JP2000273638A - 化学的気相成長装置 - Google Patents
化学的気相成長装置Info
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- JP2000273638A JP2000273638A JP11080474A JP8047499A JP2000273638A JP 2000273638 A JP2000273638 A JP 2000273638A JP 11080474 A JP11080474 A JP 11080474A JP 8047499 A JP8047499 A JP 8047499A JP 2000273638 A JP2000273638 A JP 2000273638A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガス分散板に堆積する反応生成物を重点的に
除去することができるクリーニング手段を設け、所定枚
数の成膜ごとに行っているガス分散板のウエットクリー
ニングの回数を減少させ、装置の稼働率を大幅に向上さ
せることができる化学的気相成長装置を提供すること。 【解決手段】 気密な反応室１の内部に原料ガスを均一
に供給するガス分散板２と被成膜基板が対向して配置さ
れた化学的気相成長装置において、ガス分散板２の被成
膜基板に対向する面に堆積した反応生成物を高周波スパ
ッタリングで除去するクリーニング手段を設け、該クリ
ーニング手段でガス分散板２をクリーニングすることに
より、ウエットクリーニングの回数を減少させる。
除去することができるクリーニング手段を設け、所定枚
数の成膜ごとに行っているガス分散板のウエットクリー
ニングの回数を減少させ、装置の稼働率を大幅に向上さ
せることができる化学的気相成長装置を提供すること。 【解決手段】 気密な反応室１の内部に原料ガスを均一
に供給するガス分散板２と被成膜基板が対向して配置さ
れた化学的気相成長装置において、ガス分散板２の被成
膜基板に対向する面に堆積した反応生成物を高周波スパ
ッタリングで除去するクリーニング手段を設け、該クリ
ーニング手段でガス分散板２をクリーニングすることに
より、ウエットクリーニングの回数を減少させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は反応室内に原料ガス
を被成膜基板面上に均一に供給するガス分散板を配置し
た構成の化学的気相成長装置に関し、特に該ガス分散板
に堆積した反応生成物を除去するクリーニング手段を具
備する化学的気相成長装置に関するものである。
を被成膜基板面上に均一に供給するガス分散板を配置し
た構成の化学的気相成長装置に関し、特に該ガス分散板
に堆積した反応生成物を除去するクリーニング手段を具
備する化学的気相成長装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の化学的気相成長装置において
は、反応ガスが気相中で分解してできたパーティクルが
被成膜基板に付着し、膜質が劣化するという問題が生じ
る。このためこの種の化学的気相成長装置では、一定枚
数の被成膜基板の成膜処理が終了した後、（ａ）プラズ
マクリーニング、（ｂ）ガスクリーニング等のクリーニ
ングが実施されている。
は、反応ガスが気相中で分解してできたパーティクルが
被成膜基板に付着し、膜質が劣化するという問題が生じ
る。このためこの種の化学的気相成長装置では、一定枚
数の被成膜基板の成膜処理が終了した後、（ａ）プラズ
マクリーニング、（ｂ）ガスクリーニング等のクリーニ
ングが実施されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の（ａ）のプ
ラズマクリーニングは、多くの薄膜がハロゲン化合物の
蒸気圧が高い性質を利用してハロゲンプラズマで化学的
気相成長装置内の堆積物を除去する方法である。このた
めハロゲン化合物の蒸気圧が高い付着物（ＳｉＯ 2，Ｐ
ｏｌｙ−Ｓｉ，α−Ｓｉ，Ｗ）に対しては有効だが、最
近、高集積メモリーや不揮発性メモリーの誘電体膜とし
て研究がなされている強誘電体（ＢＳＴ，ＳＢＴ）につ
いてはハロゲン化合物の蒸気圧が低くクリーニング効果
がないうえに、反応室の主な構成材料であるステンレス
鋼が腐食を起こしたり、酸化反応分解しやすい強誘電体
化学的気相成長装置用の有機金属原料が被成膜基板に達
する前に内壁に残留するハロゲンとの反応で分解してし
まって輸送できず、成膜できなくなるという問題があっ
て応用できなかった。
ラズマクリーニングは、多くの薄膜がハロゲン化合物の
蒸気圧が高い性質を利用してハロゲンプラズマで化学的
気相成長装置内の堆積物を除去する方法である。このた
めハロゲン化合物の蒸気圧が高い付着物（ＳｉＯ 2，Ｐ
ｏｌｙ−Ｓｉ，α−Ｓｉ，Ｗ）に対しては有効だが、最
近、高集積メモリーや不揮発性メモリーの誘電体膜とし
て研究がなされている強誘電体（ＢＳＴ，ＳＢＴ）につ
いてはハロゲン化合物の蒸気圧が低くクリーニング効果
がないうえに、反応室の主な構成材料であるステンレス
鋼が腐食を起こしたり、酸化反応分解しやすい強誘電体
化学的気相成長装置用の有機金属原料が被成膜基板に達
する前に内壁に残留するハロゲンとの反応で分解してし
まって輸送できず、成膜できなくなるという問題があっ
て応用できなかった。
【０００４】これに対して上記従来の（ｂ）のガスクリ
ーニングは反応室内部の堆積物をクリーニングガスと化
学反応させて生じた反応生成物を排気することによって
クリーニングを行う方法で、堆積物との化学反応で蒸気
圧の高い化合物ができれば有効な方法である。このクリ
ーニングガスとしては、（ｂ−１）ＣｌＦ３、（ｂ−
２）ＨＦＡＣ (1,1,1,5,5,5-hexafloro-2,4-pentanedio
ne)がある。
ーニングは反応室内部の堆積物をクリーニングガスと化
学反応させて生じた反応生成物を排気することによって
クリーニングを行う方法で、堆積物との化学反応で蒸気
圧の高い化合物ができれば有効な方法である。このクリ
ーニングガスとしては、（ｂ−１）ＣｌＦ３、（ｂ−
２）ＨＦＡＣ (1,1,1,5,5,5-hexafloro-2,4-pentanedio
ne)がある。
【０００５】上記クリーニングガスのうちＣｌＦ３はＢ
ＳＴをクリーニングするとＴｉについては蒸気圧が高い
ためクリーニング可能であるが、Ｂａ、Ｓｒについては
８００℃近くまで加熱しないとハロゲン化合物の蒸気気
圧が高くできないため、いわゆるコールドウォール方式
の強誘電体ＣＶＤ装置には適用できない。
ＳＴをクリーニングするとＴｉについては蒸気圧が高い
ためクリーニング可能であるが、Ｂａ、Ｓｒについては
８００℃近くまで加熱しないとハロゲン化合物の蒸気気
圧が高くできないため、いわゆるコールドウォール方式
の強誘電体ＣＶＤ装置には適用できない。
【０００６】一方、ＨＦＡＣについては２００℃程度と
いった比較的低温でもＣｕ、Ｆｅといった重金属をクリ
ーニング可能といった報告もあるが、本発明の対象であ
るＢａ、Ｓｒのような希土類元素については実用し得る
クリーニング速度が実現できないという難点があった。
また、ＨＦＡＣについても被成膜基板までの輸送経路の
管理などに付着して残留するものによってＢａ、Ｓｒ、
Ｔｉの有機金属原料の分解反応が起きて正常な成膜がで
きなくなることも懸念される。
いった比較的低温でもＣｕ、Ｆｅといった重金属をクリ
ーニング可能といった報告もあるが、本発明の対象であ
るＢａ、Ｓｒのような希土類元素については実用し得る
クリーニング速度が実現できないという難点があった。
また、ＨＦＡＣについても被成膜基板までの輸送経路の
管理などに付着して残留するものによってＢａ、Ｓｒ、
Ｔｉの有機金属原料の分解反応が起きて正常な成膜がで
きなくなることも懸念される。
【０００７】一方、本特許出願の発明者らの独自の調査
結果によると、反応室内に配置されたガス分散板に被成
膜基板を対向させて成膜する縦型枚葉式の化学的気相成
膜装置において、被成膜基板に付着しているパーティク
ルの多くは被成膜基板と相対するガス分散板への堆積物
が剥離してできたものであることが判明した。これは最
も高温になっている被成膜基板からの輻射熱による加熱
でガス分散板が加熱されて原料ガスの分解反応によって
堆積したものと考えられる。この調査結果をもとに、ガ
ス分散板を重点的にクリーニングすれば、被成膜基板に
落下するパーティクルの数を大幅に減少できると考えら
れる。
結果によると、反応室内に配置されたガス分散板に被成
膜基板を対向させて成膜する縦型枚葉式の化学的気相成
膜装置において、被成膜基板に付着しているパーティク
ルの多くは被成膜基板と相対するガス分散板への堆積物
が剥離してできたものであることが判明した。これは最
も高温になっている被成膜基板からの輻射熱による加熱
でガス分散板が加熱されて原料ガスの分解反応によって
堆積したものと考えられる。この調査結果をもとに、ガ
ス分散板を重点的にクリーニングすれば、被成膜基板に
落下するパーティクルの数を大幅に減少できると考えら
れる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の点に鑑
みてなされたもので、ガス分散板に堆積する堆積物を重
点的に除去することができるクリーニング手段を設け、
該ガス分散板に堆積する反応生成物を除去し、クリーニ
ングすることにより、所定枚数の成膜ごとに行っている
ガス分散板のウエットクリーニングの回数を減少させ、
装置の稼働率を大幅に向上させることができる化学的気
相成長装置を提供することを目的とする。
みてなされたもので、ガス分散板に堆積する堆積物を重
点的に除去することができるクリーニング手段を設け、
該ガス分散板に堆積する反応生成物を除去し、クリーニ
ングすることにより、所定枚数の成膜ごとに行っている
ガス分散板のウエットクリーニングの回数を減少させ、
装置の稼働率を大幅に向上させることができる化学的気
相成長装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１に記載の発明は、気密な反応室の内部に原料ガ
スを均一に供給するガス分散板と被成膜基板が対向して
配置された化学的気相成長装置において、ガス分散板の
被成膜基板に対向する面に堆積した反応生成物を高周波
スパッタリングで除去するクリーニング手段を設けたこ
とを特徴とする。
請求項１に記載の発明は、気密な反応室の内部に原料ガ
スを均一に供給するガス分散板と被成膜基板が対向して
配置された化学的気相成長装置において、ガス分散板の
被成膜基板に対向する面に堆積した反応生成物を高周波
スパッタリングで除去するクリーニング手段を設けたこ
とを特徴とする。
【００１０】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の化学的気相成長装置において、ガス分散板に対
向する位置に付着部材を配置し、クリーニング手段で除
去した反応生成物を該付着部材に付着させて回収する回
収手段を設けたことを特徴とする。
に記載の化学的気相成長装置において、ガス分散板に対
向する位置に付着部材を配置し、クリーニング手段で除
去した反応生成物を該付着部材に付着させて回収する回
収手段を設けたことを特徴とする。
【００１１】また、請求項３に記載の発明は、請求項２
に記載の化学的気相成長装置において、回収手段は、付
着部材を反応室から出し入れする搬送手段を具備するこ
とを特徴とする。
に記載の化学的気相成長装置において、回収手段は、付
着部材を反応室から出し入れする搬送手段を具備するこ
とを特徴とする。
【００１２】また、請求項４に記載の発明は請求項２又
は３に記載の化学的気相成長装置において、付着部材は
中心部が平板状で外周部が筒状になっていることを特徴
とする。
は３に記載の化学的気相成長装置において、付着部材は
中心部が平板状で外周部が筒状になっていることを特徴
とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面に基づいて説明する。図１は本発明に係る化学的気相
成長装置の構成例を示す図である。図１において、１は
反応室（成膜室）であり、該反応室１には多数の孔が形
成されたガス分散板２が配置され、該ガス分散板２の下
方には被成膜基板（図示せず）を載置する基板載置台１
０が配置され、該基板載置台１０には被成膜基板を加熱
するための基板ヒータ（図示せず）が内蔵されている。
面に基づいて説明する。図１は本発明に係る化学的気相
成長装置の構成例を示す図である。図１において、１は
反応室（成膜室）であり、該反応室１には多数の孔が形
成されたガス分散板２が配置され、該ガス分散板２の下
方には被成膜基板（図示せず）を載置する基板載置台１
０が配置され、該基板載置台１０には被成膜基板を加熱
するための基板ヒータ（図示せず）が内蔵されている。
【００１４】反応室１の上部に原料ガスを生成する気化
器８が配置されている。反応室１は絶縁継手７−１を介
してガス分散板２を境に上下に電気的に区分され、更に
絶縁継手７−２を介して反応室１と気化器８は電気的に
区分されている。基板載置台１０には板状の付着部材３
が載置されている。１４は反応室１の外部に設けられた
付着部材収納室であり、該付着部材収納室１４は付着部
材搬出入口１１及びバルブ１２を介して反応室１に接続
されている。また、付着部材収納室１４にはロボットア
ーム等の付着部材３を搬送するための付着部材搬送手段
１３が設けられている。
器８が配置されている。反応室１は絶縁継手７−１を介
してガス分散板２を境に上下に電気的に区分され、更に
絶縁継手７−２を介して反応室１と気化器８は電気的に
区分されている。基板載置台１０には板状の付着部材３
が載置されている。１４は反応室１の外部に設けられた
付着部材収納室であり、該付着部材収納室１４は付着部
材搬出入口１１及びバルブ１２を介して反応室１に接続
されている。また、付着部材収納室１４にはロボットア
ーム等の付着部材３を搬送するための付着部材搬送手段
１３が設けられている。
【００１５】また、反応室１には真空ポンプ６が接続さ
れており、反応室１内の真空度は真空計９で検出できる
ようになっている。前記絶縁継手７−１で電気的に上下
に区分された反応室１の上部には整合回路５を介して高
周波電源（ＲＦ電源）４が接続されている。
れており、反応室１内の真空度は真空計９で検出できる
ようになっている。前記絶縁継手７−１で電気的に上下
に区分された反応室１の上部には整合回路５を介して高
周波電源（ＲＦ電源）４が接続されている。
【００１６】上記構成の化学的気相成長装置において、
ガス分散板２に堆積した反応生成物を除去しクリーニン
グを行うときは、バルブ１２を開放し付着部材搬送手段
１３で付着部材収納室１４に収納されている付着部材３
を反応室１内に搬入し、基板載置台１０上に載置する。
この状態で、バルブ１２を閉じ、真空ポンプ６で反応室
１を排気しながら、アルゴン（Ａｒ）ガスを気化器８を
経由して導入する。絶縁継手７−１及び７−２で反応室
１及び気化器８と電気的に絶縁されたガス分散板２に高
周波電源４から整合回路５を通して高周波電圧を印加す
ることにより、反応室１内にアルゴンプラズマが発生す
る。
ガス分散板２に堆積した反応生成物を除去しクリーニン
グを行うときは、バルブ１２を開放し付着部材搬送手段
１３で付着部材収納室１４に収納されている付着部材３
を反応室１内に搬入し、基板載置台１０上に載置する。
この状態で、バルブ１２を閉じ、真空ポンプ６で反応室
１を排気しながら、アルゴン（Ａｒ）ガスを気化器８を
経由して導入する。絶縁継手７−１及び７−２で反応室
１及び気化器８と電気的に絶縁されたガス分散板２に高
周波電源４から整合回路５を通して高周波電圧を印加す
ることにより、反応室１内にアルゴンプラズマが発生す
る。
【００１７】上記アルゴンプラズマ中では、アルゴンイ
オンがガス分散板２の前面（下面）に生じたイオンシー
スで加速され、アルゴンイオンのスパッタ作用でガス分
散板２に堆積した反応生成物が除去される。この除去さ
れた反応生成物は該ガス分散板２と相対する付着部材３
に付着する。このアルゴンガス放電処理を一定時間施
し、ガス分散板２のクリーニング完了後、高周波電源４
の電力をゼロとし、アルゴンガスの供給を停止する。そ
の後バルブ１２を開放し付着部材搬送手段１３を動作さ
せて付着部材３を付着部材収納室１４に移送し、バルブ
１２を閉じてクリーニングを完了する。
オンがガス分散板２の前面（下面）に生じたイオンシー
スで加速され、アルゴンイオンのスパッタ作用でガス分
散板２に堆積した反応生成物が除去される。この除去さ
れた反応生成物は該ガス分散板２と相対する付着部材３
に付着する。このアルゴンガス放電処理を一定時間施
し、ガス分散板２のクリーニング完了後、高周波電源４
の電力をゼロとし、アルゴンガスの供給を停止する。そ
の後バルブ１２を開放し付着部材搬送手段１３を動作さ
せて付着部材３を付着部材収納室１４に移送し、バルブ
１２を閉じてクリーニングを完了する。
【００１８】なお、付着部材３としては、ＳｉＣ、Ａｌ
Ｎに代表される専用の治具を用いるのが好ましいが、ダ
ミーウエハで代用させることも可能である。
Ｎに代表される専用の治具を用いるのが好ましいが、ダ
ミーウエハで代用させることも可能である。
【００１９】上記構成の化学的気相成長装置において、
８インチ径のシリコンウエハに膜厚５００ÅのＢＳＴ膜
を成膜する条件で１００枚成膜するごとに、以下の条件
でクリーニングを行った。
８インチ径のシリコンウエハに膜厚５００ÅのＢＳＴ膜
を成膜する条件で１００枚成膜するごとに、以下の条件
でクリーニングを行った。
【００２０】 （クリーニング条件） 放電ガス アルゴン（Ａｒ）ガス 放電時の圧力 ０．１Ｔｏｒｒ ガス分散板２と付着部材３との距離 ３０ｍｍ ＲＦ周波数 １３．５６MHｚ ＲＦ電力 １ＫＷ 放電時間 ５分
【００２１】上記条件でクリーニングを行い、ガス分散
板２に付着している反応生成物が剥離して被成膜基板で
あるシリコンウエハに落下して付着したパーティクル個
数をカウントした。その結果、上記本発明によるクリー
ニングを実施した場合は、本発明によるクリーニングを
実施しない場合に比べてパーティクルの付着量が２桁低
いレベルに抑えることができることが判明した。
板２に付着している反応生成物が剥離して被成膜基板で
あるシリコンウエハに落下して付着したパーティクル個
数をカウントした。その結果、上記本発明によるクリー
ニングを実施した場合は、本発明によるクリーニングを
実施しない場合に比べてパーティクルの付着量が２桁低
いレベルに抑えることができることが判明した。
【００２２】図１に示す例では、付着部材３の形状が平
坦な板状部材である。そのためガス分散板２からスパッ
タリングされた付着物の全ては付着部材３に付着せず外
周方向に飛び散っていったものは回収されず、これがパ
ーティクル源となる恐れがある。そこで、図２に示すよ
うに、付着部材３の外周を円管状に突起部３ａを設ける
ことにより、ガス分散板２の外周方向にスパッタされた
ものについても回収することが可能となる。
坦な板状部材である。そのためガス分散板２からスパッ
タリングされた付着物の全ては付着部材３に付着せず外
周方向に飛び散っていったものは回収されず、これがパ
ーティクル源となる恐れがある。そこで、図２に示すよ
うに、付着部材３の外周を円管状に突起部３ａを設ける
ことにより、ガス分散板２の外周方向にスパッタされた
ものについても回収することが可能となる。
【００２３】なお、図１、図２とも付着部材３を付着部
材搬送手段１３により、付着部材収納室１４から反応室
１へ供給、また反応室１から該付着部材収納室１４への
回収時には、基板載置台昇降機構１５により、基板載置
台１０が実線図示のように下降し、本発明に係るクリー
ニングの時は、付着部材３に除去された反応生成物が付
着しやすいように、基板載置台１０が一点鎖線図示のよ
うに上昇する。
材搬送手段１３により、付着部材収納室１４から反応室
１へ供給、また反応室１から該付着部材収納室１４への
回収時には、基板載置台昇降機構１５により、基板載置
台１０が実線図示のように下降し、本発明に係るクリー
ニングの時は、付着部材３に除去された反応生成物が付
着しやすいように、基板載置台１０が一点鎖線図示のよ
うに上昇する。
【００２４】図３は上記構成の化学的気相成長装置によ
り、例えば、チタン酸バリウム／ストロンチウム等の高
誘電体又は強誘電体薄膜を形成する場合を説明するため
の図である。基板載置台１０の上にはシリコンウエハの
成膜基板が載置され、真空ポンプ６で反応室１内を排気
する。気化器８には液体原料Ｇ１及びキャリヤガスＧ２
が供給され該気化器８で気化された原料ガスとなる。該
原料ガスは酸素ガス（Ｏ2）と共に、ガス分散板２上部
の反応ガス供給部１６に供給される。
り、例えば、チタン酸バリウム／ストロンチウム等の高
誘電体又は強誘電体薄膜を形成する場合を説明するため
の図である。基板載置台１０の上にはシリコンウエハの
成膜基板が載置され、真空ポンプ６で反応室１内を排気
する。気化器８には液体原料Ｇ１及びキャリヤガスＧ２
が供給され該気化器８で気化された原料ガスとなる。該
原料ガスは酸素ガス（Ｏ2）と共に、ガス分散板２上部
の反応ガス供給部１６に供給される。
【００２５】図３においては、付着部材搬送手段１３が
ウエハＷを搬送し、付着部材収納室１４にウエハＷを収
納している。付着部材搬送手段１３により、反応室１と
付着部材収納室１４の間でウエハＷの搬送（反応室１へ
のウエハＷの供給、回収）時に、基板載置台昇降機構１
５により基板載置台１０が実線図示するように下降し、
成膜時には基板載置台１０が一点鎖線図示するように昇
降する。
ウエハＷを搬送し、付着部材収納室１４にウエハＷを収
納している。付着部材搬送手段１３により、反応室１と
付着部材収納室１４の間でウエハＷの搬送（反応室１へ
のウエハＷの供給、回収）時に、基板載置台昇降機構１
５により基板載置台１０が実線図示するように下降し、
成膜時には基板載置台１０が一点鎖線図示するように昇
降する。
【００２６】成膜基板は基板載置台１０に内蔵している
ヒータにより加熱され、所定の温度に維持されている。
この成膜基板に向けガス分散板２から原料ガスと酸素ガ
スの混合ガス（反応ガス）を均一に噴射することによ
り、成膜基板上に高誘電体又は強誘電体膜が形成され
る。
ヒータにより加熱され、所定の温度に維持されている。
この成膜基板に向けガス分散板２から原料ガスと酸素ガ
スの混合ガス（反応ガス）を均一に噴射することによ
り、成膜基板上に高誘電体又は強誘電体膜が形成され
る。
【００２７】なお、上記構成の化学的気相成長装置で
は、反応室１の上部に配置されたガス分散板２の上部に
反応ガス供給部１６を形成する構成としているが、ガス
供給部、即ちシャワーヘッドの構成はこれに限定される
ものではなく、被成膜基板と相対し均一に反応ガスを噴
射できるガス分散板を具備し、反応室及び気化器とは電
気的に絶縁され該ガス分散板に高周波電源から高周波電
圧を印加できるように構成されていれば、その具体的構
成は特に限定されるものではない。
は、反応室１の上部に配置されたガス分散板２の上部に
反応ガス供給部１６を形成する構成としているが、ガス
供給部、即ちシャワーヘッドの構成はこれに限定される
ものではなく、被成膜基板と相対し均一に反応ガスを噴
射できるガス分散板を具備し、反応室及び気化器とは電
気的に絶縁され該ガス分散板に高周波電源から高周波電
圧を印加できるように構成されていれば、その具体的構
成は特に限定されるものではない。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように各請求項に記載の発
明によれば、ガス分散板の被成膜基板に対向する面に堆
積した反応生成物を高周波スパッタリングで除去するク
リーニング手段を設けたので、ガス分散板に堆積した反
応生成物を容易に除去することができる。従って、これ
まで例えば１００枚の被成膜基板に成膜するごとに実施
していたウエットクリーニングを１０００枚の成膜ごと
にすることができ、化学的気相成長装置の稼働率を大幅
に向上させることができる。
明によれば、ガス分散板の被成膜基板に対向する面に堆
積した反応生成物を高周波スパッタリングで除去するク
リーニング手段を設けたので、ガス分散板に堆積した反
応生成物を容易に除去することができる。従って、これ
まで例えば１００枚の被成膜基板に成膜するごとに実施
していたウエットクリーニングを１０００枚の成膜ごと
にすることができ、化学的気相成長装置の稼働率を大幅
に向上させることができる。
【図１】本発明に係る化学的気相成長装置の構成例を示
す図である。
す図である。
【図２】本発明に係る化学的気相成長装置の構成例を示
す図である。
す図である。
【図３】本発明に係る化学的気相成長装置の構成例を示
す図である。
す図である。
１ 反応室 ２ ガス分散板 ３ 付着部材 ４ 高周波電源（ＲＦ電源） ５ 整合回路 ６ 真空ポンプ ７−１ 絶縁継手 ７−２ 絶縁継手 ８ 気化器 ９ 真空計 １０ 基板載置台 １１ 付着部材搬出入口 １２ バルブ １３ 付着部材搬送手段 １４ 付着部材収納室 １５ 基板載置台昇降機構 １６ 反応ガス供給部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G077 TG02 TH13 4K030 AA14 BA42 CA04 DA06 EA01 EA05 EA06 FA03 GA02 GA12 KA12 KA17 KA45 5F045 AF19 BB08 BB10 BB14 EB02 EB05 EB08 EH05 EN08
Claims (4)
- 【請求項１】 気密な反応室の内部に原料ガスを均一に
供給するガス分散板と被成膜基板が対向して配置された
化学的気相成長装置において、 前記ガス分散板の被成膜基板に対向する面に堆積した反
応生成物を高周波スパッタリングで除去するクリーニン
グ手段を設けたことを特徴とする化学的気相成長装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の化学的気相成長装置に
おいて、 前記ガス分散板に対向する位置に付着部材を配置し、前
記クリーニング手段で除去した反応生成物を該付着部材
に付着させて回収する回収手段を設けたことを特徴とす
る化学的気相成長装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の化学的気相成長装置に
おいて、 前記回収手段は、前記付着部材を前記反応室から出し入
れする搬送手段を具備することを特徴とする化学的気相
成長装置。 - 【請求項４】 請求項２又は３に記載の化学的気相成長
装置において、 前記付着部材は中心部が平板状で外周部が筒状になって
いることを特徴とする化学的気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11080474A JP2000273638A (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | 化学的気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11080474A JP2000273638A (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | 化学的気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000273638A true JP2000273638A (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=13719276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11080474A Pending JP2000273638A (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | 化学的気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000273638A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006219702A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ成膜装置 |
| US7368398B2 (en) | 2004-10-21 | 2008-05-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2021524887A (ja) * | 2018-06-01 | 2021-09-16 | 北京北方華創微電子装備有限公司Ｂｅｉｊｉｎｇ Ｎａｕｒａ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 上方電極アセンブリ、反応チャンバおよび原子層堆積装置 |
| CN114481095A (zh) * | 2022-01-28 | 2022-05-13 | 德州智南针机械科技有限公司 | 一种化学气相沉积设备内部配件的清洁工艺及设备 |
-
1999
- 1999-03-24 JP JP11080474A patent/JP2000273638A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7368398B2 (en) | 2004-10-21 | 2008-05-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2006219702A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ成膜装置 |
| JP4680619B2 (ja) * | 2005-02-09 | 2011-05-11 | 株式会社アルバック | プラズマ成膜装置 |
| JP2021524887A (ja) * | 2018-06-01 | 2021-09-16 | 北京北方華創微電子装備有限公司Ｂｅｉｊｉｎｇ Ｎａｕｒａ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 上方電極アセンブリ、反応チャンバおよび原子層堆積装置 |
| JP7267308B2 (ja) | 2018-06-01 | 2023-05-01 | 北京北方華創微電子装備有限公司 | 上方電極アセンブリ、反応チャンバおよび原子層堆積装置 |
| CN114481095A (zh) * | 2022-01-28 | 2022-05-13 | 德州智南针机械科技有限公司 | 一种化学气相沉积设备内部配件的清洁工艺及设备 |
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