JP2000294542A5 - - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】 反応ガスを加熱された触媒体に接触させ、これによって生成した反応種又はその前駆体にグロー放電開始電圧以下の電界を作用させて運動エネルギーを与え、基体又は基体上の膜をエッチング又はアッシングする気相加工方法。
【請求項２】 反応ガス供給手段と、触媒体と、この触媒体の加熱手段と、グロー放電開始電圧以下の電界を印加する電界印加手段と、エッチング又はアッシングされるべき基体又は膜付き基体を支持するサセプタとを有する気相加工装置。
【請求項３】 前記電圧印加手段が、グロー放電開始電圧以下の直流電圧を印加する電源を有している、請求項２に記載した気相加工装置。
【請求項４】 前記電圧印加手段が、グロー放電開始電圧以下であって直流電圧に交流電圧を重畳させた電圧、又は絶対値がグロー放電開始電圧以下の交流電圧を印加する電源を有している、請求項２に記載した気相加工装置。
【請求項５】 グロー放電開始電圧以下であって、直流電圧に、高周波電圧と低周波電圧とを重畳させた電圧が印加される、請求項２に記載した気相加工装置。
【請求項６】 グロー放電開始電圧以下であって、高周波電圧と低周波電圧とを重畳させた電圧が印加される、請求項２に記載した気相加工装置。
【請求項７】 前記高周波電圧の周波数が１〜１００ＭＨｚ、前記低周波電圧の周波数が１ＭＨｚ以下である、請求項２に記載した気相加工装置。
【請求項８】 前記サセプタと前記電界印加用の電極との間に前記触媒体が設置される、請求項２に記載した気相加工装置。
【請求項９】 前記サセプタと前記反応ガス供給手段との間に前記触媒体と前記電界印加用の電極とが設置されている、請求項２に記載した気相加工装置。
【請求項１０】 前記触媒体又は前記電界印加用の電極がコイル状、メッシュ状、ワイヤー状又は多孔板状に形成されている、請求項２に記載した気相加工装置。
【請求項１１】 前記サセプタの近傍に荷電粒子照射手段が設置されている、請求項２に記載した気相加工装置。
【請求項１２】 所定の電極間に電圧を印加して気相加工室内をクリーニングするためのプラズマ放電形成手段が設けられている、請求項２に記載した気相加工装置。
【請求項１３】 前記気相加工が減圧又は常圧下で行なわれる、請求項２に記載した気相加工装置。
【請求項１４】 前記触媒体が８００〜２０００℃の範囲であってその融点未満の温度に加熱され、この加熱された触媒体により前記反応ガスの少なくとも一部を触媒反応又は熱分解反応させて生成した反応種又はラジカルによって、−１００℃〜５００℃の温度に保持した基板又は基板上の膜が気相エッチング又は気相アッシングされる、請求項２に記載した気相加工装置。
【請求項１５】 前記反応ガスとして、ハロゲン又はその化合物ガス、又は酸化性ガスが使用される、請求項２に記載した気相加工装置。
【請求項１６】 タングステン、トリア含有タングステン、モリブテン、白金、パラジウム、バナジウム、シリコン、アルミナ、金属を付着したセラミックス、及び炭化ケイ素からなる群より選ばれた少なくとも１種の材料によって、前記触媒体が形成されている、請求項２に記載した気相加工装置。
【請求項１７】 前記反応ガスを成膜用の原料ガスに変更し、この原料ガスの供給によって前記基体上に所定の膜を成膜するようにも構成された、請求項２に記載した気相加工装置。 [Claims]
1. A reaction gas is brought into contact with a heated catalyst body, and an electric field equal to or lower than a glow discharge start voltage is applied to a reaction species or a precursor thereof generated thereby to give kinetic energy to the substrate or a film on the substrate. A vapor processing method for etching or ashing.
2. A reaction gas supply means, a catalyst body, a heating means for the catalyst body, an electric field application means for applying an electric field equal to or lower than a glow discharge start voltage, and a substrate or a substrate with a film to be etched or ashed. A gas phase processing device having a supporting susceptor.
3. The gas phase processing apparatus according to claim 2 , wherein the voltage applying means has a power source for applying a DC voltage equal to or lower than a glow discharge starting voltage.
Wherein said voltage applying means, a power source voltage obtained by superimposing an AC voltage on a DC voltage equal to or lower than the glow discharge starting voltage, or the absolute value is applied to the following AC voltage glow discharge starting voltage The gas phase processing apparatus according to claim 2.
5. The gas phase processing apparatus according to claim 2 , wherein a voltage that is equal to or lower than the glow discharge start voltage and is obtained by superimposing a high frequency voltage and a low frequency voltage on a DC voltage is applied.
6. The gas phase processing apparatus according to claim 2 , wherein a voltage that is equal to or lower than the glow discharge start voltage and is a superposition of a high frequency voltage and a low frequency voltage is applied.
Frequency of wherein said high frequency voltage 1～100MHz, the frequency of the low-frequency voltage is 1MHz or less, vapor processing apparatus according to claim 2.
Wherein said catalyst body is disposed between the electrode for the electric field applied to the susceptor, a gas phase processing apparatus according to claim 2.
9. A electrode for the electric field applied to the catalytic body between said susceptor and said reactive gas supplying means is provided, the gas phase processing apparatus according to claim 2.
10. The gas phase processing apparatus according to claim 2 , wherein the catalyst body or the electrode for applying an electric field is formed in a coil shape, a mesh shape, a wire shape, or a perforated plate shape.
11. A charged particle irradiation means in the vicinity of the susceptor is installed, vapor processing apparatus according to claim 2.
12. The vapor phase processing apparatus according to claim 2 , further comprising a plasma discharge forming means for cleaning the vapor phase processing chamber by applying a voltage between predetermined electrodes.
Wherein said vapor phase process is carried out under reduced or normal pressure, vapor processing apparatus according to claim 2.
14. The catalyst is heated to a temperature in the range of 800 to 2000 ° C. and lower than its melting point, and at least a part of the reaction gas is subjected to a catalytic reaction or a thermal decomposition reaction by the heated catalyst. The vapor phase processing apparatus according to claim 2 , wherein the substrate or the film on the substrate held at a temperature of -100 ° C. to 500 ° C. is vapor-phase etched or vapor-phase ashed by the generated reaction species or radicals.
As claimed in claim 15, wherein the reaction gas, a halogen or a compound gas, or an oxidizing gas is used, gas phase processing apparatus according to claim 2.
16. The catalyst is made of at least one material selected from the group consisting of tungsten, tria-containing tungsten, molybdenum, platinum, palladium, vanadium, silicon, alumina, metal-attached ceramics, and silicon carbide. The vapor processing apparatus according to claim 2 , which is formed.
17. Change in the source gas for depositing the reaction gas, feel this by the supply of the raw material gas is also configured to deposit a predetermined film on the substrate, according to claim 2 Phase processing equipment.