JP2000284195A - ビーム光偏向走査装置 - Google Patents
ビーム光偏向走査装置Info
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Abstract
ームの光量が等しくなるように補正可能なビーム光偏向
走査装置を提供すること。 【解決手段】 ビーム光偏向走査装置100の光量補正
回路200は、半導体レーザ素子に所定の電圧を印加し
てビーム光を発光させ、そのビーム光をビーム検出セン
サ9が検出した時から、ビーム検出センサ9の出力電圧
が所定レベルに復帰するまでの復帰時間を検出し、その
復帰時間に基づき半導体レーザ素子のビーム光の光量を
補正する。
Description
に用いられるビーム光偏向走査装置に関する。
ビーム光を主走査方向に走査しながら感光体上に静電潜
像を書き込み、そしてこの静電潜像を現像して可視像と
して記録再現する電子写真記録装置がある。この記録装
置を搭載した商品として、デジタル複写機、レーザプリ
ンタ、レーザファクシミリなどがある。
化が望まれ、記録装置としても、電子写真プロセスの速
度アップなど開発が進められている。中でも電子写真プ
ロセスの感光体ドラム上に変調されたビーム光を露光走
査するレーザ走査装置においては、偏向装置である回転
多面鏡の回転速度をアップさせたり、回転多面鏡のミラ
ー面数を増やしたりして対応している。
プさせるとなると、大型のミラーモータが必要となり、
記録装置が大型になって、商品をコンパクトにしようと
するには無理がある。また、ミラーモータからの発熱量
が大きくなって、内部周辺装置などにも熱による影響を
及ぼすこととなる。さらに、回転多面鏡の風きり音がお
おきくなって、静かなオフィス環境の中では騒音の問題
となっていたる。
増やして、回転多面鏡1面により一度に走査されるビー
ム光の数を少なくとも2本としたレーザ偏向走査装置
が、開発され搭載されている。
するとなると、各レーザ素子から照射されるビーム光の
光量にばらつきが生じるといった新たな問題が発生す
る。通常、半導体レーザ素子自身が出力補正回路を搭載
しており、所定の電流により一定光量のレーザ光が照射
されるようになっているが、半導体レーザ素子には、そ
れぞれの素子(部品)の特性(光量)にばらつきがあ
る。また、実際に半導体レーザ素子から照射されたビー
ム光をレーザ走査光学装置により走査した場合、光学部
品の歪みなどにより、実際に感光体に照射される光量に
ばらつきがある。
される光景にばらつきが生じると、感光体上に記録再現
される記録画像の微妙な濃度変化が忠実に記録再現でき
ないこととなり、中間調(写真)画像など、滑らかな階
調(濃度変化)を有する画像の再現性に支障がでる。
れるそれぞれのビーム光を単一の光センサにより検出し
て、複数の半導体レーザ素子から照射されるビーム光の
光量が等しくなるように補正している。実際には、新た
な光量補正の為のセンサを設けるとコストアップにつな
がるので、感光体の一端部から走査開始されるビーム光
の記録開始位置を揃えるために設けられた同期センサ
(ビーム検出センサ)を用いて各半導体レーザ素子から
照射されるビーム光の光量を補正している。
しては、特開平9−230259号公報、特開平10−
52939号公報、特開平10−206763号公報、
特開平10−209545号公報などがある。上記の各
公報に記載されているように、従来より複数のビーム光
を単一の光センサにより検出して、各半導体レーザ素子
から照射されるビーム光の光量が等しくなるように補正
することが行われている。
も補正回路の構成が複雑であり、ビーム光偏向走査装置
を搭載した複写機等の装置価格を高騰させる原因とな
り、より簡単な回路構成で確実に補正できる構成のビー
ム光偏向走査装置が望まれていた。
されたものであって、簡単な構成により、各素子から照
射されるビームの光量が等しくなるように補正可能なビ
ーム光偏向走査装置の提供を目的としている。
達成するため、次の構成を有する。請求項1の発明は、
複数のレーザ光源を有し、各レーザ光源よりビーム光を
照射するビーム光発生手段と、前記ビーム光発生手段か
ら発生する複数のビーム光を偏向走査する偏向走査手段
と、前記偏向走査手段により偏向走査される複数のビー
ム光を検出して光量に応じた電気信号を出力するビーム
光検出手段と、各ビーム光の光量が一致するように各レ
ーザ光源の駆動電圧を補正する光量補正手段とを備えた
ビーム光偏向走査装置において、前記光量補正手段は、
レーザ光源に所定電圧を印加してビーム光を発光させ、
該ビーム光を前記ビーム光検出手段が検出した時から該
ビーム光検出手段の出力電圧が所定レベルに復帰するま
での復帰時間を検出し、該復帰時間に基づきビーム光の
光量を補正することを特徴とするビーム光偏向走査装置
である。
前回の光量補正にて決定した駆動電圧をレーザ光源に印
加して、ビーム光の光量補正を行うことを特徴とする請
求項1記載のビーム光偏向走査装置である。
におけるレーザ光源は、ビーム光検出手段において先に
発光したレーザ光源による出力電圧が所定レベルに復帰
する電圧復帰タイミングと、次に発光するレーザ光源の
受光タイミングとが重ならないように、照射開始タイミ
ングが設定されていることを特徴とする請求項1記載の
ビーム光偏向走査装置である。
転多面鏡を有しており、前記光量補正手段は、先に発光
した第1のレーザ光源から照射されたビーム光をによる
復帰時間を検出中に第2のレーザ光源の発光時間がきた
場合には、第2のレーザ光源の発光を一旦禁止するとと
もに前記回転多面鏡の別のミラー面による照射タイミン
グで第2のレーザ光源を発光させることを特徴とする請
求項1記載のビーム光偏向走査装置である。
先に検出するビーム光の復帰時間が所定時間を超える場
合は、復帰完了と見なす出力電圧レベルを調整すること
を特徴とする請求項1記載のビーム光偏向走査装置であ
る。
転多面鏡を有しており、前記光量補正手段は、レーザ光
源の復帰時間を回転多面鏡の各ミラー面毎に測定した各
復帰時間の平均復帰時間に基づいてビーム光の光量を補
正することを特徴とする請求項1記載のビーム光偏向走
査装置である。
段は、各ビーム光の光量差をビーム光検出手段における
ビーム光検出時の出力電圧から所定出力電圧レベルに復
帰するまでの時間差から検出する。したがって、ビーム
光検出時の出力電圧を厳密に検出する等を行う必要がな
くなるなど光量差を求める回路構成が簡単となり、簡単
な回路構成で、複数の半導体レーザ素子から出力される
光量がほぼ同等となるよう確実に調整できる。従って、
光量がほぼ同等となるように光量補正した複数の半導体
レーザ素子によって感光体上に記録画像を形成するの
で、微妙な濃度変化も忠実に記録再現でき、中間調(写
真)画像など、滑らかな階調(濃度変化)を有する画像
を適切に再現でき、商品価値の高い複写が可能となる。
前回の光量補正電圧を用いて、今回の光量補正処理を行
うことで、目的とするビーム光量にある程度近い状態か
らビーム光の光量補正がスタートすることとなり、短時
間で調整することができる。
第1のレーザ光源から照射された光を受光して復帰時間
検出中に、次に発光されるの第2のレーザ光源からの照
射光を受光することがなくなり、正確な電圧復帰時間の
測定(計測)ができる。
第1のレーザ光源から照射された光の復帰時間検出中
に、次の第2のレーザ光源から照射された光を受光する
ことを確実に回避し、正確な電圧復帰時間の検出ができ
る。
す出力電圧レベルを調整することで、短時間の復帰時間
により光量検出できるので、先に発光する第1のレーザ
光源から照射された光を受光して電圧が復帰完了とみな
す出力電圧に達する前に、次に発光する第2のレーザ光
源から照射された光を受光することを回避でき、正確な
電圧復帰時間の検出が可能となる。
り偏向走査されるレーザ光源から照射された光が、ミラ
ー面の特性に左右される事なく安定した状態で偏向走査
されることとなり、ミラー面による復帰時間のバラツキ
を回避できる。
施形態を詳細に説明する。図1は、少なくとも2つの半
導体レーザ素子1、2を搭載したレーザ光偏向走査装置
100の一部断面で示した作用的説明図である。このレ
ーザ光偏向走査装置100は、フレーム構造体FLの中
に複数の各種走査光学部品が所定の位置関係で位置決め
支持されたものである。第1の半導体レーザ素子1と第
2の半導体レーザ素子2から出力された互いに異なる方
向性のレーザ光Lは、ビームスプリッタ3により単一方
向性のビーム光Lとして偏向され、シリンドリカルレン
ズ4を介して偏向装置である回転多面鏡5のミラー面へ
と導かれる。
偏向走査されたレーザ光Lは、第1のレンズ6aと第2
のレンズ6bとからなる走査レンズ系を経た後、折り返
しミラー7により感光体(感光体表面を図中、一点鎖線
にて示す)10上へと折り返される。これにて、画像デ
ータにより変調されたレーザ光でもって感光体10上に
静電潜像が記録される。
り等角速度でもって偏向走査されたレーザ光を、感光体
10上で等速度走査となるよう変換するための、第1と
第2のレンズ6a、6b構成からなるfθレンズであ
る。
始側において、レーザ光をミラー8により折り返して走
査開始タイミングを検出するビーム検出センサ(「BD
センサ」と略記する場合がある)9に導いている。これ
は、感光体10上に偏向走査されるビーム光の感光体上
での走査開始位置を揃えるために必要なものであって、
ビーム検出センサ9が偏向走査されるビーム光を検出し
てから所定のタイミングで画像データに応じて変調記録
を開始する。
体レーザ素子1の光源と第2の半導体レーザ素子2の光
源の光量に違いがあると、感光体上を偏向走査して潜像
を記録した場合に画像の濃度差として現れてしまい、特
に階調性のある画像を忠実に濃度表現することができな
い。
素子1と第2の半導体レーザ素子2の各光源光量をほぼ
同等のものとして画像の書き込みが行なえるように、光
量を補正するために搭載されている光量補正回路200
をブロック図にて示す。第1の半導体レーザ素子1は第
1のLDドライバ(駆動回路)11に、第2の半導体レ
ーザ素子2は、第2のLDドライバ(駆動回路)12に
よりそれぞれ駆動されており、所定の駆動電流が各半導
体レーザ素子1、2に供給され、半導体レーザ素子1、
2が発光する。
ドライバ2は、各半導体レーザ素子及びビーム光検出手
段であるビーム検出センサ9の精度ムラを考慮した最小
限の出力補償レベルの電圧駆動回路である。すなわち、
各部品のばらつきを考慮した最小限の出力補償レベルの
光量でもって調整を行うことで、複数の半導体レーザ素
子の光量ばらつきを確実に補正することができる。
5の制御下、D/Aコンバータ18、19を介して第1
の第2のLDドライバ11、12に所定の補正用印加電
圧が順次印加され、これにて第1、第2の半導体レーザ
素子1、2が順次発光し、照射された光がビーム検出セ
ンサ9により検出(受光)されると、ビーム検出センサ
9からの出力信号A(電圧)に変化が生じる。この出力
信号Aをコンパレータ(オペアンプ)13の入力端子に
入力し、所定電圧(Vcc)の信号C(閾レベル)でも
って出力信号波形の整形をおこなうことにより、整形波
形信号Bが得られる。
る信号Aの状態とそれに伴って出力される整形波形信号
Bのタイムチャートを示している。図3(a)は、ビー
ム検出センサ9から出力されている出力信号A(電圧)
の状態変化を示たものであり、ビーム光受光前の出力信
号Aは一定レベルにあり、半導体レーザ素子1からのビ
ーム光受光(D点)に伴って電圧降下D1が生じ、その
後時間の経過とともに初期電圧に戻り、次に半導体レー
ザ素子2からのビーム光を受光し(E点)、その受光量
に比例した電圧降下E1が生じた後、所定時間の経過に
より初期電圧に戻る状態を示している。
ーザ素子1、2からの光量の違いにより電圧降下レベル
に差が生じ、この光量の違いが電圧降下から初期電圧に
復帰するまでの時間の違いとして現れてくる。そこで、
電圧降下の開始から所定の閾値電圧Cに復帰するまでの
復帰時間を図3(b)に示す。
下となってる状態をオン、閾値電圧C以上となっている
状態をオフとする整形波形信号Bとして示しており、半
導体レーザ素子1からのビーム光受光の場合には復帰時
間がTaで、半導体レーザ素子2からのビーム光受光の
場合には復帰時間がTbとなる。
び第2の各半導体レーザ素子1、2を発光させて各ビー
ム光を検出し、電圧が低下して、所定電圧に復帰するま
での時間をそれぞれ計測し、両復帰時間が同じとなるよ
うに、第1の半導体レーザ素子1と第2の半導体レーザ
素子2の光量を補正する。つまり、第1の半導体レーザ
素子1の光量を基準として第2の半導体レーザ素子2の
光量を補正する場合は、第1の半導体レーザ素子1の波
形整形された信号Bの長さ(Ta)をカウンタ14(カ
ウンタには図示しないラインで基準クロックが入力され
ている)により計数しておき、第2の半導体レーザ素子
2から照射されたビーム光を検出したときの波形整形さ
れた信号Bの長さ(Tb)がTaと同等となるように、
第2の半導体レーザ素子2の駆動を担う第2のLDドラ
イバ12をフイードバック制御する。このときの流れと
しては、カウンタ14にてカウントされた各半導体レー
ザ素子1、2から照射された光量による波形整形された
信号Bの情報をCPU15に入力して処理する。
正量を含む信号(デジタル)を調整する側の半導体レー
ザのD/Aコンバータ、ここでは第2の半導体レーザ素
子2のD/Aコンバータ19に出力して、このときの信
号をアナログ変換して調整すべき光量となるよう補正電
圧を第2のLDドライバ12へと出力する。
補正済電圧に応じた電流を第2の半導体レーザ素子2に
供給する。これにて、第1の半導体レーザ素子1と照射
量が同等となる。ここで、第1の半導体レーザ素子1
は、第1のLDドライバ1に供給される基準電圧にて駆
動されている。
半導体レーザ素子1の光量を基準に第2の半導体レーザ
素子2の光量を同等となるように調整するとしたが、こ
の場合、基準となる第1の半導体レーザ素子1の光量決
定が重要であり、第2の半導体レーザ素子2との光量調
整に先駆けて実施する必要がある。よって、複数の半導
体レーザ素子間で互いの光量を補正するのに用いる、基
準となる半導体レーザ素子、ここでは第1の半導体レー
ザ素子1の光量設定(基準電圧の設定)について、以下
に説明する。
光体10上に所定のパターン画像を記録再現し、これを
光センサにて読み取り、所定の濃度の画像が記録再現で
きるように半導体レーザ素子の光量を補正する。ここで
は、CPU15はパターン画像形成部21を用いて、例
えば図4に示すような、それぞれ濃度の異なる5つのパ
ターン画像を感光体上に記録再現する。そして、この記
録再現した各パターン画像を感光体10上の画像濃度を
読み取る濃度センサ20で各々読み取り、保有するデー
タファイル内のテーブルと参照して、読み取った各パタ
ーン画像の濃度が、予め設定されている所定濃度と一致
しているかを判別し、違っている場合は、所定の濃度
(濃度検出信号)が得られるようになるまで、第1のL
Dドライバ11に供給する基準電圧を制御(増減)しな
がら調整する。
うになれば、基準データとしてこのときの情報をRAM
16に記憶管理させておく。そして、このようにして得
られた基準データとして記憶管理されている基準電圧を
第1のLDドライバ11に供給して、この基準電圧で駆
動した第1の半導体レーザ素子1の光量を基に、補正対
象の第2の半導体レーザ素子2には補正前の所定の電圧
を供給し、このときの光量の違いを上述した方法で検出
して、光量差を補正することで光量のばらつきを抑える
(同等にする)。
ザ素子2側の供給電圧も第2の半導体レーザ素子の基準
電圧データとしてRAM16に記憶管理させておく。こ
れにより、次回以降、半導体レーザ素子の光量補正が必
要となったときは、基準電圧データとして記憶管理され
ている電圧を用いて調整を行ない、できるだけ調整の時
間を短くするようになっている。なお、ROM17に
は、このような光量補正等の制御プログラムが格納され
ている。
概略したフローチャートにて示す。ステップ(以下、
「S」と略記する)lでは、第1の半導体レーザ素子1
にて上記したパターン画像を形成し、S2においてパタ
ーン濃度が設定通りか確認し、違う場合は、所定濃度と
なるように、第1の半導体レーザ素子1の光量を調整す
る(S3)。第1の半導体レーザ素子1の光量調整がO
Kとなると、このときの供給電圧を基準データとしてR
AM16に保存する(S4)。次に、補正対象となる第
2の半導体レーザ素子2の光量を、第1の半導体レーザ
素子1の光量に合わすべく、第1及び第2の半導体レー
ザ素子1、2を点灯して、上記のビーム検出センサ9に
て光量検出を行い、前述した復帰時間を比べて、両方の
光量が等しいかどうかを確認する(S6)。ここで、両
方の光量が異なる場合は、S7に進み、S6にて第2の
半導体レーザ素子2の光量と第1の半導体レーザ素子の
光量が等しいとなるまで、つまり、復帰時間が等しくな
るまで補正用電圧を調整して補正をかける。その後、S
6にてOK(Yes)と判断されると、このときの第2
の半導体レーザ素子2の供給電圧も基準データとしRA
M16に保存する(S8)。
きい場合や、第1の半導体レーザ素子1と第2の半導体
レーザ素子2との照射開始位置が近い場合などには、第
1の半導体レーザ素子1の復帰タイミングに、第2の半
導体レーザ素子2の発光タイミングが一部オーバーラッ
プしてしまい、復帰時間を正確に検出できなくなり、結
果として光量の補正ができなくなる場合がある。より具
体的に、図6を参照して説明する。
から出力される信号Aの状態とそれに伴って出力される
整形波形信号Bのタイムチャートであって、第1の半導
体レーザ素子1と第2の半導体レーザ素子2との照射開
始位置が近い場合を示している。図6(a)は、ビーム
検出センサ9から出力されている出力信号A(電圧)の
状態変化を示たものであり、ビーム光受光前の出力信号
Aは一定レベルにあり、半導体レーザ素子1からのビー
ム光受光(F点)に伴って電圧降下F1が生じ、その後
時間の経過とともに初期電圧方向に回復するが、その回
復途中で半導体レーザ素子2からビーム光を受光し(G
点)、その受光量に比例した電圧降下F1が再度生じた
後、所定時間の経過により初期電圧に戻る状態を示して
いる。従って、図6(a)の場合には、G点において信
号Aが閾値電圧Cに到達していないために半導体レーザ
素子1のビーム光による復帰時間Taは正確なものとな
らない(図6(b)参照)。
Dセンサ9の部品特性から考えて、BDセンサ9からの
出力電圧の復帰時間を考慮したタイミングで第2の半導
体レーザ素子2を点灯させて光量の補正を行なっている
が、部品精度のばらつき、ユニット(レーザ走査ユニッ
ト)組み立て時のばらつきなどにより想定していた範囲
から外れ、第1の半導体レーザ素子1の復帰タイミング
に、第2の半導体レーザ素子2の発光タイミングがかか
ることも考えられる。
(a)に示すように、閾値レベルをCからC2に下げて
復帰時間を測定可能に調整することで、正確な半導体レ
ーザ素子の光量の補正が可能となる。
場合には、照射された光を受光した電圧の復帰時間が長
くなり、第2の半導体の照射タイミングとオーバラップ
することとなるので、第1の半導体レーザ素子1の復帰
時間が所定時間を超える場合は、復帰完了と見なす閾値
電圧Cを調整する。これにより、先に発光する第1の半
導体レーザ素子から照射された光を受光して電圧が復帰
しているときに次に発光する第2の半導体レーザ素子2
から照射された光を受光することもなくなり、正確な電
圧復帰時間の検出ができる。
を変更可能とする光量制御回路を示す。図7に示す光量
制御回路は、図2に示した光量制御回路100のコンパ
レータ13の信号Cの入力端子に一端を接続し、他端を
接地した抵抗を可変抵抗器Rにしたものである。そして
可変抵抗器Rの抵抗値がCPU15からの指示により変
更可能となっており、CPU15からの閾値調整信号が
出力されると、この信号が閾値レベルを作成する分圧抵
抗である可変抵抗器Rに入り、可変抵抗器Rを可変する
ようになっている。尚、その他の構成は図2と同一であ
るので説明を省略する。
光量制御回路100のコンパレータ13の信号Cの入力
端子とCPU15との間にD/Aコンバータ22を設け
たものである。図8の回路では、CPU15がD/Aコ
ンバータ22を介して閾値レベルを直接コンパレータ1
3に入力することにより閾値レベルを変更する。
は、このような問題が起こると制御回路が判断した時点
で、第2の半導体レーザ素子2の発光タイミングをずら
して、回転多面鏡5のミラー面を第1の半導体レーザ素
子1のレーザ光と第2の半導体レーザ素子2のレーザ光
毎に分けて、第1のミラー面と第2のミラー面により第
1の半導体レーザ素子1と第2の半導体レーザ素子2の
光量をそれぞれ検出するようにすることによっても回避
できる。
ャートである。ここでは、回転多面鏡5が有する各ミラ
ー面における鏡面精度のばらつきを考慮したものであ
る。まず、図5と同様のS1〜S4の処理を行う。そし
て、S5Aで第1の半導体レーザ素子1のビーム光の復
帰時間を回転多面鏡5の各ミラー面毎に全ミラーについ
て検出し、更にそれらを平均化して平均復帰時間を得
て、続いてS5Bで同様に第2の半導体レーザ素子2の
平均復帰時間を得る。こうして得た第1の半導体レーザ
素子1と第2の半導体レーザ素子2の平均復帰時間を基
にS6Aで平均の光量差を求め、S7で第2の半導体レ
ーザ素子2の光量を調整する。その後、S6Aにて平均
光量が同量と判断されると、このときの第2の半導体レ
ーザ素子2の供給電圧も基準データとしRAM16に保
存する(S8)。以上説明した処理により、回転多面鏡
5のミラー面のばらつきに左右されることなく各面にお
いて安定した画像の走査記録を行なうことができる。
れば、光量補正手段は、各ビーム光の光量差をビーム光
検出手段におけるビーム光検出時の出力電圧から所定出
力電圧レベルに復帰するまでの時間差から検出する。し
たがって、ビーム光検出時の出力電圧を厳密に検出する
等を行う必要がなくなるなど光量差を求める回路構成が
簡単となり、簡単な回路構成で、複数の半導体レーザ素
子から出力される光量がほぼ同等となるよう確実に調整
できる。従って、光量がほぼ同等となるように光量補正
した複数の半導体レーザ素子によって感光体上に記録画
像を形成するので、微妙な濃度変化も忠実に記録再現で
き、中間調(写真)画像など、滑らかな階調(濃度変
化)を有する画像を適切に再現でき、商品価値の高い複
写が可能となる。
前回の光量補正電圧を用いて、今回の光量補正処理を行
うことで、目的とするビーム光量にある程度近い状態か
らビーム光の光量補正がスタートすることとなり、短時
間で調整することができる。
第1のレーザ光源から照射された光を受光して復帰時間
検出中に、次に発光されるの第2のレーザ光源からの照
射光を受光することがなくなり、正確な電圧復帰時間の
測定(計測)ができる。
第1のレーザ光源から照射された光の復帰時間検出中
に、次の第2のレーザ光源から照射された光を受光する
ことを確実に回避し、正確な電圧復帰時間の検出ができ
る。
す出力電圧レベルを調整することで、短時間の復帰時間
により光量検出できるので、先に発光する第1のレーザ
光源から照射された光を受光して電圧が復帰完了とみな
す出力電圧に達する前に、次に発光する第2のレーザ光
源から照射された光を受光することを回避でき、正確な
電圧復帰時間の検出が可能となる。
り偏向走査されるレーザ光源から照射された光が、ミラ
ー面の特性に左右される事なく安定した状態で偏向走査
されることとなり、ミラー面による復帰時間のバラツキ
を回避できる。
の一部断面で示した作用的説明図である。
の光量補正回のブロック図である。
力信号Aとその整形波形Bのタイムチャートである。
に形成されたパターン画像である。
の光量補正処理のフローチャートである。
サの出力信号Aとその整形波形Bのタイムチャートであ
る。
の光量補正回のブロック図である。
の光量補正回のブロック図である。
走査装置の光量補正処理のフローチャートである。
Claims (6)
- 【請求項1】 複数のレーザ光源を有し、各レーザ光源
よりビーム光を照射するビーム光発生手段と、前記ビー
ム光発生手段から発生する複数のビーム光を偏向走査す
る偏向走査手段と、前記偏向走査手段により偏向走査さ
れる複数のビーム光を検出して光量に応じた電気信号を
出力するビーム光検出手段と、各ビーム光の光量が一致
するように各レーザ光源の駆動電圧を補正する光量補正
手段とを備えたビーム光偏向走査装置において、 前記光量補正手段は、レーザ光源に所定電圧を印加して
ビーム光を発光させ、該ビーム光を前記ビーム光検出手
段が検出した時から該ビーム光検出手段の出力電圧が所
定レベルに復帰するまでの復帰時間を検出し、該復帰時
間に基づきビーム光の光量を補正することを特徴とする
ビーム光偏向走査装置。 - 【請求項2】 前記光量補正手段は、前回の光量補正に
て決定した駆動電圧をレーザ光源に印加して、ビーム光
の光量補正を行うことを特徴とする請求項1記載のビー
ム光偏向走査装置。 - 【請求項3】 前記ビーム光発生手段におけるレーザ光
源は、ビーム光検出手段において先に発光したレーザ光
源による出力電圧が所定レベルに復帰する電圧復帰タイ
ミングと、次に発光するレーザ光源の受光タイミングと
が重ならないように、照射開始タイミングが設定されて
いることを特徴とする請求項1記載のビーム光偏向走査
装置。 - 【請求項4】 前記偏向走査手段が回転多面鏡を有して
おり、 前記光量補正手段は、先に発光した第1のレーザ光源か
ら照射されたビーム光をによる復帰時間を検出中に第2
のレーザ光源の発光時間がきた場合には、第2のレーザ
光源の発光を一旦禁止するとともに前記回転多面鏡の別
のミラー面による照射タイミングで第2のレーザ光源を
発光させることを特徴とする請求項1記載のビーム光偏
向走査装置。 - 【請求項5】 前記光量補正手段は、先に検出するビー
ム光の復帰時間が所定時間を超える場合は、復帰完了と
見なす出力電圧レベルを調整することを特徴とする請求
項1記載のビーム光偏向走査装置。 - 【請求項6】 前記偏向走査手段が回転多面鏡を有して
おり、 前記光量補正手段は、レーザ光源の復帰時間を回転多面
鏡の各ミラー面毎に測定した各復帰時間の平均復帰時間
に基づいてビーム光の光量を補正することを特徴とする
請求項1記載のビーム光偏向走査装置。
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