JP2000223416A - Manufacturing method and apparatus of single-crystal thin film - Google Patents
Manufacturing method and apparatus of single-crystal thin filmInfo
- Publication number
- JP2000223416A JP2000223416A JP11026355A JP2635599A JP2000223416A JP 2000223416 A JP2000223416 A JP 2000223416A JP 11026355 A JP11026355 A JP 11026355A JP 2635599 A JP2635599 A JP 2635599A JP 2000223416 A JP2000223416 A JP 2000223416A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- crystal thin
- substrate
- gas
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、単結晶薄膜の製
造方法およびその装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a single crystal thin film and an apparatus therefor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、単結晶薄膜の製造方法としては、
結晶性を有しない絶縁膜上に非晶質あるいは多結晶など
の非単結晶薄膜を形成して、レーザビームまたはヒータ
などによる加熱で非単結晶薄膜を溶融再結晶化させるこ
とによって、非単結晶薄膜を単結晶化させるＳＯＩ(Sil
icon On Insulator)技術が提案されている。しかしなが
ら、その非単結晶薄膜に対してレーザビームまたはヒー
タなどで加熱を行った際に、非単結晶薄膜の各部におい
て吸収する熱量が異なってしまうので、非単結晶薄膜の
一部の温度が沸点を越えてしまう。その結果、その沸点
以上の温度になった非単結晶薄膜の一部が飛散して消失
していしまうという問題がある。2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of manufacturing a single crystal thin film,
A non-single-crystal thin film is formed by forming a non-single-crystal thin film such as amorphous or polycrystalline on an insulating film having no crystallinity and melting and recrystallizing the non-single-crystal thin film by heating with a laser beam or a heater. SOI (Sil
icon On Insulator) technology has been proposed. However, when the non-single-crystal thin film is heated by a laser beam or a heater, the amount of heat absorbed in each part of the non-single-crystal thin film differs, so that the temperature of a part of the non-single-crystal thin film rises to the boiling point. Beyond. As a result, there is a problem that a part of the non-single-crystal thin film having a temperature equal to or higher than the boiling point is scattered and disappears.
【０００３】上記問題を解決するための単結晶薄膜の製
造方法としては、図８に示すように、まず試料室８１内
に、非単結晶薄膜を有する基板(図示せず)を収容して、
試料室８１内を加圧雰囲気にする。そして、試料室８１
外に配置されたレーザ発振管８２から出射されたレーザ
光８０を、ミラー８３、ビームエキスパンダー８４、収
束レンズ８５、およびレーザ透過性の窓８６を介して、
基板へ向けて照射することによって非単結晶薄膜を溶融
させる。このとき、大気圧に比べて加圧雰囲気における
非単結晶薄膜の沸点は高くなるので、非単結晶薄膜の一
部が飛散するのを防止できる(特開平２―１７７４２３
号公報参照)。As a method of manufacturing a single-crystal thin film for solving the above problem, as shown in FIG. 8, first, a substrate (not shown) having a non-single-crystal thin film is accommodated in a sample chamber 81,
The inside of the sample chamber 81 is set to a pressurized atmosphere. And the sample chamber 81
The laser light 80 emitted from the laser oscillation tube 82 disposed outside is passed through a mirror 83, a beam expander 84, a converging lens 85, and a laser permeable window 86,
The non-single-crystal thin film is melted by irradiation toward the substrate. At this time, since the boiling point of the non-single-crystal thin film in a pressurized atmosphere becomes higher than the atmospheric pressure, it is possible to prevent a part of the non-single-crystal thin film from being scattered (Japanese Patent Laid-Open No. 2-177423).
Reference).
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記単
結晶薄膜の製造方法では、レーザ光８０の熱によってレ
ーザ発振管８２内のガスが劣化して、レーザ発振管８２
のレーザ出力が低下する。その上、レーザ透過性の窓８
６に付着した試料室８１内の不純物が焼き付きを起こし
てレーザ透過性の窓８６を曇らせるので、レーザ透過性
の窓８６を通過したレーザ光８０のエネルギが減少す
る。この結果、レーザ光８０を非単結晶薄膜に照射して
も、非単結晶薄膜が溶融されないので単結晶化しない。
したがって、レーザ発振管８２内のガス交換と、レーザ
光透過性の窓８６のクリーニングとが必要となり、単結
晶薄膜を効率よく製造できないとともに、製造コストが
高くなるという問題がある。However, in the above method for manufacturing a single crystal thin film, the gas in the laser oscillation tube 82 is deteriorated by the heat of the
The laser output of the device decreases. In addition, laser permeable windows 8
Impurities in the sample chamber 81 adhered to 6 cause seizure and fog the laser permeable window 86, so that the energy of the laser beam 80 passing through the laser permeable window 86 decreases. As a result, even when the non-single-crystal thin film is irradiated with the laser beam 80, the non-single-crystal thin film is not melted and thus does not become single-crystal.
Therefore, gas exchange in the laser oscillation tube 82 and cleaning of the laser beam transmitting window 86 are required, and there is a problem that a single crystal thin film cannot be efficiently manufactured and the manufacturing cost increases.
【０００５】そこで、この発明の目的は、非単結晶薄膜
を素子形成が可能な単結晶薄膜に転換できるとともに、
単結晶薄膜を効率よく製造できる低コストな単結晶薄膜
の製造方法およびその装置を提供することにある。Accordingly, an object of the present invention is to convert a non-single-crystal thin film into a single-crystal thin film capable of forming an element,
It is an object of the present invention to provide a low-cost single-crystal thin-film manufacturing method and apparatus capable of efficiently manufacturing a single-crystal thin film.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の単結晶薄膜の製造方法は、非単結晶薄膜
を有する基板を加圧雰囲気内に配し、加熱手段によって
上記非単結晶薄膜を単結晶化し得る第１温度に加熱した
ガスを、上記基板へ向けて吹き付けて上記非単結晶薄膜
を単結晶化することを特徴としている。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for producing a single crystal thin film, comprising: placing a substrate having a non-single crystal thin film in a pressurized atmosphere; A gas heated to a first temperature at which the crystal thin film can be monocrystallized is sprayed toward the substrate to monocrystallize the non-single crystal thin film.
【０００７】上記請求項１の単結晶薄膜の製造方法によ
れば、非単結晶薄膜を有する基板を加圧雰囲気内に配し
た後、加熱手段によって非単結晶薄膜を単結晶化し得る
第１温度に加熱したガスを基板へ向けて吹き付ける。こ
のように、加圧雰囲気において、基板へ向けて吹き付け
られた第１温度のガスによって、非単結晶薄膜を半溶融
状態にする。この結果、非単結晶薄膜において単結晶化
が起こって、非単結晶薄膜を素子形成が可能な単結晶薄
膜に転換できる。この製造方法は、レーザを使用する従
来の製造方法とは異なるから、光学レンズなどのクリー
ニングやレーザ発振管内のガス交換が不要となって、単
結晶薄膜を製造する効率を向上でき、製造コストを低減
できる。According to the method of manufacturing a single-crystal thin film of the first aspect, after the substrate having the non-single-crystal thin film is placed in the pressurized atmosphere, the first temperature at which the non-single-crystal thin film can be single-crystallized by the heating means. The heated gas is blown toward the substrate. Thus, in the pressurized atmosphere, the non-single-crystal thin film is brought into a semi-molten state by the gas of the first temperature blown toward the substrate. As a result, single crystallization occurs in the non-single-crystal thin film, and the non-single-crystal thin film can be converted into a single-crystal thin film capable of forming an element. Since this manufacturing method is different from the conventional manufacturing method using a laser, cleaning of an optical lens and the like and gas exchange in a laser oscillation tube are not required, so that the efficiency of manufacturing a single crystal thin film can be improved, and the manufacturing cost can be reduced. Can be reduced.
【０００８】また、請求項２の単結晶薄膜の製造方法
は、請求項１に記載の単結晶薄膜の製造方法において、
上記ガスが上記非単結晶薄膜と反応しない性質を有する
ことを特徴としている。[0008] The method for producing a single crystal thin film according to claim 2 is the method for producing a single crystal thin film according to claim 1, wherein
The gas is characterized in that it does not react with the non-single-crystal thin film.
【０００９】上記請求項２の単結晶薄膜の製造方法によ
れば、上記ガスは上記非単結晶薄膜と反応しない性質を
有するので、非単結晶薄膜が変質するのを防止できる。According to the method of manufacturing a single-crystal thin film of the second aspect, the gas has a property of not reacting with the non-single-crystal thin film, so that the non-single-crystal thin film can be prevented from being deteriorated.
【００１０】また、請求項３の単結晶薄膜の製造方法
は、請求項１または２に記載の単結晶薄膜の製造方法に
おいて、上記ガスを上記基板へ向けて吹き付けながら、
上記加熱手段によって上記第１温度より低い温度から上
記第１温度まで上記ガスの温度を次第に上昇させた後、
上記ガスの温度を上記第１温度に所定の時間保持して、
上記ガスの温度を上記第１温度から次第に下降させるこ
とを特徴としている。[0010] According to a third aspect of the present invention, in the method of manufacturing a single crystal thin film according to the first or second aspect, the gas is blown toward the substrate.
After gradually increasing the temperature of the gas from a temperature lower than the first temperature to the first temperature by the heating means,
Maintaining the temperature of the gas at the first temperature for a predetermined time;
The temperature of the gas is gradually decreased from the first temperature.
【００１１】上記請求項３の単結晶薄膜の製造方法によ
れば、上記基板へ向けて吹き付けられる上記ガスの温度
が、上記加熱手段によって非単結晶薄膜を単結晶化し得
る第１温度より低い温度から第１温度まで次第に上昇す
る。そして、基板へ向けて吹き付けているガスの温度を
第１温度に所定の時間保持した後、ガスの温度を第１温
度から次第に下降させる。このように、基板へ向けて吹
き付けられるガスの温度を、第１温度より低い温度から
第１温度まで次第に上昇させるので、急激な熱変化によ
って基板が損傷するのを防止できる。また、非単結晶薄
膜を単結晶化し得る第１温度のガスを所定の時間基板へ
向けて吹き付けることによって、非単結晶薄膜を確実に
半溶融状態にできる。その上、ガスを基板へ向けて吹き
付けながらガスの温度を第１温度から次第に下降させる
ので、非単結晶薄膜内においてよりひずみが少なく新し
い結晶を成長させることができる。According to the third aspect of the present invention, the temperature of the gas blown toward the substrate is lower than the first temperature at which the non-single-crystal thin film can be single-crystallized by the heating means. To a first temperature. Then, after maintaining the temperature of the gas blown toward the substrate at the first temperature for a predetermined time, the temperature of the gas is gradually lowered from the first temperature. As described above, the temperature of the gas blown toward the substrate is gradually increased from a temperature lower than the first temperature to the first temperature, so that the substrate can be prevented from being damaged by a sudden change in heat. In addition, the non-single-crystal thin film can be surely brought into a semi-molten state by spraying a gas at a first temperature capable of single-crystallizing the non-single-crystal thin film toward the substrate for a predetermined time. In addition, since the gas temperature is gradually lowered from the first temperature while blowing the gas toward the substrate, a new crystal with less distortion can be grown in the non-single-crystal thin film.
【００１２】また、請求項４の単結晶薄膜の製造方法
は、請求項３に記載の単結晶薄膜の製造方法において、
上記ガスの温度を上記第１温度から、２００℃乃至３０
０℃の範囲内の第２温度まで下降させた後、その第２温
度に所定の時間保持することを特徴としている。The method for manufacturing a single crystal thin film according to claim 4 is the method for manufacturing a single crystal thin film according to claim 3, wherein
The temperature of the gas is increased from the first temperature by 200 ° C. to 30 ° C.
After the temperature is lowered to a second temperature within a range of 0 ° C., the temperature is maintained at the second temperature for a predetermined time.
【００１３】また、請求項３では結晶のひずみを少なく
できるが、なお若干のひずみが発生する。上記請求項４
の単結晶薄膜の製造方法によれば、上記基板へ向けて吹
き付けるガスの温度を、非単結晶薄膜を単結晶化し得る
第１温度から２００℃乃至３００℃の範囲内の第２温度
まで下降させた後、その第２温度を所定の時間維持する
ことによって、ガスの温度を第１温度から第２温度まで
下降させるときに生じた結晶のひずみを略完全に除去で
きる。According to the third aspect of the present invention, although the crystal distortion can be reduced, a slight distortion still occurs. Claim 4
According to the method for producing a single-crystal thin film, the temperature of the gas blown toward the substrate is lowered from a first temperature at which the non-single-crystal thin film can be single-crystallized to a second temperature in the range of 200 ° C. to 300 ° C. After that, by maintaining the second temperature for a predetermined time, the crystal distortion generated when the gas temperature is lowered from the first temperature to the second temperature can be almost completely removed.
【００１４】また、請求項５の単結晶薄膜の製造方法
は、請求項１乃至４のいずれか１つに記載の単結晶薄膜
の製造方法において、上記基板に付着している異物を上
記ガスの吹き付け開始段階で吹き飛ばすことを特徴とし
ている。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a single-crystal thin film according to any one of the first to fourth aspects, wherein foreign substances adhering to the substrate are removed by the gas. It is characterized by blowing off at the start of spraying.
【００１５】上記請求項５の単結晶薄膜の製造方法によ
れば、上記基板に付着している異物を上記ガスの吹き付
け開始段階で吹き飛ばすので、非単結晶薄膜を単結晶化
させる時に異物が基板を汚染するのを防止できる。According to the method for manufacturing a single-crystal thin film of the fifth aspect, the foreign matter adhering to the substrate is blown off at the start of the gas spraying. Can be prevented from being contaminated.
【００１６】また、請求項６の単結晶薄膜の製造装置
は、非単結晶薄膜を有する基板を加圧雰囲気とともに収
容する圧力釜と、非単結晶薄膜を単結晶化し得る第１温
度にガスを加熱する加熱手段と、上記圧力釜内に上記基
板に対向するように設けられた、上記ガスを上記基板へ
向けて吹き出すための吹出口を有するヘッドと、上記加
熱手段によって加熱された上記ガスを上記ヘッドの上記
吹出口を通して吹き出させる供給手段とを備えたことを
特徴としている。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided an apparatus for manufacturing a single-crystal thin film, comprising: a pressure cooker for accommodating a substrate having a non-single-crystal thin film together with a pressurized atmosphere; Heating means for heating, a head provided in the pressure cooker so as to face the substrate, and having a blowout port for blowing the gas toward the substrate, and heating the gas heated by the heating means. Supply means for blowing out the air through the outlet of the head.
【００１７】上記請求項６の単結晶薄膜の製造装置によ
れば、まず非単結晶薄膜を有する基板を加圧雰囲気とと
もに加圧釜内に収容する。そして、上記加熱手段によっ
て非単結晶薄膜を単結晶化し得る第１温度に加熱された
ガスが、ヘッドの吹出口を通して基板へ向って吹き出さ
れる。このように、加熱手段によって第１温度に加熱さ
れたガスが、上記基板に対向するように圧力釜内に設け
られたヘッドの吹出口から基板へ向けて吹き付けられ
る。したがって、第１温度のガスを非単結晶薄膜に確実
に吹き付けて、非単結晶薄膜を単結晶化できる。According to the apparatus for manufacturing a single-crystal thin film of the sixth aspect, first, the substrate having the non-single-crystal thin film is housed in a pressure vessel together with a pressurized atmosphere. Then, the gas heated to the first temperature at which the non-single-crystal thin film can be single-crystallized by the heating means is blown toward the substrate through the outlet of the head. As described above, the gas heated to the first temperature by the heating means is blown toward the substrate from the outlet of the head provided in the pressure cooker so as to face the substrate. Therefore, the non-single-crystal thin film can be single-crystallized by reliably blowing the gas at the first temperature onto the non-single-crystal thin film.
【００１８】また、請求項７の単結晶薄膜の製造装置
は、請求項６に記載の単結晶薄膜の製造装置において、
上記ヘッドに、上記ガスを圧力釜外へ排気するためのガ
ス排気口を備えたことを特徴としている。The apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to claim 7 is the apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to claim 6,
The head is provided with a gas exhaust port for exhausting the gas out of the pressure cooker.
【００１９】上記請求項７に記載の単結晶薄膜の製造装
置によれば、上記ヘッドの吹出口から吹き出されたガス
が、ヘッドのガス排気口を通って圧力釜外へ排気される
ので、そのガスによって加圧雰囲気が乱されない。つま
り、加圧雰囲気を安定な状態に保つことができる。According to the apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to the seventh aspect of the present invention, the gas blown from the outlet of the head is exhausted to the outside of the pressure cooker through the gas exhaust port of the head. The pressurized atmosphere is not disturbed by the gas. That is, the pressurized atmosphere can be kept in a stable state.
【００２０】また、請求項８の単結晶薄膜の製造装置
は、請求項６または７に記載の単結晶薄膜の製造装置に
おいて、上記圧力釜内に、上記ヘッドの基板対向面と上
記基板の各部とが順次対向するように上記基板を載せて
移動するテーブルを備えたことを特徴としている。The apparatus for producing a single crystal thin film according to claim 8 is the apparatus for producing a single crystal thin film according to claim 6 or 7, wherein the substrate facing surface of the head and each part of the substrate are provided in the pressure cooker. A table on which the substrate is placed and moved so as to sequentially face each other.
【００２１】上記請求項８の単結晶薄膜の製造装置によ
れば、圧力釜内に備えたテーブルが、ヘッドの基板対向
面と上記基板の各部とが順次対向するように基板を載せ
て移動する。このように、基板を載せたテーブルが、ヘ
ッドの基板対向面と基板の各部とが順次対向するように
移動するので、大面積の基板であっても単結晶化の処理
を行うことができる。また、非単結晶薄膜を単結晶化し
得る第１温度のガスを、基板の各部により確実に吹き付
けることができる。According to the apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to the eighth aspect of the present invention, the table provided in the pressure cooker moves while placing the substrate such that the substrate facing surface of the head and each portion of the substrate are sequentially opposed. . As described above, since the table on which the substrate is placed moves so that the substrate facing surface of the head and each portion of the substrate sequentially face each other, the single crystallization process can be performed even on a large-area substrate. Further, a gas at the first temperature capable of monocrystallizing the non-single-crystal thin film can be reliably blown to each part of the substrate.
【００２２】また、請求項９の単結晶薄膜の製造装置
は、請求項８に記載の単結晶薄膜の製造装置において、
上記基板の面方向の寸法より上記テーブルの基板搭載面
の寸法が大きく設定されていることを特徴としている。The apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to claim 9 is the apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to claim 8,
The size of the substrate mounting surface of the table is set to be larger than the size of the substrate in the surface direction.
【００２３】上記請求項９の単結晶薄膜の製造装置によ
れば、上記テーブルの基板搭載面の寸法を上記基板の面
方向の寸法より大きくなるように設定しているので、ヘ
ッドの基板対向面と上記基板の各部とが順次対向するよ
うに基板を載せてテーブルが移動した結果、ヘッドの各
吹出口から夫々吹き出されるガスが基板の縁から外れた
としても、そのガスはテーブルに確実に当たる。したが
って、圧力釜内の加圧雰囲気を乱すことなく、ヘッドに
設けられたガス排気口を通して圧力釜外へガスを確実に
排気できる。According to the apparatus for manufacturing a single-crystal thin film of the ninth aspect, the size of the substrate mounting surface of the table is set to be larger than the size of the substrate in the surface direction. As a result of moving the table by placing the substrate so that the parts of the substrate sequentially face each other, even if the gas blown out from each outlet of the head comes off the edge of the substrate, the gas surely hits the table. . Therefore, the gas can be reliably exhausted out of the pressure cooker through the gas exhaust port provided in the head without disturbing the pressurized atmosphere in the pressure cooker.
【００２４】また、請求項１０の単結晶薄膜の製造装置
は、請求項８または９に記載の単結晶薄膜の製造装置に
おいて、上記ヘッドは基板対向面に少なくとも３つの吹
出口を備え、上記加熱手段は上記各吹出口を通って上記
基板へ向けて吹き出される上記ガスを夫々異なる温度に
設定し得るようになっていることを特徴としている。According to a tenth aspect of the present invention, there is provided the apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to the eighth or ninth aspect, wherein the head has at least three air outlets on the substrate facing surface, and The means is characterized in that the gas blown toward the substrate through each of the outlets can be set to a different temperature.
【００２５】上記請求項１０の単結晶薄膜の製造装置に
よれば、ヘッドの基板対向面に少なくとも３つ設けられ
た各吹出口から、加熱手段によって夫々異なる温度に加
熱されたガスが基板へ向けて吹き出される。このとき、
基板を載せたテーブルを移動させて、夫々異なる温度の
ガスを基板の各部に順次吹き付けることによって、基板
の温度を次第に上昇または下降させることができる。According to the apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to the tenth aspect, the gas heated to different temperatures by the heating means is directed to the substrate from each of the at least three outlets provided on the substrate facing surface of the head. Is blown out. At this time,
The temperature of the substrate can be gradually increased or decreased by moving the table on which the substrate is mounted and sequentially blowing gases having different temperatures to respective portions of the substrate.
【００２６】また、請求項１１の単結晶薄膜の製造装置
は、請求項６に記載の単結晶薄膜の製造装置において、
上記基板の温度を調節する手段を備えたことを特徴とし
ている。The apparatus for manufacturing a single-crystal thin film according to claim 11 is the apparatus for manufacturing a single-crystal thin film according to claim 6, wherein
It is characterized in that a means for adjusting the temperature of the substrate is provided.
【００２７】上記請求項１１の単結晶薄膜の製造装置に
よれば、基板の温度を調節する手段を備えることによっ
て、基板の温度調節が容易となって、良好な状態で非単
結晶薄膜を単結晶化できる。また、温度による基板の変
形または変質を防止できる。According to the apparatus for manufacturing a single-crystal thin film according to the eleventh aspect, by providing the means for adjusting the temperature of the substrate, the temperature of the substrate can be easily adjusted, and the non-single-crystal thin film can be formed in a good condition. Can be crystallized. Further, deformation or deterioration of the substrate due to temperature can be prevented.
【００２８】また、請求項１２の単結晶薄膜の製造装置
は、請求項６に記載の単結晶薄膜の製造装置において、
上記ガスによって吹き飛ばさた異物を吸引して上記圧力
釜外へ排出するための異物吸込口を上記ヘッドに備えた
ことを特徴としている。The apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to claim 12 is the apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to claim 6, wherein
The head is provided with a foreign matter inlet for sucking foreign matter blown off by the gas and discharging the foreign matter to the outside of the pressure cooker.
【００２９】上記請求項１２の単結晶薄膜の製造装置に
よれば、上記ガスによって吹き飛ばされた異物を吸引し
て、異物吸込口を通して異物を圧力釜外へ排出すること
によって、ガスによって吹き飛ばされた異物が再び基板
に付着するのを確実に防ぐ。したがって、異物が基板を
汚染するのを確実に防止できる。According to the apparatus for manufacturing a single crystal thin film of the twelfth aspect, the foreign matter blown off by the gas is sucked, and the foreign matter is discharged out of the pressure cooker through the foreign matter suction port, thereby being blown off by the gas. Foreign substances are surely prevented from adhering to the substrate again. Therefore, it is possible to reliably prevent foreign matter from contaminating the substrate.
【００３０】また、請求項１３の単結晶薄膜の製造装置
は、請求項７に記載の単結晶薄膜の製造装置において、
上記ガス排気口を通して圧力釜外へ排気された上記ガス
を上記圧力釜内へ帰還させるための循環径路を備えたこ
とを特徴としている。The apparatus for manufacturing a single-crystal thin film according to claim 13 is the apparatus for manufacturing a single-crystal thin film according to claim 7,
A circulation path for returning the gas exhausted to the outside of the pressure cooker through the gas exhaust port to the inside of the pressure cooker is provided.
【００３１】上記請求項１３の単結晶薄膜の製造装置に
よれば、ガス排気口を通して圧力釜外へ排気されたガス
を圧力釜内へ帰還させる循環径路を備えることによっ
て、ガスの再利用が可能となって、単結晶薄膜を製造す
るためのコストを低減できる。According to the apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to the thirteenth aspect, the gas can be reused by providing the circulation path for returning the gas exhausted outside the pressure vessel through the gas exhaust port into the pressure vessel. Thus, the cost for manufacturing the single crystal thin film can be reduced.
【００３２】また、請求項１４の単結晶薄膜の製造装置
は、請求項１３に記載の単結晶薄膜の製造装置におい
て、上記循環径路に、上記ガス中の上記異物を除去する
フィルタを備えたことを特徴としている。According to a fourteenth aspect of the present invention, in the single crystal thin film manufacturing apparatus according to the thirteenth aspect, a filter for removing the foreign matter in the gas is provided in the circulation path. It is characterized by.
【００３３】上記請求項１４の単結晶薄膜の製造装置に
よれば、ガス中の異物を除去するフィルタを循環経路に
備えたので、循環経路を流れるガスを清浄に保つことが
できる。According to the apparatus for manufacturing a single crystal thin film of the present invention, since the filter for removing foreign matter in the gas is provided in the circulation path, the gas flowing in the circulation path can be kept clean.
【００３４】また、請求項１５に記載の単結晶薄膜の製
造装置は、請求項１３または１４に記載の単結晶薄膜の
製造装置において、上記循環径路に、ガスを溜める予備
タンクを備えたことを特徴としている。According to a fifteenth aspect of the present invention, there is provided an apparatus for producing a single crystal thin film according to the thirteenth or fourteenth aspect, further comprising an auxiliary tank for storing gas in the circulation path. Features.
【００３５】上記請求項１５の単結晶薄膜の製造装置に
よれば、ガスを溜める予備タンクを循環径路に備えたの
で、循環径路を流れるガスの圧力低下または圧力上昇が
緩和される。したがって、循環径路を流れるガスの圧力
変動を最小限に抑えて、圧力釜内に吹き出されるガスの
圧力を安定させることが可能となる。According to the apparatus for manufacturing a single crystal thin film of the fifteenth aspect, since the spare tank for storing gas is provided in the circulation path, the pressure drop or pressure increase of the gas flowing through the circulation path is reduced. Therefore, it is possible to minimize the pressure fluctuation of the gas flowing through the circulation path and stabilize the pressure of the gas blown into the pressure cooker.
【００３６】[0036]
【発明の実施の形態】以下、この発明の単結晶薄膜の製
造方法およびその装置を図示の実施の形態により詳細に
説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method and an apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to the present invention will be described below in detail with reference to the illustrated embodiments.
【００３７】図１は、この発明の実施の一形態の単結晶
薄膜の製造装置の全体図を示している。なお、図１に示
すように、ＣＶＤ(化学的気相成長)法などによってガラ
ス基板２上に、ＳｉＯ2絶縁膜３を例えば３００ｎｍま
で積層させた後、そのＳｉＯ2絶縁膜３上に多結晶シリ
コン薄膜４を例えば３０ｎｍまで積層させて、この装置
の処理対象である非単結晶薄膜を有する基板１を形成し
ている。FIG. 1 is an overall view of a single crystal thin film manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, after a SiO 2 insulating film 3 is laminated on a glass substrate 2 to a thickness of, for example, 300 nm by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method or the like, a polycrystalline film is formed on the SiO 2 insulating film 3. The silicon thin film 4 is stacked up to, for example, 30 nm to form the substrate 1 having the non-single-crystal thin film to be processed by this apparatus.
【００３８】この単結晶薄膜の製造装置は、アルゴンガ
スが充填される圧力釜６と、この圧力釜６にアルゴンガ
スを供給する補助ボンベ２９と、圧力釜６から排気され
たアルゴンガスを圧力釜６内へ帰還させるための循環径
路６０に設けられた予備タンク２７とを備えている。こ
の循環径路６０において、圧力釜６と予備タンク２７と
の間の部分６０ａには、圧力釜６から予備タンク２７に
アルゴンガスを送るための供給手段としてのポンプ２８
が介挿されている。また、圧力釜６と予備タンク２７と
の間の部分６０ｂには、アルゴンガスを加熱する加熱手
段としてのヒータ２５,２６と、ケミカルフィルタ３０
およびＨＥＰＡ(高効率粒子除去)フィルタ３１とが介挿
されている。また、圧力釜６内には、非単結晶薄膜を有
する基板１と、この基板１を搭載するテーブル５と、こ
のテーブル５に対向するように配置されたヘッド７とを
収容している。The apparatus for producing a single crystal thin film includes a pressure cooker 6 filled with argon gas, an auxiliary cylinder 29 for supplying argon gas to the pressure cooker 6, and an argon gas exhausted from the pressure cooker 6. And a spare tank 27 provided in the circulation path 60 for returning the fluid into the circulation path 6. In this circulation path 60, a pump 60 as a supply means for sending argon gas from the pressure cooker 6 to the reserve tank 27 is provided in a portion 60a between the pressure cooker 6 and the reserve tank 27.
Is inserted. Heaters 25 and 26 as heating means for heating the argon gas and a chemical filter 30 are provided in a portion 60b between the pressure cooker 6 and the auxiliary tank 27.
And a HEPA (High Efficiency Particle Removal) filter 31. The pressure cooker 6 houses the substrate 1 having a non-single-crystal thin film, a table 5 on which the substrate 1 is mounted, and a head 7 arranged to face the table 5.
【００３９】図２は、基板１を搭載したテーブル５と、
ヘッド７を斜め上方から見たところを示している。な
お、テーブル５の上面５０に対して平行な平面におい
て、テーブル５の長手方向をｙ軸とし、このｙ軸に垂直
な軸をｘ軸としている。このヘッド７は、図２に示すよ
うに、基板１より２ｍｍ(１〜３ｍｍまでが望ましい)上
方に離間して位置する吹出部７ａと、テーブル５を挟ん
で吹出部７ａのｘ方向両端に配置された排気部７ｂ,７
ｃと、その排気部７ｂ,７ｃの下端からｘ方向内側に向
かって延びた、テーブル５を下方から支持するフック７
ｄ,７ｅとを備えている。また、テーブル５の上面５０
の寸法が、ヘッド７に設けられた吹出部７ａの基板対向
面７０の寸法より大きく、さらに基板１のｘｙ方向の寸
法より大きく設定されている。なお、図示しないが、テ
ーブル５内には、基板１の温度を調節するための手段と
しての冷却器を内蔵している。FIG. 2 shows a table 5 on which the substrate 1 is mounted,
The head 7 is seen from obliquely above. In a plane parallel to the upper surface 50 of the table 5, the longitudinal direction of the table 5 is defined as a y-axis, and an axis perpendicular to the y-axis is defined as an x-axis. As shown in FIG. 2, the head 7 is arranged at two ends (preferably 1 to 3 mm) above the substrate 1 and at both ends in the x direction of the blowing part 7 a with the table 5 interposed therebetween. Exhaust parts 7b, 7
c and hooks 7 extending from the lower ends of the exhaust portions 7b and 7c inward in the x direction and supporting the table 5 from below.
d, 7e. Also, the upper surface 50 of the table 5
Is set to be larger than the size of the substrate facing surface 70 of the blowing portion 7a provided on the head 7, and further larger than the size of the substrate 1 in the xy direction. Although not shown, the table 5 has a built-in cooler as a means for adjusting the temperature of the substrate 1.
【００４０】図３はヘッド７の吹出部７ａの断面をｘ軸
方向から見たところを示し、図４は基板１を載せたテー
ブル５と、ヘッド７をｙ軸方向から見たところを示して
いる。FIG. 3 shows a section of the blow-out portion 7a of the head 7 viewed from the x-axis direction, and FIG. 4 shows a table 5 on which the substrate 1 is mounted and the head 7 viewed from the y-axis direction. I have.
【００４１】このヘッド７の吹出部７ａの基板対向面７
０には、図３に示すように、ｙ方向に沿って配列された
１３個の吹出口(図中においては６個のみ示す)８,９,
…,１３,…が設けられている。また、その吹出口８と吹
出口９との間および吹出口９と吹出口１０との間に、異
物吸込口２１,２２が設けられている。この各吹出口８,
９,…,１３,…および異物吸込口２１,２２は、ｙ方向に
１０ｍｍの幅を有し、ｘ方向に夫々延びている。The substrate facing surface 7 of the blowing portion 7a of the head 7
In FIG. 3, thirteen outlets (only six are shown in the figure) arranged along the y direction are shown in FIG.
..., 13, ... are provided. Further, foreign matter inlets 21 and 22 are provided between the outlet 8 and the outlet 9 and between the outlet 9 and the outlet 10. Each of these outlets 8,
, 13,... And the foreign matter inlets 21, 22 have a width of 10 mm in the y direction and extend in the x direction, respectively.
【００４２】また、ヘッド７の排気部７ｂは、図４に示
すように、排気部７ｃに対向する面にガス排気口２３を
備える。一方、排気部７ｃは、排気部７ｂに対向する面
にガス排気口２４を備える。この排気口２３,２４は、
テーブル５の上面５０の長手側の縁５０ａ,５０ｂに沿
って延びるとともに、その長手側の縁からヘッド７の吹
出部７ａの基板対向面７０まで開口している(図３参
照)。As shown in FIG. 4, the exhaust portion 7b of the head 7 has a gas exhaust port 23 on a surface facing the exhaust portion 7c. On the other hand, the exhaust unit 7c includes a gas exhaust port 24 on a surface facing the exhaust unit 7b. The exhaust ports 23 and 24 are
It extends along the longitudinal edges 50a, 50b of the upper surface 50 of the table 5 and opens from the longitudinal edge to the substrate facing surface 70 of the blowing portion 7a of the head 7 (see FIG. 3).
【００４３】この単結晶薄膜の製造装置は次のように動
作する。The apparatus for manufacturing a single crystal thin film operates as follows.
【００４４】 最初、図１に示すように、予め非単結
晶薄膜を有する基板１を載せたテーブル５を圧力釜６内
に収容する。その後、バルブ３２を開いて、補助ボンベ
２７から圧力釜６内にアルゴンガスを供給することによ
って圧力釜６内を６気圧にする。そして、図示しないヒ
ータが、圧力釜６内を第２温度、例えば２５０℃(２０
０〜３００℃までが望ましい)まで加熱する。それか
ら、バルブ３３,３４が開かれて、圧力釜６の外に配置
された予備タンク２７に溜まっていたアルゴンガスが、
ケミカルフィルタ３０とＨＥＰＡフィルタ３１を通過し
て清浄になった後、ヒータ２５,２６に達する。このヒ
ータ２５,２６によって夫々異なる温度に加熱されたア
ルゴンガスが、ヘッド７の１３個の吹出口８,９,…,１
３,…(図３参照)に供給される。なお、各吹出口８,９,
…,１３,…から基板１へ向けて夫々吹き出されるアルゴ
ンガスの温度が、３５０℃、４００℃、４５０℃、５０
０℃、５５０℃、７００℃、７００℃、６８０℃、６６
０℃、６４０℃、６２０℃、６００℃、５８０℃になる
ようにヒータ２５,２６によってアルゴンガスを加熱し
ている。また、各吹出口８,９,…,１３,…から基板１へ
向けて夫々吹き出されるアルゴンガスの速度は、例えば
３０ｍ／秒(３０ｍ／秒以上が望ましい)になるように設
定されている。アルゴンガスを３０ｍ／秒の速度で吹き
付けることによって、アルゴンガスの熱を基板１に効率
よく伝えることができる。First, as shown in FIG. 1, a table 5 on which a substrate 1 having a non-single-crystal thin film is previously placed is housed in a pressure cooker 6. Thereafter, the valve 32 is opened, and argon gas is supplied into the pressure cooker 6 from the auxiliary cylinder 27 to make the inside of the pressure cooker 6 at 6 atm. Then, a heater (not shown) drives the inside of the pressure cooker 6 to a second temperature, for example, 250 ° C. (20 ° C.).
(Preferably from 0 to 300 ° C.). Then, the valves 33 and 34 are opened, and the argon gas stored in the spare tank 27 disposed outside the pressure cooker 6 is removed.
After passing through the chemical filter 30 and the HEPA filter 31 and being cleaned, they reach the heaters 25 and 26. Argon gas heated to different temperatures by the heaters 25 and 26 is supplied to the thirteen outlets 8, 9,.
(See FIG. 3). In addition, each outlet 8, 9,
The temperature of the argon gas blown out from..., 13, toward the substrate 1 is 350 ° C., 400 ° C., 450 ° C., 50 ° C.
0 ° C, 550 ° C, 700 ° C, 700 ° C, 680 ° C, 66
The argon gas is heated by the heaters 25 and 26 so as to be 0 ° C., 640 ° C., 620 ° C., 600 ° C., and 580 ° C. Also, the velocity of the argon gas blown out toward the substrate 1 from each of the outlets 8, 9, ..., 13, ... is set to be, for example, 30 m / sec (preferably 30 m / sec or more). . By blowing the argon gas at a speed of 30 m / sec, the heat of the argon gas can be efficiently transmitted to the substrate 1.
【００４５】 また、図５に示すように、ヘッド７の
吹出部７ａにテーブル５の右側の端部が対向している状
態から、テーブル５は吹出部７ｂ,７ｃによって案内さ
れながら、ｙ方向に向かって例えば１ｍｍ／分(０．１
〜１ｃｍ／分までが望ましい)で進みだす。さらに、テ
ーブル５がｙ方向へ向かって１ｍｍ／分の速度で移動し
続けると、図６に示すように、ヘッド７の吹出部７ａに
基板１の各部が対向し始める。このとき、基板１はフッ
ク７ｄ,７ｅ上をスライドしているので、基板１の各部
が、図３に示すように、吹出口８,９,…,１３,…に対し
て２ｍｍの距離だけ離間して順次対向する。そうする
と、基板１の各部は、吹出口８,９,１０,１１から夫々
吹き出される３５０℃、４００℃、４５０℃および５０
０℃のアルゴンガスによって順次１０分づつ加熱された
後、吹出口１２,１３から夫々吹き出された、非単結晶
薄膜を単結晶し得る第１温度としての７００℃のアルゴ
ンガスによって順次２０分づつ加熱される。そして、基
板１の各部は、吹出口１４,…,１９から夫々吹き出され
る６８０℃、６６０℃、６４０℃、６２０℃、６００℃
および５８０℃のアルゴンガスによって順次１０分づつ
冷却される。このとき、テーブル５内に内蔵された図示
しない冷却器によって基板１の下面、つまりガラス基板
２の下面を冷却している。これにより、良好な状態で基
板１に対して単結晶化の処理を行うことができる。さら
に、ガラス基板２の変形および変質を防止できる。As shown in FIG. 5, while the right end of the table 5 faces the blowout portion 7a of the head 7, the table 5 is guided in the y direction while being guided by the blowout portions 7b and 7c. For example, 1 mm / min (0.1
~ 1 cm / min is desirable). Further, when the table 5 continues to move at a speed of 1 mm / min in the y direction, each part of the substrate 1 starts to face the blowing part 7a of the head 7 as shown in FIG. At this time, since the substrate 1 is sliding on the hooks 7d and 7e, the respective parts of the substrate 1 are separated from the outlets 8, 9, ..., 13, ... by a distance of 2 mm as shown in FIG. To face each other. Then, the respective parts of the substrate 1 are discharged at 350 ° C., 400 ° C., 450 ° C., and 50 ° C. which are blown out from the outlets 8, 9, 10, and 11, respectively.
After being sequentially heated by argon gas at 0 ° C. for 10 minutes, argon gas at 700 ° C. as a first temperature at which a non-single-crystal thin film can be single-crystal blown out from the outlets 12 and 13 is sequentially heated for 20 minutes. Heated. Each part of the substrate 1 is blown out from the outlets 14,..., 19 at 680 ° C., 660 ° C., 640 ° C., 620 ° C., 600 ° C.
And 580 ° C. argon gas for 10 minutes. At this time, the lower surface of the substrate 1, that is, the lower surface of the glass substrate 2 is cooled by a cooler (not shown) built in the table 5. Thereby, the single crystallization process can be performed on the substrate 1 in a favorable state. Further, deformation and deterioration of the glass substrate 2 can be prevented.
【００４６】 また、吹出口８,９から夫々吹き出さ
れる３５０℃,４００℃のアルゴンガスは、基板１の上
面つまり多結晶シリコン薄膜４の表面に付着した異物４
０を吹き飛ばす。この異物４０と、基板１へ向けて吹き
付けられたアルゴンガスの一部とを、ポンプ２８(図１
参照)によって異物吸込口２１,２２に吸い込む。一方、
基板１へ向けて吹き付けられたアルゴンガスの大部分
は、図６に示すように、基板１またはテーブル５に当た
った後、ポンプ２８(図１参照)によって排気部７ｂ,７
ｃのガス排気口２３,２４に吸い込まれる。このガス排
気口２３,２４と異物吸込口２１,２２(図５参照)に吸い
込まれたアルゴンガスおよび異物４０は、図１に示すよ
うに、ポンプ２８によって循環径路６０の部分６０ａを
通って予備タンク２７に溜まる。その予備タンク２７内
のアルゴンガスは、図示しない圧力調節器およびヒータ
などで圧力と温度を最適に調節された後、ケミカルフィ
ルタ３０、ＨＥＰＡフィルタ３１およびヒータ２５,２
６を通して循環径路６０の部分６０ｂを流れて、圧力釜
６内に供給される。したがって、この循環径路６０によ
って高価なアルゴンガスの再利用が可能になって、製造
コストを低減できる。The argon gas at 350 ° C. and 400 ° C. blown out from the outlets 8 and 9 respectively contains foreign matter 4 adhering to the upper surface of the substrate 1, that is, the surface of the polycrystalline silicon thin film 4.
Blow off 0. The foreign matter 40 and a part of the argon gas blown toward the substrate 1 are supplied to the pump 28 (FIG. 1).
(See FIG. 3). on the other hand,
Most of the argon gas blown toward the substrate 1 hits the substrate 1 or the table 5 as shown in FIG.
The gas is discharged into the gas exhaust ports 23 and 24 of FIG. The argon gas and the foreign matter 40 sucked into the gas exhaust ports 23 and 24 and the foreign matter suction ports 21 and 22 (see FIG. 5) are preliminarily passed through the portion 60a of the circulation path 60 by the pump 28 as shown in FIG. It collects in the tank 27. After the pressure and temperature of the argon gas in the spare tank 27 are optimally adjusted by a pressure regulator and a heater (not shown), the chemical filter 30, the HEPA filter 31, and the heaters 25, 2
6, flows through the portion 60 b of the circulation path 60, and is supplied into the pressure cooker 6. Therefore, the circulation path 60 allows the expensive argon gas to be reused, and the production cost can be reduced.
【００４７】 さらに、テーブル５がｙ方向に向かっ
て１ｍｍ／分で移動し続けると、図７に示すように、テ
ーブル５上の基板１がヘッド７の吹出部７ａの直下を通
過して、アルゴンガスの吹きつけ工程を終える。最後
に、圧力釜６内における６気圧および第２温度の２５０
℃の加圧雰囲気内にテーブル５を長時間(１〜２時間程
度)保持して、非単結晶薄膜を単結晶化させる全ての工
程が終了する。Further, when the table 5 continues to move at 1 mm / min in the y direction, as shown in FIG. 7, the substrate 1 on the table 5 passes just below the blowout portion 7 a of the head 7 and Finish the gas blowing process. Finally, the pressure of 6 atm in the pressure cooker 6 and the second temperature of 250
By holding the table 5 in a pressurized atmosphere of ° C. for a long time (about 1 to 2 hours), all the steps of monocrystallizing the non-single-crystal thin film are completed.
【００４８】このように、大気圧に比べてシリコンの沸
点が上昇する加圧雰囲気において、非単結晶薄膜を単結
晶化し得る第１温度の７００℃のアルゴンガスを基板１
へ向けて吹き付けることによって、基板１が有する多結
晶シリコン薄膜４を一旦半溶融状態にする。その後、第
１温度の７００℃より低い６８０℃、６６０℃、６４０
℃、６２０℃、６００℃および５８０℃のアルゴンガス
を基板１へ向けて順次吹き付けることによって、基板１
の温度を次第に下降させて金属精錬でいうところの焼き
なましと同様の効果を奏して、よりひずみが少なく新し
い結晶を成長させることができる。しかし、その結晶に
おいても若干ひずみが発生するため、第２温度の２５０
℃の加圧雰囲気内に基板１を長時間保持することによっ
て、多結晶シリコン薄膜４内の結晶において若干発生し
たひずみを除去する。したがって、結晶粒界に不純物を
偏在させず、ひずみが略存在しない大きな粒径の結晶を
成長させることができて、多結晶シリコン薄膜４を単結
晶化できる。この製造方法は、従来例のレーザを用いて
非単結晶薄膜を加熱する方法とは異なるので、光学レン
ズのクリーニングやレーザ発振管内のガス交換を必要と
せず、多結晶シリコン４を素子形成が可能な単結晶シリ
コンに転換できる。したがって、単結晶薄膜を製造する
効率を向上でき、製造コストを低減できる。As described above, in a pressurized atmosphere in which the boiling point of silicon rises compared to the atmospheric pressure, an argon gas at a first temperature of 700.degree.
The polycrystalline silicon thin film 4 of the substrate 1 is once brought into a semi-molten state. Thereafter, 680 ° C., 660 ° C., 640 lower than the first temperature of 700 ° C.
C., 620.degree. C., 600.degree. C., and 580.degree.
By gradually lowering the temperature, an effect similar to that of annealing in metal refining is exerted, and new crystals can be grown with less distortion. However, since a slight strain is generated in the crystal, the second temperature of 250 ° C.
By maintaining the substrate 1 in a pressurized atmosphere at a temperature of 0 ° C. for a long time, distortion generated in crystals in the polycrystalline silicon thin film 4 slightly is removed. Therefore, it is possible to grow a crystal having a large grain size with substantially no strain without unevenly distributing impurities at the crystal grain boundaries, and to make the polycrystalline silicon thin film 4 single crystallized. Since this manufacturing method is different from the conventional method of heating a non-single-crystal thin film using a laser, it is possible to form an element of polycrystalline silicon 4 without cleaning an optical lens or exchanging gas in a laser oscillation tube. Can be converted to single-crystal silicon. Therefore, the efficiency of manufacturing a single crystal thin film can be improved, and the manufacturing cost can be reduced.
【００４９】また、３５０℃、４００℃、４５０℃、５
００および７００℃のアルゴンガスを基板１へ向けて順
次吹き付けることによって、基板１の温度を次第に上昇
させるので基板１のガラス基板２がゆがんだり軟化する
のを防止できる。その上、テーブル５に内蔵された冷却
器によってガラス基板２の下面を冷却しているので、よ
り確実にガラス基板２の変形を防止できる。Also, at 350 ° C., 400 ° C., 450 ° C., 5
By sequentially blowing argon gas at 00 and 700 ° C. toward the substrate 1, the temperature of the substrate 1 is gradually increased, so that the glass substrate 2 of the substrate 1 can be prevented from being distorted or softened. In addition, since the lower surface of the glass substrate 2 is cooled by the cooler built in the table 5, the deformation of the glass substrate 2 can be more reliably prevented.
【００５０】また、非単結晶薄膜を単結晶化し得る第１
温度の７００℃あるいは７００℃以上のアルゴンガス
が、基板１の各部に対して２０分づつ吹き付けられるこ
とによって、基板１の多結晶シリコン薄膜４を確実に半
溶融状態にできる。Further, the first method capable of monocrystallizing a non-single-crystal thin film
By spraying an argon gas at a temperature of 700 ° C. or 700 ° C. or more onto each part of the substrate 1 for 20 minutes, the polycrystalline silicon thin film 4 of the substrate 1 can be reliably brought into a semi-molten state.
【００５１】また、基板１へ向けて吹き付けるアルゴン
ガスは不活性気体なので、多結晶シリコン薄膜４は変質
しない。その上、基板１の各部に対して吹き付けられる
３５０℃および４００℃のアルゴンガスが、基板１に付
着している異物４０を吹き飛ばすので、その異物４０が
基板１を汚染するのを防止できる。さらに、吹き飛ばさ
れた異物４０をポンプ２８によって異物吸込口２１,２
２に吸い込むので、基板１から離間した異物４０が再び
基板１に付着するのを防止して、基板１をより確実に清
浄な状態に保つことできる。Since the argon gas blown toward the substrate 1 is an inert gas, the polycrystalline silicon thin film 4 does not deteriorate. In addition, since the argon gas of 350 ° C. and 400 ° C. blown to each part of the substrate 1 blows off the foreign matter 40 attached to the substrate 1, the foreign matter 40 can be prevented from contaminating the substrate 1. Further, the blown foreign matter 40 is removed by the pump 28 into the foreign matter inlets 21 and 2.
2, the foreign matter 40 separated from the substrate 1 is prevented from adhering to the substrate 1 again, and the substrate 1 can be more reliably kept in a clean state.
【００５２】また、基板１を載せたテーブル５が、１３
個の吹出部７ａの吹出口８,９,…,１３,…と基板１の各
部とが順次対向するように移動するので、大面積の基板
であっても単結晶化の処理を行うことができる。また、
非単結晶薄膜を単結晶化し得る第１温度のアルゴンガス
を、基板１の各部により確実に吹き付けることができ
る。また、基板１を搭載するテーブル５の上面５０の寸
法を、基板１のｘｙ方向の寸法より大きく設定している
ので、テーブル５がｙ方向に移動した結果、吹出部７ａ
の各吹出口８,９,…,１３,…から夫々吹き出されるアル
ゴンガスが基板１のｙ方向の縁から外れたとしても、そ
のアルゴンガスはテーブル５に確実に当たる。したがっ
て、テーブル５に当たったガスを、排気部７ｂ,７ｃの
ガス排気口２３,２４を通して圧力釜６外へ確実に排気
できる。その結果、各吹出口８,９,…,１３,…から夫々
吹き出されるアルゴンガスが、圧力釜６内の加圧雰囲気
に悪影響を及ぼすのを防止できる。The table 5 on which the substrate 1 is placed is
Since the outlets 8, 9,..., 13,... Of the outlets 7a move so as to sequentially face each part of the substrate 1, single-crystallization processing can be performed even on a large-area substrate. it can. Also,
Argon gas at a first temperature capable of monocrystallizing a non-single-crystal thin film can be reliably blown to each part of the substrate 1. Further, since the dimension of the upper surface 50 of the table 5 on which the substrate 1 is mounted is set to be larger than the dimension of the substrate 1 in the xy direction, the table 5 moves in the y direction, and as a result, the blowing section 7a
Even if the argon gas blown out from each of the outlets 8, 9,..., 13,... Comes off the edge of the substrate 1 in the y direction, the argon gas surely hits the table 5. Therefore, the gas hitting the table 5 can be reliably exhausted to the outside of the pressure cooker 6 through the gas exhaust ports 23, 24 of the exhaust units 7b, 7c. As a result, it is possible to prevent the argon gas blown out from each of the outlets 8, 9, ..., 13, ... from adversely affecting the pressurized atmosphere in the pressure cooker 6.
【００５３】また、圧力釜６に供給されるアルゴンガス
は、ケミカルフィルタ３０およびＨＥＰＡフィルタ３１
を通過するので、清浄なアルゴンガスを圧力釜６に供給
することができる。また、循環径路６０を流れるアルゴ
ンガスの圧力低下または圧力上昇が、予備タンク２７に
よって緩和されるので、その循環径路６０を流れるアル
ゴンガスの圧力変動を最小限に抑えて、圧力釜６内に吹
き出されるアルゴンガスの圧力を安定させることが可能
となる。したがって、圧力釜６内の加圧雰囲気をより安
定な状態に保つことができる。The argon gas supplied to the pressure cooker 6 is supplied to the chemical filter 30 and the HEPA filter 31.
, Clean argon gas can be supplied to the pressure cooker 6. In addition, since the pressure drop or pressure increase of the argon gas flowing through the circulation path 60 is mitigated by the spare tank 27, the pressure fluctuation of the argon gas flowing through the circulation path 60 is minimized, and the argon gas is blown into the pressure cooker 6. It is possible to stabilize the pressure of the argon gas to be supplied. Therefore, the pressurized atmosphere in the pressure cooker 6 can be maintained in a more stable state.
【００５４】上記実施の形態では、圧力釜６内に供給す
るガスにアルゴンガスを用いたが、窒素ガスを用いても
よい。また、ヒータ２５,２６をヘッド７に搭載しても
よい。In the above embodiment, the gas supplied into the pressure cooker 6 is argon gas, but nitrogen gas may be used. Further, the heaters 25 and 26 may be mounted on the head 7.
【００５５】[0055]
【発明の効果】以上より明らかなように、請求項１の発
明の単結晶薄膜の製造方法では、加圧雰囲気において、
基板へ向けて吹き付けられた第１温度のガスによって、
非単結晶薄膜を半溶融状態にするので、非単結晶薄膜に
おいて単結晶化が起こって、非単結晶薄膜を素子形成が
可能な単結晶薄膜に転換できる。この製造法では、レー
ザを使用する従来の製造方法とは異なるから、光学レン
ズなどのクリーニングやレーザ発振管内のガス交換が不
要となって、単結晶薄膜を製造する効率を向上でき、製
造コストを低減できる。As is apparent from the above description, in the method for producing a single crystal thin film according to the first aspect of the present invention, the method for producing a single crystal thin film includes the steps of:
By the gas of the first temperature blown toward the substrate,
Since the non-single-crystal thin film is brought into a semi-molten state, single crystallization occurs in the non-single-crystal thin film, and the non-single-crystal thin film can be converted into a single-crystal thin film capable of forming an element. Since this manufacturing method is different from the conventional manufacturing method using a laser, cleaning of an optical lens and the like and gas exchange in a laser oscillation tube are not required, so that the efficiency of manufacturing a single crystal thin film can be improved and the manufacturing cost can be reduced. Can be reduced.
【００５６】また、請求項２の発明の単結晶薄膜の製造
方法では、上記ガスは非単結晶薄膜と反応しない性質を
有するので、非単結晶薄膜が変質するのを防止できる。In the method of manufacturing a single-crystal thin film according to the second aspect of the present invention, since the gas has a property of not reacting with the non-single-crystal thin film, it is possible to prevent the non-single-crystal thin film from being altered.
【００５７】また、請求項３の発明の単結晶薄膜の製造
方法では、基板へ向けて吹き付けられるガスの温度を、
第１温度より低い温度から第１温度まで次第に上昇させ
るので、急激な熱変化によって基板が損傷するのを防止
できる。また、非単結晶薄膜を単結晶化し得る第１温度
のガスを所定の時間基板へ向けて吹き付けることによっ
て、非単結晶薄膜を充分に加熱するので、非単結晶薄膜
を確実に半溶融状態にできる。その上、基板へ向けて吹
き付けるガスの温度を第１温度から次第に下降させるの
で、非単結晶薄膜内においてよりひずみの少なく新しい
結晶を成長させることができる。In the method of manufacturing a single crystal thin film according to the third aspect of the present invention, the temperature of the gas blown toward the substrate is
Since the temperature is gradually increased from a temperature lower than the first temperature to the first temperature, it is possible to prevent the substrate from being damaged by a sudden change in heat. Further, the non-single-crystal thin film is sufficiently heated by spraying a gas at a first temperature capable of mono-crystallizing the non-single-crystal thin film toward the substrate for a predetermined time, so that the non-single-crystal thin film is surely brought into a semi-molten state. it can. In addition, since the temperature of the gas blown toward the substrate is gradually lowered from the first temperature, a new crystal with less distortion can be grown in the non-single-crystal thin film.
【００５８】また、請求項４の発明の単結晶薄膜の製造
方法では、上記基板へ向けて吹き付けるガスの温度を、
非単結晶薄膜を単結晶化し得る第１温度から２００℃乃
至３００℃の範囲内の第２温度まで下降させた後、その
第２温度を所定の時間維持するから、非単結晶薄膜内に
おいてガスの温度を第１温度から第２温度まで下降させ
るときに生じた結晶のひずみを略完全に除去できる。In the method for manufacturing a single crystal thin film according to the invention of claim 4, the temperature of the gas blown toward the substrate is
After the temperature is lowered from a first temperature at which the non-single-crystal thin film can be single-crystallized to a second temperature in the range of 200 ° C. to 300 ° C., the second temperature is maintained for a predetermined time. Can be almost completely removed when the temperature of the crystal is lowered from the first temperature to the second temperature.
【００５９】また、請求項５の発明の単結晶薄膜の製造
方法では、上記基板に付着している異物を上記ガスの吹
き付け開始段階で吹き飛ばすので、異物が基板を汚染す
るのを防止できる。In the method for manufacturing a single-crystal thin film according to the fifth aspect of the present invention, the foreign matter adhering to the substrate is blown off at the start of the gas blowing, so that the foreign matter can be prevented from contaminating the substrate.
【００６０】また、請求項６の発明の単結晶薄膜の製造
装置では、加熱手段によって第１温度に加熱されたガス
を、圧力釜内に上記基板に対向するように設けられたヘ
ッドの吹出口から基板へ向けて吹き付けるので、第１温
度のガスを非単結晶薄膜に確実に吹き付けて、非単結晶
薄膜を単結晶化できる。Further, in the apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to the present invention, the gas heated to the first temperature by the heating means is supplied to the outlet of the head provided in the pressure cooker so as to face the substrate. Therefore, the gas at the first temperature can be reliably blown onto the non-single-crystal thin film, and the non-single-crystal thin film can be single-crystallized.
【００６１】また、請求項７の発明の単結晶薄膜の製造
装置では、上記ヘッドの吹出口から吹き出されたガス
が、ヘッドのガス排気口を通って圧力釜外へ確実に排気
されるので、加圧雰囲気を安定な状態に保つことができ
る。Further, in the apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to the present invention, the gas blown out from the outlet of the head is reliably exhausted to the outside of the pressure cooker through the gas exhaust port of the head. The pressurized atmosphere can be kept in a stable state.
【００６２】また、請求項８の発明の単結晶薄膜の製造
装置では、基板を載せたテーブルが、ヘッドの基板対向
面と基板の各部とが順次対向するように移動するので、
大面積の基板であっても単結晶化の処理を行うことがで
きる。また、非単結晶薄膜を単結晶化し得る第１温度の
ガスを、基板の各部により確実に吹き付けることができ
る。In the apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to the present invention, the table on which the substrate is placed is moved so that the substrate facing surface of the head and each part of the substrate are sequentially opposed.
Single crystallization can be performed even on a substrate having a large area. Further, a gas at the first temperature capable of monocrystallizing the non-single-crystal thin film can be reliably blown to each part of the substrate.
【００６３】また、請求項９の発明の単結晶薄膜の製造
装置では、上記テーブルの基板搭載面の寸法を基板の面
方向の寸法より大きくなるように設定することによっ
て、基板を載せたテーブルが移動した結果、ヘッドの各
吹出口から吹き出されるガスが基板の縁から外れたとし
ても、そのガスは確実にテーブルに当たるので、ヘッド
のガス排気口を通して圧力釜外へガスを確実に排気でき
る。In the apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to the ninth aspect of the present invention, by setting the size of the substrate mounting surface of the table to be larger than the size of the substrate in the surface direction, the table on which the substrate is mounted can be formed. As a result of the movement, even if the gas blown out from each outlet of the head comes off the edge of the substrate, the gas surely hits the table, so that the gas can be surely exhausted out of the pressure cooker through the gas exhaust port of the head.
【００６４】また、請求項１０の発明の単結晶薄膜の製
造装置では、基板を載せたテーブルを移動させつつ、ヘ
ッドの基板対向面に少なくとも３つ設けられた各吹出口
を通して、夫々異なる温度のガスを基板の各部に順次吹
き付けるので、基板の温度を次第に上昇または下降させ
ることができる。In the apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to the tenth aspect of the present invention, while moving the table on which the substrate is placed, at least three outlets provided on at least three of the head-facing surfaces of the head have different temperatures. Since the gas is sequentially blown to each part of the substrate, the temperature of the substrate can be gradually increased or decreased.
【００６５】また、請求項１１の発明の単結晶薄膜の製
造装置では、基板の温度を調節する手段を備えることに
よって、基板の温度調節が容易となるので、良好な状態
で非単結晶薄膜を単結晶化できる。また、温度による基
板の変形または変質を防止できる。In the apparatus for manufacturing a single-crystal thin film according to the eleventh aspect of the present invention, the provision of the means for adjusting the temperature of the substrate facilitates the control of the temperature of the substrate. Can be single-crystallized. Further, deformation or deterioration of the substrate due to temperature can be prevented.
【００６６】また、請求項１２の発明の単結晶薄膜の製
造装置では、上記ガスによって吹き飛ばさた異物を吸引
して上記圧力釜外へ排出するための異物吸込口を上記ヘ
ッドに備えることによって、ガスによって吹き飛ばされ
た異物が再び基板に付着しないので、異物が基板を汚染
するのを確実に防止できる。In the apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to the twelfth aspect of the present invention, the head is provided with a foreign matter suction port for sucking foreign matter blown off by the gas and discharging the foreign matter to the outside of the pressure cooker. As a result, the foreign matter blown away does not adhere to the substrate again, thereby reliably preventing the foreign matter from contaminating the substrate.
【００６７】また、請求項１３の発明の単結晶薄膜の製
造装置では、ガス排気口を通して圧力釜外へ排気された
ガスを圧力釜内へ帰還させる循環径路を備えることによ
って、ガスの再利用が可能となるので、製造コストを低
減できる。Further, in the apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to the thirteenth aspect of the present invention, by providing a circulation path for returning the gas exhausted out of the pressure vessel through the gas exhaust port into the pressure vessel, the gas can be reused. As a result, manufacturing costs can be reduced.
【００６８】また、請求項１４の発明の単結晶薄膜の製
造装置では、ガス中の異物を除去するフィルタを循環経
路に備えたので、循環経路を流れるガスを清浄に保つこ
とができる。In the apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to the fourteenth aspect of the present invention, the filter for removing foreign substances in the gas is provided in the circulation path, so that the gas flowing in the circulation path can be kept clean.
【００６９】また、請求項１５の発明の単結晶薄膜の製
造装置では、ガスを溜める予備タンクを循環径路に備え
ることによって、循環径路を流れるガスの圧力低下また
はガスの圧力上昇が緩和されるので、圧力釜内に吹き出
されるガスの圧力を安定させることが可能になる。In the apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to the fifteenth aspect of the present invention, by providing a spare tank for storing gas in the circulation path, a decrease in the pressure of the gas flowing through the circulation path or an increase in the gas pressure is alleviated. Thus, the pressure of the gas blown into the pressure cooker can be stabilized.
【図１】 この発明の実施の一形態の単結晶薄膜の製造
装置の全体図である。FIG. 1 is an overall view of an apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to an embodiment of the present invention.
【図２】 上記単結晶薄膜の製造装置のヘッドとテーブ
ルの斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a head and a table of the apparatus for manufacturing a single crystal thin film.
【図３】 上記単結晶薄膜の製造装置のヘッドの吹出部
の断面をｘ軸方向から見た図である。FIG. 3 is a diagram showing a cross section of a blowing section of a head of the apparatus for manufacturing a single crystal thin film as viewed from an x-axis direction.
【図４】 上記単結晶薄膜の製造装置のヘッドとテーブ
ルをｙ軸方向から見た図である。FIG. 4 is a diagram of a head and a table of the apparatus for manufacturing a single crystal thin film as viewed from a y-axis direction.
【図５】 上記単結晶薄膜の製造装置のヘッドとテーブ
ルの位置関係を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a positional relationship between a head and a table of the apparatus for producing a single crystal thin film.
【図６】 上記単結晶薄膜の製造装置のヘッドとテーブ
ルの位置関係を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a positional relationship between a head and a table of the apparatus for manufacturing a single crystal thin film.
【図７】 上記単結晶薄膜の製造装置のヘッドとテーブ
ルの位置関係を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a positional relationship between a head and a table of the apparatus for manufacturing a single crystal thin film.
【図８】 従来の単結晶薄膜の製造装置の概略図であ
る。FIG. 8 is a schematic view of a conventional single crystal thin film manufacturing apparatus.
１ 非単結晶薄膜を有する基板、 ２ ガラス基板、
３ ＳｉＯ2絶縁膜、 ４ 多結晶シリコ
ン薄膜、５ テーブル、 ６ 圧力
釜、７ ヘッド、 ８,９,…,１
３,… １３個の吹出口、２１,２２ 異物吸込口、
２３,２４ ガス排気口、２５,２６ ヒータ、
２７ 予備タンク、２８ ポンプ、
２９ 補助ボンベ、３０ ケミカルフィ
ルタ、 ３１ ＨＥＰＡフィルタ、３２,３３,
３４ バルブ、 ４０ 異物、５０ 上面、
６０ 循環径路、７０ 基板対向
面。1 a substrate having a non-single-crystal thin film, 2 a glass substrate,
3 SiO 2 insulating film, 4 polycrystalline silicon thin film, 5 table, 6 pressure cooker, 7 head, 8, 9, ..., 1
3, ... 13 outlets, 21, 22 Foreign matter inlet,
23,24 gas exhaust port, 25,26 heater,
27 spare tanks, 28 pumps,
29 auxiliary cylinder, 30 chemical filter, 31 HEPA filter, 32, 33,
34 valves, 40 foreign matter, 50 upper surface,
60 circulation path, 70 substrate facing surface.
Claims (15)
内に配し、加熱手段によって上記非単結晶薄膜を単結晶
化し得る第１温度に加熱したガスを、上記基板へ向けて
吹き付けて上記非単結晶薄膜を単結晶化することを特徴
とする単結晶薄膜の製造方法。1. A substrate having a non-single-crystal thin film is placed in a pressurized atmosphere, and a gas heated to a first temperature at which the non-single-crystal thin film can be single-crystallized by heating means is blown toward the substrate. A method for producing a single-crystal thin film, wherein the non-single-crystal thin film is monocrystallized.
において、 上記ガスが上記非単結晶薄膜と反応しない性質を有する
ことを特徴とする単結晶薄膜の製造方法。2. The method for producing a single crystal thin film according to claim 1, wherein said gas has a property of not reacting with said non-single crystal thin film.
製造方法において、 上記ガスを上記基板へ向けて吹き付けながら、上記加熱
手段によって上記第１温度より低い温度から上記第１温
度まで上記ガスの温度を次第に上昇させた後、上記ガス
の温度を上記第１温度に所定の時間保持して、上記ガス
の温度を上記第１温度から次第に下降させることを特徴
とする単結晶薄膜の製造方法。3. The method for producing a single-crystal thin film according to claim 1, wherein the gas is blown toward the substrate, and the heating means heats the gas from a temperature lower than the first temperature to the first temperature. Manufacturing the single crystal thin film, wherein the temperature of the gas is gradually raised from the first temperature while the temperature of the gas is maintained at the first temperature for a predetermined time after the temperature of the gas is gradually increased. Method.
において、 上記ガスの温度を上記第１温度から、２００℃乃至３０
０℃の範囲内の第２温度まで下降させた後、その第２温
度に所定の時間保持することを特徴とする単結晶薄膜の
製造方法。4. The method for producing a single-crystal thin film according to claim 3, wherein the temperature of the gas is from 200 ° C. to 30 ° C. from the first temperature.
A method for producing a single-crystal thin film, comprising: lowering a temperature to a second temperature within a range of 0 ° C., and maintaining the temperature at the second temperature for a predetermined time.
単結晶薄膜の製造方法において、 上記基板に付着している異物を上記ガスの吹き付け開始
段階で吹き飛ばすことを特徴とする単結晶薄膜の製造方
法。5. The method for producing a single crystal thin film according to claim 1, wherein the foreign matter adhering to the substrate is blown off at the start of the gas blowing. Manufacturing method of thin film.
とともに収容する圧力釜と、 非単結晶薄膜を単結晶化し得る第１温度にガスを加熱す
る加熱手段と、 上記圧力釜内に上記基板に対向するように設けられた、
上記ガスを上記基板へ向けて吹き出すための吹出口を有
するヘッドと、 上記加熱手段によって加熱された上記ガスを上記ヘッド
の上記吹出口を通して吹き出させる供給手段とを備えた
ことを特徴とする単結晶薄膜の製造装置。6. A pressure cooker for accommodating a substrate having a non-single-crystal thin film together with a pressurized atmosphere, heating means for heating a gas to a first temperature at which a non-single-crystal thin film can be single-crystallized, Provided to face the substrate,
A single crystal comprising: a head having an outlet for blowing the gas toward the substrate; and a supply means for blowing the gas heated by the heating means through the outlet of the head. Thin film manufacturing equipment.
において、 上記ヘッドに、上記ガスを圧力釜外へ排気するためのガ
ス排気口を備えたことを特徴とする単結晶薄膜の製造装
置。7. The single crystal thin film manufacturing apparatus according to claim 6, wherein the head is provided with a gas exhaust port for exhausting the gas out of the pressure cooker. apparatus.
製造装置において、 上記圧力釜内に、上記ヘッドの基板対向面と上記基板の
各部とが順次対向するように上記基板を載せて移動する
テーブルを備えたことを特徴とする単結晶薄膜の製造装
置。8. The apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to claim 6, wherein the substrate is placed in the pressure cooker such that the substrate facing surface of the head and each portion of the substrate are sequentially opposed. An apparatus for producing a single crystal thin film, comprising a moving table.
において、 上記基板の面方向の寸法より上記テーブルの基板搭載面
の寸法が大きく設定されていることを特徴とする単結晶
薄膜の製造装置。9. The apparatus for producing a single crystal thin film according to claim 8, wherein a dimension of the substrate mounting surface of the table is set to be larger than a dimension of the substrate in a plane direction. manufacturing device.
の製造装置において、 上記ヘッドは基板対向面に少なくとも３つの吹出口を備
え、 上記加熱手段は上記各吹出口を通って上記基板へ向けて
吹き出される上記ガスを夫々異なる温度に設定し得るよ
うになっていることを特徴とする単結晶薄膜の製造装
置。10. The apparatus for producing a single crystal thin film according to claim 8, wherein the head has at least three outlets on a substrate facing surface, and the heating means passes through each of the outlets to the substrate. An apparatus for producing a single-crystal thin film, wherein the gases blown toward the apparatus can be set at different temperatures.
置において、 上記基板の温度を調節する手段を備えたことを特徴とす
る単結晶薄膜の製造装置。11. The apparatus for producing a single crystal thin film according to claim 6, further comprising means for adjusting a temperature of the substrate.
置において、 上記ガスによって吹き飛ばさた異物を吸引して上記圧力
釜外へ排出するための異物吸込口を上記ヘッドに備えた
ことを特徴とする単結晶薄膜の製造装置。12. The apparatus for producing a single crystal thin film according to claim 6, wherein a foreign matter suction port for sucking foreign matter blown off by the gas and discharging the foreign matter to the outside of the pressure cooker is provided in the head. For manufacturing a single crystal thin film.
置において、 上記ガス排気口を通して圧力釜外へ排気された上記ガス
を上記圧力釜内へ帰還させるための循環径路を備えたこ
とを特徴とする単結晶薄膜の製造装置。13. The apparatus for producing a single crystal thin film according to claim 7, further comprising a circulation path for returning the gas exhausted outside the pressure cooker through the gas exhaust port into the pressure cooker. Characteristic single crystal thin film manufacturing equipment.
装置において、 上記循環径路に、上記ガス中の上記異物を除去するフィ
ルタを備えたことを特徴とする単結晶薄膜の製造装置。14. The apparatus for producing a single-crystal thin film according to claim 13, wherein a filter for removing the foreign matter in the gas is provided in the circulation path.
薄膜の製造装置において、 上記循環径路に、ガスを溜める予備タンクを備えたこと
を特徴とする単結晶薄膜の製造装置。15. The apparatus for producing a single-crystal thin film according to claim 13, wherein a spare tank for storing gas is provided in the circulation path.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02635599A JP3295384B2 (en) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | Method and apparatus for producing single crystal thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02635599A JP3295384B2 (en) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | Method and apparatus for producing single crystal thin film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000223416A true JP2000223416A (en) | 2000-08-11 |
| JP3295384B2 JP3295384B2 (en) | 2002-06-24 |
Family
ID=12191180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02635599A Expired - Fee Related JP3295384B2 (en) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | Method and apparatus for producing single crystal thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3295384B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005311389A (en) * | 2001-06-01 | 2005-11-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Method of manufacturing semiconductor device |
| KR100876928B1 (en) * | 2001-06-01 | 2009-01-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US7974524B2 (en) | 2001-03-16 | 2011-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
| WO2016016465A1 (en) * | 2014-07-31 | 2016-02-04 | Katholieke Universiteit Leuven | Method and apparatus for hot jet treatment |
-
1999
- 1999-02-03 JP JP02635599A patent/JP3295384B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7974524B2 (en) | 2001-03-16 | 2011-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
| US9666458B2 (en) | 2001-03-16 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
| JP2005311389A (en) * | 2001-06-01 | 2005-11-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Method of manufacturing semiconductor device |
| KR100876928B1 (en) * | 2001-06-01 | 2009-01-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Method of manufacturing a semiconductor device |
| JP4498982B2 (en) * | 2001-06-01 | 2010-07-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Method for manufacturing semiconductor device |
| US7879693B2 (en) | 2001-06-01 | 2011-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thermal treatment equipment and method for heat-treating |
| US8318567B2 (en) | 2001-06-01 | 2012-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thermal treatment equipment and method for heat-treating |
| WO2016016465A1 (en) * | 2014-07-31 | 2016-02-04 | Katholieke Universiteit Leuven | Method and apparatus for hot jet treatment |
| US10290519B2 (en) | 2014-07-31 | 2019-05-14 | Katholieke Universiteit Leuven | Hot jet assisted systems and methods |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3295384B2 (en) | 2002-06-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100493802B1 (en) | Laser annealing method and laser annealing device | |
| US6578589B1 (en) | Apparatus for manufacturing semiconductor wafer | |
| TWI423371B (en) | A substrate processing apparatus and a particle adhesion preventing method | |
| JP5848832B2 (en) | Substrate processing apparatus including a heat shield plate | |
| JP2000034193A (en) | Heat treatment and production of fluoride single crystal | |
| JP6060172B2 (en) | Substrate processing apparatus including a plurality of exhaust ports and method thereof | |
| TW201008691A (en) | Laser anneal apparatus | |
| JP3295384B2 (en) | Method and apparatus for producing single crystal thin film | |
| JP2003119015A (en) | Method of producing rod-shaped high purity polycrystalline silicon | |
| US20070075403A1 (en) | Functional structural element, method of manufacturing functional structural element, and substrate for manufacturing functional structural body | |
| JP3871725B2 (en) | Laser processing method | |
| JP2014084494A (en) | Crystal orientation control device, and film deposition apparatus and annealing apparatus having the same, and crystal orientation control method | |
| CA2114980C (en) | Method and apparatus for preparing crystalline thin-films for solid-state lasers | |
| JPH11176752A (en) | Method and apparatus for forming silicon wafer | |
| JPH1126393A (en) | Laser annealer | |
| JP4105159B2 (en) | Thin plate manufacturing apparatus and thin plate manufacturing method | |
| JP4170360B2 (en) | Method for manufacturing thin film transistor | |
| JP4016539B2 (en) | Thin film semiconductor manufacturing apparatus and thin film semiconductor manufacturing method | |
| JP3797257B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus | |
| JP3797229B2 (en) | Thin film semiconductor manufacturing equipment | |
| US20230383432A1 (en) | Enclosed crystal growth | |
| JPH0547747A (en) | Method for forming silicon oxide film and film forming device used therefor | |
| JP4137968B2 (en) | Method for manufacturing thin film transistor | |
| JP4667334B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH0345956Y2 (en) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080405 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090405 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090405 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100405 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100405 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110405 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120405 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120405 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130405 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130405 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |