JP2000285437A - Magnetic recording medium and its manufacture - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize a protecting layer of a higher hardness and enhance a chemical/physical protection efficiency even when the protecting layer is thinned, by forming the protecting layer of an amorphous carbon nitride or amorphous hydrogenated carbon nitride substantially consisting of an alternating bond of carbon and nitrogen alternately bonded by a single bond. SOLUTION: When an incident light of a wavelength 600-950 nm is used to obtain a Raman scattering light spectrum of the amorphous carbon nitride or amorphous hydrogenated carbon nitride, a quantum yield of a Raman scattering light peak is preferably 10-5 or smaller around the vicinity of areas amounting to 1550 cm-1, 1350 cm-1 and 1330 cm-1. A protecting layer can be formed of a raw material of a saturated organic compound containing nitrogen (e.g. 2-aminooctahydro-1,3,5-triazine or the like) by plasma chemical vapor-phase growth with the use of plasma by a non-electronic collision excitation mechanism, or by ion beam deposition. The thickness of the protecting layer is preferably 0.5-10.0 nm.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体及びそ
の製造方法に関し、特に磁気記録媒体における保護層及
びその製造方法等に関する。The present invention relates to a magnetic recording medium and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a protective layer in a magnetic recording medium and a method for manufacturing the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】磁気記録媒体、特に近年の高記録密度を
有する磁気記録媒体の記録部材は、コバルト・ニッケル
合金、コバルト・クロム合金などの金属強磁性材料から
なり、これらをスパッタリングなどの真空成膜技術を用
いて、非磁性材料よりなる支持体上に薄膜の形態に成膜
され、形成されている。これらの金属強磁性薄膜型の磁
気記録部材は媒体上に記録される磁気記録の波長が短い
場合においても、電磁変換特性が優れ、磁気記録部材の
厚みを薄くすることによって減磁や損失を低減すること
が可能なため、従来より産業的に利用されている。2. Description of the Related Art A recording member of a magnetic recording medium, especially a magnetic recording medium having a high recording density in recent years, is made of a metal ferromagnetic material such as a cobalt-nickel alloy or a cobalt-chromium alloy, and these are formed by vacuum forming such as sputtering. It is formed and formed into a thin film on a support made of a nonmagnetic material by using a film technique. These metal ferromagnetic thin film type magnetic recording members have excellent electromagnetic conversion characteristics even when the wavelength of magnetic recording recorded on the medium is short, and reduce the thickness of the magnetic recording member to reduce demagnetization and loss. It has been used industrially conventionally.

【０００３】その多くは、磁気記録の書き込み、読み出
し操作の繰り返しに対する耐久性を付与する目的で、上
述の磁気記録部材表面に保護層膜を有している。この保
護層膜は、磁気記録媒体に対して磁気記録の書き込み、
読み出しを行う磁気ヘッドと磁気記録媒体との間に生じ
る摺動摩擦によって摩耗あるいは剥離等の構造破壊が生
じない様な高硬度物質によって構成される必要がある。
従来は上述の様な条件を満足する高硬度物質として非晶
質炭素あるいは非晶質水素化炭素が用いられている。Many of them have a protective layer film on the surface of the above-mentioned magnetic recording member for the purpose of imparting durability to repeated writing and reading operations of magnetic recording. This protective layer film is used for writing magnetic recording on a magnetic recording medium,
It must be made of a high-hardness material that does not cause structural destruction such as wear or peeling due to sliding friction generated between the magnetic head for reading and the magnetic recording medium.
Conventionally, amorphous carbon or amorphous hydrogenated carbon has been used as a high-hardness material satisfying the above conditions.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】近年、この種の磁気記
録媒体に対して更なる電磁変換特性、磁気記録密度の向
上という産業的要求が生じている。これに対して一般
に、磁気ヘッド・磁気記録部材間の間隙（以下、磁気ス
ペーシングという）の低減によってこれを満足させ得る
ことは、多くの事例によって開示されている。しかし、
極端に薄い膜厚を要求される場合、従来より保護層膜材
料として利用されている非晶質炭素あるいは非晶質水素
化炭素では、必ずしも充分な硬度ではない。保護層上に
おいて、ヘッドとの摩擦を受けた箇所で生じる微小な摩
耗痕であっても、この保護層の膜厚が上述の摩耗痕と比
較し得る程に薄い場合（０．５〜５ｎｍ程度の場合）、
磁気記録部材表面は露出し磁気記録が損傷あるいは外部
からの腐食を受けることとなる。この様な摩擦による保
護層の破壊を回避する為に、非晶質炭素あるいは非晶質
水素化炭素よりもさらに高硬度な窒化炭素あるいは水素
化窒化炭素を保護層の材料として用いる種々の方法が考
案されている。In recent years, there has been an industrial demand for further improvement in electromagnetic conversion characteristics and magnetic recording density for this type of magnetic recording medium. On the other hand, it is generally disclosed in many cases that this can be satisfied by reducing the gap between the magnetic head and the magnetic recording member (hereinafter, referred to as magnetic spacing). But,
When an extremely thin film thickness is required, the hardness of amorphous carbon or amorphous hydrogenated carbon conventionally used as a protective layer film material is not always sufficient. Even if a minute wear mark is formed on a portion of the protective layer that has been subjected to friction with the head, when the thickness of the protective layer is thin enough to be compared with the above-mentioned wear mark (about 0.5 to 5 nm). in the case of),
The surface of the magnetic recording member is exposed, and the magnetic recording is damaged or externally corroded. In order to avoid the destruction of the protective layer due to such friction, there are various methods using carbon nitride or hydrogenated carbon nitride having higher hardness than amorphous carbon or amorphous hydrogenated carbon as the material of the protective layer. It has been devised.

【０００５】しかし、これまでに考案されている磁気記
録媒体の保護層としての窒化炭素あるいは水素化窒化炭
素の成膜には、炭素ターゲットのスパッタリングによっ
て炭素源を供給し、スパッタリングガスあるいは雰囲気
ガスとして窒素含有ガスを用いることで窒素を供給し、
磁気記録部材上に堆積する方法が用いられるか、あるい
は化学気相成長法の材料ガスとして炭化水素ガスと窒素
ガスあるいはアンモニアなどの窒素含有分子のガスを用
い磁気記録部材上に堆積する方法が用いられている。こ
れらの成膜法によって堆積される窒化炭素あるいは水素
化窒化炭素中に含有される窒素原子は、その多くがｓｐ
混成軌道、あるいはｓｐ²混成軌道を形成する炭素原子
とシアン基状の構造を構成し、あるいはアジン、アゾー
ル状またはそれに類似したπ結合を有する構造を構成し
ていることが知られている。この様な窒素原子と炭素原
子の化学結合状態は、それぞれ非晶質炭素ネットワーク
の終端あるいは平面環状構造に対応する。その為、これ
らの状態が形成されることによって、高硬度である化学
量論的な単結合による窒化炭素（Ｃ3Ｎ4）のネットワー
ク構造の形成が阻害されるという大きな問題点があっ
た。さらに、上述のアジン、アゾール状の構造やそれに
類似した構造中では多くの共役系の結合に由来するπ電
子が存在する為に、従来技術で作製した窒化炭素あるい
は水素化窒化炭素膜はその電気的な比抵抗値が小さい。
また、シアン基状構造の形成による局所準位の増加によ
っても電気的比抵抗値の減少は生じ、従来技術によって
これを回避することは困難であった。したがって、高湿
度下において電解質を含む不純物質が膜の構造的な欠陥
に付着するような場合、磁気記録部材と化学的なポテン
シャルの相異なる部材との間で電気化学的な腐食が生じ
易いという大きな問題点も存在する。[0005] However, to deposit carbon nitride or carbon oxynitride as a protective layer of a magnetic recording medium that has been devised so far, a carbon source is supplied by sputtering a carbon target, and a sputtering gas or an atmosphere gas is used. Supplying nitrogen by using a nitrogen-containing gas,
A method of depositing on a magnetic recording member is used, or a method of depositing on a magnetic recording member using a hydrocarbon gas and a gas of a nitrogen-containing molecule such as nitrogen gas or ammonia as a material gas for chemical vapor deposition. Have been. Many of the nitrogen atoms contained in carbon nitride or hydrogenated carbon nitride deposited by these film forming methods are sp.
It is known that a carbon atom forming a hybrid orbital or an sp ² hybrid orbital forms a cyan group-like structure, or a azine, azole or similar structure having a π bond. Such a chemical bond between the nitrogen atom and the carbon atom corresponds to the terminal or planar ring structure of the amorphous carbon network, respectively. Therefore, the formation of these states has a serious problem in that the formation of a carbon nitride (C3N4) network structure by a stoichiometric single bond having high hardness is hindered. Furthermore, in the above-described azine and azole-like structures and structures similar thereto, there are many π electrons originating from conjugated bonds. Low specific resistance.
In addition, an increase in the local level due to the formation of a cyan-based structure also causes a decrease in the electrical resistivity, and it has been difficult to avoid this by the conventional technology. Therefore, when impurities including an electrolyte adhere to structural defects of the film under high humidity, electrochemical corrosion is likely to occur between the magnetic recording member and members having different chemical potentials. There are also major problems.

【０００６】上述の様な、単結合以外の窒素原子と炭素
原子間の化学結合エネルギーは、単結合のエネルギーに
比較して大きく安定である。従って、特に熱平衡成膜プ
ロセスでは、投入する熱エネルギーは生成した準安定状
態である単結合状態を容易に共役二重結合や三重結合に
遷移させるので、炭素原子のｓｐ³混成軌道と窒素原子
のｓｐ²混成軌道の共有結合による単結合を安定に保持
することは困難である。また、例えばプラズマ化学気相
成長法（以下ＰＣＶＤ法と記述する）に代表される非熱
平衡成膜プロセスによる成膜においても、材料物質とし
て、炭素源に例えばメタンガスの様な低分子炭化水素、
窒素源に窒素ガス等の低分子ガスを使用すると、成膜反
応中にはこれらの分子から水素原子を解離させあるいは
付加させ生成した炭化水素とアンモニアあるいはアンモ
ニウム様のイオンや、ラジカルを互いに共重合させる反
応経路が存在する。大きなイオン化エネルギーあるいは
ラジカルの生成エネルギーを有する低分子炭化水素及び
アンモニア、アンモニウム様のイオン、ラジカルから水
素が脱離し、互いが重合する過程では、余剰のエネルギ
ーを受け取った水素がネットワーク中のオフボンドの準
安定位置を移動する間に、ネットワークの結合を切断
し、ダングリングボンドを形成する素過程が存在する。
これらのダングリングボンドは、ネットワークの成長過
程で生じる構造緩和の間に、より安定な状態であるアジ
ン、アゾール状またはそれに類似したπ結合を有する構
造を形成する。また高いエネルギー状態に励起した窒素
イオン、ラジカルは炭素と容易にシアン基を形成する。As described above, the chemical bond energy between a nitrogen atom and a carbon atom other than a single bond is much more stable than the energy of a single bond. Therefore, especially in the thermal equilibrium film formation process, the input thermal energy easily transitions the generated metastable single bond state to a conjugated double bond or triple bond, so that the sp ³ hybrid orbital of the carbon atom and the nitrogen atom It is difficult to stably maintain a single bond formed by a covalent bond of sp ² hybrid orbitals. Also, in film formation by a non-thermal equilibrium film formation process typified by, for example, a plasma chemical vapor deposition method (hereinafter, referred to as a PCVD method), as a material, a low molecular weight hydrocarbon such as methane gas is used as a carbon source.
When a low-molecular gas such as nitrogen gas is used as a nitrogen source, during the film formation reaction, the hydrogen produced by dissociating or adding hydrogen atoms from these molecules is copolymerized with ammonia or ammonium-like ions or radicals. There is a reaction pathway that causes In the process of desorbing hydrogen from low-molecular hydrocarbons and ammonia, ammonium-like ions and radicals having large ionization energies or radical formation energies, and polymerizing with each other, the hydrogen that has received the excess energy is converted into off-bonds in the network. During the movement of the stable position, there is an elementary process of breaking the bond of the network and forming a dangling bond.
These dangling bonds form a structure having a more stable azine, azole-like or similar π bond during the structural relaxation occurring during the network growth process. Nitrogen ions and radicals excited to a high energy state easily form a cyano group with carbon.

【０００７】以上説明したように、従来の窒化炭素又は
水素化窒化炭素からなる保護膜は、炭素と窒素との単結
合以外の結合、例えば、炭素間の単結合や二重結合、炭
素−窒素間の二重結合、窒素間の二重結合などで実質的
に構成されているため、より高い硬度を実現できず、ま
た、保護層を薄くした場合に化学的・物理的保護能力が
十分でないという問題がある。As described above, the conventional protective film made of carbon nitride or carbon oxynitride has a bond other than a single bond between carbon and nitrogen, for example, a single bond or double bond between carbon and carbon-nitrogen. Because it is substantially composed of double bonds between nitrogen, double bonds between nitrogen, etc., it is not possible to achieve higher hardness, and when the protective layer is made thin, the chemical and physical protection ability is not sufficient There is a problem.

【０００８】なお、特許第２６３６７３４号には、保護
膜として炭素と窒素が１対１から３対４（５０〜５６
％）の範囲であり、かつアモルファス相と結晶相よりな
る材料を用いた磁気ディスクが開示されている。しか
し、この保護膜は、結晶相を含むので炭素と窒素が単結
合によって結合している割合が高いが、この保護膜は、
非晶質である本発明の保護膜とは本質的に異なり、製造
方法も全く異なる。この保護膜は、結晶相が混在してい
るので、保護層の膜厚を薄くしていった場合平坦度が悪
くなる。この平坦度の悪化は磁気スペーシングの増大を
招くので好ましくない。すなわち、結晶相の結晶粒は、
平均膜厚に対して異常な高さを持つ突起を生じやすく、
その突起が実質的な磁気スペーシングを決定するからで
ある。また、この保護膜は、結晶相が混在しているの
で、へき開が起きやすく、耐摩耗性が悪い。Japanese Patent No. 26367334 discloses that carbon and nitrogen are used as a protective film in a ratio of one to one to three to four (50 to 56).
%) And using a material composed of an amorphous phase and a crystalline phase. However, since this protective film contains a crystal phase, the ratio of carbon and nitrogen bonded by a single bond is high.
It is essentially different from the amorphous protective film of the present invention, and the manufacturing method is completely different. Since this protective film contains a mixture of crystal phases, the flatness deteriorates when the thickness of the protective layer is reduced. This deterioration in flatness is not preferable because it causes an increase in magnetic spacing. That is, the crystal grains of the crystal phase are:
It is easy to produce protrusions with an abnormal height relative to the average film thickness,
This is because the protrusion determines the substantial magnetic spacing. In addition, since this protective film contains a crystal phase, cleavage tends to occur and abrasion resistance is poor.

【０００９】本発明は、より高い硬度の保護層を実現で
きるとともに、保護層を薄くした場合であっても化学的
・物理的保護能力が高い保護層を有する磁気記録媒体及
びその製造方法等の提供を目的とする。According to the present invention, there is provided a magnetic recording medium having a protective layer having high chemical and physical protection ability even when a protective layer having higher hardness can be realized, and a method for manufacturing the same. For the purpose of providing.

【００１０】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明者は鋭意研究を行った結果、上述のような窒素−
炭素の単結合による窒化炭素あるいは水素化窒化炭素ネ
ットワークの形成を阻害する構造の形成を回避する為に
は、イオン化エネルギーあるいは生成エネルギーが小さ
く、予め窒素と炭素の単結合構造をその内部に有するイ
オンあるいはラジカルを生成することが有効であること
を見い出した。そして、このような、プラズマの生成、
維持過程が、ガス分子と電子との衝突に因らないプロセ
スを用い、材料ガスとしては窒素原子と炭素原子の単結
合構造を予めその分子内に有し、プラズマ中にてもその
単結合構造を保存（維持）したイオン、ラジカルを窒化
炭素膜の前駆体とすることによって実現されることを見
い出した。Means for Solving the Problems In order to achieve the above object, the present inventor has conducted intensive studies, and as a result, the nitrogen-
In order to avoid the formation of a structure that inhibits the formation of a carbon nitride or hydrogenated carbon nitride network due to a single bond of carbon, the ionization energy or the formation energy is small, and an ion having a single bond structure of nitrogen and carbon in advance is used. Alternatively, it has been found that it is effective to generate radicals. And the generation of plasma,
The maintenance process uses a process that does not depend on collisions between gas molecules and electrons. The material gas has a single bond structure of nitrogen atoms and carbon atoms in the molecule in advance, and the single bond structure even in plasma. Have been found to be realized by using ions and radicals that have preserved (maintained) the precursor of the carbon nitride film.

【００１１】本発明は、以下の構成としてある。The present invention has the following configuration.

【００１２】（構成１）基板上に少なくとも磁性層と、
保護層とを有する磁気記録媒体において、前記保護層
は、炭素と窒素とが単結合によって交互に結合した交番
結合によって実質的に構成されている非晶質窒化炭素又
は非晶質水素化窒化炭素からなることを特徴とする磁気
記録媒体。(Structure 1) At least a magnetic layer on a substrate,
In a magnetic recording medium having a protective layer, the protective layer is made of amorphous carbon nitride or amorphous hydrogenated carbon nitride substantially constituted by alternating bonds in which carbon and nitrogen are alternately bonded by a single bond. A magnetic recording medium comprising:

【００１３】（構成２）前記非晶質窒化炭素又は非晶質
水素化窒化炭素が、そのラマン散乱光スペクトルにおい
て、波長が６００〜９５０ｎｍの入射光を用いた場合、
１５５０ｃｍ^-1、１３５０ｃｍ^-1及び１３３０ｃｍ^-1近
傍を中心とした、ラマン散乱光ピークの量子収率が１０
^-5以下であることを特徴とする構成１記載の磁気記録媒
体。(Structure 2) When the amorphous carbon nitride or the amorphous hydrogenated carbon nitride uses incident light having a wavelength of 600 to 950 nm in its Raman scattering light spectrum,
The quantum yield of Raman scattered light peaks around 1550 cm ^-1 , 1350 cm ^-1 and 1330 cm ^-1 is 10
The magnetic recording medium according to configuration 1, wherein the magnetic recording medium has a size of ^-5 or less.

【００１４】（構成３）前記保護層は、窒素組成比（窒
素／（窒素＋炭素））が３０〜７０ａｔ％である非晶質
窒化炭素又は非晶質水素化窒化炭素であることを特徴と
する構成１又は２記載の磁気記録媒体。(Structure 3) The protective layer is made of amorphous carbon nitride or amorphous hydrogen oxynitride having a nitrogen composition ratio (nitrogen / (nitrogen + carbon)) of 30 to 70 at%. 3. The magnetic recording medium according to configuration 1 or 2, wherein

【００１５】（構成４）前記保護層の膜厚が、０．５〜
１０．０ｎｍであることを特徴とする構成１乃至３のい
ずれか一項に記載の磁気記録媒体。(Structure 4) The protective layer has a thickness of 0.5 to 0.5.
4. The magnetic recording medium according to any one of Configurations 1 to 3, wherein the thickness is 10.0 nm.

【００１６】（構成５）基板上に少なくとも磁性層と、
保護層とを有する磁気記録媒体の製造方法において、前
記保護層を、含窒素飽和有機化合物を原料とし、非電子
衝突励起機構によって生じるプラズマを用いた、プラズ
マ化学的気相成長法又はイオンビーム堆積法によって形
成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。(Structure 5) At least a magnetic layer on a substrate,
A method for producing a magnetic recording medium having a protective layer, wherein the protective layer is made of a nitrogen-containing saturated organic compound as a raw material, using plasma generated by a non-electron collision excitation mechanism, or a plasma chemical vapor deposition method or ion beam deposition. A method for manufacturing a magnetic recording medium, characterized by being formed by a method.

【００１７】（構成６）前記含窒素飽和有機化合物は、
その分子中に、炭素と窒素とが単結合によって交互に結
合した交番結合構造を有することを特徴とする構成５記
載の磁気記録媒体の製造方法。(Structure 6) The nitrogen-containing saturated organic compound is
6. The method for manufacturing a magnetic recording medium according to Configuration 5, wherein the molecule has an alternating bond structure in which carbon and nitrogen are alternately bonded by a single bond.

【００１８】（構成７）前記含窒素飽和有機化合物は、
その融点が−１００〜５０℃の範囲の値であることを特
徴とする構成５又は６記載の磁気記録媒体の製造方法。(Structure 7) The nitrogen-containing saturated organic compound is
7. The method of manufacturing a magnetic recording medium according to configuration 5 or 6, wherein the melting point is a value in a range of -100 to 50C.

【００１９】（構成８）前記含窒素飽和有機化合物は、
2−アミノオクタヒドロ−1,3,5−トリアジン、1,3,5−
トリメチルヘキサヒドロ−1,3,5−トリアジン、トリメ
チルアミンから選ばれた材料からなることを特徴とする
構成５乃至７のいずれか一項に記載の磁気記録媒体の製
造方法。(Structure 8) The nitrogen-containing saturated organic compound is
2-aminooctahydro-1,3,5-triazine, 1,3,5-
8. The method for producing a magnetic recording medium according to any one of the constitutions 5 to 7, comprising a material selected from trimethylhexahydro-1,3,5-triazine and trimethylamine.

【００２０】[0020]

【作用】上記構成１によれば、非晶質窒化炭素又は非晶
質水素化窒化炭素からなる保護層が、炭素と窒素とが単
結合によって交互に結合した交番結合によって実質的に
構成されているので、より高い硬度の保護層を実現でき
るとともに、保護層を薄くした場合であっても化学的・
物理的保護能力が高い保護層を実現できる。ここでいう
「実質的」とは、具体的には構成３のような状態を言う
が、別には、少なくともＸ線光電子分光スペクトル中の
Ｎ1sの399.3〜400.5ｅＶにピークを持つ成分が５０％以
上の強度比で観察されることを言う。ここで、本発明で
いう非晶質窒化炭素の結合状態は、図３に示す構造（炭
素と窒素とが単結合によって交互に結合した交番結合）
になっている。これは、Ｘ線光電子分光分析法（ＥＳＣ
Ａ）で、窒素と炭素のＮ1s、Ｃ1sを測定したとき、Ｎ1s
（窒素の1sピーク）のほとんどが399.3〜400.5ｅＶで、
Ｃ1s（炭素の1sピーク）のほとんどが287〜288ｅＶであ
る場合に対応する。また、非晶質水素化窒化炭素の結合
状態は、図４に示す構造（炭素と窒素とが単結合によっ
て交互に結合した交番結合であって終端に水素が結合し
ている構造）になっている。これは、ＥＳＣＡで、窒素
と炭素のＮ1s、Ｃ1sを測定したとき、Ｎ1sのほとんどが
399.3〜400.5ｅＶで、Ｃ1sのほとんどが287〜288ｅＶか
ら若干ずれた形になった場合に対応する。According to the above configuration 1, the protective layer made of amorphous carbon nitride or amorphous hydrogenated carbon nitride is substantially constituted by an alternating bond in which carbon and nitrogen are alternately bonded by a single bond. As a result, a protective layer with a higher hardness can be realized, and even if the protective layer is made thinner,
A protective layer having high physical protection capability can be realized. The term “substantially” as used herein specifically refers to the state as in the configuration 3, except that at least 50% or more of the component having a peak at 399.3 to 400.5 eV of N1s in the X-ray photoelectron spectroscopy spectrum. Is observed at an intensity ratio of Here, the bonded state of the amorphous carbon nitride referred to in the present invention has a structure shown in FIG. 3 (alternate bond in which carbon and nitrogen are alternately bonded by a single bond).
It has become. This is based on X-ray photoelectron spectroscopy (ESC).
In A), when N1s and C1s of nitrogen and carbon are measured, N1s
Most of the (1s peak of nitrogen) is 399.3 to 400.5 eV,
This corresponds to the case where most of C1s (1s peak of carbon) is 287 to 288 eV. Further, the bonding state of the amorphous hydrogenated carbon nitride is a structure shown in FIG. 4 (a structure in which carbon and nitrogen are alternately bonded by a single bond and hydrogen is bonded at the end). I have. This is because when ESCA measures N1s and C1s of nitrogen and carbon, most of N1s
At 399.3 to 400.5 eV, this corresponds to the case where most of C1s slightly deviates from 287 to 288 eV.

【００２１】上記構成２によれば、前記非晶質窒化炭素
又は非晶質水素化窒化炭素が、そのラマン散乱光スペク
トルにおいて、波長が６００〜９５０ｎｍの入射光を用
いた場合、１５５０ｃｍ^-1、１３５０ｃｍ^-1及び１３３
０ｃｍ^-1近傍を中心とした、ラマン散乱光ピークの量子
収率が１０^-5以下であることを規定することによって、
保護層が、炭素と窒素とが単結合によって交互に結合し
た交番結合（−Ｃ−Ｎ−Ｃ−）によって、実質的に構成
されているとみなすことができる。つまり、１５５０ｃ
ｍ^-1、１３５０ｃｍ^-1及び１３３０ｃｍ^-1は炭素−炭素
間の結合（１５５０ｃｍ^-1はグラファイトのＥ2gモード
の振動、１３５０ｃｍ^-1はグラファイトのＡ1uモードの
振動、１３３０ｃｍ^-1はダイヤモンドの格子振動を示
す）に基づくピークであり、このピークに関する量子収
率（放出光子／入射光子）が１０^-5以下でほとんど検出
されなければ、炭素−炭素間の結合はほとんど存在しな
い、別言すると、炭素と窒素とが単結合によって交互に
結合した交番結合が大半を占め、交番結合によって実質
的に構成されている、とみなすことができる。According to the above configuration 2, when the amorphous carbon nitride or the amorphous hydrogenated carbon nitride uses incident light having a wavelength of 600 to 950 nm in its Raman scattering light spectrum, 1550 cm ⁻¹ , 1350 cm ^-1 and 133
By specifying that the quantum yield of the Raman scattered light peak centered around 0 cm ^-1 is 10 ^-5 or less,
It can be considered that the protective layer is substantially constituted by an alternating bond (—C—N—C—) in which carbon and nitrogen are alternately bonded by a single bond. That is, 1550c
m ^-1 , 1350 cm ^-1 and 1330 cm ^-1 are carbon-carbon bonds (1550 cm ^-1 is graphite E2g mode vibration, 1350 cm ^-1 is graphite A1u mode vibration, and 1330 cm ^-1 is diamond lattice vibration. If the quantum yield (emission photon / incident photon) for this peak is hardly detected below 10 ⁻⁵ , then there is almost no carbon-carbon bond, in other words, carbon and carbon It can be considered that alternating bonds in which nitrogen is alternately bonded by single bonds occupy the majority, and are substantially constituted by alternating bonds.

【００２２】上記構成３によれば、保護層が、窒素組成
比（窒素／（窒素＋炭素））が３０〜７０ａｔ％（又は
０．３０〜０．７０）である非晶質窒化炭素又は非晶質
水素化窒化炭素であることが好ましく、窒素組成比をこ
の範囲とすることで、コンタクト・スタート・ストップ
（ＣＳＳ）方式の摺動耐久試験において微小な摺動痕
や、ヘッドクラッシュを生ずることがない。より好まし
くは４５〜７０ａｔ％が望ましい。窒素が３０％未満で
あると微小な摺動痕を生じやすく、窒素が７０％超であ
るとヘッドクラッシュが生じやすくなる。この理由は、
単結合による窒化炭素の化学量論比はＣ3Ｎ4（窒素が５
７％）であり、この場合に体積弾性率、硬度が最大にな
ると考えられる。この値を超えて窒素リッチになった場
合、Ｎ−Ｃ結合に比べて結合エネルギーの小さいＮ−Ｎ
結合が増加するか、あるいは終端（末端）水素が増加す
るため、硬度は低下し、特に７０ａｔ％を超えた場合軟
化が顕著になると考えられる。一方、窒素が少ない場
合、特に３０ａｔ％未満の場合は、従来の非晶質炭素又
は非晶質水素化炭素（ＳＰ³リッチな場合はダイヤモン
ドライクカーボン）と大きな差異がない硬度となると考
えられる。According to the above configuration 3, the protective layer is made of amorphous carbon nitride or non-crystalline carbon having a nitrogen composition ratio (nitrogen / (nitrogen + carbon)) of 30 to 70 at% (or 0.30 to 0.70). Amorphous hydrogenated carbon nitride is preferable, and by setting the nitrogen composition ratio in this range, a minute sliding mark or a head crash is generated in a sliding durability test of a contact start stop (CSS) method. There is no. More preferably, the content is 45 to 70 at%. If the nitrogen content is less than 30%, minute sliding marks are likely to occur, and if the nitrogen content is more than 70%, head crash is likely to occur. The reason for this is
The stoichiometric ratio of carbon nitride due to a single bond is C3N4 (nitrogen is 5
7%), and in this case, the bulk modulus and hardness are considered to be maximum. When the value exceeds this value and becomes rich in nitrogen, N—N having a smaller binding energy than N—C bond
It is considered that the hardness decreases due to an increase in bonding or an increase in terminal (terminal) hydrogen, and in particular, when it exceeds 70 at%, softening is considered to be remarkable. On the other hand, when the amount of nitrogen is small, in particular, when the amount is less than 30 at%, it is considered that the hardness is not largely different from that of conventional amorphous carbon or amorphous hydrogenated carbon (diamond-like carbon when SP ^{3 is} rich).

【００２３】上記構成４において、前記保護層の膜厚を
０．５〜１０．０ｎｍの範囲に規定したのは、現行の膜
厚は１０ｎｍ程度であるが、本発明では現行の膜厚以下
の０．５〜１０．０ｎｍの範囲の膜厚であっても、より
高い硬度を有し、化学的・物理的保護能力が高い保護層
を実現できるからである。In the above configuration 4, the thickness of the protective layer is defined to be in the range of 0.5 to 10.0 nm when the current thickness is about 10 nm. This is because even if the film thickness is in the range of 0.5 to 10.0 nm, a protective layer having higher hardness and high chemical and physical protection ability can be realized.

【００２４】上記構成５によれば、保護層を、含窒素飽
和有機化合物を原料とし、非電子衝突励起機構によって
生じるプラズマを用いた、プラズマ化学的気相成長法又
はイオンビーム堆積法によって形成することによって、
炭素と窒素とが単結合によって交互に結合した交番結合
（−Ｃ−Ｎ−Ｃ−）によって、実質的に構成されている
保護層を形成可能となる。これは、含窒素飽和有機化合
物（シアン基や炭素−窒素間の二重結合、窒素間の二重
結合などを含まない単結合だけで構成された化合物）を
原料とし、非電子衝突励起機構によって生じるプラズマ
を用いることで、含窒素飽和有機化合物の結合状態を維
持した状態のプラズマ（イオンやラジカル）同士を前駆
体として結合（重合）させることができるからである。
非電子衝突励起機構（誘導結合型のプラズマ発生装置
等）は、電子衝撃が生じない励起法であるので、励起前
の原料分子の結合構造を維持したイオンやラジカルを生
成できる。According to the above configuration 5, the protective layer is formed by a plasma chemical vapor deposition method or an ion beam deposition method using a nitrogen-containing saturated organic compound as a raw material and using plasma generated by a non-electron collision excitation mechanism. By
An alternating bond (—C—N—C—) in which carbon and nitrogen are alternately bonded by a single bond makes it possible to form a substantially constituted protective layer. This is based on a nitrogen-containing saturated organic compound (compound consisting of a single bond that does not contain a cyano group, a double bond between carbon and nitrogen, a double bond between nitrogen, etc.), and a non-electron collision excitation mechanism. This is because by using the generated plasma, plasma (ions and radicals) in a state where the nitrogen-containing saturated organic compound is maintained in a bonded state can be bonded (polymerized) as a precursor.
The non-electron collision excitation mechanism (such as an inductively-coupled plasma generator) is an excitation method that does not generate electron impact, and thus can generate ions and radicals while maintaining the bonding structure of the source molecules before excitation.

【００２５】上記構成６によれば、前記含窒素飽和有機
化合物として、その分子中に、炭素と窒素とが単結合に
よって交互に結合した交番結合構造を有するものを用い
ることによって、生成する保護膜中に交番結合構造を形
成できる。含窒素飽和有機化合物中における交番結合は
分子中の一部であっても良いが、分子中の交番結合の割
合は高い方が好ましく、分子中のすべての結合が交番結
合であれば最も良い。なお、本発明でいう含窒素飽和有
機化合物には、非電子衝突励起機構によってプラズマ化
したときに、交番結合構造を有し、かつ、不飽和結合を
含まないものも含まれる。According to the sixth aspect, the protective film formed by using, as the nitrogen-containing saturated organic compound, a compound having an alternating bond structure in which carbon and nitrogen are alternately bonded by a single bond in the molecule. An alternating bonding structure can be formed therein. The alternating bond in the nitrogen-containing saturated organic compound may be a part of the molecule, but the ratio of the alternating bond in the molecule is preferably high, and it is best if all the bonds in the molecule are alternating bonds. It should be noted that the nitrogen-containing saturated organic compound referred to in the present invention also includes a compound having an alternating bond structure and containing no unsaturated bond when turned into plasma by a non-electron collision excitation mechanism.

【００２６】上記構成７において、前記含窒素飽和有機
化合物の融点を−１００〜５０℃の範囲の値と規定した
のは、非電子衝突励起機構によってプラズマを生成させ
る場合、原料をガスで導入する必要があるからであり、
十分な蒸気圧を得られる低融点物質（常温にて気体又は
液体）である必要があるためである。In the above configuration 7, the melting point of the nitrogen-containing saturated organic compound is specified to be a value in the range of -100 to 50 ° C. because, when plasma is generated by a non-electron collision excitation mechanism, a raw material is introduced as a gas. Because it is necessary
This is because the material must be a low-melting substance (gas or liquid at normal temperature) that can obtain a sufficient vapor pressure.

【００２７】上記構成８によれば、前記含窒素飽和有機
化合物を、2−アミノオクタヒドロ−1,3,5−トリアジン
（下記化学式（３））、1,3,5−トリメチルヘキサヒド
ロ−1,3,5−トリアジン（下記化学式（２））、又は、
トリメチルアミン（下記化学式（１））とすることによ
って、これらの材料は、分子中のすべての結合（終端の
水素は除く）が交番結合であるので、生成する保護膜中
の交番結合の割合を非常に高くでき、それに伴い、硬度
や化学的・物理的保護能力が向上する。According to the above configuration 8, the nitrogen-containing saturated organic compound is 2-aminooctahydro-1,3,5-triazine (the following chemical formula (3)), 1,3,5-trimethylhexahydro-1 , 3,5-triazine (the following chemical formula (2)), or
By using trimethylamine (the following chemical formula (1)), in these materials, since all the bonds in the molecule (excluding the terminating hydrogen) are alternating bonds, the ratio of the alternating bonds in the generated protective film is extremely low. And the hardness and chemical and physical protection ability are improved accordingly.

【００２８】[0028]

【化１】 Embedded image

【化２】 Embedded image

【化３】 Embedded image

【００２９】[0029]

【発明の実施の形態】以下に、具体的な本発明の実施例
を示す。まず、イオンビーム堆積法による実施例につい
て述べる。実施例１、及び参考例１〜２ 材料ガスとして、1,3,5-トリメチルヘキサヒドロ-1,3,
5,-トリアジンを純水素と純アンモニアの混合ガスによ
って希釈したものを使用した。図１に示すように、同材
料ガス１をイオンビーム生成装置における誘導結合型プ
ラズマ反応器２中に導入しグロー放電を生じさせた。誘
導結合プラズマ反応器本体には石英ガラス管３を用い、
その周囲に銅チューブ製ヘリカルアンテナ（コイル）４
を配し、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加する構造
とした。プラズマ反応器中で生成したイオン及びラジカ
ルを、プラズマ反応器前方に取り付けられたステンレス
製平板グリッド５を透過させ、磁性材料薄膜が堆積され
た磁性膜付き基板６が配置された成膜室７内に導入し
た。成膜室内は高真空排気系によって１０^-4Ｔｏｒｒの
圧力に排気した。平板グリッド５には、ブロッキングコ
ンデンサー８を介して１３．５６ＭＨｚの高周波電力を
印加することによって直流自己バイアスを生じさせた。
この自己バイアスによってプラズマ中のイオンを所望の
運動エネルギーに加速することが可能である。加速され
たイオンはビーム９を形成し、平板グリッド５と等電位
の空間中で電子源１０から供給された電子１１によって
平均空間電荷を中和された後、磁性膜付き基板６に到達
する。また、同グリッド５はプラズマと成膜室７とのア
パーチャーとしての機能を有するので、プラズマ中のラ
ジカルを、同グリッド近傍での運動エネルギーを保存し
た状態で磁性膜付き基板６に到達させることができる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Specific embodiments of the present invention will be described below. First, an embodiment using an ion beam deposition method will be described. Example 1 and Reference Examples 1 and 2 1,3,5-trimethylhexahydro-1,3,
A solution obtained by diluting 5, -triazine with a mixed gas of pure hydrogen and pure ammonia was used. As shown in FIG. 1, the same material gas 1 was introduced into an inductively-coupled plasma reactor 2 in an ion beam generator to generate a glow discharge. A quartz glass tube 3 was used for the inductively coupled plasma reactor body,
A copper tube helical antenna (coil) 4
To apply 13.56 MHz high frequency power. The ions and radicals generated in the plasma reactor are transmitted through a stainless steel flat grid 5 attached in front of the plasma reactor, and are formed in a film forming chamber 7 in which a substrate 6 with a magnetic film on which a magnetic material thin film is deposited is arranged. Was introduced. The film formation chamber was evacuated to a pressure of 10 ^-4 Torr by a high vacuum evacuation system. A DC self-bias was generated by applying a high frequency power of 13.56 MHz to the flat grid 5 via the blocking capacitor 8.
This self-bias makes it possible to accelerate ions in the plasma to a desired kinetic energy. The accelerated ions form a beam 9 and neutralize the average space charge by the electrons 11 supplied from the electron source 10 in a space having the same potential as the flat grid 5, and then reach the substrate 6 with the magnetic film. Further, since the grid 5 has a function as an aperture between the plasma and the film formation chamber 7, radicals in the plasma can reach the substrate 6 with the magnetic film while kinetic energy near the grid is preserved. it can.

【００３０】磁性膜付き基板６としては、直径６３．５
ｍｍのアルミノシリケートガラスを用い、その表面に膜
厚５０ｎｍのＣｒ下地層、膜厚３０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ
Ｔａ磁性層を順次、アルゴン雰囲気中での直流マグネト
ロンスパッタ法によって堆積したものを予め用意した。
上述した図１に示すイオンビーム生成装置によって、基
板上のＣｏＣｒＰｔＴａ磁性層上に、水素化窒化炭素を
堆積した。なお、このとき、基板は浮遊電位とし、温度
は室温とした。The substrate 6 with a magnetic film has a diameter of 63.5.
mm aluminosilicate glass, a 50-nm-thick Cr underlayer on its surface, and a 30-nm-thick CoCrPt
A Ta magnetic layer was sequentially prepared by DC magnetron sputtering in an argon atmosphere.
Carbon oxynitride was deposited on the CoCrPtTa magnetic layer on the substrate by the ion beam generator shown in FIG. 1 described above. At this time, the substrate was set to a floating potential and the temperature was set to room temperature.

【００３１】まず、1,3,5-トリメチルヘキサヒドロ-1,
3,5,トリアジンの分圧比を１％とし、アンモニアの分圧
比を９％とした場合、即ち、1,3,5-トリメチルヘキサヒ
ドロ-1,3,5,トリアジン／（1,3,5-トリメチルヘキサヒ
ドロ-1,3,5,トリアジン＋アンモニア）分圧比を０．１
とし、プラズマ反応器に投入する高周波電力を２０Ｗ、
イオン加速エネルギーを３００ｅＶとして、５ｎｍの膜
厚の非晶質水素化窒化炭素膜を堆積した（実施例１）。
得られた非晶質水素化窒化炭素膜中の窒素組成比：窒素
／（窒素＋炭素）は、Ｘ線光電子分光法による測定で、
６２ａｔ％であった。また、得られた非晶質水素化窒化
炭素膜にＨｅ−Ｎｅレーザーの６３３ｎｍ線を照射して
行ったラマン散乱光スペクトル観測では、１０^-8の量子
収率の検出分解能において、１５５０ｃｍ^-1、１３５０
ｃｍ^-1及び１３３０ｃｍ^-1近傍を中心としたラマン散乱
光ピークは観測されなかった。また、この得られた膜の
構造をＥＳＣＡで測定したところ、図４に示す構造であ
ることが確認された。First, 1,3,5-trimethylhexahydro-1,
When the partial pressure ratio of 3,5, triazine is 1% and the partial pressure ratio of ammonia is 9%, that is, 1,3,5-trimethylhexahydro-1,3,5, triazine / (1,3,5 -Trimethylhexahydro-1,3,5, triazine + ammonia)
And the high-frequency power to be supplied to the plasma reactor is 20 W,
An ion-accelerating energy of 300 eV was used to deposit an amorphous hydrogenated carbon nitride film having a thickness of 5 nm (Example 1).
The nitrogen composition ratio: nitrogen / (nitrogen + carbon) in the obtained amorphous hydrogenated carbon nitride film was measured by X-ray photoelectron spectroscopy.
It was 62 at%. Further, Raman scattered light spectrum observation performed by irradiating the obtained amorphous hydrogenated carbon nitride film with a 633 nm line of a He—Ne laser showed that at a detection resolution of 10 ⁻⁸ quantum yield, 1550 cm ⁻¹ , 1350
Raman scattered light peaks around the vicinity cm ^-1 and 1330 cm ^-1 was observed. When the structure of the obtained film was measured by ESCA, it was confirmed that the film had the structure shown in FIG.

【００３２】同様に、1,3,5-トリメチルヘキサヒドロ-
1,3,5,トリアジンの分圧比を０．５％とし、アンモニア
の分圧比を９．５％とした場合（参考例１）、1,3,5-ト
リメチルヘキサヒドロ-1,3,5,トリアジンの分圧比を９
％とし、アンモニアの分圧比を１％とした場合（参考例
２）、について上記実施例１と同様にして、５ｎｍの膜
厚の非晶質水素化窒化炭素膜を堆積した。得られた非晶
質水素化窒化炭素膜中の窒素組成比：窒素／（窒素＋炭
素）は、Ｘ線光電子分光法による測定で、７５ａｔ％
（参考例１）、２５ａｔ％（参考例２）であった。ま
た、得られた非晶質水素化窒化炭素膜にＨｅ−Ｎｅレー
ザーの６３３ｎｍ線を照射して行ったラマン散乱光スペ
クトル観測では、１０^-8の量子収率の検出分解能におい
て、１５５０ｃｍ^-1、１３５０ｃｍ^-1及び１３３０ｃｍ
^-1近傍を中心としたラマン散乱光ピークは、参考例１で
は観測されず、参考例２では７×１０^-6であった。な
お、これらの膜の構造は、図４に示す構造であることを
ＥＳＣＡで確認した。Similarly, 1,3,5-trimethylhexahydro-
0.5% partial pressure ratio of 1,3,5, triazine and ammonia
When the partial pressure ratio of 9.5% was set to 9.5% (Reference Example 1), 1,3,5-
Increase the partial pressure ratio of trimethylhexahydro-1,3,5, triazine to 9
% And the partial pressure ratio of ammonia is 1% (Reference example)
2) in the same manner as in Example 1 above,
A thick amorphous hydrogenated carbon nitride film was deposited. Amorphous obtained
Composition ratio in high-density hydrogenated carbon nitride film: nitrogen / (nitrogen + charcoal
Element) is 75 at% as measured by X-ray photoelectron spectroscopy.
(Reference Example 1) and 25 at% (Reference Example 2). Ma
He-Ne laser was applied to the obtained amorphous hydrogenated carbon nitride film.
Raman scattering light spectrum
In Kuttle observations, 10^-8In the detection resolution of quantum yield
And 1550cm^-1, 1350cm^-1And 1330cm
^-1The Raman scattered light peak centered on the vicinity is shown in Reference Example 1.
Was not observed, and in Reference Example 2, 7 × 10^-6Met. What
Note that the structure of these films is the structure shown in FIG.
Confirmed by ESCA.

【００３３】上記実施例１及び参考例１〜２で得られた
３試料の非晶質水素化窒化炭素膜に対して、各々磁気記
録の書き込み／読み取り用磁気ヘッドによるコンタクト
・スタート・ストップ（ＣＳＳ）方式の摺動耐久試験を
行った。その結果、窒素組成比が６２ａｔ％の試料（実
施例１）では、１０万回のＣＳＳ繰返し回数を経ても、
ヘッドのクラッシュ或いは、表面の摺動痕の発生は一切
認められず良好であった。一方、窒素組成比が２５ａｔ
％の試料（参考例２）は、通常のＣＳＳ摺動耐久試験と
する５万回のＣＳＳ繰返し回数を経て、ヘッドのクラッ
シュは生じなかったものの、１０万回のＣＳＳ繰返し回
数後で長さ約１ｃｍの微小な摺動痕が生じた。また、窒
素組成比が７５ａｔ％の試料（参考例１）では、通常の
ＣＳＳ摺動耐久試験とする５万回のＣＳＳサイクルでの
ヘッドのクラッシュは生じなかった。以上の試験結果を
表１に示す。The three samples of the amorphous hydrogenated carbon nitride films obtained in Example 1 and Reference Examples 1 and 2 were contact start / stop (CSS) using a magnetic head for writing / reading magnetic recording. ) Type sliding durability test. As a result, in the sample having a nitrogen composition ratio of 62 at% (Example 1), even after 100,000 CSS repetitions,
There was no head crash or any sliding trace on the surface, which was good. On the other hand, when the nitrogen composition ratio is 25 at
% Of the sample (Reference Example 2) did not have a head crash after passing through 50,000 times of CSS repetition as a normal CSS sliding durability test, but after 100,000 times of CSS repetition, the length of the sample was approx. A minute sliding mark of 1 cm was generated. In the sample having a nitrogen composition ratio of 75 at% (Reference Example 1), the head did not crash in 50,000 CSS cycles as a normal CSS sliding durability test. Table 1 shows the test results.

【００３４】実施例２〜４ これらと対比するために1,3,5-トリメチルヘキサヒドロ
-1,3,5,トリアジンの分圧比を０．７％、アンモニアの
分圧比を９．３％とし（実施例２）、また、1,3,5-トリ
メチルヘキサヒドロ-1,3,5,トリアジンの分圧比を８．
５％、アンモニアの分圧比を１．５％とし（実施例
３）、トリメチルアミンの分圧比を１０％、アンモニア
の分圧比を９０％とし（実施例４）て、それぞれ窒素組
成比が７０ａｔ％の試料（実施例２）及び、３０ａｔ％
の試料（実施例３）、４１ａｔ％の試料（実施例４）を
作製した。なお、各非晶質水素化窒化炭素膜の膜厚はい
ずれも５ｎｍとした。これらに対して上述と同様のＣＳ
Ｓ耐久試験を行ったところ、いずれの試料でも１０万回
のＣＳＳ繰返し回数を経ても、ヘッドのクラッシュある
いは、表面の摺動痕の発生は認められなかった。これら
の試験結果を表１に示す。なお、これらの膜構造はＥＳ
ＣＡによって図４に示す構造であることを確認した。 Examples 2 to 4 In comparison with these, 1,3,5-trimethylhexahydro
The partial pressure ratio of -1,3,5, triazine was 0.7%, the partial pressure ratio of ammonia was 9.3% (Example 2), and 1,3,5-trimethylhexahydro-1,3,5 7. The partial pressure ratio of triazine is 8.
When the partial pressure ratio of ammonia was 5%, the partial pressure ratio of ammonia was 1.5% (Example 3), the partial pressure ratio of trimethylamine was 10%, and the partial pressure ratio of ammonia was 90% (Example 4), the nitrogen composition ratio was 70 at%. Sample (Example 2) and 30 at%
(Example 3) and a 41 at% sample (Example 4) were produced. Note that the thickness of each amorphous hydrogenated carbon nitride film was 5 nm. For these, the same CS as above
When an S durability test was performed, no crash of the head or the occurrence of sliding traces on the surface was observed in any of the samples even after 100,000 CSS repetitions. Table 1 shows the test results. Note that these film structures are ES
CA confirmed that the structure was as shown in FIG.

【００３５】[0035]

【表１】 [Table 1]

【００３６】比較例１〜２ 上記と同様のイオンビーム堆積法を用い、材料ガスとし
て従来から使用されているメタンと窒素の混合ガスを用
いて窒素組成比が７ａｔ％の非晶質水素化窒化炭素膜を
試料上に作製し、同様のＣＳＳ方式の耐久試験を行っ
た。材料ガスは、高純度（９９．９５％）メタンガス
と、純窒素ガス（９９．９９９９％）を１０：１に混合
したものを用い、非晶質水素化窒化炭素膜の膜厚は５ｎ
ｍとした（比較例１）。得られた水素化窒化炭素膜にＨ
ｅ−Ｎｅレーザーの６３３ｎｍ線を照射して観測したラ
マン散乱光スペクトルにおいて、検出された１５５０ｃ
ｍ^-1、１３５０ｃｍ^-1及び１３３０ｃｍ^-1近傍を中心と
したラマン散乱光ピークの量子収率は４×１０^-5であっ
た。同試料には５万回のＣＳＳ繰返し回数を経て、ヘッ
ドのクラッシュは生じなかったものの、回転周方向に長
さ約３ｃｍの摺動痕が生じた。COMPARATIVE EXAMPLES 1 AND 2 Using the same ion beam deposition method as described above, using a conventionally used mixed gas of methane and nitrogen as a material gas, an amorphous hydronitridation having a nitrogen composition ratio of 7 at% was performed. A carbon film was formed on a sample, and a similar CSS type durability test was performed. As a material gas, a mixture of high-purity (99.95%) methane gas and pure nitrogen gas (99.9999%) in a ratio of 10: 1 is used, and the thickness of the amorphous hydrogenated carbon nitride film is 5 n.
m (Comparative Example 1). H is added to the obtained hydrogenated carbon nitride film.
In the Raman scattered light spectrum observed by irradiating the 633 nm line of the e-Ne laser, 1550c detected
The quantum yield of the Raman scattered light peak centered around m ^-1 , 1350 cm ^-1 and 1330 cm ^-1 was 4 × 10 ^-5 . After 50,000 CSS repetitions, the head did not crash, but a sliding mark of about 3 cm in length was formed in the circumferential direction of rotation.

【００３７】同様に、材料ガスとしてピリジン（９９．
５％）を気化したものを用いて、同様の成膜手法によっ
て非晶質水素化窒化炭素膜を基板の磁性膜上に５ｎｍの
膜厚に成長させた（比較例２）。得られた膜中の窒素組
成比は１２ａｔ％であり、１５５０ｃｍ^-1、１３５０ｃ
ｍ^-1及び１３３０ｃｍ^-1近傍を中心とした、ラマン散乱
光ピークの量子収率は２×１０^-5であった。同試料のＣ
ＳＳ方式による耐久性では、４万回でヘッドのクラッシ
ュが生じることが示された。これらの試験結果を表２に
示す。なお、これら比較例１〜２の膜構造は、炭素と窒
素とが単結合によって交互に結合した交番結合でないと
考えられる。Similarly, pyridine (99.
(5%) was vaporized and an amorphous hydrogenated carbon nitride film was grown to a thickness of 5 nm on the magnetic film of the substrate by the same film forming method (Comparative Example 2). The nitrogen composition ratio in the obtained film was 12 at%, 1550 cm ⁻¹ , 1350 c
The quantum yield of the Raman scattered light peak centered around m ⁻¹ and 1330 cm ⁻¹ was 2 × 10 ⁻⁵ . C of the same sample
In the durability by the SS method, it was shown that a head crash occurs after 40,000 times. Table 2 shows the test results. It is considered that the film structures of Comparative Examples 1 and 2 are not alternating bonds in which carbon and nitrogen are alternately bonded by a single bond.

【００３８】[0038]

【表２】 [Table 2]

【００３９】実施例５ 成膜法として図２に示すプラズマ化学的気相成長法を用
い、実施例１と同様にして非晶質水素化窒化炭素膜を作
製し、ＣＳＳ耐久試験を行ったところ、同様の結果が得
られた。 Example 5 An amorphous hydrogenated carbon nitride film was formed in the same manner as in Example 1 by using the plasma-enhanced chemical vapor deposition method shown in FIG. 2 as a film forming method, and a CSS durability test was performed. And similar results were obtained.

【００４０】実施例６ 上述の実施例１〜５において、膜厚を１．５ｎｍ〜１
０．０ｎｍに変化させた場合においても、ヘッドのクラ
ッシュや、摺動痕は一切認められなかった。 Embodiment 6 In the above-described embodiments 1 to 5, the film thickness was set to 1.5 nm to 1 nm.
Even when the thickness was changed to 0.0 nm, no crash of the head and no sliding trace were observed.

【００４１】実施例７ 上述の実施例１〜６において作製した非晶質水素化窒化
炭素膜の表面を、波長５１４ｎｍのＡｒレーザ（１００
ｍＷ）で、全面にわたって走査して脱水素処理を行っ
て、非晶質窒化炭素膜を作製し、ＣＳＳ耐久試験を行っ
たところ、同様の結果が得られた。なお、ＥＳＣＡによ
って膜構造が図３に示す構造であることを確認した。 Example 7 The surface of the amorphous hydrogenated carbon nitride film produced in Examples 1 to 6 was coated with an Ar laser (100 nm) having a wavelength of 514 nm.
(mW), a dehydrogenation treatment was performed by scanning over the entire surface to produce an amorphous carbon nitride film, and a CSS durability test was carried out. The same result was obtained. Note that the film structure was confirmed by ESCA to be the structure shown in FIG.

【００４２】以上実施例を挙げて本発明を説明したが、
本発明は上記実施例の範囲に限定されるものではない。The present invention has been described with reference to the embodiments.
The present invention is not limited to the scope of the above embodiment.

【００４３】例えば、本発明における保護膜は、単層と
しても良く、あるいは、同種又は異種の膜からなる多層
構成としても良い。例えば、同種の保護膜として、非晶
質窒化炭素膜と非晶質水素化窒化炭素膜からなる多層構
成としても良い。異種の保護膜としてはＣｒ膜、Ｃｒ合
金膜、カーボン膜、ジルコニア膜、シリカ膜等が挙げら
れる。また、本発明における保護膜には、本発明の効果
を損なわぬ範囲で他の成分（Ｏについては約１０ａｔ％
以下、Ｆ、Ｃｌ、Ｈｅ及びＡｒについては約５ａｔ％以
下、Ｓｉ、Ｂ、Ｗ及びＴｉについては約１０ａｔ％以
下）を含むことができる。For example, the protective film in the present invention may be a single layer, or may have a multilayer structure composed of the same or different films. For example, the same type of protective film may have a multilayer structure including an amorphous carbon nitride film and an amorphous hydrogenated carbon nitride film. Examples of different types of protective films include a Cr film, a Cr alloy film, a carbon film, a zirconia film, and a silica film. In the protective film of the present invention, other components (about 10 at% of O) are included in a range that does not impair the effects of the present invention.
Hereinafter, about 5 at% or less for F, Cl, He and Ar, and about 10 at% or less for Si, B, W and Ti).

【００４４】また、非晶質水素化窒化炭素膜における水
素化の程度は、適量（２〜３０ａｔ％程度）であること
が好ましい。結合の末端に大量の水素を含む場合（水素
終端が過多である場合）、あたかも樹脂のような物性を
示すようになり（ポリマリックな膜になり）、この際炭
素−炭素間は結合しないので膜のバルク（連続的な固体
としての構造）としての体積弾性率や耐摩耗強度は著し
く低下する。水素終端の量を、炭素−炭素結合（特にＳ
Ｐ²結合）や窒素−窒素結合、シアン結合、アジン様、
あるいはアゾール様を増加させない程度に減少させるこ
とで、膜の硬度は結晶Ｃ3Ｎ4に近づけることが可能とな
る。しかがって、脱水素処理をすることによって、さら
に硬度の高い膜を形成することができる。具体的な脱水
素方法としては、不活性ガス中でのアニールや、ハロゲ
ンプラズマ中での暴露、真空中あるいは不活性ガス中で
の紫外線照射なとが使用できる。The degree of hydrogenation in the amorphous hydrogenated carbon nitride film is preferably an appropriate amount (about 2 to 30 at%). When a large amount of hydrogen is contained at the terminal of the bond (when the number of hydrogen-terminated ends is excessive), the resin exhibits physical properties like a resin (a polymer film). The bulk modulus and abrasion resistance of the film as a bulk (structure as a continuous solid) are significantly reduced. The amount of hydrogen termination is determined by the amount of carbon-carbon bond (especially S
P ² bonds) and nitrogen - nitrogen bond, cyan bonds, azine like,
Alternatively, the hardness of the film can be made close to that of the crystal C3N4 by reducing the azole-like state to the extent that it does not increase. Thus, a film having higher hardness can be formed by performing the dehydrogenation treatment. Specific examples of the dehydrogenation method include annealing in an inert gas, exposure in a halogen plasma, and ultraviolet irradiation in a vacuum or an inert gas.

【００４５】さらに、プラズマ化学的気相成長法又はイ
オンビーム堆積法におけるガス圧は、使用する原料ガス
の種類にもよるため一概には言えないが、交番結合構造
を維持したまま結合させ実質的に交番結合からなる保護
膜を形成するためには、いずれの方法においても、ガス
圧は１０^-3Ｔｏｒｒ程度以下とすることが好ましい。Further, the gas pressure in the plasma-enhanced chemical vapor deposition method or the ion beam deposition method cannot be unconditionally determined because it depends on the type of the raw material gas to be used. In order to form a protective film consisting of alternating bonds, the gas pressure is preferably set to about 10 ⁻³ Torr or less in any method.

【００４６】上実施例で使用した基板、下地層、磁性層
の材料等に制限されず公知の材料を使用できる。The materials used for the substrate, the underlayer, the magnetic layer, and the like used in the above embodiments are not limited, and known materials can be used.

【００４７】磁気記録媒体における下地層は、磁性層に
応じて選択できる。下地層としては、例えば、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌなどの非磁性金属か
ら選ばれる少なくとも一種以上の材料からなる下地層等
が挙げられる。Ｃｏを主成分とする磁性層の場合には、
磁気特性向上等の観点からＣｒ単体やＣｒ合金であるこ
とが好ましい。また、下地層は単層とは限らず、同一又
は異種の層を積層した複数層構造とすることもできる。
例えば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、
ＣｒＶ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭ
ｏ、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等の多層下地層等が挙げられる。The underlayer in the magnetic recording medium can be selected according to the magnetic layer. As the underlayer, for example, Cr, M
An underlayer made of at least one or more materials selected from nonmagnetic metals such as o, Ta, Ti, W, V, B, and Al. In the case of a magnetic layer containing Co as a main component,
From the viewpoint of improving the magnetic properties, it is preferable that the material is Cr alone or a Cr alloy. The underlayer is not limited to a single layer, and may have a multilayer structure in which the same or different layers are stacked.
For example, Cr / Cr, Cr / CrMo, Cr / CrV,
CrV / CrV, NiAl / Cr, NiAl / CrM
o, a multi-layer underlayer of NiAl / CrV or the like.

【００４８】磁気記録媒体における磁性層の材料は特に
制限されない。磁性層としては、例えば、Ｃｏを主成分
とするＣｏＰｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣｒ、
ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＮｉＰｔや、ＣｏＮ
ｉＣｒＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、Ｃ
ｏＣｒＰｔＳｉＯなどの磁性薄膜が挙げられる。磁性層
は、磁性膜を非磁性膜（例えば、Ｃｒ、ＣｒＭｏ、Ｃｒ
Ｖなど）で分割してノイズの低減を図った多層構成（例
えば、ＣｏＰｔＣｒ／ＣｒＭｏ／ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣ
ｒＰｔＴａ／ＣｒＭｏ／ＣｏＣｒＰｔＴａなど）として
も良い。磁気抵抗型ヘッド（ＭＲヘッド）又は大型（又
は巨大）磁気抵抗型ヘッド（ＧＭＲヘッド）対応の磁性
層としては、Ｃｏ系合金に、Ｙ、Ｓｉ、希土類元素、Ｈ
ｆ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｚｎから選択される不純物元素、又は
これらの不純物元素の酸化物を含有させたものなども含
まれる。また、磁性層としては、上記の他、フェライト
系、鉄−希土類系や、ＳｉＯ₂、ＢＮなどからなる非磁
性膜中にＦｅ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ、ＣｏＮｉＰｔ等の磁性
粒子が分散された構造のグラニュラーなどであっても良
い。また、磁性層は、面内型、垂直型のいずれの記録形
式であっても良い。The material of the magnetic layer in the magnetic recording medium is not particularly limited. As the magnetic layer, for example, CoPt, CoCr, CoNi, CoNiCr,
CoCrTa, CoPtCr, CoNiPt, CoN
iCrPt, CoNiCrTa, CoCrPtTa, C
A magnetic thin film such as oCrPtSiO may be used. In the magnetic layer, the magnetic film is formed of a non-magnetic film (for example, Cr, CrMo, Cr).
V, etc. to reduce noise (for example, CoPtCr / CrMo / CoPtCr, CoC
rPtTa / CrMo / CoCrPtTa). As a magnetic layer corresponding to a magnetoresistive head (MR head) or a large (or giant) magnetoresistive head (GMR head), Co, Y, Si, rare earth element, H
An impurity element selected from f, Ge, Sn, and Zn, or an element containing an oxide of these impurity elements is also included. As the magnetic layer, in addition to the above, a granular material having a structure in which magnetic particles such as Fe, Co, FeCo, and CoNiPt are dispersed in a nonmagnetic film made of ferrite, iron-rare earth, or SiO ₂ , BN, or the like. And so on. Further, the magnetic layer may be of any of an in-plane type and a vertical type.

【００４９】基板の種類、サイズ、厚さ等は特に制限さ
れない。基板の材質としては、例えば、ガラス基板、ア
ルミ基板、セラミック基板、シリコン基板などがある。
ガラス基板の材質としては、例えば、アルミノシリケー
トガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノ珪酸ガ
ラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケート
ガラス、石英ガラス、チェーンシリケートガラス、又
は、結晶化ガラス等のガラスセラミックなどが挙げられ
る。The type, size, thickness and the like of the substrate are not particularly limited. Examples of the material of the substrate include a glass substrate, an aluminum substrate, a ceramic substrate, and a silicon substrate.
Examples of the material of the glass substrate include aluminosilicate glass, soda lime glass, sodaaluminosilicate glass, aluminoborosilicate glass, borosilicate glass, quartz glass, chain silicate glass, and glass ceramics such as crystallized glass. Can be

【００５０】アルミノシリケートガラスとしては、Ｓｉ
Ｏ₂：５８〜７５重量％、Ａｌ₂Ｏ₃：５〜２３重量％、
Ｌｉ₂Ｏ：３〜１０重量％、Ｎａ₂Ｏ：４〜１３重量％を
主成分として含有する化学強化用ガラス等が好ましい。
このような組成のアルミノシリケートガラス等は、化学
強化することによって、抗折強度が増加し、圧縮応力層
の深さも深く、ヌープ硬度にも優れる。As the aluminosilicate glass, Si
O ₂ : 58 to 75% by weight, Al ₂ O ₃ : 5 to 23% by weight,
Li ₂ O: 3~10 wt%, Na ₂ O: 4~13 chemically strengthening glass containing by weight% as a main component is preferable.
The aluminosilicate glass or the like having such a composition increases the transverse rupture strength by chemical strengthening, has a deep compressive stress layer, and is excellent in Knoop hardness.

【００５１】磁気記録媒体における潤滑層は特に制限さ
れない。潤滑層は、例えば、液体潤滑剤であるパーフロ
ロポリエーテルをフレオン系などの溶媒で希釈し、媒体
表面にディップ法、スピンコート法、スプレイ法によっ
て塗布し、必要に応じ加熱処理を行って形成できる。ま
た、本発明の非晶質水素化窒化炭素膜、非晶質窒化炭素
膜は、ＣＳＳ方式の磁気記録媒体に限らず、ロードアン
ロード（ランプロード）方式の磁気記録媒体の保護層と
しても有用である。The lubricating layer in the magnetic recording medium is not particularly limited. The lubricating layer is formed, for example, by diluting perfluoropolyether, which is a liquid lubricant, with a solvent such as freon, applying the dip method, spin coating method, or spray method on the medium surface, and performing heat treatment as necessary. it can. Further, the amorphous hydrogenated carbon nitride film and the amorphous carbon nitride film of the present invention are useful not only for a CSS type magnetic recording medium but also as a protective layer for a load / unload (ramp load) type magnetic recording medium. It is.

【００５２】[0052]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、非
晶質窒化炭素又は非晶質水素化窒化炭素からなる保護層
が、炭素と窒素とが単結合によって交互に結合した交番
結合によって実質的に構成されているので、より高い硬
度の保護層を実現できるとともに、保護層を薄くした場
合であっても化学的・物理的保護能力が高い保護層を実
現できる。また、本発明の製造方法によれば、含窒素飽
和有機化合物を原料とし、非電子衝突励起機構によって
生じるプラズマを用いた、プラズマ化学的気相成長法又
はイオンビーム堆積法によって形成することによって、
炭素と窒素とが単結合によって交互に結合した交番結合
によって、実質的に構成されている保護層を形成可能と
なる。As described above, according to the present invention, a protective layer made of amorphous carbon nitride or amorphous hydrogenated carbon nitride is formed by an alternating bond in which carbon and nitrogen are alternately bonded by a single bond. Since the protective layer is substantially formed, a protective layer having higher hardness can be realized, and a protective layer having high chemical and physical protection ability can be realized even when the protective layer is thinned. Further, according to the production method of the present invention, using a nitrogen-containing saturated organic compound as a raw material, and using plasma generated by a non-electron collision excitation mechanism, by plasma chemical vapor deposition or ion beam deposition,
The alternating bond in which carbon and nitrogen are alternately bonded by a single bond makes it possible to form a substantially constituted protective layer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】イオンビーム堆積法及びその装置を説明するた
めの模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram for explaining an ion beam deposition method and its apparatus.

【図２】プラズマ化学的気相成長法及びその装置を説明
するための模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram for explaining a plasma chemical vapor deposition method and its apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 材料ガス ２ 誘導結合型プラズマ反応器 ３ 石英ガラス管 ４ ヘリカルアンテナ ５ 平板グリッド ６ 磁性膜付き基板 ７ 成膜室 ８ ブロッキングコンデンサー ９ ビーム １０ 電子源 １１ 電子 REFERENCE SIGNS LIST 1 Material gas 2 Inductively coupled plasma reactor 3 Quartz glass tube 4 Helical antenna 5 Flat grid 6 Substrate with magnetic film 7 Film formation chamber 8 Blocking condenser 9 Beam 10 Electron source 11 Electron

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────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成１１年５月２５日（１９９９．５．２
５）[Submission date] May 25, 1999 (1999.5.2
5)

【手続補正１】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】図面の簡単な説明[Correction target item name] Brief description of drawings

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】イオンビーム堆積法及びその装置を説明するた
めの模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram for explaining an ion beam deposition method and its apparatus.

【図２】プラズマ化学的気相成長法及びその装置を説明
するための模式図である。 FIG. 2 is a schematic diagram for explaining a plasma chemical vapor deposition method and its apparatus.

【図３】本発明における非晶質窒化炭素の結合状態（構FIG. 3 shows the bonding state (structure) of amorphous carbon nitride in the present invention.
造）を説明するための図である。FIG.

【図４】本発明における非晶質水素化窒化炭素の結合状FIG. 4 shows a bonded state of amorphous hydrogenated carbon nitride in the present invention.
態（構造）を説明するための図である。It is a figure for explaining a state (structure).

【符号の説明】 １ 材料ガス ２ 誘導結合型プラズマ反応器 ３ 石英ガラス管 ４ ヘリカルアンテナ ５ 平板グリッド ６ 磁性膜付き基板 ７ 成膜室 ８ ブロッキングコンデンサー ９ ビーム １０ 電子源 １１ 電子[Description of Signs] 1 Material gas 2 Inductively coupled plasma reactor 3 Quartz glass tube 4 Helical antenna 5 Flat grid 6 Substrate with magnetic film 7 Film formation chamber 8 Blocking condenser 9 Beam 10 Electron source 11 Electron

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基板上に少なくとも磁性層と、保護層と
を有する磁気記録媒体において、 前記保護層は、炭素と窒素とが単結合によって交互に結
合した交番結合によって実質的に構成されている非晶質
窒化炭素又は非晶質水素化窒化炭素からなることを特徴
とする磁気記録媒体。1. A magnetic recording medium having at least a magnetic layer and a protective layer on a substrate, wherein the protective layer is substantially constituted by an alternating bond in which carbon and nitrogen are alternately bonded by a single bond. A magnetic recording medium comprising amorphous carbon nitride or amorphous hydrogenated carbon nitride. 【請求項２】 前記非晶質窒化炭素又は非晶質水素化窒
化炭素が、そのラマン散乱光スペクトルにおいて、波長
が６００〜９５０ｎｍの入射光を用いた場合、１５５０
ｃｍ^-1、１３５０ｃｍ^-1及び１３３０ｃｍ^-1近傍を中心
とした、ラマン散乱光ピークの量子収率が１０^-5以下で
あることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。2. When the amorphous carbon nitride or amorphous carbon oxynitride uses incident light having a wavelength of 600 to 950 nm in its Raman scattering light spectrum,
cm ^-1, around the vicinity of 1350 cm ^-1 and 1330 cm ^-1, a magnetic recording medium according to claim 1, wherein the quantum yield of the Raman scattered light peaks is equal to or is less than 10 ^-5. 【請求項３】 前記保護層は、窒素組成比（窒素／（窒
素＋炭素））が３０〜７０ａｔ％である非晶質窒化炭素
又は非晶質水素化窒化炭素であることを特徴とする請求
項１又は２記載の磁気記録媒体。3. The protective layer is made of amorphous carbon nitride or amorphous hydrogenated carbon nitride having a nitrogen composition ratio (nitrogen / (nitrogen + carbon)) of 30 to 70 at%. Item 3. The magnetic recording medium according to Item 1 or 2. 【請求項４】 前記保護層の膜厚が、０．５〜１０．０
ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか
一項に記載の磁気記録媒体。4. The protective layer has a thickness of 0.5 to 10.0.
The magnetic recording medium according to any one of claims 1 to 3, wherein the thickness is in nm. 【請求項５】 基板上に少なくとも磁性層と、保護層と
を有する磁気記録媒体の製造方法において、前記保護層
を、含窒素飽和有機化合物を原料とし、非電子衝突励起
機構によって生じるプラズマを用いた、プラズマ化学的
気相成長法又はイオンビーム堆積法によって形成するこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。5. A method for manufacturing a magnetic recording medium having at least a magnetic layer and a protective layer on a substrate, wherein the protective layer is formed by using a nitrogen-containing saturated organic compound as a raw material and plasma generated by a non-electron collision excitation mechanism. A method for manufacturing a magnetic recording medium, wherein the method is performed by a plasma chemical vapor deposition method or an ion beam deposition method. 【請求項６】 前記含窒素飽和有機化合物は、その分子
中に、炭素と窒素とが単結合によって交互に結合した交
番結合構造を有することを特徴とする請求項５記載の磁
気記録媒体の製造方法。6. The production of a magnetic recording medium according to claim 5, wherein said nitrogen-containing saturated organic compound has an alternating bond structure in which carbon and nitrogen are alternately bonded by a single bond in a molecule thereof. Method. 【請求項７】 前記含窒素飽和有機化合物は、その融点
が−１００〜５０℃の範囲の値であることを特徴とする
請求項５又は６記載の磁気記録媒体の製造方法。7. The method for producing a magnetic recording medium according to claim 5, wherein the nitrogen-containing saturated organic compound has a melting point in a range of −100 to 50 ° C. 【請求項８】 前記含窒素飽和有機化合物は、2−アミ
ノオクタヒドロ−1,3,5−トリアジン、1,3,5−トリメチ
ルヘキサヒドロ−1,3,5−トリアジン、トリメチルアミ
ンから選ばれた材料からなることを特徴とする請求項５
乃至７のいずれか一項に記載の磁気記録媒体の製造方
法。8. The nitrogen-containing saturated organic compound is selected from 2-aminooctahydro-1,3,5-triazine, 1,3,5-trimethylhexahydro-1,3,5-triazine and trimethylamine. 6. A material comprising a material.
8. The method for manufacturing a magnetic recording medium according to any one of claims 1 to 7.