JP2000260325A - Manufacture of image display device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、蛍光体及び電極が
形成された第１絶縁基板と、蛍光体を励起する複数の励
起源及び電極配線が形成された第２絶縁基板と、第１及
び第２絶縁基板を対向して支持する支持材とを、第１及
び第２絶縁基板の外周部において熱溶融接着剤で接着し
た外囲器を含み、第１絶縁基板の画像表示領域外に非蒸
発型ゲッタを有する画像表示装置の製造方法に関する。The present invention relates to a first insulating substrate on which a phosphor and electrodes are formed, a second insulating substrate on which a plurality of excitation sources for exciting the phosphor and electrode wirings are formed, A support member that opposes the second insulating substrate and includes an envelope bonded to the outer peripheral portions of the first and second insulating substrates with a hot-melt adhesive; The present invention relates to a method for manufacturing an image display device having an evaporable getter.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、電子放出素子としては大別して熱
電子放出素子と冷陰極電子放出素子を用いた２種類のも
のが知られている。冷陰極電子放出素子には電界放出
（ＦＥ）型、金属／絶縁層／金属型（ＭＩＭ）型や、表
面伝導型電子放出素子等がある。いずれの素子も真空中
で用いられるものである。2. Description of the Related Art Conventionally, two types of electron-emitting devices using a thermionic electron-emitting device and a cold-cathode electron-emitting device have been known. The cold cathode electron-emitting devices include a field emission (FE) type, a metal / insulating layer / metal type (MIM) type, and a surface conduction electron-emitting device. Each element is used in a vacuum.
【０００３】ＦＥ型電子放出素子の例としては、Ｗ．
Ｐ．Ｄｙｋｅ＆Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ，“Ｆｉｅｌｄ ｅ
ｍｉｓｓｉｏｎ”，Ａｄｖａｎｃｅ ｉｎ Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎＰｈｙｓｉｃｓ，８，８９（１９５６）やＣ．
Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，“ＰＨＹＳＩＣＡＬ Ｐｒｏｐｅｒ
ｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｆｉｅｌｄ ｅ
ｍｉｓｓｉｏｎ ｃａｔｈｏｄｅｓ ｗｉｔｈ ｍｏｌ
ｙｂｄｅｎｉｕｍ ｃｏｎｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｉ．Ｐｈ
ｙｓ．，４７，５２４８（１９７６）等に開示されたも
のが知られている。[0003] As an example of the FE type electron-emitting device, W.S.
P. Dyke & W. W. Dolan, "Field e
mission ", Advance in Elect
ronPhysics, 8, 89 (1956) and C.I.
A. Spindt, “PHYSICAL Proper
ties of thin-film field e
mission cathodes with mol
ybdenium cones ", J. Appi. Ph.
ys. , 47, 5248 (1976).
【０００４】図９は、ＦＥ型電子放出素子の断面図であ
る。同図において、３０は基板であり、３１はカソード
電極、３２はシリコン酸化膜からなる絶縁層である。３
５は先端の尖った円錐状のエミッタチップで、チップの
材質にはシリコン（Ｓｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タン
グステン（Ｗ）あるいはランタンヘキサラボライト（Ｌ
ａＢ6 ）等低仕事関数の材料が用いられている。３３
は、ゲート電極である。上記したＦＥ型電子放出素子
は、エミッタチップ３５とゲート電極３３間に電圧を印
加することで、エミッタチップ３５とゲート電極３３間
に強電界が生じ、エミッタチップ３５の先端より、トン
ネル効果によって電子が放出される。また、このエミッ
タチップ３５の先端には、ＣＨ4 やＣ2 Ｈ6 等の炭化水
素系のガス雰囲気中で前記エミッタチップ３５を１００
０℃〜１５００℃に加熱してグラファイトを形成した
り、例えば数Ｐａ程度の前記雰囲気下で、エミッタチッ
プ３５にバイアスを印加して、ＲＦ域等の高周波を用い
た化学気相成長法等によってグラファイトやダイアモン
ドライクカーボン（ＤＬＣ）等を形成することもある。FIG. 9 is a sectional view of an FE type electron-emitting device. In the figure, 30 is a substrate, 31 is a cathode electrode, and 32 is an insulating layer made of a silicon oxide film. 3
Reference numeral 5 denotes a conical emitter tip having a sharp tip, which is made of silicon (Si), molybdenum (Mo), tungsten (W) or lanthanum hexalabolite (L).
aB 6 ) A material having a low work function is used. 33
Is a gate electrode. In the above-mentioned FE type electron-emitting device, when a voltage is applied between the emitter tip 35 and the gate electrode 33, a strong electric field is generated between the emitter tip 35 and the gate electrode 33, and electrons are generated from the tip of the emitter tip 35 by a tunnel effect. Is released. Further, the emitter tip 35 is placed at the tip of the emitter tip 35 in a hydrocarbon gas atmosphere such as CH 4 or C 2 H 6.
A graphite is formed by heating to 0 ° C. to 1500 ° C., or a bias is applied to the emitter chip 35 under the atmosphere of, for example, about several Pa, by a chemical vapor deposition method using a high frequency such as an RF region. In some cases, graphite or diamond-like carbon (DLC) is formed.
【０００５】表面伝導型電子放出素子の例としては、
Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，ＲｅｃｉｏＥｎｇ．Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ Ｐｈｙｓ．，１０，１２９０，（１９６５）
等に開示されたものがある。表面伝導型電子放出素子
は、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に平行に
電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用す
るものである。この表面伝導型電子放出素子としては、
前記エリンソン等によるＳｎＯ2 薄膜を用いたもの、Ａ
ｕ薄膜によるもの［Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：“Ｔｈｉｎ
Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ”，９，３１７（１９７
２）］，Ｉｎ2 Ｏ3 ／ＳｎＯ2 薄膜によるもの［Ｍ．Ｈ
ａｒｔｗｅｌｌ ａｎｄ Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｔａｄ：“Ｉ
ＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ＥＤ Ｃｏｎｆ．”５１９（１９
７５）］、カーボン薄膜によるもの［荒木久 他：真
空、第２６巻、第１号、２２頁（１９８３）］等が報告
されている。As an example of the surface conduction electron-emitting device,
M. I. Elinson, RecioEng. Elec
Tron Phys. , 10, 1290, (1965)
And the like. The surface conduction electron-emitting device utilizes the phenomenon that electron emission occurs when a current flows in a small-area thin film formed on a substrate in parallel with the film surface. As this surface conduction electron-emitting device,
A device using a SnO 2 thin film by Elinson et al., A
u thin film [G. Dittmer: “Thin
Solid Films ", 9, 317 (197
2)], using an In 2 O 3 / SnO 2 thin film [M. H
artwell and C.I. G. FIG. Fontad: "I
EEE Trans. ED Conf. "519 (19
75)], and those using a carbon thin film [Hisashi Araki et al .: Vacuum, Vol. 26, No. 1, p. 22, p. 22 (1983)] and the like have been reported.
【０００６】図１０は、Ｍ．ハートウェルの表面伝導型
電子放出素子の平面図である。同図において３０は絶縁
物からなる基板である。２４は電子放出部形成用薄膜
で、Ｈ型形状のパターンにスパッタリングで形成された
金属酸化物薄膜等からなり、後述の通電フォーミングと
呼ばれる通電処理により電子放出部２５が形成される。
尚、図中の素子電極間隔Ｌは、０．５〜１ｍｍ、Ｗは、
０．１ｍｍ程度に設定されている。FIG. FIG. 3 is a plan view of a surface conduction type electron-emitting device of Hartwell. In the figure, reference numeral 30 denotes a substrate made of an insulator. Reference numeral 24 denotes a thin film for forming an electron-emitting portion, which is formed of a metal oxide thin film or the like formed by sputtering in an H-shaped pattern. The electron-emitting portion 25 is formed by an energization process called energization forming described later.
In the drawing, the element electrode interval L is 0.5 to 1 mm, and W is
It is set to about 0.1 mm.
【０００７】先に述べたフォーミングとは、たとえば図
１１にそのプロファイルを示すように、前記電子放出部
形成用薄膜２４の両端に電圧を印加し、電子放出部形成
用薄膜２４を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、
電気的に高抵抗な状態にした電子放出部２５を形成する
ことである。なお、電子放出は電子放出部形成用薄膜２
４の両端に電圧を印加することで、電子放出部形成用薄
膜２４の一部に生じた亀裂付近から行われる。The above-mentioned forming is, for example, as shown in the profile of FIG. 11, where a voltage is applied to both ends of the electron emitting portion forming thin film 24 to locally destroy the electron emitting portion forming thin film 24. , Deformed or altered,
The purpose is to form the electron-emitting portion 25 in an electrically high-resistance state. The electron emission is performed by the electron emission portion forming thin film 2.
By applying a voltage to both ends of the thin film 4, the process is performed from the vicinity of a crack generated in a part of the thin film 24 for forming an electron emission portion.
【０００８】図１１はフォーミングに際して印加する電
圧の波形図である。図１１（ａ）に示すように、パルス
状に一定電圧を印加する場合や、図１１（ｂ）に示すよ
うに段階的に増加させる場合等がある。なお、パルス波
の波形は三角波や矩形波を用いる。FIG. 11 is a waveform diagram of a voltage applied at the time of forming. As shown in FIG. 11A, there is a case where a constant voltage is applied in a pulse shape, and a case where the voltage is gradually increased as shown in FIG. 11B. Note that a triangular wave or a rectangular wave is used as the waveform of the pulse wave.
【０００９】また、このフォーミングを行った後に、素
子活性化処理を施すこともある。素子活性化処理は、フ
ォーミング同様電子放出部形成用薄膜２４の両端に電圧
を印加しながら、例えば炭化水素系のガスに晒して、電
子放出部形成用薄膜２４上に炭素やその化合物等を形成
することである。After the forming, an element activating process may be performed. In the element activation process, carbon or a compound thereof is formed on the electron-emitting portion forming thin film 24 by applying a voltage to both ends of the electron-emitting portion forming thin film 24 and exposing it to, for example, a hydrocarbon-based gas in the same manner as forming. It is to be.
【００１０】ところで、近年これらの冷陰極型電子放出
素子を用いた平板型の画像表示装置の研究が盛んに行わ
れている。この平板型画像表示装置は、基板上に前記冷
陰極電子放出素子をマトリックス状に配置し、前記基板
と対向する位置に支持枠を介して蛍光体を有するアノー
ド電極を設け、各々を低融点ガラス等で接着することで
得られる外囲器と、前記冷陰極電子放出素子から電子を
放出させ、かつ蛍光体に衝突させて画像を表示させるた
めの駆動回路等を備えたものである。In recent years, studies on a flat panel type image display device using these cold cathode type electron-emitting devices have been actively conducted. In this flat panel image display device, the cold cathode electron-emitting devices are arranged in a matrix on a substrate, and an anode electrode having a phosphor is provided at a position facing the substrate via a support frame, and each of the anode electrodes has a low melting point glass. And a drive circuit for emitting electrons from the cold-cathode electron-emitting device and colliding with a phosphor to display an image.
【００１１】冷陰極型電子放出素子を画像表示装置の電
子放出部として用いる場合、外囲器内を高真空にする必
要がある。なぜなら冷陰極電子放出素子は、低仕事関数
の金属やカーボン、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬ
Ｃ）からのトンネル電子放出であるが、一般に清浄な金
属表面は活性であるため酸素や水（ＯＨ）を吸着して酸
化物や水酸化物となりやすく、電子放出特性に重大な影
響を与えること、また電子放出素子より放出された電子
ビームによって、外囲器内に残留しているガスの一部が
イオン化し、各電極間の電界によって加速され、電子放
出部の先端をスパッタすることなどが起こるからであ
る。When a cold cathode type electron-emitting device is used as an electron-emitting portion of an image display device, it is necessary to make a high vacuum inside the envelope. This is because cold cathode electron-emitting devices are made of low work function metals, carbon, diamond-like carbon (DL)
C) Tunneling electron emission. Generally, a clean metal surface is active, so it easily adsorbs oxygen or water (OH) and becomes oxides or hydroxides, which has a significant effect on electron emission characteristics. Also, a part of the gas remaining in the envelope is ionized by the electron beam emitted from the electron-emitting device, accelerated by the electric field between the electrodes, and spattering the tip of the electron-emitting portion. Because it will happen.
【００１２】加えて、画像表示装置等に用いられている
蛍光体についても水や酸素などのある雰囲気に於いては
電子放出源にとって有害なガスの放出源となることも確
認されている［Ｓ．Ｉｔｏ，Ｔ．Ｋｉｍｉｚｕｋａ ａ
ｎｄ Ｔ．Ｔｏｎｅｇａｗａ“Ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ
Ｍｅｃｈａｎｉｓｍ ｆｏｒ Ｌｏｗ Ｖｏｌｔａｇ
ｅ Ｃａｔｈｏｄｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｏｆ
Ｓｕｌｆｉｄｅ Ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ”Ｊ．Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ Ｖｏｌ．１３６，Ｎｏ．６（１
９８９）］。In addition, it has been confirmed that a phosphor used in an image display device or the like can be a harmful gas emission source for an electron emission source in an atmosphere such as water or oxygen [S]. . Ito, T .; Kimizuka a
nd T. Tonegawa “Degradation
Mechanism for Low Voltag
e Cathodluminesence of
Sulfide Phosphors "J. Elect
rochem. Soc Vol. 136, No. 6 (1
989)].
【００１３】そこで、従来、平板型画像表示装置におい
て、画像表示領域内にゲッタ材を配置して、画像表示時
に発生するガスを即座に吸着するようにした構成の開示
がなされている。Therefore, conventionally, in a flat panel type image display device, a structure has been disclosed in which a getter material is arranged in an image display area to immediately adsorb gas generated at the time of image display.
【００１４】例えば、特開平０４−１２４３６号公報で
開示されているＦＥ型電子放出素子においては、図９に
示すゲート電極３３をゲッタ材で構成することが提案さ
れている。このようにゲート電極３３にゲッタ材を用い
ることで、放出ガスをガス放出源により近いところで、
速やかに吸着して電子放出素子への影響を少なくしてい
る。ところで、この公報においてゲッタ材はゲッタ材で
あるゲート電極３３に電圧を印加して、ＦＥ型電子放出
素子より放出される電子を照射させて活性化させてい
る。For example, in the FE-type electron-emitting device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 04-12436, it has been proposed that the gate electrode 33 shown in FIG. 9 be made of a getter material. By using the getter material for the gate electrode 33 in this manner, the released gas is closer to the gas release source,
It is quickly absorbed to reduce the influence on the electron-emitting device. In this publication, a getter material is activated by applying a voltage to a gate electrode 33 as a getter material to irradiate electrons emitted from an FE-type electron-emitting device.
【００１５】また、表面伝導型電子放出素子において
は、例えば特開平０９−０８２２４５号公報に開示され
ているように、アノード電極上にゲッタ材を形成するこ
とが提案されている。In the case of a surface conduction electron-emitting device, it has been proposed to form a getter material on an anode electrode as disclosed in, for example, JP-A-09-08245.
【００１６】図１２は、特開平０９−０８２２４５号公
報に開示された表面伝導型電子放出素子を電子放出源と
して用いた画像表示装置の部分切欠斜視図の一例であ
る。同図において、１及び２はガラス基板であり、ガラ
ス基板１上にはマトリックス状に複数の電子放出源３及
び配線が形成されている。これらをまとめてリアプレー
ト９と称す。一方、ガラス基板２上には基板２側から順
に、蛍光体５、アルミ薄膜などのメタルバック６、非蒸
発型ゲッタ層７が形成されており、これらをまとめてフ
ェイスプレート８と称す。これら両基板は、その周辺部
において低融点ガラス１２でもって支持材４を介して接
着され、外囲器１０を形成する。画像表示領域は、フェ
イスプレート８において蛍光体５及びメタルバック６の
形成された領域となる。ゲッタ層７は、例えばＴｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ等の金属及びこれらの合
金を用い、合金の成分としてＡｌ、Ｆｅ、Ｎｉ等を含ま
せることもある。これらのゲッタ層７は、スパッタ法あ
るいは真空蒸着法等により形成され、ゲッタ層７形成の
際に、ゲッタ層７の表面を窒化処理して安定化させてい
る。１１は、Ｂａ、Ａｌ、Ｎｉ等からなる蒸発型のゲッ
タ材である。FIG. 12 is an example of a partially cutaway perspective view of an image display apparatus using a surface conduction electron-emitting device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 09-082245 as an electron emission source. In FIG. 1, reference numerals 1 and 2 denote glass substrates, on which a plurality of electron emission sources 3 and wirings are formed in a matrix. These are collectively referred to as a rear plate 9. On the other hand, a phosphor 5, a metal back 6 such as an aluminum thin film, and a non-evaporable getter layer 7 are formed on the glass substrate 2 in this order from the substrate 2 side, and these are collectively referred to as a face plate 8. These two substrates are adhered to each other with the low-melting glass 12 at the peripheral portion thereof via the support member 4 to form the envelope 10. The image display area is an area where the phosphor 5 and the metal back 6 are formed on the face plate 8. The getter layer 7 is made of, for example, Ti, Z
Metals such as r, Hf, V, Nb, Ta, and W and alloys thereof are used, and Al, Fe, Ni, and the like may be included as alloy components. These getter layers 7 are formed by a sputtering method, a vacuum evaporation method, or the like. When the getter layer 7 is formed, the surface of the getter layer 7 is stabilized by nitriding. Reference numeral 11 denotes an evaporable getter material made of Ba, Al, Ni, or the like.
【００１７】特開平０９−０８２２４５号公報では、フ
ェイスプレート８に形成された非蒸発型ゲッタ層７の活
性化方法として、表面に形成された窒化層をガラス基板
１上に形成された電子放出源３より放出される電子を衝
突させることによって除去し、ゲッタ層７を活性にする
方法と、外囲器１０内を不図示の排気管及び排気装置に
より排気しつつ、外囲器１０全体を均一に加熱すること
で、窒化層を除去してゲッタ層７を活性にする方法とが
開示されている。In Japanese Patent Application Laid-Open No. 09-082245, as a method for activating the non-evaporable getter layer 7 formed on the face plate 8, an electron emission source formed on a glass substrate 1 by using a nitride layer formed on the surface is used. A method for activating the getter layer 7 by colliding electrons emitted from 3 and activating the getter layer 7 and a method for uniformly exhausting the entire envelope 10 while exhausting the interior of the envelope 10 with an exhaust pipe and an exhaust device (not shown). And heating the getter layer 7 to activate the getter layer 7.
【００１８】[0018]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たように非蒸発型ゲッタ材をゲート電極やアノード表面
等に形成した従来の画像表示装置や画像表示装置の製造
方法においては、以下に示す問題が生じる。However, in the conventional image display device and the method of manufacturing the image display device in which the non-evaporable getter material is formed on the gate electrode or the anode surface as described above, the following problems are encountered. Occurs.
【００１９】まず、非蒸発型ゲッタ材を、電子放出源よ
り放出させた電子を衝突させて活性化する場合、電子放
出源自体に電圧が印加されているため、非蒸発型ゲッタ
材が活性化する際に非蒸発型ゲッタ材自身から放出され
るガスによって、電子放出源は悪影響を受け、電子放出
素子の状態を変化させる。つまり、画像を表示させる際
と同様の現象が非蒸発型ゲッタ材の活性化時に生じ、電
子放出素子を劣化させてしまうことになる。First, when a non-evaporable getter material is activated by colliding electrons emitted from an electron emission source, a voltage is applied to the electron emission source itself. At this time, the gas emitted from the non-evaporable getter material itself adversely affects the electron emission source and changes the state of the electron emission element. In other words, the same phenomenon as when an image is displayed occurs when the non-evaporable getter material is activated, thereby deteriorating the electron-emitting device.
【００２０】そのうえ、熱伝導等の問題で、ゲッタ材と
ゲッタ材を設置する場所によっては、非蒸発型ゲッタを
活性化させるために、非常に高い電流密度が必要になる
など電子放出素子に与える影響は大きい。In addition, due to problems such as heat conduction, depending on the getter material and the place where the getter material is installed, an extremely high current density is required to activate the non-evaporable getter. The impact is great.
【００２１】次に、外囲器全体を加熱排気すると同時に
非蒸発型ゲッタ材の活性化を行う場合においては、外囲
器を形成する際に用いる熱溶融接着剤の耐熱温度の制限
を受け、非蒸発型ゲッタ材の活性化温度がその能力を発
揮させるには不十分な温度となる点があげられる。およ
そ、ガラスを接着する際に用いられる非晶質の熱溶融接
着剤の耐熱温度は３００℃〜３５０℃程度である。一
方、非蒸発型ゲッタ材の活性化温度は材料により差はあ
るが３５０℃〜９００℃の範囲であり、活性化温度が高
く、活性化時間が長いほどゲッタの吸着特性がよいと言
われている。Next, in the case where the entire envelope is heated and evacuated and the non-evaporable getter material is activated at the same time, the heat-resistant adhesive used in forming the envelope is restricted by the heat-resistant temperature. One of the points is that the activation temperature of the non-evaporable getter material is insufficient to exert its ability. Approximately, the heat resistant temperature of the amorphous hot-melt adhesive used when bonding glass is about 300 ° C to 350 ° C. On the other hand, the activation temperature of the non-evaporable getter material varies from material to material but is in the range of 350 ° C. to 900 ° C. It is said that the higher the activation temperature and the longer the activation time, the better the getter adsorption characteristics. I have.
【００２２】加えて、外囲器全体の加熱排気と同時に行
う非蒸発型ゲッタの活性化は、加熱排気中の外囲器内の
圧力の影響も無視できず、加熱排気中の外囲器内圧力が
低い程、得られる非蒸発型ゲッタの吸着特性が良くなる
ことも言われている。In addition, the activation of the non-evaporable getter performed simultaneously with the heating and exhausting of the entire envelope cannot ignore the influence of the pressure in the envelope during the heating and exhausting, and the inside of the envelope during the heating and exhausting cannot be ignored. It is also said that the lower the pressure, the better the adsorption characteristics of the obtained non-evaporable getter.
【００２３】そこで、本発明は、非蒸発型ゲッタの吸着
能力を向上させ、画像表示装置内の真空度を向上させ、
電子放出素子の寿命の均一化、画像表示装置の輝度の均
一性を向上させ、長寿命化を図ることを課題としてい
る。Therefore, the present invention improves the suction capability of the non-evaporable getter, improves the degree of vacuum in the image display device,
It is an object of the present invention to improve the uniformity of the lifetime of the electron-emitting device and the uniformity of the luminance of the image display device, thereby extending the lifetime.
【００２４】[0024]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めの本発明は、蛍光体及び電極が形成された第１絶縁基
板と、前記蛍光体を励起する複数の励起源及び電極配線
が形成された第２絶縁基板と、前記第１及び第２絶縁基
板を対向して支持する支持材とを、前記第１及び第２絶
縁基板の外周部において熱溶融接着剤で接着した外囲器
を含み、前記第１絶縁基板の画像表示領域外に非蒸発型
ゲッタを有する画像表示装置の製造方法であって、前記
外囲器内を真空に排気しつつ外囲器全体を加熱し、前記
非蒸発型ゲッタが形成された領域を、前記接着時の温度
以上に加熱する。According to the present invention, there is provided a first insulating substrate on which a phosphor and an electrode are formed, and a plurality of excitation sources and electrode wirings for exciting the phosphor. An envelope in which the separated second insulating substrate and a support member for supporting the first and second insulating substrates facing each other are bonded with a hot-melt adhesive at the outer peripheral portions of the first and second insulating substrates. A method of manufacturing an image display device having a non-evaporable getter outside an image display area of the first insulating substrate, wherein the entire envelope is heated while evacuating the interior of the envelope to a vacuum, The area where the evaporable getter is formed is heated to a temperature equal to or higher than the temperature at the time of the bonding.
【００２５】すなわち、本発明においては、外囲器内を
真空に排気しつつ、前記非蒸発型ゲッタが形成されてい
る領域の加熱温度を、熱溶融接着剤にて接着される基板
外周部の加熱温度以上とすることで、従来の非蒸発型ゲ
ッタの活性化温度を外囲器を接着する熱溶融接着剤の耐
熱温度以上として、非蒸発型ゲッタの吸着特性を向上さ
せる。That is, in the present invention, while the interior of the envelope is evacuated to a vacuum, the heating temperature of the region where the non-evaporable getter is formed is adjusted to the outer peripheral portion of the substrate to be bonded with the hot-melt adhesive. By setting the heating temperature or higher, the activation temperature of the conventional non-evaporable getter is set to be equal to or higher than the heat-resistant temperature of the hot-melt adhesive for bonding the envelope, thereby improving the adsorption characteristics of the non-evaporable getter.
【００２６】[0026]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２７】［実施形態１］図１は本発明の画像表示装
置の製造方法における加熱排気処理を行う装置の一例を
示す構成図である。[Embodiment 1] FIG. 1 is a configuration diagram showing an example of an apparatus for performing a heating and exhausting process in a method of manufacturing an image display device of the present invention.
【００２８】図中、１０は内部に複数の電子放出素子を
マトリックス上に配置させた電子源３と、蛍光体５、ア
ノード電極６及び非蒸発型ゲッタ層７を有する外囲器
で、外囲器１０には、外囲器１０内を真空に排気するた
めの排気管２８が接着されている。５１は、外囲器１０
内を真空に排気するための真空槽で、真空槽５１には真
空槽５１内の圧力をモニタする真空計６５と前記真空槽
５１内を真空排気するための荒引きポンプ６０、ターボ
分子ポンプ６１、スパッタイオンポンプ６２が接続され
ている。５２はバルブであり、５３，５４は真空ポンプ
を切り替えるための仕切り弁である。また、４０，４１
は外囲器１０を加熱するためのホットプレートであり、
４０は外囲器外周部加熱用ホットプレート、４１は画像
表示領域加熱用ホットプレートである。Referring to FIG. 1, reference numeral 10 denotes an envelope having an electron source 3 in which a plurality of electron-emitting devices are arranged in a matrix, a phosphor 5, an anode electrode 6, and a non-evaporable getter layer 7. An exhaust pipe 28 for evacuating the inside of the envelope 10 to a vacuum is adhered to the container 10. 51 is the envelope 10
A vacuum gauge for monitoring the pressure in the vacuum chamber 51; a roughing pump 60 for evacuating the vacuum chamber 51; and a turbo molecular pump 61. , A sputter ion pump 62 is connected. 52 is a valve, and 53 and 54 are gate valves for switching vacuum pumps. Also, 40, 41
Is a hot plate for heating the envelope 10,
Reference numeral 40 denotes a hot plate for heating the outer peripheral portion of the envelope, and 41 denotes a hot plate for heating the image display area.
【００２９】まず、内部に蛍光体５、アノード電極６、
非蒸発型ゲッタ層７及び電子放出源３の形成された外囲
器１０を外周部加熱用ホットプレート４０及び画像表示
領域加熱用ホットプレート４１上に配置し、排気管２８
をバルブ５２を介して真空槽５１に接続する。本実施形
態では、非蒸発型ゲッタ層７に、Ｚｒ：Ｖ：Ｆｅ＝７
０：２５：５ｗｔ％の合金を用いた。First, a phosphor 5, an anode electrode 6,
The envelope 10 on which the non-evaporable getter layer 7 and the electron emission source 3 are formed is disposed on the outer peripheral portion heating hot plate 40 and the image display region heating hot plate 41, and the exhaust pipe 28 is provided.
Is connected to the vacuum chamber 51 via the valve 52. In the present embodiment, Zr: V: Fe = 7 is applied to the non-evaporable getter layer 7.
An alloy of 0: 25: 5 wt% was used.
【００３０】次に、バルブ５２を開いて真空槽５１及び
外囲器１０内を荒引きポンプ６０によって荒引きした
後、ターボ分子ポンプ６１にて、引き続き２〜数時間排
気する。外囲器１０内の圧力が１０-6Ｐａ台に到達した
ら、外周部加熱用ホットプレート４０及び画像表示領域
加熱用ホットプレート４１を加熱しはじめる。Next, after the valve 52 is opened and the inside of the vacuum chamber 51 and the envelope 10 is roughly evacuated by the roughing pump 60, the gas is continuously exhausted by the turbo molecular pump 61 for 2 to several hours. When the pressure in the envelope 10 reaches the order of 10 −6 Pa, the heating of the hot plate 40 for heating the outer peripheral portion and the hot plate 41 for heating the image display area is started.
【００３１】図２は、このときの加熱条件を示すタイム
チャートである。図２中、縦軸は温度であり、横軸は時
間である。また、破線は外囲器外周部加熱用ホットプレ
ート４０の制御温度で、実線は画像表示領域加熱用ホッ
トプレート４１の制御温度である。FIG. 2 is a time chart showing heating conditions at this time. In FIG. 2, the vertical axis is temperature, and the horizontal axis is time. The broken line indicates the control temperature of the outer peripheral portion heating hot plate 40, and the solid line indicates the control temperature of the image display area heating hot plate 41.
【００３２】本実施形態では、外周部加熱用ホットプレ
ート４０の温度を外周部接着剤の耐熱温度である３００
℃とし、画像表示領域加熱用ホットプレート４１の温度
を３５０℃、保持時間を１０時間として、非蒸発型ゲッ
タ層７の活性化ならびに外囲器１０の加熱脱ガス処理を
おこなった。In the present embodiment, the temperature of the outer peripheral portion heating hot plate 40 is set to the heat resistant temperature of the outer peripheral portion adhesive 300.
C., the temperature of the image display area heating hot plate 41 was set to 350 ° C., and the holding time was set to 10 hours to activate the non-evaporable getter layer 7 and to heat and degas the envelope 10.
【００３３】次に、外囲器１０の温度を降温させるとと
もに、仕切り弁５３を閉じ、仕切り弁５４を開いて外囲
器１０内を排気する排気系をターボ分子ポンプ６１から
スパッタイオンポンプ６２に切り替え、外囲器１０内の
真空度を更に高めた。外囲器１０内の圧力が約１０-7Ｐ
ａに達したら、排気管２８をガスバーナーであぶって、
排気管２８をチップオフし、気密容器を完成させた。Next, the temperature of the envelope 10 is lowered, the gate valve 53 is closed, and the gate valve 54 is opened to evacuate the envelope 10 from the turbo molecular pump 61 to the sputter ion pump 62. The degree of vacuum in the envelope 10 was further increased by switching. The pressure inside the envelope 10 is about 10 -7 P
a, the exhaust pipe 28 is blown with a gas burner,
The exhaust pipe 28 was chipped off to complete an airtight container.
【００３４】図３は、本発明の画像表示装置の製造方法
で得られた非蒸発型ゲッタの吸着特性と、外囲器全体を
均一に加熱排気して活性化した従来の画像表示装置の製
造方法で得られた非蒸発型ゲッタの吸着特性とを比較し
たグラフである。図３において、縦軸は非蒸発型ゲッタ
の排気速度をあらわし横軸は非蒸発型ゲッタの吸着量を
あらわしている。図３より、従来の画像表示装置の製造
方法によって得られる非蒸発型ゲッタの排気能力及び吸
着量と比べて、本実施形態の非蒸発型ゲッタの両能力が
向上していることが確認できる。FIG. 3 shows the adsorption characteristics of the non-evaporable getter obtained by the method of manufacturing an image display device of the present invention, and the manufacturing of a conventional image display device in which the entire envelope is uniformly heated and exhausted to activate. 5 is a graph comparing the adsorption characteristics of a non-evaporable getter obtained by the method. In FIG. 3, the vertical axis represents the pumping speed of the non-evaporable getter, and the horizontal axis represents the amount of adsorption of the non-evaporable getter. From FIG. 3, it can be confirmed that both the capacity of the non-evaporable getter according to the present embodiment are improved as compared with the exhaust capacity and the adsorption amount of the non-evaporable getter obtained by the conventional method for manufacturing an image display device.
【００３５】本実施形態では、電子放出素子として、特
に限定していないが電子放出素子の如何によらず本発明
の効果が得られる。In the present embodiment, the effect of the present invention can be obtained regardless of the type of the electron-emitting device, although not particularly limited.
【００３６】また本発明は、加熱排気において画像表示
領域の温度を外周部の温度と比べて高温にすることで従
来の非蒸発型ゲッタ層以上の能力を得るものであって、
本実施形態で用いたＺｒ：Ｖ：Ｆｅ＝７０：２５：５ｗ
ｔ％からなる合金の非蒸発型ゲッタに限定されるもので
ある。In the present invention, the temperature of the image display area is set to be higher than the temperature of the outer peripheral portion in the heating and exhausting to obtain a performance higher than that of the conventional non-evaporable getter layer.
Zr: V: Fe = 70: 25: 5w used in this embodiment
It is limited to a non-evaporable getter of an alloy consisting of t%.
【００３７】［実施形態２］以下に画像表示装置の電子
放出源として表面伝導型電子放出素子を用いた実施形態
を示す。[Embodiment 2] An embodiment using a surface conduction electron-emitting device as an electron-emitting source of an image display device will be described below.
【００３８】図４は、本実施形態で用いた表面伝導型電
子放出素子の斜視図であり、図５は図４で示した表面伝
導型電子放出素子９０を基板上に配置した構成を示す平
面図である。図６は本発明の画像表示装置を作製する際
に用いた装置の一例で、実施形態１で用いた装置に原料
ガスの導入機能が具備されたものである。また、図７は
図４及び図５で示した表面伝導型電子放出素子９０を蛍
光体励起源として用いた画像表示装置を部分的に欠いた
部分切欠斜視図である。以下、図をもとに工程を説明す
る。FIG. 4 is a perspective view of the surface conduction electron-emitting device used in this embodiment, and FIG. 5 is a plan view showing a configuration in which the surface conduction electron-emitting device 90 shown in FIG. 4 is arranged on a substrate. FIG. FIG. 6 shows an example of an apparatus used for manufacturing the image display device of the present invention, in which the apparatus used in the first embodiment has a function of introducing a raw material gas. FIG. 7 is a partially cutaway perspective view partially showing an image display device using the surface conduction electron-emitting device 90 shown in FIGS. 4 and 5 as a phosphor excitation source. Hereinafter, the steps will be described with reference to the drawings.
【００３９】工程−ａ） ２枚のガラス基板１やその他の構成部材を洗浄し、乾燥
させる。乾燥後、基板１上には、厚さ約数百ｎｍのシリ
コン酸化膜７０をＣＶＤ（化学気相成長法）にて形成し
た。さらに、前記シリコン酸化膜７０上に、リフトオフ
法によってニッケルを図４に示す素子電極８０及び８１
として厚さ約１μｍ形成した。Step-a) The two glass substrates 1 and other constituent members are washed and dried. After drying, a silicon oxide film 70 having a thickness of about several hundred nm was formed on the substrate 1 by CVD (chemical vapor deposition). Further, nickel is deposited on the silicon oxide film 70 by a lift-off method in the device electrodes 80 and 81 shown in FIG.
About 1 μm in thickness.
【００４０】次に、有機パラジウム溶液をスピンコート
法により塗布し、約３００℃で１５分間焼成し、酸化パ
ラジウム薄膜を形成し、これを所望形状にパターニング
して、酸化パラジウムからなる電子放出用薄膜２４を形
成、その後、順に下配線８２、絶縁層８３、上配線８４
をマトリックス状に形成した。本実施形態では、配線材
として、Ａｇを用い、スクリーン印刷法によって形成し
た。Next, an organic palladium solution is applied by a spin coat method and baked at about 300 ° C. for 15 minutes to form a palladium oxide thin film, which is patterned into a desired shape, and formed of a palladium oxide thin film for electron emission. 24, and then the lower wiring 82, the insulating layer 83, and the upper wiring 84 in this order.
Was formed in a matrix. In the present embodiment, Ag is used as the wiring material and formed by a screen printing method.
【００４１】次に、上配線８４のパターンに対応した開
口を有するメタルマスクを、上配線８４以外を覆うよう
に位置あわせして固定し、スパッタリング装置内に設置
する。ターゲットにＺｒ：Ｖ：Ｆｅ＝７０：２５：５ｗ
ｔ％の合金を用いて、スパッタリング法により上配線８
４上に非蒸発型ゲッタ８５を形成し、リアプレート９を
完成させた。Next, a metal mask having an opening corresponding to the pattern of the upper wiring 84 is positioned and fixed so as to cover portions other than the upper wiring 84, and is installed in the sputtering apparatus. Zr: V: Fe = 70: 25: 5w as target
The upper wiring 8 is formed by a sputtering method using a t% alloy.
A non-evaporable getter 85 was formed on 4 to complete the rear plate 9.
【００４２】工程−ｂ） 基板２を洗浄し乾燥させた後、スラリー法により蛍光体
５を形成する。次に、蛍光体５上をフィルミングし、そ
の上にアルミからなるメタルバック６層を蒸着法により
形成した。その後、フィルミング材を焼成して除去し、
フェイスプレート８を完成させた。Step-b) After the substrate 2 is washed and dried, the phosphor 5 is formed by a slurry method. Next, the phosphor 5 was filmed, and six metal back layers made of aluminum were formed thereon by vapor deposition. After that, the filming material is fired and removed,
The face plate 8 was completed.
【００４３】工程−ｃ） 実施形態１同様、工程−ａ）及び、ｂ）で得られたフェ
イスプレート８とリアプレート９とを、支持材４を介し
て低融点ガラス１２でもって接着し、外囲器１０を得
た。本実施形態では、低融点ガラス１２として日本電気
硝子社製のＬＳ−３０８１を用い、封着をアルゴン雰囲
気中で４１０℃、３０分行った。この際、リング状のバ
リウムゲッタ１１も配置した。Step-c) As in the first embodiment, the face plate 8 and the rear plate 9 obtained in steps-a) and b) are adhered to each other with the low-melting glass 12 via the support member 4, and An envelope 10 was obtained. In this embodiment, LS-3081 manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd. was used as the low-melting glass 12, and sealing was performed at 410 ° C. for 30 minutes in an argon atmosphere. At this time, a ring-shaped barium getter 11 was also arranged.
【００４４】工程−ｄ） 工程−ｃ）で得た外囲器１０の排気管２８を図６に示す
真空装置に接続し、外囲器１０内を荒引きポンプ６０及
びターボ分子ポンプ６１にて排気した。外囲器１０内の
圧力が１０-4Ｐａ台に達したら、工程−ａ）でリアプレ
ート９上に形成した電子放出用薄膜２４に前記したフォ
ーミング処理を施して、電子放出部２５を作製した。本
実施形態ではフォーミング処理を、図１１（ｂ）に示す
三角波パルスで行い、パルス波は図１１中、Ｔ１を１ｍ
ｓｅｃ、Ｔ２を１０ｍｓｅｃとして、波高値を徐々に上
昇させる方法で行った。Step-d) The exhaust pipe 28 of the envelope 10 obtained in the step-c) is connected to the vacuum device shown in FIG. 6, and the inside of the envelope 10 is controlled by the roughing pump 60 and the turbo molecular pump 61. Exhausted. When the pressure in the envelope 10 reached the level of 10 −4 Pa, the electron-emitting thin film 24 formed on the rear plate 9 in the step-a) was subjected to the above-described forming treatment to produce the electron-emitting portion 25. . In the present embodiment, the forming process is performed by using a triangular wave pulse shown in FIG. 11B, and the pulse wave is 1 m in FIG.
sec, T2 was set to 10 msec, and the peak value was gradually increased.
【００４５】次に本実施形態では、素子活性化処理を施
した。素子活性化処理は、炭化水素系のガス雰囲気中に
て、フォーミング処理同様の電圧を印加しながら電子放
出部２５に炭素系化合物を堆積させるもので、本実施形
態では原料ガスにベンゾニトリルを用いた。図６で示す
ように、原料ガス導入ラインより、原料ガスを真空槽５
１内に導入しつつ行った。この際、真空槽の圧力が約１
×１０-3〜１×１０-5Ｐａとなるよう、流量調整バルブ
７６を調節して行った。Next, in this embodiment, an element activation process is performed. In the element activation process, a carbon-based compound is deposited on the electron-emitting portion 25 while applying a voltage similar to the forming process in a hydrocarbon-based gas atmosphere. In this embodiment, benzonitrile is used as a source gas. Was. As shown in FIG. 6, the source gas is supplied from the source gas introduction line to the vacuum tank 5.
1 while introducing. At this time, the pressure in the vacuum chamber is about 1
The flow rate adjusting valve 76 was adjusted so that the pressure became 10-3 to 1 10-5 Pa.
【００４６】工程−ｅ） 素子活性化処理後、真空排気を続け、外囲器１０内の圧
力が、１０-6Ｐａ台に達したら、実施形態１同様、外周
部加熱用ホットプレート４０および画像表示領域加熱用
ホットプレート４１を図２に示すプロファイルで加熱し
はじめ、外囲器１０の加熱脱ガス処理ならびに、非蒸発
型ゲッタ８５の活性化を行った。本実施形態では、外囲
器外周部加熱用ホットプレート４０の加熱温度を、２７
０℃画像表示領域加熱用ホットプレート４１の制御温度
を３５０℃とし、加熱時間を１０時間とした。Step-e) After the element activation processing, the vacuum evacuation is continued, and when the pressure in the envelope 10 reaches the order of 10 −6 Pa, the outer peripheral portion heating hot plate 40 and the image The display area heating hot plate 41 was started to be heated with the profile shown in FIG. 2, and the degassing process of the envelope 10 and the activation of the non-evaporable getter 85 were performed. In this embodiment, the heating temperature of the outer peripheral portion heating hot plate 40 is set to 27 degrees.
The control temperature of the 0 ° C. image display area heating hot plate 41 was 350 ° C., and the heating time was 10 hours.
【００４７】工程−ｆ） 真空排気後、排気系をイオンポンプに切り替えて、外囲
器１０内の真空度を更に高め、排気管を封止して気密容
器を得、工程−ｃ）で配置した蒸発型ゲッタ１１を外囲
器外より高周波加熱にて蒸発させた。図７に示すよう
に、その後、実装し、外装を取り付けて画像表示装置の
外囲器として完成させた。Step-f) After the evacuation, the evacuation system is switched to the ion pump, the degree of vacuum in the envelope 10 is further increased, the evacuation pipe is sealed, and an airtight container is obtained. The evaporable getter 11 was evaporated by high frequency heating from outside the envelope. After that, as shown in FIG. 7, the package was mounted, an exterior was attached, and the package was completed as an envelope of the image display device.
【００４８】本実施形態における加熱排気時の外囲器内
圧力は、従来行っていた加熱排気時の圧力と比べて約半
分に低減していた。また、本実施形態で作製した画像表
示装置における非蒸発型ゲッタ８５の吸着特性について
も、実施形態１の図３で示したものよりよい特性が得ら
れた。次に、図８に表面伝導型電子放出素子の電子放出
特性について示す。図８中、縦軸は電子放出量を初期値
で規格化した値で、横軸は時間である。また、従来の画
像表示装置の製造方法における表面伝導型電子放出素子
の電子放出特性を破線で、本実施形態において得られた
表面伝導型電子放出素子の電子放出特性を実線で示して
いる。In the present embodiment, the pressure in the envelope at the time of heating and exhausting has been reduced to about half of the pressure at the time of heating and exhausting conventionally performed. Further, with respect to the adsorption characteristics of the non-evaporable getter 85 in the image display device manufactured in the present embodiment, better characteristics than those shown in FIG. 3 of the first embodiment were obtained. Next, FIG. 8 shows the electron emission characteristics of the surface conduction electron-emitting device. In FIG. 8, the vertical axis represents the value obtained by normalizing the electron emission amount with the initial value, and the horizontal axis represents time. In addition, the broken line represents the electron emission characteristics of the surface conduction electron-emitting device in the conventional method for manufacturing an image display device, and the solid line represents the electron emission characteristics of the surface conduction electron-emitting device obtained in the present embodiment.
【００４９】本実施形態で得られた画像表示装置は、図
８に示すよう従来の画像表示装置の製造方法と比べて、
電子放出素子の寿命が延び、輝度むらに関しても従来の
画像表示装置と比べて均一性のよいものが得られた。The image display device obtained in this embodiment is different from the conventional image display device manufacturing method as shown in FIG.
The life of the electron-emitting device was extended, and the uniformity of brightness unevenness was obtained as compared with the conventional image display device.
【００５０】[0050]
【発明の効果】以上説明した本発明によれば、前記外囲
器内を真空に排気しつつ外囲器全体を加熱することによ
り、画像表示領域内に形成された非蒸発型ゲッタを活性
化させる外囲器の加熱排気処理において、前記外囲器内
を真空に排気しつつ、前記非蒸発型ゲッタが形成されて
いる領域の加熱温度を、熱溶融接着剤にて接着される基
板外周部の加熱温度以上にすることで、従来の画像表示
装置の製造方法に比べて非蒸発型ゲッタの吸着能力が向
上し、その結果、画像を表示する際の画像表示装置内の
真空度を向上させるととなり、電子放出素子の寿命の均
一化、強いては、画像表示装置の輝度の均一性を向上さ
せ、長寿命化が図れることとなる。According to the present invention described above, the non-evaporable getter formed in the image display area is activated by heating the entire envelope while evacuating the envelope to a vacuum. In the heating and exhausting process of the envelope, the inside of the envelope is evacuated to a vacuum, and the heating temperature of the region where the non-evaporable getter is formed is increased by the heat-melting adhesive. Above the heating temperature, the adsorption capacity of the non-evaporable getter is improved as compared with the conventional method of manufacturing an image display device, and as a result, the degree of vacuum in the image display device when displaying an image is improved. As a result, the life of the electron-emitting device is made uniform, and in other words, the uniformity of the luminance of the image display device is improved, and the life is prolonged.
【図１】本発明の第１の実施形態の画像表示装置の製造
方法における真空排気装置ならびに、加熱機構の一例を
あらわす構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram illustrating an example of a vacuum exhaust device and a heating mechanism in a method for manufacturing an image display device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施形態で用いたホットプレートの制
御温度プロファイルを示すグラフである。FIG. 2 is a graph showing a control temperature profile of a hot plate used in an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第１の実施形態における画像表示装置
の製造方法において得られた、非蒸発型ゲッタの吸着特
性を従来の製造方法と比較したグラフである。FIG. 3 is a graph comparing the adsorption characteristics of a non-evaporable getter obtained by a method of manufacturing an image display device according to the first embodiment of the present invention with those of a conventional method.
【図４】本発明の第２の実施形態で用いた表面伝導型電
子放出素子の１素子の斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of one surface conduction electron-emitting device used in a second embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第２の実施形態で用いた表面伝導型電
子放出素子ならびに、非蒸発型ゲッタをマトリックス状
に配置した構成を示す部分平面図である。FIG. 5 is a partial plan view showing a configuration in which a surface conduction electron-emitting device and a non-evaporable getter used in a second embodiment of the present invention are arranged in a matrix.
【図６】本発明の第２の実施形態で用いた画像表示装置
の製造方法における真空排気装置ならびに外囲器の加熱
機構の一例をあらわす構成図である。FIG. 6 is a configuration diagram illustrating an example of a vacuum exhaust device and a heating mechanism of an envelope in a method of manufacturing an image display device used in a second embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第２の実施形態で得られた画像表示装
置の部分切欠斜視図である。FIG. 7 is a partially cutaway perspective view of an image display device obtained in a second embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第２の実施形態で得られた画像表示装
置における表面伝導型電子放出素子の電子放出特性を、
従来の画像表示装置の製造方法における表面伝導型電子
放出素子の電子放出特性と比較したグラフである。FIG. 8 shows the electron emission characteristics of the surface conduction electron-emitting device in the image display device obtained in the second embodiment of the present invention.
9 is a graph comparing with the electron emission characteristics of a surface conduction electron-emitting device in a conventional method for manufacturing an image display device.
【図９】電子放出素子の１つである電界放出型電子放出
素子の構成図である。FIG. 9 is a configuration diagram of a field emission type electron-emitting device which is one of the electron-emitting devices.
【図１０】電子放出素子の１つである表面伝導型電子放
出素子の構成図である。FIG. 10 is a configuration diagram of a surface conduction electron-emitting device, which is one of the electron-emitting devices.
【図１１】表面伝導型電子放出素子のフォーミング処理
時の電圧を示したグラフである。FIG. 11 is a graph showing a voltage during a forming process of the surface conduction electron-emitting device.
【図１２】従来例の１例である画像表示装置の部分切欠
斜視図である。FIG. 12 is a partially cutaway perspective view of an image display device as an example of a conventional example.
１，２ ガラス基板 ３ 電子源 ４ 支持枠 ５ 蛍光体 ６ メタルバック ７ 非蒸発型ゲッタ層 ８ フェイスプレート ９ リアプレート １０ 外囲器 １１ 蒸発型ゲッタ １２ 低融点ガラス ２１ 高圧端子 ２２ 信号入力端子 ２３ 行選択端子 ２４ 電子放出用薄膜 ２５ 電子放出部 ２８ 排気管 ４０ 外周部加熱用ホットプレート ４１ 画像表示領域加熱用ホットプレート ５１ 真空槽 ５２，７５，７７ バルブ ７６ 流量調整バルブ ５３，５４ 仕切り弁 ６０ 荒引きポンプ ６１ ターボ分子ポンプ ６２ スパッタイオンポンプ ６５ 真空計 ７０ シリコン酸化膜 ８０，８１ 素子電極 ８２ 下配線 ８３ 絶縁層 ８４ 上配線 ８５ 非蒸発型ゲッタ層 ９０ 表面伝導型電子放出素子 1, glass substrate 3 electron source 4 support frame 5 phosphor 6 metal back 7 non-evaporable getter layer 8 face plate 9 rear plate 10 envelope 11 evaporable getter 12 low melting glass 21 high voltage terminal 22 signal input terminal 23 rows Selection terminal 24 Electron emission thin film 25 Electron emission section 28 Exhaust pipe 40 Peripheral portion heating hot plate 41 Image display area heating hot plate 51 Vacuum tank 52, 75, 77 Valve 76 Flow control valve 53, 54 Gate valve 60 Roughing Pump 61 Turbo molecular pump 62 Sputter ion pump 65 Vacuum gauge 70 Silicon oxide film 80, 81 Device electrode 82 Lower wiring 83 Insulating layer 84 Upper wiring 85 Non-evaporable getter layer 90 Surface conduction electron-emitting device
Claims (5)
板と、前記蛍光体を励起する複数の励起源及び電極配線
が形成された第２絶縁基板と、前記第１及び第２絶縁基
板を対向して支持する支持材とを前記第１及び第２絶縁
基板の外周部において熱溶融接着剤で接着した外囲器と
を含み、前記第１絶縁基板の画像表示領域外に非蒸発型
ゲッタを有する画像表示装置の製造方法であって、 前記外囲器内を第１の真空度に排気し、 前記外周部を第１温度に加熱するとともに、前記非蒸発
型ゲッタが形成された領域を、前記接着を行う温度以上
の第２温度に加熱し、 前記第１及び第２温度を所定時間保持した後に降温し、 前記外囲器内を第１の真空度より高真空度の第２の真空
度に到達させ、 前記外囲器を封止することを特徴とする画像表示装置の
製造方法。A first insulating substrate on which a phosphor and an electrode are formed; a second insulating substrate on which a plurality of excitation sources for exciting the phosphor and an electrode wiring are formed; and the first and second insulating substrates. And an envelope in which a support material for supporting the first and second insulating substrates is bonded to the outer peripheral portions of the first and second insulating substrates with a hot-melt adhesive, and a non-evaporable type is provided outside the image display area of the first insulating substrate. A method of manufacturing an image display device having a getter, wherein the inside of the envelope is evacuated to a first degree of vacuum, the outer peripheral portion is heated to a first temperature, and a region where the non-evaporable getter is formed. Is heated to a second temperature equal to or higher than the temperature at which the bonding is performed, and after the first and second temperatures are held for a predetermined time, the temperature is decreased. The inside of the envelope has a second degree of vacuum higher than the first degree of vacuum. Wherein the degree of vacuum is reached and the envelope is sealed. Manufacturing method.
化点より低くすることを特徴とする請求項１記載の画像
表示装置の製造方法。2. The method according to claim 1, wherein the first temperature is lower than a softening point of the hot-melt adhesive.
に形成することを特徴とする請求項１記載の画像表示装
置の製造方法。3. The method according to claim 1, wherein the non-evaporable getter is formed on the electrode wiring.
記外囲器を加熱することを特徴とする請求項１記載の画
像表示装置の製造方法。4. The method according to claim 1, wherein the envelope is heated by two or more independently controlled heating means.
であることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置の
製造方法。5. The method according to claim 1, wherein the excitation source is a surface conduction electron-emitting device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11063622A JP2000260325A (en) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | Manufacture of image display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11063622A JP2000260325A (en) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | Manufacture of image display device |
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|---|---|
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ID=13234625
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP11063622A Pending JP2000260325A (en) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | Manufacture of image display device |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP2000260325A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100450025B1 (en) * | 2002-01-18 | 2004-09-24 | 일진나노텍 주식회사 | Triode-flat type field emission lamp and its fabrication method by using carbon nano tube |
| KR100675735B1 (en) | 2004-08-27 | 2007-02-02 | 캐논 가부시끼가이샤 | Image display apparatus |
| CN102394214A (en) * | 2010-12-24 | 2012-03-28 | 德清新明辉电光源有限公司 | Hose squeezing mechanism for vacuum pump aeration device |
| CN102760627A (en) * | 2011-04-28 | 2012-10-31 | 宏硕***股份有限公司 | Evacuating device and evacuating method for display |
| CN113655078A (en) * | 2021-07-23 | 2021-11-16 | 苏州华杨科学仪器有限公司 | Sample vacuum preparation cavity |
-
1999
- 1999-03-10 JP JP11063622A patent/JP2000260325A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100450025B1 (en) * | 2002-01-18 | 2004-09-24 | 일진나노텍 주식회사 | Triode-flat type field emission lamp and its fabrication method by using carbon nano tube |
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| CN102394214B (en) * | 2010-12-24 | 2014-01-01 | 德清新明辉电光源有限公司 | Hose squeezing mechanism for vacuum pump aeration device |
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