JP2000236596A - Semiconductor electret condenser microphone - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体エレクトレ
ットコンデンサマイクロホンに関する。The present invention relates to a semiconductor electret condenser microphone.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のこの種の半導体エレクトレットコ
ンデンサマイクロホンＧは、図７に示すように、電気音
響変換素子１０００と、この電気音響変換素子１０００
を収納するケース２０００とを有している。そして、前
記電気音響変換素子１０００は、必要な電子回路１１０
が上面周縁部に形成された半導体チップ１００と、この
半導体チップ１１０の上面に積層された絶縁層２００
と、この絶縁層２００の上に積層された固定電極３００
と、この固定電極３００に形成されたスペーサ４００
と、このスペーサ４００によって前記固定電極３００と
所定の間隔を有して対向する振動膜５００と、この振動
膜５００が取り付けられる振動膜リング６００とを有し
ている。前記振動膜５００には固定電極３００と対向す
るエレクトレット層５１０と、このエレクトレット層５
１０に積層された金属電極５２０とが形成されている。
そして、エレクトレット層５１０と固定電極３００との
間がエアギャップとなってコンデンサを構成するのであ
る。固定電極側にエレクトレット層（ＳｉＯ2 、その
他）を積層し、振動膜は金属箔（Ｎｉ、Ｔｉ、その他）
または高分子ＰＰＳ又はＰＥＴフィルムに金属蒸着して
コンデンサを構成することもできる。2. Description of the Related Art As shown in FIG. 7, a conventional semiconductor electret condenser microphone G of this type comprises an electroacoustic transducer 1000 and an electroacoustic transducer 1000.
And a case 2000 for storing the In addition, the electroacoustic transducer 1000 includes a necessary electronic circuit 110.
Semiconductor chip 100 formed on the periphery of the upper surface, and insulating layer 200 laminated on the upper surface of semiconductor chip 110.
And a fixed electrode 300 laminated on the insulating layer 200
And a spacer 400 formed on the fixed electrode 300
A vibrating membrane 500 facing the fixed electrode 300 at a predetermined distance by the spacer 400; and a vibrating membrane ring 600 to which the vibrating membrane 500 is attached. An electret layer 510 facing the fixed electrode 300 and the electret layer 5
10 are formed.
Then, the space between the electret layer 510 and the fixed electrode 300 becomes an air gap to constitute a capacitor. An electret layer (SiO 2 , etc.) is laminated on the fixed electrode side, and the vibration film is a metal foil (Ni, Ti, etc.)
Alternatively, a capacitor can be formed by depositing metal on a polymer PPS or PET film.
【０００３】この半導体エレクトレットコンデンサマイ
クロホンＧは、以下のようにして作動する。まず、音圧
によって振動膜５００が振動することによって、振動膜
５００と固定電極３００との間の間隔が変化し、この変
化に応じたコンデンサの容量の変化が振動膜５００の金
属電極５２０及び振動膜リング６００を介して半導体チ
ップ１００の電子回路１１０に入力されるのである。ま
た、音圧にて振動膜５００が振動することによって、振
動膜５００と固定電極３００との間の間隔が変化し、こ
の変化に応じたコンデンサの容量の変化が固定電極３０
０を介して半導体チップ１００の電子回路１１０に入力
される。[0003] The semiconductor electret condenser microphone G operates as follows. First, when the vibration film 500 vibrates due to sound pressure, the distance between the vibration film 500 and the fixed electrode 300 changes, and the change in the capacitance of the capacitor according to the change causes the metal electrode 520 of the vibration film 500 and the vibration. It is input to the electronic circuit 110 of the semiconductor chip 100 via the film ring 600. In addition, when the diaphragm 500 vibrates at the sound pressure, the distance between the diaphragm 500 and the fixed electrode 300 changes.
0 is input to the electronic circuit 110 of the semiconductor chip 100.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の半導体エレクトレットコンデンサマイクロホン
には以下のような問題点が存在する。すなわち、固定電
極と半導体チップの電子回路との間に寄生容量が発生す
る。この寄生容量（＝Ｃ1)は、半導体チップが２．０ｍ
ｍ×２．０ｍｍ×０．３ｍｍの大きさで、絶縁層が厚さ
が１００Å前後のＳｉＯ2 膜であり、固定電極が直径
１．５ｍｍのアルミニウムであり、スペーサが厚さ２０
μｍ前後であった場合、マイク容量（＝Ｃ0)が２ＰＦで
あった場合、５０ＰＦになる。このため、半導体エレク
トレットコンデンサマイクロホンとしては、半導体チッ
プの電子回路に入力される入力電圧（＝Ｅ1)は、非常に
小さなものになる。However, the above-mentioned conventional semiconductor electret condenser microphone has the following problems. That is, a parasitic capacitance is generated between the fixed electrode and the electronic circuit of the semiconductor chip. This parasitic capacitance (= C1) is 2.0 m
m × 2.0 mm × 0.3 mm, the insulating layer is an SiO 2 film having a thickness of about 100 °, the fixed electrode is aluminum having a diameter of 1.5 mm, and the spacer is 20 mm thick.
When it is about μm, when the microphone capacity (= C0) is 2 PF, it becomes 50 PF. For this reason, as a semiconductor electret condenser microphone, the input voltage (= E1) input to the electronic circuit of the semiconductor chip becomes extremely small.
【０００５】半導体チップの電子回路に入力される入力
電圧Ｅ1 は入力信号ｅ0 とする場合、Ｅ1 ＝（Ｃ0 / Ｃ
0 ＋Ｃ1)ｅ0 で得られる。この式に前記数値を代入する
と、入力電圧Ｅ1 は入力信号号ｅ0 に対して約２８ｄＢ
低い電圧となることが判る。When an input voltage E 1 input to an electronic circuit of a semiconductor chip is an input signal e 0 , E 1 = (C 0 / C
Resulting in 0 + C 1) e 0. By substituting the above values into this equation, the input voltage E 1 is about 28 dB with respect to the input signal signal e 0 .
It turns out that it becomes a low voltage.
【０００６】本発明は上記事情に鑑みて創案されたもの
で、前記寄生容量を減少させることができる半導体エレ
クトレットコンデンサマイクロホン又は寄生容量が生じ
ない半導体エレクトレットコンデンサマイクロホンを提
供することを目的としている。The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a semiconductor electret condenser microphone that can reduce the parasitic capacitance or a semiconductor electret condenser microphone that does not generate parasitic capacitance.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体エレ
クトレットコンデンサマイクロホンは、必要な電子回路
が上面周縁部に形成された半導体チップと、この半導体
チップの上面に積層された絶縁層と、この絶縁層の上に
積層された固定電極と、この固定電極と所定の間隔を有
して対向する振動膜とを有する電気音響変換素子を備え
ており、前記振動膜にエレクトレット層が形成、又は固
定電極側にエレクトレット層が形成された半導体エレク
トレットコンデンサマイクロホンであって、前記絶縁層
は、少なくとも０．１μｍ以上の厚さとする。According to the present invention, there is provided a semiconductor electret condenser microphone comprising: a semiconductor chip having necessary electronic circuits formed on a peripheral portion of an upper surface; an insulating layer laminated on the upper surface of the semiconductor chip; An electroacoustic transducer having a fixed electrode laminated on the layer, and a vibrating film opposed to the fixed electrode at a predetermined interval, wherein an electret layer is formed on the vibrating film, or the fixed electrode A semiconductor electret condenser microphone having an electret layer formed on its side, wherein the insulating layer has a thickness of at least 0.1 μm or more.
【０００８】また、本発明に係る他の半導体エレクトレ
ットコンデンサマイクロホンは、必要な電子回路が上面
周縁部に形成された半導体チップと、この半導体チップ
の上面に積層された絶縁層と、この絶縁層の上に積層さ
れた固定電極と、この固定電極と所定の間隔を有して対
向する振動膜とを有する電気音響変換素子を備えてお
り、前記振動膜にエレクトレット層が形成、又は固定電
極側にエレクトレット層が形成された半導体エレクトレ
ットコンデンサマイクロホンであって、前記半導体チッ
プは、上面に形成された凹部に埋込絶縁層を形成してお
り、前記埋込絶縁層は、少なくとも固定電極の下方には
形成されている。Further, another semiconductor electret condenser microphone according to the present invention includes a semiconductor chip in which necessary electronic circuits are formed on a peripheral edge of an upper surface, an insulating layer laminated on the upper surface of the semiconductor chip, and an insulating layer of the insulating layer. An electroacoustic transducer having a fixed electrode laminated thereon and a vibrating film opposed to the fixed electrode at a predetermined interval is provided, and an electret layer is formed on the vibrating film, or on the fixed electrode side. A semiconductor electret condenser microphone on which an electret layer is formed, wherein the semiconductor chip has a buried insulating layer formed in a recess formed on an upper surface, and the buried insulating layer is at least below a fixed electrode. Is formed.
【０００９】また、凹部ではなく、半導体チップの上面
から下面にかけて貫通した貫通孔に埋込絶縁層を形成
し、この埋込絶縁層は、少なくとも固定電極の下方には
形成されるようにしてもよい。Further, a buried insulating layer may be formed not in the recess but in a through hole penetrating from the upper surface to the lower surface of the semiconductor chip, and the buried insulating layer may be formed at least below the fixed electrode. Good.
【００１０】さらに、本発明に係る他の半導体エレクト
レットコンデンサマイクロホンは、必要な電子回路が上
面周縁部に形成された半導体チップと、この半導体チッ
プの上面に積層された絶縁層と、この絶縁層の上に積層
された固定電極と、この固定電極と所定の間隔を有して
対向する振動膜とを有する電気音響変換素子を備えてお
り、前記振動膜にエレクトレット層が形成、又は固定電
極側にエレクトレット層が形成された半導体エレクトレ
ットコンデンサマイクロホンであって、前記固定電極は
半導体チップ上のアースに接続され、振動膜の金属電極
と振動膜が取り付けられた振動膜リングとを半導体チッ
プの入力端子に接続する。Further, another semiconductor electret condenser microphone according to the present invention includes a semiconductor chip in which necessary electronic circuits are formed on a peripheral edge of an upper surface, an insulating layer laminated on the upper surface of the semiconductor chip, and an insulating layer formed of the insulating layer. An electroacoustic transducer having a fixed electrode laminated thereon and a vibrating film opposed to the fixed electrode at a predetermined interval is provided, and an electret layer is formed on the vibrating film, or on the fixed electrode side. A semiconductor electret condenser microphone having an electret layer formed thereon, wherein the fixed electrode is connected to a ground on a semiconductor chip, and a metal electrode of the diaphragm and a diaphragm ring to which the diaphragm is attached are connected to input terminals of the semiconductor chip. Connecting.
【００１１】また、本発明に係るその他の半導体エレク
トレットコンデンサマイクロホンは、必要な電子回路が
上面周縁部に形成された半導体チップと、この半導体チ
ップの下面と所定の間隔を有して対向する振動膜とを有
する電気音響変換素子及びこの電気音響変換素子を収納
するケースとを備えており、前記ケースは前記電気音響
変換素子を収納する凹部と、この凹部の底面と側面との
間を導通させる導電層とを有しており、前記電気音響変
換素子は凹部にフリップチップ方式で収納されており、
振動膜の金属電極と振動膜が取り付けられた振動膜リン
グとを前記導電層を介して半導体チップの入力端子に接
続するようにしてもよい。Further, another semiconductor electret condenser microphone according to the present invention comprises a semiconductor chip having a required electronic circuit formed on a peripheral portion of an upper surface thereof, and a vibrating membrane opposed to the lower surface of the semiconductor chip with a predetermined interval. And a case for accommodating the electro-acoustic transducer. The case includes a recess for accommodating the electro-acoustic transducer, and a conductive member for conducting between the bottom surface and the side surface of the recess. And the electro-acoustic transducer is housed in the recess in a flip chip manner,
The metal electrode of the vibration film and the vibration film ring to which the vibration film is attached may be connected to the input terminal of the semiconductor chip via the conductive layer.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施の形態
に係る半導体エレクトレットコンデンサマイクロホンの
概略的断面図、図２は本発明の第２の実施の形態に係る
半導体エレクトレットコンデンサマイクロホンの概略的
断面図、図３は本発明の第３の実施の形態に係る半導体
エレクトレットコンデンサマイクロホンの概略的断面
図、図４は本発明の第４の実施の形態に係る半導体エレ
クトレットコンデンサマイクロホンの概略的断面図、図
５は本発明の第５の実施の形態に係る半導体エレクトレ
ットコンデンサマイクロホンの概略的断面図、図６は本
発明の第６の実施の形態に係る半導体エレクトレットコ
ンデンサマイクロホンの概略的断面図である。なお、従
来の技術で説明したものと同一のものには同一の符号を
付する。FIG. 1 is a schematic sectional view of a semiconductor electret condenser microphone according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of a semiconductor electret condenser microphone according to a second embodiment of the present invention. FIG. 3 is a schematic sectional view of a semiconductor electret condenser microphone according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a schematic sectional view of a semiconductor electret condenser microphone according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 5 is a schematic sectional view of a semiconductor electret condenser microphone according to a fifth embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a schematic sectional view of a semiconductor electret condenser microphone according to a sixth embodiment of the present invention. It is. The same components as those described in the related art are denoted by the same reference numerals.
【００１３】なお、以下の説明で半導体チップ１００の
上面とは図１に示す半導体チップ１００における表面を
いい、下面とは前記上面に対向する面をいうものとす
る。In the following description, the upper surface of the semiconductor chip 100 refers to the surface of the semiconductor chip 100 shown in FIG. 1, and the lower surface refers to the surface facing the upper surface.
【００１４】本発明の第１の実施の形態に係る半導体エ
レクトレットコンデンサマイクロホンＡは、図１に示す
ように、必要な電子回路１１０が上面周縁部に形成され
た半導体チップ１００と、この半導体チップ１００の上
面に積層された絶縁層２００と、この絶縁層２００の上
に積層された固定電極３００と、この固定電極３００と
所定の間隔（例えば、２０μｍ程度）を有して対向する
振動膜５００とを有する電気音響変換素子１０００を備
えており、前記振動膜５００にエレクトレット層５１０
が形成された半導体エレクトレットコンデンサマイクロ
ホンであって、前記絶縁層２００は、少なくとも０．１
μｍ以上の厚さがある。As shown in FIG. 1, a semiconductor electret condenser microphone A according to a first embodiment of the present invention includes a semiconductor chip 100 having a required electronic circuit 110 formed on a peripheral portion of an upper surface thereof. An insulating layer 200 laminated on the upper surface of the substrate, a fixed electrode 300 laminated on the insulating layer 200, and a vibrating film 500 facing the fixed electrode 300 at a predetermined interval (for example, about 20 μm). And an electroacoustic transducer 1000 having
Is formed on the semiconductor electret condenser microphone, wherein the insulating layer 200 has at least 0.1
There is a thickness of μm or more.
【００１５】まず、電気音響変換素子１０００を構成す
る半導体チップ１００は、従来のものに用いられるもの
と同様であって、２．０ｍｍ×２．０ｍｍ×０．３ｍｍ
の大きさのＳｉチップである。この半導体チップ１００
の上面周縁部には、必要な電子回路１１０としてのイン
ピーダンス用のＦＥＴ、増幅回路、ノイズキャンセル回
路等が常法によって形成されている。First, the semiconductor chip 100 constituting the electroacoustic transducer 1000 is the same as that used in the conventional one, and is 2.0 mm × 2.0 mm × 0.3 mm.
Is the size of the Si chip. This semiconductor chip 100
In the peripheral portion of the upper surface of the device, an impedance FET, an amplifier circuit, a noise canceling circuit, and the like as necessary electronic circuits 110 are formed by a conventional method.
【００１６】この半導体チップ１００の上面には、電子
回路１１０の入出力用の電極１１１を除いて、絶縁層２
００が積層されている。この絶縁層２００は、珪素の有
機化合物や安定化剤をアルコールやエステル等の有機溶
剤に分散させてなるＳｉＯ2系薄膜形成剤（ＴＥＯＳ）
をディップコーティング法、スピンオンコート法、スプ
レーコーティング法等の適宜な手法で塗布したものであ
る。かかる絶縁層２００は、少なくとも０．１μｍ以上
の厚さ、望ましくは数十μｍの厚さに形成する。なお、
ＳｉＯ2 系薄膜形成剤をディップコーティング法等で塗
布すると、簡単に０．１μｍ以上の厚さを有する絶縁層
２００を形成することができる。On the upper surface of the semiconductor chip 100, except for the input / output electrodes 111 of the electronic circuit 110, the insulating layer 2
00 are stacked. The insulating layer 200 is made of a SiO 2 -based thin film forming agent (TEOS) obtained by dispersing an organic compound of silicon or a stabilizer in an organic solvent such as alcohol or ester.
Is applied by an appropriate method such as a dip coating method, a spin-on coating method, and a spray coating method. The insulating layer 200 is formed to have a thickness of at least 0.1 μm or more, preferably a thickness of several tens μm. In addition,
When the SiO 2 -based thin film forming agent is applied by a dip coating method or the like, the insulating layer 200 having a thickness of 0.1 μm or more can be easily formed.
【００１７】また、この絶縁層２００の上に積層された
固定電極３００は、コンデンサマイク電極としてのゲー
ト電極であって、厚さが１０００Å前後のアルミニウム
層であり、その上に薄い絶縁層（ＴｉＯ2 ）を形成し、
又、固定電極３００は振動膜５００の面積の少なくも半
分位までの面積であってもよい。なお、この固定電極３
００は振動膜５００の面積の少なくも半分位までの面積
であってもよい点については、本発明の第６の実施の形
態に係る半導体エレクトレットコンデンサマイクロホン
Ｆを用いて詳細に説明する。The fixed electrode 300 laminated on the insulating layer 200 is a gate electrode as a capacitor microphone electrode, is an aluminum layer having a thickness of about 1000 °, and a thin insulating layer (TiO 2) 2 ) forming
Further, the fixed electrode 300 may have an area of at least about half of the area of the vibration film 500. In addition, this fixed electrode 3
The point that 00 may be at least half the area of the diaphragm 500 will be described in detail using the semiconductor electret condenser microphone F according to the sixth embodiment of the present invention.
【００１８】また、前記固定電極３００には、ポリイミ
ド樹脂からなるリング状のスペーサ４００が形成されて
いる。このスペーサ４００は、後述する振動膜５００を
前記固定電極３００に対して所定の間隔を有して対向さ
せるためのものである。A ring-shaped spacer 400 made of a polyimide resin is formed on the fixed electrode 300. The spacer 400 is for causing a later-described vibration film 500 to face the fixed electrode 300 at a predetermined interval.
【００１９】さらに、前記振動膜５００は、片面に金属
電極５２０を形成した高分子ＦＥＰフィルムの片面をエ
レクトレット層５１０としたものである。具体的には、
厚さが５μｍ〜１２．５μｍの高分子ＦＥＰフィルムの
表面側にニッケルを厚さ５００Å程度に蒸着して金属電
極５２０としたものである。そして、金属電極５２０が
形成されていない側、すなわち、裏面側にコロナ照射、
ＥＢ照射等のその他の分極処理を施すことにより、高分
子ＦＥＰフィルムに半永久的に電荷をチャージしてエレ
クトレット層５１０を形成するのである（ホイル・エレ
クトレット方式）。又は高分子ＰＰＳ及びＰＥＴフィル
ム（厚さ：２μｍ前後）に片面、Ｎｉ蒸着し（５００
Å）金属電極５２０とした振動膜５００もある（バック
・エレクトレット方式の振動膜）。Further, the vibrating membrane 500 is such that a polymer FEP film having a metal electrode 520 formed on one side is used as an electret layer 510 on one side. In particular,
A metal electrode 520 is formed by depositing nickel to a thickness of about 500 ° on the surface side of a polymer FEP film having a thickness of 5 μm to 12.5 μm. Then, corona irradiation is performed on the side where the metal electrode 520 is not formed, that is, on the back side,
By performing other polarization treatments such as EB irradiation, the polymer FEP film is semipermanently charged to form the electret layer 510 (a foil-electret method). Alternatively, Ni is vapor-deposited on one side of a polymer PPS and PET film (thickness: about 2 μm) (500
Å) There is also a vibrating membrane 500 having a metal electrode 520 (a back electret type vibrating membrane).
【００２０】なお、金属電極５２０として、アルミニウ
ムを厚さ５００Å程度に蒸着するとともに、酸化Ｔｉ
（ＴｉＯ2 ）の絶縁コートを薄く積層することで対環境
的に強化する。または、アルミニウム金属電極の上にス
パッタ蒸着装置でＳｉＯ2 を成膜し、コロナ照射、ＥＢ
照射等の分極処理を施すことにより、半永久的に電荷を
チャージしてエレクトレット層を形成するものである。
『バック・エレクトレット・タイプ』Aluminum is deposited as a metal electrode 520 to a thickness of about 500.degree.
It is environmentally reinforced by laminating an insulating coat of (TiO 2 ) thinly. Alternatively, a film of SiO 2 is formed on an aluminum metal electrode by a sputter deposition apparatus, and is irradiated with corona, EB
By performing a polarization treatment such as irradiation, an electric charge is semipermanently charged to form an electret layer.
"Back electret type"
【００２１】このように形成された振動膜５００は、振
動膜５００の金属電極５２０との導電性を考慮して導電
性を有する振動膜リング６００に取り付けられている。
この振動膜リング６００としては、真鍮やステンレス等
が適している。なお、振動膜リング６００に絶縁性の素
材を用いた場合には、他の手段、例えばボンディングワ
イヤ等によって金属電極５２０と導電性を確保する。The vibrating membrane 500 thus formed is attached to a vibrating membrane ring 600 having conductivity in consideration of conductivity with the metal electrode 520 of the vibrating membrane 500.
As the vibrating membrane ring 600, brass, stainless steel, or the like is suitable. When an insulating material is used for the vibrating membrane ring 600, conductivity with the metal electrode 520 is secured by another means, for example, a bonding wire.
【００２２】このようにして構成された電気音響変換素
子１０００は、ケース２０００の内部に収納されて半導
体エレクトレットコンデンサマイクロホンＡとして完成
する。The thus constructed electro-acoustic transducer 1000 is housed in a case 2000 and completed as a semiconductor electret condenser microphone A.
【００２３】このケース２０００は、次のように構成さ
れている。まず、ケース２０００は、図１等に示すよう
に、電気音響変換素子１０００が嵌まり込む凹部２１１
０が形成されたケース本体２１００と、このケース本体
２１００を閉塞する蓋体２２００とを有している。This case 2000 is configured as follows. First, as shown in FIG. 1 and the like, the case 2000 includes a concave portion 211 into which the electroacoustic transducer 1000 fits.
The case main body 2100 has a cover 2200 for closing the case main body 2100.
【００２４】前記ケース本体２１００には、前記電子回
路１１０の入出力用の電極１１１とボンディングワイヤ
７００で接続される電極部２１２０が形成されている。
この電極部２１２０を介して外部の回路との電気的接続
が図られるのである。なお、この電極部２１２０は、ケ
ース本体２１００の側面に形成された肩部２１２１に形
成されている。また、前記蓋体２２００には、振動膜５
００に音を導くための音孔２２１０が開設されている。The case body 2100 has an electrode portion 2120 connected to the input / output electrode 111 of the electronic circuit 110 by a bonding wire 700.
Electrical connection with an external circuit is achieved through the electrode section 2120. The electrode portion 2120 is formed on a shoulder 2121 formed on the side surface of the case main body 2100. Further, the vibrating membrane 5 is provided on the lid 2200.
A sound hole 2210 for guiding sound to 00 is provided.
【００２５】この半導体エレクトレットコンデンサマイ
クロホンＡでは、絶縁層２００の厚さを従来の１００Å
から少なくとも０．１μｍ以上、望ましくは数十μｍの
厚さに形成したので、固定電極３００と半導体チップ１
００の電子回路１１０との間の寄生容量を低減すること
ができた。具体的には、従来の技術において説明したの
と同様のもので、寄生容量を３０ｐＦ位まで低減するこ
とができた。In the semiconductor electret condenser microphone A, the thickness of the insulating layer 200 is set to 100 °
From the fixed electrode 300 to the semiconductor chip 1.
The parasitic capacitance with the electronic circuit 110 of FIG. Specifically, it is the same as that described in the related art, and the parasitic capacitance can be reduced to about 30 pF.
【００２６】次に、本発明の第２の実施の形態に係る半
導体エレクトレットコンデンサマイクロホンＢについて
説明する。なお、この説明において、上述した半導体エ
レクトレットコンデンサマイクロホンＡと同様の部分に
は同一の符号を付して説明する。この半導体エレクトレ
ットコンデンサマイクロホンＢは、図２に示すように、
必要な電子回路１１０が上面周縁部に形成された半導体
チップ１００と、この半導体チップ１００の上面に積層
された絶縁層２００と、この絶縁層２００の上に積層さ
れた固定電極３００と、この固定電極３００と所定の間
隔を有して対向する振動膜５００とを有する電気音響変
換素子１０００を備えており、前記振動膜５００にエレ
クトレット層５１０が形成された半導体エレクトレット
コンデンサマイクロホンであって、前記半導体チップ１
００は、上面に形成された凹部１２０に埋込絶縁層１３
０を形成しており、前記埋込絶縁層１３０は、少なくと
も固定電極３００の下方には形成されている。Next, a semiconductor electret condenser microphone B according to a second embodiment of the present invention will be described. In this description, the same parts as those of the above-described semiconductor electret condenser microphone A are denoted by the same reference numerals. This semiconductor electret condenser microphone B is, as shown in FIG.
A semiconductor chip 100 on which a necessary electronic circuit 110 is formed on the periphery of the upper surface, an insulating layer 200 laminated on the upper surface of the semiconductor chip 100, a fixed electrode 300 laminated on the insulating layer 200, A semiconductor electret condenser microphone comprising an electroacoustic transducer 1000 having an electrode 300 and a vibrating membrane 500 facing at a predetermined interval, wherein the vibrating membrane 500 has an electret layer 510 formed thereon. Chip 1
00 denotes a buried insulating layer 13 in the recess 120 formed on the upper surface.
0, and the buried insulating layer 130 is formed at least below the fixed electrode 300.
【００２７】この半導体エレクトレットコンデンサマイ
クロホンＢに用いられる半導体チップ１００には、上面
にエッチングによる凹部１２０が形成されている。この
凹部１２０は、約十μｍから数百μｍ程度の深さに形成
される。また、この凹部１２０が少なくとも固定電極３
００の下方には形成されているのは、もし、固定電極３
００の方が凹部１２０より大きければ、固定電極３００
の下側の一部に凹部１２０に形成される埋込絶縁層１３
０がないことになり、寄生容量の防止にならないからで
ある。The semiconductor chip 100 used for the semiconductor electret condenser microphone B has a concave portion 120 formed on the upper surface by etching. The recess 120 is formed at a depth of about 10 μm to several hundred μm. In addition, the concave portion 120 has at least the fixed electrode 3.
00 is formed below the fixed electrode 3
00 is larger than the recess 120, the fixed electrode 300
Buried insulating layer 13 formed in the recess 120 in a part of the lower side of
This is because there is no 0, and the parasitic capacitance is not prevented.
【００２８】前記凹部１２０には、ガラス系の絶縁剤を
埋め込む。そして、前記絶縁剤を半導体チップ１００の
上面と面一にする。これで、ガラス系の絶縁剤からなる
埋込絶縁層１３０が形成されるのである。従って、埋込
絶縁層１３０の厚さは、凹部１２０の深さと同じ、すな
わち約十μｍから数百μｍになる。The recess 120 is filled with a glass-based insulating agent. Then, the insulating material is flush with the upper surface of the semiconductor chip 100. Thus, the buried insulating layer 130 made of the glass-based insulating agent is formed. Therefore, the thickness of the buried insulating layer 130 is the same as the depth of the recess 120, that is, about 10 μm to several hundred μm.
【００２９】このように埋込絶縁層１３０が形成された
半導体チップ１００には、前記埋込絶縁層１３０との別
の絶縁層２００が形成されるが、この絶縁層２００は、
上述した半導体エレクトレットコンデンサマイクロホン
Ａにおけるものより薄くてよい。すなわち、埋込絶縁層
１３０を形成したことによって寄生容量の発生を防止す
ることができたのであるから、絶縁層２００は、従来の
ように厚さが１００Å前後のＳｉＯ2 膜でよいのであ
る。In the semiconductor chip 100 on which the buried insulating layer 130 is formed, another insulating layer 200 different from the buried insulating layer 130 is formed.
The thickness may be thinner than that of the semiconductor electret condenser microphone A described above. That is, since the formation of the buried insulating layer 130 prevented generation of parasitic capacitance, the insulating layer 200 may be a SiO 2 film having a thickness of about 100 ° as in the conventional case.
【００３０】他の部分、すなわち固定電極３００、スペ
ーサ４００、振動膜５００、振動膜リング６００や、ケ
ース２０００等は上述した半導体エレクトレットコンデ
ンサマイクロホンＡと同様であるので、詳細な説明は省
略する。The other parts, that is, the fixed electrode 300, the spacer 400, the vibrating membrane 500, the vibrating membrane ring 600, the case 2000, and the like are the same as those of the semiconductor electret condenser microphone A described above, and the detailed description is omitted.
【００３１】次に、本発明の第３の実施の形態に係る半
導体エレクトレットコンデンサマイクロホンＣについて
説明する。なお、この説明において、上述した半導体エ
レクトレットコンデンサマイクロホンＡ、Ｂと同様の部
分には同一の符号を付して説明する。この半導体エレク
トレットコンデンサマイクロホンＣは、図３に示すよう
に、必要な電子回路１１０が上面周縁部に形成された半
導体チップ１００と、この半導体チップ１００の上面に
積層された絶縁層２００と、この絶縁層２００の上に積
層された固定電極３００と、この固定電極３００と所定
の間隔を有して対向する振動膜５００とを有する電気音
響変換素子１０００を備えており、前記振動膜５００に
エレクトレット層５１０が形成された半導体エレクトレ
ットコンデンサマイクロホンであって、前記半導体チッ
プ１００は、上面から下面にかけて貫通した貫通孔１４
０に埋込絶縁層１５０を形成しており、前記埋込絶縁層
１５０は、少なくとも固定電極３００の下方には形成さ
れている。Next, a semiconductor electret condenser microphone C according to a third embodiment of the present invention will be described. In this description, the same parts as those of the above-described semiconductor electret condenser microphones A and B are denoted by the same reference numerals. As shown in FIG. 3, the semiconductor electret condenser microphone C includes a semiconductor chip 100 in which a necessary electronic circuit 110 is formed on a peripheral edge of an upper surface, an insulating layer 200 laminated on the upper surface of the semiconductor chip 100, An electroacoustic transducer 1000 having a fixed electrode 300 laminated on the layer 200 and a vibrating film 500 facing the fixed electrode 300 at a predetermined interval is provided. A semiconductor electret condenser microphone in which 510 is formed, wherein the semiconductor chip 100 has a through hole 14 penetrating from an upper surface to a lower surface.
A buried insulating layer 150 is formed at 0, and the buried insulating layer 150 is formed at least below the fixed electrode 300.
【００３２】この半導体エレクトレットコンデンサマイ
クロホンＣに用いられる半導体チップ１００には、超音
波加工で上面から下面にかけて貫通した貫通孔１４０を
形成している。この貫通孔１４０が、少なくとも固定電
極３００の下方には形成されているのは、もし、固定電
極３００の方が貫通孔１４０より大きければ、固定電極
３００の下側の一部に貫通孔１４０に形成される埋込絶
縁層１５０がないことになり、寄生容量の防止にならな
いからである。The semiconductor chip 100 used for the semiconductor electret condenser microphone C has a through hole 140 penetrating from the upper surface to the lower surface by ultrasonic processing. This through hole 140 is formed at least below the fixed electrode 300. If the fixed electrode 300 is larger than the through hole 140, the through hole 140 is formed in a part of the lower side of the fixed electrode 300. This is because there is no buried insulating layer 150 to be formed, and the parasitic capacitance is not prevented.
【００３３】前記貫通孔１４０には、ガラス系の絶縁剤
を埋め込む。そして、前記絶縁剤を半導体チップ１００
の上面と面一にする。これで、ガラス系の絶縁剤からな
る埋込絶縁層１５０が形成されるのである。A glass-based insulating agent is embedded in the through-hole 140. Then, the insulating agent is added to the semiconductor chip 100.
Flush with the top surface of Thus, the buried insulating layer 150 made of the glass-based insulating agent is formed.
【００３４】このように埋込絶縁層１５０が形成された
半導体チップ１００には、埋込絶縁層１５０とは別の絶
縁層２００が形成されるが、この絶縁層２００は、上述
した半導体エレクトレットコンデンサマイクロホンＡに
おけるものより薄くてよい。すなわち、埋込絶縁層１５
０を形成したことによって寄生容量の発生を防止するこ
とができたのであるから、絶縁層２００は、従来のよう
に厚さが１００Å前後のＳｉＯ2 膜でよいのである。In the semiconductor chip 100 having the buried insulating layer 150 formed thereon, an insulating layer 200 different from the buried insulating layer 150 is formed. The insulating layer 200 is formed by the above-described semiconductor electret capacitor. It may be thinner than in microphone A. That is, the buried insulating layer 15
Since the formation of 0 prevented the occurrence of parasitic capacitance, the insulating layer 200 may be a SiO 2 film having a thickness of about 100 ° as in the related art.
【００３５】他の部分、すなわち固定電極３００、スペ
ーサ４００、振動膜５００、振動膜リング６００や、ケ
ース２０００等は上述した半導体エレクトレットコンデ
ンサマイクロホンＡ、Ｂと同様であるので、詳細な説明
は省略する。The other parts, that is, the fixed electrode 300, the spacer 400, the vibrating membrane 500, the vibrating membrane ring 600, the case 2000, and the like are the same as those of the above-described semiconductor electret condenser microphones A and B, so that detailed description is omitted. .
【００３６】次に、本発明の第４の実施の形態に係る半
導体エレクトレットコンデンサマイクロホンＤについて
説明する。なお、この説明において、上述した半導体エ
レクトレットコンデンサマイクロホンＡ〜Ｃと同様の部
分には同一の符号を付して説明する。この半導体エレク
トレットコンデンサマイクロホンＤは、図４に示すよう
に、必要な電子回路１１０が上面周縁部に形成された半
導体チップ１００と、この半導体チップ１００の上面に
積層された絶縁層２００と、この絶縁層２００の上に積
層された固定電極３００と、この固定電極３００と所定
の間隔を有して対向する振動膜５００とを有する電気音
響変換素子１０００を備えており、前記振動膜５００に
エレクトレット層５１０が形成された半導体エレクトレ
ットコンデンサマイクロホンであって、前記固定電極２
００は半導体チップ１００上のアースＧに接続され、振
動膜５００の金属電極５２０を振動膜５００が取り付け
られた振動膜リング６００を介して半導体チップ１００
の入力端子１１２に接続している。Next, a semiconductor electret condenser microphone D according to a fourth embodiment of the present invention will be described. In this description, the same parts as those of the above-described semiconductor electret condenser microphones A to C are denoted by the same reference numerals and described. As shown in FIG. 4, the semiconductor electret condenser microphone D includes a semiconductor chip 100 in which a necessary electronic circuit 110 is formed on a peripheral edge of an upper surface, an insulating layer 200 laminated on the upper surface of the semiconductor chip 100, An electroacoustic transducer 1000 having a fixed electrode 300 laminated on the layer 200 and a vibrating film 500 facing the fixed electrode 300 at a predetermined interval is provided. 510 is a semiconductor electret condenser microphone formed with the fixed electrode 2
00 is connected to the ground G on the semiconductor chip 100, and the metal electrode 520 of the vibration film 500 is connected to the semiconductor chip 100 via the vibration film ring 600 to which the vibration film 500 is attached.
Is connected to the input terminal 112.
【００３７】この半導体エレクトレットコンデンサマイ
クロホンＤが上述したものと相違する点は、固定電極２
００を半導体チップ１００のアースＧに接続するととも
に、金属電極５２０を振動膜リング６００を介して半導
体チップ１００の入力端子１１２に接続する点である。
なお、振動膜リング６００と入力端子１１２との接続
は、ボンディングワイヤ７１０によって行う。これによ
って、従来は固定電極２００と電子回路１１０との間に
生じていた寄生容量を、固定電極２００をアースＧに接
続することによって生じないようにするのである。ま
た、信号は、金属電極５２０→振動膜リング６００→ボ
ンディングワイヤ７１０の順で入力端子１１２に入力さ
れるのである。The difference between this semiconductor electret condenser microphone D and that described above is that the fixed electrode 2
00 is connected to the ground G of the semiconductor chip 100, and the metal electrode 520 is connected to the input terminal 112 of the semiconductor chip 100 via the vibrating membrane ring 600.
Note that the connection between the vibration film ring 600 and the input terminal 112 is performed by a bonding wire 710. Thus, the parasitic capacitance that has conventionally occurred between the fixed electrode 200 and the electronic circuit 110 is prevented from being generated by connecting the fixed electrode 200 to the ground G. Further, the signal is input to the input terminal 112 in the order of the metal electrode 520 → the diaphragm ring 600 → the bonding wire 710.
【００３８】なお、振動膜リング６００とケース２００
０の蓋体２２００との間には絶縁シート８００を介在さ
せておくので、両者の電気的接続は遮断されている。こ
の絶縁シート８００は、振動膜リング６００と同様に略
リング状に形成されている。The vibration membrane ring 600 and the case 200
Since the insulating sheet 800 is interposed between the cover 2200 and the cover 2200, the electrical connection between them is cut off. This insulating sheet 800 is formed in a substantially ring shape similarly to the vibration film ring 600.
【００３９】このように構成することによって固定電極
２００と半導体チップ１００に形成された電子回路１１
０との間の電位差が零になるので、両者の間に寄生容量
は発生しないのである。With this configuration, the fixed electrode 200 and the electronic circuit 11 formed on the semiconductor chip 100 are formed.
Since the potential difference between zero and zero becomes zero, no parasitic capacitance occurs between the two.
【００４０】次に、本発明の第５の実施の形態に係る半
導体エレクトレットコンデンサマイクロホンＥについて
説明する。なお、この説明において、上述した半導体エ
レクトレットコンデンサマイクロホンＡ〜Ｄと同様の部
分には同一の符号を付して説明する。この半導体エレク
トレットコンデンサマイクロホンＥは、図５に示すよう
に、必要な電子回路１１０が上面周縁部に形成された半
導体チップ１００と、この半導体チップ１００の下面と
所定の間隔を有して対向する振動膜５００とを有する電
気音響変換素子１０００及びこの電気音響変換素子１０
００を収納するケース２０００とを備えており、前記ケ
ース２０００は前記電気音響変換素子１０００を収納す
る凹部２１１０と、この凹部２１１０の底面と側面との
間を導通させる導電層２１３０とを有しており、前記電
気音響変換素子１０００は凹部２１１０にフリップチッ
プ方式で収納されており、振動膜５００の金属電極５２
０と振動膜５００が取り付けられた振動膜リング６００
とを前記導電層２１３０を介して半導体チップ１００の
入出力用の電極１１１に接続している。Next, a semiconductor electret condenser microphone E according to a fifth embodiment of the present invention will be described. In this description, the same parts as those of the above-described semiconductor electret condenser microphones A to D are denoted by the same reference numerals. As shown in FIG. 5, the semiconductor electret condenser microphone E includes a semiconductor chip 100 in which a necessary electronic circuit 110 is formed on a peripheral edge of an upper surface, and a vibration opposed to the lower surface of the semiconductor chip 100 at a predetermined interval. Electroacoustic transducer 1000 having membrane 500 and electroacoustic transducer 10
And a case 2000 for accommodating the electroacoustic transducer 1000. The case 2000 includes a recess 2110 for accommodating the electroacoustic transducer 1000, and a conductive layer 2130 for conducting between the bottom surface and the side surface of the recess 2110. The electroacoustic transducer 1000 is housed in the recess 2110 in a flip chip manner, and the metal electrode 52 of the vibrating membrane 500 is provided.
Vibrating membrane ring 600 with zero and vibrating membrane 500 attached
Are connected to the input / output electrodes 111 of the semiconductor chip 100 via the conductive layer 2130.
【００４１】この半導体エレクトレットコンデンサマイ
クロホンＥが上述した半導体エレクトレットコンデンサ
マイクロホンＡ〜Ｄと最も相違する点は、半導体チップ
１００がフリップチップ方式、すなわち電子回路１１０
の入出力用の電極１１１等を下向きにしてケース２００
０の凹部２１１０に収納される点である。The most different point of this semiconductor electret condenser microphone E from the above-mentioned semiconductor electret condenser microphones A to D is that the semiconductor chip 100 is of a flip chip type, that is, an electronic circuit 110.
Of the case 200 with the input / output electrodes 111 and the like facing downward.
That is, it is stored in the concave portion 2110 of FIG.
【００４２】また、この半導体エレクトレットコンデン
サマイクロホンＥは、半導体エレクトレットコンデンサ
マイクロホンＡ〜Ｄにおける固定電極３００に直接相当
するものがない点でも相違する。すなわち、半導体チッ
プ１００を構成するＳｉチップは導電性を有するため、
電子回路１１０においてアースＧをとっておけば、半導
体チップ１００の下面はアース電極面となり、前記固定
電極３００と同等のものになるため、別個に固定電極３
００を形成する必要がないのである。The semiconductor electret condenser microphone E is also different in that there is no direct equivalent to the fixed electrode 300 in the semiconductor electret condenser microphones A to D. That is, since the Si chip constituting the semiconductor chip 100 has conductivity,
If the ground G is taken in the electronic circuit 110, the lower surface of the semiconductor chip 100 becomes a ground electrode surface, which is equivalent to the fixed electrode 300.
00 does not need to be formed.
【００４３】さらに、振動膜５００の金属電極５２０
は、振動膜リング６００及びボンディングワイヤ７００
を介して、電極部２１２０に接続されている。Further, the metal electrode 520 of the vibration film 500
Are the vibrating membrane ring 600 and the bonding wire 700
Is connected to the electrode unit 2120 via the.
【００４４】前記ケース２０００のケース本体２１００
には側面から底面にかけて、より具体的には前記肩部２
１２１に形成された電極部２１２０のから側面を介して
底面にいたる薄膜からなる導電層２１３０が形成されて
いる。この導電層２１３０は、前記電極部２１２０と、
半導体チップ１００に形成された電子回路１１０の入出
力用の電極１１１とを電気的に接続するものである。The case body 2100 of the case 2000
From the side to the bottom, more specifically the shoulder 2
A conductive layer 2130 formed of a thin film extending from the electrode portion 2120 formed on the base 121 to the bottom surface via the side surface is formed. The conductive layer 2130 includes the electrode portion 2120,
It electrically connects the input / output electrodes 111 of the electronic circuit 110 formed on the semiconductor chip 100.
【００４５】従って、振動膜５００の金属電極５２０と
電子回路１１０とは、ボンディングワイヤ７００や導電
層２１３０を介して電気的に接続されていることにな
る。Therefore, the metal electrode 520 of the vibration film 500 and the electronic circuit 110 are electrically connected via the bonding wire 700 and the conductive layer 2130.
【００４６】ケース２０００のケース本体２１００の凹
部２１１０の底面には、一方向にのみ導電性を有する異
方性導電材料２１４０が塗布されている。この異方性導
電材料２１４０は、電気音響変換素子１０００を凹部２
１１０に固定する接着剤の役目をも果たしている。Anisotropic conductive material 2140 having conductivity only in one direction is applied to the bottom surface of concave portion 2110 of case body 2100 of case 2000. This anisotropic conductive material 2140 allows the electroacoustic transducer 1000 to be
It also serves as an adhesive for fixing to 110.
【００４７】また、振動膜５００が貼りつけられる振動
膜リング６００と、ケース２０００の蓋体２２００との
間には絶縁シート８００を介在させておくので、両者の
電気的接続は遮断されている。この絶縁シート８００
は、振動膜リング６００と同様に略リング状に形成され
ている。Further, since an insulating sheet 800 is interposed between the vibrating membrane ring 600 to which the vibrating membrane 500 is attached and the lid 2200 of the case 2000, the electrical connection between them is cut off. This insulating sheet 800
Are formed in a substantially ring shape similarly to the vibrating membrane ring 600.
【００４８】このように構成することによっても、寄生
容量は発生しないのである。With this configuration, no parasitic capacitance is generated.
【００４９】次に、本発明の第６の実施の形態に係る半
導体エレクトレットコンデンサマイクロホンＦについて
説明する。なお、この説明において、上述した半導体エ
レクトレットコンデンサマイクロホンＡ〜Ｅと同様の部
分には同一の符号を付して説明する。この半導体エレク
トレットコンデンサマイクロホンＦは、必要な電子回路
１１０が上面周縁部に形成された半導体チップ１００
と、この半導体チップ１００の上面に積層された絶縁層
２００と、この絶縁層２００の上に積層された固定電極
３００と、この固定電極３００と所定の間隔を有して対
向する振動膜５００とを有する電気音響変換素子１００
０とを備えており、前記振動膜５００にエレクトレット
層５１０が形成された半導体エレクトレットコンデンサ
マイクロホンであって、固定電極３００の面積は振動膜
５００の面積に対し少なくとも半分位迄の大きさに設定
されている。Next, a semiconductor electret condenser microphone F according to a sixth embodiment of the present invention will be described. In this description, the same parts as those of the above-described semiconductor electret condenser microphones A to E are denoted by the same reference numerals. This semiconductor electret condenser microphone F has a semiconductor chip 100 on which a necessary electronic circuit 110 is formed on the periphery of the upper surface.
An insulating layer 200 stacked on the upper surface of the semiconductor chip 100, a fixed electrode 300 stacked on the insulating layer 200, and a vibration film 500 facing the fixed electrode 300 at a predetermined interval. Electroacoustic transducer 100 having
0, wherein the electret layer 510 is formed on the vibrating membrane 500, wherein the area of the fixed electrode 300 is set to be at least half as large as the area of the vibrating membrane 500. ing.
【００５０】この半導体エレクトレットコンデンサマイ
クロホンＦが、上述した半導体エレクトレットコンデン
サマイクロホンＡ〜Ｄと相違する点は、半導体エレクト
レットコンデンサマイクロホンＦにおける固定電極３０
０の面積は振動膜５００の面積に対し少なくとも半分位
迄の大きさに設定されている点である。This semiconductor electret condenser microphone F is different from the above-described semiconductor electret condenser microphones A to D in that the fixed electrode 30 of the semiconductor electret condenser microphone F is different from that of the first embodiment.
The area 0 is set to be at least half as large as the area of the diaphragm 500.
【００５１】すなわち、半導体エレクトレットコンデン
サマイクロホンＡ〜Ｄでは、固定電極３００の面積と振
動膜５００の面積とは同一に設定されていたのである。That is, in the semiconductor electret condenser microphones A to D, the area of the fixed electrode 300 and the area of the diaphragm 500 are set to be the same.
【００５２】このように、固定電極３００の面積は振動
膜５００の面積に対し少なくとも半分位迄の大きさに設
定すると、次のような利点が生じる。まず、固定電極３
００を振動膜５００と同程度の面積に形成すると、必然
的に大きな寄生容量が形成される。固定電極３００が小
さいほど寄生容量も小さくなるが、あまりに固定電極３
００が小さいと、音響出力の低下等の悪影響が発生す
る。本発明者は、実験の結果、記載容量が問題になら
ず、また音響出力の低下等の悪影響も受けないために
は、固定電極３００の面積は振動膜５００の面積に対し
少なくとも半分位迄の大きさに設定することが望ましい
ことを見出した。As described above, when the area of the fixed electrode 300 is set to be at least about half the area of the vibration film 500, the following advantages are obtained. First, the fixed electrode 3
When 00 is formed in the same area as the vibration film 500, a large parasitic capacitance is inevitably formed. The smaller the fixed electrode 300, the smaller the parasitic capacitance.
When 00 is small, adverse effects such as a decrease in sound output occur. As a result of the experiment, the present inventor has set the area of the fixed electrode 300 to at least about half of the area of the vibrating membrane 500 so that the described capacitance does not become a problem and the sound output is not adversely affected. It has been found that it is desirable to set the size.
【００５３】従って、このように、固定電極３００の面
積は振動膜５００の面積に対し少なくとも半分位迄の大
きさに設定すると、半導体チップ１００の上面に形成す
る絶縁膜２００の厚さ寸法を従来のものと同様に１００
Å程度にすることが可能となるのである。Therefore, when the area of the fixed electrode 300 is set to at least about half the area of the vibration film 500, the thickness of the insulating film 200 formed on the upper surface of the semiconductor chip 100 is reduced. 100 as well as
It is possible to reduce to about Å.
【００５４】なお、上述した各種の実施の形態では、振
動膜５００にエレクトレット層５１０を形成したが、固
定電極３００にエレクトレット層を形成するようにして
も同等の効果を得ることができるのはいうまでもない。In the various embodiments described above, the electret layer 510 is formed on the vibrating film 500, but the same effect can be obtained by forming the electret layer on the fixed electrode 300. Not even.
【００５５】[0055]
【発明の効果】本発明に係る半導体エレクトレットコン
デンサマイクロホンは、必要な電子回路が上面周縁部に
形成された半導体チップと、この半導体チップの上面に
積層された絶縁層と、この絶縁層の上に積層された固定
電極と、この固定電極と所定の間隔を有して対向する振
動膜とを有する電気音響変換素子を備えており、前記振
動膜にエレクトレット層が形成、又は固定電極側にエレ
クトレット層が形成された半導体エレクトレットコンデ
ンサマイクロホンであって、前記絶縁層は、少なくとも
０．１μｍ以上の厚さがある。The semiconductor electret condenser microphone according to the present invention comprises a semiconductor chip having a required electronic circuit formed on the periphery of the upper surface, an insulating layer laminated on the upper surface of the semiconductor chip, and An electroacoustic transducer having a laminated fixed electrode and a vibrating film facing the fixed electrode at a predetermined interval is provided, and an electret layer is formed on the vibrating film, or an electret layer is formed on the fixed electrode side. Wherein the insulating layer has a thickness of at least 0.1 μm or more.
【００５６】従って、絶縁層の厚さを従来の１００Åか
ら少なくとも０．１μｍ以上、望ましくは数十μｍの厚
さに形成したので、固定電極と半導体チップの電子回路
との間の寄生容量を低減することができた。特に、寄生
容量を半導体チップに形成されている電子回路で解決す
ることは、技術的、コスト的にも困難であったが、技術
的、コスト的にも優れた寄生容量の低減を達成すること
ができた。Accordingly, the thickness of the insulating layer is formed at least 0.1 μm or more, preferably several tens μm from the conventional thickness of 100 °, so that the parasitic capacitance between the fixed electrode and the electronic circuit of the semiconductor chip is reduced. We were able to. In particular, it was difficult to solve the parasitic capacitance with the electronic circuit formed on the semiconductor chip, although it was technically and costly difficult. Was completed.
【００５７】なお、前記絶縁層をＳｉＯ2 系薄膜形成剤
を半導体チップ上に塗布して形成すると、少なくとも
０．１μｍ以上の厚さを有する絶縁層の形成が容易であ
る。When the insulating layer is formed by applying a SiO 2 -based thin film forming agent on a semiconductor chip, it is easy to form an insulating layer having a thickness of at least 0.1 μm.
【００５８】また、本発明に係る他の半導体エレクトレ
ットコンデンサマイクロホンは、必要な電子回路が上面
周縁部に形成された半導体チップと、この半導体チップ
の上面に積層された絶縁層と、この絶縁層の上に積層さ
れた固定電極と、この固定電極と所定の間隔を有して対
向する振動膜とを有する電気音響変換素子を備えてお
り、前記振動膜にエレクトレット層が形成、又は固定電
極側にエレクトレット素子が形成された半導体エレクト
レットコンデンサマイクロホンであって、前記半導体チ
ップは、上面に形成された凹部に埋込絶縁層を形成して
おり、前記埋込絶縁層は、少なくとも固定電極の下方に
は形成されている。Further, another semiconductor electret condenser microphone according to the present invention includes a semiconductor chip in which necessary electronic circuits are formed on a peripheral portion of an upper surface, an insulating layer laminated on the upper surface of the semiconductor chip, and an insulating layer of the insulating layer. An electroacoustic transducer having a fixed electrode laminated thereon and a vibrating film opposed to the fixed electrode at a predetermined interval is provided, and an electret layer is formed on the vibrating film, or on the fixed electrode side. A semiconductor electret condenser microphone on which an electret element is formed, wherein the semiconductor chip has a buried insulating layer formed in a recess formed on an upper surface, and the buried insulating layer is at least below a fixed electrode. Is formed.
【００５９】このように埋込絶縁層を形成するのであれ
ば、その上に積層する絶縁層は従来のように厚さが１０
０Å前後のＳｉＯ2 膜でよい。If the buried insulating layer is formed as described above, the insulating layer to be laminated thereon has a thickness of 10 as in the conventional case.
A SiO 2 film of about 0 ° may be used.
【００６０】また、埋込絶縁層を半導体チップに上面か
ら下面にかけて貫通した貫通孔に形成しても同様の効果
を得ることができる。The same effect can be obtained by forming the buried insulating layer in a through hole penetrating the semiconductor chip from the upper surface to the lower surface.
【００６１】さらに、本発明に係る他の半導体エレクト
レットコンデンサマイクロホンは、必要な電子回路が上
面周縁部に形成された半導体チップと、この半導体チッ
プの上面に積層された絶縁層と、この絶縁層の上に積層
された固定電極と、この固定電極と所定の間隔を有して
対向する振動膜とを有する電気音響変換素子を備えてお
り、前記振動膜にエレクトレット層が形成、又は固定電
極側にエレクトレット層が形成された半導体エレクトレ
ットコンデンサマイクロホンであって、前記固定電極は
半導体チップ上のアースに接続され、振動膜の金属電極
と振動膜が取り付けられた振動膜リングとを半導体チッ
プの入力端子に接続している。Further, another semiconductor electret condenser microphone according to the present invention includes a semiconductor chip in which necessary electronic circuits are formed on a peripheral edge of an upper surface, an insulating layer laminated on the upper surface of the semiconductor chip, and an insulating layer of the insulating layer. An electroacoustic transducer having a fixed electrode laminated thereon and a vibrating film opposed to the fixed electrode at a predetermined interval is provided, and an electret layer is formed on the vibrating film, or on the fixed electrode side. A semiconductor electret condenser microphone having an electret layer formed thereon, wherein the fixed electrode is connected to a ground on a semiconductor chip, and a metal electrode of the diaphragm and a diaphragm ring to which the diaphragm is attached are connected to input terminals of the semiconductor chip. Connected.
【００６２】この半導体エレクトレットコンデンサマイ
クロホンであれば、固定電極がアースに接続されている
ため、固定電極と半導体チップに形成された電子回路と
の間の電位差が零になるので、両者の間に寄生容量は発
生しない。In this semiconductor electret condenser microphone, since the fixed electrode is connected to the ground, the potential difference between the fixed electrode and the electronic circuit formed on the semiconductor chip becomes zero. No capacity is generated.
【００６３】また、本発明に係るその他の半導体エレク
トレットコンデンサマイクロホンは、必要な電子回路が
上面周縁部に形成された半導体チップと、この半導体チ
ップの下面と所定の間隔を有して対向する振動膜とを有
する電気音響変換素子及びこの電気音響変換素子を収納
するケースとを備えており、前記ケースは前記電気音響
変換素子を収納する凹部と、この凹部の底面と側面との
間を導通させる導電層とを有しており、前記電気音響変
換素子は凹部にフリップチップ方式で収納されており、
振動膜の金属電極と振動膜が取り付けられた振動膜リン
グとを前記導電層を介して半導体チップの入力端子に接
続している。Further, in another semiconductor electret condenser microphone according to the present invention, there is provided a semiconductor chip having a required electronic circuit formed on a peripheral portion of an upper surface thereof, and a vibrating membrane opposed to a lower surface of the semiconductor chip at a predetermined interval. And a case for accommodating the electro-acoustic transducer. The case includes a recess for accommodating the electro-acoustic transducer, and a conductive member for conducting between the bottom surface and the side surface of the recess. And the electro-acoustic transducer is housed in the recess in a flip chip manner,
The metal electrode of the vibrating membrane and the vibrating membrane ring to which the vibrating membrane is attached are connected to the input terminal of the semiconductor chip via the conductive layer.
【００６４】この場合には、半導体チップの上面に絶縁
層及び固定電極を形成することなしに、寄生容量の発生
を防止することができるので、製造工程の工数を減少し
つつ同様の効果をもたらすことが可能となる。In this case, the occurrence of the parasitic capacitance can be prevented without forming the insulating layer and the fixed electrode on the upper surface of the semiconductor chip, so that the same effect can be obtained while reducing the number of manufacturing steps. It becomes possible.
【００６５】また、本発明に係る他の半導体エレクトレ
ットコンデンサマイクロホンは、必要な電子回路が上面
周縁部に形成された半導体チップと、この半導体チップ
の上面に積層された絶縁層と、この絶縁層の上に積層さ
れた固定電極と、この固定電極と所定の間隔を有して対
向する振動膜とを有する電気音響変換素子とを備えてお
り、前記振動膜にエレクトレット層が形成、又は固定電
極側にエレクトレット層が形成された半導体エレクトレ
ットコンデンサマイクロホンであって、固定電極面積は
振動膜面積に対し少なくとも半分位迄の大きさに設定さ
れている。Further, another semiconductor electret condenser microphone according to the present invention includes a semiconductor chip in which necessary electronic circuits are formed on a peripheral portion of an upper surface, an insulating layer laminated on the upper surface of the semiconductor chip, and an insulating layer of the insulating layer. An electroacoustic transducer having a fixed electrode laminated thereon and a vibrating film facing the fixed electrode at a predetermined interval, and an electret layer is formed on the vibrating film, or the fixed electrode side Wherein the fixed electrode area is set to at least about half the area of the diaphragm.
【００６６】この半導体エレクトレットコンデンサマイ
クロホンでは、絶縁層の厚さを従来のものと同様の１０
０Å程度にしても、寄生容量が問題のない程度に減少
し、さらに音響特性の面からも支障がないものとするこ
とができる。In this semiconductor electret condenser microphone, the thickness of the insulating layer is set to 10
Even if it is about 0 °, the parasitic capacitance is reduced to a level that does not cause any problem, and there is no problem in terms of acoustic characteristics.
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体エレク
トレットコンデンサマイクロホンの概略的断面図であ
る。FIG. 1 is a schematic sectional view of a semiconductor electret condenser microphone according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る半導体エレク
トレットコンデンサマイクロホンの概略的断面図であ
る。FIG. 2 is a schematic sectional view of a semiconductor electret condenser microphone according to a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第３の実施の形態に係る半導体エレク
トレットコンデンサマイクロホンの概略的断面図であ
る。FIG. 3 is a schematic sectional view of a semiconductor electret condenser microphone according to a third embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第４の実施の形態に係る半導体エレク
トレットコンデンサマイクロホンの概略的断面図であ
る。FIG. 4 is a schematic sectional view of a semiconductor electret condenser microphone according to a fourth embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第５の実施の形態に係る半導体エレク
トレットコンデンサマイクロホンの概略的断面図であ
る。FIG. 5 is a schematic sectional view of a semiconductor electret condenser microphone according to a fifth embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第６の実施の形態に係る半導体エレク
トレットコンデンサマイクロホンの概略的断面図であ
る。FIG. 6 is a schematic sectional view of a semiconductor electret condenser microphone according to a sixth embodiment of the present invention.
【図７】従来のこの種の半導体エレクトレットコンデン
サマイクロホンの概略的断面図である。FIG. 7 is a schematic sectional view of a conventional semiconductor electret condenser microphone of this type.
Ａ〜Ｆ 半導体エレクトレットコンデンサマイクロホン １０００ 電気音響変換素子 １００ 半導体チップ １１０ 電子回路 ２００ 絶縁層 ３００ 固定電極 ４００ スペーサ ５００ 振動膜 ５１０ エレクトレット層 ２０００ ケース A to F Semiconductor electret condenser microphone 1000 Electroacoustic transducer 100 Semiconductor chip 110 Electronic circuit 200 Insulating layer 300 Fixed electrode 400 Spacer 500 Vibrating membrane 510 Electret layer 2000 Case
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大澤 周治 大阪府八尾市北久宝寺１丁目４番33号 ホ シデン株式会社内 Ｆターム(参考） 5D021 CC03 CC04 CC11 CC15 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Shuji Osawa 1-4-3 Kitakyuho-ji Temple, Yao-shi, Osaka F-Term in Hosiden Co., Ltd. 5D021 CC03 CC04 CC11 CC15
Claims (7)
た半導体チップと、この半導体チップの上面に積層され
た絶縁層と、この絶縁層の上に積層された固定電極と、
この固定電極と所定の間隔を有して対向する振動膜とを
有する電気音響変換素子を具備しており、前記振動膜に
エレクトレット層が形成、又は固定電極側にエレクトレ
ット層が形成された半導体エレクトレットコンデンサマ
イクロホンにおいて、前記絶縁層は、少なくとも０．１
μｍ以上の厚さがあることを特徴とする半導体エレクト
レットコンデンサマイクロホン。A semiconductor chip having a required electronic circuit formed on a peripheral edge of the upper surface; an insulating layer stacked on the upper surface of the semiconductor chip; a fixed electrode stacked on the insulating layer;
A semiconductor electret comprising an electroacoustic transducer having the fixed electrode and a vibrating film opposed to the fixed electrode at a predetermined interval, wherein an electret layer is formed on the vibrating film or an electret layer is formed on the fixed electrode side In the condenser microphone, the insulating layer has at least 0.1
A semiconductor electret condenser microphone having a thickness of at least μm.
半導体チップ上に塗装、又は蒸着して形成したものであ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体エレクトレッ
トコンデンサマイクロホン。2. The semiconductor electret condenser microphone according to claim 1, wherein the insulating layer is formed by coating or vapor-depositing a SiO 2 -based thin film forming agent on a semiconductor chip.
た半導体チップと、この半導体チップの上面に積層され
た絶縁層と、この絶縁層の上に積層された固定電極と、
この固定電極と所定の間隔を有して対向する振動膜とを
有する電気音響変換素子を具備しており、前記振動膜に
エレクトレット層が形成、又は固定電極側にエレクトレ
ット層が形成された半導体エレクトレットコンデンサマ
イクロホンにおいて、前記半導体チップは、上面に形成
された凹部に埋込絶縁層を形成しており、前記埋込絶縁
層は、少なくとも固定電極の下方には形成されているこ
とを特徴とする半導体エレクトレットコンデンサマイク
ロホン。3. A semiconductor chip in which a necessary electronic circuit is formed on a peripheral portion of an upper surface, an insulating layer stacked on the upper surface of the semiconductor chip, and a fixed electrode stacked on the insulating layer.
A semiconductor electret comprising an electroacoustic transducer having the fixed electrode and a vibrating film opposed to the fixed electrode at a predetermined interval, wherein an electret layer is formed on the vibrating film or an electret layer is formed on the fixed electrode side In the condenser microphone, the semiconductor chip may have a buried insulating layer formed in a concave portion formed on an upper surface, and the buried insulating layer may be formed at least below a fixed electrode. Electret condenser microphone.
た半導体チップと、この半導体チップの上面に積層され
た絶縁層と、この絶縁層の上に積層された固定電極と、
この固定電極と所定の間隔を有して対向する振動膜とを
有する電気音響変換素子を具備しており、前記振動膜に
エレクトレット層が形成、又は固定電極側にエレクトレ
ット層が形成された半導体エレクトレットコンデンサマ
イクロホンにおいて、前記半導体チップは、上面から下
面にかけて貫通した貫通孔に埋込絶縁層を形成してお
り、前記埋込絶縁層は、少なくとも固定電極の下方には
形成されていることを特徴とする半導体エレクトレット
コンデンサマイクロホン。4. A semiconductor chip on which a necessary electronic circuit is formed at a peripheral edge of an upper surface, an insulating layer stacked on the upper surface of the semiconductor chip, and a fixed electrode stacked on the insulating layer.
A semiconductor electret comprising an electroacoustic transducer having the fixed electrode and a vibrating film opposed to the fixed electrode at a predetermined interval, wherein an electret layer is formed on the vibrating film or an electret layer is formed on the fixed electrode side In the condenser microphone, the semiconductor chip has a buried insulating layer formed in a through hole penetrating from an upper surface to a lower surface, and the buried insulating layer is formed at least below a fixed electrode. Semiconductor electret condenser microphone.
た半導体チップと、この半導体チップの上面に積層され
た絶縁層と、この絶縁層の上に積層された固定電極と、
この固定電極と所定の間隔を有して対向する振動膜とを
有する電気音響変換素子を具備しており、前記振動膜に
エレクトレット層が形成、又は固定電極側にエレクトレ
ット層が形成された半導体エレクトレットコンデンサマ
イクロホンにおいて、前記固定電極は半導体チップ上の
アースに接続され、振動膜の金属電極と振動膜が取り付
けられた振動膜リングとを半導体チップの入力端子に接
続したことを特徴とする半導体エレクトレットコンデン
サマイクロホン。5. A semiconductor chip in which a necessary electronic circuit is formed on a peripheral portion of an upper surface, an insulating layer laminated on the upper surface of the semiconductor chip, and a fixed electrode laminated on the insulating layer.
A semiconductor electret comprising an electroacoustic transducer having the fixed electrode and a vibrating film opposed to the fixed electrode at a predetermined interval, wherein an electret layer is formed on the vibrating film or an electret layer is formed on the fixed electrode side In the condenser microphone, the fixed electrode is connected to a ground on a semiconductor chip, and a metal electrode of the diaphragm and a diaphragm ring to which the diaphragm is attached are connected to input terminals of the semiconductor chip. Microphone.
た半導体チップと、この半導体チップの下面と所定の間
隔を有して対向する振動膜とを有する電気音響変換素子
及びこの電気音響変換素子を収納するケースとを具備し
ており、前記ケースは前記電気音響変換素子を収納する
凹部と、この凹部の底面と側面との間を導通させる導電
層とを有しており、前記電気音響変換素子は凹部にフリ
ップチップ方式で収納されており、振動膜の金属電極と
振動膜が取り付けられた振動膜リングとを前記導電層を
介して半導体チップの入力端子に接続したことを特徴と
する半導体エレクトレットコンデンサマイクロホン。6. An electro-acoustic transducer having a semiconductor chip on which a necessary electronic circuit is formed at a peripheral portion of an upper surface, a vibrating film facing a lower surface of the semiconductor chip at a predetermined interval, and the electro-acoustic transducer. A case for accommodating the element, the case having a recess for accommodating the electroacoustic transducer, and a conductive layer for conducting between a bottom surface and a side surface of the recess. The conversion element is housed in the recess in a flip-chip manner, and the metal electrode of the vibration film and the vibration film ring to which the vibration film is attached are connected to the input terminal of the semiconductor chip via the conductive layer. Semiconductor electret condenser microphone.
た半導体チップと、この半導体チップの上面に積層され
た絶縁層と、この絶縁層の上に積層された固定電極と、
この固定電極と所定の間隔を有して対向する振動膜とを
有する電気音響変換素子とを具備しており、前記振動膜
にエレクトレット層が形成、又は固定電極側にエレクト
レット層が形成された半導体エレクトレットコンデンサ
マイクロホンにおいて、固定電極面積は振動膜面積に対
し少なくとも半分位迄の大きさに設定されていることを
特徴とする半導体エレクトレットコンデンサマイクロホ
ン。7. A semiconductor chip on which a necessary electronic circuit is formed at a peripheral portion of an upper surface, an insulating layer stacked on the upper surface of the semiconductor chip, and a fixed electrode stacked on the insulating layer.
A semiconductor comprising an electroacoustic transducer having a fixed electrode and a vibrating film opposed to the fixed electrode at a predetermined distance, wherein an electret layer is formed on the vibrating film, or an electret layer is formed on the fixed electrode side. In the electret condenser microphone, a fixed electrode area is set to be at least half as large as a diaphragm area.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03843099A JP3472502B2 (en) | 1999-02-17 | 1999-02-17 | Semiconductor electret condenser microphone |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03843099A JP3472502B2 (en) | 1999-02-17 | 1999-02-17 | Semiconductor electret condenser microphone |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000236596A true JP2000236596A (en) | 2000-08-29 |
| JP3472502B2 JP3472502B2 (en) | 2003-12-02 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3472502B2 (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003047095A (en) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Capacitor microphone and manufacturing method therefor |
| JP2006174005A (en) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Citizen Electronics Co Ltd | Capacitor microphone and its manufacturing method |
| CN100334921C (en) * | 2002-12-03 | 2007-08-29 | 星电株式会社 | Electret microphone |
| WO2007123293A1 (en) * | 2006-04-21 | 2007-11-01 | Bse Co., Ltd. | Packaging structure of mems microphone |
| JP2010068446A (en) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Murata Mfg Co Ltd | Acoustic transducer unit |
| JP2010258719A (en) * | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Murata Mfg Co Ltd | Acoustic transducer unit |
| JP2011188330A (en) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Omron Corp | Semiconductor device and microphone |
| US8187964B2 (en) | 2007-11-01 | 2012-05-29 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit device and method |
-
1999
- 1999-02-17 JP JP03843099A patent/JP3472502B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003047095A (en) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Capacitor microphone and manufacturing method therefor |
| JP4697763B2 (en) * | 2001-07-31 | 2011-06-08 | パナソニック株式会社 | Condenser microphone |
| CN100334921C (en) * | 2002-12-03 | 2007-08-29 | 星电株式会社 | Electret microphone |
| JP2006174005A (en) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Citizen Electronics Co Ltd | Capacitor microphone and its manufacturing method |
| WO2007123293A1 (en) * | 2006-04-21 | 2007-11-01 | Bse Co., Ltd. | Packaging structure of mems microphone |
| US8187964B2 (en) | 2007-11-01 | 2012-05-29 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit device and method |
| JP2010068446A (en) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Murata Mfg Co Ltd | Acoustic transducer unit |
| JP4553043B2 (en) * | 2008-09-12 | 2010-09-29 | 株式会社村田製作所 | Acoustic transducer unit |
| JP2010258719A (en) * | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Murata Mfg Co Ltd | Acoustic transducer unit |
| JP2011188330A (en) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Omron Corp | Semiconductor device and microphone |
| EP2373059A3 (en) * | 2010-03-10 | 2012-05-02 | Omron Corporation | Semiconductor device and microphone |
| US8295515B2 (en) | 2010-03-10 | 2012-10-23 | Omron Corporation | Semiconductor device and microphone |
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