JP2000252188A - Aligner, lithography system and device - Google Patents

Aligner, lithography system and device

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JP2000252188A
JP2000252188A JP11051096A JP5109699A JP2000252188A JP 2000252188 A JP2000252188 A JP 2000252188A JP 11051096 A JP11051096 A JP 11051096A JP 5109699 A JP5109699 A JP 5109699A JP 2000252188 A JP2000252188 A JP 2000252188A
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main body
laser device
apparatus main
laser
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Ryochi Nagahashi
良智 長橋
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    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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    • G03F7/70741—Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an aligner and a lithography system which can be lessened in necessary floor area. SOLUTION: A laser device 14 is arranged in a region of a floor surface F, which is sufficiently large in width to include a maintenance area located on each side of an exposure system main body 12 constituted in an aligner. The maintenance areas of the aligner main body 12 and the laser device 14 are so arranged in a floor surface F as to overlap partially with each other to be partially used in common. Therefore, extension part of the laser device 14 extending from a maintenance area located on each side of the exposure system main body 12 can be eliminated, so that the necessary floor space can be lessened. A necessary floor area can be made smaller than that in a case where the maintenance areas of the laser device 14 and the exposure system main body 12 are separately provided.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置及びリソ
グラフィシステム、並びにデバイスに係り、更に詳しく
は、半導体素子、液晶表示素子等を製造するリソグラフ
ィ工程で用いられる露光装置及び該露光装置を含むリソ
グラフィシステム、並びに該リソグラフィシステムを用
いて製造されるデバイスに関する。The present invention relates to an exposure apparatus, a lithography system, and a device, and more particularly, to an exposure apparatus used in a lithography process for manufacturing a semiconductor element, a liquid crystal display element, and the like, and a lithography including the exposure apparatus. System and devices manufactured using the lithography system.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来より、半導体素子等を製造するため
のリソグラフィ工程では、いわゆるステッパやいわゆる
スキャニングステッパ等の露光装置が主として用いられ
ており、近時においては、これらの露光装置の露光用の
光源としてＫｒＦエキシマレーザ装置が比較的多く用い
られるようになってきた。また、近時においては、これ
らの露光装置をコータ・デベロッパ（Coater／Develope
r：以下、適宜「Ｃ／Ｄ」と略述する）とインライン接
続したリソグラフィシステムが主流となりつつある。こ
れは、リソグラフィ工程では、レジスト塗布、露光、現
像の各処理が一連の処理として行われ、いずれの処理工
程においても装置内への塵等の侵入を防止する必要があ
るとともに上記の一連の処理を出来るだけ効率良く行う
等のためである。2. Description of the Related Art Conventionally, in a lithography process for manufacturing a semiconductor device or the like, an exposure apparatus such as a so-called stepper or a so-called scanning stepper has been mainly used. KrF excimer laser devices have been used relatively frequently as light sources. Recently, these exposure apparatuses have been installed in Coater / Develope
r: hereinafter, appropriately abbreviated as “C / D”) and a lithography system connected in-line is becoming mainstream. This is because in the lithography process, each process of resist application, exposure, and development is performed as a series of processes, and it is necessary to prevent intrusion of dust and the like into the apparatus in any of the process steps, and to perform the above-described series of processes. Is performed as efficiently as possible.

【０００３】図１０には、従来主として用いられていた
リソグラフィシステムの構成が平面図にて示されてい
る。この図１０のリソグラフィシステム３００は、露光
用の光源であるＫｒＦあるいはＡｒＦ等のエキシマレー
ザ装置３０２と、該エキシマレーザ装置３０２がビーム
マッチングユニットと呼ばれる引き回し光学系３０４を
介して接続された露光装置本体３０６と、該露光装置本
体３０６にインラインにて接続されたＣ／Ｄ３０８とを
備えている。このリソグラフィシステム３００は、露光
装置本体３０６の左側面にＣ／Ｄ３０８が配置されてい
ることから、左インラインとも呼ばれている。図１０に
おいて、Ｃ／Ｄ３０８の前端部（図１０における左端
部）には、ＯＨＶ（Over Head Vehicle）あるいはＯＨ
Ｔ（Over HeadTransfer）と呼ばれる天井走行の自動搬
送系あるいはＡＧＶ（Automatic Guided Vehicle）と呼
ばれる自走型搬送車により搬入及び搬出されるウエハコ
ンテナ３１０が複数台設置されるようになっている。ウ
エハコンテナ３１０としては、オープンキャリア（Open
Carrier：以下、適宜「ＯＣ」と略述する）又はフロン
トオープニングユニファイドポッド（Front Opening Un
ified Pod：以下、「ＦＯＵＰ」と略述する）等が用い
られる。なお、図示はしていないが、レチクルコンテナ
としては、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interfac
e）ポッドなどが用いられる。図１０において、符号Ｈ
ｗは、ＯＨＶの軌道を示す。FIG. 10 is a plan view showing the configuration of a lithography system mainly used in the prior art. The lithography system 300 shown in FIG. 10 includes an exposing apparatus main body in which an excimer laser apparatus 302 such as KrF or ArF as a light source for exposure is connected to the excimer laser apparatus 302 via a drawing optical system 304 called a beam matching unit. 306 and a C / D 308 connected in-line to the exposure apparatus main body 306. The lithography system 300 is also called left in-line because the C / D 308 is arranged on the left side surface of the exposure apparatus main body 306. In FIG. 10, an OHV (Over Head Vehicle) or OH is provided at the front end (the left end in FIG. 10) of the C / D 308.
A plurality of wafer containers 310 to be loaded and unloaded by an automatic transport system for overhead traveling called T (Over Head Transfer) or a self-propelled transport vehicle called AGV (Automatic Guided Vehicle) are installed. As the wafer container 310, an open carrier (Open
Carrier: hereinafter abbreviated as “OC” as appropriate) or Front Opening Unified Pod (Front Opening Un
ified Pod: hereinafter, abbreviated as “FOUP”). Although not shown, the reticle container is a standard mechanical interface (SMIF).
e) Pods and the like are used. In FIG.
w indicates the trajectory of the OHV.

【０００４】しかるに、リソグラフィシステムは、クレ
ーンルーム内に単独で設置されることは珍しく、実際の
工場ではクリーンルーム内にリソグラフィシステムが複
数台設置される。また、リソグラフィシステムが設置さ
れるクリーンルームは、非常に高価であることからその
床面積を小さくすることが望ましく、そのため、限られ
たスペースにより多くの台数のリソグラフィシステムを
効率的に配置することが要請されている。[0004] However, it is rare that a lithography system is installed alone in a crane room. In an actual factory, a plurality of lithography systems are installed in a clean room. In addition, since the clean room in which the lithography system is installed is very expensive, it is desirable to reduce the floor area. Therefore, it is required to efficiently arrange a large number of lithography systems in a limited space. Have been.

【０００５】しかし、前述した左インラインあるいはこ
れと反対の右インラインのリソグラフィシステムの全体
的な平面形状は、複雑な形状を有していることから、図
１１に示されるように、クリーンルーム内に複数台並べ
て設置すると、デッドスペースが多くなり、クリーンル
ームのスペース効率が低下してしまう。However, since the overall plan shape of the above-described left in-line or opposite right in-line lithography system has a complicated shape, as shown in FIG. If they are arranged side by side, the dead space increases and the space efficiency of the clean room decreases.

【０００６】なお、図１１では左インラインのリソグラ
フィシステムのみを配置しているが、現状では右インラ
インのリソグラフィシステムと、左インラインのリソグ
ラフィシステムとを、Ｃ／Ｄが対向するように配置して
いるものも多い。かかる場合にも、デッドスペースが多
くなり、クリーンルームのスペース効率が低下する。In FIG. 11, only the left in-line lithography system is arranged, but at present, the right in-line lithography system and the left in-line lithography system are arranged so that C / D faces each other. There are many things. In such a case, too, the dead space increases, and the space efficiency of the clean room decreases.

【０００７】かかる不都合を改善するため、最近では、
図１２に示されるように、露光装置本体３０６の前面側
にＣ／Ｄ３０８をインラインにて接続する前インライン
と呼ばれるリソグラフィシステムが採用されるようにな
っている。この図１２のリソグラフィシステム４００の
全体的な平面形状は、ほぼ長方形であり、図１３に示さ
れるように、これをクリーンルーム内に複数台並べて設
置する際のデッドスペースは図１１の場合より明らかに
少なくなり、クリーンルームのスペース効率を向上させ
ることが可能である。In order to improve such inconvenience, recently,
As shown in FIG. 12, a lithography system called “in-line” is used before the C / D 308 is connected in-line to the front side of the exposure apparatus main body 306. The overall planar shape of the lithography system 400 of FIG. 12 is substantially rectangular, and as shown in FIG. 13, the dead space when a plurality of such lithography systems are installed in a clean room is more apparent than in FIG. Thus, the space efficiency of the clean room can be improved.

【０００８】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１２
の前インラインのリソグラフィシステム４００では、エ
キシマレーザ装置３０２の後側に斜線で示される幅１メ
ートル程度のメンテナンスエリアＭＡが必要であること
から、該メンテナンスエリアＭＡの最後端から露光装置
本体の前端までの距離Ｌ１、ひいては、メンテナンスエ
リアＭＡの最後端からＣ／Ｄ３０８の前端までの距離Ｌ
２が必要以上に長くなり、必ずしもクリーンルームのス
ペース効率が十分なものではなかった。However, FIG.
In the in-line lithography system 400, a maintenance area MA having a width of about 1 meter indicated by oblique lines is required on the rear side of the excimer laser device 302, and therefore, from the rearmost end of the maintenance area MA to the front end of the exposure apparatus main body. L1 from the rear end of the maintenance area MA to the front end of the C / D 308.
2 became longer than necessary, and the space efficiency of the clean room was not always sufficient.

【０００９】また、図１２のリソグラフィシステム４０
０では、エキシマレーザ装置３０２の露光装置本体３０
６に対する右側の張り出し部の寸法Ｗが、露光装置本体
３０６の両サイドのメンテナンスエリアの幅寸法（通常
１ｍ程度）を超えているため、かかる点においてもスペ
ース効率が不十分となっていた。勿論、引き回し光学系
を複雑に折り曲げれば、上記寸法Ｗを小さくすることは
可能であるが、かかる場合には引き回し光学系の光学素
子の点数が多くなるとともに、レーザエネルギの減衰も
大きくなってしまうので現実的な策とは言えない。The lithography system 40 shown in FIG.
0, the exposure apparatus main body 30 of the excimer laser apparatus 302
Since the dimension W of the right overhang portion with respect to 6 exceeds the width dimension (normally about 1 m) of the maintenance area on both sides of the exposure apparatus main body 306, the space efficiency is insufficient at this point as well. Of course, if the routing optical system is bent intricately, the dimension W can be reduced. However, in such a case, the number of optical elements of the routing optical system increases and the attenuation of laser energy increases. This is not a realistic measure.

【００１０】また、上記図１２のリソグラフィシステム
４００においてウエハ側と同様に、レチクル側の搬送系
としてＯＨＶを採用するシステムも見受けられるが、こ
のような場合、図１２に示されるように、このレチクル
側の自動搬送系の軌道Ｈｒは、軌道Ｈｗと平行になるよ
うに設置される。これは軌道Ｈｗと軌道Ｈｒとが交差し
ないようにすることにより、軌道の配置が容易になるた
めである。Further, in the lithography system 400 shown in FIG. 12, a system employing an OHV as a transfer system on the reticle side can be seen similarly to the wafer side. In such a case, as shown in FIG. The trajectory Hr of the automatic transfer system on the side is set to be parallel to the trajectory Hw. This is because the trajectory Hw and the trajectory Hr do not cross each other, so that the trajectory is easily arranged.

【００１１】しかしながら、図１２のリソグラフィシス
テムでは、同図中に符号Ｒで示されるレチクル用コンテ
ナの受け渡しポートが、ウエハの出入口と反対側に位置
するため、レチクル搬送系の構造が複雑化するととも
に、露光装置本体３０６の後側にはエキシマレーザ装置
３０２及びこれに伴う照明光学系その他が存在するた
め、レチクル搬送系の設計が制約されてしまう。However, in the lithography system shown in FIG. 12, the delivery port of the reticle container indicated by the reference symbol R in FIG. 12 is located on the side opposite to the entrance of the wafer, so that the structure of the reticle transport system becomes complicated. Since the excimer laser device 302 and the associated illumination optical system and the like exist behind the exposure device main body 306, the design of the reticle transport system is restricted.

【００１２】本発明は、かかる事情の下でなされたもの
で、その第１の目的は、必要床面積を減少させることが
できる露光装置及びリソグラフィシステムを提供するこ
とにある。The present invention has been made under such circumstances, and a first object of the present invention is to provide an exposure apparatus and a lithography system capable of reducing a required floor area.

【００１３】また、本発明の第２の目的は、上記目的に
加え、外部から露光装置に対するマスク側の搬送系とし
てＯＨＶ等の天井搬送系を採用した場合であっても、露
光装置内のマスク搬送系の構造の複雑化を防止すること
ができる露光装置及びリソグラフィシステムを提供する
ことにある。Further, a second object of the present invention is to provide, in addition to the above-mentioned object, a mask in an exposure apparatus even when a ceiling transport system such as an OHV is employed as a transport system on the mask side with respect to the exposure apparatus from outside. An object of the present invention is to provide an exposure apparatus and a lithography system that can prevent the structure of a transport system from becoming complicated.

【００１４】[0014]

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、レーザ装置（１４）を光源とする露光装置であっ
て、前記露光装置を構成する露光装置本体（１２）の両
サイドのメンテナンスエリアを含む幅の床面（Ｆ）の領
域内に前記レーザ装置を配置したことを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus using a laser device (14) as a light source, wherein maintenance of both sides of an exposure apparatus body (12) constituting the exposure apparatus is performed. The laser device is arranged in an area of a floor (F) having a width including an area.

【００１５】これによれば、本来的に確保しなければな
らない、露光装置本体の両サイドのメンテナンスエリア
を含む幅の床面の領域内にレーザ装置を配置したことか
ら、レーザ装置の露光装置本体の両サイドのメンテナン
スエリアからの張り出し部分がなくなり、その分必要床
面積を減少させることができる。According to this, since the laser device is disposed within the area of the floor surface having a width including the maintenance areas on both sides of the exposure device main body, which must be originally secured, the exposure device main body of the laser device is provided. There is no overhang from both sides of the maintenance area, and the required floor area can be reduced accordingly.

【００１６】この場合において、露光装置本体が後側
（レーザ装置側）からもメンテンスが可能な場合には、
請求項２に記載の発明の如く、前記露光装置本体（１
２）のメンテナンスエリアと前記レーザ装置（１４）の
メンテナンスエリアとの少なくとも一部同士が共通とな
るように両者を前記床面（Ｆ）に配置することが望まし
い。かかる場合には、レーザ装置のメンテナンスエリア
と露光装置本体のメンテナンスエリアとを別々にとる場
合に比べて必要床面積を減少させることができる。必要
床面積の減少という意味では、エキシマレーザ装置のメ
ンテナンスエリアの全部を露光装置本体のメンテナンス
エリアと共通にすることが最も望ましい。In this case, if the exposure apparatus main body can be maintained also from the rear side (laser apparatus side),
According to a second aspect of the present invention, the exposure apparatus main body (1
It is desirable that both of the maintenance area of 2) and the maintenance area of the laser device (14) are arranged on the floor (F) so that at least a part thereof is common. In such a case, the required floor area can be reduced as compared with the case where the maintenance area of the laser device and the maintenance area of the exposure apparatus main body are separately provided. It is most desirable that the entire maintenance area of the excimer laser apparatus is made common to the maintenance area of the exposure apparatus main body in terms of a reduction in required floor area.

【００１７】請求項３に記載の発明は、レーザ装置（１
４）を光源とする露光装置であって、前記露光装置を構
成する露光装置本体（１２）のメンテナンスエリアと前
記レーザ装置のメンテナンスエリアとの少なくとも一部
同士が共通となるように、前記露光装置本体と前記エキ
シマレーザ装置とを前記露光装置本体の長手方向に沿っ
て床面に並べて配置したことを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, a laser device (1
4) An exposure apparatus using a light source, wherein the maintenance area of an exposure apparatus main body (12) constituting the exposure apparatus and the maintenance area of the laser apparatus are at least partially common. A main body and the excimer laser device are arranged side by side on a floor along a longitudinal direction of the exposure apparatus main body.

【００１８】これによれば、露光装置本体のメンテナン
スエリアとレーザ装置のメンテナンスエリアの少なくと
も一部同士が共通となるように、露光装置本体とレーザ
装置とが床面に並べて配置されているので、レーザ装置
のメンテナンスエリアと露光装置本体のメンテナンスエ
リアとを別々にとる場合に比べて必要床面積を減少させ
ることができる。この場合、前述と同様に、エキシマレ
ーザ装置のメンテナンスエリアの全部を露光装置本体の
メンテナンスエリアとを共通にすることにより、必要床
面積のを最も減少させることができる。According to this, the exposure apparatus main body and the laser device are arranged side by side on the floor so that at least a part of the maintenance area of the exposure apparatus main body and the maintenance area of the laser device are common. The required floor area can be reduced as compared with a case where the maintenance area of the laser apparatus and the maintenance area of the exposure apparatus main body are separately provided. In this case, as described above, the required floor area can be reduced most by making the entire maintenance area of the excimer laser apparatus common to the maintenance area of the exposure apparatus main body.

【００１９】上記１〜３に記載の各発明に係る露光装置
において、レーザ装置は、その高調波を露光光として用
いるＹＡＧレーザ装置や、波長５〜１５ｎｍ程度の軟Ｘ
線領域の光を発生する原始光源となる半導体レーザ励起
の高出力レーザなどであっても勿論構わないが、請求項
４に記載の発明の如く、前記レーザ装置（１４）は、エ
キシマレーザ装置であっても良い。In the exposure apparatus according to each of the first to third aspects, the laser apparatus may be a YAG laser apparatus using its harmonics as exposure light, or a soft X-ray apparatus having a wavelength of about 5 to 15 nm.
The laser device (14) may be, for example, an excimer laser device, although a high-power laser excited by a semiconductor laser serving as a primitive light source for generating light in a line region may be used. There may be.

【００２０】上記請求項１及び３に記載の各発明におい
て、請求項５に記載の発明の如く、前記レーザ装置（１
４）の筐体は前記露光装置本体の筐体と近接して配置し
ても良い。かかる場合には、レーザ装置から露光装置本
体に至る光の経路（光路）が短くなり（従って、その光
路中の光学素子の数が減少する）、透過率変動の影響を
低減でき、そのパージ範囲が短くなるのでその濃度管
理、メンテナンスが容易になる。なお、レーザ装置の筐
体と露光装置本体の筐体とを直接接続しても少なからず
引き回し光学系が必要である（引き回し光学系はゼロと
なる訳ではない）。In each of the first and third aspects of the present invention, as in the fifth aspect of the present invention, the laser device (1
The case 4) may be arranged close to the case of the exposure apparatus main body. In such a case, the light path (optical path) from the laser device to the exposure apparatus main body is shortened (therefore, the number of optical elements in the optical path is reduced), the influence of the transmittance fluctuation can be reduced, and the purge range can be reduced. , The concentration management and maintenance become easy. Even if the housing of the laser device and the housing of the exposure apparatus main body are directly connected, a drawing optical system is necessary at least (the drawing optical system is not always zero).

【００２１】上記請求項１及び３に記載の各発明におい
て、請求項６に記載の発明の如く、前記レーザ装置（１
４）は、引き回し光学系（ＢＭＵ）を介して前記露光装
置本体（１２）に接続されていても良い。この場合、引
き回し光学系は、露光装置が設置される床面の上方に配
置されてもメンテナンス時等に大きな支障はないが、請
求項７に記載の発明の如く、前記引き回し光学系（ＢＭ
Ｕ）は、前記露光装置本体（１２）が設置された床面
（Ｆ）の床下に配置されていても良い。かかる場合に
は、床上に引き回し光学系（障害物）がないので、メン
テナンス作業等を快適かつ容易に行うことができる。In each of the first and third aspects of the present invention, as in the sixth aspect of the present invention, the laser device (1
4) may be connected to the exposure apparatus main body (12) via a routing optical system (BMU). In this case, although the routing optical system is arranged above the floor on which the exposure apparatus is installed, there is no major problem during maintenance or the like, but as in the invention according to claim 7, the routing optical system (BM)
U) may be arranged below the floor (F) on which the exposure apparatus main body (12) is installed. In such a case, since there is no routing optical system (obstacle) on the floor, maintenance work and the like can be performed comfortably and easily.

【００２２】上記請求項５〜７に記載の各発明におい
て、請求項８に記載の発明の如く、前記レーザ装置は、
真空紫外域又は軟Ｘ線領域のレーザ光を射出する装置で
あっても良い。In each of the inventions according to claims 5 to 7, the laser device according to the invention described in claim 8,
A device that emits laser light in a vacuum ultraviolet region or a soft X-ray region may be used.

【００２３】上記請求項５〜８に記載の各発明におい
て、請求項９に記載の発明の如く、前記レーザ装置は、
その長手方向の向きが前記露光装置本体の長手方向の向
きと一致する状態で床面に配置されていても良い。この
場合、請求項１０に記載の発明の如く、前記レーザ装置
は発振波長が１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ装置、
Ｆ2レーザ装置及びレーザプラズマ装置のいずれかであ
っても良い。ＡｒＦエキシマレーザ装置、Ｆ2レーザ装
置などでは、複数の希ガスが封入されるレーザチューブ
（レーザ共振器）がその長手方向に沿って配置され、従
来のようにその光路を折り曲げる反射光学素子が不要と
なる。また、レーザプラズマ装置を使用するＥＵＶ露光
装置では反射光学素子が減るので、それだけＥＵＶ光の
エネルギ低下を防止することができる。[0023] In each of the inventions described in claims 5 to 8, as in the invention described in claim 9, the laser device may include:
The exposure apparatus may be arranged on the floor in a state where its longitudinal direction coincides with the longitudinal direction of the exposure apparatus main body. In this case, as in the invention according to claim 10, the laser device is an ArF excimer laser device having an oscillation wavelength of 193 nm.
F 2 may be any of a laser apparatus and a laser plasma device. ArF excimer laser device, in such an F 2 laser device, a laser tube in which a plurality of rare gas is enclosed (the laser cavity) are arranged along the longitudinal direction, unnecessary reflecting optical element for bending the optical path as in the prior art Becomes Further, in the EUV exposure apparatus using the laser plasma apparatus, since the number of reflective optical elements is reduced, it is possible to prevent the energy of the EUV light from being reduced accordingly.

【００２４】請求項１１に記載の発明は、レーザ装置
（１４）を光源とし、基板処理装置（１６）とインライ
ンにて接続される露光装置であって、前記露光装置を構
成する露光装置本体（１２）の両サイドのメンテナンス
エリアを含む幅の床面（Ｆ）の領域内に前記レーザ装置
が配置され、前記露光装置本体の前記レーザ装置と反対
側に前記基板処理装置が接続可能であることを特徴とす
る。According to an eleventh aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus which uses a laser apparatus (14) as a light source and is connected in-line with a substrate processing apparatus (16). 12) The laser device is arranged in a floor area (F) having a width including the maintenance areas on both sides, and the substrate processing apparatus can be connected to the exposure apparatus main body on the side opposite to the laser apparatus. It is characterized by.

【００２５】これによれば、本来的に確保しなければな
らない、露光装置本体の両サイドのメンテナンスエリア
を含む幅の床面の領域内にレーザ装置を配置したことか
ら、レーザ装置の露光装置本体の両サイドのメンテナン
スエリアからの張り出し部分がなくなり、その分必要床
面積を減少させることができる。また、露光装置本体の
前記レーザ装置と反対側に前記基板処理装置が接続可能
であることから、基板処理装置をインラインにて接続し
て構成されるリソグラフィシステムは、いわゆる前イン
ラインのタイプとなりほぼ長方形の平面形状となる。従
って、かかるリソグラフィシステムをクリーンルーム内
に複数配置する際には左インライン又は右インラインの
タイプに比べて効率良く配置することができ、しかも、
露光装置本体の両サイドのメンテナンスエリアからの張
り出し部分がない分、一層クリーンルームのスペース効
率の向上が可能である。According to this, since the laser device is arranged in the area of the floor surface having the width including the maintenance areas on both sides of the exposure device main body which must be originally secured, the exposure device main body of the laser device is There is no overhang from both sides of the maintenance area, and the required floor area can be reduced accordingly. Further, since the substrate processing apparatus can be connected to the side of the exposure apparatus main body opposite to the laser apparatus, the lithography system configured by connecting the substrate processing apparatus in-line is a so-called front-in-line type, which is almost rectangular. The planar shape of Therefore, when arranging a plurality of such lithography systems in a clean room, the lithography systems can be arranged more efficiently than the left inline or right inline type, and
Since there are no overhangs from the maintenance areas on both sides of the exposure apparatus body, the space efficiency of the clean room can be further improved.

【００２６】この場合において、請求項１２に記載の発
明の如く、前記基板処理装置（１６）は、インライン・
インタフェース部（１８）を介して前記露光装置本体
（１２）に接続可能であっても良い。かかる場合には、
露光装置本体の前方側でインライン・インタフェース部
の横側のエリアに空きスペースができるので、露光装置
本体が前面からメンテナンスが可能なタイプであれば、
前面からのメンテナンスを実行することができる。In this case, as in the twelfth aspect of the present invention, the substrate processing apparatus (16) is an in-line
It may be connectable to the exposure apparatus main body (12) via an interface section (18). In such cases,
Since an empty space is created in the area on the side of the inline interface section in front of the exposure apparatus main body, if the exposure apparatus main body can be maintained from the front,
Maintenance can be performed from the front.

【００２７】この場合において、請求項１３に記載の発
明の如く、前記露光装置本体の後面側のメンテナンスエ
リアと前記レーザ装置のメンテナンスエリアとが共通と
なるように両者が前記床面に配置されていることが望ま
しい。かかる場合には、露光装置本体の後面側（背面
側）のメンテナンスエリアとレーザ装置のメンテナンス
エリアとが別々に設定される場合に比べて露光装置本体
外の後側必要面積を減少させることができ、結果的に従
来の前インラインタイプのリソグラフィシステムと比べ
て必要床面積を殆ど増加させることなく、前面からのメ
ンテナンスエリアを確保することができる。In this case, the maintenance area on the rear side of the exposure apparatus main body and the maintenance area of the laser apparatus are both arranged on the floor so that the maintenance area is common to the invention. Is desirable. In such a case, the required rear area outside the exposure apparatus main body can be reduced as compared with the case where the maintenance area on the rear side (rear side) of the exposure apparatus main body and the maintenance area of the laser apparatus are separately set. As a result, a maintenance area from the front can be secured without increasing the required floor area as compared with the conventional pre-inline type lithography system.

【００２８】上記請求項１２及び１３に記載の各発明に
おいて、請求項１４に記載の発明の如く、前記インライ
ン・インタフェース部（１８）は着脱自在であっても良
い。かかる場合には、インライン・インタフェース部を
取り外すことにより、インライン・インタフェース部が
接続されていた部分にまでメンテナンスエリアを拡大す
ることができ、前面からの露光装置本体のメンテナンス
作業がよりやり易くなる。In each of the twelfth and thirteenth aspects of the present invention, as in the fourteenth aspect, the inline interface section (18) may be detachable. In such a case, by removing the in-line interface unit, the maintenance area can be expanded to the part to which the in-line interface unit was connected, and the maintenance work of the exposure apparatus main body from the front surface becomes easier.

【００２９】上記請求項１１〜１３に記載の各発明に係
る露光装置において、請求項１５に記載の発明の如く、
前記露光装置本体（１２）の前記基板処理装置（１６）
が接続される側の端部近傍に、天井部に延設された軌道
（Ｈｒ）に沿って移動し、マスクコンテナ（４０）内に
収納されたマスク（Ｒ）を搬送する天井搬送系（４４）
により前記マスクコンテナが搬出入される受け渡しポー
ト（４２）が配置されていても良い。かかる場合には、
レーザ装置及びこれに付随する照明光学系が設けられた
露光装置本体の後面側と反対の前方側にマスクの搬送系
を配置することができ、これにより基板の搬送系と上下
に並べてマスクの搬送系を配置することができ、マスク
コンテナの搬送系としてＯＨＶを採用した場合における
マスクの搬送系の構造の複雑化を防止することができ
る。この場合のマスクの搬送系としては、従来の露光装
置の搬送系とほぼ同様の構成を採用することができる。[0029] In the exposure apparatus according to each of the inventions according to claims 11 to 13, as in the invention according to claim 15,
The substrate processing apparatus (16) of the exposure apparatus body (12)
A ceiling transport system (44) that moves along a track (Hr) extending to the ceiling and transports the mask (R) stored in the mask container (40) near the end on the side to which is connected. )
A delivery port (42) through which the mask container is carried in and out may be arranged. In such cases,
A mask transport system can be arranged on the front side opposite to the rear side of the exposure apparatus main body provided with the laser device and the associated illumination optical system, whereby the mask transport system can be arranged vertically with the substrate transport system. A system can be arranged, and the structure of the mask transport system can be prevented from becoming complicated when the OHV is adopted as the transport system of the mask container. In this case, as the transport system of the mask, a configuration substantially similar to the transport system of the conventional exposure apparatus can be adopted.

【００３０】この場合において、マスクコンテナは、単
にマスクを収納するだけのコンテナであっても良いが、
請求項１６に記載の発明の如く、前記マスクコンテナ
（４０）は、開閉可能な扉（４０Ｂ）を備えた密閉型の
コンテナであっても良い。かかる場合には、マスクコン
テナ内への塵等の侵入を防止することができるので、ク
リーンルームのクリーン度をクラス１００〜１０００程
度に設定することが可能になり、クリーンルームのコス
トを低減させることができる。In this case, the mask container may be a container for simply storing a mask,
The mask container (40) may be a closed container provided with a door (40B) that can be opened and closed. In such a case, dust and the like can be prevented from entering the mask container, so that the cleanness of the clean room can be set to a class of about 100 to 1000, and the cost of the clean room can be reduced. .

【００３１】請求項１７に記載の発明に係るリソグラフ
ィシステムは、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の
露光装置と；前記露光装置を構成する前記露光装置本体
の前記レーザ装置と反対側に配置され、前記露光装置本
体にインラインにて接続された基板処理装置とを備え
る。これによれば、請求項１〜１０に記載の各露光装置
では必要床面積を減少させることができるので、これを
複数台クリーンルーム内に設置する場合にクリーンルー
ムのスペース効率を向上させることが可能となる。A lithography system according to a seventeenth aspect of the present invention provides an exposure apparatus according to any one of the first to tenth aspects; and an opposite side of the exposure apparatus main body constituting the exposure apparatus from the laser apparatus. And a substrate processing apparatus connected in-line to the exposure apparatus main body. According to this, since the required floor area can be reduced in each of the exposure apparatuses according to claims 1 to 10, it is possible to improve the space efficiency of the clean room when a plurality of the exposure apparatuses are installed in the clean room. Become.

【００３２】この場合において、基板処理装置は、コー
タ（レジスト塗布装置）、デベロッパ（現像装置）等で
あっても良いが、請求項１８に記載の発明の如く、前記
基板処理装置は、コータ・デベロッパであっても良い。
かかる場合には、リソグラフィシステムにより、リソグ
ラフィ工程で行われる、レジスト塗布、露光、現像の一
連の処理を装置内への塵等の侵入をほぼ確実に防止した
環境下で効率良く行うことができる。In this case, the substrate processing apparatus may be a coater (resist coating apparatus), a developer (development apparatus), or the like. It may be a developer.
In such a case, a series of processes of resist coating, exposure, and development performed in the lithography process can be efficiently performed by the lithography system in an environment in which dust and the like are almost certainly prevented from entering the apparatus.

【００３３】請求項１９に記載の発明に係るデバイス
は、請求項１７又は１８に記載のリソグラフィシステム
を用いて製造されたことを特徴とする。A device according to a nineteenth aspect of the present invention is manufactured using the lithography system according to the seventeenth or eighteenth aspect.

【００３４】[0034]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図１
〜図６に基づいて説明する。図１には、本発明に係る露
光装置を含む一実施形態のリソグラフィシステムの概略
斜視図が示されている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
This will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic perspective view of a lithography system according to an embodiment including an exposure apparatus according to the present invention.

【００３５】この図１のリソグラフィシステム１０は、
クリーン度がクラス１００〜１０００程度のクリーンル
ーム内に設置されている。このリソグラフィシステム１
０は、上記クリーンルームの床面Ｆ上に配置された露光
装置本体１２、この露光装置本体１２の長手方向（図１
におけるＸ方向）の一側である後面（背面）側（＋Ｘ
側）に所定の間隔を隔てて床面Ｆ上に配置された露光用
光源であるレーザ装置としてのエキシマレーザ装置１
４、露光装置本体１２の長手方向の他側である前面側
（−Ｘ側）に所定間隔を隔てて配置された基板処理装置
としてのＣ／Ｄ１６、露光装置本体１２とＣ／Ｄ１６と
をインラインにて接続するインライン・インタフェース
部１８、インライン・インタフェース部１８に並列にか
つ露光装置本体１２の筐体（エンバイロメンタル・チャ
ンバ）１２Ａに隣接して配置された基板コンテナ増設用
ハウジングとしてのＦＯＵＰ増設用ハウジング２０、Ｆ
ＯＵＰ増設用ハウジング２０に隣接してかつインライン
・インタフェース部１８に並列に配置されたマスク搬送
系ハウジングとしてのレチクルポート用ハウジング２
２、及び露光装置本体１２とエキシマレーザ装置１４と
を光学的に接続する引き回し光学系としてのビームマッ
チングユニットＢＭＵ等を備えている。The lithography system 10 of FIG.
The cleanliness is set in a clean room having a class of about 100 to 1,000. This lithography system 1
Reference numeral 0 denotes an exposure apparatus main body 12 disposed on the floor F of the clean room, and a longitudinal direction of the exposure apparatus main body 12 (FIG. 1).
Rear side (rear) side (+ X
Side), an excimer laser device 1 as a laser device serving as an exposure light source disposed on the floor surface F at a predetermined interval.
4. C / D 16 as a substrate processing apparatus disposed at a predetermined interval on the front side (−X side) which is the other side in the longitudinal direction of exposure apparatus main body 12, and in-line exposure apparatus main body 12 and C / D 16 FOUP as a housing for adding a substrate container arranged in parallel with the in-line interface unit 18 and adjacent to the housing (environmental chamber) 12A of the exposure apparatus main body 12 Housing 20, F
A reticle port housing 2 as a mask transport system housing arranged adjacent to the OUP extension housing 20 and in parallel with the in-line interface unit 18
And a beam matching unit BMU or the like as a drawing optical system for optically connecting the exposure apparatus main body 12 and the excimer laser device 14.

【００３６】本実施形態において、露光装置本体１２、
エキシマレーザ装置１４、Ｃ／Ｄ１６それぞれの外形寸
法は、前述した従来例と同一のものが用いられているも
のとする。In the present embodiment, the exposure apparatus main body 12,
The external dimensions of the excimer laser device 14 and the C / D 16 are the same as those of the above-described conventional example.

【００３７】前記エキシマレーザ装置１４としては、例
えば発振波長２４８ｎｍの遠紫外域のパルス光を発振す
るＫｒＦエキシマレーザ装置、発振波長１９３ｎｍの真
空紫外域のパルス光を発振するＡｒＦエキシマレーザ装
置、あるいは発振波長１５７ｎｍの真空紫外域のパルス
光を発振するＦ2レーザ装置などが用いられる。As the excimer laser device 14, for example, a KrF excimer laser device that oscillates pulse light in the far ultraviolet region having an oscillation wavelength of 248 nm, an ArF excimer laser device that oscillates pulse light in a vacuum ultraviolet region having an oscillation wavelength of 193 nm, or an oscillation device An F 2 laser device that oscillates pulsed light in a vacuum ultraviolet region with a wavelength of 157 nm is used.

【００３８】また、露光装置本体１２としては、ステッ
プ・アンド・リピート方式でウエハ上にレチクルのパタ
ーンを転写するタイプや、ステップ・アンド・スキャン
方式でウエハ上にレチクルのパターンを転写するタイプ
などが用いられ、この露光装置本体１２、エキシマレー
ザ装置１４及びビームマッチング・ユニットＢＭＵによ
って本発明に係る露光装置が構成されている。露光装置
本体１２は、前後左右の４方向からメンテナンスが可能
な構造となっている。The exposure apparatus body 12 includes a type for transferring a reticle pattern onto a wafer by a step-and-repeat method, and a type for transferring a reticle pattern onto a wafer by a step-and-scan method. The exposure apparatus according to the present invention is used by the exposure apparatus main body 12, the excimer laser device 14, and the beam matching unit BMU. The exposure apparatus main body 12 has a structure capable of performing maintenance from four directions of front, rear, left, and right.

【００３９】図２には、リソグラフィシステム１０が設
置されたクリーンルームの平面図が示されている。この
図２において、床面Ｆの斜線を付した領域は、露光装置
本体１２のメンテナンスエリアを示し、ダブルハッチン
グを付した領域ＷＭＡは、エキシマレーザ装置１４と露
光装置本体１２とのメンテナンスエリアを兼ねる領域を
示す。FIG. 2 is a plan view of a clean room in which the lithography system 10 is installed. In FIG. 2, a hatched area on the floor F indicates a maintenance area of the exposure apparatus main body 12, and a double-hatched area WMA also serves as a maintenance area for the excimer laser apparatus 14 and the exposure apparatus main body 12. Indicates the area.

【００４０】この図２に示されるように、本実施形態で
は、露光装置本体１２の両サイド（Ｙ方向両側）のメン
テナンスエリアを含む幅Ｄの床面Ｆの領域（図２中の点
線で挟まれる領域）内にエキシマレーザ装置１４が配置
されており、エキシマレーザ装置１４の露光装置本体１
２の両サイドのメンテナンスエリアからの張り出し部分
が存在しない。従って、本実施形態のリソグラフィシス
テム１０及びこれを構成する露光装置では、前述した図
１２のリソグラフィシステムと比べて必要な床面Ｆの横
幅を減少させることができる。As shown in FIG. 2, in the present embodiment, the area of the floor surface F having a width D including the maintenance areas on both sides (both sides in the Y direction) of the exposure apparatus main body 12 (between the dotted lines in FIG. 2). The excimer laser device 14 is disposed in the exposing device main body 1 of the excimer laser device 14.
There are no overhangs from the maintenance areas on both sides of No. 2. Therefore, in the lithography system 10 and the exposure apparatus constituting the lithography system according to the present embodiment, the required lateral width of the floor surface F can be reduced as compared with the lithography system in FIG.

【００４１】また、図２の長さＬ１’と前述した従来例
の図１２中の長さＬ１とを比較すると明らかなように、
本実施形態の方がエキシマレーザ装置のメンテナンスエ
リアの分だけ必要な床面Ｆの縦方向（露光装置本体の長
手方向）の寸法も減少していることがわかる。As is apparent from a comparison between the length L1 'in FIG. 2 and the length L1 in FIG.
It can be seen that in the present embodiment, the required vertical dimension of the floor surface F (the longitudinal direction of the exposure apparatus main body) is reduced by the maintenance area of the excimer laser device.

【００４２】なお、露光装置本体１２の両サイドのメン
テナンスエリアは本来的に確保しなければならない領域
である。The maintenance areas on both sides of the exposure apparatus main body 12 are areas that must be originally secured.

【００４３】前記ビームマッチングユニットＢＭＵは、
リソグラフィシステム１０の右側面図である図３に示さ
れるように、露光装置本体１２が設置された床面Ｆ下方
の床下にその大部分が配設されている。通常、クリーン
ルームの床部は、地面に所定間隔で植設された多数の柱
と、これらの柱の上に矩形のメッシュ状の床部材をマト
リクス状に敷き詰めて作られている。従って、床部材の
数枚とこれらの床部材下方の柱とを取り除くことによ
り、ビームマッチングユニットＢＭＵの床下配置は容易
に実現できる。The beam matching unit BMU comprises:
As shown in FIG. 3, which is a right side view of the lithography system 10, most of the lithography system 10 is disposed under the floor below the floor F on which the exposure apparatus main body 12 is installed. Normally, the floor of a clean room is formed by laying a large number of columns planted at predetermined intervals on the ground and a rectangular mesh-like floor member on the columns in a matrix. Therefore, the beam matching unit BMU can be easily arranged under the floor by removing some floor members and the pillars below the floor member.

【００４４】図１に戻り、Ｃ／Ｄ１６の筐体としてのチ
ャンバは、露光装置本体１２と反対側の下端部が一部突
出しており、その突出部の上面に基板コンテナとしての
フロントオープニングユニファイドポッド（Front Open
ing Unified Pod：以下、「ＦＯＵＰ」と略述する）２
４を複数載置するための載置台２６が形成されている。
この載置台２６に対向して、図２及び図３に示されるよ
うに、天井部には、露光装置本体１２の長手方向に直交
する方向（Ｙ方向）に第１のガイドレールＨｗが延設さ
れている。この第１のガイドレールＨｗには、該第１の
ガイドレールＨｗに沿って移動し、ウエハをＦＯＵＰ２
４に収納した状態で搬送する第１の天井搬送系としての
ＯＨＶ２８が吊り下げ支持されている。ＦＯＵＰ２４
は、ウエハを複数枚上下方向に所定間隔を隔てて収納す
るとともに、一方の面のみに開口部が設けられ、該開口
部を開閉する扉（蓋）２５（図６参照）を有する開閉型
のコンテナ（密閉型のウエハカセット）であって、例え
ば特開平８−２７９５４６号公報に開示される搬送コン
テナと同様のものである。Referring back to FIG. 1, the lower end of the chamber serving as the housing of the C / D 16 on the side opposite to the exposure apparatus main body 12 partially protrudes, and a front opening unified as a substrate container is provided on the upper surface of the protruding portion. Pods (Front Open
ing Unified Pod: hereafter abbreviated as “FOUP”) 2
A mounting table 26 for mounting a plurality of the plurality 4 is formed.
As shown in FIGS. 2 and 3, a first guide rail Hw extends from the ceiling in a direction (Y direction) orthogonal to the longitudinal direction of the exposure apparatus main body 12 so as to face the mounting table 26. Have been. The first guide rail Hw is moved along the first guide rail Hw, and the wafer is moved to FOUP2.
An OHV 28 is suspended and supported as a first ceiling transport system that transports the paper in a state where it is housed in the container 4. FOUP24
Is an open / close type in which a plurality of wafers are stored at predetermined intervals in the vertical direction, an opening is provided only on one surface, and a door (lid) 25 (see FIG. 6) for opening and closing the opening is provided. This is a container (sealed type wafer cassette), for example, the same as the transport container disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-279546.

【００４５】本実施形態では、ＯＨＶ２８によってウエ
ハＷを収納したＦＯＵＰ２４が載置台２６に対して搬入
及び搬出されるようになっている。In the present embodiment, the FOUP 24 containing the wafer W by the OHV 28 is carried in and out of the mounting table 26.

【００４６】前記インライン・インタフェース部１８
は、筐体と該筐体内に収納された不図示のウエハ搬送系
とを備えている。このウエハ搬送系は、Ｃ／Ｄ１６と露
光装置本体１２との間でウエハを搬送する。本実施形態
では、インライン・インタフェース１８部は、容易に取
り外し可能な構造となっている。すなわち、インライン
・インタフェース部１８として着脱自在の構造のものが
採用されている。The inline interface unit 18
Has a housing and a wafer transfer system (not shown) housed in the housing. The wafer transfer system transfers a wafer between the C / D 16 and the exposure apparatus main body 12. In the present embodiment, the inline interface 18 has a structure that can be easily removed. That is, a detachable structure is adopted as the inline interface unit 18.

【００４７】図４（Ａ）には前記レチクルポート用ハウ
ジング２２の横断面図が概略的に示され、図４（Ｂ）に
はレチクルポート用ハウジング２２の縦断面図が概略的
に示されている。図４（Ａ）は図４（Ｂ）のＡ−Ａ線断
面に相当し、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＢ−Ｂ線断面に
相当する。FIG. 4A is a schematic cross-sectional view of the reticle port housing 22, and FIG. 4B is a schematic vertical cross-sectional view of the reticle port housing 22. I have. 4A corresponds to a cross section taken along line AA in FIG. 4B, and FIG. 4B corresponds to a cross section taken along line BB in FIG. 4A.

【００４８】ここで、これら図４（Ａ）及び図４（Ｂ）
を用いてレチクルポート用ハウジング２２について説明
する。Here, FIGS. 4A and 4B
The reticle port housing 22 will be described with reference to FIG.

【００４９】レチクルポート用ハウジング２２は、ここ
ではＦＯＵＰ増設用ハウジング２０に対して着脱自在に
接続可能な構造のものが用いられている。このレチクル
ポート用ハウジング２２は、筐体としてのチャンバ３
０、該チャンバ３０内のＹ方向一側（＋Ｙ側）の端部に
配置されたマスクの搬送系としての水平多関節型ロボッ
ト（スカラーロボット）３２、チャンバ３０内のＹ方向
他側（−Ｙ側）の側壁に床面から概略９００ｍｍの高さ
位置に設けられたキャリア載置部３４、該キャリア載置
部３４の上部に設けられたＩＤリーダ３６、該ＩＤリー
ダ３６の上方に設けられたキャリアストック部３８等を
備えている。The reticle port housing 22 has a structure which can be detachably connected to the FOUP extension housing 20 here. The reticle port housing 22 includes a chamber 3 serving as a housing.
0, a horizontal articulated robot (scalar robot) 32 as a transfer system of a mask disposed at one end (+ Y side) in the Y direction inside the chamber 30, and the other side in the Y direction (−Y) in the chamber 30 Side), a carrier mounting portion 34 provided at a height of approximately 900 mm from the floor surface, an ID reader 36 provided above the carrier mounting portion 34, and provided above the ID reader 36. A carrier stock unit 38 and the like are provided.

【００５０】チャンバ３０の天井部の−Ｙ方向端部でか
つ−Ｘ方向端部の隅の近傍には、後述するＯＨＶ４４に
よってマスクコンテナとしてのレチクルキャリア４０が
搬出入される受け渡しポート４２が設けられている。こ
の受け渡しポート４２のほぼ真上の天井部には、レチク
ルをレチクルキャリア４０内に収納した状態で搬送する
第２の天井搬送系としてのＯＨＶ４４の軌道としての第
２のガイドレールＨｒがＹ方向に沿って延設されている
（図２参照）。A transfer port 42 through which a reticle carrier 40 as a mask container is carried in / out by an OHV 44 described later is provided near the corner at the -Y direction end and at the -X direction end of the ceiling of the chamber 30. ing. A second guide rail Hr as a trajectory of the OHV 44 as a second ceiling transport system for transporting the reticle housed in the reticle carrier 40 is provided in a ceiling portion almost directly above the transfer port 42 in the Y direction. (See FIG. 2).

【００５１】前記スカラーロボット３２は、図４（Ａ）
及び図４（Ｂ）に示されるように、伸縮及びＸＹ面内で
の回転が自在のアーム３３Ａと、このアーム３３Ａを駆
動する駆動部３３Ｂとを備えている。このスカラーロボ
ット３２は、チャンバ３０内部の＋Ｙ側の端部に床面か
ら上方に向かって延設された支柱ガイド４６に沿って上
下動する支持部材４８の上面に搭載されている。従っ
て、スカラーロボット３２のアーム３３Ａは、伸縮及び
ＸＹ面内での回転に加え、上下動も可能となっている。
なお、支持部材４８の上下動は、支持部材４８に一体的
に設けられた可動子４９Ａと支柱ガイド４６の内部にＺ
方向に延設された固定子４９Ｂとから成るリニアアクチ
ュエータ５０（図４（Ａ）参照）によって行われる。The scalar robot 32 is shown in FIG.
As shown in FIG. 4 (B), an arm 33A which can freely expand and contract and rotate in the XY plane, and a driving unit 33B for driving the arm 33A are provided. The scalar robot 32 is mounted on an upper surface of a support member 48 that moves up and down along a column guide 46 extending upward from the floor surface at the + Y side end inside the chamber 30. Therefore, the arm 33A of the scalar robot 32 can move up and down in addition to expansion and contraction and rotation in the XY plane.
The vertical movement of the support member 48 is caused by the movement of the movable member 49A and the support guide 46 provided integrally with the support member 48.
This is performed by a linear actuator 50 (see FIG. 4A) including a stator 49B extending in the direction.

【００５２】チャンバ３０の−Ｙ側の側壁には、前記キ
ャリア載置部３４に対応してレチクルキャリアの搬出入
ポート５２が形成されている。この搬出入ポート５２を
介して、オペレータによりマニュアルにてレチクルキャ
リア４０がキャリア載置部３４に搬出入される。A reticle carrier carry-in / out port 52 is formed on the −Y side wall of the chamber 30 so as to correspond to the carrier mounting portion 34. Through this carry-in / out port 52, the reticle carrier 40 is carried into / out of the carrier mounting portion 34 manually by an operator.

【００５３】本実施形態では、上記レチクルキャリア４
０として、図５（Ａ）に示されるように、容器本体４０
Ａと蓋４０Ｂとを備え、その内部にレチクルＲを収納す
る密閉型のレチクルキャリアが用いられている。このレ
チクルキャリア４０の蓋４０Ｂはロック機構４０Ｃによ
って容器本体４０Ａに対して固定されており、該ロック
機構４０Ｃを解除することにより、図５（Ｂ）に示され
るように、蓋４０Ｂを容器本体から取り外すことができ
るようになっている。ロック機構４０Ｃの解除及び蓋４
０Ｂの取り外しは、レチクルポート用ハウジング２２に
隣接して配置されたＦＯＵＰ増設用ハウジング２０の内
部の設けられたオープナと呼ばれる開閉機構（図示省
略）によって行われるようになっている。In this embodiment, the reticle carrier 4
0, as shown in FIG.
A and a lid 40B, and a closed-type reticle carrier that houses the reticle R therein is used. The lid 40B of the reticle carrier 40 is fixed to the container main body 40A by a lock mechanism 40C, and by releasing the lock mechanism 40C, the lid 40B is moved from the container main body as shown in FIG. It can be removed. Release of lock mechanism 40C and lid 4
The removal of OB is performed by an opening / closing mechanism (not shown) called an opener provided inside the FOUP extension housing 20 arranged adjacent to the reticle port housing 22.

【００５４】これをさらに詳述すると、チャンバ３０の
＋Ｘ側の側壁の上端部近傍には、図４（Ｂ）に示される
ように、レチクルキャリア４０の底面の両端部を支持可
能な一対の支持部材から成る棚５４が当該側壁の面に垂
直に設けられている。この棚５４上にレチクルキャリア
４０が載置された際に、丁度その蓋４０Ｂが対向する部
分のチャンバ３０の側壁には、該蓋４０Ｂより一回り大
きな矩形の開口５６が形成されている。これに対応し
て、前記開口５６を丁度閉塞する大きさの開閉部材が前
記開閉機構に設けられている。この開閉部材は、通常の
状態（レチクルキャリアがセットされていない状態）で
は、チャンバ３０の側壁より奥側のＦＯＵＰ増設用ハウ
ジング２０の内部が、外部すなわちレチクルポート用ハ
ウジング２２側に対して開放状態とならないように、開
口５６に嵌合して該開口５６を閉塞している。More specifically, as shown in FIG. 4B, a pair of support members capable of supporting both ends of the bottom surface of the reticle carrier 40 are provided near the upper end of the side wall on the + X side of the chamber 30. A shelf 54 made of a member is provided perpendicular to the surface of the side wall. When the reticle carrier 40 is placed on the shelf 54, a rectangular opening 56 slightly larger than the lid 40B is formed in the side wall of the chamber 30 where the lid 40B faces. Correspondingly, an opening / closing member sized to just close the opening 56 is provided in the opening / closing mechanism. In a normal state (a state in which the reticle carrier is not set), the inside of the FOUP extension housing 20 on the back side of the side wall of the chamber 30 is open to the outside, that is, the reticle port housing 22 side. The opening 56 is closed by fitting into the opening 56 so as not to cause the opening.

【００５５】この一方、レチクルキャリア４０の蓋４０
Ｂの開閉は、次のようにして行われる。すなわち、スカ
ラーロボット３２のアーム３３Ａにより、キャリア載置
部３４あるいはキャリアストック部３８から前記棚５４
上にレチクルキャリア４０が搬送された後、該レチクル
キャリア４０はチャンバ３０の側壁に押し付けられる。
このとき、蓋４０Ｂが開閉部材に押し付けられる。次い
で、開閉機構により、開閉部材に設けられた係合・ロッ
ク解除機構（蓋４０Ｂを真空吸引あるいはメカニカル連
結して係合するとともに、その蓋４０Ｂに設けられたロ
ック機構４０Ｃを解除する機構）が作動される。これに
より、レチクルキャリア４０のロック機構４０Ｃが解除
されるとともに蓋４０Ｂが開閉部材と一体でＦＯＵＰ増
設用ハウジング２０の内部の保管場所に搬送される。こ
のようにして蓋４０Ｂの開放動作が行われる。蓋４０Ｂ
を閉じる動作は、上記開放動作と逆の手順で行われる。
なお、ここで説明した開閉機構による蓋の開閉方法と同
様の方法は、特開平８−２７９５４６号公報等に詳細に
開示されている。On the other hand, the lid 40 of the reticle carrier 40
The opening and closing of B is performed as follows. That is, the arm 33A of the scalar robot 32 moves the shelf 54 from the carrier mounting portion 34 or the carrier stock portion 38.
After the reticle carrier 40 is transported upward, the reticle carrier 40 is pressed against the side wall of the chamber 30.
At this time, the lid 40B is pressed against the opening / closing member. Next, an engagement / lock release mechanism (a mechanism for engaging the lid 40B by vacuum suction or mechanical connection and engaging the lid 40B and releasing the lock mechanism 40C provided on the lid 40B) is provided by the opening / closing mechanism. Activated. As a result, the lock mechanism 40C of the reticle carrier 40 is released, and the lid 40B is transported to the storage place inside the FOUP extension housing 20 integrally with the opening / closing member. Thus, the opening operation of the lid 40B is performed. Lid 40B
Is performed in a procedure reverse to the above-described opening operation.
A method similar to the method of opening and closing the lid by the opening and closing mechanism described here is disclosed in detail in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-279546.

【００５６】なお、レチクルコンテナとして、ＳＭＩＦ
（Standard Mechanical Interface）ポッドなどの密閉
型コンテナを用いても良い。The reticle container is a SMIF
(Standard Mechanical Interface) A closed container such as a pod may be used.

【００５７】前記ＩＤリーダ３６は、図４（Ｂ）に示さ
れるように取付部材３７を介してチャンバ３０の−Ｙ側
の側壁の内側に取り付けられている。ＩＤリーダ３６よ
り僅かに上方には、平面視でＩＤリーダ３６を挟む状態
で一対の支持部材から成る棚５８がチャンバ３０の−Ｙ
側の側壁に垂直に設けられている。ＩＤリーダ３６は、
棚５８に載せられたレチクルキャリア４０にバーコード
又は２次元コードとして付されたＩＤ情報を読み取るた
めのもので、ここではバーコードリーダ又は２次元コー
ドリーダが用いられている。この場合、レチクルキャリ
ア４０の容器本体４０Ａの底面には、該レチクルキャリ
ア４０内に収納されたレチクルＲのＩＤ情報がバーコー
ドにて付されている。なお、レチクルキャリア４０を透
明部材により形成し、内部のレチクルＲのパターン領域
外の部分（端面を含む）にバーコードにてＩＤ情報を記
録するようにしても良い。また、ＩＤリーダとして、磁
気ヘッド等を用い、これに対応してＩＤ情報を磁気テー
プ等に記録するようにしても良い。The ID reader 36 is attached to the inside of the −Y side wall of the chamber 30 via an attachment member 37 as shown in FIG. 4B. Slightly above the ID reader 36, a shelf 58 made of a pair of support members sandwiches the ID reader 36 in plan view,
It is provided vertically on the side wall. The ID reader 36
This is for reading ID information given as a barcode or a two-dimensional code to the reticle carrier 40 placed on the shelf 58. Here, a barcode reader or a two-dimensional code reader is used. In this case, the ID information of the reticle R housed in the reticle carrier 40 is attached with a bar code on the bottom surface of the container body 40A of the reticle carrier 40. Note that the reticle carrier 40 may be formed of a transparent member, and ID information may be recorded in a portion (including an end surface) outside the pattern region of the reticle R using a barcode. Further, a magnetic head or the like may be used as the ID reader, and the ID information may be recorded on a magnetic tape or the like corresponding to the magnetic head.

【００５８】前記キャリアストック部３８は、レチクル
キャリア４０を一時的に保管するためのもので、Ｚ方向
に所定間隔で配置された複数段の棚によって構成されて
いる。The carrier stock section 38 is for temporarily storing the reticle carrier 40, and is constituted by a plurality of shelves arranged at predetermined intervals in the Z direction.

【００５９】前記ＦＯＵＰ増設用ハウジング２０は、露
光装置本体１２の筐体（エンバイロメンタル・チャン
バ）１２Ａに着脱自在に接続可能な構造となっている。
このＦＯＵＰ増設用ハウジング２０には、図１に示され
るように、そのＹ方向他側（−Ｙ側）にＦＯＵＰ増設ポ
ート６０が設けられている。このＦＯＵＰ増設ポート６
０の下面の床面からの高さは、前述した搬出入ポート５
２と同様に概略９００ｍｍ程度とされている。ここで、
ＦＯＵＰ増設ポート６０を、床面から概略９００ｍｍと
設定しているのは、１２インチサイズのウエハの場合、
オペレータがＰＧＶ（手動型搬送車）によりＦＯＵＰを
運んで来て、装置に対して搬入したり搬出したりするマ
ニュアル作業を前提とすると、人間工学的観点から床面
から概略９００ｍｍ程度とするのが最も望ましいとされ
ているからである。これと同様の理由から前述した搬出
入ポート５２も同様に床面から概略９００ｍｍ程度とし
たものである。The FOUP extension housing 20 has a structure that can be detachably connected to a housing (environmental chamber) 12A of the exposure apparatus main body 12.
As shown in FIG. 1, the FOUP extension housing 20 is provided with a FOUP extension port 60 on the other side in the Y direction (−Y side). This FOUP expansion port 6
The height of the lower surface from the floor surface is the same as the loading / unloading port 5 described above.
As in the case of No. 2, it is approximately 900 mm. here,
The FOUP extension port 60 is set to be approximately 900 mm from the floor when the wafer is 12 inches in size.
Assuming that an operator carries a FOUP by a PGV (manual type transport vehicle) and carries it in and out of the apparatus, it is generally about 900 mm from the floor from an ergonomic point of view. This is because it is considered most desirable. For the same reason, the above-mentioned carry-in / out port 52 is also about 900 mm from the floor surface.

【００６０】本実施形態の場合、レチクルキャリア４０
の搬出入ポート５２が設けられたチャンバ３０の面と、
ＦＯＵＰ増設用ハウジング２０のＦＯＵＰ増設ポート６
０が設けられた面とは、ともに露光装置本体１２の筐体
（エンバイロメンタル・チャンバ）１２Ａの右側の側壁
の外面とほぼ同一面とされている。In the case of this embodiment, the reticle carrier 40
Surface of the chamber 30 provided with the carry-in / out port 52 of
FOUP extension port 6 of FOUP extension housing 20
The surface provided with 0 is substantially the same as the outer surface of the right side wall of the housing (environmental chamber) 12A of the exposure apparatus main body 12.

【００６１】ＦＯＵＰ増設用ハウジング２０は、図６の
横断面図に示されるように筐体としてのチャンバ６２を
備えている。このチャンバ６２には、実際には、ＦＯＵ
Ｐ増設ポート６０の上方の位置にチャンバ６２を上下２
部分に仕切る不図示の仕切り壁が設けられている。そし
て、この仕切り壁の上方の空間に図３に示されるレチク
ル搬送系６４の一部の構成部分が配置されている。この
一部の構成部分には、前述したレチクルキャリア４０の
蓋４０Ｂの開閉機構が含まれる。また、上記の仕切り壁
の下方の空間は、図６に示されるように、仕切り壁６６
によって２部分に区画されている。この仕切り壁６６と
チャンバ６２の側壁で囲まれた空間内に、ＦＯＵＰ２４
を設置するためのＦＯＵＰ台６８が配置されている。Ｆ
ＯＵＰ台６８上には、増設ポート６０を介して搬入され
たＦＯＵＰ２４が設置されている。The FOUP extension housing 20 has a chamber 62 as a housing as shown in the cross-sectional view of FIG. This chamber 62 actually contains FOU
The chamber 62 is moved up and down 2 above the P extension port 60.
A partition wall (not shown) for partitioning the portion is provided. A part of the reticle transport system 64 shown in FIG. 3 is arranged in a space above the partition wall. This part of the components includes the opening and closing mechanism of the lid 40B of the reticle carrier 40 described above. Further, as shown in FIG. 6, the space below the partition wall is a partition wall 66.
Is divided into two parts. In a space surrounded by the partition wall 66 and the side wall of the chamber 62, the FOUP 24
A FOUP table 68 for installing the FOUP is provided. F
On the OUP table 68, the FOUP 24 carried in via the additional port 60 is installed.

【００６２】このＦＯＵＰ２４内のウエハを取り出すた
めには、ＦＯＵＰ２４を仕切り壁６６の開口部６６ａの
部分に押し付けて、その扉２５を該開口部６６ａを介し
て開閉する必要がある。そのため、本実施形態では、仕
切り壁６６の＋Ｙ側の部分に扉２５の開閉機構（オープ
ナ）７０が配置されている。前記開口部６６ａは、前述
した増設ポート６０とほぼ対向する位置に形成されてい
る。In order to take out the wafer from the FOUP 24, it is necessary to press the FOUP 24 against the opening 66a of the partition wall 66 and open and close the door 25 through the opening 66a. For this reason, in the present embodiment, an opening / closing mechanism (opener) 70 for the door 25 is disposed at the + Y side portion of the partition wall 66. The opening 66a is formed at a position substantially facing the additional port 60 described above.

【００６３】さらに、開閉機構７０の内部には扉２５を
真空吸引あるいはメカニカル連結して係合するととも
に、その扉２５に設けられた不図示のキーを解除する機
構を備えた開閉部材が収納されている。開閉機構７０に
よる扉２５の開閉は、前述したレチクルキャリア４０の
蓋４０Ｂと同様にして行われる。かかる詳細は、上記特
開平８−２７９５４６号公報等に開示されている。開閉
部材は、通常の状態（ＦＯＵＰがセットされていない状
態）では、仕切り壁６６の内側が外部に対して開放状態
とならないように、開口部６６ａに嵌合して該開口部６
６ａを閉塞している。Further, inside the opening / closing mechanism 70, an opening / closing member having a mechanism for releasing a key (not shown) provided on the door 25 is housed while the door 25 is engaged by vacuum suction or mechanical connection. ing. The opening and closing of the door 25 by the opening and closing mechanism 70 is performed in the same manner as the lid 40B of the reticle carrier 40 described above. Such details are disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-279546. In a normal state (a state in which the FOUP is not set), the opening / closing member fits into the opening 66a so that the inside of the partition wall 66 does not open to the outside.
6a is closed.

【００６４】チャンバ６２内の開閉機構７０の＋Ｙ側に
は、ＦＯＵＰ台６８に対向して水平多関節型ロボット
（スカラーロボット）７２が配置されている。この水平
多関節型ロボット（以下、適宜「ロボット」と略述す
る）７２は、伸縮、ＸＹ面内での回転（旋回）及び所定
ストローク範囲の上下動が自在のアーム７３Ａと、この
アーム７３Ａを駆動する駆動部７３Ｂとを備えている。On the + Y side of the opening / closing mechanism 70 in the chamber 62, a horizontal articulated robot (scalar robot) 72 is disposed so as to face the FOUP table 68. This horizontal articulated robot (hereinafter, abbreviated as “robot” as appropriate) 72 includes an arm 73A that can freely expand and contract, rotate (turn) in the XY plane, and move up and down within a predetermined stroke range. And a driving unit 73B for driving.

【００６５】次に、ＦＯＵＰ台６８上のＦＯＵＰ２４か
らウエハが取り出されるまでの一連の動作について簡単
に説明する。なお、以下の動作説明における各部の動作
は、不図示の主制御装置の管理の下に行われるが、以下
においては、説明の煩雑化を避けるため、主制御装置に
関する記述は省略する。Next, a series of operations until a wafer is taken out from the FOUP 24 on the FOUP table 68 will be briefly described. Although the operation of each unit in the following description of the operation is performed under the control of a main control device (not shown), a description of the main control device will be omitted below to avoid complication of the description.

【００６６】ＰＧＶ又はＡＧＶ（自走型搬送車）により
搬送されて来たＦＯＵＰ２４が、ＦＯＵＰ台６８上に設
置されると、該ＦＯＵＰ台６８は、不図示のスライド機
構により＋Ｙ方向に駆動され、ＦＯＵＰ２４が仕切り壁
に押し付けられる。これは、扉２５が開放された後もＦ
ＯＵＰ内のクリーン度を高く維持する必要から、扉２５
が開放された後もＦＯＵＰ２４内部が、仕切り壁６６内
部側に比べてクリーン度が低い可能性がある仕切り壁６
６より外側の空間に直接触れないようにするためであ
る。When the FOUP 24 transported by the PGV or AGV (self-propelled transport vehicle) is set on the FOUP table 68, the FOUP table 68 is driven in the + Y direction by a slide mechanism (not shown). The FOUP 24 is pressed against the partition wall. This is because F is not changed even after the door 25 is opened.
Because it is necessary to maintain a high degree of cleanness in the OUP, the door 25
After the FOUP 24 is opened, the inside of the FOUP 24 may be less clean than the inside of the partition wall 66.
This is to prevent direct contact with the space outside of 6.

【００６７】次いで、開閉機構７０により開閉部材を用
いて、ＦＯＵＰ２４の扉２５が開放される。Next, the door 25 of the FOUP 24 is opened by the opening / closing mechanism 70 using the opening / closing member.

【００６８】次に、アクセスすべきウエハの高さに応じ
て、ロボット７２の駆動部７３Ｂによりアーム７３Ａが
上下方向に駆動される。すなわち、アクセスすべきウエ
ハとその下に存在する障害物（ウエハあるいはＦＯＵＰ
２４の底部）の隙間に挿入できるような高さまでアーム
７３Ａが上昇駆動される。Next, the arm 73A is driven up and down by the drive unit 73B of the robot 72 according to the height of the wafer to be accessed. That is, the wafer to be accessed and the obstacles underneath (wafer or FOUP)
The arm 73A is driven up to a height at which the arm 73A can be inserted into the gap (bottom of 24).

【００６９】次に、ロボット７２の駆動部７３Ｂではア
ーム７３Ａを回転及び伸縮させて目的のウエハの下にア
ーム７３Ａを挿入した後、僅かに上昇させてウエハをア
ーム７３Ａに載せ、アーム７３Ａを縮めてウエハをＦＯ
ＵＰ２４外に取り出し、露光装置本体１２のエンバイロ
メンタル・チャンバ１２Ａ内に設けられた後述するウエ
ハローダ系の所定の位置（仮想線Ｗ４の位置）に搬送す
る。この搬送は、ロボット７２のアーム７３Ａを回転及
び伸縮させることにより行われる。このため、チャンバ
６２の＋Ｘ方向の側壁には、床面から所定の高さ、例え
ば概略６００ｍｍの位置に開口６２ａが形成され、これ
に対向する露光装置本体１２のエンバイロメンタル・チ
ャンバ１２Ａの側壁部分にも開口１２ｂが形成されてい
る。なお、ウエハをＦＯＵＰ２４外に取り出した後の動
作については、後述する。Next, in the driving section 73B of the robot 72, the arm 73A is rotated and expanded and contracted to insert the arm 73A under the target wafer, and then slightly raised to place the wafer on the arm 73A and contract the arm 73A. FO the wafer
The wafer is taken out of the UP 24 and transferred to a predetermined position (position of a virtual line W4) of a wafer loader system described later provided in the environmental chamber 12A of the exposure apparatus main body 12. This transfer is performed by rotating and expanding / contracting the arm 73A of the robot 72. Therefore, an opening 62a is formed at a predetermined height from the floor surface, for example, at a position of approximately 600 mm from the side wall in the + X direction of the chamber 62, and a side wall portion of the environmental chamber 12A of the exposure apparatus main body 12 facing the opening 62a. The opening 12b is also formed. The operation after the wafer is taken out of the FOUP 24 will be described later.

【００７０】図１に戻り、前記露光装置本体１２のエン
バイロメンタル・チャンバ１２Ａの右側の側壁には、人
間の目の高さにほぼ対応する位置に、モニタディスプレ
イ及びタッチパネル等を有する表示操作部７４が設けら
れている。Returning to FIG. 1, on the right side wall of the environmental chamber 12A of the exposure apparatus main body 12, a display operation unit 74 having a monitor display, a touch panel, and the like is provided at a position substantially corresponding to the height of human eyes. Is provided.

【００７１】前記エンバイロメンタル・チャンバ１２Ａ
の内部には、図３に示されるように、ビームマッチング
ユニットＢＭＵによって導入されたレーザ光によりマス
クとしてのレチクルＲを照明する照明光学系ＩＯＰ、前
記レチクルＲを保持するマスクステージとしてのレチク
ルステージＲＳＴ、投影光学系ＰＬ、基板としてのウエ
ハＷを保持してＸＹ２次元移動する基板ステージとして
のウエハステージＷＳＴ、及びウエハローダ系７６等が
収納されている。The environmental chamber 12A
As shown in FIG. 3, an illumination optical system IOP for illuminating a reticle R as a mask with a laser beam introduced by a beam matching unit BMU, and a reticle stage RST as a mask stage for holding the reticle R, as shown in FIG. , A projection optical system PL, a wafer stage WST as a substrate stage that holds the wafer W as a substrate and moves two-dimensionally in XY, a wafer loader system 76, and the like.

【００７２】レチクルステージＲＳＴは、露光装置本体
１２及びレーザ装置１４を含む露光装置がステッパ等の
静止露光型である場合には、ＸＹ面内で微小駆動可能な
構成とされ、前記露光装置がスキャニング・ステッパ等
の走査型である場合には、上記ＸＹ面内の微少駆動に加
え、所定の走査方向、例えばＸ方向（又はＹ方向）に所
定ストローク範囲で駆動可能な構成とされる。When the exposure apparatus including the exposure apparatus main body 12 and the laser apparatus 14 is of a static exposure type such as a stepper, the reticle stage RST is configured to be capable of minutely driving in the XY plane. In the case of a scanning type such as a stepper, in addition to the fine driving in the XY plane, it is configured to be able to be driven within a predetermined stroke range in a predetermined scanning direction, for example, the X direction (or Y direction).

【００７３】前記ウエハステージＷＳＴ上には、図６に
示されるようにウエハホルダ１００が搭載されており、
このウエハホルダ１００によってウエハＷが真空吸着等
によって保持されている。このウエハホルダ１００の上
面（ウエハ載置面）側のＹ方向の両端部には、図６に示
されるように、後述するステージ受け渡しアーム９８、
アンロードＸ軸アーム９６の先端の爪部が挿入できるＸ
方向に延びる一対の所定深さの切り欠き１０２ａ、１０
２ｂが形成されている。A wafer holder 100 is mounted on the wafer stage WST as shown in FIG.
The wafer W is held by the wafer holder 100 by vacuum suction or the like. As shown in FIG. 6, a stage delivery arm 98, which will be described later, is provided at both ends in the Y direction on the upper surface (wafer mounting surface) side of the wafer holder 100.
X into which the claw at the tip of the unload X-axis arm 96 can be inserted.
Notches 102a, 10a of a predetermined depth extending in
2b is formed.

【００７４】前記ウエハローダ系７６は、図６の横断面
図に示されるように、エンバイロメンタル・チャンバ１
２Ａ内の−Ｘ側（インライン・インタフェース部１８
側）の部分に、Ｘ方向に所定間隔を隔ててＹ方向（図６
における左右方向）にそれぞれ延びる第１、第２のＹガ
イド７８、８０と、この上方（図６における紙面手前
側）に位置し、Ｘ方向（図６における上下方向）に延び
るＸガイド８２とを搬送ガイドとして備えている。この
内、第１のＹガイド７８がアンロード側搬送ガイドを構
成し、第２のＹガイド８０がロード側搬送ガイドを構成
する。As shown in the cross sectional view of FIG. 6, the wafer loader system 76 includes an environmental chamber 1.
-X side in 2A (inline interface unit 18
6) in the Y direction (FIG. 6) at a predetermined interval in the X direction.
The first and second Y guides 78 and 80 extend in the left and right directions in FIG. 6, respectively, and the X guide 82 located above (on the front side in FIG. 6) and extends in the X direction (vertical direction in FIG. 6). It is provided as a transport guide. Among them, the first Y guide 78 forms an unloading side conveyance guide, and the second Y guide 80 forms a loading side conveyance guide.

【００７５】前記第１のＹガイド７８の上面には、不図
示のリニアモータ等により該Ｙガイド７８に沿って駆動
されるスライダ８４が載置され、このスライダ８４の上
面には、アンロードＹ軸テーブル８６が固定されてい
る。On the upper surface of the first Y guide 78, a slider 84 driven along a Y guide 78 by a linear motor (not shown) is mounted. The axis table 86 is fixed.

【００７６】前記第２のＹガイド８０の＋Ｙ側（図６に
おける左側）には、水平多関節型ロボット（スカラーロ
ボット）８８が配置されている。この水平多関節型ロボ
ット（以下、適宜「ロボット」と略述する）８８は、伸
縮及びＸＹ面内での回転が自在でかつ所定量の上下動が
可能なアーム８９Ａと、このアーム８９Ａを駆動する駆
動部８９Ｂとを備えている。このロボット８８は、イン
ライン・インタフェース部１８との間で、ウエハＷのや
り取りを行うものである。このウエハＷのやり取りのた
め、インライン・インタフェース部１８の筐体１９に
は、図６に示されるように、露光装置本体１２のエンバ
イロメンタル・チャンバ１２Ａとの接続部側の側壁に開
口１９ａが形成され、これに対向するエンバイロメンタ
ル・チャンバ１２Ａの側壁にも開口１２ｃが形成されて
いる。On the + Y side (left side in FIG. 6) of the second Y guide 80, a horizontal articulated robot (scalar robot) 88 is arranged. This horizontal articulated robot (hereinafter abbreviated as “robot” as appropriate) 88 includes an arm 89A that can freely expand and contract and rotate in the XY plane and can move up and down by a predetermined amount, and drives this arm 89A. And a driving unit 89B. The robot 88 exchanges the wafer W with the in-line interface unit 18. For exchanging the wafer W, an opening 19a is formed in the housing 19 of the in-line interface section 18 on the side wall of the exposure apparatus body 12 on the side of the connection with the environmental chamber 12A, as shown in FIG. An opening 12c is also formed in the side wall of the environmental chamber 12A opposed to the opening.

【００７７】前記第２のＹガイド８０の上面には、不図
示のリニアモータ等により該Ｙガイド８０に沿って駆動
されるスライダ９０が載置され、このスライダ９０の上
面には、ロードＹ軸テーブル９２が設けられている。A slider 90 driven along a Y guide 80 by a linear motor (not shown) is mounted on the upper surface of the second Y guide 80. A table 92 is provided.

【００７８】前記Ｘガイド８２には、リニアモータの可
動子を含む不図示の上下動・スライド機構によって駆動
され、該Ｘガイドに沿って移動するロードＸ軸アーム９
４、アンロードＸ軸アーム９６が設けられている。The X guide 82 is driven by a vertical movement / sliding mechanism (not shown) including a mover of a linear motor to move along the X guide.
4. An unloading X-axis arm 96 is provided.

【００７９】ロードＸ軸アーム９４は、不図示の上下動
・スライド機構により駆動され、図６中に、仮想線９
４’で示される位置近傍のＸガイド８２の−Ｘ方向の端
部近傍位置から実線９４で示される所定のローディング
位置（ウエハ受け渡し位置）まで移動可能でかつ上下方
向にも所定範囲で可動となっている。前記ローディング
ポジションの近傍には、ステージ受け渡しアーム９８が
配置されている。また、アンロードＸ軸アーム９６は、
不図示の上下動・スライド機構により駆動され、図６中
に、仮想線９６’で示される位置から前述したステージ
受け渡しアーム９８の位置まで、ロードＸ軸アーム９４
の移動面より下方の移動面に沿って移動可能でかつ上下
方向にも所定範囲で可動となっている。The load X-axis arm 94 is driven by a vertical movement / sliding mechanism (not shown).
It is movable from a position near the end in the -X direction of the X guide 82 near the position indicated by 4 'to a predetermined loading position (wafer transfer position) indicated by a solid line 94, and is movable within a predetermined range in the vertical direction. ing. A stage transfer arm 98 is arranged near the loading position. The unloading X-axis arm 96 is
The load X-axis arm 94 is driven by a vertical movement / sliding mechanism (not shown) from the position indicated by a virtual line 96 ′ to the position of the stage transfer arm 98 described above in FIG.
It is movable along a moving surface below the moving surface of, and is also movable in a predetermined range in the vertical direction.

【００８０】また、エンバイロメンタル・チャンバ１２
Ａ内部の前記第１、第２のＹガイド７８、８０の上方に
は、不図示の仕切り壁が設けられており、該仕切り壁の
上部の空間に、図３に示されるように、レチクル搬送系
６４の残りの部分（前述したレチクルキャリアの蓋の開
閉機構等を含む一部構成部分以外の部分）が配置されて
いる。レチクル搬送系６４としては、例えば特開平７−
２４０３６６号公報に開示されるレチクルローダ系と同
様の構成の公知のレチクル搬送系が一部変更して用いら
れている。The environmental chamber 12
A partition wall (not shown) is provided above the first and second Y guides 78 and 80 inside A, and the reticle is transported in a space above the partition wall as shown in FIG. The remaining portion of the system 64 (the portion other than the above-mentioned part including the opening / closing mechanism of the lid of the reticle carrier) is arranged. As the reticle transport system 64, for example,
A known reticle transport system having a configuration similar to that of the reticle loader system disclosed in Japanese Patent Publication No. 240366 is partially used.

【００８１】次に、上述のようにして構成された本実施
形態に係る露光装置の動作を、ウエハローダ系によるウ
エハ搬送シーケンスを中心として、図６を参照しつつ説
明する。Next, the operation of the exposure apparatus according to this embodiment configured as described above will be described with reference to FIG. 6, focusing on a wafer transfer sequence by a wafer loader system.

【００８２】まず、Ｃ／Ｄ１６との間でインライン・イ
ンタフェース部１８を介してウエハのやり取りを行う場
合の動作について説明する。なお、以下の動作説明にお
ける各部の動作は、不図示の主制御装置の管理の下に行
われるが、以下においては、説明の煩雑化を避けるた
め、主制御装置に関する記述は省略する。また、同様の
理由から、ウエハの受け渡しの際のバキュームチャック
等のオン・オフ動作についての説明は省略する。First, the operation when exchanging a wafer with the C / D 16 via the in-line interface unit 18 will be described. Although the operation of each unit in the following description of the operation is performed under the control of a main control device (not shown), a description of the main control device will be omitted below to avoid complication of the description. For the same reason, the description of the ON / OFF operation of the vacuum chuck and the like at the time of transferring the wafer is omitted.

【００８３】前提として、レジスト塗布が終了したウエ
ハＷが、インライン・インタフェース部１８内のウエハ
搬送系により、所定の受け渡し位置まで搬送されている
ものとする。It is assumed that the wafer W on which the resist application has been completed has been transferred to a predetermined delivery position by the wafer transfer system in the in-line interface unit 18.

【００８４】 ロボット８８の駆動部８９Ｂにより、
アーム８９Ａが伸縮及び旋回駆動されて、開口１２ｃ、
１９ａを介してインライン・インタフェース部１８の筐
体１９内に侵入し、所定の受け渡し位置で不図示の保持
部材によって保持されたウエハＷの下方に至る。次に、
駆動部８９Ｂによりアーム８９Ａが上昇駆動され、ウエ
ハＷが保持部材からアーム８９Ａに受け渡される。The driving unit 89 B of the robot 88
When the arm 89A is extended and retracted and driven to rotate, the opening 12c,
It enters the housing 19 of the in-line interface unit 18 via 19a, and reaches below the wafer W held by a holding member (not shown) at a predetermined transfer position. next,
The arm 89A is driven upward by the driving unit 89B, and the wafer W is transferred from the holding member to the arm 89A.

【００８５】次に、駆動部８９ＢではウエハＷを保持し
たアーム８９Ａを伸縮及び旋回させて、ウエハＷを仮想
線Ｗ２で示される位置まで搬送する。このとき、ロード
Ｙ軸テーブル９２は仮想線９２’で示される位置に移動
している。Next, in the drive section 89B, the arm 89A holding the wafer W is extended and retracted and turned to transfer the wafer W to a position indicated by a virtual line W2. At this time, the load Y-axis table 92 has moved to the position indicated by the virtual line 92 '.

【００８６】 次に、駆動部８９Ｂによりアーム８９
Ａが下降駆動されウエハＷがアーム８９ＡからロードＹ
軸テーブル９２に渡される。なお、このウエハＷの受け
渡しをロードＹ軸テーブル９２の上昇により行っても良
い。Next, the arm 89 is driven by the driving unit 89B.
A is driven downward and the wafer W is loaded from the arm 89A to the load Y.
It is passed to the axis table 92. The transfer of the wafer W may be performed by raising the load Y-axis table 92.

【００８７】次に、スライダ９０が不図示のリニアモー
タ等によりロードＹ軸テーブル９２と一体的に−Ｙ方向
に駆動され、ウエハＷが仮想線Ｗ３で示される位置まで
搬送される。このウエハＷが仮想線Ｗ３まで搬送された
時点では、ロードＸ軸アーム９４は、仮想線Ｗ３の位置
にあるウエハＷと干渉しない範囲で（例えば仮想線Ｗ８
で示される位置付近まで）仮想線９４’で示される位置
に近づいた位置で待機している。次いで、不図示の上下
動・スライド機構によりロードＸ軸アーム９４が仮想線
９４’で示される位置に向けて駆動され、ウエハＷ中心
とロードＸ軸アームの爪部の中心とがほぼ一致する位置
で停止する。Next, the slider 90 is driven in the −Y direction integrally with the load Y-axis table 92 by a linear motor (not shown) or the like, and the wafer W is transferred to the position indicated by the imaginary line W3. At the time when the wafer W is transferred to the virtual line W3, the load X-axis arm 94 is in a range that does not interfere with the wafer W at the position of the virtual line W3 (for example, the virtual line W8).
(To the vicinity of the position indicated by the dotted line)) and stands by at a position near the position indicated by the virtual line 94 '. Next, the load X-axis arm 94 is driven by a vertical movement / slide mechanism (not shown) toward the position indicated by the imaginary line 94 ′, and the center of the wafer W substantially coincides with the center of the claw portion of the load X-axis arm. Stop at

【００８８】次いで、上下動・スライド機構によりロー
ドＸ軸アーム９４が上昇駆動され、ロードＹ軸テーブル
９２からロードＸ軸アーム９４にウエハＷが受け渡され
る。なお、このウエハＷの受け渡しをロードＹ軸テーブ
ル９２の下降により行っても良い。Next, the load X-axis arm 94 is driven upward by the vertical movement / sliding mechanism, and the wafer W is transferred from the load Y-axis table 92 to the load X-axis arm 94. The transfer of the wafer W may be performed by lowering the load Y-axis table 92.

【００８９】 上記のウエハＷのロードＸ軸アーム９
４への受け渡し終了後、上下動・スライド機構によりロ
ードＸ軸アーム９４が図６の仮想線９４’の位置から実
線で示されるローディングポジションまで駆動される。
これにより、ウエハＷが仮想線Ｗ５で示される位置まで
搬送される。Load X-axis Arm 9 for Wafer W
After the completion of the transfer to the load 4, the load X-axis arm 94 is driven from the position of the imaginary line 94 'in FIG.
As a result, the wafer W is transferred to the position indicated by the virtual line W5.

【００９０】この場合、ロードＸ軸アームがローディン
グポジションに向けて移動を開始すると、不図示のリニ
アモータ等によりロードＹ軸テーブル９２が次のウエハ
の搬送のため、仮想線９２’で示す左端移動位置へ移動
される。In this case, when the load X-axis arm starts moving toward the loading position, the load Y-axis table 92 is moved by the linear motor (not shown) to the left end indicated by a virtual line 92 'for carrying the next wafer. Moved to position.

【００９１】 ロードＸ軸アーム９４は、ローディン
グポジションまで移動すると、上下動・スライド機構に
より下降駆動され、ウエハＷがロードＸ軸アーム９４か
らステージ受け渡しアーム９８に受け渡される。なお、
このウエハＷの受け渡しを、ステージ受け渡しアーム９
８の上昇により行っても良い。When the load X-axis arm 94 moves to the loading position, it is driven downward by the vertical movement / slide mechanism, and the wafer W is transferred from the load X-axis arm 94 to the stage transfer arm 98. In addition,
The transfer of the wafer W is performed by a stage transfer arm 9.
8 may be performed.

【００９２】上記の受け渡しが終了すると、上下動・ス
ライド機構により次のウエハの搬送のため、ロードＸ軸
アーム９４は仮想線９４’で示される位置へ向けて移動
が開始される。When the transfer is completed, the load X-axis arm 94 starts to move to the position indicated by the imaginary line 94 'for the next wafer transfer by the vertical movement / slide mechanism.

【００９３】ロードＸ軸アーム９４がローディングポジ
ションから退避すると、ステージ受け渡しアーム９８が
不図示の上下動機構により所定量上方へ駆動される。次
いで、アンロードＸ軸アーム９６が、不図示の上下動・
スライド機構によりローディングポジションにあるステ
ージ受け渡しアーム９８の真下まで駆動される。そし
て、ステージ受け渡しアーム９８及びアンロードＸ軸ア
ーム９６はその位置で待機する。When the load X-axis arm 94 retracts from the loading position, the stage transfer arm 98 is driven upward by a predetermined amount by a vertical movement mechanism (not shown). Next, the unloading X-axis arm 96 is moved up and down (not shown).
The slide mechanism is driven to a position directly below the stage transfer arm 98 at the loading position. Then, the stage transfer arm 98 and the unload X-axis arm 96 wait at that position.

【００９４】 一方、上記のロードＸ軸アーム９４、
ステージ受け渡しアーム９８及びアンロードＸ軸アーム
９６の動作（待機動作を含む）が行われている間、ウエ
ハステージＷＳＴ上ではそれ以前にウエハステージＷＳ
Ｔ上に搬送された別のウエハＷの露光処理（アライメン
ト、露光）が行われている。On the other hand, the above-described load X-axis arm 94,
While the operations (including the standby operation) of the stage transfer arm 98 and the unload X-axis arm 96 are being performed, the wafer stage WS
Exposure processing (alignment, exposure) of another wafer W transferred onto T is performed.

【００９５】そして、ウエハステージＷＳＴ上でウエハ
Ｗの各ショット領域に対してレチクルＲのパターンの転
写、すなわち露光が終了すると、不図示のステージ制御
装置によってウエハステージＷＳＴが図６に示される露
光終了位置からローディングポジションに向けて移動さ
れ、露光済みのウエハＷがアンローディングポジション
（すなわちローディングポジション）まで搬送される。When the transfer of the pattern of reticle R to each shot area of wafer W on wafer stage WST, that is, when the exposure is completed, wafer stage WST is moved to the end of exposure shown in FIG. The wafer W is moved from the position to the loading position, and the exposed wafer W is transferred to the unloading position (that is, the loading position).

【００９６】このウエハステージＷＳＴのローディング
ポジションへの移動の際に、アンロードＸ軸アーム９６
先端の吸着部が設けられた爪部がウエハホルダ１００の
切り欠き１０２ａ、１０２ｂに係合する。When moving wafer stage WST to the loading position, unload X-axis arm 96
The claw provided with the suction portion at the tip engages the notches 102a and 102b of the wafer holder 100.

【００９７】上記のウエハステージＷＳＴの移動が終了
すると、不図示の上下動・スライド機構によりアンロー
ドＸ軸アーム９６が所定量上昇駆動され、ウエハステー
ジＷＳＴ上のウエハホルダ１００上から露光済みのウエ
ハＷがアンロードＸ軸アーム９６に移載され、ウエハホ
ルダ１００上からアンロードされる。When the movement of wafer stage WST is completed, unloading X-axis arm 96 is driven up by a predetermined amount by a vertical movement / sliding mechanism (not shown), and exposed wafer W from wafer holder 100 on wafer stage WST. Is transferred to the unload X-axis arm 96 and unloaded from above the wafer holder 100.

【００９８】次に、上下動・スライド機構によりアンロ
ードＸ軸アーム９６が、図６中に仮想線９６’で示され
る位置に駆動される。これにより、アンロードＸ軸アー
ム９６によってウエハＷが仮想線Ｗ５で示されるローデ
ィングポジションから仮想線Ｗ８で示される位置まで搬
送される。Next, the unloading X-axis arm 96 is driven to the position indicated by the imaginary line 96 'in FIG. 6 by the vertical movement / slide mechanism. As a result, the wafer W is transferred from the loading position indicated by the imaginary line W5 to the position indicated by the imaginary line W8 by the unload X-axis arm 96.

【００９９】但し、前シーケンスの動作未了でアンロー
ドＹ軸テーブル８６が実線で示される位置にない場合
は、アンロードＸ軸アーム９６を図６中に実線で示され
る位置で待機させる。However, if the unloading Y-axis table 86 is not at the position shown by the solid line before the operation of the previous sequence is completed, the unloading X-axis arm 96 is made to stand by at the position shown by the solid line in FIG.

【０１００】アンロードＸ軸アーム９６がローディング
ポジションから退避すると、不図示の上下動機構により
ステージ受け渡しアーム９８が下方に駆動され、未露光
のウエハＷがステージ受け渡しアーム９８からウエハホ
ルダ１００上に渡される（ロードされる）。このステー
ジ受け渡しアーム９８の下降の際に、ステージ受け渡し
アーム９８先端の吸着部が設けられた爪部がウエハホル
ダ１００の切り欠き１０２ａ、１０２ｂに係合する。When the unloading X-axis arm 96 retracts from the loading position, the stage transfer arm 98 is driven downward by a vertical movement mechanism (not shown), and the unexposed wafer W is transferred from the stage transfer arm 98 onto the wafer holder 100. (Loaded). When the stage transfer arm 98 is lowered, the claw provided with the suction portion at the tip of the stage transfer arm 98 engages with the notches 102a and 102b of the wafer holder 100.

【０１０１】ステージ受け渡しアーム９８がウエハＷの
裏面から所定量離れる位置まで下降すると、不図示のス
テージ制御装置によりウエハステージＷＳＴが露光シー
ケンスの開始位置へ向けて移動する。その後、ウエハホ
ルダ１００上のウエハＷに対する露光シーケンス（サー
チアライメント、ＥＧＡ等のファインアライメント、露
光）が開始される。なお、この露光シーケンスは、通常
のスキャニング・ステッパあるいはステッパと同様であ
るので、詳細な説明は省略するWhen stage transfer arm 98 is lowered to a position separated by a predetermined distance from the back surface of wafer W, wafer stage WST is moved toward the exposure sequence start position by a stage controller (not shown). After that, an exposure sequence (search alignment, fine alignment such as EGA, exposure) for the wafer W on the wafer holder 100 is started. Since this exposure sequence is the same as that of a normal scanning stepper or stepper, a detailed description is omitted.

【０１０２】上記の露光シーケンスの開始位置へのウエ
ハステージＷＳＴの移動の際にも、ウエハホルダ１００
に切り欠き１０２ａ、１０２ｂが形成されていることか
ら、ステージ受け渡しアーム９８の爪部にウエハホルダ
１００が接触することなく、ウエハステージＷＳＴが円
滑に移動される。When moving wafer stage WST to the start position of the above-mentioned exposure sequence,
Since the notches 102a and 102b are formed in the wafer stage WST, the wafer stage WST is smoothly moved without the wafer holder 100 coming into contact with the claw portion of the stage transfer arm 98.

【０１０３】このように、本実施形態では、ウエハホル
ダ１００上のウエハの交換に際して、ウエハステージＷ
ＳＴの高速移動動作を効率的に利用するので、ウエハ交
換時間の短縮が可能であり、スループットの向上が可能
である。As described above, in this embodiment, when the wafer on the wafer holder 100 is replaced, the wafer stage W
Since the high-speed movement operation of the ST is efficiently used, the wafer exchange time can be reduced, and the throughput can be improved.

【０１０４】ウエハステージＷＳＴがローディングポジ
ションから退避すると、不図示の上下動機構によりステ
ージ受け渡しアーム９８がローディングポジションでロ
ードＸ軸アーム９４とのウエハ受け渡し位置まで上昇駆
動される。When the wafer stage WST is retracted from the loading position, the stage transfer arm 98 is driven up by the vertical movement mechanism (not shown) to the wafer transfer position with the load X-axis arm 94 at the loading position.

【０１０５】 一方、仮想線Ｗ８で示される位置まで
ウエハＷが搬送されると、上下動・スライド機構によ
り、アンロードＸ軸アーム９６が下降駆動され、アンロ
ードＸ軸アーム９６からアンロードＹ軸テーブル８６に
ウエハＷが渡される。この受け渡しが終了すると、上下
動・スライド機構によりアンロードＸ軸アーム９６がロ
ーディングポジションまで駆動され、次のウエハのアン
ロードのために待機させられる。On the other hand, when the wafer W is transported to the position indicated by the imaginary line W8, the unloading X-axis arm 96 is driven downward by the vertical movement / sliding mechanism, and is moved from the unloading X-axis arm 96 to the unloading Y-axis. The wafer W is transferred to the table 86. When the transfer is completed, the unloading X-axis arm 96 is driven to the loading position by the vertical movement / sliding mechanism, and is put on standby for unloading the next wafer.

【０１０６】アンロードＸ軸アーム９６がアンロードＹ
軸テーブル８６上のウエハＷと干渉しない位置まで移動
すると、不図示のリニアモータ等によりスライダ８４と
一体的にアンロードＹ軸テーブル８６が図６中の仮想線
８６’で示される位置まで駆動される。これにより、ウ
エハＷが仮想線Ｗ８の位置から仮想線Ｗ１で示される位
置まで搬送される。The unloading X-axis arm 96 is unloaded Y
When the unloading Y-axis table 86 is moved to a position on the axis table 86 which does not interfere with the wafer W, the unloading Y-axis table 86 is driven integrally with the slider 84 to a position indicated by a virtual line 86 'in FIG. You. Thereby, the wafer W is transferred from the position of the virtual line W8 to the position indicated by the virtual line W1.

【０１０７】 次いで、ロボット８８の駆動部８９Ｂ
によりアーム８９Ａが回転及び伸縮され、アンロードＹ
軸テーブル８６に支持された露光済みのウエハＷの下方
に挿入された後、所定量上昇駆動される。これにより、
ウエハＷがアンロードＹ軸テーブル８６からアーム８９
Ａに渡される。この受け渡しが終了すると、次のウエハ
の搬送のため、アンロードＹ軸テーブル８６が不図示の
リニアモータ等により図６中の実線の位置へ移動され
る。Next, the driving unit 89B of the robot 88
The arm 89A is rotated and expanded / contracted by the
After being inserted below the exposed wafer W supported by the shaft table 86, the wafer W is driven upward by a predetermined amount. This allows
The wafer W is unloaded from the Y-axis table 86 to the arm 89.
Passed to A. When the transfer is completed, the unloading Y-axis table 86 is moved to the position indicated by the solid line in FIG. 6 by a linear motor (not shown) for carrying the next wafer.

【０１０８】アンロードＹ軸テーブル８６が仮想線８
６’の位置から退避すると、駆動部８９Ｂによりアーム
８９Ａが伸縮及び回転駆動され、露光済みのウエハＷが
インライン・インタフェース部１８内の所定の受け渡し
位置に戻され、その後アーム８９Ａがエンバイロメンタ
ル・チャンバ１２Ａ内の待機位置に戻る。The unloading Y-axis table 86 has the virtual line 8
When the arm 89A is retracted from the position 6 ', the arm 89A is extended and retracted and rotated by the drive unit 89B, and the exposed wafer W is returned to a predetermined transfer position in the in-line interface unit 18, and thereafter, the arm 89A is moved to the environmental chamber. Return to the standby position in 12A.

【０１０９】インライン・インタフェース部１８内に戻
された露光済みのウエハＷは、不図示のウエハ駆動系に
よりＣ／Ｄ１６内部まで搬送される。The exposed wafer W returned to the inside of the in-line interface unit 18 is transferred to the inside of the C / D 16 by a wafer drive system (not shown).

【０１１０】以上のようにして、インライン・インタフ
ェース部１８を介してＣ／Ｄ１６との間でウエハのやり
取りを行う場合の動作シーケンスが行われる。As described above, the operation sequence for exchanging a wafer with the C / D 16 via the in-line interface unit 18 is performed.

【０１１１】次に、ＦＯＵＰ２４によりウエハを保管・
運搬して使用する場合の動作シーケンスについて説明す
る。Next, the wafer is stored and stored by the FOUP 24.
An operation sequence when transporting and using will be described.

【０１１２】この場合、まず、最初に前述の如くして、
ＦＯＵＰ台６８上のＦＯＵＰ２４内から取り出された未
露光のウエハＷが、ロボット７２のアーム７３Ａにより
仮想線Ｗ４の位置に搬送されて、仮想線９２”の位置で
待機中のロードＹ軸テーブル９２に渡される。In this case, first, as described above,
The unexposed wafer W taken out of the FOUP 24 on the FOUP table 68 is transferred by the arm 73A of the robot 72 to the position of the virtual line W4, and is transferred to the standby Y-axis table 92 at the position of the virtual line 92 ″. Passed.

【０１１３】その後、上述した（Ｃ／Ｄ１６とのウエハ
のやり取りを行う場合）の〜と同様の搬送動作シー
ケンスが行われ、露光済みのウエハＷが、図６中の仮想
線Ｗ１１で示される位置まで搬送される。Thereafter, the same transfer operation sequence as in (1) above (when exchanging a wafer with the C / D 16) is performed, and the exposed wafer W is moved to the position indicated by the imaginary line W11 in FIG. Transported to

【０１１４】ウエハＷが位置Ｗ１１まで搬送されると、
ロボット７２の駆動部７３Ｂではアーム７３Ａを仮想線
８６”の位置にあるアンロードＹ軸テーブル８６に保持
されたウエハＷの下方に挿入し、所定量上昇駆動する。
これにより、ウエハＷがアンロードＹ軸テーブル８６か
らロボット７２のアーム７３Ａに移載される。次いで、
駆動部７３Ｂによりロボット７２のアーム７３Ａが伸縮
・回転及び上昇され、ウエハＷを位置Ｗ１１から位置Ｗ
１０まで搬送する。具体的には、アーム７３Ａによりウ
エハＷを収納すべき高さまで搬送し、アーム７３Ａを伸
ばしてＦＯＵＰ２４内の収納段の僅かに上方にウエハＷ
を挿入した後、アーム７３Ａを下降させてウエハＷを収
納段に渡し、アーム７３Ａを縮めてＦＯＵＰ外に退避す
る。When the wafer W is transferred to the position W11,
In the driving unit 73B of the robot 72, the arm 73A is inserted below the wafer W held on the unloading Y-axis table 86 at the position of the virtual line 86 ", and is driven upward by a predetermined amount.
As a result, the wafer W is transferred from the unloaded Y-axis table 86 to the arm 73A of the robot 72. Then
The arm 73A of the robot 72 is extended, retracted, rotated and raised by the driving unit 73B, and the wafer W is moved from the position W11 to the position W.
Conveyed to 10. Specifically, the wafer W is transported by the arm 73A to a height at which the wafer W is to be stored, and the arm 73A is extended so that the wafer W is slightly above the storage step in the FOUP 24.
Then, the arm 73A is lowered to transfer the wafer W to the storage stage, and the arm 73A is contracted and retracted out of the FOUP.

【０１１５】上述のようにして、ＦＯＵＰ２４内のウエ
ハの処理が全て終了した時点で、開閉機構７０によりＦ
ＯＵＰ２４の扉２５が閉じられ、かつロックされる。そ
して、不図示のスライド機構によりＦＯＵＰ台６８が−
Ｙ方向に駆動され、ＰＧＶ・ＡＧＶ等によるＦＯＵＰ２
４の搬送のために待機する。As described above, when the processing of all the wafers in the FOUP 24 is completed, the opening / closing mechanism 70
The door 25 of the OUP 24 is closed and locked. Then, the FOUP table 68 is-
Driven in Y direction, FOUP2 by PGV / AGV, etc.
Wait for the transfer of No. 4.

【０１１６】以上詳細に説明したように、本実施形態に
よると、本来的に確保しなければならない、露光装置本
体１２の両サイドのメンテナンスエリアを含む幅の床面
Ｆの領域内にレーザ装置１４を配置したことから、レー
ザ装置１４の露光装置本体１２の両サイドのメンテナン
スエリアからの張り出し部分がなくなり、その分必要床
面積を減少させることができる。As described in detail above, according to the present embodiment, the laser device 14 is located within the area of the floor F having a width including the maintenance areas on both sides of the exposure apparatus main body 12 which must be originally secured. Is arranged, the portions of the laser device 14 that protrude from the maintenance areas on both sides of the exposure apparatus main body 12 are eliminated, and the required floor area can be reduced accordingly.

【０１１７】また、本実施形態では露光装置本体１２が
左右前後の４方向からメンテナンスが可能な構造となっ
ており、露光装置本体１２の後面側のメンテナンスエリ
アの一部とレーザ装置１４のメンテナンスエリアＷＭＡ
とが共通となるように露光装置本体１２とレーザ装置１
４とが床面Ｆに配置されていることから、レーザ装置１
４のメンテナンスエリアと露光装置本体１２のメンテナ
ンスエリアとを別々にとる場合に比べて必要床面積を減
少させることができる。In the present embodiment, the exposure apparatus main body 12 has a structure capable of performing maintenance from four directions, that is, left, right, front and rear, and a part of the maintenance area on the rear side of the exposure apparatus main body 12 and the maintenance area of the laser device 14. WMA
And the exposure apparatus body 12 and the laser apparatus 1 so that
4 are arranged on the floor F, the laser device 1
The required floor area can be reduced as compared with the case where the maintenance area 4 and the maintenance area of the exposure apparatus main body 12 are separately provided.

【０１１８】また、本実施形態では、レーザ装置１４
は、ビームマッチングユニットＢＭＵを介して露光装置
本体１２に接続され、該ビームマッチングユニットＢＭ
Ｕは、露光装置本体１２が設置された床面Ｆの床下に配
置されているので、床上にビームマッチングユニットＢ
ＭＵ（障害物）がないので、メンテナンス作業等を快適
かつ容易に行うことができる。しかしながら、ビームマ
ッチングユニットＢＭＵ（引き回し光学系）を、露光装
置本体１２が設置される床面Ｆの上方に配置しても構わ
ない。かかる場合にもメンテナンス時等に大きな支障は
ない。In this embodiment, the laser device 14
Is connected to the exposure apparatus main body 12 via the beam matching unit BMU, and the beam matching unit BM
U is arranged under the floor F on which the exposure apparatus main body 12 is installed, so that the beam matching unit B
Since there is no MU (obstacle), maintenance work and the like can be performed comfortably and easily. However, the beam matching unit BMU (routing optical system) may be arranged above the floor F on which the exposure apparatus main body 12 is installed. Even in such a case, there is no big trouble at the time of maintenance or the like.

【０１１９】また、本実施形態では、露光装置本体１２
のレーザ装置１４と反対側にインラインインタフェース
部１８を介して基板処理装置としてのＣ／Ｄ１６が接続
可能であることから、Ｃ／Ｄ１６をインラインにて露光
装置本体１２に接続して構成されるリソグラフィシステ
ム１０は、いわゆる前インラインのタイプとなり全体と
してほぼ長方形の平面形状となる。従って、かかるリソ
グラフィシステム１０をクリーンルーム内に複数配置す
る際には左インライン又は右インラインのタイプに比べ
て効率良く配置することができ、しかも、露光装置本体
１２の両サイドのメンテナンスエリアからの張り出し部
分がない分、一層クリーンルームのスペース効率の向上
が可能である。In this embodiment, the exposure apparatus main body 12
Since the C / D 16 as a substrate processing apparatus can be connected to the opposite side of the laser apparatus 14 via the in-line interface unit 18, the lithography is configured by connecting the C / D 16 to the exposure apparatus main body 12 in-line. The system 10 is of the so-called front-in-line type and has a generally rectangular planar shape as a whole. Therefore, when a plurality of such lithography systems 10 are arranged in a clean room, the lithography systems 10 can be arranged more efficiently than the left inline or right inline type. As a result, the space efficiency of the clean room can be further improved.

【０１２０】また、露光装置本体１２の前方側でインラ
イン・インタフェース部１８の横側のエリアに空きスペ
ースができるので、そのスペースをメンテナンスエリア
として有効利用することにより、露光装置本体１２の前
面側からのメンテナンスを容易に実行することができ、
前面からもメンテナンスが可能であるという利点を効果
的に生かすことができる。Further, since an empty space is formed in the area on the side of the in-line interface section 18 in front of the exposure apparatus main body 12, the space is effectively used as a maintenance area, so that the space from the front side of the exposure apparatus main body 12 can be obtained. Maintenance can be performed easily,
The advantage that maintenance can be performed from the front can be effectively utilized.

【０１２１】また、本実施形態に係るリソグラフィシス
テム１０では、インラインインタフェース部１８の長さ
の分だけ縦方向の寸法が従来の前インラインのリソグラ
フィシステムに比べて長くなっているが、露光装置本体
１２の後面側のメンテナンスエリアの一部とレーザ装置
１４のメンテナンスエリアとが共通となるように両者が
床面Ｆに配置されていることから、図２中の長さＬ２’
と前述した図１２中の長さＬ２とを比較すると明らかな
ように、結果的に従来の前インラインタイプのリソグラ
フィシステムと比べて必要床面積を殆ど増加させること
なく、前面からのメンテナンスエリアを確保できている
ことがわかる。In the lithography system 10 according to the present embodiment, the length in the vertical direction is longer than that of the conventional in-line lithography system by the length of the in-line interface section 18. 2 are arranged on the floor F so that a part of the maintenance area on the rear surface side and the maintenance area of the laser device 14 are common, the length L2 ′ in FIG.
As is clear from the comparison with the length L2 in FIG. 12 described above, as a result, the maintenance area from the front side is secured with almost no increase in required floor area as compared with the conventional pre-inline type lithography system. You can see that it is done.

【０１２２】また、本実施形態ではインライン・インタ
フェース部１８が着脱自在であることから、該インライ
ン・インタフェース部１８を容易に取り外すことができ
るとともに、該インライン・インタフェース部１８を取
り外した後に生じる空間、すなわちインライン・インタ
フェース部が接続されていた部分にまでメンテナンスエ
リアを拡大することができ、前面からの露光装置本体１
２のメンテナンス作業がよりやり易くなる。Further, in this embodiment, since the inline interface section 18 is detachable, the inline interface section 18 can be easily removed, and the space generated after the inline interface section 18 is removed, That is, the maintenance area can be expanded to the portion where the inline interface unit was connected, and the exposure apparatus
2 makes the maintenance work easier.

【０１２３】また、本実施形態に係る露光装置では、露
光装置本体１２のＣ／Ｄ１６側の端部近傍に、天井部に
延設された軌道Ｈｒに沿って移動し、レチクルキャリア
４０内に収納されたレチクルを搬送するＯＨＶ４４によ
ってレチクルキャリア４０が搬出入される受け渡しポー
ト４２が設けられていることから、レーザ装置１４及び
これに付随する照明光学系ＩＯＰが設けられた露光装置
本体１２の後面側と反対の前面側にレチクルの搬送系を
配置することができ、レチクルの搬送系としてＯＨＶを
採用した場合におけるレチクル搬送系の構造の複雑化を
防止することができる。この場合、ウエハローダ系７６
と上下に並べてレチクル搬送系６４を配置することがで
き、この場合のレチクル搬送系としては、従来の露光装
置の搬送系とほぼ同様の構成を採用することができる。Further, in the exposure apparatus according to the present embodiment, the exposure apparatus moves along the track Hr extending from the ceiling near the end of the exposure apparatus main body 12 on the C / D 16 side, and is housed in the reticle carrier 40. Since the delivery port 42 through which the reticle carrier 40 is carried in and out by the OHV 44 that transports the reticle is provided, the rear side of the exposure apparatus main body 12 provided with the laser device 14 and the associated illumination optical system IOP. A reticle transport system can be arranged on the front side opposite to the above, and the structure of the reticle transport system can be prevented from becoming complicated when an OHV is employed as the reticle transport system. In this case, the wafer loader system 76
The reticle transport system 64 can be arranged vertically above and below, and in this case, the reticle transport system can employ substantially the same configuration as the transport system of the conventional exposure apparatus.

【０１２４】また、本実施形態では、基板処理装置とし
てＣ／Ｄ１６が用いられていることから上記実施形態の
リソグラフィシステム１０により、リソグラフィ工程で
行われる、レジスト塗布、露光、現像の一連の処理を装
置内への塵等の侵入をほぼ確実に防止した環境下で効率
良く行うことができる。しかしながら、これに限らず、
基板処理装置としてコータ（レジスト塗布装置）、デベ
ロッパ（現像装置）等を露光装置本体にインラインにて
接続することにより本発明に係るリソグラフィシステム
を構成しても良い。In this embodiment, since the C / D 16 is used as the substrate processing apparatus, the lithography system 10 of the above embodiment performs a series of processes of resist application, exposure, and development performed in the lithography process. Efficient operation can be achieved in an environment in which dust and the like are almost certainly prevented from entering the apparatus. However, not limited to this,
The lithography system according to the present invention may be configured by connecting a coater (resist coating apparatus), a developer (developing apparatus), and the like as a substrate processing apparatus to the exposure apparatus body inline.

【０１２５】なお、上記実施形態では、レーザ装置とし
てエキシマレーザ装置を用いる場合について説明した
が、本発明がこれに限定されるものではなく、例えばレ
ーザ装置として、その高調波を露光光として用いるＹＡ
Ｇレーザ装置や、銅テープ等のＥＵＶ光発生物質にレー
ザ光を照射して波長５〜１５ｎｍ程度の軟Ｘ線領域の光
（ＥＵＶ光）を発生するレーザプラズマ装置、あるいは
レーザ励起による高出力レーザ装置などを用いることも
できる。In the above embodiment, the case where an excimer laser device is used as the laser device has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, a YA that uses its harmonics as exposure light as a laser device is described.
A G laser device, a laser plasma device that irradiates a EUV light generating substance such as a copper tape with laser light to generate light in the soft X-ray region (EUV light) having a wavelength of about 5 to 15 nm, or a high-power laser excited by laser. An apparatus or the like can also be used.

【０１２６】また、上記実施形態では、図２に示される
ように、レーザ装置１４のメンテナンスエリアＷＭＡの
全てが露光装置本体１２の後面側のメンテナンスエリア
と共通である場合について説明したが、これに限らず、
露光装置本体１２のメンテナンスエリアとレーザ装置の
１４メンテナンスエリアとの少なくとも一部同士が共通
となるように、露光装置本体１２とレーザ装置１４とを
露光装置本体１２の長手方向に沿って床面に並べて配置
すれば良い。このようにしても、レーザ装置のメンテナ
ンスエリアと露光装置本体のメンテナンスエリアとを別
々にとる場合に比べて必要床面積を減少させることがで
きる。In the above embodiment, as shown in FIG. 2, the case where the entire maintenance area WMA of the laser device 14 is common to the maintenance area on the rear side of the exposure apparatus main body 12 has been described. Not limited,
The exposure apparatus main body 12 and the laser device 14 are placed on the floor along the longitudinal direction of the exposure apparatus main body 12 so that at least a part of the maintenance area of the exposure apparatus main body 12 and at least a part of the 14 maintenance area of the laser apparatus are common. What is necessary is just to arrange them side by side. Also in this case, the required floor area can be reduced as compared with the case where the maintenance area of the laser device and the maintenance area of the exposure apparatus main body are separately provided.

【０１２７】また、上記実施形態では、レーザ装置１４
を露光装置本体１４から所定距離離して床面Ｆ上に配置
し、両者をビームマッチングユニットＢＭＵにて光学的
に接続する場合について説明したが、これに限らず、レ
ーザ装置の筐体を露光装置本体の筐体（エンバイロメン
タル・チャンバ）と近接して配置しても良い。かかる場
合には、例えば図７に示されるように、レーザ装置１４
は、その長手方向の向きが露光装置本体１２の長手方向
の向きと一致する状態で床面Ｆ上に配置しても良い。図
７において、符号ＷＭＡはレーザ装置と露光装置本体と
に共通のメンテナンスエリアを示す。Further, in the above embodiment, the laser device 14
Is arranged on the floor F at a predetermined distance from the exposure apparatus main body 14, and the two are optically connected by the beam matching unit BMU. However, the present invention is not limited to this. You may arrange | position in close proximity to the housing | casing (environmental chamber) of a main body. In such a case, for example, as shown in FIG.
May be arranged on the floor surface F in a state where the longitudinal direction thereof coincides with the longitudinal direction of the exposure apparatus main body 12. In FIG. 7, reference numeral WMA indicates a maintenance area common to the laser apparatus and the exposure apparatus main body.

【０１２８】この図７の露光装置では、レーザ装置１４
から露光装置本体１２に至る光の経路（光路）が短くな
り（従って、その光路中の光学素子の数が減少する）、
透過率変動の影響を低減でき、そのパージ範囲が短くな
るのでその濃度管理、メンテナンスが容易になる。この
場合、レーザ装置１４は、ｋｒＦエキシマレーザ装置な
どであっても良いが、真空紫外域のレーザ光を射出する
装置、特に発振波長が１２０〜２００ｎｍ程度、例えば
発振波長が１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ装置、あ
るいは発振波長が１５７ｎｍのＦ2レーザ装置等の方が
より望ましい。In the exposure apparatus shown in FIG.
The path (optical path) of the light from the light source to the exposure apparatus main body 12 is shortened (therefore, the number of optical elements in the optical path is reduced),
The influence of the transmittance fluctuation can be reduced, and the purge range is shortened, so that the concentration control and maintenance become easy. In this case, the laser device 14 may be a krF excimer laser device or the like, but a device that emits laser light in a vacuum ultraviolet region, particularly an ArF excimer laser device having an oscillation wavelength of about 120 to 200 nm, for example, an oscillation wavelength of 193 nm. Or an F 2 laser device having an oscillation wavelength of 157 nm is more desirable.

【０１２９】なお、図７の場合、露光装置本体１２の長
手方向（リソグラフィシステム１０の配列方向）とその
長手方向とが一致するようにレーザ装置１４を配置して
いるので、複数の希ガスが封入されるレーザチューブ、
すなわちレーザ共振器がその長手方向に沿って配置さ
れ、従来のようにその光路を折り曲げる反射光学素子が
不要となる。In the case of FIG. 7, the laser device 14 is arranged so that the longitudinal direction of the exposure apparatus main body 12 (the arrangement direction of the lithography system 10) coincides with the longitudinal direction. Laser tube to be enclosed,
That is, the laser resonator is arranged along the longitudinal direction, and a reflective optical element that bends the optical path as in the related art is not required.

【０１３０】また、レーザ装置１４として、波長５〜１
５ｎｍ程度の軟Ｘ線領域の光（ＥＵＶ光）を発生するレ
ーザプラズマ装置、あるいは半導体レーザ励起による高
出力レーザ装置などを用いて図７に示されるようなリソ
グラフィシステムを構成することもできる。この場合、
レーザ装置１４から露光装置本体に至るＥＵＶ光の光路
上の反射光学素子の数が減るので、それだけＥＵＶ光の
エネルギの低下を防止することができる。The laser device 14 has a wavelength of 5-1.
A lithography system such as that shown in FIG. 7 can be configured using a laser plasma device that generates light (EUV light) in the soft X-ray region of about 5 nm, or a high-power laser device that is excited by a semiconductor laser. in this case,
Since the number of reflective optical elements on the optical path of the EUV light from the laser device 14 to the exposure apparatus main body is reduced, the energy of the EUV light can be prevented from lowering accordingly.

【０１３１】なお、上記実施形態では、露光装置本体１
２が左右前後の４方向からメンテナンスが可能な構造で
ある場合について説明したが、本発明がこれに限定され
るものではない。すなわち、露光装置本体は少なくとも
両サイドからメンテナンスが可能な構造であれば良く、
かかる場合であってもその両サイドのメンテナンスエリ
アを含む床面の領域内にレーザ装置を配置することによ
り、必要床面積の削減が可能であり、クリーンルーム内
に複数台並べて配置する場合には、クリーンルームのス
ペース効率の向上が可能である。また、露光装置本体１
２が両サイドのみからメンテナンスが可能な構造の場合
には、露光装置（露光装置本体）とＣ／Ｄ１６とをイン
ライン・インタフェース部１８を介することなく接続し
ても良い。あるいは、露光装置（露光装置本体）とＣ／
Ｄ１６とをインライン・インタフェース部を介して接続
する場合には、インライン・インタフェース部１８、Ｆ
ＯＵＰ増設用ハウジング２０及びレチクルポート用ハウ
ジング２２等を着脱自在の構造にしなくても良い。In the above embodiment, the exposure apparatus body 1
Although the case where 2 has a structure capable of performing maintenance from four directions of left, right, front and back has been described, the present invention is not limited to this. In other words, the exposure apparatus main body only needs to be a structure that can be maintained from at least both sides,
Even in such a case, by arranging the laser device in the area of the floor surface including the maintenance area on both sides thereof, it is possible to reduce the required floor area, and when arranging a plurality of units in a clean room, The space efficiency of the clean room can be improved. Also, the exposure apparatus main body 1
In the case where 2 has a structure capable of maintenance from only both sides, the exposure apparatus (exposure apparatus main body) and the C / D 16 may be connected without the intermediary of the inline interface unit 18. Alternatively, the exposure apparatus (the exposure apparatus body) and C /
When the D16 is connected via the inline interface unit, the inline interface unit 18, F
The OUP extension housing 20, the reticle port housing 22, and the like do not need to have a detachable structure.

【０１３２】なお、上記実施形態では、マスクコンテナ
として開閉可能な蓋（扉）４０Ｂを備えた密閉型のレチ
クルキャリア４０を用い、基板コンテナとして開閉可能
な扉２５を備えた密閉型のＦＯＵＰ２４を用いるものと
したが、これは、このようなコンテナを用いれば、クリ
ーンルームのクリーン度がクラス１００〜１０００程度
に設定されていてもコンテナ（レチクルキャリア及びＦ
ＯＵＰ）内への塵等の侵入を防止することができ、これ
によりクリーンルームのコストを低減させることができ
るからである。しかしながら、本発明がこれに限定され
るものではなく、例えばクリーン度がクラス１程度のク
リーンルームにリソグラフィシステムを設置する場合に
は、基板コンテナとしてオープン・キャリア等の開放型
のキャリアを用い、同様にレチクルキャリアも密閉型で
ないものを用いても良い。In the above embodiment, a closed reticle carrier 40 having an openable / closable lid (door) 40B is used as a mask container, and a closed FOUP 24 having an openable / closable door 25 is used as a substrate container. However, if such a container is used, even if the cleanliness of the clean room is set to a class of about 100 to 1000, the container (reticle carrier and F
This is because dust and the like can be prevented from entering the OUP), and thereby the cost of the clean room can be reduced. However, the present invention is not limited to this. For example, when the lithography system is installed in a clean room having a degree of cleanness of about class 1, an open carrier such as an open carrier is used as a substrate container. The reticle carrier may not be a closed type.

【０１３３】なお、複数のレンズから構成される照明光
学系、投影光学系を露光装置本体に組み込み、光学調整
をするとともに、多数の機械部品からなるレチクルステ
ージやウエハステージを露光装置のボディに取り付けて
配線や配管を接続し、更に総合調整（電気調整、動作確
認等）をすることにより本実施形態の露光装置を製造す
ることができる。なお、露光装置の製造は温度およびク
リーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望
ましい。The illumination optical system and the projection optical system composed of a plurality of lenses are incorporated in the main body of the exposure apparatus for optical adjustment, and a reticle stage and a wafer stage composed of a number of mechanical parts are mounted on the body of the exposure apparatus. The exposure apparatus according to the present embodiment can be manufactured by connecting wires and pipes and performing overall adjustment (electrical adjustment, operation confirmation, and the like). It is desirable that the manufacture of the exposure apparatus be performed in a clean room in which the temperature, cleanliness, and the like are controlled.

【０１３４】なお、露光装置としては半導体製造用の露
光装置に限定されることはなく、例えば、角型のガラス
プレートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露
光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤなど）、
更にはマスク又はレチクルを製造するための露光装置に
も広く適用できる。The exposure apparatus is not limited to an exposure apparatus for manufacturing semiconductors. For example, an exposure apparatus for a liquid crystal for exposing a liquid crystal display element pattern to a square glass plate, a thin film magnetic head, Devices (such as CCD),
Further, the present invention can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing a mask or a reticle.

【０１３５】投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍
および拡大系のいずれでも良い。また、投影光学系とし
ては、エキシマレーザを用いる場合は硝材として石英や
蛍石を用い、ＥＵＶ光を用いる場合は反射系の光学系を
適用し、レチクルも反射型タイプのものを用いれば良
い。The magnification of the projection optical system may be not only a reduction system but also any one of an equal magnification and an enlargement system. Further, as the projection optical system, when an excimer laser is used, quartz or fluorite is used as a glass material, and when an EUV light is used, a reflection type optical system is used, and a reticle of a reflection type may be used.

【０１３６】《デバイス製造方法》次に、上述したリソ
グラフィシステムをリソグラフィ工程で使用したデバイ
スの製造方法の実施形態について説明する。<< Device Manufacturing Method >> Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described lithography system in a lithography process will be described.

【０１３７】図８には、デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半
導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等）の製造例のフローチャートが示されて
いる。図８に示されるように、まず、ステップ２０１
（設計ステップ）において、デバイスの機能・性能設計
（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その
機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、
ステップ２０２（マスク製作ステップ）において、設計
した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、
ステップ２０３（ウエハ製造ステップ）において、シリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。FIG. 8 shows a flowchart of an example of manufacturing devices (semiconductor chips such as ICs and LSIs, liquid crystal panels, CCDs, thin-film magnetic heads, micromachines, and the like). As shown in FIG. 8, first, step 201
In the (design step), a function / performance design of the device (for example, a circuit design of a semiconductor device) is performed, and a pattern design for realizing the function is performed. Continued
In step 202 (mask manufacturing step), a mask on which the designed circuit pattern is formed is manufactured. on the other hand,
In step 203 (wafer manufacturing step), a wafer is manufactured using a material such as silicon.

【０１３８】次に、ステップ２０４（ウエハ処理ステッ
プ）において、ステップ２０１〜ステップ２０３で用意
したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソ
グラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成
する。次いで、ステップ２０５（デバイス組立ステッ
プ）において、ステップ２０４で処理されたウエハを用
いてデバイス組立を行う。このステップ２０５には、ダ
イシング工程、ボンディング工程、及びパッケージング
工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。Next, in step 204 (wafer processing step), using the mask and the wafer prepared in steps 201 to 203, an actual circuit or the like is formed on the wafer by lithography or the like, as described later. . Next, in step 205 (device assembly step), device assembly is performed using the wafer processed in step 204. Step 205 includes processes such as a dicing process, a bonding process, and a packaging process (chip encapsulation) as necessary.

【０１３９】最後に、ステップ２０６（検査ステップ）
において、ステップ２０５で作製されたデバイスの動作
確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工
程を経た後にデバイスが完成し、これが出荷される。Finally, step 206 (inspection step)
In step, inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the device manufactured in step 205 are performed. After these steps, the device is completed and shipped.

【０１４０】図９には、半導体デバイスの場合におけ
る、上記ステップ２０４の詳細なフロー例が示されてい
る。図９において、ステップ２１１（酸化ステップ）に
おいてはウエハの表面を酸化させる。ステップ２１２
（ＣＶＤステップ）においてはウエハ表面に絶縁膜を形
成する。ステップ２１３（電極形成ステップ）において
はウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ２
１４（イオン打込みステップ）においてはウエハにイオ
ンを打ち込む。以上のステップ２１１〜ステップ２１４
それぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成し
ており、各段階において必要な処理に応じて選択されて
実行される。FIG. 9 shows a detailed flow example of step 204 in the case of a semiconductor device. 9, in step 211 (oxidation step), the surface of the wafer is oxidized. Step 212
In the (CVD step), an insulating film is formed on the wafer surface. In step 213 (electrode formation step), electrodes are formed on the wafer by vapor deposition. Step 2
At 14 (ion implantation step), ions are implanted into the wafer. Steps 211 to 214 described above
Each of them constitutes a pre-processing step in each stage of wafer processing, and is selected and executed according to a necessary process in each stage.

【０１４１】ウエハプロセスの各段階において、上述の
前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程
が実行される。この後処理工程では、まず、ステップ２
１５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光
剤を塗布する。引き続き、ステップ２１６（露光ステッ
プ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露
光装置）によってマスクの回路パターンをウエハに転写
する。次に、ステップ２１７（現像ステップ）において
は露光されたウエハを現像し、ステップ２１８（エッチ
ングステップ）において、レジストが残存している部分
以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そ
して、ステップ２１９（レジスト除去ステップ）におい
て、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除
く。At each stage of the wafer process, when the above-described pre-processing step is completed, a post-processing step is executed as follows. In this post-processing step, first, in step 2
In 15 (resist forming step), a photosensitive agent is applied to the wafer. Subsequently, in step 216 (exposure step), the circuit pattern of the mask is transferred onto the wafer by the lithography system (exposure apparatus) described above. Next, in step 217 (development step), the exposed wafer is developed, and in step 218 (etching step), the exposed members other than the portion where the resist remains are removed by etching. Then, in step 219 (resist removing step), unnecessary resist after etching is removed.

【０１４２】これらの前処理工程と後処理工程とを繰り
返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターン
が形成される。By repeating these pre-processing and post-processing steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.

【０１４３】以上説明した本実施形態のデバイス製造方
法を用いれば、露光工程（ステップ２１６）において上
記のリソグラフィシステム１０が用いられるので、特
に、レーザ装置としてＡｒＦエキシマレーザ装置、Ｆ2
エキシマレーザ装置等を用いた場合には高集積度のデバ
イスを歩留まり良く生産することができる。When the above-described device manufacturing method of the present embodiment is used, the lithography system 10 is used in the exposure step (step 216). Therefore, in particular, an ArF excimer laser device and an F 2 laser device are used as the laser device.
When an excimer laser device or the like is used, highly integrated devices can be produced with high yield.

【０１４４】[0144]

【発明の効果】以上説明したように、請求項１〜１４に
記載の各発明に係る露光装置によれば、必要床面積を減
少させることができるという効果がある。As described above, the exposure apparatus according to each of the first to fourteenth aspects has the effect that the required floor area can be reduced.

【０１４５】また、請求項１５及び１６に記載の各発明
に係る露光装置によれば、上記効果に加え、外部から露
光装置に対するマスク側の搬送系としてＯＨＶ等の天井
搬送系を採用した場合であっても、露光装置内のマスク
搬送系の構造の複雑化を防止することができるという効
果ある。According to the exposure apparatus of the present invention, in addition to the above-mentioned effects, a ceiling transport system such as an OHV is employed as a transport system on the mask side from the outside to the exposure apparatus. Even so, there is an effect that the structure of the mask transport system in the exposure apparatus can be prevented from becoming complicated.

【０１４６】また、請求項１７及び１８に記載の各発明
に係るリソグラフィシステムによれば、必要床面積の減
少により、クリーンルーム内に複数台設置する場合にス
ペース効率を向上させることができるという効果があ
る。Further, according to the lithography systems according to the seventeenth and eighteenth aspects of the present invention, the space efficiency can be improved when a plurality of units are installed in a clean room by reducing the required floor area. is there.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明に係る露光装置を含む一実施形態のリソ
グラフィシステムの概略斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view of a lithography system according to an embodiment including an exposure apparatus according to the present invention.

【図２】図１のリソグラフィシステムが設置されたクリ
ーンルームの平面図である。FIG. 2 is a plan view of a clean room in which the lithography system of FIG. 1 is installed.

【図３】図１のリソグラフィシステムの右側面図であ
る。FIG. 3 is a right side view of the lithography system of FIG. 1;

【図４】図４（Ａ）はレチクルポート用ハウジングを示
す横断面図、図４（Ｂ）はレチクルポート用ハウジング
を示す縦断面図である。FIG. 4A is a transverse sectional view showing a reticle port housing, and FIG. 4B is a longitudinal sectional view showing a reticle port housing.

【図５】図５（Ａ）はレチクルキャリアの構造を示す縦
断面図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のレチクルキャリアの
蓋が外れた状態を示す図である。5 (A) is a longitudinal sectional view showing a structure of a reticle carrier, and FIG. 5 (B) is a view showing a state where a lid of the reticle carrier of FIG. 5 (A) is removed.

【図６】露光装置本体及びこれに接続されたＦＯＵＰ増
設用ハウジングを示す一部省略した横断面図である。FIG. 6 is a partially omitted horizontal cross-sectional view showing an exposure apparatus main body and a FOUP extension housing connected thereto.

【図７】変形例を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing a modification.

【図８】本発明に係るデバイスを製造する製造方法の実
施形態を説明するためのフローチャートである。FIG. 8 is a flowchart illustrating an embodiment of a method for manufacturing a device according to the present invention.

【図９】図８のステップ２０４における処理を示すフロ
ーチャートである。FIG. 9 is a flowchart illustrating a process in step 204 of FIG. 8;

【図１０】従来の前インラインのリソグラフィシステム
を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a conventional pre-in-line lithography system.

【図１１】図１０のリソグラフィシステムを複数台に配
置したクリーンルームのレイアウトを示す図である。11 is a diagram showing a layout of a clean room in which a plurality of lithography systems of FIG. 10 are arranged.

【図１２】従来の前インラインのリソグラフィシステム
を示す平面図である。FIG. 12 is a plan view showing a conventional pre-in-line lithography system.

【図１３】図１２のリソグラフィシステムを複数台に配
置したクリーンルームのレイアウトを示す図である。13 is a diagram showing a layout of a clean room in which the lithography system of FIG. 12 is arranged in a plurality of units.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０…リソグラフィシステム、１２…露光装置本体（露
光装置の一部）、１４…エキシマレーザ装置（レーザ装
置、露光装置の一部）、１６…Ｃ／Ｄ（基板処理装
置）、１８…インライン・インタフェース部、４０…レ
チクルキャリア（マスクコンテナ）、４０Ｂ…蓋
（扉）、４２…受け渡しポート、４４…ＯＨＶ（天井搬
送系）、Ｆ…床面、ＢＭＵ…ビームマッチングユニット
（引き回し光学系、露光装置の一部）、Ｈｒ…第２のガ
イドレール（軌道）。Reference Signs List 10: lithography system, 12: exposure apparatus main body (part of exposure apparatus), 14: excimer laser apparatus (laser apparatus, part of exposure apparatus), 16: C / D (substrate processing apparatus), 18: in-line interface Section, 40: reticle carrier (mask container), 40B: lid (door), 42: delivery port, 44: OHV (ceiling transport system), F: floor surface, BMU: beam matching unit (routing optical system, exposure device Part), Hr: second guide rail (track).

Claims (19)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 レーザ装置を光源とする露光装置であっ
て、 前記露光装置を構成する露光装置本体の両サイドのメン
テナンスエリアを含む幅の床面の領域内に前記レーザ装
置を配置したことを特徴とする露光装置。1. An exposure apparatus using a laser apparatus as a light source, wherein the laser apparatus is arranged in a floor area having a width including maintenance areas on both sides of an exposure apparatus main body constituting the exposure apparatus. Exposure equipment characterized. 【請求項２】 前記露光装置本体のメンテナンスエリア
と前記レーザ装置のメンテナンスエリアとの少なくとも
一部同士が共通となるように両者が前記床面に配置され
ていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。2. The apparatus according to claim 1, wherein the maintenance area of the exposure apparatus main body and the maintenance area of the laser apparatus are both disposed on the floor surface so that at least a part thereof is common. Exposure apparatus according to the above. 【請求項３】 レーザ装置を光源とする露光装置であっ
て、 前記露光装置を構成する露光装置本体のメンテナンスエ
リアと前記レーザ装置のメンテナンスエリアとの少なく
とも一部同士が共通となるように、前記露光装置本体と
前記レーザ装置とを前記露光装置本体の長手方向に沿っ
て床面に並べて配置したことを特徴とする露光装置。3. An exposure apparatus using a laser apparatus as a light source, wherein the maintenance area of an exposure apparatus body constituting the exposure apparatus and the maintenance area of the laser apparatus are at least partially common. An exposure apparatus, wherein an exposure apparatus main body and the laser device are arranged side by side on a floor along a longitudinal direction of the exposure apparatus main body. 【請求項４】 前記レーザ装置は、エキシマレーザ装置
であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に
記載の露光装置。4. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the laser device is an excimer laser device. 【請求項５】 前記レーザ装置の筐体は前記露光装置本
体の筐体と直接接続されていることを特徴とする請求項
１又は３に記載の露光装置。5. The exposure apparatus according to claim 1, wherein a housing of the laser device is directly connected to a housing of the exposure apparatus main body. 【請求項６】 前記レーザ装置は、引き回し光学系を介
して前記露光装置本体に接続されていることを特徴とす
る請求項１又３に記載の露光装置。6. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the laser device is connected to the exposure apparatus main body via a drawing optical system. 【請求項７】 前記引き回し光学系は、前記露光装置本
体が設置された床面の床下に配置されていることを特徴
とする請求項６に記載の露光装置。7. The exposure apparatus according to claim 6, wherein the routing optical system is disposed below the floor on which the exposure apparatus main body is installed. 【請求項８】 前記レーザ装置は、真空紫外域又は軟Ｘ
線領域のレーザ光を射出する装置であることを特徴とす
る請求項５〜７のいずれか一項に記載の露光装置。8. The laser device according to claim 1, wherein the laser device is a vacuum ultraviolet region or a soft X
The exposure apparatus according to claim 5, wherein the exposure apparatus is an apparatus that emits laser light in a line region. 【請求項９】 前記レーザ装置は、その長手方向の向き
が前記露光装置本体の長手方向の向きと一致する状態で
床面に配置されていることを特徴とする請求項５〜８の
いずれか一項に記載の露光装置。9. The laser device according to claim 5, wherein the laser device is disposed on a floor surface in a state where its longitudinal direction coincides with the longitudinal direction of the exposure apparatus main body. The exposure apparatus according to claim 1. 【請求項１０】 前記レーザ装置は発振波長が１９３ｎ
ｍのＡｒＦエキシマレーザ装置、Ｆ2レーザ装置及びレ
ーザプラズマ装置のいずれかであることを特徴とする請
求項９に記載の露光装置。10. The laser device has an oscillation wavelength of 193n.
m ArF excimer laser device, an exposure device according to claim 9, characterized in that either F 2 laser device and a laser plasma device. 【請求項１１】 レーザ装置を光源とし、基板処理装置
とインラインにて接続される露光装置であって、 前記露光装置を構成する露光装置本体の両サイドのメン
テナンスエリアを含む幅の床面の領域内に前記レーザ装
置が配置され、 前記露光装置本体の前記レーザ装置と反対側に前記基板
処理装置が接続可能であることを特徴とする露光装置。11. An exposure apparatus using a laser apparatus as a light source and connected in-line with a substrate processing apparatus, the floor area having a width including maintenance areas on both sides of an exposure apparatus main body constituting the exposure apparatus. An exposure apparatus, wherein the substrate processing apparatus is connectable to a side of the exposure apparatus main body opposite to the laser apparatus. 【請求項１２】 前記基板処理装置は、インライン・イ
ンタフェース部を介して前記露光装置本体に接続可能で
あることを特徴とする請求項１１に記載の露光装置。12. The exposure apparatus according to claim 11, wherein the substrate processing apparatus is connectable to the exposure apparatus main body via an in-line interface unit. 【請求項１３】 前記露光装置本体のメンテナンスエリ
アと前記レーザ装置のメンテナンスエリアとが共通とな
るように両者が前記床面に配置されていることを特徴と
する請求項１２に記載の露光装置。13. The exposure apparatus according to claim 12, wherein both the maintenance area of the exposure apparatus main body and the maintenance area of the laser device are arranged on the floor so as to be common. 【請求項１４】 前記インライン・インタフェース部は
着脱自在であることを特徴とする請求項１２又は１３に
記載の露光装置。14. The exposure apparatus according to claim 12, wherein the in-line interface unit is detachable. 【請求項１５】 前記露光装置本体の前記基板処理装置
が接続される側の端部近傍に、天井部に延設された軌道
に沿って移動し、マスクコンテナ内に収納されたマスク
を搬送する天井搬送系により前記マスクコンテナが搬出
入される受け渡しポートが配置されていることを特徴と
する請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の露光装
置。15. A mask that is moved along a track extending from a ceiling near an end of the exposure apparatus main body to which the substrate processing apparatus is connected, and conveys a mask stored in a mask container. The exposure apparatus according to any one of claims 11 to 13, wherein a delivery port through which the mask container is carried in and out by a ceiling transport system is arranged. 【請求項１６】 前記マスクコンテナが開閉可能な扉を
備えた密閉型のコンテナであることを特徴とする請求項
１５に記載の露光装置。16. The exposure apparatus according to claim 15, wherein the mask container is a closed container provided with a door that can be opened and closed. 【請求項１７】 請求項１〜１０のいずれか一項に記載
の露光装置と；前記露光装置を構成する前記露光装置本
体の前記レーザ装置と反対側に配置され、前記露光装置
本体にインラインにて接続された基板処理装置とを備え
るリソグラフィシステム。17. An exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus is arranged on a side of the exposure apparatus main body that is opposite to the laser apparatus, and is inline with the exposure apparatus main body. And a substrate processing apparatus connected to the lithography system. 【請求項１８】 前記基板処理装置は、コータ・デベロ
ッパであることを特徴とする請求項１７に記載のリソグ
ラフィシステム。18. The lithography system according to claim 17, wherein the substrate processing apparatus is a coater / developer. 【請求項１９】 請求項１７又は１８に記載のリソグラ
フィシステムを用いて製造されたことを特徴とするデバ
イス。19. A device manufactured using the lithography system according to claim 17. Description:
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002116533A (en) * 2000-10-11 2002-04-19 Dainippon Printing Co Ltd Blanks for photomask with area code, photomask with area code and method for producing photomask
JP2014501442A (en) * 2010-12-14 2014-01-20 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． Lithographic system and method for processing a substrate in such a lithographic system

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