JP2000222776A - Optical recording medium - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は光記録媒体に係り、
特にレーザ光照射に伴う記録材料の相変化により情報の
記録再生を行う光記録媒体に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical recording medium,
In particular, the present invention relates to an optical recording medium for recording and reproducing information by a phase change of a recording material due to laser beam irradiation.
【０００２】[0002]
【従来の技術】最近の情報の大容量化に伴い、高密度大
容量メモリとしての光ディスクが注目されている。この
光ディスクには、記録された情報の読み出しのみが可能
な再生専用型、１回だけ書き込みが可能で、消去はでき
ないる追記型、記録及び消去が共に可能で、書き換えが
できるリライタブル型等がある。2. Description of the Related Art With the recent increase in the capacity of information, optical disks as high-density, large-capacity memories have been receiving attention. This optical disc includes a read-only type that can only read recorded information, a write-once type that can be written only once and cannot be erased, and a rewritable type that can perform both recording and erasing and can be rewritten. .
【０００３】そのうち、永久保存用のファイルメモリと
して最適な追記型の光ディスクとしては、レーザ光吸収
による記録層の発熱により記録層に穴を明ける穴明け型
や、２層の記録層へのレーザ光照射による熱拡散により
反射率を変化させる拡散合金型や、記録材料へのレーザ
光照射によりアモルファス相から結晶相に相変化させ
て、結晶性の記録マークを形成する相変化型などがあ
る。[0003] Among them, a write-once optical disk, which is most suitable as a file memory for permanent storage, includes a hole-drilling type in which a hole is formed in the recording layer due to heat generation of the recording layer due to absorption of laser light, and a laser beam to the two recording layers. There are a diffusion alloy type in which the reflectance is changed by thermal diffusion by irradiation, and a phase change type in which a recording material is changed from an amorphous phase to a crystalline phase by laser light irradiation to form a crystalline recording mark.
【０００４】例えば追記型で且つ拡散合金型の光ディス
クについては、透明性の基板上に、成膜状態で非晶質の
第１の記録層と成膜状態で結晶質の第２の記録層とを積
層して備え、これら第１及び第２の記録層をレーザ光照
射により溶融拡散合金化して結晶質の記録マークを形成
する方法が提案されている（特開平７−９３８０６号公
報参照）。しかし、上記提案に係る方法においては、Ｃ
Ｎ比が小さく、十分な再生信号が得られないという問題
がある。For example, for a write-once type and diffusion alloy type optical disk, a transparent first substrate is provided with an amorphous first recording layer in a film-forming state and a crystalline second recording layer in a film-forming state. A method has been proposed in which the first and second recording layers are melt-diffusion alloyed by laser light irradiation to form a crystalline recording mark (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-93806). However, in the method according to the above proposal, C
There is a problem that the N ratio is small and a sufficient reproduced signal cannot be obtained.
【０００５】また、例えば追記型で且つ相変化型の光デ
ィスクは、記録層を非破壊で使用しており、保護カバー
をガラスなどを用いてエアーサンドイッチにしなくても
よいことから、より簡単な密着構造で済むという利点を
有しているため、従来から例えば記録材料としてＴｅと
ＴｅＯ2 との均一な混合物であるＴｅＯｘ層などを用い
る場合が報告されている（記録・記憶技術ハンドブック
（丸善 平成４年８月２５日発行）参照）。Further, for example, a write-once type and phase change type optical disk uses a recording layer in a non-destructive manner, and the protective cover does not need to be made of an air sandwich using glass or the like. Because of the advantage of requiring a structure, it has been reported that a recording material such as a TeOx layer, which is a uniform mixture of Te and TeO2, is used as a recording material (Recording and Storage Technology Handbook (Maruzen 1992). August 25))).
【０００６】この従来のＴｅＯｘ層を記録材料として用
いる場合、成膜時のアモルファス状態のＴｅＯｘ記録層
は、アモルファスＴｅＯ2 マトリクス中に数ｎｍ程度の
Ｔｅ微粒子が均一に分散している状態であるが、これに
レーザ光が照射されると加熱溶解され、その冷却過程に
おいてＴｅ微粒子が結晶粒に成長して、結晶化が進行す
る。そして、ある時点でアモルファス相から結晶相への
相変化が生じる。このＴｅＯｘ記録層のアモルファス相
から結晶相への相変化に伴って、光学定数、例えば反射
率も変化する。このため、この相変化を利用して、結晶
性の記録マークを形成し、例えば弱いレーザ光によって
反射率の変化を検出して情報の読み出しを行う。When this conventional TeOx layer is used as a recording material, the TeOx recording layer in an amorphous state at the time of film formation is a state in which Te particles of about several nm are uniformly dispersed in an amorphous TeO2 matrix. When this is irradiated with laser light, it is heated and melted, and in the cooling process, Te fine particles grow into crystal grains and crystallization proceeds. At some point, a phase change from the amorphous phase to the crystalline phase occurs. With the phase change from the amorphous phase to the crystalline phase of the TeOx recording layer, the optical constant, for example, the reflectance also changes. Therefore, utilizing this phase change, a crystalline recording mark is formed, and a change in reflectivity is detected by, for example, weak laser light to read information.
【０００７】しかし、上記従来のＴｅＯｘ層を記録材料
として用いる場合においては、ＴｅＯｘ記録層のアモル
ファス相から結晶相への相変化の過程で、結晶化が完了
するまでに長い時間が必要となるため、再生信号が安定
するまでに数分間を要するという欠点があった。However, when the above-mentioned conventional TeOx layer is used as a recording material, it takes a long time until the crystallization is completed during the phase change from the amorphous phase to the crystalline phase of the TeOx recording layer. However, there is a drawback that it takes several minutes for the reproduction signal to stabilize.
【０００８】こうした欠点を改善するために、ＴｅＯｘ
記録層にＡｕ又はＰｔ等の貴金属を添加することが提案
されている（木村邦夫 他、「Ｔｅ−ＴｅＯ2 をベース
とする新しい追記型光メモリ」、光メモリ・シンポジウ
ム１９８５論文集 ｐ３３−ｐ３８参照）。そして、こ
の提案によると、ＴｅＯｘ記録層にＡｕ又はＰｔ等の貴
金属を添加することにより、上記欠点が改善され、高速
に結晶化が進行するため、応答速度が向上する。また、
光学定数が変化する転位温度が上昇するため、熱的な安
定性も向上する。In order to improve such disadvantages, TeOx
It has been proposed to add a noble metal such as Au or Pt to the recording layer (see Kunio Kimura et al., "New write-once optical memory based on Te-TeO2", Optical Memory Symposium 1985, pp. 33-38). According to this proposal, by adding a noble metal such as Au or Pt to the TeOx recording layer, the above-mentioned disadvantages are improved, and crystallization proceeds at high speed, so that the response speed is improved. Also,
Since the dislocation temperature at which the optical constant changes increases, the thermal stability also improves.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のＴ
ｅＯｘ記録層にＡｕ又はＰｔ等の貴金属を添加する方法
においては、応答速度が向上や熱的な安定性の向上が実
現される反面、ＡｕＴｅ化合物等の形成により、結晶の
異方性はＴｅ単体の場合よりも小さくなり、光学的異方
性も小さくなるため、ＴｅＯｘ記録層のアモルファス相
から結晶相に相変化する際の光学定数の変化率が小さく
なり、再生信号のＣＮ比が悪化したり、情報の記録感度
と長期にわたる保存性とを同時に満足することが困難に
なったりするという問題が生じた。However, the above conventional T
In the method of adding a noble metal such as Au or Pt to the eOx recording layer, the response speed and the thermal stability are improved, but the crystal anisotropy is reduced by the formation of the AuTe compound or the like. And the optical anisotropy also becomes smaller, so that the rate of change of the optical constant when the phase of the TeOx recording layer changes from the amorphous phase to the crystalline phase becomes smaller, and the CN ratio of the reproduced signal deteriorates. There has been a problem that it is difficult to simultaneously satisfy the information recording sensitivity and the long-term storage property.
【００１０】そこで本発明は、上記問題点を鑑みてなさ
れたものであり、レーザ光照射に伴う記録材料の相変化
により情報の記録再生を行う追記型の光記録媒体におい
て、アモルファス相から結晶相への相変化に伴う反射率
の変化率を大きくして、再生信号のＣＮ比が高く、且つ
情報の長期にわたる保存性に優れた光記録媒体を提供す
ることを目的とする。また、アモルファス相における反
射率を結晶相における反射率よりも大きくして、所謂Ｈ
ｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ（ハイ・ツー・ロウ）のディスク
による結晶化記録を実現し、サーボ系の制御を容易にす
る光記録媒体を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and is directed to a write-once type optical recording medium for recording and reproducing information by a phase change of a recording material caused by laser light irradiation. It is an object of the present invention to provide an optical recording medium in which the rate of change of the reflectance due to the phase change to a large value, the CN ratio of the reproduced signal is high, and the information is excellent in the long-term preservability of information. Further, the reflectivity in the amorphous phase is made larger than the reflectivity in the crystalline phase, so-called H
It is an object of the present invention to provide an optical recording medium that realizes crystallization recording using a high-to-low (high-to-low) disk and facilitates control of a servo system.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するため、鋭意実験を積み重ねた結果、透明基板上
に順に形成した第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、
及び反射層の積層構造の光記録媒体において、第２誘電
体層の層厚の変化に伴って、記録層におけるアモルファ
ス相領域の反射率Ｒａと結晶相領域の反射率Ｒｃとの相
対的な大きさに変化が生じ、第２誘電体層の層厚がある
値以上に厚くなると、第１誘電体層の層厚によらず、記
録層におけるアモルファス相領域の反射率Ｒａが結晶相
領域の反射率Ｒｃよりも大きくなることを見出だした。Means for Solving the Problems In order to solve the above-mentioned problems, the present inventors have conducted intensive experiments, and as a result, a first dielectric layer, a recording layer, a second dielectric layer,
And the relative magnitude of the reflectance Ra of the amorphous phase region and the reflectance Rc of the crystalline phase region in the recording layer with the change in the thickness of the second dielectric layer in the optical recording medium having the laminated structure of the reflection layer and the reflection layer. When the thickness of the second dielectric layer becomes larger than a certain value, the reflectance Ra of the amorphous phase region in the recording layer becomes larger than that of the crystalline phase region irrespective of the thickness of the first dielectric layer. Has been found to be greater than the rate Rc.
【００１２】しかし、第２誘電体層の層厚を厚くする
と、記録層にレーザ光を照射して記録する際の発生する
熱が反射層に放熱され難くなり、情報の記録、特に高密
度な記録を行うことに支障が生じた。そのため、第２誘
電体層の層厚を厚くしても、記録層から反射層への放熱
を容易にするには、第２誘電体層の材料をして、熱伝導
率の高いものが必要となる。そして、本発明者が種々の
材料について検討した結果、高熱伝導率をもち且つ光学
的に透明な材料として、窒化物誘電体材料が好適である
ことを見出だした。However, if the thickness of the second dielectric layer is increased, the heat generated when recording is performed by irradiating the recording layer with a laser beam becomes difficult to be dissipated to the reflective layer, and information is recorded, particularly at high density. There was a problem with recording. Therefore, in order to facilitate heat radiation from the recording layer to the reflective layer even if the thickness of the second dielectric layer is increased, the material of the second dielectric layer must have a high thermal conductivity. Becomes As a result of studying various materials by the present inventors, it has been found that a nitride dielectric material is suitable as an optically transparent material having a high thermal conductivity.
【００１３】従って、上記課題は、以下の本発明に係る
光記録媒体によって達成される。即ち、請求項１に係る
光記録媒体は、透明基板上に、第１誘電体層、記録層、
第２誘電体層、及び反射層が順に積層され、記録層のレ
ーザ光照射に伴うアモルファス相から結晶相への相変化
により情報の結晶化記録を行う光記録媒体であって、第
２誘電体層が窒化物誘電体材料からなり、この第２誘電
体層の層厚をｄ、屈折率をｎとしたとき、 ｎｄ＞１３０ｎｍ が成立することを特徴とする。Therefore, the above object is achieved by the following optical recording medium according to the present invention. That is, the optical recording medium according to claim 1 has a first dielectric layer, a recording layer,
An optical recording medium in which a second dielectric layer and a reflective layer are sequentially stacked, and crystallization recording of information is performed by a phase change from an amorphous phase to a crystalline phase due to laser light irradiation of the recording layer, wherein the second dielectric layer When the layer is made of a nitride dielectric material and the thickness of the second dielectric layer is d and the refractive index is n, nd> 130 nm is satisfied.
【００１４】このように請求項１に係る光記録媒体にお
いては、第２誘電体層の層厚が、 ｎｄ＞１３０ｎｍ が成立する程に十分に厚いことにより、記録層における
アモルファス相領域の反射率Ｒａと結晶相領域の反射率
Ｒｃとの間に、 Ｒａ＞Ｒｃ が成立し、アモルファス相領域の反射率Ｒａが結晶相領
域の反射率Ｒｃよりも大きくなるため、所謂Ｈｉｇｈ
ｔｏ Ｌｏｗディスクによる結晶化記録が実現され、サ
ーボ系の制御が従来と同様に容易に行われる。また、記
録層におけるアモルファス相領域の反射率Ｒａと結晶相
領域の反射率Ｒｃとの差（Ｒａ−Ｒｃ）も大きくなるた
め、再生信号のＣＮ比が高くなる。As described above, in the optical recording medium according to the first aspect, since the thickness of the second dielectric layer is sufficiently large to satisfy nd> 130 nm, the reflectance of the amorphous phase region in the recording layer is improved. Ra> Rc is established between Ra and the reflectance Rc of the crystalline phase region, and the reflectance Ra of the amorphous phase region becomes larger than the reflectance Rc of the crystalline phase region.
Crystallization recording by a to Low disk is realized, and control of the servo system is easily performed as in the related art. In addition, since the difference (Ra-Rc) between the reflectance Ra of the amorphous phase region and the reflectance Rc of the crystalline phase region in the recording layer also increases, the CN ratio of the reproduced signal increases.
【００１５】しかも、このとき、第２誘電体層が高熱伝
導率をもつ窒化物誘電体材料からなることにより、第２
誘電体層の層厚が十分に厚い場合であっても、記録層に
レーザ光を照射して記録する際の発生する熱が反射層に
容易に放熱されて、記録層の冷却が急速になされるた
め、高密度な情報の記録が支障なく行われる。Further, at this time, the second dielectric layer is made of a nitride dielectric material having a high thermal conductivity, so that the second dielectric layer has a high thermal conductivity.
Even when the thickness of the dielectric layer is sufficiently large, the heat generated when recording is performed by irradiating the recording layer with laser light is easily radiated to the reflective layer, and the recording layer is rapidly cooled. Therefore, recording of high-density information is performed without any trouble.
【００１６】なお、上記請求項１に係る光記録媒体にお
いて、第２誘電体層をなす窒化物誘電体材料としては、
ＡｌＮ、ＧａＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 、又はＢＮが好適である。In the optical recording medium according to the first aspect, the nitride dielectric material forming the second dielectric layer may be:
AlN, GaN, Si3 N4 or BN are preferred.
【００１７】また、請求項３に係る光記録媒体は、上記
請求項１又は２に係る光記録媒体において、記録層のア
モルファス相が成膜後のアズデポシション状態のアモル
ファス相であることを特徴とする。ここで、「アズデポ
シション（as-deposition ）状態」とは、例えばスパッ
タ法などにより成膜した直後において特に他の処理を施
さないままの状態をいう。According to a third aspect of the present invention, in the optical recording medium according to the first or second aspect, the amorphous phase of the recording layer is an amorphous phase in an as-deposited state after film formation. And Here, the “as-deposition state” refers to a state immediately after forming a film by, for example, a sputtering method without particularly performing other processing.
【００１８】このように請求項３に係る光記録媒体にお
いては、記録層のアモルファス相が成膜後のアズデポシ
ション状態のアモルファス相であることにより、特に記
録層をアモルファス相とするための処理を施す必要がな
いため、その作成が容易になり、プロセスも簡略化され
る。As described above, in the optical recording medium according to the third aspect, since the amorphous phase of the recording layer is an amorphous phase in an as-deposited state after film formation, a process for particularly converting the recording layer to the amorphous phase is performed. Since it is not necessary to perform the process, the creation is facilitated and the process is simplified.
【００１９】また、請求項４に係る光記録媒体は、上記
請求項１〜４のいずれかに係る光記録媒体において、記
録層がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、又はＴｅを主成分とする材料
からなることを特徴とする。The optical recording medium according to claim 4 is the optical recording medium according to any one of claims 1 to 4, wherein the recording layer is made of a material containing Ag, In, Sb, or Te as a main component. It is characterized by the following.
【００２０】このように請求項４に係る光記録媒体にお
いては、記録層がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、又はＴｅを主成分
とする材料からなることにより、記録層のレーザ光照射
に伴うアモルファス相から結晶相への相変化による光学
定数の変化が大きくなるために、再生信号のＣＮ比が十
分に高くなる。As described above, in the optical recording medium according to the fourth aspect, since the recording layer is made of a material containing Ag, In, Sb, or Te as a main component, the recording layer can be converted from an amorphous phase caused by laser beam irradiation. Since the change in the optical constant due to the phase change to the crystal phase is large, the CN ratio of the reproduced signal is sufficiently high.
【００２１】また、請求項５に係る光記録媒体は、上記
請求項４に係る光記録媒体において、記録層にＮ（窒
素）が添加されていることを特徴とする。このように請
求項５に係る光記録媒体においては、記録層にＮ（窒
素）が添加されていることにより、記録層にレーザ光を
照射して情報の記録を行う際の結晶化転移温度が高くな
るため、情報が記録された光記録媒体の熱的な安定性が
確保され、情報の長期保存性が向上する。An optical recording medium according to a fifth aspect is the optical recording medium according to the fourth aspect, wherein N (nitrogen) is added to the recording layer. As described above, in the optical recording medium according to the fifth aspect, since N (nitrogen) is added to the recording layer, the crystallization transition temperature when recording information is recorded by irradiating the recording layer with laser light. As a result, the thermal stability of the optical recording medium on which the information is recorded is ensured, and the long-term storage of the information is improved.
【００２２】なお、上記請求項１〜５のいずれかに係る
光記録媒体において、第１誘電体層がＺｎＳとＳｉＯ2
との混合物であるＺｎＳ−ＳｉＯ2 層からなり、反射層
がＡｌとＴｉとの合金であるＡｌ−Ｔｉ層からなること
が好適である。In the optical recording medium according to any one of claims 1 to 5, the first dielectric layer is made of ZnS and SiO2.
And the reflection layer is preferably an Al-Ti layer which is an alloy of Al and Ti.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施の形態を説明する。図１は、本発明の一実
施形態に係る追記型で且つ相変化型の光記録媒体を示す
断面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.
An embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a sectional view showing a write-once and phase-change optical recording medium according to an embodiment of the present invention.
【００２４】図１に示されるように、本実施形態に係る
光記録媒体は、透明基板１０上に、第１誘電体層１２、
記録層１４、第２誘電体層１６、及び反射層１８が順に
それぞれスパッタ法により積層されている。また、反射
層１８上には、保護用の紫外線硬化樹脂膜２０がスピン
コートされている。As shown in FIG. 1, an optical recording medium according to this embodiment has a first dielectric layer 12 on a transparent substrate 10.
The recording layer 14, the second dielectric layer 16, and the reflective layer 18 are sequentially laminated by a sputtering method. Further, on the reflective layer 18, a UV curable resin film 20 for protection is spin-coated.
【００２５】ここで、透明基板１０としては、アクリル
系やポリカーボネート（ＰＣ）等のプラスチック基板、
又はガラス基板が使用されている。また、第１誘電体層
１２としては、ＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物であるＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 層が使用されている。但し、第１誘電体層
１２の材料としては、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 層に限定される
ものではなく、他の誘電体材料からなる誘電体層を使用
してもよい。Here, as the transparent substrate 10, a plastic substrate such as acrylic or polycarbonate (PC) is used.
Alternatively, a glass substrate is used. The first dielectric layer 12 is made of ZnS, which is a mixture of ZnS and SiO2.
An S-SiO2 layer is used. However, the material of the first dielectric layer 12 is not limited to the ZnS-SiO2 layer, and a dielectric layer made of another dielectric material may be used.
【００２６】また、記録層１４としては、Ａｇ、Ｉｎ、
Ｓｂ、又はＴｅを主成分とする材料が使用されている。
但し、記録層１４の材料としては、これらに限定される
ものではなく、他の材料、例えばＩｎＳｂＴｅ等のカル
コゲナイド系材料を使用してもよい。As the recording layer 14, Ag, In,
A material containing Sb or Te as a main component is used.
However, the material of the recording layer 14 is not limited to these, and another material, for example, a chalcogenide-based material such as InSbTe may be used.
【００２７】また、第２誘電体層１６としては、熱伝導
率の極めて高い窒化物誘電体材料、具体的にはＡｌＮ、
ＧａＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 、又はＢＮが使用されている。この
ように第２誘電体層１６に熱伝導率の極めて高い窒化物
誘電体材料が使用されているため、レーザ光を照射して
加熱した記録層１４を冷却する際には、記録層１４に隣
接している熱伝導率の極めて高い第２誘電体層１６を介
して放熱されることになり、記録層１４の冷却速度が速
くなる。The second dielectric layer 16 is made of a nitride dielectric material having a very high thermal conductivity, specifically, AlN,
GaN, Si3 N4, or BN has been used. Since the second dielectric layer 16 is made of a nitride dielectric material having an extremely high thermal conductivity, when cooling the heated recording layer 14 by irradiating a laser beam, the recording layer 14 The heat is radiated through the adjacent second dielectric layer 16 having an extremely high thermal conductivity, and the cooling rate of the recording layer 14 is increased.
【００２８】また、反射層１８としては、記録層１４か
ら熱伝導率の極めて高い第２誘電体層１６を介して伝導
してくる熱を更に放熱する機能も同時に発揮させるため
に、熱伝導率の極めて高い材料、具体的にはＡｌ、Ａｌ
−Ｔｉ合金、Ａｕ、Ａｇ、又はＣｕ等の金属材料が使用
されている。The reflective layer 18 has a thermal conductivity to further radiate the heat conducted from the recording layer 14 through the second dielectric layer 16 having a very high thermal conductivity. Very high material, specifically Al, Al
-A metal material such as a Ti alloy, Au, Ag, or Cu is used.
【００２９】次に、上記図１に示される光記録媒体を前
提にして、その最良の条件を具備する実施例を明らかに
するために行った幾つかの実験について説明する。 （第１の実験）図２は、第１の実験に係る追記型で且つ
相変化型の光記録媒体における記録層のアモルファス相
領域の反射率Ｒａ、結晶相領域の反射率Ｒｃ、及びモジ
ュレーションＭと第１誘電体層の層厚との関係を示すグ
ラフである。Next, on the premise of the optical recording medium shown in FIG. 1, some experiments performed to clarify an embodiment satisfying the best conditions will be described. (First Experiment) FIG. 2 shows the reflectance Ra of the amorphous phase region, the reflectance Rc of the crystalline phase region, and the modulation M of the recording layer of the write-once and phase-change optical recording medium according to the first experiment. 4 is a graph showing the relationship between the thickness of a first dielectric layer and the thickness of the first dielectric layer.
【００３０】第１の実験に係る追記型で且つ相変化型の
光記録媒体は、上記図１に示されるように、透明基板１
０上に、第１誘電体層１２、記録層１４、第２誘電体層
１６、反射層１８、及び紫外線硬化樹脂膜２０が順に積
層されている構造において、透明基板１０としてポリカ
ーボネート基板を使用し、第１誘電体層１２としてＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 層を使用し、記録層１４としてＡｇＩｎＳ
ｂＴｅ層を使用し、第２誘電体層１６として波長６３５
ｎｍの入射光に対する屈折率ｎが２．１のＡｌＮ層を使
用し、反射層１８としてＡｌ−Ｔｉ層を使用した。The write-once and phase-change type optical recording medium according to the first experiment is, as shown in FIG.
In a structure in which a first dielectric layer 12, a recording layer 14, a second dielectric layer 16, a reflective layer 18, and an ultraviolet curable resin film 20 are sequentially stacked on a substrate 0, a polycarbonate substrate is used as the transparent substrate 10. , Zn as the first dielectric layer 12
AgInS is used as the recording layer 14 using an S-SiO2 layer.
A bTe layer is used, and a wavelength of 635 is used as the second dielectric layer 16.
An AlN layer having a refractive index n of 2.1 with respect to incident light of nm was used, and an Al—Ti layer was used as the reflective layer 18.
【００３１】また、記録層１４の層厚を１５ｎｍ、第２
誘電体層１６の層厚を１００ｎｍ、反射層１８の層厚を
１２０ｎｍとし、更に第１誘電体層１２の層厚を０ｎｍ
から２４０ｎｍにまで変化させた。The recording layer 14 has a thickness of 15 nm,
The thickness of the dielectric layer 16 is 100 nm, the thickness of the reflection layer 18 is 120 nm, and the thickness of the first dielectric layer 12 is 0 nm.
To 240 nm.
【００３２】そして、この場合の記録層１４の未記録状
態にあるアモルファス相領域の反射率Ｒａ及び記録状態
にある結晶化した記録マーク、即ち結晶相領域の反射率
Ｒｃを、一般によく知られているマトリックス法を用い
て計算すると、図２のグラフに示されるようになった。
なお、ここで、レーザ波長λは、いずれも λ＝６３５ｎｍ で計算した。また、モジュレーションＭは、 Ｍ＝（Ｒａ−Ｒｃ）／Ｒａ×１００ によって定義され、その計算結果は、図２のグラフに示
されるようになった。In this case, the reflectance Ra of the amorphous phase region in the unrecorded state of the recording layer 14 and the crystallized recording mark in the recorded state, that is, the reflectance Rc of the crystalline phase region, are generally well known. When the calculation was performed using the matrix method, the graph shown in FIG. 2 was obtained.
Here, the laser wavelength λ was calculated at λ = 635 nm. The modulation M is defined by M = (Ra−Rc) / Ra × 100, and the calculation result is as shown in the graph of FIG.
【００３３】この図２のグラフから明らかなように、第
１誘電体層１２の層厚の変化に拘らず、記録層１４の未
記録状態にあるアモルファス相領域の反射率Ｒａと記録
状態にある結晶相領域の反射率Ｒｃとの間には、 Ｒａ＞Ｒｃ が常に成立し、未記録状態にあるアモルファス相領域の
反射率Ｒａが記録状態にある結晶相領域の反射率Ｒｃよ
りも常に大きくなっている。また、モジュレーションＭ
も、 Ｍ＝４０〜６０％ の値となっている。As is clear from the graph of FIG. 2, regardless of the change in the thickness of the first dielectric layer 12, the recording layer 14 is in the recording state with the reflectance Ra of the unrecorded amorphous phase region. Ra> Rc always holds between the reflectance Rc of the crystalline phase region and the reflectance Ra of the amorphous phase region in the unrecorded state is always higher than the reflectance Rc of the crystalline phase region in the recorded state. ing. Modulation M
Is also a value of M = 40 to 60%.
【００３４】（第２の実験）図３は、第２の実験に係る
追記型で且つ相変化型の光記録媒体における記録層のア
モルファス相領域の反射率Ｒａ、結晶相領域の反射率Ｒ
ｃ、及びモジュレーションＭと第１誘電体層の層厚との
関係を示すグラフである。(Second Experiment) FIG. 3 shows the reflectance Ra of the amorphous phase region and the reflectance R of the crystalline phase region of the recording layer in the write-once and phase-change optical recording medium according to the second experiment.
9 is a graph showing the relationship between c, modulation M, and the thickness of a first dielectric layer.
【００３５】第２の実験に係る追記型で且つ相変化型の
光記録媒体は、上記第１の実験に係る光記録媒体と基本
的に同様の構造をなしており、その透明基板１０、第１
誘電体層１２、記録層１４、第２誘電体層１６、反射層
１８、及び紫外線硬化樹脂膜２０の材料も同様の材料を
使用しているため、その説明は省略する。The write-once and phase-change type optical recording medium according to the second experiment basically has the same structure as the optical recording medium according to the first experiment. 1
Since the same material is used for the dielectric layer 12, the recording layer 14, the second dielectric layer 16, the reflective layer 18, and the ultraviolet curable resin film 20, the description thereof is omitted.
【００３６】但し、記録層１４の層厚を１５ｎｍ、第２
誘電体層１６の層厚を８０ｎｍ、反射層１８の層厚を１
２０ｎｍとし、更に第１誘電体層１２の層厚を０ｎｍか
ら２４０ｎｍにまで変化させている。即ち、第２誘電体
層１６の層厚を上記第１の実験の場合の１００ｎｍから
８０ｎｍに薄くしている点が異なっている。However, the thickness of the recording layer 14 is 15 nm,
The thickness of the dielectric layer 16 is 80 nm, and the thickness of the reflection layer 18 is 1
20 nm, and the thickness of the first dielectric layer 12 is changed from 0 nm to 240 nm. That is, the difference is that the thickness of the second dielectric layer 16 is reduced from 100 nm in the first experiment to 80 nm.
【００３７】そして、この場合の記録層１４の未記録状
態にあるアモルファス相領域の反射率Ｒａ、記録状態に
ある結晶相領域の反射率Ｒｃ、及びモジュレーションＭ
を、上記第１の実験の場合と同様に計算すると、図３の
グラフに示されるようになった。In this case, the reflectance Ra of the amorphous phase region in the unrecorded state of the recording layer 14, the reflectance Rc of the crystalline phase region in the recorded state, and the modulation M
Was calculated in the same manner as in the case of the first experiment, and was as shown in the graph of FIG.
【００３８】この図３のグラフから明らかなように、第
１誘電体層１２の層厚の変化に拘らず、記録層１４の未
記録状態にあるアモルファス相領域の反射率Ｒａと記録
状態にある結晶相領域の反射率Ｒｃとの間には、上記第
１の実験の場合と同様に、 Ｒａ＞Ｒｃ が常に成立し、未記録状態にあるアモルファス相領域の
反射率Ｒａが記録状態にある結晶相領域の反射率Ｒｃよ
りも常に大きくなっている。また、モジュレーションＭ
も、 Ｍ＝５０〜９０％ と、上記第１の実験の場合よりも更に大きな値となって
いる。As is apparent from the graph of FIG. 3, regardless of the change in the thickness of the first dielectric layer 12, the recording layer 14 is in the recording state with the reflectance Ra of the unrecorded amorphous phase region. As in the case of the first experiment, Ra> Rc always holds between the reflectance Rc of the crystal phase region and the reflectance Ra of the amorphous phase region in the unrecorded state in the recorded state. It is always higher than the reflectance Rc of the phase region. Modulation M
Also, M = 50 to 90%, which is an even larger value than in the case of the first experiment.
【００３９】（第３の実験）図４は、第３の実験に係る
追記型で且つ相変化型の光記録媒体における記録層のア
モルファス相領域の反射率Ｒａ、結晶相領域の反射率Ｒ
ｃ、及びモジュレーションＭと第１誘電体層の層厚との
関係を示すグラフである。(Third Experiment) FIG. 4 shows the reflectivity Ra of the amorphous phase region and the reflectivity R of the crystalline phase region of the recording layer in the write-once and phase-change optical recording medium according to the third experiment.
9 is a graph showing the relationship between c, modulation M, and the thickness of a first dielectric layer.
【００４０】第３の実験に係る追記型で且つ相変化型の
光記録媒体は、上記第１の実験に係る光記録媒体と基本
的に同様の構造をなしており、その透明基板１０、第１
誘電体層１２、記録層１４、第２誘電体層１６、反射層
１８、及び紫外線硬化樹脂膜２０の材料も同様の材料を
使用しているため、その説明は省略する。The write-once and phase-change type optical recording medium according to the third experiment has basically the same structure as the optical recording medium according to the first experiment. 1
Since the same material is used for the dielectric layer 12, the recording layer 14, the second dielectric layer 16, the reflective layer 18, and the ultraviolet curable resin film 20, the description thereof is omitted.
【００４１】但し、記録層１４の層厚を１５ｎｍ、第２
誘電体層１６の層厚を６０ｎｍ、反射層１８の層厚を１
２０ｎｍとし、更に第１誘電体層１２の層厚を０ｎｍか
ら２４０ｎｍにまで変化させている。即ち、第２誘電体
層１６の層厚を上記第１の実験の場合の１００ｎｍから
６０ｎｍに薄くしている点が異なっている。However, the thickness of the recording layer 14 is 15 nm,
The thickness of the dielectric layer 16 is 60 nm, and the thickness of the reflection layer 18 is 1
20 nm, and the thickness of the first dielectric layer 12 is changed from 0 nm to 240 nm. That is, the difference is that the layer thickness of the second dielectric layer 16 is reduced from 100 nm in the first experiment to 60 nm.
【００４２】そして、この場合の記録層１４の未記録状
態にあるアモルファス相領域の反射率Ｒａ、記録状態に
ある結晶相領域の反射率Ｒｃ、及びモジュレーションＭ
を、上記第１の実験の場合と同様に計算すると、図４の
グラフに示されるようになった。In this case, the reflectance Ra of the amorphous phase region in the unrecorded state of the recording layer 14, the reflectance Rc of the crystalline phase region in the recorded state, and the modulation M
Was calculated in the same manner as in the case of the first experiment, and was as shown in the graph of FIG.
【００４３】この図４のグラフから明らかなように、第
１誘電体層１２の層厚がおよそ０〜７０ｎｍや、およそ
１４０〜２２０ｎｍにおいては、記録層１４の未記録状
態にあるアモルファス相領域の反射率Ｒａと記録状態に
ある結晶相領域の反射率Ｒｃとの間に、 Ｒａ＞Ｒｃ が成立する一方、第１誘電体層１２の層厚がおよそ７０
ｎｍ〜１４０ｎｍにおいては、 Ｒａ＜Ｒｃ が成立し、その大小関係が逆転する。即ち、第１誘電体
層１２の層厚の変化に応じて、未記録状態にあるアモル
ファス相領域の反射率Ｒａが記録状態にある結晶相領域
の反射率Ｒｃよりも大きくなったり、小さくなったりす
る。As is apparent from the graph of FIG. 4, when the thickness of the first dielectric layer 12 is about 0 to 70 nm or about 140 to 220 nm, the amorphous layer region in the unrecorded state of the recording layer 14 is formed. While Ra> Rc is satisfied between the reflectivity Ra and the reflectivity Rc of the crystalline phase region in the recording state, the thickness of the first dielectric layer 12 is about 70.
In the range of nm to 140 nm, Ra <Rc holds, and the magnitude relationship is reversed. That is, according to the change in the layer thickness of the first dielectric layer 12, the reflectance Ra of the amorphous phase region in the unrecorded state becomes larger or smaller than the reflectance Rc of the crystalline phase region in the recorded state. I do.
【００４４】（第４の実験）第４の実験に係る追記型で
且つ相変化型の光記録媒体は、上記第１の実験に係る光
記録媒体と基本的に同様の構造をなしており、その透明
基板１０、第１誘電体層１２、記録層１４、第２誘電体
層１６、反射層１８、及び紫外線硬化樹脂膜２０の材料
も同様の材料を使用しているため、その説明は省略す
る。(Fourth Experiment) The write-once and phase-change type optical recording medium according to the fourth experiment has basically the same structure as the optical recording medium according to the first experiment. Since the same material is used for the transparent substrate 10, the first dielectric layer 12, the recording layer 14, the second dielectric layer 16, the reflective layer 18, and the ultraviolet curable resin film 20, the description is omitted. I do.
【００４５】但し、記録層１４の層厚を１５ｎｍ、第２
誘電体層１６の層厚を２０ｎｍ、反射層１８の層厚を１
２０ｎｍとし、更に第１誘電体層１２の層厚を０ｎｍか
ら２４０ｎｍにまで変化させている。即ち、第２誘電体
層１６の層厚を上記第１の実験の場合の１００ｎｍから
２０ｎｍに薄くしている点が異なっている。However, the thickness of the recording layer 14 is 15 nm,
The thickness of the dielectric layer 16 is 20 nm, and the thickness of the reflective layer 18 is 1
20 nm, and the thickness of the first dielectric layer 12 is changed from 0 nm to 240 nm. That is, the difference is that the layer thickness of the second dielectric layer 16 is reduced from 100 nm in the first experiment to 20 nm.
【００４６】そして、この場合の記録層１４の未記録状
態にあるアモルファス相領域の反射率Ｒａ、記録状態に
ある結晶相領域の反射率Ｒｃ、及びモジュレーションＭ
を、上記第１の実験の場合と同様に計算すると、その図
示は省略するが、記録層１４の未記録状態にあるアモル
ファス相領域の反射率Ｒａと記録状態にある結晶相領域
の反射率Ｒｃとの間に、 Ｒａ＜Ｒｃ が常に成立する。即ち、第１誘電体層１２の層厚の変化
に拘らず、未記録状態にあるアモルファス相領域の反射
率Ｒａが記録状態にある結晶相領域の反射率Ｒｃよりも
常に小さくなる。In this case, the reflectance Ra of the amorphous phase region in the unrecorded state of the recording layer 14, the reflectance Rc of the crystalline phase region in the recorded state, and the modulation M
Is calculated in the same manner as in the first experiment, although not shown, the reflectance Ra of the amorphous phase region in the unrecorded state of the recording layer 14 and the reflectance Rc of the crystalline phase region in the recorded state are not shown. And Ra <Rc always holds. That is, regardless of the change in the thickness of the first dielectric layer 12, the reflectance Ra of the amorphous phase region in the unrecorded state is always smaller than the reflectance Rc of the crystalline phase region in the recorded state.
【００４７】以上のように第１〜第４の実験によれば、
第２誘電体層１６の層厚が、１００ｎｍ又は８０ｎｍで
ある場合には、第１誘電体層１２の層厚の変化に拘ら
ず、記録層１４の未記録状態にあるアモルファス相領域
の反射率Ｒａと記録状態にある結晶相領域の反射率Ｒｃ
との間に、 Ｒａ＞Ｒｃ が常に成立し、アモルファス相領域の反射率Ｒａが結晶
相領域の反射率Ｒｃよりも常に大きくなっている。As described above, according to the first to fourth experiments,
When the layer thickness of the second dielectric layer 16 is 100 nm or 80 nm, the reflectance of the amorphous phase region in the unrecorded state of the recording layer 14 regardless of the change in the layer thickness of the first dielectric layer 12. Ra and the reflectance Rc of the crystalline phase region in the recording state
And Ra> Rc always holds, and the reflectance Ra in the amorphous phase region is always higher than the reflectance Rc in the crystalline phase region.
【００４８】また、第２誘電体層１６の層厚が６０ｎｍ
である場合には、第１誘電体層１２の層厚の変化に応じ
て、アモルファス相領域の反射率Ｒａが結晶相領域の反
射率Ｒｃよりも大きくなったり、小さくなったりしてい
る。The thickness of the second dielectric layer 16 is 60 nm.
In this case, the reflectivity Ra of the amorphous phase region becomes larger or smaller than the reflectivity Rc of the crystalline phase region in accordance with the change in the layer thickness of the first dielectric layer 12.
【００４９】更に、第２誘電体層１６の層厚が２０ｎｍ
である場合には、アモルファス相領域の反射率Ｒａと結
晶相領域の反射率Ｒｃとの間に、 Ｒａ＜Ｒｃ が常に成立し、第１誘電体層１２の層厚の変化に拘ら
ず、アモルファス相領域の反射率Ｒａが結晶相領域の反
射率Ｒｃよりも常に小さくなっている。Further, the thickness of the second dielectric layer 16 is 20 nm.
In this case, Ra <Rc always holds between the reflectivity Ra of the amorphous phase region and the reflectivity Rc of the crystalline phase region, and regardless of the change in the layer thickness of the first dielectric layer 12, The reflectivity Ra of the phase region is always smaller than the reflectivity Rc of the crystalline phase region.
【００５０】即ち、第２誘電体層１６の層厚が厚くなる
につれて、アモルファス相領域の反射率Ｒａと結晶相領
域の反射率Ｒｃとの間に、 Ｒａ＜Ｒｃ が常に成立するようになる傾向がある。That is, as the thickness of the second dielectric layer 16 increases, Ra <Rc tends to always hold between the reflectance Ra in the amorphous phase region and the reflectance Rc in the crystalline phase region. There is.
【００５１】そして、この傾向を更に詳細に調べていっ
た結果、第２誘電体層１６の屈折率をｎ、その層厚をｄ
（単位ｎｍ）としたとき、これらｎとｄとの積ｎｄが、 ｎｄ＞１３０ｎｍ を満足すると、アモルファス相領域の反射率Ｒａと結晶
相領域の反射率Ｒｃとの間に、 Ｒａ＜Ｒｃ が常に成立することが判明した。As a result of examining this tendency in more detail, the refractive index of the second dielectric layer 16 was set to n, and the thickness of the second dielectric layer 16 was set to d.
When the product nd of these n and d satisfies nd> 130 nm, the relationship Ra <Rc between the reflectance Ra in the amorphous phase region and the reflectance Rc in the crystalline phase region is always expressed as (unit: nm). It turned out to hold.
【００５２】（第５の実験）第５の実験に係る追記型で
且つ相変化型の光記録媒体は、上記第１の実験に係る光
記録媒体と基本的に同様の構造をなしており、その積層
構造をなす各層の層厚も同様であるため、その説明は省
略する。(Fifth Experiment) The write-once and phase-change optical recording medium according to the fifth experiment has basically the same structure as the optical recording medium according to the first experiment. The same applies to the layer thickness of each layer forming the laminated structure, and therefore, the description thereof is omitted.
【００５３】また、透明基板１０、第１誘電体層１２、
記録層１４、第２誘電体層１６、反射層１８、及び紫外
線硬化樹脂膜２０の各層の材料も、上記第１の実験に係
る光記録媒体と基本的に同様に、透明基板１０としてポ
リカーボネート基板を使用し、第１誘電体層１２として
ＺｎＳ−ＳｉＯ2 層を使用し、記録層１４としてＡｇＩ
ｎＳｂＴｅ層を使用し、第２誘電体層１６としてＡｌＮ
層を使用し、反射層１８としてＡｌ−Ｔｉ層を使用して
いるが、記録層１４として使用しているＡｇＩｎＳｂＴ
ｅ層にＮ（窒素）を添加している点が異なっている。The transparent substrate 10, the first dielectric layer 12,
The material of each layer of the recording layer 14, the second dielectric layer 16, the reflective layer 18, and the ultraviolet curable resin film 20 is basically the same as that of the optical recording medium according to the first experiment. , A ZnS—SiO 2 layer as the first dielectric layer 12, and an AgI layer as the recording layer 14.
An nSbTe layer is used, and AlN is used as the second dielectric layer 16.
Layer, and an Al—Ti layer is used as the reflection layer 18, but the AgInSbT used as the recording layer 14 is used.
The difference is that N (nitrogen) is added to the e layer.
【００５４】この記録層１４へのＮの添加は、第１誘電
体層１２上にＡｇＩｎＳｂＴｅ層からなる記録層１４を
スパッタ法により形成する際に、適量のＮ2 （窒素）ガ
スを流す方法により行う。ここでは、具体的には、Ａｇ
ＩｎＳｂＴｅ層のスパッタの際に、流量３ｓｃｃｍのＮ
2 ガスを流すことにより、ＡｇＩｎＳｂＴｅ層からなる
記録層１４にＮを添加した。The addition of N to the recording layer 14 is performed by flowing an appropriate amount of N 2 (nitrogen) gas when the recording layer 14 made of an AgInSbTe layer is formed on the first dielectric layer 12 by sputtering. . Here, specifically, Ag
At the time of sputtering the InSbTe layer, N was supplied at a flow rate of 3 sccm.
By flowing 2 gases, N was added to the recording layer 14 composed of the AgInSbTe layer.
【００５５】そして、この場合の記録層１４へのレーザ
光照射により情報の記録を行う際の結晶化転移温度Ｔｃ
を測定すると、ＡｇＩｎＳｂＴｅ層からなる記録層１４
にＮを添加しなかった上記第１の実験に係る光記録媒体
の場合の結晶化転移温度Ｔｃが、 Ｔｃ＝２００℃程度 であるのに対し、ＡｇＩｎＳｂＴｅ層をスパッタ形成す
る際に流量３ｓｃｃｍのＮ2 ガスを流してＡｇＩｎＳｂ
Ｔｅ層からなる記録層１４にＮを添加した本第５の実験
に係る光記録媒体の場合の結晶化転移温度Ｔｃは、 Ｔｃ＝２７０℃程度 に上昇した。In this case, the crystallization transition temperature Tc at the time of recording information by irradiating the recording layer 14 with laser light.
Is measured, the recording layer 14 composed of the AgInSbTe layer is measured.
The crystallization transition temperature Tc in the case of the optical recording medium according to the first experiment in which N was not added was Tc = about 200 ° C., whereas N 2 at a flow rate of 3 sccm was formed when the AgInSbTe layer was formed by sputtering. AgInSb with flowing gas
The crystallization transition temperature Tc of the optical recording medium according to the fifth experiment in which N was added to the recording layer 14 composed of a Te layer was increased to about Tc = 270 ° C.
【００５６】このように第５の実験によれば、ＡｇＩｎ
ＳｂＴｅ層からなる記録層１４にＮが添加されると、結
晶化転移温度Ｔｃが上昇した。そして、追記型で且つ相
変化型の光記録媒体においては、情報を長期に保存する
際の熱劣化は結晶化転移温度Ｔｃに依存するため、結晶
化転移温度Ｔｃが高ければ高い程、光記録媒体としての
熱的に安定になる。従って、ＡｇＩｎＳｂＴｅ層からな
る記録層１４にＮを添加することにより、情報の長期保
存における熱的な安定性を確保することができる。As described above, according to the fifth experiment, AgIn
When N was added to the recording layer 14 composed of the SbTe layer, the crystallization transition temperature Tc increased. In a write-once and phase-change optical recording medium, the thermal degradation when information is stored for a long time depends on the crystallization transition temperature Tc. Therefore, the higher the crystallization transition temperature Tc, the higher the optical recording. It becomes thermally stable as a medium. Therefore, by adding N to the recording layer 14 made of the AgInSbTe layer, it is possible to secure the thermal stability in the long-term storage of information.
【００５７】[0057]
【実施例】上記第１〜第５の実験に基づいて、次のよう
な最良の条件を具備する実施例に係る光記録媒体として
の光ディスクを作製した。即ち、ランド・グルーブを設
けたポリカーボネート基板からなる透明基板１０上に、
スパッタ法により層厚６０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 層か
らなる第１誘電体層１２を形成する。続いて、この第１
誘電体層１２上に、スパッタ法により層厚１６ｎｍのＡ
ｇＩｎＳｂＴｅ層を形成すると共に、その際に流量０．
５ｓｃｃｍのＮ2 ガスを流して、ＡｇＩｎＳｂＴｅ層中
にＮを添加した記録層１４を形成する。EXAMPLES On the basis of the first to fifth experiments, an optical disk as an optical recording medium according to an example having the following best conditions was manufactured. That is, on a transparent substrate 10 made of a polycarbonate substrate provided with lands and grooves,
A first dielectric layer 12 made of a ZnS-SiO2 layer having a thickness of 60 nm is formed by a sputtering method. Then, this first
A 16 nm thick A layer is formed on the dielectric layer 12 by sputtering.
A gInSbTe layer is formed, and at that time, a flow rate of 0.1 gSbTe is used.
The recording layer 14 in which N is added to the AgInSbTe layer is formed by flowing 5 sccm N2 gas.
【００５８】続いて、この記録層１４上に、スパッタ法
により層厚１００ｎｍのＡｌＮ層からなる第２誘電体層
１６を形成する。続いて、この第２誘電体層１６上に、
スパッタ法により層厚１５０ｎｍのＡｌ−Ｔｉ層からな
る反射層１８を形成する。その後、この反射層１８上
に、紫外線硬化樹脂膜２０をスピンコートして、その表
面を保護する。こうして光ディスクを作製した。Subsequently, a second dielectric layer 16 made of an AlN layer having a thickness of 100 nm is formed on the recording layer 14 by a sputtering method. Subsequently, on this second dielectric layer 16,
The reflection layer 18 made of an Al-Ti layer having a thickness of 150 nm is formed by a sputtering method. Thereafter, an ultraviolet curable resin film 20 is spin-coated on the reflective layer 18 to protect the surface. Thus, an optical disk was manufactured.
【００５９】そして、こうして作製した光ディスクを線
速３．５ｍ／秒で回転し、トラック上に２０ＭＨｚの信
号を記録した。このとき、レーザ波長λは、 λ＝６３５ｎｍ に、対物レンズの開口数ＮＡは、 ＮＡ＝０．６ に、記録パワーＰは、 Ｐ＝８ｍＷ に、それぞれ設定した。Then, the optical disk thus produced was rotated at a linear velocity of 3.5 m / sec, and a signal of 20 MHz was recorded on the track. At this time, the laser wavelength λ was set to 635 nm, the numerical aperture NA of the objective lens was set to NA = 0.6, and the recording power P was set to P = 8 mW.
【００６０】そして、この光ディスクの再生信号から
は、記録層１４の未記録状態にあるアモルファス相領域
の反射率Ｒａとして、 Ｒａ＝２８％ の値を得ることができ、記録状態にある結晶相領域の反
射率Ｒｃとして、 Ｒｃ＝９％ の値を得ることができ、モジュレーションＭとして、 Ｍ＝６８％ の値を得ることができた。From the reproduced signal of this optical disk, a value of Ra = 28% can be obtained as the reflectance Ra of the amorphous phase region in the unrecorded state of the recording layer 14, and the crystalline phase region in the recorded state can be obtained. As a reflectance Rc, a value of Rc = 9% could be obtained, and as a modulation M, a value of M = 68% could be obtained.
【００６１】[0061]
【発明の効果】以上詳細に説明した通り、本発明に係る
光記録媒体によれば、次のような効果を奏することがで
きる。即ち、請求項１に係る光記録媒体によれば、透明
基板上に、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、及び
反射層が順に積層され、記録層のレーザ光照射に伴うア
モルファス相から結晶相への相変化により情報の結晶化
記録を行う光記録媒体であって、屈折率ｎの第２誘電体
層の層厚ｄが、 ｎｄ＞１３０ｎｍ が成立する程に十分に厚いことにより、記録層における
アモルファス相領域の反射率Ｒａと結晶相領域の反射率
Ｒｃとの間に、 Ｒａ＞Ｒｃ が成立し、アモルファス相領域の反射率Ｒａが結晶相領
域の反射率Ｒｃよりも大きくなるため、Ｈｉｇｈ ｔｏ
Ｌｏｗディスクによる結晶化記録を実現することがで
き、サーボ系の制御を従来の場合と同様に容易に行うこ
とができる。また、記録層におけるアモルファス相領域
の反射率Ｒａと結晶相領域の反射率Ｒｃとの差（Ｒａ−
Ｒｃ）も大きくなるため、再生信号のＣＮ比を高くとる
ことが可能になり、記録再生特性を向上させることがで
きる。As described in detail above, according to the optical recording medium of the present invention, the following effects can be obtained. That is, according to the optical recording medium of the first aspect, the first dielectric layer, the recording layer, the second dielectric layer, and the reflective layer are sequentially laminated on the transparent substrate, and the recording layer is irradiated with laser light. An optical recording medium for performing crystallization recording of information by a phase change from an amorphous phase to a crystalline phase, wherein the thickness d of the second dielectric layer having a refractive index n is sufficiently large such that nd> 130 nm is satisfied. Thereby, Ra> Rc is established between the reflectance Ra of the amorphous phase region and the reflectance Rc of the crystalline phase region in the recording layer, and the reflectance Ra of the amorphous phase region is larger than the reflectance Rc of the crystalline phase region. High to
Crystallization recording using a Low disk can be realized, and servo system control can be performed easily as in the conventional case. In addition, the difference (Ra−) between the reflectance Ra of the amorphous phase region and the reflectance Rc of the crystalline phase region in the recording layer.
Rc) also increases, so that it is possible to increase the CN ratio of the reproduction signal, and it is possible to improve the recording / reproduction characteristics.
【００６２】しかも、このとき、第２誘電体層が高熱伝
導率をもつ窒化物誘電体材料からなることにより、第２
誘電体層の層厚が十分に厚くても、記録層にレーザ光を
照射して記録する際の発生する熱が反射層に容易に放熱
されて、記録層の冷却が急速になされるため、高密度な
情報の記録を支障なく行うことができる。Further, at this time, the second dielectric layer is made of a nitride dielectric material having a high thermal conductivity, so that the second dielectric layer has a high thermal conductivity.
Even if the thickness of the dielectric layer is sufficiently large, the heat generated when recording and irradiating the recording layer with laser light is easily dissipated to the reflective layer, and the recording layer is rapidly cooled. High-density information can be recorded without any trouble.
【００６３】また、請求項３に係る光記録媒体によれ
ば、記録層のアモルファス相が成膜後のアズデポシショ
ン状態のアモルファス相であることにより、特に記録層
をアモルファス相とするための処理を施す必要がないた
め、その作成が容易になり、プロセスも簡略化すること
ができる。According to the optical recording medium of the third aspect, since the amorphous phase of the recording layer is an amorphous phase in an as-deposited state after the film is formed, a process for converting the recording layer into an amorphous phase is performed. Since it is not necessary to perform the process, its creation is facilitated and the process can be simplified.
【００６４】また、請求項４に係る光記録媒体によれ
ば、記録層がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、又はＴｅを主成分とす
る材料からなることにより、記録層のレーザ光照射に伴
うアモルファス相から結晶相への相変化による光学定数
の変化が大きくなるために、再生信号のＣＮ比を十分に
高くとることが可能になり、記録再生特性を向上させる
ことができる。According to the optical recording medium of the fourth aspect, the recording layer is made of a material containing Ag, In, Sb, or Te as a main component. Since the change in the optical constant due to the phase change to the crystal phase increases, the CN ratio of the reproduction signal can be made sufficiently high, and the recording / reproduction characteristics can be improved.
【００６５】また、請求項５に係る光記録媒体によれ
ば、記録層にＮが添加されていることにより、記録層に
レーザ光を照射して情報の記録を行う際の結晶化転移温
度が高くなるため、情報が記録された光記録媒体の熱的
な安定性を確保して、情報の長期保存性を向上させるこ
とができる。According to the optical recording medium of the fifth aspect, since N is added to the recording layer, the crystallization transition temperature at the time of recording information by irradiating the recording layer with laser light is reduced. As a result, the thermal stability of the optical recording medium on which information is recorded can be ensured, and the long-term storability of information can be improved.
【図１】本発明の一実施形態に係る光記録媒体を示す断
面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an optical recording medium according to an embodiment of the present invention.
【図２】第１の実験に係る追記型で且つ相変化型の光記
録媒体における記録層のアモルファス相領域の反射率Ｒ
ａ、結晶相領域の反射率Ｒｃ、及びモジュレーションＭ
と第１誘電体層の層厚との関係を示すグラフである。FIG. 2 shows a reflectance R of an amorphous phase region of a recording layer in a write-once and phase-change optical recording medium according to a first experiment.
a, the reflectance Rc of the crystal phase region, and the modulation M
4 is a graph showing the relationship between the thickness of a first dielectric layer and the thickness of the first dielectric layer.
【図３】第２の実験に係る追記型で且つ相変化型の光記
録媒体における記録層のアモルファス相領域の反射率Ｒ
ａ、結晶相領域の反射率Ｒｃ、及びモジュレーションＭ
と第１誘電体層の層厚との関係を示すグラフである。FIG. 3 shows a reflectance R of an amorphous phase region of a recording layer in a write-once and phase-change optical recording medium according to a second experiment.
a, the reflectance Rc of the crystal phase region, and the modulation M
4 is a graph showing the relationship between the thickness of a first dielectric layer and the thickness of the first dielectric layer.
【図４】第３の実験に係る追記型で且つ相変化型の光記
録媒体における記録層のアモルファス相領域の反射率Ｒ
ａ、結晶相領域の反射率Ｒｃ、及びモジュレーションＭ
と第１誘電体層の層厚との関係を示すグラフである。FIG. 4 shows a reflectance R of an amorphous phase region of a recording layer in a write-once and phase-change optical recording medium according to a third experiment.
a, the reflectance Rc of the crystal phase region, and the modulation M
4 is a graph showing the relationship between the thickness of a first dielectric layer and the thickness of the first dielectric layer.
１０ 透明基板 １２ 第１誘電体層 １４ 記録層 １６ 第２誘電体層 １８ 反射層 ２０ 紫外線硬化樹脂膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Transparent substrate 12 1st dielectric layer 14 Recording layer 16 2nd dielectric layer 18 Reflection layer 20 UV curable resin film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３８ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３８Ｅ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G11B 7/24 538 G11B 7/24 538E
Claims (6)
第２誘電体層、及び反射層が順に積層され、前記記録層
のレーザ光照射に伴うアモルファス相から結晶相への相
変化により情報の結晶化記録を行う光記録媒体であっ
て、 前記第２誘電体層が窒化物誘電体材料からなり、 前記第２誘電体層の層厚をｄ、屈折率をｎとしたとき、 ｎｄ＞１３０ｎｍ が成立することを特徴とする光記録媒体。1. A first dielectric layer, a recording layer,
An optical recording medium in which a second dielectric layer and a reflective layer are sequentially stacked, and crystallization recording of information is performed by a phase change from an amorphous phase to a crystalline phase due to laser light irradiation of the recording layer, An optical recording medium, wherein the dielectric layer is made of a nitride dielectric material, and when the thickness of the second dielectric layer is d and the refractive index is n, nd> 130 nm is satisfied.
ＧａＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 、又はＢＮであることを特徴とする
光記録媒体。2. The optical recording medium according to claim 1, wherein the nitride dielectric material forming the second dielectric layer is AlN,
An optical recording medium characterized by being GaN, Si3 N4 or BN.
いて、 前記記録層のアモルファス相が、成膜後のアズデポシシ
ョン状態のアモルファス相であることを特徴とする光記
録媒体。3. The optical recording medium according to claim 1, wherein the amorphous phase of the recording layer is an as-deposited amorphous phase after film formation.
録媒体において、 前記記録層が、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、又はＴｅを主成分と
する材料からなることを特徴とする光記録媒体。4. The optical recording medium according to claim 1, wherein the recording layer is made of a material containing Ag, In, Sb, or Te as a main component. .
光記録媒体。5. The optical recording medium according to claim 4, wherein nitrogen is added to the recording layer.
録媒体において、 前記第１誘電体層が、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 層からなり、 前記反射層が、Ａｌ−Ｔｉ層からなることを特徴とする
光記録媒体。6. The optical recording medium according to claim 1, wherein said first dielectric layer comprises a ZnS--SiO2 layer, and said reflection layer comprises an Al--Ti layer. Optical recording medium.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11024629A JP2000222776A (en) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | Optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11024629A JP2000222776A (en) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | Optical recording medium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000222776A true JP2000222776A (en) | 2000-08-11 |
Family
ID=12143443
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP11024629A Pending JP2000222776A (en) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | Optical recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000222776A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1235213A2 (en) * | 2001-02-22 | 2002-08-28 | Eastman Kodak Company | Phase-change recording element for write once application |
| US6886177B2 (en) * | 2000-08-14 | 2005-04-26 | Ricoh Company, Ltd. | Phase-change type optical information recording medium |
-
1999
- 1999-02-02 JP JP11024629A patent/JP2000222776A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6886177B2 (en) * | 2000-08-14 | 2005-04-26 | Ricoh Company, Ltd. | Phase-change type optical information recording medium |
| EP1235213A2 (en) * | 2001-02-22 | 2002-08-28 | Eastman Kodak Company | Phase-change recording element for write once application |
| US6497988B2 (en) * | 2001-02-22 | 2002-12-24 | Eastman Kodak Company | Phase-change recording element for write once applications |
| EP1235213A3 (en) * | 2001-02-22 | 2007-09-05 | Eastman Kodak Company | Phase-change recording element for write once application |
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