JP2000295057A - 高周波用２端子積層ノイズフィルターおよび高周波用２端子積層ノイズフィルター用フェライト材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 １００ＭＨｚ以下の信号を低損失で通過せし
め、０．５〜５ＧＨｚのノイズを能く減衰する２端子積
層ノイズフィルターを提供する。 【解決手段】 周波数５００ＭＨｚにおける抵抗成分Ｒ
が１００ＭＨｚにおける抵抗成分Ｒの１００倍以上とな
るように形成する。また、このフィルターは、主成分と
してＦｅ_２Ｏ_３４５〜４９ｍｏｌ％ＣｕＯ：９〜１３ｍ
ｏｌ％、ＺｎＯ：８ｍｏｌ％以下、ＣｏＤおよび／また
はＣｏＯ４／３：０．１〜１．５ｍｏｌ％、ＮｉＯ：３
５〜４５ｍｏｌ％からなり、副成分としてＢｉ_２Ｏ_３、
ＰｂＯ、Ｖ_２Ｏ_５の何れか１つまたは２つ以上を合計
０．７〜５ｗｔ％含有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、低損失の高周波伝
送回路等のノイズ対策に使用するフェライトを用いた積
層一体焼結型の２端子ノイズフィルターおよび高周波用
２端子積層ノイズフィルター用フェライト材料に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】ノイズフィルターは、ノイズを除去した
い周波数で高い減衰効果を有するものが良いので、その
周波数で高いインピーダンスを有することが望ましい。
このようなノイズフィルターとしてはチョークコイルが
よく用いられる。チョークコイルのインピーダンスは通
常周波数に比例して大きくなる性質があるので高周波で
は大きなインピーダンスが得られる。一般にノイズの周
波数帯域は信号の周波数帯域よりも高周波であるから、
信号の周波数帯域ではインピーダンスが小さくノイズの
周波数帯域ではインピーダンスが大きいという上述のチ
ョークコイルの性質はノイズフィルターとして好都合で
ある。

【０００３】しかし、信号が周波数１００ＭＨｚ内外の
デジタル信号で除去したいノイズの周波数帯域が５００
ＭＨｚ〜５ＧＨｚであるような用途が実用化されるに及
び、単純なチョークコイルでは不都合な点が表面化して
きた。

【０００４】すなわち、ノイズの周波数帯と必要な信号
の周波数帯が相対的に近い場合、単純なチョークコイル
では信号の周波数帯域のインピーダンスとノイズの周波
数帯域のインピーダンスとの比が十分に確保できず、そ
の結果ノイズを十分に減衰させようとすれば必要な信号
までも減衰させてしまう、あるいは逆に必要な信号を低
損失で通過させようとすればノイズを十分に減衰できな
いという問題点があった。加えて小型化の要請に応える
事も必要であった。

【０００５】ノイズの周波数帯と必要な信号の周波数帯
が相対的に近い場合にはチョークコイルよりも鋭い周波
数選択性を有する４端子フィルター、例えばπ型ＬＰＦ
（ＬＯＷ ＰＡＳＳ ＦＩＬＴＥＲ：低域濾波器）を用
いる方法もある。しかし４端子フィルターは少なくとも
２種類以上の素子から構成されるため、サイズが大きく
製作が煩雑でかつ高価になりやすくしかも回路基板への
実装にあたっても２端子の部品に比べて手間であるとい
う欠点があるのであまり実用的ではなかった。

【０００６】そこで、例えば信号の周波数が１００ＭＨ
ｚ以下であってノイズの周波数帯域が０．５〜５ＧＨｚ
であるような、両周波数帯が相対的に近い場合であって
も、信号の周波数帯域では低損失でかつノイズの周波数
帯域では大きな減衰率を有する安価で使い易くかつ高性
能の２端子積層ノイズフィルターの発明が待たれてい
た。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、およそ１００ＭＨｚ以下の必要な信号を低
損失で通過せしめ、かつおよそ０．５ＧＨｚ〜５ＧＨｚ
の周波数帯のノイズを能く減衰するような高周波用２端
子積層ノイズフィルターを提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め鋭意研究の結果、本発明者らは１００ＭＨｚ以下の周
波数帯で低損失かつ０．５〜５ＧＨｚ帯で高減衰率の特
に優れた２端子積層ノイズフィルターに想到したもので
ある。すなわち本願第１の発明は、導体とフェライトと
を積層して形成したほぼ直方体状をなす２端子積層ノイ
ズフィルターであって、当該２端子積層ノイズフィルタ
ーの周波数５００ＭＨｚにおける抵抗成分Ｒは前記１０
０ＭＨｚにおける抵抗成分Ｒの１００倍以上となるよう
に形成した高周波用２端子積層ノイズフィルターであ
る。

【０００９】この発明をさらに丁寧に表現するなら上記
内容に、「２端子積層ノイズフィルターはこれに用いる
材料の透磁率の虚数項が１００ＭＨｚを超えた周波数で
特に急激に立ち上がるものである」とすれば良い。

【００１０】この発明の最も新規で特徴的なところは、
２端子の簡明な構造でありながら、１００ＭＨｚと５０
０ＭＨｚの抵抗成分の比率のみに着目しこれを１００倍
以上とすることで０．５〜５ＧＨｚ帯全域での高インピ
ーダンスを確保し大きなノイズの減衰効果を得るという
斬新な手法を用いることによって、理想的なノイズ対策
部品とした点である。ここに、複素インピーダンスの抵
抗成分であるＲの周波数特性が１００ＭＨｚを超えた周
波数で特に急激に立ち上がらなくては上記性能は達成で
きないところ、そのように急激な周波数特性を有する材
料を用いて上記性能を達成したものである。

【００１１】本願第２の発明は、前記高周波用２端子積
層ノイズフィルターを特に発明の効果が顕著な積層チッ
プビーズまたはそのアレイに特定するものである。

【００１２】ここにおいて、積層チップビーズとは、積
層工法によって一体に形成された（積層）、表面実装型
の（チップ）、インピーダンス素子（ビーズ）である。
なお、ビーズコアは元来ビーズのような形状のコアであ
って、これに銅線を通してノイズフィルターとしたこと
に源を発するが、積層チップビーズと纏めて呼称する場
合には上記に定義した通りの用語の使い方をするのが最
も一般的である。

【００１３】さらに上記に記載のアレイとは、電気回路
的には別個の複数のインピーダンス素子を１つのチップ
に一体形成した集合インピーダンス素子のことである。
このインピーダンス素子がノイズフィルターであること
は言うまでもない。ここに例えば３個のインピーダンス
素子を一体形成したアレイの場合についていえば、個々
のインピーダンス素子は２端子であるからアレイとして
は当然、外見上６端子のチップとなる。しかし本質的に
は２端子部品の集合体である。このように、本発明にお
ける２端子積層チップビーズのアレイの端子数は当然、
当該アレイの外見上の端子数ではない。なお、アレイと
いう用語自体は集合インダクタンス素子や集合抵抗素子
や集合容量素子にも広く用いられるものである。

【００１４】本願第３の発明は、上記第１または第２の
発明に用いるべき材料を限定したものである。すなわ
ち、主成分の組成がＦｅ_２Ｏ_３：４５〜４９ｍｏｌ％、
ＣｕＯ：９〜１３ｍｏｌ％、ＺｎＯ：８ｍｏｌ％以下
（０を含まず）、ＣｏＯおよび／またはＣｏＯ_４／３：
０．１〜１．５ｍｏｌ％、ＮｉＯ：３５〜４５ｍｏｌ％
の範囲にあって、かつ副成分としてＢｉ_２Ｏ_３、Ｐｂ
Ｏ、Ｖ_２Ｏ_５の何れか１つおよび／または２つ以上を合
計０．７ｗｔ％〜５ｗｔ％含有してなるフェライト材料
を用いて形成した、本願第１または第２の発明の何れか
１つに係る高周波用２端子積層ノイズフィルターであ
る。ここでＣｏＯ_４／３はＣｏ_３Ｏ_４のことであるが金
属イオン数を揃えてモル計算の合理性を図ったものであ
る。

【００１５】この発明においては、一般にフェライト材
料に用いられる公知の置換成分や添加物や不純物が許容
されることは言うまでもない。そのような例としては主
成分系置換成分のＡｌ_２Ｏ_３，Ｃｒ_２Ｏ_３，ＴｉＯ_２や
Ｌｉ_２Ｏ、副成分系添加物のＢ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２、不純
物のＣｌやＣａＯをはじめ、極めて多種多様である。

【００１６】ただし、ＮｉＯに置換して用いるＭｎ酸化
物やＭｇＯは、稀少資源保護の観点や原料価格の観点か
らも有効であるから、特にその置換可能な量を特定した
のが、本願第４の発明である。さらに本願第５、第６の
発明は、それぞれ上記第３、第４の発明のカテゴリーを
材料に変えたものである。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下に発明の詳細を実施例に基づ
いて説明する。図１は本発明の高周波用２端子積層ノイ
ズフィルターに係る部分透視斜視図である。チップ内部
は銀の内部電極（図示）と銀のスルーホール（図示）と
その他の部分であるフェライト層（図示せず）からなっ
ている。チップ表面には両端に外部電極が形成されてい
る。ただし図において各部の寸法比や個数あるいは形状
は本発明を限定するものではない。例えばコイル形に代
えてミアンダー形でもよい。

【００１８】

【実施例】（実施例１）本発明の高周波用２端子積層ノ
イズフィルターの作成方法を実施例に従って以下に記述
する。まず所定の組成成分のフェライト粉を準備し、有
機溶剤とブレンドしドクターブレード法でグリーンシー
トを作成した。このフェライト粉は通常の積層チップ用
の粉末ではあるが、その他の例えばフェライトコア製作
用のフェライト粉よりも粒度が小さい。

【００１９】上記グリーンシートに所定のスルーホール
孔を形成し、そのグリーンシートの１つの面上に銀ペー
ストでコイル形の線路をスクリーン印刷法によって形成
し、同様に他の面上に他のコイル形の線路を形成した。
上記スルーホールの位置は上記２つの線路をスルーホー
ル中に延出した銀ペーストによって電気的に接続せしめ
るような位置である。この操作を繰返して得た複数のグ
リーンシートは、位置を合わせながら所定枚数積み重
ね、加熱圧着し、切断し、９００℃で２０分焼成し、外
部電極を焼き付けて積層チップ部品として完成した。こ
こまでの実施例１についての説明内容は、一般的な積層
チップ部品の製造方法と特に変わるところはない。

【００２０】実施例１の具体的な作成条件は次の通りで
ある。すなわち、フェライト粉末は表１、表２の組成に
示すもので、仮焼後粉砕して粉砕粉の５０％平均粒度は
０．８７μｍに揃えた原料を用いた。

【００２１】

【表１】

【００２２】

【表２】

【００２３】グリーンシートは前記焼成した後の１枚あ
たりの厚さが５０μｍとなるように形成した。内部電極
すなわちコイル型の線路とスルーホールの構造は図１に
示す構造で、ここでは各部の寸法比や個数あるいは形状
を図１に示した通りのものとした。なお、外部電極の寸
法については正確ではない。総積層数は１６枚とした。
完成部品の外形寸法は１．６ｍｍ×０．８ｍｍ×０．８
ｍｍである。内部電極の厚さはおよそ１５μｍである。

【００２４】表３、表４はこれらの材料と部品の特性を
測定した結果である。ここで、表１、表２と同じ番号で
示す試料は同じ組成の試料である。

【００２５】

【表３】

【００２６】

【表４】

【００２７】また、材料の特性はそれぞれ上記組成のフ
ェライト粉末で作成したグリーンシートを１０枚積層
し、加熱圧着し、リング状に打ち抜いた後９００℃で２
０分焼成しインピーダンスアナライザーを用いて測定し
た。部品の特性はインピーダンスアナライザーとネット
ワークアナライザーを用いて測定した。

【００２８】表３、表４で用いた略号は次の通りであ
る。すなわち、μ’１００ＭＨｚとμ”１００ＭＨｚと
はそれぞれ複素比透磁率の実数部と虚数部であって、い
ずれも１００ＭＨｚにおける値である。Ｒ_１とＲ_２とは
いずれも作成した部品のインピーダンスの抵抗分であっ
て、それぞれ１００ＭＨｚ、５００ＭＨｚでの値であ
る。倍数Ｒ_２／Ｒ_１は上記Ｒ_２とＲ_１との比である。損
失Ｐ１００は１００ＭＨｚにおける挿入損失で上記部品
を挿入したことによる損失の増分をｄＢ表示したもので
ある。減衰Ｄ_０．５、Ｄ_１、Ｄ_５はいずれも上記部品の
挿入前後の負荷両端の電圧の比をｄＢ表示したもので、
それぞれ０．５、１．０、５．０ＧＨｚでの値である。
なお、負荷および伝送線路の特性インピーダンスはいず
れも５０Ωである。

【００２９】次に、この実施例１の測定の結果を詳細に
説明する。表３および表４の結果をつぶさに見ると、倍
数Ｒ_２／Ｒ_１が１００より大の試料はいずれも、１００
ＭＨｚでの損失Ｐ_１００は０．１ｄＢより小すなわち極
めて低損失であり、かつ０．５ＧＨｚ、１ＧＨｚ、５Ｇ
Ｈｚのすべての周波数において減衰が１０ｄＢ以上と良
好な減衰となっていることが分かる。この事は、倍数Ｒ
_２／Ｒ_１の指標を１００より大とさえすれば、伝送した
い信号の周波数が１００ＭＨｚ以下であって、減衰させ
たいノイズの周波数が０．５〜５ＧＨｚであるような２
端子のノイズフィルターとして極めて有用な部品が作成
できることを示している。

【００３０】一方上記指標Ｐ_１００が１００より小の場
合は、１００ＭＨｚでの挿入損失の大小を問わず０．５
〜５ＧＨｚの少なくともいずれかの周波数で減衰が１０
ｄＢに満たないことが分かる。

【００３１】次に表１〜表４から、フェライト材料の組
成と部品の特性との関係について詳細に照合した結果に
ついて説明すると以下の通りである。試料Ｎｏ１〜５は
表１に示す通り、Ｆｅ_２Ｏ_３の比率を４４．５ｍｏｌ％
から５０ｍｏｌ％まで変化したものである。表３に示す
通り、Ｆｅ_２Ｏ_３の比率が４５〜４９ｍｏｌ％の範囲で
はいずれも倍数Ｒ_２／Ｒ_１が１００より大であり、極め
て低損失でかつ減衰は０．５〜５ＧＨｚの全域で良好で
ある。一方Ｆｅ_２Ｏ_３の比率が４４．５ｍｏｌ％の場
合、倍数Ｒ_２／Ｒ_１が１００より小で、損失は低いが減
衰は０．５ＧＨｚでは１０ｄＢに満たない。さらに、Ｆ
ｅ_２Ｏ_３の比率が５０ｍｏｌ％の場合、倍数Ｒ_２／Ｒ_１
が１００より小で、損失は低いが減衰は０．５〜５ＧＨ
ｚの全域で１０ｄＢに満たない。従って、低損失でかつ
０．５〜５ＧＨｚの全域で高減衰となるようなＦｅ_２Ｏ
_３の組成範囲は４５〜４９ｍｏｌ％であることが分か
る。

【００３２】試料Ｎｏ６〜９は表１に示す通り、ＺｎＯ
の比率を９ｍｏｌ％から０．５ｍｏｌ％まで変化したも
のである。表３に示す通り、ＺｎＯの比率が８ｍｏｌ％
以下の場合はいずれも倍数Ｒ_２／Ｒ_１が１００より大で
あり、極めて低損失でかつ減衰は０．５〜５ＧＨｚの全
域で良好である。一方ＺｎＯが９ｍｏｌ％になると、倍
数Ｒ_２／Ｒ_１は１００より小である。結局、損失は０．
２５ｄＢに増大し減衰は１ＧＨｚ以上では１０ｄＢに満
たない。従って、低損失でかつ０．５〜５ＧＨｚの全域
で高減衰となるようなＺｎＯの組成範囲は８ｍｏｌ％以
下であることが分かる。

【００３３】試料Ｎｏ１０〜１３は表１に示す通り、Ｃ
ｕＯの比率を８ｍｏｌ％から１４ｍｏｌ％まで変化した
ものである。ＣｕＯの比率が９〜１３ｍｏｌ％の範囲で
は表３に示す通り、倍数Ｒ_２／Ｒ_１が１００より大であ
り、極めて低損失でかつ減衰は０．５〜５ＧＨｚの全域
で良好である。一方ＣｕＯの比率が８ｍｏｌ％の場合、
倍数Ｒ_２／Ｒ_１が１００より小で、損失は低いが減衰は
１ＧＨｚ以下では１０ｄＢに満たない。さらに、ＣｕＯ
の比率が１４ｍｏｌ％の場合、倍数Ｒ_２／Ｒ_１が１００
より小で、損失が０．２７ｄＢと大きくなるとともに減
衰は０．５〜５ＧＨｚの全域で１０ｄＢに満たない。従
って、低損失でかつ０．５〜５ＧＨｚの全域で高減衰と
なるようなＣｕＯの組成範囲は９〜１３ｍｏｌ％である
ことが分かる。

【００３４】試料Ｎｏ１４〜１７は表１に示す通り、Ｎ
ｉＯの比率を３４ｍｏｌ％から４５．５ｍｏｌ％まで変
化したものである。ＮｉＯの比率が３５〜４５ｍｏｌ％
の範囲では表３に示す通り、倍数Ｒ_２／Ｒ_１が１００よ
り大であり、極めて低損失でかつ減衰は０．５〜５ＧＨ
ｚの全域で良好である。一方ＮｉＯの比率が３４ｍｏｌ
％の場合、倍数Ｒ_２／Ｒ_１が１００より小で、損失は
０．２９ｄＢと大きく、減衰は１ＧＨｚ以上では１０ｄ
Ｂに満たない。さらに、ＮｉＯの比率が４５．５ｍｏｌ
％の場合、倍数Ｒ_２／Ｒ_１が１００より小で、損失は低
いが減衰は１ＧＨｚ以下で１０ｄＢに満たない。従っ
て、低損失でかつ０．５〜５ＧＨｚの全域で高減衰とな
るようなＮｉＯの適性量は３５〜４５ｍｏｌ％の範囲で
あることが分かる。

【００３５】試料Ｎｏ１８〜２２は表２に示す通り、Ｃ
ｏＯ_４／３の比率を０ｍｏｌ％から１．７ｍｏｌ％まで
変化したものである。なお、ＣｏＯ_４／３はＣｏ_３Ｏ_４
であるが、モル比の計算上金属イオン数に着目して３倍
のモル勘定として計算したことを示すものである。Ｃｏ
Ｏ_４／３の比率が０．１〜１．５ｍｏｌ％の範囲では表
４に示す通り、倍数Ｒ_２／Ｒ_１が１００より大であり、
極めて低損失でかつ減衰は０．５〜５ＧＨｚの全域で良
好である。一方ＣｏＯ_４／３の比率が０ｍｏｌ％の場
合、倍数Ｒ_２／Ｒ_１が１００より小で、損失は０．２ｄ
Ｂとなり減衰は０．５〜５ＧＨｚの全域で１０ｄＢに満
たない。さらに、ＣｏＯ_４／３の比率が１．７ｍｏｌ％
に至ると、倍数Ｒ_２／Ｒ_１が１００より小で、損失は低
いが減衰は０．５ＧＨｚ以下で１０ｄＢに満たない。従
って、低損失でかつ０．５〜５ＧＨｚの全域で高減衰と
なるようなＣｏＯ_{４ ／３}の組成範囲は０．１〜１．５ｍ
ｏｌ％であることが分かる。

【００３６】試料Ｎｏ２３〜２７は表２に示す通り、副
成分Ｂｉ_２Ｏ_３の比率を０．６ｗｔ％から６ｗｔ％まで
変化したものである。の比率が０．７〜５ｗｔ％の範囲
では表４に示す通り、倍数Ｒ_２／Ｒ_１が１００より大で
あり、極めて低損失でかつ減衰は０．５〜５ＧＨｚの全
域で良好である。一方Ｂｉ_２Ｏ_３の比率が０．６ｗｔ％
の場合、倍数Ｒ_２／Ｒ_１が１００より小で、損失は小さ
いが減衰は１ＧＨｚ以下で１０ｄＢに満たない。さら
に、Ｂｉ_２Ｏ_３の比率が６ｗｔ％に至ると倍数Ｒ_２／Ｒ
_１が１００より小で、損失は０．１ｄＢだが減衰は０．
５〜５ＧＨｚの全域で１０ｄＢに満たない。従って、低
損失でかつ０．５〜５ＧＨｚの全域で高減衰となるよう
なＢｉ_２Ｏ_３の組成範囲は０．７〜５ｗｔ％である。

【００３７】試料Ｎｏ２８〜３０は表２に示す通り、副
成分の種類と比率を変えたものである。ＰｂＯ３ｗｔ％
添加、Ｖ_２Ｏ_５３ｗｔ％添加、およびＢｉ_２Ｏ_３、Ｐｂ
Ｏ、Ｖ_２Ｏ_５をそれぞれ１ｗｔ％合計３ｗｔ％添加の３
種の試料は表４に示す通り、倍数Ｒ_２／Ｒ_１が１００よ
り大かつほぼ同等であり、極めて低損失でかつ減衰は
０．５〜５ＧＨｚの全域でほぼ同等に良好である。従っ
て、添加物はＢｉ_２Ｏ_３、ＰｂＯ、Ｖ_２Ｏ_５の何れか１
つまたは２つ以上で良い。

【００３８】試料Ｎｏ３１〜３４は表２に示す通り、Ｎ
ｉＯの一部をＭｎＯ_２やＭｇＯに置換したものである。
表４に示す通り、ＮｉＯの４ｍｏｌ％、８ｍｏｌ％をＭ
ｎＯ _２に置換しても、倍数Ｒ_２／Ｒ_１は１００より大か
つほぼ同等であり、極めて低損失でかつ減衰は０．５〜
５ＧＨｚの全域でほぼ同等に良好である。またＮｉＯの
８ｍｏｌ％をＭｇＯに置換しても、倍数Ｒ_２／Ｒ_１は１
００より大かつほぼ同等であり、極めて低損失でかつ減
衰は０．５〜５ＧＨｚの全域でほぼ同等に良好である。
さらにまたＮｉＯの８ｍｏｌ％を４ｍｏｌ％のＭｎＯ_２
および４ｍｏｌ％のＭｇＯに置換しても、倍数Ｒ_２／Ｒ
_１は１００より大かつほぼ同等であり、極めて低損失で
かつ減衰は０．５〜５ＧＨｚの全域でほぼ同等に良好で
ある。従って、少なくとも８ｍｏｌ％以下のＮｉＯをＭ
ｎＯ_２およびまたはＭｇＯに置換しても良い。

【００３９】（実施例２）実施例１と同じ要領で内部導
体の積層数（コイル巻数に相当）を少なくして、他の条
件は変えずにノイズフィルターを試作したところ、表
３、表４と同様の傾向を得た。すなわち実施例１での結
果と材質特性は当然同じであるが、Ｒ_１、Ｒ _２、Ｐ
_１００は比例的に小さくなり、Ｒ_２／Ｒ_１は実施例１と
変わらず、減衰の値は全体にやや小さめでかつ僅かに高
周波側に移動するという差は見られたものの倍率Ｒ_２／
Ｒ_１が１００以上の場合に限り好特性という状況は何ら
変わるところがなかった。

【００４０】（実施例３）実施例１と同じ要領で内部導
体の積層数（コイル巻数に相当）を多くして、他の条件
は変えずにノイズフィルターを試作したところ、表３、
表４と同様の傾向を得た。すなわち実施例１での結果と
材質特性は当然同じであるが、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｐ_１００は
比例的に大きくなり、Ｒ_２／Ｒ_１は実施例１と変わら
ず、減衰の値は全体にやや大きめでかつ僅かに低周波側
に移動するという差は見られたものの倍率Ｒ_２／Ｒ_１が
１００以上の場合に限り好特性という状況は何ら変わる
ところがなかった。

【００４１】（実施例４）実施例１と同じ要領で相似的
に全体の寸法を小さくし他の条件は変えずにサイズ１．
０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍのノイズフィルターを
作成したところ、表３、表４と同様の傾向を得た。すな
わち実施例１での結果と材質特性は当然同じであるが、
Ｒ_１、Ｒ_２、Ｐ_１００は比例的に小さくなり、Ｒ_２／Ｒ
_１は実施例１と変わらず、減衰の値は全体にやや小さめ
の結果となったものの倍率Ｒ_２／Ｒ _１が１００以上の場
合に限り好特性という状況は何ら変わるところがなかっ
た。

【００４２】（実施例５）実施例１と同じ要領で内部導
体の形状を変えてミアンダー形状とし他の条件は実施例
と同じにしてノイズフィルターを試作した。ただし内部
導体の全長は実施例１の内部導体の全長に合わせた。そ
の結果は、実施例１とほぼ同じでバラツキの範囲内と判
断できる結果であった。すなわち実施例１での結果と比
較すると、材質特性は当然として、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｐ
_１００、Ｒ_２／Ｒ_１、Ｄ_０．５、Ｄ_１、Ｄ_５のいずれも
同等であった。

【００４３】（実施例６）実施例１の内部導体の構造と
チップサイズを変更して外形が幅３．２ｍｍで高さ０．
８ｍｍ、長さ１．６ｍｍの４回路２端子積層チップビー
ズアレイを作成した。図２はその外形である。内部導体
の構造は、実施例１の内部電極の構造と同じにして１回
路分の内部導体を形成し、これを幅方向に４個すなわち
４回路配列して１個のアレイとなるようにした。

【００４４】その内部導体構造となるように銀ペースト
をフェライトグリーンシートに印刷したものを、実施例
１と同様に積層し、熱圧着した。これを焼成後の外形寸
法が幅３．２ｍｍで長さ１．６ｍｍ（高さは０．８ｍ
ｍ）となるように切断した後焼成し８個のはんだメッキ
Ａｇ素地の外部電極を形成して、８端子４回路の積層チ
ップビーズアレイを作成した。以下実施例１と同様にフ
ェライト材料の組成を変えて評価したところ、アレイ中
の個々のインピーダンス素子については実施例１と同じ
結果となった。

【００４５】以上に実施例１〜６を挙げて説明したとお
り、２端子積層ノイズフィルターは周波数５００ＭＨｚ
における抵抗成分Ｒ_２が１００ＭＨｚにおける抵抗成分
Ｒ_１の１００倍以上であれば０．５〜５ＧＨｚにおいて
優れた減衰を奏することが明らかである。

【００４６】さらにこの発明は次のように一般化しても
よい。すなわち、周波数ｆ_１における複素透磁率の虚数
項μ”_１が周波数５・ｆ_１における複素透磁率の虚数項
μ” _５の１００分の１以下であるようなフェライト材料
を用いて作成したインピーダンス素子は、周波数ｆ_１以
下においては低損失であるとともに周波数５・ｆ_１〜５
０・ｆ_１の全域で高インピーダンスを有するというもの
である。

【００４７】ここで、より低損失かつ高インピーダンス
とするためには、フェライト材料としてｆ_１以下の低周
波ｆ_Ｌにおける相対損失係数（ｔａｎδ／μ＝μ”／
μ’^２）のより小さいものを用いることが有効である。
ただし、ｆ_Ｌはおよそｆ_１以下であれば例えば０．０１
・ｆ_１のような十分に低い周波数でもよい。

【００４８】本願発明はさらに、高周波デジタル伝送線
路用のノイズ対策にも有効である。すなわち、矩形のデ
ジタル波は、基本波の１桁以上もの高周波におよぶ奇数
高調波を波形成分として持つが、同時にこの高調波の周
波数は除去したいノイズの周波数帯と重なる場合が多
い。このような場合に高周波デジタル伝送線路用の最良
のノイズフィルターを設計しようとすると従来有効な手
段がなかったところ、本発明を適用すればデジタル波形
変化は少なくしかもノイズは有効に除去できる。

【００４９】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば１００ＭＨｚの信号を低損失で通過せしめ、かつ
０．５ＧＨｚ〜５ＧＨｚの周波数帯のノイズを能く減衰
するような高周波用２端子積層ノイズフィルターを得る
ことが可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】一実施例に関る２端子積層ノイズフィルターの
透視斜視図。

【図２】他の一実施例に関る２端子積層ノイズフィルタ
ーの斜視図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷 恭男 鳥取県鳥取市南栄町33番地12号日立金属株 式会社鳥取工場内 Ｆターム(参考） 5E041 AB01 AB19 CA02 NN02 NN15 5E070 AA01 AB08 BA12 BB01 CB02 CB13 5J024 AA01 DA22 DA26 DA28 DA32 EA08

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導体とフェライトとを積層して形成した
   ほぼ直方体状をなす２端子積層ノイズフィルターであっ
   て、前記２端子積層ノイズフィルターは周波数５００Ｍ
   Ｈｚにおける抵抗成分Ｒが前記１００ＭＨｚにおける抵
   抗成分Ｒの１００倍以上であることを特徴とする高周波
   用２端子積層ノイズフィルター。
2. 【請求項２】 前記高周波用２端子積層ノイズフィルタ
   ーは０．５〜５ＧＨｚ帯で用いる２端子積層チップビー
   ズまたは２端子積層チップビーズのアレイであることを
   特徴とする請求項１に記載の高周波用２端子積層ノイズ
   フィルター。
3. 【請求項３】 主成分の組成がＦｅ_２Ｏ_３：４５〜４９
   ｍｏｌ％、ＣｕＯ：９〜１３ｍｏｌ％、ＺｎＯ：８ｍｏ
   ｌ％以下（０を含まず）、ＣｏＯおよび／またはＣｏＯ
   _４／３：０．１〜１．５ｍｏｌ％、ＮｉＯ：３５〜４５
   ｍｏｌ％の範囲にあって、かつ副成分としてＢｉ
   _２Ｏ_３、ＰｂＯ、Ｖ_２Ｏ_５の何れか１つまたは２つ以上
   を合計０．７ｗｔ％〜５ｗｔ％含有してなるフェライト
   材料を用いて形成したことを特徴とする請求項１または
   ２に記載の高周波用２端子積層ノイズフィルター。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の主成分の組成における
   ＮｉＯの内０．１〜８ｍｏｌ％をＭｎＯ_２および／また
   はＭｇＯに置換したことを特徴とする、高周波用２端子
   積層ノイズフィルター。
5. 【請求項５】 主成分の組成がＦｅ_２Ｏ_３：４５〜４９
   ｍｏｌ％、ＣｕＯ：９〜１３ｍｏｌ％、ＺｎＯ：８ｍｏ
   ｌ％以下（０を含まず）、ＣｏＯおよび／またはＣｏＯ
   _４／３：０．１〜１．５ｍｏｌ％、ＮｉＯ：３４〜４５
   ｍｏｌ％の範囲にあって、かつ副成分としてＢｉ
   _２Ｏ_３、ＰｂＯ、Ｖ_２Ｏ_５の何れか１つおよび／または
   ２つ以上を合計０．７ｗｔ％〜５ｗｔ％含有してなるこ
   とを特徴とする、高周波用２端子積層ノイズフィルター
   用フェライト材料。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の主成分の組成における
   ＮｉＯの内０．１〜８ｍｏｌ％をＭｎＯ_２および／また
   はＭｇＯに置換したことを特徴とする、高周波用２端子
   積層ノイズフィルター用フェライト材料。