JP2000298288A - Liquid crystal display device and manufacture thereof - Google Patents
Liquid crystal display device and manufacture thereofInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレイおよ
び投写型映像表示装置に使用される液晶表示装置および
その製造方法に関するものである。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a liquid crystal display device used for a display and a projection type video display device, and a method of manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、液晶表示装置に光を照射し、拡大
投影した画像をスクリーン上に表示するビデオプロジェ
クションシステムが利用されるようになってきた。2. Description of the Related Art In recent years, a video projection system that irradiates a liquid crystal display device with light and displays an enlarged and projected image on a screen has been used.
【0003】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装
置は、図4に示すように薄膜トランジスタ(以下TFT
という)基板16、対向基板24および両基板間に封入
された液晶層15より構成されている。A conventional active matrix type liquid crystal display device has a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) as shown in FIG.
), A substrate 16, a counter substrate 24, and a liquid crystal layer 15 sealed between the two substrates.
【0004】TFT基板16は石英ガラス基板1、ポリ
シリコン薄膜2、ゲート絶縁膜3、ゲート電極4、第1
層間絶縁膜5、ソース電極6a、ドレイン電極6b、第
2層間絶縁膜7、金属シリサイド層8、第3層間絶縁膜
18、第1のIn2O3・SnO2(以下ITOという)
層11より構成される。ポリシリコン薄膜2、ゲート絶
縁膜3およびゲート電極4により構成されるMOS型ト
ランジスタのスイッチすなわちTFT素子17がマトリ
クス状に配置されており、ソース電極6aは信号線を形
成している。ドレイン電極6bは、第2層間絶縁膜7で
層間分離された金属シリサイド層8に接続されている。
金属シリサイド層8上には感光性アクリル樹脂よりなる
第3層間絶縁膜18が形成され、さらに画素電極である
第1のITO層11が形成されている。第1のITO層
11は、ドレイン電極6bおよび金属シリサイド層8を
介して導通されている。また、第3層間絶縁膜18は、
例えば特開平9−152625号公報に記載されている
ように、可視光に対する透過率が90%以上となるよう
に、紫外線を全面照射してブリーチング工程を施してい
る。The TFT substrate 16 includes a quartz glass substrate 1, a polysilicon thin film 2, a gate insulating film 3, a gate electrode 4, a first
Interlayer insulating film 5, source electrode 6a, drain electrode 6b, second interlayer insulating film 7, metal silicide layer 8, third interlayer insulating film 18, first In 2 O 3 .SnO 2 (hereinafter referred to as ITO)
It is composed of a layer 11. The switches of the MOS transistor, that is, the TFT elements 17, which are constituted by the polysilicon thin film 2, the gate insulating film 3, and the gate electrode 4, are arranged in a matrix, and the source electrode 6a forms a signal line. The drain electrode 6b is connected to a metal silicide layer 8 separated by a second interlayer insulating film 7.
On the metal silicide layer 8, a third interlayer insulating film 18 made of a photosensitive acrylic resin is formed, and further, a first ITO layer 11 serving as a pixel electrode is formed. The first ITO layer 11 is electrically connected via the drain electrode 6b and the metal silicide layer 8. The third interlayer insulating film 18 is
For example, as described in JP-A-9-152625, a bleaching step is performed by irradiating the entire surface with ultraviolet rays so that the transmittance with respect to visible light is 90% or more.
【0005】一方、対向基板24はホウケイ酸ガラス基
板12、遮光ブラックマトリクス13および第2のIT
O層14より構成される。On the other hand, the opposing substrate 24 comprises a borosilicate glass substrate 12, a light-shielding black matrix 13 and a second IT
It is composed of an O layer 14.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、液晶表示装置に照射された可視光の大部
分は遮光ブラックマトリクス13で遮光されるが、一部
の迷光がTFT素子17に照射されてリーク電流を発生
し、信号線の映像情報が画素に蓄積された情報と混ざっ
て縦クロストークが発生するという問題があった。However, in the above-mentioned conventional configuration, most of the visible light irradiated to the liquid crystal display device is shielded by the light-shielding black matrix 13, but a part of the stray light is irradiated to the TFT element 17. As a result, there is a problem that a leak current is generated, and the video information of the signal line is mixed with the information stored in the pixel to cause vertical crosstalk.
【0007】本発明はこれらの問題を解決し、光照射時
の縦クロストークを軽減することができる液晶表示装置
およびその製造方法を提供するものである。The present invention solves these problems and provides a liquid crystal display device capable of reducing vertical crosstalk during light irradiation and a method of manufacturing the same.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、第1の基板と、前記第1の基板の一方の主面に対向
して配置された第2の基板と、前記第1の基板と前記第
2の基板との間を満たす液晶層とを有し、前記第1の基
板は薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ近傍に
設けられた開口部とを有する画素を前記主面に含み、か
つ前記主面上に形成され、前記主面から見て前記開口部
を含む領域とそれ以外の領域との間で可視光に対する透
過率が異なる絶縁層を少なくとも1層含むものである。According to the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising: a first substrate; a second substrate disposed to face one main surface of the first substrate; A liquid crystal layer filling a space between the substrate and the second substrate, wherein the first substrate includes a pixel having a thin film transistor and an opening provided in the vicinity of the thin film transistor on the main surface; At least one insulating layer formed on the main surface and having different transmittance for visible light between a region including the opening and another region as viewed from the main surface is included.
【0009】この構成により、前記開口部を含まない領
域における絶縁層の可視光に対する透過率が減少し、そ
れにより薄膜トランジスタに照射される迷光の量を従来
よりも減少させることができる。According to this structure, the transmittance of the insulating layer to visible light in a region not including the opening is reduced, and the amount of stray light irradiated to the thin film transistor can be reduced as compared with the related art.
【0010】本発明の液晶表示装置の製造方法は、第1
の基板と、前記第1の基板の一方の主面に対向して配置
された第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板
との間を満たす液晶層とを有し、前記第1の基板は薄膜
トランジスタと、前記薄膜トランジスタ近傍に設けられ
た開口部とを有する画素を前記主面に含み、かつ前記主
面上に形成され、前記主面から見て前記開口部を含む領
域とそれ以外の領域との間で可視光に対する透過率が異
なる絶縁層を少なくとも1層含む液晶表示装置の製造方
法であって、前記絶縁層上において前記薄膜トランジス
タを少なくとも含む領域にマスクをかけ、前記マスクか
ら見て前記第1の基板とは反対の方向より紫外線を照射
し、前記絶縁層の紫外線を照射した領域の可視光に対す
る透過率を、紫外線を照射しなかった領域の可視光に対
する透過率よりも大きくする工程を含む方法である。The method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention comprises:
A substrate, a second substrate disposed to face one main surface of the first substrate, and a liquid crystal layer filling a space between the first substrate and the second substrate, The first substrate includes a pixel having a thin film transistor and an opening provided in the vicinity of the thin film transistor on the main surface, and is formed on the main surface and includes the opening when viewed from the main surface. A method for manufacturing a liquid crystal display device including at least one insulating layer having a different transmittance to visible light between the other region and a visible light, wherein a mask is applied to a region including at least the thin film transistor on the insulating layer, Ultraviolet light is irradiated from the direction opposite to the first substrate viewed from the mask, and the transmittance of the insulating layer to the visible light in the region irradiated with the ultraviolet light is expressed by the transmittance of the region not irradiated with the ultraviolet light to the visible light. than The method comprising listening to process.
【0011】この方法により、薄膜トランジスタに照射
される迷光の量を従来よりも減少させることができる液
晶表示装置を製造することができる。According to this method, it is possible to manufacture a liquid crystal display device capable of reducing the amount of stray light irradiated to the thin film transistor as compared with the conventional case.
【0012】また、本発明の液晶表示装置の製造方法
は、紫外線を透光する性質を有する基体を含む第1の基
板と、前記第1の基板の一方の主面に対向して配置され
た第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との
間を満たす液晶層とを有し、前記第1の基板は薄膜トラ
ンジスタと、前記薄膜トランジスタ近傍に設けられた開
口部とを有する画素を前記主面に含み、かつ前記主面上
に形成され、前記主面から見て前記開口部を含む領域と
それ以外の領域との間で可視光に対する透過率が異なる
絶縁層を少なくとも1層含む液晶表示装置の製造方法で
あって、前記第1の基板の、前記主面とは反対側より紫
外線を照射し、前記絶縁層の、前記開口部を含む領域の
可視光に対する透過率を、前記開口部を含まない領域の
可視光に対する透過率よりも大きくする工程を含む方法
である。Further, in the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, a first substrate including a substrate having a property of transmitting ultraviolet light is disposed so as to face one main surface of the first substrate. A second substrate, a liquid crystal layer filling a space between the first substrate and the second substrate, wherein the first substrate has a thin film transistor and an opening provided near the thin film transistor At least one insulating layer that includes a pixel on the main surface and is formed on the main surface and has a different visible light transmittance between a region including the opening and another region when viewed from the main surface. A method for manufacturing a liquid crystal display device including a layer, wherein the first substrate is irradiated with ultraviolet light from a side opposite to the main surface, and the transmittance of the insulating layer to a visible light in a region including the opening is reduced. , Transmission of visible light in a region not including the opening The method comprising the step of greater than.
【0013】この方法により、薄膜トランジスタに照射
される迷光の量を従来よりも減少させることができる液
晶表示装置を製造することができる。According to this method, it is possible to manufacture a liquid crystal display device capable of reducing the amount of stray light irradiated on the thin film transistor as compared with the conventional case.
【0014】[0014]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0015】本発明の、第1の実施の形態における液晶
表示装置は、図1に示すように石英ガラス基板1を基体
とするTFT基板16、TFT基板16の一方の主面
(以下素子面という)に対向する対向基板24および両
基板間に封入された液晶層15より構成されている。As shown in FIG. 1, a liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention has a TFT substrate 16 having a quartz glass substrate 1 as a base, and one main surface of the TFT substrate 16 (hereinafter referred to as an element surface). 2) and a liquid crystal layer 15 sealed between the two substrates.
【0016】TFT基板16は、その素子面上に形成さ
れたTFT素子17および素子面上でTFT素子17が
形成されない領域すなわち画素開口部(不図示)を有
し、TFT素子17および画素開口部上にSiO2より
なる第1層間絶縁膜5、アルミニウムよりなるソース電
極6a、アルミニウムよりなるドレイン電極6b、Si
O2よりなる第2層間絶縁膜7、タングステンシリサイ
ドよりなる金属シリサイド層8、透光性の第3層間絶縁
膜9、不透光性の第3層間絶縁膜10、第1のITO層
11を含んでいる。TFT素子17はポリシリコン薄膜
2、ゲート絶縁膜3およびゲート電極4により構成され
るMOS型トランジスタのスイッチであり、マトリクス
上に配置されている。また、ソース電極6aは信号線を
形成している。ドレイン電極6bは、第2層間絶縁膜7
で層間分離された金属シリサイド層8に接続されてい
る。この金属シリサイド層8は遮光層としても利用さ
れ、液晶のリバースチルトディスクリネーションが発生
する部分にパターニングして不要な光を遮光し、コント
ラストを向上させている。金属シリサイド8上には感光
性アクリル樹脂よりなる、透光性の第3層間絶縁膜9お
よび不透光性の第3層間絶縁膜10が形成されている。
波長400nmの光に対する透過率は、透光性の第3層
間絶縁膜9については97%であり、不透光性の第3層
間絶縁膜10については39%である。他の波長の可視
光に対しても、不透光性の第3層間絶縁膜10の透過率
は透光性の第3層間絶縁膜9のそれよりも小さい。さら
に、透光性の第3層間絶縁膜9および不透光性の第3層
間絶縁膜10の上に画素電極である第1のITO層11
が形成されている。第1のITO層11は、ドレイン電
極6bおよび金属シリサイド層8を介して導通されてい
る。The TFT substrate 16 has a TFT element 17 formed on its element surface and a region where the TFT element 17 is not formed on the element surface, that is, a pixel opening (not shown). A first interlayer insulating film 5 made of SiO 2 , a source electrode 6a made of aluminum, a drain electrode 6b made of aluminum, Si
The second interlayer insulating film 7 made of O 2, the metal silicide layer 8 made of tungsten silicide, the light-transmitting third interlayer insulating film 9, the light-impermeable third interlayer insulating film 10, and the first ITO layer 11 Contains. The TFT element 17 is a switch of a MOS transistor composed of the polysilicon thin film 2, the gate insulating film 3, and the gate electrode 4, and is arranged on a matrix. The source electrode 6a forms a signal line. The drain electrode 6b is formed of the second interlayer insulating film 7
Is connected to the metal silicide layer 8 which is separated between layers. The metal silicide layer 8 is also used as a light-shielding layer, and is used to pattern unnecessary portions of the liquid crystal where reverse tilt disclination occurs, thereby shielding unnecessary light and improving contrast. On the metal silicide 8, a light-transmitting third interlayer insulating film 9 and a light-impermeable third interlayer insulating film 10 made of a photosensitive acrylic resin are formed.
The transmittance for light having a wavelength of 400 nm is 97% for the light-transmitting third interlayer insulating film 9 and 39% for the light-impermeable third interlayer insulating film 10. Even for visible light of other wavelengths, the transmittance of the third interlayer insulating film 10 that is opaque is smaller than that of the third interlayer insulating film 9 that is transparent. Further, a first ITO layer 11 serving as a pixel electrode is formed on the third light-transmitting interlayer insulating film 9 and the third light-transmitting interlayer insulating film 10.
Are formed. The first ITO layer 11 is electrically connected via the drain electrode 6b and the metal silicide layer 8.
【0017】一方、対向基板24はホウケイ酸ガラス基
板12、クロムよりなる遮光ブラックマトリクス13、
第2のITO層14より構成される。On the other hand, the opposing substrate 24 is a borosilicate glass substrate 12, a light-shielding black matrix 13 made of chromium,
It is composed of a second ITO layer 14.
【0018】この構成により、TFT素子17に照射さ
れる迷光の量を従来よりも減少させることができる。With this configuration, the amount of stray light irradiated on the TFT element 17 can be reduced as compared with the conventional case.
【0019】本実施の形態における液晶表示装置および
そのTFT基板16の製造工程を以下に示す。The steps of manufacturing the liquid crystal display device and the TFT substrate 16 of the present embodiment will be described below.
【0020】石英ガラス基板1上にポリシリコン薄膜2
を減圧の気相成長法(以下CVDという)を用いて堆積
した後、600℃、15時間の熱処理によってポリシリ
コンを大粒径化し、SiO2膜、SiN膜およびSiO2
膜(以下ONO膜という)からなるゲート絶縁膜3、ポ
リシリコンからなるゲート電極4を形成する(図2
(a))。その後、プラズマCVDを用いてSiO2を
堆積して第1層間絶縁膜5を形成した後、第1のコンタ
クトホール19を開口し、アルミニウムを用いて真空蒸
着法によりソース電極6aおよびドレイン電極6bを成
膜し、パターニングする。A polysilicon thin film 2 on a quartz glass substrate 1
Is deposited using a reduced pressure vapor phase growth method (hereinafter referred to as CVD), and then the polysilicon is made to have a large grain size by a heat treatment at 600 ° C. for 15 hours to form an SiO 2 film, a SiN film, and a SiO 2 film.
A gate insulating film 3 made of a film (hereinafter referred to as an ONO film) and a gate electrode 4 made of polysilicon are formed (FIG. 2).
(A)). Thereafter, SiO 2 is deposited using plasma CVD to form the first interlayer insulating film 5, a first contact hole 19 is opened, and the source electrode 6 a and the drain electrode 6 b are formed by vacuum deposition using aluminum. Film formation and patterning.
【0021】次にプラズマCVDを用いてSiO2を堆
積して第2層間絶縁膜7を形成した後、ドレイン電極6
bの一部が露出するように第2のコンタクトホール20
を開口し、その上にスパッタ法によりタングステンシリ
サイドを堆積し金属シリサイド層8を成膜、パターニン
グする。さらに、感光性アクリル樹脂層21を塗布し、
第3のコンタクトホール22を開口する(図2
(b))。Next, after depositing SiO 2 using plasma CVD to form a second interlayer insulating film 7, a drain electrode 6 is formed.
b so that a part of the second contact hole 20 is exposed.
And tungsten silicide is deposited thereon by sputtering to form a metal silicide layer 8 and patterning. Further, a photosensitive acrylic resin layer 21 is applied,
Open third contact hole 22 (FIG. 2)
(B)).
【0022】その後画素開口部のみが開口しているマス
ク23を通して紫外線Aを照射してブリーチングを行
う。さらに、220℃の熱処理を加えて第3のコンタク
トホール22のテーパー角度を調整する。この工程によ
って、感光性アクリル樹脂層21は、画素開口部に対応
する部分が透光性の第3層間絶縁膜9、それ以外が不透
光性の第3層間絶縁膜10となる(図2(c))。Thereafter, bleaching is performed by irradiating ultraviolet rays A through a mask 23 having only the pixel openings. Further, the taper angle of the third contact hole 22 is adjusted by applying a heat treatment at 220 ° C. By this step, the photosensitive acrylic resin layer 21 becomes a translucent third interlayer insulating film 9 at a portion corresponding to the pixel opening, and becomes a non-translucent third interlayer insulating film 10 at other portions (FIG. 2). (C)).
【0023】その後第1のITO層11を第3のコンタ
クトホール22に対してスパッタ法により積層した後、
第1のITO層11と金属シリサイド層8との接触部分
を残すようにパターニングし、TFT基板16を作製す
る(図2(d))。After that, the first ITO layer 11 is laminated on the third contact hole 22 by a sputtering method.
The TFT substrate 16 is manufactured by patterning so as to leave a contact portion between the first ITO layer 11 and the metal silicide layer 8 (FIG. 2D).
【0024】対向基板24の製造工程は以下に示す通り
である。真空蒸着法を用いてホウケイ酸ガラス基板12
の表面にクロムよりなる遮光ブラックマトリクス13を
形成し、その後スパッタ法により第2のITO層14を
積層して対向基板24を作製する。The manufacturing process of the counter substrate 24 is as follows. Borosilicate glass substrate 12 using a vacuum deposition method
Then, a light-shielding black matrix 13 made of chromium is formed on the surface of the substrate, and then a second ITO layer 14 is laminated by a sputtering method to produce a counter substrate 24.
【0025】その後、TFT基板16の素子面と、対向
基板24の第2のITO層14が作製されている面とを
向かい合わせ、その間に液晶を封入して液晶層15を形
成し、液晶表示装置を作製する。After that, the element surface of the TFT substrate 16 and the surface of the counter substrate 24 on which the second ITO layer 14 is formed face each other, and liquid crystal is sealed between them to form a liquid crystal layer 15. Make the device.
【0026】この液晶表示装置の製造方法により、TF
T素子17に照射される迷光の量を従来よりも減少させ
ることができる液晶表示装置を得ることができる。According to this method of manufacturing a liquid crystal display device, TF
It is possible to obtain a liquid crystal display device capable of reducing the amount of stray light applied to the T element 17 as compared with the related art.
【0027】本実施の形態における液晶表示装置の縦ク
ロストークの発生率は、従来の液晶表示装置に比べて1
/10であった。これは、第3層間絶縁膜18の全面に
紫外線Aを照射してブリーチングを行っていた従来の工
程の代わりに画素開口部のみに紫外線Aが照射されるよ
うにマスク23を通して露光する工程を用いることによ
り作製された不透光性の第3層間絶縁膜10および透光
性の第3層間絶縁膜9を用いたからであり、それにより
TFT素子17に照射される迷光の量が従来と比べて減
少し、光リーク電流の発生が抑制されるからである。The rate of occurrence of vertical crosstalk of the liquid crystal display device according to the present embodiment is 1 compared with the conventional liquid crystal display device.
/ 10. This is a step of exposing through the mask 23 so that only the pixel openings are irradiated with the ultraviolet light A instead of the conventional process in which the entire surface of the third interlayer insulating film 18 is irradiated with the ultraviolet light and bleaching is performed. This is because the non-light-transmitting third interlayer insulating film 10 and the light-transmitting third interlayer insulating film 9 which are manufactured by using the same are used. This is because the occurrence of light leakage current is suppressed.
【0028】本発明の、第2の実施の形態における液晶
表示装置およびそのTFT基板16の製造工程を以下に
示す。液晶表示装置の構造については第1の実施の形態
におけるものと同様である。TFT基板16の基体とし
て石英ガラス基板1を用いるのは、石英ガラス基板が紫
外線を透光する性質を有するからである。The manufacturing process of the liquid crystal display device and the TFT substrate 16 according to the second embodiment of the present invention will be described below. The structure of the liquid crystal display device is the same as that of the first embodiment. The reason why the quartz glass substrate 1 is used as the base of the TFT substrate 16 is that the quartz glass substrate has a property of transmitting ultraviolet light.
【0029】石英ガラス基板1上にポリシリコン薄膜2
を減圧のCVDを用いて堆積した後、600℃、15時
間の熱処理によってポリシリコンを大粒径化し、ONO
膜からなるゲート絶縁膜3、ポリシリコンからなるゲー
ト電極4を形成する(図3(a))。その後、プラズマ
CVDを用いてSiO2を堆積して第1層間絶縁膜5を
形成した後、第1のコンタクトホール19を開口し、ア
ルミニウムを用いて真空蒸着法によりソース電極6aお
よびドレイン電極6bを成膜し、パターニングする。A polysilicon thin film 2 on a quartz glass substrate 1
Is deposited using reduced pressure CVD, and then polysilicon is increased in particle size by heat treatment at 600 ° C. for 15 hours, so that ONO
A gate insulating film 3 made of a film and a gate electrode 4 made of polysilicon are formed (FIG. 3A). Thereafter, SiO 2 is deposited using plasma CVD to form the first interlayer insulating film 5, a first contact hole 19 is opened, and the source electrode 6 a and the drain electrode 6 b are formed by vacuum deposition using aluminum. Film formation and patterning.
【0030】次にプラズマCVDを用いてSiO2を堆
積して第2層間絶縁膜7を形成した後、ドレイン電極6
bの一部が露出するように第2のコンタクトホール20
を開口し、その上にスパッタ法によりタングステンシリ
サイドを堆積し、金属シリサイド層8を形成し、パター
ニングする。さらに、感光性アクリル樹脂層21を塗布
し、第3のコンタクトホール22を開口する(図3
(b))。Next, after depositing SiO 2 using plasma CVD to form a second interlayer insulating film 7, a drain electrode 6 is formed.
b so that a part of the second contact hole 20 is exposed.
And tungsten silicide is deposited thereon by sputtering to form a metal silicide layer 8 and patterning is performed. Further, a photosensitive acrylic resin layer 21 is applied to open a third contact hole 22 (FIG. 3).
(B)).
【0031】その後石英ガラス基板1のTFT素子17
が作製されていない側の面から紫外線Aを照射してブリ
ーチングを行う。さらに、220℃の熱処理を加えて第
3のコンタクトホール22のテーパー角度を調整する。
この工程によって、感光性アクリル樹脂21は、画素開
口部に対応する部分が透光性の第3層間絶縁膜9、それ
以外が不透光性の第3層間絶縁膜10となる(図3
(c))。この工程において、紫外線Aを照射してブリ
ーチングを行う際にマスク等は不要である。Thereafter, the TFT elements 17 on the quartz glass substrate 1
Bleaching is performed by irradiating ultraviolet rays A from the surface on which is not formed. Further, the taper angle of the third contact hole 22 is adjusted by applying a heat treatment at 220 ° C.
By this step, the photosensitive acrylic resin 21 becomes the third interlayer insulating film 9 that is light-transmitting at the portion corresponding to the pixel opening, and becomes the third interlayer insulating film 10 that is light-impermeable other than that (FIG. 3).
(C)). In this step, a mask or the like is not required when bleaching is performed by irradiating ultraviolet rays A.
【0032】その後画素電極である第1のITO層11
を第3のコンタクトホール22に対してスパッタ法によ
り積層した後、第1のITO層11と金属シリサイド層
8との接触部分を残すようにパターニングし、TFT基
板16を作製する(図3(d))。Thereafter, the first ITO layer 11 serving as a pixel electrode
Is laminated on the third contact hole 22 by a sputtering method, and then patterned so as to leave a contact portion between the first ITO layer 11 and the metal silicide layer 8, thereby producing a TFT substrate 16 (FIG. 3 (d)). )).
【0033】対向基板24の製造工程は以下に示す通り
である。真空蒸着法を用いてホウケイ酸ガラス基板12
の表面にクロムよりなる遮光ブラックマトリクス13を
形成し、その後スパッタ法により第2のITO層14を
積層して対向基板24を作製する。The manufacturing process of the counter substrate 24 is as follows. Borosilicate glass substrate 12 using a vacuum deposition method
Then, a light-shielding black matrix 13 made of chromium is formed on the surface of the substrate, and then a second ITO layer 14 is laminated by a sputtering method to produce a counter substrate 24.
【0034】その後、TFT基板16のTFT素子17
が作製されている側と、対向基板24の第2のITO層
14が作製されている側とを向かい合わせ、その間に液
晶を封入して液晶層15を形成し、液晶表示装置を作製
する。Thereafter, the TFT elements 17 on the TFT substrate 16
The side on which is formed and the side on which the second ITO layer 14 of the counter substrate 24 is formed face each other, and liquid crystal is sealed between them to form a liquid crystal layer 15, thereby manufacturing a liquid crystal display device.
【0035】この液晶表示装置の製造方法により、TF
T素子17に照射される迷光の量を従来よりも減少させ
ることができる液晶表示装置を得ることができる。According to this method of manufacturing a liquid crystal display device, TF
It is possible to obtain a liquid crystal display device capable of reducing the amount of stray light applied to the T element 17 as compared with the related art.
【0036】本実施の形態における液晶表示装置の縦ク
ロストークの発生率は、従来の液晶表示装置に比べて1
/10であった。これは、第3層間絶縁膜18の全面
に、石英ガラス基板1から見てTFT素子17側より紫
外線を照射してブリーチングを行っていた従来の工程の
代わりに、石英ガラス基板1から見てTFT素子17と
は反対側より紫外線Aを照射して露光する工程を用いる
ことにより作製された不透光性の第3層間絶縁膜10お
よび透光性の第3層間絶縁膜9を用いたからであり、そ
れによりTFT素子17に照射される迷光の量が従来と
比べて減少し、光リーク電流の発生が抑制されるからで
ある。The rate of occurrence of vertical crosstalk in the liquid crystal display device according to the present embodiment is 1 compared with the conventional liquid crystal display device.
/ 10. This is because, instead of the conventional process in which the entire surface of the third interlayer insulating film 18 is bleached by irradiating ultraviolet rays from the TFT element 17 side as viewed from the quartz glass substrate 1, the bleaching is performed from the quartz glass substrate 1. This is because an opaque third interlayer insulating film 10 and a light-transmitting third interlayer insulating film 9 produced by using a process of irradiating and irradiating ultraviolet rays A from the side opposite to the TFT element 17 are used. This is because the amount of stray light applied to the TFT element 17 is reduced as compared with the conventional case, and the occurrence of light leakage current is suppressed.
【0037】なお、本実施の形態において、以下に示す
置き換えを行っても同様な効果が得られる。In this embodiment, similar effects can be obtained by performing the following replacement.
【0038】石英ガラス基板9の代わりにサファイア基
板等の、TFT素子17を作製することが可能な基板を
用いてもよい。Instead of the quartz glass substrate 9, a substrate such as a sapphire substrate on which the TFT element 17 can be manufactured may be used.
【0039】ホウケイ酸ガラス基板12の代わりに結晶
化ガラス基板、石英ガラス基板あるいはサファイア基板
等の紫外線を透過するガラス基板あるいは単結晶基板等
を用いてもよい。また、石英ガラス基板9のようにTF
T素子を作製する基板が紫外線を透過する基板である場
合、ホウケイ酸ガラス基板1の代わりに用いる基板とし
て紫外線を透過しないものであってもよい。Instead of the borosilicate glass substrate 12, a glass substrate that transmits ultraviolet rays, such as a crystallized glass substrate, a quartz glass substrate, or a sapphire substrate, or a single crystal substrate may be used. Also, as in the quartz glass substrate 9, TF
When the substrate on which the T element is manufactured is a substrate that transmits ultraviolet light, a substrate that does not transmit ultraviolet light may be used instead of the borosilicate glass substrate 1.
【0040】透光性の第3層間絶縁膜9および不透光性
の第3層間絶縁膜10を構成する材料として、紫外線を
照射してブリーチングを行うことのできる材料であれば
何を用いてもよい。Any material can be used for the light-transmitting third interlayer insulating film 9 and the opaque third interlayer insulating film 10 as long as the material can be bleached by irradiating ultraviolet rays. You may.
【0041】第1層間絶縁膜5および第2層間絶縁膜7
として、可視光を透過する絶縁膜であれば何を用いても
よい。例えばAl2O3等の絶縁性酸化物からなる絶縁膜
を用いてもよいし、Si3N4等の絶縁性窒化物からなる
絶縁膜を用いてもよい。また、第1層間絶縁膜5を構成
する材料と第2層間絶縁膜7を構成する材料とが異なっ
ていてもよい。First interlayer insulating film 5 and second interlayer insulating film 7
Any material may be used as long as the insulating film transmits visible light. For example, an insulating film made of an insulating oxide such as Al 2 O 3 or an insulating film made of an insulating nitride such as Si 3 N 4 may be used. Further, the material forming the first interlayer insulating film 5 and the material forming the second interlayer insulating film 7 may be different.
【0042】層間絶縁膜の層数は、層間絶縁膜の少なく
とも1層において画素の開口部を覆う領域とそれ以外の
領域との間で可視光の透過率が異なっていさえすれば、
何層でもよい。The number of layers of the interlayer insulating film is such that the visible light transmittance is different between at least one layer of the interlayer insulating film in the region covering the opening of the pixel and the other region.
Any number of layers may be used.
【0043】金属シリサイド層8を構成する材料として
モリブデンシリサイド等を用いてもよい。また、金属シ
リサイド層8の代わりにInO2等の導電性金属酸化物
あるいはチタン・シリコン窒化物等の導電性金属シリコ
ン窒化物からなる層を用いてもよい。Molybdenum silicide or the like may be used as a material for forming the metal silicide layer 8. Further, instead of the metal silicide layer 8, a layer made of a conductive metal oxide such as InO 2 or a conductive metal silicon nitride such as titanium silicon nitride may be used.
【0044】[0044]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置およびその製造方法により、TFT素子上と画素開
口部上とでそれぞれ異なる透過率を有する不透光性の第
3層間絶縁膜および透光性の第3層間絶縁膜を作製し、
それによりTFT素子17に照射される迷光の量が従来
と比べて減少することにより、光リーク電流の発生を抑
制でき、縦クロストークを軽減することができる。As described above, according to the liquid crystal display device and the method of manufacturing the same of the present invention, the opaque third interlayer insulating film having different transmittances on the TFT element and the pixel opening, respectively, is provided. Forming a translucent third interlayer insulating film,
As a result, the amount of stray light applied to the TFT element 17 is reduced as compared with the related art, so that the occurrence of light leakage current can be suppressed, and vertical crosstalk can be reduced.
【図1】本発明の第1の実施の形態における液晶表示装
置の構造断面図FIG. 1 is a structural sectional view of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
【図2】同液晶表示装置のTFT基板の製造工程の断面
図FIG. 2 is a sectional view of a manufacturing process of the TFT substrate of the liquid crystal display device.
【図3】本発明の第2の実施の形態における液晶表示装
置のTFT基板の製造工程の断面図FIG. 3 is a sectional view of a manufacturing process of a TFT substrate of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.
【図4】従来の液晶表示装置の構造断面図FIG. 4 is a structural sectional view of a conventional liquid crystal display device.
1 石英ガラス基板 5 第1層間絶縁膜 6a ソース電極 6b ドレイン電極 7 第2層間絶縁膜 8 金属シリサイド層 9 透光性の第3層間絶縁膜 10 不透光性の第3層間絶縁膜 16 薄膜トランジスタ(TFT)基板 18 第3層間絶縁膜 21 感光性アクリル樹脂層 23 マスク 24 対向基板 A 紫外線 Reference Signs List 1 quartz glass substrate 5 first interlayer insulating film 6a source electrode 6b drain electrode 7 second interlayer insulating film 8 metal silicide layer 9 light-transmitting third interlayer insulating film 10 light-transmitting third interlayer insulating film 16 thin film transistor ( TFT) substrate 18 third interlayer insulating film 21 photosensitive acrylic resin layer 23 mask 24 opposing substrate A ultraviolet light
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 29/786 H04N 5/66 102A 5F110 H04N 5/66 102 H01L 29/78 619B (72)発明者 豊田 泰之 大阪府高槻市幸町1番1号 松下電子工業 株式会社内 Fターム(参考) 2H090 HA04 HB03X HD06 JA05 JB02 JB05 JD06 LA04 2H091 FA34Y FA35Y FB07 FB08 FC02 GA07 GA13 LA03 LA16 2H092 JA25 JA36 JB51 JB52 JB56 KA04 KA12 KA18 KB25 MA04 MA05 MA07 MA08 MA37 NA01 PA09 5C058 AA09 AB01 BA35 5C094 AA25 BA03 BA43 CA19 DA13 EA04 EA05 EB02 ED15 GB10 5F110 AA06 BB01 CC01 DD03 DD04 EE09 FF02 FF03 FF10 GG02 GG13 GG47 HL03 HL22 HM18 HM19 NN03 NN05 NN22 NN23 NN24 NN27 NN35 NN36 NN43 NN44 NN45 NN46 NN52 PP10──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI theme coat ゛ (Reference) H01L 29/786 H04N 5/66 102A 5F110 H04N 5/66 102 H01L 29/78 619B (72) Inventor Yasuyuki Toyoda 1-1 Fukumachi, Takatsuki-shi, Osaka Matsushita Electronics Corporation F-term (reference) 2H090 HA04 HB03X HD06 JA05 JB02 JB05 JD06 LA04 2H091 FA34Y FA35Y FB07 FB08 FC02 GA07 GA13 LA03 LA16 2H092 JA25 JA36 JB51 JB52 JB56 KA04 KB MA04 MA05 MA07 MA08 MA37 NA01 PA09 5C058 AA09 AB01 BA35 5C094 AA25 BA03 BA43 CA19 DA13 EA04 EA05 EB02 ED15 GB10 5F110 AA06 BB01 CC01 DD03 DD04 EE09 FF02 FF03 FF10 GG02 GG13 NN23 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN23 NN03 NN46 NN52 PP10
Claims (4)
主面に対向して配置された第2の基板と、前記第1の基
板と前記第2の基板との間を満たす液晶層とを有し、前
記第1の基板は薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジ
スタの近傍に設けられた開口部とを有する画素を前記主
面に含み、かつ前記主面上に形成され、前記主面から見
て前記開口部を含む領域とそれ以外の領域との間で可視
光に対する透過率が異なる絶縁層を少なくとも1層含む
ことを特徴とする液晶表示装置。1. A first substrate, a second substrate disposed to face one main surface of the first substrate, and a space between the first substrate and the second substrate. A liquid crystal layer, the first substrate includes, on the main surface, a pixel having a thin film transistor and an opening provided in the vicinity of the thin film transistor, and is formed on the main surface; A liquid crystal display device comprising at least one insulating layer having different visible light transmittances between a region including the opening and the other region.
を有する基体を含むことを特徴とする請求項1記載の液
晶表示装置。2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the first substrate includes a base having a property of transmitting ultraviolet light.
であって、前記絶縁層上において前記薄膜トランジスタ
を少なくとも含む領域にマスクをかけ、前記マスクから
見て前記第1の基板とは反対の方向より紫外線を照射
し、前記絶縁層の紫外線を照射した領域の可視光に対す
る透過率を、紫外線を照射しなかった領域の可視光に対
する透過率よりも大きくする工程を含むことを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。3. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein a region including at least the thin film transistor is masked on the insulating layer, and the region opposite to the first substrate is viewed from the mask. A liquid crystal, comprising: irradiating ultraviolet rays from a direction, and making the transmittance of the insulating layer to visible light in the region irradiated with ultraviolet light larger than the transmittance to visible light in the region not irradiated with ultraviolet light. A method for manufacturing a display device.
であって、前記第1の基板の、前記主面とは反対側より
紫外線を照射し、前記絶縁層の、前記開口部を含む領域
の可視光に対する透過率を、前記開口部を含まない領域
の可視光に対する透過率よりも大きくする工程を含むこ
とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。4. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 2, wherein the first substrate is irradiated with ultraviolet light from a side opposite to the main surface, and the first substrate includes the opening. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising a step of making the transmittance of a region to visible light larger than the transmittance of a region not including the opening to visible light.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11106275A JP2000298288A (en) | 1999-04-14 | 1999-04-14 | Liquid crystal display device and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009016811A (en) * | 2007-06-07 | 2009-01-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and its manufacturing method |
-
1999
- 1999-04-14 JP JP11106275A patent/JP2000298288A/en active Pending
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