JP2000243334A - Electron gun and control method for electron gun - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 5
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 5
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線縮小転写装
置用の電子銃に適した、電子線（ビーム）強度分布一様
性を有する電子銃に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron gun having electron beam (beam) intensity distribution uniformity suitable for an electron gun for an electron beam reduction transfer apparatus.
【０００２】[0002]
【従来技術】従来のこの種の転写装置においては、温度
制限領域で使用されるカソード、ウエ−ネルト、アノー
ドの３電極を持つ軸対称構造の電子銃が用いられてい
た。ここで、カソードとウエーネルトは互いに絶縁さ
れ、別々のポテンシャル（電位）を与える構造となって
いた。2. Description of the Related Art In a conventional transfer apparatus of this type, an electron gun having an axially symmetric structure having three electrodes of a cathode, a Wehnelt, and an anode used in a temperature-limited region has been used. Here, the cathode and the Wehnelt are insulated from each other and have a structure in which different potentials (potentials) are applied.
【０００３】マスク像をウエハに投影する時の空間電荷
効果の影響を小さくするために中空ビームにすることが
知られている。It is known to form a hollow beam in order to reduce the influence of the space charge effect when projecting a mask image onto a wafer.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３に
示すように温度制限領域においては温度変化に対して電
流密度が大きく変化するので、カソードが温度制限条件
で動作している電子銃はカソード表面の温度ムラがあっ
たり、表面の仕事関数にムラがあると、電子線（ビー
ム）の強度分布が一様ではなく、マスク（レチクル）を
一様に照明することができず、感光基板上に形成される
パターン寸法精度等が悪くなるという問題があった。However, as shown in FIG. 3, in the temperature-limited region, the current density greatly changes in response to a temperature change. If the temperature is uneven or the work function of the surface is uneven, the intensity distribution of the electron beam (beam) is not uniform, and the mask (reticle) cannot be uniformly illuminated. There is a problem that the dimensional accuracy of the formed pattern is deteriorated.
【０００５】特に、次世代ＤＲＡＭの実生産に対応でき
る、１ショット当たりの転写面積を広げた（マスク上で
１ｍｍ×１ｍｍ）転写方式に用いられる電子銃の場合
は、それに伴ってカソード面も大きなり、Φ３〜１０ｍ
ｍ程度であるので、かかる問題は顕著になる。そこで、
本発明は、電子線縮小転写装置用の電子銃に適した、電
子線（ビーム）強度分布一様性を得ることができる電子
銃を提供することを目的とする。In particular, in the case of an electron gun used in a transfer system in which the transfer area per shot is increased (1 mm × 1 mm on a mask), which can correspond to the actual production of the next-generation DRAM, the cathode surface becomes large accordingly. Φ3-10m
m, this problem becomes significant. Therefore,
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an electron gun suitable for an electron gun for an electron beam reduction transfer device and capable of obtaining uniformity of electron beam (beam) intensity distribution.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は第一に「電子放
出面を有するカソードと、電子を引き出すアノードと、
前記カソードの裏面に電子衝撃を与えるためのヒーター
を備えた電子銃において、前記ヒーターは独立に電圧制
御可能な複数のヒーターからなることを特徴とする電子
銃（請求項１）」を提供する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention first provides a cathode having an electron emission surface, an anode for extracting electrons,
An electron gun provided with a heater for applying an electron impact to the back surface of the cathode, wherein the heater comprises a plurality of heaters that can be independently controlled in voltage.
【０００７】また、本発明は第二に「前記複数のヒータ
ーは前記カソードの裏面にカソード中心から放射状に略
等間隔に配置されていることを特徴とする請求項１記載
の電子銃（請求項２）」を提供する。また、本発明は第
三に「前記電子放出面から断面がリング形状の電子線
（中空ビーム）が放出されることを特徴とする請求項１
又は２記載の電子銃（請求項３）」を提供する。The present invention also provides a second aspect of the invention wherein the plurality of heaters are arranged on the back surface of the cathode at substantially equal intervals radially from the center of the cathode. 2) ”. Further, the present invention has a third feature that "an electron beam (hollow beam) having a ring-shaped cross section is emitted from the electron emission surface.
Or 2) (claim 3).
【０００８】また、本発明は第四に「カソード像又はク
ロスオーバー像が形成される近傍位置を含む面内であっ
て光軸から十分に離れた位置に設けられた小孔、該小孔
の下に設けられた検出器、前記小孔の上方に設けられた
偏向器を備えた電子線縮小転写装置に用いられる請求項
１〜３記載の電子銃の制御方法であって、前記電子銃か
ら放出された電子線を前記偏向器により偏向し、前記小
孔上を走査し、前記小孔を通過した電子を前記検出器に
より検出し、その検出結果である電子線強度分布から、
前記複数のヒーターの電圧制御を行うことを特徴とする
電子銃の制御方法（請求項４）」を提供する。Further, the present invention is directed to a fourth aspect, "a small hole provided in a plane including a nearby position where a cathode image or a crossover image is formed and sufficiently away from an optical axis; 4. The method for controlling an electron gun according to claim 1, wherein the method is used in an electron beam reduction transfer device including a detector provided below and a deflector provided above the small hole. The emitted electron beam is deflected by the deflector, scans over the small holes, detects the electrons passing through the small holes by the detector, and from the electron beam intensity distribution that is the detection result,
A method of controlling an electron gun (claim 4), wherein voltage control of the plurality of heaters is performed.
【０００９】[0009]
【発明の実施形態】以下、本発明にかかる実施形態の電
子銃を図面を参照しながら説明する。図１（ａ）は、実
施形態の電子銃の概略断面図であり、（ｂ）は、概略下
面図である。この電子銃は、同軸上に一列に配列された
アノード１、制御アノード２、カソード３、ヒーター
（副カソード）５等から構成されている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an electron gun according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1A is a schematic sectional view of the electron gun of the embodiment, and FIG. 1B is a schematic bottom view. This electron gun includes an anode 1, a control anode 2, a cathode 3, a heater (sub-cathode) 5, and the like, which are coaxially arranged in a line.
【００１０】本実施形態では、ウエーネルトが設けられ
ていない電子銃について示したが、ウエーネルトが設け
られているタイプの電子銃であっても本発明を適用する
ことができる。アノード１は、中央部に孔の開いた板状
のものであり、通常グラウンドレベルの電位を有する。
アノード１はマイナス電圧（加速電圧）を印加されたカ
ソード３から電子線を引き出す作用をなす。In this embodiment, an electron gun without a Wehnelt is shown. However, the present invention can be applied to an electron gun with a Wehnelt. The anode 1 is in the form of a plate having a hole at the center, and usually has a ground level potential.
The anode 1 functions to extract an electron beam from the cathode 3 to which a negative voltage (acceleration voltage) is applied.
【００１１】なお、アノード１、制御アノード２の孔径
や位置をシミュレーションにより最適化することによ
り、レンズ効果の収差を最小として高エミッタンス条件
を得ることができる。制御アノード２も、中央部に孔の
開いた板状のものであり、アノード１とカソード３の間
にアノード１と平行に配置されている。By optimizing the hole diameters and positions of the anode 1 and the control anode 2 by simulation, it is possible to obtain a high emittance condition while minimizing the aberration of the lens effect. The control anode 2 is also in the form of a plate having a hole at the center, and is disposed between the anode 1 and the cathode 3 in parallel with the anode 1.
【００１２】カソード３はタンタルからなり、その表面
には、リング状の電子放出面６を残してイリジウム膜又
はレニウム膜が形成されている。より具体的には、Φ１
０ｍｍのカソードの表面のうち半径０〜４ｍｍ及び４．
５〜５ｍｍの範囲にイリジウム膜又はレニウム膜を蒸着
し、半径４．５〜５ｍｍの範囲はタンタルを露出させ
て、このタンタルから電子が放出されるようにした。The cathode 3 is made of tantalum, and on its surface, an iridium film or a rhenium film is formed except for a ring-shaped electron emission surface 6. More specifically, Φ1
3. 0 mm radius of the 0 mm cathode surface and 4.
An iridium film or a rhenium film was deposited in a range of 5 to 5 mm, and tantalum was exposed in a range of a radius of 4.5 to 5 mm so that electrons were emitted from the tantalum.
【００１３】イリジウムの仕事関数は５．３ｅＶであ
り、タンタル及びレニウムの仕事関数はそれぞれ４．１
９ｅＶ、４．７ｅＶであるので、イリジウムはタンタル
及びレニウムに比べて仕事関数が大きい。そのため、リ
ング状のタンタルからなる電子放出面からのみ電子線が
放出されるようにカソード温度を決定することができ
る。The work function of iridium is 5.3 eV, and the work functions of tantalum and rhenium are 4.1 eV, respectively.
Since it is 9 eV and 4.7 eV, iridium has a higher work function than tantalum and rhenium. Therefore, the cathode temperature can be determined such that the electron beam is emitted only from the electron emission surface made of ring-shaped tantalum.
【００１４】なお、この膜材料は導電性であるので、カ
ソード３の電子放出面６と基本的に同じ電位となって電
子放出面６近傍の電場を乱すこともない。カソード３の
リング状の電子放出面６に対応する裏面の位置の下には
８本のヒーター５が放射状に等間隔に備えられており、
各ヒーター５には直流加熱電源７とボンバード電圧８が
接続されている。このヒーター５からのエレクトロンボ
ンバードが同裏面に当たる。これにより生じた熱が電子
放出面６を加熱する。また、各ボンバード電圧８は、Ｃ
ＰＵ制御のインターフェ−ス９により独立に制御可能と
なっている。Since the film material is conductive, the potential is basically the same as that of the electron emission surface 6 of the cathode 3, so that the electric field near the electron emission surface 6 is not disturbed. Eight heaters 5 are radially provided at equal intervals below the position of the back surface corresponding to the ring-shaped electron emission surface 6 of the cathode 3.
Each heater 5 is connected to a DC heating power supply 7 and a bombard voltage 8. The electron bombard from the heater 5 hits the rear surface. The heat generated thereby heats the electron emission surface 6. Also, each bombard voltage 8 is C
It can be independently controlled by a PU control interface 9.
【００１５】本実施形態の例では、カソードの裏面の下
に８本のヒーター５を放射状に等間隔に配置する構成を
示したが、ヒーター５の数は、カソード３の大きさに応
じて任意に決定することができる。カソード３は、その
中心部分で絶縁材料からなる支持部材（セラミックス）
１０によって固定されている。In the example of this embodiment, eight heaters 5 are arranged radially below the back surface of the cathode at equal intervals. However, the number of heaters 5 is arbitrary according to the size of the cathode 3. Can be determined. The cathode 3 has a support member (ceramic) made of an insulating material at its center.
It is fixed by 10.
【００１６】次に図２を参照しながら、実施形態にかか
る電子銃を電子線縮小転写装置に適用した場合における
制御方法について説明する。図２は、実施形態にかかる
電子銃を用いた電子線縮小転写装置の構成を模式的に示
した図である。破線は、カソード面がどのと電子光学的
に共役であるかを示したものである。Next, a control method when the electron gun according to the embodiment is applied to an electron beam reduction transfer apparatus will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a diagram schematically illustrating a configuration of an electron beam reduction transfer device using the electron gun according to the embodiment. The dashed line indicates which of the cathode surfaces is electro-optically conjugate.
【００１７】実線は、電子銃から放射され、クロスオー
バー近傍に形成される平坦な部分がどこと電子光学的に
共役であるかを示したものである。電子銃２１から放出
された電子線は、第一のコンデンサーレンズ２２により
集束され、さらに第二のコンデンサーレンズ２３により
集束されるとともに、第二のコンデンサーレンズ２２の
内側に設けられた成形開口部２４により正方形に成形さ
れ、成形された電子線は照射レンズ２９によりマスク
（レチクル）３０に照射される。The solid line shows where the flat portion emitted from the electron gun and formed near the crossover is electron-optically conjugate. The electron beam emitted from the electron gun 21 is focused by the first condenser lens 22, further focused by the second condenser lens 23, and formed at the inside of the second condenser lens 22. The electron beam thus formed is irradiated on a mask (reticle) 30 by an irradiation lens 29.
【００１８】マスク３０に照射された電子線のうち、マ
スク３０に形成された開口部（感光基板に転写すべきパ
ターン）を通過した電子線は第一の投影レンズ３１及び
第二の投影レンズ３２により縮小され、感光基板上３３
に照射される。これにより感光基板３３上にパターンが
投影され、焼き付けられる。また、本実施形態の電子線
縮小転写装置内には、成形開口部２４と同一面内であっ
て光軸から十分離れた位置に第一の小孔（約直径２μ
ｍ）２５が形成され、この小孔２５の下には小孔を通過
した電子線を検出するための第一の検出器（ファラデー
ゲージ）２６が設けられている。Of the electron beams applied to the mask 30, those passing through the openings (patterns to be transferred to the photosensitive substrate) formed in the mask 30 are the first projection lens 31 and the second projection lens 32. On the photosensitive substrate 33
Is irradiated. Thereby, the pattern is projected on the photosensitive substrate 33 and printed. In addition, in the electron beam reduction transfer device of the present embodiment, a first small hole (about 2 μm in diameter) is provided in the same plane as the molding opening 24 and sufficiently away from the optical axis.
m) 25 is formed, and a first detector (Faraday gauge) 26 for detecting an electron beam passing through the small hole 25 is provided below the small hole 25.
【００１９】また、第一の投影レンズと第二の投影レン
ズとの間に形成されるカソード像と同じ位置に設けられ
たコントラストアパチャー３７と同一面内であって光軸
から十分離れた位置に第二の小孔（約直径２μｍ）３５
が形成され、この小孔３５の下には小孔を通過した電子
線を検出するための第二の検出器（ファラデーゲージ）
３６が設けられている。Also, a position which is within the same plane as the contrast aperture 37 provided at the same position as the cathode image formed between the first projection lens and the second projection lens and is sufficiently away from the optical axis. The second small hole (about 2 μm in diameter) 35
A second detector (Faraday gauge) for detecting an electron beam passing through the small hole 35 is formed below the small hole 35.
36 are provided.
【００２０】なお、前述したようなカソード像と同じ位
置に設けられる小孔及びこの小孔の下に設けられる検出
器を、第二のコンデンサーレンズと照明レンズとの間に
形成されるカソード像と同じ位置に設けても良い。各検
出器２６、３６は、インタフェース９及びＣＲＴ２７に
接続されている。また、成形開口部２４及びコントラス
トアパチャー３７の上方に設けられた各偏向器２８、３
４は、ＣＲＴ２７に接続されている。The small hole provided at the same position as the above-mentioned cathode image and the detector provided below the small hole are connected to the cathode image formed between the second condenser lens and the illumination lens. They may be provided at the same position. Each of the detectors 26 and 36 is connected to the interface 9 and the CRT 27. Further, the deflectors 28, 3 provided above the molding opening 24 and the contrast aperture 37 are provided.
4 is connected to the CRT 27.
【００２１】これらの構成を用いて具体的な動作手順を
説明する。まず、電子銃２１から照射される電子線の一
様性の粗調整を行う。電子線を第二の偏向器３４により
偏向させ、第二の小孔３５上にＸ方向（図面の横方
向）、Ｙ（図面に垂直な方向）方向に走査させる。第二
の偏向器３４により偏向された電子線の偏向量と、第二
の検出器３６により検出された電子強度との信号がＣＲ
Ｔ２７に伝達され、電子線の偏向量から電子線の断面で
あるビーム径のどの位置が小孔３５を通過したか導き出
され、ＣＲＴ２７にはビームの径位置（横軸）に対する
電子強度（縦軸）が表示される。A specific operation procedure will be described using these configurations. First, the uniformity of the uniformity of the electron beam irradiated from the electron gun 21 is roughly adjusted. The electron beam is deflected by the second deflector 34 and scans the second small hole 35 in the X direction (horizontal direction in the drawing) and the Y direction (direction perpendicular to the drawing). The signal of the deflection amount of the electron beam deflected by the second deflector 34 and the signal of the electron intensity detected by the second detector 36 are CR
The electron beam is transmitted to T27 to derive from the deflection amount of the electron beam which position of the beam diameter, which is the cross section of the electron beam, has passed through the small hole 35. ) Is displayed.
【００２２】ＣＲＴ２７に表示された電子強度分布を例
えば人間が観察し、最適な強度分布が得られるように
（複数のヒーターのうち電圧制御が必要なヒーターを特
定し、ボンバード電圧の電圧値を検討する）インターフ
ェース９に接続されているコンピューターから指示をす
る。この位置にはカソード像が形成されているので、リ
ング形状に対応して２つの山をもった強度分布が表示さ
れるはずである。For example, a person observes the electron intensity distribution displayed on the CRT 27 so that an optimal intensity distribution can be obtained (specifying a heater that needs voltage control among a plurality of heaters and examining the voltage value of the bombardment voltage). Perform an instruction from a computer connected to the interface 9). Since a cathode image is formed at this position, an intensity distribution having two peaks corresponding to the ring shape should be displayed.
【００２３】なお、第一のコンデンサーレンズ２２等の
各種レンズによる電子線の回転量（角度）は、予め計算
されているので、ＣＲＴ２７に表示された電子強度分布
から電子放出面６から放出された電子線の回転量を考慮
して電圧制御が必要なヒーター５の位置を導き出す。コ
ンピュターからの指示内容はインターフェース９を介し
て電圧制御が必要なヒーター５のボンバード電圧８に伝
えられる。Since the rotation amount (angle) of the electron beam by various lenses such as the first condenser lens 22 is calculated in advance, the electron beam is emitted from the electron emission surface 6 from the electron intensity distribution displayed on the CRT 27. The position of the heater 5 requiring voltage control is derived in consideration of the amount of rotation of the electron beam. Instructions from the computer are transmitted via the interface 9 to the bombardment voltage 8 of the heater 5 requiring voltage control.
【００２４】かかる一連の動作を繰り返し所定の電子強
度分布が得られた場合は、次に微調整を行う。微調整の
手順は、電子線を第一の偏向器２８により偏向させ、第
一の小孔２５上にＸ、Ｙ方向に走査させ、前述した粗調
整と同様な過程を経て、電圧制御が必要なヒーターの位
置を導き出し、所定の電子強度分布が得られるまで、か
かる一連の動作を繰り返す。When a predetermined electron intensity distribution is obtained by repeating such a series of operations, fine adjustment is performed next. In the fine adjustment procedure, the electron beam is deflected by the first deflector 28, scanned in the X and Y directions on the first small holes 25, and voltage control is necessary through the same process as the coarse adjustment described above. Such a series of operations is repeated until a suitable heater position is derived and a predetermined electron intensity distribution is obtained.
【００２５】例えば、図２に示されているＣＲＴ２７中
に表されている電子強度分布のように、左側の電子強度
が低く、右側の強度が高い場合は、電子線の回転量
（角）を考慮して導き出された左側に対応する位置のカ
ソード表面の温度が低く、電子放出量が少ないことがわ
かる。以上説明したような電子銃の制御は、一般的には
電子線縮小転写装置の電子銃を交換した後に行えばよい
が、電子銃が不安定な場合はマスク（レチクル）の交換
毎に行うことが好ましい。For example, when the electron intensity on the left side is low and the intensity on the right side is high, as in the electron intensity distribution shown in the CRT 27 shown in FIG. 2, the rotation amount (angle) of the electron beam is reduced. It can be seen that the temperature of the cathode surface at the position corresponding to the left side derived in consideration of the temperature is low and the amount of electron emission is small. Generally, the control of the electron gun as described above may be performed after the electron gun of the electron beam reduction transfer device is replaced. However, when the electron gun is unstable, the control is performed every time the mask (reticle) is replaced. Is preferred.
【００２６】ＣＲＴに表示された画像を人間が観察し、
所定の判断してコンピューターに指示する代わりに、Ｃ
ＲＴの画像を画像処理して処理結果から算出された内容
を直接コンピュータに送り込む方式を採用してもよい。A human observes the image displayed on the CRT,
Instead of instructing the computer to make predetermined decisions,
A method of performing image processing on an RT image and directly sending the content calculated from the processing result to a computer may be employed.
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上説明した通り、本発明にかかる電子
銃によれば、カソード裏面に独立に電圧制御可能な複数
のヒーターを設けたので、各ヒーターの電圧制御を行う
ことにより、マスクを照明する電子線の強度を一様にす
ることができる。また、ヒーターをカソード裏面の中心
から放射状に略等間隔に配置することにより、精度よく
電子線強度の一様性を制御することができる。As described above, according to the electron gun of the present invention, since a plurality of heaters capable of independently controlling the voltage are provided on the back surface of the cathode, the mask is illuminated by controlling the voltage of each heater. The intensity of the emitted electron beam can be made uniform. Further, by arranging the heaters at substantially equal intervals radially from the center of the cathode back surface, it is possible to accurately control the uniformity of the electron beam intensity.
【００２８】さらに、電子放出面からリング状の電子線
が放出されるようにすることにより、カソード像が形成
される位置における空間電荷効果の影響を小さくするこ
とができる。Further, by making the ring-shaped electron beam emitted from the electron emission surface, the influence of the space charge effect at the position where the cathode image is formed can be reduced.
【図１】（ａ）は、本発明の実施形態にかかる電子銃の
概略断面図であり、（ｂ）は概略下面図である。FIG. 1A is a schematic sectional view of an electron gun according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a schematic bottom view.
【図２】実施形態にかかる電子銃を用いた電子線縮小転
写装置の構成を模式的に示した図である。FIG. 2 is a diagram schematically showing a configuration of an electron beam reduction transfer device using an electron gun according to the embodiment.
【図３】カソードとアノード間で所定の電位差を有する
電子銃のカソードの温度変化に対する電流（電子放出
量）の変化を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a change in current (electron emission amount) with respect to a change in temperature of a cathode of an electron gun having a predetermined potential difference between a cathode and an anode.
１・・・アノード ２・・・制御アノード ３・・・カソード ４・・・イリジウム膜又はレニウム膜 ５・・・ヒーター ６・・・電子放出面 ７・・・加熱電源 ８・・・ボンバード電圧 ９・・・インターフェース １０・・・支持部材 ２１・・・電子銃 ２２・・・第一のコンデンサーレンズ ２３・・・第二のコンデンサーレンズ ２４・・・成形開口部 ２５・・・第一の小孔 ２６・・・第一の検出器 ２７・・・ＣＲＴ ２８・・・第一の偏向器 ２９・・・照明レンズ ３０・・・マスク（レチクル） ３１・・・第一の投影レンズ ３２・・・第二の投影レンズ ３３・・・感光基板 ３４・・・第二の偏向器 ３５・・・第二の小孔 ３６・・・第二の検出器 ３７・・・コントラストアパチャー DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Anode 2 ... Control anode 3 ... Cathode 4 ... Iridium film or rhenium film 5 ... Heater 6 ... Electron emission surface 7 ... Heating power supply 8 ... Bombard voltage 9 ... Interface 10 ... Support member 21 ... Electron gun 22 ... First condenser lens 23 ... Second condenser lens 24 ... Forming opening 25 ... First small hole 26 first detector 27 CRT 28 first deflector 29 illumination lens 30 mask (reticle) 31 first projection lens 32 Second projection lens 33 ... Photosensitive substrate 34 ... Second deflector 35 ... Second small hole 36 ... Second detector 37 ... Contrast aperture
Claims (4)
き出すアノードと、前記カソードの裏面に電子衝撃を与
えるためのヒーターを備えた電子銃において、 前記ヒーターは独立に電圧制御可能な複数のヒーターか
らなることを特徴とする電子銃。1. An electron gun comprising: a cathode having an electron emission surface; an anode for extracting electrons; and a heater for applying an electron impact to the back surface of the cathode, wherein the plurality of heaters are independently controllable in voltage. An electron gun, comprising:
にカソード中心から放射状に略等間隔に配置されている
ことを特徴とする請求項１記載の電子銃。2. The electron gun according to claim 1, wherein the plurality of heaters are arranged on the back surface of the cathode at substantially equal intervals radially from the center of the cathode.
子線（中空ビーム）が放出されることを特徴とする請求
項１又は２記載の電子銃。3. The electron gun according to claim 1, wherein an electron beam (hollow beam) having a ring-shaped cross section is emitted from said electron emission surface.
れる近傍位置を含む面内であって光軸から十分に離れた
位置に設けられた小孔、該小孔の下に設けられた検出
器、前記小孔の上方に設けられた偏向器を備えた電子線
縮小転写装置に用いられる請求項１〜３記載の電子銃の
制御方法であって、 前記電子銃から放出された電子線を前記偏向器により偏
向し、前記小孔上を走査し、前記小孔を通過した電子を
前記検出器により検出し、その検出結果である電子線強
度分布から、前記複数のヒーターの電圧制御を行うこと
を特徴とする電子銃の制御方法。4. A small hole provided in a plane including a nearby position where a cathode image or a crossover image is formed and sufficiently away from an optical axis, and a detector provided below the small hole. 4. The method for controlling an electron gun according to claim 1, which is used for an electron beam reduction transfer device having a deflector provided above the small hole, wherein the electron beam emitted from the electron gun is Deflection by a deflector, scanning over the small holes, detecting electrons passing through the small holes with the detector, and performing voltage control of the plurality of heaters based on an electron beam intensity distribution as a detection result. A method for controlling an electron gun.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11042879A JP2000243334A (en) | 1999-02-22 | 1999-02-22 | Electron gun and control method for electron gun |
| US09/510,581 US6538255B1 (en) | 1999-02-22 | 2000-02-22 | Electron gun and electron-beam optical systems and methods including detecting and adjusting transverse beam-intensity profile, and device manufacturing methods including same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11042879A JP2000243334A (en) | 1999-02-22 | 1999-02-22 | Electron gun and control method for electron gun |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000243334A true JP2000243334A (en) | 2000-09-08 |
Family
ID=12648337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP11042879A Pending JP2000243334A (en) | 1999-02-22 | 1999-02-22 | Electron gun and control method for electron gun |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2000243334A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1199739A2 (en) * | 2000-10-20 | 2002-04-24 | eLith LLC | A device and method for suppressing space charge induced abberations in charged-particle projection lithography systems |
-
1999
- 1999-02-22 JP JP11042879A patent/JP2000243334A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1199739A2 (en) * | 2000-10-20 | 2002-04-24 | eLith LLC | A device and method for suppressing space charge induced abberations in charged-particle projection lithography systems |
| EP1199739A3 (en) * | 2000-10-20 | 2007-03-28 | eLith LLC | A device and method for suppressing space charge induced abberations in charged-particle projection lithography systems |
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