JP2000307312A - Method for adjusting circuit characteristic - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for adjusting capacitance between conductors of a circuit consisting of a dielectric and a plurality of conductors in contact on the dielectric. SOLUTION: The dielectric 1 around conductors 2, 3 of the circuit is partially removed (b). Removing the dielectric 1 changes an electric field passing through around and the inside of the dielectric (c) in comparison with the state of the electric field before removing it (a). The change in the electric field causes a change in capacitance between the conductors. Thus, the capacitance component between the conductors can be adjusted in this way. Furthermore, since the conductor parts are not removed in this case, the resistance and the inductance of the conductors are not changed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は回路特性の調整方法
に関し、特に回路を構成する導体間の静電容量を調整す
る方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for adjusting circuit characteristics, and more particularly to a method for adjusting capacitance between conductors constituting a circuit.

【０００２】[0002]

【従来の技術】一般に回路を構成する導体間の静電容量
成分は、事前に正確に決定することができないため、作
製した後の静電容量の調整が設計、製作の重要な要素の
一つとなっている。この目的のために、通常、導体を部
分的に除去することにより、静電容量を減少させるとい
う手法が採用されている。例えば、特開平１−１４９５
０１号公報には、線路を構成する金属部分を削除するこ
とにより、寄生容量を微妙に変化させる方法が記載され
ている。2. Description of the Related Art In general, the capacitance component between conductors constituting a circuit cannot be accurately determined in advance. Therefore, adjustment of the capacitance after fabrication is one of the important factors in designing and manufacturing. Has become. To this end, a technique has been generally adopted in which the capacitance is reduced by partially removing the conductor. For example, JP-A-1-14995
No. 01 describes a method of subtly changing the parasitic capacitance by removing a metal part forming a line.

【０００３】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、導体の
一部を除去する静電容量の調整方法は、他の回路定数、
すなわち寄生抵抗やインダクタンスの変化を引き起こす
可能性が高いため、回路特性を調整する作業が複雑にな
り、また高い精度の調整が困難になるという問題があ
る。本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解決
することであって、その目的は、回路を構成する導体部
分を部分的に除去することなく回路特性を調整し得る方
法を提供することである。However, the method of adjusting the capacitance for removing a part of the conductor is based on other circuit constants,
That is, since there is a high possibility of causing a change in parasitic resistance and inductance, there is a problem that the operation of adjusting the circuit characteristics is complicated, and it is difficult to adjust with high accuracy. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the related art, and an object of the present invention is to provide a method capable of adjusting a circuit characteristic without partially removing a conductor portion forming a circuit. It is.

【０００４】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は、誘電体基体
と、該誘電体基体に接して設けられた複数の導電体片と
を有する機能回路の回路特性の調整方法であって、前記
複数の導電体片のうちのいずれかの導電体片の近傍の前
記誘電体基体の一部を部分的に除去することを特徴とし
ている。また、本発明による回路特性の調整方法は、前
記機能回路が平面回路として構成されていることを特徴
としている。また、本発明による回路特性の調整方法
は、前記誘電体基体が、回路基板の絶縁性基板であるこ
とを特徴としている。また、本発明による回路特性の調
整方法は、調整の対象となる導電体片が伝送線路を構成
している。また、本発明による回路特性の調整方法は、
前記伝送線路が、マイクロストリップ型伝送線路である
ことを特徴としている。また、本発明は、特に調整する
回路素子が共振器であり、当該共振器の周波数応答特性
を調整することを特徴としている。さらに、本発明は、
特に調整する当該共振器の周波数応答特性が共振周波数
か、もしくは挿入損失であることを特徴としている。ま
た、本発明は、特に調整する回路がフィルタであり、当
該フィルタの周波数応答特性を調整することを特徴とし
ている。さらに、本発明では、特にフィルタとして帯域
通過フィルタであることを特徴としている。また調整す
る帯域通過フィルタの周波数応答特性として、特に調整
する周波数応答特性が通過帯域、あるいは通過帯域幅で
あることを特徴としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a method for adjusting circuit characteristics of a functional circuit having a dielectric substrate and a plurality of conductor pieces provided in contact with the dielectric substrate. A part of the dielectric substrate in the vicinity of any one of the conductor pieces is partially removed. The method for adjusting circuit characteristics according to the present invention is characterized in that the functional circuit is configured as a planar circuit. The method for adjusting circuit characteristics according to the present invention is characterized in that the dielectric substrate is an insulating substrate of a circuit board. In the method for adjusting circuit characteristics according to the present invention, the conductor piece to be adjusted constitutes a transmission line. In addition, the method for adjusting circuit characteristics according to the present invention includes:
The transmission line is a microstrip transmission line. Further, the present invention is characterized in that the circuit element to be adjusted is a resonator, and the frequency response characteristic of the resonator is adjusted. Further, the present invention provides
In particular, the frequency response characteristic of the resonator to be adjusted is a resonance frequency or an insertion loss. Further, the present invention is characterized in that the circuit to be adjusted is a filter, and the frequency response characteristic of the filter is adjusted. Further, the present invention is characterized in that the filter is a band-pass filter. The frequency response characteristic of the bandpass filter to be adjusted is characterized in that the frequency response characteristic to be adjusted is a passband or a passband width.

【０００５】[0005]

【作用】本発明では、導体周辺部の誘電体を部分的に除
去する。誘電体を除去した部分は、真空、または当該誘
電体と誘電率の異なる絶縁性の流体により占有される。
真空と同じ誘電率を有する物質が存在しないこと、ある
いは周辺の絶縁性の流体の誘電率は誘電体と異なるた
め、誘電体内部を貫く電界は変化し、一方の誘電体外部
の真空、または絶縁性の流体を貫く電界も変化する。誘
電率と静電容量は電界の変化に伴い相関的に変化する物
理量である。従って、電界の変化に伴って、回路を構成
する実効的な誘電率も変化し、導体間の静電容量も変化
する。このようにして、導体間の静電容量成分の調整が
可能となる。また、この際、導体部分を除去することが
無いため、導体の抵抗やインダクタンスを変化させるこ
とが無い。According to the present invention, the dielectric around the conductor is partially removed. The portion from which the dielectric has been removed is occupied by a vacuum or an insulating fluid having a different dielectric constant from the dielectric.
Since there is no substance with the same dielectric constant as the vacuum, or the dielectric constant of the surrounding insulating fluid is different from that of the dielectric, the electric field passing through the inside of the dielectric changes, and the vacuum or insulation outside one dielectric The electric field through a fluid of nature also changes. The dielectric constant and the capacitance are physical quantities that change in a correlated manner with a change in the electric field. Therefore, with the change in the electric field, the effective dielectric constant of the circuit also changes, and the capacitance between the conductors also changes. In this way, it is possible to adjust the capacitance component between the conductors. At this time, since the conductor is not removed, the resistance and inductance of the conductor do not change.

【０００６】[0006]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施の
形態を説明する回路の断面図である。図１（ａ）は、静
電容量成分を調節する前の回路の断面図を、図１（ｂ）
は、導体周辺部の誘電体基板を部分的に除去した回路の
断面図を、さらに図１（ｃ）は、図１（ｂ）の回路にお
いて回路動作時の電気力線の様子を加えた断面図を模式
的に示した図である。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view of a circuit illustrating an embodiment of the present invention. FIG. 1A is a cross-sectional view of the circuit before adjusting the capacitance component, and FIG.
1 is a cross-sectional view of a circuit in which a dielectric substrate around a conductor is partially removed, and FIG. 1C is a cross-sectional view of the circuit of FIG. It is the figure which showed the figure typically.

【０００７】図１（ａ）においては、誘電体基板１の同
一平面上に導体２と導体３が並んで配置されている。な
お、この回路周辺は、真空であるかあるいは誘電体基板
と誘電率の異なる絶縁性の流体４により充填されている
ものとする。従って、導体２と導体３の間には静電容量
を生じる。この回路において、図１（ｂ）に示すよう
に、導体２と導体３間の誘電体基板１を部分的にエッチ
ングするか、あるいはトリミングすることにより除去す
る。誘電体基板１の除去された部分は流体４により占有
される。回路動作時に導体２と導体３に電位差が加わっ
た場合、図１（ｃ）に模式的に示すように電気力線５が
生じる。この際に、電気力線は図１（ｂ）において誘電
体基板が除去されて流体４により占有された部分を貫い
たり、あるいは誘電体基板２と流体３の誘電率の違いか
ら経路を変えたりする。このようにして、誘電体基板の
除去する前後で、導体２と導体３の間の誘電率、電界は
変化し導体間静電容量も変わる。従って、本発明の回路
特性の調整方法を用いれば任意の導体間の静電容量を調
整することができる。In FIG. 1A, a conductor 2 and a conductor 3 are arranged on the same plane of a dielectric substrate 1. The periphery of this circuit is assumed to be vacuum or filled with an insulating fluid 4 having a different dielectric constant from the dielectric substrate. Therefore, a capacitance is generated between the conductor 2 and the conductor 3. In this circuit, as shown in FIG. 1B, the dielectric substrate 1 between the conductor 2 and the conductor 3 is partially etched or removed by trimming. The removed portion of the dielectric substrate 1 is occupied by the fluid 4. When a potential difference is applied between the conductor 2 and the conductor 3 during the circuit operation, lines of electric force 5 are generated as schematically shown in FIG. At this time, the lines of electric force penetrate the portion occupied by the fluid 4 when the dielectric substrate is removed in FIG. 1B, or change the path due to the difference in the dielectric constant between the dielectric substrate 2 and the fluid 3. I do. Thus, before and after the dielectric substrate is removed, the dielectric constant and electric field between the conductors 2 and 3 change, and the capacitance between the conductors also changes. Therefore, the capacitance between arbitrary conductors can be adjusted by using the circuit characteristic adjusting method of the present invention.

【０００８】[0008]

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図２は、本発明の第１、第２の実施例を説
明するための平面回路としての、誘電率がほぼ１の空気
中で用いられるマイクロストリップ半波長伝送線路共振
器の斜視図である。誘電体基板としては誘電率９．６の
アルミナセラミック基板６を用い、図２に示すとおり基
板６の下面に導体として金を用いたグランド面７、基板
６上面に同じく金を導体として用いた入力用導波路を構
成するストリップ導体８、共振器を構成するストリップ
導体９、出力用導波路を構成するストリップ導体１０を
有する。以上のように、ストリップ導体８、９および１
０はグランド面７と共にアルミナセラミック基板６を挟
みこむことにより導体とグランド面間の単位長さあたり
の静電容量を確保し、マイクロストリップ型伝送線路を
形成している。さらに、ストリップ導体８および１０と
ストリップ導体９の間にギャップを設けることによりス
トリップ導体９からなる共振器を作製すると共に、スト
リップ導体８および１０からなる導波路とストリップ導
体９からなる共振器の間に容量性結合を作製している。
従来の方法に従って、この回路において共振周波数を高
周波側に調整する場合には、ストリップ導体９をエッチ
ングにより部分的に除去し、ストリップ導体９の長さを
短くする方法が考えられる。しかしこのような方法を取
った場合、ストリップ導体９とストリップ導体８または
１０との間のギャップの長さも変化するために、結合容
量も変化し挿入損失も変化してしまう。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a perspective view of a microstrip half-wavelength transmission line resonator used in air having a dielectric constant of approximately 1 as a planar circuit for explaining the first and second embodiments of the present invention. As a dielectric substrate, an alumina ceramic substrate 6 having a dielectric constant of 9.6 was used, and as shown in FIG. And a strip conductor 9 forming a resonator, and a strip conductor 10 forming an output waveguide. As described above, the strip conductors 8, 9 and 1
No. 0 secures the capacitance per unit length between the conductor and the ground plane by sandwiching the alumina ceramic substrate 6 together with the ground plane 7, and forms a microstrip transmission line. Further, by providing a gap between the strip conductors 8 and 10 and the strip conductor 9, a resonator made of the strip conductor 9 is manufactured, and between the waveguide made of the strip conductors 8 and 10 and the resonator made of the strip conductor 9. To make capacitive coupling.
In order to adjust the resonance frequency to a higher frequency side in this circuit according to the conventional method, a method of shortening the length of the strip conductor 9 by partially removing the strip conductor 9 by etching may be considered. However, when such a method is employed, the length of the gap between the strip conductor 9 and the strip conductor 8 or 10 also changes, so that the coupling capacitance changes and the insertion loss also changes.

【０００９】一方、本発明に従って、第１の実施例で
は、共振周波数を高周波側に調整する場合には、以下に
示す方法による。図２中のストリップ導体９に沿ってア
ルミナセラミック基板６をエッチングし、図３に示す形
状にする。この場合、空気の誘電率はアルミナセラミッ
ク基板６の誘電率より小さいため、ストリップ導体９と
グランド面７の間の静電容量はエッチング前と比較して
減少する。従って、ストリップ導体９からなる伝送線路
を伝播する電磁波の速度が増大し、ストリップ導体９か
らなる共振器の共振周波数が高くなる。即ち、本実施例
の方法によれば、共振器の共振周波数を高周波側に調整
することができる。なお、この際、ストリップ導体８、
１０とストリップ導体９の間のギャップにより決まる結
合容量の変化は従来の方法と比較して無視できるほど小
さいため、挿入損失は変化しない。On the other hand, according to the present invention, in the first embodiment, when the resonance frequency is adjusted to the high frequency side, the following method is used. The alumina ceramic substrate 6 is etched along the strip conductor 9 in FIG. 2 to obtain the shape shown in FIG. In this case, since the dielectric constant of air is smaller than the dielectric constant of the alumina ceramic substrate 6, the capacitance between the strip conductor 9 and the ground plane 7 decreases as compared with before the etching. Therefore, the speed of the electromagnetic wave propagating through the transmission line including the strip conductor 9 increases, and the resonance frequency of the resonator including the strip conductor 9 increases. That is, according to the method of the present embodiment, the resonance frequency of the resonator can be adjusted to the high frequency side. At this time, the strip conductor 8,
Since the change in coupling capacitance determined by the gap between 10 and the strip conductor 9 is negligibly small as compared with the conventional method, the insertion loss does not change.

【００１０】図４は、本発明の第２の実施例を説明する
ためのマイクロストリップ半波長伝送線路共振器の斜視
図であって、図２に示す共振器に対して調整を行ったも
のである。本実施例では、図２中のストリップ導体８お
よび１０とストリップ導体９の間のギャップ部分のアル
ミナセラミック基板６をエッチングし、図４に示す形状
とする。このようにすれば、共振周波数を保持したま
ま、ストリップ導体８、１０とストリップ導体９の間の
容量性結合を弱くし、この平面回路の挿入損失を大きく
することもできる。すなわち、ストリップ導体８および
１０とストリップ導体９の間のギャップ部分のアルミナ
セラミック基板６を除去すれば、空気の誘電率はアルミ
ナセラミック基板６の誘電率より小さいため、ストリッ
プ導体９からなる共振器と、ストリップ導体８からなる
導波路あるいはストリップ導体１０からなる導波路との
間の結合容量はエッチング前と比較して小さくなる。従
って、結合係数が小さくなり、挿入損失が増大する。即
ち、本発明の方法によれば、本回路の挿入損失を大きく
するように調整することができる。なお、この際、スト
リップ導体８、１０あるいは９とグランド面７の間の静
電容量の変化は従来の方法と比較して無視できるほど小
さいため、共振周波数は変化しない。FIG. 4 is a perspective view of a microstrip half-wavelength transmission line resonator for explaining a second embodiment of the present invention, wherein the resonator shown in FIG. 2 is adjusted. is there. In this embodiment, the alumina ceramic substrate 6 in the gap between the strip conductors 8 and 10 and the strip conductor 9 in FIG. 2 is etched to have the shape shown in FIG. In this manner, while maintaining the resonance frequency, the capacitive coupling between the strip conductors 8, 10 and the strip conductor 9 can be weakened, and the insertion loss of the planar circuit can be increased. That is, if the alumina ceramic substrate 6 in the gap portion between the strip conductors 8 and 10 and the strip conductor 9 is removed, the dielectric constant of air is smaller than the dielectric constant of the alumina ceramic substrate 6, so that the resonator composed of the strip conductor 9 is removed. The coupling capacitance between the waveguide made of the strip conductor 8 or the waveguide made of the strip conductor 10 is smaller than before the etching. Therefore, the coupling coefficient becomes smaller and the insertion loss increases. That is, according to the method of the present invention, adjustment can be made so as to increase the insertion loss of the present circuit. At this time, since the change in the capacitance between the strip conductors 8, 10, or 9 and the ground plane 7 is so small as to be negligible as compared with the conventional method, the resonance frequency does not change.

【００１１】図５は、本発明の第３、第４の実施例を説
明するための平面回路としての、誘電率が１の真空中で
用いられる２本のマイクロストリップ半波長伝送線路共
振器から構成される帯域通過フィルタの斜視図である。
誘電体基板としては誘電率が９．８のＭｇＯ基板１１を
用い、図５に示すとおりＭｇＯ基板１１の下面に導体と
してＹ（イットリウム）系高温超伝導体を用いたグラン
ド面１２、ＭｇＯ基板１１上面に同じくＹ系高温超伝導
体を導体として用い、入力用導波路を構成するストリッ
プ導体１３、共振器を構成するストリップ導体１４、同
じく共振器を構成するストリップ導体１５、出力用導波
路を構成するストリップ導体１６を有する。以上のよう
にストリップ導体１３、１４、１５および１６はグラン
ド面１２と共にＭｇＯ基板１１を挟みこむことにより、
導体とグランド面間の単位長さ当たりの静電容量を確保
し、マイクロストリップ型伝送線路を形成している。さ
らに、ストリップ導体１３と１４、１４と１５および１
５と１６の間にギャップを設けることにより２個の共振
器を作製すると共に、各々の間に容量性結合を作製して
いる。FIG. 5 shows two planar microstrip half-wavelength transmission line resonators used in a vacuum having a dielectric constant of 1 as a planar circuit for explaining the third and fourth embodiments of the present invention. FIG. 4 is a perspective view of a bandpass filter configured.
As a dielectric substrate, an MgO substrate 11 having a dielectric constant of 9.8 was used, and as shown in FIG. 5, a ground plane 12 using a Y (yttrium) -based high-temperature superconductor as a conductor on the lower surface of the MgO substrate 11, A Y-type high-temperature superconductor is also used as a conductor on the upper surface, and a strip conductor 13 forming an input waveguide, a strip conductor 14 forming a resonator, a strip conductor 15 also forming a resonator, and a output waveguide are formed. And a strip conductor 16 to be formed. As described above, the strip conductors 13, 14, 15, and 16 sandwich the MgO substrate 11 together with the ground plane 12,
The microstrip transmission line is formed by securing the capacitance per unit length between the conductor and the ground plane. Further, the strip conductors 13 and 14, 14 and 15 and 1
By providing a gap between 5 and 16, two resonators are made and a capacitive coupling is made between each.

【００１２】この回路に対して、本発明の第３の実施例
においては、以下の方法に従って、各ギャップの結合容
量を減少させることにより通過帯域幅を減少させる。す
なわち、各ストリップ導体間の各ギャップ部分のＭｇＯ
基板１１をエッチングすることにより、図６に示すよう
な溝を作製する。このとき、真空の誘電率はＭｇＯ基板
１１の誘電率より小さいため、各ギャップの結合容量は
エッチング前と比較して小さくなる。図６の構造のマイ
クロストリップ半波長伝送線路共振器から構成される帯
域通過フィルタの通過帯域幅は結合容量の減少に伴い小
さくなる物理的性質を持つ。従って、本実施例の方法に
よれば、結合容量を減少させ、通過帯域幅を狭め、通過
帯域内のリップルを減少させることができる。なお、調
整の際には、各ギャップごとに溝の位置、及び深さを変
化させることにより、各ギャップの結合容量は独立に調
整できる。また、４図を用いて説明した第２の実施例と
同様に、この場合においても、通過帯域の中心周波数の
変化は無視できる。In contrast to this circuit, in a third embodiment of the present invention, the pass bandwidth is reduced by reducing the coupling capacitance of each gap according to the following method. That is, MgO in each gap portion between the strip conductors
By etching the substrate 11, a groove as shown in FIG. 6 is formed. At this time, since the vacuum dielectric constant is smaller than the dielectric constant of the MgO substrate 11, the coupling capacitance of each gap is smaller than before etching. The pass band width of the bandpass filter composed of the microstrip half-wavelength transmission line resonator having the structure shown in FIG. 6 has a physical property that decreases as the coupling capacitance decreases. Therefore, according to the method of the present embodiment, it is possible to reduce the coupling capacitance, narrow the pass band width, and reduce the ripple in the pass band. At the time of adjustment, the coupling capacity of each gap can be adjusted independently by changing the position and depth of the groove for each gap. Also, as in the second embodiment described with reference to FIG. 4, in this case, the change in the center frequency of the pass band can be ignored.

【００１３】図７は、本発明の第４の実施例を説明する
ための、２本のマイクロストリップ半波長伝送線路共振
器から構成される帯域通過フィルタの斜視図であって、
以下の方法を用いて、図５に示す帯域通過フィルタに対
して通過周波数帯域を高周波側にシフトさせたものであ
る。すなわち、通過周波数帯域を高周波側にシフトさせ
るために、図７に示すように、ストリップ導体１４およ
び１５に沿ってＭｇＯ基板１１をエッチングすることに
より、両ストリップ導体のそれぞれの両脇に溝を作製す
る。このとき、真空の誘電率はＭｇＯ基板１１の誘電率
より小さいため、ストリップ導体１４および１５とグラ
ンド面１２の間の静電容量はエッチング前と比較して減
少する。従って、ストリップ導体１４および１５からな
る伝送線路を伝播する電磁波の速度が増大し、各ストリ
ップ導体からなる共振器の共振周波数が高くなる。この
際ストリップ導体１４に沿って形成する溝の形状と、ス
トリップ導体１５に沿って形成する溝の形状を同一にし
ておくと、各共振器の周波数シフトは同じとなる。さら
に第３図を用いて説明した第１の実施例と同様に容量性
結合の強さの変化は無視できる。従って、通過帯域の他
の諸特性、即ち挿入損失、リップル、スカート特性等は
変化させずに、本フィルタ回路の通過周波数帯域を高周
波側にシフトすることができる。即ち、本発明の方法に
よれば、フィルタ回路の通過帯域を上げるように調整す
ることができる。FIG. 7 is a perspective view of a band-pass filter composed of two microstrip half-wavelength transmission line resonators for explaining a fourth embodiment of the present invention.
Using the following method, the pass frequency band of the band-pass filter shown in FIG. 5 is shifted to a higher frequency side. That is, as shown in FIG. 7, the MgO substrate 11 is etched along the strip conductors 14 and 15 to shift the pass frequency band toward the high frequency side, thereby forming grooves on both sides of each of the strip conductors. I do. At this time, since the dielectric constant of the vacuum is smaller than the dielectric constant of the MgO substrate 11, the capacitance between the strip conductors 14 and 15 and the ground plane 12 is smaller than before the etching. Therefore, the speed of the electromagnetic wave propagating through the transmission line including the strip conductors 14 and 15 increases, and the resonance frequency of the resonator including the respective strip conductors increases. At this time, if the shape of the groove formed along the strip conductor 14 and the shape of the groove formed along the strip conductor 15 are the same, the frequency shift of each resonator becomes the same. Further, similarly to the first embodiment described with reference to FIG. 3, the change in the strength of the capacitive coupling can be ignored. Therefore, the pass frequency band of the present filter circuit can be shifted to a higher frequency side without changing other characteristics of the pass band, that is, the insertion loss, the ripple, the skirt characteristic, and the like. That is, according to the method of the present invention, adjustment can be made to increase the pass band of the filter circuit.

【００１４】なお、第３、第４の実施例においては、ス
トリップ導体とグランド面の導電体としてＹ系高温超伝
導体を用いたが、これは、損失の小さい理想的な帯域通
過フィルタを実現するためである。以上好ましい実施例
について説明したが、本発明はこれら実施例に限定され
るものではなく、本発明の技術思想の範囲内において適
宜の変更が可能なものである。例えば、誘電体基板材料
として、ステアタイト、ムライト、ベリリア、フォルス
テライト、炭化ケイ素、窒化アルミ等のセラミックスの
外ポリイミド等の有機材料を使用することができ、ま
た、導電材料として銅、銀、アルミニウムやＹ系以外の
高温超伝導材料を用いてもよい。In the third and fourth embodiments, the Y-type high-temperature superconductor is used as the strip conductor and the conductor on the ground plane. This realizes an ideal band-pass filter with small loss. To do that. Although the preferred embodiments have been described above, the present invention is not limited to these embodiments, and can be appropriately changed within the scope of the technical idea of the present invention. For example, as a dielectric substrate material, steatite, mullite, beryllia, forsterite, silicon carbide, an organic material such as polyimide, etc., other than ceramics such as aluminum nitride, and a conductive material such as copper, silver, and aluminum can be used. Alternatively, a high-temperature superconducting material other than the Y-based material may be used.

【００１５】[0015]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、誘電体
基体と該誘電体基体に接して設けられた導電体片とによ
り構成される機能回路に対して、導電体片の近傍の誘電
体基体の一部を除去することによって、回路特性の調整
を行うものであるので、他の回路特性と独立に特定の回
路特性を調整することが可能になる。したがって、本発
明によれば、回路特性を容易にかつ高精度に調整するこ
とが可能になる。As described above, according to the present invention, a functional circuit including a dielectric substrate and a conductor piece provided in contact with the dielectric substrate is provided with a dielectric circuit in the vicinity of the conductor piece. Since the circuit characteristics are adjusted by removing a part of the body substrate, it is possible to adjust specific circuit characteristics independently of other circuit characteristics. Therefore, according to the present invention, it is possible to easily and accurately adjust circuit characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の実施の形態を示す説明図であり、回路
の導体間静電容量の調整方法を模式的に示した断面図で
ある。FIG. 1 is an explanatory diagram showing an embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view schematically showing a method of adjusting the capacitance between conductors of a circuit.

【図２】本発明の第１、第２の実施例を説明するための
図であって、導体間静電容量を調整する前の、平面回路
としてのマイクロストリップ半波長伝送線路共振器を模
式的に示した斜視図である。FIG. 2 is a diagram for explaining the first and second embodiments of the present invention, and schematically illustrates a microstrip half-wavelength transmission line resonator as a planar circuit before adjusting the capacitance between conductors. FIG.

【図３】本発明の第１の実施例を示す説明図であり、導
体間静電容量を調整することにより共振周波数を高周波
側に調整した場合の、マイクロストリップ半波長伝送線
路共振器を模式的に示した斜視図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing the first embodiment of the present invention, and schematically shows a microstrip half-wavelength transmission line resonator when the resonance frequency is adjusted to a high frequency side by adjusting the capacitance between conductors. FIG.

【図４】本発明の第２の実施例を示す説明図であり、導
体間静電容量を調整することにより共振周波数を保持し
たまま挿入損失を大きくした、マイクロストリップ半波
長伝送線路共振器を模式的に示した斜視図である。FIG. 4 is an explanatory view showing a second embodiment of the present invention, which illustrates a microstrip half-wavelength transmission line resonator in which the insertion loss is increased while maintaining the resonance frequency by adjusting the capacitance between conductors. It is the perspective view which showed typically.

【図５】本発明の第２、第３の実施例を説明するための
図であって、導体間静電容量を調整する前の、平面回路
としての帯域通過フィルタを模式的に示した斜視図であ
る。FIG. 5 is a diagram for explaining the second and third embodiments of the present invention, and is a perspective view schematically showing a band-pass filter as a planar circuit before adjusting the capacitance between conductors. FIG.

【図６】本発明の第３の実施例を示す説明図であり、導
体間静電容量を調整することにより通過帯域幅と通過帯
域内のリップルを減少させた、帯域通過フィルタを模式
的に示した斜視図である。FIG. 6 is an explanatory view showing a third embodiment of the present invention, which schematically illustrates a bandpass filter in which a passband width and a ripple in the passband are reduced by adjusting a capacitance between conductors. It is the perspective view shown.

【図７】本発明の第４の実施例を示す説明図であり、導
体間静電容量を調整することにより通過周波数帯域を高
周波側にシフトさせた、帯域通過フィルタを模式的に示
した斜視図である。FIG. 7 is an explanatory view showing a fourth embodiment of the present invention, and is a perspective view schematically showing a band-pass filter in which a pass frequency band is shifted to a high frequency side by adjusting a capacitance between conductors. FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 誘電体基板 ２、３ 導体 ４ 絶縁性の流体 ５ 電気力線 ６ アルミナセラミック基板 ７、１２ グランド面 ８、１３ 入力用導波路を構成するストリップ導体 ９、１４、１５ 共振器を構成するストリップ導体 １０、１６ 出力用導波路を構成するストリップ導体 １１ ＭｇＯ基板 REFERENCE SIGNS LIST 1 dielectric substrate 2, 3 conductor 4 insulating fluid 5 line of electric force 6 alumina ceramic substrate 7, 12 ground plane 8, 13 strip conductor constituting input waveguide 9, 14, 15 strip conductor constituting resonator 10, 16 Strip conductor constituting an output waveguide 11 MgO substrate

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 誘電体基体と、該誘電体基体に接して設
けられた複数の導電体片とを有する機能回路の回路特性
の調整方法であって、前記複数の導電体片のうちのいず
れかの導電体片の近傍の前記誘電体基体の一部を部分的
に除去することを特徴とする回路特性の調整方法。1. A method for adjusting a circuit characteristic of a functional circuit having a dielectric substrate and a plurality of conductor pieces provided in contact with the dielectric substrate, the method comprising adjusting any one of the plurality of conductor pieces. A method of adjusting circuit characteristics, wherein a part of the dielectric substrate near the conductor piece is partially removed. 【請求項２】 前記機能回路が平面回路として構成され
ていることを特徴とする請求項１記載の回路特性の調整
方法。2. The method according to claim 1, wherein the function circuit is configured as a planar circuit. 【請求項３】 前記誘電体基体が、回路基板の絶縁性基
板であることを特徴とする請求項１記載の回路特性の調
整方法。3. The method according to claim 1, wherein the dielectric substrate is an insulating substrate of a circuit board. 【請求項４】 調整の対象となる導電体片が伝送線路を
構成していることを特徴とする請求項１、２または３記
載の回路特性の調整方法。4. The method according to claim 1, wherein the conductor pieces to be adjusted constitute a transmission line. 【請求項５】 前記伝送線路が、マイクロストリップ型
伝送線路であることを特徴とする請求項４記載の回路特
性の調整方法。5. The method according to claim 4, wherein the transmission line is a microstrip transmission line. 【請求項６】 調整の対象となる導電体片に係る回路特
性が、当該導電体片と他の導電体片との間の電気的容量
であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に
記載の回路特性の調整方法。6. The circuit according to claim 1, wherein the circuit characteristic of the conductor piece to be adjusted is an electric capacitance between the conductor piece and another conductor piece. 2. The method for adjusting circuit characteristics according to claim 1. 【請求項７】 調整の対象となる導電体片が共振器を構
成しており、当該共振器の周波数応答特性を調整するこ
とを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の回
路特性の調整方法。7. The device according to claim 1, wherein the conductor piece to be adjusted constitutes a resonator, and adjusts a frequency response characteristic of the resonator. How to adjust circuit characteristics. 【請求項８】 調整すべき前記周波数応答特性が共振周
波数であることを特徴とする請求項７記載の回路特性の
調整方法。8. The method according to claim 7, wherein the frequency response characteristic to be adjusted is a resonance frequency. 【請求項９】 調整すべき前記周波数応答特性が挿入損
失であることを特徴とする請求項７記載の回路特性の調
整方法。9. The method according to claim 7, wherein the frequency response characteristic to be adjusted is an insertion loss. 【請求項１０】 調整の対象となる導電体片がフィルタ
を構成しており、当該フィルタの周波数応答特性を調整
することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記
載の回路特性の調整方法。10. The circuit characteristic according to claim 1, wherein the conductor piece to be adjusted forms a filter, and adjusts a frequency response characteristic of the filter. Adjustment method. 【請求項１１】 前記フィルタが帯域通過フィルタであ
ることを特徴とする請求項１０記載の回路特性の調整方
法。11. The method according to claim 10, wherein the filter is a band-pass filter. 【請求項１２】 調整すべき前記周波数応答特性が通過
帯域または通過帯域幅であることを特徴とする請求項１
１記載の回路特性の調整方法。12. The frequency response characteristic to be adjusted is a pass band or a pass bandwidth.
2. The method for adjusting circuit characteristics according to 1.