JP2000277796A - フォトセンサ及びその製造方法 - Google Patents

フォトセンサ及びその製造方法

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JP2000277796A
JP2000277796A JP8061099A JP8061099A JP2000277796A JP 2000277796 A JP2000277796 A JP 2000277796A JP 8061099 A JP8061099 A JP 8061099A JP 8061099 A JP8061099 A JP 8061099A JP 2000277796 A JP2000277796 A JP 2000277796A
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light emitting
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Megumi Horiuchi
恵 堀内
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Citizen Electronics Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 測定対象物がごく接近した位置にあっても、
発光素子から投光される光が封止樹脂の表面で全反射す
ることのないフォトセンサを提供する。 【解決手段】 1対の発光素子及び受光素子と、その外
側に形成され、光路となる開口部を設けた遮蔽壁とを有
するフォトセンサにおいて、発光素子と受光素子との外
周に透光性の樹脂によるコーティングを施し、遮蔽壁の
内部を中空部とし、該中空部に空気が充満していること
を特徴とするフォトセンサによって解決し、このフォト
センサを集合基板上に多数個配置して形成した後、ダイ
シングして個々のフォトセンサを製造する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトセンサ及び
その製造方法に関するものであり、特に、並置して設け
られた1対の発光素子及び受光素子を有し、発光素子か
ら投光される光を測定対象物に投射し、測定対象物で反
射した反射光を受光素子で受光して、その光量によって
測定対象物の有無を検知するフォトセンサに関するもの
であり、特に、フォトセンサにごく接近した位置に存在
する測定対象物を検知するに適したフォトセンサ及びそ
の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】本発明に係わるフォトセンサは、非接触
で測定対象物の有無を検知するものであって、実際に
は、単に測定対象物の有無によって生じる反射光の有無
によって測定対象物の有無を検知するばかりではなく、
測定対象物に反射率の異なる部分を設けて反射光の光量
を変化させ、この反射光の光量の変化によって高い反射
率の部分(又は低い反射率の部分)の有無を検知し、こ
れによって、モータ等の回転体の回転数の検出や、紙や
フィルム等の端部やマーキングされた位置の検出等に使
用されるものである。また、反射部との距離や角度の変
化によるアナログ的光量変化を検知する用途に使用され
ることもある。
【0003】ここで、図5に本発明に係わるフォトセン
サの原理的な構成を示す。図に示すフォトセンサ50
は、絶縁基板51上に発光素子52(例えば赤外線LE
D)と受光素子53(例えばフォトトランジスタ)が1
対になって並置されており、その周囲を遮光性の樹脂か
らなる遮蔽壁54で遮蔽した構造となっている。この遮
蔽壁54は、全体のケーシングを構成すると共に外光か
ら発光素子52や受光素子53(特に発光素子52)を
遮蔽する外壁(外部遮蔽壁)54aと、発光素子52と
受光素子53との間を相互に遮蔽する中間壁(中間遮蔽
壁)54bとからなっており、遮蔽壁54の発光素子5
2側の開口部54c及び受光素子53側の開口部54d
が、発光素子52から投射され、測定対象物55で反射
して受光素子53で受光される光の光路として形成され
ている。そして、遮蔽壁54の内部には、光が透過可能
な透光性の保護樹脂56がモールドされて、発光素子5
2及び受光素子53を封入して保護している。
【0004】このフォトセンサ50は、発光素子52か
ら投光された光が発光素子52側の開口部54cから矢
印のように投射されて測定対象物55で反射し、この反
射光が受光素子53側の開口部54dを経て受光素子5
3に到達して、その光量を受光素子53で検出する。こ
の場合、測定対象物55の有無(測定対象物55の反射
率の変化する部分の有無)によって受光素子53で検出
される光量が増減し、これによって受光素子53からの
出力が増減するので、この受光素子53の出力の増減に
よって測定対象物55の有無(測定対象物55の反射率
の変化する部分の有無)を検知するものである。
【0005】このようなフォトセンサは、図6にその1
例を示すように、従来は1個ずつ個別に製造されてい
た。即ち、図6に示すフォトセンサ60は、絶縁基板6
1の上に配置されたリード端子62、63に発光素子6
4及び受光素子65をそれぞれボンディングし、これに
エポキシ樹脂等の透光性の樹脂66をモールドして発光
素子64及び受光素子65を封入して保護し、その外側
全体を黒色素を含有するエポキシ樹脂又はポリフェニレ
ンサルファイド樹脂(以下PPS樹脂という)等の遮光
性の樹脂からなるパッケージ67をモールドしてパッケ
ージしたものである。ここでいう透光性の樹脂66は、
発光素子64から投射される光を透過する樹脂を意味
し、いわゆる透明な樹脂の意味ではない。例えば、発光
素子64が赤外線LEDの場合には、赤外線を透過して
可視光線は遮断する不透明な可視光遮断エポキシ樹脂等
を使用することも多い。
【0006】しかし、このようなフォトセンサの製造方
法では、フォトセンサを個別に1個ずつ製造していたの
で、製造コストが非常に高くならざるを得なかった。こ
のため、大型の絶縁基板からなる集合基板上に多数個の
フォトセンサを形成した後、ダイシングして個別のフォ
トセンサに分割する集合基板による多数個取りのフォト
センサの製造方法が開発された。この多数個取りのフォ
トセンサの製造方法の例を本発明の実施例である図4に
示す。
【0007】この多数個取りのフォトセンサの製造方法
では、図4に示すように、大型の絶縁基板からなる集合
基板11上に、多数個の発光素子4及び受光素子5を配
置してボンディングする導電パターン3a、3bを並列
して設け、この導電パターン3a、3bに接続されたス
ルーホール12a、12bが、集合基板11の下面側に
設けられた図示しない接続端子に接続されている。そし
て、この集合基板11上の所定の位置に発光素子4及び
受光素子5を並置してボンディングする。
【0008】この発光素子4及び受光素子5が並置して
配置され、ボンディングされた大型の絶縁基板からなる
集合基板11は、透光性の樹脂(エポキシ樹脂等)によ
ってモールドされ、発光素子4及び受光素子5を封入し
て保護する。この透光性の樹脂は、ダイシングして個別
に分割されたフォトセンサの図である図7に示すよう
に、発光素子72を封止する樹脂ブロック74aと受光
素子73を封止する樹脂ブロック74bとに分かれてお
り、更に、この樹脂ブロック74a、76bは、上面の
開口部を除いて外側全体を遮光性の樹脂(黒色素を含有
するエポキシ樹脂又はPPS樹脂等)からなるパッケー
ジ(遮蔽壁)75でモールドされて、集合基板11上に
多数個のフォトセンサが一体となって形成される。
【0009】この多数個のフォトセンサをダイシングし
て個別のフォトセンサ70に分割することによって、図
7に示すように、1対の発光素子72及び受光素子73
を相互に遮蔽すると共に外光を遮蔽する遮蔽壁(パッケ
ージ75)を有し、その開口部から投射された光が測定
対象物76で反射して受光素子73で受光されるフォト
センサ70を得ることができる。
【0010】或いは、発光素子72を封止する樹脂ブロ
ック74aと受光素子73を封止する樹脂ブロック74
bとの上面の開口部を除く外周に、遮光膜77をコーテ
ィングすることによって、図8に示すように、1対の発
光素子72及び受光素子73を相互に遮蔽すると共に外
光を遮蔽する遮蔽壁(遮光膜77)を有し、その開口部
から投射された光が測定対象物76で反射して受光素子
73で受光されるフォトセンサ70を得ることができ
る。ここで、図8(a)は、透光性の樹脂からなる樹脂
ブロック74a、74bの側面の内側を絶縁基板71に
対して垂直に形成した例であり、図8(b)は、樹脂ブ
ロック74a、74bの側面の内側を開口部側が小径と
なる傾斜した面に形成し、この側面の内側で反射した光
も測定対象物76に投射することによって、受光素子7
3で受光する光の光量を増加しようとする例である。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】これらのフォトセンサ
70は、いずれも発光素子72及び受光素子73がエポ
キシ樹脂等の透光性の樹脂74によってモールドされて
いるので、図9(a)に示すように、発光素子から投光
された光が封止樹脂80から外部の空気層に投射される
際に屈折し、この角度θが臨界角θcを超えると図9
(b)に示すように全反射して外部に光が投射されない
ことになる。
【0012】そして、測定対象物76がごく接近した位
置にあるときには、図7及び図8から明らかなように、
発光素子72から投射され、測定対象物76で反射して
受光素子73に受光される光の角度が大きくなるので、
臨界角θcを超えて樹脂74内で全反射して外部に光が
投射されないことが生じる。特に、図8(b)に示すよ
うに、透光性の樹脂74の外壁面を傾いた形状にして遮
光膜77をコーティングし、この外壁面の内面で反射し
た光も測定対象物76に投射して光量を増加しようとす
るものでは、測定対象物78を接近させるとたちまち全
反射するようになって、光量の増加に寄与できないこと
になる。また、光の角度θが臨界角θcに近付くと、全
反射には至らないまでも、透過した光が偏光されるよう
になって光の透過率が減少し、測定対象物76で反射し
て受光素子73に受光される光の光量も大幅に減少す
る。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、絶縁基板上に並置された1対の発光素子
及び受光素子と、該1対の発光素子及び受光素子を相互
に遮蔽すると共に外光から遮蔽し、且つ前記発光素子か
ら投光される光を前記受光素子で受光する光路を形成す
る前記発光素子側及び前記受光素子側の開口部を有する
遮蔽壁とを設け、前記発光素子から投光される光を前記
発光素子側の開口部から投射し、測定対象物によって反
射した反射光を前記受光素子側の開口部を経て前記受光
素子で受光し、その光量によって前記測定対象物の有無
を検知するフォトセンサにおいて、前記遮蔽壁が、前記
1対の発光素子及び受光素子の双方を囲み、全体として
中空に形成された外部遮蔽壁と、前記発光素子と前記受
光素子との中間に配置された中間遮蔽壁とからなり、前
記発光素子と前記受光素子との外周に透光性の樹脂によ
るコーティングを施し、前記外部遮蔽壁の内部を中空部
とし、該中空部に空気が充満していることを特徴とする
フォトセンサを提供するものである。
【0014】ここで、前記外部遮蔽壁の内部を前記開口
部側が小径となる傾斜面に形成されていることが望まし
い。さらに、前記外部遮蔽壁の内部の少なくとも前記開
口部側が小径となる傾斜面に光の反射膜が形成されてい
ることが望ましい。
【0015】また、本発明は、上記課題を解決するため
に、並置して設けられた1対の発光素子及び受光素子
と、該1対の発光素子及び受光素子を相互に遮蔽すると
共に外光から遮蔽し、且つ前記発光素子から投光される
光を前記受光素子で受光する光路を形成する開口部を有
する遮蔽壁とを設け、該遮蔽壁に設けられた前記開口部
を経由し、且つ前記発光素子から投光して測定対象物に
よって反射した反射光を前記受光素子で受光し、その光
量によって前記測定対象物の有無を検知するフォトセン
サからなり、該フォトセンサを大型の絶縁基板からなる
集合基板上に多数個配置して形成した後、ダイシングし
て個別のフォトセンサに分割する集合基板による多数個
取りのフォトセンサの製造方法において、前記集合基板
上の前記発光素子と前記受光素子との外周に透光性の保
護樹脂をコーティングする樹脂コーティング工程と、前
記発光素子及び前記受光素子を1対ずつ囲む中空に形成
された外部遮蔽壁と前記1対の発光素子と受光素子との
中間に配置された中間遮蔽壁とからなる前記遮蔽壁を、
前記集合基板上の前記1対の発光素子及び受光素子の配
置に対応する多数個の遮蔽壁の集合体として成形する遮
蔽壁成形工程と、前記多数個の遮蔽壁の集合体を、前記
1対の発光素子及び受光素子がそれぞれ1対ずつ収納さ
れる所定の位置に接合される遮蔽壁接合工程とを有する
ことを特徴とするフォトセンサの製造方法を提供するも
のである。
【0016】ここで、前記遮蔽壁成形工程で成形された
遮蔽壁の内面に光の反射膜を形成する反射膜形成工程
を、前記遮蔽壁接合工程の前工程として有することが望
ましい。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に基づいて説
明する。図1は本発明のフォトセンサの1実施例を示す
断面図であり、図2は図1のA−A線断面図、図3は一
部切り欠き斜視図である。図に示すように、本発明のフ
ォトセンサ1は、絶縁基板2上に設けられた導電パター
ン3aおよび3bにLED等の発光素子4とフォトトラ
ンジスタ等の受光素子5が1対となって並置するように
ボンディングされており、その周囲を遮蔽壁6で外光を
遮蔽するように覆っている。この遮蔽壁6は、外光を遮
蔽する外部遮蔽壁6aと発光素子4と受光素子5との間
を相互に遮蔽する板状の中間遮蔽壁6bとからなってお
り、発光素子4から投光される光及び受光素子5に受光
される光の光路となる発光素子4側の開口部6cと受光
素子5側の開口部6dが設けられている。この遮蔽壁6
は、光を透過させないために、前述したように、黒色素
を含有するエポキシ樹脂又はPPS樹脂等の遮光性の樹
脂で製造するか、或いは内面に光の反射膜を形成して開
口部6c、6d以外での光の透過を遮蔽する。
【0018】そして、発光素子4と受光素子5の外周
は、エポキシ樹脂等の透光性の樹脂7及び8で薄膜状に
コーティングされており、発光素子4及び受光素子5を
保護している。ここで、この透光性の樹脂の語は、前述
したように、発光素子4から投射される光を透過する樹
脂の意味であっていわゆる透明な樹脂に限定されない。
例えば、発光素子4が可視光線を投射するLEDの場合
には、いわゆる透明な樹脂が使用されるが、発光素子4
が赤外線LEDの場合には、赤外線を透過して可視光線
は遮断する、一見黒色で不透明な可視光遮断エポキシ樹
脂等を使用することができる。
【0019】本発明の実施例における遮蔽壁6は、図1
に示すように、側面の内側を開口部が小径となる傾斜し
た面に形成し、前に図8(b)の説明で述べたように、
この側面の内側の傾斜面で反射した光も測定対象物9に
投射することによって、受光素子4で受光する光の光量
を増加するように構成している。また、この遮蔽壁6の
側面の内側の面は、内面を平滑な光沢面とすることによ
って遮蔽壁6の内面で反射する光の光量を増加すること
ができる。更に、遮蔽壁6の内面に金属を薄膜として蒸
着し、或いはメッキすることによって、表面に金属の薄
膜をコーティングして反射膜10を形成し、遮蔽壁6の
側面の内側の面で反射する光の光量を更に増加させるこ
とができる。そして、この遮蔽壁6の外部遮蔽壁6aと
中間遮蔽壁6bで囲まれた内部は中空部となっていて、
この中空部は空気層によって充満されている。
【0020】このような本発明のフォトセンサ1は、次
のような工程で製造される。即ち、図4に示すように、
従来技術と同様の集合基板製造工程によって、大型の絶
縁基板からなる集合基板11上に多数個の発光素子4及
び受光素子5を配置してボンディングする導電パターン
3a、3bを並列して設け、この導電パターン3a、3
bと、集合基板11の下面側に設けられた図示しない接
続端子とをスルーホール12a、12bによって接続
し、次に、ボンディング工程によって、前の集合基板製
造工程で製造された集合基板11の所定の位置に発光素
子4及び受光素子5を1対ずつ並置してボンディングす
る。
【0021】そして、このボンディング工程で集合基板
11上に並置してボンディングされた発光素子4及び受
光素子5の外周に、それぞれエポキシ樹脂等の透光性の
保護樹脂7、8を薄膜状にコーティングする樹脂コーテ
ィング工程を行なう。この樹脂コーティング工程でコー
ティングされる透光性の保護樹脂7、8は、発光素子4
や受光素子5を空気中に曝すことによって劣化すること
を防止するためのものであって、前述したように、発光
素子から投射される光を透過する樹脂(いわゆる透明な
樹脂ではない)であって、例えば、可視光線の場合に
は、透明なエポキシ樹脂等が使用され、発光素子4が赤
外線LEDの場合には、赤外線を透過して可視光線は遮
断する不透明な可視光遮断エポキシ樹脂等が使用され
る。
【0022】この樹脂コーティング工程では、透明なエ
ポキシ樹脂や不透明な可視光遮断エポキシ樹脂等の透光
性の保護樹脂のモノマーを溶液で希釈し、この希釈液を
スピンコート法やはけ塗りによって発光素子4及び受光
素子5の外周に塗布し、乾燥して数μm〜数十μmの厚
さにコーティングする。
【0023】一方、遮蔽壁成形工程で、これら1対の発
光素子4及び受光素子5を相互に遮蔽すると共に外光を
遮蔽し、且つ発光素子4から投光される光を所定の光路
を経て測定対象物9で反射し、この反射光が所定の光路
を経て受光素子5で受光するための開口部6c、6dを
有する遮蔽壁6を多数マトリックス状に配置した遮蔽壁
集合体(図示しない)を製造する。この遮蔽壁集合体
は、発光素子4と受光素子5とを1対ずつ囲む外部遮蔽
壁6aによって形成された中空部が、発光素子4と受光
素子5との中間に配置された板状の中間遮蔽壁6bによ
って分離されて2個の中空部となり、この中空部がそれ
ぞれ開口部6c、6dに連続した形状となっており、こ
の外部遮蔽壁6aが相互に連続して多数のマトリックス
状に配置されているので、2個ずつ並置された中空部
が、発光素子4及び受光素子5と同じピッチでマトリッ
クス状に多数配置した形状となっている。そして、この
遮蔽壁集合体は、単一の樹脂成形工程によって成形され
る。
【0024】この遮蔽壁6は、前述したように、光を透
過させないために、黒色素を含有するエポキシ樹脂又は
PPS樹脂等の遮光性の樹脂の使用するか、内面に光の
反射膜を形成する。光の反射膜を形成する反射膜形成工
程は、遮蔽壁6の内面に金属を薄膜として蒸着し、或い
はメッキすることによって行なわれ、表面に金属の薄膜
をコーティングして反射膜10を形成する。
【0025】このようにして製造された遮蔽壁集合体
は、遮蔽壁接合工程によって、集合基板11の所定の位
置に接合される。この接合位置は、1対の発光素子4及
び受光素子5を遮蔽して収納する所定の位置に接合され
ることはいうまでもない。この接合工程は、接着剤や両
面テープによる接着や超音波接着等の任意の接着方法を
採用することができる。
【0026】このようにして接合されたフォトセンサの
集合体は、遮蔽壁6の内部は中空部となっていて、この
中空部には空気が充満した空気層となっていることは明
らかである。そして、最後に、このフォトセンサの集合
体をダイシングして個別のフォトセンサ1に分割するこ
とによってフォトセンサの製造工程が終了する。ダイシ
ングの方法については、周知となっているのでここでは
詳述しない。
【0027】
【発明の効果】本発明のフォトセンサによれば、発光素
子及び受光素子を封止して保護する透光性の樹脂は、薄
膜状にコーティングされているのみで、透光性の樹脂に
よってモールドされていないので、図1に示すように、
発光素子から投光された光は、矢印で示す光の経路のよ
うに投射されて測定対象物で反射するので、発光素子か
ら投光された光が封止樹脂から外部の空気層に投射され
る際に屈折することはなく、まして、臨界角を超えて全
反射して外部に光が投射されないことは決して生じな
い。また、光の角度が臨界角に近付くことによって透過
した光が偏光され、光の透過率が減少することも生じな
い。
【0028】このため、並置して設けられた1対の発光
素子及び受光素子を有し、発光素子から投光される光を
測定対象物に投射し、測定対象物で反射した反射光を受
光素子で受光してその光量によって測定対象物の有無を
検知するフォトセンサにおいて、ごく接近した位置に存
在する測定対象物でも確実に検知することができる。ま
た、透光性の樹脂の側面の内側を傾いた形状にして平滑
面にし、或いは反射膜をコーティングして、この側面の
内側で反射した光も測定対象物に投射して光量を増加し
ようとするものでも、臨界角を超えて全反射することは
なく側面の内側で反射した反射光も有効に使用すること
ができる。
【0029】また、本発明のフォトセンサの製造方法に
よれば、ごく接近した位置に存在する測定対象物を検知
することができる本発明のフォトセンサを容易に製造す
ることができる。そして、透光性の樹脂で封止する工程
が不要となり、透光性の樹脂を封止するための金型も不
要になって、従来技術に比較してより安価に製造するこ
とができる。
【0030】更に、本発明のフォトセンサでは、発光素
子及び受光素子を保護するエポキシ樹脂等の保護樹脂
は、薄膜状にコーティングされるのみなので、モールド
する際の冷却時や温度の変化による樹脂応力が発生せ
ず、特に赤外線LEDで生じやすい通電劣化も防止する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のフォトセンサの1実施例を示す断面
図である。
【図2】 図1のA−A線断面図である。
【図3】 図1の実施例の一部切り欠き斜視図である。
【図4】 多数個取りの製造方法を示す集合基板の斜視
図である。
【図5】 本発明に係わるフォトセンサの原理的な構成
を示す模式図である。
【図6】 従来技術のフォトセンサの1例を示す断面図
である。
【図7】 多数個取りの製造方法で製造された従来技術
のフォトセンサの1例を示す断面図である。
【図8】 多数個取りの製造方法で製造された従来技術
のフォトセンサの他の例を示す断面図であって、(a)
は遮蔽壁が垂直な例、(B)は傾斜している例である。
【図9】 透光性の樹脂の表面での光の屈折を示す説明
図であって、(a)は光が屈折して投射されている例、
(b)は全反射している例ある。
【符号の説明】
1 フォトセンサ1 2 絶縁基板 3a,3b 導電パターン 4 発光素子 5 受光素子 6 遮蔽壁 6a 外部遮蔽壁 6b 中間遮蔽壁 6c 開口部 7,8 透光性の樹脂 9 測定対象物 10 反射膜 11 集合基板 12a、12b スルーホール

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁基板上に並置された1対の発光素子及
    び受光素子と、該1対の発光素子及び受光素子を相互に
    遮蔽すると共に外光から遮蔽し、且つ前記発光素子から
    投光される光を前記受光素子で受光する光路を形成する
    前記発光素子側及び前記受光素子側の開口部を有する遮
    蔽壁とを設け、前記発光素子から投光される光を前記発
    光素子側の開口部から投射し、測定対象物によって反射
    した反射光を前記受光素子側の開口部を経て前記受光素
    子で受光し、その光量によって前記測定対象物の有無を
    検知するフォトセンサにおいて、 前記遮蔽壁が、前記1対の発光素子及び受光素子の双方
    を囲み、全体として中空に形成された外部遮蔽壁と、前
    記発光素子と前記受光素子との中間に配置された中間遮
    蔽壁とからなり、 前記発光素子と前記受光素子との外周に透光性の樹脂に
    よるコーティングを施し、 前記外部遮蔽壁の内部を中空部とし、該中空部に空気が
    充満していることを特徴とするフォトセンサ。
  2. 【請求項2】前記外部遮蔽壁の内部を前記開口部側が小
    径となる傾斜面に形成したことを特徴とする請求項1記
    載のフォトセンサ。
  3. 【請求項3】前記外部遮蔽壁の内部の少なくとも前記開
    口部側が小径となる傾斜面に光の反射膜が形成されてい
    ることを特徴とする請求項1又は2記載のフォトセン
    サ。
  4. 【請求項4】並置して設けられた1対の発光素子及び受
    光素子と、該1対の発光素子及び受光素子を相互に遮蔽
    すると共に外光から遮蔽し、且つ前記発光素子から投光
    される光を前記受光素子で受光する光路を形成する開口
    部を有する遮蔽壁とを設け、該遮蔽壁に設けられた前記
    開口部を経由し、且つ前記発光素子から投光して測定対
    象物によって反射した反射光を前記受光素子で受光し、
    その光量によって前記測定対象物の有無を検知するフォ
    トセンサからなり、該フォトセンサを大型の絶縁基板か
    らなる集合基板上に多数個配置して形成した後、個別の
    フォトセンサに分割する集合基板による多数個取りのフ
    ォトセンサの製造方法において、 前記集合基板上の前記発光素子と前記受光素子との外周
    に透光性の保護樹脂をコーティングする樹脂コーティン
    グ工程と、 前記発光素子及び前記受光素子を1対ずつ囲む中空に形
    成された外部遮蔽壁と前記1対の発光素子と受光素子と
    の中間に配置された中間遮蔽壁とからなる前記遮蔽壁
    を、前記集合基板上の前記1対の発光素子及び受光素子
    の配置に対応する多数個の遮蔽壁の集合体として成形す
    る遮蔽壁成形工程と、 前記多数個の遮蔽壁の集合体を、前記1対の発光素子及
    び受光素子がそれぞれ1対ずつ収納される所定の位置に
    接合される遮蔽壁接合工程と、 ダイシングして個別のフォトセンサに分割するダイシン
    グ工程とを有することを特徴とする集合基板による多数
    個取りのフォトセンサの製造方法。
  5. 【請求項5】前記遮蔽壁成形工程で成形された遮蔽壁の
    内面に光の反射膜を形成する反射膜形成工程を、前記遮
    蔽壁接合工程の前工程として有することを特徴とする請
    求項4記載のフォトセンサの製造方法。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008298627A (ja) * 2007-05-31 2008-12-11 Mikuni Corp 赤外線センサー
JP2010034189A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Sharp Corp 光学式近接センサ及びその製造方法並びに当該光学式近接センサを搭載した電子機器
JP2010123734A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Sharp Corp 反射型光結合装置及びこの反射型光結合装置を搭載した電子機器
JP2010266335A (ja) * 2009-05-14 2010-11-25 Nikon Corp 受発光センサ、エンコーダ及び受発光センサの製造方法
JP2012150619A (ja) * 2011-01-18 2012-08-09 Mitsumi Electric Co Ltd 指紋検出装置及び指紋検出装置の製造方法
JP2012150620A (ja) * 2011-01-18 2012-08-09 Mitsumi Electric Co Ltd 指紋検出装置及び指紋検出装置の製造方法
KR101258399B1 (ko) 2007-03-30 2013-05-02 서울반도체 주식회사 방열기둥을 갖는 led 모듈
JP2015204907A (ja) * 2014-04-17 2015-11-19 株式会社大都技研 遊技台
JP2018050804A (ja) * 2016-09-27 2018-04-05 京セラ株式会社 センサ、測定装置及び測定システム
KR20190010259A (ko) * 2017-07-21 2019-01-30 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 및 이를 포함하는 센서 패키지

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101258399B1 (ko) 2007-03-30 2013-05-02 서울반도체 주식회사 방열기둥을 갖는 led 모듈
JP2008298627A (ja) * 2007-05-31 2008-12-11 Mikuni Corp 赤外線センサー
JP2010034189A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Sharp Corp 光学式近接センサ及びその製造方法並びに当該光学式近接センサを搭載した電子機器
JP2010123734A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Sharp Corp 反射型光結合装置及びこの反射型光結合装置を搭載した電子機器
JP2010266335A (ja) * 2009-05-14 2010-11-25 Nikon Corp 受発光センサ、エンコーダ及び受発光センサの製造方法
JP2012150619A (ja) * 2011-01-18 2012-08-09 Mitsumi Electric Co Ltd 指紋検出装置及び指紋検出装置の製造方法
JP2012150620A (ja) * 2011-01-18 2012-08-09 Mitsumi Electric Co Ltd 指紋検出装置及び指紋検出装置の製造方法
JP2015204907A (ja) * 2014-04-17 2015-11-19 株式会社大都技研 遊技台
JP2018050804A (ja) * 2016-09-27 2018-04-05 京セラ株式会社 センサ、測定装置及び測定システム
KR20190010259A (ko) * 2017-07-21 2019-01-30 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 및 이를 포함하는 센서 패키지
KR102473734B1 (ko) 2017-07-21 2022-12-02 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 및 이를 포함하는 센서 패키지

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