JP2000223463A - Board treating equipment - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体基板や液晶
ガラス基板などの薄板状基板（以下、単に「基板」とい
う。）を処理液に浸漬して各種の基板処理を行う基板処
理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing various types of substrate processing by immersing a thin substrate (hereinafter, simply referred to as a "substrate") such as a semiconductor substrate or a liquid crystal glass substrate in a processing liquid.
【０００２】[0002]
【従来の技術】処理液によって基板に種々の処理を行う
基板処理装置には、貯留された処理液中に基板を浸漬し
て基板処理を行う基板処理槽と、この基板処理槽からオ
ーバーフローした処理液を循環ポンプ、ヒータが設けら
れた循環供給管を通して前記基板処理槽に循環供給する
基板処理装置がある。前記基板処理槽には、処理液の温
度を検出する温度検出器が付設され、また前記温度検出
器によって検出された処理液の温度が予め設定された、
基板処理を行う基板処理温度になるように前記ヒータの
出力を制御する温度調節装置が設けられている。2. Description of the Related Art A substrate processing apparatus for performing various processes on a substrate by using a processing liquid includes a substrate processing tank in which a substrate is immersed in a stored processing liquid to perform substrate processing, and a processing overflowing from the substrate processing tank. There is a substrate processing apparatus that circulates and supplies a liquid to the substrate processing tank through a circulation supply pipe provided with a circulation pump and a heater. The substrate processing bath is provided with a temperature detector for detecting the temperature of the processing liquid, and the temperature of the processing liquid detected by the temperature detector is set in advance.
A temperature controller is provided for controlling the output of the heater so as to reach a substrate processing temperature at which the substrate processing is performed.
【０００３】前記基板処理槽に新たに供給された処理液
は常温であり、前記温度調節装置により制御されたヒー
タの加熱によって、処理液は前記循環供給管内を循環し
ながら、基板処理温度に昇温され、その後基板処理温度
を維持するように温度調整される。前記温度調節装置に
よる制御は、通常、ＰＩＤ制御が行われる。The processing liquid newly supplied to the substrate processing tank is at room temperature, and the processing liquid rises to the substrate processing temperature while circulating in the circulating supply pipe by heating the heater controlled by the temperature control device. And then temperature adjusted to maintain the substrate processing temperature. The control by the temperature control device is usually performed by PID control.
【０００４】近年、前記ヒータとして、加熱効率の良好
なランプヒータが使用されるようになってきた。このラ
ンプヒータは、通常、複数本のランプを備え、これらの
ランプから赤外線等の光線を処理液に直接照射すること
により、処理液を加熱するものである。なお、ランプの
種類としては、赤外線ランプ、ハロゲンランプ等が使用
される。In recent years, lamp heaters having good heating efficiency have been used as the heater. The lamp heater generally includes a plurality of lamps, and irradiates the processing liquid with rays such as infrared rays from these lamps to heat the processing liquid. In addition, as a lamp type, an infrared lamp, a halogen lamp, or the like is used.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】従来の温度制御では、
処理液を基板処理温度に昇温するまでは、処理液を急速
に昇温するように、ランプヒータの全数のランプが定格
ないし定格付近の出力で使用されるが、予め設定された
基板処理温度に立ち上がった後は、その温度を維持する
のに必要な熱量を供給するだけでよいにもかかわらず、
全数のランプが使用されるため、各ランプの出力は非常
に低くなる。In the conventional temperature control,
Until the processing liquid is heated to the substrate processing temperature, all lamps of the lamp heater are used at the rated or near-rated output so that the processing liquid is rapidly heated. After getting up, you only need to supply the amount of heat needed to maintain that temperature,
Because all lamps are used, the output of each lamp is very low.
【０００６】前記ランプヒータに使用されるランプに
は、設計上の定格があり、定格ないし定格付近の出力で
使用する場合、発熱効率がもっともよく、寿命も長くな
るが、定格に比して非常に低い出力で使用すると、発熱
効率が低下するだけでなく、ランプの寿命も短くなる。
このため、従来、基板処理装置に使用されるランプヒー
タは、定格使用時の寿命に比して、寿命が短いという問
題がある。[0006] The lamp used for the lamp heater has a design rating, and when used at an output at or near the rating, the heating efficiency is the best and the life is long. When used at a very low output, not only the heat generation efficiency is reduced, but also the life of the lamp is shortened.
For this reason, there is a problem that the life of the lamp heater used in the substrate processing apparatus is shorter than the life at the time of rated use.
【０００７】このような問題は、上記のように基板処理
槽へ処理液を循環供給して使用するタイプの基板処理装
置に限らず、基板処理部で使用する処理液（純水を含
む。）をランプヒータを用いて所定温度に制御する種々
の基板処理装置においても同様である。[0007] Such a problem is not limited to a substrate processing apparatus of the type which circulates and supplies a processing liquid to a substrate processing tank as described above, but also a processing liquid (including pure water) used in a substrate processing section. The same applies to various substrate processing apparatuses that control the temperature to a predetermined temperature using a lamp heater.
【０００８】本発明はかかる問題に鑑みなされたもので
あり、ランプヒータにより所定温度に温度調整された処
理液によって基板処理を行う基板処理装置において、ラ
ンプ寿命を向上させることができる基板処理装置を提供
することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus for performing a substrate processing using a processing liquid whose temperature has been adjusted to a predetermined temperature by a lamp heater. The purpose is to provide.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】請求項１にかかる発明
は、所定温度に調整された処理液によって基板処理を行
う基板処理部が設けられた基板処理装置であって、処理
液の温度を検出する温度検出器と、処理液を加熱する複
数のランプを有するランプヒータと、前記温度検出器に
よって検出された処理液の温度が基板処理を行う際の基
板処理温度を含むその近傍温度に設定された急速昇温温
度に到達するまでは前記処理液の温度が前記基板処理温
度あるいは前記急速昇温温度になるように前記ランプヒ
ータの全数のランプを制御し、前記処理液の温度が前記
急速昇温温度に到達した後は前記ランプヒータの全数未
満のランプに対して前記処理液の温度が前記基板処理温
度になるように制御を行う温度制御部とを備えたもので
ある。According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus provided with a substrate processing section for performing a substrate processing with a processing liquid adjusted to a predetermined temperature, wherein the temperature of the processing liquid is detected. A temperature detector, a lamp heater having a plurality of lamps for heating the processing liquid, and a temperature of the processing liquid detected by the temperature detector set to a temperature in the vicinity thereof including a substrate processing temperature when performing substrate processing. All lamps of the lamp heaters are controlled so that the temperature of the processing solution becomes the substrate processing temperature or the rapid temperature rising temperature until the temperature of the processing solution rises rapidly until the temperature of the processing solution reaches the rapid temperature rising temperature. After reaching the temperature, a temperature controller is provided for controlling the temperature of the processing liquid to the substrate processing temperature for lamps less than the total number of the lamp heaters.
【００１０】この基板処理装置によると、温度制御部に
よって、温度検出器によって検出された処理液の温度が
急速昇温温度に到達するまでは、処理液の温度が基板処
理温度あるいは前記急速昇温温度になるようにランプヒ
ータの全てのランプを制御するので、処理液の温度と基
板処理温度との温度差が大きい立ち上げの際に、全ての
ランプを定格ないし定格付近の出力で処理液を加熱する
ことができ、処理液を速やかに急速昇温温度に昇温する
ことができる。また、処理液の温度が急速昇温温度に到
達した後は、ランプヒータの全数未満のランプに対して
処理液の温度が基板処理温度になるように制御を行うの
で、全数のランプによって処理液を基板処理温度に維持
する温度制御を行う場合に比して、使用する各ランプを
定格に近い出力で使用することができ、基板処理温度に
立ち上げた後に使用するランプの寿命を向上させること
ができ、引いてはランプヒータのランプの交換およびそ
の際の装置停止時間を削減することができ、基板処理装
置のメンテナンス性、稼動率を向上させることができ
る。According to this substrate processing apparatus, the temperature of the processing liquid is maintained at the substrate processing temperature or the rapid temperature raising until the temperature of the processing liquid detected by the temperature detector reaches the rapid temperature increase temperature by the temperature control unit. Since all lamps of the lamp heater are controlled to reach the temperature, when the temperature difference between the processing liquid temperature and the substrate processing temperature is large, all lamps are supplied at rated or near rated power when starting up. Heating can be performed, and the processing liquid can be quickly heated to a rapid heating temperature. Also, after the temperature of the processing liquid reaches the rapid temperature rise temperature, control is performed such that the temperature of the processing liquid is equal to the substrate processing temperature for lamps less than the total number of lamp heaters. Compared to performing temperature control to maintain the substrate processing temperature, each lamp to be used can be used with an output close to the rating, and the life of the lamp to be used after starting up to the substrate processing temperature is improved. Accordingly, the replacement of the lamp of the lamp heater and the apparatus stop time at that time can be reduced, and the maintainability and operation rate of the substrate processing apparatus can be improved.
【００１１】請求項２にかかる発明は、処理液中に基板
を浸漬して基板処理を行う基板処理部と、前記基板処理
部からオーバーフローした処理液を前記基板処理部に循
環させて供給する循環供給管とが設けられた基板処理装
置であって、処理液の温度を検出する温度検出器と、前
記循環供給管内を流れる処理液を加熱する複数のランプ
を有するランプヒータと、前記温度検出器によって検出
された処理液の温度が基板処理を行う際の基板処理温度
を含むその近傍温度に設定された急速昇温温度に到達す
るまでは前記処理液の温度が前記基板処理温度あるいは
前記急速昇温温度になるように前記ランプヒータの全数
のランプを制御し、前記処理液の温度が前記急速昇温温
度に到達した後は前記ランプヒータの全数未満のランプ
に対して前記処理液の温度が前記基板処理温度になるよ
うに制御を行う温度制御部とを備えたものである。According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate processing section for performing substrate processing by immersing a substrate in a processing liquid, and a circulating supply of the processing liquid overflowing from the substrate processing section to the substrate processing section. A substrate processing apparatus provided with a supply pipe, a temperature detector for detecting a temperature of the processing liquid, a lamp heater having a plurality of lamps for heating the processing liquid flowing in the circulation supply pipe, and the temperature detector The temperature of the processing solution is maintained at the substrate processing temperature or the rapid rising temperature until the temperature of the processing solution detected by the process reaches a rapid temperature rise temperature set to a temperature near the substrate processing temperature including the substrate processing temperature when performing the substrate processing. Controlling the total number of lamps of the lamp heaters so as to reach the temperature, and after the temperature of the processing liquid reaches the rapid temperature increase temperature, the processing is performed on lamps less than the total number of the lamp heaters. In which the temperature of and a temperature control unit for controlling such that the substrate processing temperature.
【００１２】この基板処理装置によると、温度制御部に
よって、温度検出器によって検出された処理液の温度が
急速昇温温度に到達するまでは、処理液の温度が基板処
理温度あるいは前記急速昇温温度になるようにランプヒ
ータの全てのランプを制御するので、処理液の温度と基
板処理温度との温度差が大きい立ち上げの際に、全ての
ランプを定格ないし定格付近の出力で処理液を加熱する
ことができ、処理液を速やかに急速昇温温度に昇温する
ことができる。また、処理液の温度が急速昇温温度に到
達した後は、ランプヒータの全数未満のランプに対して
処理液の温度が基板処理温度になるように制御を行うの
で、全数のランプによって処理液を基板処理温度に維持
する温度制御を行う場合に比して、使用する各ランプを
定格に近い出力で使用することができ、循環使用に供す
る処理液を基板処理温度に立ち上けた後に使用するラン
プの寿命を向上させることができ、引いてはランプヒー
タのランプの交換およびその際の装置停止時間を削減す
ることができ、基板処理装置のメンテナンス性、稼動率
を向上させることができる。According to this substrate processing apparatus, the temperature of the processing liquid is maintained at the substrate processing temperature or the rapid temperature rising until the temperature of the processing liquid detected by the temperature detector reaches the rapid temperature rise temperature by the temperature control unit. Since all lamps of the lamp heater are controlled to reach the temperature, when the temperature difference between the processing liquid temperature and the substrate processing temperature is large, all lamps are supplied at rated or near rated power when starting up. Heating can be performed, and the processing liquid can be quickly heated to a rapid heating temperature. Also, after the temperature of the processing liquid reaches the rapid temperature rise temperature, control is performed such that the temperature of the processing liquid is equal to the substrate processing temperature for lamps less than the total number of lamp heaters. Each lamp used can be used with an output close to the rating compared to the case where temperature control is performed to maintain the substrate processing temperature at a substrate processing temperature, and the lamp is used after the processing solution to be used for circulation is raised to the substrate processing temperature. The life of the lamp can be improved, and the replacement of the lamp of the lamp heater and the downtime of the apparatus at that time can be reduced, so that the maintainability and the operation rate of the substrate processing apparatus can be improved.
【００１３】請求項３にかかる発明は、請求項２に記載
した基板処理装置において、前記温度制御部は、前記温
度検出器によって検出された処理液の温度が前記急速昇
温温度に到達するまでは前記処理液の温度が前記基板処
理温度あるいは前記急速昇温温度になるように前記ラン
プヒータの全数のランプを制御し、前記処理液の温度が
前記急速昇温温度に到達した後はランプを定格に近い出
力で使用した場合に基板処理温度の維持に要する使用ラ
ンプ数のランプに対して前記処理液の温度が前記基板処
理温度になるように制御を行うものである。According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the second aspect, the temperature control unit is configured to operate until the temperature of the processing liquid detected by the temperature detector reaches the rapid temperature increase temperature. Controls all the lamps of the lamp heater so that the temperature of the processing liquid becomes the substrate processing temperature or the rapid temperature rising temperature, and turns on the lamp after the temperature of the processing liquid reaches the rapid temperature rising temperature. The control is performed such that the temperature of the processing solution is equal to the substrate processing temperature for the lamps of the number of lamps required for maintaining the substrate processing temperature when the power is used near the rated output.
【００１４】この基板処理装置によると、処理液の温度
が急速昇温温度に到達した後は、ランプを定格に近い出
力で使用した場合に基板処理温度の温度維持に使用すべ
き使用ランプ数のランプに対して処理液の温度が基板処
理温度になるように制御を行うので、全数のランプによ
って処理液を基板処理温度に維持する温度制御を行う場
合に比して、基板処理を行う際の基板処理温度が種々広
範囲にわたる場合においても、それぞれの基板処理温度
に対して最適数のランプを定格に近い出力で使用するこ
とができ、循環使用に供する処理液を基板処理温度に立
ち上けた後に使用するランプの寿命をより一層向上させ
ることができ、引いてはランプヒータのランプの交換お
よびその際の装置停止時間を削減することができ、基板
処理装置のメンテナンス性、稼動率を向上させることが
できる。According to this substrate processing apparatus, after the temperature of the processing solution reaches the rapid temperature rise temperature, when the lamp is used at an output close to the rating, the number of lamps to be used for maintaining the temperature of the substrate processing temperature is reduced. Since the lamps are controlled so that the temperature of the processing liquid becomes the substrate processing temperature, compared to the case where temperature control for maintaining the processing liquid at the substrate processing temperature by all the lamps is performed, the substrate processing temperature is reduced. Even when the substrate processing temperature varies over a wide range, the optimum number of lamps can be used for each substrate processing temperature at an output close to the rating, and after the processing solution to be used for circulation is raised to the substrate processing temperature. The life of the lamp to be used can be further improved, and the replacement of the lamp of the lamp heater and the downtime of the apparatus at that time can be reduced. Nsu resistance, it is possible to improve the operating rate.
【００１５】請求項４に記載された発明は、前記請求項
３に記載された基板処理装置において、前記温度制御部
は、ランプを定格に近い出力で使用した場合に基板処理
温度の維持に要する使用ランプ数を基板処理温度に関係
付けて記憶する記憶部を備え、前記温度検出器によって
検出された処理液の温度が前記急速昇温温度に到達する
までは前記処理液の温度が前記基板処理温度あるいは前
記急速昇温温度になるように前記ランプヒータの全数の
ランプを制御し、前記処理液の温度が前記急速昇温温度
に到達した後は前記基板処理温度に基づいて当該基板処
理温度に対応した使用ランプ数を前記記憶部から読み出
し、読み出された使用ランプ数のランプに対して前記処
理液の温度が前記基板処理温度になるように制御を行う
ものである。According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the third aspect, the temperature control unit is required to maintain the substrate processing temperature when the lamp is used at an output close to the rating. A storage unit for storing the number of lamps used in association with the substrate processing temperature, wherein the temperature of the processing liquid is maintained until the temperature of the processing liquid detected by the temperature detector reaches the rapid temperature rise temperature. Controlling the total number of lamps of the lamp heater so as to reach the temperature or the rapid temperature rising temperature, and after the temperature of the processing solution reaches the rapid temperature rising temperature, the temperature of the processing solution is reduced to the substrate processing temperature based on the substrate temperature. The corresponding number of used lamps is read from the storage unit, and control is performed on the lamps of the read number of used lamps so that the temperature of the processing liquid becomes the substrate processing temperature.
【００１６】この基板処理装置によると、処理液の温度
が基板処理温度に急速昇温温度に到達した後、ランプを
定格に近い出力で使用した場合に基板処理温度の維持に
使用すべき使用ランプ数を基板処理温度に応じて記憶部
から読み出し、この読み出された数のランプに対して温
度制御を行うので、基板処理を行う際の基板処理温度が
種々広範囲にわたる場合においても、温度制御部に実際
に基板処理を行う際の基板処理温度を入力するだけで、
当該基板処理温度に立ち上がり後は基板処理温度の維持
に使用すべき最適数のランプを定格に近い出力で使用す
ることができ、操作性に優れる。According to this substrate processing apparatus, the lamp to be used for maintaining the substrate processing temperature when the temperature of the processing liquid reaches the substrate processing temperature and rapidly rises to the substrate processing temperature, and the lamp is used at an output close to the rating. The number is read from the storage unit in accordance with the substrate processing temperature, and the temperature control is performed on the read number of lamps. Therefore, even when the substrate processing temperature in performing the substrate processing is various, the temperature control unit Just enter the substrate processing temperature when actually performing the substrate processing,
After rising to the substrate processing temperature, the optimum number of lamps to be used for maintaining the substrate processing temperature can be used with an output close to the rating, and the operability is excellent.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて図を参照しながら説明する。図１は本発明の実施
形態にかかる基板処理装置１の要部構成を示す模式図で
あり、この基板処理装置１は、処理液中に複数の基板を
浸漬して基板処理を行う基板処理槽２と、前記基板処理
槽２からオーバーフローした処理液を回収する回収槽３
と、この回収槽３に回収された処理液を回収槽３の底部
に開設された排出口より吸い込んで前記基板処理槽２の
底部に開設された供給口より供給する循環供給管４を有
する。前記循環供給管４には、循環ポンプ６、ランプヒ
ータ７、フィルター８が同順序で処理液の流れる方向に
沿って設けられている。また、前記基板処理槽２には、
槽内の処理液の温度を検出する、Ｋ熱電対や白金抵抗体
などの温度検出器１８が付設されている。また、前記循
環供給管４には、ランプヒータ７の下流側に開閉弁１１
を備えた廃液管１２が接続されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a main part configuration of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 1 includes a substrate processing tank that performs substrate processing by immersing a plurality of substrates in a processing liquid. 2 and a collecting tank 3 for collecting the processing liquid overflowing from the substrate processing tank 2
And a circulating supply pipe 4 for sucking the processing liquid collected in the collecting tank 3 from a discharge port formed at the bottom of the collecting tank 3 and supplying it from a supply port formed at the bottom of the substrate processing tank 2. The circulation supply pipe 4 is provided with a circulation pump 6, a lamp heater 7, and a filter 8 in the same order along the direction in which the processing liquid flows. Further, the substrate processing tank 2 includes:
A temperature detector 18, such as a K thermocouple or a platinum resistor, for detecting the temperature of the processing solution in the tank is provided. The circulation supply pipe 4 has an on-off valve 11 downstream of the lamp heater 7.
Is connected.
【００１８】前記ランプヒータ７には、本例では３本の
ランプ７Ａ，７Ｂ，７Ｃが所定の間隔をおいてヒータケ
ース９内に並設されており、ヒータケース９の一端部に
設けられた流入口と他端部に設けられた流出口とが循環
供給管４に連通接続されている。前記循環供給管４から
前記流入口に流入した処理液は各ランプ７Ａ等の回りを
流れながらランプ７Ａ等から照射された赤外線等の光線
により加熱され、流出口から再び循環供給管４内に流入
し、フィルター８によってパーティクル等の不純物が除
去されて基板処理槽２に供給される。In the lamp heater 7, in this embodiment, three lamps 7A, 7B and 7C are arranged in the heater case 9 at predetermined intervals and provided at one end of the heater case 9. An inflow port and an outflow port provided at the other end are connected to the circulation supply pipe 4. The processing liquid flowing into the inflow port from the circulation supply pipe 4 is heated by rays such as infrared rays emitted from the lamps 7A while flowing around the lamps 7A and the like, and flows into the circulation supply pipe 4 again from the outflow ports. Then, impurities such as particles are removed by the filter 8 and supplied to the substrate processing tank 2.
【００１９】また、基板処理装置１には、前記温度検出
器１８や前記ランプヒータ７を用いて、循環供給管４内
を流れる処理液の温度を制御する温度制御部２０が設け
られている。前記温度制御部２０は、図２に示すよう
に、ＣＰＵ、メモリ、入出力インターフェイスを備え、
温度制御に関する制御信号を各部との間で送受信する制
御コンピュータ２３と、前記制御コンピュータ２３を介
して基板処理温度が設定され、前記温度検出器１８によ
って検出された処理液の温度が基板処理温度になるよう
に前記ランプヒータ７をＰＩＤ制御するヒータ制御信号
を出力する温度調節器２４と、前記ヒータ制御信号に基
づいてランプヒータ７の各ランプ７Ａ等へ制御電力を供
給する電力調整器２５と、この電力調整器２５から各ラ
ンプ７Ａ等への給電路を制御コンピュータ２３から送信
された設定ランプ数情報に基づいて開閉操作する給電路
設定器２６とを備えている。前記温度調節器２４はヒー
タ制御信号を出力するほか、処理液の温度が基板処理温
度に立ち上がったときに制御コンピュータ２３に立ち上
がり信号を送信する。前記立ち上がり信号は、処理液の
温度が所定時間内に基板処理温度を中心としてある温度
範囲内にあるようになったときに出力されるものであ
る。Further, the substrate processing apparatus 1 is provided with a temperature controller 20 for controlling the temperature of the processing liquid flowing in the circulation supply pipe 4 using the temperature detector 18 and the lamp heater 7. As shown in FIG. 2, the temperature control unit 20 includes a CPU, a memory, and an input / output interface.
A substrate processing temperature is set via the control computer 23 for transmitting and receiving a control signal relating to temperature control to and from each unit, and the temperature of the processing solution detected by the temperature detector 18 is set to the substrate processing temperature. A temperature controller 24 for outputting a heater control signal for performing PID control of the lamp heater 7, a power controller 25 for supplying control power to each lamp 7A of the lamp heater 7 based on the heater control signal, A power supply path setting device 26 is provided for opening and closing the power supply path from the power regulator 25 to each of the lamps 7A based on the set lamp number information transmitted from the control computer 23. The temperature controller 24 outputs a heater control signal and transmits a rising signal to the control computer 23 when the temperature of the processing liquid rises to the substrate processing temperature. The rising signal is output when the temperature of the processing liquid falls within a certain temperature range around the substrate processing temperature within a predetermined time.
【００２０】前記制御コンピュータ２３には、キーボー
ド、スイッチ等の入力手段２１が接続され、制御コンピ
ュータ２３のメモリには制御プログラムや制御情報が格
納される。前記制御情報としては、基板処理を行う際の
基板処理温度や使用ランプ数がある。使用ランプ数と
は、処理液が基板処理温度に立ち上がった後、ランプを
定格に近い出力で使用した場合に、処理液を基板処理温
度に維持するのに要するランプ数を意味する。使用ラン
プ数は、ランプの種類・定格、基板処理温度、基板処理
槽のサイズ、循環供給管の長さ等によって変動するが、
基板処理温度以外の要素は装置構成によって決まるの
で、通常、基板処理温度によって使用ランプ数は決ま
る。例えば、基板処理温度が４０℃以下の場合には１
本、４０℃超８０℃以下の場合には２本、８０℃超の場
合には３本と規定される。なお、立ち上がり後に使用す
るランプの出力は、定格の６０％以上、好ましくは７０
％以上、より好ましくは８０％以上となるように、でき
るだけ定格に近い方がよい。The control computer 23 is connected to input means 21 such as a keyboard and a switch, and a memory of the control computer 23 stores control programs and control information. The control information includes a substrate processing temperature and the number of lamps used when performing the substrate processing. The number of lamps used means the number of lamps required to maintain the processing liquid at the substrate processing temperature when the processing liquid rises to the substrate processing temperature and the lamp is used at an output close to the rating. The number of lamps used varies depending on the type and rating of the lamp, the substrate processing temperature, the size of the substrate processing tank, the length of the circulation supply pipe, etc.
Since the factors other than the substrate processing temperature are determined by the apparatus configuration, the number of lamps used is usually determined by the substrate processing temperature. For example, if the substrate processing temperature is 40 ° C. or less, 1
If the temperature is higher than 40 ° C. and 80 ° C. or less, the number is defined as two, and if the temperature is higher than 80 ° C., the number is defined as three. Note that the output of the lamp used after startup is 60% or more of the rating, preferably 70%.
%, More preferably 80% or more, as close to the rating as possible.
【００２１】前記基板処理槽２には、処理液供給管（図
示省略）から常温の処理液が供給され、この処理液は循
環ポンプ６によって循環供給管４を流れて、ランプヒー
タ７の内部を流れる間にランプ７Ａ等によって加熱さ
れ、温度制御部２０によって基板処理温度になるように
温度制御され、基板処理に使用される。処理液は基板処
理に所定時間使用された後、廃液管１２から装置外に排
出される。A processing liquid at room temperature is supplied to the substrate processing tank 2 from a processing liquid supply pipe (not shown), and the processing liquid flows through the circulation supply pipe 4 by the circulation pump 6 to pass through the inside of the lamp heater 7. During the flow, the substrate is heated by a lamp 7A or the like, and the temperature is controlled by the temperature control unit 20 to a substrate processing temperature, and is used for substrate processing. After the treatment liquid has been used for the substrate treatment for a predetermined time, it is discharged from the waste liquid pipe 12 to the outside of the apparatus.
【００２２】ここで、前記温度制御部２０による温度制
御について、図３の処理手順を示すフローチャートを参
照して説明する。Here, the temperature control by the temperature control unit 20 will be described with reference to the flowchart showing the processing procedure of FIG.
【００２３】まず、入力手段２１を介して基板処理温度
ＷＴ、使用ランプ数が制御コンピュータ２３に入力さ
れ、メモリに一時的に記憶される（Ｓ１）。First, the substrate processing temperature WT and the number of lamps used are input to the control computer 23 via the input means 21, and are temporarily stored in the memory (S1).
【００２４】前記基板処理温度ＷＴは制御コンピュータ
２３を介して前記温度調節器２４に送信され、目標温度
として設定され、温度調節が開始される（Ｓ２）。一
方、給電可能なランプ数を全数とする設定ランプ数情報
が給電路設定器２６に送信され、電力調整器２５とラン
プ７Ａ，７Ｂ，７Ｃとを接続する給電路が閉じられ、全
てのランプに制御電力が供給される（Ｓ３）。処理液の
温度ｔと基板処理温度ＷＴとの温度差が十分ある間は、
ランプヒータ７の各ランプ７Ａ等には定格ないし定格付
近の制御電力が供給される。The substrate processing temperature WT is transmitted to the temperature controller 24 via the control computer 23, set as a target temperature, and temperature control is started (S2). On the other hand, information on the number of set lamps, in which the total number of lamps that can be supplied with power, is transmitted to the power supply path setting unit 26, and the power supply path connecting the power regulator 25 and the lamps 7A, 7B, 7C is closed, and all lamps are connected. Control power is supplied (S3). While there is a sufficient temperature difference between the processing liquid temperature t and the substrate processing temperature WT,
Control electric power at or near the rated value is supplied to each lamp 7A of the lamp heater 7.
【００２５】制御コンピュータ２３は、温度調節器２４
からの立ち上がり信号の有無を判定しており（Ｓ４）、
立ち上がり信号が入力されるまでは設定ランプ数を全数
として処理液を加熱する。一方、立ち上がり信号が温度
調節器２４から制御コンピュータ２３に入力されると、
メモリから使用ランプ数が読み出され、設定ランプ数情
報として給電路設定器２６に出力される。これにより、
使用ランプ数のランプのみが電力調整器２５に給電可能
に接続され、所定数のランプにより処理液が基板処理温
度ＷＴになるように加熱される（Ｓ５）。この場合、使
用される各ランプは定格に近い出力で使用されるため、
ランプの加熱効率が良好で、ランプ寿命も長くなる。The control computer 23 includes a temperature controller 24
It is determined whether there is a rising signal from (S4).
Until the rising signal is input, the processing liquid is heated with the set lamp number as the total number. On the other hand, when the rising signal is input from the temperature controller 24 to the control computer 23,
The number of used lamps is read from the memory, and is output to the power supply path setting device 26 as set lamp number information. This allows
Only the used lamps are connected to the power regulator 25 so as to be able to supply power, and the processing liquid is heated by the predetermined number of lamps to the substrate processing temperature WT (S5). In this case, since each lamp used is used at an output close to the rating,
The heating efficiency of the lamp is good and the lamp life is prolonged.
【００２６】上記実施形態では、立ち上がり後に使用す
べきランプヒータ７のランプの本数すなわち使用ランプ
数をオぺレータが入力手段２１を介して制御コンピュー
タ２３に入力するようにしたが、予め制御コンピュータ
２３のメモリに基板処理温度に関係付けられた使用ラン
プ数を種々記憶しておき、制御コンピュータ２３に入力
された基板処理温度ＷＴに対応した使用ランプ数をメモ
リから読み出して温度制御に利用するようにしてもよ
い。すなわち、図４に示すように、オぺレータが基板処
理温度ＷＴを制御コンピュータ２３に入力することで、
ＷＴはメモリに一時的に記憶され（Ｓ１−１）、この基
板処理温度ＷＴに対応した使用ランプ数をメモリから読
み出し、このデータを実際に使用する使用ランプ数とし
てメモリに一時的に記憶する（Ｓ１−２）。その後の処
理は前記実施形態と同様であり、処理液の温度が基板処
理温度ＷＴに立ち上がり後、前記使用ランプ数を設定ラ
ンプ数情報として給電路設定器２６へ出力し、所定の数
のランプを給電可能にする（Ｓ２〜Ｓ５）。In the above embodiment, the operator inputs the number of lamps of the lamp heater 7 to be used after startup, that is, the number of lamps to be used, to the control computer 23 through the input means 21. The number of lamps used in relation to the substrate processing temperature is stored in a memory of the type, and the number of lamps used corresponding to the substrate processing temperature WT input to the control computer 23 is read out from the memory and used for temperature control. You may. That is, as shown in FIG. 4, when the operator inputs the substrate processing temperature WT to the control computer 23,
The WT is temporarily stored in the memory (S1-1), the number of used lamps corresponding to the substrate processing temperature WT is read from the memory, and this data is temporarily stored in the memory as the actually used number of lamps ( S1-2). Subsequent processing is the same as in the above-described embodiment. After the temperature of the processing liquid rises to the substrate processing temperature WT, the number of used lamps is output to the power supply line setting device 26 as set lamp number information, and a predetermined number of lamps are set. Power supply is enabled (S2 to S5).
【００２７】かかる処理を行うことにより、オぺレータ
は自ら基板処理温度ＷＴに適した使用ランプ数を判断す
る必要がなく、またこれを入力する必要もなく、入力手
段２１から基板処理温度ＷＴのみを入力することで、立
ち上がり後は最適な使用ランプ数により処理液を基板処
理温度ＷＴに維持するように温度制御することができ、
操作性が大いに向上する。なお、前記基板処理温度との
関連で記憶する使用ランプ数としては、先の例で説明す
ると、ＷＴ≦４０℃の場合には１本、４０℃＜ＷＴ≦８
０℃の場合には２本、８０℃＜ＷＴの場合には３本とな
る。この場合、例えば、入力されたＷＴが６０℃の場
合、使用ランプ数は２本となる。By performing such processing, the operator does not need to judge the number of lamps suitable for the substrate processing temperature WT, nor need to input this, and only the substrate processing temperature WT is input from the input means 21. , The temperature of the processing liquid can be controlled so as to maintain the processing liquid at the substrate processing temperature WT by the optimal number of lamps to be used after startup.
Operability is greatly improved. The number of used lamps stored in relation to the substrate processing temperature is, as described in the above example, one when WT ≦ 40 ° C. and 40 ° C. <WT ≦ 8
When the temperature is 0 ° C., the number is two, and when 80 ° C. <WT, the number is three. In this case, for example, when the input WT is 60 ° C., the number of lamps used is two.
【００２８】また、上記実施形態では、処理液の温度が
基板処理温度ＷＴに立ち上がったとき、温度調節器２４
から立ち上がり信号を制御コンピュータ２３に送信する
ようにしたが、温度調節器２４から処理液の温度情報を
制御コンピュータ２３に入力し、制御コンピュータ２３
側で立ち上がりの有無を判断し、この判断に基づいて給
電路設定器２６を制御するようにしてもよい。In the above embodiment, when the temperature of the processing liquid rises to the substrate processing temperature WT, the temperature controller 24
Is transmitted to the control computer 23 from the controller 23. However, the temperature information of the processing solution is input to the control computer 23 from the temperature controller 24, and the control computer 23
It is also possible to determine whether or not there is a rise, and control the power supply path setting device 26 based on this determination.
【００２９】また、上記実施形態では、基板処理温度Ｗ
Ｔや使用ランプ数を入力手段２１によって制御コンピュ
ータ２３に入力するようにしたが、製造ラインを統括す
る中央コンピュータからこれらの情報を制御コンピュー
タ２３に入力するようにしてもよい。また、上記実施形
態では、基板処理温度ＷＴを制御コンピュータ２３を介
して温度調節器２４に入力設定するようにしたが、基板
処理温度ＷＴを温度調節器２４に直接入力するようにし
てもよい。この場合、制御コンピュータ２３側におい
て、基板処理温度ＷＴ情報が必要なときは、温度調節器
２４から制御コンピュータ２３へ基板処理温度情報を送
信することで、制御コンピュータ２３への基板処理温度
ＷＴの入力を省略することができる。In the above embodiment, the substrate processing temperature W
Although T and the number of lamps used are inputted to the control computer 23 by the input means 21, these information may be inputted to the control computer 23 from a central computer which controls the production line. In the above embodiment, the substrate processing temperature WT is input and set to the temperature controller 24 via the control computer 23. However, the substrate processing temperature WT may be directly input to the temperature controller 24. In this case, when the control computer 23 needs the substrate processing temperature WT information, the substrate processing temperature information is transmitted from the temperature controller 24 to the control computer 23 so that the input of the substrate processing temperature WT to the control computer 23 is performed. Can be omitted.
【００３０】また、上記実施形態では、温度調節器２４
を設け、この温度調節器２４からのヒータ制御信号を電
力調整器２５に送信してランプヒータ７を制御するよう
にしたが、図５に示すように、温度検出器１８からの検
出温度信号を信号変換インターフェイス３０を介して制
御コンピュータ２３に直接入力し、この検出温度信号に
基づいて得られた処理液の温度と目標温度である基板処
理温度ＷＴとからヒータ制御信号を演算して、これを電
力調整器２５へ出力するようにしてもよい。この場合、
基板処理温度への立ち上がりの有無も制御コンピュータ
２３側で判断する。In the above embodiment, the temperature controller 24
And a heater control signal from the temperature controller 24 is transmitted to the power controller 25 to control the lamp heater 7. However, as shown in FIG. The heater control signal is directly input to the control computer 23 through the signal conversion interface 30 and the heater control signal is calculated from the temperature of the processing solution obtained based on the detected temperature signal and the substrate processing temperature WT as the target temperature. You may make it output to the power regulator 25. in this case,
The control computer 23 also determines whether the temperature has risen to the substrate processing temperature.
【００３１】また、上記実施形態では、制御コンピュー
タ２３に使用ランプ数を入力し、このデータに基づいて
リレー回路等によって構成された給電路設定器２６を制
御して電力調整器２５から各ランプへの給電路を開閉す
るようにしたが、基板処理温度の設定範囲が限られてい
る場合などでは、制御コンピュータ２３に使用ランプ数
を一々入力することなく、立ち上がり信号の入力によ
り、予めメモりに記憶された使用ランプ数（例えば、１
本あるいはランプ全数未満の所定数）を設定ランプ数情
報として給電路設定器２６へ出力するようにしてもよ
い。また、給電路設定器２６によるランプへの給電路の
開閉制御は、必ずしも制御コンピュータ２３からの設定
ランプ数情報に基づいて行う必要はなく、手動操作によ
り給電路設定器２６において各ランプへの給電路の開閉
設定を行うようにしてもよい。In the above embodiment, the number of lamps to be used is input to the control computer 23, and based on the data, the power supply line setting device 26 constituted by a relay circuit or the like is controlled to control the power regulator 25 to each lamp. However, in the case where the setting range of the substrate processing temperature is limited, the number of lamps to be used is not input to the control computer 23, but the input of the rising signal allows the memory to be stored in advance. The stored number of used lamps (for example, 1
(Or a predetermined number less than the total number of lamps) may be output to the power supply path setting device 26 as set lamp number information. Further, the opening / closing control of the power supply path to the lamps by the power supply path setting device 26 does not necessarily need to be performed based on the set lamp number information from the control computer 23, and the power supply path setting device 26 supplies power to each lamp by manual operation. Road opening / closing settings may be made.
【００３２】また、前記実施形態では、処理液の温度が
基板処理温度ＷＴに立ち上がった時点を基準として実際
に使用するランプ数を全数から使用ランプ数に設定する
ようにしたが、制御コンピュータ２３に基板処理温度Ｗ
Ｔ、使用ランプ数のほか、前記基板処理温度ＷＴの近傍
温度に設定された急速昇温温度ＱＴを入力し、処理液の
温度がＱＴに到達するまでは全数のランプを用いて処理
液の温度がＷＴあるいはＱＴになるように加熱昇温し、
ＱＴに到達後は所定の使用ランプ数のランプにて処理液
の温度がＷＴになうように温度制御してもよい。この場
合、処理液の温度は、図５に示すように、温度検出器１
８からの検出温度信号を信号変換インターフェイス３０
を介して制御コンピュータ２３に入力し、この検出温度
信号に基づいて得られた処理液の温度と前記ＱＴとを比
較して、処理液がＱＴに到達したか否かを判断すればよ
い。なお、前記実施形態は、急速昇温温度ＱＴとして、
基板処理温度ＷＴを採用した場合に相当するものであ
る。In the above embodiment, the number of lamps actually used is set from the total number of lamps to the number of lamps to be used, based on the time when the temperature of the processing solution rises to the substrate processing temperature WT. Substrate processing temperature W
In addition to T and the number of lamps used, a rapid temperature rise QT set at a temperature near the substrate processing temperature WT is input, and the temperature of the processing liquid is increased using all lamps until the temperature of the processing liquid reaches QT. Is heated to WT or QT.
After reaching QT, the temperature of the processing solution may be controlled by using a predetermined number of lamps so that the temperature of the processing liquid becomes WT. In this case, the temperature of the processing liquid is, as shown in FIG.
8 converts the detected temperature signal from the signal conversion interface 30
May be input to the control computer 23 via the CPU and the temperature of the processing liquid obtained based on the detected temperature signal may be compared with the QT to determine whether the processing liquid has reached the QT. In the above embodiment, the rapid heating temperature QT is
This corresponds to a case where the substrate processing temperature WT is adopted.
【００３３】また、上記実施形態では、ランプヒータ７
として３本のランプを有するものを示したが、ランプ数
はこれに限らないことは勿論である。また、本発明は処
理液を基板処理槽に循環供給するタイプの基板処理装置
に限らず、基板処理槽内にランプヒータを設け、これに
よって基板処理槽内に貯留した処理液を温度調整する基
板処理装置であってもよい。また、基板処理装置のタイ
プとしては、上記実施形態のように複数の基板を一度に
基板処理槽に浸漬して処理するバッチタイプに限らず、
一枚ごとに処理する枚葉タイプの基板処理装置であって
もよい。In the above embodiment, the lamp heater 7
Has three lamps, but the number of lamps is, of course, not limited to this. In addition, the present invention is not limited to a substrate processing apparatus of a type that circulates and supplies a processing liquid to a substrate processing tank, but also provides a lamp heater in the substrate processing tank to thereby adjust the temperature of the processing liquid stored in the substrate processing tank. It may be a processing device. Further, the type of the substrate processing apparatus is not limited to a batch type in which a plurality of substrates are immersed in a substrate processing tank at a time and processed as in the above embodiment,
It may be a single-wafer type substrate processing apparatus for processing one by one.
【００３４】[0034]
【発明の効果】本発明の基板処理装置によれば、処理液
の温度が急速昇温温度に到達した後は、ランプヒータを
構成するランプの全数未満の所定数のランプに対して、
あるいはランプを定格に近い出力で使用した場合に基板
処理温度の温度維持に要する使用ランプ数のランプに対
して処理液の温度が基板処理温度になるように制御を行
うので、全数のランプを使用して処理液の温度が基板処
理温度を維持するように温度制御する場合に比して、使
用する各ランプを定格に近い出力で使用することができ
るため、基板処理温度に立ち上げた後に使用するランプ
の寿命を向上させることができる。このため、ランプヒ
ータのランプの交換およびその際の装置停止時間を削減
することができ、基板処理装置のメンテナンス性、稼動
率を向上させることができる。According to the substrate processing apparatus of the present invention, after the temperature of the processing liquid reaches the rapid temperature rise temperature, a predetermined number of lamps less than the total number of the lamps constituting the lamp heater are controlled.
Alternatively, when the lamps are used at an output close to the rating, the number of lamps used to maintain the substrate processing temperature is controlled so that the temperature of the processing solution is equal to the substrate processing temperature. Compared to controlling the temperature of the processing solution to maintain the substrate processing temperature, each lamp to be used can be used with an output close to the rating. Lamp life can be improved. For this reason, the replacement of the lamp of the lamp heater and the time during which the apparatus is stopped can be reduced, and the maintainability and operation rate of the substrate processing apparatus can be improved.
【図１】実施形態にかかる基板処理装置の要部構成を示
す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a main configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
【図２】実施形態における温度制御部の機能ブロック図
である。FIG. 2 is a functional block diagram of a temperature control unit according to the embodiment.
【図３】実施形態の温度制御にかかる処理手順を示すフ
ローチャートである。FIG. 3 is a flowchart illustrating a processing procedure related to temperature control according to the embodiment.
【図４】他の温度制御にかかる処理手順を示すフローチ
ャートである。FIG. 4 is a flowchart illustrating a processing procedure related to another temperature control.
【図５】他の温度制御部の機能ブロック図である。FIG. 5 is a functional block diagram of another temperature control unit.
１ 基板処理装置 ２ 基板処理槽 ３ 回収槽 ４ 循環供給管 ７ ランプヒータ ７Ａ，７Ｂ，７Ｃ ランプ １８ 温度検出器 ２０ 温度制御部 ２３ 制御コンピュータ ２４ 温度調節器 ２６ 給電路設定器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 2 Substrate processing tank 3 Recovery tank 4 Circulation supply pipe 7 Lamp heater 7A, 7B, 7C Lamp 18 Temperature detector 20 Temperature controller 23 Control computer 24 Temperature controller 26 Power supply path setting device
Claims (4)
板処理を行う基板処理部が設けられた基板処理装置であ
って、 処理液の温度を検出する温度検出器と、 処理液を加熱する複数のランプを有するランプヒータ
と、 前記温度検出器によって検出された処理液の温度が基板
処理を行う際の基板処理温度を含むその近傍温度に設定
された急速昇温温度に到達するまでは前記処理液の温度
が前記基板処理温度あるいは前記急速昇温温度になるよ
うに前記ランプヒータの全数のランプを制御し、前記処
理液の温度が前記急速昇温温度に到達した後は前記ラン
プヒータの全数未満のランプに対して前記処理液の温度
が前記基板処理温度になるように制御を行う温度制御部
とを備えた基板処理装置。1. A substrate processing apparatus provided with a substrate processing unit for performing substrate processing using a processing liquid adjusted to a predetermined temperature, comprising: a temperature detector for detecting a temperature of the processing liquid; A lamp heater having a lamp of the type described above, and performing the processing until the temperature of the processing liquid detected by the temperature detector reaches a rapid temperature increase temperature set to a temperature in the vicinity thereof including a substrate processing temperature when performing the substrate processing. Control the total number of lamps of the lamp heater so that the temperature of the liquid becomes the substrate processing temperature or the rapid temperature rising temperature, and after the temperature of the processing liquid reaches the rapid temperature rising temperature, the total number of the lamp heaters A temperature control unit for controlling the temperature of the processing liquid to be equal to the substrate processing temperature for the lamps having less than the lamps.
う基板処理部と、 前記基板処理部からオーバーフローした処理液を前記基
板処理部に循環させて供給する循環供給管とが設けられ
た基板処理装置であって、 処理液の温度を検出する温度検出器と、 前記循環供給管内を流れる処理液を加熱する複数のラン
プを有するランプヒータと、 前記温度検出器によって検出された処理液の温度が基板
処理を行う際の基板処理温度を含むその近傍温度に設定
された急速昇温温度に到達するまでは前記処理液の温度
が前記基板処理温度あるいは前記急速昇温温度になるよ
うに前記ランプヒータの全数のランプを制御し、前記処
理液の温度が前記急速昇温温度に到達した後は前記ラン
プヒータの全数未満のランプに対して前記処理液の温度
が前記基板処理温度になるように制御を行う温度制御部
とを備えた基板処理装置。2. A substrate processing section for performing substrate processing by immersing a substrate in a processing liquid, and a circulating supply pipe for circulating a processing liquid overflowing from the substrate processing section to the substrate processing section for supply. A temperature detector for detecting a temperature of the processing liquid; a lamp heater having a plurality of lamps for heating the processing liquid flowing in the circulation supply pipe; and a processing liquid detected by the temperature detector. Until the temperature reaches a rapid heating temperature set to a temperature in the vicinity thereof including the substrate processing temperature when performing the substrate processing, the temperature of the processing solution is the substrate processing temperature or the rapid heating temperature. After the number of lamps of the lamp heaters is controlled, after the temperature of the processing liquid reaches the rapid temperature increase temperature, the temperature of the processing liquid is reduced for the lamps less than the total number of the lamp heaters. A substrate processing apparatus and a temperature control unit for controlling so that the temperature.
って検出された処理液の温度が前記急速昇温温度に到達
するまでは前記処理液の温度が前記基板処理温度あるい
は前記急速昇温温度になるように前記ランプヒータの全
数のランプを制御し、前記処理液の温度が前記急速昇温
温度に到達した後はランプを定格に近い出力で使用した
場合に基板処理温度の維持に要する使用ランプ数のラン
プに対して前記処理液の温度が前記基板処理温度になる
ように制御を行う請求項２に記載した基板処理装置。3. The method according to claim 1, wherein the temperature of the processing solution is the substrate processing temperature or the rapid temperature rising temperature until the temperature of the processing solution detected by the temperature detector reaches the rapid temperature rising temperature. After the temperature of the processing solution reaches the rapid temperature rise temperature, the lamp heater is controlled so that the lamp heater is used at an output close to the rated value. 3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein control is performed such that the temperature of the processing liquid is equal to the substrate processing temperature for the lamps having the same number of lamps.
出力で使用した場合に基板処理温度の維持に要する使用
ランプ数を基板処理温度に関係付けて記憶する記憶部を
備え、前記温度検出器によって検出された処理液の温度
が前記急速昇温温度に到達するまでは前記処理液の温度
が前記基板処理温度あるいは前記急速昇温温度になるよ
うに前記ランプヒータの全数のランプを制御し、前記処
理液の温度が前記急速昇温温度に到達した後は前記基板
処理温度に基づいて当該基板処理温度に対応した使用ラ
ンプ数を前記記憶部から読み出し、読み出された使用ラ
ンプ数のランプに対して前記処理液の温度が前記基板処
理温度になるように制御を行う前記請求項３に記載され
た基板処理装置。4. The temperature control section includes a storage section for storing the number of lamps used for maintaining the substrate processing temperature in relation to the substrate processing temperature when the lamp is used at an output close to the rated value, and Until the temperature of the processing solution detected by the device reaches the rapid temperature rising temperature, the lamps of all the lamp heaters are controlled so that the temperature of the processing solution becomes the substrate processing temperature or the rapid temperature rising temperature. After the temperature of the processing liquid reaches the rapid temperature rise temperature, the number of used lamps corresponding to the substrate processing temperature is read from the storage unit based on the substrate processing temperature, and the read number of used lamps is read. 4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein control is performed such that the temperature of the processing liquid becomes the substrate processing temperature.
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