JP2000302842A - Epoxy resin composition and apparatus for semiconductor sealing - Google Patents
Epoxy resin composition and apparatus for semiconductor sealingInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、パッケージ反り
性、成形性、半田耐熱性に優れたエポキシ樹脂組成物お
よびその組成物によって半導体チップが封止された、薄
型や、片面封止のＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒ
ａｙ）型である半導体封止装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an epoxy resin composition having excellent package warpage, moldability, and soldering heat resistance, and a thin and single-sided BGA (BGA) in which a semiconductor chip is sealed by the composition. Ball Grid Arr
ay) type semiconductor sealing device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体集積回路の分野において、
チップの高集積化に伴う大型化、多極化が進む一方、パ
ッケージ外径寸法は、携帯情報通信機器を中心に小型、
軽量化の要求がますます強くなっている。2. Description of the Related Art In recent years, in the field of semiconductor integrated circuits,
While the size and the number of poles are increasing due to the high integration of chips, the outer diameter of the package is
The demand for weight reduction is increasing.
【０００３】このため、リードが周辺に配列されるＱＦ
Ｐ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）では、構造
上さらなる薄型化には限界があり、かつ多電極化に伴う
狭ピッチ化が加速して、現状の電極ピッチは０．３ｍｍ
で一括リフローソルダリングにとって限界に達してい
る。For this reason, QFs in which leads are
In P (Quad Flat Package), there is a limit to further thinning due to the structure, and the narrowing of the pitch accompanying the increase in the number of electrodes is accelerated, and the current electrode pitch is 0.3 mm.
The limit has been reached for batch reflow soldering.
【０００４】そこで、リードをパッケージ下端に配置し
たＱＯＮ（Ｑｕａｄ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎｌｅａｄ
ｅｄ）に移行させて薄型化したり、リードをパッケージ
下面にエリアアレイ状に配置したＢＧＡ型に移行させ
て、電極ピッチを１．５ｍｍ〜１．０ｍｍに保ちソルダ
リングを容易にする動きが数年前より活発化してきた。Accordingly, a QON (Quad Outline Nonlead) in which the leads are arranged at the lower end of the package.
ed), the lead has been moved to the BGA type in which the leads are arranged in an area array on the lower surface of the package, and the electrode pitch is kept at 1.5 mm to 1.0 mm to facilitate soldering. It has become more active than before.
【０００５】しかし、ＱＯＮなど薄型あるいはＢＧＡな
ど片面封止型のパッケージは、従来のノボラック型エポ
キシ樹脂等のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹
脂およびシリカ粉末からなる樹脂組成物によって封止し
た場合、パッケージの反りが大きいという欠点があっ
た。また、ボンディングワイヤの長ループ化により、成
形時にワイヤ流れが起こるという欠点があった。[0005] However, a package of a thin type such as QON or a single-sided sealing type such as BGA, when sealed with a resin composition consisting of an epoxy resin such as a conventional novolak type epoxy resin, a novolak type phenol resin and silica powder, has a disadvantage. There was a disadvantage that the warpage was large. In addition, there is a disadvantage that the wire flows during molding due to the long loop of the bonding wire.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の欠点
を解消するためになされたもので、パッケージの反りが
少なく、かつ流動性が良好で成形性に優れ、また、実装
時の半田耐熱性に優れ、樹脂クラックの発生がなく、接
着性も良好であり、さらに、実装後の耐湿性に優れ、長
期の信頼性が保証されるエポキシ樹脂組成物及び薄型、
ＢＧＡ型の半導体封止装置を提供しようとするものであ
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned drawbacks, and has a small package warpage, good fluidity, excellent moldability, and a low heat resistance during mounting. Epoxy resin composition that is excellent in adhesiveness, does not generate resin cracks, has good adhesiveness, has excellent moisture resistance after mounting, and guarantees long-term reliability.
It is intended to provide a BGA type semiconductor sealing device.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、特定のエポキ
シ樹脂、特定のフェノール樹脂を用いることによって、
樹脂組成物の高いガラス転移温度を保持したまま熱膨張
係数が低減され、熱機械特性と低応力性が向上してパッ
ケージの反りを抑えることができ、また高流動性を兼ね
備えることにより良好な成形性がが付与され、さらに半
田浸漬、半田リフロー後の樹脂クラックの発生が無くな
り、耐湿性劣化も少なくなることを見いだし、本発明を
完成したものである。Means for Solving the Problems The present inventors have made intensive studies to achieve the above object, and as a result, by using a specific epoxy resin and a specific phenol resin,
The thermal expansion coefficient is reduced while maintaining the high glass transition temperature of the resin composition, the thermomechanical properties and low stress properties are improved, and the warpage of the package can be suppressed. Thus, the present invention has been found to have improved properties, to eliminate the occurrence of resin cracks after solder immersion and solder reflow, and to reduce deterioration in moisture resistance.
【０００８】即ち、本発明は、（Ａ）次の一般式で示さ
れるエポキシ樹脂、That is, the present invention provides (A) an epoxy resin represented by the following general formula:
【化５】 （但し、式中、Ｒ1 はＣj Ｈ2j+1基を、Ｒ2 はＣk Ｈ
2k+1基を、Ｒ3 はＣl Ｈ2l +1基を、Ｒ4 はＣm Ｈ2m+1基
をそれぞれ表し、各基におけるｊ、ｋ、ｌ、ｍは０又は
１以上の整数を、ｎは１以上の整数を、それぞれ表す） （Ｂ）次の一般式で示されるフェノール樹脂、Embedded image (Wherein, R 1 is a C j H 2j + 1 group, and R 2 is a C k H
2k + 1 groups, R 3 represents a C 1 H 2l +1 group, R 4 represents a C m H 2m + 1 group, and j, k, l, and m in each group represent 0 or an integer of 1 or more. , N represents an integer of 1 or more) (B) a phenol resin represented by the following general formula:
【化６】 （但し、式中、Ｒ1 はＣj Ｈ2j+1基を、Ｒ2 はＣk Ｈ
2k+1基をそれぞれ表し、また各基におけるｊ、ｋは０又
は１以上の整数を、ｍ、ｎは１以上の整数をそれぞれ表
す） （Ｃ）無機質充填剤および（Ｄ）硬化促進剤を必須成分
とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）無機質充填剤を５
０〜９５重量％の割合で含有してなることを特徴とする
エポキシ樹脂組成物である。また別の本発明は、このエ
ポキシ樹脂組成物の硬化物で半導体チップが封止されて
なることを特徴とする薄型、ＢＧＡ型などの半導体封止
装置である。Embedded image (Wherein, R 1 is a C j H 2j + 1 group, and R 2 is a C k H
2k + 1 groups, and j and k in each group each represent an integer of 0 or 1 or more, and m and n each represent an integer of 1 or more.) (C) an inorganic filler and (D) a curing accelerator As an essential component, the inorganic filler (C) is added to the resin composition in an amount of 5
An epoxy resin composition characterized in that it is contained in a proportion of 0 to 95% by weight. Another aspect of the present invention is a semiconductor sealing device of a thin type, a BGA type, or the like, wherein a semiconductor chip is sealed with a cured product of the epoxy resin composition.
【０００９】以下、本発明を詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be described in detail.
【００１０】本発明に用いる（Ａ）エポキシ樹脂として
は、前記の一般式化５で示されたものが使用され、その
分子量等に特に制限されることなく使用することができ
る。具体的な化合物として、例えば、As the epoxy resin (A) used in the present invention, those represented by the above general formula (5) are used, and the epoxy resin can be used without any particular limitation on its molecular weight and the like. As specific compounds, for example,
【化７】 （但し、式中、ｎは１以上の整数を表す）Embedded image (Where n represents an integer of 1 or more)
【化８】 （但し、式中、ｎは１以上の整数を表す）等が挙げら
れ、これらは単独又は２種以上混合して使用することが
できる。Embedded image (Wherein, n represents an integer of 1 or more), and these can be used alone or as a mixture of two or more.
【００１１】本発明に用いる（Ｂ）フェノール樹脂とし
ては、前記の一般式化６で示されたものが使用される。
具体的な化合物としては、例えば、As the phenolic resin (B) used in the present invention, those represented by the aforementioned general formula (6) are used.
Specific compounds include, for example,
【化９】 （但し、式中、ｍ、ｎは１以上の整数を表す）等が挙げ
られる。また、このフェノール樹脂の他にフェノール、
アルキルフェノール等のフェノール類と、ホルムアルデ
ヒドあるいはパラホルムアルデヒドとを反応して得られ
るノボラック型フェノール樹脂およびこれらの変性樹脂
を併用することができる。Embedded image (Where m and n each represent an integer of 1 or more). In addition to this phenolic resin, phenol,
Novolak-type phenol resins obtained by reacting phenols such as alkylphenols with formaldehyde or paraformaldehyde, and modified resins thereof can be used in combination.
【００１２】本発明に用いる（Ｃ）無機質充填剤として
は、一般に使用されているものが広く使用されるが、そ
れらの中でも不純物濃度が低く、平均粒径３０μｍ以下
のシリカ粉末が好ましく使用することができる。平均粒
径が３０μｍを超えると耐湿性および成形性が劣り好ま
しくない。無機質充填剤の配合割合は、全体の樹脂組成
物に対して５０〜９５重量％の割合で含有することが望
ましい。その割合が５０重量％未満では、樹脂組成物の
吸湿性が大きく、半田浸漬後の耐湿性に劣り、また、９
５重量％を超えると極端に流動性が悪くなり、成形性に
劣り好ましくない。As the inorganic filler (C) used in the present invention, those generally used are widely used. Among them, silica powder having a low impurity concentration and an average particle diameter of 30 μm or less is preferably used. Can be. If the average particle size exceeds 30 μm, the moisture resistance and the moldability are poor, which is not preferable. The inorganic filler is desirably contained in a proportion of 50 to 95% by weight based on the whole resin composition. When the proportion is less than 50% by weight, the resin composition has a large hygroscopicity, is inferior in moisture resistance after solder immersion, and
If it exceeds 5% by weight, the fluidity becomes extremely poor and the moldability is poor, which is not preferred.
【００１３】本発明に用いる（Ｄ）硬化促進剤として
は、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、Ｄ
ＢＵ系硬化促進剤、その他の硬化促進剤等が広く使用さ
れる。これらは単独又は２種以上併用することができ
る。硬化促進剤の配合割合は、樹脂組成物に対して０．
０１〜５重量％含有するように配合することが望まし
い。その割合が０．０１重量％未満では樹脂組成物のゲ
ルタイムが長く、硬化特性も悪くなり、また、５重量％
を超えると極端に流動性が悪くなって成形性に劣り、さ
らに電気特性も悪くなり耐湿性に劣り好ましくない。The (D) curing accelerator used in the present invention includes a phosphorus-based curing accelerator, an imidazole-based curing accelerator,
BU-based curing accelerators and other curing accelerators are widely used. These can be used alone or in combination of two or more. The mixing ratio of the curing accelerator is 0.1 to the resin composition.
It is desirable to mix them so as to contain from 01 to 5% by weight. If the proportion is less than 0.01% by weight, the gel time of the resin composition is long, the curing properties are deteriorated, and 5% by weight.
If it exceeds, the fluidity becomes extremely poor and the moldability is inferior, and the electrical properties also deteriorate, and the moisture resistance is inferior.
【００１４】本発明のエポキシ樹脂組成物は、前述した
特定のエポキシ樹脂、特定のフェノール樹脂、無機質充
填剤および硬化促進剤を必須成分とするが、本発明の目
的に反しない限度において、また必要に応じて、例えば
天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属
塩、酸アミド類、エステル類、パラフィン類等の離型
剤、三酸化アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック、
ベンガラ等の着色剤、シランカップリング剤、ゴム系や
シリコーン系の低応力付与剤等を適宜、添加配合するこ
とができる。The epoxy resin composition of the present invention contains the above-mentioned specific epoxy resin, specific phenol resin, inorganic filler and curing accelerator as essential components. Depending on, for example, natural waxes, synthetic waxes, metal salts of linear fatty acids, acid amides, esters, release agents such as paraffins, flame retardants such as antimony trioxide, carbon black,
A coloring agent such as redwood, a silane coupling agent, a rubber-based or silicone-based low-stress imparting agent, and the like can be appropriately added and blended.
【００１５】本発明のエポキシ樹脂組成物を成形材料と
して調製する場合の一般的な方法としては、前述した特
定のエポキシ樹脂、特定のフェノール樹脂、無機質充填
剤および硬化促進剤その他の成分を所定の組成比に選択
した原料成分を配合し、ミキサー等によって十分均一に
混合した後、さらに熱ロールによる溶融混合処理又はニ
ーダ等による混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適
当な大きさに粉砕して成形材料とすることができる。こ
うして得られた成形材料は、半導体装置をはじめとする
電子部品あるいは電気部品の封止、被覆、絶縁等に適用
すれば、優れた特性と信頼性を付与させることができ
る。As a general method for preparing the epoxy resin composition of the present invention as a molding material, a specific epoxy resin, a specific phenol resin, an inorganic filler, a curing accelerator and other components described above are added to a predetermined component. After blending the raw material components selected in the composition ratio and mixing sufficiently uniformly with a mixer or the like, further perform a melt mixing treatment with a hot roll or a mixing treatment with a kneader or the like, then solidify by cooling, and pulverize to an appropriate size. It can be a molding material. If the molding material thus obtained is applied to sealing, coating, insulating, etc. of electronic parts or electric parts such as semiconductor devices, excellent properties and reliability can be imparted.
【００１６】本発明の半導体封止装置は、上述した成形
材料を用いて、半導体チップを封止することにより容易
に製造することができる。封止を行う半導体チップとし
ては、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジス
タ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるもので
はない。封止の最も一般的な方法としては、低圧トラン
スファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注型等
による封止も可能である。成形材料は封止の際に加熱し
て硬化させ、最終的にはこの硬化物によって封止された
半導体封止装置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃
以上に加熱して硬化させることが望ましい。また、チッ
プを搭載する基板としては、セラミック、プラスチッ
ク、ポリイミドフィルム、リードフレーム等特に限定さ
れるものではない。The semiconductor encapsulation device of the present invention can be easily manufactured by encapsulating a semiconductor chip using the above-mentioned molding material. The semiconductor chip to be sealed is not particularly limited to, for example, an integrated circuit, a large-scale integrated circuit, a transistor, a thyristor, a diode, and the like. The most common sealing method is a low-pressure transfer molding method, but sealing by injection molding, compression molding, casting or the like is also possible. The molding material is heated and cured at the time of sealing, and finally a semiconductor sealing device sealed with the cured product is obtained. 150 ° C for curing by heating
It is desirable to cure by heating as described above. The substrate on which the chip is mounted is not particularly limited, such as ceramic, plastic, polyimide film, and lead frame.
【００１７】[0017]
【作用】本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止
装置は、前述した特定のエポキシ樹脂、特定のフェノー
ル樹脂を用いたことによって、樹脂組成物の高いガラス
転移温度を保持したまま熱膨張係数を低減し、熱機械特
性と、低応力性が向上してパッケージの反りを抑えるこ
とができ、また、高流動性を兼ね備えることにより良好
な成形性が付与され、半田浸漬、半田リフロー後の樹脂
クラックの発生がなくなり、耐湿性劣化が少なくなるも
のである。According to the epoxy resin composition and the semiconductor encapsulation device of the present invention, the specific epoxy resin and the specific phenol resin described above are used to reduce the thermal expansion coefficient while maintaining the high glass transition temperature of the resin composition. Reduced and improved thermo-mechanical properties and low stress properties can suppress package warpage.Also, due to high fluidity, good moldability is provided, resin cracks after solder immersion and solder reflow And the deterioration of moisture resistance is reduced.
【００１８】[0018]
【実施例】次に本発明を実施例によって具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例によって限定されるもの
ではない。以下の実施例及び比較例において「％」とは
「重量％」を意味する。Next, the present invention will be described specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following Examples and Comparative Examples, “%” means “% by weight”.
【００１９】実施例１ 前述した化７のエポキシ樹脂８．８％、前述した化９の
フェノール樹脂５．３％、シリカ粉末８５％、硬化促進
剤０．２％、エステルワックス０．３％およびシランカ
ップリング剤０．４％を常温で混合し、さらに９０〜９
５℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料（Ａ）を製
造した。Example 1 8.8% of the epoxy resin of the above formula 7, 5.3% of the phenol resin of the above formula 9, 85% of silica powder, 0.2% of a curing accelerator, 0.3% of an ester wax and 0.4% of a silane coupling agent is mixed at room temperature, and 90 to 9
The mixture was kneaded at 5 ° C. and cooled and pulverized to produce a molding material (A).
【００２０】実施例２ 実施例１で用いた化７のエポキシ樹脂５．２％、実施例
１で用いた化９のフェノール樹脂３．９％、シリカ粉末
９０％、硬化促進剤０．２％、エステルワックス０．３
％およびシランカップリング剤０．４％を常温で混合
し、さらに９０〜９５℃で混練してこれを冷却粉砕して
成形材料（Ｂ）を製造した。Example 2 5.2% of the epoxy resin of Chemical formula 7 used in Example 1, 3.9% of the phenol resin of Chemical formula 9 used in Example 1, 90% of silica powder, 0.2% of a curing accelerator , Ester wax 0.3
% And the silane coupling agent 0.4% were mixed at room temperature, further kneaded at 90 to 95 ° C., and cooled and pulverized to produce a molding material (B).
【００２１】比較例１ ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂１１％、ノボ
ラック型フェノール樹脂３％、シリカ粉末８５％、硬化
促進剤０．３％、エステルワックス０．３％およびシラ
ンカップリング剤０．４％を混合し、さらに９０〜９５
℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料（Ｃ）を製造
した。Comparative Example 1 o-Cresol novolak type epoxy resin 11%, novolak type phenol resin 3%, silica powder 85%, curing accelerator 0.3%, ester wax 0.3% and silane coupling agent 0.4 %, And further 90-95
C. and kneaded at room temperature to cool and pulverize to produce a molding material (C).
【００２２】比較例２ エピビス型エポキシ樹脂１１％、ノボラック型フェノー
ル樹脂３％、シリカ粉末８５％、硬化促進剤０．３％、
エステルワックス０．３％およびシランカップリング剤
０．４％を混合し、さらに９０〜９５℃で混練してこれ
を冷却粉砕して成形材料（Ｄ）を製造した。Comparative Example 2 Epibis type epoxy resin 11%, novolak type phenol resin 3%, silica powder 85%, curing accelerator 0.3%,
0.3% of the ester wax and 0.4% of the silane coupling agent were mixed, kneaded at 90 to 95 ° C., and cooled and pulverized to produce a molding material (D).
【００２３】こうして製造した成形材料（Ａ）〜（Ｄ）
を用いて、１７５℃に加熱した金型内にトランスファー
注入し、硬化させて半導体チップを封止して半導体封止
装置を製造した。これらの半導体封止装置について、諸
試験を行ったのでその結果を表１に示したが、本発明の
エポキシ樹脂組成物及び半導体封止装置は、パッケージ
の反りがなく、流動性、耐湿性、半田耐熱性に優れてお
り、本発明の顕著な効果を確認することができた。The molding materials (A) to (D) thus produced
Was transferred into a mold heated to 175 ° C., cured, and the semiconductor chip was sealed to manufacture a semiconductor sealing device. Various tests were performed on these semiconductor sealing devices, and the results are shown in Table 1. The epoxy resin composition and the semiconductor sealing device of the present invention have no warpage of the package, have fluidity, moisture resistance, The solder heat resistance was excellent, and the remarkable effect of the present invention could be confirmed.
【００２４】[0024]
【表１】 ＊１：トランスファー成形によって直径５０ｍｍ、厚さ
３ｍｍの成形品を作り、これを１２７℃，２．５気圧の
飽和水蒸気中に２４時間放置し、増加した重量によって
測定した。[Table 1] * 1: A molded article having a diameter of 50 mm and a thickness of 3 mm was prepared by transfer molding, left in a saturated steam at 127 ° C. and 2.5 atm for 24 hours, and measured by the increased weight.
【００２５】＊２：吸水率の場合と同様な成形品を作
り、１７５℃で８時間の後硬化を行い、適当な大きさの
試験片とし、熱機械分析装置を用いて測定した。* 2: A molded article similar to that in the case of the water absorption was prepared, post-cured at 175 ° C. for 8 hours, a test piece of an appropriate size was measured using a thermomechanical analyzer.
【００２６】＊３：ＪＩＳ−Ｋ−６９１１に準じて試験
した。* 3: Tested according to JIS-K-6911.
【００２７】＊４：成形材料を用いて、２本のアルミニ
ウム配線を有するシリコン製チップを、通常のＢＧＡ用
フレームに接着し、１７５℃で２分間トランスファー成
形した後、１７５℃で８時間の後硬化を行った。こうし
て得た成形品を、１２７℃，２．５気圧の飽和水蒸気中
で耐湿試験を行い、アルミニウム腐食による５０％断線
（不良発生）の起こる時間を評価した。* 4: Using a molding material, a silicon chip having two aluminum wirings was bonded to a normal BGA frame, transfer-molded at 175 ° C. for 2 minutes, and after 8 hours at 175 ° C. Curing was performed. The molded article thus obtained was subjected to a moisture resistance test in saturated steam at 127 ° C. and 2.5 atm to evaluate the time at which 50% disconnection (defect occurrence) due to aluminum corrosion occurred.
【００２８】＊５：半導体チップ（１０×１０ｍｍ）を
ＢＧＡ（３０×３０×１．２ｍｍ）パッケージに納め、
成形材料を用いて、１７５℃で２分間トランスファー成
形した後、１７５℃で８時間の後硬化を行った。こうし
て製造した半導体封止装置を８５℃，６０％，１６８時
間の吸湿処理をした後、２４０℃のＩＲリフローを３０
秒間行い、パッケージクラックの発生の有無を評価し
た。* 5: A semiconductor chip (10 × 10 mm) is placed in a BGA (30 × 30 × 1.2 mm) package.
After transfer molding at 175 ° C. for 2 minutes using the molding material, post-curing was performed at 175 ° C. for 8 hours. After the semiconductor encapsulation device thus manufactured is subjected to a moisture absorption treatment at 85 ° C., 60% and 168 hours, IR reflow at 240 ° C. is performed for 30 minutes.
The test was performed for 2 seconds to evaluate whether or not a package crack occurred.
【００２９】＊６：半導体チップ（１０×１０ｍｍ）を
ＢＧＡ（３０×３０×１．２ｍｍ）パッケージに納め、
成形材料を用いて、１７５℃で２分間トランスファー成
形した後、１７５℃で８時間の後硬化を行った。こうし
て製造した半導体封止装置の反り量を非接触式レーザー
測定機により測定した。* 6: A semiconductor chip (10 × 10 mm) is placed in a BGA (30 × 30 × 1.2 mm) package.
After transfer molding at 175 ° C. for 2 minutes using the molding material, post-curing was performed at 175 ° C. for 8 hours. The warpage of the semiconductor sealing device manufactured in this manner was measured by a non-contact type laser measuring device.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上の説明及び表１から明らかなよう
に、本発明のエポキシ樹脂組成物及び半導体封止装置
は、パッケージ反りが少なく、かつ流動性が良好で成形
性に優れ、また実装時の半田耐熱性に優れ、樹脂クラッ
クもなく、接着性も良好である。そしてまた、実装後の
耐湿性に優れ、長期間にわたって信頼性を保証すること
ができる。As is clear from the above description and Table 1, the epoxy resin composition and the semiconductor encapsulation device of the present invention have a small package warpage, a good fluidity, a good moldability, and a good packaging performance. Has excellent solder heat resistance, no resin cracks, and good adhesion. Further, it is excellent in moisture resistance after mounting and can guarantee reliability for a long period of time.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 23/31
Claims (2)
脂、 【化１】 （但し、式中、Ｒ1 はＣj Ｈ2j+1基を、Ｒ2 はＣk Ｈ
2k+1基を、Ｒ3 はＣl Ｈ2l +1基を、Ｒ4 はＣm Ｈ2m+1基
をそれぞれ表し、各基におけるｊ、ｋ、ｌ、ｍは０又は
１以上の整数を、ｎは１以上の整数を、それぞれ表す） （Ｂ）次の一般式で示されるフェノール樹脂、 【化２】 （但し、式中、Ｒ1 はＣj Ｈ2j+1基を、Ｒ2 はＣk Ｈ
2k+1基をそれぞれ表し、また各基におけるｊ、ｋは０又
は１以上の整数を、ｍ、ｎは１以上の整数をそれぞれ表
す） （Ｃ）無機質充填剤および（Ｄ）硬化促進剤を必須成分
とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）無機質充填剤を５
０〜９５重量％の割合で含有してなることを特徴とする
エポキシ樹脂組成物。(A) an epoxy resin represented by the following general formula: (Wherein, R 1 is a C j H 2j + 1 group, and R 2 is a C k H
2k + 1 groups, R 3 represents a C 1 H 2l +1 group, R 4 represents a C m H 2m + 1 group, and j, k, l, m in each group represents 0 or an integer of 1 or more. , N represents an integer of 1 or more. (B) A phenol resin represented by the following general formula: (Where R 1 is a C j H 2j + 1 group, and R 2 is a C k H
2k + 1 groups, j and k in each group each represent an integer of 0 or 1 or more, and m and n each represent an integer of 1 or more.) (C) an inorganic filler and (D) a curing accelerator As an essential component, the inorganic filler (C) is added to the resin composition in an amount of 5
An epoxy resin composition, which is contained in a proportion of 0 to 95% by weight.
脂、 【化３】 （但し、式中、Ｒ1 はＣj Ｈ2j+1基を、Ｒ2 はＣk Ｈ
2k+1基を、Ｒ3 はＣl Ｈ2l +1基を、Ｒ4 はＣm Ｈ2m+1基
をそれぞれ表し、各基におけるｊ、ｋ、ｌ、ｍは０又は
１以上の整数を、ｎは１以上の整数を、それぞれ表す） （Ｂ）次の一般式で示されるフェノール樹脂、 【化４】 （但し、式中、Ｒ1 はＣj Ｈ2j+1基を、Ｒ2 はＣk Ｈ
2k+1基をそれぞれ表し、また各基におけるｊ、ｋは０又
は１以上の整数を、ｍ、ｎは１以上の整数をそれぞれ表
す） （Ｃ）無機質充填剤および（Ｄ）硬化促進剤を必須成分
とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）無機質充填剤を５
０〜９５重量％の割合で含有したエポキシ樹脂組成物の
硬化物で半導体チップが封止されてなることを特徴とす
る半導体封止装置。(A) an epoxy resin represented by the following general formula: (Wherein, R 1 is a C j H 2j + 1 group, and R 2 is a C k H
2k + 1 groups, R 3 represents a C 1 H 2l +1 group, R 4 represents a C m H 2m + 1 group, and j, k, l, m in each group represents 0 or an integer of 1 or more. , N represents an integer of 1 or more. (B) A phenol resin represented by the following general formula: (Wherein, R 1 is a C j H 2j + 1 group, and R 2 is a C k H
2k + 1 groups, j and k in each group each represent an integer of 0 or 1 or more, and m and n each represent an integer of 1 or more.) (C) an inorganic filler and (D) a curing accelerator As an essential component, the inorganic filler (C) is added to the resin composition in an amount of 5
A semiconductor sealing device, wherein a semiconductor chip is sealed with a cured product of an epoxy resin composition contained at a ratio of 0 to 95% by weight.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11026499A JP2000302842A (en) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | Epoxy resin composition and apparatus for semiconductor sealing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11026499A JP2000302842A (en) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | Epoxy resin composition and apparatus for semiconductor sealing |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000302842A true JP2000302842A (en) | 2000-10-31 |
Family
ID=14531290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11026499A Pending JP2000302842A (en) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | Epoxy resin composition and apparatus for semiconductor sealing |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000302842A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7560821B2 (en) | 2005-03-24 | 2009-07-14 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd | Area mount type semiconductor device, and die bonding resin composition and encapsulating resin composition used for the same |
-
1999
- 1999-04-19 JP JP11026499A patent/JP2000302842A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7560821B2 (en) | 2005-03-24 | 2009-07-14 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd | Area mount type semiconductor device, and die bonding resin composition and encapsulating resin composition used for the same |
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