JP2000277483A - 表面処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ウエハ面内での表面処理バラツキを抑制して高
精度な表面処理を行うことができる表面処理装置を提供
する。 【解決手段】エッチングポット１の内部に、加熱された
エッチング液２３が満たされるとともに、底面部にウエ
ハ７が外周部をシールした状態で支持され、上向きのウ
エハ７の被エッチング面がエッチング液２３に接してい
る。治具加熱ヒータ１９および加熱リング５により、エ
ッチングポット１におけるウエハ７の外周部が加熱され
る。エッチング後に、ポット１から熱源の治具加熱ヒー
タ１９を熱的に切り離す。ウエハ７のエッチング条件に
応じて治具加熱ヒータ１９による加熱温度が変えられ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハの
表面にエッチング処理やメッキ処理等を行うための表面
処理装置に関し、例えば、半導体圧力センサや半導体加
速度センサ等を製造する際に用いると好適なものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体ウエハ上に数１００〜数１
０００個程度の凹部を水酸化カリウム等のエッチング液
を用いて形成し、圧力センサや加速度センサ等の半導体
センサを製造している。

【０００３】図５に示すように、センサ用のウエハ５０
は、一方の面５０ａが回路を構成している回路面となる
とともに他方の面５０ｂがセンサ形状（即ち、凹部５
１）を作り込む被エッチング面となり、この被エッチン
グ面５０ｂのマスクの形状を変えることでセンサの機能
に合った製品（凹部５１）を作ることができる。詳しく
は、ウエハ５０上の各チップ５２は、図６に詳細を示す
ように、チップ中央が凹状に窪んだ圧力センサや、図７
に示すように、チップ中央に島状の膨らみを残してその
周りを彫り込んだ加速度センサ等、様々な形状があり、
これらは、マスク５３を工夫し、水酸化カリウム等の異
方性エッチング液で溶かし込んで、空間（凹部）５４を
持つ形状を作り込んでいる。

【０００４】これらのチップのセンサとしての性能は各
チップ断面の厚みｔ１の精度によって決まる。そのた
め、ウエハ５０上の全てのチップ５２の厚みｔ１が正確
に狙い値になるように高精度にエッチングする必要があ
る。

【０００５】従来のエッチング装置は、図８に示すよう
に、ウエハの回路面５０ａをエッチング治具５５によっ
てエッチング液５６から保護し、被エッチング面５０ｂ
がエッチング液５６に接液するようにすることでエッチ
ング処理を行う。詳しくは、図示していない予備加熱装
置でエッチング温度に加熱されたエッチング液５６を給
液口５７から導入してエッチング治具５５をエッチング
槽として使用する。また、エッチング治具５５内のエッ
チング液５６を攪拌翼５８と加熱ヒータ５９で精度良く
目的のエッチング温度に制御した状態に保ち、ウエハ５
０を目的の厚みｔ１になるまでエッチングする。所望の
厚みになると、給液口５７から純水を導入して水洗し、
エッチング反応を止めることでエッチングを終了する。

【０００６】従来のエッチング装置によるエッチング量
変化を、図９に示す。縦軸をシリコン厚み（図６，７の
ｔ１値）、横軸をエッチング時間として表すと、元のウ
エハの厚みから、目的の厚みに至るまでにウエハ面内で
のエッチング量バラツキが拡大し、最終的には、図１０
に示すようなウエハ外周のエッチング量が少ない台形状
の分布となる。つまり、図１０は、図１１に示すよう
に、ウエハのオリエンテーションフラットに平行なる線
上においてエッチング量を測定した結果を示すものであ
る。この例では、エッチング量の面内バラツキ（最も深
い凹部のエッチング量−最も浅い凹部のエッチング量）
はエッチング量の２．７％となっている。

【０００７】これは、エッチング速度（単位；μｍ／
分）はエッチング液の温度に敏感であるため、ウエハ面
内の温度分布を反映するようなエッチング量の分布にな
るためである。

【０００８】この問題は、従来のエッチング装置がエッ
チング液を加熱することで、温度を維持する構成をとる
構造であるために、エッチング開始時に図８のエッチン
グ治具５５に熱を取られて外周部（図８のＸ部）の温度
が下がり、また、エッチング中においてもエッチング治
具５５の外周からの放熱により、やはりウエハ外周部の
温度が下がるために起こる。

【０００９】この対策として、従来、図１２に示すよう
に、エッチング治具５５をエッチング温度になるまで恒
温槽６０で加熱するような工程等を設けることや、エッ
チング治具５５の放熱を低減するために肉厚を厚くする
等の対応を行っている。しかし、恒温槽６０による加熱
は、加熱時間が１時間以上と長く、また、高温（例えば
１１０℃以上）のエッチング治具５５を取り扱う必要も
あり、著しく生産性が低下する等の問題がある。また、
エッチング治具５５の肉厚を増やす対策は、エッチング
停止時の冷却効果を阻害し、エッチング停止時のウエハ
面内厚さバラツキを増やす原因にもなる。このように、
これらの対策を総合的に講じても、ウエハ面内のエッチ
ング量のバラツキを、エッチング量の２．０％以下にす
ることは困難であった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】そこで、この発明の目
的は、ウエハ面内での表面処理バラツキを抑制して高精
度な表面処理を行うことができる表面処理装置を提供す
ることにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、表面処理治具における半導体ウエハの外周部を加熱
する加熱手段を設けたことを特徴としている。この構成
を採用することにより、表面処理治具の底面部に半導体
ウエハが支持された状態で、加熱された表面処理液によ
り、上向きの半導体ウエハの被処理面を表面処理する際
に、加熱手段により、表面処理治具における半導体ウエ
ハの外周部に対し温度コントロールすることができ、ウ
エハ面内での所望の表面処理が行われる。例えば、半導
体ウエハの外周部に対し放熱に見合った熱量を供給し
て、ウエハ面内での均一なる表面処理を行うことができ
る。

【００１２】このようにして、ウエハ面内での表面処理
バラツキを抑制して高精度な表面処理を行うことができ
ることとなる。ここで、請求項２に記載のように、表面
処理の開始前に、加熱手段を用いて表面処理治具を、表
面処理液の温度よりも所定温度だけ高く加熱するように
すると、表面処理の初期状態（例えばエッチング装置で
あれば、エッチング初期のウエハ面内のエッチング量の
分布）を高精度化できる。

【００１３】また、請求項３に記載のように、表面処理
後に、加熱手段の熱源を表面処理治具から熱的に切り離
すようにすると、表面処理の停止（例えば水洗）をすみ
やかに行うことができる。

【００１４】さらに、請求項４に記載のように、半導体
ウエハの表面処理条件に応じて加熱手段による加熱温度
を変えるようにすると、ウエハ毎の表面処理の均一化
（例えばエッチング装置であれば、ウエハ毎の各チップ
の厚さ分布の均一化）を図ることができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、この発明を具体化した実施
の形態を図面に従って説明する。本実施形態は半導体ウ
エハとしてシリコンウエハを用い、シリコンウエハの各
チップに凹部を形成するためのエッチング装置に適用し
ており、エッチング液として１１０℃程度に加熱した水
酸化カリウムを用いている。各チップに凹部を形成する
ことにより図６の圧力センサや図７の加速度センサを作
ることができる。

【００１６】図１に、表面処理装置としての薄肉加工用
エッチング装置の全体構成を示す。本エッチング装置は
表面処理治具としてのエッチングポット１を備えてお
り、図２には、そのエッチングポット１を拡大したもの
を示す。

【００１７】図１のエッチング装置は、シリコンウエハ
７の被エッチング面をエッチング液２３に接液可能に機
械的に保持し、かつ、給液・排液・加熱・攪拌を行うこ
とができる枚葉式エッチング装置であって、シリコンウ
エハ７の非エッチング面となる回路側からウエハ外周部
をシールするとともに、当該シール部に対しエッチング
開始前およびエッチング中に加熱手段としてのヒータ
（熱源）１９および加熱リング（熱伝達部材）５により
加熱するようになっている。これにより、ウエハ面内の
エッチング量の分布を高精度化している。また、所望の
エッチング量になると、ポット１内に純水を注入してエ
ッチングを終了させる。

【００１８】以下、詳しく説明していく。図２に示すよ
うに、エッチングポット１は、プレート状のウエハベー
ス２と、筒状のウエハリング３とを具備している。ウエ
ハベース２、ウエハリング３はテフロン、ポリプロピレ
ン等の断熱効果の高い材料よりなる。ウエハベース２の
中央部には貫通孔４が形成され、この貫通孔４の上側の
開口部には加熱リング５が配設されている。加熱リング
５は板状をなし、中央部には貫通孔６が形成されてい
る。また、加熱リング５は、熱伝導性に優れたステンレ
ス鋼やニッケル等の金属で製作されている。

【００１９】ウエハベース２の上面における加熱リング
５の上にはシリコンウエハ７が載置でき、加熱リング５
の上にシリコンウエハ７を配置した状態においてはウエ
ハ７の下面での外周部のみが加熱リング５と接触する。
また、ウエハ７の上にウエハリング３が一方の開口部を
下にした状態で配置される。つまり、シリコンウエハ７
が筒状のウエハリング３の下面開口部を塞ぐように配置
される。また、ウエハベース２におけるウエハ載置部
（加熱リング５の配置箇所）の外周側には凹部８が環状
に形成され、この凹部８にウエハリング３の突部９が嵌
合する。このように凹部８は位置合わせの機能を持つ。
さらに、ウエハベース２における凹部８の外周側（ウエ
ハ載置部の周囲）には、平坦なシール面Ｓ１が環状に形
成され、シール面Ｓ１には凹部１０が環状に形成され真
空用ポケットとして機能する。

【００２０】また、ウエハリング３の下面での内周部に
はウエハ形シールパッキン１１が固定され、このパッキ
ン１１はシリコンウエハ７の縁部上面をシールすべくウ
エハ形状に形抜きされている。ウエハ形シールパッキン
１１により、ウエハリング３内に満たされるエッチング
液に対しシールすることができる。つまり、シールパッ
キン１１は、ウエハベース２にシリコンウエハ７を載置
した状態でウエハリング３の下面とウエハ７の外周部と
を液密状態でシールするためのものである。また、ウエ
ハリング３における下面外周部には平坦なシール面Ｓ２
が環状に形成され、このシール面Ｓ２には凹部１２が環
状に形成され真空用ポケットとして機能する。

【００２１】ウエハベース２のシール面Ｓ１とウエハリ
ング３のシール面Ｓ２との間には、環状のＸ形パッキン
１３が配置されている。そして、真空ポンプ等で凹部
（真空用ポケット）１０，１２内の空気を排出すること
でＸ形パッキン１３が収縮してウエハベース２とウエハ
リング３とが引き寄せられ、シールパッキン１１にてシ
リコンウエハ７の外周部をシールした状態で固定され
る。

【００２２】このように構成したエッチングポット１が
図１に示すようにポット載置台１４の上に載置される。
図３にはポット載置台１４を示す。図３において、ベー
スブロック１５の内部にはシリンダ収納室１６が形成さ
れ、収納室１６には昇降シリンダ１７が配置されてい
る。昇降シリンダ１７としては、例えばエヤーシリンダ
等が用いられる。昇降シリンダ１７は可動ロッド１８を
有し、ロッド１８は上下方向に伸縮する。ロッド１８に
は治具加熱ヒータ１９が取り付けられている。この治具
加熱ヒータ１９がベースブロック１５に形成した孔２０
内をＯリング２１にて気密を保持した状態で昇降するこ
とができるようになっている。

【００２３】そして、図１に示すように、ポット載置台
１４の上にエッチングポット１を載置した状態におい
て、昇降シリンダ１７により治具加熱ヒータ１９が上動
すると、ヒータ１９の上面が加熱リング５と接触する。
この状態では、ヒータ１９の発する熱が加熱リング５を
通してウエハ７の非エッチング面での外周部に供給さ
れ、ポット１におけるウエハ外周部を加熱できる。な
お、治具加熱ヒータ１９の上面中央部には断熱プレート
２２が設けられ、この断熱プレート２２により加熱リン
グ５との接触面以外の部位が加熱されないように保護し
ている。治具加熱ヒータ１９は、コントローラ３５によ
って目的の温度に制御される。

【００２４】図１において、エッチングポット１内のエ
ッチング液２３に対し、ウエハ形シールパッキン１１に
よりシールされるとともにシリコンウエハ７の外周部が
マスク（保護）される。このようにエッチングポット１
の内部に、加熱されたエッチング液２３が満たされると
ともに、ポット１の底面部に外周部をシールした状態で
シリコンウエハ７が支持され、上向きのシリコンウエハ
７の被エッチング面がエッチング液２３に接する。

【００２５】また、図１のエッチングポット１の上面開
口部がキャップ２４にて塞がれる。キャップ２４には攪
拌翼２５がＯリング２６にてシールされた状態で垂下さ
れ、モータ２７の駆動により同攪拌翼２５が回転してエ
ッチング液２３を攪拌する。また、キャップ２４には加
熱ヒータ２８がＯリング２９にてシールされた状態で垂
下され、同ヒータ２８にてエッチング液２３が加熱され
る。さらに、キャップ２４には温度センサ３０がＯリン
グ３１にてシールされた状態で垂下され、温度センサ３
０にてエッチング液２３の温度が検出される。そして、
エッチング中はエッチング液２３が攪拌翼２５により十
分攪拌され、温度調節器３２により温度センサ３０によ
る液温が所定の温度となるようにヒータ２８が通電制御
される。

【００２６】また、キャップ２４には給液口３３および
排液口３４が形成され、給液口３３および排液口３４は
ユーティリティー（図示略）に接続されている。そし
て、給液口３３を通してポット１内にエッチング液の給
液が行われるとともに、エッチング停止時の水洗液（純
水）を導入することができるようになっている。また、
排液口３４を通してポット１内でオーバーフローした液
を排出することができる。

【００２７】エッチング装置制御用の機器としてのコン
トローラ３５により温度調節器３２、モータ２７、治具
加熱ヒータ１９、昇降シリンダ１７等が制御される。つ
まり、コントローラ３５はウエハの加工条件（エッチン
グ温度、予備加熱時間、必要厚み等）を記憶するコンピ
ュータ等で構成され、生産管理装置として機能し、ウエ
ハのエッチング条件に応じてヒータ１９を含めた加熱温
度を変える。本エッチング装置は、その他に、計測器等
の機器を含む。

【００２８】次に、このように構成したエッチング装置
の作用を説明する。コントローラ３５（生産管理装置）
は予め登録してある製品・処理条件（エッチング温度、
必要厚み等）を選択し、ウエハのエッチング条件を決め
る等の処理準備をする。その後、図２のウエハベース２
とウエハリング３とを分解した状態から、ウエハベース
２に対し、シリコンウエハ７が、ローダ（図示略）によ
って被エッチング面が上向きになるように加熱リング５
の上に乗せられる。そして、ウエハリング３をかぶせ
て、図示していない真空ポンプなどで凹部（真空ポケッ
ト）１０，１２を排気する。これにより、Ｘ型パッキン
１３が収縮し、ウエハベース２とウエハリング３を引き
寄せ、ウエハリング３に設けたウエハ縁面シール用のシ
ールパッキン１１で、ウエハ７の縁面シール（マスキン
グ）が行われる。

【００２９】さらに、ローディング装置（図示略）によ
って、このエッチングポット１を、図１に示すように、
ポット載置台１４の上に搭載する。そして、キャップ２
４を昇降装置（図示略）によりエッチングポット１に降
ろし、さらに、シリンダ１７の駆動により治具加熱ヒー
タ１９を上動して加熱リング５に押しつける。この状態
で治具加熱ヒータ１９を作動して治具加熱ヒータ１９の
発する熱を加熱リング５を通してポット１でのウエハ７
の下面における外周部及びその近傍を、エッチング開始
時の液温度まで加熱する。このときの加熱温度はウエハ
のエッチング条件に応じたものである。

【００３０】このように、治具加熱ヒータ１９により、
加熱リング５を介してポット１でのウエハ外周及びその
近傍をエッチング液２３の初期温度と等しくなるように
予備加熱する。

【００３１】このようにしてエッチングポット１の内部
を昇温した後、エッチング液供給装置（図示略）で温度
・濃度を調整したエッチング液を給液口３３から給液す
る。そして、攪拌翼２５をモータ２７によって駆動し、
温度調節器３２によって加熱ヒータ２８の温度を制御す
ることで、エッチングポット１内のエッチング温度条件
を整える。そして、ウエハ７の被エッチング面がエッチ
ングされる。このエッチング中においても治具加熱ヒー
タ１９により加熱リング５を介してポット１でのウエハ
７の外周部及びその近傍を保温する。このときの加熱温
度はウエハのエッチング条件に応じたものである。

【００３２】このように、治具加熱ヒータ１９にて加熱
リング５を介してポット１でのウエハ外周及びその近傍
を保温することにより、エッチング液２３によるエッチ
ング中もウエハ外周部がエッチングポット１の放熱によ
り冷えるのが防止される。

【００３３】所定量のエッチングが行われ、シリコンウ
エハ７における凹部（図６，７の符号５４に相当）の底
面部での厚さ（図６，７のｔ１値）が所望の値になる
と、図１の昇降シリンダ１７により治具加熱ヒータ１９
を降下し、加熱リング５への熱供給を停止する。つま
り、エッチング後の洗浄の際は、エッチングポット１の
冷却効果を高めるために、治具加熱ヒータ１９が昇降シ
リン１７によって降下し、ベースブロック１５内に格納
される。この作用により、治具加熱ヒータ１９は冷却さ
れることなく、次サイクルのエッチングに備え加熱状態
を維持できる。

【００３４】また、エッチングを停止すべく、洗浄液の
供給源（図示略）から図１の給液口３３を通してエッチ
ングポット１内に洗浄液（純水）を導入してエッチング
液を希釈・冷却（水洗・冷却）を行いエッチングを速や
かに停止させる。供給された洗浄液とエッチング液の混
合液は排液口３４から連続して排出される。

【００３５】十分な洗浄後、洗浄液の供給を停止すると
ともにモータ２７を停止する。その後、図示していない
排液装置（エゼクタ等の真空排液装置等）を用いてエッ
チングポット１内の洗浄液を強制排液した後、先の逆動
作にてエッチングポット１を分解してウエハ７を取り出
して処理を完了する。

【００３６】つまり、真空ポンプ等による凹部（真空用
ポケット）１０，１２内の真空引きを止めて凹部１０，
１２内を大気圧にする。そして、キャップ２４およびウ
エハリング３（シールパッキン１１）を取り外して、エ
ッチング加工後のシリコンウエハ７を次工程に送る。

【００３７】図４には、加工したウエハの厚み分布測定
の結果を示す。つまり、上述したエッチング装置によ
り、エッチングを行った場合のウエハ面内でのエッチン
グ量の測定結果を示す。その結果、エッチング量の面内
バラツキ（最も深い凹部でのエッチング量−最も浅い凹
部でのエッチング量）はエッチング量の０．８％とな
り、従来のエッチング装置で製造したチップの厚み分布
精度に対し、ウエハ面内の厚みバラツキを１／３以下に
することができた。

【００３８】さらに、従来、多くの製品種類に対応する
ためには、エッチングポット１の予備加熱温度や時間管
理等、エッチング作業をそれぞれの製品毎に変えること
で対応する必要があり、煩雑な工程管理が必要であった
が、本装置により、１工程（１種類の装置）で全製品種
類を治具加熱ヒータ１９の温度を自動設定することで対
応が可能となり、エッチング開始前に製品種類をコント
ローラ（生産管理装置）３５に指示するだけで全自動化
することが可能となる。

【００３９】このように本実施の形態は下記の特徴を有
する。 （イ）エッチングポット１の底面部にウエハ７が支持さ
れた状態で、加熱されたエッチング液２３により上向き
のウエハ７の被エッチング面をエッチングする際に、治
具加熱ヒータ１９および加熱リング５により、ポット１
におけるウエハ７の外周部に対し放熱に見合った熱量を
供給して、エッチング開始時およびエッチング中のウエ
ハ面内での温度分布を均一に安定化し、従来以上の高精
度エッチングを達成することができる。また、図１２の
ごとくエッチング開始前にエッチング治具５５を恒温槽
６０で加熱したり、エッチング治具５５の放熱を低減す
るために肉厚を厚くすることなく、ウエハの高精度なエ
ッチングを行うことができる。また、大がかりな搬送装
置を用いることもない。さらに、エッチング治具５５の
放熱を低減するために肉厚を厚くする必要がないのでポ
ット１を従来より軽く、小さくできる。加えて、ウエハ
ベース２の中央部には貫通孔４（図２参照）が形成され
ているので、その分だけ軽くすることができる。

【００４０】このように、ウエハ面内でのエッチング量
のバラツキを抑制して高精度なエッチングを行うことが
できる。 （ロ）エッチング後に、治具加熱ヒータ（熱源）１９を
エッチングポット１から熱的に切り離すようにしたの
で、エッチング停止処理である水洗の速度を高めて同処
理をすみやかに行うことができる。 （ハ）ウエハ７のエッチング条件に応じて治具加熱ヒー
タ１９および加熱リング５による加熱温度を変えるよう
にしたので、ウエハ毎の各チップの厚さの分布の均一化
を図ることができる。

【００４１】これまで説明してきたものの他にも下記の
ように実施してもよい。エッチングの開始前に、治具加
熱ヒータ１９および加熱リング５を用いてポット１を、
エッチング液の温度よりも所定温度だけ高く加熱するよ
うにしてもよい。例えば、エッチング開始時の液温が１
１０℃ならば２０℃高い１３０℃にする。すると、エッ
チング初期のウエハ面内のエッチング量の分布を高精度
化できる。

【００４２】また、ウエハ外周部を中央部とは個別に温
度制御することができることを利用して、ウエハの元厚
の面内分布が凹形状であれば外周のエッチング速度を高
めるようにしたり、あるいは、ウエハの元厚の面内分布
が凸形状であれば外周のエッチングを遅くすることによ
り、エッチング量の分布をウエハの元厚分布に合わせて
制御する。このようにすると、更に高い厚み分布精度を
確保できる等、従来では得られない高い信頼性と生産性
が得られる。

【００４３】また、これまでの説明においては、電位を
付与しないエッチング装置であったが、電気化学ストッ
プエッチング（陽極酸化ストップ）機能を付加すれば更
に高精度化を図ることができることは言うまでもない。

【００４４】また、ポット１におけるシリコンウエハ７
の下面側に厚さセンサを配置し、この厚さセンサにより
ウエハのエッチング量をモニタしてエッチング終了点を
検出してもよい。このようにすると、ウエハ間の繰り返
し精度も含めて更に高精度化が可能となる。つまり、ウ
エハの外周のみを加熱すべく治具加熱ヒータ１９の形状
をドーナツ状とし、ヒータ１９の中心部に厚さセンサを
配置してもよい。あるいは、この厚さセンサを水平方向
に移動できるようにしてウエハ面内での各チップ（凹
部）のエッチング量を検出するようにしてもよい。

【００４５】さらに、本実施形態では回転式の攪拌翼２
５（図１参照）による攪拌方式を例示したが、ポット１
自身を揺動してエッチング液の攪拌を行うようにしても
よい。

【００４６】さらには、エッチング装置として説明した
が、液を加熱し、ウエハ表面温度分布を均一にすること
で高品質を得る目的の表面処理装置に適用でき、金メッ
キ等の温度支配性の高い表面処理にも同様の効果が得ら
れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施の形態におけるエッチング装置の全体構
成図。

【図２】 エッチングポットの断面図。

【図３】 ポット載置台の断面図。

【図４】 ウエハの面内でのエッチング量の測定結果を
示す図。

【図５】 ウエハを示す図。

【図６】 チップを示す図。

【図７】 チップを示す図。

【図８】 従来のエッチング装置の断面図。

【図９】 エッチング工程でのダイヤフラム厚の推移を
示す図。

【図１０】 ウエハの面内でのエッチング量の測定結果
を示す図。

【図１１】 厚み測定箇所を説明するためのウエハの平
面図。

【図１２】 従来のエッチング装置の断面図。

【符号の説明】

１…エッチングポット、５…加熱リング、７…シリコン
ウエハ、１７…昇降シリンダ、１９…治具加熱ヒータ、
２３…エッチング液、３５…コントローラ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K057 WA11 WB06 WE22 WG02 WM01 WM11 WM13 WM17 WM18 WN01 4M112 AA01 AA02 DA04 EA02 5F043 AA02 BB02 DD07 DD30 EE03 EE04 EE12 EE15 EE16 EE27 EE32 EE35 EE36 FF01 FF02 FF10 GG10

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内部に、加熱された表面処理液が満たさ
   れるとともに、底面部に半導体ウエハが外周部をシール
   した状態で支持され、上向きの半導体ウエハの被処理面
   が前記表面処理液に接する表面処理治具と、 前記表面処理治具における前記半導体ウエハの外周部を
   加熱する加熱手段と、を備えたことを特徴とする表面処
   理装置。
2. 【請求項２】 表面処理の開始前に、前記加熱手段を用
   いて前記表面処理治具を、表面処理液の温度よりも所定
   温度だけ高く加熱するようにした請求項１に記載の表面
   処理装置。
3. 【請求項３】 表面処理後に、加熱手段の熱源を表面処
   理治具から熱的に切り離すようにした請求項１または２
   に記載の表面処理装置。
4. 【請求項４】 半導体ウエハの表面処理条件に応じて加
   熱手段による加熱温度を変えるようにした請求項１〜３
   のいずれか１項に記載の表面処理装置。