JP2000243658A - Method and apparatus for manufacturing film, film, film laminated body, and film component - Google Patents
Method and apparatus for manufacturing film, film, film laminated body, and film componentInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜の製造方法及
び薄膜の製造装置、並びに薄膜及び薄膜積層体、及び薄
膜部品に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for manufacturing a thin film, a thin film and a thin film laminate, and a thin film component.
【０００２】[0002]
【従来の技術】現代社会に於て薄膜の果たす役割は非常
に広範囲であり、包装紙、磁気テ−プ、コンデンサ、半
導体等日常生活の様々な部分において薄膜が利用されて
いる。これらの薄膜無しには、近年に於ける高性能化や
小型化といった技術の基本トレンドを語ることは出来な
い。2. Description of the Related Art Thin films play a very wide role in modern society, and are used in various parts of daily life such as wrapping paper, magnetic tape, capacitors, semiconductors and the like. Without these thin films, it is impossible to talk about the basic trends in technology such as high performance and miniaturization in recent years.
【０００３】同時に、工業的需要を満足する形で薄膜を
形成する方法についても種々の開発がなされており、例
えば包装紙、磁気テ−プ、コンデンサ等の用途において
は、高速大量生産に有利な連続巻取り真空蒸着が行われ
ている。その際、蒸発材料と基板材料を形成する薄膜の
目的に合わせて選ぶと同時に、必要に応じて真空槽内に
反応ガスを導入することや、基板に電位を設けた状態で
薄膜を形成することによって所望の特性を持った薄膜を
形成することが出来る。例えば、磁気記録媒体の製造に
おいてはＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ等の磁性元素を含む蒸発材料
を用い、真空槽中に酸素ガスを導入しながら反応蒸着を
行うことによって長尺の磁気記録媒体を得ることが出来
る。At the same time, various developments have been made on a method of forming a thin film so as to satisfy industrial demand. For example, in applications such as wrapping paper, magnetic tape, and capacitors, it is advantageous for high-speed mass production. Continuous winding vacuum evaporation is performed. At this time, select the evaporation material and the substrate material according to the purpose of the thin film to be formed, and at the same time, introduce a reactive gas into the vacuum chamber as necessary, and form the thin film with the potential applied to the substrate. Accordingly, a thin film having desired characteristics can be formed. For example, in the manufacture of a magnetic recording medium, a long magnetic recording medium is obtained by performing a reactive deposition while introducing an oxygen gas into a vacuum chamber using an evaporation material containing a magnetic element such as Co, Ni, and Fe. Can be done.
【０００４】また、半導体に於いては主にスパッタ法に
よって薄膜が形成されている。スパッタ法はセラミック
系の材料を用いた薄膜形成にも特に有効であり、セラミ
ック薄膜は膜厚数μｍ以上では塗布焼成法で形成され、
１μｍ以下ではスパッタ法で形成される場合が多い。[0004] In a semiconductor, a thin film is formed mainly by a sputtering method. The sputtering method is also particularly effective for forming a thin film using a ceramic material. The ceramic thin film is formed by a coating and firing method when the film thickness is several μm or more.
If it is 1 μm or less, it is often formed by a sputtering method.
【０００５】一方、樹脂材料を用いた薄膜の形成は塗装
による方法が用いられ、リバースコートや、ダイコート
が工業的に用いられており、溶剤で希釈した材料を塗工
後乾燥硬化させることが一般的である。また、これらの
工法で形成される樹脂薄膜の膜厚の下限は使用する材料
によるが、１μｍ前後であることが多く、それ以下の膜
厚は得られにくい場合が多い。一般的な塗工手段では塗
工直後の塗布厚が数μｍ以上となるために、極薄樹脂膜
の形成には溶剤希釈が必要であり、しかも１μｍ以下の
樹脂薄膜が得られない場合も多い。更に、溶剤希釈を行
うと乾燥後の塗膜に欠陥が生じ易い他、環境保護の観点
からも好ましくない。そこで溶剤希釈を行わなくとも樹
脂薄膜が形成できる方法及び、極薄の樹脂薄膜が安定に
得られる方法が望まれている。これを解決する方法とし
て、真空中で樹脂薄膜を形成する方法が提案されてい
る。これは、真空中で樹脂材料を気化した後に支持体に
付着させる方法であり、この方々によれば空隙欠陥のな
い樹脂薄膜を形成する事が出来ると共に、溶剤希釈の必
要もない。On the other hand, a thin film using a resin material is formed by a coating method, and a reverse coat or a die coat is industrially used. In general, a material diluted with a solvent is dried and cured after coating. It is a target. Although the lower limit of the thickness of the resin thin film formed by these methods depends on the material used, it is often about 1 μm, and it is often difficult to obtain a thickness less than that. With a general coating method, the coating thickness immediately after coating is several μm or more, so that a solvent dilution is necessary for forming an ultrathin resin film, and a resin thin film of 1 μm or less cannot be obtained in many cases. . Further, when the solvent is diluted, the coating film after drying tends to have defects, and is not preferable from the viewpoint of environmental protection. Therefore, a method capable of forming a resin thin film without performing solvent dilution and a method capable of stably obtaining an extremely thin resin thin film are desired. As a method for solving this, a method of forming a resin thin film in a vacuum has been proposed. This is a method in which a resin material is vaporized in a vacuum and then attached to a support. According to these methods, a resin thin film having no void defects can be formed, and there is no need for solvent dilution.
【０００６】セラミック薄膜や樹脂薄膜の上に更に異種
の薄膜を積層することによって従来得られなかった様々
な複合薄膜が得られる様になり、その工業的利用分野は
非常に多岐にわたる。その中でもチップ形状の電子部品
は非常に有望であり、コンデンサ等が薄膜積層によって
極めて小型かつ高性能に形成できつつあり、既に商品化
・市場拡大が始まっている。[0006] By laminating different kinds of thin films on a ceramic thin film or a resin thin film, various composite thin films which could not be obtained conventionally can be obtained, and their industrial application fields are very diverse. Among them, chip-shaped electronic components are very promising, and capacitors and the like can be formed with extremely small size and high performance by laminating thin films, and commercialization and market expansion have already begun.
【０００７】電子部品を得るには電極が不可欠であるこ
とは言うまでもないが、金属薄膜を用いた電子部品にお
いては、金属薄膜にパターニングを行うことで電位の異
なる金属薄膜を電子部品の中に形成することが出来る。
即ち、パターニング部分を絶縁領域として金属薄膜を複
数に分割したものを用い、これを絶縁性薄膜と積層する
ことで複雑な電子部品を形成することも出来る。Needless to say, electrodes are indispensable to obtain an electronic component. However, in an electronic component using a metal thin film, a metal thin film having a different potential is formed in the electronic component by patterning the metal thin film. You can do it.
That is, a complex electronic component can be formed by using a metal thin film divided into a plurality of parts with the patterning portion as an insulating region and laminating this into an insulating thin film.
【０００８】図１０は薄膜を積層することにより電子部
品を製造するための製造装置の一例を示した概略断面図
である。図１０において、５は真空槽、６は真空槽５内
部を所定の真空度に維持するための真空ポンプ、７は所
定温度に冷却され、矢印１７の方向に回転する円筒状の
キャン、８はキャン７の外周表面に金属薄膜を形成する
ための金属薄膜形成源（例えば金属蒸着装置）、９はキ
ャン７の外周表面に樹脂薄膜を形成するための樹脂薄膜
形成源（例えば樹脂材料を気化させる気化装置）、１０
は樹脂薄膜形成源９によって形成された樹脂薄膜を所定
硬度に硬化させる硬化装置（例えば樹脂薄膜を紫外線硬
化させる紫外線硬化装置）、１１は金属薄膜を所定形状
にパターニングするためのパターニング材料付与装置、
１２は余剰のパターニング材料を蒸発又は分解等により
除去するためのパターニング材料除去装置、２０ａ，２
０ｂは金属薄膜形成源８を含む金属薄膜形成領域を他の
領域から分離するための遮蔽板である。FIG. 10 is a schematic sectional view showing an example of a manufacturing apparatus for manufacturing an electronic component by laminating thin films. In FIG. 10, 5 is a vacuum tank, 6 is a vacuum pump for maintaining the inside of the vacuum tank 5 at a predetermined degree of vacuum, 7 is a cylindrical can cooled to a predetermined temperature and rotated in the direction of arrow 17, 8 is A metal thin film forming source (for example, a metal vapor deposition device) for forming a metal thin film on the outer peripheral surface of the can 7, and a resin thin film forming source (for example, a resin material is vaporized) for forming a resin thin film on the outer peripheral surface of the can 7. Vaporizer), 10
Is a curing device for curing the resin thin film formed by the resin thin film forming source 9 to a predetermined hardness (for example, an ultraviolet curing device for ultraviolet curing the resin thin film), 11 is a patterning material applying device for patterning the metal thin film into a predetermined shape,
Reference numeral 12 denotes a patterning material removing device for removing excess patterning material by evaporation or decomposition, and the like.
Reference numeral 0b denotes a shielding plate for separating the metal thin film forming region including the metal thin film forming source 8 from other regions.
【０００９】このような図１０の薄膜の製造装置によれ
ば、円筒状冷却キャン７の外周面上に、金属薄膜形成源
８による金属薄膜と、樹脂薄膜形成源９による樹脂薄膜
とが交互に積層された薄膜積層体が形成できる。形成さ
れた薄膜積層体を冷却キャン７から分離して、各々の電
子部品の必要に応じた大きさに切断したり、外部電極を
付与したりすることにより多数の電子部品を得ることが
できる。According to the thin film manufacturing apparatus shown in FIG. 10, the metal thin film formed by the metal thin film forming source 8 and the resin thin film formed by the resin thin film forming source 9 are alternately formed on the outer peripheral surface of the cylindrical cooling can 7. A laminated thin film laminate can be formed. A large number of electronic components can be obtained by separating the formed thin film stack from the cooling can 7 and cutting each electronic component into a required size, or by providing external electrodes.
【００１０】なお、パターニングされた金属薄膜を得る
手段としては、オイルマージンと呼ばれる手法等を用い
ることが出来る。これは、パターニング材料付与装置１
１を用いて、樹脂薄膜面上に予めパターニング材料を薄
く形成した後に、金属薄膜を蒸着などによって形成する
と、パターニング材料上には金属薄膜が形成されないこ
とを利用したものである。このようにして形成された金
属薄膜はパターニング部分が抜けた状態で形成されてお
り、所望のパターンを持つ金属薄膜を形成することが出
来る。例えば図１０の装置で金属薄膜と樹脂薄膜の交互
積層を繰り返す際に、パターニング位置を切り替えて積
層し、後に積層体を切断することで図１１の様な断面構
造を有するコンデンサを多数得ることが出来る。図１１
において、１は金属薄膜、４はパターン位置、１９は樹
脂薄膜、１４は金属薄膜１と電気的に接続された外部電
極である。また、図１１の紙面垂直方向はキャン７の外
周面の走行方向に一致する。As a means for obtaining a patterned metal thin film, a technique called an oil margin can be used. This is the patterning material applying device 1
The method utilizes the fact that a metal thin film is not formed on a patterning material by forming a metal thin film by vapor deposition or the like after forming a thin patterning material in advance on the resin thin film surface using No. 1. The metal thin film thus formed is formed in a state where the patterning portion is removed, and a metal thin film having a desired pattern can be formed. For example, when alternate lamination of a metal thin film and a resin thin film is repeated in the apparatus of FIG. 10, it is possible to obtain a large number of capacitors having a sectional structure as shown in FIG. I can do it. FIG.
In the figure, 1 is a metal thin film, 4 is a pattern position, 19 is a resin thin film, and 14 is an external electrode electrically connected to the metal thin film 1. The direction perpendicular to the paper surface of FIG. 11 corresponds to the running direction of the outer peripheral surface of the can 7.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】薄膜積層体で電子部品
を形成する際には電極面積が重要である。即ち部品の性
能は有効に作用する電極の面積に依存しており、限られ
た部品形状の中で如何に大きな作用面積を有する電極を
形成するかが課題である。例えば、図１１のようなコン
デンサにおいては、電極面積の大小はコンデンサ容量と
密接に関係する。When an electronic component is formed from a thin film laminate, the area of an electrode is important. That is, the performance of the component depends on the area of the electrode that works effectively, and the problem is how to form an electrode having a large working area in a limited component shape. For example, in the capacitor as shown in FIG. 11, the size of the electrode area is closely related to the capacitance of the capacitor.
【００１２】従来、電極面積を大きくする手段として、
部品形状の中での無効部分を小さくし積層数を増やすこ
とで電極面積をかせぐことが行われてきた。しかしなが
らこのような手段は技術的にもコスト的にも問題があ
り、新たな技術が求められている。Conventionally, as means for increasing the electrode area,
It has been practiced to increase the electrode area by reducing the ineffective portion in the component shape and increasing the number of layers. However, such means have technical and cost problems, and new techniques are required.
【００１３】本発明は、電極の有効作用面積を大きくす
ることが可能な薄膜の製造方法及び製造装置を提供する
ことを目的とする。また、本発明は、電極の有効作用面
積を大きくすることができる薄膜、薄膜積層体、及び薄
膜部品を提供することを目的とする。It is an object of the present invention to provide a method and an apparatus for manufacturing a thin film capable of increasing the effective working area of an electrode. Another object of the present invention is to provide a thin film, a thin film laminate, and a thin film component that can increase the effective working area of the electrode.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために以下の構成とする。The present invention has the following configuration to achieve the above object.
【００１５】即ち、本発明の薄膜の製造方法は、真空中
で微粒子化又は気化させた樹脂薄膜材料又は絶縁性薄膜
材料を支持体上に付着させて樹脂薄膜又は絶縁性薄膜を
形成する薄膜の製造方法において、前記微粒子化又は気
化させた樹脂薄膜材料又は絶縁性薄膜材料を支持体上に
付着させる際に、同時に導電性材料を真空プロセスで支
持体上に付着させることにより、前記樹脂薄膜又は絶縁
性薄膜中に前記導電性材料を混入させることを特徴とす
る。That is, the method for producing a thin film according to the present invention is a method for forming a resin thin film or an insulating thin film by adhering a resin thin film material or an insulating thin film material atomized or vaporized in a vacuum onto a support. In the manufacturing method, when the finely divided or vaporized resin thin film material or insulating thin film material is deposited on a support, a conductive material is simultaneously deposited on the support by a vacuum process, whereby the resin thin film or The method is characterized in that the conductive material is mixed into an insulating thin film.
【００１６】かかる構成によれば、樹脂薄膜又は絶縁性
薄膜中に導電性材料が混入された薄膜が得られるから、
これに金属薄膜等の電極を積層すれば、該電極と導電性
材料とが電気的に接続することにより電極の有効作用面
積を大きくすることができる。この結果、例えば小型で
ありながら高性能な電子部品を製造することが可能にな
る。According to this structure, a thin film in which a conductive material is mixed in a resin thin film or an insulating thin film can be obtained.
If an electrode such as a metal thin film is laminated on this, the effective working area of the electrode can be increased by electrically connecting the electrode to a conductive material. As a result, for example, it is possible to manufacture a high-performance electronic component that is small in size.
【００１７】上記の構成において、前記導電性材料が、
前記樹脂薄膜又は絶縁性薄膜中で樹枝状のつながりを有
することが好ましい。かかる好ましい構成によれば、樹
枝状につながった導電性材料が電極として機能できるの
で、電極の有効作用面積を大きくすることができる。In the above configuration, the conductive material may be:
The resin thin film or the insulating thin film preferably has a tree-like connection. According to such a preferred configuration, the conductive material connected in a tree shape can function as an electrode, and thus the effective working area of the electrode can be increased.
【００１８】また、上記の構成において、前記導電性材
料を、前記樹脂薄膜又は絶縁性薄膜中に分布密度に傾斜
を有して混入させることが好ましい。かかる好ましい構
成によれば、分布密度が大である側に電極を形成すれ
ば、該電極の有効作用面積を大きくすることができる。In the above structure, it is preferable that the conductive material is mixed in the resin thin film or the insulating thin film with a gradient in distribution density. According to such a preferred configuration, if an electrode is formed on the side where the distribution density is large, the effective working area of the electrode can be increased.
【００１９】また、上記の構成において、前記真空プロ
セスが、蒸着、イオンプレーティング、及びスパッタの
いずれかであることが好ましい。かかる好ましい構成に
よれば、樹脂薄膜又は絶縁性薄膜の形成の際に導電性材
料を、効率的に、電気的に接続させながら混入させるこ
とができる。In the above structure, it is preferable that the vacuum process is any one of vapor deposition, ion plating, and sputtering. According to such a preferred configuration, a conductive material can be efficiently mixed while electrically connected when forming the resin thin film or the insulating thin film.
【００２０】また、上記の構成において、前記導電性材
料が炭素を主成分として含むことが好ましい。かかる好
ましい構成によれば、電極の有効作用面積の拡大効果が
より顕著に発現する。なお、「主成分として含む」と
は、該成分を５０重量％以上、好ましくは７０重量％以
上、特に９０重量％以上含有することをいう。In the above structure, the conductive material preferably contains carbon as a main component. According to such a preferred configuration, the effect of increasing the effective working area of the electrode is more remarkably exhibited. Here, "containing as a main component" means that the component is contained in an amount of 50% by weight or more, preferably 70% by weight or more, particularly 90% by weight or more.
【００２１】また、上記の構成において、前記樹脂薄膜
材料を絶縁性樹脂材料とすることができる。また、前記
樹脂薄膜材料に固体電解質を主成分として含有させても
良い。更に、前記樹脂薄膜材料をイオン伝導性を示す材
料とすることもできる。これらによって、各用途に応じ
た薄膜を効率よく製造することができる。なお、「主成
分として含む」とは、該成分を５０重量％以上、好まし
くは７０重量％以上、特に９０重量％以上含有すること
をいう。Further, in the above configuration, the resin thin film material may be an insulating resin material. Further, the resin thin film material may contain a solid electrolyte as a main component. Further, the resin thin film material may be a material exhibiting ion conductivity. Thus, a thin film suitable for each use can be efficiently produced. Here, "containing as a main component" means that the component is contained in an amount of 50% by weight or more, preferably 70% by weight or more, particularly 90% by weight or more.
【００２２】また、本発明の薄膜の製造装置は、真空槽
と、前記真空槽内を所定の真空度に維持する真空ポンプ
と、前記真空槽内に設置された支持体と、微粒子化又は
気化させた樹脂薄膜材料又は絶縁性薄膜材料を前記支持
体上に直接的若しくは間接的に付着させて樹脂薄膜又は
絶縁性薄膜を形成する装置と、前記樹脂薄膜材料又は絶
縁性薄膜材料の付着領域で導電性材料を真空プロセスに
より同時に付着させる装置とを有することを特徴とす
る。The apparatus for producing a thin film according to the present invention may further comprise a vacuum chamber, a vacuum pump for maintaining the inside of the vacuum chamber at a predetermined degree of vacuum, a support provided in the vacuum chamber, An apparatus for forming a resin thin film or an insulating thin film by directly or indirectly adhering the resin thin film material or the insulating thin film material onto the support, and an attaching region of the resin thin film material or the insulating thin film material. A device for simultaneously attaching the conductive material by a vacuum process.
【００２３】かかる構成によれば、樹脂薄膜又は絶縁性
薄膜中に導電性材料が混入された薄膜が得られるから、
これに金属薄膜等の電極を積層すれば、該電極と導電性
材料とが電気的に接続することにより電極の有効作用面
積を大きくすることができる。この結果、例えば小型で
ありながら高性能な電子部品を製造することが可能にな
る。なお、上記において、「直接的に」とは支持体表面
に接して薄膜材料を付着させることを意味し、「間接的
に」とは支持体上に薄膜等を介して薄膜材料を付着させ
ることを意味する。According to this structure, a thin film in which a conductive material is mixed in a resin thin film or an insulating thin film can be obtained.
If an electrode such as a metal thin film is laminated on this, the effective working area of the electrode can be increased by electrically connecting the electrode to a conductive material. As a result, for example, it is possible to manufacture a high-performance electronic component that is small in size. In the above, "directly" means attaching a thin film material in contact with the support surface, and "indirectly" means attaching a thin film material onto the support via a thin film or the like. Means
【００２４】上記の構成において、更に、前記支持体上
に金属薄膜を直接的若しくは間接的に形成する装置を有
することが好ましい。かかる好ましい構成によれば、電
極として機能する金属薄膜を同一の真空槽内で樹脂薄膜
又は絶縁性薄膜の形成と一緒に形成できるので、電極を
具備した薄膜を効率よく製造することができる。[0024] In the above structure, it is preferable that a device for directly or indirectly forming a metal thin film on the support is provided. According to this preferred configuration, the metal thin film functioning as an electrode can be formed together with the formation of the resin thin film or the insulating thin film in the same vacuum chamber, so that a thin film having the electrode can be efficiently manufactured.
【００２５】また、上記の構成において、前記樹脂薄膜
材料が絶縁性樹脂材料であってもよい。また、前記樹脂
薄膜材料がイオン伝導性を示す材料であっても良い。In the above structure, the resin thin film material may be an insulating resin material. Further, the resin thin film material may be a material exhibiting ion conductivity.
【００２６】また、本発明にかかる薄膜は、樹脂薄膜又
は絶縁性薄膜と、その少なくとも片面に形成された導電
性薄膜とを有する薄膜であって、前記導電性薄膜を形成
する材料と同一又は異なる導電性材料が前記樹脂薄膜又
は絶縁性薄膜中に混入しており、前記混入している導電
性材料の少なくとも一部は少なくとも片面の前記導電性
薄膜と電気的に接続していることを特徴とする。The thin film according to the present invention is a thin film having a resin thin film or an insulating thin film and a conductive thin film formed on at least one surface thereof, and is the same as or different from the material forming the conductive thin film. A conductive material is mixed in the resin thin film or the insulating thin film, and at least a part of the mixed conductive material is electrically connected to the conductive thin film on at least one surface. I do.
【００２７】かかる構成によれば、樹脂薄膜又は絶縁性
薄膜中に、表面の導電性薄膜と電気的に接続した導電性
材料が混入しているから、該導電性薄膜を電極とするこ
とにより、又は該導電性薄膜と電気的に接続された電極
を形成することにより、電極の有効作用面積を大きくす
ることができる。この結果、例えば小型でありながら高
性能な電子部品を製造することが可能になる。According to such a configuration, since the conductive material electrically connected to the conductive thin film on the surface is mixed in the resin thin film or the insulating thin film, the conductive thin film is used as an electrode. Alternatively, by forming an electrode which is electrically connected to the conductive thin film, the effective working area of the electrode can be increased. As a result, for example, it is possible to manufacture a high-performance electronic component that is small in size.
【００２８】上記の構成において、前記樹脂薄膜又は絶
縁性薄膜中に混入している導電性材料の分布密度が電気
的に接続している前記導電性薄膜の近傍で密になってい
ることが好ましい。かかる好ましい構成によれば、導電
性材料と導電性薄膜との電気的接続の信頼性が向上す
る。In the above structure, it is preferable that the distribution density of the conductive material mixed in the resin thin film or the insulating thin film is close to the conductive thin film electrically connected thereto. . According to such a preferred configuration, the reliability of the electrical connection between the conductive material and the conductive thin film is improved.
【００２９】また、上記の構成において、前記導電性薄
膜を金属薄膜とすることができる。Further, in the above configuration, the conductive thin film may be a metal thin film.
【００３０】また、上記の構成において、前記導電性薄
膜を炭素を主成分とする薄膜としても良い。この場合、
該導電性薄膜をそのまま電極としても良く、又は更に電
極としての金属薄膜等を積層しても良い。In the above structure, the conductive thin film may be a thin film containing carbon as a main component. in this case,
The conductive thin film may be used as an electrode as it is, or a metal thin film or the like as an electrode may be further laminated.
【００３１】また、上記の構成において、前記樹脂薄膜
又は絶縁性薄膜中に混入している導電性材料が炭素を主
成分とすることが好ましい。かかる好ましい構成によれ
ば、電極の有効作用面積の拡大効果がより顕著に発現す
る。なお、「主成分とする」とは、該成分を５０重量％
以上、好ましくは７０重量％以上、特に９０重量％以上
含有することをいう。In the above structure, the conductive material mixed into the resin thin film or the insulating thin film preferably contains carbon as a main component. According to such a preferred configuration, the effect of increasing the effective working area of the electrode is more remarkably exhibited. The term “main component” means that the component is 50% by weight.
As described above, the content is preferably 70% by weight or more, particularly 90% by weight or more.
【００３２】また、上記の構成において、前記樹脂薄膜
を絶縁性樹脂で構成しても良い。また、前記樹脂薄膜を
イオン伝導性を示す材料で構成しても良い。In the above configuration, the resin thin film may be made of an insulating resin. Further, the resin thin film may be made of a material having ion conductivity.
【００３３】また、本発明にかかる薄膜積層体は、前記
導電性薄膜が、前記樹脂薄膜又は絶縁性薄膜の片面にの
み形成された上記の薄膜を複数積層してなることを特徴
とする。The thin film laminate according to the present invention is characterized in that the conductive thin film is formed by laminating a plurality of the above thin films formed only on one surface of the resin thin film or the insulating thin film.
【００３４】また、本発明にかかる薄膜部品は、上記の
薄膜積層体と、複数の外部電極とを有し、前記薄膜積層
体の前記導電性薄膜の全て又は一部は、いずれか一つの
前記外部電極と電気的に接続されていることを特徴とす
る。Further, a thin-film component according to the present invention has the above-mentioned thin-film laminate and a plurality of external electrodes, and all or a part of the conductive thin film of the thin-film laminate is any one of the above-mentioned ones. It is characterized by being electrically connected to an external electrode.
【００３５】かかる構成によれば、例えば導電性薄膜を
電極として機能させた場合に、電極の有効作用面積を導
電性薄膜の実際の面積以上に大きくすることができる。
この結果、例えば小型でありながら高性能な電子部品を
製造することが可能になる。According to this configuration, for example, when the conductive thin film functions as an electrode, the effective working area of the electrode can be made larger than the actual area of the conductive thin film.
As a result, for example, it is possible to manufacture a high-performance electronic component that is small in size.
【００３６】[0036]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００３７】図１は、本発明の、金属薄膜と樹脂薄膜と
の薄膜積層体を製造するための装置の概略断面図であ
る。FIG. 1 is a schematic sectional view of an apparatus for manufacturing a thin film laminate of a metal thin film and a resin thin film according to the present invention.
【００３８】図１において、５は真空槽、６は真空槽５
内部を所定の真空度に維持するための真空ポンプ、７は
所定温度に冷却され、矢印１７の方向に回転する円筒状
のキャン、８はキャン７の外周表面に金属薄膜を形成す
るための金属薄膜形成源、９はキャン７の外周表面に樹
脂薄膜を形成するための樹脂薄膜形成源、１０は樹脂薄
膜形成源９によって形成された樹脂薄膜を所定硬度に硬
化させる硬化装置、１１は金属薄膜を所定形状にパター
ニングするためのパターニング材料付与装置、１２は余
剰のパターニング材料を蒸発又は分解等により除去する
ためのパターニング材料除去装置、１３はキャン７の外
周表面に導電性材料を付与するための導電性材料付与装
置、２０ａ，２０ｂは金属薄膜形成源８を含む金属薄膜
形成領域を他の領域から分離するための遮蔽板、２０ｃ
は導電性材料付与装置１３からの導電性材料がキャン７
へ付着する領域を制限するための遮蔽板である。In FIG. 1, reference numeral 5 denotes a vacuum chamber, and 6 denotes a vacuum chamber.
A vacuum pump for maintaining the inside at a predetermined degree of vacuum, 7 is a cylindrical can which is cooled to a predetermined temperature and rotates in the direction of arrow 17, 8 is a metal for forming a metal thin film on the outer peripheral surface of the can 7 A thin film forming source, 9 a resin thin film forming source for forming a resin thin film on the outer peripheral surface of the can 7, 10 a curing device for curing the resin thin film formed by the resin thin film forming source 9 to a predetermined hardness, 11 a metal thin film A patterning material applying device for patterning the can into a predetermined shape, a patterning material removing device 12 for removing excess patterning material by evaporation or decomposition, and a device 13 for applying a conductive material to the outer peripheral surface of the can 7. A conductive material applying device, 20a and 20b, a shielding plate for separating a metal thin film forming region including the metal thin film forming source 8 from other regions, 20c;
Is the conductive material from the conductive material applying device 13.
This is a shielding plate for limiting an area to be adhered to the surface.
【００３９】金属薄膜形成源８としては、抵抗加熱蒸発
源、誘導加熱蒸発源、電子ビーム蒸発源、スパッタ蒸発
源、クラスター蒸発源その他薄膜形成に用いる装置やそ
れらの組み合わせを、形成する金属薄膜に応じて用いる
ことが出来る。金属薄膜材料は特に限定されないが、例
えばアルミニウム、銅、銀、亜鉛、ニッケル、鉄、コバ
ルト、シリコン、ゲルマニウム、又はこれらの化合物若
しくは酸化物、又はこれらの化合物の酸化物等を、金属
薄膜の用途などに応じて選択することができる。The metal thin film forming source 8 includes a resistance heating evaporation source, an induction heating evaporation source, an electron beam evaporation source, a sputter evaporation source, a cluster evaporation source, and other devices used for forming a thin film, or a combination thereof. It can be used accordingly. Although the metal thin film material is not particularly limited, for example, aluminum, copper, silver, zinc, nickel, iron, cobalt, silicon, germanium, or a compound or oxide thereof, or an oxide of these compounds, etc. It can be selected according to, for example.
【００４０】樹脂薄膜形成源９としては、樹脂薄膜材料
をヒーター加熱により気化し、あるいは、超音波又はス
プレーにより気化又は霧化する装置等を用いることがで
き、形成する樹脂薄膜に応じた気化又は微粒子化手段を
選択することが出来る。ここで、樹脂薄膜材料として
は、例えば、アクリレート樹脂モノマー等の絶縁性樹脂
材料を用いることができる。あるいは、固体電界質を主
成分とし、イオン性物質を若干量含有することによりイ
オン伝導性を示す樹脂材料を用いることもできる。ここ
で、固体電解質としては例えばポリエチレンオキシド
（ＰＥＯ）系材料を、また、イオン性物質としては例え
ばリチウムイオンを、それぞれ使用することができる。As the resin thin film forming source 9, a device for vaporizing the resin thin film material by heating with a heater or vaporizing or atomizing by ultrasonic wave or spray can be used. Micronization means can be selected. Here, as the resin thin film material, for example, an insulating resin material such as an acrylate resin monomer can be used. Alternatively, a resin material having a solid electrolyte as a main component and exhibiting ion conductivity by containing a small amount of an ionic substance can be used. Here, for example, a polyethylene oxide (PEO) -based material can be used as the solid electrolyte, and lithium ions, for example, can be used as the ionic substance.
【００４１】樹脂薄膜形成後、樹脂薄膜材料の種類によ
っては、硬化装置１０により薄膜を所定硬度に硬化して
も良い。硬化手段としては、紫外線硬化、電子線硬化、
熱硬化あるいはそれらの組み合わせによる手段を用いる
ことが出来る。After the formation of the resin thin film, the thin film may be cured to a predetermined hardness by the curing device 10 depending on the type of the resin thin film material. Curing means include ultraviolet curing, electron beam curing,
Means by thermosetting or a combination thereof can be used.
【００４２】金属薄膜のパターニングのためのパターニ
ング材料付与装置１１は、キャン７の外周面に向けて所
定位置に形成された細孔から、気化したオイルなどのパ
ターニング材料を放出する。これによりパターニング材
料が金属薄膜を形成する面に予め薄くパターン塗布され
る。パターニング材料が塗布された部分には金属薄膜は
形成されない。金属薄膜のパターニング手段としては、
このようなオイルマージン方式の他にも、レーザーによ
る金属薄膜除去方式を用いることも出来る。The patterning material applying device 11 for patterning the metal thin film discharges a patterning material such as vaporized oil from a pore formed at a predetermined position toward the outer peripheral surface of the can 7. As a result, the patterning material is thinly applied in advance to the surface on which the metal thin film is to be formed. No metal thin film is formed on the portion where the patterning material is applied. As a means of patterning a metal thin film,
In addition to such an oil margin method, a method of removing a metal thin film by a laser can also be used.
【００４３】パターニング材料付与装置１１によってオ
イルなどのパターニング材料を付与した場合、金属薄膜
の形成後、余剰のパターニング材料をパターニング材料
除去装置１２により除去しておくのが好ましい。パター
ニング材料の除去方法としては、光照射や電熱ヒータに
よる加熱除去、又はプラズマ、電子、若しくはイオンの
照射による分解除去など、使用するパターニング材料の
種類に応じて選択することができる。When the patterning material such as oil is applied by the patterning material applying device 11, it is preferable that the excess patterning material is removed by the patterning material removing device 12 after forming the metal thin film. The method for removing the patterning material can be selected according to the type of the patterning material to be used, such as removal by heating with light irradiation or an electric heater, or decomposition and removal by irradiation with plasma, electrons, or ions.
【００４４】導電性材料付与装置１３は、導電性材料が
樹脂薄膜中に混入するように導電性材料を真空プロセス
にてキャン７の外周面上に付与するためのものである。
導電性材料としては炭素等を用いることが出来る。ま
た、導電性材料の付与手段としては、蒸着、スパッタ
ー、イオンビームスパッター、超音波噴霧など導電性材
料に応じた様々な方法を用いることが出来る。導電性材
料を樹脂薄膜中に混入させるためには、樹脂薄膜形成装
置９からの樹脂薄膜材料の分子流又は粒子流の中に導電
性材料の分子又は粒子を混入させて、その後これらがキ
ャン７の外周面上に付着するようにすればよい。図１の
装置では、樹脂薄膜形成装置９の導電性材料付与装置１
３側の隔壁の一部９ａを切り欠いて、該切り欠き部９ａ
から導電性材料の分子又は粒子を樹脂薄膜材料の分子流
又は粒子流の中に混入させている。このように、導電性
材料付与装置１３からの導電性材料の分子流又は粒子流
を樹脂薄膜の形成領域に差し向けることにより、導電性
材料が樹脂薄膜の中に混入した状態の樹脂薄膜が形成さ
れる。導電性材料の分子又は粒子の、樹脂薄膜材料の分
子流又は粒子流への混入のさせ方によって、形成される
樹脂薄膜中の導電性材料の混入割合や分散・偏在の仕方
が変化する。導電性材料の密度の高い部分では導電性が
発現し（樹脂薄膜材料としてイオン伝導性を示す樹脂材
料を用いた場合には、該樹脂材料のみからなる部分より
更に高い導電性が発現する）、金属薄膜と電気的なつな
がりを持つことによって金属薄膜の幾何学的な面積に比
べて遥かに大きな電気的な作用面積が得られる。The conductive material applying device 13 is for applying the conductive material to the outer peripheral surface of the can 7 by a vacuum process so that the conductive material is mixed into the resin thin film.
Carbon or the like can be used as the conductive material. As a means for applying the conductive material, various methods depending on the conductive material such as vapor deposition, sputtering, ion beam sputtering, and ultrasonic spraying can be used. In order to mix the conductive material into the resin thin film, molecules or particles of the conductive material are mixed into the molecular flow or the particle flow of the resin thin film material from the resin thin film forming apparatus 9, and then these are mixed with the can 7. May be attached to the outer peripheral surface of the first member. In the apparatus shown in FIG. 1, the conductive material applying apparatus 1 of the resin thin film forming apparatus 9 is used.
A part 9a of the partition wall on the third side is cut out, and the cutout 9a is formed.
Thus, the molecules or particles of the conductive material are mixed into the molecular or particle flow of the resin thin film material. As described above, by directing the molecular flow or the particle flow of the conductive material from the conductive material applying device 13 to the resin thin film formation region, a resin thin film in which the conductive material is mixed in the resin thin film is formed. Is done. Depending on how the molecules or particles of the conductive material are mixed into the molecular or particle flow of the resin thin film material, the mixing ratio of the conductive material in the formed resin thin film and the manner of dispersion and uneven distribution change. Conductivity is exhibited in a portion where the density of the conductive material is high (when a resin material having ionic conductivity is used as the resin thin film material, higher conductivity is exhibited than a portion composed of only the resin material), By having an electrical connection with the metal thin film, a much larger electrical working area can be obtained compared to the geometrical area of the metal thin film.
【００４５】以上の装置により、キャン７を回転させる
に従い、キャン７の外周面上に、金属薄膜と、導電性材
料が混入された樹脂薄膜とが交互に積層された薄膜積層
体が、キャン７の回転数に応じた積層数で、形成され
る。With the above-described apparatus, as the can 7 is rotated, a thin film laminate in which a metal thin film and a resin thin film mixed with a conductive material are alternately stacked on the outer peripheral surface of the can 7 is formed. Are formed with the number of laminations corresponding to the number of rotations.
【００４６】パターニングされた金属薄膜と樹脂薄膜と
を交互積層した薄膜積層体をキャン７から取り外し、所
定の大きさに切断後、必要に応じて溶射等によって外部
電極を形成すれば薄膜部品（電子部品）が作製できる。A thin film laminate in which a patterned metal thin film and a resin thin film are alternately stacked is detached from the can 7, cut into a predetermined size, and if necessary, external electrodes are formed by thermal spraying or the like to form a thin film component (electronic component). Parts).
【００４７】尚、図１は金属薄膜と樹脂薄膜の多層積層
体を形成する際の一方法を示したものであり、図１の方
法によって本発明の範囲が規制されるものではない。FIG. 1 shows one method for forming a multilayer laminate of a metal thin film and a resin thin film, and the scope of the present invention is not limited by the method of FIG.
【００４８】上記の説明において、樹脂薄膜形成源９を
用いて樹脂薄膜を形成する代わりに、絶縁性薄膜形成源
を用いてセラミック系材料等の無機材料からなる絶縁性
薄膜を形成しても良い。このとき、薄膜を形成する装置
としては、セラミック系材料等のスパッタ装置、又はそ
の酸化物のスパッタ装置又は蒸着装置等、形成する薄膜
材料に応じた装置を用いることが出来る。また、この場
合も、上記と同様に、絶縁性薄膜材料の分子流又は粒子
流の中に、導電性材料付与装置１３を用いて導電性材料
の分子又は粒子を混入させて、導電性材料が混入した絶
縁性薄膜を形成することができる。導電性材料の分子又
は粒子の、絶縁性材料の分子流又は粒子流への混入のさ
せ方によって、形成される絶縁性薄膜中の導電性材料の
混入割合や分散・偏在の仕方が変化する。導電性材料の
密度の高い部分では導電性が発現し、金属薄膜と電気的
なつながりを持つことによって金属薄膜の幾何学的な面
積に比べて遥かに大きな電気的な作用面積が得られる。
かくして、キャン７の外周面上に金属薄膜と、導電性材
料が混入された絶縁性薄膜とが交互に積層された薄膜積
層体が形成される。In the above description, instead of using the resin thin film forming source 9 to form a resin thin film, an insulating thin film made of an inorganic material such as a ceramic material may be formed using an insulating thin film forming source. . At this time, as a device for forming the thin film, a device corresponding to the thin film material to be formed, such as a sputtering device for a ceramic material or the like, a sputtering device or a vapor deposition device for an oxide thereof can be used. Also, in this case, similarly to the above, molecules or particles of the conductive material are mixed into the molecular flow or the particle flow of the insulating thin film material by using the conductive material applying device 13 so that the conductive material is A mixed insulating thin film can be formed. Depending on how molecules or particles of the conductive material are mixed into the molecular or particle flow of the insulating material, the mixing ratio of the conductive material in the formed insulating thin film and the manner of dispersion and uneven distribution change. In a portion where the conductive material has a high density, conductivity is exhibited, and an electrical connection with the metal thin film provides an electrically active area much larger than the geometrical area of the metal thin film.
Thus, on the outer peripheral surface of the can 7, a thin film laminate in which the metal thin films and the insulating thin films mixed with the conductive material are alternately stacked is formed.
【００４９】（実施例１）図１に示す装置を用いて、キ
ャン７の外周面上に、金属薄膜形成源８によりアルミニ
ウムの蒸着薄膜を形成し、樹脂薄膜形成源９により絶縁
性樹脂薄膜又はイオン伝導性樹脂薄膜を形成した。ま
た、導電性材料付与装置１３により、炭素を電子ビーム
蒸着した。このとき、炭素の分子流又は粒子流の一部
を、樹脂薄膜形成装置９の切り欠き部９ａから樹脂薄膜
材料の分子流又は粒子流に混入させた。(Embodiment 1) Using the apparatus shown in FIG. 1, a metal thin film forming source 8 forms an evaporated thin film of aluminum on the outer peripheral surface of a can 7, and an insulating resin thin film or An ion conductive resin thin film was formed. In addition, carbon was subjected to electron beam evaporation by the conductive material applying device 13. At this time, a part of the molecular flow or the particle flow of carbon was mixed into the molecular flow or the particle flow of the resin thin film material from the cutout 9a of the resin thin film forming device 9.
【００５０】得られた薄膜積層体の膜厚方向のアルミニ
ウム及び炭素の分布をオージェ電子分光法で測定した結
果の一例を図２に示す。図２から分かるように、炭素の
分布密度は金属薄膜側で大きく、深さが深くなるに従っ
て緩やかに減少する傾斜状の分布を有している。そし
て、炭素の密度は深さが深くなると、樹脂薄膜材料中の
炭素の分布密度に収束していく。FIG. 2 shows an example of the result of measuring the distribution of aluminum and carbon in the thickness direction of the obtained thin film laminate by Auger electron spectroscopy. As can be seen from FIG. 2, the distribution density of carbon is large on the metal thin film side, and has an inclined distribution that gradually decreases as the depth increases. Then, as the carbon density becomes deeper, it converges to the distribution density of carbon in the resin thin film material.
【００５１】（比較例１）図３は、本比較例１に係る積
層薄膜形成装置の概略構成を示した断面図である。図３
において、図１の装置と同一の機能を有する構成要素に
は同一の符号を付して詳細な説明を省略する。(Comparative Example 1) FIG. 3 is a sectional view showing a schematic configuration of a laminated thin film forming apparatus according to Comparative Example 1. FIG.
In FIG. 2, components having the same functions as those of the apparatus shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted.
【００５２】図３の装置が図１の装置と相違するのは、
図３の樹脂薄膜形成装置９には、図１のそれが有してい
たような導電性材料付与装置１３側の切り欠き部９ａを
有していない点のみである。The device of FIG. 3 differs from the device of FIG.
The only difference is that the resin thin film forming apparatus 9 shown in FIG. 3 does not have the cutout 9a on the side of the conductive material applying apparatus 13 as that of FIG.
【００５３】このような図３に示す装置を用いて、実施
例１と同様に、キャン７の外周面上に、金属薄膜形成源
８によりアルミニウムの蒸着薄膜を形成し、樹脂薄膜形
成源９により絶縁性樹脂薄膜又はイオン伝導性樹脂薄膜
を形成した。また、導電性材料付与装置１３により、炭
素を電子ビーム蒸着した。本比較例では、樹脂薄膜形成
装置９が切り欠き部９ａを有していないために、樹脂薄
膜形成領域内に、炭素の分子流又は粒子流が混入するこ
とがない。Using the apparatus shown in FIG. 3, an evaporated thin film of aluminum is formed on the outer peripheral surface of the can 7 by the metal thin film forming source 8 and the resin thin film forming source 9 is formed in the same manner as in the first embodiment. An insulating resin thin film or an ion conductive resin thin film was formed. In addition, carbon was subjected to electron beam evaporation by the conductive material applying device 13. In this comparative example, since the resin thin film forming apparatus 9 does not have the notch 9a, a molecular flow or a particle flow of carbon does not enter the resin thin film forming region.
【００５４】得られた薄膜積層体の膜厚方向のアルミニ
ウム及び炭素の分布をオージェ電子分光法で測定した結
果の一例を図４に示す。図４から分かるように、炭素の
深さ方向の分布密度は急峻に樹脂薄膜材料中の炭素の分
布密度まで減少している。FIG. 4 shows an example of the result of measuring the distribution of aluminum and carbon in the thickness direction of the obtained thin film laminate by Auger electron spectroscopy. As can be seen from FIG. 4, the distribution density of carbon in the depth direction sharply decreases to the distribution density of carbon in the resin thin film material.
【００５５】（実施例２）図１の装置において、樹脂薄
膜形成装置９の切り欠き部９ａの開口幅を変化させて薄
膜積層体を形成した。図５に、樹脂薄膜形成装置９の切
り欠き部９ａの部分拡大断面図を示す。図５において、
２１は切り欠き部９ａの開口幅を調整するための調整板
であり、紙面左右方向に移動可能に樹脂薄膜形成装置９
に設置されている。また、１６は樹脂薄膜形成装置９に
よって樹脂薄膜材料がキャン７上に付着する領域（樹脂
薄膜材料付着領域）を示し、１８は、調整板２１の位置
に関わらず、導電性材料付与装置１３よって導電性材料
が常にキャン７に付着する領域（導電性材料付着領域）
を示す。Example 2 In the apparatus shown in FIG. 1, a thin film laminate was formed by changing the opening width of the notch 9a of the resin thin film forming apparatus 9. FIG. 5 shows a partially enlarged cross-sectional view of the cutout portion 9a of the resin thin film forming apparatus 9. In FIG.
Reference numeral 21 denotes an adjusting plate for adjusting the opening width of the cutout portion 9a.
It is installed in. Reference numeral 16 denotes an area where the resin thin film material adheres to the can 7 by the resin thin film forming apparatus 9 (resin thin film material adhering area). Reference numeral 18 denotes a region where the conductive material applying apparatus 13 Area where conductive material always adheres to can 7 (area where conductive material adheres)
Is shown.
【００５６】図５において、調整板２１が実線で示した
位置にあるとき、切り欠き部９ａは全開された状態とな
り、このとき導電性材料付与装置１３からの導電性材料
は領域１８のみならず領域１６の全域に到達する。一
方、調整板２１が２点鎖線で示した位置にあるとき（上
記の比較例１の状態）、切り欠き部９ａは完全に閉じら
れた状態となり、このとき導電性材料付与装置１３から
の導電性材料は領域１８のみでキャン７上に付着する。In FIG. 5, when the adjusting plate 21 is at the position shown by the solid line, the cutout portion 9a is in a fully opened state. At this time, the conductive material from the conductive material applying device 13 is not only in the region 18 but also in the region 18. The entire area 16 is reached. On the other hand, when the adjusting plate 21 is at the position shown by the two-dot chain line (the state of the comparative example 1), the notch 9a is in a completely closed state. The conductive material adheres to the can 7 only in the region 18.
【００５７】ここで、調整板２１が完全に閉じられた状
態の開口幅を０とし、全開した状態の開口幅を１０とし
て、開口幅をこの間で変化させたときの電極の作用面積
を評価した。評価は、０．１μｍ厚のアルミニウムの蒸
着膜の上に、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）系材料に
リチウムイオンを混合した２μｍ厚のイオン伝導性膜を
形成し、さらにその上に０．１μｍ厚のアルミニウムの
蒸着膜を形成した後、上下のアルミニウム膜に直流電圧
５Ｖを印加して電流の比較を行なうことにより実施し
た。開口幅０（全閉）のときの電流値を１とし、開口幅
を０から１０に変化させたときの相対電流値を測定した
結果を図６に示す。Here, the opening width when the adjusting plate 21 is completely closed is set to 0, the opening width when the adjusting plate 21 is fully opened is set to 10, and the working area of the electrode when the opening width is changed between them is evaluated. . The evaluation was carried out by forming a 2 μm-thick ion conductive film obtained by mixing lithium ions with a polyethylene oxide (PEO) -based material on a 0.1 μm-thick aluminum vapor deposition film, and further forming a 0.1 μm-thick aluminum film thereon. Was formed by applying a DC voltage of 5 V to the upper and lower aluminum films and comparing the currents. FIG. 6 shows the result of measuring the relative current value when the opening width was changed from 0 to 10 while the current value when the opening width was 0 (fully closed) was set to 1.
【００５８】その結果、開口幅が広くなるに従い両電極
間の電流値は大きくなることが分かる。As a result, it can be seen that the current value between both electrodes increases as the opening width increases.
【００５９】また、開口幅が９以上では電流が急激に増
加しており、上下のアルミニウム電極が短絡状態になっ
ているものと思われる。開口幅９以上で上下のアルミニ
ウム電極が短絡していることは、オージェ電子分光法の
測定と断面の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察を行なった
結果からもほぼ確実と思われる。When the opening width is 9 or more, the current sharply increases, and it is considered that the upper and lower aluminum electrodes are short-circuited. The fact that the upper and lower aluminum electrodes are short-circuited with an opening width of 9 or more seems to be almost certain from the results of Auger electron spectroscopy measurement and cross-sectional scanning electron microscope (SEM) observation.
【００６０】上記実施例１の図２で示したオージェ電子
分光法の測定結果は開口幅３の場合に相当し、オージェ
電子分光法の測定結果やＳＥＭ観察からも、上下のアル
ミニウム電極の短絡は無いものと思われるが、電流値は
全閉時に対して８倍程度大きくなっている。このことか
ら、導電性材料として混入した炭素がイオン伝導性樹脂
薄膜の内部で適度に分散して存在することでアルミニウ
ム薄膜電極の実効的な面積を大きくする作用があるもの
と思われる。The measurement result of Auger electron spectroscopy shown in FIG. 2 of Example 1 above corresponds to the case where the aperture width is 3. According to the measurement result of Auger electron spectroscopy and SEM observation, short-circuiting of the upper and lower aluminum electrodes is not affected. Although it seems that there is no current value, the current value is about eight times larger than the fully closed state. From this, it is considered that the carbon mixed as a conductive material is present in an appropriately dispersed state inside the ion conductive resin thin film, thereby having an effect of increasing the effective area of the aluminum thin film electrode.
【００６１】電流値の増加は成膜要素の配置や成膜条
件、開口幅等によって変わる。図７に開口幅３のときの
薄膜積層体の厚み方向断面を拡大した概念図の一例を示
す。図７において、１は金属薄膜層、２はイオン伝導性
樹脂薄膜層、３は導電性材料（炭素）を示す。図７に示
すように、導電性材料３が樹枝状につながって広がりを
もって分散する場合には電極の電気的な実効作用面積が
非常に大きくなる。樹枝状の導電性材料の形成条件につ
いては十分には明らかでないが、静電引力が作用してい
るものと思われる。また、図２や図７のように、炭素の
分布密度が均一でなく金属薄膜側で緩やかに大きくなっ
ていることは、樹脂薄膜の特性に影響をあまり与えずに
電流密度に応じて次第に金属薄膜側で電気的コンダクタ
ンスが大きくなる構造となっている点においても好まし
い。The increase in the current value varies depending on the arrangement of the film forming elements, film forming conditions, opening width, and the like. FIG. 7 shows an example of a conceptual diagram in which a cross section in the thickness direction of the thin film laminate at the opening width 3 is enlarged. In FIG. 7, 1 is a metal thin film layer, 2 is an ion conductive resin thin film layer, and 3 is a conductive material (carbon). As shown in FIG. 7, when the conductive material 3 is connected in a tree shape and dispersed with a spread, the electric effective working area of the electrode becomes very large. Although conditions for forming the dendritic conductive material are not sufficiently clear, it is considered that electrostatic attraction is acting. Further, as shown in FIGS. 2 and 7, the fact that the distribution density of carbon is not uniform and gradually increases on the side of the metal thin film means that the metal density gradually increases in accordance with the current density without significantly affecting the characteristics of the resin thin film. It is also preferable in that the structure is such that the electrical conductance increases on the thin film side.
【００６２】なお、図７では、金属薄膜１上に炭素の面
内連続膜３ａが形成された後に内部に炭素が分布したイ
オン伝導性樹脂薄膜２が形成されているが、金属薄膜上
に炭素の面内連続膜３ａが形成される必要は必ずしも無
く、樹脂薄膜中に分布した炭素の一部が金属薄膜に電気
的に接続されていれば本発明の構成と効果を有する。炭
素の面内連続膜３ａの厚みは、図５において領域１８の
キャン７の外周面の走行方向幅を変更することにより調
整できる。In FIG. 7, the ion conductive resin thin film 2 in which carbon is distributed is formed after the in-plane continuous film 3a of carbon is formed on the metal thin film 1. It is not always necessary to form the in-plane continuous film 3a, and the configuration and effect of the present invention can be obtained if a part of the carbon distributed in the resin thin film is electrically connected to the metal thin film. The thickness of the carbon in-plane continuous film 3a can be adjusted by changing the width of the outer peripheral surface of the can 7 in the region 18 in the running direction in FIG.
【００６３】本実施例では樹脂薄膜材料としてイオン伝
導性樹脂材料を用いたが、絶縁性樹脂材料であっても良
く、また、セラミック系等の無機系の絶縁性材料であっ
ても良い。このような材料を用いた場合も、上記実施例
３と同様に、電極の有効作用面積を大きくすることが可
能である。In this embodiment, the ion conductive resin material is used as the resin thin film material. However, an insulating resin material may be used, or an inorganic insulating material such as a ceramic material may be used. Even when such a material is used, it is possible to increase the effective working area of the electrode as in the third embodiment.
【００６４】（実施例３）図１に示す装置を用いて、キ
ャン７の外周面上に、金属薄膜形成源８によりアルミニ
ウムの蒸着薄膜を形成し、樹脂薄膜形成源９によりポリ
エチレンオキシド（ＰＥＯ）系材料にリチウムイオンを
混合した樹脂材料を用いてイオン伝導性樹脂薄膜を形成
した。また、導電性材料付与装置１３により、炭素を電
子ビーム蒸着した。このとき、炭素の分子流又は粒子流
の一部を、樹脂薄膜形成装置９の切り欠き部９ａから樹
脂薄膜材料の分子流又は粒子流に混入させた。キャン７
の周回を重ねることにより、金属薄膜と樹脂薄膜とが交
互に積層された多層構造の薄膜積層体を形成した。(Example 3) Using the apparatus shown in FIG. 1, a metal thin film forming source 8 forms an evaporated thin film of aluminum on the outer peripheral surface of a can 7, and a resin thin film forming source 9 forms polyethylene oxide (PEO). An ion-conductive resin thin film was formed using a resin material in which lithium ions were mixed with a system material. In addition, carbon was subjected to electron beam evaporation by the conductive material applying device 13. At this time, a part of the molecular flow or the particle flow of carbon was mixed into the molecular flow or the particle flow of the resin thin film material from the cutout 9a of the resin thin film forming device 9. Can 7
Was repeated to form a thin film laminate having a multilayer structure in which metal thin films and resin thin films were alternately stacked.
【００６５】このとき、積層の開始に先立って、大気中
で市販のフッ素系離型剤（商品名：“ダイフリー”ダイ
キン工業（株）製）のスプレーを円筒状キャンの周面に
施し、アルコールを含浸させた不織布を用いて更に薄く
展開した。また、パターニング材料付与装置１１を用い
てオイルマージン方式による金属薄膜のパターニングを
行なった。パターニングはパターンに対応する微小開口
部を有する密閉ノズル内にパターニング材料を閉じこめ
て加熱し、オイル蒸気を開口部から噴出させ、被付着面
で凝集させ液化させて、ストライプ状にオイルを付着さ
せた上に、金属薄膜層を形成することによって行った。
オイルマージンを形成するパターニング材料には含フッ
素オイルを用いた。パターニングで形成される絶縁部分
の幅は約１ｍｍとした。隣接するパターニング絶縁部分
の膜面方向の中心間隔は６ｍｍである。オイルマージン
の形成位置は、キャン７の回転に同期させて一周毎にパ
ターニング材料付与装置１１を幅方向に往復運動させる
ことで切り替えた。また、アルミ蒸着膜の形成後に残っ
たオイルを除去するために、パターニング材料除去装置
１２として遠赤外線ヒーターを用いた。アルミニウム薄
膜層とイオン伝導性樹脂薄膜層をそれぞれ約１００〜３
０００層形成した後に、積層体を円筒状キャンから分離
し、１２０℃で平板プレスした後に、切断及び外部電極
の溶射等を行った。At this time, prior to the start of lamination, a spray of a commercially available fluorine-based release agent (trade name: “DAIFREE” manufactured by Daikin Industries, Ltd.) was applied to the peripheral surface of the cylindrical can in the air. It was further developed thinly using a nonwoven fabric impregnated with alcohol. Further, the metal thin film was patterned by the oil margin method using the patterning material applying device 11. In patterning, the patterning material was confined and sealed in a closed nozzle having a minute opening corresponding to the pattern, and oil vapor was ejected from the opening, coagulated and liquefied on the surface to be adhered, and oil was deposited in a stripe shape. This was performed by forming a metal thin film layer thereon.
Fluorine-containing oil was used as a patterning material for forming an oil margin. The width of the insulating portion formed by patterning was about 1 mm. The center distance between adjacent patterning insulating portions in the film surface direction is 6 mm. The formation position of the oil margin was switched by reciprocating the patterning material applying device 11 in the width direction for each rotation in synchronization with the rotation of the can 7. Further, a far-infrared heater was used as the patterning material removing device 12 in order to remove oil remaining after the formation of the aluminum deposition film. Each of the aluminum thin film layer and the ion conductive resin thin film layer is about 100 to 3
After forming 000 layers, the laminate was separated from the cylindrical can and pressed at 120 ° C with a flat plate, followed by cutting, thermal spraying of external electrodes, and the like.
【００６６】得られた積層体の概略断面図を図８に示
す。図８において、１は金属薄膜層、２は樹脂薄膜層、
３は導電性材料層、４はパターン位置（マージン部
分）、１４は金属薄膜層１に電気的に接続された外部電
極である。FIG. 8 shows a schematic sectional view of the obtained laminate. 8, 1 is a metal thin film layer, 2 is a resin thin film layer,
Reference numeral 3 denotes a conductive material layer, 4 denotes a pattern position (margin portion), and 14 denotes an external electrode electrically connected to the metal thin film layer 1.
【００６７】イオン伝導性樹脂薄膜内に導電性材料を分
散混入させたときの繰り返し積層数と電気的作用面積の
関係を調べるために、形成された積層体の外部電極１４
間に直流電圧２５Ｖを印加し電流値を調べた。結果を図
９に示す。図９において、実線は上記の条件により得ら
れた本実施例の積層体であり、破線は、比較例として、
樹脂薄膜形成装置９の切り欠き部９ａを全閉した以外は
上記の条件と同様にして得られた積層体である。In order to examine the relationship between the number of repetitive laminations and the area of electrical action when the conductive material is dispersed and mixed in the ion-conductive resin thin film, the external electrodes 14 of the formed laminate were examined.
During that time, a DC voltage of 25 V was applied to check the current value. FIG. 9 shows the results. In FIG. 9, the solid line is the laminate of this example obtained under the above conditions, and the broken line is a comparative example.
This is a laminate obtained under the same conditions as described above except that the notch 9a of the resin thin film forming apparatus 9 is completely closed.
【００６８】図９から明らかなように、いずれの積層体
においても、外部電極１４間の電流値と繰り返し積層数
との間には略比例関係があることが分かる。As is apparent from FIG. 9, it can be seen that there is a substantially proportional relationship between the current value between the external electrodes 14 and the number of repetitive laminations in any of the laminates.
【００６９】また、本実施例の積層体（実線）のよう
に、イオン伝導性樹脂薄膜内に導電性材料が混入された
薄膜積層体を形成することで、電極の電気的な作用面積
が大きくなり、また積層数にほぼ比例して電流値が増加
している。Further, by forming a thin film laminate in which a conductive material is mixed in an ion conductive resin thin film as in the laminate (solid line) of the present embodiment, the electric working area of the electrode is large. And the current value increases almost in proportion to the number of layers.
【００７０】従って、イオン伝導性樹脂薄膜内に導電性
材料を分散混入させることと、多積層構造とすることを
組み合わせることによって、実装平面上の面積が小さく
て、大きな電気的な作用を有する電子部品を得ることが
出来る。Therefore, by combining the dispersion and mixing of the conductive material in the ion conductive resin thin film and the multi-layer structure, the area on the mounting plane is small, and the electron having a large electric action is obtained. Parts can be obtained.
【００７１】なお、図８の様な積層体においては導電性
材料３を付けすぎないことが重要であることは言うまで
もない。即ち、導電性材料３が多すぎるとマージン部分
４で金属薄膜１の絶縁を行っても導電性材料３で外部電
極１４間がつながってしまう。従って、図５で示した導
電性材料付着領域１８の幅を狭くして導電性材料膜の膜
面内方向の連続性を低くしておく必要がある。必要に応
じて、導電性材料を領域１６のみで付着させることも有
効である。これは、遮蔽板２０ｃを切り欠き部９ａの側
に延長して、導電性材料付着領域１８をなくしてしまう
ことで容易に実現できる。It is needless to say that it is important not to apply too much conductive material 3 in the laminate as shown in FIG. That is, if the amount of the conductive material 3 is too large, even if the metal thin film 1 is insulated in the margin portion 4, the conductive material 3 connects the external electrodes 14. Therefore, it is necessary to reduce the width of the conductive material attachment region 18 shown in FIG. 5 to reduce the continuity of the conductive material film in the in-plane direction. If necessary, it is also effective to apply the conductive material only in the region 16. This can be easily realized by extending the shielding plate 20c to the side of the notch 9a and eliminating the conductive material attachment region 18.
【００７２】また、導電性材料３によって金属薄膜層１
の電気的な有効作用面積が拡大できれば十分であるか
ら、導電性材料３が両側の外部電極１４と電気的に接続
するように形成されている必要は必ずしもない。例え
ば、外部電極１４の近傍には導電性材料３が形成されな
いように、キャン７の幅方向の所定位置に遮蔽板を設置
しても良い。The metal thin film layer 1 is made of the conductive material 3.
It is sufficient if the electrical effective working area can be increased, so that the conductive material 3 does not necessarily need to be formed so as to be electrically connected to the external electrodes 14 on both sides. For example, a shielding plate may be provided at a predetermined position in the width direction of the can 7 so that the conductive material 3 is not formed near the external electrode 14.
【００７３】また、図８のような積層体において、金属
薄膜層１はいずれかの外部電極１４と電気的に直接接続
されていなくても良い場合がある。例えば、導電性材料
３を介して金属薄膜層１がいずれかの外部電極１４に間
接的に電気的接続されていてもかまわない。In the laminate as shown in FIG. 8, the metal thin film layer 1 may not necessarily be directly connected to any of the external electrodes 14 in some cases. For example, the metal thin film layer 1 may be electrically connected to any one of the external electrodes 14 via the conductive material 3.
【００７４】上記の実施例では金属薄膜層をアルミニウ
ムとした場合についてのみ述べたが、銅、銀、ニッケ
ル、亜鉛等の他の金属やそれらを含む合金を用いること
もできる。また、金属薄膜層を一種とせず、例えばＡｌ
層とＣｕ層の混入とすることによって特性の補完がなさ
れ、使用条件によっては高性能化が図れる場合もありう
る。In the above embodiment, only the case where the metal thin film layer is made of aluminum has been described. However, other metals such as copper, silver, nickel and zinc and alloys containing them can be used. Further, the metal thin film layer is not made into one kind, for example, Al
By mixing the layer and the Cu layer, the characteristics are complemented, and the performance may be improved depending on the use conditions.
【００７５】また、上記の実施例では、導電性材料とし
て炭素を用いる場合についてのみ述べたが、炭素に限ら
ず、Ｃｕ、Ａｇをはじめ他の材料を用いることもでき
る。ただし、炭素は電気的な作用面積を大きくする効果
が顕著という点で好ましい材料である。In the above embodiment, only the case where carbon is used as the conductive material has been described. However, not only carbon but also other materials such as Cu and Ag can be used. However, carbon is a preferable material in that the effect of increasing the electric working area is remarkable.
【００７６】さらに、上記の実施例では導電性材料を混
入させることによる電気的な作用面積の増加を分かり易
く確認するために、イオン伝導性樹脂薄膜との組合せを
中心に述べたが、樹脂系材料又は無機系材料からなる絶
縁性薄膜との組合せにおいても電気的作用面積が増大す
るのは同様である。Further, in the above-described embodiment, the combination with an ion conductive resin thin film has been mainly described in order to easily confirm the increase in the electric working area caused by mixing the conductive material. The same applies to the case where a combination with a material or an insulative thin film made of an inorganic material increases the area of electrical action.
【００７７】また、パターニング材料としては炭化水素
系のオイルや鉱物オイル、フッ素系オイルを初めとする
各種オイルや、形成する金属薄膜に適したその他の材料
を用いることが出来る。また、パターニング材料を付与
する方法としては塗布あるいはこれに準ずる方法の他、
インクジェット方式なども用いることが出来る。As the patterning material, various oils such as hydrocarbon-based oil, mineral oil, and fluorine-based oil, and other materials suitable for the metal thin film to be formed can be used. In addition, as a method of applying a patterning material, in addition to a method of applying or a method similar thereto,
An ink jet system or the like can also be used.
【００７８】パターニング材料除去の手段として、上記
の実施例では遠赤外線ヒーターを用いた場合についての
み述べたが、電子線、紫外線ランプ照射、プラズマ照射
を用いた場合など他の除去手段を用いても同様の効果が
得られた。In the above embodiment, only the case of using a far-infrared heater as a means for removing the patterning material has been described. However, other removing means such as the case of using electron beam, ultraviolet lamp irradiation, or plasma irradiation may be used. Similar effects were obtained.
【００７９】また、上記の実施例では離型剤として“ダ
イフリー”を用いた場合についてのみ述べたが、本発明
はこれに限定されるものではなく、離型効果のある他の
材料を用いることができるのは言うまでもない。また、
離型剤の付与方法としては、実施例に述べたようなスプ
レー噴霧法の他、スパッタ法や蒸着法などとすることも
出来、付与方法は使用する材料をはじめとするプロセス
の条件に適合するものを適宜選択すると良い。In the above embodiment, only the case where "Die-free" was used as the release agent was described. However, the present invention is not limited to this, and other materials having a release effect are used. It goes without saying that you can do it. Also,
As a method of applying the release agent, in addition to the spraying method described in the examples, a sputtering method or a vapor deposition method can also be used, and the applying method is suitable for the process conditions including the material used. It is better to select one appropriately.
【００８０】また、上記の実施例において支持体として
円筒形状のキャンを用いた場合についてのみ述べたが、
本発明はこれらの支持体によって制限されるものではな
く、円筒形状以外の、ベルト状、平板状、あるいは曲面
形状の支持体も用いることが出来る。また、その材質も
金属をはじめとして、絶縁体、ガラス、半導体を用いる
こともでき、これらの上に本発明によって電子部品を形
成することもできる。In the above embodiment, only the case where a cylindrical can is used as the support has been described.
The present invention is not limited by these supports, and a belt-shaped, flat-plate, or curved-shaped support other than the cylindrical shape can also be used. In addition, the material may be a metal, an insulator, a glass, or a semiconductor, and an electronic component may be formed thereon according to the present invention.
【００８１】さらに、上記の実施例では金属薄膜と、イ
オン伝導性樹脂薄膜を同じ真空槽で形成する場合につい
て述べたが、必ずしもその必要はなく、例えば予め別の
真空槽内で金属薄膜をフィルム等の支持体上に形成して
おき、これを異なる真空槽内に導入して樹脂薄膜や絶縁
性薄膜を形成しても良い。Further, in the above embodiment, the case where the metal thin film and the ion conductive resin thin film are formed in the same vacuum chamber has been described. However, this is not always necessary. For example, the metal thin film may be previously formed in another vacuum chamber. Alternatively, the resin thin film or the insulating thin film may be formed by introducing the same into a different vacuum chamber and forming the thin resin film or the insulating thin film.
【００８２】上記の実施例では樹脂薄膜あるいは絶縁性
薄膜の両側に金属薄膜が形成され、片側の金属薄膜側に
導電性材料が分布している場合についてのみ述べたが、
両側に導電性材料が分布している場合であっても本発明
の効果が得られるのは言うまでもない。In the above embodiment, only the case where the metal thin film is formed on both sides of the resin thin film or the insulating thin film and the conductive material is distributed on one side of the metal thin film has been described.
It goes without saying that the effect of the present invention can be obtained even when the conductive material is distributed on both sides.
【００８３】また、上記の実施例では２電極の場合を例
にとって説明したが、３電極以上の場合でも本発明が適
用できることは容易に類推出来、本発明は広く薄膜、薄
膜積層体及び薄膜部品に適用できるものである。In the above embodiment, the case of two electrodes has been described as an example. However, it can be easily analogized that the present invention can be applied to the case of three or more electrodes, and the present invention can be widely applied to thin films, thin film laminates and thin film components. It can be applied to
【００８４】[0084]
【発明の効果】以上の様に本発明によれば、電極の有効
作用面積が大きくでき、小型な高性能電子部品等を提供
することができる。As described above, according to the present invention, the effective working area of the electrode can be increased, and a compact high-performance electronic component can be provided.
【図１】本発明の薄膜または薄膜積層体の製造装置の一
例を示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of an apparatus for producing a thin film or a thin film laminate according to the present invention.
【図２】本発明の実施例２に係る薄膜積層体の膜厚方向
のアルミニウム及び炭素の分布の一例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an example of a distribution of aluminum and carbon in a thickness direction of a thin film laminate according to a second embodiment of the present invention.
【図３】比較例１に係る薄膜または薄膜積層体の製造装
置を示す概略断面図である。FIG. 3 is a schematic sectional view showing an apparatus for manufacturing a thin film or a thin film laminate according to Comparative Example 1.
【図４】比較例１に係る薄膜積層体の膜厚方向のアルミ
ニウム及び炭素の分布の一例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an example of a distribution of aluminum and carbon in a thickness direction of a thin film laminate according to Comparative Example 1.
【図５】本発明の実施例３に係る樹脂薄膜形成装置の切
り欠き部の部分拡大断面図である。FIG. 5 is a partially enlarged cross-sectional view of a cutout portion of a resin thin film forming apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図６】図５の切り欠き部の開口幅を変化させたときの
電極間の相対電流値の測定結果を示した図である。FIG. 6 is a diagram showing a measurement result of a relative current value between electrodes when an opening width of a cutout portion in FIG. 5 is changed.
【図７】導電性材料が樹枝状に広がった状態を概念的に
示した薄膜積層体の厚み方向拡大断面図である。FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view in the thickness direction of the thin film laminate, conceptually showing a state in which the conductive material is spread in a dendritic manner.
【図８】本発明の実施例３によって得られた積層体の概
略断面図である。FIG. 8 is a schematic sectional view of a laminate obtained according to Example 3 of the present invention.
【図９】図８の積層体の繰り返し積層数と外部電極間の
電流値との関係を示す図である。9 is a diagram showing a relationship between the number of repeated laminations of the laminate of FIG. 8 and a current value between external electrodes.
【図１０】薄膜を積層して電子部品を製造するための従
来の製造装置の一例の概略断面図である。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of an example of a conventional manufacturing apparatus for manufacturing an electronic component by laminating thin films.
【図１１】従来のコンデンサの一例の構造を示す概略断
面図である。FIG. 11 is a schematic sectional view showing the structure of an example of a conventional capacitor.
１ 金属薄膜 ２ 樹脂薄膜 ３ 導電性材料 ４ パターン位置 ５ 真空槽 ６ 真空ポンプ（排気系） ７ キャン ８ 金属薄膜形成源 ９ 樹脂薄膜形成源 １０ 硬化装置 １１ パターニング材料付与装置 １２ パターニング材料除去装置 １３ 導電性材料付与装置 １４ 外部電極 １６ 樹脂薄膜材料付着領域 １７ 回転方向 １８ 導電性材料付着領域 １９ 樹脂薄膜 ２０ａ，２０ｂ，２０ｃ 遮蔽板 ２１ 調整板 REFERENCE SIGNS LIST 1 metal thin film 2 resin thin film 3 conductive material 4 pattern position 5 vacuum tank 6 vacuum pump (exhaust system) 7 can 8 metal thin film forming source 9 resin thin film forming source 10 curing device 11 patterning material applying device 12 patterning material removing device 13 conductive Conductive material application device 14 External electrode 16 Resin thin film material attachment region 17 Rotation direction 18 Conductive material attachment region 19 Resin thin film 20a, 20b, 20c Shielding plate 21 Adjustment plate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小田桐 優 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4K029 BA62 BA64 BC03 CA01 CA03 CA05 5E082 AB03 AB09 BC39 BC40 EE05 EE18 EE19 EE24 EE28 EE37 FG03 FG34 FG42 LL21 MM23 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (72) Inventor Yu Odagiri 1006 Kazuma Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. F-term (reference) 4K029 BA62 BA64 BC03 CA01 CA03 CA05 5E082 AB03 AB09 BC39 BC40 EE05 EE18 EE19 EE24 EE28 EE37 FG03 FG34 FG42 LL21 MM23
Claims (21)
膜材料又は絶縁性薄膜材料を支持体上に付着させて樹脂
薄膜又は絶縁性薄膜を形成する薄膜の製造方法におい
て、 前記微粒子化又は気化させた樹脂薄膜材料又は絶縁性薄
膜材料を支持体上に付着させる際に、同時に導電性材料
を真空プロセスで支持体上に付着させることにより、前
記樹脂薄膜又は絶縁性薄膜中に前記導電性材料を混入さ
せることを特徴とする薄膜の製造方法。1. A method for producing a resin thin film or an insulating thin film by adhering a resin thin film material or an insulating thin film material atomized or vaporized in a vacuum to form a resin thin film or an insulating thin film. When the resin thin film material or the insulating thin film material is adhered to the support at the same time, the conductive material is simultaneously adhered to the support by a vacuum process, so that the conductive material is contained in the resin thin film or the insulating thin film. And a method for producing a thin film.
縁性薄膜中で樹枝状のつながりを有する請求項１に記載
の薄膜の製造方法。2. The method according to claim 1, wherein the conductive material has a dendritic connection in the resin thin film or the insulating thin film.
縁性薄膜中に分布密度に傾斜を有して混入させる請求項
１に記載の薄膜の製造方法。3. The method for producing a thin film according to claim 1, wherein the conductive material is mixed into the resin thin film or the insulating thin film with a gradient in distribution density.
ーティング、及びスパッタのいずれかである請求項１に
記載の薄膜の製造方法。4. The method according to claim 1, wherein the vacuum process is any one of vapor deposition, ion plating, and sputtering.
む請求項１に記載の薄膜の製造方法。5. The method according to claim 1, wherein the conductive material contains carbon as a main component.
る請求項１に記載の薄膜の製造方法。6. The method according to claim 1, wherein the resin thin film material is an insulating resin material.
として含む請求項１に記載の薄膜の製造方法。7. The method for producing a thin film according to claim 1, wherein the resin thin film material contains a solid electrolyte as a main component.
請求項１に記載の薄膜の製造方法。8. The method according to claim 1, wherein the resin thin film material has ion conductivity.
に維持する真空ポンプと、前記真空槽内に設置された支
持体と、微粒子化又は気化させた樹脂薄膜材料又は絶縁
性薄膜材料を前記支持体上に直接的若しくは間接的に付
着させて樹脂薄膜又は絶縁性薄膜を形成する装置と、前
記樹脂薄膜材料又は絶縁性薄膜材料の付着領域で導電性
材料を真空プロセスにより同時に付着させる装置とを有
することを特徴とする薄膜の製造装置。9. A vacuum chamber, a vacuum pump for maintaining the inside of the vacuum chamber at a predetermined degree of vacuum, a support provided in the vacuum chamber, and a resin thin film material or an insulating thin film that has been atomized or vaporized. A device for directly or indirectly depositing a material on the support to form a resin thin film or an insulating thin film, and simultaneously depositing a conductive material in a deposition region of the resin thin film material or the insulating thin film material by a vacuum process An apparatus for producing a thin film.
的若しくは間接的に形成する装置を有する請求項９に記
載の薄膜の製造装置。10. The apparatus for producing a thin film according to claim 9, further comprising an apparatus for forming a metal thin film directly or indirectly on the support.
ある請求項９に記載の薄膜の製造装置。11. The apparatus according to claim 9, wherein the resin thin film material is an insulating resin material.
す請求項９に記載の薄膜の製造装置。12. The apparatus for producing a thin film according to claim 9, wherein the resin thin film material has ion conductivity.
くとも片面に形成された導電性薄膜とを有する薄膜であ
って、前記導電性薄膜を形成する材料と同一又は異なる
導電性材料が前記樹脂薄膜又は絶縁性薄膜中に混入して
おり、前記混入している導電性材料の少なくとも一部は
少なくとも片面の前記導電性薄膜と電気的に接続してい
ることを特徴とする薄膜。13. A thin film having a resin thin film or an insulating thin film and a conductive thin film formed on at least one surface thereof, wherein the conductive thin film is made of the same or different conductive material as the material forming the conductive thin film. Alternatively, the thin film is mixed in an insulating thin film, and at least a part of the mixed conductive material is electrically connected to at least one surface of the conductive thin film.
している導電性材料の分布密度が電気的に接続している
前記導電性薄膜の近傍で密になっている請求項１３に記
載の薄膜。14. The method according to claim 13, wherein the distribution density of the conductive material mixed in the resin thin film or the insulating thin film is close to the conductive thin film electrically connected. Thin film.
項１３に記載の薄膜。15. The thin film according to claim 13, wherein the conductive thin film is a metal thin film.
薄膜である請求項１３に記載の薄膜。16. The thin film according to claim 13, wherein the conductive thin film is a thin film containing carbon as a main component.
している導電性材料が炭素を主成分とする請求項１３に
記載の薄膜。17. The thin film according to claim 13, wherein the conductive material mixed in the resin thin film or the insulating thin film mainly contains carbon.
求項１３に記載の薄膜。18. The thin film according to claim 13, wherein the resin thin film is made of an insulating resin.
料からなる請求項１３に記載の薄膜。19. The thin film according to claim 13, wherein the resin thin film is made of a material exhibiting ion conductivity.
絶縁性薄膜の片面にのみ形成された請求項１３に記載の
薄膜を複数積層してなる薄膜積層体。20. A thin film laminate comprising a plurality of thin films according to claim 13, wherein the conductive thin film is formed only on one surface of the resin thin film or the insulating thin film.
数の外部電極とを有し、前記薄膜積層体の前記導電性薄
膜の全て又は一部は、いずれか一つの前記外部電極と電
気的に接続されている薄膜部品。21. The thin film laminate according to claim 20, and a plurality of external electrodes, wherein all or a part of the conductive thin film of the thin film laminate is electrically connected to any one of the external electrodes. Connected thin-film components.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04090299A JP3705567B2 (en) | 1999-02-19 | 1999-02-19 | Thin film manufacturing method and apparatus, thin film, thin film laminate, and thin film component |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000243658A true JP2000243658A (en) | 2000-09-08 |
| JP3705567B2 JP3705567B2 (en) | 2005-10-12 |
Family
ID=12593451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04090299A Expired - Fee Related JP3705567B2 (en) | 1999-02-19 | 1999-02-19 | Thin film manufacturing method and apparatus, thin film, thin film laminate, and thin film component |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3705567B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012142538A (en) * | 2010-12-17 | 2012-07-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Dielectric, and capacitor type storage battery |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4843189A (en) * | 1971-10-05 | 1973-06-22 | ||
| JPS5782806A (en) * | 1980-11-12 | 1982-05-24 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Formation of thin film having distribution of composition |
| JPS63245871A (en) * | 1986-11-05 | 1988-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid electrochemical element and manufacture thereof |
| JPS63259069A (en) * | 1987-04-16 | 1988-10-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Method for adhering metal to resin |
| JPH02153064A (en) * | 1988-12-02 | 1990-06-12 | Hitachi Ltd | Manufacture of highly adhesive laminated layer of metal and resin |
| JPH04251736A (en) * | 1990-08-07 | 1992-09-08 | Boc Group Inc:The | Thin gas-barrier film and method for quick vapor deposition thereof |
| JPH04271107A (en) * | 1991-01-21 | 1992-09-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Polarized electrode and its manufacture |
| JPH05112658A (en) * | 1991-10-21 | 1993-05-07 | Katsuo Orihara | Production of composite thin film of polymer |
| JPH05326326A (en) * | 1992-05-20 | 1993-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electric double layer capacitor and its manufacture |
| JPH07106181A (en) * | 1993-10-04 | 1995-04-21 | Towa Electron Kk | Conductor-dielectric-mixed capacitor |
| JPH08203777A (en) * | 1995-01-24 | 1996-08-09 | Komatsu Ltd | Thin film battery, manufacture of thin film battery and thin film battery manufacture device |
| JPH09102441A (en) * | 1995-10-06 | 1997-04-15 | Furukawa Co Ltd | Electric double layer capacitor |
| JPH11121301A (en) * | 1997-10-20 | 1999-04-30 | Okamura Kenkyusho:Kk | Electric double layer capacitor |
-
1999
- 1999-02-19 JP JP04090299A patent/JP3705567B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4843189A (en) * | 1971-10-05 | 1973-06-22 | ||
| JPS5782806A (en) * | 1980-11-12 | 1982-05-24 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Formation of thin film having distribution of composition |
| JPS63245871A (en) * | 1986-11-05 | 1988-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid electrochemical element and manufacture thereof |
| JPS63259069A (en) * | 1987-04-16 | 1988-10-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Method for adhering metal to resin |
| JPH02153064A (en) * | 1988-12-02 | 1990-06-12 | Hitachi Ltd | Manufacture of highly adhesive laminated layer of metal and resin |
| JPH04251736A (en) * | 1990-08-07 | 1992-09-08 | Boc Group Inc:The | Thin gas-barrier film and method for quick vapor deposition thereof |
| JPH04271107A (en) * | 1991-01-21 | 1992-09-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Polarized electrode and its manufacture |
| JPH05112658A (en) * | 1991-10-21 | 1993-05-07 | Katsuo Orihara | Production of composite thin film of polymer |
| JPH05326326A (en) * | 1992-05-20 | 1993-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electric double layer capacitor and its manufacture |
| JPH07106181A (en) * | 1993-10-04 | 1995-04-21 | Towa Electron Kk | Conductor-dielectric-mixed capacitor |
| JPH08203777A (en) * | 1995-01-24 | 1996-08-09 | Komatsu Ltd | Thin film battery, manufacture of thin film battery and thin film battery manufacture device |
| JPH09102441A (en) * | 1995-10-06 | 1997-04-15 | Furukawa Co Ltd | Electric double layer capacitor |
| JPH11121301A (en) * | 1997-10-20 | 1999-04-30 | Okamura Kenkyusho:Kk | Electric double layer capacitor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012142538A (en) * | 2010-12-17 | 2012-07-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Dielectric, and capacitor type storage battery |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3705567B2 (en) | 2005-10-12 |
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| A521 | Written amendment |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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