JP2000277041A - 分析用ｘ線管 - Google Patents
分析用ｘ線管Info
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- JP2000277041A JP2000277041A JP11079601A JP7960199A JP2000277041A JP 2000277041 A JP2000277041 A JP 2000277041A JP 11079601 A JP11079601 A JP 11079601A JP 7960199 A JP7960199 A JP 7960199A JP 2000277041 A JP2000277041 A JP 2000277041A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ２次電子の衝突などで発生する不純線を低減
し、分析の高精度化を実現した分析用Ｘ線管を提供する
こと。 【解決手段】 Ｘ線を透過する出力窓が一部に形成され
た真空外囲器１１と、この真空外囲器１１内で出力窓１
２に対向して設けられた陽極ターゲット１３と、この陽
極ターゲット１３を支持する支持体１４と、陽極ターゲ
ット１３の外側に位置する収束電極１５と、この収束電
極１５の外側に位置し、陽極ターゲット１３に照射する
電子Ｅを放出する陰極フィラメント１６とを具備した分
析用Ｘ線管において、支持体１４の一部である第２支持
部分１４ｂの直径を陽極ターゲット１３の直径よりも小
さくしている。
し、分析の高精度化を実現した分析用Ｘ線管を提供する
こと。 【解決手段】 Ｘ線を透過する出力窓が一部に形成され
た真空外囲器１１と、この真空外囲器１１内で出力窓１
２に対向して設けられた陽極ターゲット１３と、この陽
極ターゲット１３を支持する支持体１４と、陽極ターゲ
ット１３の外側に位置する収束電極１５と、この収束電
極１５の外側に位置し、陽極ターゲット１３に照射する
電子Ｅを放出する陰極フィラメント１６とを具備した分
析用Ｘ線管において、支持体１４の一部である第２支持
部分１４ｂの直径を陽極ターゲット１３の直径よりも小
さくしている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、分析の高精度化
を実現する分析用Ｘ線管に関する。
を実現する分析用Ｘ線管に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の分析用Ｘ線管について、蛍光Ｘ線
分析に使用される分析用Ｘ線管を例にとり図７を参照し
て説明する。図７は、分析用Ｘ線管の先端部分を横方向
から見た断面図である。なお符号ｍは管軸を示してい
る。
分析に使用される分析用Ｘ線管を例にとり図７を参照し
て説明する。図７は、分析用Ｘ線管の先端部分を横方向
から見た断面図である。なお符号ｍは管軸を示してい
る。
【０００３】分析用Ｘ線管を構成する真空外囲器７１
は、先端部分の外径が徐々に細くなり、前面は平坦にな
っている。そして、その平坦な部分にＸ線を透過する出
力窓７２が設けられている。出力窓７２は、Ｘ線の減衰
が少ない材料、たとえばＢｅで形成され、また、厚さは
数１０〜数１００μｍと薄く形成されている。
は、先端部分の外径が徐々に細くなり、前面は平坦にな
っている。そして、その平坦な部分にＸ線を透過する出
力窓７２が設けられている。出力窓７２は、Ｘ線の減衰
が少ない材料、たとえばＢｅで形成され、また、厚さは
数１０〜数１００μｍと薄く形成されている。
【０００４】真空外囲器７１の内部には、出力窓７２に
対向して陽極ターゲット７３が配置されている。なお、
陽極ターゲット７３は支持体７４で支持されている。陽
極ターゲット７３の外側には収束電極７５が配置され、
収束電極７５の外側には陰極フィラメント７６が配置さ
れている。陰極フィラメント７６は、収束電極７５の外
周部に固定された環状の支持部材７７によって支持され
ている。陽極ターゲット７３を支える支持体７４の内部
空間７８は、陽極部分を冷却するための冷却水路となっ
ている。また、真空外囲器７１の一部には、真空外囲器
７１部分を冷却するための冷却水路７９が設けられてい
る。
対向して陽極ターゲット７３が配置されている。なお、
陽極ターゲット７３は支持体７４で支持されている。陽
極ターゲット７３の外側には収束電極７５が配置され、
収束電極７５の外側には陰極フィラメント７６が配置さ
れている。陰極フィラメント７６は、収束電極７５の外
周部に固定された環状の支持部材７７によって支持され
ている。陽極ターゲット７３を支える支持体７４の内部
空間７８は、陽極部分を冷却するための冷却水路となっ
ている。また、真空外囲器７１の一部には、真空外囲器
７１部分を冷却するための冷却水路７９が設けられてい
る。
【０００５】分析用Ｘ線管が動作状態に入ると、陰極フ
ィラメント７６から電子Ｅが発生する。電子Ｅは陰極と
陽極間の電圧で加速され、また、真空外囲器７１と収束
電極７５によって収束され、陽極ターゲット７３に衝突
しＸ線８０を発生する。発生したＸ線８０は出力窓７２
を通して測定試料８１に照射される。Ｘ線８０が照射さ
れると測定試料８１は蛍光Ｘ線８２を励起し、励起され
た蛍光Ｘ線８２は、スリットや分光結晶などの機構（図
示せず）を通して検出器８３に入力する。そして、検出
器８３では、励起された蛍光Ｘ線８２を検出し、測定試
料８１を構成する物質が分析される。
ィラメント７６から電子Ｅが発生する。電子Ｅは陰極と
陽極間の電圧で加速され、また、真空外囲器７１と収束
電極７５によって収束され、陽極ターゲット７３に衝突
しＸ線８０を発生する。発生したＸ線８０は出力窓７２
を通して測定試料８１に照射される。Ｘ線８０が照射さ
れると測定試料８１は蛍光Ｘ線８２を励起し、励起され
た蛍光Ｘ線８２は、スリットや分光結晶などの機構（図
示せず）を通して検出器８３に入力する。そして、検出
器８３では、励起された蛍光Ｘ線８２を検出し、測定試
料８１を構成する物質が分析される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】蛍光分析用Ｘ線管は分
析精度の向上が求められている。分析精度の向上には高
強度のＸ線出力が必要とされ、また、分析用Ｘ線管内か
ら発生する不純線（たとえば蛍光Ｘ線）の低減が要求さ
れている。
析精度の向上が求められている。分析精度の向上には高
強度のＸ線出力が必要とされ、また、分析用Ｘ線管内か
ら発生する不純線（たとえば蛍光Ｘ線）の低減が要求さ
れている。
【０００７】ところで、従来の分析用Ｘ線管の場合、陽
極ターゲットから発生したＸ線はほとんどが出力窓の方
向に照射される。このとき、図７に示すように電子の衝
突によって、陽極ターゲット７３からＸ線８０と同時に
２次電子８４も発生する。２次電子８４は、陽極ターゲ
ット７３の全周方向へ散乱し、真空外囲器７１の内面や
管内部品に衝突し不純線８５を励起する。励起した不純
線はスリットや分光結晶などの機構を通して検出器８３
に入力する。このため、測定試料８１が構成する物質以
外の蛍光Ｘ線が検出され、分析精度を悪化させる。
極ターゲットから発生したＸ線はほとんどが出力窓の方
向に照射される。このとき、図７に示すように電子の衝
突によって、陽極ターゲット７３からＸ線８０と同時に
２次電子８４も発生する。２次電子８４は、陽極ターゲ
ット７３の全周方向へ散乱し、真空外囲器７１の内面や
管内部品に衝突し不純線８５を励起する。励起した不純
線はスリットや分光結晶などの機構を通して検出器８３
に入力する。このため、測定試料８１が構成する物質以
外の蛍光Ｘ線が検出され、分析精度を悪化させる。
【０００８】本発明は、上記の不都合を解決するもの
で、２次電子の衝突などで発生する不純線を低減し、分
析の高精度化を実現した分析用Ｘ線管を提供することを
目的とする。
で、２次電子の衝突などで発生する不純線を低減し、分
析の高精度化を実現した分析用Ｘ線管を提供することを
目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｘ線を透過す
る出力窓が一部に形成された真空外囲器と、この真空外
囲器内で前記出力窓に対向して設けられた陽極ターゲッ
トと、この陽極ターゲットを支持する支持体と、前記陽
極ターゲットの外側に位置する収束電極と、この収束電
極の外側に位置し、前記陽極ターゲットに照射する電子
を放出する陰極フィラメントとを具備した分析用Ｘ線管
において、前記支持体の少なくとも一部の外表面が前記
陽極ターゲットの外周部よりも管軸よりの内側に位置し
ていることを特徴としている。
る出力窓が一部に形成された真空外囲器と、この真空外
囲器内で前記出力窓に対向して設けられた陽極ターゲッ
トと、この陽極ターゲットを支持する支持体と、前記陽
極ターゲットの外側に位置する収束電極と、この収束電
極の外側に位置し、前記陽極ターゲットに照射する電子
を放出する陰極フィラメントとを具備した分析用Ｘ線管
において、前記支持体の少なくとも一部の外表面が前記
陽極ターゲットの外周部よりも管軸よりの内側に位置し
ていることを特徴としている。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について、分
析用Ｘ線管の先端部分を横方向から見た断面図である図
１を参照して説明する。なお符号ｍは管軸を示してい
る。
析用Ｘ線管の先端部分を横方向から見た断面図である図
１を参照して説明する。なお符号ｍは管軸を示してい
る。
【００１１】分析用Ｘ線管を構成する真空外囲器１１
は、先端外径が徐々に細くなり、前面は平坦になってい
る。そして、その平坦な部分にＸ線を透過する出力窓１
２が設けられている。真空外囲器１１の内部には、出力
窓１２に対向して円板状の陽極ターゲット１３が配置さ
れている。陽極ターゲット１３は、陽極ターゲット１３
と軸を共通にする、たとえば円柱状の支持体１４で支持
されている。
は、先端外径が徐々に細くなり、前面は平坦になってい
る。そして、その平坦な部分にＸ線を透過する出力窓１
２が設けられている。真空外囲器１１の内部には、出力
窓１２に対向して円板状の陽極ターゲット１３が配置さ
れている。陽極ターゲット１３は、陽極ターゲット１３
と軸を共通にする、たとえば円柱状の支持体１４で支持
されている。
【００１２】支持体１４は、陽極ターゲット１３と同じ
直径をもつフランジ状の第１支持部分１４ａ、および、
第１支持部分１４ａよりも直径が小さく、第１支持部分
１４ａと一体の第２支持部分１４ｂなどから構成されて
いる。そして、第１支持部分１４ａの端面が陽極ターゲ
ット１３と接合されている。
直径をもつフランジ状の第１支持部分１４ａ、および、
第１支持部分１４ａよりも直径が小さく、第１支持部分
１４ａと一体の第２支持部分１４ｂなどから構成されて
いる。そして、第１支持部分１４ａの端面が陽極ターゲ
ット１３と接合されている。
【００１３】また、陽極ターゲット１３の外側に収束電
極１５が配置され、収束電極１５の外側に陰極フィラメ
ント１６が配置されている。陰極フィラメント１６は、
収束電極１５の外周部に固定された環状の支持部材１７
によって支持されている。また、陽極ターゲット１３を
支持する支持体１４の内部空間、たとえば第２支持部分
１４ｂの内側に位置する内部空間１８は、陽極部分を冷
却するための冷却水路になっている。また、真空外囲器
１１の一部に、真空外囲器１１を冷却するための冷却水
路１９が設けられている。
極１５が配置され、収束電極１５の外側に陰極フィラメ
ント１６が配置されている。陰極フィラメント１６は、
収束電極１５の外周部に固定された環状の支持部材１７
によって支持されている。また、陽極ターゲット１３を
支持する支持体１４の内部空間、たとえば第２支持部分
１４ｂの内側に位置する内部空間１８は、陽極部分を冷
却するための冷却水路になっている。また、真空外囲器
１１の一部に、真空外囲器１１を冷却するための冷却水
路１９が設けられている。
【００１４】上記した構成において、分析用Ｘ線管が動
作状態に入ると、陰極フィラメント１６から電子Ｅが発
生する。電子Ｅは陰極と陽極間の電圧で加速され、ま
た、真空外囲器１１と収束電極１５で収束され、陽極タ
ーゲット１３の表面に衝突し、Ｘ線２０を発生する。発
生したＸ線２０は、図６の従来技術で説明したように、
出力窓１２を通して測定試料に照射され、測定試料を構
成する物質の分析などに利用される。
作状態に入ると、陰極フィラメント１６から電子Ｅが発
生する。電子Ｅは陰極と陽極間の電圧で加速され、ま
た、真空外囲器１１と収束電極１５で収束され、陽極タ
ーゲット１３の表面に衝突し、Ｘ線２０を発生する。発
生したＸ線２０は、図６の従来技術で説明したように、
出力窓１２を通して測定試料に照射され、測定試料を構
成する物質の分析などに利用される。
【００１５】ところで、電子Ｅが陽極ターゲット１３の
表面に衝突してＸ線２０を発生する際、符号２１で示す
ように２次電子も同時に発生し散乱する。２次電子２１
は、たとえば支持体１４に衝突し、符号２２で示すよう
に不純線（たとえば蛍光Ｘ線）を励起する。
表面に衝突してＸ線２０を発生する際、符号２１で示す
ように２次電子も同時に発生し散乱する。２次電子２１
は、たとえば支持体１４に衝突し、符号２２で示すよう
に不純線（たとえば蛍光Ｘ線）を励起する。
【００１６】しかし、上記した構成の場合、支持体１４
のほとんどの部分を占める第２支持部分１４ｂの直径が
陽極ターゲット１３よりも小さくなっている。したがっ
て、陽極ターゲット１３よりも直径が小さい領域では、
支持体１４の外表面が陽極ターゲット１３の外周部より
も管軸ｍよりの内側に位置している。そのため、支持体
１４から発生した不純線２２は、第１支持部分１４ａや
陽極ターゲット１３によって遮蔽される。この場合、出
力窓１２の部分と陽極ターゲット１３の外周部分との隙
間が実質的に狭くなり、出力窓１２を透過する不純線２
２が減少する。その結果、測定試料の物質を分析する際
に、スリットや分光結晶などの機構を通して検出器に入
力する不純線が減少し、分析精度が向上する。
のほとんどの部分を占める第２支持部分１４ｂの直径が
陽極ターゲット１３よりも小さくなっている。したがっ
て、陽極ターゲット１３よりも直径が小さい領域では、
支持体１４の外表面が陽極ターゲット１３の外周部より
も管軸ｍよりの内側に位置している。そのため、支持体
１４から発生した不純線２２は、第１支持部分１４ａや
陽極ターゲット１３によって遮蔽される。この場合、出
力窓１２の部分と陽極ターゲット１３の外周部分との隙
間が実質的に狭くなり、出力窓１２を透過する不純線２
２が減少する。その結果、測定試料の物質を分析する際
に、スリットや分光結晶などの機構を通して検出器に入
力する不純線が減少し、分析精度が向上する。
【００１７】なお、この場合、不純線２２の遮蔽効果を
大きくするために、支持体１４は、陽極ターゲット１３
よりも外径が小さい第２支持部分１４ｂの方を、陽極タ
ーゲット１３と外径が同じ第１支持部分１４ａよりも、
管軸方向の長さが長くなるようにしている 次に、本発明の他の実施形態について、分析用Ｘ線管の
先端部分を横方向から断面にした図２の断面図を参照し
て説明する。図２では、図１に対応する部分には同一の
符号を付し、重複する説明を省略する。
大きくするために、支持体１４は、陽極ターゲット１３
よりも外径が小さい第２支持部分１４ｂの方を、陽極タ
ーゲット１３と外径が同じ第１支持部分１４ａよりも、
管軸方向の長さが長くなるようにしている 次に、本発明の他の実施形態について、分析用Ｘ線管の
先端部分を横方向から断面にした図２の断面図を参照し
て説明する。図２では、図１に対応する部分には同一の
符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１８】この実施形態では、陽極ターゲット１３の
出力窓１２側表面の環状の縁３１がある狭い幅で高く構
成されている。そして、縁３１の部分を除いた表面３２
は、たとえばその中央３２ａが底になるような凹面に構
成されている。
出力窓１２側表面の環状の縁３１がある狭い幅で高く構
成されている。そして、縁３１の部分を除いた表面３２
は、たとえばその中央３２ａが底になるような凹面に構
成されている。
【００１９】上記した構成において、分析用Ｘ線管が動
作状態に入ると、陰極フィラメント１６から電子Ｅが発
生する。電子Ｅは陰極と陽極間の電圧で加速され、ま
た、真空外囲器１１と収束電極１５で収束され、陽極タ
ーゲット表面３２の凹面に衝突しＸ線２０を発生する。
また、２次電子２１も同時に発生する。
作状態に入ると、陰極フィラメント１６から電子Ｅが発
生する。電子Ｅは陰極と陽極間の電圧で加速され、ま
た、真空外囲器１１と収束電極１５で収束され、陽極タ
ーゲット表面３２の凹面に衝突しＸ線２０を発生する。
また、２次電子２１も同時に発生する。
【００２０】このとき、横方向に進むＸ線や２次電子２
１は、凹面周辺の浅い部分や縁３１の部分で遮蔽され、
側面方向への照射や散乱が抑えられる。そのため、真空
外囲器１１内面や管内部品へのＸ線や２次電子２１の衝
突が少なくなり、不純線の励起が減少する。
１は、凹面周辺の浅い部分や縁３１の部分で遮蔽され、
側面方向への照射や散乱が抑えられる。そのため、真空
外囲器１１内面や管内部品へのＸ線や２次電子２１の衝
突が少なくなり、不純線の励起が減少する。
【００２１】また、Ｘ線や２次電子２１が陽極ターゲッ
ト１３の縁３１を越えて、支持体１４などに衝突し、不
純線２２を励起しても、これらの不純線２２は、第１支
持部分１４ａや陽極ターゲット１３によって遮蔽され
る。
ト１３の縁３１を越えて、支持体１４などに衝突し、不
純線２２を励起しても、これらの不純線２２は、第１支
持部分１４ａや陽極ターゲット１３によって遮蔽され
る。
【００２２】したがって、測定試料の物質を分析する際
に、スリットや分光結晶などの機構を通して検出器に入
力する不純線が減少し、分析精度が向上する。
に、スリットや分光結晶などの機構を通して検出器に入
力する不純線が減少し、分析精度が向上する。
【００２３】なお、図２の場合、陽極ターゲット１３の
出力窓１２側表面の環状の縁３１がある幅で高く構成さ
れている。しかし、陽極ターゲット１３の出力窓１２側
の表面全体を凹面に構成することもできる。
出力窓１２側表面の環状の縁３１がある幅で高く構成さ
れている。しかし、陽極ターゲット１３の出力窓１２側
の表面全体を凹面に構成することもできる。
【００２４】次に本発明のもう１つの他の実施形態につ
いて、分析用Ｘ線管の先端部分を横方向から断面にした
図３の断面図を参照して説明する。図３では、図１に対
応する部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略
する。
いて、分析用Ｘ線管の先端部分を横方向から断面にした
図３の断面図を参照して説明する。図３では、図１に対
応する部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略
する。
【００２５】この実施形態では、陽極ターゲット１３の
環状の縁にある高さの壁４１が構成されている。そし
て、壁４１の部分を除いた表面は、ほぼ平坦な面に構成
されている。
環状の縁にある高さの壁４１が構成されている。そし
て、壁４１の部分を除いた表面は、ほぼ平坦な面に構成
されている。
【００２６】この構成の場合、陽極ターゲット１３から
発生して横方向に向うＸ線や２次電子２１は環状の壁４
１で遮蔽され、側面方向への照射や散乱が抑えられる。
そのため、真空外囲器１１内面や管内部品へのＸ線や２
次電子２１の衝突が少なくなり、不純線の励起が減少す
る。また、Ｘ線や２次電子２１が陽極ターゲット１３の
壁４１を越えて、支持体１４などに衝突し、不純線２２
を励起しても、これらの不純線２２は、第１支持部分１
４ａや陽極ターゲット１３によって遮蔽される。
発生して横方向に向うＸ線や２次電子２１は環状の壁４
１で遮蔽され、側面方向への照射や散乱が抑えられる。
そのため、真空外囲器１１内面や管内部品へのＸ線や２
次電子２１の衝突が少なくなり、不純線の励起が減少す
る。また、Ｘ線や２次電子２１が陽極ターゲット１３の
壁４１を越えて、支持体１４などに衝突し、不純線２２
を励起しても、これらの不純線２２は、第１支持部分１
４ａや陽極ターゲット１３によって遮蔽される。
【００２７】したがって、測定試料の物質を分析する際
に、スリットや分光結晶などの機構を通して検出器に入
力する不純線が減少し、分析精度が向上する。
に、スリットや分光結晶などの機構を通して検出器に入
力する不純線が減少し、分析精度が向上する。
【００２８】次に、陽極ターゲット１３を支持する支持
体１４の他の構造例について図４〜図６を参照して説明
する。図４の例では、陽極ターゲット１３と接合される
第１支持部分１４ａの陽極ターゲット１３側の面が陽極
ターゲット１３と同じ面積に形成されている。そして、
径の小さい第２支持部分１４ｂ方向に向って徐々に直径
が小さくなるテーパ状に形成されている。
体１４の他の構造例について図４〜図６を参照して説明
する。図４の例では、陽極ターゲット１３と接合される
第１支持部分１４ａの陽極ターゲット１３側の面が陽極
ターゲット１３と同じ面積に形成されている。そして、
径の小さい第２支持部分１４ｂ方向に向って徐々に直径
が小さくなるテーパ状に形成されている。
【００２９】図５の例は、支持体１４全体が、陽極ター
ゲット１３の直径よりも小さい一様な直径で構成されて
いる。そして、支持体１４の端面が陽極ターゲット１３
と接合されている。図６の例は、陽極ターゲット１３の
裏側に凹部１３ａが形成されている。そして、陽極ター
ゲット１３よりも小さな直径の支持体１４が、陽極ター
ゲット１３の凹部１３ａに嵌め込まれ、陽極ターゲット
１３と支持体１４が接合されている。
ゲット１３の直径よりも小さい一様な直径で構成されて
いる。そして、支持体１４の端面が陽極ターゲット１３
と接合されている。図６の例は、陽極ターゲット１３の
裏側に凹部１３ａが形成されている。そして、陽極ター
ゲット１３よりも小さな直径の支持体１４が、陽極ター
ゲット１３の凹部１３ａに嵌め込まれ、陽極ターゲット
１３と支持体１４が接合されている。
【００３０】なお、図４〜図６で示された陽極ターゲッ
トと支持体との支持構造の例は、陽極ターゲットの表面
が凹面に形成されている場合で説明している。しかし、
これらの支持構造は、図１のように陽極ターゲットが平
坦の場合、あるいは、図３の実施形態のように陽極ター
ゲットの縁に壁が設けられた場合に対しても適用でき
る。
トと支持体との支持構造の例は、陽極ターゲットの表面
が凹面に形成されている場合で説明している。しかし、
これらの支持構造は、図１のように陽極ターゲットが平
坦の場合、あるいは、図３の実施形態のように陽極ター
ゲットの縁に壁が設けられた場合に対しても適用でき
る。
【００３１】
【発明の効果】この発明によれば、分析の高精度化が図
れる分析用Ｘ線管を実現できる。
れる分析用Ｘ線管を実現できる。
【図１】本発明の実施形態を説明するための断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の他の実施形態を説明するための断面図
である。
である。
【図３】本発明の他の実施形態を説明するための断面図
である。
である。
【図４】陽極ターゲットを支持体で支持する構造の例を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図５】陽極ターゲットを支持体で支持する構造の他の
例を説明するための断面図である。
例を説明するための断面図である。
【図６】陽極ターゲットを支持体で支持する構造の他の
例を説明するための断面図である。
例を説明するための断面図である。
【図７】従来例を説明するための断面図である。
１１…真空外囲器 １２…出力窓 １３…陽極ターゲット １４…支持体 １４ａ…第１支持部分 １４ｂ…第２支持部分 １５…収束電極 １６…陰極フィラメント １７…支持部材 １８…支持体の内部空間 １９…冷却水路 ２０…Ｘ線 ２１…２次電子 ２２…不純線 Ｅ…電子 ｍ…管軸
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 下野 隆 神奈川県川崎市川崎区日進町７番地１ 東 芝電子エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 沓澤 宏樹 神奈川県川崎市川崎区日進町７番地１ 東 芝電子エンジニアリング株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 Ｘ線を透過する出力窓が一部に形成され
た真空外囲器と、この真空外囲器内で前記出力窓に対向
して設けられた陽極ターゲットと、この陽極ターゲット
を支持する支持体と、前記陽極ターゲットの外側に位置
する収束電極と、この収束電極の外側に位置し、前記陽
極ターゲットに照射する電子を放出する陰極フィラメン
トとを具備した分析用Ｘ線管において、前記支持体の少
なくとも一部の外表面が前記陽極ターゲットの外周部よ
りも管軸よりの内側に位置していることを特徴とする分
析用Ｘ線管。 - 【請求項２】 Ｘ線を透過する出力窓が一部に形成され
た真空外囲器と、この真空外囲器内で前記出力窓に対向
して設けられた陽極ターゲットと、この陽極ターゲット
を支持する支持体と、前記陽極ターゲットの外側に位置
する収束電極と、この収束電極の外側に位置し、前記陽
極ターゲットに照射する電子を放出する陰極フィラメン
トとを具備した分析用Ｘ線管において、前記支持体の少
なくとも一部の外径が前記陽極ターゲットの外径よりも
小さいことを特徴とする分析用Ｘ線管。 - 【請求項３】 出力窓側の陽極ターゲットの表面が凹面
に形成されている請求項１または請求項２記載の分析用
Ｘ線管。 - 【請求項４】 出力窓側の陽極ターゲットの縁に所定高
さの壁が形成されている請求項１または請求項２記載の
分析用Ｘ線管。 - 【請求項５】 支持体が、陽極ターゲットと接合する端
面が前記陽極ターゲットと同じ面積をもつ第１支持部分
と、前記陽極ターゲットよりも直径が小さな第２支持部
分とで構成されている請求項１または請求項２記載の分
析用Ｘ線管。 - 【請求項６】 支持体は、陽極ターゲットと同じ外径の
部分と前記陽極ターゲットよりも小さい外径部分とで形
成され、前記陽極ターゲットよりも外径が小さい部分の
方が、前記陽極ターゲットと同じ外径の部分よりも、管
軸方向の長さが長くなっている請求項２記載の分析用Ｘ
線管。 - 【請求項７】 Ｘ線を透過する出力窓が一部に形成され
た真空外囲器と、この真空外囲器内で前記出力窓に対向
して設けられた陽極ターゲットと、この陽極ターゲット
を支持する支持体と、前記陽極ターゲットの外側に位置
する収束電極と、この収束電極の外側に位置し、前記陽
極ターゲットに照射する電子を放出する陰極フィラメン
トとを具備した分析用Ｘ線管において、出力窓と反対側
の陽極ターゲットの裏面に凹部が形成され、前記陽極タ
ーゲットの凹部に支持体が嵌め込まれていることを特徴
とする分析用Ｘ線管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07960199A JP4634550B2 (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | 分析用ｘ線管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07960199A JP4634550B2 (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | 分析用ｘ線管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000277041A true JP2000277041A (ja) | 2000-10-06 |
| JP4634550B2 JP4634550B2 (ja) | 2011-02-16 |
Family
ID=13694544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07960199A Expired - Fee Related JP4634550B2 (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | 分析用ｘ線管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4634550B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011243579A (ja) * | 2004-05-27 | 2011-12-01 | Cabot Microelectronics Corp | 本発明の非平行形状フィールドを有するｘ線源 |
| WO2021024510A1 (ja) * | 2019-08-05 | 2021-02-11 | キヤノン電子管デバイス株式会社 | 分析用ｘ線管 |
-
1999
- 1999-03-24 JP JP07960199A patent/JP4634550B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011243579A (ja) * | 2004-05-27 | 2011-12-01 | Cabot Microelectronics Corp | 本発明の非平行形状フィールドを有するｘ線源 |
| WO2021024510A1 (ja) * | 2019-08-05 | 2021-02-11 | キヤノン電子管デバイス株式会社 | 分析用ｘ線管 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP4634550B2 (ja) | 2011-02-16 |
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