JP2000251463A - メモリモジュール - Google Patents
メモリモジュールInfo
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- JP2000251463A JP2000251463A JP11047946A JP4794699A JP2000251463A JP 2000251463 A JP2000251463 A JP 2000251463A JP 11047946 A JP11047946 A JP 11047946A JP 4794699 A JP4794699 A JP 4794699A JP 2000251463 A JP2000251463 A JP 2000251463A
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- Japan
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- sheet
- memory module
- circuit board
- printed circuit
- memory chips
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 メモリモジュールの動作周波数が高くなるに
従い、放射される電磁気ノイズが増大する。また、ＣＳ
Ｐ等の高密度実装法の採用に伴い、振動等によるチップ
の接続不良の発生が問題となる。さらに、メモリチップ
の消費電力の増大により、放熱に対する対策も必要とな
る。 【解決手段】 本発明のメモリモジュールは、少なくと
も粘着シートとアルミニウムシートを積層したシールド
シートを、メモリチップを覆って、メモリチップの上面
及びプリント回路基板の上面に接着し、半導体メモリチ
ップを電磁気的に遮蔽すると共にプリント回路基板に固
定する。これにより、メモリチップから放射される電磁
気ノイズが、アルミニウムシートによって遮蔽される。
また、メモリチップは粘着シートによって固定されてい
るため、振動による接続不良の発生が抑制される。さら
に、アルミニウムシートが放熱板として作用する結果、
メモリモジュールの放熱性が向上する。
従い、放射される電磁気ノイズが増大する。また、ＣＳ
Ｐ等の高密度実装法の採用に伴い、振動等によるチップ
の接続不良の発生が問題となる。さらに、メモリチップ
の消費電力の増大により、放熱に対する対策も必要とな
る。 【解決手段】 本発明のメモリモジュールは、少なくと
も粘着シートとアルミニウムシートを積層したシールド
シートを、メモリチップを覆って、メモリチップの上面
及びプリント回路基板の上面に接着し、半導体メモリチ
ップを電磁気的に遮蔽すると共にプリント回路基板に固
定する。これにより、メモリチップから放射される電磁
気ノイズが、アルミニウムシートによって遮蔽される。
また、メモリチップは粘着シートによって固定されてい
るため、振動による接続不良の発生が抑制される。さら
に、アルミニウムシートが放熱板として作用する結果、
メモリモジュールの放熱性が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、メモリモジュール
に関し、詳細には高速動作する半導体メモリチップを高
密度実装して成るメモリモジュールのノイズ防止及び耐
振動性の向上に関する。
に関し、詳細には高速動作する半導体メモリチップを高
密度実装して成るメモリモジュールのノイズ防止及び耐
振動性の向上に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピューター産業の分野におい
て、ノート型ＰＣ等の高速化、小型化に伴い、メインメ
モリーとして用いられるメモリモジュールも高速化、小
型化、高集積化が進められている。
て、ノート型ＰＣ等の高速化、小型化に伴い、メインメ
モリーとして用いられるメモリモジュールも高速化、小
型化、高集積化が進められている。
【０００３】即ち、メモリモジュールの高速化のため、
メモリモジュールの動作周波数は、より高くなってきて
いる。また、メモリモジュールの小型化、高集積化のた
め、リードフレームを介してチップを基板に固定する従
来の実装法に代えて、半田バンプによりチップを基板に
直接固定するチップサイズパッケージング（以下ＣＳＰ
と称す）等の高密度実装法が主流となっている。
メモリモジュールの動作周波数は、より高くなってきて
いる。また、メモリモジュールの小型化、高集積化のた
め、リードフレームを介してチップを基板に固定する従
来の実装法に代えて、半田バンプによりチップを基板に
直接固定するチップサイズパッケージング（以下ＣＳＰ
と称す）等の高密度実装法が主流となっている。
【０００４】
【解決しようとする課題】メモリモジュールの動作周波
数が高くなると、メモリモジュールから放射される電磁
気ノイズが増大する。またメモリモジュール以外の回路
の動作周波数も高くなっており、メモリモジュールへ侵
入する電磁気ノイズも増大している。このため、メモリ
モジュールのノイズ対策が重要な課題となってきてい
る。しかし、ノイズ問題に関しては、従来、メモリモジ
ュール基板内部の信号線をグランド層で取り囲むといっ
た対策がなされていたものの十分ではなく、また、モジ
ュール外部からのノイズに対する対策もなされてなかっ
た。
数が高くなると、メモリモジュールから放射される電磁
気ノイズが増大する。またメモリモジュール以外の回路
の動作周波数も高くなっており、メモリモジュールへ侵
入する電磁気ノイズも増大している。このため、メモリ
モジュールのノイズ対策が重要な課題となってきてい
る。しかし、ノイズ問題に関しては、従来、メモリモジ
ュール基板内部の信号線をグランド層で取り囲むといっ
た対策がなされていたものの十分ではなく、また、モジ
ュール外部からのノイズに対する対策もなされてなかっ
た。
【０００５】また、メモリモジュールが振動等した場
合、メモリチップとプリント基板の接続部に応力がかか
るが、従来の実装法ではリードフレームが振動等による
応力を緩和していた。しかし、ＣＳＰ等の高密度実装法
では小さな半田バンプで固定するために応力を緩和しに
くい。加えて、半田バンプは一般に接触面積が小さく、
接続強度が弱い。このためＣＳＰ等の高密度実装法を用
いたメモリモジュールは、振動等によりチップの接続不
良を起こしやすいという問題があった。
合、メモリチップとプリント基板の接続部に応力がかか
るが、従来の実装法ではリードフレームが振動等による
応力を緩和していた。しかし、ＣＳＰ等の高密度実装法
では小さな半田バンプで固定するために応力を緩和しに
くい。加えて、半田バンプは一般に接触面積が小さく、
接続強度が弱い。このためＣＳＰ等の高密度実装法を用
いたメモリモジュールは、振動等によりチップの接続不
良を起こしやすいという問題があった。
【０００６】さらに、メモリチップの動作周波数化が高
くなるのに伴い、メモリチップの消費電力も増大してお
り、メモリチップの放熱に対する対策も必要となってき
ている。
くなるのに伴い、メモリチップの消費電力も増大してお
り、メモリチップの放熱に対する対策も必要となってき
ている。
【０００７】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であり、高速動作するメモリチップを高密度実装して成
るメモリモジュールであって、耐ノイズ性及び耐振動性
に優れたメモリモジュールを提供することを目的とす
る。また、メモリモジュールの放熱性を改善することも
目的とする。
であり、高速動作するメモリチップを高密度実装して成
るメモリモジュールであって、耐ノイズ性及び耐振動性
に優れたメモリモジュールを提供することを目的とす
る。また、メモリモジュールの放熱性を改善することも
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のメモリモジュールは、プリント回路基板上
に、複数個の半導体メモリチップを実装したメモリモジ
ュールであって、少なくとも粘着シートとアルミニウム
シートを積層して成るシールドシートを、上記半導体メ
モリチップを覆って、上記半導体メモリチップの上面及
び上記プリント回路基板の上面に接着し、上記半導体メ
モリチップを電磁気的に遮蔽すると共に上記プリント基
板に固定することを特徴とする。
に本発明のメモリモジュールは、プリント回路基板上
に、複数個の半導体メモリチップを実装したメモリモジ
ュールであって、少なくとも粘着シートとアルミニウム
シートを積層して成るシールドシートを、上記半導体メ
モリチップを覆って、上記半導体メモリチップの上面及
び上記プリント回路基板の上面に接着し、上記半導体メ
モリチップを電磁気的に遮蔽すると共に上記プリント基
板に固定することを特徴とする。
【０００９】これにより、メモリチップから放射される
電磁気ノイズ、及び外部からメモリチップに侵入する電
磁気ノイズが、上記アルミニウムシートによって遮蔽さ
れる。また、メモリチップは上記粘着シートによってプ
リント回路基板に固定されているため、振動による接続
不良の発生が抑制される。さらに、粘着シートが薄く、
メモリチップからの熱が粘着シートを介してアルミニウ
ムシートに良好に伝導する場合にば、アルミニウムシー
トが放熱板として作用する結果、メモリモジュールの放
熱性も向上する。
電磁気ノイズ、及び外部からメモリチップに侵入する電
磁気ノイズが、上記アルミニウムシートによって遮蔽さ
れる。また、メモリチップは上記粘着シートによってプ
リント回路基板に固定されているため、振動による接続
不良の発生が抑制される。さらに、粘着シートが薄く、
メモリチップからの熱が粘着シートを介してアルミニウ
ムシートに良好に伝導する場合にば、アルミニウムシー
トが放熱板として作用する結果、メモリモジュールの放
熱性も向上する。
【００１０】また、上記粘着シートが開口部を備え、上
記アルミニウムシートが該開口部を介して上記プリント
回路基板上の接地電極に接続していることが好ましい。
これにより、アルミニウムシートの電位がアース電位に
固定され、電磁気ノイズの遮蔽効果が向上する。
記アルミニウムシートが該開口部を介して上記プリント
回路基板上の接地電極に接続していることが好ましい。
これにより、アルミニウムシートの電位がアース電位に
固定され、電磁気ノイズの遮蔽効果が向上する。
【００１１】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は本発明のメ
モリモジュールの一例を示す（ａ）斜視図、（ｂ）平面
図及び（ｃ）断面図である。
モリモジュールの一例を示す（ａ）斜視図、（ｂ）平面
図及び（ｃ）断面図である。
【００１２】本発明のメモリモジュールは、プリント回
路基板１０上に、複数個の半導体メモリチップ１２を実
装して成り、アルミニウムシート１６と粘着シート１８
を積層したシールドシート１４が、上記半導体メモリチ
ップ１２を覆って、上記半導体メモリチップ１２の上面
及び上記プリント回路基板の上面１０に接着されてい
る。
路基板１０上に、複数個の半導体メモリチップ１２を実
装して成り、アルミニウムシート１６と粘着シート１８
を積層したシールドシート１４が、上記半導体メモリチ
ップ１２を覆って、上記半導体メモリチップ１２の上面
及び上記プリント回路基板の上面１０に接着されてい
る。
【００１３】プリント回路基板１０は、一般的にメモリ
モジュールに使用されるものであれば良く、例えばガラ
スエポキシ等の絶縁基板に銅等の配線パターンを形成し
た基板が使用できる。
モジュールに使用されるものであれば良く、例えばガラ
スエポキシ等の絶縁基板に銅等の配線パターンを形成し
た基板が使用できる。
【００１４】プリント回路基板１０上には、複数個の半
導体メモリチップ１２が、例えばＣＳＰ等の実装法によ
り実装されている。半導体メモリチップ１２の構造は、
特に限定されないが、例えば、ＤＲＡＭ等のメモリ素子
を形成したシリコン基板をポリイミド等の絶縁基板上に
エポキシ樹脂によって封止した構造を有する。また、実
装法も特に限定されるものではないが、例えば、半導体
メモリチップ１２の下面に半田バンプをマトリックス状
に配列して形成し、この半田バンプをプリント回路基板
１０上に形成された端子に接続することにより実装され
る。
導体メモリチップ１２が、例えばＣＳＰ等の実装法によ
り実装されている。半導体メモリチップ１２の構造は、
特に限定されないが、例えば、ＤＲＡＭ等のメモリ素子
を形成したシリコン基板をポリイミド等の絶縁基板上に
エポキシ樹脂によって封止した構造を有する。また、実
装法も特に限定されるものではないが、例えば、半導体
メモリチップ１２の下面に半田バンプをマトリックス状
に配列して形成し、この半田バンプをプリント回路基板
１０上に形成された端子に接続することにより実装され
る。
【００１５】シールドシート１４は、例えば、図２に
（ａ）平面図及び（ｂ）断面図を示したように、アルミ
ニウムシート１６と粘着シート１８を積層して成る。シ
ールドシート１４は、粘着シ−ト１８を下面として、半
導体メモリチップ１２を覆うよう、半導体メモリチップ
１２の上面およびプリント回路基板１０の上面に接着さ
れている。尚、半導体メモリチップ１２のプリント回路
基板１０への十分な固定強度を確保するため、シールド
シート１４は半導体メモリチップ１２よりも十分に広い
範囲を覆うことができる面積を有することが好ましい。
（ａ）平面図及び（ｂ）断面図を示したように、アルミ
ニウムシート１６と粘着シート１８を積層して成る。シ
ールドシート１４は、粘着シ−ト１８を下面として、半
導体メモリチップ１２を覆うよう、半導体メモリチップ
１２の上面およびプリント回路基板１０の上面に接着さ
れている。尚、半導体メモリチップ１２のプリント回路
基板１０への十分な固定強度を確保するため、シールド
シート１４は半導体メモリチップ１２よりも十分に広い
範囲を覆うことができる面積を有することが好ましい。
【００１６】アルミニウムシート１６は、電磁気ノイズ
を遮蔽し、放熱板としての役割を果たし得るものであれ
ば良く、特に材質及び厚みは限定されない。但し、シー
ルドシート１４は半導体メモリチップ１２を覆うように
変形できる可とう性を有することが好ましいため、アル
ミニウムシート１６の厚みを、そのノイズ遮蔽効果及び
放熱効果を妨げない範囲で薄くすることが好ましい。
尚、アルミニウムシートに代えて他の金属シートも使用
し得るが、経済性、熱伝導率等の観点からアルミニウム
シートの使用が好ましい。
を遮蔽し、放熱板としての役割を果たし得るものであれ
ば良く、特に材質及び厚みは限定されない。但し、シー
ルドシート１４は半導体メモリチップ１２を覆うように
変形できる可とう性を有することが好ましいため、アル
ミニウムシート１６の厚みを、そのノイズ遮蔽効果及び
放熱効果を妨げない範囲で薄くすることが好ましい。
尚、アルミニウムシートに代えて他の金属シートも使用
し得るが、経済性、熱伝導率等の観点からアルミニウム
シートの使用が好ましい。
【００１７】粘着シート１８は、アルミニウムシート１
６を保持し、半導体メモリチップ１２をプリント回路基
板１０に固定し得るものであれば良く、紙製、布製、ポ
リマー製、いずれも使用可能である。尚、粘着シート１
８は、プリント回路基板１０上の配線パターンに接する
ため、電気絶縁性の高い材料であることが好ましい。ま
た、粘着シート１８は、繰り返し脱着可能な材質である
ことが好ましい。シールドシート１４を接着した後に、
メモリモジュールの半導体メモリチップの交換などの作
業が必要となる場合もあるからである。
６を保持し、半導体メモリチップ１２をプリント回路基
板１０に固定し得るものであれば良く、紙製、布製、ポ
リマー製、いずれも使用可能である。尚、粘着シート１
８は、プリント回路基板１０上の配線パターンに接する
ため、電気絶縁性の高い材料であることが好ましい。ま
た、粘着シート１８は、繰り返し脱着可能な材質である
ことが好ましい。シールドシート１４を接着した後に、
メモリモジュールの半導体メモリチップの交換などの作
業が必要となる場合もあるからである。
【００１８】さらに、粘着シート１８は、半導体メモリ
チップ１２からの発熱がアルミニウムシート１６に良好
に伝導し得るものであることが好ましい。アルミニウム
は熱伝導率が高いため、熱をアルミニウムシート１６に
伝導させることによりアルミニウムシート１６が放熱板
としての役割を果たすからである。従って、粘着シート
１８は、必要な絶縁性及び接着強度を維持可能な範囲で
薄いことが好ましく、また熱伝導率の高い材質であるこ
とが好ましい。
チップ１２からの発熱がアルミニウムシート１６に良好
に伝導し得るものであることが好ましい。アルミニウム
は熱伝導率が高いため、熱をアルミニウムシート１６に
伝導させることによりアルミニウムシート１６が放熱板
としての役割を果たすからである。従って、粘着シート
１８は、必要な絶縁性及び接着強度を維持可能な範囲で
薄いことが好ましく、また熱伝導率の高い材質であるこ
とが好ましい。
【００１９】尚、本実施の形態においてシールドシート
が粘着シートとアルミニウムシートの２層構造である場
合を例として示したが、この構造に限定されるものでは
ない。例えば、メモリモジュールに近接する他の回路ボ
ードとの短絡防止のために、アルミニウムシートの上面
をさらに薄い電気絶縁性のシートで覆っても良い。
が粘着シートとアルミニウムシートの２層構造である場
合を例として示したが、この構造に限定されるものでは
ない。例えば、メモリモジュールに近接する他の回路ボ
ードとの短絡防止のために、アルミニウムシートの上面
をさらに薄い電気絶縁性のシートで覆っても良い。
【００２０】実施の形態２．図３は本実施の形態におけ
るシールドシートを示す（ａ）平面図及び（ｂ）断面図
である。本実施の形態のシールドシート１４も、アルミ
ニウムシート１６と粘着シート１８を積層してなるが、
粘着シート１８には、プリント回路基板１０の上面に直
接接着する領域に開口部１８ａが設けられている。アル
ミニウムシート１６は、開口部１８ａを介してプリント
回路基板１０の上面と接触できるように加工されてい
る。即ち、図３（ｂ）に示したように、アルミニウムシ
ート１６が開口部１８ａから突出する突起部１６ａを形
成するようにプレス加工されている。また、プレス加工
による突起部１６ａの形成に代えて、アルミニウムシー
ト１６に別の金属部材を接合して開口部１８ａから突出
させても良い。
るシールドシートを示す（ａ）平面図及び（ｂ）断面図
である。本実施の形態のシールドシート１４も、アルミ
ニウムシート１６と粘着シート１８を積層してなるが、
粘着シート１８には、プリント回路基板１０の上面に直
接接着する領域に開口部１８ａが設けられている。アル
ミニウムシート１６は、開口部１８ａを介してプリント
回路基板１０の上面と接触できるように加工されてい
る。即ち、図３（ｂ）に示したように、アルミニウムシ
ート１６が開口部１８ａから突出する突起部１６ａを形
成するようにプレス加工されている。また、プレス加工
による突起部１６ａの形成に代えて、アルミニウムシー
ト１６に別の金属部材を接合して開口部１８ａから突出
させても良い。
【００２１】図３（ｃ）は、本実施の形態に係るメモリ
モジュールの斜視図を示す。図３（ａ）及び（ｂ）に示
した構造のシールドシートが、半導体メモリチップ１２
を覆って、半導体メモリチップ１２の上面およびプリン
ト回路基板１０の上面に接着される。プリント回路基板
１０には接地電極２０が形成されており、アルミニウム
シート１６の突起部１６ａと電気的に接触するように配
置されている。アルミニウムシート１６の突起部１６ａ
と接地電極２０の間の電気接触は、突起部１６ａを囲む
粘着シート１８の接着力によって維持される。
モジュールの斜視図を示す。図３（ａ）及び（ｂ）に示
した構造のシールドシートが、半導体メモリチップ１２
を覆って、半導体メモリチップ１２の上面およびプリン
ト回路基板１０の上面に接着される。プリント回路基板
１０には接地電極２０が形成されており、アルミニウム
シート１６の突起部１６ａと電気的に接触するように配
置されている。アルミニウムシート１６の突起部１６ａ
と接地電極２０の間の電気接触は、突起部１６ａを囲む
粘着シート１８の接着力によって維持される。
【００２２】接地電極２０は、メモリモジュールを構成
する回路のアース配線に接続しており、例えば金をフラ
ッシュメッキすることにより形成される。
する回路のアース配線に接続しており、例えば金をフラ
ッシュメッキすることにより形成される。
【００２３】本実施の形態において、アルミニウムシー
ト１６の電位は接地電極２０によってアース電位に固定
されているため、メモリモジュールに出入りする電磁気
ノイズをより効果的に遮断することができる。また、メ
モリモジュール回路自身の接地電極の面積を増加させる
事にもなるため、メモリモジュール内のノイズも低減さ
れる。
ト１６の電位は接地電極２０によってアース電位に固定
されているため、メモリモジュールに出入りする電磁気
ノイズをより効果的に遮断することができる。また、メ
モリモジュール回路自身の接地電極の面積を増加させる
事にもなるため、メモリモジュール内のノイズも低減さ
れる。
【００２４】
【発明の効果】本発明のメモリモジュールは、シールド
シートによって半導体メモリチップが電磁気ノイズから
遮蔽されると共にプリント回路基板に固定されているた
め、外部に放出する電磁気ノイズが少なく、半導体メモ
リチップ接続不良に関する耐振性が高い。また、シール
ドシート中のアルミニウムシートが放熱板の役割を果た
し得るため、放熱性も良い。
シートによって半導体メモリチップが電磁気ノイズから
遮蔽されると共にプリント回路基板に固定されているた
め、外部に放出する電磁気ノイズが少なく、半導体メモ
リチップ接続不良に関する耐振性が高い。また、シール
ドシート中のアルミニウムシートが放熱板の役割を果た
し得るため、放熱性も良い。
【００２５】また、シールドシート中のアルミニウムシ
ートをプリント回路基板の接地電極に接続することによ
り、アルミニウムシートの電磁気ノイズの遮蔽効果を向
上させ、本発明のメモリモジュールが外部に放出する電
磁気ノイズをさらに減少することができる。
ートをプリント回路基板の接地電極に接続することによ
り、アルミニウムシートの電磁気ノイズの遮蔽効果を向
上させ、本発明のメモリモジュールが外部に放出する電
磁気ノイズをさらに減少することができる。
【図１】 本発明の実施の形態１のメモリモジュールを
示す（ａ）斜視図、（ｂ）平面図及び（ｃ）断面図であ
る。
示す（ａ）斜視図、（ｂ）平面図及び（ｃ）断面図であ
る。
【図２】 本発明の実施の形態１のシールドシートを示
す（ａ）平面図及び（ｂ）断面図である。
す（ａ）平面図及び（ｂ）断面図である。
【図３】 （ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施の形態２
のシールドシートを示す平面図及び断面図であり、
（ｃ）は本発明の実施の形態２のメモリモジュールを示
す斜視図である。
のシールドシートを示す平面図及び断面図であり、
（ｃ）は本発明の実施の形態２のメモリモジュールを示
す斜視図である。
１０ プリント回路基板、１２ 半導体メモリチップ、
１４ シールドシート、１６ アルミニウムシート、１
８ 粘着シート、２０ 接地電極、１６ａ 突起部、１
８ａ 開口部。
１４ シールドシート、１６ アルミニウムシート、１
８ 粘着シート、２０ 接地電極、１６ａ 突起部、１
８ａ 開口部。
Claims (2)
- 【請求項１】 プリント回路基板上に、複数個の半導体
メモリチップを実装して成るメモリモジュールであっ
て、 少なくとも粘着シートとアルミニウムシートを積層して
成るシールドシートを、上記半導体メモリチップを覆っ
て、上記半導体メモリチップの上面及び上記プリント回
路基板の上面に接着し、上記半導体メモリチップを電磁
気的に遮蔽すると共に上記プリント回路基板に固定した
メモリモジュール。 - 【請求項２】 上記粘着シートが開口部を備え、上記ア
ルミニウムシートが該開口部を介して上記プリント回路
基板上の接地電極に接続したことを特徴とする請求項１
記載のメモリモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11047946A JP2000251463A (ja) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | メモリモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11047946A JP2000251463A (ja) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | メモリモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000251463A true JP2000251463A (ja) | 2000-09-14 |
Family
ID=12789543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11047946A Pending JP2000251463A (ja) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | メモリモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000251463A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004119445A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄型電磁シールドおよび薄型電磁シールドが用いられたフレキシブル回路基板 |
| US6992893B2 (en) * | 2003-01-10 | 2006-01-31 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Heat sink attachment |
| US7202422B2 (en) | 2002-04-23 | 2007-04-10 | Nec Corporation | Electromagnetically shielded circuit device and shielding method therefor |
| US7215551B2 (en) * | 2004-09-29 | 2007-05-08 | Super Talent Electronics, Inc. | Memory module assembly including heat sink attached to integrated circuits by adhesive |
| JP2007526584A (ja) * | 2004-03-03 | 2007-09-13 | ハベル、インコーポレーテッド | データ端末装置、電力供給、およびデータ収集のための回路分離を備えるミッドスパン型パッチ・パネル |
| US7345892B2 (en) | 2004-05-20 | 2008-03-18 | Nec Corporation | Semiconductor device, noise reduction method, and shield cover |
| JPWO2006082889A1 (ja) * | 2005-02-07 | 2008-08-07 | パイオニア株式会社 | トラバースメカおよびディスク装置 |
| US7609523B1 (en) | 2004-09-29 | 2009-10-27 | Super Talent Electronics, Inc. | Memory module assembly including heat sink attached to integrated circuits by adhesive and clips |
| KR100942725B1 (ko) | 2007-12-11 | 2010-02-16 | 주식회사 티엘아이 | 노이즈의 유입을 차단시키는 테이프 배선기판 |
| US7768785B2 (en) | 2004-09-29 | 2010-08-03 | Super Talent Electronics, Inc. | Memory module assembly including heat-sink plates with heat-exchange fins attached to integrated circuits by adhesive |
| US7944703B2 (en) | 2004-09-29 | 2011-05-17 | Super Talent Electronics, Inc. | Flash memory device assembly using adhesive |
-
1999
- 1999-02-25 JP JP11047946A patent/JP2000251463A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7202422B2 (en) | 2002-04-23 | 2007-04-10 | Nec Corporation | Electromagnetically shielded circuit device and shielding method therefor |
| JP2004119445A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄型電磁シールドおよび薄型電磁シールドが用いられたフレキシブル回路基板 |
| JP4567281B2 (ja) * | 2002-09-24 | 2010-10-20 | パナソニック株式会社 | 電磁シールド付きフレキシブル回路基板 |
| US6992893B2 (en) * | 2003-01-10 | 2006-01-31 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Heat sink attachment |
| JP2007526584A (ja) * | 2004-03-03 | 2007-09-13 | ハベル、インコーポレーテッド | データ端末装置、電力供給、およびデータ収集のための回路分離を備えるミッドスパン型パッチ・パネル |
| US7345892B2 (en) | 2004-05-20 | 2008-03-18 | Nec Corporation | Semiconductor device, noise reduction method, and shield cover |
| US7365985B1 (en) | 2004-09-29 | 2008-04-29 | Super Talent Electronics, Inc. | Memory module assembly including heat sink attached to integrated circuits by adhesive |
| US7609523B1 (en) | 2004-09-29 | 2009-10-27 | Super Talent Electronics, Inc. | Memory module assembly including heat sink attached to integrated circuits by adhesive and clips |
| US7768785B2 (en) | 2004-09-29 | 2010-08-03 | Super Talent Electronics, Inc. | Memory module assembly including heat-sink plates with heat-exchange fins attached to integrated circuits by adhesive |
| US7215551B2 (en) * | 2004-09-29 | 2007-05-08 | Super Talent Electronics, Inc. | Memory module assembly including heat sink attached to integrated circuits by adhesive |
| US7944703B2 (en) | 2004-09-29 | 2011-05-17 | Super Talent Electronics, Inc. | Flash memory device assembly using adhesive |
| JPWO2006082889A1 (ja) * | 2005-02-07 | 2008-08-07 | パイオニア株式会社 | トラバースメカおよびディスク装置 |
| KR100942725B1 (ko) | 2007-12-11 | 2010-02-16 | 주식회사 티엘아이 | 노이즈의 유입을 차단시키는 테이프 배선기판 |
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