JP2000260921A - Lead frame, resin-sealed semiconductor device using the lead frame, and its manufacture - Google Patents

Lead frame, resin-sealed semiconductor device using the lead frame, and its manufacture

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To compose a semiconductor device that can be packaged on a substrate at the side of a bottom surface using a frame body. SOLUTION: A lead frame consists of a frame body 20 that is made of a metal plate, a plurality of lead constructs 12, that are connected to the frame body 10 by a thin part 11 and are formed while projecting from the frame body 10, and a die pad part 13. In this case, a lead frame with a lead construct 12 in semi-cut state is used, thus omitting a lead formation process and a lead- cutting process and achieving a compact, this resin-sealed type semiconductor device having lead electrode that is arranged with a high density on a bottom surface.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半切断状態でフレ
ーム体に接続されたリード構成体とダイパッド部とを有
したリードフレームに関するもので、それを用いて半導
体素子を搭載し、外囲を樹脂で封止した樹脂封止型半導
体装置およびその製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame having a lead structure and a die pad portion which are connected to a frame body in a semi-cut state. The present invention relates to a resin-sealed semiconductor device sealed with a resin and a method for manufacturing the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。2. Description of the Related Art In recent years, in order to cope with miniaturization of electronic equipment, high-density mounting of semiconductor components such as resin-encapsulated semiconductor devices has been required.
Thinning is progressing. In addition, the number of pins has been increased while being small and thin, and a high-density small and thin resin-sealed semiconductor device has been demanded.

【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置に使用
するリードフレームについて説明する。Hereinafter, a lead frame used in a conventional resin-encapsulated semiconductor device will be described.

【０００４】図１０は、従来のリードフレームの構成を
示す平面図である。図１０に示すように、従来のリード
フレームは、フレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、
半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部２と、ダ
イパッド部２を支持する吊りリード部３と、半導体素子
を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等
の接続手段により電気的接続するビーム状のインナーリ
ード部４と、そのインナーリード部４と連続して設けら
れ、外部端子との接続のためのアウターリード部５と、
アウターリード部５どうしを連結固定し、樹脂封止の際
の樹脂止めとなるタイバー部６とより構成されていた。FIG. 10 is a plan view showing the structure of a conventional lead frame. As shown in FIG. 10, a conventional lead frame includes a frame 1 and a frame 1 inside the frame.
A rectangular die pad portion 2 on which the semiconductor element is mounted, a suspension lead portion 3 supporting the die pad portion 2, and when the semiconductor element is mounted, the semiconductor element is electrically connected to the mounted semiconductor element by a connecting means such as a thin metal wire. A beam-shaped inner lead portion 4 to be electrically connected, an outer lead portion 5 provided continuously with the inner lead portion 4, and connected to an external terminal;
The outer lead portions 5 were connected and fixed to each other, and were constituted by a tie bar portion 6 serving as a resin stopper at the time of resin sealing.

【０００５】なお、リードフレームは、図１０に示した
構成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、
上下に連続して配列されたものである。[0005] The lead frame has not one pattern having the structure shown in FIG.
They are arranged vertically continuously.

【０００６】次に従来の樹脂封止型半導体装置について
説明する。図１１は、図１０に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。Next, a conventional resin-encapsulated semiconductor device will be described. FIG. 11 is a sectional view showing a resin-sealed semiconductor device using the lead frame shown in FIG.

【０００７】図１１に示すように、リードフレームのダ
イパッド部２上に半導体素子７が搭載され、その半導体
素子７とインナーリード部４とが金属細線８により電気
的に接続されている。そしてダイパッド部２上の半導体
素子７、インナーリード部４の外囲は封止樹脂９により
封止されている。封止樹脂９の側面からはアウターリー
ド部５が突出して設けられ、先端部はベンディングされ
ている。As shown in FIG. 11, a semiconductor element 7 is mounted on a die pad section 2 of a lead frame, and the semiconductor element 7 and the inner lead section 4 are electrically connected by a thin metal wire 8. The outer periphery of the semiconductor element 7 and the inner lead portion 4 on the die pad portion 2 is sealed with a sealing resin 9. An outer lead portion 5 is provided so as to protrude from a side surface of the sealing resin 9, and a front end portion is bent.

【０００８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、図１２に示すように、リードフレームのダイパッド
部２上に半導体素子７を接着剤により接合した後（ダイ
ボンド工程）、半導体素子７とインナーリード部４の先
端部とを金属細線８により接続する（ワイヤーボンド工
程）。その後、半導体素子７の外囲を封止するが、封止
領域はリードフレームのタイバー部６で包囲された領域
内を封止樹脂９により封止し、アウターリード部５を外
部に突出させて封止する（樹脂封止工程）。そしてタイ
バー部６で封止樹脂９の境界部をカッティングし、各ア
ウターリード部５を分離し、フレーム枠１を除去すると
ともに、アウターリード部５の先端部をベンディングす
ることにより（タイバーカット・ベンド工程）、図１１
に示した構造の樹脂封止型半導体装置を製造することが
できる。ここで図１２において、破線で示した領域が封
止樹脂９で封止する領域である。As shown in FIG. 12, a conventional method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device is to bond a semiconductor element 7 onto a die pad portion 2 of a lead frame with an adhesive (die bonding step), The distal end portion of the inner lead portion 4 is connected with the thin metal wire 8 (wire bonding step). After that, the outer periphery of the semiconductor element 7 is sealed, and the sealing region is sealed with the sealing resin 9 in the region surrounded by the tie bar portion 6 of the lead frame, and the outer lead portion 5 is projected outside. Sealing (resin sealing step). Then, the boundary portion of the sealing resin 9 is cut with the tie bar portion 6, each outer lead portion 5 is separated, the frame 1 is removed, and the tip of the outer lead portion 5 is bent (tie bar cut / bend). Step), FIG.
Can be manufactured. Here, in FIG. 12, a region indicated by a broken line is a region to be sealed with the sealing resin 9.

【０００９】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のリ
ードフレームでは、半導体素子が高集積化し、多ピンと
なった場合、インナーリード部（アウターリード部）の
幅の形成には限界があり、多ピンに対応しようとする場
合は、インナーリード部（アウターリード部）の数が多
くなるため、リードフレーム自体が大きくなり、結果と
して樹脂封止型半導体装置も大きくなり、要望される小
型、薄型の樹脂封止型半導体装置は実現できないという
課題があった。また、半導体素子の多ピン対応としてリ
ードフレームのサイズを変更せず、インナーリード部を
増加させる場合は、１本当たりのインナーリード部の幅
を細くしなければならず、リードフレーム形成のエッチ
ング等の加工で課題が多くなってしまう。However, in the conventional lead frame, when the semiconductor element is highly integrated and the number of pins is increased, there is a limit in forming the width of the inner lead portion (outer lead portion). In order to cope with the problem, the number of inner lead portions (outer lead portions) increases, so that the lead frame itself becomes large, and as a result, the resin-encapsulated semiconductor device also becomes large. There is a problem that a fixed semiconductor device cannot be realized. In addition, when increasing the number of inner leads without changing the size of the lead frame in order to support multiple pins of the semiconductor element, the width of each inner lead must be reduced, and etching of the lead frame may be performed. There are many problems in processing.

【００１０】また最近は面実装タイプの半導体装置とし
て、底面に外部電極を設けたキャリア（配線基板）上に
半導体素子を搭載し、電気的接続を行った後、そのキャ
リアの上面を樹脂封止した半導体装置であるボール・グ
リッド・アレイ（ＢＧＡ）タイプやランド・グリッド・
アレイ（ＬＧＡ）タイプの半導体装置がある。このタイ
プの半導体装置はその底面側でマザー基板と実装する半
導体装置であり、今後、このような面実装タイプの半導
体装置が主流になりつつある。したがって、このような
動向に対応するには、従来のリードフレーム、そのリー
ドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置では、対応で
きないという大きな課題が顕在化してきている。Recently, as a surface mount type semiconductor device, a semiconductor element is mounted on a carrier (wiring board) having an external electrode provided on a bottom surface, and after electrical connection is made, the upper surface of the carrier is sealed with a resin. Semiconductor devices such as ball grid array (BGA) type and land grid
There is an array (LGA) type semiconductor device. This type of semiconductor device is a semiconductor device mounted on a motherboard on the bottom side, and such a surface mount type semiconductor device is becoming mainstream in the future. Therefore, in order to cope with such a trend, a big problem that a conventional lead frame and a resin-sealed semiconductor device using the lead frame cannot be dealt with has become apparent.

【００１１】従来の樹脂封止型半導体装置では、封止樹
脂の側面にアウターリード部よりなる外部リードが設け
られており、その外部リードと基板電極とを接合して実
装するものであるため、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイプの
半導体装置に比べて、基板実装の信頼性は低いものとな
ってしまう。また、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイプの半導
体装置は、配線基板を用いているため、コスト的に高価
となるという課題がある。In a conventional resin-encapsulated semiconductor device, an external lead formed of an outer lead portion is provided on a side surface of a sealing resin, and the external lead and a substrate electrode are bonded and mounted. The reliability of board mounting is lower than that of BGA type and LGA type semiconductor devices. In addition, since BGA type and LGA type semiconductor devices use a wiring board, there is a problem that the cost is high.

【００１２】本発明は前記した従来の課題および今後の
半導体装置の動向に対応できるフレームタイプのパッケ
ージ材を用いた樹脂封止型半導体装置を提供するもので
あり、底面側で基板実装できる半導体装置をフレーム体
を用いて構成することを目的とするものである。そして
半切断状態でフレーム体に接続されたリード構成体を有
したリードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装
置およびその製造方法を提供するものである。さらに本
発明は、従来のようにリードカット工程やリードベンド
工程をなくし、容易に樹脂封止型半導体装置を得ること
ができ、樹脂封止型半導体装置を低コストで製造できる
ものである。The present invention provides a resin-encapsulated semiconductor device using a frame-type package material which can cope with the above-mentioned conventional problems and future trends in semiconductor devices. Using a frame body. It is another object of the present invention to provide a lead frame having a lead structure connected to a frame body in a half-cut state, a resin-sealed semiconductor device using the lead frame, and a method of manufacturing the same. Further, according to the present invention, a resin-encapsulated semiconductor device can be easily obtained by eliminating a lead cut step and a lead bend step as in the related art, and a resin-encapsulated semiconductor device can be manufactured at low cost.

【００１３】[0013]

【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明のリードフレームとそれを用いた樹脂
封止型半導体装置およびその製造方法は、以下のような
構成を有している。In order to solve the above-mentioned conventional problems, a lead frame of the present invention, a resin-encapsulated semiconductor device using the same, and a method of manufacturing the same have the following structures. I have.

【００１４】すなわち、本発明のリードフレームは、半
導体素子を搭載し、底面にリード電極が配列されてなる
樹脂封止型半導体装置を構成するのに用いるリードフレ
ームであって、金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
レーム本体の領域内に配設されて、薄厚部により前記フ
レーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出
して形成された半導体素子搭載用のダイパッド部と、前
記フレーム本体の領域内に配設され、かつ前記ダイパッ
ド部の周囲に配置され、薄厚部により前記フレーム本体
と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出して形成さ
れた複数のリード構成体とよりなるリードフレームにお
いて、前記リード構成体および前記ダイパッド部は、前
記フレーム本体から突出した方向への押圧力により、前
記薄厚部が破断されて前記フレーム本体より分離される
構成であるリードフレームである。そして、リード構成
体の表面には複数の溝部が設けられているリードフレー
ムである。That is, the lead frame of the present invention is a lead frame used for forming a resin-encapsulated semiconductor device having a semiconductor element mounted thereon and lead electrodes arranged on the bottom surface, the frame being made of a metal plate. A body, a die pad portion for mounting a semiconductor element formed in a region of the frame body, connected to the frame body by a thin portion, and formed to protrude from the frame body; and a region of the frame body. And a lead frame comprising a plurality of lead components that are disposed within and are arranged around the die pad portion, are connected to the frame main body by a thin portion, and protrude from the frame main body. In the lead structure and the die pad portion, the thin portion is broken by a pressing force in a direction protruding from the frame body. A lead frame which is configured to be separated from the frame body Te. The lead frame is provided with a plurality of grooves on the surface of the lead structure.

【００１５】本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体
素子を搭載し、底面にリード電極が配列されてなる樹脂
封止型半導体装置を構成するのに用いるリードフレーム
であって、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレー
ム本体の領域内に配設されて、薄厚部により前記フレー
ム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出して
形成された半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記フ
レーム本体の領域内に配設され、かつ前記ダイパッド部
の周囲に配置され、薄厚部により前記フレーム本体と接
続し、かつ前記フレーム本体よりも突出して形成された
複数のリード構成体とよりなり、前記リード構成体およ
び前記ダイパッド部は、前記フレーム本体から突出した
方向への押圧力により、前記薄厚部が破断されて前記フ
レーム本体より分離される構成であるリードフレームよ
り構成された樹脂封止型半導体装置であって、前記ダイ
パッド部上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子
の周辺に配置され、前記半導体素子と金属細線により電
気的に接続されたリード構成体と、前記リード構成体お
よびダイパッド部の底面を突出させて前記半導体素子の
外囲を封止した封止樹脂とよりなり、前記リード構成体
およびダイパッド部の封止樹脂からの突出量は、前記フ
レーム本体の厚み量から前記リード構成体およびダイパ
ッド部が前記フレーム本体から突出した量を差し引いた
量である樹脂封止型半導体装置である。そして、リード
構成体の表面には複数の溝部が設けられて、金属細線の
リード構成体側の接続は前記溝部と溝部との間で接続さ
れている樹脂封止型半導体装置である。A resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention is a lead frame used for forming a resin-encapsulated semiconductor device in which a semiconductor element is mounted and lead electrodes are arranged on a bottom surface. A frame main body, a die pad portion for mounting a semiconductor element, which is disposed in a region of the frame main body, is connected to the frame main body by a thin portion, and is formed so as to protrude from the frame main body; And a plurality of lead components disposed around the die pad portion, connected to the frame main body by a thin portion, and formed to protrude from the frame main body. In the structure and the die pad portion, the thin portion is broken by the pressing force in the direction protruding from the frame main body, and is separated from the frame main body. A resin-encapsulated semiconductor device comprising a lead frame having a configuration to be formed, wherein a semiconductor element mounted on the die pad portion is disposed around the semiconductor element, and is electrically connected to the semiconductor element and a thin metal wire. The lead structure and a sealing resin that protrudes the bottom surfaces of the lead structure and the die pad portion to seal the outer periphery of the semiconductor element, and seals the lead structure and the die pad portion. In the resin-encapsulated semiconductor device, the amount of protrusion from the resin is an amount obtained by subtracting the amount of protrusion of the lead component and the die pad portion from the frame body from the thickness of the frame body. A plurality of grooves are provided on the surface of the lead structure, and the connection of the thin metal wires on the lead structure side is a resin-sealed semiconductor device connected between the grooves.

【００１６】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、半導体素子を搭載し、底面にリード電極が配列され
てなる樹脂封止型半導体装置を構成するのに用いるリー
ドフレームであって、金属板よりなるフレーム本体と、
前記フレーム本体の領域内に配設されて、薄厚部により
前記フレーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体より
も突出して形成された半導体素子搭載用のダイパッド部
と、前記フレーム本体の領域内に配設され、かつ前記ダ
イパッド部の周囲に配置され、薄厚部により前記フレー
ム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出して
形成された複数のリード構成体とよりなり、前記リード
構成体および前記ダイパッド部は、前記フレーム本体か
ら突出した方向への押圧力により、前記薄厚部が破断さ
れて前記フレーム本体より分離される構成であるリード
フレームを用意する工程と、前記リードフレームの前記
ダイパッド部の突出した側に半導体素子を搭載する工程
と、前記搭載した半導体素子の電極とリード構成体の各
々とを金属細線により電気的に接続する工程と、前記半
導体素子の外囲であって、前記リードフレームの上面側
のみを封止樹脂により封止し、樹脂封止型半導体装置を
形成する工程と、前記リードフレームの前記フレーム本
体を固定した状態で前記フレーム本体の底面側から前記
リード構成体およびダイパッド部の底面側に対して押圧
力を印加し、前記リード構成体およびダイパッド部とを
接続している薄厚部を破断させ、前記フレーム本体から
樹脂封止型半導体装置を分離する工程とを有する樹脂封
止型半導体装置の製造方法である。そして、搭載した半
導体素子の電極とリード構成体の各々とを金属細線によ
り電気的に接続する工程では、リード構成体の表面に設
けた複数の溝部の溝部と溝部との間に金属細線を接続す
る樹脂封止型半導体装置の製造方法である。A method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention is a lead frame used for forming a resin-encapsulated semiconductor device having a semiconductor element mounted thereon and lead electrodes arranged on a bottom surface, A frame body made of a metal plate,
A die pad portion for mounting a semiconductor element, which is provided in the area of the frame main body, is connected to the frame main body by a thin portion, and is formed so as to protrude from the frame main body; and is provided in the area of the frame main body. And a plurality of lead components arranged around the die pad portion, connected to the frame main body by a thin portion, and formed so as to protrude from the frame main body. The lead component and the die pad A step of preparing a lead frame having a configuration in which the thin portion is broken and separated from the frame body by a pressing force in a direction protruding from the frame body, and a step of projecting the die pad portion of the lead frame. Mounting the semiconductor element on the side of the semiconductor element, and connecting the electrode and the lead structure of the mounted semiconductor element to a thin metal wire. Forming a resin-encapsulated semiconductor device by sealing only the upper surface side of the lead frame outside the semiconductor element with a sealing resin, In a state where the frame body is fixed, a pressing force is applied from the bottom side of the frame body to the bottom side of the lead structure and the die pad portion to connect the lead structure and the die pad portion to each other. And separating the resin-encapsulated semiconductor device from the frame body. Then, in the step of electrically connecting the electrode of the mounted semiconductor element and each of the lead members by a thin metal wire, the thin metal wire is connected between the grooves of the plurality of grooves provided on the surface of the lead member. This is a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device.

【００１７】前記構成の通り、本発明のリードフレーム
は、樹脂封止型半導体装置を構成した際、その外部電極
となるリード構成体と半導体素子を搭載するダイパッド
部とを設けたものであり、そのリード構成体およびダイ
パッド部は、一方向の押圧力、例えば突き上げ力によ
り、ランド構成体およびダイパッド部を接続している部
分である薄厚部を破断させることにより、フレーム本体
から分離することができるので、リードカット工程やリ
ードベンド工程をなくし、容易に樹脂封止型半導体装置
を得ることができるものである。これは比較的、精度が
要求された従来のリードフレームにおけるリードカット
工程、リードベンド工程に比べて、工程自体が、突き上
げ処理により樹脂封止型半導体装置をフレームから分離
する、という比較的単純な処理であり、不良、破壊、変
形等が発生することがなくなるため、容易に樹脂封止型
半導体装置を得ることができるものである。As described above, the lead frame of the present invention is provided with a lead structure serving as an external electrode and a die pad portion on which a semiconductor element is mounted when a resin-sealed semiconductor device is formed. The lead structure and the die pad portion can be separated from the frame main body by breaking a thin portion, which is a portion connecting the land structure and the die pad portion, with a pressing force in one direction, for example, a pushing force. Therefore, the lead cutting step and the lead bending step can be eliminated, and a resin-sealed semiconductor device can be easily obtained. This is a relatively simple process, in which the process itself separates the resin-encapsulated semiconductor device from the frame by a push-up process, compared to the lead cutting process and the lead bending process in a conventional lead frame that required relatively high accuracy. Since this is a process and does not cause defects, destruction, deformation, or the like, a resin-encapsulated semiconductor device can be easily obtained.

【００１８】また本発明の樹脂封止型半導体装置は、リ
ード構成体がその底面に配列され、またリード構成体が
封止樹脂の底面よりも突出して設けられ、基板実装時の
スタンドオフが形成されているものである。ここで樹脂
封止型半導体装置のリード構成体およびダイパッド部の
突出量は、フレーム本体の厚み量からリード構成体およ
びダイパッド部が突出した量を差し引いた量となり、リ
ード構成体の外部電極としてのスタンドオフが、リード
フレームを用いることにより、別工程によりスタンドオ
フを形成せずに自己整合的に形成されるものである。さ
らにリード構成体の表面には、複数の溝部が設けられて
おり、金属細線はその溝部と溝部との間に接続した構造
により、基板実装後、基板の撓みにともなってリード構
成体が撓んだ際、その撓みによる変形応力を溝部が吸収
し、金属細線の接続部分には応力が印加されず、接続部
分の破壊を防止でき、信頼性の高い樹脂封止型半導体装
置を実現できるものである。In the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention, the lead members are arranged on the bottom surface, and the lead members are provided so as to protrude from the bottom surface of the sealing resin. Is what is being done. Here, the protruding amount of the lead structure and the die pad portion of the resin-encapsulated semiconductor device is an amount obtained by subtracting the protruding amount of the lead structure and the die pad portion from the thickness amount of the frame main body. The standoff is formed in a self-aligned manner by using a lead frame without forming a standoff in a separate process. Further, a plurality of grooves are provided on the surface of the lead structure, and the metal thin wire is connected between the grooves, so that after the substrate is mounted, the lead structure is bent with the bending of the substrate. In this case, the groove absorbs the deformation stress due to the bending, no stress is applied to the connection portion of the thin metal wire, the connection portion can be prevented from being broken, and a highly reliable resin-encapsulated semiconductor device can be realized. is there.

【００１９】また本発明のリードフレームを用いること
により、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いては、半導体素子を搭載し、樹脂封止した後、リード
構成体、ダイパッド部分の下方からの突き上げによりフ
レーム自体を除去するだけで、樹脂封止型半導体装置の
底面部分に半導体素子と電気的に接続したリード電極を
配列することができる。また、本発明のリードフレーム
を用いて樹脂封止型半導体装置を製造する際、樹脂封止
時において、リード構成体底面部分への樹脂バリの進入
を防止でき、加えて、リード電極の外部電極としてのス
タンドオフが確保できるものである。Further, by using the lead frame of the present invention, in the method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, a semiconductor element is mounted and sealed with a resin, and then the lead structure and the die pad are viewed from below. The lead electrodes electrically connected to the semiconductor elements can be arranged on the bottom surface of the resin-sealed semiconductor device only by removing the frame itself by pushing up. Further, when manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device using the lead frame of the present invention, it is possible to prevent resin burrs from entering the bottom surface of the lead structure during resin encapsulation, As a stand-off.

【００２０】[0020]

【発明の実施の形態】以下、本発明のリードフレームと
それを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
の一実施形態について図面を参照しながら説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A lead frame, a resin-sealed semiconductor device using the same and a method for manufacturing the same according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

【００２１】まず本発明のリードフレームの一実施形態
について説明する。First, an embodiment of the lead frame of the present invention will be described.

【００２２】図１は本実施形態のリードフレームを示す
図であり、図１（ａ）は平面図であり、図１（ｂ）は本
実施形態のリードフレームのうち、一部分の拡大を示す
拡大平面図であり、図１（ｃ）はリードフレームの断面
図であり、図１（ｂ）において、Ａ−Ａ１箇所の断面を
示している。FIG. 1 is a view showing a lead frame of the present embodiment, FIG. 1A is a plan view, and FIG. 1B is an enlarged view showing a part of the lead frame of the present embodiment. FIG. 1C is a plan view, and FIG. 1C is a cross-sectional view of the lead frame, and FIG. 1B shows a cross section taken along the line A-A1.

【００２３】図示するように本実施形態のリードフレー
ムは、銅材または、４２−アロイ等の通常のリードフレ
ームに用いられている金属板よりなるフレーム本体１０
と、そのフレーム本体１０の領域内に格子状に配設され
て、薄厚部１１によりフレーム本体１０と接続し、かつ
フレーム本体１０よりも突出して形成された複数のリー
ド構成体１２と、半導体素子を搭載するダイパッド部１
３とよりなるものである。すなわち、フレーム本体１
０、薄厚部１１、リード構成体１２およびダイパッド部
１３は同一の金属板より一体で形成されているものであ
る。そしてリード構成体１２、ダイパッド部１３はフレ
ーム本体１０から突出した方向への押圧力により、薄厚
部１１が破断されてリード構成体１２、ダイパッド部１
３がフレーム本体１０より分離される構成を有するもの
である。リード構成体１２の配列は、図１ではビーム状
にダイパッド部１３を取り囲むように配置しているが、
搭載する半導体素子との金属細線による接続に好適な配
置を採用する。またリード構成体１２の表面には複数の
溝部を形成し、樹脂封止型半導体装置を構成する際、金
属細線をその溝部と溝部との間に接続し、リード構成体
に印加される応力を溝部で吸収できるようにすることに
より、金属細線の接続部分の破壊を防止し、信頼性を向
上できるものである。As shown in the figure, the lead frame of the present embodiment is a frame main body 10 made of copper or a metal plate used for a normal lead frame such as 42-alloy.
A plurality of lead components 12 which are arranged in a grid in the region of the frame main body 10, are connected to the frame main body 10 by the thin portion 11, and are formed so as to protrude from the frame main body 10; Die pad part 1 for mounting
3. That is, the frame body 1
0, the thin portion 11, the lead structure 12, and the die pad portion 13 are integrally formed from the same metal plate. The lead component 12 and the die pad portion 13 are broken by the pressing force in the direction protruding from the frame main body 10 so that the thin portion 11 is broken.
3 has a configuration separated from the frame main body 10. In FIG. 1, the arrangement of the lead components 12 is arranged so as to surround the die pad portion 13 in a beam shape.
An arrangement suitable for connection with a semiconductor element to be mounted by a thin metal wire is adopted. Also, a plurality of grooves are formed on the surface of the lead structure 12, and when configuring a resin-encapsulated semiconductor device, a thin metal wire is connected between the grooves to reduce the stress applied to the lead structure. By making it possible to absorb in the groove, it is possible to prevent the destruction of the connection portion of the thin metal wire and improve the reliability.

【００２４】ここで本実施形態のリードフレームは、一
例として図２に示すように、リード構成体１２の底面部
分１２ａに対して、突出した方向への押圧力を印加する
ことにより、薄厚部１１の破線部分で破断されることに
なり、フレーム本体１０からリード構成体１２が分離す
るものである。ここで、薄厚部１１はフレーム本体１０
自体に対して、打ち抜き加工の半切断手段により形成さ
れる「繋ぎ部分」であり、フレーム本体１０のリード構
成体を形成したい部分をパンチ部材を用いて打ち抜き加
工し、完全に打ち抜かずに、途中、好ましくは半分程度
の打ち抜きで止め、途中まで打ち抜かれた部分がフレー
ム本体１０から突出し、その突出した部分がリード構成
体１２を構成するとともに、フレーム本体１０と切断さ
れずに接続している繋ぎ部分が薄厚部１１を構成するも
のである。したがって、薄厚部１１は極薄であり、リー
ド構成体１２の底面部分１２ａに対して、突出した方向
への押圧力を印加する程度で、薄厚部１１が破断する厚
みを有するものである。そしてダイパッド部も同様な構
成を有しているものである。As shown in FIG. 2, the lead frame according to the present embodiment applies a pressing force in a protruding direction to the bottom surface portion 12a of the lead structure 12 so that the thin portion 11 is formed. And the lead structure 12 is separated from the frame main body 10. Here, the thin portion 11 is
It is a "joining portion" formed by the half-cutting means of the punching process, and the portion of the frame body 10 where the lead structure is to be formed is punched using a punch member, and is not completely punched. Preferably, it is stopped by punching about half, a part punched out halfway projects from the frame main body 10, and the protruding part constitutes the lead structure 12 and is connected to the frame main body 10 without being cut off. The portion constitutes the thin portion 11. Therefore, the thin portion 11 is extremely thin, and has such a thickness that the thin portion 11 is broken only by applying a pressing force in the protruding direction to the bottom surface portion 12 a of the lead structure 12. The die pad has the same configuration.

【００２５】また、フレーム本体１０よりも突出して形
成されたリード構成体１２は、その突出量はフレーム本
体１０自体の厚みの過半数以上の突出量を有しており、
リード構成体１２がフレーム本体１０から突出した方向
への押圧力により、薄厚部１１が破断されてリード構成
体１２がフレーム本体１０より分離される構成を実現で
きるよう構成されている。そしてダイパッド部も同様な
構成を有しているものである。例えば本実施形態では、
リードフレーム自体の厚み、すなわちフレーム本体１０
の厚みを２００［μｍ］とし、リード構成体１２の突出
量を１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（フレーム本体１
０の厚みの７０［％］〜９０［％］）としている。な
お、フレーム本体の厚みは、２００［μｍ］に限定する
ものではなく、必要に応じて、４００［μｍ］の厚型の
フレームとしてもよい。また、リード構成体１２の突出
量に関しても、実施形態では過半数以上のフレーム本体
厚みの７０［％］〜９０［％］の突出量としたが、半数
以下の突出量としてもよく、薄厚部１１部分が破断され
る範囲で、突出量を設定できるものである。The lead member 12 formed so as to protrude from the frame main body 10 has a protruding amount that is at least a majority of the thickness of the frame main body 10 itself.
A configuration in which the thin portion 11 is broken by the pressing force in the direction in which the lead component 12 protrudes from the frame main body 10 and the lead component 12 is separated from the frame main body 10 can be realized. The die pad has the same configuration. For example, in this embodiment,
The thickness of the lead frame itself, that is, the frame body 10
Is set to 200 [μm], and the protrusion amount of the lead structure 12 is set to 140 [μm] to 180 [μm] (the frame
(0 [70] to 90 [%]). The thickness of the frame body is not limited to 200 [μm], but may be a 400 [μm] thick frame as needed. In the embodiment, the projecting amount of the lead body 12 is set to 70% to 90% of the frame body thickness of the majority or more in the embodiment. However, the projecting amount may be set to the half or less. The protrusion amount can be set within a range where the portion is broken.

【００２６】また本実施形態のリードフレームは、その
表面がメッキ処理されたものであり、必要に応じて例え
ば、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ）および金
（Ａｕ）などの金属が積層されて適宜メッキされている
ものである。メッキ処理については、リード構成体１
２、ダイパッド部を成形した後に行ってもよく、または
金属板へのリード構成体の成形前に行ってもよい。また
リードフレームの表面粗さについては、極めて平坦であ
って、０．１［μｍ］以下であり、封止樹脂との剥離性
に影響するものであり、リード構成体１２、ダイパッド
部以外の部分には無用な凹凸がないようにする必要があ
る。The lead frame according to the present embodiment has a plated surface, and a metal such as nickel (Ni), palladium (Pd) and gold (Au) is laminated as necessary. It is appropriately plated. Regarding the plating process, lead structure 1
2. It may be performed after forming the die pad portion, or may be performed before forming the lead structure on the metal plate. Further, the surface roughness of the lead frame is extremely flat and is 0.1 [μm] or less, which affects the releasability from the sealing resin. Must be free of unnecessary irregularities.

【００２７】また本実施形態のリードフレームにおいて
は、リード構成体１２の突出した上面部分は、コイニン
グと称されるプレス成形により、その突出した上面形状
が上面平坦なキノコ状を構成するものである。このコイ
ニングによる形状により、リードフレームに対して、半
導体素子を搭載し、樹脂封止した際、封止樹脂のリード
構成体への食いつきを良好にし、封止樹脂との密着性を
向上させ、片面封止であっても樹脂封止の信頼性を得る
ことができるものである。また形状は上面平坦なキノコ
状に限定されるものではなく、鍵状等の封止樹脂とのア
ンカー作用のある上面平坦な形状であればよい。そして
ダイパッド部も同様である。In the lead frame of this embodiment, the protruding upper surface of the lead structure 12 is formed into a mushroom shape having a flat upper surface by press molding called coining. . Due to this coining shape, when the semiconductor element is mounted on the lead frame and sealed with a resin, the sealing resin bites into the lead structure, the adhesion with the sealing resin is improved, Even with sealing, the reliability of resin sealing can be obtained. Further, the shape is not limited to a mushroom shape having a flat top surface, and may be a flat shape having a flat top surface having an anchoring action with a sealing resin such as a key. The same applies to the die pad portion.

【００２８】なお、リード構成体１２の数は、搭載する
半導体素子のピン数などにより、その数を適宜設定でき
るものである。そして図１に示すように、リード構成体
１２はフレーム本体１０の領域に形成するが、左右・上
下に連続して形成できるものである。またリード構成体
１２の大きさは、リードフレーム内ですべて同一として
もよいし、樹脂封止型半導体装置を構成し、リード電極
とした場合、基板実装の際の応力緩和のために、周辺部
に位置するリード構成体１２を大きくするようにしても
よい。本実施形態では、リード構成体１２の上面の大き
さは、半導体素子を搭載し、電気的接続手段として、金
線等の金属細線により接続する際、ボンディング可能な
大きさであればよく、１００［μｍ］幅以上の大きさと
している。The number of the lead members 12 can be appropriately set according to the number of pins of the semiconductor element to be mounted. Then, as shown in FIG. 1, the lead structure 12 is formed in the area of the frame main body 10, but can be formed continuously in the left, right, up and down directions. Also, the size of the lead structure 12 may be the same in the lead frame, or when a resin-encapsulated semiconductor device is formed and used as a lead electrode, the peripheral portion may be used to alleviate stress in mounting the substrate. May be made larger. In the present embodiment, the size of the upper surface of the lead structure 12 may be a size capable of bonding when a semiconductor element is mounted and connected by a thin metal wire such as a gold wire as an electrical connection means. [Μm] The size is not less than the width.

【００２９】次に本実施形態のリードフレームの製造方
法について説明する。Next, a method of manufacturing the lead frame according to the present embodiment will be described.

【００３０】図３および図４は、リードフレームの製造
方法を示す断面図であり、代表として、リード構成体部
分を示す断面図である。FIGS. 3 and 4 are cross-sectional views showing a method for manufacturing a lead frame, and are cross-sectional views showing a lead structure portion as a representative.

【００３１】まず図３に示すように、リードフレームの
フレーム本体となる金属板１４を打ち抜き金型のダイ部
１５に載置し、金属板１４の上方から押え金型１６によ
り押さえる。ここで図３において、ダイ部１５には、打
ち抜き用の開口部１７が設けられている。また、金属板
１４に対して上方には、パンチ部材１８が設けられてお
り、パンチ部材１８により金属板１４が押圧され打ち抜
き加工された際、金属板１４の押圧された箇所が開口部
１７に打ち抜かれる構造を有している。First, as shown in FIG. 3, a metal plate 14 serving as a frame body of a lead frame is placed on a die 15 of a punching die, and is pressed from above the metal plate 14 by a pressing die 16. Here, in FIG. 3, the die portion 15 is provided with an opening 17 for punching. Further, a punch member 18 is provided above the metal plate 14, and when the metal plate 14 is pressed and punched by the punch member 18, the pressed portion of the metal plate 14 is placed in the opening 17. It has a punched-out structure.

【００３２】次に図４に示すように、ダイ部１５上の所
定の位置に固定した金属板１４に対して、その上方から
パンチ部材１８により押圧による打ち抜き加工を行い、
金属板１４の一部をダイ部１５側の開口部１７側に突出
するように押圧して、金属板１４の所定箇所を半切断状
態にし、リード構成体１２を形成する。ここで薄厚部１
１により金属板１４と接続されて残存し、かつ金属板１
４の本体部よりも突出して形成されたリード構成体１２
を形成するものである。Next, as shown in FIG. 4, the metal plate 14 fixed at a predetermined position on the die portion 15 is punched from above by a punch member 18 by pressing.
A part of the metal plate 14 is pressed so as to protrude toward the opening 17 on the die portion 15 side, so that a predetermined portion of the metal plate 14 is cut in a half-cut state, and the lead structure 12 is formed. Here the thin part 1
1 and remains connected to the metal plate 14 and the metal plate 1
Lead member 12 formed so as to protrude from the main body portion 4
Is formed.

【００３３】本実施形態では、パンチ部材１８により金
属板１４の一部を打ち抜き加工する際、完全に打ち抜か
ず、途中でパンチ部材１８の押圧を停止させることで、
半切断状態を形成し、金属板１４の押圧された部分を切
り離すことなく、金属板１４の本体に接続させて残存さ
せるものである。また、金属板１４のリード構成体１２
を形成する部分に接触するパンチ部材１８の接触面積は
ダイ部１５に設けた開口部１７の開口面積よりも小さ
く、そのパンチ部材１８により、金属板１４の一部を押
圧して金属板１４から突出したリード構成体１２を形成
する工程においては、金属板１４から突出したリード構
成体１２の上面部分１２ｂの面積が、金属板１４側に接
続したリード構成体１２の底面部分１２ａの面積よりも
大きく、リード構成体１２の突出した側の上面のエッジ
部は抜きダレによる曲面を有しているリード構成体１２
を形成するものである。この構造により、形成されたリ
ード構成体１２は、それが突出した方向に対しての押圧
力、すなわちリード構成体１２の底面部分１２ａ側から
の押圧力により、容易に分離されるものであり、またそ
れが突出した方向、すなわちリード構成体１２の上面部
分１２ｂからの押圧力によっては分離しないものであ
り、一方向からの押圧力にのみ分離する構造となる。In the present embodiment, when a part of the metal plate 14 is punched by the punch member 18, the pressing of the punch member 18 is stopped in the middle without completely punching.
A half-cut state is formed, and the pressed portion of the metal plate 14 is connected to the main body of the metal plate 14 without being separated, and is left. Further, the lead component 12 of the metal plate 14
The contact area of the punch member 18 that comes into contact with the portion where the metal plate 14 is formed is smaller than the opening area of the opening 17 provided in the die portion 15. In the step of forming the protruding lead structure 12, the area of the upper surface portion 12b of the lead structure 12 protruding from the metal plate 14 is larger than the area of the bottom surface portion 12a of the lead structure 12 connected to the metal plate 14 side. The edge of the upper surface on the protruding side of the lead structure 12 is large, and the lead structure 12
Is formed. With this structure, the formed lead structure 12 is easily separated by the pressing force in the direction in which it protrudes, that is, the pressing force from the bottom surface portion 12a side of the lead structure 12, In addition, the structure does not separate according to the direction in which it protrudes, that is, the pressing force from the upper surface portion 12b of the lead structure 12, and has a structure that separates only into the pressing force from one direction.

【００３４】また、リード構成体１２の突出した上面部
分に対して、コイニングと称されるプレス成形を行うこ
とにより、その突出した上面形状が上面平坦なキノコ状
を構成するようにしてもよい。このコイニングによる形
状により、リードフレームに対して、半導体素子を搭載
し、樹脂封止した際、封止樹脂のリード構成体への食い
つきを良好にし、アンカー効果を得て、封止樹脂との密
着性をさらに向上させ、片面封止であっても樹脂封止の
信頼性を得ることができるものである。The projecting upper surface of the lead structure 12 may be subjected to press molding called coining so that the projecting upper surface has a mushroom shape with a flat upper surface. Due to this coining shape, when the semiconductor element is mounted on the lead frame and sealed with the resin, the sealing resin bites well into the lead structure, obtains an anchor effect, and adheres to the sealing resin. Thus, the reliability of the resin sealing can be obtained even with single-sided sealing.

【００３５】また、本実施形態では、プレス成形により
リード構成体１２を半切断状態にする前に、リード構成
体１２に相当する部分に複数の溝部を形成してもよく、
溝部を予め形成した後、半切断のリード構成体１２を形
成するものである。これにより、樹脂封止型半導体装置
を構成する際、金属細線をその溝部と溝部との間に接続
し、リード構成体に印加される応力を溝部で吸収できる
ようにすることにより、金属細線の接続部分の破壊を防
止し、信頼性を向上できるものである。In the present embodiment, a plurality of grooves may be formed in a portion corresponding to the lead structure 12 before the lead structure 12 is brought into a semi-cut state by press molding.
After the grooves are formed in advance, a half-cut lead structure 12 is formed. Thereby, when configuring the resin-encapsulated semiconductor device, the thin metal wire is connected between the groove portions so that the stress applied to the lead structure can be absorbed by the groove portion. The connection portion can be prevented from being broken, and the reliability can be improved.

【００３６】本実施形態において、金属板１４に対して
リード構成体１２を形成する際、金属板１４の一部を突
出させるその突出量については、金属板１４自体の厚み
の過半数以上とし、本実施形態では、２００［μｍ］の
金属板１４の厚みに対して、１４０［μｍ］〜１８０
［μｍ］（金属板自体の厚みの７０［％］〜９０
［％］）突出したリード構成体１２を形成している。し
たがって、突出した形成されたリード構成体１２は、金
属板１４の本体に対して、極めて薄い厚みの薄厚部１１
により接続されていることになる。本実施形態では、薄
厚部１１の厚みとしては、２０［μｍ］〜６０［μｍ］
（金属板自体の厚みの１０［％］〜３０［％］）であ
り、リード構成体１２自体が突出した方向に対しての押
圧力により、容易に分離されるものである。なお、フレ
ーム本体の厚みは、２００［μｍ］に限定するものでは
なく、必要に応じて、４００［μｍ］の厚型のフレーム
としてもよい。また、リード構成体１２の突出量に関し
ても、実施形態では過半数以上の突出量としたが、半数
以下の突出量としてもよく、薄厚部１１部分が破断され
る範囲で、突出量を設定できるものである。In the present embodiment, when the lead structure 12 is formed on the metal plate 14, the amount of protrusion of a part of the metal plate 14 is set to be more than a half of the thickness of the metal plate 14. In the embodiment, 140 [μm] to 180 [μm] with respect to the thickness of the metal plate 14 is 200 [μm].
[Μm] (70 [%] to 90% of the thickness of the metal plate itself)
[%]) The protruding lead structure 12 is formed. Therefore, the protruding lead structure 12 is formed on the main body of the metal plate 14 by the thin portion 11 having an extremely small thickness.
Means that they are connected. In the present embodiment, the thickness of the thin portion 11 is 20 [μm] to 60 [μm].
(10% to 30% of the thickness of the metal plate itself), and can be easily separated by the pressing force in the direction in which the lead structure 12 itself protrudes. The thickness of the frame body is not limited to 200 [μm], but may be a 400 [μm] thick frame as needed. Also, in the embodiment, the protrusion amount of the lead component 12 is set to be a majority or more, but may be set to a half or less, and the protrusion amount can be set within a range where the thin portion 11 is broken. It is.

【００３７】ここで本実施形態のリード構成体１２を形
成する際の半切断について説明する。図５は金属板１４
に対して押圧し、半切断状態を構成した際のリード構成
体１２と金属板１４、および薄厚部１１の部分の構造図
である。Here, a description will be given of half-cutting when forming the lead structure 12 of the present embodiment. FIG. 5 shows the metal plate 14.
FIG. 3 is a structural diagram of a lead component 12, a metal plate 14, and a thin portion 11 when a half-cut state is formed by pressing the thin plate 11.

【００３８】図５に示すように、金属板１４に対してリ
ード構成体１２を形成した際、金属板１４のリード構成
体１２部分は、図３，図４に示したパンチ部材１８によ
る打ち抜き加工によって発生した抜きダレ部１９と、パ
ンチ部材によりせん断されたせん断部２０と、リード構
成体１２自体が突出した方向に対しての押圧力により、
容易にリード構成体１２が分離した際の破断面となる破
断部２１を有している。リード構成体１２の形成として
は、パンチ部材１８により打ち抜き加工した際、抜きダ
レ部１９，せん断部２０，破断部２１の順に形成されて
いくものである。破断部２１となる部分は薄厚部１１で
あり、図面上はモデル的に示している関係上、相当の厚
みを有しているように示されているが、実質的には極め
て薄い状態である。また金属板１４の打ち抜き加工にお
いては、理想的な状態は、Ａ：Ｂ＝１：１であり、パン
チ部材１８が金属板１４を打ち抜き、金属板１４の厚み
の１／２を打ち抜いた時点でパンチ部材１８を停止さ
せ、打ち抜きを完了させるものであるが、その条件は適
宜、設定するものである。As shown in FIG. 5, when the lead structure 12 is formed on the metal plate 14, the lead structure 12 of the metal plate 14 is punched by the punch member 18 shown in FIGS. The shearing portion 19 generated by the above, the shearing portion 20 sheared by the punch member, and the pressing force in the direction in which the lead component 12 itself protrudes,
The lead structure 12 has a rupture portion 21 which becomes a rupture surface when the lead structure 12 is easily separated. When the lead member 12 is formed by punching with the punch member 18, the lead member 12 is formed in the order of the punching sagging portion 19, the shearing portion 20, and the breaking portion 21. The portion to be the break portion 21 is the thin portion 11, which is shown as having a considerable thickness in the drawing because it is modeled, but is substantially extremely thin. . In the punching process of the metal plate 14, the ideal state is A: B = 1: 1, and when the punch member 18 punches the metal plate 14 and punches out half the thickness of the metal plate 14. The punch member 18 is stopped to complete the punching, and the conditions are appropriately set.

【００３９】また打ち抜き加工において、クリアランス
の値を変更することにより、せん断部２０と破断部２１
との長さを操作することができ、クリアランスを小さく
すると、せん断部２０を破断部２１よりも大きくするこ
とができ、逆にクリアランスを大きくすると、せん断部
２０を破断部２１よりも小さくすることができる。した
がって、クリアランスをゼロとし、破断部２１の長さを
短く抑えることで、金属板１４の抜き完了のタイミング
を遅らせ、パンチ部材が金属板１４の１／２以上入って
も、抜きが完了しないようにできるものである。ここで
クリアランスは、パンチ部材１８の大きさとダイ部１５
の開口部１７の大きさとの差により形成された隙間の量
を示している。In the punching process, by changing the value of the clearance, the shearing portion 20 and the breaking portion 21 are changed.
When the clearance is reduced, the shear portion 20 can be made larger than the break portion 21. When the clearance is increased, the shear portion 20 can be made smaller than the break portion 21. Can be. Therefore, by setting the clearance to zero and keeping the length of the fractured portion 21 short, the timing of the completion of the removal of the metal plate 14 is delayed, so that the punching is not completed even if the punch member enters more than half of the metal plate 14. Can be done. Here, the clearance depends on the size of the punch member 18 and the die portion 15.
The size of the gap formed by the difference from the size of the opening 17 of FIG.

【００４０】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の実施
形態について図面を参照しながら説明する。図６，図７
は本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、
図６は断面図であり、図７は底面図である。なお、図６
の断面図は図７の底面図において、Ｂ−Ｂ１箇所の断面
を示す図であり、また本実施形態の樹脂封止型半導体装
置を示す平面図については、いわゆる矩形状を示すのみ
であり省略する。Next, an embodiment of a resin-sealed semiconductor device of the present invention will be described with reference to the drawings. Figures 6 and 7
Is a diagram showing a resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment,
FIG. 6 is a sectional view, and FIG. 7 is a bottom view. FIG.
Is a cross-sectional view taken along a line B-B1 in the bottom view of FIG. 7, and a plan view showing the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment is only a so-called rectangular shape and is omitted. I do.

【００４１】図６，図７に示すように、本実施形態の樹
脂封止型半導体装置は、前述したようなリードフレーム
を用いて、半導体素子を搭載した半導体装置であり、ダ
イパッド部１３上に銀ペースト等の導電性接着剤により
接合された半導体素子２２と、その半導体素子２２の周
辺に配置されたリード構成体１２と、その半導体素子２
２の電極パッド（図示せず）とリード構成体１２の各々
とを電気的に接続した金属細線２３と、リード構成体１
２、ダイパッド部１２の底面を突出させて半導体素子２
２の外囲を封止した封止樹脂２４とよりなる樹脂封止型
半導体装置である。そして本実施形態において、リード
構成体１２の封止樹脂２４からの突出量は、使用したリ
ードフレーム本体の厚み量からリード構成体１２、ダイ
パッド部１３がそのフレーム本体から突出した量を差し
引いた量であり、基板実装時のスタンドオフを有してい
るものである。As shown in FIGS. 6 and 7, the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment is a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted using the above-described lead frame. A semiconductor element 22 joined by a conductive adhesive such as a silver paste, a lead structure 12 disposed around the semiconductor element 22, and a semiconductor element 2
A metal thin wire 23 electrically connecting each of the electrode pads (not shown) and each of the lead members 12 to each other;
2. The semiconductor element 2 is formed by projecting the bottom surface of the die pad portion 12.
2 is a resin-encapsulated semiconductor device including a sealing resin 24 encapsulating the outer periphery of the semiconductor device. In the present embodiment, the amount of protrusion of the lead structure 12 from the sealing resin 24 is obtained by subtracting the amount of the lead structure 12 and the die pad portion 13 protruding from the frame body from the thickness of the used lead frame body. And has a standoff at the time of board mounting.

【００４２】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、高
密度な電極配列が可能であり、小型・薄型の樹脂封止型
半導体装置を実現できるものである。さらに本実施形態
の構造により、多ピン化に対応でき、高密度面実装型の
樹脂封止型半導体装置を実現できるものであり、半導体
装置自体の厚みとしても、１［ｍｍ］以下の５００［μ
ｍ］程度の極めて薄型の樹脂封止型半導体装置を実現で
きるものである。The resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment enables a high-density electrode arrangement, and can realize a small and thin resin-encapsulated semiconductor device. Further, the structure of the present embodiment can cope with the increase in the number of pins and can realize a resin-encapsulated semiconductor device of a high-density surface mounting type. μ
[m] can be realized.

【００４３】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、封止樹脂２４に封止された側のリード構成体１２、
ダイパッド部１３の上面の面積が、封止樹脂２４から露
出、突出した側の面積よりも大きく、封止された側のリ
ード構成体１２、ダイパッド部１３の上面のエッジ部は
曲面を有しているものである。この構造により、封止樹
脂２４とリード構成体１２、ダイパッド部１３との食い
つきを良好にし、密着性を向上させることができ、基板
実装の際の接続の信頼性を得ることができるものであ
る。なお、用いるリードフレーム自体の板厚を厚く設定
することで、リード構成体１２、ダイパッド部１３と封
止樹脂２４との食いつきエリアを拡大させ、アンカー効
果が増大するため、一層の信頼性向上が図れる。Further, the resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment includes the lead structure 12 on the side sealed by the encapsulation resin 24,
The area of the upper surface of the die pad portion 13 is larger than the area of the side exposed and protruded from the sealing resin 24, and the edge portion of the upper surface of the lead structure 12 and the die pad portion 13 on the sealed side has a curved surface. Is what it is. With this structure, the bite between the sealing resin 24 and the lead structure 12 and the die pad portion 13 can be improved, the adhesion can be improved, and the reliability of connection at the time of mounting the substrate can be obtained. . In addition, by setting the thickness of the lead frame itself to be thick, the biting area between the lead structure 12, the die pad portion 13 and the sealing resin 24 is enlarged, and the anchor effect is increased, so that the reliability is further improved. I can do it.

【００４４】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の別の
実施形態について説明する。図８は本発明の樹脂封止型
半導体装置の別の実施形態を示す断面図である。Next, another embodiment of the resin-sealed semiconductor device of the present invention will be described. FIG. 8 is a sectional view showing another embodiment of the resin-sealed semiconductor device of the present invention.

【００４５】図８に示すように、本実施形態の樹脂封止
型半導体装置は、図６，図７に示した樹脂封止型半導体
装置と同様であるが、リード構成体の表面に複数の溝部
を形成し、基板実装後の応力を吸収できるような構造に
したものである。As shown in FIG. 8, the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment is the same as the resin-encapsulated semiconductor device shown in FIGS. 6 and 7, except that a plurality of leads are provided on the surface of the lead structure. The groove is formed to have a structure capable of absorbing the stress after mounting on the substrate.

【００４６】すなわち本実施形態の樹脂封止型半導体装
置は、ダイパッド部１３上に銀ペースト等の導電性接着
剤により接合された半導体素子２２と、その半導体素子
２２の周辺に配置されたリード構成体１２と、その半導
体素子２２の電極パッド（図示せず）とリード構成体１
２の各々とを電気的に接続した金属細線２３と、リード
構成体１２、ダイパッド部１２の底面を突出させて半導
体素子２２の外囲を封止した封止樹脂２４とよりなる樹
脂封止型半導体装置である。そしてリード構成体１２の
表面には溝部２５が複数、設けられており、金属細線２
３のリード構成体１２側の接続においては、溝部２５と
溝部２５の間に接続されているものである。この構造に
より、基板実装後、基板の撓みにともなってリード構成
体１２が撓んだ際、その撓みによる変形応力を溝部２５
が吸収し、金属細線２３の接続部分には応力が印加され
ず、接続部分の破壊を防止でき、信頼性の高い樹脂封止
型半導体装置を実現できるものである。また合わせて封
止樹脂２４との密着性向上にも寄与するものである。That is, the resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment has a semiconductor element 22 bonded on the die pad 13 by a conductive adhesive such as a silver paste and a lead structure arranged around the semiconductor element 22. Body 12, electrode pads (not shown) of semiconductor element 22 and lead structure 1
2 is a resin-sealing type including a thin metal wire 23 electrically connected to each of the semiconductor elements 22 and a sealing resin 24 that protrudes the bottom surface of the lead structure 12 and the die pad portion 12 to seal the outer periphery of the semiconductor element 22. It is a semiconductor device. A plurality of grooves 25 are provided on the surface of the lead structure 12, and the thin metal wires 2 are provided.
In connection 3 on the lead structure 12 side, the connection is made between the grooves 25. With this structure, when the lead component 12 is bent due to the bending of the board after the board is mounted, the deformation stress due to the bending is applied to the groove 25.
Is absorbed, no stress is applied to the connection portion of the thin metal wire 23, the connection portion can be prevented from being broken, and a highly reliable resin-encapsulated semiconductor device can be realized. In addition, it also contributes to improving the adhesion to the sealing resin 24.

【００４７】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図９（ａ）〜（ｆ）は本実施形態の樹脂封止型半導体装
置の製造方法を示す工程ごとの断面図である。Next, an embodiment of a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIGS. 9A to 9F are cross-sectional views for each process showing the method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment.

【００４８】まず図９（ａ）に示すように、フレーム本
体１０と、そのフレーム本体１０の領域内に配設され
て、薄厚部１１によりフレーム本体１０と接続し、かつ
フレーム本体１０よりも突出して形成された複数のリー
ド構成体１２とダイパッド部１３とよりなり、ランド構
成体１２、ダイパッド部１３はフレーム本体１０からそ
れが突出した方向への押圧力により、薄厚部１１が破断
されてリード構成体１２、ダイパッド部１３がフレーム
本体１０より分離される構成を有するリードフレームを
用意する。First, as shown in FIG. 9A, the frame main body 10 is disposed in the region of the frame main body 10, connected to the frame main body 10 by the thin portion 11, and protrudes from the frame main body 10. The land structure 12 and the die pad portion 13 are pressed by the pressing force in the direction in which they protrude from the frame main body 10 so that the thin portion 11 is broken and the lead structure 12 and the die pad portion 13 are broken. A lead frame having a configuration in which the structure 12 and the die pad portion 13 are separated from the frame body 10 is prepared.

【００４９】次に図９（ｂ）に示すように、リードフレ
ームのダイパッド部１３が突出した面側に対して、銀ペ
ースト等の導電性接着剤、または絶縁性ペーストにより
半導体素子２２を載置、接合する。この工程は半導体装
置の組立工程におけるダイボンド工程に相当する工程で
あり、リードフレームへの導電性接着材の塗布、半導体
素子２２の載置、加熱処理により半導体素子２２を接合
するものである。ここで、リードフレームは、リード構
成体１２、ダイパッド部１３が突出した方向に対しての
押圧力、すなわちリード構成体１２、ダイパッド部１３
の底面部分側からの押圧力により、容易に分離されるも
のであるが、それが突出した方向、すなわちリード構成
体１２、ダイパッド部の上面部分からの押圧力によって
は分離しないものであり、一方向からの押圧力にのみ分
離する構造であるため、半導体素子２２を搭載する際、
フレームに対して下方の押圧力が作用しても、ダイパッ
ド部１３は分離せず、安定してダイボンドできるもので
ある。Next, as shown in FIG. 9B, the semiconductor element 22 is mounted on the surface of the lead frame from which the die pad portion 13 protrudes using a conductive adhesive such as a silver paste or an insulating paste. To join. This step corresponds to a die bonding step in a semiconductor device assembling step, in which a conductive adhesive is applied to a lead frame, the semiconductor element 22 is placed, and the semiconductor element 22 is joined by heat treatment. Here, the lead frame has a pressing force in a direction in which the lead component 12 and the die pad portion 13 project, that is, the lead component 12, the die pad portion 13.
Are easily separated by the pressing force from the bottom surface side of the die, but are not separated by the protruding direction, that is, the pressing force from the top surface of the lead structure 12 and the die pad portion. Since the structure is separated only by the pressing force from the direction, when mounting the semiconductor element 22,
Even if a downward pressing force acts on the frame, the die pad portion 13 does not separate and the die pad can be stably bonded.

【００５０】次に図９（ｃ）に示すように、リードフレ
ームのダイパッド部１３上に接合した半導体素子２２と
外部電極となるリード構成体１２とを金属細線２３によ
り電気的に接続する。また、この工程においても、リー
ド構成体１２は一方向からの押圧力にのみ分離する構造
であるため、金属細線２３をリード構成体１２の上面に
接続する際、下方に押圧力が作用しても、リード構成体
１２は分離せず、安定してワイヤーボンドできるもので
ある。なお、リード構成体１２の表面に複数の溝部を形
成している場合には、金属細線の接続を溝部と溝部との
間に行うものである。Next, as shown in FIG. 9C, the semiconductor element 22 bonded on the die pad portion 13 of the lead frame and the lead structure 12 serving as an external electrode are electrically connected by the thin metal wire 23. Also, in this step, since the lead structure 12 has a structure that separates only into the pressing force from one direction, when the thin metal wire 23 is connected to the upper surface of the lead structure 12, the pressing force acts downward. However, the lead structure 12 is not separated and can be wire-bonded stably. When a plurality of grooves are formed on the surface of the lead structure 12, the connection of the thin metal wire is performed between the grooves.

【００５１】次に図９（ｄ）に示すように、ダイパッド
部１３上に接合した半導体素子２２、および電気的接続
手段である金属細線２３、リード構成体１２の領域を封
止樹脂２４により封止する。通常は上下封止金型を用い
たトランスファーモールドにより片面封止を行う。ここ
ではリードフレームの半導体素子２２が搭載された面の
みが封止樹脂２４により封止されるものであり、片面封
止構造となっている。そして各リード構成体１２、ダイ
パッド部１３は突出して設けられているため、封止樹脂
２４がその段差構造に対して、食いつくため片面封止構
造であっても、リードフレームと封止樹脂２４との密着
性を得ることができる。Next, as shown in FIG. 9D, the semiconductor element 22 bonded on the die pad portion 13, the thin metal wires 23 serving as the electrical connection means, and the area of the lead structure 12 are sealed with a sealing resin 24. Stop. Usually, single-sided sealing is performed by transfer molding using upper and lower sealing dies. Here, only the surface of the lead frame on which the semiconductor element 22 is mounted is sealed with the sealing resin 24, and has a single-sided sealing structure. Since each of the lead components 12 and the die pad portion 13 are provided so as to protrude, the lead frame and the sealing resin 24 are not bonded to each other even if the sealing resin 24 has a single-sided sealing structure because it bites against the step structure. Can be obtained.

【００５２】次に図９（ｅ）に示すように、リードフレ
ームを固定した状態、例えばリードフレームの端部を固
定し、封止樹脂２４で封止した領域をフリーにした状態
で、リードフレームの下方からリード構成体１２、ダイ
パッド部１３の底面に対して、押圧力を印加する。この
場合、リードフレームの端部を固定し、その下方から突
き上げピンにより突き上げて押圧力を印加することによ
り、リード構成体１２、ダイパッド１３とリードフレー
ムのフレーム本体１０とが分離するものである。リード
構成体１２、ダイパッド部１３とフレーム本体１０とを
接続している極薄の薄厚部１１が突き上げによる押圧力
で破断されることにより分離されるものである。また、
突き上げる場合は、半導体素子２２の下方に位置するダ
イパッド部１３のみを突き上げてもよく、または周辺部
のリード構成体１２を突き上げてもよいが、リード構成
体１２の面積を考慮して、リード構成体１２、ダイパッ
ド部１３のすべての下面を突き上げてもよい。すなわ
ち、リード構成体１２、ダイパッド部１３が封止樹脂２
４から剥離しない範囲で突き上げを行うものである。ま
た突き上げ以外の手段により、リード構成体１２、ダイ
パッド部１３が分離できるものであればよく、例えばフ
レーム本体１０に対してひねりを加えても分離させるこ
とができるが、信頼性を考慮して行う。またリード構成
体１２、ダイパッド部１３のそれぞれの面積に応じた突
き上げ治具により押圧力を印加することにより、安定し
た分離ができる。Next, as shown in FIG. 9E, in a state where the lead frame is fixed, for example, in a state where the end portion of the lead frame is fixed and the area sealed with the sealing resin 24 is free, A pressing force is applied to the lead structure 12 and the bottom surface of the die pad portion 13 from below. In this case, the lead structure 12, the die pad 13, and the frame main body 10 of the lead frame are separated by fixing the end of the lead frame and pushing up from below by a pushing pin to apply a pressing force. The lead structure 12, the ultra-thin thin portion 11 connecting the die pad portion 13 and the frame main body 10 are separated by being broken by a pressing force generated by pushing up. Also,
In the case of pushing up, only the die pad portion 13 located below the semiconductor element 22 may be pushed up, or the lead structure 12 in the peripheral portion may be pushed up. All the lower surfaces of the body 12 and the die pad portion 13 may be pushed up. That is, the lead structure 12 and the die pad portion 13 are
The push-up operation is performed within a range that does not peel off from No. 4. Also, any structure can be used as long as the lead structure 12 and the die pad portion 13 can be separated by means other than pushing up. For example, the lead body 12 and the die pad portion 13 can be separated by applying a twist to the frame body 10, but it is performed in consideration of reliability. . Further, by applying a pressing force with a push-up jig corresponding to the area of each of the lead structure 12 and the die pad portion 13, stable separation can be performed.

【００５３】図９（ｆ）に示すように、リード構成体１
２、ダイパッド部１３とフレーム本体１０とを接続して
いる極薄の薄厚部１１が突き上げによる押圧力で破断さ
れることにより分離されて、樹脂封止型半導体装置２６
を得ることができる。なお、ここで封止樹脂２４とフレ
ーム本体との剥離は、フレーム本体のリード構成体１
２、ダイパッド部１３を形成した部分以外の領域と封止
樹脂２４との密着性が弱く、リード構成体１２、ダイパ
ッド部１３が分離されることにより、樹脂封止型半導体
装置を取り出すことができるものである。リード構成体
１２、ダイパッド部１３部分はその凹凸形状が封止樹脂
２４に食い込むため、剥離せずに封止樹脂２４内に形成
されるものである。図示するように、樹脂封止型半導体
装置２６は、リード構成体１２がその底面に配列され、
またリード構成体１２が封止樹脂２４の底面よりも突出
して設けられ、基板実装時のスタンドオフが形成されて
いるものである。ここで樹脂封止型半導体装置２６のリ
ード構成体１２の突出量は、フレーム本体の厚み量から
リード構成体１２が突出した量を差し引いた量となり、
リード構成体１２の外部電極としてのスタンドオフが形
成されるものである。本実施形態では、２００［μｍ］
の厚みのフレーム本体に対して、リード構成体１２を１
４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（フレーム本体の厚みの
７０［％］〜９０［％］）突出させているため、スタン
ドオフ高さの量は、２０［μｍ］〜６０［μｍ］（フレ
ーム本体の厚みの１０［％］〜３０［％］）となり、基
板実装時のスタンドオフを有したランド電極を得ること
ができる。As shown in FIG. 9F, the lead structure 1
2. The ultra-thin thin portion 11 connecting the die pad portion 13 and the frame main body 10 is separated by being broken by the pushing force of the push-up, so that the resin-encapsulated semiconductor device 26 is separated.
Can be obtained. Here, the separation between the sealing resin 24 and the frame main body is performed by the lead structure 1 of the frame main body.
2. Since the adhesiveness between the region other than the portion where the die pad portion 13 is formed and the sealing resin 24 is weak, and the lead structure 12 and the die pad portion 13 are separated, the resin-sealed semiconductor device can be taken out. Things. The lead structure 12 and the die pad portion 13 are formed in the sealing resin 24 without being peeled off because their concave and convex shapes bite into the sealing resin 24. As shown in the figure, the resin-encapsulated semiconductor device 26 has the lead members 12 arranged on the bottom surface thereof,
Further, the lead structure 12 is provided so as to protrude from the bottom surface of the sealing resin 24, and a standoff at the time of mounting the substrate is formed. Here, the protrusion amount of the lead member 12 of the resin-encapsulated semiconductor device 26 is an amount obtained by subtracting the protrusion amount of the lead member 12 from the thickness amount of the frame body.
A standoff as an external electrode of the lead structure 12 is formed. In the present embodiment, 200 [μm]
Lead structure 12 with respect to the frame body of thickness
40 [μm] to 180 [μm] (70 [%] to 90 [%] of the thickness of the frame body), so that the amount of stand-off height is 20 [μm] to 60 [μm] (frame The thickness of the main body is 10% to 30%), and a land electrode having a stand-off when mounted on a substrate can be obtained.

【００５４】なお、フレーム本体から樹脂封止型半導体
装置を分離する工法としては、前記したようなリード構
成体１２、ダイパッド部１３部分に対する突き上げ法の
他、フレーム本体自体を引き剥がすことにより、分離で
きるものであるが、製品の信頼性を考慮して分離方法を
採用するものである。As a method of separating the resin-encapsulated semiconductor device from the frame main body, in addition to the method of pushing up the lead structure 12 and the die pad portion 13 as described above, the separation may be performed by peeling the frame main body itself. Although it is possible, a separation method is adopted in consideration of product reliability.

【００５５】以上、本実施形態で示したようなリードフ
レームを用いることにより、半導体素子を搭載し、樹脂
封止した後、リード構成体、ダイパッド部分の下方から
の突き上げによりフレーム自体を除去するだけで、樹脂
封止型半導体装置の底面部分に半導体素子と電気的に接
続したリード電極を配列することができる。その結果、
面実装タイプの半導体装置が得られる。さらに樹脂封止
型半導体装置において、各リード構成体の封止樹脂から
の突出量は、使用したリードフレーム本体の厚み量から
各リード構成体自体がそのフレーム本体から突出した量
を差し引いた量であり、フレーム本体から製品を分離し
た時点で基板実装時のスタンドオフが構成されるもので
あり、あえて別工程でランドのスタンドオフを形成する
必要がないものである。As described above, by using the lead frame as shown in this embodiment, after mounting the semiconductor element and sealing with resin, the frame itself is removed by pushing up the lead structure and the die pad from below. Thus, the lead electrodes electrically connected to the semiconductor element can be arranged on the bottom surface of the resin-encapsulated semiconductor device. as a result,
A surface-mount type semiconductor device is obtained. Further, in the resin-encapsulated semiconductor device, the amount of protrusion of each lead structure from the sealing resin is the amount obtained by subtracting the amount of each lead structure itself protruding from the frame body from the thickness of the used lead frame body. Yes, a standoff for mounting on a substrate is configured when the product is separated from the frame body, and there is no need to form a standoff for the land in a separate step.

【００５６】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、ＢＧＡタイプの半導体装置のように、ランド電極を
設けた基板を用いるものでなく、リードフレームという
金属板からなるフレーム本体から半導体装置を構成する
ので、量産性、コスト性などの面においては、従来のＢ
ＧＡタイプの半導体装置よりも有利となる。さらに製品
加工工程において、上述のごとく、フレーム本体の分離
のみを行えば、容易に完成体を得ることができるので、
従来のようなフレームからの分離において必要であった
リードカット工程、リードベンド工程をなくし、リード
カットによる製品へのダメージやカット精度の制約をな
くすことができ、製造工程の削減によってコスト力を強
めた画期的な技術を提供できるものである。The resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment does not use a substrate provided with land electrodes unlike a BGA type semiconductor device. Since it is configured, in terms of mass productivity and cost,
This is advantageous over a GA type semiconductor device. Further, in the product processing step, as described above, if only the frame body is separated, the completed body can be easily obtained.
Eliminates the lead cutting process and lead bending process required for separation from the frame as before, eliminating damage to the product due to lead cutting and restrictions on cutting accuracy, and strengthening cost capabilities by reducing the number of manufacturing processes. It can provide innovative technology.

【００５７】[0057]

【発明の効果】以上、本発明のリードフレームにより、
従来のようなリードフレームを用いずに、リード電極を
有した樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
そして本発明により、樹脂封止型半導体装置の底面に対
して、自己整合的にリード電極のスタンドオフを形成で
きるものであり、従来にないフレーム構造、工法により
リード電極を有しつつ、リードレスパッケージ型の小型
・薄型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる
ものである。As described above, according to the lead frame of the present invention,
A resin-encapsulated semiconductor device having lead electrodes can be realized without using a conventional lead frame.
According to the present invention, the stand-off of the lead electrode can be formed in a self-aligned manner with respect to the bottom surface of the resin-encapsulated semiconductor device. It is possible to realize a small and thin resin-sealed semiconductor device of a package type.

【００５８】また樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いては、リードカット工程、リードベンド工程が不要で
あって、樹脂封止後は突き上げ処理により、容易にフレ
ーム本体を分離して、樹脂封止後の半導体装置を得るこ
とができ、工程削減による低コスト製造を実現できるも
のである。さらに、樹脂封止の際の樹脂モレがなく、ま
たリード構成体上への樹脂バリの発生もないため、樹脂
バリ除去工程等の後工程が不要である。In the method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, a lead cutting step and a lead bending step are not required. A later semiconductor device can be obtained, and low-cost manufacturing can be realized by reducing steps. Further, since there is no resin leakage at the time of resin sealing and no resin burrs are generated on the lead structure, a post-process such as a resin burr removing process is not required.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の一実施形態のリードフレームを示す図FIG. 1 is a view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention;

【図２】本発明の一実施形態のリードフレームを示す断
面図FIG. 2 is a sectional view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention;

【図３】本発明の一実施形態のリードフレームの製造方
法を示す断面図FIG. 3 is a sectional view showing a method for manufacturing a lead frame according to an embodiment of the present invention;

【図４】本発明の一実施形態のリードフレームの製造方
法を示す断面図FIG. 4 is a sectional view showing a method for manufacturing a lead frame according to an embodiment of the present invention;

【図５】本発明の一実施形態のリードフレームの製造方
法を示す断面図FIG. 5 is a sectional view showing a method for manufacturing a lead frame according to an embodiment of the present invention;

【図６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図FIG. 6 is a sectional view showing a resin-sealed semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す底面図FIG. 7 is a bottom view showing the resin-encapsulated semiconductor device according to one embodiment of the present invention;

【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図FIG. 8 is a sectional view showing a resin-sealed semiconductor device according to one embodiment of the present invention.

【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図FIG. 9 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to one embodiment of the present invention;

【図１０】従来のリードフレームを示す平面図FIG. 10 is a plan view showing a conventional lead frame.

【図１１】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図FIG. 11 is a sectional view showing a conventional resin-encapsulated semiconductor device.

【図１２】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す平面図FIG. 12 is a plan view showing a method for manufacturing a conventional resin-encapsulated semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ フレーム枠 ２ ダイパッド部 ３ 吊りリード部 ４ インナーリード部 ５ アウターリード部 ６ タイバー部 ７ 半導体素子 ８ 金属細線 ９ 封止樹脂 １０ フレーム本体 １１ 薄厚部 １２ リード構成体 １２ａ 底面部分 １２ｂ 上面部分 １３ ダイパッド部 １４ 金属板 １５ ダイ部 １６ 押え金型 １７ 開口部 １８ パンチ部材 １９ 抜きダレ部 ２０ せん断部 ２１ 破断部 ２２ 半導体素子 ２３ 金属細線 ２４ 封止樹脂 ２５ 溝部 ２６ 樹脂封止型半導体装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Frame frame 2 Die pad part 3 Suspended lead part 4 Inner lead part 5 Outer lead part 6 Tie bar part 7 Semiconductor element 8 Fine metal wire 9 Sealing resin 10 Frame body 11 Thin part 12 Lead structure 12a Bottom part 12b Top part 13 Die pad part Reference Signs List 14 Metal plate 15 Die part 16 Pressing die 17 Opening 18 Punch member 19 Pull-out part 20 Shear part 21 Break part 22 Semiconductor element 23 Thin metal wire 24 Sealing resin 25 Groove 26 Resin-sealed semiconductor device

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/28 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｌ (72)発明者 野村 徹 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA01 CA21 DA02 DB17 FA01 FA04 5F067 AA01 AA09 AA10 AB04 BA02 BB04 DA11 DA14 DB01 DC16 DE14 EA02 EA04 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (Reference) H01L 23/28 H01L 23/12 L (72) Inventor Toru Nomura 1-1-1 Komachi, Takatsuki-shi, Osaka Matsushita Electronics Co., Ltd. In-house F term (reference) 4M109 AA01 BA01 CA21 DA02 DB17 FA01 FA04 5F067 AA01 AA09 AA10 AB04 BA02 BB04 DA11 DA14 DB01 DC16 DE14 EA02 EA04

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 半導体素子を搭載し、底面にリード電極
が配列されてなる樹脂封止型半導体装置を構成するのに
用いるリードフレームであって、金属板よりなるフレー
ム本体と、前記フレーム本体の領域内に配設されて、薄
厚部により前記フレーム本体と接続し、かつ前記フレー
ム本体よりも突出して形成された半導体素子搭載用のダ
イパッド部と、前記フレーム本体の領域内に配設され、
かつ前記ダイパッド部の周囲に配置され、薄厚部により
前記フレーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体より
も突出して形成された複数のリード構成体とよりなるリ
ードフレームにおいて、前記リード構成体および前記ダ
イパッド部は、前記フレーム本体から突出した方向への
押圧力により、前記薄厚部が破断されて前記フレーム本
体より分離される構成であることを特徴とするリードフ
レーム。1. A lead frame used for forming a resin-encapsulated semiconductor device having a semiconductor element mounted thereon and lead electrodes arranged on a bottom surface, the frame body comprising a metal plate; Disposed in the region, connected to the frame main body by a thin portion, and a die pad portion for mounting a semiconductor element formed so as to protrude from the frame main body, and disposed in the region of the frame main body,
And a lead frame, which is arranged around the die pad portion, is connected to the frame main body by a thin portion, and includes a plurality of lead structural bodies formed so as to protrude from the frame main body, wherein the lead structural body and the die pad The lead frame, wherein the thin portion is broken and separated from the frame main body by a pressing force in a direction protruding from the frame main body. 【請求項２】 リード構成体の表面には複数の溝部が設
けられていることを特徴とする請求項１に記載のリード
フレーム。2. The lead frame according to claim 1, wherein a plurality of grooves are provided on the surface of the lead structure. 【請求項３】 半導体素子を搭載し、底面にリード電極
が配列されてなる樹脂封止型半導体装置を構成するのに
用いるリードフレームであって、金属板よりなるフレー
ム本体と、前記フレーム本体の領域内に配設されて、薄
厚部により前記フレーム本体と接続し、かつ前記フレー
ム本体よりも突出して形成された半導体素子搭載用のダ
イパッド部と、前記フレーム本体の領域内に配設され、
かつ前記ダイパッド部の周囲に配置され、薄厚部により
前記フレーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体より
も突出して形成された複数のリード構成体とよりなり、
前記リード構成体および前記ダイパッド部は、前記フレ
ーム本体から突出した方向への押圧力により、前記薄厚
部が破断されて前記フレーム本体より分離される構成で
あるリードフレームより構成された樹脂封止型半導体装
置であって、前記ダイパッド部上に搭載された半導体素
子と、前記半導体素子の周辺に配置され、前記半導体素
子と金属細線により電気的に接続されたリード構成体
と、前記リード構成体およびダイパッド部の底面を突出
させて前記半導体素子の外囲を封止した封止樹脂とより
なり、前記リード構成体およびダイパッド部の封止樹脂
からの突出量は、前記フレーム本体の厚み量から前記リ
ード構成体およびダイパッド部が前記フレーム本体から
突出した量を差し引いた量であることを特徴とする樹脂
封止型半導体装置。3. A lead frame used for forming a resin-encapsulated semiconductor device in which a semiconductor element is mounted and lead electrodes are arranged on a bottom surface, the frame body comprising a metal plate; Disposed in the region, connected to the frame main body by a thin portion, and a die pad portion for mounting a semiconductor element formed so as to protrude from the frame main body, and disposed in the region of the frame main body,
And, disposed around the die pad portion, connected to the frame body by a thin portion, and comprises a plurality of lead components formed to protrude from the frame body,
The lead structure and the die pad portion are formed of a resin-encapsulated mold formed of a lead frame having a configuration in which the thin portion is broken and separated from the frame body by a pressing force in a direction protruding from the frame body. A semiconductor device, a semiconductor element mounted on the die pad portion, a lead structure disposed around the semiconductor element, and electrically connected to the semiconductor element by a thin metal wire, and the lead structure; The bottom surface of the die pad portion is made to protrude from a sealing resin that seals the outer periphery of the semiconductor element.The amount of protrusion of the lead structure and the die pad portion from the sealing resin is determined from the thickness amount of the frame body. A resin-encapsulated semiconductor device, wherein an amount of the lead structure and the die pad portion is less than an amount of protrusion from the frame main body. 【請求項４】 リード構成体の表面には複数の溝部が設
けられて、金属細線のリード構成体側の接続は前記溝部
と溝部との間で接続されていることを特徴とする請求項
３に記載の樹脂封止型半導体装置。4. The lead structure according to claim 3, wherein a plurality of grooves are provided on the surface of the lead structure, and the connection of the thin metal wires on the lead structure side is connected between the grooves. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1. 【請求項５】 半導体素子を搭載し、底面にリード電極
が配列されてなる樹脂封止型半導体装置を構成するのに
用いるリードフレームであって、金属板よりなるフレー
ム本体と、前記フレーム本体の領域内に配設されて、薄
厚部により前記フレーム本体と接続し、かつ前記フレー
ム本体よりも突出して形成された半導体素子搭載用のダ
イパッド部と、前記フレーム本体の領域内に配設され、
かつ前記ダイパッド部の周囲に配置され、薄厚部により
前記フレーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体より
も突出して形成された複数のリード構成体とよりなり、
前記リード構成体および前記ダイパッド部は、前記フレ
ーム本体から突出した方向への押圧力により、前記薄厚
部が破断されて前記フレーム本体より分離される構成で
あるリードフレームを用意する工程と、前記リードフレ
ームの前記ダイパッド部の突出した側に半導体素子を搭
載する工程と、前記搭載した半導体素子の電極とリード
構成体の各々とを金属細線により電気的に接続する工程
と、前記半導体素子の外囲であって、前記リードフレー
ムの上面側のみを封止樹脂により封止し、樹脂封止型半
導体装置を形成する工程と、前記リードフレームの前記
フレーム本体を固定した状態で前記フレーム本体の底面
側から前記リード構成体およびダイパッド部の底面側に
対して押圧力を印加し、前記リード構成体およびダイパ
ッド部とを接続している薄厚部を破断させ、前記フレー
ム本体から樹脂封止型半導体装置を分離する工程とを有
することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
法。5. A lead frame used for forming a resin-encapsulated semiconductor device in which a semiconductor element is mounted and lead electrodes are arranged on a bottom surface, the frame body comprising a metal plate; Disposed in the region, connected to the frame main body by a thin portion, and a die pad portion for mounting a semiconductor element formed so as to protrude from the frame main body, and disposed in the region of the frame main body,
And, disposed around the die pad portion, connected to the frame body by a thin portion, and comprises a plurality of lead components formed to protrude from the frame body,
A step of preparing a lead frame, wherein the lead structure and the die pad portion are configured so that the thin portion is broken and separated from the frame body by a pressing force in a direction protruding from the frame body; and Mounting a semiconductor element on the side of the frame where the die pad portion protrudes, electrically connecting the electrode of the mounted semiconductor element and each of the lead members by a thin metal wire, and enclosing the semiconductor element. A step of sealing only the upper surface side of the lead frame with a sealing resin to form a resin-encapsulated semiconductor device; and a bottom surface side of the frame body with the frame body of the lead frame fixed. A pressing force is applied to the lead structure and the bottom side of the die pad portion to connect the lead structure and the die pad portion. Thereby breaking the thin portion are method for producing a resin-encapsulated semiconductor device characterized by a step of separating the resin-encapsulated semiconductor device from said frame body. 【請求項６】 搭載した半導体素子の電極とリード構成
体の各々とを金属細線により電気的に接続する工程で
は、リード構成体の表面に設けた複数の溝部の溝部と溝
部との間に金属細線を接続することを特徴とする請求項
５に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。6. The step of electrically connecting an electrode of a mounted semiconductor element to each of the lead members by a thin metal wire, wherein a metal is provided between the grooves of the plurality of grooves provided on the surface of the lead member. The method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 5, wherein thin wires are connected.
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KR101002056B1 (en) 2007-05-30 2010-12-17 히타치 케이블 프레시전 가부시키가이샤 Lead frame and manufacturing method thereof, and semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100927319B1 (en) * 2006-08-25 2009-11-19 에이에스엠 어셈블리 메티리얼스 엘티디 Stamped Leadframe and Manufacturing Method Thereof
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