JP2000231784A - Memory conversion board - Google Patents
Memory conversion boardInfo
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- JP2000231784A JP2000231784A JP11032525A JP3252599A JP2000231784A JP 2000231784 A JP2000231784 A JP 2000231784A JP 11032525 A JP11032525 A JP 11032525A JP 3252599 A JP3252599 A JP 3252599A JP 2000231784 A JP2000231784 A JP 2000231784A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、情報処理装置の
メモリ実装ボードに関し、特にＳＩＭＭメモリをＤＩＭ
Ｍインタフェース搭載装置に実装可能にしたメモリ変換
ボードに関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a memory mounting board for an information processing apparatus, and more particularly to a SIMM memory for a DIM.
The present invention relates to a memory conversion board that can be mounted on a device equipped with an M interface.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来は、ＳＩＭＭ（シングル・インライ
ン・メモリ・モジュール）メモリ使用した情報処理装置
（例えば、パーソナルコンピュータ）のユーザーが、Ｄ
ＩＭＭ（デュアル・インライン・メモリ・モジュール）
インタフェースのみの情報処理装置に買い換えた場合、
インタフェースの違いから、所有していたＳＩＭＭメモ
リを使用できなかった。2. Description of the Related Art Conventionally, a user of an information processing apparatus (for example, a personal computer) using a SIMM (Single Inline Memory Module) memory has been
IMM (Dual Inline Memory Module)
If you buy a new interface-only information processor,
Due to the difference in interface, the owned SIMM memory could not be used.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
は、ＳＩＭＭメモリ使用した情報処理装置をＤＩＭＭメ
モリ使用した情報処理装置に買い換えた場合、所有して
いたＳＩＭＭメモリを使用できず、無駄にしていた。As described above, conventionally, when an information processing device using a SIMM memory is replaced with an information processing device using a DIMM memory, the SIMM memory that was possessed cannot be used, resulting in waste. I was
【０００４】この発明の目的は、所有していたＳＩＭＭ
メモリをＤＩＭＭインタフェース搭載の情報処理装置に
実装可能にしたメモリ変換ボードを提供することにあ
る。An object of the present invention is to provide a SIMM
An object of the present invention is to provide a memory conversion board in which a memory can be mounted on an information processing device equipped with a DIMM interface.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】この発明は、第２の電圧
用ＤＲＡＭインタフェースを有し、第１の電圧用ＤＲＡ
Ｍメモリが実装できる複数のソケットと、前記第２の電
圧用ＤＲＡＭインタフェースの電源電圧を前記第１の電
圧用ＤＲＡＭメモリで必要とする電圧への変換を行う昇
圧回路と、前記第１の電圧用ＤＲＡＭメモリの信号出力
レベルを変換するレベル変換回路と、を備えることを特
徴とする。The present invention has a DRAM interface for a second voltage and a DRA for a first voltage.
A plurality of sockets on which the M memory can be mounted; a booster circuit for converting a power supply voltage of the second voltage DRAM interface into a voltage required by the first voltage DRAM memory; A level conversion circuit for converting a signal output level of the DRAM memory.
【０００６】[0006]
【発明の実施の形態】次に、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【０００７】図１は、この発明のメモリ変換ボードの実
施の形態を示す正面図および側面図である。FIG. 1 is a front view and a side view showing an embodiment of a memory conversion board according to the present invention.
【０００８】図１のように、ＤＩＭＭインタフェース４
を有する変換ボード１は、従来メモリであるＳＩＭＭメ
モリ５およびＳＩＭＭメモリ６が実装できるように、Ｓ
ＩＭＭソケット２およびＳＩＭＭソケット３を備えてい
る。さらに、変換ボード１は、ＤＩＭＭインタフェース
４の電源電圧が３．３Ｖであるため、ＳＩＭＭメモリで
必要とする５Ｖへの変換を行う昇圧回路７と、ＳＩＭＭ
メモリの信号出力レベルを５Ｖから３．３Ｖへ変換する
レベル変換回路８を備えている。[0008] As shown in FIG.
The conversion board 1 having the following configuration is used to mount the SIMM memory 5 and the SIMM memory 6 which are conventional memories.
An IMM socket 2 and a SIMM socket 3 are provided. Further, since the power supply voltage of the DIMM interface 4 is 3.3 V, the conversion board 1 includes a booster circuit 7 for performing conversion to 5 V required by the SIMM memory,
A level conversion circuit 8 for converting the signal output level of the memory from 5V to 3.3V is provided.
【０００９】変換ボード１上にあるＳＩＭＭソケット２
およびＳＩＭＭソケット３には、ＳＩＭＭメモリ５およ
びＳＩＭＭメモリ６が実装される。ＳＩＭＭメモリ５お
よびＳＩＭＭメモリ６を実装後、変換ボード１は、ＤＩ
ＭＭインタフェースを有する情報処理装置（例えば、パ
ソコン等）へ実装される。SIMM socket 2 on conversion board 1
SIMM memory 5 and SIMM memory 6 are mounted on SIMM socket 3. After mounting the SIMM memory 5 and the SIMM memory 6, the conversion board 1
It is mounted on an information processing device having an MM interface (for example, a personal computer or the like).
【００１０】次に、この実施の形態における昇圧回路の
電圧変換およびレベル変換回路の信号レベル変換つい
て、図２を用いて詳細に説明する。Next, the voltage conversion of the booster circuit and the signal level conversion of the level converter in this embodiment will be described in detail with reference to FIG.
【００１１】ＤＩＭＭインタフェース４に供給される
３．３Ｖ電源９を昇圧回路７へ入力して５Ｖ電源１０に
変換し、ＳＩＭＭソケット２およびＳＩＭＭソケット３
の電源に供給する。The 3.3V power supply 9 supplied to the DIMM interface 4 is input to the booster circuit 7 and converted into a 5V power supply 10, and the SIMM socket 2 and the SIMM socket 3 are converted.
Power supply.
【００１２】ＳＩＭＭソケット２およびＳＩＭＭソケッ
ト３からのトータル６４本の５Ｖデータバス１２をレベ
ル変換回路８に接続し、ＤＩＭＭインタフェース４から
のトータル６４本の３．３Ｖデータバス１１もレベル変
換回路８に接続する。A total of 64 5V data buses 12 from the SIMM sockets 2 and 3 are connected to the level conversion circuit 8, and a total of 64 3.3V data buses 11 from the DIMM interface 4 are also connected to the level conversion circuit 8. Connecting.
【００１３】これにより、ＳＩＭＭメモリ２，３からの
５Ｖデータバス１２は、ＤＩＭＭインタフェース４へ流
れるときに３．３Ｖにレベル変換される。ＤＩＭＭイン
タフェース４の３．３Ｖデータバス１１がＳＩＭＭへ流
れる際は、そのままの３．３Ｖレベルで流れる。As a result, the level of the 5 V data bus 12 from the SIMM memories 2 and 3 is converted to 3.3 V when flowing to the DIMM interface 4. When the 3.3 V data bus 11 of the DIMM interface 4 flows to the SIMM, it flows at the same 3.3 V level.
【００１４】上述したＤＩＭＭインタフェース４を有す
る変換ボード１は、ＳＩＭＭソケット２，３に２つのＳ
ＩＭＭメモリが実装できるようになっており、これによ
り、従来標準的に使用されていたＳＩＭＭメモリを近年
のＤＩＭＭインタフェース搭載装置に実装することがで
きる。The conversion board 1 having the above-described DIMM interface 4 has two SIM sockets 2 and 3
An IMM memory can be mounted, so that a SIMM memory conventionally used as a standard can be mounted on a recent DIMM interface-equipped device.
【００１５】なお、上述した実施の形態では、ＳＩＭＭ
ソケットが２個の場合について説明したが、この発明
は、２個に限るものではなく、ＳＩＭＭソケットが複数
個の場合にも適用できることは言うまでもない。In the above-described embodiment, the SIMM
Although the case where the number of sockets is two has been described, it is needless to say that the present invention is not limited to the case where the number of SIMM sockets is two or more.
【００１６】また、ＳＩＭＭメモリおよびＤＩＭＭイン
タフェースの場合について説明したが、この発明は、こ
れに限るものではなく、他のＤＲＡＭにも適用できるこ
とは言うまでもない。Although the description has been given of the case of the SIMM memory and the DIMM interface, it goes without saying that the present invention is not limited to this and can be applied to other DRAMs.
【００１７】[0017]
【発明の効果】以上説明したように、この発明は、近年
のＤＩＭＭメモリインタフェースのみの搭載装置に、従
来標準的に使用されていた安価なＳＩＭＭメモリを搭載
することができ、ＳＩＭＭメモリを無駄にすることがな
い。As described above, according to the present invention, an inexpensive SIMM memory conventionally used as a standard can be mounted on a recent mounting apparatus having only a DIMM memory interface, and the SIMM memory is wasted. Never do.
【図１】この発明のＤＩＭＭインタフェース搭載装置の
実施の形態を示す正面図および側面図である。FIG. 1 is a front view and a side view showing an embodiment of a device equipped with a DIMM interface of the present invention.
【図２】この実施の形態における昇圧回路の電圧変換お
よびレベル変換回路の信号レベル変換ついて説明する図
である。FIG. 2 is a diagram illustrating voltage conversion of a booster circuit and signal level conversion of a level conversion circuit in this embodiment.
１ 変換ボード ２，３ ＳＩＭＭソケット ４ ＤＩＭＭインタフェース ５，６ ＳＩＭＭメモリ ７ 昇圧回路 ８ レベル変換回路 ９ ３．３Ｖ電源 １０ ５Ｖ電源 １１ ３．３Ｖデータバス １２ ５Ｖデータバス DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Conversion board 2, 3 SIMM socket 4 DIMM interface 5, 6 SIMM memory 7 Booster circuit 8 Level conversion circuit 9 3.3V power supply 10 5V power supply 11 3.3V data bus 12 5V data bus
Claims (6)
複数のソケットを備え、前記第１の電圧用ＤＲＡＭメモ
リを第２の電圧用ＤＲＡＭインタフェース搭載装置に実
装可能とすることを特徴とするメモリ変換ボード。1. A memory having a plurality of sockets on which a first voltage DRAM memory can be mounted, wherein the first voltage DRAM memory can be mounted on a second voltage DRAM interface mounting device. Conversion board.
し、 第１の電圧用ＤＲＡＭメモリが実装できる複数のソケッ
トと、 前記第２の電圧用ＤＲＡＭインタフェースの電源電圧を
前記第１の電圧用ＤＲＡＭメモリで必要とする電圧への
変換を行う昇圧回路と、 前記第１の電圧用ＤＲＡＭメモリの信号出力レベルを変
換するレベル変換回路と、を備えることを特徴とするメ
モリ変換ボード。2. A plurality of sockets having a DRAM interface for a second voltage, on which a DRAM memory for a first voltage can be mounted, and a power supply voltage of the DRAM interface for a second voltage, the DRAM for the first voltage. A memory conversion board comprising: a booster circuit for converting a voltage required by a memory; and a level conversion circuit for converting a signal output level of the first voltage DRAM memory.
Ｍメモリであり、前記第２の電圧用ＤＲＡＭインタフェ
ースがＤＩＭＭインタフェースであることを特徴とする
請求項２に記載のメモリ変換ボード。3. The method according to claim 1, wherein said first voltage DRAM memory is a SIM memory.
3. The memory conversion board according to claim 2, wherein the memory conversion board is an M memory, and the second voltage DRAM interface is a DIMM interface.
の電源電圧３．３ＶをＳＩＭＭメモリで必要とする電圧
５Ｖへの変換を行うことを特徴とする請求項３に記載の
メモリ変換ボード。4. The memory conversion board according to claim 3, wherein the booster circuit converts a 3.3V power supply voltage of the DIMM interface into a 5V voltage required by the SIMM memory.
リの信号出力レベルを５Ｖから３．３Ｖに変換すること
を特徴とする請求項３に記載のメモリ変換ボード。5. The memory conversion board according to claim 3, wherein said level conversion circuit converts a signal output level of said SIMM memory from 5V to 3.3V.
ェースからの３．３Ｖの信号レベルをそのまま３．３Ｖ
の信号レベルで前記ＳＩＭＭメモリに与えることを特徴
とする請求項５に記載のメモリ変換ボード。6. The level conversion circuit converts a 3.3 V signal level from a DIMM interface into a 3.3 V signal as it is.
The memory conversion board according to claim 5, wherein the signal level is given to the SIMM memory.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11032525A JP2000231784A (en) | 1999-02-10 | 1999-02-10 | Memory conversion board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP11032525A JP2000231784A (en) | 1999-02-10 | 1999-02-10 | Memory conversion board |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000231784A true JP2000231784A (en) | 2000-08-22 |
Family
ID=12361383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11032525A Pending JP2000231784A (en) | 1999-02-10 | 1999-02-10 | Memory conversion board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000231784A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002023355A2 (en) * | 2000-09-18 | 2002-03-21 | Intel Corporation | Buffer to multiple memory interface |
| US6697888B1 (en) | 2000-09-29 | 2004-02-24 | Intel Corporation | Buffering and interleaving data transfer between a chipset and memory modules |
| US6820163B1 (en) | 2000-09-18 | 2004-11-16 | Intel Corporation | Buffering data transfer between a chipset and memory modules |
| US7633767B2 (en) | 2005-05-12 | 2009-12-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory modules including SIMM and DIMM-type connection structures and related memory systems |
-
1999
- 1999-02-10 JP JP11032525A patent/JP2000231784A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002023355A2 (en) * | 2000-09-18 | 2002-03-21 | Intel Corporation | Buffer to multiple memory interface |
| WO2002023355A3 (en) * | 2000-09-18 | 2002-08-22 | Intel Corp | Buffer to multiple memory interface |
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