JP2000294900A - 配線基板の加工方法 - Google Patents
配線基板の加工方法Info
- Publication number
- JP2000294900A JP2000294900A JP9637899A JP9637899A JP2000294900A JP 2000294900 A JP2000294900 A JP 2000294900A JP 9637899 A JP9637899 A JP 9637899A JP 9637899 A JP9637899 A JP 9637899A JP 2000294900 A JP2000294900 A JP 2000294900A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- wiring board
- dry film
- resist
- resist layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 作業安全性に優れ、大面積の一括加工が可能
な上、取扱性、柔軟性やコストの面で優れる配線基板の
加工方法を提供する。 【解決手段】 アクリル系ドライフィルムレジストの現
像液として一般的に使用されるナトリウムやカリウム等
のアルカリ金属を含む現像液を用いた際に、ドライフィ
ルム上に吸着するアルカリ金属イオンを、塩酸、硫酸等
の無機酸、及び臭酸、クエン酸等の有機酸により洗浄す
ることによりレジスト膜表層から除去し、ドライエッチ
ング時に使用するフッ素系ガス起因のフッ素とアルカリ
金属が反応してプラズマ耐性の高いフッ化物塩をドライ
フィルム上に生成する可能性を無くした結果、エッチン
グ残り等の不良を低減し、歩留まり向上を可能にした。
な上、取扱性、柔軟性やコストの面で優れる配線基板の
加工方法を提供する。 【解決手段】 アクリル系ドライフィルムレジストの現
像液として一般的に使用されるナトリウムやカリウム等
のアルカリ金属を含む現像液を用いた際に、ドライフィ
ルム上に吸着するアルカリ金属イオンを、塩酸、硫酸等
の無機酸、及び臭酸、クエン酸等の有機酸により洗浄す
ることによりレジスト膜表層から除去し、ドライエッチ
ング時に使用するフッ素系ガス起因のフッ素とアルカリ
金属が反応してプラズマ耐性の高いフッ化物塩をドライ
フィルム上に生成する可能性を無くした結果、エッチン
グ残り等の不良を低減し、歩留まり向上を可能にした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体パッケージ部
材、半導体実装部材、及び磁気ディスク装置における磁
気ヘッドサスペンションの配線基板の絶縁層の加工方法
に関するものである。
材、半導体実装部材、及び磁気ディスク装置における磁
気ヘッドサスペンションの配線基板の絶縁層の加工方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子部材で使用される絶縁樹脂の
加工方法として以下の３種類の加工方法が知られてい
る。第１の加工方法として、ケミカルエッチングで加工
方法がある。例えば、ポリイミドの様なイミド系耐熱性
樹脂では、濃厚アルカリ水溶液やヒドラジン等の有機ア
ルカリ溶液によりケミカルエッチングする方法である。
第２の加工方法として、レーザーで加工する方法があ
る。例えば、イミド系樹脂やエポキシ系樹脂では、炭酸
ガス、エキシマ、ＹＡＧレーザー等を用いて加工する方
法である。第３の加工方法として、プラズマエッチング
による加工方法がある。例えば、半導体製造の分野でＬ
ＳＩのパッシベーション膜用ポリイミドの加工等があげ
られる。また、ＴＡＢやプリント基板の製造等の用途に
も用いられている。
加工方法として以下の３種類の加工方法が知られてい
る。第１の加工方法として、ケミカルエッチングで加工
方法がある。例えば、ポリイミドの様なイミド系耐熱性
樹脂では、濃厚アルカリ水溶液やヒドラジン等の有機ア
ルカリ溶液によりケミカルエッチングする方法である。
第２の加工方法として、レーザーで加工する方法があ
る。例えば、イミド系樹脂やエポキシ系樹脂では、炭酸
ガス、エキシマ、ＹＡＧレーザー等を用いて加工する方
法である。第３の加工方法として、プラズマエッチング
による加工方法がある。例えば、半導体製造の分野でＬ
ＳＩのパッシベーション膜用ポリイミドの加工等があげ
られる。また、ＴＡＢやプリント基板の製造等の用途に
も用いられている。
【０００３】第１の加工方法であるケミカルエッチング
によるイミド系樹脂の加工法は、以前からもよく知ら
れ、広く用いられている。しかし、樹脂の種類によって
は基本骨格の違いからエッチングしにくいものもがあ
る。さらに、エッチング液を構成するヒドラジン等の有
機アルカリ化合物は人体に有害であり取り扱いが困難で
あるという第１の問題がある。
によるイミド系樹脂の加工法は、以前からもよく知ら
れ、広く用いられている。しかし、樹脂の種類によって
は基本骨格の違いからエッチングしにくいものもがあ
る。さらに、エッチング液を構成するヒドラジン等の有
機アルカリ化合物は人体に有害であり取り扱いが困難で
あるという第１の問題がある。
【０００４】第２の加工方法であるレーザーによる樹脂
加工法は、一度の加工エリアがレーザー径の範囲内であ
るため、大面積の一括加工には不向きであるという第２
の問題がある。
加工法は、一度の加工エリアがレーザー径の範囲内であ
るため、大面積の一括加工には不向きであるという第２
の問題がある。
【０００５】第３の加工方法であるプラズマエッチング
による樹脂加工法は、パターンを形成するためのマスク
として一般にノボラック系の液状レジスト等の感光性レ
ジストが用いられる。しかしながら、感光性レジストと
してのノボラック系の液状レジスト等は取扱難く、コス
トが高いという第３の問題がある。
による樹脂加工法は、パターンを形成するためのマスク
として一般にノボラック系の液状レジスト等の感光性レ
ジストが用いられる。しかしながら、感光性レジストと
してのノボラック系の液状レジスト等は取扱難く、コス
トが高いという第３の問題がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
問題点に鑑みてなされたものであって、これらの問題点
を解決する配線基板の加工方法を提供することを目的と
する。まず、加工方法として、前記第１、第２の問題点
を解決する為に、プラズマエッチングによる加工方法を
採用する。これにより、ヒドラジンなどの人体に有害な
薬品を使用しない為、作業安全性に優れ、大面積の一括
加工が可能な上、絶縁樹脂の基本骨格の種類によらずエ
ッチングすることができる。また、前記第３の問題点を
解決する為に、アクリル系のドライフィルムレジストを
採用する。これにより、取扱性、柔軟性やコストの面で
優れることになる。
問題点に鑑みてなされたものであって、これらの問題点
を解決する配線基板の加工方法を提供することを目的と
する。まず、加工方法として、前記第１、第２の問題点
を解決する為に、プラズマエッチングによる加工方法を
採用する。これにより、ヒドラジンなどの人体に有害な
薬品を使用しない為、作業安全性に優れ、大面積の一括
加工が可能な上、絶縁樹脂の基本骨格の種類によらずエ
ッチングすることができる。また、前記第３の問題点を
解決する為に、アクリル系のドライフィルムレジストを
採用する。これにより、取扱性、柔軟性やコストの面で
優れることになる。
【０００７】プラズマエッチング用レジストとしてアク
リル系ドライフィルムレジストを用いた場合、プラズマ
エッチング時にフッ素系の反応ガスを用いると、ドライ
フィルム表面にプラズマ耐性の高い結晶が生成してしま
うことがわかった。これが絶縁樹脂のエッチング面上に
倒れ落ちると、その直下の絶縁樹脂がエッチングされず
に残ってしまうという新たな問題が発生する。
リル系ドライフィルムレジストを用いた場合、プラズマ
エッチング時にフッ素系の反応ガスを用いると、ドライ
フィルム表面にプラズマ耐性の高い結晶が生成してしま
うことがわかった。これが絶縁樹脂のエッチング面上に
倒れ落ちると、その直下の絶縁樹脂がエッチングされず
に残ってしまうという新たな問題が発生する。
【０００８】種々の分析の結果、プラズマ耐性の高い結
晶は、フッ化物塩であると推察されている。この現象は
以下のように推察できる。まず、現像液として使用する
炭酸ナトリウムや炭酸カリウムにおけるナトリウムやカ
リウムが、ドライフィルムレジスト表層に露出したカル
ボキシル基やヒドロキシル基と結合する。この結合物
が、ドライフィルムレジスト表層に残り、ドライエッチ
ングの反応ガス中に含まれるフッ素とさらに結合してフ
ッ化物塩１６として生成される。このフッ化物塩はプラ
ズマ耐性の高い結晶であり絶縁樹脂のエッチング面上に
倒れ落ちて残り、絶縁樹脂のエッチング残り箇所１７が
発生しているものと推察されている。
晶は、フッ化物塩であると推察されている。この現象は
以下のように推察できる。まず、現像液として使用する
炭酸ナトリウムや炭酸カリウムにおけるナトリウムやカ
リウムが、ドライフィルムレジスト表層に露出したカル
ボキシル基やヒドロキシル基と結合する。この結合物
が、ドライフィルムレジスト表層に残り、ドライエッチ
ングの反応ガス中に含まれるフッ素とさらに結合してフ
ッ化物塩１６として生成される。このフッ化物塩はプラ
ズマ耐性の高い結晶であり絶縁樹脂のエッチング面上に
倒れ落ちて残り、絶縁樹脂のエッチング残り箇所１７が
発生しているものと推察されている。
【０００９】図５（ｈ）に示したように、レジスト１４
の開口部２０から絶縁樹脂層１１をプラズマ１９にてエ
ッチングする（プラズマエッチング処理）。この時、既
にフッ化物塩１６がドライフィルムレジスト１３表層に
生成される。図５（ｉ）に示したように、このフッ化物
塩１６はプラズマ耐性の高い結晶であり絶縁樹脂１１の
エッチング面上に倒れ落ちて残り、絶縁樹脂のエッチン
グ残り箇所１７が発生しているものと推察されている。
の開口部２０から絶縁樹脂層１１をプラズマ１９にてエ
ッチングする（プラズマエッチング処理）。この時、既
にフッ化物塩１６がドライフィルムレジスト１３表層に
生成される。図５（ｉ）に示したように、このフッ化物
塩１６はプラズマ耐性の高い結晶であり絶縁樹脂１１の
エッチング面上に倒れ落ちて残り、絶縁樹脂のエッチン
グ残り箇所１７が発生しているものと推察されている。
【００１０】本発明は、この様な新たな問題点も解決す
るためのものであって、プラズマエッチング時にレジス
ト上の副生成物を無くし、絶縁樹脂のプラズマエッチン
グ残り不良を低減した配線基板の加工方法をも提供する
ことを目的とする。
るためのものであって、プラズマエッチング時にレジス
ト上の副生成物を無くし、絶縁樹脂のプラズマエッチン
グ残り不良を低減した配線基板の加工方法をも提供する
ことを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】絶縁体層上に金属導体層
の回路パターンが形成されている配線基板において、該
配線基板上に所望のパターン形状のドライフィルムレジ
スト層を形成する第１の工程と、前記レジスト層の開口
部から絶縁体層をプラズマエッチング処理にて除去する
第２の工程と、前記レジスト層を剥離除去する第３の工
程と、を含む配線基板の加工方法を特徴とする。
の回路パターンが形成されている配線基板において、該
配線基板上に所望のパターン形状のドライフィルムレジ
スト層を形成する第１の工程と、前記レジスト層の開口
部から絶縁体層をプラズマエッチング処理にて除去する
第２の工程と、前記レジスト層を剥離除去する第３の工
程と、を含む配線基板の加工方法を特徴とする。
【００１２】第１の工程において、前記レジスト層の現
像液としてアルカリ金属を含む現像液を使用し、かつ現
像処理後に酸による洗浄工程を有することがさらに望ま
しい。また、前記レジスト層が、アクリル系のアルカリ
現像型ドライフィルムレジストであることがさらに望ま
しい。また、第２の工程のプラズマエッチング処理にて
使用される反応ガスが、フッ素系化合物であることがさ
らに望ましい。
像液としてアルカリ金属を含む現像液を使用し、かつ現
像処理後に酸による洗浄工程を有することがさらに望ま
しい。また、前記レジスト層が、アクリル系のアルカリ
現像型ドライフィルムレジストであることがさらに望ま
しい。また、第２の工程のプラズマエッチング処理にて
使用される反応ガスが、フッ素系化合物であることがさ
らに望ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の１例
として図１を用いて全体の加工手順概要を説明する。絶
縁樹脂の片側に銅の配線パターンを形成し、もう一方側
に銅のベタ配線パターンを形成した配線基板の絶縁樹脂
を加工する手順を以下に示す。第１に、前記配線基板に
プラズマエッチング用のマスクパターンとしてアクリル
系のドライフィルムレジストを銅の配線パターンが形成
されている基板上にラミネートする。第２に、ドライフ
ィルムレジストを所望のパターン形状になるように所望
のパターン形状を有するフォトマスクにて露光する。第
３に、アルカリ金属を含む現像液にて現像する。ここで
は、現像液として炭酸ナトリウムや炭酸カリウム等の無
機アルカリ成分を含む物質を使用する。第４に、ドライ
フィルムレジストに吸着したアルカリ金属を除去するた
め酸洗する。ここでは、塩酸、硫酸等の無機酸、あるい
は臭酸、クエン酸等の有機酸を用いて、ドライフィルム
レジスト膜表層に吸着されたアルカリ金属を洗浄する。
第５に、前記絶縁樹脂層をレジストの開口部から、フッ
素系ガス雰囲気下でのプラズマエッチング法を用いてエ
ッチング除去する。第６に、剥離液を用いてドライフィ
ルムレジストを剥離する。ここでは、剥離液としては水
酸化ナトリウムや水酸化カリウム等のアルカリ水溶液を
用いることができる。
として図１を用いて全体の加工手順概要を説明する。絶
縁樹脂の片側に銅の配線パターンを形成し、もう一方側
に銅のベタ配線パターンを形成した配線基板の絶縁樹脂
を加工する手順を以下に示す。第１に、前記配線基板に
プラズマエッチング用のマスクパターンとしてアクリル
系のドライフィルムレジストを銅の配線パターンが形成
されている基板上にラミネートする。第２に、ドライフ
ィルムレジストを所望のパターン形状になるように所望
のパターン形状を有するフォトマスクにて露光する。第
３に、アルカリ金属を含む現像液にて現像する。ここで
は、現像液として炭酸ナトリウムや炭酸カリウム等の無
機アルカリ成分を含む物質を使用する。第４に、ドライ
フィルムレジストに吸着したアルカリ金属を除去するた
め酸洗する。ここでは、塩酸、硫酸等の無機酸、あるい
は臭酸、クエン酸等の有機酸を用いて、ドライフィルム
レジスト膜表層に吸着されたアルカリ金属を洗浄する。
第５に、前記絶縁樹脂層をレジストの開口部から、フッ
素系ガス雰囲気下でのプラズマエッチング法を用いてエ
ッチング除去する。第６に、剥離液を用いてドライフィ
ルムレジストを剥離する。ここでは、剥離液としては水
酸化ナトリウムや水酸化カリウム等のアルカリ水溶液を
用いることができる。
【００１４】上記の本発明の実施の形態の１例として、
図２〜図４に基づいて説明する。まず、本発明において
加工される絶縁樹脂としては、エポキシ系樹脂、イミド
系耐熱樹脂、ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、ポ
リスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリアミド系
樹脂、ＡＢＳ系樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコー
ン系樹脂等、熱可塑、熱硬化性樹脂を問わず用いること
ができる。例えば、電子部品材料として一般的に用いら
れる、東レ・デュポン社製のカプトンのようなフィルム
単体のものや、宇部興産社製のユピセルの様な金属とポ
リイミドの積層材料、あるいは金属薄等の担体にポリア
ミック酸のワニスをフィルム状に塗布した後、熱キュア
してイミド化したもの等を使用することができる。ま
た、絶縁樹脂層の厚みは０．１〜１００μｍtまで対応
でき、特に１〜５０μｍtの厚みの絶縁樹脂層の加工に
好適である。
図２〜図４に基づいて説明する。まず、本発明において
加工される絶縁樹脂としては、エポキシ系樹脂、イミド
系耐熱樹脂、ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、ポ
リスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリアミド系
樹脂、ＡＢＳ系樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコー
ン系樹脂等、熱可塑、熱硬化性樹脂を問わず用いること
ができる。例えば、電子部品材料として一般的に用いら
れる、東レ・デュポン社製のカプトンのようなフィルム
単体のものや、宇部興産社製のユピセルの様な金属とポ
リイミドの積層材料、あるいは金属薄等の担体にポリア
ミック酸のワニスをフィルム状に塗布した後、熱キュア
してイミド化したもの等を使用することができる。ま
た、絶縁樹脂層の厚みは０．１〜１００μｍtまで対応
でき、特に１〜５０μｍtの厚みの絶縁樹脂層の加工に
好適である。
【００１５】図２（ａ）では、絶縁樹脂層であるポリイ
ミドフィルム１１上に銅の配線パターン１２が形成され
ている。ここでは、片側は銅のベタ配線パターン１２と
なっている。
ミドフィルム１１上に銅の配線パターン１２が形成され
ている。ここでは、片側は銅のベタ配線パターン１２と
なっている。
【００１６】図２（ｂ）では、図２（ａ）のポリイミド
フィルム１１上にアクリル系のアルカリ可溶型ドライフ
ィルムレジスト１３をラミネートしてある。ドライフィ
ルムレジスト１３の厚みとしては、絶縁樹脂とドライフ
ィルムレジストのプラズマエッチングレートの比に応じ
て１〜２００μｍtの範囲で設定することができ、１５
〜１５０μｍtの厚みが好適である。ドライフィルムの
ラミネート方法としては、ホットロールラミネート、真
空加圧ラミネート等を適宜採用することができる。
フィルム１１上にアクリル系のアルカリ可溶型ドライフ
ィルムレジスト１３をラミネートしてある。ドライフィ
ルムレジスト１３の厚みとしては、絶縁樹脂とドライフ
ィルムレジストのプラズマエッチングレートの比に応じ
て１〜２００μｍtの範囲で設定することができ、１５
〜１５０μｍtの厚みが好適である。ドライフィルムの
ラミネート方法としては、ホットロールラミネート、真
空加圧ラミネート等を適宜採用することができる。
【００１７】図２（ｃ）では、所望のパターンが形成さ
れたフォトマスク１４を用いて紫外線１８で前記ドライ
フィルムレジスト１３をパターン露光している。
れたフォトマスク１４を用いて紫外線１８で前記ドライ
フィルムレジスト１３をパターン露光している。
【００１８】図３（ｄ）では、炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウム等のアルカリ金属を含む現像液にて現像してい
る。
リウム等のアルカリ金属を含む現像液にて現像してい
る。
【００１９】図３（ｅ）では、塩酸、硫酸等の無機酸、
または臭酸、クエン酸等の有機酸を用いて、ドライフィ
ルムレジスト１３の表層に付着したアルカリ金属の洗浄
を行う。
または臭酸、クエン酸等の有機酸を用いて、ドライフィ
ルムレジスト１３の表層に付着したアルカリ金属の洗浄
を行う。
【００２０】図４（ｆ）に示したようにレジスト１４の
開口部２０から絶縁樹脂層１１をプラズマ１９にてエッ
チングする（プラズマエッチング処理）。
開口部２０から絶縁樹脂層１１をプラズマ１９にてエッ
チングする（プラズマエッチング処理）。
【００２１】上記において、プラズマエッチング処理
は、減圧された真空容器内にフッ素系の反応ガスと酸素
ガスを一定の比率で流し、陰極と陽極間に高周波交流電
力の加電によりプラズマを発生させ、被エッチング物を
陰極近傍の陰極暗部領域に設置することにより行われ
る。
は、減圧された真空容器内にフッ素系の反応ガスと酸素
ガスを一定の比率で流し、陰極と陽極間に高周波交流電
力の加電によりプラズマを発生させ、被エッチング物を
陰極近傍の陰極暗部領域に設置することにより行われ
る。
【００２２】フッ素系のガスとしては、ＣＦ４、ＣＨＦ
３、Ｃ２Ｆ６、ＳＦ６等を用いることができる。また、
酸素ガス、フッ素系ガスの雰囲気圧力は、常温で０．１
〜１００Ｐａ、好ましくは３〜７０Ｐａとされる。酸素
ガス、フッ素系ガスの導入量は、標準状態において１〜
８０ＳＣＣＭ、好ましくは、１０〜５０ＳＣＣＭとされ
る。
３、Ｃ２Ｆ６、ＳＦ６等を用いることができる。また、
酸素ガス、フッ素系ガスの雰囲気圧力は、常温で０．１
〜１００Ｐａ、好ましくは３〜７０Ｐａとされる。酸素
ガス、フッ素系ガスの導入量は、標準状態において１〜
８０ＳＣＣＭ、好ましくは、１０〜５０ＳＣＣＭとされ
る。
【００２３】プラズマ放電の処理電力は、通常０．１〜
１０Ｗ／ｃｍ２、好ましくは、０．７〜１Ｗ／ｃｍ２と
される。処理電源としては、高周波交流電源を使用する
ことが好ましく、周波数は１００ｋＨｚ〜１００ＭＨ
ｚ、実用上は、工業割り当て周波数の１３．５６ＭＨｚ
である。
１０Ｗ／ｃｍ２、好ましくは、０．７〜１Ｗ／ｃｍ２と
される。処理電源としては、高周波交流電源を使用する
ことが好ましく、周波数は１００ｋＨｚ〜１００ＭＨ
ｚ、実用上は、工業割り当て周波数の１３．５６ＭＨｚ
である。
【００２４】最後に、図４（ｇ）に示すようにレジスト
１４を剥離除去する。剥離液としては水酸化ナトリウム
や水酸化カリウム等のアルカリ水溶液を用いることがで
きる。濃度は０．１〜１０％、好ましくは１〜５％であ
る。温度は、常温〜８０℃、好ましくは３０〜６０℃で
ある。
１４を剥離除去する。剥離液としては水酸化ナトリウム
や水酸化カリウム等のアルカリ水溶液を用いることがで
きる。濃度は０．１〜１０％、好ましくは１〜５％であ
る。温度は、常温〜８０℃、好ましくは３０〜６０℃で
ある。
【００２５】
【実施例】以下本発明の実施例について説明する。厚さ
１８μｍｔの銅箔を、厚さ２５μｍtのポリイミドフィ
ルムの表裏に接着した積層板にフォトリソグラフィー法
を用いて配線パターンを形成した。これを旭化成社製ド
ライフィルムのＳＵＮＦＯＲＴ（厚さ５０μｍｔ）でラ
ミネートした後、所定のマスクを用いてパターン露光し
た。これを液温３０℃、１％炭酸ナトリウム水溶液を用
いてスプレー処理装置を用いて現像した。次に常温、５
％塩酸にて５分間ディップ洗浄を行った。
１８μｍｔの銅箔を、厚さ２５μｍtのポリイミドフィ
ルムの表裏に接着した積層板にフォトリソグラフィー法
を用いて配線パターンを形成した。これを旭化成社製ド
ライフィルムのＳＵＮＦＯＲＴ（厚さ５０μｍｔ）でラ
ミネートした後、所定のマスクを用いてパターン露光し
た。これを液温３０℃、１％炭酸ナトリウム水溶液を用
いてスプレー処理装置を用いて現像した。次に常温、５
％塩酸にて５分間ディップ洗浄を行った。
【００２６】次に、日本真空社製のドライエッチング装
置の真空容器内にセットし、真空容器内を減圧し、０．
００１Ｐａに到達後、酸素とＣＦ４の混合ガス（体積比
４：１）導入し、以後真空引きを行いつつ５０ｃｃ／ｍ
ｉｎの流量で導入して。総ガス圧を５０Ｐａに保持し、
放電電力４００Ｗ、周波数１３．５６ＭＨｚでプラズマ
放電させ、ポリイミド樹脂層表面およびパターン形成さ
れたドライフィルムを４０分間、プラズマエッチングし
た。残存しているドライフィルムレジストを２％水酸化
ナトリウム水溶液で剥離除去し、ポリイミドフィルムが
所望のパターンに加工されていることが確認できた。
置の真空容器内にセットし、真空容器内を減圧し、０．
００１Ｐａに到達後、酸素とＣＦ４の混合ガス（体積比
４：１）導入し、以後真空引きを行いつつ５０ｃｃ／ｍ
ｉｎの流量で導入して。総ガス圧を５０Ｐａに保持し、
放電電力４００Ｗ、周波数１３．５６ＭＨｚでプラズマ
放電させ、ポリイミド樹脂層表面およびパターン形成さ
れたドライフィルムを４０分間、プラズマエッチングし
た。残存しているドライフィルムレジストを２％水酸化
ナトリウム水溶液で剥離除去し、ポリイミドフィルムが
所望のパターンに加工されていることが確認できた。
【００２７】
【発明の効果】上記の本発明によれば、プラズマエッチ
ング用レジストとしてアクリル系ドライフィルムレジス
トを使用することで得られる効果は、安価で、柔軟性が
あり、取扱もしやすくなる。かつ、ドライエッチング反
応性の高いフッ素系ガスを用いることにより、ドライエ
ッチングにおける絶縁樹脂のエッチングレートを高める
ことができる。そして、酸洗処理により絶縁樹脂のエッ
チング残り不良も低減するため、生産性・歩留まりの向
上に寄与しコスト的にも有利である。
ング用レジストとしてアクリル系ドライフィルムレジス
トを使用することで得られる効果は、安価で、柔軟性が
あり、取扱もしやすくなる。かつ、ドライエッチング反
応性の高いフッ素系ガスを用いることにより、ドライエ
ッチングにおける絶縁樹脂のエッチングレートを高める
ことができる。そして、酸洗処理により絶縁樹脂のエッ
チング残り不良も低減するため、生産性・歩留まりの向
上に寄与しコスト的にも有利である。
【図１】本発明の実施の形態に係る加工手順の概要を説
明する図
明する図
【図２】本発明の実施の形態に係る加工材料等の説明図
【図３】本発明の実施の形態に係る現像等の説明図
【図４】本発明の実施の形態に係るプラズマエッチング
等の説明図
等の説明図
【図５】本発明の実施の形態に係るプラズマエッチング
等の新たな問題の説明図
等の新たな問題の説明図
１１：ポリイミドフィルム １２：配線 １３：ドライフィルムレジスト １４：パターニングされたドライフィルムレジスト用マ
スク １５：アルカリ金属が吸着したドライフィルムレジスト
表層部 １６：フッ化物塩 １７：絶縁樹脂のエッチング残り個所 １８：紫外線 １９：プラズマ ２０：開口部
スク １５：アルカリ金属が吸着したドライフィルムレジスト
表層部 １６：フッ化物塩 １７：絶縁樹脂のエッチング残り個所 １８：紫外線 １９：プラズマ ２０：開口部
Claims (6)
- 【請求項１】絶縁体層上に金属導体層の回路パターンが
形成されている配線基板において、該配線基板上に所望
のパターン形状のドライフィルムレジスト層を形成する
第１の工程と、前記レジスト層の開口部から絶縁体層を
プラズマエッチング処理にて除去する第２の工程と、前
記レジスト層を剥離除去する第３の工程と、を含む配線
基板の加工方法。 - 【請求項２】請求項１の第１の工程において、前記レジ
スト層の現像液としてアルカリ金属を含む現像液を使用
し、かつ現像処理後に酸による洗浄工程を有することを
特徴とする配線基板の加工方法。 - 【請求項３】請求項１において、前記レジスト層が、ア
クリル系のアルカリ現像型ドライフィルムレジストであ
ることを特徴とする配線基板の加工方法。 - 【請求項４】請求項１において、第２の工程のプラズマ
エッチング処理にて使用される反応ガスが、フッ素系化
合物であることを特徴とする配線基板の製造方法。 - 【請求項５】絶縁体層上に金属導体層の回路パターンが
形成されている配線基板にレジスト層を形成する工程、
該配線基板上のレジスト層を所望のパターン形状のマス
クを介して露光する工程、前記レジスト層を現像して所
望のパターン形状を形成する工程、酸による処理を行う
工程、プラズマエッチング処理において前記レジスト層
を形成していないの開口部から絶縁体層を除去する工程
と、前記レジスト層を剥離除去する工程と、を含む配線
基板の加工方法。 - 【請求項６】絶縁体層上に金属導体層の回路パターンが
形成されている配線基板にドライフィルムレジスト層を
形成する工程、該配線基板上のドライフィルムレジスト
層を所望のパターン形状のマスクを介して露光する工
程、前記レジスト層を現像して所望のパターン形状を形
成する工程、酸による処理を行う工程、反応ガスがフッ
素系化合物であるプラズマエッチング処理において前記
レジスト層を形成していないの開口部から絶縁体層を除
去する工程と、前記レジスト層を剥離除去する工程と、
を含む配線基板の加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9637899A JP2000294900A (ja) | 1999-04-02 | 1999-04-02 | 配線基板の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9637899A JP2000294900A (ja) | 1999-04-02 | 1999-04-02 | 配線基板の加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000294900A true JP2000294900A (ja) | 2000-10-20 |
Family
ID=14163312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9637899A Withdrawn JP2000294900A (ja) | 1999-04-02 | 1999-04-02 | 配線基板の加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000294900A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003069188A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Dainippon Printing Co Ltd | ドライフィルムレジストを用いた電子部品の製造方法、電子部品及びハードディスク用サスペンション |
| WO2006011299A1 (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-02 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | プリント配線基板、その製造方法および半導体装置 |
| JP2017162959A (ja) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | プラズマ処理方法 |
-
1999
- 1999-04-02 JP JP9637899A patent/JP2000294900A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003069188A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Dainippon Printing Co Ltd | ドライフィルムレジストを用いた電子部品の製造方法、電子部品及びハードディスク用サスペンション |
| WO2006011299A1 (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-02 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | プリント配線基板、その製造方法および半導体装置 |
| KR100874743B1 (ko) | 2004-07-29 | 2008-12-19 | 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 | 프린트 배선 기판, 그 제조 방법 및 반도체 장치 |
| JP2017162959A (ja) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | プラズマ処理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5227008A (en) | Method for making flexible circuits | |
| US20070207607A1 (en) | Ball grid array substrate having window and method of fabricating same | |
| CN101374386B (zh) | 印刷电路板的制作方法 | |
| JP2010010639A (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
| JPH0317390B2 (ja) | ||
| US6894875B2 (en) | Magnetic head suspension with both protected wiring and unprotected wiring, in addition to terminals | |
| JPH1097081A (ja) | 樹脂エッチング液及びエッチング方法 | |
| JP2012182292A (ja) | 樹脂開口方法 | |
| JP4121658B2 (ja) | 有機絶縁樹脂層の加工方法 | |
| JP2000294900A (ja) | 配線基板の加工方法 | |
| JP4334649B2 (ja) | 絶縁体層の加工方法 | |
| JP2007123622A (ja) | フレキシブル配線基板及びその製造方法 | |
| JP2003078234A (ja) | プリント配線板およびその製造方法 | |
| JP2006199976A (ja) | アルミニウム系材料のエッチング方法 | |
| KR20180117550A (ko) | 인쇄회로기판 제조방법 | |
| JP4999801B2 (ja) | エッチング方法 | |
| JP3172711B2 (ja) | 転写媒体とその製造方法及びその転写媒体を使った配線パターンの製造方法 | |
| JP4240586B2 (ja) | イミド系耐熱性樹脂フィルムの加工方法 | |
| JP2010087285A (ja) | 多層回路基板の製造方法 | |
| JP3209290U (ja) | プリント配線板 | |
| JP2000054164A (ja) | 絶縁材料の加工方法と当該方法による絶縁材料加工品 および当該方法に使用するレジスト材料 | |
| JP2015046519A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| KR20060113843A (ko) | 배선판의 표면처리방법 및 전기장치의 제조방법 | |
| KR101378754B1 (ko) | 박판 인쇄회로기판 제조방법 | |
| JPS6182497A (ja) | 印刷配線板の製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060606 |