electron emission electrode 56.
【００５７】エッジ型電界放出素子の模式的な一部端面
図を、図２２の（Ａ）に示す。このエッジ型電界放出素
子は、支持体６１上に形成された第１絶縁層６３、第１
絶縁層６３上に形成された電子放出層６４、電子放出層
６４上を含む第１絶縁層６３上に形成された第２絶縁層
６５、第２絶縁層６５上に形成されたゲート電極６６、
並びに、少なくとも、ゲート電極６６、第２絶縁層６５
及び電子放出層６４を貫通した開口部６８から成り、開
口部６８の壁面から突出した電子放出層６４の端部６４
Ａ（電子放出領域）から電子が放出される。尚、このよ
うな構成のエッジ型電界放出素子を、便宜上、第１の構
造のエッジ型電界放出素子と呼ぶ。FIG. 22A is a schematic partial end view of the edge type field emission device. The edge type field emission device includes a first insulating layer 63 formed on a support 61,
An electron emission layer 64 formed on the insulation layer 63, a second insulation layer 65 formed on the first insulation layer 63 including the electron emission layer 64, a gate electrode 66 formed on the second insulation layer 65,
And at least the gate electrode 66 and the second insulating layer 65
And an opening 64 penetrating the electron emission layer 64, and an end 64 of the electron emission layer 64 protruding from a wall surface of the opening 68.
Electrons are emitted from A (electron emission region). The edge-type field emission device having such a configuration is referred to as an edge-type field emission device having the first structure for convenience.
【００５８】エッジ型電界放出素子の変形例の模式的な
一部端面図を、図２２の（Ｂ）に示す。このエッジ型電
界放出素子は、支持体６１上に形成された第１ゲート電
極６２、第１ゲート電極６２上を含む支持体６１上に形
成された第１絶縁層６３、第１絶縁層６３上に形成され
た電子放出層６４、電子放出層６４上を含む第１絶縁層
６３上に形成された第２絶縁層６５、第２絶縁層６５上
に形成された第２ゲート電極６７、並びに、第２ゲート
電極６７、第２絶縁層６５、電子放出層６４及び第１絶
縁層６３を貫通し、底部に第１ゲート電極６２の表面が
露出した開口部６８から成り、開口部６８の壁面から突
出した電子放出層６４の端部６４Ａ（電子放出領域）か
ら電子が放出される。このような構成のエッジ型電界放
出素子を、便宜上、第２の構造のエッジ型電界放出素子
と呼ぶ。第２の構造のエッジ型電界放出素子において
は、電子放出層６４の下方に第１ゲート電極６２が設け
られているので、第１の構造のエッジ型電界放出素子と
比較して、開口部６８の壁面から突出した電子放出層６
４の端部６４Ａの近傍に一層高強度の電界を形成するこ
とができる。FIG. 22B is a schematic partial end view of a modified example of the edge type field emission device. The edge type field emission device includes a first gate electrode 62 formed on a support 61, a first insulating layer 63 formed on the support 61 including the first gate electrode 62, and a first gate electrode 62 on the first insulating layer 63. Electron emitting layer 64 formed on the first insulating layer 63 including on the electron emitting layer 64, a second gate electrode 67 formed on the second insulating layer 65, and An opening 68 penetrates through the second gate electrode 67, the second insulating layer 65, the electron emission layer 64, and the first insulating layer 63, and has a bottom surface on which the surface of the first gate electrode 62 is exposed. Electrons are emitted from the protruding end portion 64A (electron emission region) of the electron emission layer 64. The edge-type field emission device having such a configuration is referred to as an edge-type field emission device having a second structure for convenience. In the edge type field emission device having the second structure, since the first gate electrode 62 is provided below the electron emission layer 64, the opening 68 is smaller than the edge type field emission device having the first structure. Emission layer 6 protruding from the wall
A higher intensity electric field can be formed in the vicinity of the end 64A.
【００５９】平面型電界放出素子の模式的な一部端面図
を、図２３に示す。この平面型電界放出素子は、支持体
７１上に形成された電子放出層７２、電子放出層７２上
を含む支持体７１上に形成された絶縁層７３、絶縁層７
３上に形成されたゲート電極７４、並びに、ゲート電極
７４及び絶縁層７３を貫通し、底部に電子放出層７２の
表面が露出した開口部７５から成り、開口部７５の底部
に露出した電子放出層７２の表面（電子放出領域）から
電子が放出される。開口部７５の底部に露出した電子放
出層７２が電子放出領域に相当する。FIG. 23 is a schematic partial end view of the flat field emission device. The flat field emission device includes an electron emission layer 72 formed on a support 71, an insulating layer 73 formed on the support 71 including the electron emission layer 72, and an insulating layer 7.
3, an opening 75 which penetrates through the gate electrode 74 and the insulating layer 73, and has a bottom surface on which the surface of the electron emission layer 72 is exposed, and an electron emission surface which is exposed on the bottom of the opening 75. Electrons are emitted from the surface of the layer 72 (electron emission region). The electron emission layer 72 exposed at the bottom of the opening 75 corresponds to an electron emission region.
【００６０】スピント型電界放出素子における電子放出
電極５６は、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タ
ンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍ
ｏ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃ
ｕ）等の金属又はこれらの金属元素を含む合金を用いて
形成することができるが、中でも所謂高融点金属あるい
はその合金を用いて形成することが好ましい。電子放出
電極５６は、例えば、蒸着法やスパッタ法によって形成
することができる。The electron emission electrode 56 in the Spindt-type field emission device is made of tungsten (W), niobium (Nb), tantalum (Ta), titanium (Ti), molybdenum (M
o), chromium (Cr), aluminum (Al), copper (C
Although it can be formed using a metal such as u) or an alloy containing these metal elements, it is particularly preferable to use a so-called high melting point metal or an alloy thereof. The electron emission electrode 56 can be formed by, for example, an evaporation method or a sputtering method.
【００６１】エッジ型電界放出素子あるいは平面型電界
放出素子における電子放出層６４，７２は、典型的に
は、タングステン（Ｗ）やタンタル（Ｔａ）、チタン
（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、ある
いはこれらの化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳ
ｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイ
ド）、あるいはダイヤモンド等の半導体から構成するこ
とができる。電子放出層６４，７２の形成方法として、
蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、イオン・プレーティン
グ法、印刷法、メッキ法等、通常の薄膜作製プロセスを
利用できる。電子放出層６４，７２の厚さは、おおよそ
０．０５〜０．５μｍ、好ましくは０．１〜０．３μｍ
の範囲とすることが望ましいが、かかる範囲に限定する
ものではない。電子放出層６４，７２を構成する材料
は、ゲート電極を構成する材料と同じであっても、異な
っていてもよい。The electron emission layers 64 and 72 in the edge type field emission device or the flat type field emission device are typically made of tungsten (W), tantalum (Ta), titanium (Ti), molybdenum (Mo), chromium ( Cr) or a compound thereof (for example, nitride such as TiN, WS
i 2, MoSi 2, TiSi 2 , TaSi 2 , etc. silicides), or can be composed of a semiconductor such as diamond. As a method of forming the electron emission layers 64 and 72,
Usual thin film production processes such as vapor deposition, sputtering, CVD, ion plating, printing, and plating can be used. The thickness of the electron emission layers 64 and 72 is approximately 0.05 to 0.5 μm, preferably 0.1 to 0.3 μm.
Is desirable, but it is not limited to such a range. The material forming the electron emission layers 64 and 72 may be the same as or different from the material forming the gate electrode.
【００６２】スピント型電界放出素子におけるカソード
電極５２、ゲート電極５４、エッジ型電界放出素子にお
けるゲート電極６６、若しくは、第１ゲート電極６２、
第２ゲート電極６７、平面型電界放出素子におけるゲー
ト電極７４を構成する材料として、タングステン
（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデ
ン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、
銅（Ｃｕ）等の金属、これらの金属元素を含む合金ある
いは化合物、あるいはシリコン（Ｓｉ）等の半導体やダ
イヤモンド、カーボンを例示することができる。尚、第
これらの電極を構成する材料を、同一の材料としてもよ
いし、同種材料としてもよいし、異種の材料としてもよ
い。これらの電極の形成方法として、蒸着法、スパッタ
法、ＣＶＤ法、イオン・プレーティング法、印刷法、メ
ッキ法等、通常の薄膜作製プロセスを利用できる。The cathode electrode 52 and the gate electrode 54 in the Spindt-type field emission device, the gate electrode 66 or the first gate electrode 62 in the edge type field emission device,
Tungsten (W), niobium (Nb), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), chromium (Cr), aluminum (Al) are used as materials for forming the second gate electrode 67 and the gate electrode 74 in the planar field emission device. ,
Examples thereof include metals such as copper (Cu), alloys or compounds containing these metal elements, semiconductors such as silicon (Si), diamond, and carbon. The materials constituting the first and second electrodes may be the same material, the same material, or different materials. As a method for forming these electrodes, an ordinary thin film production process such as a vapor deposition method, a sputtering method, a CVD method, an ion plating method, a printing method, and a plating method can be used.
【００６３】絶縁層５３、第１絶縁層６３、第２絶縁層
６５、絶縁層７３の構成材料としては、ＳｉＯ2、Ｓｉ
Ｎ、ＳｉＯＮ、ガラス・ペースト硬化物を単独あるいは
適宜積層して使用することができ、製膜には、ＣＶＤ
法、塗布法、スパッタ法、印刷法等の公知のプロセスが
利用できる。The constituent materials of the insulating layer 53, the first insulating layer 63, the second insulating layer 65, and the insulating layer 73 are SiO 2 , Si
N, SiON, or cured glass paste can be used alone or appropriately laminated.
Known processes such as a method, a coating method, a sputtering method, and a printing method can be used.
【００６４】支持体５１，６１，７１は、少なくとも表
面が絶縁性を有する材料から構成されていればよく、ガ
ラス基板、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板、石英
基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁
膜が形成された半導体基板を挙げることができる。The supports 51, 61, and 71 only need to be made of a material having at least a surface having an insulating property. A formed quartz substrate and a semiconductor substrate having an insulating film formed on a surface thereof can be given.
【００６５】本発明においては、ゲート電極や第２ゲー
ト電極上を含む全面に更に層間絶縁層を形成し、かかる
層間絶縁層上にフォーカス電極を形成する構成とするこ
ともできる。この場合、層間絶縁層には開口部に連通す
る第２開口部が設けられている。フォーカス電極は、ア
ノード電極へ向かう電子の軌道を収束させ、以て、輝度
の向上や隣接画素間の色濁りの防止を可能とするための
電極であり、カソード・パネルとアノード・パネルとの
間の距離が比較的長い表示装置を想定した場合に、特に
有効な電極である。フォーカス電極は、必ずしも各電界
放出素子毎に設ける必要はなく、例えば、電界放出素子
の所定の配列方向に沿って配設することにより、複数の
電界放出素子に共通の収束効果を及ぼすこともできる。
従って、層間絶縁層に設けられる第２開口部は、必ずし
もフォーカス電極を構成する材料層に設けられている必
要はない。第２開口部の平面形状は、フォーカス電極の
構成に依り、開口部の平面形状と合同又は相似としても
よいし、異なっていてもよい。In the present invention, an interlayer insulating layer may be further formed on the entire surface including the gate electrode and the second gate electrode, and a focus electrode may be formed on the interlayer insulating layer. In this case, a second opening communicating with the opening is provided in the interlayer insulating layer. The focus electrode is an electrode that converges the trajectory of electrons toward the anode electrode, thereby improving luminance and preventing color turbidity between adjacent pixels. This electrode is particularly effective when a display device having a relatively long distance is assumed. The focus electrode does not necessarily need to be provided for each field emission device. For example, by disposing the focus electrodes along a predetermined arrangement direction of the field emission devices, a common convergence effect can be exerted on a plurality of field emission devices. .
Therefore, the second opening provided in the interlayer insulating layer does not necessarily need to be provided in the material layer forming the focus electrode. The planar shape of the second opening may be the same as or similar to the planar shape of the opening, or may be different, depending on the configuration of the focus electrode.
【００６６】（実施の形態１）実施の形態１は、本発明
の第１の態様に係る封止パネル装置、並びに、第１Ａ及
び第１Ｂの態様を含む本発明の第１の態様に係る封止パ
ネル装置の製造方法に関する。実施の形態１に係る封止
パネル装置の概念図を図１に示し、この封止パネル装置
を適用して構成された冷陰極電界電子放出型の表示装置
の模式的断面図を図２に示し、係る表示装置の一部を拡
大して模式的に示す分解斜視図を図３に示す。また、第
１の態様に係る封止パネル装置の製造方法を図４に示
し、第１Ａの態様に係る封止パネル装置の製造方法の工
程図を図５に示し、第１Ｂの態様に係る封止パネル装置
の製造方法の工程図を図６に示す。(Embodiment 1) Embodiment 1 is directed to a sealing panel device according to the first embodiment of the present invention, and a sealing panel device according to the first embodiment of the present invention including Embodiments 1A and 1B. The present invention relates to a method for manufacturing a stop panel device. FIG. 1 is a conceptual diagram of a sealing panel device according to Embodiment 1, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a cold cathode field emission display device configured by applying the sealing panel device. FIG. 3 is an exploded perspective view schematically showing an enlarged part of the display device. Further, FIG. 4 shows a method for manufacturing the sealed panel device according to the first embodiment, FIG. 5 shows a process diagram of the method for manufacturing the sealed panel device according to the first embodiment A, and FIG. FIG. 6 shows a process chart of a method of manufacturing the stop panel device.
【００６７】図１に、実施の形態１の封止パネル装置の
概念的な構成を示す。図１の（Ａ）は模式的断面図、図
１の（Ｂ）は模式的な分解斜視図である。矩形形状を有
する第１パネルＰ１と第２パネルＰ２とは、周縁部にお
いて接着層３０ｍによって接着され、第１パネルＰ１と
第２パネルＰ２と接着層３０ｍとによって囲まれた空間
が真空（ＶＡＣ）にされている。接着層３０ｍは、外側
接着層３０Ａと、該外側接着層３０Ａから離間した内側
接着層３０Ｂとから成り、低融点金属材料から成る。従
って、内側接着層が正常な状態に維持される限りにおい
て、より具体的には、第１パネルＰ１と第２パネルＰ２
と内側接着層３０Ｂとによって囲まれた空間が真空（Ｖ
ＡＣ）に維持されている。図１の（Ｂ）では、図示を簡
略化するために、接着層３０ｍの厚みを省略し、形成部
位のみをハッチングで示している。尚、本明細書におい
て、接着層を表す符号３０ｍの添字ｍは、低融点金属材
料から成ることを表す際に用いる。第１パネルＰ１と第
２パネルＰ２との対向距離は、接着層３０ｍの厚さによ
って決定されている。FIG. 1 shows a conceptual configuration of the sealing panel device according to the first embodiment. 1A is a schematic sectional view, and FIG. 1B is a schematic exploded perspective view. The first panel P1 and the second panel P2 each having a rectangular shape are bonded by an adhesive layer 30m at a peripheral portion, and a space surrounded by the first panel P1, the second panel P2, and the adhesive layer 30m is a vacuum (VAC). Has been. The adhesive layer 30m includes an outer adhesive layer 30A and an inner adhesive layer 30B separated from the outer adhesive layer 30A, and is made of a low melting point metal material. Therefore, as long as the inner adhesive layer is maintained in a normal state, more specifically, the first panel P1 and the second panel P2
And a space surrounded by the inner adhesive layer 30B is a vacuum (V
AC). In FIG. 1B, for simplicity of illustration, the thickness of the adhesive layer 30m is omitted, and only the formation site is indicated by hatching. In this specification, the suffix m of the reference numeral 30m representing the adhesive layer is used to indicate that the adhesive layer is made of a low melting point metal material. The facing distance between the first panel P1 and the second panel P2 is determined by the thickness of the adhesive layer 30m.
【００６８】図２に、実施の形態１の封止パネル装置を
表示装置に適用した例を示す。また、図３には表示装置
の一部分を拡大して示す。第１パネルＰ１は、基板１
０、並びに、該基板１０上に形成されたアノード電極１
３及び３原色の蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから成
る。個々の蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは一例とし
て矩形形状を有しており、所定の規則的なパターンに従
って配列されている。隣接する蛍光体層１２Ｒ，１２
Ｇ，１２Ｂの間は、カーボン等の光吸収性材料から成る
ブラック・マトリクス１１で埋め込まれ、表示画像の色
濁りが防止されている。図２及び図３では、基板１０上
において蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂがアノード電
極１３に被覆されているが、積層順を逆にしても構わな
い。但し、逆とした場合、表示装置の観察面側から見て
アノード電極１３が蛍光体層１２の手前に来るため、ア
ノード電極１３をＩＴＯ（インジウム・錫酸化物）等の
透明導電材料にて構成する必要がある。FIG. 2 shows an example in which the sealing panel device according to the first embodiment is applied to a display device. FIG. 3 shows an enlarged part of the display device. The first panel P1 includes the substrate 1
0, and the anode electrode 1 formed on the substrate 10
It is composed of phosphor layers 12R, 12G, and 12B of three and three primary colors. Each of the phosphor layers 12R, 12G, and 12B has a rectangular shape as an example, and is arranged according to a predetermined regular pattern. Adjacent phosphor layers 12R, 12
The gap between G and 12B is filled with a black matrix 11 made of a light-absorbing material such as carbon to prevent color turbidity of a displayed image. 2 and 3, the phosphor layers 12R, 12G, and 12B are covered with the anode electrode 13 on the substrate 10, but the stacking order may be reversed. However, when reversed, the anode electrode 13 is located in front of the phosphor layer 12 when viewed from the observation surface side of the display device. There is a need to.
【００６９】第２パネルＰ２は、支持体２０、並びに、
該支持体２０上に形成され、アノード電極１３と蛍光体
層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂとに対向した電子放出部から
成る。電子放出部を構成する電界放出素子は、一方向に
設けられた帯状のカソード電極２１と、絶縁層２２と、
絶縁層２２上に形成され、カソード電極２１と直交する
方向に帯状に形成されたゲート電極２３と、カソード電
極２１とゲート電極２３との重複領域においてゲート電
極２３及び絶縁層２２に設けられた円形の開口部２５内
に配された電子放出領域から構成される。図２に示す表
示装置においては、開口部２５の底面に露出したカソー
ド電極２１の部分が電子放出領域として機能する、所謂
平面型の電界放出素子（詳細は図２３参照）が例示され
ているが、他の型式の電界放出素子であっても勿論構わ
ない。例えば、カソード電極２１上に導電材料から成る
円錐形の電子放出領域が形成されていれば、所謂スピン
ト型の電界放出素子（詳細は図２１参照）となる。ま
た、絶縁層に埋め込まれた導電材料層を有し、この導電
材料層の開口部内における露出端部が電子放出領域とさ
れていれば、これは所謂エッジ型の電界放出素子（詳細
は図２２参照）となる。The second panel P2 includes a support 20 and
An electron emission portion is formed on the support 20 and faces the anode electrode 13 and the phosphor layers 12R, 12G, and 12B. The field emission device constituting the electron emission portion includes a strip-shaped cathode electrode 21 provided in one direction, an insulating layer 22,
A gate electrode 23 formed on the insulating layer 22 and formed in a band shape in a direction orthogonal to the cathode electrode 21; and a circular shape provided on the gate electrode 23 and the insulating layer 22 in an overlapping region of the cathode electrode 21 and the gate electrode 23. Is formed in the electron emission region arranged in the opening 25. In the display device illustrated in FIG. 2, a so-called flat field emission device (see FIG. 23 for details) in which a portion of the cathode electrode 21 exposed on the bottom surface of the opening 25 functions as an electron emission region is illustrated. Of course, other types of field emission devices may be used. For example, if a conical electron emission region made of a conductive material is formed on the cathode electrode 21, a so-called Spindt-type field emission device (see FIG. 21 for details) is obtained. Further, if a conductive material layer embedded in an insulating layer is provided and an exposed end portion in an opening of the conductive material layer is an electron emission region, this is a so-called edge type field emission device (see FIG. 22 for details). Reference).
【００７０】尚、図２では１画素の領域内に開口部が１
つだけ図示されているが、実際には、図３のように、複
数の開口部２５が形成される場合が多い。但し、本発明
の封止パネル装置は、図２及び図３に何ら限定されるも
のではない。例えば、図３では、１画素の領域内に開口
部２５が１６個形成されているが、勿論これは例示に過
ぎず、実際には数千個にも及ぶ場合がある。また、アノ
ード電極１３とカソード電極２１とゲート電極２３の形
成方向や、開口部２５の形状も任意である。In FIG. 2, one opening is provided in one pixel region.
Although only one is shown, in practice, a plurality of openings 25 are often formed as shown in FIG. However, the sealing panel device of the present invention is not limited to FIGS. 2 and 3 at all. For example, in FIG. 3, 16 openings 25 are formed in one pixel region. However, this is merely an example, and may be as many as thousands in actuality. The direction in which the anode electrode 13, the cathode electrode 21, and the gate electrode 23 are formed, and the shape of the opening 25 are also arbitrary.
【００７１】カソード電極２１には走査回路１０３から
相対的に負電圧が印加され、ゲート電極２３には制御回
路１０２から相対的に正電圧が印加され、アノード電極
１３にはゲート電極２３よりも更に高い正電圧が加速電
源１０１から印加される。表示装置において情報表示を
行う場合、制御回路１０２にはビデオ信号、走査回路１
０３には走査信号が入力される。カソード電極２１とゲ
ート電極２３とに電圧を印加した際に生ずる電界によ
り、電子放出領域から電子ｅが放出される。この電子ｅ
が、アノード電極１３に引き付けられて蛍光体層１２
Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂに衝突すると、蛍光体層１２Ｒ，１
２Ｇ，１２Ｂが発光し、所望の表示を得ることができ
る。この表示装置の動作は、基本的にゲート電極２３に
印加される電圧によって制御される。尚、加速電源１０
１に対する接続端子を形成するためにアノード電極１３
を外部に導出する部分には、低融点金属材料から成る接
着層３０ｍとアノード電極１３とを絶縁するための絶縁
層１４が形成されている。また、制御回路１０２に対す
る接続端子を形成するためにゲート電極２３を外部に導
出する部分には、接着層３０ｍとゲート電極２３とを絶
縁するための絶縁層２４が形成されている。それ以外の
部分の構造は、図２に示した表示装置の向かって右側に
示した接着層３０ｍと同様の構造とすることができる。A relatively negative voltage is applied to the cathode electrode 21 from the scanning circuit 103, a relatively positive voltage is applied to the gate electrode 23 from the control circuit 102, and the anode electrode 13 is further applied than the gate electrode 23. A high positive voltage is applied from the acceleration power supply 101. When displaying information on the display device, the control circuit 102 includes a video signal and a scanning circuit 1.
03 receives a scanning signal. Electrons e are emitted from the electron emission region by an electric field generated when a voltage is applied to the cathode electrode 21 and the gate electrode 23. This electron e
Is attracted to the anode electrode 13 and the phosphor layer 12
R, 12G, and 12B collide with the phosphor layers 12R, 1R.
2G and 12B emit light, and a desired display can be obtained. The operation of the display device is basically controlled by the voltage applied to the gate electrode 23. The acceleration power supply 10
Anode 13 to form a connection terminal for
The insulating layer 14 for insulating the adhesive layer 30m made of a low-melting metal material and the anode electrode 13 is formed at a portion where the lead is led out. In addition, an insulating layer 24 for insulating the adhesive layer 30m and the gate electrode 23 is formed in a portion where the gate electrode 23 is led out to form a connection terminal for the control circuit 102. The structure of the other part can be the same as the structure of the adhesive layer 30m shown on the right side of the display device shown in FIG.
【００７２】以下、上述した封止パネル装置の製造方法
を、図４を参照して説明する。この製造方法は、本発明
の第１の態様に係る製造方法であり、図４の（Ａ）乃至
（Ｄ）は第１パネルＰ１と第２パネルＰ２の周縁部に低
融点金属材料から成る接着層３０ｍを形成あるいは配置
する際のパターン、図４の（Ｅ）は加熱・接着工程を示
す。図４の（Ａ）では、加熱前の接着層３０ｍは、第１
パネルＰ１側のみに形成又は配置され、図４の（Ｂ）で
は第２パネルＰ２側のみに形成又は配置されている。ま
た、図４の（Ｃ）では、外側接着層３０Ａが第１パネル
Ｐ１に形成され、内側接着層３０Ｂが第２パネルＰ２に
形成されている。尚、図４の（Ｃ）において、第１パネ
ルＰ１と第２パネルＰ２を交換しても構わない。接着層
３０ｍを構成する低融点金属材料が第１パネルＰ１又は
第２パネルＰ２に対して十分な濡れ性を有していれば、
図４の（Ａ）〜（Ｃ）に示したような一方のパネル側の
みにおける形成又は配置で一向に構わない。一方、図４
の（Ｄ）に示すように第１パネルＰ１と第２パネルＰ２
の双方に加熱前の接着層３０ｍを形成又は配置すると、
低融点金属材料の濡れ性が不足する場合のパネルの接着
不良を低減させることができ、また、パネル間の対向距
離もある程度大きく確保することができる。尚、図４の
（Ｃ）に示したパターンにおいて、外側接着層３０Ａと
内側接着層３０Ｂのいずれか一方を、第１パネルＰ１と
第２パネルＰ２の双方に形成あるいは配置してもよい。Hereinafter, a method of manufacturing the above-described sealing panel device will be described with reference to FIG. This manufacturing method is a manufacturing method according to the first aspect of the present invention, and FIGS. 4A to 4D show a method of bonding a peripheral portion of a first panel P1 and a second panel P2 made of a low melting point metal material. FIG. 4E shows a pattern for forming or arranging the layer 30m, and shows a heating / adhering step. In FIG. 4A, the adhesive layer 30m before the heating is the first adhesive layer.
It is formed or arranged only on the panel P1 side, and is formed or arranged only on the second panel P2 side in FIG. In FIG. 4C, the outer adhesive layer 30A is formed on the first panel P1, and the inner adhesive layer 30B is formed on the second panel P2. In FIG. 4C, the first panel P1 and the second panel P2 may be exchanged. If the low melting point metal material forming the adhesive layer 30m has sufficient wettability to the first panel P1 or the second panel P2,
The formation or arrangement on only one of the panels as shown in FIGS. 4A to 4C may be used. On the other hand, FIG.
(D), the first panel P1 and the second panel P2
When forming or disposing the adhesive layer 30m before heating on both sides,
Poor adhesion of panels when the wettability of the low melting point metal material is insufficient can be reduced, and the facing distance between panels can be ensured to some extent. In the pattern shown in FIG. 4C, one of the outer adhesive layer 30A and the inner adhesive layer 30B may be formed or arranged on both the first panel P1 and the second panel P2.
【００７３】製造された封止パネル装置は、図４の
（Ｅ）に示すように、第１パネルＰ１と接着層３０ｍと
第２パネルＰ１とによって囲まれた空間が真空（ＶＡ
Ｃ）とされているが、以下、この真空を達成するための
２通りの製造方法、即ち、第１Ａの態様及び第１Ｂの態
様に係る封止パネル装置の製造方法について、それぞれ
図５及び図６を参照して説明する。In the manufactured sealing panel device, as shown in FIG. 4E, the space surrounded by the first panel P1, the adhesive layer 30m, and the second panel P1 is a vacuum (VA).
C), the following two manufacturing methods for achieving the vacuum, namely, the manufacturing method of the sealed panel device according to the first embodiment and the first embodiment, are shown in FIGS. This will be described with reference to FIG.
【００７４】図５は、第１パネルＰ１と第２パネルＰ２
とを接着層３０ｍによって接着する加熱・接着工程にお
ける雰囲気を真空とし、以て、第１パネルＰ１と第２パ
ネルＰ２と接着層３０ｍとによって囲まれた空間を真空
にする、本発明の第１Ａの態様に係る製造方法の工程図
である。即ち、図５の（Ａ）に示すように、第１パネル
Ｐ１と第２パネルＰ２の周縁部に、接着層３０ｍを形成
又は配置する。尚、図５の（Ａ）では第１パネルＰ１と
第２パネルＰ２の双方に接着層３０ｍを形成又は配置し
た例を代表例として示したが、図４の（Ａ）〜（Ｃ）に
示したように、いずれか一方のパネルのみに形成又は配
置しても構わない。次に、図５の（Ｂ）に示すように、
接着層３０ｍが形成された第１パネルＰ１と第２パネル
Ｐ２とを、真空容器ＶＣ内で位置合わせし、接着層３０
ｍを構成する低融点金属材料の融点以上の温度であって
例えば４００゜Ｃ以下に加熱しながら接着し、第１パネ
ルＰ１と第２パネルＰ２とを接着層３０ｍによって接着
し、封止パネル装置を得る。得られた封止パネル装置に
おいては、図５の（Ｃ）に示すように、上記空間が接着
と同時に真空（ＶＡＣ）とされる。外側接着層３０Ａと
内側接着層３０Ｂとの間の微小空間も、同様に真空とな
る。FIG. 5 shows a first panel P1 and a second panel P2.
Of the present invention, in which the atmosphere in the heating / adhering step of adhering the first panel P1 and the second panel P2 and the adhesive layer 30m is evacuated. It is a process drawing of the manufacturing method concerning an aspect. That is, as shown in FIG. 5A, an adhesive layer 30m is formed or arranged on the peripheral portions of the first panel P1 and the second panel P2. In FIG. 5A, an example in which the adhesive layer 30m is formed or arranged on both the first panel P1 and the second panel P2 is shown as a typical example, but FIGS. 4A to 4C show examples. As described above, it may be formed or arranged on only one of the panels. Next, as shown in FIG.
The first panel P1 and the second panel P2 on which the adhesive layer 30m is formed are aligned in the vacuum vessel VC, and the adhesive layer 30 is formed.
m, the first panel P1 and the second panel P2 are bonded together by heating at a temperature not lower than the melting point of the low melting point metal material constituting the m. Get. In the obtained sealing panel device, as shown in FIG. 5C, the space is made vacuum (VAC) at the same time as the bonding. The minute space between the outer adhesive layer 30A and the inner adhesive layer 30B is also evacuated.
【００７５】図６は、第１パネルＰ１と第２パネルＰ２
とを接着層によって接着する加熱・接着工程の完了後、
第１パネルＰ１と第２パネルＰ２と接着層３０ｍとによ
って囲まれた空間を接着後に排気することにより真空に
する、本発明の第１Ｂの態様に係る製造方法の工程図で
ある。即ち、先ず、図６の（Ａ）に示すように、第１パ
ネルＰ１と第２パネルＰ２の周縁部に、接着層３０ｍを
形成又は配置する。第２パネルＰ２には、その機能を損
なわない部位に、貫通孔３１が設けられ、この貫通孔３
１の周囲に接合層３２を用いて該貫通孔３１と連通する
排気管３３が接合されている。接合層３２は、接着層３
０ｍを構成する低融点金属材料よりも高い融点を有する
低融点金属材料、又は高い焼成温度を有するフリットガ
ラスを用いて構成される。排気管３３は、例えばガラス
管から構成される。尚、排気管３３は、第１パネルＰ１
に接合されていても構わない。また、図６の（Ａ）では
第１パネルＰ１と第２パネルＰ２の双方に接着層３０ｍ
が形成又は配置されているが、いずれか一方のパネルの
みに形成又は配置されていても構わない。FIG. 6 shows the first panel P1 and the second panel P2.
After the completion of the heating and bonding process of bonding with a bonding layer,
It is a process drawing of the manufacturing method concerning the 1BB mode of the present invention which evacuates the space surrounded by the 1st panel P1, the 2nd panel P2, and the adhesive layer 30m by exhausting after bonding. That is, first, as shown in FIG. 6A, the adhesive layer 30m is formed or arranged on the peripheral portion of the first panel P1 and the second panel P2. The second panel P2 is provided with a through-hole 31 at a position where its function is not impaired.
An exhaust pipe 33 communicating with the through hole 31 is joined around the periphery of the exhaust pipe 1 using a joining layer 32. The bonding layer 32 includes the adhesive layer 3
A low melting point metal material having a higher melting point than the low melting point metal material constituting 0 m, or a frit glass having a high firing temperature is used. The exhaust pipe 33 is composed of, for example, a glass tube. Note that the exhaust pipe 33 is connected to the first panel P1.
It may be joined to. Also, in FIG. 6A, an adhesive layer 30m is provided on both the first panel P1 and the second panel P2.
Are formed or arranged, but may be formed or arranged only on one of the panels.
【００７６】次に、図６の（Ｂ）に示すように、接着層
３０ｍが形成された第１パネルＰ１と第２パネルＰ２と
を位置合わせし、接着層３０ｍを構成する低融点金属材
料の融点以上の温度であって例えば４００゜Ｃ以下の温
度で接着層３０ｍを加熱しながら接着する。かかる加熱
・接着工程は、減圧不活性ガス雰囲気中、あるいは真空
雰囲気中で行うことが特に望ましい。それは、封止パネ
ル装置の完成後に、内側接着層３０Ｂの封止機能が劣化
し、外側接着層３０Ａと内側接着層３０Ｂとの間に形成
される微小空間が、第１パネルＰ１と第２パネルＰ２と
内側接着層３０Ｂとによって囲まれる真空空間に連通し
た場合、真空空間の真空度の劣化や電子放出特性への悪
影響を最小限に抑える必要があるからである。次に、排
気管３３を図示しない排気装置に接続し、排気を行う。
上記空間が所望の真空度に達した時点で、封止装置３４
を用いて排気管３３を加熱融着すると、上記空間が真空
（ＶＡＣ）とされた封止パネル装置が得られる（図６の
（Ｃ）参照）。Next, as shown in FIG. 6B, the first panel P1 and the second panel P2 on which the adhesive layer 30m is formed are aligned with each other, and the low melting point metal material forming the adhesive layer 30m is formed. The adhesive layer 30m is bonded while being heated at a temperature not lower than the melting point and not higher than 400 ° C., for example. It is particularly desirable to perform such a heating and bonding step in a reduced-pressure inert gas atmosphere or a vacuum atmosphere. That is, after the sealing panel device is completed, the sealing function of the inner adhesive layer 30B is deteriorated, and the minute space formed between the outer adhesive layer 30A and the inner adhesive layer 30B is formed by the first panel P1 and the second panel. This is because when communicating with the vacuum space surrounded by P2 and the inner adhesive layer 30B, it is necessary to minimize the deterioration of the degree of vacuum in the vacuum space and the adverse effect on the electron emission characteristics. Next, the exhaust pipe 33 is connected to an exhaust device (not shown) to perform exhaust.
When the space reaches a desired degree of vacuum, the sealing device 34
When the exhaust pipe 33 is heated and fused by using (1), a sealing panel device in which the space is vacuum (VAC) is obtained (see FIG. 6C).
【００７７】第１Ａ及び第１Ｂの態様に係る製造方法で
製造された封止パネル装置は、接着層３０ｍが低融点金
属材料から構成されているので、接着層がフリットガラ
スにより構成された従来の封止パネル装置に比べ、真空
度の経時劣化が大幅に抑制されている。また、製造プロ
セス全体を例えば４００゜Ｃ以下に低温化することが可
能なので、従来方法に比べてスループットや経済性を向
上させることが可能である。In the sealing panel device manufactured by the manufacturing method according to the first and second embodiments, since the adhesive layer 30m is made of a low melting point metal material, the conventional adhesive panel device is made of frit glass. Compared with the sealing panel device, the deterioration with time of the degree of vacuum is greatly suppressed. Further, since the temperature of the entire manufacturing process can be reduced to, for example, 400 ° C. or less, the throughput and the economic efficiency can be improved as compared with the conventional method.
【００７８】（実施の形態２）実施の形態２は、実施の
形態１の変形例である。実施の形態２の封止パネル装置
においては、図７の（Ｃ）に示すように、第１パネルＰ
１と第２パネルＰ２との対向距離を一定に維持するため
の間隔維持部材３５が、第１パネルＰ１と第２パネルＰ
２との間に挟持されている。この間隔維持部材３５は絶
縁性を有する剛性材料、例えばガラス球から成る。かか
る構成を有する封止パネル装置においては、パネル間の
対向距離は、実質的に間隔維持部材３５の寸法により決
定される。従って、接着層３０ｍの形成又は配置の段階
における接着層３０ｍの寸法制御や形状制御の負担を軽
減しても、寸法精度に優れる封止パネル装置を得ること
ができる。(Embodiment 2) Embodiment 2 is a modification of Embodiment 1. In the sealing panel device according to the second embodiment, as shown in FIG.
An interval maintaining member 35 for maintaining the distance between the first panel P2 and the second panel P2 constant is provided by the first panel P1 and the second panel P2.
2 between. The gap maintaining member 35 is made of a rigid material having an insulating property, for example, a glass ball. In the sealed panel device having such a configuration, the facing distance between the panels is substantially determined by the size of the space maintaining member 35. Therefore, a sealing panel device excellent in dimensional accuracy can be obtained even if the burden of controlling the dimensions and shape of the adhesive layer 30m is reduced at the stage of forming or disposing the adhesive layer 30m.
【００７９】かかる封止パネル装置を製造するには、図
７の（Ａ）に示すように、第１パネルＰ１と第２パネル
Ｐ２の周縁部に接着層３０ｍを形成又は配置し、しかる
後に第２パネルＰ２の表面に、間隔維持部材３５を塗
布、散布、吹付け等の方法により配置する。図７の
（Ａ）では、第１パネルＰ１と第２パネルＰ２の双方に
接着層３０ｍが形成又は配置されているが、いずれか一
方のパネルのみに形成又は配置されていてもよい。次
に、第１パネルＰ１と第２パネルＰ２とを接着する。図
７の（Ｂ）には、接着層３０ｍが形成された第１パネル
Ｐ１と第２パネルＰ２とを、真空容器ＶＣ内で位置合わ
せし、接着層３０ｍを構成する低融点金属材料の融点以
上の温度であって例えば４００゜Ｃ以下の温度で接着層
３０ｍを加熱しながら接着を行う第１Ａの態様に係る製
造方法を一例として示したが、接着後に排気を行う第１
Ｂの態様に係る製造方法を適用しても、勿論構わない。In order to manufacture such a sealed panel device, as shown in FIG. 7A, an adhesive layer 30m is formed or arranged on the periphery of the first panel P1 and the second panel P2, and then the first panel P1 and the second panel P2 are formed. The interval maintaining member 35 is disposed on the surface of the second panel P2 by a method such as coating, spraying, or spraying. In FIG. 7A, the adhesive layer 30m is formed or arranged on both the first panel P1 and the second panel P2, but may be formed or arranged on only one of the panels. Next, the first panel P1 and the second panel P2 are bonded. In FIG. 7B, the first panel P1 and the second panel P2 on which the adhesive layer 30m is formed are aligned in the vacuum vessel VC, and the melting point of the low-melting metal material forming the adhesive layer 30m or more is shown. As an example, the manufacturing method according to the first embodiment A, in which the bonding is performed while heating the bonding layer 30m at a temperature of 400 ° C. or lower, is described as an example.
It goes without saying that the manufacturing method according to the embodiment B may be applied.
【００８０】（実施の形態３）実施の形態３は、実施の
形態１の更に他の変形例である。実施の形態３の封止パ
ネル装置においては、図８の（Ｃ）に示すように、接着
層３０ｍと第１パネルＰ１との間、及び接着層３０ｍと
第２パネルＰ２との間に下地層３６が形成されている。
尚、図８の（Ａ）では第１パネルＰ１と第２パネルＰ２
の双方に下地層３６が形成されているが、いずれか一方
のパネルのみに形成されていても構わない。かかる構成
を有する封止パネル装置においては、低融点金属材料か
ら成る接着層３０ｍが自己整合的に下地層３６と位置合
わせされ、接着層３０ｍの形状精度や寸法精度が改善さ
れている。(Embodiment 3) Embodiment 3 is still another modification of Embodiment 1. In the sealing panel device according to the third embodiment, as shown in FIG. 8C, a base layer is provided between the adhesive layer 30m and the first panel P1 and between the adhesive layer 30m and the second panel P2. 36 are formed.
In FIG. 8A, the first panel P1 and the second panel P2
Although the base layer 36 is formed on both sides, it may be formed on only one of the panels. In the sealing panel device having such a configuration, the adhesive layer 30m made of a low melting point metal material is aligned with the base layer 36 in a self-aligning manner, and the shape accuracy and dimensional accuracy of the adhesive layer 30m are improved.
【００８１】かかる封止パネル装置を製造するには、接
着層３０ｍを形成する前に、第１パネルＰ１及び／又は
第２パネルＰ２の接着層形成予定部位に、低融点金属材
料に対する濡れ性を改善するための下地層３６を形成し
ておき、しかる後、図８の（Ａ）に示すように、下地層
３６の上に接着層３０ｍを形成し、あるいは配置する。
この段階では、下地層３６と接着層３０ｍの位置合わせ
精度はそれ程高くなくてもよい。次に、第１パネルＰ１
と第２パネルＰ２とを接着する。図８の（Ｂ）には、接
着層３０ｍが形成された第１パネルＰ１と第２パネルＰ
２とを、真空容器ＶＣ内で位置合わせし、接着層３０ｍ
を構成する低融点金属材料の融点以上の温度であって例
えば４００゜Ｃ以下の温度で接着層３０ｍを加熱しなが
ら接着を行う第１Ａの態様に係る製造方法を一例として
示したが、接着後に排気を行う第１Ｂの態様に係る製造
方法を適用しても、勿論構わない。また、実施の形態２
にて説明した間隔維持部材３５を実施の形態３の封止パ
ネル装置に適用することもできる。In order to manufacture such a sealing panel device, before forming the adhesive layer 30m, the wettability of the first panel P1 and / or the second panel P2 with the low-melting metal material is formed on the portion where the adhesive layer is to be formed. A base layer 36 for improvement is formed in advance, and thereafter, as shown in FIG. 8A, an adhesive layer 30m is formed or arranged on the base layer 36.
At this stage, the positioning accuracy between the base layer 36 and the adhesive layer 30m may not be so high. Next, the first panel P1
And the second panel P2. FIG. 8B shows a first panel P1 and a second panel P on which an adhesive layer 30m is formed.
2 in the vacuum vessel VC, and the adhesive layer 30m
As an example, the manufacturing method according to the first embodiment A in which the bonding is performed while heating the bonding layer 30m at a temperature equal to or higher than the melting point of the low-melting metal material constituting the substrate and at a temperature equal to or lower than 400 ° C. It goes without saying that the manufacturing method according to the 1B mode in which the exhaust is performed is applied. Embodiment 2
The spacing maintaining member 35 described in the above can also be applied to the sealing panel device of the third embodiment.
【００８２】（実施の形態４）実施の形態４は、本発明
の第２の態様に係る封止パネル装置（特に、第１の構成
及び第２の構成に係る封止パネル装置）、並びに、第２
Ａ及び第２Ｂの態様を含む本発明の第２の態様に係る封
止パネル装置の製造方法に関する。実施の形態４に係る
封止パネル装置の概念図を図９に示し、この封止パネル
装置を適用して構成された冷陰極電界電子放出型の表示
装置の模式的断面図を図１０に示す。また、第２の態様
に係る封止パネル装置の製造方法の概念図を図１１に示
し、第２Ａの態様に係る封止パネル装置の製造方法の工
程図を図１２に示し、第２Ｂの態様に係る封止パネル装
置の製造方法の工程図を図１３に示す。尚、これらの図
面で使用する符号は図１〜図８と一部共通であり、共通
部分については詳しい説明を省略する。(Embodiment 4) Embodiment 4 is directed to a sealing panel device according to the second aspect of the present invention (particularly, a sealing panel device according to the first and second configurations), and Second
The present invention relates to a method for manufacturing a sealed panel device according to a second aspect of the present invention including the aspects A and 2B. FIG. 9 is a conceptual diagram of a sealing panel device according to Embodiment 4, and FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a cold cathode field emission display device configured by applying the sealing panel device. . FIG. 11 is a conceptual diagram of a method of manufacturing the sealed panel device according to the second embodiment, and FIG. 12 is a process diagram of a method of manufacturing the sealed panel device according to the second embodiment, and FIG. FIG. 13 shows a process chart of the method for manufacturing the sealing panel device according to the first embodiment. Note that reference numerals used in these drawings are partially common to those in FIGS. 1 to 8, and detailed description of common portions is omitted.
【００８３】図９に、第１及び第２の構成に係る封止パ
ネル装置の概念図を示す。図９の（Ａ）は模式的断面
図、図９の（Ｂ）は模式的な分解斜視図である。矩形形
状を有する第１パネルＰ１は、周縁部において第１接着
層３７ｍによって枠体３９と接着され、枠体３９は第２
接着層３８ｍによって第２パネルＰ２と接着されてい
る。第１接着層３７ｍは、第１外側接着層３７Ａと、こ
の第１外側接着層３７Ａから離間した第１内側接着層３
７Ｂとから構成されている。一方、第２接着層３８ｍ
は、第２外側接着層３８Ａと、この第２外側接着層３８
Ａから離間した第２内側接着層３８Ｂとから構成されて
いる。第１パネルＰ１と第１接着層３７ｍと枠体３９と
第２接着層３８ｍと第２パネルＰ２とによって囲まれた
空間は、真空（ＶＡＣ）である。かかる構成を有する封
止パネル装置においては、パネル間の対向距離は、実質
的に枠体３９の高さにより決定される。従って、枠体３
９の高さを選択することにより、第１の態様に係る封止
パネル装置に比べて、パネル間の対向距離をより長く設
定することが可能である。FIG. 9 shows a conceptual diagram of the sealing panel device according to the first and second configurations. FIG. 9A is a schematic sectional view, and FIG. 9B is a schematic exploded perspective view. The first panel P1 having a rectangular shape is bonded to the frame body 39 at the peripheral edge by a first bonding layer 37m, and the frame body 39 is
It is bonded to the second panel P2 by the bonding layer 38m. The first adhesive layer 37m includes a first outer adhesive layer 37A and a first inner adhesive layer 3 separated from the first outer adhesive layer 37A.
7B. On the other hand, the second adhesive layer 38m
Is composed of a second outer adhesive layer 38A and the second outer adhesive layer 38A.
A and the second inner adhesive layer 38B separated from A. The space surrounded by the first panel P1, the first adhesive layer 37m, the frame 39, the second adhesive layer 38m, and the second panel P2 is a vacuum (VAC). In the sealed panel device having such a configuration, the facing distance between the panels is substantially determined by the height of the frame 39. Therefore, the frame 3
By selecting the height of 9, the facing distance between the panels can be set longer than in the sealing panel device according to the first embodiment.
【００８４】図９に示した封止パネル装置においては、
第１接着層３７ｍ（より具体的には、第１外側接着層３
７Ａ及び第１内側接着層３７Ｂ）並びに第２接着層３８
ｍ（より具体的には、第２外側接着層３８Ａ及び第２内
側接着層３８Ｂ）はいずれも低融点金属材料から構成さ
れる。ここで、第１接着層３７ｍを構成する低融点金属
材料の融点と第２接着層３８ｍを構成する低融点金属材
料の融点とが略等しい構成（第１の構成）と、第１接着
層３７ｍを構成する低融点金属材料の融点の方が、第２
接着層３８ｍを構成する低融点金属材料の融点よりも高
い構成（第２の構成）とが可能である。In the sealing panel device shown in FIG.
The first adhesive layer 37m (more specifically, the first outer adhesive layer 3
7A and the first inner adhesive layer 37B) and the second adhesive layer 38
m (more specifically, the second outer adhesive layer 38A and the second inner adhesive layer 38B) are both made of a low melting point metal material. Here, a configuration (first configuration) in which the melting point of the low melting point metal material forming the first adhesive layer 37m is substantially equal to the melting point of the low melting point metal material forming the second bonding layer 38m, and a first bonding layer 37m The melting point of the low melting point metal material constituting
A configuration (second configuration) higher than the melting point of the low melting point metal material forming the adhesive layer 38m is possible.
【００８５】図１０に、実施の形態４の封止パネル装置
を表示装置に適用した例を示す。この表示装置において
は、第１パネルＰ１は、周縁部において第１接着層３７
ｍによって枠体３９と接着され、枠体３９は第２接着層
３８ｍによって第２パネルＰ２と接着されている。第１
パネルＰ１と第１接着層３７ｍと枠体３９と第２接着層
３８ｍと第２パネルＰ２とによって囲まれた空間は、真
空である。かかる表示装置の構成において、アノード電
極１３を有する第１パネルＰ１には、電界放出素子を有
する第２パネルＰ２よりも高い電圧が印加されるので、
アノード電極１３の引き出し部に形成される絶縁層１４
のみでは、十分な絶縁性が確保できない場合がある。こ
のような場合には、第３又は第４の構成を適用し、少な
くとも絶縁層１４と枠体３９の間に形成される第１接着
層の一部分をフリットガラスから構成すればよく、これ
によって十分な絶縁性を確保することが可能となる。FIG. 10 shows an example in which the sealing panel device of the fourth embodiment is applied to a display device. In this display device, the first panel P1 has a first adhesive layer 37 at the peripheral portion.
m, the frame 39 is bonded to the second panel P2 by the second adhesive layer 38m. First
The space surrounded by the panel P1, the first adhesive layer 37m, the frame 39, the second adhesive layer 38m, and the second panel P2 is a vacuum. In such a configuration of the display device, a higher voltage is applied to the first panel P1 having the anode electrode 13 than to the second panel P2 having the field emission element.
Insulating layer 14 formed at the lead-out portion of anode electrode 13
In some cases, sufficient insulation may not be ensured by only the above. In such a case, the third or fourth configuration may be applied, and at least a part of the first adhesive layer formed between the insulating layer 14 and the frame 39 may be formed of frit glass, and It is possible to ensure excellent insulation.
【００８６】以下、実施の形態４の封止パネル装置の製
造方法について、図１１を参照しながら説明する。第１
パネルＰ１及び／又は第２パネルＰ２の周縁部に低融点
金属材料から成る接着層を形成し、あるいは配置する工
程において、第１接着層３７ｍ及び第２接着層３８ｍの
形成又は配置のパターンとして、（Ａ）〜（Ｉ）の９種
類を例示するが、実際には、以下の表１〜表９に示すよ
うに、合計８１通りのパターンが存在する。どのパター
ンを選択するかは、第１パネルＰ１、枠体３９、第２パ
ネルＰ２の三者の各々に対する低融点金属材料の濡れ性
に依存する。表１〜表９に示すパターンのいずれかに従
って第１接着層３７ｍ及び第２接着層３８ｍを形成又は
配置した後、第１接着層３７ｍを構成する低融点金属材
料の融点、及び第２接着層３８ｍを構成する低融点金属
材料の融点以上の温度に第１接着層３７ｍ及び第２接着
層３８ｍを加熱することにより、枠体３９と第１パネル
Ｐ１とを第１接着層３７ｍによって接着し、且つ、枠体
３９と第２パネルＰ２とを第２接着層３８ｍによって接
着する。尚、表中、「３７Ａ」は第１接着層３７ｍを構
成する第１外側接着層３７Ａを意味し、「３７Ｂ」は第
１接着層３７ｍを構成する第１内側接着層３７Ｂを意味
し、「３８Ａ」は第２接着層３８ｍを構成する第２外側
接着層３８Ａを意味し、「３８Ｂ」は第２接着層３８ｍ
を構成する第２外側接着層３８Ｂを意味する。また、
「枠体（上）」は、枠体３９の第１パネルＰ１と対向す
る面を意味し、「枠体（下）」は、枠体３９の第２パネ
ルＰ２と対向する面を意味する。更には、「○」印は接
着層が形成あるいは配置されることを意味し、「−」印
は接着層が形成あるいは配置されないことを意味し、
「△」印は接着層がパネル及び枠体の両方に形成あるい
は配置されることを意味する。例えば、表１の第１行
は、第１外側接着層３７Ａ及び第１内側接着層３７Ｂが
第１パネルＰ１に形成あるいは配置され、第２外側接着
層３８Ａ及び第２内側接着層３８Ｂは、第２パネルＰ２
と対向する枠体３９に形成あるいは配置されることを示
す。Hereinafter, a method of manufacturing the sealed panel device according to the fourth embodiment will be described with reference to FIG. First
In the step of forming or disposing an adhesive layer made of a low-melting metal material on the peripheral portion of the panel P1 and / or the second panel P2, as a pattern for forming or disposing the first adhesive layer 37m and the second adhesive layer 38m, Although nine types (A) to (I) are exemplified, there are actually a total of 81 patterns as shown in Tables 1 to 9 below. Which pattern is selected depends on the wettability of the low-melting metal material to each of the first panel P1, the frame 39, and the second panel P2. After forming or disposing the first adhesive layer 37m and the second adhesive layer 38m according to any of the patterns shown in Tables 1 to 9, the melting point of the low-melting metal material forming the first adhesive layer 37m, and the second adhesive layer By heating the first adhesive layer 37m and the second adhesive layer 38m to a temperature equal to or higher than the melting point of the low-melting metal material constituting 38m, the frame 39 and the first panel P1 are adhered to each other by the first adhesive layer 37m, Further, the frame body 39 and the second panel P2 are bonded by the second bonding layer 38m. In the table, “37A” means the first outer adhesive layer 37A constituting the first adhesive layer 37m, “37B” means the first inner adhesive layer 37B constituting the first adhesive layer 37m, "38A" means the second outer adhesive layer 38A constituting the second adhesive layer 38m, and "38B" means the second adhesive layer 38m.
Means the second outer adhesive layer 38B. Also,
“Frame (upper)” means a surface of the frame 39 facing the first panel P1, and “frame (lower)” means a surface of the frame 39 facing the second panel P2. Further, a mark “○” means that the adhesive layer is formed or arranged, and a mark “-” means that the adhesive layer is not formed or arranged,
The symbol “△” means that the adhesive layer is formed or arranged on both the panel and the frame. For example, in the first row of Table 1, the first outer adhesive layer 37A and the first inner adhesive layer 37B are formed or arranged on the first panel P1, and the second outer adhesive layer 38A and the second inner adhesive layer 38B 2 panel P2
Is formed or arranged on the frame body 39 facing the above.
【００８７】［表１］ [Table 1]
【００８８】［表２］ [Table 2]
【００８９】［表３］ [Table 3]
【００９０】［表４］ [Table 4]
【００９１】［表５］ [Table 5]
【００９２】［表６］ [Table 6]
【００９３】［表７］ [Table 7]
【００９４】［表８］ [Table 8]
【００９５】［表９］ [Table 9]
【００９６】製造された封止パネル装置は、図９の
（Ａ）に示すように、第１パネルＰ１と第１接着層３７
ｍと枠体３９と第２接着層３８ｍと第２パネルＰ１とに
よって囲まれた空間が真空（ＶＡＣ）とされているが、
以下、この真空を達成するための２通りの製造方法、即
ち、第２Ａ及び第２Ｂの態様に係る封止パネル装置の製
造方法について、それぞれ図１２及び図１３を参照して
説明する。As shown in FIG. 9A, the manufactured sealing panel device is composed of a first panel P1 and a first adhesive layer 37.
The space surrounded by m, the frame 39, the second adhesive layer 38m, and the second panel P1 is a vacuum (VAC).
Hereinafter, two manufacturing methods for achieving the vacuum, that is, a manufacturing method of the sealed panel device according to the second embodiment 2A and the second embodiment 2B will be described with reference to FIGS.
【００９７】図１２は、加熱・接着工程における雰囲気
を真空とし、以て、第１パネルと第２パネルと接着層と
によって囲まれた空間を真空にする、本発明の第２Ａの
態様に係る製造方法の工程図である。この製造方法で
は、第１の構成に係る封止パネル装置、即ち、第１接着
層３７ｍと第２接着層３８ｍとが融点の略等しい低融点
金属材料から成る封止パネル装置を製造することができ
る。また、第２の構成に係る封止パネル装置であって
も、第１接着層３７ｍと第２接着層３８ｍとの融点の差
がおおよそ１００゜Ｃ以内であれば、製造可能である。FIG. 12 shows a second embodiment A of the present invention in which the atmosphere in the heating / bonding step is vacuum, and the space surrounded by the first panel, the second panel, and the bonding layer is vacuum. It is a process drawing of a manufacturing method. In this manufacturing method, it is possible to manufacture the sealing panel device according to the first configuration, that is, the sealing panel device in which the first adhesive layer 37m and the second adhesive layer 38m are made of a low melting point metal material having substantially the same melting point. it can. Also, the sealing panel device according to the second configuration can be manufactured if the difference in melting point between the first adhesive layer 37m and the second adhesive layer 38m is within approximately 100 ° C.
【００９８】先ず、図１２の（Ａ）に示すように、第１
パネルＰ１の周縁部と枠体３９とに第１接着層３７ｍ、
枠体３９と第２パネルＰ２の周縁部に第２接着層３８ｍ
を形成又は配置する。尚、図１２の（Ａ）では図１１の
パターン（Ｈ）に従って第１接着層３７ｍと第２接着層
３８ｍとが形成又は配置されているが、図１１のパター
ン（Ａ）〜（Ｇ）やパターン（Ｉ）、あるいは表１〜表
９に示した更にそれ以外のパターンに従って形成又は配
置されていてもよい。次に、図１２の（Ｂ）に示すよう
に、第１接着層３７ｍ，第２接着層３８ｍが形成された
第１パネルＰ１と枠体３９と第２パネルＰ２とを、真空
容器ＶＣ内で位置合わせし、接着層３７ｍ，３８ｍを構
成する低融点金属材料の融点以上の温度であって例えば
４００゜Ｃ以下に接着層３７ｍ，３８ｍを加熱しながら
接着し、封止パネル装置を得ることができる。このとき
の加熱温度は、具体的には、第１接着層３７ｍと第２接
着層３８ｍを構成する低融点金属材料の融点が略等しい
場合にはその融点以上の温度とし、いずれかの融点が高
い場合には、高い方の融点以上の温度とする。得られた
封止パネル装置においては、図１２の（Ｃ）に示すよう
に、上記空間が接着と同時に真空（ＶＡＣ）とされる。First, as shown in FIG.
A first adhesive layer 37m on the periphery of the panel P1 and the frame 39;
The second adhesive layer 38m is provided on the peripheral portion of the frame 39 and the second panel P2.
Are formed or arranged. In FIG. 12A, the first adhesive layer 37m and the second adhesive layer 38m are formed or arranged according to the pattern (H) of FIG. 11, but the patterns (A) to (G) of FIG. It may be formed or arranged according to the pattern (I) or other patterns shown in Tables 1 to 9. Next, as shown in FIG. 12B, the first panel P1, the frame body 39, and the second panel P2 on which the first adhesive layer 37m and the second adhesive layer 38m are formed are placed in a vacuum vessel VC. The sealing panel device can be obtained by aligning and bonding the adhesive layers 37m and 38m while heating the adhesive layers 37m and 38m to a temperature equal to or higher than the melting point of the low-melting metal material forming the adhesive layers 37m and 38m, for example, 400 ° C or lower. it can. Specifically, the heating temperature at this time is set to a temperature equal to or higher than the melting point of the low-melting metal material forming the first adhesive layer 37m and the second adhesive layer 38m when the melting points are substantially equal. If it is high, the temperature is higher than the higher melting point. In the obtained sealing panel device, as shown in FIG. 12C, the space is made vacuum (VAC) simultaneously with the bonding.
【００９９】一方、図１３は、加熱・接着工程の後、第
１パネルＰ１と第１接着層３７ｍと枠体３９と第２接着
層３８ｍと第２パネルＰ２とによって囲まれた空間を排
気することにより真空にする、本発明の第２Ｂの態様に
係る製造方法の工程図である。即ち、図１２の（Ａ）と
同様に、第１パネルＰ１の周縁部、枠体３９、第２パネ
ルＰ２の周縁部に第１接着層３７ｍと第２接着層３８ｍ
を形成又は配置する。但し、第２パネルＰ２には貫通孔
３１が設けられ、この貫通孔３１の周囲に接合層３２を
用いて該貫通孔３１と連通する排気管３３が接合されて
いる。接合層３２は、第１接着層３７ｍを構成する低融
点金属材料の融点、及び第２接着層３８ｍを構成する低
融点金属材料の融点よりも高い融点を有する低融点金
属、又は高い焼成温度を有するフリットガラスを用いて
構成される。排気管３３は、例えばガラス管から構成さ
れる。尚、排気管３３は、第１パネルＰ１に接合されて
いても構わない。また、図１３の（Ａ）では、第１パネ
ルＰ１と枠体３９の双方に第１接着層３７ｍが形成さ
れ、また、枠体３９と第２パネルＰ２の双方に第２接着
層３８ｍが形成又は配置されているが、いずれか一方の
パネルのみに形成又は配置されていても構わない。On the other hand, FIG. 13 shows that after the heating and bonding step, the space surrounded by the first panel P1, the first bonding layer 37m, the frame 39, the second bonding layer 38m, and the second panel P2 is evacuated. FIG. 9 is a process diagram of a manufacturing method according to a 2B aspect of the present invention, in which a vacuum is created by the method. That is, similarly to FIG. 12A, the first adhesive layer 37m and the second adhesive layer 38m are provided on the peripheral portion of the first panel P1, the frame 39, and the peripheral portion of the second panel P2.
Are formed or arranged. However, a through hole 31 is provided in the second panel P2, and an exhaust pipe 33 communicating with the through hole 31 is joined around the through hole 31 using a joining layer 32. The bonding layer 32 is formed of a low melting point metal having a melting point higher than the melting point of the low melting point metal material forming the first adhesive layer 37m and the melting point of the low melting point metal material forming the second bonding layer 38m, or a high firing temperature. It is constituted using frit glass having. The exhaust pipe 33 is composed of, for example, a glass tube. Note that the exhaust pipe 33 may be joined to the first panel P1. In FIG. 13A, a first adhesive layer 37m is formed on both the first panel P1 and the frame 39, and a second adhesive layer 38m is formed on both the frame 39 and the second panel P2. Alternatively, they may be formed or arranged on only one of the panels.
【０１００】次に、図１３の（Ｂ）に示すように、第１
パネルＰ１と枠体３９と第２パネルＰ２とを位置合わせ
し、第１接着層３７ｍ及び第２接着層３８ｍとをこれら
を構成する低融点金属材料の融点以上の温度であって例
えば４００゜Ｃ以下に加熱しながら接着する。かかる加
熱・接着工程は、減圧不活性ガス雰囲気中、あるいは真
空雰囲気中で行うことが特に望ましい。この時点では、
第１パネルＰ１と第１接着層３７ｍと枠体３９と第２接
着層３８ｍと第２パネルＰ２とによって囲まれた空間
は、未だ最終到達真空度には達していない。この後の排
気、及び排気管３３の融着は実施の態様１にて説明した
通りであり、最終的に図１３の（Ｃ）に示すように、上
記空間が真空（ＶＡＣ）とされた封止パネル装置が得ら
れる。Next, as shown in FIG.
The panel P1, the frame 39, and the second panel P2 are aligned with each other, and the first adhesive layer 37m and the second adhesive layer 38m are heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the low-melting metal material constituting them, for example, 400 ° C. Adhere while heating below. It is particularly desirable to perform such a heating and bonding step in a reduced-pressure inert gas atmosphere or a vacuum atmosphere. At this point,
The space surrounded by the first panel P1, the first adhesive layer 37m, the frame 39, the second adhesive layer 38m, and the second panel P2 has not yet reached the final ultimate vacuum. Subsequent exhausting and fusion of the exhaust pipe 33 are as described in the first embodiment. Finally, as shown in FIG. 13C, the above space is sealed with a vacuum (VAC). A stop panel device is obtained.
【０１０１】尚、実施の形態３にて説明した下地層３６
を、実施の形態４の封止パネル装置に適用することがで
きる。この場合、第１接着層３７ｍに対応する下地層３
６は、第１パネルＰ１の接着面、あるいは、枠体３９の
接着面、あるいは、第１パネルＰ１と枠体の両方の接着
面に形成すればよい。一方、第２接着層３８ｍに対応す
る下地層３６は、第２パネルＰ２の接着面、あるいは、
枠体３９の接着面、あるいは、第２パネルＰ２と枠体の
両方の接着面に形成すればよい。従って、第１接着層３
７ｍに対応する下地層３６の形成パターン、及び、第２
接着層３８ｍに対応する下地層３６の形成パターンは、
それぞれ、以下の表１０に示すように、都合、９通り
（第１接着層３７ｍに対応する下地層３６の形成パター
ンと第２接着層３８ｍに対応する下地層３６の形成パタ
ーンの組合せとしては８１通り）の形成パターンが存在
する。また、第１接着層及び第２接着層の形成又は配置
のパターンは、表１〜表９に示したように、８１通りが
存在する。それ故、第１接着層３７ｍに対応する下地層
３６と第２接着層３８ｍに対応する下地層３６の形成パ
ターンと、第１接着層及び第２接着層の形成又は配置の
パターンとの組合せは、合計、８１×８１通りが存在す
る。第１パネルＰ１、第２パネルＰ２、枠体３９、第１
接着層３７ｍ及び第２接着層３８ｍを構成する材料に依
存して、これらの組合せの中から最適な組合せを選択す
ればよい。尚、表中、「パネル」は第１パネルあるいは
第２パネルを意味し、「枠体（接着面）」は、枠体３９
の第１パネルＰ１あるいは第２パネルＰ２と対向する面
を意味する。また、「第１」は、外側接着層形成予定部
位を意味し、「第２」は、内側接着層形成予定部位を意
味する。更には、「○」印は下地層が形成されているこ
とを意味し、「−」印は下地層が形成されていないこと
を意味する。例えば、表１０の第１行は、下地層がパネ
ルと枠体の両方に形成されていることを示す。The underlayer 36 described in the third embodiment
Can be applied to the sealing panel device of the fourth embodiment. In this case, the base layer 3 corresponding to the first adhesive layer 37m
6 may be formed on the bonding surface of the first panel P1, the bonding surface of the frame 39, or the bonding surfaces of both the first panel P1 and the frame. On the other hand, the underlayer 36 corresponding to the second adhesive layer 38m is formed on the adhesive surface of the second panel P2 or
What is necessary is just to form on the adhesion surface of the frame 39, or the adhesion surface of both the 2nd panel P2 and a frame. Therefore, the first adhesive layer 3
7m, the formation pattern of the underlayer 36, and the second
The formation pattern of the underlayer 36 corresponding to the adhesive layer 38m is as follows.
As shown in Table 10 below, respectively, there are nine ways (combinations of the formation pattern of the underlayer 36 corresponding to the first adhesive layer 37m and the formation pattern of the underlayer 36 corresponding to the second adhesive layer 38m are 81 Pattern) exists. As shown in Tables 1 to 9, there are 81 patterns of formation or arrangement of the first adhesive layer and the second adhesive layer. Therefore, the combination of the formation pattern of the underlayer 36 corresponding to the first adhesive layer 37m and the underlayer 36 corresponding to the second adhesive layer 38m, and the pattern of formation or arrangement of the first and second adhesive layers is as follows. , A total of 81 × 81 cases exist. First panel P1, second panel P2, frame 39, first panel
An optimum combination may be selected from these combinations depending on the material forming the adhesive layer 37m and the second adhesive layer 38m. In the table, “panel” means the first panel or the second panel, and “frame (adhesive surface)” means frame 39.
Means a surface facing the first panel P1 or the second panel P2. In addition, “first” means a portion where an outer adhesive layer is to be formed, and “second” means a portion where an inner adhesive layer is to be formed. Further, the mark “○” means that the underlayer is formed, and the sign “−” means that the underlayer is not formed. For example, the first row of Table 10 indicates that the underlayer is formed on both the panel and the frame.
【０１０２】［表１０］ [Table 10]
【０１０３】（実施の形態５）実施の形態５は、本発明
の第２の態様に係る封止パネル装置（特に、第２の構
成、第３の構成、及び第４の構成に係る封止パネル装
置）、及び、本発明の第３の態様に係る封止パネル装置
の製造方法に関する。実施の形態５の封止パネル装置の
概念図を図１４（第３の構成）及び図１５（第４の構
成）に示す。第２の構成を有する封止パネル装置につい
ては、図９に示した通りである。また、第３の態様に係
る封止パネル装置の製造方法の概念図を図１６を示し、
第３Ａの態様に係る封止パネル装置の製造方法の工程図
を図１７に示し、第３Ｂの態様に係る封止パネル装置の
製造方法の工程図を図１８に示す。尚、封止パネル装置
を適用して構成された冷陰極電界電子放出型の表示装置
の模式的断面図は、図１０に示した冷陰極電界電子放出
型の表示装置の模式的断面図と同様である。また、これ
らの図面において、第１接着層を表す符号３７に添字ｆ
が付けられている場合、第１接着層３７がフリットガラ
スから形成されていることを意味する。また、第１接着
層を表す符号３７に添字ｍ，ｆのいずれもが無い場合、
第１接着層が低融点金属材料とフリットガラスのどちら
により形成されてもよいことを表す。(Embodiment 5) Embodiment 5 is directed to a sealing panel device according to the second aspect of the present invention (particularly, a sealing panel device according to the second, third, and fourth configurations). Panel device) and a method for manufacturing a sealed panel device according to the third aspect of the present invention. FIG. 14 (third configuration) and FIG. 15 (fourth configuration) show conceptual diagrams of the sealing panel device of the fifth embodiment. The sealing panel device having the second configuration is as shown in FIG. FIG. 16 is a conceptual diagram of a method for manufacturing a sealed panel device according to the third embodiment.
FIG. 17 shows a process chart of the method for manufacturing the sealed panel device according to the third embodiment, and FIG. 18 shows a process diagram of the method for manufacturing the sealed panel device according to the third embodiment. Note that a schematic cross-sectional view of the cold cathode field emission display device configured by applying the sealing panel device is the same as the schematic cross-sectional view of the cold cathode field emission display device illustrated in FIG. It is. In these drawings, a suffix f is added to the reference numeral 37 representing the first adhesive layer.
Indicates that the first adhesive layer 37 is formed of frit glass. Further, when the reference numeral 37 representing the first adhesive layer does not have any of the subscripts m and f,
It indicates that the first adhesive layer may be formed of either a low melting point metal material or frit glass.
【０１０４】図１４に、第３の構成に係る封止パネル装
置の概念図を示す。図１４の（Ａ）は模式的断面図、図
１４の（Ｂ）は模式的な分解斜視図である。第３の構成
においては、第１接着層３７ｆはフリットガラスから成
る。更に、図１５には、第４の構成に係る封止パネル装
置の概念図を示す。第４の構成においては、第１接着層
の一部分がフリットガラスから成り（第１接着層３７
ｆ）、残部が低融点金属材料から成る（第１接着層３７
ｍ）。図１５では、フリットガラスから成る第１接着層
３７ｆが矩形の枠体Ｆの短辺中央部に形成されている
が、形成部位はこれに限られない。FIG. 14 is a conceptual diagram of a sealing panel device according to the third configuration. FIG. 14A is a schematic cross-sectional view, and FIG. 14B is a schematic exploded perspective view. In the third configuration, the first adhesive layer 37f is made of frit glass. FIG. 15 is a conceptual diagram of a sealing panel device according to the fourth configuration. In the fourth configuration, a part of the first adhesive layer is made of frit glass (first adhesive layer 37).
f) The remainder is made of a low melting point metal material (the first adhesive layer 37).
m). In FIG. 15, the first adhesive layer 37f made of frit glass is formed at the center of the short side of the rectangular frame F, but the formation site is not limited to this.
【０１０５】第２接着層３８ｍは、第２外側接着層３８
Ａと、この第２外側接着層３８Ａから離間した第２内側
接着層３８Ｂとから構成されている。第３の態様に係る
封止パネル装置の製造方法では、第２パネルＰ２の周縁
部及び／又は枠体３９に低融点金属材料から成る第２接
着層３８ｍを形成しあるいは配置する工程における第２
接着層３８ｍの形成又は配置のパターンとして、以下の
表１１に示すような９通りのパターンがある。尚、その
内の３種類のパターンを、図１６の（Ａ）〜（Ｃ）に例
示する。どのパターンを選択するかは、枠体３９と第２
パネルＰ２の双方に対する低融点金属材料の濡れ性に依
存する。表１１に示すパターンのいずれかに従って第２
接着層を形成又は配置した後、第２接着層を構成する低
融点金属材料の融点以上の温度に第２接着層を加熱する
ことにより、枠体と第２パネルとを第２接着層３８ｍに
よって接着する。The second adhesive layer 38m is the second outer adhesive layer 38
A, and a second inner adhesive layer 38B separated from the second outer adhesive layer 38A. In the method of manufacturing the sealed panel device according to the third aspect, the second step in the step of forming or disposing the second adhesive layer 38m made of a low-melting metal material on the peripheral portion and / or the frame body 39 of the second panel P2.
As a pattern for forming or disposing the adhesive layer 38m, there are nine patterns as shown in Table 11 below. Note that three types of the patterns are exemplified in FIGS. Which pattern to select depends on the frame 39 and the second
It depends on the wettability of the low melting point metal material to both of the panels P2. The second according to any of the patterns shown in Table 11
After forming or disposing the adhesive layer, by heating the second adhesive layer to a temperature equal to or higher than the melting point of the low-melting metal material constituting the second adhesive layer, the frame and the second panel are connected by the second adhesive layer 38m. Glue.
【０１０６】［表１１］ [Table 11]
【０１０７】尚、実施の形態３にて説明した下地層３６
を、実施の形態５の封止パネル装置に適用することがで
きる。この場合、第２接着層３８ｍに対応する下地層３
６は、第２パネルＰ２の接着面、あるいは、枠体３９の
接着面、あるいは、第２パネルＰ２と枠体の両方の接着
面に形成すればよい。一方、第１接着層３７として低融
点金属材料を少なくとも用いる場合には、第１接着層３
７に対応する下地層３６は、第１パネルＰ１の接着面、
あるいは、枠体３９の接着面、あるいは、第１パネルＰ
１と枠体の両方の接着面に形成すればよい。従って、こ
のような場合には、第１接着層３７に対応する下地層３
６と第２接着層３８ｍに対応する下地層３６に関して
は、都合、９×９＝８１通りの形成パターンが存在す
る。また、第１接着層３７及び第２接着層３８ｍの形成
又は配置のパターンは、都合、８１通りが存在する。そ
れ故、第１接着層３７に対応する下地層３６と第２接着
層３８ｍに対応する下地層３６の形成パターンと、第１
接着層３７及び第２接着層３８ｍの形成又は配置のパタ
ーンとの組合せは、合計、８１×８１通りが存在する。
第１パネルＰ１、第２パネルＰ２、枠体３９、第１接着
層３７及び第２接着層３８ｍを構成する材料に依存し
て、これらの組合せの中から最適な組合せを選択すれば
よい。The underlayer 36 described in the third embodiment
Can be applied to the sealing panel device of the fifth embodiment. In this case, the base layer 3 corresponding to the second adhesive layer 38m
6 may be formed on the bonding surface of the second panel P2, the bonding surface of the frame 39, or the bonding surfaces of both the second panel P2 and the frame. On the other hand, when at least a low melting point metal material is used as the first adhesive layer 37, the first adhesive layer 3
The underlayer 36 corresponding to No. 7 is an adhesive surface of the first panel P1,
Alternatively, the bonding surface of the frame 39 or the first panel P
What is necessary is just to form on the adhesion surface of both 1 and a frame. Accordingly, in such a case, the base layer 3 corresponding to the first adhesive layer 37
Regarding the base layer 36 corresponding to No. 6 and the second adhesive layer 38m, there are, for convenience, 9 × 9 = 81 types of formation patterns. In addition, there are conveniently 81 patterns of formation or arrangement of the first adhesive layer 37 and the second adhesive layer 38m. Therefore, the formation pattern of the underlayer 36 corresponding to the first adhesive layer 37 and the underlayer 36 corresponding to the second adhesive layer 38m,
There are a total of 81 × 81 combinations with the formation or arrangement pattern of the adhesive layer 37 and the second adhesive layer 38m.
An optimum combination may be selected from these combinations depending on the materials constituting the first panel P1, the second panel P2, the frame 39, the first adhesive layer 37, and the second adhesive layer 38m.
【０１０８】製造された封止パネル装置は、図１７の
（Ｅ）及び図１８の（Ｅ）に示すように、第１パネルＰ
１と第１接着層３７と枠体３９と第２接着層３８ｍと第
２パネルＰ１とによって囲まれた空間が真空（ＶＡＣ）
とされているが、以下、この真空を達成するための２通
りの製造方法、即ち、第３Ａの態様及び第３Ｂの態様に
係る封止パネル装置の製造方法について、それぞれ図１
７及び図１８を参照して説明する。As shown in FIGS. 17E and 18E, the manufactured sealing panel device has a first panel P
The space surrounded by the first, first adhesive layer 37, the frame 39, the second adhesive layer 38m, and the second panel P1 is a vacuum (VAC).
In the following, two manufacturing methods for achieving this vacuum, that is, the manufacturing method of the sealed panel device according to the 3A mode and the 3B mode, will be described with reference to FIGS.
7 and FIG.
【０１０９】図１７は、加熱・接着工程における雰囲気
を真空とし、以て、第１パネルと第２パネルと接着層と
によって囲まれた空間を真空にする、第３Ａの態様に係
る製造方法の工程図である。この製造方法では、第２の
構成、第３の構成及び第４の構成に係る封止パネル装置
を製造することができる。以下、第２の構成を有する封
止パネル装置の製造方法について説明する。FIG. 17 shows a manufacturing method according to the mode 3A in which the atmosphere in the heating / bonding step is vacuum, and the space surrounded by the first panel, the second panel, and the bonding layer is vacuum. It is a process drawing. With this manufacturing method, it is possible to manufacture the sealed panel devices according to the second, third, and fourth configurations. Hereinafter, a method for manufacturing the sealed panel device having the second configuration will be described.
【０１１０】第１接着層３７が第２接着層３８ｍを構成
する低融点金属材料の融点よりも高い融点を有する低融
点金属材料から成る場合（第２の構成）、先ず、図１７
の（Ａ）に示すように、第１パネルＰ１の周縁部と枠体
３９とに第１接着層３７を形成又は配置する。次に、図
１７の（Ｂ）に示すように、第１接着層３７を構成する
低融点金属材料の融点以上の温度に第１接着層３７を加
熱することにより、第１パネルＰ１と枠体３９とを接着
する。このときの加熱は、後述する第２接着層３８ｍの
加熱温度よりも高い。一方、図１７の（Ｃ）に示すよう
に、枠体３９と第２パネルＰ２の周縁部に第２接着層３
８ｍを形成又は配置する。次に、図１７の（Ｄ）に示す
ように、既に枠体３９と接着された第１パネルＰ１に対
し、第２パネルＰ２を真空容器ＶＣ内で位置合わせし、
第２接着層３８ｍを構成する低融点金属材料の融点以上
の温度であって、第１接着層３７を構成する低融点金属
材料の融点よりも低い温度に第２接着層３８ｍを加熱す
ることによって、封止パネル装置を得ることができる。
得られた封止パネル装置においては、図１７の（Ｅ）に
示すように、上記空間が接着と同時に真空（ＶＡＣ）と
される。この場合、第１パネルＰ１の周縁部と枠体３９
とに第１接着層３７を形成又は配置する前に、第１パネ
ルＰ１の周縁部及び／又は枠体３９の第１接着層形成予
定部位に、実施の形態３にて説明したような、低融点金
属材料に対する濡れ性を改善するための下地層を形成し
ておいてもよい。When the first adhesive layer 37 is made of a low-melting metal material having a higher melting point than the low-melting metal material forming the second adhesive layer 38m (second structure), first, FIG.
(A), the first adhesive layer 37 is formed or arranged on the peripheral portion of the first panel P1 and the frame body 39. Next, as shown in FIG. 17B, the first panel P1 and the frame are heated by heating the first adhesive layer 37 to a temperature equal to or higher than the melting point of the low-melting metal material forming the first adhesive layer 37. And 39. The heating at this time is higher than the heating temperature of the second adhesive layer 38m described later. On the other hand, as shown in FIG. 17C, the second adhesive layer 3
8 m is formed or arranged. Next, as shown in FIG. 17D, the second panel P2 is positioned in the vacuum vessel VC with respect to the first panel P1 already bonded to the frame 39,
By heating the second adhesive layer 38m to a temperature equal to or higher than the melting point of the low melting point metal material forming the second adhesive layer 38m and lower than the melting point of the low melting point metal material forming the first adhesive layer 37, Thus, a sealing panel device can be obtained.
In the obtained sealing panel device, as shown in FIG. 17E, the space is evacuated (VAC) simultaneously with the bonding. In this case, the periphery of the first panel P1 and the frame 39
Before forming or disposing the first adhesive layer 37 on the peripheral edge portion of the first panel P1 and / or the portion where the first adhesive layer is to be formed on the frame body 39 as described in the third embodiment, An underlayer for improving the wettability to the melting point metal material may be formed.
【０１１１】本発明の第３Ａの態様に係る製造方法に基
づき、第３の構成及び第４の構成を有する封止パネル装
置を製造する際も、図示は省略するが、同様のプロセス
を経ることができる。第３の構成を有する封止パネル装
置の製造に際しては、先ず、第１パネルＰ１の周縁部と
枠体３９とにフリットガラスから成る第１接着層３７を
塗布法等に基づき形成し、１００゜Ｃ前後で乾燥し、次
いで、３５０゜Ｃ前後で仮焼成を行い、第１パネルＰ１
の周縁部と枠体３９とにフリットガラスから成る第１接
着層３７を形成する。次に、フリットガラスを焼成する
ことによって第１パネルＰ１の周縁部と枠体３９とを接
着する。次に、枠体３９と第２パネルＰ２の周縁部に第
２接着層３８ｍを形成又は配置する。次に、既に枠体３
９と接着された第１パネルＰ１に対し、第２パネルＰ２
を真空容器ＶＣ内で位置合わせし、第２接着層３８ｍを
構成する低融点金属材料の融点以上の温度であって、第
１接着層３７を構成するフリットガラスの焼成温度より
も低い温度に第２接着層３８ｍを加熱することによっ
て、封止パネル装置を得ることができる。得られた封止
パネル装置においては、上記空間が接着と同時に真空
（ＶＡＣ）とされる。When manufacturing the sealing panel device having the third configuration and the fourth configuration based on the manufacturing method according to the third embodiment of the present invention, though not shown, the same process is performed. Can be. When manufacturing the sealing panel device having the third configuration, first, the first adhesive layer 37 made of frit glass is formed on the peripheral portion of the first panel P1 and the frame body 39 based on a coating method or the like, and then the first adhesive layer 37 is formed. C, and then calcined at about 350 ° C. to obtain the first panel P1
A first adhesive layer 37 made of frit glass is formed on the peripheral edge of the frame and the frame 39. Next, the peripheral portion of the first panel P1 and the frame body 39 are bonded by baking the frit glass. Next, a second adhesive layer 38m is formed or arranged on the peripheral portion of the frame 39 and the second panel P2. Next, the frame 3
9 and the second panel P2
Are positioned in the vacuum vessel VC, and the temperature is set to a temperature equal to or higher than the melting point of the low-melting metal material forming the second bonding layer 38m and lower than the firing temperature of the frit glass forming the first bonding layer 37. By heating the second adhesive layer 38m, a sealing panel device can be obtained. In the obtained sealing panel device, the space is evacuated (VAC) simultaneously with the bonding.
【０１１２】第４の構成を有する封止パネル装置の製造
に際しては、先ず、第１パネルＰ１の周縁部と枠体３９
とにフリットガラスから成る第１接着層３７の一部分を
塗布法等に基づき形成し、乾燥、仮焼成を行う。次い
で、第１接着層の残部を形成すべき第１パネルＰ１の領
域に低融点金属材料を形成又は配置する。こうして、第
１パネルＰ１の周縁部と枠体３９とに、フリットガラス
から成る第１接着層３７の一部分、及び、第２接着層３
８ｍを構成する低融点金属材料の融点よりも高い融点を
有する低融点金属材料から成る第１接着層３７の残部を
形成することができる。次に、フリットガラスを焼成
し、且つ、第１接着層を構成する低融点金属材料を溶融
させることによって第１パネルＰ１の周縁部と枠体３９
とを接着する。次に、枠体３９と第２パネルＰ２の周縁
部に第２接着層３８ｍを形成又は配置する。次に、既に
枠体３９と接着された第１パネルＰ１に対し、第２パネ
ルＰ２を真空容器ＶＣ内で位置合わせし、第２接着層３
８ｍを構成する低融点金属材料の融点以上の温度であっ
て、第１接着層３７の残部を構成する低融点金属材料の
融点よりも低い温度に第２接着層３８ｍを加熱すること
によって、封止パネル装置を得ることができる。得られ
た封止パネル装置においては、上記空間が接着と同時に
真空（ＶＡＣ）とされる。In manufacturing the sealed panel device having the fourth configuration, first, the peripheral portion of the first panel P1 and the frame 39 are formed.
At this time, a part of the first adhesive layer 37 made of frit glass is formed based on a coating method or the like, and is dried and calcined. Next, a low-melting-point metal material is formed or arranged in a region of the first panel P1 where the remainder of the first adhesive layer is to be formed. Thus, a part of the first adhesive layer 37 made of frit glass and the second adhesive layer 3 are provided on the peripheral portion of the first panel P1 and the frame 39.
The remaining portion of the first adhesive layer 37 made of a low melting point metal material having a melting point higher than the melting point of the low melting point metal material forming 8 m can be formed. Next, the frit glass is fired, and the low-melting metal material forming the first adhesive layer is melted, so that the peripheral portion of the first panel P1 and the frame 39 are melted.
And glue. Next, a second adhesive layer 38m is formed or arranged on the peripheral portion of the frame 39 and the second panel P2. Next, the second panel P2 is positioned in the vacuum vessel VC with respect to the first panel P1 already bonded to the frame 39, and the second bonding layer 3 is formed.
By heating the second adhesive layer 38m to a temperature equal to or higher than the melting point of the low-melting metal material forming 8m and lower than the melting point of the low-melting metal material forming the remainder of the first adhesive layer 37, the sealing is performed. A stop panel device can be obtained. In the obtained sealing panel device, the space is evacuated (VAC) simultaneously with the bonding.
【０１１３】一方、図１８は、加熱・接着工程の後、第
１パネルＰ１と第１接着層３７と枠体３９と第２接着層
３８ｍと第２パネルＰ２とによって囲まれた空間を排気
することにより真空にする、本発明の第３Ｂの態様に係
る製造方法の工程図である。即ち、図１８の（Ａ）に示
す第１接着層３７の形成又は配置、及び図１８の（Ｂ）
に示す第１パネルＰ１と枠体３９との接着は、上述した
第３Ａの態様に係る製造方法と同様とすることができ
る。次に、第２パネルＰ２の周縁部及び枠体３９に第２
接着層３８ｍを形成又は配置する。但し、第２パネルＰ
２には排気管３３が接合されている。次に、図１８の
（Ｃ）に示すように、既に枠体３９と接着された第１パ
ネルＰ１を第２パネルＰ２と位置合わせし、枠体３９と
第２パネルＰ２とを加熱・接着する。尚、枠体３９と第
２パネルＰ２との加熱・接着は、上述した第３Ａの態様
に係る製造方法と同様とすることができる。加熱・接着
は、減圧不活性ガス雰囲気中あるいは真空雰囲気中で行
う。この時点では、第１パネルＰ１と第１接着層３７と
枠体３９と第２接着層３８ｍと第２パネルＰ２とによっ
て囲まれた空間は、未だ最終到達真空度には達していな
い。この後、図１８の（Ｄ）に示す排気工程と、図１８
の（Ｅ）に示す融着工程を、実施の形態１にて説明した
第２Ｂの態様に係る製造方法と同様の方法にて行い、最
終的に図１８の（Ｅ）に示すように、上記空間が真空
（ＶＡＣ）とされた封止パネル装置を得ることができ
る。On the other hand, FIG. 18 shows that after the heating and bonding step, the space surrounded by the first panel P1, the first bonding layer 37, the frame 39, the second bonding layer 38m, and the second panel P2 is evacuated. It is a process drawing of the manufacturing method concerning a 3B aspect of the present invention which makes vacuum by the fact. That is, the formation or arrangement of the first adhesive layer 37 shown in FIG.
The bonding between the first panel P1 and the frame body 39 shown in FIG. 7 can be performed in the same manner as in the manufacturing method according to the above-described third embodiment A. Next, the second panel P2 is provided with
An adhesive layer 38m is formed or arranged. However, the second panel P
An exhaust pipe 33 is joined to 2. Next, as shown in FIG. 18C, the first panel P1 already bonded to the frame 39 is aligned with the second panel P2, and the frame 39 and the second panel P2 are heated and bonded. . Note that the heating and bonding between the frame body 39 and the second panel P2 can be the same as in the manufacturing method according to the above-described third embodiment A. Heating and bonding are performed in a reduced pressure inert gas atmosphere or a vacuum atmosphere. At this point, the space surrounded by the first panel P1, the first adhesive layer 37, the frame 39, the second adhesive layer 38m, and the second panel P2 has not yet reached the final ultimate vacuum. Thereafter, the evacuation process shown in FIG.
(E) is performed by the same method as the manufacturing method according to the second embodiment described in the first embodiment, and finally, as shown in FIG. A sealed panel device whose space is vacuum (VAC) can be obtained.
【０１１４】（実施の形態６）実施の形態６は、実施の
形態５の変形例であり、接着層を保持する凹部を有する
枠体を用いた封止パネル装置の例である。３種類の枠体
の構成例を図１９に示し、その中の１種類の枠体を用い
た封止パネル装置の構成例を図２０に示す。尚、実施の
形態６の説明において、第１接着層３７と第２接着層３
８ｍを単に「接着層」と総称し、また、第１外側凹部４
１Ａ、第１内側凹部４１Ｂ、第２外側凹部４２Ａ、第２
内側凹部４２Ｂを単に「凹部」と総称する場合がある。(Embodiment 6) Embodiment 6 is a modification of Embodiment 5, and is an example of a sealing panel device using a frame having a concave portion for holding an adhesive layer. FIG. 19 shows a configuration example of three types of frames, and FIG. 20 shows a configuration example of a sealing panel device using one type of the frames. In the description of the sixth embodiment, the first adhesive layer 37 and the second adhesive layer 3
8 m is simply referred to as an “adhesive layer”.
1A, first inner recess 41B, second outer recess 42A, second
The inner concave portion 42B may be simply referred to as “recess”.
【０１１５】図１９の（Ａ）に、第２パネルとの対向面
に凹部を有する枠体４０を示す。この場合の凹部とは、
第２外側接着層３８Ａを保持可能な第２外側凹部４２Ａ
と、第２内側接着層３８Ｂを保持可能な第２内側凹部４
２Ｂである。図１９の（Ｂ）に、第１パネルとの対向面
に凹部を有する枠体４０を示す。この場合の凹部とは、
第１外側接着層３７Ａを保持可能な第１外側凹部４１Ａ
と、第１内側接着層３７Ｂを保持可能な第１内側凹部４
１Ｂである。図１９の（Ｃ）に、第２パネルとの対向面
と第１パネルとの対向面との双方に凹部を有する枠体４
０を示す。この場合の凹部とは、第２外側接着層３８Ａ
を保持可能な第２外側凹部４２Ａ、第２内側接着層３８
Ｂを保持可能な第２内側凹部４２Ｂ、第１外側接着層３
７Ａを保持可能な第１外側凹部４１Ａ、及び、第１内側
接着層３７Ｂを保持可能な第１内側凹部４１Ｂである。FIG. 19A shows a frame body 40 having a concave portion on the surface facing the second panel. The recess in this case is
Second outer concave portion 42A capable of holding second outer adhesive layer 38A
And the second inner concave portion 4 capable of holding the second inner adhesive layer 38B
2B. FIG. 19B shows a frame body 40 having a concave portion on the surface facing the first panel. The recess in this case is
First outer concave portion 41A capable of holding first outer adhesive layer 37A
And the first inner concave portion 4 capable of holding the first inner adhesive layer 37B
1B. FIG. 19C shows a frame 4 having recesses on both the surface facing the second panel and the surface facing the first panel.
Indicates 0. The recess in this case is the second outer adhesive layer 38A.
Outer concave portion 42A that can hold the second inner adhesive layer 38
B, the second inner concave portion 42B capable of holding B, the first outer adhesive layer 3
The first outer recess 41A can hold the first inner adhesive layer 37B and the first inner recess 41B can hold the first inner adhesive layer 37B.
【０１１６】図２０の（Ａ）は、代表例として図１９の
（Ｃ）に示した枠体４０を用いて構成した封止パネル装
置の一部の拡大断面図であり、図２０の（Ｂ）は模式的
な分解斜視図である。各接着層は、各凹部に保持されて
いる。図では、第１パネルＰ１、第２パネルＰ２、及び
枠体４０の接着層形成予定部位の全てに下地層３６が設
けられているが、勿論、この構成に限られない。また、
各接着層は各凹部を隙間無く埋め込むように設けられて
いてもよい。かかる構成によれば、第１外側凹部４１Ａ
と第１内側凹部４１Ｂとの間の枠体の凸状部分、及び、
第２外側凹部４２Ａと第２内側凹部４２Ｂとの間の枠体
４０の凸状部分がそれぞれ第１パネルＰ１と第２パネル
Ｐ２に当接されるので、第１パネルＰ１と第２パネルＰ
２との離間距離をより精密に制御することが可能とな
る。また、第１外側接着層３７Ａと第１内側接着層３８
Ａとの間、及び、第２外側接着層３８Ａと第２内側接着
層３８Ｂとの間に微小空間が殆ど発生しないので、例え
ば本発明の第２Ｂの態様あるいは第３Ｂの態様に係る製
造方法において、加熱・接着工程までのプロセスを大気
中で行うことも可能となる。FIG. 20A is an enlarged cross-sectional view of a part of a sealing panel device constituted by using the frame 40 shown in FIG. 19C as a representative example, and FIG. () Is a schematic exploded perspective view. Each adhesive layer is held in each recess. In the figure, the base layer 36 is provided on all of the portions where the adhesive layer is to be formed on the first panel P1, the second panel P2, and the frame 40, but it is needless to say that the present invention is not limited to this configuration. Also,
Each adhesive layer may be provided so as to fill each concave portion without any gap. According to this configuration, the first outer concave portion 41A
A convex portion of the frame between the first inner concave portion 41B and
Since the convex portions of the frame body 40 between the second outer concave portion 42A and the second inner concave portion 42B abut against the first panel P1 and the second panel P2, respectively, the first panel P1 and the second panel P
2 can be more precisely controlled. Also, the first outer adhesive layer 37A and the first inner adhesive layer 38
A, and between the second outer adhesive layer 38A and the second inner adhesive layer 38B, very little space is generated. For example, in the manufacturing method according to the second embodiment or the third embodiment of the present invention, It is also possible to perform the processes up to the heating and bonding steps in the atmosphere.
【０１１７】実施の形態６の封止パネル装置における接
着層を保持する凹部を有する枠体を、実施の形態４にて
説明した封止パネル装置に適用することもできる。The frame having a recess for holding the adhesive layer in the sealing panel device of the sixth embodiment can be applied to the sealing panel device described in the fourth embodiment.
【０１１８】以上、本発明を、発明の実施の形態に基づ
き説明したが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。封止パネル装置の構造の細部、封止パネル装置を適
用した表示装置の構造の細部は例示であり、適宜変更、
選択、組合せが可能である。例えば、下地層３６は、本
発明の全ての態様に係る封止パネル装置及びその製造方
法に適用することができる。また、本発明の全ての態様
に係る封止パネル装置を適用して表示装置を構成するこ
とができる。尚、接着層は外側接着層と該外側接着層か
ら離間した内側接着層とから成るが、製造上、封止パネ
ル装置において外側接着層と内側接着層とが一部分接触
する場合もあり得る。The present invention has been described based on the embodiments of the present invention, but the present invention is not limited to these embodiments. The details of the structure of the sealing panel device, the details of the structure of the display device to which the sealing panel device is applied are examples, and may be appropriately changed,
Selection and combination are possible. For example, the base layer 36 can be applied to the sealing panel device and the manufacturing method thereof according to all aspects of the present invention. Further, a display device can be formed by applying the sealing panel device according to any of the embodiments of the present invention. The adhesive layer is composed of the outer adhesive layer and the inner adhesive layer separated from the outer adhesive layer. However, in manufacturing, the outer adhesive layer and the inner adhesive layer may partially contact each other in the sealing panel device.
【０１１９】本発明の第１の態様に係る封止パネル装置
あるいはその製造方法においては、第１パネル及び／又
は第２パネルとして、周縁部にフリットガラスから成る
突起部（第２の態様に係る封止パネル装置における枠体
に相当する）が形成された第１パネル及び／又は第２パ
ネルを用いることもできる。そして、必要に応じて、第
１パネル及び／又は第２パネルのかかる突起部に低融点
金属材料から成る接着層を形成し、あるいは配置すれば
よい。また、かかる構造の第１パネル及び／又は第２パ
ネルを用いる場合であって、下地層を形成する必要があ
る場合には、フリットガラスから成る突起部の頂面に下
地層を形成すればよい。In the sealing panel device or the method of manufacturing the same according to the first aspect of the present invention, as the first panel and / or the second panel, the projections made of frit glass on the peripheral portion (according to the second aspect) A first panel and / or a second panel on which a frame (corresponding to a frame in a sealing panel device) is formed can also be used. Then, if necessary, an adhesive layer made of a low-melting-point metal material may be formed or arranged on such protrusions of the first panel and / or the second panel. In the case where the first panel and / or the second panel having such a structure is used and an underlayer needs to be formed, the underlayer may be formed on the top surface of the protrusion made of frit glass. .
【０１２０】[0120]
【発明の効果】本発明の封止パネル装置あるいはその製
造方法においては、対向配置された第１パネルと第２パ
ネルとを接着する接着層、第１パネルと枠体を接着する
第１接着層、あるいは、枠体と第２パネルとを接着する
第２接着層が低融点金属材料から成るので、真空空間の
真空度を向上させると共に高真空度を長期間維持するこ
とが可能となり、封止パネル装置の信頼性が向上する。
しかも、上記接着層、第２接着層、及び場合によっては
第１接着層が内側、外側の２重構成とされるので、真空
度の維持に関して信頼性が向上する。かかる信頼性の向
上により、封止パネル装置として冷陰極電界電子放出型
の表示装置を想定した場合において、表示画面の大型化
が可能となる。また、本発明の封止パネル装置の製造方
法によれば、煩雑な操作を一切必要とせずに、高い生産
性をもって封止パネル装置を製造することが可能とな
る。According to the sealing panel device or the method of manufacturing the same of the present invention, an adhesive layer for adhering a first panel and a second panel which are opposed to each other, and a first adhesive layer for adhering a first panel and a frame. Alternatively, since the second adhesive layer for bonding the frame and the second panel is made of a low melting point metal material, it is possible to improve the degree of vacuum in the vacuum space and maintain the high degree of vacuum for a long period of time. The reliability of the panel device is improved.
In addition, since the adhesive layer, the second adhesive layer, and possibly the first adhesive layer have an inner and outer double structure, reliability in maintaining a degree of vacuum is improved. With such improved reliability, the size of the display screen can be increased when a cold cathode field emission display device is assumed as the sealing panel device. Further, according to the method for manufacturing a sealed panel device of the present invention, a sealed panel device can be manufactured with high productivity without any complicated operation.
【図１】実施の形態１の封止パネル装置の概念図であ
り、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は分解斜視図である。FIG. 1 is a conceptual diagram of a sealing panel device according to a first embodiment, in which (A) is a cross-sectional view and (B) is an exploded perspective view.
【図２】表示装置として構成された実施の形態１の封止
パネル装置の模式的断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the sealing panel device according to the first embodiment configured as a display device.
【図３】図２に示した封止パネル装置の一部を拡大して
示す分解斜視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view showing a part of the sealing panel device shown in FIG. 2 in an enlarged manner.
【図４】実施の形態１の封止パネル装置の製造方法を概
念的に示す工程図である。FIG. 4 is a process chart conceptually showing a method for manufacturing the sealed panel device of the first embodiment.
【図５】接着と同時に真空の空間を形成する実施の形態
１の封止パネル装置の製造方法を概念的に示す工程図で
ある。FIG. 5 is a process chart conceptually showing a method of manufacturing the sealed panel device of the first embodiment in which a vacuum space is formed at the same time as bonding.
【図６】接着後の排気により真空の空間を形成する実施
の形態１の封止パネル装置の製造方法を概念的に示す工
程図である。FIG. 6 is a process chart conceptually showing a method of manufacturing the sealed panel device of the first embodiment in which a vacuum space is formed by evacuation after bonding.
【図７】間隔維持部材を用いた実施の形態２の封止パネ
ル装置の製造方法を概念的に示す工程図である。FIG. 7 is a process chart conceptually showing a method of manufacturing the sealing panel device of the second embodiment using the gap maintaining member.
【図８】下地層を用いた実施の形態３の封止パネル装置
の製造方法を概念的に示す工程図である。FIG. 8 is a process chart conceptually showing a method for manufacturing a sealing panel device of Embodiment 3 using an underlayer.
【図９】実施の形態４の封止パネル装置の概念図であ
り、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は分解斜視図である。9A and 9B are conceptual diagrams of a sealing panel device according to a fourth embodiment, in which FIG. 9A is a cross-sectional view and FIG. 9B is an exploded perspective view.
【図１０】表示装置として構成された実施の形態４の封
止パネル装置の概念的な断面図である。FIG. 10 is a conceptual cross-sectional view of a sealing panel device according to a fourth embodiment configured as a display device.
【図１１】実施の形態４の封止パネル装置の製造方法を
概念的に示す工程図である。FIG. 11 is a process chart conceptually showing a method of manufacturing the sealed panel device of the fourth embodiment.
【図１２】接着と同時に真空の空間を形成する実施の形
態４の封止パネル装置の製造方法を概念的に示す工程図
である。FIG. 12 is a process chart conceptually showing a method of manufacturing a sealed panel device of Embodiment 4 in which a vacuum space is formed simultaneously with bonding.
【図１３】接着後の排気により真空の空間を形成する発
明の実施の形態４の封止パネル装置の製造方法を概念的
に示す工程図である。FIG. 13 is a process chart conceptually showing a method of manufacturing a sealed panel device according to a fourth embodiment of the present invention in which a vacuum space is formed by evacuation after bonding.
【図１４】実施の形態５の封止パネル装置の構成を示す
概念図であり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は分解斜視図で
ある。14A and 14B are conceptual diagrams illustrating a configuration of a sealing panel device according to a fifth embodiment, where FIG. 14A is a cross-sectional view and FIG. 14B is an exploded perspective view.
【図１５】実施の形態５の封止パネル装置の他の構成を
示す概念図であり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は分解斜視
図である。15A and 15B are conceptual diagrams showing another configuration of the sealing panel device according to the fifth embodiment, where FIG. 15A is a sectional view and FIG. 15B is an exploded perspective view.
【図１６】実施の形態５の封止パネル装置の製造方法を
概念的に示す工程図である。FIG. 16 is a process chart conceptually showing a method of manufacturing the sealed panel device of the fifth embodiment.
【図１７】接着と同時に真空の空間を形成する実施の形
態５の封止パネル装置の製造方法を概念的に示す工程図
である。FIG. 17 is a process chart conceptually showing a method of manufacturing the sealed panel device of the fifth embodiment in which a vacuum space is formed at the same time as bonding.
【図１８】接着後の排気により真空の空間を形成する発
明の実施の形態５の封止パネル装置の製造方法を概念的
に示す工程図である。FIG. 18 is a process chart conceptually showing a method of manufacturing a sealed panel device according to a fifth embodiment of the present invention in which a vacuum space is formed by evacuation after bonding.
【図１９】接着層を保持する凹部を有し、実施の形態６
の封止パネル装置に用いられる枠体の概念的な断面図で
ある。FIG. 19 is a sectional view showing a sixth embodiment having a concave portion for holding an adhesive layer.
It is a conceptual sectional view of the frame used for the sealing panel device of FIG.
【図２０】実施の形態６の封止パネル装置の概念図であ
り、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は分解斜視図である。20A and 20B are conceptual diagrams of a sealing panel device according to a sixth embodiment, where FIG. 20A is a cross-sectional view and FIG. 20B is an exploded perspective view.
【図２１】スピント型電界放出素子の模式的な一部端面
図である。FIG. 21 is a schematic partial end view of a Spindt-type field emission device.
【図２２】エッジ型電界放出素子の模式的な一部端面図
である。FIG. 22 is a schematic partial end view of the edge type field emission device.
【図２３】平面型電界放出素子の模式的な一部端面図で
ある。FIG. 23 is a schematic partial end view of the flat field emission device.
Ｐ１・・・第１パネル、Ｐ２・・・第２パネル、３０ｍ
・・・接着層、３１・・・貫通孔、３２・・・接合層、
３３・・・排気管、３４・・・封止装置、３５・・・間
隔維持部材、３６・・・下地層、３７，３７ｍ，３７ｆ
・・・第１接着層、３７Ａ・・・第１外側接着層、３７
Ｂ・・・第１内側接着層、３８ｍ・・・第２接着層、３
８Ａ・・・第２外側接着層、３８Ｂ・・・第２内側接着
層、３９，４０・・・枠体、４１Ａ・・・第１外側凹
部、４１Ｂ・・・第１内側凹部、４２Ａ・・・第２外側
凹部、４２Ｂ・・・第２内側凹部、ＶＣ・・・真空容
器、１０・・・基板、１１・・・ブラック・マトリク
ス、１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ・・・蛍光体層、１３・・
・アノード電極、１４，２４・・・絶縁層、２０・・・
支持体、２１・・・カソード電極、２３・・・ゲート電
極、１０１・・・加速電源、１０２・・・制御回路、１
０３・・・走査回路P1: first panel, P2: second panel, 30 m
... adhesive layer, 31 ... through hole, 32 ... bonding layer,
33 ... exhaust pipe, 34 ... sealing device, 35 ... interval maintaining member, 36 ... foundation layer, 37, 37m, 37f
... 1st adhesive layer, 37A ... 1st outer adhesive layer, 37
B: first inner adhesive layer, 38 m: second adhesive layer, 3
8A: second outer adhesive layer, 38B: second inner adhesive layer, 39, 40: frame, 41A: first outer concave part, 41B: first inner concave part, 42A ... 2nd outer concave portion, 42B 2nd inner concave portion, VC: vacuum container, 10: substrate, 11: black matrix, 12R, 12G, 12B: phosphor layer, 13.・
.Anode electrodes, 14, 24 ... insulating layers, 20 ...
Support, 21: cathode electrode, 23: gate electrode, 101: acceleration power supply, 102: control circuit, 1
03 ・ ・ ・ Scanning circuit
Claims (37)
が、周縁部において、外側接着層と該外側接着層から離
間した内側接着層とから成る接着層によって接着され、 第１パネルと第２パネルと接着層とによって囲まれた空
間が真空にされ、 接着層は、低融点金属材料から成ることを特徴とする封
止パネル装置。A first panel and a second panel which are opposed to each other are bonded at a peripheral edge thereof by an adhesive layer including an outer adhesive layer and an inner adhesive layer separated from the outer adhesive layer; A space enclosed by the second panel and the adhesive layer is evacuated, and the adhesive layer is made of a low-melting metal material.
維持するための間隔維持部材が、第１パネルと第２パネ
ルとの間に挟持されていることを特徴とする請求項１に
記載の封止パネル装置。2. The apparatus according to claim 1, wherein a spacing maintaining member for maintaining a constant spacing between the first panel and the second panel is sandwiched between the first panel and the second panel. A sealing panel device according to item 1.
形成されたアノード電極及び蛍光体層から成り、 第２パネルは、支持体、並びに、該支持体上に形成さ
れ、アノード電極と蛍光体層とに対向した冷陰極電界電
子放出部から成り、 冷陰極電界電子放出部から放出された電子が蛍光体層に
衝突して該蛍光体層が発光することを特徴とする請求項
１に記載の封止パネル装置。3. A first panel comprising a substrate, an anode electrode and a phosphor layer formed on the substrate, and a second panel comprising a support and an anode electrode formed on the support. And a cold cathode field electron emission section facing the phosphor layer, wherein electrons emitted from the cold cathode field electron emission section collide with the phosphor layer and the phosphor layer emits light. 2. The sealing panel device according to 1.
れた第１パネル及び第２パネルから成り、 枠体と第１パネルとは第１接着層によって接着され、 枠体と第２パネルとは、第２外側接着層と該第２外側接
着層から離間した第２内側接着層とから構成された第２
接着層によって接着され、 第１パネルと第１接着層と枠体と第２接着層と第２パネ
ルとによって囲まれた空間が真空にされ、 第２接着層は、低融点金属材料から成ることを特徴とす
る封止パネル装置。4. A frame, and a first panel and a second panel opposed to each other with the frame interposed therebetween, wherein the frame and the first panel are bonded by a first adhesive layer, and the frame and the first panel are bonded to each other. The second panel includes a second outer adhesive layer and a second inner adhesive layer separated from the second outer adhesive layer.
A space enclosed by the first panel, the first adhesive layer, the frame, the second adhesive layer, and the second panel is evacuated; and the second adhesive layer is made of a low melting point metal material. A sealing panel device characterized by the above-mentioned.
１接着層を構成する低融点金属材料の融点と、第２接着
層を構成する低融点金属材料の融点とは、略等しいこと
を特徴とする請求項４に記載の封止パネル装置。5. The first adhesive layer is made of a low-melting metal material, and the melting point of the low-melting metal material constituting the first adhesive layer is substantially equal to the melting point of the low-melting metal material constituting the second adhesive layer. The sealing panel device according to claim 4, wherein:
側接着層から離間した第１内側接着層とから構成されて
いることを特徴とする請求項５に記載の封止パネル装
置。6. The sealing device according to claim 5, wherein the first adhesive layer comprises a first outer adhesive layer and a first inner adhesive layer separated from the first outer adhesive layer. Panel equipment.
１接着層を構成する低融点金属材料の融点は、第２接着
層を構成する低融点金属材料の融点よりも高いことを特
徴とする請求項４に記載の封止パネル装置。7. The first bonding layer is made of a low-melting metal material, and the melting point of the low-melting metal material forming the first bonding layer is higher than the melting point of the low-melting metal material forming the second bonding layer. The sealing panel device according to claim 4, characterized in that:
側接着層から離間した第１内側接着層とから構成されて
いることを特徴とする請求項７に記載の封止パネル装
置。8. The encapsulation according to claim 7, wherein the first adhesive layer comprises a first outer adhesive layer and a first inner adhesive layer separated from the first outer adhesive layer. Panel equipment.
を特徴とする請求項４に記載の封止パネル装置。9. The sealing panel device according to claim 4, wherein the first adhesive layer is made of frit glass.
ら成り、第１接着層の残部は低融点金属材料から成るこ
とを特徴とする請求項４に記載の封止パネル装置。10. The sealing panel device according to claim 4, wherein a part of the first adhesive layer is made of frit glass, and the remaining part of the first adhesive layer is made of a low melting point metal material.
内側凹部と、第２外側接着層を保持する第２外側凹部と
を第２パネルとの対向面に有することを特徴とする請求
項４に記載の封止パネル装置。11. A frame for holding a second inner adhesive layer.
The sealing panel device according to claim 4, wherein an inner concave portion and a second outer concave portion holding the second outer adhesive layer are provided on a surface facing the second panel.
に形成されたアノード電極及び蛍光体層から成り、 第２パネルは、支持体、並びに、該支持体上に形成さ
れ、アノード電極と蛍光体層とに対向した冷陰極電界電
子放出部から成り、 冷陰極電界電子放出部から放出された電子が蛍光体層に
衝突して該蛍光体層が発光することを特徴とする請求項
４に記載の封止パネル装置。12. A first panel comprising a substrate, an anode electrode and a phosphor layer formed on the substrate, and a second panel comprising a support and an anode electrode formed on the support. And a cold cathode field emission portion facing the phosphor layer, wherein electrons emitted from the cold cathode field emission portion collide with the phosphor layer and the phosphor layer emits light. 5. The sealing panel device according to 4.
の周縁部に、低融点金属材料から成り、外側接着層と該
外側接着層から離間した内側接着層とから構成された接
着層を形成し、あるいは配置する工程と、 （ロ）接着層を構成する低融点金属材料の融点以上の温
度に接着層を加熱することにより、第１パネルと第２パ
ネルとを接着層によって接着する工程、を有することを
特徴とする封止パネル装置の製造方法。13. An adhesive layer made of a low-melting metal material and comprising an outer adhesive layer and an inner adhesive layer separated from the outer adhesive layer on a peripheral portion of the first panel and / or the second panel. (B) bonding the first panel and the second panel by the adhesive layer by heating the adhesive layer to a temperature equal to or higher than the melting point of the low-melting metal material forming the adhesive layer. A method for manufacturing a sealing panel device, comprising:
で行い、以て、第１パネルと第２パネルと接着層とによ
って囲まれた空間を真空にすることを特徴とする請求項
１３に記載の封止パネル装置の製造方法。14. The method according to claim 13, wherein the heating in the step (b) is performed in a vacuum atmosphere, whereby the space surrounded by the first panel, the second panel, and the adhesive layer is evacuated. The manufacturing method of the sealing panel device as described in the above.
れた空間を排気して真空にする工程、を有することを特
徴とする請求項１３に記載の封止パネル装置の製造方
法。15. The method according to claim 13, further comprising: after the step (b), (c) evacuating a space surrounded by the first panel, the second panel, and the adhesive layer to make the space vacuum. 5. The method for manufacturing a sealed panel device according to item 1.
通孔と、該貫通孔の周囲に接合層を用いて接合され、該
貫通孔に連通した排気管とを設け、 工程（ハ）における排気を排気管を通じて行うことを特
徴とする請求項１５に記載の封止パネル装置の製造方
法。16. The method according to claim 16, wherein the first panel and / or the second panel are provided with a through hole and an exhaust pipe joined around the through hole by using a bonding layer and communicated with the through hole. The method for manufacturing a sealed panel device according to claim 15, wherein the exhaust in (1) is performed through an exhaust pipe.
ルとの間隔を一定に維持するための間隔維持部材を第１
パネル又は第２パネル上に予め配置しておくことを特徴
とする請求項１３に記載の封止パネル装置の製造方法。17. In the step (a), an interval maintaining member for maintaining an interval between the first panel and the second panel constant is provided by the first panel.
The method for manufacturing a sealed panel device according to claim 13, wherein the sealing panel device is disposed on a panel or a second panel in advance.
又は第２パネルの接着層形成予定部位に、低融点金属材
料に対する濡れ性を改善するための下地層を形成するこ
とを特徴とする請求項１３に記載の封止パネル装置の製
造方法。18. The method according to claim 18, wherein the first panel and / or
The method for manufacturing a sealing panel device according to claim 13, wherein an underlayer for improving wettability with respect to a low-melting metal material is formed at a portion of the second panel where an adhesive layer is to be formed.
に形成されたアノード電極及び蛍光体層から成り、 第２パネルは、支持体、並びに、該支持体上に形成さ
れ、アノード電極と蛍光体層とに対向した冷陰極電界電
子放出部から成り、 冷陰極電界電子放出部から放出された電子が蛍光体層に
衝突して該蛍光体層が発光することを特徴とする請求項
１３に記載の封止パネル装置の製造方法。19. A first panel comprising a substrate, an anode electrode and a phosphor layer formed on the substrate, and a second panel comprising a support and an anode electrode formed on the support. And a cold cathode field electron emission section facing the phosphor layer, wherein electrons emitted from the cold cathode field electron emission section collide with the phosphor layer and the phosphor layer emits light. 14. The method for manufacturing a sealed panel device according to item 13.
された第１パネル及び第２パネルから成る封止パネル装
置の製造方法であって、 （イ）第１パネルの周縁部及び／又は枠体に、低融点金
属材料から成り、且つ、第１外側接着層と該第１外側接
着層から離間した第１内側接着層とから構成された第１
接着層を形成し、あるいは配置し、一方、第２パネルの
周縁部及び／又は枠体に、低融点金属材料から成り、且
つ、第２外側接着層と該第２外側接着層から離間した第
２内側接着層とから構成された第２接着層を形成し、あ
るいは配置する工程と、 （ロ）第１接着層を構成する低融点金属材料の融点、及
び第２接着層を構成する低融点金属材料の融点以上の温
度に第１接着層及び第２接着層を加熱することにより、
枠体と第１パネルとを第１接着層によって接着し、且
つ、枠体と第２パネルとを第２接着層によって接着する
工程、を有することを特徴とする封止パネル装置の製造
方法。20. A method for manufacturing a frame, and a sealed panel device comprising a first panel and a second panel arranged to face each other with the frame interposed therebetween, comprising: (a) a peripheral portion of the first panel; And / or a first frame formed of a low-melting metal material and having a first outer bonding layer and a first inner bonding layer separated from the first outer bonding layer.
An adhesive layer is formed or arranged, while a peripheral portion and / or a frame of the second panel is formed of a low melting point metal material, and the second outer adhesive layer and the second outer adhesive layer are separated from the second outer adhesive layer. Forming or arranging a second adhesive layer composed of the second inner adhesive layer; and (b) a melting point of the low melting point metal material constituting the first adhesive layer and a low melting point constituting the second adhesive layer. By heating the first adhesive layer and the second adhesive layer to a temperature equal to or higher than the melting point of the metal material,
Bonding the frame and the first panel with a first adhesive layer, and bonding the frame and the second panel with a second adhesive layer.
で行い、以て、第１パネルと第１接着層と枠体と第２接
着層と第２パネルとによって囲まれた空間を真空にする
ことを特徴とする請求項２０に記載の封止パネル装置の
製造方法。21. The heating in the step (b) is performed in a vacuum atmosphere, whereby the space surrounded by the first panel, the first adhesive layer, the frame, the second adhesive layer, and the second panel is evacuated. The method of manufacturing a sealed panel device according to claim 20, wherein:
第２パネルとによって囲まれた空間を排気して真空にす
る工程、を有することを特徴とする請求項２０に記載の
封止パネル装置の製造方法。22. After the step (b), (c) evacuating a space surrounded by the first panel, the first inner adhesive layer, the frame, the second adhesive layer, and the second panel to make a vacuum. The method of manufacturing a sealed panel device according to claim 20, comprising:
通孔と、該貫通孔の周囲に接合層を用いて接合され、該
貫通孔に連通した排気管とを設けておき、工程（ハ）に
おける排気を排気管を通じて行うことを特徴とする請求
項２２に記載の封止パネル装置の製造方法。23. The method according to claim 23, wherein the first panel and / or the second panel are provided with a through hole and an exhaust pipe joined around the through hole using a bonding layer and communicated with the through hole. 23. The method according to claim 22, wherein the exhaust in step c) is performed through an exhaust pipe.
及び第２パネルの少なくともいずれかの接着層形成予定
部位に、低融点金属材料に対する濡れ性を改善するため
の下地層を形成することを特徴とする請求項２０に記載
の封止パネル装置の製造方法。24. Prior to the step (a), a base layer for improving wettability to a low melting point metal material is formed on at least one of the first panel, the frame, and the second panel where a bonding layer is to be formed. The method of manufacturing a sealed panel device according to claim 20, wherein:
融点と、第２接着層を構成する低融点金属材料の融点と
は、略等しいこと特徴とする請求項２０に記載の封止パ
ネル装置の製造方法。25. The encapsulation according to claim 20, wherein the melting point of the low-melting metal material forming the first adhesive layer is substantially equal to the melting point of the low-melting metal material forming the second adhesive layer. A method for manufacturing a panel device.
１内側凹部と第１外側接着層を保持する第１外側凹部と
を第１パネルとの対向面に形成しておくか、第２内側接
着層を保持する第２内側凹部と第２外側接着層を保持す
る第２外側凹部とを第２パネルとの対向面に形成してお
くか、若しくは、第１内側接着層を保持する第１内側凹
部と第１外側接着層を保持する第１外側凹部とを第１パ
ネルとの対向面に形成し、且つ、第２内側接着層を保持
する第２内側凹部と第２外側接着層を保持する第２外側
凹部とを第２パネルとの対向面に形成しておくことを特
徴とする請求項２０に記載の封止パネル装置の製造方
法。26. A method according to claim 26, wherein a first inner concave portion for holding the first inner adhesive layer and a first outer concave portion for holding the first outer adhesive layer are formed on the surface facing the first panel. A second inner concave portion holding the second inner adhesive layer and a second outer concave portion holding the second outer adhesive layer are formed on the surface facing the second panel, or the first inner adhesive layer is A first inner concave portion holding the first inner concave portion and a first outer concave portion holding the first outer adhesive layer are formed on a surface facing the first panel, and a second inner concave portion holding the second inner adhesive layer and a second outer concave portion. The method for manufacturing a sealed panel device according to claim 20, wherein a second outer concave portion holding the adhesive layer is formed on a surface facing the second panel.
に形成されたアノード電極及び蛍光体層から成り、 第２パネルは、支持体、並びに、該支持体上に形成さ
れ、アノード電極と蛍光体層とに対向した冷陰極電界電
子放出部から成り、 冷陰極電界電子放出部から放出された電子が蛍光体層に
衝突して該蛍光体層が発光することを特徴とする請求項
２０に記載の封止パネル装置の製造方法。27. A first panel comprising a substrate, an anode electrode and a phosphor layer formed on the substrate, and a second panel comprising a support and an anode electrode formed on the support. And a cold cathode field electron emission section facing the phosphor layer, wherein electrons emitted from the cold cathode field electron emission section collide with the phosphor layer and the phosphor layer emits light. 20. The method for manufacturing a sealed panel device according to 20.
された第１パネル及び第２パネルから成る封止パネル装
置の製造方法であって、 （イ）第１パネルの周縁部と枠体とを第１接着層によっ
て接着する工程と、 （ロ）第２パネルの周縁部及び／又は枠体に、低融点金
属材料から成り、且つ、第２外側接着層と該第２外側接
着層から離間した第２内側接着層から構成された第２接
着層を形成し、あるいは配置する工程と、 （ハ）第２接着層を構成する低融点金属材料の融点以上
の温度に第２接着層を加熱することにより、枠体と第２
パネルとを第２接着層によって接着する工程、を有する
ことを特徴とする封止パネル装置の製造方法。28. A method of manufacturing a frame, and a sealing panel device comprising a first panel and a second panel opposed to each other with the frame interposed therebetween, comprising: (a) a peripheral portion of the first panel; A step of bonding the frame to the first panel with a first adhesive layer; and (b) a low-melting metal material on the peripheral portion of the second panel and / or the frame, and a second outer adhesive layer and the second outer layer. Forming or arranging a second adhesive layer composed of a second inner adhesive layer separated from the layer; and (c) performing the second adhesion at a temperature equal to or higher than the melting point of the low-melting metal material constituting the second adhesive layer. By heating the layer, the frame and the second
Bonding the panel to the panel with a second adhesive layer.
で行い、以て、第１パネルと第１接着層と枠体と第２接
着層と第２パネルとによって囲まれた空間を真空にする
ことを特徴とする請求項２８に記載の封止パネル装置の
製造方法。29. The heating in the step (c) is performed in a vacuum atmosphere, so that the space surrounded by the first panel, the first adhesive layer, the frame, the second adhesive layer, and the second panel is evacuated. The method for manufacturing a sealed panel device according to claim 28, wherein
２パネルとによって囲まれた空間を排気して真空にする
工程、を有することを特徴とする請求項２８に記載の封
止パネル装置の製造方法。30. After the step (c), (d) evacuating a space surrounded by the first panel, the first adhesive layer, the frame, the second adhesive layer, and the second panel to create a vacuum. The method for manufacturing a sealed panel device according to claim 28, comprising:
通孔と、該貫通孔の周囲に接合層を用いて接合され、該
貫通孔に連通した排気管とを設け、 工程（ニ）における排気を排気管を通じて行うことを特
徴とする請求項３０に記載の封止パネル装置の製造方
法。31. A step of providing a first panel and / or a second panel with a through hole and an exhaust pipe joined around the through hole using a bonding layer and communicating with the through hole. 31. The method for manufacturing a sealed panel device according to claim 30, wherein the exhaust in step is performed through an exhaust pipe.
融点金属材料の融点よりも高い融点を有する低融点金属
材料から成り、 工程（イ）では、第１接着層を構成する低融点金属材料
の融点以上の温度にて第１接着層を加熱し、 工程（ハ）では、第２接着層を構成する低融点金属材料
の融点以上の温度であって、第１接着層を構成する低融
点金属材料の融点よりも低い温度に第２接着層を加熱す
ることを特徴とする請求項２８に記載の封止パネル装置
の製造方法。32. The first adhesive layer is made of a low-melting metal material having a higher melting point than the low-melting metal material forming the second adhesive layer. In the step (a), the first adhesive layer is formed. Heating the first adhesive layer at a temperature equal to or higher than the melting point of the low-melting metal material; and in step (c), heating the first adhesive layer at a temperature equal to or higher than the melting point of the low-melting metal material forming the second adhesive layer. The method for manufacturing a sealing panel device according to claim 28, wherein the second adhesive layer is heated to a temperature lower than the melting point of the low melting point metal material to be constituted.
融点金属材料の融点よりも高い焼成温度を有するフリッ
トガラスから成り、 工程（イ）では、フリットガラスを焼成することによっ
て第１パネルの周縁部と枠体とを接着し、 工程（ハ）では、第２接着層を構成する低融点金属材料
の融点以上の温度であって、第１接着層を構成するフリ
ットガラスの焼成温度よりも低い温度に第２接着層を加
熱することを特徴とする請求項２８に記載の封止パネル
装置の製造方法。33. The first adhesive layer is made of frit glass having a firing temperature higher than the melting point of the low-melting-point metal material forming the second adhesive layer. In the step (c), the frit glass forming the first adhesive layer is heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the low melting point metal material forming the second adhesive layer. The method according to claim 28, wherein the second adhesive layer is heated to a temperature lower than the temperature.
成する低融点金属材料の融点よりも高い焼成温度を有す
るフリットガラスから成り、 第１接着層の残部は、第２接着層を構成する低融点金属
材料の融点よりも高い融点を有する低融点金属材料から
成り、 工程（イ）では、フリットガラスを焼成し、且つ、第１
接着層を構成する低融点金属材料を溶融させることによ
って第１パネルの周縁部と枠体とを接着し、 工程（ハ）では、第２接着層を構成する低融点金属材料
の融点以上の温度であって、第１接着層の残部を構成す
る低融点金属材料の融点よりも低い温度に第２接着層を
加熱することを特徴とする請求項２８に記載の封止パネ
ル装置の製造方法。34. A part of the first adhesive layer is made of frit glass having a firing temperature higher than the melting point of the low-melting metal material forming the second adhesive layer, and the remainder of the first adhesive layer is a second adhesive layer. In the step (a), the frit glass is fired, and the first frit glass is fired.
The peripheral portion of the first panel is bonded to the frame by melting the low-melting metal material forming the adhesive layer. In the step (c), the temperature is equal to or higher than the melting point of the low-melting metal material forming the second adhesive layer. The method for manufacturing a sealing panel device according to claim 28, wherein the second adhesive layer is heated to a temperature lower than the melting point of the low-melting metal material constituting the remainder of the first adhesive layer.
部及び／又は枠体の第２接着層形成予定部位に、低融点
金属材料に対する濡れ性を改善するための下地層を形成
することを特徴とする請求項２８に記載の封止パネル装
置の製造方法。35. Prior to the step (b), a base layer for improving wettability with respect to a low melting point metal material is formed on a peripheral portion of the second panel and / or on a portion of the frame where a second adhesive layer is to be formed. The method for manufacturing a sealed panel device according to claim 28, wherein:
２内側凹部と、第２外側接着層を保持する第２外側凹部
とを第２パネルとの対向面に形成しておくことを特徴と
する請求項２８に記載の封止パネル装置の製造方法。36. The frame body has a second inner concave portion holding the second inner adhesive layer and a second outer concave portion holding the second outer adhesive layer formed on the surface facing the second panel. The method for manufacturing a sealed panel device according to claim 28, wherein:
に形成されたアノード電極及び蛍光体層から成り、 第２パネルは、支持体、並びに、該支持体上に形成さ
れ、アノード電極と蛍光体層とに対向した冷陰極電界電
子放出部から成り、 冷陰極電界電子放出部から放出された電子が蛍光体層に
衝突して該蛍光体層が発光することを特徴とする請求項
２８に記載の封止パネル装置の製造方法。37. A first panel comprising a substrate, an anode electrode and a phosphor layer formed on the substrate, and a second panel comprising a support and an anode electrode formed on the support. And a cold cathode field electron emission section facing the phosphor layer, wherein electrons emitted from the cold cathode field electron emission section collide with the phosphor layer and the phosphor layer emits light. 29. The method for manufacturing a sealed panel device according to 28.
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|---|---|---|---|
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| JP (1) | JP2000311641A (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001054161A1 (en) * | 2000-01-24 | 2001-07-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image display device, method of manufacture thereof, and apparatus for charging sealing material |
| WO2004064102A1 (en) * | 2003-01-10 | 2004-07-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image display device and method of producing the same |
| WO2004109740A1 (en) * | 2003-06-04 | 2004-12-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image display and method for manufacturing same |
| WO2005064638A1 (en) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Flat panel image display |
| CN1322529C (en) * | 2003-09-10 | 2007-06-20 | 佳能株式会社 | Hermetic container and image display apparatus |
| WO2007111072A1 (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for manufacturing photoelectric converting device |
| KR100846703B1 (en) * | 2001-10-15 | 2008-07-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | Flat Panel Display and A Side Bar of the Same and Method for manufacturing the Side Bar of the Flat Panel Display |
| JP2009032585A (en) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Futaba Corp | Focusing-type field emission cathode, and field emission display device |
-
1999
- 1999-04-28 JP JP11121497A patent/JP2000311641A/en active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001054161A1 (en) * | 2000-01-24 | 2001-07-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image display device, method of manufacture thereof, and apparatus for charging sealing material |
| US7294034B2 (en) | 2000-01-24 | 2007-11-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image display apparatus, method of manufacturing the same, and sealing-material applying device |
| KR100846703B1 (en) * | 2001-10-15 | 2008-07-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | Flat Panel Display and A Side Bar of the Same and Method for manufacturing the Side Bar of the Flat Panel Display |
| WO2004064102A1 (en) * | 2003-01-10 | 2004-07-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image display device and method of producing the same |
| KR100701112B1 (en) * | 2003-01-10 | 2007-03-29 | 가부시끼가이샤 도시바 | Image display device and method of producing the same |
| KR100759136B1 (en) * | 2003-06-04 | 2007-09-14 | 가부시끼가이샤 도시바 | Image display and method for manufacturing same |
| WO2004109740A1 (en) * | 2003-06-04 | 2004-12-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image display and method for manufacturing same |
| CN1322529C (en) * | 2003-09-10 | 2007-06-20 | 佳能株式会社 | Hermetic container and image display apparatus |
| WO2005064638A1 (en) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Flat panel image display |
| WO2007111072A1 (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for manufacturing photoelectric converting device |
| EP2001037A2 (en) * | 2006-03-29 | 2008-12-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for manufacturing photoelectric converting device |
| US7867807B2 (en) | 2006-03-29 | 2011-01-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for manufacturing photoelectric converting device |
| EP2001037A4 (en) * | 2006-03-29 | 2012-05-09 | Hamamatsu Photonics Kk | Method for manufacturing photoelectric converting device |
| JP4939530B2 (en) * | 2006-03-29 | 2012-05-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | Method for manufacturing photoelectric conversion device |
| JP2009032585A (en) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Futaba Corp | Focusing-type field emission cathode, and field emission display device |
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