JP2000298878A - Optical recording medium - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve improved direct overwrite even in high-speed recording by improving weather resistance and repetitive durability. SOLUTION: In the optical recording medium, recording, reproduction, and erasure are made by utilizing the reversible phase change of a recording material layer 3. The optical recording medium is composed while at least one surface of the recording material layer is in contact with a crystallization acceleration material that is selected from Si-C-O, Si-C-H, Si-C-H-O, Si-N-O, Si-N-H, Si-N-H-O, Si-C-N, Si-C-N-O, Si-C-N-H, Si-C-N-H-O, and Si-O-H. With the effect of the crystallization acceleration material, direct overwrite that has improved weather resistance and repeated durability and is also superb in high-speed recording using an extremely small beam can be realized.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型の光記録
媒体に関するものであり、特に高速ダイレクトオーバー
ライト可能な相変化型光記録媒体に関するものである。The present invention relates to a phase change type optical recording medium, and more particularly to a phase change type optical recording medium capable of high-speed direct overwrite.

【０００２】[0002]

【従来の技術】相変化記録材料を用いた書き換え可能な
光ディスクの実用例として、いわゆるＤＶＤ−ＲＡＭが
市販されており、線速６ｍ／秒、ビット長０．４１μｍ
／秒、トラックピッチ０．７４μｍ、レーザ波長およそ
６５０ｎｍ、データ転送レート１１Ｍｂｐｓ、記録容量
２．６ＧＢが実現されている。2. Description of the Related Art As a practical example of a rewritable optical disk using a phase change recording material, a so-called DVD-RAM is commercially available, having a linear velocity of 6 m / sec and a bit length of 0.41 μm.
/ S, a track pitch of 0.74 μm, a laser wavelength of about 650 nm, a data transfer rate of 11 Mbps, and a recording capacity of 2.6 GB.

【０００３】これをさらに上回る大容量、高転送レート
を実現するためには、記録レーザのスポットサイズを小
さくし、記録線速を上げることが有効である。ここで、
記録レーザのスポットサイズを小さくする具体的手法と
しては、レーザ波長を短くする方法や、対物レンズの開
口数を大きくする方法が挙げられる。In order to achieve a larger capacity and a higher transfer rate than this, it is effective to reduce the spot size of the recording laser and increase the recording linear velocity. here,
Specific methods for reducing the spot size of the recording laser include a method of shortening the laser wavelength and a method of increasing the numerical aperture of the objective lens.

【０００４】特にレーザ波長を短くする方法と対物レン
ズの開口数を大きくする方法の二つを併用すると、スポ
ットサイズはそれぞれを単独に用いた場合よりも小さく
することができる。例えば、光源に波長４００ｎｍ付近
の青紫色レーザ−を用い、かつ対物レンズの開口数ＮＡ
が０．８５の対物レンズを用いると、さらなる高密度記
録が理論上可能となる。[0004] In particular, when both the method of shortening the laser wavelength and the method of increasing the numerical aperture of the objective lens are used in combination, the spot size can be made smaller than when each is used alone. For example, a blue-violet laser having a wavelength of about 400 nm is used as a light source, and a numerical aperture NA of an objective lens is used.
The use of an objective lens with a density of 0.85 theoretically enables further high-density recording.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、その反
面、以下に述べるような理由により、相変化光ディスク
に対して高速でダイレクトオーバーライトを行うための
条件は一層厳しいものとなる。However, on the other hand, the conditions for performing high-speed direct overwrite on a phase-change optical disk are more severe for the following reasons.

【０００６】一般に、相変化光ディスクでは、高いパワ
ーのレーザ−を照射することにより記録層の温度を記録
層の融点以上に高めて溶融した後、急冷することで記録
マークの書き込みが行われる。記録されたマークは記録
層の結晶化開始温度と融点の間の温度範囲にその記録層
が結晶となるために必要とされる時間保持されることで
結晶化、すなわち消去が行われる。Generally, in a phase change optical disk, a recording mark is written by irradiating a high-power laser to raise the temperature of the recording layer to a temperature equal to or higher than the melting point of the recording layer and then rapidly cooling the recording layer. The recorded mark is kept in a temperature range between the crystallization start temperature and the melting point of the recording layer for a time required for the recording layer to be crystallized, thereby performing crystallization, that is, erasing.

【０００７】上記レーザ波長を短くする方法や対物レン
ズの開口数を大きくする方法を採用した場合、さらには
記録線速が高い条件下では、光ディスク上の一点の温度
が従来以上に短い時間で変化する。そのため、従来と同
じ結晶化速度を有する記録材料では、記録されたアモル
ファスマークの結晶化すなわち消去を行うことが困難と
なる。When the method of shortening the laser wavelength or the method of increasing the numerical aperture of the objective lens is adopted, and further, under the condition that the recording linear velocity is high, the temperature of one point on the optical disk changes in a shorter time than before. I do. Therefore, it is difficult to crystallize or erase the recorded amorphous mark with a recording material having the same crystallization speed as the conventional one.

【０００８】また、一つのレーザーのパワーレベルを時
間的に制御して記録を行う，いわゆるダイレクトオーバ
ーライト（ＤＯＷ）を考えた場合、スポットサイズが小
さいと、あるいは記録線速が高いと、相変化記録に特有
の問題であるアモルファスと結晶の物理的性質の差に起
因するマーク形状の歪みを助長することになる。すなわ
ち、この条件下では、既に書き込まれている記録マーク
に重ねて次のマークがオーバーライトされる場合には、
何も書かれていない結晶状態の部分に新しく書き込まれ
る場合よりも、記録マークが大きくなる傾向がある。Further, in the case of so-called direct overwrite (DOW) in which recording is performed by temporally controlling the power level of one laser, when the spot size is small or the recording linear velocity is high, the phase change occurs. This promotes distortion of the mark shape due to a difference in physical properties between the amorphous and the crystal, which is a problem unique to recording. That is, under this condition, when the next mark is overwritten on the already written recording mark,
The recording mark tends to be larger than when newly written in a portion of the crystal state where nothing is written.

【０００９】これは、アモルファス相のレーザー光に対
する応答（光学定数）、レーザー光との反応により生じ
る熱の伝わり方（熱伝導率）やその熱の使われ方（溶解
時の潜熱不要）が結晶相の場合と違うためである。な
お、スポットサイズが大きく低線速である場合は、記録
膜の温度変化は時間的に緩やかであり、既に存在するマ
ークがレーザーに到達するより前に熱が伝導して前もっ
て結晶化温度に保持されるため、事実上そこにはマーク
が存在しなかったのと同等の状態を生み出すことができ
（先行結晶化）、この問題は生じない。This is because the response of the amorphous phase to laser light (optical constant), the way of transmitting heat generated by the reaction with the laser light (thermal conductivity), and the way of using the heat (no need for latent heat during melting) are crystalline. Because it is different from the case of the phase. When the spot size is large and the linear velocity is low, the temperature change of the recording film is gradual over time, and heat is conducted before the existing mark reaches the laser, and the mark is maintained at the crystallization temperature in advance. Thus, a state equivalent to the absence of the mark can be created (preliminary crystallization), and this problem does not occur.

【００１０】これらの問題のために、一般に採用されて
いるＺｎＳ−ＳｉＯ₂ 層、記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ
₂ 層、反射層の４層よりなる構造の相変化記録ディスク
では、さらなる高密度、高転送レートを実現することは
事実上困難である。例えば、図１２に示すように、線速
が上がるにつれてジッター値が悪くなることが実験によ
り確かめられている。Due to these problems, ZnS-SiO ₂ layers, recording layers, ZnS-SiO
It is practically difficult to realize a higher density and a higher transfer rate with a phase change recording disk having a structure composed of _two layers and four reflective layers. For example, as shown in FIG. 12, it has been experimentally confirmed that the jitter value becomes worse as the linear velocity increases.

【００１１】この問題を解決するための手段としては、
記録層の結晶化速度を高める方法が考えられる。すなわ
ち、結晶化に必要な時間を短くすることで消去率を上
げ、また先行結晶化を生じ易くすればよい。Means for solving this problem include:
A method of increasing the crystallization speed of the recording layer can be considered. That is, the erasing rate may be increased by shortening the time required for crystallization, and the pre-crystallization may be easily caused.

【００１２】しかしながら、相変化が可逆的におこる材
料で且つ過去に得られている以上の結晶化速度を有する
ものを見い出し、これを光ディスクに適用することは事
実上不可能に近い。However, it is practically almost impossible to find a material in which a phase change occurs reversibly and has a crystallization rate higher than that obtained in the past, and apply it to an optical disk.

【００１３】そこで、記録材料そのものを改良すること
により記録層の結晶化速度を高めるのではなく、アモル
ファスの結晶化速度を高めるのに有効な結晶化促進材料
を記録層に接する形で設けることにより記録層の結晶化
速度を高める技術が特開平１-９２９３７号、特開平６-
１９５７４７号、特願平９-５３２４２４号等において
提案されている。Therefore, instead of increasing the crystallization speed of the recording layer by improving the recording material itself, a crystallization promoting material effective for increasing the crystallization speed of the amorphous layer is provided in contact with the recording layer. Techniques for increasing the crystallization rate of the recording layer are disclosed in JP-A-1-92937 and JP-A-6-92937.
195747, Japanese Patent Application No. 9-532424, and the like.

【００１４】しかしながら、既に述べたようにレーザ波
長を短くする方法と対物レンズの開口数を大きくする方
法の二つを併用してスポットサイズを小さくすると（例
えば、光源に波長４００ｎｍ付近の青紫色レーザ−を用
い、かつ開口数ＮＡが０．８５の対物レンズを用いる
と）、相変化光ディスクに高速でダイレクトオーバーラ
イトを行うための条件はより一層厳しいものとなり、上
記従来の技術では対応しきれないのが実情である。However, as described above, when the spot size is reduced by using both the method of shortening the laser wavelength and the method of increasing the numerical aperture of the objective lens (for example, a blue-violet laser having a wavelength of about 400 nm is used as a light source). -And the use of an objective lens with a numerical aperture NA of 0.85), the conditions for performing high-speed direct overwrite on a phase-change optical disc become more severe, and the above-mentioned conventional technology cannot cope with it. That is the fact.

【００１５】例えば、ディスク上の一点の温度が時間の
経過に対してどのように変化するかを計算により求めた
ものを図１３に示す。この図１３から明らかなように、
高線速になるに従って、また対物レンズの開口数ＮＡが
大きくなるに従って、結晶化温度（例えば４００℃と仮
定する。）以上に保持される時間は短くなる。レーザ波
長の短波長化が進んだ場合には、さらに顕著である。For example, FIG. 13 shows how the temperature of one point on the disk changes with the passage of time by calculation. As is apparent from FIG.
As the linear velocity becomes higher and the numerical aperture NA of the objective lens becomes larger, the time for maintaining the crystallization temperature or higher (for example, 400 ° C.) is shorter. This is more remarkable when the laser wavelength is shortened.

【００１６】本発明者等が研究を進めた結果、結晶化促
進層として上記各公報に記載されるような公知の材料で
は、このような厳しい条件では十分良好な信号特性を得
ることが困難であることがわかった。As a result of the research conducted by the present inventors, it is difficult to obtain sufficiently good signal characteristics under such severe conditions with known materials as described in the above publications as the crystallization promoting layer. I found it.

【００１７】また、これらの材料では、記録層と反応を
起こし繰り返しオーバーライト耐久性を害したり、ある
いは記録層との界面で剥離を生じディスクの信頼性（耐
候性）に劣る等の問題が存在することも確認された。In addition, these materials have a problem that they react with the recording layer and repeatedly impair the overwrite durability, or peel off at the interface with the recording layer to deteriorate the reliability (weather resistance) of the disk. It was also confirmed that.

【００１８】そこで、本発明は、このような従来の実情
に鑑みて提案されたものであり、スポットサイズの極微
小化や記録線速の向上による高記録密度、高転送レート
にも十分に対応可能であり、耐候性や繰り返し書換耐久
性に優れ、良好なダイレクトオーバーライトが実現可能
な光記録媒体を提供することを目的とする。Therefore, the present invention has been proposed in view of such a conventional situation, and sufficiently copes with a high recording density and a high transfer rate by minimizing a spot size and improving a recording linear velocity. It is an object of the present invention to provide an optical recording medium which is possible, has excellent weather resistance and repeated rewriting durability, and can realize good direct overwriting.

【００１９】[0019]

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の光記録媒体は、少なくとも相変化材料よ
りなる記録材料層を有するとともに、相変化材料の結晶
化を促進する結晶化促進材料が上記記録材料層の少なく
とも一方の面に接してなり、上記結晶化促進材料は、Ｓ
ｉ−Ｃ−Ｏ，Ｓｉ−Ｃ−Ｈ，Ｓｉ−Ｃ−Ｈ−Ｏ，Ｓｉ−
Ｎ−Ｏ，Ｓｉ−Ｎ−Ｈ，Ｓｉ−Ｎ−Ｈ−Ｏ，Ｓｉ−Ｃ−
Ｎ，Ｓｉ−Ｃ−Ｎ−Ｏ，Ｓｉ−Ｃ−Ｎ−Ｈ，Ｓｉ−Ｃ−
Ｎ−Ｈ−Ｏ，Ｓｉ−Ｏ−Ｈから選ばれた少なくとも１種
であることを特徴とする。In order to achieve the above-mentioned object, an optical recording medium of the present invention has at least a recording material layer made of a phase change material, and has a crystallization for promoting crystallization of the phase change material. The accelerating material is in contact with at least one surface of the recording material layer, and the crystallization accelerating material is
i-CO, Si-CH, Si-CHO, Si-
N—O, Si—N—H, Si—N—H—O, Si—C—
N, Si—C—N—O, Si—C—N—H, Si—C—
It is characterized by being at least one kind selected from N—H—O and Si—O—H.

【００２０】本発明者等は、厳しい条件下、例えば高線
速、高ＮＡ、短波長においても十分な結晶化促進機能を
有し且つ他の特性にも優れる材料を見出すべく、長期に
亘り鋭意検討を重ねてきた。その結果、上記各材料が特
異的に優れた結晶化促進機能を有し、かつ他の特性にも
優れることを見出し、本発明を完成するに至ったもので
ある。The inventors of the present invention have been working for a long time to find a material having a sufficient crystallization promoting function under severe conditions, for example, a high linear velocity, a high NA, and a short wavelength, and excellent in other properties. We have been studying. As a result, they have found that each of the above-mentioned materials has a specifically excellent crystallization accelerating function and also has excellent other properties, and has completed the present invention.

【００２１】上記各材料は、高線速、高ＮＡ、短波長に
おいても十分な結晶化促進機能を有し、結晶化温度以上
に保持される時間が短くても速やかに記録材料層を結晶
化する。したがって、従来以上に小さいレーザ−スポッ
ト（高ＮＡ化、短波長化）で且つ高記録線速の条件下に
おいても、良好なダイレクトオーバーライトが実現され
る。Each of the above-mentioned materials has a sufficient crystallization promoting function even at a high linear velocity, a high NA, and a short wavelength, and rapidly crystallizes the recording material layer even if the time maintained at the crystallization temperature or higher is short. I do. Therefore, good direct overwriting is realized even under the condition of a smaller laser spot (higher NA, shorter wavelength) and a higher recording linear velocity than before.

【００２２】また、これら材料は、相変化材料よりなる
記録材料層との密着性にも優れ、剥離等の問題が生ずる
ことも、また記録材料層と反応を起こすこともない。さ
らには、光透過性の観点等からも良好な材料である。In addition, these materials are excellent in adhesion to a recording material layer made of a phase change material, and do not cause a problem such as peeling or react with the recording material layer. Furthermore, it is a good material from the viewpoint of light transmittance and the like.

【００２３】[0023]

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した光記録媒
体について、図面を参照しながら詳細に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an optical recording medium to which the present invention is applied will be described in detail with reference to the drawings.

【００２４】図１は、本発明を適用した光ディスクにお
ける記録部（基板や保護層を除く記録再生に関与する部
分）の基本的な膜構成を示すものであり、この例では、
記録材料層３の両面に接して結晶化促進層５、６が形成
されている。以下、この記録材料層３と結晶化促進層
５，６を合わせて記録多層膜１０と称する。なお、上記
結晶化促進層は、ここでは記録材料層３の両面に設けた
が、場合によってはいずれか一方でもよい。FIG. 1 shows a basic film configuration of a recording portion (a portion related to recording / reproduction except a substrate and a protective layer) in an optical disk to which the present invention is applied.
Crystallization promoting layers 5 and 6 are formed in contact with both surfaces of the recording material layer 3. Hereinafter, the recording material layer 3 and the crystallization promoting layers 5 and 6 are collectively referred to as a recording multilayer film 10. Although the crystallization promoting layer is provided on both sides of the recording material layer 3 in this case, one of them may be provided in some cases.

【００２５】図２は、上記記録多層膜１０の表面のうち
一方（あるいは両方）に接触して金属あるいは半金属よ
りなる層２を設けた例を示すもので、これにより反射層
やヒートシンク層等の機能を持たせることができる。FIG. 2 shows an example in which a layer 2 made of metal or metalloid is provided in contact with one (or both) of the surfaces of the recording multilayer film 10, thereby forming a reflection layer, a heat sink layer and the like. Function can be provided.

【００２６】あるいは、図３に示すように、記録多層膜
１０の一方もしくは両方の表面に第１の誘電体層７や第
２の誘電体層８を配してもよい。この場合、その膜厚を
制御することにより、反射率、吸収率等の光学特性を制
御することが可能となり、上記結晶化促進の制御が容易
となる。ここでは記録材料層３の両面に設けたが、場合
によってはいずれか一方でもよい。Alternatively, as shown in FIG. 3, a first dielectric layer 7 or a second dielectric layer 8 may be disposed on one or both surfaces of the recording multilayer film 10. In this case, by controlling the film thickness, it becomes possible to control the optical characteristics such as the reflectance and the absorptance, and the control of the crystallization promotion becomes easy. Here, it is provided on both sides of the recording material layer 3, but depending on the case, either one may be provided.

【００２７】さらには、図４に示すように、記録多層膜
１０の一方もしくは両方の表面に第１の誘電体層７や第
２の誘電体層８を配し、かつその上に金属あるいは半金
属よりなる層２を設けてもよい。これにより光学特性や
熱特性を制御することが容易となり、上記結晶化促進の
制御が容易となる。Further, as shown in FIG. 4, a first dielectric layer 7 or a second dielectric layer 8 is disposed on one or both surfaces of the recording multilayer film 10, and a metal or a semi-conductive layer is formed thereon. A layer 2 made of metal may be provided. This makes it easy to control the optical characteristics and thermal characteristics, and makes it easy to control the promotion of crystallization.

【００２８】上記光ディスクにおける膜形成順序として
は、従来通り透明基板上に記録多層膜１０、金属あるい
は半金属よりなる層（反射層）２の順で成膜し、透明基
板側から記録再生を行うような構成としてもよいし、逆
に基板上に反射層２、記録多層膜１０の順に成膜し、厚
さの薄い光透過保護層を設け基板とは反対側から記録再
生を行うような構成としてもよい。As for the order of film formation on the optical disc, a recording multilayer film 10 and a layer (reflection layer) 2 made of metal or metalloid are formed on a transparent substrate in the conventional manner, and recording / reproduction is performed from the transparent substrate side. Alternatively, a configuration in which the reflective layer 2 and the recording multilayer film 10 are formed on the substrate in this order, and a light-transmitting protective layer having a small thickness is provided, and recording and reproduction are performed from the side opposite to the substrate. It may be.

【００２９】後者においては、厚さの薄い光透過保護層
側から記録再生を行うことでスキューマージンを確保し
ながら対物レンズの開口数を大きくして高記録密度を実
現できるので、本発明を適用することによる効果が顕著
である。これは、後者の構成の場合、上記のように対物
レンズの開口数を大きくして記録スポットの微細化を行
うことにより、光ディスク上の一点の温度が短時間に変
化するため、線速の上昇と同様にダイレクトオーバーラ
イトが難しくなるからである。In the latter case, the present invention can be applied since recording and reproduction are performed from the light transmitting protective layer side having a small thickness, and a high recording density can be realized by increasing the numerical aperture of the objective lens while securing a skew margin. The effect of doing so is remarkable. This is because, in the latter configuration, by increasing the numerical aperture of the objective lens and making the recording spot finer as described above, the temperature at one point on the optical disk changes in a short time, and the linear velocity increases. This is because direct overwriting becomes difficult in the same way as described above.

【００３０】上述の構成の光ディスクにおいて、透明基
板に用いる材料としては、ポリカーボネイト、アクリル
系樹脂等のプラスチック材料がコスト等の点で優れてい
るが、ガラスを用いることもできる。作製法には射出成
型法（インジェクション法）や紫外線硬化樹脂を使うフ
ォトポリマー法（２Ｐ法）を用いることができる。これ
以外にも所望の形状（例えば、厚さ１．１ｍｍ、直径１
２０ｍｍのディスク形状）と光学的に十分な基板表面の
平滑性が得られる方法であれば良い。In the optical disk having the above-described structure, as a material used for the transparent substrate, a plastic material such as polycarbonate and acrylic resin is excellent in terms of cost and the like, but glass can also be used. As a manufacturing method, an injection molding method (injection method) or a photopolymer method (2P method) using an ultraviolet curable resin can be used. Other than this, a desired shape (for example, a thickness of 1.1 mm and a diameter of 1 mm)
Any method can be used as long as the method can provide an optically sufficient substrate surface smoothness (a 20 mm disk shape).

【００３１】基板の厚さは特に限定されないが、特に
０．３ｍｍ以上１．３ｍｍ以下であると好ましい。基板
の厚さが０．３ｍｍより薄いとディスクの強度が下がっ
たり反りやすくなったりする。逆に１．３ｍｍより厚い
とディスクの厚みがＣＤやＤＶＤの１．２ｍｍより厚く
なるので、これら全てに対応する駆動装置を商品化する
ときに同じディスクトレイを共用できなくなる可能性が
ある。Although the thickness of the substrate is not particularly limited, it is particularly preferably from 0.3 mm to 1.3 mm. When the thickness of the substrate is smaller than 0.3 mm, the strength of the disk is reduced or the disk is easily warped. Conversely, if the thickness is more than 1.3 mm, the thickness of the disk is greater than 1.2 mm for CDs and DVDs, so that when the drive devices corresponding to all of them are commercialized, the same disk tray may not be shared.

【００３２】また、記録再生のためのレーザーが光透過
保護層から入射する場合においては、基板の材料を金属
等の非透明材料としてもよい。一方、基板側から入射す
る場合は、記録再生を行うレーザーの波長に対して吸収
能を殆ど有しない材料を用いる。いずれにしろ、基板の
種類は任意である。When a recording / reproducing laser is incident from the light transmitting protective layer, the substrate may be made of a non-transparent material such as metal. On the other hand, when the light is incident from the substrate side, a material having almost no absorption capacity for the wavelength of the laser for recording and reproduction is used. In any case, the type of the substrate is arbitrary.

【００３３】なお、基板側から記録再生光を入射する場
合は、基板と光透過保護層の間に設置した層の形成順序
とは形成順序を逆にする。When recording / reproducing light is incident from the substrate side, the order of formation of the layers provided between the substrate and the light transmission protection layer is reversed.

【００３４】また、記録多層膜１０が形成される側の面
には凹凸の溝トラックが形成されていてもよい。この溝
を案内としてレーザービームがディスク上の任意の位置
へと移動できる。溝形状はスパイラル状、同心円状、ピ
ット列等、各種の形状が適用可能である。Further, an uneven groove track may be formed on the surface on which the recording multilayer film 10 is formed. The laser beam can be moved to an arbitrary position on the disk by using the groove as a guide. Various shapes such as a spiral shape, a concentric shape, and a pit row can be applied to the groove shape.

【００３５】上記光透過保護層は、記録再生を行うレー
ザーの波長に対して吸収能を有しない材料からなること
が好ましく、具体的には透過率は９０％以上の材料とす
る。かつ光透過保護層の厚さは０．３ｍｍ以下とするこ
とが好ましい。特に、厚さを３μｍ〜１７７μｍとし、
高い開口数ＮＡ（例えば０．８５）と組み合わせること
で、これまでにない高密度記録を実現することができ
る。The light transmission protective layer is preferably made of a material that does not absorb the wavelength of a laser for recording / reproducing, specifically, a material having a transmittance of 90% or more. Further, it is preferable that the thickness of the light transmission protection layer be 0.3 mm or less. In particular, the thickness is 3 μm to 177 μm,
By combining with a high numerical aperture NA (for example, 0.85), unprecedented high-density recording can be realized.

【００３６】また、光透過保護層の表面上にゴミが付着
したり、キズがついたりすることを防止する目的で、有
機系あるいは無機系の材料からなる保護膜を形成しても
よい。この場合も記録再生を行うレーザーの波長に対し
て吸収能を殆ど有しない材料が望ましい。Further, a protective film made of an organic or inorganic material may be formed for the purpose of preventing dust from adhering to or scratching the surface of the light transmitting protective layer. Also in this case, a material having almost no absorption capacity for the wavelength of the laser for performing recording and reproduction is desirable.

【００３７】上述の光透過保護層側から記録再生を行う
光ディスクの作製法としては、大きく分けて以下の二つ
の方法を用いることができる。As a method of manufacturing an optical disk for performing recording and reproduction from the light transmission protection layer side, the following two methods can be roughly divided.

【００３８】第一の方法は、案内溝が形成された基板上
に多層膜を積層し、最後に平滑な光透過保護層を形成す
る方法である。光透過保護層の形成方法としては、例え
ば、厚さ０．３ｍｍ以下のポリカーボネイト、アクリル
系樹脂等のプラスチック材料からなる光学的に十分平滑
な光透過性のシート（フィルム）を紫外線硬化樹脂を接
着剤とし紫外線照射により貼合わせる方法を用いること
ができる。また、例えば、紫外線硬化樹脂をスピンコー
ター等で０．３ｍｍ以下の所望の厚さになるように塗布
した後、紫外線照射する方法を用いてもよい。The first method is a method of laminating a multilayer film on a substrate on which a guide groove is formed, and finally forming a smooth light transmitting protective layer. As a method for forming the light transmission protection layer, for example, an optically sufficiently smooth light transmission sheet (film) made of a plastic material such as polycarbonate or acrylic resin having a thickness of 0.3 mm or less is bonded to an ultraviolet curable resin. A method of bonding by ultraviolet irradiation as an agent can be used. Further, for example, a method of applying an ultraviolet curable resin to a desired thickness of 0.3 mm or less using a spin coater or the like and then irradiating the ultraviolet light may be used.

【００３９】第二の方法は、案内溝が形成された光透過
保護層上に多層膜を積層し、最後に平滑な基板を形成す
る方法である。厚さ０．３ｍｍ以下の光透過保護層に凹
凸の溝トラックを形成する方法としては、射出成型（イ
ンジェクション）法、フォトポリマー法（２Ｐ法）、圧
着・加圧により凹凸の転写する方法等を用いることがで
きる。The second method is a method of laminating a multilayer film on the light transmitting protective layer in which the guide groove is formed, and finally forming a smooth substrate. Examples of a method for forming a groove track having irregularities on the light transmitting protective layer having a thickness of 0.3 mm or less include an injection molding method, a photopolymer method (2P method), and a method of transferring irregularities by pressing and pressing. Can be used.

【００４０】ただし、光透過保護層上に凹凸を形成する
工程あるいは多層膜を成膜する工程は必ずしも容易では
ないので、量産等を考えた場合には第一の方法を用いる
方が有利である。However, the step of forming irregularities or the step of forming a multilayer film on the light transmitting protective layer is not always easy, so that the first method is more advantageous when considering mass production. .

【００４１】上記各構成の光ディスクにおいて、記録材
料層３は、相変化材料により形成される。すなわち、レ
ーザービームの照射を受けて可逆的な状態変化を生じる
材料である。特に、アモルファス状態と結晶状態の可逆
的相変化を生じるものが好ましく、カルコゲン化合物あ
るいは単体のカルコゲン等、公知のものがいずれも使用
可能である。In the optical disc having the above-described configurations, the recording material layer 3 is formed of a phase change material. That is, it is a material that undergoes a reversible state change upon irradiation with a laser beam. In particular, those which cause a reversible phase change between an amorphous state and a crystalline state are preferable, and any known substances such as a chalcogen compound or a simple chalcogen can be used.

【００４２】例示するならば、Ｔｅ，Ｓｅ，Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｔｅ，Ｓｂ−Ｔｅ，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，
Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ａｕ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｐｄ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｓｅ，Ｉｎ
−Ｓｂ−Ｓｅ，Ｂｉ−Ｔｅ，Ｂｉ−Ｓｅ，Ｓｂ−Ｓｅ，
Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｂｉ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ−Ｃｏ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ａｕを含む系、あるいは
これらの系に窒素、酸素等のガス添加物を導入した系等
を挙げることができる。これらのうち、特に好適なのは
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系を主成分とするものである。これに
任意の元素例えばＳｅやＰｄを添加したり、あるいは窒
素や酸素等のガス元素を添加したりしたものも好適であ
る。For example, Te, Se, Ge-Sb
-Te, Ge-Te, Sb-Te, In-Sb-Te,
Ag-In-Sb-Te, Au-In-Sb-Te, G
e-Sb-Te-Pd, Ge-Sb-Te-Se, In
-Sb-Se, Bi-Te, Bi-Se, Sb-Se,
Sb-Te, Ge-Sb-Te-Bi, Ge-Sb-T
Examples include systems containing e-Co, Ge-Sb-Te-Au, or systems in which gas additives such as nitrogen and oxygen are introduced into these systems. Among them, particularly preferred are those containing a Ge—Sb—Te system as a main component. It is also preferable that an arbitrary element such as Se or Pd is added thereto, or a gas element such as nitrogen or oxygen is added thereto.

【００４３】さらに、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系を用いる場
合、その組成をＧｅ_xＳｂ_yＴｅ_z （但し、式中のｘ，
ｙ，ｚは各元素の原子比を表す。）なる組成式で表した
ときに、１７≦ｘ≦２５，１７≦ｙ≦２５，４５≦ｚ≦
６５となる組成範囲である場合に良好な特性が得られ
る。[0043] Further, when using a Ge-Sb-Te-based, the composition Ge _x Sb _y Te _z (here, x in the formula,
y and z represent the atomic ratio of each element. ), 17 ≦ x ≦ 25, 17 ≦ y ≦ 25, 45 ≦ z ≦
Good characteristics can be obtained when the composition range is 65.

【００４４】これらの記録層は、レーザービームの強弱
により、アモルファス状態と結晶状態の間を可逆的に相
変化させることができる。この状態変化による反射率等
の光学的変化を利用して、記録、再生、消去、オーバー
ライト等の動作を行うことが可能になる。一般的には、
成膜後、一旦結晶化（一般に初期化と呼ぶ）し、記録再
生等を行う。These recording layers can reversibly change phase between an amorphous state and a crystalline state depending on the intensity of the laser beam. It is possible to perform operations such as recording, reproduction, erasing, and overwriting by utilizing an optical change such as a reflectance due to the state change. In general,
After the film formation, it is once crystallized (generally called initialization), and recording and reproduction are performed.

【００４５】なお、記録層は連続する２層以上の異なる
層（材料、組成、複素屈折率のいずれかが異なる）で構
成してもよい。The recording layer may be composed of two or more successive different layers (each of which is different in material, composition or complex refractive index).

【００４６】金属あるいは半金属よりなる層２は、例え
ば反射層としての機能を考えた場合には、記録再生用レ
ーザーの波長に対して反射能を有し、熱伝導率が０．０
００４［Ｊ／（ｃｍ・Ｋ・ｓ）］〜４．５［Ｊ／（ｃｍ
・Ｋ・ｓ）］なる値を有する金属元素、半金属元素およ
びそれらの化合物あるいは混合物からなることが好まし
い。The layer 2 made of metal or metalloid has reflectivity to the wavelength of the recording / reproducing laser and has a thermal conductivity of 0.0 when considered as a reflective layer, for example.
004 [J / (cm · K · s)] to 4.5 [J / (cm)
.K.s)], and preferably a metal element, a metalloid element, and a compound or mixture thereof.

【００４７】具体的に例示するならば、Ａｌ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、
Ｍｏ、Ｇｅ等の単体、あるいはこれらを主成分とする合
金を挙げることができる。これらのうち、特にＡｌ系、
Ａｇ系、Ａｕ系、Ｓｉ系、Ｇｅ系の材料が実用性の面か
ら好ましい。合金としては、例えばＡｌ−Ｔｉ、Ａｌ−
Ｃｒ、Ａｌ−Ｃｏ、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃ
ｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｔｉ、Ｓｉ−Ｂ等が挙げられる。More specifically, Al, Ag, A
u, Ni, Cr, Ti, Pd, Co, Si, Ta, W,
A simple substance such as Mo or Ge or an alloy containing these as a main component can be used. Among these, Al-based,
Ag-based, Au-based, Si-based, and Ge-based materials are preferable from the viewpoint of practicality. As the alloy, for example, Al-Ti, Al-
Cr, Al-Co, Al-Mg-Si, Ag-Pd-C
u, Ag-Pd-Ti, Si-B and the like.

【００４８】これらの材料を光学特性および熱特性を考
慮し設定する。一般には材料の膜厚を光が透過しない程
度の厚さ（例えば５０ｎｍ以上）に設定すると、反射率
が高くなりまた熱が逃げやすくなる。特にＡｌ系やＡｇ
系材料は短波長領域においても高反射率を有する（例え
ばλ＝４００ｎｍのとき８０％以上）ので好適である。
また、図５に示すように、金属あるいは半金属よりなる
層（反射層）を第１の反射層２Ａと第２の反射層２Ｂの
２層膜とすることも可能である。更に２層以上の多層構
造とすることも可能である。これにより光学設計がしや
すくなり、且つ熱特性とのバランスもとり易くなる。These materials are set in consideration of optical characteristics and thermal characteristics. Generally, when the thickness of the material is set to a thickness that does not allow light to pass through (for example, 50 nm or more), the reflectance increases and heat is easily released. Especially Al-based and Ag
The system material is suitable because it has a high reflectance even in a short wavelength region (for example, 80% or more when λ = 400 nm).
Further, as shown in FIG. 5, a layer (reflection layer) made of metal or metalloid can be a two-layer film of the first reflection layer 2A and the second reflection layer 2B. Further, a multilayer structure of two or more layers is also possible. This facilitates optical design and balance with thermal characteristics.

【００４９】上記誘電体層７、８に用いる材料として
は、記録再生用レーザーの波長に対して吸収能のないも
のが望ましく、具体的には消衰係数ｋの値が０．３以下
である材料が好ましい。かかる材料としては、例えばＺ
ｎＳ−ＳｉＯ₂ 混合体（特にモル比約４：１）を挙げる
ことができる。ただし、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂ 混合体以外に
も従来より光記録媒体に用いられている材料がいずれも
誘電体層に適用可能である。It is desirable that the material used for the dielectric layers 7 and 8 has no absorptivity to the wavelength of the recording / reproducing laser, and more specifically, the value of the extinction coefficient k is 0.3 or less. Materials are preferred. Such materials include, for example, Z
An nS—SiO ₂ mixture (particularly a molar ratio of about 4: 1) can be mentioned. However, in addition to the ZnS—SiO ₂ mixture, any material conventionally used for an optical recording medium can be applied to the dielectric layer.

【００５０】例えば、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｎｂ、Ｍｇ、Ｂ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｌａ、Ｇｅ等の金
属および半金属等の元素の窒化物、酸化物、炭化物、フ
ッ化物、硫化物、窒酸化物、窒炭化物、酸炭化物等から
なる層およびこれらを主成分とする層を用いることがで
きる。具体的には、ＡｌＮ_x（０．５≦ｘ≦１）、特に
ＡｌＮ、Ａｌ₂Ｏ_3-x（０≦ｘ≦１）、特にＡｌ₂Ｏ₃、Ｓ
ｉ₃Ｎ_4-x（０≦ｘ≦１）、特にＳｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ_x（１
≦ｘ≦２）、特にＳｉＯ₂、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ₂Ｏ₃、
ＭｇＡｌ₂Ｏ₄、ＴｉＯ_x（１≦ｘ≦２）、特にＴｉＯ₂、
ＢａＴｉＯ₃、ＳｔＴｉＯ₃、Ｔａ₂Ｏ_5-x（０≦ｘ≦
１）、特にＴａ₂Ｏ₅、ＧｅＯ_x（１≦ｘ≦２）、Ｓｉ
Ｃ、ＺｎＳ、ＰｂＳ、Ｇｅ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ−Ｏ、Ｓｉ−
Ｎ−Ｏ、ＣａＦ₂、ＬａＦ、ＭｇＦ₂、ＮａＦ、ＴｈＦ₄
等を挙げることができる。これらからなる層及びこれら
を主成分とする層が適用可能である。あるいはこれらの
混合物、例えばＡｌＮ−ＳｉＯ₂からなる層を誘電体層
とすることも可能である。For example, Al, Si, Ta, Ti, Zr,
From nitrides, oxides, carbides, fluorides, sulfides, oxynitrides, oxycarbides, etc. of metals such as Nb, Mg, B, Zn, Pb, Ca, La, Ge, etc. Layers and layers containing these as main components can be used. Specifically, AlN _x (0.5 ≦ x ≦ 1), particularly AlN, Al ₂ O _3-x (0 ≦ x ≦ 1), particularly Al ₂ O ₃ , S
i ₃ N _4-x (0 ≦ x ≦ 1), especially Si ₃ N ₄ , SiO _x (1
≦ x ≦ 2), especially SiO ₂ , SiO, MgO, Y ₂ O ₃ ,
MgAl ₂ O ₄ , TiO _x (1 ≦ x ≦ 2), especially TiO ₂ ,
BaTiO ₃ , StTiO ₃ , Ta ₂ O _5-x (0 ≦ x ≦
1) In particular, Ta ₂ O ₅ , GeO _x (1 ≦ x ≦ 2), Si
C, ZnS, PbS, Ge-N, Ge-NO, Si-
_{N-O, CaF 2, LaF} , MgF 2, NaF, ThF 4
And the like. A layer made of these and a layer containing these as a main component are applicable. Alternatively, a mixture of these, for example, a layer made of AlN—SiO _{2 can} be used as the dielectric layer.

【００５１】次に、結晶化促進層５、６の働きについて
述べる。Next, the function of the crystallization promoting layers 5 and 6 will be described.

【００５２】一般に、アモルファスの結晶化は、結晶核
生成と結晶成長の二段階に進行する。ここで、結晶核生
成がアモルファス相内部のすべての場所でランダムに起
こると仮定すると核生成速度Ｉは、図６に示すように、
温度の上昇と共に大きくなり、ガラス転移点Ｔｇより少
し上の温度で最大値に達し、それ以上の温度では急激に
小さくなる。他方成長速度Ｕはより融点Ｔｍに近い温度
で最大値に達する。In general, amorphous crystallization proceeds in two stages, crystal nucleation and crystal growth. Here, assuming that crystal nucleation occurs randomly at all places inside the amorphous phase, the nucleation rate I becomes as shown in FIG.
It increases with increasing temperature, reaches a maximum at a temperature slightly above the glass transition point Tg, and rapidly decreases at temperatures above it. On the other hand, the growth rate U reaches the maximum value at a temperature closer to the melting point Tm.

【００５３】光ディスクのアモルファスマークの場合
は、上記の仮定と異なり記録材料層３が二つの表面を有
するため、核生成が記録材料層３とそれを挟む層との界
面で起こりやすい。この場合は界面の化学的あるいは物
理的性質が核発生の頻度に大きく影響を与えることが知
られている。In the case of an amorphous mark on an optical disk, unlike the above assumption, since the recording material layer 3 has two surfaces, nucleation is likely to occur at the interface between the recording material layer 3 and the layer sandwiching it. In this case, it is known that the chemical or physical properties of the interface greatly affect the frequency of nucleation.

【００５４】従って、結晶化速度を制御するためには、
記録材料層３を挟む界面の状態を制御することにより、
結晶核の生成頻度をコントロールすることが有効であ
る。Therefore, in order to control the crystallization rate,
By controlling the state of the interface sandwiching the recording material layer 3,
It is effective to control the generation frequency of crystal nuclei.

【００５５】そこで、本発明では、記録材料層３に接し
て結晶化促進層５、６（いずれか一方のみでもよい）を
設け、上記結晶核の生成頻度をコントロールしている。
すなわち、記録材料層３に接した結晶化促進層５，６に
より、結晶核の生成が促進され結晶化速度を高めること
が可能となる。このことが、高転送レートの条件におい
ても十分なオーバライト消去比が得られ、良好なジッタ
値を得ることにつながる。Therefore, in the present invention, the crystallization promoting layers 5 and 6 (only one of them may be provided) are provided in contact with the recording material layer 3 to control the generation frequency of the crystal nuclei.
In other words, the crystallization promoting layers 5 and 6 in contact with the recording material layer 3 promote the generation of crystal nuclei and can increase the crystallization speed. This leads to a sufficient overwrite erasure ratio even under high transfer rate conditions, leading to a good jitter value.

【００５６】なお、上記結晶化促進層５、６は先に述べ
た誘電体層７、８の働きを兼ねた同一のものであっても
構わない。例えば、通常の誘電体層７、８にＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ₂ （特にモル比約４：１）を用い、記録材料層３と
接する面に結晶化を促進する層を別に設けても良いし、
誘電体７、８そのものに結晶化を促進する材料を用いて
もよい。つまり、記録材料層３に接して以下に示す結晶
化を促進する材料よりなる結晶化促進層が接してさえい
れば、誘電体層の有無、あるいは誘電体層に用いる材料
の種類は問わない。また、結晶化促進層は記録材料層３
の少なくとも一方の面に接していれば、結晶化促進層を
有しない場合と比べて記録材料層３の結晶化速度が上が
ることがわかっている。ただし、上述した代表的な構成
においては、記録材料層３の両側の面に接して設けた場
合により大きな結晶化促進効果が得られる。The crystallization promoting layers 5 and 6 may be the same as the dielectric layers 7 and 8 described above. For example, the normal dielectric layers 7 and 8 may have ZnS-S
iO ₂ (particularly, a molar ratio of about 4: 1) may be used, and a layer for promoting crystallization may be separately provided on a surface in contact with the recording material layer 3;
A material that promotes crystallization may be used for the dielectrics 7 and 8 themselves. That is, as long as the crystallization promoting layer made of a material that promotes crystallization described below is in contact with the recording material layer 3, the presence or absence of the dielectric layer or the type of material used for the dielectric layer is not limited. The crystallization promoting layer is the recording material layer 3
It has been found that the crystallization speed of the recording material layer 3 is increased by contacting at least one surface of the recording material layer 3 as compared with the case without the crystallization promoting layer. However, in the above-described typical configuration, a greater crystallization promoting effect can be obtained when the recording material layer 3 is provided in contact with both surfaces.

【００５７】結晶化を促進する材料としては、従来より
光記録媒体に誘電体層に用いられている材料（記録再生
用レーザーの波長に対して消衰係数ｋの値が０．３以
下）のうち硫化物を除くものがいずれも機能することが
わかっている。例えば、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｂ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｌａ、Ｇｅ等
の金属および半金属等の元素の窒化物、酸化物、炭化
物、フッ化物、窒酸化物、窒炭化物、酸炭化物等からな
る層およびこれらを主成分とする層であり、例示するな
らば、ＡｌＮ_x（０．５≦ｘ≦１）、特にＡｌＮ、Ａｌ₂
Ｏ_3-x（０≦ｘ≦１）、特にＡｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ₃Ｎ_4-x（０
≦ｘ≦１）、特にＳｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ_x（１≦ｘ≦２）、
特にＳｉＯ₂、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ₂Ｏ₃、ＭｇＡｌ
₂Ｏ₄、ＴｉＯ_x（１≦ｘ≦２）、特にＴｉＯ₂、ＢａＴｉ
Ｏ₃、ＳｔＴｉＯ₃、Ｔａ₂Ｏ_5-x（０≦ｘ≦１）、特にＴ
ａ₂Ｏ₅、ＧｅＯ_x（１≦ｘ≦２）、ＳｉＣ、Ｇｅ−Ｎ、
Ｇｅ−Ｎ−Ｏ、Ｓｉ−Ｎ−Ｏ、ＣａＦ₂、ＬａＦ、Ｍｇ
Ｆ₂、ＮａＦ、ＴｈＦ₄等からなる層及びこれらを主成分
とする層が結晶化促進の機能を有する。あるいはこれら
の混合物、例えばＡｌＮ−ＳｉＯ₂からなる層も同様に
結晶化を促進する機能を有する。Materials that promote crystallization include materials conventionally used for dielectric layers in optical recording media (the extinction coefficient k is 0.3 or less with respect to the wavelength of a recording / reproducing laser). Of these, all except sulfide have been found to work. For example, Al, Si, Ta, Ti, Z
It is composed of nitrides, oxides, carbides, fluorides, nitrides, nitrocarbides, oxycarbides, etc. of elements such as metals and metalloids such as r, Nb, Mg, B, Zn, Pb, Ca, La and Ge. And a layer containing these as a main component. For example, AlN _x (0.5 ≦ x ≦ 1), particularly AlN, Al ₂
O _3-x (0 ≦ x ≦ 1), especially Al ₂ O ₃ , Si ₃ N _4-x (0
≦ x ≦ 1), especially Si ₃ N ₄ , SiO _x (1 ≦ x ≦ 2),
In particular, SiO ₂ , SiO, MgO, Y ₂ O ₃ , MgAl
₂ O ₄ , TiO _x (1 ≦ x ≦ 2), especially TiO ₂ , BaTi
O ₃ , StTiO ₃ , Ta ₂ O _5-x (0 ≦ x ≦ 1), especially T
a ₂ O ₅ , GeO _x (1 ≦ x ≦ 2), SiC, Ge—N,
Ge-N-O, Si- N-O, CaF 2, LaF, Mg
The layer composed of F ₂ , NaF, ThF _{4 and the} like and the layer containing these as main components have a function of promoting crystallization. Alternatively, a mixture of these, for example, a layer made of AlN—SiO ₂ also has a function of promoting crystallization.

【００５８】しかしながら、これらの材料は、結晶化促
進機能が十分ではない等、厳しい条件では十分良好な信
号特性を得ることができない。However, these materials cannot provide sufficiently good signal characteristics under severe conditions such as insufficient crystallization promoting function.

【００５９】そこで、本発明では、これらの結晶化を促
進する機能を有する材料の中で、特にＳｉ−Ｃ−Ｏ，Ｓ
ｉ−Ｃ−Ｈ，Ｓｉ−Ｃ−Ｈ−Ｏ，Ｓｉ−Ｎ−Ｏ，Ｓｉ−
Ｎ−Ｈ，Ｓｉ−Ｎ−Ｈ−Ｏ，Ｓｉ−Ｃ−Ｎ，Ｓｉ−Ｃ−
Ｎ−Ｏ，Ｓｉ−Ｃ−Ｎ−Ｈ，Ｓｉ−Ｃ−Ｎ−Ｈ−Ｏ，Ｓ
ｉ−Ｏ−Ｈのいずれかの材料を結晶化促進層として用い
ることを特徴としている。すなわち、これらの材料にお
いては結晶化促進効果が良好で、かつ消衰係数ｋの値が
小さく、記録層との界面における剥離も合金化も起こら
ないことから、特に本発明における結晶化促進材料とし
て選択した。Therefore, in the present invention, among the materials having the function of accelerating crystallization, Si—CO—S,
i-C-H, Si-C-HO, Si-NO, Si-
N—H, Si—N—H—O, Si—C—N, Si—C—
N—O, Si—C—N—H, Si—C—N—H—O, S
It is characterized in that any material of i-O-H is used as a crystallization promoting layer. That is, in these materials, the crystallization promoting effect is good, the value of the extinction coefficient k is small, and neither separation nor alloying occurs at the interface with the recording layer. Selected.

【００６０】なお、結晶化促進層の膜厚については特に
規定しないが、均一な膜を形成するためには１ｎｍ以上
であることが望ましい。例えば、上述した構成において
は、２ｎｍ以上で良好な信号特性を得ることができた。The thickness of the crystallization promoting layer is not particularly limited, but is preferably 1 nm or more in order to form a uniform film. For example, in the configuration described above, good signal characteristics could be obtained at 2 nm or more.

【００６１】上記結晶化促進層５、６を設けることによ
り、結晶核の生成が促進され、結晶化速度を高めること
ができる。これは、高速ダイレクトオーバーライトにお
いて非常に有利である。By providing the crystallization promoting layers 5 and 6, the generation of crystal nuclei is promoted, and the crystallization speed can be increased. This is very advantageous in high-speed direct overwrite.

【００６２】以上が本発明を適用した光ディスクの基本
構成であるが、層構成は任意に変更することが可能であ
る。The above is the basic configuration of the optical disk to which the present invention is applied, but the layer configuration can be arbitrarily changed.

【００６３】例えば、金属あるいは半金属からなる層
（反射層）２ばかりでなく、記録材料層３、誘電体層
７、８を連続する２層以上の多層膜とすることも可能で
ある。For example, not only the layer (reflection layer) 2 made of metal or metalloid but also the recording material layer 3 and the dielectric layers 7 and 8 can be formed as a continuous two or more multilayer film.

【００６４】[0064]

【実施例】次に、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて説明する。Next, specific embodiments to which the present invention is applied will be described.

【００６５】実施例１ 図７に示す構成の光ディスクを作製した。この光ディス
クは、基板１１上に反射層１２、第２の誘電体層１８、
結晶化促進層１５、記録材料層１３、結晶化促進層１
６、第１の誘電体層１７、光透過保護層１４がこの順に
形成されている。 Example 1 An optical disk having the structure shown in FIG. 7 was manufactured. This optical disc has a reflective layer 12, a second dielectric layer 18,
Crystallization promoting layer 15, recording material layer 13, crystallization promoting layer 1
6, a first dielectric layer 17 and a light transmission protection layer 14 are formed in this order.

【００６６】各層に使用した材料、厚さは具体的には下
記の通りである。The materials and thicknesses used for each layer are specifically as follows.

【００６７】 透明基板１１ ：ポリカーボネイト基板（厚さ１．１ｍｍ） 反射層１２ ：Ａｌ合金（厚さ１６５ｎｍ） 記録材料層１３ ：Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅（厚さ２８ｎｍ） 光透過保護層１４ ：紫外線硬化樹脂（厚さ０．１ｍｍ） 結晶化促進層１５、１６ ：Ｓｉ−Ｃ−Ｈ−Ｏ（厚さ４ｎｍ） 第１の誘電体層１７ ：ＺｎＳ−ＳｉＯ₂（厚さ８５ｎｍ） 第２の誘電体層１８ ：ＺｎＳ−ＳｉＯ₂（厚さ１０ｎｍ） この光ディスクを線速９．２４ｍ／ｓで記録再生した結
果（オーバーライト回数によるジッター値の変化）のプ
ロットと記録線速を変えて記録再生を行ったときの１０
０００回ダイレクトオーバーライト後のジッター値のプ
ロットをそれぞれ図８と図９に示す。なお、図８におい
ては、結晶化促進層にＧｅ−Ｎを用いた場合の特性を併
せて示した。但し、これらはグルーブでの測定結果のみ
示してある。Transparent substrate 11: polycarbonate substrate (thickness 1.1 mm) Reflective layer 12: Al alloy (thickness 165 nm) Recording material layer 13: Ge ₂ Sb ₂ Te ₅ (thickness 28 nm) Light transmitting protective layer 14: ultraviolet light Cured resin (thickness 0.1 mm) Crystallization promoting layers 15 and 16: Si-CHO (4 nm thick) First dielectric layer 17: ZnS-SiO ₂ (85 nm thick) Second dielectric Body layer 18: ZnS-SiO ₂ (thickness: 10 nm) This optical disc was recorded / reproduced at a linear velocity of 9.24 m / s (change in jitter value due to the number of overwrites), and recording / reproducing was performed by changing the recording linear velocity. 10 when I went
Plots of the jitter value after 000 direct overwrites are shown in FIGS. 8 and 9, respectively. FIG. 8 also shows characteristics when Ge—N is used for the crystallization promoting layer. However, these show only the measurement results in the groove.

【００６８】他の測定条件は、レーザー波長λ＝６４０
ｎｍ、開口数ＮＡ＝０．８５、ビット長０．２１μｍ／
ビット、トラックピッチ０．４５μｍとし、（１、７）
変調を用いるものとした。Other measurement conditions are as follows: laser wavelength λ = 640
nm, numerical aperture NA = 0.85, bit length 0.21 μm /
Bit, track pitch 0.45 μm, (1, 7)
Modulation was used.

【００６９】これらより、ジッター値、繰り返し耐久性
共に良好であり、また広い記録線速範囲にわたって適用
可能であることが示されている。From these results, it is shown that both the jitter value and the repetition durability are good, and that the present invention can be applied over a wide recording linear velocity range.

【００７０】なお、結晶化促進層１５、１６に使用して
いるＳｉ−Ｃ−Ｈ−Ｏは、ＳｉＣターゲットを用い、３
００ｐｐｍのＨ₂Ｏ を含むＡｒガスを用いてＲＦスパッ
タリング法により成膜した。その組成をＲＢＳ（ラザフ
ォード後方散乱）法により分析した。分析値を表１に示
す。The Si—C—H—O used for the crystallization promoting layers 15 and 16 is formed by using an SiC target,
A film was formed by an RF sputtering method using an Ar gas containing 00 ppm of H ₂ O. Its composition was analyzed by the RBS (Rutherford backscattering) method. The analytical values are shown in Table 1.

【００７１】[0071]

【表１】 [Table 1]

【００７２】なお、各層の膜厚はこれに限定されるもの
ではなく、以下の範囲を満たすものであればいずれも構
わないことが実験的に確かめられた。The thickness of each layer is not limited to this, and it has been experimentally confirmed that any layer may be used as long as it satisfies the following range.

【００７３】 透明基板１１ ：ポリカーボネイト基板（厚さ１．０〜１．２ｍ ｍ） 反射層１２ ：Ａｌ合金（厚さ４０〜２００ｎｍ） 記録材料層１３ ：Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅（厚さ５〜３０ｎｍ） 光透過保護層１４ ：ポリカーボネイト製シート （厚さ０．０５〜０．１５ｍｍ） 結晶化促進層１５、１６ ：Ｓｉ−Ｃ−Ｈ−Ｏ（厚さ１〜２０ｎｍ） 第１の誘電体層１７ ：ＺｎＳ−ＳｉＯ₂（厚さ６０〜１２０ｎｍ） 第２の誘電体層１８ ：ＺｎＳ−ＳｉＯ₂（厚さ５〜２０ｎｍ）Transparent substrate 11: polycarbonate substrate (1.0 to 1.2 mm in thickness) Reflective layer 12: Al alloy (40 to 200 nm in thickness) Recording material layer 13: Ge ₂ Sb ₂ Te ₅ (5 to 5 in thickness) 30 nm) Light transmitting protective layer 14: polycarbonate sheet (thickness 0.05 to 0.15 mm) Crystallization promoting layers 15 and 16: Si-CHO (thickness 1 to 20 nm) First dielectric layer 17: ZnS-SiO ₂ (thickness 60 to 120 nm) second dielectric layer 18: ZnS-SiO ₂ (thickness 5 to 20 nm)

【００７４】実施例２〜１１ 結晶化促進層としてＳｉ−Ｃ−Ｏ，Ｓｉ−Ｃ−Ｈ，Ｓｉ
−Ｎ−Ｏ，Ｓｉ−Ｎ−Ｈ，Ｓｉ−Ｎ−Ｈ−Ｏ，Ｓｉ−Ｃ
−Ｎ，Ｓｉ−Ｃ−Ｎ−Ｏ，Ｓｉ−Ｃ−Ｎ−Ｈ，Ｓｉ−Ｃ
−Ｎ−Ｈ−Ｏ，Ｓｉ−Ｏ−Ｈを用いた以外は実施例１と
同じ構成の光ディスクを作製し、実施例１と同じ測定条
件で評価を行った。 Examples 2 to 11 Si-CO, Si-CH, Si
-NO, Si-NH, Si-NHO, Si-C
—N, Si—C—N—O, Si—C—N—H, Si—C
An optical disk having the same configuration as in Example 1 was produced except that -NHO and Si-OH were used, and evaluation was performed under the same measurement conditions as in Example 1.

【００７５】なお、結晶化促進層１５、１６に使用して
いる各材料はＳｉＣターゲットをそれぞれの添加ガスを
含むＡｒガスを用いてＲＦスパッタリング法により成膜
した。その組成をＲＢＳ（ラザフォード後方散乱）分析
法により確認した。The respective materials used for the crystallization promoting layers 15 and 16 were formed by RF sputtering using a SiC target and an Ar gas containing an additive gas. Its composition was confirmed by RBS (Rutherford backscattering) analysis.

【００７６】比較例１〜３ 結晶化促進層としてＳｉ−Ｃ、Ｇｅ−Ｎを用いた以外は
実施例１と同じ構成の光ディスクを作製し、比較例１，
２とした。また、実施例１から結晶化促進層を除いた光
ディスクを作製し比較例３とした。これについても実施
例１と同じ条件で測定を行った。 Comparative Examples 1 to 3 Optical disks having the same structure as in Example 1 except that Si—C and Ge—N were used as crystallization promoting layers were produced.
And 2. Further, an optical disk was prepared from Example 1 except that the crystallization promoting layer was removed, and Comparative Example 3 was obtained. This was also measured under the same conditions as in Example 1.

【００７７】これら実施例１〜１１、及び比較例１〜３
について、各特性を調べた。測定したのは、１００回ダ
イレクトオーバーライトした後のジッタ−値（％）、一
万回ダイレクトオーバーライトした後のジッタ−値、及
び１００℃、８０％湿度雰囲気に５時間保存した後の剥
離の有無を光学顕微鏡で観察した結果である。結果を表
２に示す。Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 3
Was examined for each characteristic. The measured values were the jitter value (%) after 100 direct overwrites, the jitter value after 10,000 direct overwrites, and the peeling after storage at 100 ° C. and 80% humidity for 5 hours. It is the result of observing the presence or absence with an optical microscope. Table 2 shows the results.

【００７８】[0078]

【表２】 [Table 2]

【００７９】本発明において規定する材料を結晶化促進
層に用いた各実施例（実施例１〜１１）では、ジッター
値がいずれの条件においても低く、剥離も生じていな
い。これに対して、Ｓｉ−ＣやＧｅ−Ｎを用いた比較例
１、２では、ジッター値が大きく、剥離も生じていた。
結晶化促進層を設けない比較例３では、ダイレクトオー
バーライトが不可能であった。In each of the Examples (Examples 1 to 11) in which the material specified in the present invention was used for the crystallization promoting layer, the jitter value was low under any of the conditions, and no peeling occurred. On the other hand, in Comparative Examples 1 and 2 using Si—C or Ge—N, the jitter value was large and peeling occurred.
In Comparative Example 3 in which the crystallization promoting layer was not provided, direct overwriting was not possible.

【００８０】実施例１３ 図７に示す構成の光ディスクを作製した。各層に使用し
た材料、厚さは具体的には下記の通りである。 Example 13 An optical disk having the structure shown in FIG. 7 was manufactured. The material and thickness used for each layer are specifically as follows.

【００８１】 透明基板１１ ：ポリカーボネイト基板（厚さ１．１ｍｍ） 反射層１２ ：Ａｌ合金（厚さ１６５ｎｍ） 記録材料層１３ ：Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅（厚さ１６ｎｍ） 光透過保護層１４ ：ポリカーボネイト製シート（厚さ０．１ｍｍ） 結晶化促進層１５、１６ ：Ｓｉ−Ｃ−Ｈ−Ｏ（厚さ２ｎｍ） 第１の誘電体層１７ ：ＺｎＳ−ＳｉＯ₂（厚さ５５ｎｍ） 第２の誘電体層１８ ：ＺｎＳ−ＳｉＯ₂（厚さ１７ｎｍ） このディスクを記録再生した結果（オーバーライト回数
によるジッター値の変化）のプロットを図１０に示す。
なお、測定条件はレーザー波長λ＝４０７ｎｍ、開口数
ＮＡ＝０．８５、チャンネルクロック５０ＭＨｚ、ビッ
ト長０．１３５μｍ／ビット、トラックピッチ０．３３
μｍとし、（１、７）変調を用いるものとした。Transparent substrate 11: polycarbonate substrate (thickness 1.1 mm) Reflective layer 12: Al alloy (thickness 165 nm) Recording material layer 13: Ge ₂ Sb ₂ Te ₅ (thickness 16 nm) Light transmission protection layer 14: polycarbonate Ltd. sheet (thickness 0.1 mm) crystallization promoting layers 15,16: Si-C-H- O ( thickness 2 nm) first dielectric layer 17: ZnS-SiO ₂ (thickness 55 nm) second dielectric Body layer 18: ZnS—SiO ₂ (thickness: 17 nm) FIG. 10 shows a plot of the result of recording / reproducing this disc (change in jitter value due to the number of overwrites).
The measurement conditions were as follows: laser wavelength λ = 407 nm, numerical aperture NA = 0.85, channel clock 50 MHz, bit length 0.135 μm / bit, track pitch 0.33.
μm, and (1, 7) modulation was used.

【００８２】この図１０から明らかなように、レーザ波
長を短波長とした場合においても、ジッター値、繰り返
し耐久性共に良好であることがわかる。As is clear from FIG. 10, even when the laser wavelength is set to be short, both the jitter value and the repetition durability are good.

【００８３】なお、この例においても各層の膜厚はこれ
に限定されるものではなく、以下の範囲を満たすもので
あればいずれも構わないことが実験的に確かめられた。In this example also, the film thickness of each layer is not limited to this, and it has been experimentally confirmed that any film may be used as long as it satisfies the following range.

【００８４】 透明基板１１ ：ポリカーボネイト基板（厚さ１．０〜１．２ｍ ｍ） 反射層１２ ：Ａｌ合金（厚さ４０〜２００ｎｍ） 記録材料層１３ ：Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅（厚さ５〜３０ｎｍ） 光透過保護層１４ ：ポリカーボネイト製シート （厚さ０．０５〜０．１５ｍｍ） 結晶化促進層１５、１６ ：Ｓｉ−Ｃ−Ｈ−Ｏ（厚さ１〜２０ｎｍ） 第１の誘電体層１７ ：ＺｎＳ−ＳｉＯ₂（厚さ３０〜７０ｎｍ） 第２の誘電体層１８ ：ＺｎＳ−ＳｉＯ₂（厚さ５〜２０ｎｍ）実施例１４ 図７に示す構成の光ディスクを作製した。各層に使用し
た材料、厚さは下記の通りである。Transparent substrate 11: polycarbonate substrate (1.0 to 1.2 mm in thickness) Reflective layer 12: Al alloy (40 to 200 nm in thickness) Recording material layer 13: Ge ₂ Sb ₂ Te ₅ (5 to 5 in thickness) 30 nm) Light transmitting protective layer 14: polycarbonate sheet (thickness 0.05 to 0.15 mm) Crystallization promoting layers 15 and 16: Si-CHO (thickness 1 to 20 nm) First dielectric layer 17: ZnS-SiO ₂ (thickness 30 to 70 nm) second dielectric layer 18: ZnS-SiO ₂ (thickness 5 to 20 nm) were fabricated structure of the optical disc shown in example 14. FIG. The material and thickness used for each layer are as follows.

【００８５】 透明基板１１ ：ポリカーボネイト基板（厚さ１．１ｍｍ） 反射層１２ ：Ａｇ（厚さ１６５ｎｍ） 記録材料層１３ ：Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅（厚さ２０ｎｍ） 光透過保護層１４ ：ポリカーボネイト製シート（厚さ０．１ｍｍ） 結晶化促進層１５、１６ ：Ｓｉ−Ｃ−Ｈ−Ｏ（厚さ４ｎｍ） 第１の誘電体層１７ ：ＺｎＳ−ＳｉＯ₂（厚さ４０ｎｍ） 第２の誘電体層１８ ：ＺｎＳ−ＳｉＯ₂（厚さ１０ｎｍ） このディスクを記録再生した結果（オーバーライト回数
によるジッター値の変化）のプロットを図１１に示す。
なお、測定条件はレーザー波長λ＝４０７ｎｍ、開口数
ＮＡ＝０．８５、チャンネルクロック５０ＭＨｚ、ビッ
ト長０．１３５μｍ／ビット、トラックピッチ０．３３
μｍとし、（１、７）変調を用いるものとした。Transparent substrate 11: polycarbonate substrate (thickness 1.1 mm) Reflective layer 12: Ag (thickness 165 nm) Recording material layer 13: Ge ₂ Sb ₂ Te ₅ (thickness 20 nm) Light transmission protection layer 14: made of polycarbonate Sheet (thickness 0.1 mm) Crystallization promoting layers 15 and 16: Si-CHO (4 nm thick) First dielectric layer 17: ZnS-SiO ₂ (40 nm thick) Second dielectric Layer 18: ZnS-SiO ₂ (thickness 10 nm) FIG. 11 shows a plot of the result of recording / reproducing this disc (change in jitter value due to the number of overwrites).
The measurement conditions were as follows: laser wavelength λ = 407 nm, numerical aperture NA = 0.85, channel clock 50 MHz, bit length 0.135 μm / bit, track pitch 0.33.
μm, and (1, 7) modulation was used.

【００８６】この図１１から明らかなように、ジッター
値、繰り返し耐久性共に良好であることがわかる。As is apparent from FIG. 11, both the jitter value and the repetition durability are good.

【００８７】なお、この例においても各層の膜厚はこれ
に限定されるものではなく、以下の範囲を満たすもので
あればいずれも構わないことが実験的に確かめられた。In this example, the film thickness of each layer is not limited to this, and it has been experimentally confirmed that any film may be used as long as it satisfies the following range.

【００８８】 透明基板１１ ：ポリカーボネイト基板（厚さ１．０〜１．２ｍ ｍ） 反射層１２ ：Ａｇ（厚さ４０〜２００ｎｍ） 記録材料層１３ ：Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅（厚さ５〜３０ｎｍ） 光透過保護層１４ ：ポリカーボネイト製シート （厚さ０．０５〜０．１５ｍｍ） 結晶化促進層１５、１６ ：Ｓｉ−Ｃ−Ｈ−Ｏ（厚さ１〜２０ｎｍ） 第１の誘電体層１７ ：ＺｎＳ−ＳｉＯ₂（厚さ３０〜７０ｎｍ） 第２の誘電体層１８ ：ＺｎＳ−ＳｉＯ₂（厚さ５〜２０ｎｍ）Transparent substrate 11: polycarbonate substrate (1.0 to 1.2 mm in thickness) Reflective layer 12: Ag (40 to 200 nm in thickness) Recording material layer 13: Ge ₂ Sb ₂ Te ₅ ( ₅ to 30 nm in thickness) ) Light transmission protective layer 14: polycarbonate sheet (thickness 0.05 to 0.15 mm) Crystallization promoting layers 15 and 16: Si-CHO (thickness 1 to 20 nm) First dielectric layer 17 : ZnS-SiO ₂ (thickness 30 to 70 nm) second dielectric layer 18: ZnS-SiO ₂ (thickness 5 to 20 nm)

【００８９】[0089]

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、スポットサイズの微小化や記録線速の向上
による高記録密度、高転送レートに対応可能であり、繰
り返し耐久性も良好なダイレクトオーバーライトが実現
可能な光記録媒体を提供することが可能である。As is clear from the above description, according to the present invention, it is possible to cope with a high recording density and a high transfer rate by miniaturizing the spot size and improving the recording linear velocity, and the repetition durability is also improved. It is possible to provide an optical recording medium capable of realizing good direct overwriting.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明を適用した光ディスクにおける記録層部
の膜構成の一例を示す要部概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a main part showing an example of a film configuration of a recording layer portion in an optical disc to which the present invention is applied.

【図２】記録層部の膜構成の他の例を示す要部概略断面
図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a main part showing another example of a film configuration of a recording layer portion.

【図３】記録層部の膜構成のさらに他の例を示す要部概
略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a main part showing still another example of a film configuration of a recording layer part.

【図４】記録層部の膜構成のさらに他の例を示す要部概
略断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a main part showing still another example of the film configuration of the recording layer.

【図５】記録層部の膜構成のさらに他の例を示す要部概
略断面図である。FIG. 5 is a main part schematic cross-sectional view showing still another example of the film configuration of the recording layer portion.

【図６】核生成速度及び結晶成長速度の温度依存性を示
す特性図である。FIG. 6 is a characteristic diagram showing temperature dependence of a nucleation rate and a crystal growth rate.

【図７】実施例において作製した光ディスクの構成を示
す要部概略断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of a main part showing a configuration of an optical disk manufactured in an example.

【図８】実施例１の光ディスクにおけるオーバーライト
回数によるジッター値の変化を示す特性図である。FIG. 8 is a characteristic diagram showing a change in a jitter value according to the number of overwrites in the optical disc of Example 1.

【図９】実施例１の光ディスクにおいて記録線速を変え
たときのジッター値の変化を示す特性図である。FIG. 9 is a characteristic diagram showing a change in a jitter value when the recording linear velocity is changed in the optical disc of Example 1.

【図１０】実施例１３の光ディスクにおけるオーバーラ
イト回数によるジッター値の変化を示す特性図である。FIG. 10 is a characteristic diagram showing a change in a jitter value according to the number of overwrites in the optical disc of Example 13.

【図１１】実施例１４の光ディスクにおけるオーバーラ
イト回数によるジッター値の変化を示す特性図である。FIG. 11 is a characteristic diagram showing a change in a jitter value according to the number of overwrites in the optical disc of Example 14.

【図１２】従来構造の相変化光ディスクにおける線速と
ジッター値の関係を示す特性図である。FIG. 12 is a characteristic diagram showing a relationship between a linear velocity and a jitter value in a phase change optical disk having a conventional structure.

【図１３】線速、開口数ＮＡ及び波長の相違による結晶
化温度保持時間の相違を示す特性図である。FIG. 13 is a characteristic diagram showing differences in crystallization temperature holding time due to differences in linear velocity, numerical aperture NA, and wavelength.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

２，１２ 金属または半金属からなる層（反射層）、
３，１３ 記録材料層、５，６，１５，１６ 結晶化促
進層、７，８，１７，１８ 誘電体層、１１基板、１４
光透過保護層2,12 a layer (reflective layer) made of metal or metalloid,
3, 13 recording material layer, 5, 6, 15, 16 crystallization promoting layer, 7, 8, 17, 18 dielectric layer, 11 substrate, 14
Light transmission protection layer

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 少なくとも相変化材料よりなる記録材料
層を有するとともに、相変化材料の結晶化を促進する結
晶化促進材料が上記記録材料層の少なくとも一方の面に
接してなり、 上記結晶化促進材料は、Ｓｉ−Ｃ−Ｏ，Ｓｉ−Ｃ−Ｈ，
Ｓｉ−Ｃ−Ｈ−Ｏ，Ｓｉ−Ｎ−Ｏ，Ｓｉ−Ｎ−Ｈ，Ｓｉ
−Ｎ−Ｈ−Ｏ，Ｓｉ−Ｃ−Ｎ，Ｓｉ−Ｃ−Ｎ−Ｏ，Ｓｉ
−Ｃ−Ｎ−Ｈ，Ｓｉ−Ｃ−Ｎ−Ｈ−Ｏ，Ｓｉ−Ｏ−Ｈか
ら選ばれた少なくとも１種であることを特徴とする光記
録媒体。1. A crystallization promoting material having at least a recording material layer made of a phase change material, wherein a crystallization promoting material for promoting crystallization of the phase change material is in contact with at least one surface of the recording material layer. The materials are Si-CO, Si-CH,
Si—C—H—O, Si—N—O, Si—N—H, Si
—N—H—O, Si—C—N, Si—C—N—O, Si
An optical recording medium comprising at least one selected from the group consisting of -CNH, Si-CNHO, and Si-OH. 【請求項２】 誘電体層が積層形成されていることを特
徴とする請求項１記載の光記録媒体。2. The optical recording medium according to claim 1, wherein a dielectric layer is formed by lamination. 【請求項３】 上記誘電体層が複数の層よりなることを
特徴とする請求項２記載の光記録媒体。3. The optical recording medium according to claim 2, wherein said dielectric layer comprises a plurality of layers. 【請求項４】 金属又は半金属よりなる層が積層形成さ
れていることを特徴とする請求項１又は２記載の光記録
媒体。4. The optical recording medium according to claim 1, wherein a layer made of a metal or a metalloid is laminated. 【請求項５】 上記金属又は半金属よりなる層が複数の
層よりなることを特徴とする請求項４記載の光記録媒
体。5. The optical recording medium according to claim 4, wherein said metal or metalloid layer comprises a plurality of layers. 【請求項６】 上記記録材料層は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅを
主たる構成成分とする記録材料を含むことを特徴とする
請求項１記載の光記録媒体。6. The optical recording medium according to claim 1, wherein the recording material layer contains a recording material containing Ge-Sb-Te as a main component. 【請求項７】 上記記録材料層は、記録材料としてＧｅ
_xＳｂ_yＴｅ_z （但し、式中のｘ，ｙ，ｚは各元素の原子
比を表し、１７≦ｘ≦２５、１７≦ｙ≦２５、４５≦ｚ
≦６５である。）を含有することを特徴とする請求項６
記載の光記録媒体。7. The recording material layer according to claim 1, wherein the recording material is Ge.
_x Sb _y Te _z (here, x in the formula, y, z represent an atomic ratio of each element, 17 ≦ x ≦ 25,17 ≦ y ≦ 25,45 ≦ z
≦ 65. 7. The method according to claim 6, wherein
The optical recording medium according to the above. 【請求項８】 上記記録材料層は、窒素及び／又は酸素
を含有することを特徴とする請求項１記載の光記録媒
体。8. The optical recording medium according to claim 1, wherein said recording material layer contains nitrogen and / or oxygen. 【請求項９】 基板上に反射層、記録材料層がこの順に
積層形成されるとともに、記録材料層上に厚さ０．３ｍ
ｍ以下の光透過保護層が形成され、上記光透過保護層側
から記録再生光が照射されることを特徴とする請求項１
記載の光記録媒体。9. A reflective layer and a recording material layer are laminated on a substrate in this order, and a thickness of 0.3 m is formed on the recording material layer.
2. A light-transmitting protective layer having a thickness of m or less is formed, and recording / reproducing light is irradiated from the light-transmitting protective layer side.
The optical recording medium according to the above. 【請求項１０】 上記光透過保護層の厚さが３〜１７７
μｍであることを特徴とする請求項９記載の光記録媒
体。10. The light-transmitting protective layer has a thickness of 3 to 177.
10. The optical recording medium according to claim 9, wherein the optical recording medium has a thickness of μm. 【請求項１１】 上記光透過保護層がポリカーボネート
又は紫外線硬化樹脂からなることを特徴とする請求項１
０記載の光記録媒体。11. The light transmission protection layer according to claim 1, wherein the light transmission protection layer is made of polycarbonate or an ultraviolet curable resin.
0. The optical recording medium according to 0. 【請求項１２】 上記基板は、厚さ０．３〜１．３ｍｍ
のポリカーボネート基板であることを特徴とする請求項
９記載の光記録媒体。12. The substrate has a thickness of 0.3 to 1.3 mm.
The optical recording medium according to claim 9, wherein the substrate is a polycarbonate substrate.