JP2000222726A - Production of recording medium and recording medium - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently produce a recording medium having good characteristics. SOLUTION: A nonconductive substrate 2 held by a pedestalate 1 is introduced into a chamber on which a NiP layer is formed by sputtering. Then the substrate is introduced to the next chamber, on which gas is blown through a nozzle 5 while the substrate 2 is rotated to bring the NiP layer into contact with claws 3 of the pedestalate 1. Then layers are formed by the sputtering in the successive chambers. In this process, bias voltage is applied on the NiP layer through the 1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体等の
ディスク状の記録媒体と、その製造方法に関する。The present invention relates to a disk-shaped recording medium such as a magnetic recording medium and a method for manufacturing the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】ディスク状の磁気記録媒体は、周知の通
りアルミ合金やガラス等の非磁性のディスク状の基板の
上にＣｏ合金等の磁性層を形成したものであり、通常は
この磁性層の下側に非磁性下地膜が形成され、上側に保
護膜や潤滑膜などが形成されている。2. Description of the Related Art As is well known, a disk-shaped magnetic recording medium is formed by forming a magnetic layer such as a Co alloy on a non-magnetic disk-shaped substrate such as an aluminum alloy or glass. On the lower side, a non-magnetic underlayer is formed, and on the upper side, a protective film, a lubricating film, and the like are formed.

【０００３】この磁性層等を形成する場合、基板を保持
部材にて保持してスパッタ、蒸着、プラズマＣＶＤ、イ
オンプレーティング等の薄膜形成方法によって薄膜を成
膜している。この保持部材としてはディスク保持用の爪
を有したペデステレートと称されるホルダが用いられて
いる。ディスク状基板は、板面が上下方向となるように
該ペデステレート上に起立状態にて保持され、複数の成
膜用チャンバ内を順次に移動し、該チャンバ内において
それぞれ潤滑膜以外の各薄膜の成膜が行なわれる。When the magnetic layer or the like is formed, a substrate is held by a holding member and a thin film is formed by a thin film forming method such as sputtering, vapor deposition, plasma CVD, or ion plating. As the holding member, a holder called a pedestrate having a claw for holding a disk is used. The disk-shaped substrate is held in an upright state on the pedestalate such that the plate surface is in the up-down direction, sequentially moves in a plurality of film forming chambers, and each thin film except the lubricating film is moved in the chamber. Film formation is performed.

【０００４】従来の成膜工程にあっては、基板はその周
方向には回転はされず、同一姿勢を保った状態にて成膜
される。上記の爪付きのペデステレートに対してはディ
スク上基板の外周縁部が係合するため、成膜工程の間
中、基板の外周縁部のうち該爪で覆われる部分には薄膜
が全く又は殆ど形成されない。In the conventional film forming process, the substrate is not rotated in the circumferential direction, but is formed in the same posture. Since the outer peripheral portion of the substrate on the disk is engaged with the pedestrate having the above-mentioned claw, no or almost no thin film is formed on the portion of the outer peripheral portion of the substrate covered with the claw during the film forming process. Not formed.

【０００５】なお、とくにスパッタリングにより成膜す
る場合、基板にバイアス電圧を印加することが通常であ
る。このバイアス電圧を印加することにより析出粒子径
が小さく緻密な薄膜を成膜できる。When a film is formed by sputtering, a bias voltage is usually applied to the substrate. By applying this bias voltage, a dense thin film having a small precipitated particle diameter can be formed.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】基板がアルミ、アルミ
合金等の導電性材料よりなる場合は、導電性保持部材を
介して基板にバイアス電圧を印加することができるが、
基板がガラス等の非導電性材料よりなる場合はそのまま
ではバイアス電圧を印加することはできない。そこで、
ガラス全体に導電性メッキを施した後、成膜工程に送る
ことがあるが、メッキコストがかなり嵩む。When the substrate is made of a conductive material such as aluminum or an aluminum alloy, a bias voltage can be applied to the substrate via a conductive holding member.
When the substrate is made of a non-conductive material such as glass, a bias voltage cannot be applied as it is. Therefore,
After the entire glass is subjected to conductive plating, it may be sent to a film forming process, but the plating cost is considerably increased.

【０００７】本発明は、非導電性基板に対し低コストに
て緻密な薄膜を成膜し、安価で高特性の記録媒体を製造
することができるようにすることを目的とする。An object of the present invention is to form a dense thin film at low cost on a non-conductive substrate so that a low-cost and high-performance recording medium can be manufactured.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の記録媒体の製造
方法は、導電性保持部材によって保持された非導電性デ
ィスク状の基板の板面に導電性薄膜を成膜した後、記録
層薄膜を成膜する工程を有する記録媒体の製造方法であ
って、該導電性薄膜を成膜した後、該導電性薄膜と該導
電性保持部材とを接触させてその後の成膜を行うことを
特徴とするものである。According to a method of manufacturing a recording medium of the present invention, a conductive thin film is formed on a surface of a non-conductive disk-shaped substrate held by a conductive holding member, and then a recording layer thin film is formed. A method of manufacturing a recording medium having a step of forming a conductive film, wherein the conductive thin film is formed, and then the conductive thin film is brought into contact with the conductive holding member to perform subsequent film formation. It is assumed that.

【０００９】かかる本発明の方法によると、非導電性基
板上に導電性薄膜を形成した後、記録層薄膜等を成膜す
るため、この記録層薄膜の成膜時に基板に対しバイアス
電圧を印加することができる。According to the method of the present invention, after forming a conductive thin film on a non-conductive substrate, a recording layer thin film or the like is formed. can do.

【００１０】本発明方法では、この導電性薄膜の成膜後
に導電性保持部材と基板とを接触させるため、導電性保
持部材を介して導電性薄膜にバイアス電圧を印加でき
る。In the method of the present invention, a bias voltage can be applied to the conductive thin film via the conductive holding member because the conductive holding member is brought into contact with the substrate after the formation of the conductive thin film.

【００１１】この導電性保持部材と導電性薄膜とを接触
させるためには、該導電性薄膜を成膜後、基板をその周
方向に回転させるのが好ましい。In order to bring the conductive holding member into contact with the conductive thin film, it is preferable to rotate the substrate in the circumferential direction after forming the conductive thin film.

【００１２】基板を周方向に回転させるには、例えば、
基板の外周縁部を保持し、且つ基板をその周方向に回転
可能に保持しておき、基板に回転力を与えるのが好まし
い。To rotate the substrate in the circumferential direction, for example,
It is preferable that the outer peripheral edge of the substrate is held and the substrate is held so as to be rotatable in the circumferential direction, and a rotational force is applied to the substrate.

【００１３】この回転力を付与するには、基板の板面に
ガスを吹き付けるのが好ましいが、基板に接触して回転
力を与える部材などを用いてもよい。このガスとして
は、成膜装置内の雰囲気ガスや原料ガス、あるいは成膜
に障害を与えない非反応性ガスなどが好ましい。なお、
成膜用チャンバとは別の箇所にて基板を回転させる場合
には、このガスとして空気を用いても良い。この空気と
してはフィルタ等によって除塵されたものが好ましい。In order to apply the rotational force, it is preferable to blow a gas onto the plate surface of the substrate, but a member or the like which contacts the substrate and applies the rotational force may be used. The gas is preferably an atmosphere gas or a source gas in the film forming apparatus, or a non-reactive gas that does not impair the film formation. In addition,
When the substrate is rotated at a location different from the film forming chamber, air may be used as the gas. This air is preferably air that has been removed by a filter or the like.

【００１４】基板に接触して回転を与える部材として
は、ローラや無端回転ベルト、あるいは超音波モータ等
が挙げられる。また、基板の外周縁に沿って往復動する
圧電素子やバネ等の部材を用いることもできる。基板を
保持する部材それ自体を超音波モータとしても良い。Examples of the member that rotates by contacting the substrate include a roller, an endless rotating belt, and an ultrasonic motor. Further, a member such as a piezoelectric element or a spring that reciprocates along the outer peripheral edge of the substrate can be used. The member for holding the substrate itself may be an ultrasonic motor.

【００１５】基板は、その導電性薄膜成膜時の爪位置と
回転後の爪位置とが異なり、その結果として成膜された
導電性薄膜が導電性保持部材と接触するように所定回転
角度だけ回転されるのが好ましい。基板を所定角度だけ
回転させるためには、例えばディスクの記録領域と全く
関係ない部分、例えば、チャンファ部などに光沢の違う
箇所を作り、それを反射式センサーで読みとることによ
り回転角度を検知し、この検知回転角度が所定角度とな
るようにガス吹付時間を制御する方法等を採用すること
ができる。The claw position of the substrate when the conductive thin film is formed and the claw position after the rotation are different from each other, and as a result, the conductive thin film formed by the predetermined rotation angle is brought into contact with the conductive holding member. Preferably it is rotated. In order to rotate the substrate by a predetermined angle, for example, a part that has nothing to do with the recording area of the disc, such as a chamfer part, creates a part with a different gloss, and reads it with a reflective sensor to detect the rotation angle, A method of controlling the gas blowing time such that the detected rotation angle becomes a predetermined angle can be adopted.

【００１６】[0016]

【発明の実施の形態】本発明の記録媒体が磁気記録媒体
である場合、その非磁性基板としては、通常のソーダガ
ラス、ソーダライムガラス、アルミノシリケート系ガラ
ス、硼珪酸ガラス、結晶化ガラス等のガラス類、セラミ
ックス、各種樹脂からなる基板など、非導電性の非磁性
基板であれば任意のものを用いることができる。中でも
結晶化ガラス等のガラス基板を用いることが好ましい。
この基板は中央に孔があいたリング形状のものである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION When the recording medium of the present invention is a magnetic recording medium, the non-magnetic substrate may be a soda glass, a soda lime glass, an aluminosilicate glass, a borosilicate glass, a crystallized glass or the like. Any non-conductive non-magnetic substrate such as a substrate made of glass, ceramics, and various resins can be used. Among them, it is preferable to use a glass substrate such as crystallized glass.
This substrate has a ring shape with a hole in the center.

【００１７】磁気ディスクの製造工程においては、まず
基板の洗浄・乾燥が行われるのが通常であり、本発明に
おいても各層の密着性を確保する見地からもその形成前
に洗浄、乾燥を行うことが望ましい。In the manufacturing process of the magnetic disk, it is usual to wash and dry the substrate first, and in the present invention, from the viewpoint of ensuring the adhesion of each layer, it is necessary to wash and dry the substrate before its formation. Is desirable.

【００１８】本発明の磁気記録媒体の製造に際しては、
非導電性の非磁性基板表面に非磁性の導電性薄膜を形成
する。In manufacturing the magnetic recording medium of the present invention,
A non-magnetic conductive thin film is formed on a non-conductive non-magnetic substrate surface.

【００１９】この非磁性導電性薄膜としては、ＮｉＰ
（ニッケルリン）が好ましいが、Ｃｒ、Ａｌ、ＮｉＡｌ
合金等であっても良くこれらを組み合わせても良い。As the non-magnetic conductive thin film, NiP
(Nickel phosphorus) is preferred, but Cr, Al, NiAl
It may be an alloy or the like, or a combination thereof.

【００２０】非磁性導電性薄膜を形成する手法として
は、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法など薄膜
形成に用いられる方法を利用することができるが、スパ
ッタリングが好ましい。この成膜時には、該基板を導電
性保持部材にて保持しておき、好ましくは基板板面が略
鉛直となるように起立させ、基板の両面に成膜を行う。
非磁性導電性薄膜の膜厚は５０ｎｍ以上あればよい。た
だし、磁気ディスク媒体の生産性などを考慮すると５０
ｎｍ以上２０，０００ｎｍ以下であることが好ましい。
さらに好ましくは１００ｎｍ以上１５，０００ｎｍ以下
である。As a method for forming the nonmagnetic conductive thin film, a method used for forming a thin film such as a sputtering method, a vacuum deposition method, and a CVD method can be used, but sputtering is preferable. At the time of film formation, the substrate is held by a conductive holding member, and preferably, the substrate is erected so that the surface of the substrate is substantially vertical, and film formation is performed on both surfaces of the substrate.
The thickness of the nonmagnetic conductive thin film may be 50 nm or more. However, considering the productivity of magnetic disk media, etc.
It is preferably not less than nm and not more than 20,000 nm.
More preferably, it is 100 nm or more and 15,000 nm or less.

【００２１】基板表面、又は非磁性導電性薄膜が形成さ
れた基板表面にテキスチャリング例えば同心状テキスチ
ャリングを施しても良い。同心状テキスチャリングと
は、例えば遊離砥粒とテキスチャーテープを使用した機
械式テキスチャリングやレーザー光線などを利用したテ
キスチャリング加工、又はこれらを併用して円周方向に
研磨することにより、基板円周方向に微小溝を多数形成
することを指称する。The surface of the substrate or the surface of the substrate on which the nonmagnetic conductive thin film is formed may be subjected to texturing, for example, concentric texturing. Concentric texturing is, for example, mechanical texturing using loose abrasive grains and texture tape, texturing using laser light, or the like, or by polishing them together in the circumferential direction, in the circumferential direction of the substrate. To form a large number of microgrooves.

【００２２】機械的テキスチャリングを施すための遊離
砥粒の種類としてはダイアモンド砥粒、中でも表面がグ
ラファイト化処理されているものが好ましい。機械的テ
キスチャリングに用いられる砥粒としては他にアルミナ
砥粒が広く用いられているが、特にテキスチャリング溝
に沿って磁化容易軸を配向させるという観点から考える
とダイアモンド砥粒が極めて良い性能を発揮する。この
原因については現在のところ明確にはなっていないが、
極めて再現性の良い結果が得られている。As the type of free abrasive grains for performing mechanical texturing, diamond abrasive grains, particularly those whose surfaces have been subjected to a graphitization treatment, are preferred. Alumina abrasive grains are widely used as abrasive grains used in mechanical texturing, but diamond abrasive grains have extremely good performance, especially from the viewpoint of orienting the axis of easy magnetization along the texturing grooves. Demonstrate. The cause is not clear at this time,
Extremely reproducible results have been obtained.

【００２３】基板の表面は、表面粗さ（Ｒａ）がどのよ
うな値をとっても本発明の効果には基本的には影響ない
が、ヘッド浮上量ができるだけ小さいことが高密度磁気
記録の実現には有効であり、またこれら基板の特徴のひ
とつが優れた表面平滑性にあることから、基板表面のＲ
ａは２ｎｍ以下、さらには１ｎｍ以下であることが好ま
しく、中でも０．５ｎｍ以下であることが好ましい。た
だし、このＲａは、触針式表面粗さ計を用いて測定した
場合をいうものとする。このとき測定用の針の先端は半
径０．２μｍ程度の大きさのものが使用される。The surface of the substrate has basically no effect on the effect of the present invention no matter what value the surface roughness (Ra) takes, but the fact that the head flying height is as small as possible is necessary for realizing high density magnetic recording. Is effective, and one of the features of these substrates is excellent surface smoothness.
a is preferably 2 nm or less, more preferably 1 nm or less, and particularly preferably 0.5 nm or less. However, this Ra shall mean the case where it measures using the stylus type surface roughness meter. At this time, the tip of the needle for measurement has a radius of about 0.2 μm.

【００２４】磁気記録媒体の場合、非磁性基板上又は前
記非磁性導電性薄膜上には、必要に応じてＣｒ層、Ｃｒ
を主成分とするＣｒ合金層、酸化クロム層、Ｃｕ層等の
中間層を形成した後、磁性層を形成する。In the case of a magnetic recording medium, if necessary, a Cr layer, a Cr layer may be formed on the nonmagnetic substrate or the nonmagnetic conductive thin film.
After forming an intermediate layer such as a Cr alloy layer, a chromium oxide layer, and a Cu layer, the magnetic layer is formed.

【００２５】なお、この中間層としては、純Ｃｒ層の
他、磁性層との結晶マッチングなどの目的でＣｒにＶ、
Ｔｉ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｓ
ｉ、Ｃｕ、Ｂなどの第二、第三元素を添加した合金層
や、酸化Ｃｒ層が好ましい。中でも純Ｃｒ層やＴｉ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｖ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＨｆを有する
Ｃｒ合金層が好ましい。これら第二、第三元素の含有量
はそれぞれの元素によって最適な量が異なるが、一般に
は１原子％〜５０原子％、好ましくは５原子％〜３０原
子％、さらに好ましくは５原子％〜２０原子％の範囲で
ある。As the intermediate layer, in addition to a pure Cr layer, V and V are used for the purpose of crystal matching with the magnetic layer.
Ti, Mo, Zr, Hf, Ta, W, Ge, Nb, S
An alloy layer to which second and third elements such as i, Cu, and B are added, and a Cr oxide layer are preferable. Above all, pure Cr layer, Ti, M
A Cr alloy layer containing o, W, V, Ta, Si, Nb, Zr and Hf is preferable. The content of the second and third elements varies depending on the respective elements, but is generally 1 atomic% to 50 atomic%, preferably 5 atomic% to 30 atomic%, more preferably 5 atomic% to 20 atomic%. Atomic% range.

【００２６】中間層の膜厚は異方性を発現させ得るに十
分なものであればよく、通常は０．１〜５０ｎｍであ
り、好ましくは０．３〜３０ｎｍ、さらに好ましくは
０．５〜１０ｎｍである。Ｃｒを主成分とする金属膜の
成膜時には基板加熱を行っても行わなくてもよい。The thickness of the intermediate layer may be sufficient so as to exhibit anisotropy, and is usually 0.1 to 50 nm, preferably 0.3 to 30 nm, and more preferably 0.5 to 30 nm. 10 nm. Substrate heating may or may not be performed when forming a metal film containing Cr as a main component.

【００２７】磁性層としては、通常、純ＣｏやＣｏ−
Ｐ、Ｃｏ−Nｉ−Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｓｍ、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ、Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔなどの磁性材
料として一般に用いられるＣｏ合金磁性材料を用いるの
が好ましい。これらのＣｏ合金に更にＮｉ、Ｃｒ、Ｐ
ｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｂなどの元素やＳｉＯ₂等の化合物を加
えたものでも良い。Ｃｏ合金磁性層の膜厚は任意である
が、通常１０〜１００ｎｍ、好ましくは３０〜７０ｎｍ
である。The magnetic layer is usually made of pure Co or Co-
P, Co-Ni-P, Co-Ni, Co-Sm, Co-
Cr-Ta, Co-Ni-Cr, Co-Ni-Pt, C
It is preferable to use a Co alloy magnetic material generally used as a magnetic material such as o-Cr-Pt or Co-Cr-Ta-Pt. Ni, Cr, P
A material to which an element such as t, Ta, W, or B or a compound such as SiO ₂ is added may be used. The thickness of the Co alloy magnetic layer is arbitrary, but is usually 10 to 100 nm, preferably 30 to 70 nm.
It is.

【００２８】なお、上記の磁性層を２種以上の積層構造
としても良い。Ｃｒを主成分とする下地層と磁性層との
間に非磁性ＣｏＣｒ等の中間層を設けても良い。The magnetic layer may have a laminated structure of two or more types. An intermediate layer of non-magnetic CoCr or the like may be provided between the underlayer containing Cr as a main component and the magnetic layer.

【００２９】磁気記録媒体の各層を形成する成膜方法と
しては任意であるが、例えば直流（マグネトロン）スパ
ッタリング法、高周波（マグネトロン）スパッタリング
法、ＥＣＲスパッタリング法、真空蒸着法などの物理的
蒸着法が挙げられる。The film forming method for forming each layer of the magnetic recording medium is optional. For example, physical vapor deposition methods such as direct current (magnetron) sputtering, high frequency (magnetron) sputtering, ECR sputtering, and vacuum deposition are used. No.

【００３０】又、成膜時の条件としても特に制限はな
く、到達真空度、基板加熱の方式と基板温度、スパッタ
リングガス圧、バイアス電圧等は、成膜装置により適宜
決定すればよい。例えば、スパッタリング成膜では、通
常の場合、到達真空度は１×１０^-6Ｔｏｒｒ以下、基板
温度は室温〜４００℃、スパッタリングガス圧は１×１
０^-3〜２０×１０^-3Ｔｏｒｒ、バイアス電圧は一般的に
は０〜−５００Ｖである。The conditions for the film formation are not particularly limited, and the ultimate degree of vacuum, the method of heating the substrate and the substrate temperature, the sputtering gas pressure, the bias voltage and the like may be appropriately determined by the film forming apparatus. For example, in the case of sputtering film formation, usually, the ultimate vacuum degree is 1 × 10 ⁻⁶ Torr or less, the substrate temperature is from room temperature to 400 ° C., and the sputtering gas pressure is 1 × 1.
0 ^{−3 to} 20 × 10 ⁻³ Torr, and the bias voltage is generally 0 to −500V.

【００３１】成膜に当っては、磁性層のＣｒの偏析を促
進するために、一般に非磁性基板を１００〜３５０℃程
度に加熱することが好ましい。基板加熱は、下地層形成
前に行っても良く、熱吸収率が低い透明な基板を使用す
る場合には、熱吸収率を高くするため、Ｃｒを主成分と
する下地層を形成してから基板を加熱し、しかる後にＣ
ｏ合金磁性層を形成しても良い。In film formation, it is generally preferable to heat the nonmagnetic substrate to about 100 to 350 ° C. in order to promote the segregation of Cr in the magnetic layer. Substrate heating may be performed before the formation of the underlayer, and when a transparent substrate having a low heat absorption is used, an underlayer containing Cr as a main component is formed in order to increase the heat absorption. Heat the substrate and then C
An o-alloy magnetic layer may be formed.

【００３２】この磁性層上には、蒸着、スパッタ、プラ
ズマＣＶＤ、イオンプレーティング、湿式法等の方法に
より保護層を形成し、次いで潤滑層を形成する。保護層
としては、Ｃ（炭素）、水素化Ｃ、窒素化Ｃ、アルモフ
ァスＣ、ＳｉＣ、ＴｉＣ等の炭素質層やＳｉＯ₂、Ｚｒ₂
Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ₃等の酸化物、ＳｉＮ、ＴｉＮなどの窒化
物など、通常用いられる保護層材料を用いることができ
るが、Ｃ又は水素化Ｃが好ましい。なお、保護層が２層
以上の層から構成されていてもよい。保護層の膜厚は１
〜５０ｎｍ、特に５〜３０ｎｍが好ましい。潤滑層に用
いる潤滑剤としては、フッ素系潤滑剤、炭化水素系潤滑
剤及びこれらの混合物等が挙げられ、通常１〜４ｎｍの
厚さで潤滑層を形成する。On this magnetic layer, a protective layer is formed by a method such as vapor deposition, sputtering, plasma CVD, ion plating, or a wet method, and then a lubricating layer is formed. Examples of the protective layer include carbonaceous layers such as C (carbon), hydrogenated C, nitrogenated C, Amorphous C, SiC, and TiC, and SiO ₂ and Zr _2.
Although a commonly used protective layer material such as an oxide such as O ₃ and Al ₂ O ₃ and a nitride such as SiN and TiN can be used, C or hydrogenated C is preferable. Note that the protective layer may be composed of two or more layers. The thickness of the protective layer is 1
-50 nm, particularly preferably 5-30 nm. Examples of the lubricant used for the lubricating layer include a fluorine-based lubricant, a hydrocarbon-based lubricant, a mixture thereof, and the like, and usually form the lubricating layer with a thickness of 1 to 4 nm.

【００３３】本発明の記録媒体が磁気記録媒体である場
合、磁気ヘッドと、このヘッドの移動手段とを具備する
ことにより磁気記録装置が構成される。When the recording medium of the present invention is a magnetic recording medium, a magnetic recording apparatus is constituted by including a magnetic head and a moving means of the head.

【００３４】この磁気記録装置としては、磁気記録媒体
を１枚或いは複数枚を串刺し状に固定するシャフトと、
該シャフトにベアリングを介して接合された磁気記録媒
体を回転させるモータと、磁気ヘッドと、該ヘッドが取
り付けられたヘッドアームと、ヘッドアームを介してヘ
ッドを磁気記録媒体上の任意の位置に移動させることの
できるアクチュエータとを有した磁気記録装置が例示さ
れる。The magnetic recording device includes a shaft for fixing one or more magnetic recording media in a skewered manner,
A motor for rotating a magnetic recording medium joined to the shaft via a bearing, a magnetic head, a head arm to which the head is attached, and moving the head to an arbitrary position on the magnetic recording medium via the head arm An example is a magnetic recording device having an actuator that can be driven.

【００３５】なお、上述の磁気ヘッドの再生部をＭＲヘ
ッドで構成することにより、高記録密度においても十分
な信号強度を得ることができ、１平方インチ当たり２Ｇ
ビット以上の高記録密度を持った磁気記録装置を実現す
ることができる。またこの磁気ヘッドを、浮上量が０．
０１μｍ以上、０．０５μｍ未満と、従来より低い高さ
で浮上させると、出力が向上して高い装置Ｓ／Ｎが得ら
れ、大容量で高信頼性の磁気記録装置を提供することが
できる。また、最尤復号法による信号処理回路を組み合
わせるとさらに記録密度を向上でき、例えば、トラック
密度１０ｋＴＰＩ以上、線記録密度２００ｋＦＣＩ以
上、１平方インチ当たり２Ｇビット以上の記録密度で記
録・再生する場合にも十分なＳ／Ｎ比が得られる。When the reproducing section of the above-mentioned magnetic head is constituted by an MR head, a sufficient signal intensity can be obtained even at a high recording density, and 2 G / inch 2 can be obtained.
It is possible to realize a magnetic recording device having a high recording density of bits or more. Also, the magnetic head is used with a flying height of 0.
When flying at a height lower than the conventional height of not less than 01 μm and less than 0.05 μm, the output is improved and a high device S / N is obtained, and a large-capacity and high-reliability magnetic recording device can be provided. The recording density can be further improved by combining a signal processing circuit based on the maximum likelihood decoding method. For example, when recording / reproducing at a recording density of not less than 10 kTPI, not less than linear recording density of 200 kFCI, and not less than 2 Gbits per square inch, Also obtains a sufficient S / N ratio.

【００３６】磁気ヘッドの再生部を、互いの磁化方向が
外部磁界によって相対的に変化することによって大きな
抵抗変化を生じる複数の導電性磁性層と、その導電性磁
性層の間に配置された導電性非磁性層からなるＧＭＲヘ
ッド、あるいはスピン・バルブ効果を利用したＧＭＲヘ
ッドとすることにより、信号強度をさらに高めることが
でき、１平方インチ当たり３Ｇビット以上、２４０ｋＦ
ＣＩ以上の線記録密度を持った信頼性の高い磁気記録装
置の実現が可能となる。The reproducing portion of the magnetic head is composed of a plurality of conductive magnetic layers which generate a large resistance change due to a relative change in their magnetization directions due to an external magnetic field, and a conductive layer disposed between the conductive magnetic layers. The signal strength can be further increased by using a GMR head made of a conductive non-magnetic layer or a GMR head using the spin valve effect, so that the signal strength is 3 Gbits / sq.
A highly reliable magnetic recording device having a linear recording density equal to or higher than CI can be realized.

【００３７】なお、本発明は光磁気記録媒体、層変化型
光記録媒体などの光記録媒体にも適用できる。The present invention can be applied to an optical recording medium such as a magneto-optical recording medium and a layer change type optical recording medium.

【００３８】記録媒体が光磁気記録媒体である場合、基
板は光透過性を有する材料から構成され、８００ｎｍ以
下の波長の再生光に対して少なくとも７０％の透過率を
有することが好ましい。When the recording medium is a magneto-optical recording medium, it is preferable that the substrate is made of a material having optical transparency and has a transmittance of at least 70% with respect to reproduction light having a wavelength of 800 nm or less.

【００３９】かかる基板材料として、ポリカーボネー
ト、ポリメチルメタクリレート、非晶質ポリオレフィン
などのプラスチック材料、ガラス、セラミック等が挙げ
られる。光磁気記録媒体の場合には、情報の記録のため
に記録層および再生層を設ける。記録層としては例え
ば、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｅＣｏ、ＧｄＴｅＦｅＣｏ、
ＮｄＴｂＦｅＣｏ、ＰｒＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＴｅＣ
ｏ等の希土類金属−遷移金属合金や、Ｐｔ／Ｃｏ、Ｐｔ
／Ｆｅ、Ｐｄ／Ｃｏ等の白金族／遷移金属の多層膜を使
用することができる。Examples of such a substrate material include plastic materials such as polycarbonate, polymethyl methacrylate, and amorphous polyolefin, glass, and ceramic. In the case of a magneto-optical recording medium, a recording layer and a reproduction layer are provided for recording information. As the recording layer, for example, TbFeCo, GdTeCo, GdTeFeCo,
NdTbFeCo, PrTbFeCo, NdDyTeC
o and other rare earth metal-transition metal alloys, Pt / Co, Pt
A multilayer film of a platinum group / transition metal such as / Fe and Pd / Co can be used.

【００４０】再生層としては例えば、ＧｄＦｅＣｏ、Ｇ
ｄＴｅＣｏ、ＧｄＴｅＦｅＣｏ等の希土類金属−遷移金
属合金、Ｐｔ−Ｃｏ等が挙げられる。その他、誘電体
層、反射層等が形成される。As the reproducing layer, for example, GdFeCo, G
Rare earth metal-transition metal alloys such as dTeCo and GdTeFeCo, Pt-Co, and the like. In addition, a dielectric layer, a reflection layer, and the like are formed.

【００４１】記録媒体が層変化型光記録媒体である場
合、基板としては光磁気記録媒体と同様のものを用い、
情報を記録する記録層としては例えばＡｇ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、Ｔｅを含む４元系の相変化記録材料を主成分とする
合金等が用いられ、その他保護層、反射層等が形成され
る。When the recording medium is a layer change type optical recording medium, a substrate similar to the magneto-optical recording medium is used as the substrate.
As a recording layer for recording information, for example, Ag, In, S
An alloy or the like containing a quaternary phase change recording material containing b and Te as a main component is used, and other protective layers, reflective layers, and the like are formed.

【００４２】次に、本発明方法を実施するのに好適な製
造装置と、それを用いた製造方法について説明する。Next, a production apparatus suitable for carrying out the method of the present invention and a production method using the same will be described.

【００４３】図１は磁気記録媒体の製造に用いられるペ
デステレートの正面図、図２は図１のII−II線に沿う断
面図、図３はスパッタ用チャンバの縦断面図である。FIG. 1 is a front view of a pedestrate used for manufacturing a magnetic recording medium, FIG. 2 is a sectional view taken along the line II-II of FIG. 1, and FIG. 3 is a longitudinal sectional view of a sputtering chamber.

【００４４】製造方法の一例としては、ローラコンベヤ
（図示せず）上をカートリッジ（図示せず）が移動さ
れ、このカートリッジ上に基板２が多数枚載置されてい
る。基板２はリフタ（図示せず）及びロボット（図示せ
ず）によってカートリッジから１枚ずつ取り出され、ペ
デステレート１上に載置される。As an example of the manufacturing method, a cartridge (not shown) is moved on a roller conveyor (not shown), and a large number of substrates 2 are placed on the cartridge. The substrates 2 are taken out of the cartridge one by one by a lifter (not shown) and a robot (not shown), and placed on the pedestrate 1.

【００４５】図１，２の通り、各ペデステレート１の上
部には複数個の爪３が設けられており、これらの爪は磁
気記録媒体２の外周に沿う位置を占めるように配設され
ている。各爪３の上面にはＶ字形やコ字形など、基板の
端縁部が入り込み得る大きさ及び形状の溝が形成されて
いる。なお、ペデステレート１にはバイアス印加点４が
設けられている。As shown in FIGS. 1 and 2, a plurality of claws 3 are provided above each pedestalate 1, and these claws are arranged so as to occupy positions along the outer periphery of the magnetic recording medium 2. . On the upper surface of each claw 3, a groove having a size and shape, such as a V-shape or a U-shape, into which the edge of the substrate can enter is formed. Note that a bias application point 4 is provided on the pedestrate 1.

【００４６】これらの爪３上に板面が鉛直状となるよう
にガラス等よりなる非磁性非導電性基板２が載置され、
チャンバ６２内に該基板２が挿入される。図３の通り、
チャンバ６２には、基板２の両面に対峙するように１対
のターゲット９が配置されている。各ターゲット９の背
後側にはバッキングプレート８及びマグネトロン７が順
次に配置され、マグネトロンスパッタリングにより基板
２上に薄膜層を形成可能としている。A non-magnetic non-conductive substrate 2 made of glass or the like is placed on these claws 3 so that the plate surface is vertical.
The substrate 2 is inserted into the chamber 62. As shown in FIG.
A pair of targets 9 are arranged in the chamber 62 so as to face both surfaces of the substrate 2. A backing plate 8 and a magnetron 7 are sequentially arranged behind each target 9 so that a thin film layer can be formed on the substrate 2 by magnetron sputtering.

【００４７】チャンバ６２内を排気し、ＮｉＰ等の非磁
性導電性薄膜をスパッタする。このＮｉＰ膜は、爪３の
影になる部分を除いて基板２の両面全体に均一に成膜さ
れる。爪３の影になる部分には、ＮｉＰは全く又は殆ど
付着しない。The inside of the chamber 62 is evacuated, and a nonmagnetic conductive thin film such as NiP is sputtered. This NiP film is uniformly formed on both surfaces of the substrate 2 except for a portion which becomes a shadow of the nail 3. NiP is not or hardly adhered to a portion of the nail 3 which becomes a shadow.

【００４８】このＮｉＰの成膜後、基板２を次の回転用
チャンバ（図示せず）に送り込む。このチャンバ内に
は、図１の通りペデステレート１によって規定の上昇限
まで上昇してきた基板２の外周縁の直近位置にノズル５
が配置されている。この実施の形態では、ノズル５は基
板２の図１の右端側部分の直下に配置され、該基板２の
右端側に沿って上方にガスを吹き出すように配置されて
いる。このノズル５から吹き出されたガスが基板２の右
端側部分の両面に沿って上方に流れることにより、基板
２に対し図１における反時計回り方向の回転力が与えら
れ、基板２が所定角度だけ回転する。After the formation of the NiP film, the substrate 2 is sent to the next rotation chamber (not shown). In this chamber, as shown in FIG. 1, a nozzle 5 is provided at a position immediately adjacent to the outer peripheral edge of the substrate 2 which has been raised to a specified upper limit by the pedestrate 1.
Is arranged. In this embodiment, the nozzle 5 is disposed immediately below the right end portion of the substrate 2 in FIG. 1 and is arranged so as to blow gas upward along the right end side of the substrate 2. The gas blown out from the nozzle 5 flows upward along both surfaces of the right end portion of the substrate 2, thereby applying a counterclockwise rotation force to the substrate 2 in FIG. Rotate.

【００４９】この実施の形態ではノズル５が図１の右端
側の１ケ所にのみ配置されているが、それ以外の位置に
配置されてもよく、２ケ所以上に配置されても良い。ノ
ズル５からのガスの吹出方向も図とは逆としても良い。
また、１ケ所に２以上のノズルを配置しても良い。基板
２の各ディスク面に向って別々のノズルからガスを吹き
出しても良い。In this embodiment, the nozzle 5 is arranged only at one position on the right end side in FIG. 1, but may be arranged at another position or at two or more positions. The direction in which the gas is blown out from the nozzle 5 may be reversed.
Further, two or more nozzles may be arranged at one place. Gas may be blown out from separate nozzles toward each disk surface of the substrate 2.

【００５０】このチャンバにて所定角度回転することに
より、基板２上の導電性ＮｉＰ薄膜は爪３に接触し、該
爪３を介してペデステレート１に導通する。チャンバを
出た基板２は、続いて別のチャンバ（図示せず）にて順
次に磁性薄膜、保護薄膜がスパッタされるが、このスパ
ッタに際してペデステレート１を介して基板２にバイア
ス電圧が印加される。By rotating by a predetermined angle in this chamber, the conductive NiP thin film on the substrate 2 comes into contact with the nail 3 and conducts to the pedestrate 1 via the nail 3. After the substrate 2 exits from the chamber, a magnetic thin film and a protective thin film are sequentially sputtered in another chamber (not shown). In this sputtering, a bias voltage is applied to the substrate 2 via the pedestrate 1. .

【００５１】成膜工程最後のチャンバを出た基板は、そ
の後取出用ロボット（図示せず）及びリフタ（図示せ
ず）によってペデストレート１からカートリッジに戻さ
れ、次工程へ送られる。The substrate that has left the chamber at the end of the film forming step is then returned from the pedestal 1 to the cartridge by an unloading robot (not shown) and a lifter (not shown), and sent to the next step.

【００５２】図１ではガス吹付により基板２を所定角度
回転させているが、図４〜６等の機構を採用しても良
い。In FIG. 1, the substrate 2 is rotated by a predetermined angle by blowing gas, but a mechanism shown in FIGS.

【００５３】図４の基板回転機構にあっては、基板２が
ペデステレート１上の複数個のローラ１０上に載置され
ている。各ローラ１０を連動させるためにベルト１１が
ローラ１０間に張り架けられている。このベルト１１を
ベルト駆動プーリ（図示略）に架け、該プーリを回転さ
せて各ローラ１０を回転させることにより、基板２が回
転される。In the substrate rotating mechanism shown in FIG. 4, the substrate 2 is placed on a plurality of rollers 10 on the pedestrate 1. A belt 11 is stretched between the rollers 10 in order to link the rollers 10. The substrate 2 is rotated by hanging the belt 11 around a belt driving pulley (not shown) and rotating the pulley to rotate each roller 10.

【００５４】図５は、図４の装置において、該駆動プー
リを省略し、代わりに１つのローラ１０に駆動輪１２を
接触させ、この駆動輪１２をモータ１３によって回転さ
せるようにしたものであり、同様に各ローラ１０が回転
することにより基板２が回転する。FIG. 5 shows the apparatus shown in FIG. 4 in which the driving pulley is omitted, and instead, the driving wheel 12 is brought into contact with one roller 10 and the driving wheel 12 is rotated by a motor 13. Similarly, when each roller 10 rotates, the substrate 2 rotates.

【００５５】図６は図５において駆動輪１２及びモータ
１３を省略し、代わりに１つのローラ１０に風車１５を
取り付けたものである。ノズル１４から該風車１５にガ
スを吹き付けてローラ１０を回転させることにより基板
２が回転する。FIG. 6 omits the drive wheels 12 and the motor 13 in FIG. 5 and replaces one roller 10 with a windmill 15 instead. The substrate 2 is rotated by blowing gas from the nozzle 14 onto the windmill 15 to rotate the roller 10.

【００５６】なお、基板２を回転させる角度は、爪３の
影になっていた部分が爪３から離反した位置まで移動す
る角度とされれば良く、任意である。爪３同士は周方向
に等間隔に配置されても良く、非等間隔に配置されても
良い。Note that the angle at which the substrate 2 is rotated may be any angle as long as the shadowed portion of the nail 3 moves to a position separated from the nail 3. The claws 3 may be arranged at regular intervals in the circumferential direction, or may be arranged at irregular intervals.

【００５７】[0057]

【実施例】実施例１ 図１〜３に示す製造装置により基板上に成膜して磁気記
録媒体を製造した。なお、３個の爪３のうち図１の中央
のものは基板２の中心の鉛直下方に位置し、左右の爪３
はそれから左右にそれぞれ５５゜（基板２の中心角とし
て）離隔している。爪３の上面の溝のＶ字の開き角度は
１２０゜とした。チャンバ６３にあっては、中央の爪３
から右方に６５゜の位置に吹出口の内径が２ｍｍのノズ
ル５を配置し、上方にＡｒガスを０．３秒間吹き出して
基板を約１０°だけ回転させた。EXAMPLE 1 A magnetic recording medium was manufactured by forming a film on a substrate by the manufacturing apparatus shown in FIGS. The center of FIG. 1 among the three claws 3 is located vertically below the center of the substrate 2 and the left and right claws 3
Are 55 ° apart from each other (as the central angle of the substrate 2). The V-shaped opening angle of the groove on the upper surface of the claw 3 was 120 °. In the chamber 63, the center claw 3
A nozzle 5 having an inner diameter of an outlet of 2 mm was disposed at a position 65 ° to the right of the nozzle, and Ar gas was blown upward for 0.3 seconds to rotate the substrate by about 10 °.

【００５８】非磁性基板としては外径３．５インチのガ
ラス基板を用いた。これを爪３上に載せてチャンバ６１
〜６９内を移動させ、下地層としてＮｉＰ合金層を１５
０ｎｍ、下地層の上にＣｏＣｒ層を中間層として約２０
ｎｍ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金よりなる強磁性合金薄膜を
膜厚３０ｎｍ順次に形成した。この磁気記録層上に、保
護層として、スパッタにより水素化カーボン膜を成膜し
た。スパッタ時にはバイアス印加点４を介して−２００
Ｖのバイアス電圧を印加した。スパッタ終了後、保護層
上に潤滑剤層を設け、磁気特性２５００〔Ｏｅ〕、９０
〔Ｇμｍ〕クラスの磁気記録媒体を得た。As the non-magnetic substrate, a glass substrate having an outer diameter of 3.5 inches was used. This is placed on the nail 3 and the chamber 61
~ NiP alloy layer 15 as an underlayer.
0 nm, with a CoCr layer as an intermediate layer
A ferromagnetic alloy thin film made of a Co—Cr—Pt alloy was sequentially formed to a thickness of 30 nm. On this magnetic recording layer, a hydrogenated carbon film was formed as a protective layer by sputtering. At the time of sputtering, -200 is applied via bias applying point 4.
A bias voltage of V was applied. After the end of the sputtering, a lubricant layer was provided on the protective layer, and the magnetic properties were 2500 [Oe] and 90 [Oe].
A [G μm] class magnetic recording medium was obtained.

【００５９】比較例１ チャンバ６３内でディスクを回転させなかったこと以外
は実施例１と同一にして磁気記録媒体を製造した。この
磁気記録媒体の磁気特性は２５００［Ｏｅ］、９０［Ｇ
μｍ］であった。Comparative Example 1 A magnetic recording medium was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the disk was not rotated in the chamber 63. The magnetic characteristics of this magnetic recording medium are 2500 [Oe] and 90 [G
μm].

【００６０】[0060]

【発明の効果】以上の通り、本発明によると記録特性に
優れた磁気記録媒体等の記録媒体を効率良く製造するこ
とができる。As described above, according to the present invention, a recording medium such as a magnetic recording medium having excellent recording characteristics can be manufactured efficiently.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】実施の形態に係る磁気記録媒体の製造に用いら
れるペデステレートの正面図である。FIG. 1 is a front view of a pedestrate used for manufacturing a magnetic recording medium according to an embodiment.

【図２】図１のII−II線に沿う断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along the line II-II in FIG.

【図３】スパッタ用チャンバの縦断面図である。FIG. 3 is a vertical sectional view of a sputtering chamber.

【図４】別の基板回転装置の概略図である。FIG. 4 is a schematic view of another substrate rotating device.

【図５】さらに別の基板回転装置の概略図である。FIG. 5 is a schematic view of still another substrate rotating device.

【図６】異なる基板回転装置の概略図である。FIG. 6 is a schematic view of a different substrate rotating device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ ペデステレート ２ 基板 ３ 爪 ５ ノズル ９ ターゲット １０ ローラ １１ ベルト １２ 駆動輪 １３ モータ １５ 風車 ４０ ローラコンベヤ ４１ カートリッジ ４３，７０ ロボット ４５ 回転テーブル ６２ チャンバ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Pedesterate 2 Substrate 3 Claw 5 Nozzle 9 Target 10 Roller 11 Belt 12 Drive wheel 13 Motor 15 Windmill 40 Roller conveyor 41 Cartridge 43, 70 Robot 45 Rotary table 62 Chamber

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 祥行 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 Ｆターム(参考） 5D112 AA02 AA24 BA01 FA04 FB25 FB26  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Yoshiyuki Ikeda 1000 Kamoshita-cho, Aoba-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Mitsubishi Chemical Corporation Yokohama Research Laboratory F-term (reference) 5D112 AA02 AA24 BA01 FA04 FB25 FB26

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 導電性保持部材によって保持された非導
電性ディスク状の基板の板面に導電性薄膜を成膜した
後、記録層薄膜を成膜する工程を有する記録媒体の製造
方法であって、 該導電性薄膜を成膜した後、該導電性薄膜と該導電性保
持部材とを接触させてその後の成膜を行うことを特徴と
する記録媒体の製造方法。1. A method for manufacturing a recording medium, comprising: forming a conductive thin film on a surface of a non-conductive disk-shaped substrate held by a conductive holding member, and then forming a recording layer thin film. And forming the conductive thin film, and then contacting the conductive thin film with the conductive holding member to perform subsequent film formation. 【請求項２】 請求項１において、該導電性薄膜を成膜
した後、基板をその周方向に回転させ導電性保持部材と
基板との接触箇所を変えることにより前記導電性薄膜と
該導電性保持部材とを接触させることを特徴とする記録
媒体の製造方法。2. The conductive thin film according to claim 1, wherein after the conductive thin film is formed, the substrate is rotated in the circumferential direction to change a contact position between the conductive holding member and the substrate. A method for manufacturing a recording medium, comprising contacting a holding member. 【請求項３】 請求項２において、該導電性保持部材は
該ディスク状基板の外周縁部を保持するものであること
を特徴とする記録媒体の製造方法。3. The method according to claim 2, wherein the conductive holding member holds an outer peripheral portion of the disk-shaped substrate. 【請求項４】 請求項２又は３において、該基板に対し
該基板の回転方向を含む方向にガスを吹き付けることに
より基板を回転させることを特徴とする記録媒体の製造
方法。4. The method for manufacturing a recording medium according to claim 2, wherein the substrate is rotated by blowing a gas onto the substrate in a direction including a rotation direction of the substrate. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれか１項におい
て、該導電性保持部材を介して該導電性薄膜にバイアス
電圧を印加することを特徴とする記録媒体の製造方法。5. The method for manufacturing a recording medium according to claim 1, wherein a bias voltage is applied to the conductive thin film via the conductive holding member. 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれか１項の方法
により製造された記録媒体。6. A recording medium manufactured by the method according to claim 1.