JP2000298288A - Liquid crystal display device and manufacture thereof - Google Patents
Liquid crystal display device and manufacture thereofInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレイおよ
び投写型映像表示装置に使用される液晶表示装置および
その製造方法に関するものである。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a liquid crystal display device used for a display and a projection type video display device, and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、液晶表示装置に光を照射し、拡大
投影した画像をスクリーン上に表示するビデオプロジェ
クションシステムが利用されるようになってきた。2. Description of the Related Art In recent years, a video projection system that irradiates a liquid crystal display device with light and displays an enlarged and projected image on a screen has been used.
【０００３】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装
置は、図４に示すように薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴ
という）基板１６、対向基板２４および両基板間に封入
された液晶層１５より構成されている。A conventional active matrix type liquid crystal display device has a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) as shown in FIG.
), A substrate 16, a counter substrate 24, and a liquid crystal layer 15 sealed between the two substrates.
【０００４】ＴＦＴ基板１６は石英ガラス基板１、ポリ
シリコン薄膜２、ゲート絶縁膜３、ゲート電極４、第１
層間絶縁膜５、ソース電極６ａ、ドレイン電極６ｂ、第
２層間絶縁膜７、金属シリサイド層８、第３層間絶縁膜
１８、第１のＩｎ2Ｏ3・ＳｎＯ2（以下ＩＴＯという）
層１１より構成される。ポリシリコン薄膜２、ゲート絶
縁膜３およびゲート電極４により構成されるＭＯＳ型ト
ランジスタのスイッチすなわちＴＦＴ素子１７がマトリ
クス状に配置されており、ソース電極６ａは信号線を形
成している。ドレイン電極６ｂは、第２層間絶縁膜７で
層間分離された金属シリサイド層８に接続されている。
金属シリサイド層８上には感光性アクリル樹脂よりなる
第３層間絶縁膜１８が形成され、さらに画素電極である
第１のＩＴＯ層１１が形成されている。第１のＩＴＯ層
１１は、ドレイン電極６ｂおよび金属シリサイド層８を
介して導通されている。また、第３層間絶縁膜１８は、
例えば特開平９−１５２６２５号公報に記載されている
ように、可視光に対する透過率が９０％以上となるよう
に、紫外線を全面照射してブリーチング工程を施してい
る。The TFT substrate 16 includes a quartz glass substrate 1, a polysilicon thin film 2, a gate insulating film 3, a gate electrode 4, a first
Interlayer insulating film 5, source electrode 6a, drain electrode 6b, second interlayer insulating film 7, metal silicide layer 8, third interlayer insulating film 18, first In 2 O 3 .SnO 2 (hereinafter referred to as ITO)
It is composed of a layer 11. The switches of the MOS transistor, that is, the TFT elements 17, which are constituted by the polysilicon thin film 2, the gate insulating film 3, and the gate electrode 4, are arranged in a matrix, and the source electrode 6a forms a signal line. The drain electrode 6b is connected to a metal silicide layer 8 separated by a second interlayer insulating film 7.
On the metal silicide layer 8, a third interlayer insulating film 18 made of a photosensitive acrylic resin is formed, and further, a first ITO layer 11 serving as a pixel electrode is formed. The first ITO layer 11 is electrically connected via the drain electrode 6b and the metal silicide layer 8. The third interlayer insulating film 18 is
For example, as described in JP-A-9-152625, a bleaching step is performed by irradiating the entire surface with ultraviolet rays so that the transmittance with respect to visible light is 90% or more.
【０００５】一方、対向基板２４はホウケイ酸ガラス基
板１２、遮光ブラックマトリクス１３および第２のＩＴ
Ｏ層１４より構成される。On the other hand, the opposing substrate 24 comprises a borosilicate glass substrate 12, a light-shielding black matrix 13 and a second IT
It is composed of an O layer 14.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、液晶表示装置に照射された可視光の大部
分は遮光ブラックマトリクス１３で遮光されるが、一部
の迷光がＴＦＴ素子１７に照射されてリーク電流を発生
し、信号線の映像情報が画素に蓄積された情報と混ざっ
て縦クロストークが発生するという問題があった。However, in the above-mentioned conventional configuration, most of the visible light irradiated to the liquid crystal display device is shielded by the light-shielding black matrix 13, but a part of the stray light is irradiated to the TFT element 17. As a result, there is a problem that a leak current is generated, and the video information of the signal line is mixed with the information stored in the pixel to cause vertical crosstalk.
【０００７】本発明はこれらの問題を解決し、光照射時
の縦クロストークを軽減することができる液晶表示装置
およびその製造方法を提供するものである。The present invention solves these problems and provides a liquid crystal display device capable of reducing vertical crosstalk during light irradiation and a method of manufacturing the same.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、第１の基板と、前記第１の基板の一方の主面に対向
して配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第
２の基板との間を満たす液晶層とを有し、前記第１の基
板は薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ近傍に
設けられた開口部とを有する画素を前記主面に含み、か
つ前記主面上に形成され、前記主面から見て前記開口部
を含む領域とそれ以外の領域との間で可視光に対する透
過率が異なる絶縁層を少なくとも１層含むものである。According to the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising: a first substrate; a second substrate disposed to face one main surface of the first substrate; A liquid crystal layer filling a space between the substrate and the second substrate, wherein the first substrate includes a pixel having a thin film transistor and an opening provided in the vicinity of the thin film transistor on the main surface; At least one insulating layer formed on the main surface and having different transmittance for visible light between a region including the opening and another region as viewed from the main surface is included.
【０００９】この構成により、前記開口部を含まない領
域における絶縁層の可視光に対する透過率が減少し、そ
れにより薄膜トランジスタに照射される迷光の量を従来
よりも減少させることができる。According to this structure, the transmittance of the insulating layer to visible light in a region not including the opening is reduced, and the amount of stray light irradiated to the thin film transistor can be reduced as compared with the related art.
【００１０】本発明の液晶表示装置の製造方法は、第１
の基板と、前記第１の基板の一方の主面に対向して配置
された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板
との間を満たす液晶層とを有し、前記第１の基板は薄膜
トランジスタと、前記薄膜トランジスタ近傍に設けられ
た開口部とを有する画素を前記主面に含み、かつ前記主
面上に形成され、前記主面から見て前記開口部を含む領
域とそれ以外の領域との間で可視光に対する透過率が異
なる絶縁層を少なくとも１層含む液晶表示装置の製造方
法であって、前記絶縁層上において前記薄膜トランジス
タを少なくとも含む領域にマスクをかけ、前記マスクか
ら見て前記第１の基板とは反対の方向より紫外線を照射
し、前記絶縁層の紫外線を照射した領域の可視光に対す
る透過率を、紫外線を照射しなかった領域の可視光に対
する透過率よりも大きくする工程を含む方法である。The method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention comprises:
A substrate, a second substrate disposed to face one main surface of the first substrate, and a liquid crystal layer filling a space between the first substrate and the second substrate, The first substrate includes a pixel having a thin film transistor and an opening provided in the vicinity of the thin film transistor on the main surface, and is formed on the main surface and includes the opening when viewed from the main surface. A method for manufacturing a liquid crystal display device including at least one insulating layer having a different transmittance to visible light between the other region and a visible light, wherein a mask is applied to a region including at least the thin film transistor on the insulating layer, Ultraviolet light is irradiated from the direction opposite to the first substrate viewed from the mask, and the transmittance of the insulating layer to the visible light in the region irradiated with the ultraviolet light is expressed by the transmittance of the region not irradiated with the ultraviolet light to the visible light. than The method comprising listening to process.
【００１１】この方法により、薄膜トランジスタに照射
される迷光の量を従来よりも減少させることができる液
晶表示装置を製造することができる。According to this method, it is possible to manufacture a liquid crystal display device capable of reducing the amount of stray light irradiated to the thin film transistor as compared with the conventional case.
【００１２】また、本発明の液晶表示装置の製造方法
は、紫外線を透光する性質を有する基体を含む第１の基
板と、前記第１の基板の一方の主面に対向して配置され
た第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との
間を満たす液晶層とを有し、前記第１の基板は薄膜トラ
ンジスタと、前記薄膜トランジスタ近傍に設けられた開
口部とを有する画素を前記主面に含み、かつ前記主面上
に形成され、前記主面から見て前記開口部を含む領域と
それ以外の領域との間で可視光に対する透過率が異なる
絶縁層を少なくとも１層含む液晶表示装置の製造方法で
あって、前記第１の基板の、前記主面とは反対側より紫
外線を照射し、前記絶縁層の、前記開口部を含む領域の
可視光に対する透過率を、前記開口部を含まない領域の
可視光に対する透過率よりも大きくする工程を含む方法
である。Further, in the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, a first substrate including a substrate having a property of transmitting ultraviolet light is disposed so as to face one main surface of the first substrate. A second substrate, a liquid crystal layer filling a space between the first substrate and the second substrate, wherein the first substrate has a thin film transistor and an opening provided near the thin film transistor At least one insulating layer that includes a pixel on the main surface and is formed on the main surface and has a different visible light transmittance between a region including the opening and another region when viewed from the main surface. A method for manufacturing a liquid crystal display device including a layer, wherein the first substrate is irradiated with ultraviolet light from a side opposite to the main surface, and the transmittance of the insulating layer to a visible light in a region including the opening is reduced. , Transmission of visible light in a region not including the opening The method comprising the step of greater than.
【００１３】この方法により、薄膜トランジスタに照射
される迷光の量を従来よりも減少させることができる液
晶表示装置を製造することができる。According to this method, it is possible to manufacture a liquid crystal display device capable of reducing the amount of stray light irradiated on the thin film transistor as compared with the conventional case.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１５】本発明の、第１の実施の形態における液晶
表示装置は、図１に示すように石英ガラス基板１を基体
とするＴＦＴ基板１６、ＴＦＴ基板１６の一方の主面
（以下素子面という）に対向する対向基板２４および両
基板間に封入された液晶層１５より構成されている。As shown in FIG. 1, a liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention has a TFT substrate 16 having a quartz glass substrate 1 as a base, and one main surface of the TFT substrate 16 (hereinafter referred to as an element surface). 2) and a liquid crystal layer 15 sealed between the two substrates.
【００１６】ＴＦＴ基板１６は、その素子面上に形成さ
れたＴＦＴ素子１７および素子面上でＴＦＴ素子１７が
形成されない領域すなわち画素開口部（不図示）を有
し、ＴＦＴ素子１７および画素開口部上にＳｉＯ2より
なる第１層間絶縁膜５、アルミニウムよりなるソース電
極６ａ、アルミニウムよりなるドレイン電極６ｂ、Ｓｉ
Ｏ2よりなる第２層間絶縁膜７、タングステンシリサイ
ドよりなる金属シリサイド層８、透光性の第３層間絶縁
膜９、不透光性の第３層間絶縁膜１０、第１のＩＴＯ層
１１を含んでいる。ＴＦＴ素子１７はポリシリコン薄膜
２、ゲート絶縁膜３およびゲート電極４により構成され
るＭＯＳ型トランジスタのスイッチであり、マトリクス
上に配置されている。また、ソース電極６ａは信号線を
形成している。ドレイン電極６ｂは、第２層間絶縁膜７
で層間分離された金属シリサイド層８に接続されてい
る。この金属シリサイド層８は遮光層としても利用さ
れ、液晶のリバースチルトディスクリネーションが発生
する部分にパターニングして不要な光を遮光し、コント
ラストを向上させている。金属シリサイド８上には感光
性アクリル樹脂よりなる、透光性の第３層間絶縁膜９お
よび不透光性の第３層間絶縁膜１０が形成されている。
波長４００ｎｍの光に対する透過率は、透光性の第３層
間絶縁膜９については９７％であり、不透光性の第３層
間絶縁膜１０については３９％である。他の波長の可視
光に対しても、不透光性の第３層間絶縁膜１０の透過率
は透光性の第３層間絶縁膜９のそれよりも小さい。さら
に、透光性の第３層間絶縁膜９および不透光性の第３層
間絶縁膜１０の上に画素電極である第１のＩＴＯ層１１
が形成されている。第１のＩＴＯ層１１は、ドレイン電
極６ｂおよび金属シリサイド層８を介して導通されてい
る。The TFT substrate 16 has a TFT element 17 formed on its element surface and a region where the TFT element 17 is not formed on the element surface, that is, a pixel opening (not shown). A first interlayer insulating film 5 made of SiO 2 , a source electrode 6a made of aluminum, a drain electrode 6b made of aluminum, Si
The second interlayer insulating film 7 made of O 2, the metal silicide layer 8 made of tungsten silicide, the light-transmitting third interlayer insulating film 9, the light-impermeable third interlayer insulating film 10, and the first ITO layer 11 Contains. The TFT element 17 is a switch of a MOS transistor composed of the polysilicon thin film 2, the gate insulating film 3, and the gate electrode 4, and is arranged on a matrix. The source electrode 6a forms a signal line. The drain electrode 6b is formed of the second interlayer insulating film 7
Is connected to the metal silicide layer 8 which is separated between layers. The metal silicide layer 8 is also used as a light-shielding layer, and is used to pattern unnecessary portions of the liquid crystal where reverse tilt disclination occurs, thereby shielding unnecessary light and improving contrast. On the metal silicide 8, a light-transmitting third interlayer insulating film 9 and a light-impermeable third interlayer insulating film 10 made of a photosensitive acrylic resin are formed.
The transmittance for light having a wavelength of 400 nm is 97% for the light-transmitting third interlayer insulating film 9 and 39% for the light-impermeable third interlayer insulating film 10. Even for visible light of other wavelengths, the transmittance of the third interlayer insulating film 10 that is opaque is smaller than that of the third interlayer insulating film 9 that is transparent. Further, a first ITO layer 11 serving as a pixel electrode is formed on the third light-transmitting interlayer insulating film 9 and the third light-transmitting interlayer insulating film 10.
Are formed. The first ITO layer 11 is electrically connected via the drain electrode 6b and the metal silicide layer 8.
【００１７】一方、対向基板２４はホウケイ酸ガラス基
板１２、クロムよりなる遮光ブラックマトリクス１３、
第２のＩＴＯ層１４より構成される。On the other hand, the opposing substrate 24 is a borosilicate glass substrate 12, a light-shielding black matrix 13 made of chromium,
It is composed of a second ITO layer 14.
【００１８】この構成により、ＴＦＴ素子１７に照射さ
れる迷光の量を従来よりも減少させることができる。With this configuration, the amount of stray light irradiated on the TFT element 17 can be reduced as compared with the conventional case.
【００１９】本実施の形態における液晶表示装置および
そのＴＦＴ基板１６の製造工程を以下に示す。The steps of manufacturing the liquid crystal display device and the TFT substrate 16 of the present embodiment will be described below.
【００２０】石英ガラス基板１上にポリシリコン薄膜２
を減圧の気相成長法（以下ＣＶＤという）を用いて堆積
した後、６００℃、１５時間の熱処理によってポリシリ
コンを大粒径化し、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜およびＳｉＯ2
膜（以下ＯＮＯ膜という）からなるゲート絶縁膜３、ポ
リシリコンからなるゲート電極４を形成する（図２
（ａ））。その後、プラズマＣＶＤを用いてＳｉＯ2を
堆積して第１層間絶縁膜５を形成した後、第１のコンタ
クトホール１９を開口し、アルミニウムを用いて真空蒸
着法によりソース電極６ａおよびドレイン電極６ｂを成
膜し、パターニングする。A polysilicon thin film 2 on a quartz glass substrate 1
Is deposited using a reduced pressure vapor phase growth method (hereinafter referred to as CVD), and then the polysilicon is made to have a large grain size by a heat treatment at 600 ° C. for 15 hours to form an SiO 2 film, a SiN film, and a SiO 2 film.
A gate insulating film 3 made of a film (hereinafter referred to as an ONO film) and a gate electrode 4 made of polysilicon are formed (FIG. 2).
(A)). Thereafter, SiO 2 is deposited using plasma CVD to form the first interlayer insulating film 5, a first contact hole 19 is opened, and the source electrode 6 a and the drain electrode 6 b are formed by vacuum deposition using aluminum. Film formation and patterning.
【００２１】次にプラズマＣＶＤを用いてＳｉＯ2を堆
積して第２層間絶縁膜７を形成した後、ドレイン電極６
ｂの一部が露出するように第２のコンタクトホール２０
を開口し、その上にスパッタ法によりタングステンシリ
サイドを堆積し金属シリサイド層８を成膜、パターニン
グする。さらに、感光性アクリル樹脂層２１を塗布し、
第３のコンタクトホール２２を開口する（図２
（ｂ））。Next, after depositing SiO 2 using plasma CVD to form a second interlayer insulating film 7, a drain electrode 6 is formed.
b so that a part of the second contact hole 20 is exposed.
And tungsten silicide is deposited thereon by sputtering to form a metal silicide layer 8 and patterning. Further, a photosensitive acrylic resin layer 21 is applied,
Open third contact hole 22 (FIG. 2)
(B)).
【００２２】その後画素開口部のみが開口しているマス
ク２３を通して紫外線Ａを照射してブリーチングを行
う。さらに、２２０℃の熱処理を加えて第３のコンタク
トホール２２のテーパー角度を調整する。この工程によ
って、感光性アクリル樹脂層２１は、画素開口部に対応
する部分が透光性の第３層間絶縁膜９、それ以外が不透
光性の第３層間絶縁膜１０となる（図２（ｃ））。Thereafter, bleaching is performed by irradiating ultraviolet rays A through a mask 23 having only the pixel openings. Further, the taper angle of the third contact hole 22 is adjusted by applying a heat treatment at 220 ° C. By this step, the photosensitive acrylic resin layer 21 becomes a translucent third interlayer insulating film 9 at a portion corresponding to the pixel opening, and becomes a non-translucent third interlayer insulating film 10 at other portions (FIG. 2). (C)).
【００２３】その後第１のＩＴＯ層１１を第３のコンタ
クトホール２２に対してスパッタ法により積層した後、
第１のＩＴＯ層１１と金属シリサイド層８との接触部分
を残すようにパターニングし、ＴＦＴ基板１６を作製す
る（図２（ｄ））。After that, the first ITO layer 11 is laminated on the third contact hole 22 by a sputtering method.
The TFT substrate 16 is manufactured by patterning so as to leave a contact portion between the first ITO layer 11 and the metal silicide layer 8 (FIG. 2D).
【００２４】対向基板２４の製造工程は以下に示す通り
である。真空蒸着法を用いてホウケイ酸ガラス基板１２
の表面にクロムよりなる遮光ブラックマトリクス１３を
形成し、その後スパッタ法により第２のＩＴＯ層１４を
積層して対向基板２４を作製する。The manufacturing process of the counter substrate 24 is as follows. Borosilicate glass substrate 12 using a vacuum deposition method
Then, a light-shielding black matrix 13 made of chromium is formed on the surface of the substrate, and then a second ITO layer 14 is laminated by a sputtering method to produce a counter substrate 24.
【００２５】その後、ＴＦＴ基板１６の素子面と、対向
基板２４の第２のＩＴＯ層１４が作製されている面とを
向かい合わせ、その間に液晶を封入して液晶層１５を形
成し、液晶表示装置を作製する。After that, the element surface of the TFT substrate 16 and the surface of the counter substrate 24 on which the second ITO layer 14 is formed face each other, and liquid crystal is sealed between them to form a liquid crystal layer 15. Make the device.
【００２６】この液晶表示装置の製造方法により、ＴＦ
Ｔ素子１７に照射される迷光の量を従来よりも減少させ
ることができる液晶表示装置を得ることができる。According to this method of manufacturing a liquid crystal display device, TF
It is possible to obtain a liquid crystal display device capable of reducing the amount of stray light applied to the T element 17 as compared with the related art.
【００２７】本実施の形態における液晶表示装置の縦ク
ロストークの発生率は、従来の液晶表示装置に比べて１
／１０であった。これは、第３層間絶縁膜１８の全面に
紫外線Ａを照射してブリーチングを行っていた従来の工
程の代わりに画素開口部のみに紫外線Ａが照射されるよ
うにマスク２３を通して露光する工程を用いることによ
り作製された不透光性の第３層間絶縁膜１０および透光
性の第３層間絶縁膜９を用いたからであり、それにより
ＴＦＴ素子１７に照射される迷光の量が従来と比べて減
少し、光リーク電流の発生が抑制されるからである。The rate of occurrence of vertical crosstalk of the liquid crystal display device according to the present embodiment is 1 compared with the conventional liquid crystal display device.
/ 10. This is a step of exposing through the mask 23 so that only the pixel openings are irradiated with the ultraviolet light A instead of the conventional process in which the entire surface of the third interlayer insulating film 18 is irradiated with the ultraviolet light and bleaching is performed. This is because the non-light-transmitting third interlayer insulating film 10 and the light-transmitting third interlayer insulating film 9 which are manufactured by using the same are used. This is because the occurrence of light leakage current is suppressed.
【００２８】本発明の、第２の実施の形態における液晶
表示装置およびそのＴＦＴ基板１６の製造工程を以下に
示す。液晶表示装置の構造については第１の実施の形態
におけるものと同様である。ＴＦＴ基板１６の基体とし
て石英ガラス基板１を用いるのは、石英ガラス基板が紫
外線を透光する性質を有するからである。The manufacturing process of the liquid crystal display device and the TFT substrate 16 according to the second embodiment of the present invention will be described below. The structure of the liquid crystal display device is the same as that of the first embodiment. The reason why the quartz glass substrate 1 is used as the base of the TFT substrate 16 is that the quartz glass substrate has a property of transmitting ultraviolet light.
【００２９】石英ガラス基板１上にポリシリコン薄膜２
を減圧のＣＶＤを用いて堆積した後、６００℃、１５時
間の熱処理によってポリシリコンを大粒径化し、ＯＮＯ
膜からなるゲート絶縁膜３、ポリシリコンからなるゲー
ト電極４を形成する（図３（ａ））。その後、プラズマ
ＣＶＤを用いてＳｉＯ2を堆積して第１層間絶縁膜５を
形成した後、第１のコンタクトホール１９を開口し、ア
ルミニウムを用いて真空蒸着法によりソース電極６ａお
よびドレイン電極６ｂを成膜し、パターニングする。A polysilicon thin film 2 on a quartz glass substrate 1
Is deposited using reduced pressure CVD, and then polysilicon is increased in particle size by heat treatment at 600 ° C. for 15 hours, so that ONO
A gate insulating film 3 made of a film and a gate electrode 4 made of polysilicon are formed (FIG. 3A). Thereafter, SiO 2 is deposited using plasma CVD to form the first interlayer insulating film 5, a first contact hole 19 is opened, and the source electrode 6 a and the drain electrode 6 b are formed by vacuum deposition using aluminum. Film formation and patterning.
【００３０】次にプラズマＣＶＤを用いてＳｉＯ2を堆
積して第２層間絶縁膜７を形成した後、ドレイン電極６
ｂの一部が露出するように第２のコンタクトホール２０
を開口し、その上にスパッタ法によりタングステンシリ
サイドを堆積し、金属シリサイド層８を形成し、パター
ニングする。さらに、感光性アクリル樹脂層２１を塗布
し、第３のコンタクトホール２２を開口する（図３
（ｂ））。Next, after depositing SiO 2 using plasma CVD to form a second interlayer insulating film 7, a drain electrode 6 is formed.
b so that a part of the second contact hole 20 is exposed.
And tungsten silicide is deposited thereon by sputtering to form a metal silicide layer 8 and patterning is performed. Further, a photosensitive acrylic resin layer 21 is applied to open a third contact hole 22 (FIG. 3).
(B)).
【００３１】その後石英ガラス基板１のＴＦＴ素子１７
が作製されていない側の面から紫外線Ａを照射してブリ
ーチングを行う。さらに、２２０℃の熱処理を加えて第
３のコンタクトホール２２のテーパー角度を調整する。
この工程によって、感光性アクリル樹脂２１は、画素開
口部に対応する部分が透光性の第３層間絶縁膜９、それ
以外が不透光性の第３層間絶縁膜１０となる（図３
（ｃ））。この工程において、紫外線Ａを照射してブリ
ーチングを行う際にマスク等は不要である。Thereafter, the TFT elements 17 on the quartz glass substrate 1
Bleaching is performed by irradiating ultraviolet rays A from the surface on which is not formed. Further, the taper angle of the third contact hole 22 is adjusted by applying a heat treatment at 220 ° C.
By this step, the photosensitive acrylic resin 21 becomes the third interlayer insulating film 9 that is light-transmitting at the portion corresponding to the pixel opening, and becomes the third interlayer insulating film 10 that is light-impermeable other than that (FIG. 3).
(C)). In this step, a mask or the like is not required when bleaching is performed by irradiating ultraviolet rays A.
【００３２】その後画素電極である第１のＩＴＯ層１１
を第３のコンタクトホール２２に対してスパッタ法によ
り積層した後、第１のＩＴＯ層１１と金属シリサイド層
８との接触部分を残すようにパターニングし、ＴＦＴ基
板１６を作製する（図３（ｄ））。Thereafter, the first ITO layer 11 serving as a pixel electrode
Is laminated on the third contact hole 22 by a sputtering method, and then patterned so as to leave a contact portion between the first ITO layer 11 and the metal silicide layer 8, thereby producing a TFT substrate 16 (FIG. 3 (d)). )).
【００３３】対向基板２４の製造工程は以下に示す通り
である。真空蒸着法を用いてホウケイ酸ガラス基板１２
の表面にクロムよりなる遮光ブラックマトリクス１３を
形成し、その後スパッタ法により第２のＩＴＯ層１４を
積層して対向基板２４を作製する。The manufacturing process of the counter substrate 24 is as follows. Borosilicate glass substrate 12 using a vacuum deposition method
Then, a light-shielding black matrix 13 made of chromium is formed on the surface of the substrate, and then a second ITO layer 14 is laminated by a sputtering method to produce a counter substrate 24.
【００３４】その後、ＴＦＴ基板１６のＴＦＴ素子１７
が作製されている側と、対向基板２４の第２のＩＴＯ層
１４が作製されている側とを向かい合わせ、その間に液
晶を封入して液晶層１５を形成し、液晶表示装置を作製
する。Thereafter, the TFT elements 17 on the TFT substrate 16
The side on which is formed and the side on which the second ITO layer 14 of the counter substrate 24 is formed face each other, and liquid crystal is sealed between them to form a liquid crystal layer 15, thereby manufacturing a liquid crystal display device.
【００３５】この液晶表示装置の製造方法により、ＴＦ
Ｔ素子１７に照射される迷光の量を従来よりも減少させ
ることができる液晶表示装置を得ることができる。According to this method of manufacturing a liquid crystal display device, TF
It is possible to obtain a liquid crystal display device capable of reducing the amount of stray light applied to the T element 17 as compared with the related art.
【００３６】本実施の形態における液晶表示装置の縦ク
ロストークの発生率は、従来の液晶表示装置に比べて１
／１０であった。これは、第３層間絶縁膜１８の全面
に、石英ガラス基板１から見てＴＦＴ素子１７側より紫
外線を照射してブリーチングを行っていた従来の工程の
代わりに、石英ガラス基板１から見てＴＦＴ素子１７と
は反対側より紫外線Ａを照射して露光する工程を用いる
ことにより作製された不透光性の第３層間絶縁膜１０お
よび透光性の第３層間絶縁膜９を用いたからであり、そ
れによりＴＦＴ素子１７に照射される迷光の量が従来と
比べて減少し、光リーク電流の発生が抑制されるからで
ある。The rate of occurrence of vertical crosstalk in the liquid crystal display device according to the present embodiment is 1 compared with the conventional liquid crystal display device.
/ 10. This is because, instead of the conventional process in which the entire surface of the third interlayer insulating film 18 is bleached by irradiating ultraviolet rays from the TFT element 17 side as viewed from the quartz glass substrate 1, the bleaching is performed from the quartz glass substrate 1. This is because an opaque third interlayer insulating film 10 and a light-transmitting third interlayer insulating film 9 produced by using a process of irradiating and irradiating ultraviolet rays A from the side opposite to the TFT element 17 are used. This is because the amount of stray light applied to the TFT element 17 is reduced as compared with the conventional case, and the occurrence of light leakage current is suppressed.
【００３７】なお、本実施の形態において、以下に示す
置き換えを行っても同様な効果が得られる。In this embodiment, similar effects can be obtained by performing the following replacement.
【００３８】石英ガラス基板９の代わりにサファイア基
板等の、ＴＦＴ素子１７を作製することが可能な基板を
用いてもよい。Instead of the quartz glass substrate 9, a substrate such as a sapphire substrate on which the TFT element 17 can be manufactured may be used.
【００３９】ホウケイ酸ガラス基板１２の代わりに結晶
化ガラス基板、石英ガラス基板あるいはサファイア基板
等の紫外線を透過するガラス基板あるいは単結晶基板等
を用いてもよい。また、石英ガラス基板９のようにＴＦ
Ｔ素子を作製する基板が紫外線を透過する基板である場
合、ホウケイ酸ガラス基板１の代わりに用いる基板とし
て紫外線を透過しないものであってもよい。Instead of the borosilicate glass substrate 12, a glass substrate that transmits ultraviolet rays, such as a crystallized glass substrate, a quartz glass substrate, or a sapphire substrate, or a single crystal substrate may be used. Also, as in the quartz glass substrate 9, TF
When the substrate on which the T element is manufactured is a substrate that transmits ultraviolet light, a substrate that does not transmit ultraviolet light may be used instead of the borosilicate glass substrate 1.
【００４０】透光性の第３層間絶縁膜９および不透光性
の第３層間絶縁膜１０を構成する材料として、紫外線を
照射してブリーチングを行うことのできる材料であれば
何を用いてもよい。Any material can be used for the light-transmitting third interlayer insulating film 9 and the opaque third interlayer insulating film 10 as long as the material can be bleached by irradiating ultraviolet rays. You may.
【００４１】第１層間絶縁膜５および第２層間絶縁膜７
として、可視光を透過する絶縁膜であれば何を用いても
よい。例えばＡｌ2Ｏ3等の絶縁性酸化物からなる絶縁膜
を用いてもよいし、Ｓｉ3Ｎ4等の絶縁性窒化物からなる
絶縁膜を用いてもよい。また、第１層間絶縁膜５を構成
する材料と第２層間絶縁膜７を構成する材料とが異なっ
ていてもよい。First interlayer insulating film 5 and second interlayer insulating film 7
Any material may be used as long as the insulating film transmits visible light. For example, an insulating film made of an insulating oxide such as Al 2 O 3 or an insulating film made of an insulating nitride such as Si 3 N 4 may be used. Further, the material forming the first interlayer insulating film 5 and the material forming the second interlayer insulating film 7 may be different.
【００４２】層間絶縁膜の層数は、層間絶縁膜の少なく
とも１層において画素の開口部を覆う領域とそれ以外の
領域との間で可視光の透過率が異なっていさえすれば、
何層でもよい。The number of layers of the interlayer insulating film is such that the visible light transmittance is different between at least one layer of the interlayer insulating film in the region covering the opening of the pixel and the other region.
Any number of layers may be used.
【００４３】金属シリサイド層８を構成する材料として
モリブデンシリサイド等を用いてもよい。また、金属シ
リサイド層８の代わりにＩｎＯ2等の導電性金属酸化物
あるいはチタン・シリコン窒化物等の導電性金属シリコ
ン窒化物からなる層を用いてもよい。Molybdenum silicide or the like may be used as a material for forming the metal silicide layer 8. Further, instead of the metal silicide layer 8, a layer made of a conductive metal oxide such as InO 2 or a conductive metal silicon nitride such as titanium silicon nitride may be used.
【００４４】[0044]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置およびその製造方法により、ＴＦＴ素子上と画素開
口部上とでそれぞれ異なる透過率を有する不透光性の第
３層間絶縁膜および透光性の第３層間絶縁膜を作製し、
それによりＴＦＴ素子１７に照射される迷光の量が従来
と比べて減少することにより、光リーク電流の発生を抑
制でき、縦クロストークを軽減することができる。As described above, according to the liquid crystal display device and the method of manufacturing the same of the present invention, the opaque third interlayer insulating film having different transmittances on the TFT element and the pixel opening, respectively, is provided. Forming a translucent third interlayer insulating film,
As a result, the amount of stray light applied to the TFT element 17 is reduced as compared with the related art, so that the occurrence of light leakage current can be suppressed, and vertical crosstalk can be reduced.
【図１】本発明の第１の実施の形態における液晶表示装
置の構造断面図FIG. 1 is a structural sectional view of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】同液晶表示装置のＴＦＴ基板の製造工程の断面
図FIG. 2 is a sectional view of a manufacturing process of the TFT substrate of the liquid crystal display device.
【図３】本発明の第２の実施の形態における液晶表示装
置のＴＦＴ基板の製造工程の断面図FIG. 3 is a sectional view of a manufacturing process of a TFT substrate of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.
【図４】従来の液晶表示装置の構造断面図FIG. 4 is a structural sectional view of a conventional liquid crystal display device.
１ 石英ガラス基板 ５ 第１層間絶縁膜 ６ａ ソース電極 ６ｂ ドレイン電極 ７ 第２層間絶縁膜 ８ 金属シリサイド層 ９ 透光性の第３層間絶縁膜 １０ 不透光性の第３層間絶縁膜 １６ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板 １８ 第３層間絶縁膜 ２１ 感光性アクリル樹脂層 ２３ マスク ２４ 対向基板 Ａ 紫外線 Reference Signs List 1 quartz glass substrate 5 first interlayer insulating film 6a source electrode 6b drain electrode 7 second interlayer insulating film 8 metal silicide layer 9 light-transmitting third interlayer insulating film 10 light-transmitting third interlayer insulating film 16 thin film transistor ( TFT) substrate 18 third interlayer insulating film 21 photosensitive acrylic resin layer 23 mask 24 opposing substrate A ultraviolet light
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０４Ｎ 5/66 １０２Ａ ５Ｆ１１０ Ｈ０４Ｎ 5/66 １０２ Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１９Ｂ (72)発明者 豊田 泰之 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 HA04 HB03X HD06 JA05 JB02 JB05 JD06 LA04 2H091 FA34Y FA35Y FB07 FB08 FC02 GA07 GA13 LA03 LA16 2H092 JA25 JA36 JB51 JB52 JB56 KA04 KA12 KA18 KB25 MA04 MA05 MA07 MA08 MA37 NA01 PA09 5C058 AA09 AB01 BA35 5C094 AA25 BA03 BA43 CA19 DA13 EA04 EA05 EB02 ED15 GB10 5F110 AA06 BB01 CC01 DD03 DD04 EE09 FF02 FF03 FF10 GG02 GG13 GG47 HL03 HL22 HM18 HM19 NN03 NN05 NN22 NN23 NN24 NN27 NN35 NN36 NN43 NN44 NN45 NN46 NN52 PP10──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI theme coat ゛ (Reference) H01L 29/786 H04N 5/66 102A 5F110 H04N 5/66 102 H01L 29/78 619B (72) Inventor Yasuyuki Toyoda 1-1 Fukumachi, Takatsuki-shi, Osaka Matsushita Electronics Corporation F-term (reference) 2H090 HA04 HB03X HD06 JA05 JB02 JB05 JD06 LA04 2H091 FA34Y FA35Y FB07 FB08 FC02 GA07 GA13 LA03 LA16 2H092 JA25 JA36 JB51 JB52 JB56 KA04 KB MA04 MA05 MA07 MA08 MA37 NA01 PA09 5C058 AA09 AB01 BA35 5C094 AA25 BA03 BA43 CA19 DA13 EA04 EA05 EB02 ED15 GB10 5F110 AA06 BB01 CC01 DD03 DD04 EE09 FF02 FF03 FF10 GG02 GG13 NN23 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN03 NN23 NN03 NN46 NN52 PP10
Claims (4)
主面に対向して配置された第２の基板と、前記第１の基
板と前記第２の基板との間を満たす液晶層とを有し、前
記第１の基板は薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジ
スタの近傍に設けられた開口部とを有する画素を前記主
面に含み、かつ前記主面上に形成され、前記主面から見
て前記開口部を含む領域とそれ以外の領域との間で可視
光に対する透過率が異なる絶縁層を少なくとも１層含む
ことを特徴とする液晶表示装置。1. A first substrate, a second substrate disposed to face one main surface of the first substrate, and a space between the first substrate and the second substrate. A liquid crystal layer, the first substrate includes, on the main surface, a pixel having a thin film transistor and an opening provided in the vicinity of the thin film transistor, and is formed on the main surface; A liquid crystal display device comprising at least one insulating layer having different visible light transmittances between a region including the opening and the other region.
を有する基体を含むことを特徴とする請求項１記載の液
晶表示装置。2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the first substrate includes a base having a property of transmitting ultraviolet light.
であって、前記絶縁層上において前記薄膜トランジスタ
を少なくとも含む領域にマスクをかけ、前記マスクから
見て前記第１の基板とは反対の方向より紫外線を照射
し、前記絶縁層の紫外線を照射した領域の可視光に対す
る透過率を、紫外線を照射しなかった領域の可視光に対
する透過率よりも大きくする工程を含むことを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。3. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein a region including at least the thin film transistor is masked on the insulating layer, and the region opposite to the first substrate is viewed from the mask. A liquid crystal, comprising: irradiating ultraviolet rays from a direction, and making the transmittance of the insulating layer to visible light in the region irradiated with ultraviolet light larger than the transmittance to visible light in the region not irradiated with ultraviolet light. A method for manufacturing a display device.
であって、前記第１の基板の、前記主面とは反対側より
紫外線を照射し、前記絶縁層の、前記開口部を含む領域
の可視光に対する透過率を、前記開口部を含まない領域
の可視光に対する透過率よりも大きくする工程を含むこ
とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。4. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 2, wherein the first substrate is irradiated with ultraviolet light from a side opposite to the main surface, and the first substrate includes the opening. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising a step of making the transmittance of a region to visible light larger than the transmittance of a region not including the opening to visible light.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11106275A JP2000298288A (en) | 1999-04-14 | 1999-04-14 | Liquid crystal display device and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP11106275A JP2000298288A (en) | 1999-04-14 | 1999-04-14 | Liquid crystal display device and manufacture thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000298288A true JP2000298288A (en) | 2000-10-24 |
Family
ID=14429540
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|---|---|---|---|
| JP11106275A Pending JP2000298288A (en) | 1999-04-14 | 1999-04-14 | Liquid crystal display device and manufacture thereof |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009016811A (en) * | 2007-06-07 | 2009-01-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and its manufacturing method |
-
1999
- 1999-04-14 JP JP11106275A patent/JP2000298288A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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