JP2000219545A - 水砕スラグの製造方法及び装置 - Google Patents
水砕スラグの製造方法及び装置Info
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- JP2000219545A JP2000219545A JP11024499A JP2449999A JP2000219545A JP 2000219545 A JP2000219545 A JP 2000219545A JP 11024499 A JP11024499 A JP 11024499A JP 2449999 A JP2449999 A JP 2449999A JP 2000219545 A JP2000219545 A JP 2000219545A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 急冷・破砕条件を安定化させ、高品質の水砕
スラグを得る。 【構成】 高炉から排出されスラグ樋を流れる溶融スラ
グにスラグ樋の周囲に配置された複数のノズル〜か
ら冷却水を吹き付けて水砕スラグを製造する際、温水タ
ンク20で加熱された冷却水を冷却塔21を経由して給
水槽22に送ると共に給水槽22に直送する。冷却塔2
1経由の冷却水と温水タンク20から直送された冷却水
の流量比率により、冷却水が温度70〜85℃に調整さ
れる。給水槽22からヘッダ11を経てノズル〜に
至る給水管には電磁弁V1 〜V4 が設けられ、ノズル
〜を四つのブロックに分けている。スラグ樋を流れる
溶銑の流量に応じて電磁弁V1 〜V4 を開きて、冷却水
の噴射パターンを変更する
スラグを得る。 【構成】 高炉から排出されスラグ樋を流れる溶融スラ
グにスラグ樋の周囲に配置された複数のノズル〜か
ら冷却水を吹き付けて水砕スラグを製造する際、温水タ
ンク20で加熱された冷却水を冷却塔21を経由して給
水槽22に送ると共に給水槽22に直送する。冷却塔2
1経由の冷却水と温水タンク20から直送された冷却水
の流量比率により、冷却水が温度70〜85℃に調整さ
れる。給水槽22からヘッダ11を経てノズル〜に
至る給水管には電磁弁V1 〜V4 が設けられ、ノズル
〜を四つのブロックに分けている。スラグ樋を流れる
溶銑の流量に応じて電磁弁V1 〜V4 を開きて、冷却水
の噴射パターンを変更する
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高炉から排出された溶
融スラグを吹製し、セメント原料,建設資材等として使
用される水砕スラグの製造方法及び装置に関する。
融スラグを吹製し、セメント原料,建設資材等として使
用される水砕スラグの製造方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】高炉スラグは、徐冷スラグ,水砕スラグ
等として再利用されている。徐冷スラグは破砕・整粒し
て路盤材,コンクリート骨材,ロックウール原料,肥料
原料等に使用され、水砕スラグはセメント原料,土壌改
良剤,細骨材等に使用されている。徐冷スラグは高炉か
ら排出された溶融スラグを徐冷した後で破砕して路盤材
等に使用されるのに対し、水砕スラグは溶融スラグに大
量の水を吹き付けて急冷・破砕することにより製造され
る。具体的には図1に示すように、高炉本体1から出銑
樋2に排出される溶銑から、溶融スラグをスラグ樋3に
分離し、分離された溶融スラグに吹製函4から多量の冷
却水を吹き付けることにより、急冷・破砕している。
等として再利用されている。徐冷スラグは破砕・整粒し
て路盤材,コンクリート骨材,ロックウール原料,肥料
原料等に使用され、水砕スラグはセメント原料,土壌改
良剤,細骨材等に使用されている。徐冷スラグは高炉か
ら排出された溶融スラグを徐冷した後で破砕して路盤材
等に使用されるのに対し、水砕スラグは溶融スラグに大
量の水を吹き付けて急冷・破砕することにより製造され
る。具体的には図1に示すように、高炉本体1から出銑
樋2に排出される溶銑から、溶融スラグをスラグ樋3に
分離し、分離された溶融スラグに吹製函4から多量の冷
却水を吹き付けることにより、急冷・破砕している。
【0003】水砕スラグは、図2に示すようにガラス質
を主とする実質部aに開気泡b及び閉気泡cが分散した
粒子構造をもち、ガラス化率が高いほど高品質とされて
いる。ガラス化率は溶融スラグの急冷条件に影響される
ため、溶融スラグの流量に応じ冷却水の噴射水量を制御
することにより急冷条件を一定化している。また、特開
平5−311213号公報では、スラグ樋3の幅方向に
関して吹製ノズルを複数ゾーンに分割し、スラグ樋3の
幅方向に変動する溶融スラグの流量変化を打ち消すよう
に吹製ノズルからの噴射水量を制御している。
を主とする実質部aに開気泡b及び閉気泡cが分散した
粒子構造をもち、ガラス化率が高いほど高品質とされて
いる。ガラス化率は溶融スラグの急冷条件に影響される
ため、溶融スラグの流量に応じ冷却水の噴射水量を制御
することにより急冷条件を一定化している。また、特開
平5−311213号公報では、スラグ樋3の幅方向に
関して吹製ノズルを複数ゾーンに分割し、スラグ樋3の
幅方向に変動する溶融スラグの流量変化を打ち消すよう
に吹製ノズルからの噴射水量を制御している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】水砕スラグは、乾燥後
に石膏,石灰石等の副原料と混合され、破砕機で更に粉
砕されて各種用途に使用される。そのため、被粉砕性に
優れていることも、水砕スラグの品質を決める上で重要
な要件である。被粉砕性は、水砕スラグの粒子に分散し
ている開気泡b,閉気泡c等が多いほど良好である。高
温の噴射水を水砕スラグに吹き付けると、ガス発生反応
が促進され、多数の気泡が分散したスラグ粒子が得られ
る。しかし、過度に高温の噴射水は、水砕スラグに対す
る冷却能が低く、得られる水砕スラグの粒径が大きくな
る。しかも、水砕に多量の冷却水を使用することから、
水温の管理も容易でない。
に石膏,石灰石等の副原料と混合され、破砕機で更に粉
砕されて各種用途に使用される。そのため、被粉砕性に
優れていることも、水砕スラグの品質を決める上で重要
な要件である。被粉砕性は、水砕スラグの粒子に分散し
ている開気泡b,閉気泡c等が多いほど良好である。高
温の噴射水を水砕スラグに吹き付けると、ガス発生反応
が促進され、多数の気泡が分散したスラグ粒子が得られ
る。しかし、過度に高温の噴射水は、水砕スラグに対す
る冷却能が低く、得られる水砕スラグの粒径が大きくな
る。しかも、水砕に多量の冷却水を使用することから、
水温の管理も容易でない。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような問
題を解消すべく案出されたものであり、温水タンクから
給水槽に冷却水を直送する経路を付設し、冷却塔からの
水量と直送水量との比率を制御することにより、溶融ス
ラグに吹き付ける冷却水を適正温度に維持し、またスラ
グ樋を流れる溶融スラグの流量に応じて噴射パターンを
変更することにより、溶融スラグの急冷・破砕条件を安
定化し、高品質の水砕スラグを製造することを目的とす
る。
題を解消すべく案出されたものであり、温水タンクから
給水槽に冷却水を直送する経路を付設し、冷却塔からの
水量と直送水量との比率を制御することにより、溶融ス
ラグに吹き付ける冷却水を適正温度に維持し、またスラ
グ樋を流れる溶融スラグの流量に応じて噴射パターンを
変更することにより、溶融スラグの急冷・破砕条件を安
定化し、高品質の水砕スラグを製造することを目的とす
る。
【0006】本発明の水砕スラグ製造方法は、その目的
を達成するため、高炉から排出されスラグ樋を流れる溶
融スラグにスラグ樋の周囲に配置された複数のノズルか
ら冷却水を吹き付けて水砕スラグを製造する際、溶融ス
ラグとの接触で昇温した冷却水を温水タンクから冷却塔
を経由して給水槽に送ると共に給水槽に直送し、冷却塔
経由の冷却水と温水タンクから直送された冷却水の流量
比率によって冷却水の温度を70〜85℃に調整し、給
水槽からヘッダを経てノズルに至る給水管に設けられた
電磁弁を溶融スラグの流量増加に応じて開き、冷却水の
噴射パターンを変更することを特徴とする。
を達成するため、高炉から排出されスラグ樋を流れる溶
融スラグにスラグ樋の周囲に配置された複数のノズルか
ら冷却水を吹き付けて水砕スラグを製造する際、溶融ス
ラグとの接触で昇温した冷却水を温水タンクから冷却塔
を経由して給水槽に送ると共に給水槽に直送し、冷却塔
経由の冷却水と温水タンクから直送された冷却水の流量
比率によって冷却水の温度を70〜85℃に調整し、給
水槽からヘッダを経てノズルに至る給水管に設けられた
電磁弁を溶融スラグの流量増加に応じて開き、冷却水の
噴射パターンを変更することを特徴とする。
【0007】この方法で使用する装置は、温水タンク
と、冷却水が温水タンクから通常経路を経て送られ、給
水槽に送り出す冷却塔と、冷却水が温水タンクから直送
経路を経て送られる給水槽と、給水槽から冷却水をヘッ
ダに送り出す複数の給水ポンプと、スラグ樋の周囲に配
置された複数のノズルと、ヘッダとノズルとを結ぶ給水
管に設けられている電磁弁と、ヘッダから温水タンクに
冷却水を返送する返送経路とを備えている。
と、冷却水が温水タンクから通常経路を経て送られ、給
水槽に送り出す冷却塔と、冷却水が温水タンクから直送
経路を経て送られる給水槽と、給水槽から冷却水をヘッ
ダに送り出す複数の給水ポンプと、スラグ樋の周囲に配
置された複数のノズルと、ヘッダとノズルとを結ぶ給水
管に設けられている電磁弁と、ヘッダから温水タンクに
冷却水を返送する返送経路とを備えている。
【0008】
【実施の形態】本発明に従った水砕スラグ製造装置は、
たとえば図3に示すように溶融スラグSが流れるスラグ
樋3の周囲に複数のノズル〜を配置した吹製函10
を備えている。ノズル,は上方から、ノズル〜
,は下方から、ノズルは側方から冷却水を溶融ス
ラグSに吹き付ける。各ノズル〜は、図4に示す配
管系統で温水タンク20,冷却塔21及び給水槽22に
接続されている。溶融スラグとの接触で昇温した冷却水
は、温水タンク20に一時的に収容され、通常経路Aを
経て冷却塔21に送られると共に、一部が直送経路Bを
経て給水槽22に送られる。直送経路Bに、流量調整弁
V5 が設けられている。
たとえば図3に示すように溶融スラグSが流れるスラグ
樋3の周囲に複数のノズル〜を配置した吹製函10
を備えている。ノズル,は上方から、ノズル〜
,は下方から、ノズルは側方から冷却水を溶融ス
ラグSに吹き付ける。各ノズル〜は、図4に示す配
管系統で温水タンク20,冷却塔21及び給水槽22に
接続されている。溶融スラグとの接触で昇温した冷却水
は、温水タンク20に一時的に収容され、通常経路Aを
経て冷却塔21に送られると共に、一部が直送経路Bを
経て給水槽22に送られる。直送経路Bに、流量調整弁
V5 が設けられている。
【0009】流量調整弁V5 の開度調節し、温水タンク
20から冷却塔21に送られる水量と給水槽22に直送
される水量との比率を制御することにより、70〜85
℃の範囲に水温が適正にコントロールされる。温度が適
正に保たれた冷却水は、ガラス化率の低下を抑制し、溶
融スラグと接触した際に発泡反応を迅速に進め、水砕ス
ラグの被粉砕性を向上させる。70℃に達しない水温で
は、発泡反応時間が短くなり、被粉砕性が悪化する。逆
に85℃を超える水温では、溶融スラグに対する冷却能
が小さくなって水砕スラグのガラス化率を低下させると
共に、蒸気圧が高くなって給水ポンプ24にキャビテー
ションを発生させる危険性が増す。
20から冷却塔21に送られる水量と給水槽22に直送
される水量との比率を制御することにより、70〜85
℃の範囲に水温が適正にコントロールされる。温度が適
正に保たれた冷却水は、ガラス化率の低下を抑制し、溶
融スラグと接触した際に発泡反応を迅速に進め、水砕ス
ラグの被粉砕性を向上させる。70℃に達しない水温で
は、発泡反応時間が短くなり、被粉砕性が悪化する。逆
に85℃を超える水温では、溶融スラグに対する冷却能
が小さくなって水砕スラグのガラス化率を低下させると
共に、蒸気圧が高くなって給水ポンプ24にキャビテー
ションを発生させる危険性が増す。
【0010】給水槽22内の冷却水は、給水ポンプ24
によりヘッダ11に圧送される。ヘッダ11は、給水管
121 〜127 を介して各ノズル〜に接続されてい
る。給水管121 ,124 の基管に電動バルブV4 ,給
水管123 に電動バルブV3,給水管125 に電動バル
ブV1 ,給水管122 ,126 ,127 の基管に電動バ
ルブV2 を設け、ノズル〜を四つのブロックに分け
ている。各電磁弁V1〜V4 は、スラグ樋3を流れる溶
融スラグSの流量に応じて開閉される。電磁弁V1 〜V
4 の開閉により、4種類の噴射パターンを採ることがで
きる。ヘッダ11は、更に返送経路C,Dを介して温水
タンク20にも接続されている。返送経路C,Dを通過
する水量は、それぞれ流量調整弁V6 ,V7 で制御され
る。
によりヘッダ11に圧送される。ヘッダ11は、給水管
121 〜127 を介して各ノズル〜に接続されてい
る。給水管121 ,124 の基管に電動バルブV4 ,給
水管123 に電動バルブV3,給水管125 に電動バル
ブV1 ,給水管122 ,126 ,127 の基管に電動バ
ルブV2 を設け、ノズル〜を四つのブロックに分け
ている。各電磁弁V1〜V4 は、スラグ樋3を流れる溶
融スラグSの流量に応じて開閉される。電磁弁V1 〜V
4 の開閉により、4種類の噴射パターンを採ることがで
きる。ヘッダ11は、更に返送経路C,Dを介して温水
タンク20にも接続されている。返送経路C,Dを通過
する水量は、それぞれ流量調整弁V6 ,V7 で制御され
る。
【0011】各ノズル〜は、溶融スラグSの流量に
応じ図5に示すようにオン・オフされる。タップ間
(a)では、電磁弁V1 を開き、ノズルから冷却水を
噴射し、吹製可能な状態で待機している。溶融スラグS
が排出される初期段階では、スラグ樋3を流れる溶融ス
ラグSの流量が少ないので、噴射水量を抑えた状態にセ
ットする。具体的には、ポンプ類に対する過負荷を防止
するため返送経路C,Dの流量調整弁V6 ,V7 を開い
て吐出流量を一定にし、圧力変動を抑える。また、温水
タンク20から直送経路Bを経て全量を給水槽22に送
り、冷却水の降温を防止することが好ましい。スラグ樋
3を溶融スラグSが流れ始めた吹製初期段階(b)で
は、電磁弁ノズルV2 を開き、ノズル,〜から冷
却水を噴射する。なお、スラグ樋3を流れる溶融スラグ
Sの流量は、工業用カメラの撮像結果を画像処理するこ
とやスラグ樋3の温度測定等により検出される。或い
は、製造された水砕スラグを輸送するコンベヤに設けて
いる秤量器を用い、溶融スラグSの流量を演算すること
もできる。
応じ図5に示すようにオン・オフされる。タップ間
(a)では、電磁弁V1 を開き、ノズルから冷却水を
噴射し、吹製可能な状態で待機している。溶融スラグS
が排出される初期段階では、スラグ樋3を流れる溶融ス
ラグSの流量が少ないので、噴射水量を抑えた状態にセ
ットする。具体的には、ポンプ類に対する過負荷を防止
するため返送経路C,Dの流量調整弁V6 ,V7 を開い
て吐出流量を一定にし、圧力変動を抑える。また、温水
タンク20から直送経路Bを経て全量を給水槽22に送
り、冷却水の降温を防止することが好ましい。スラグ樋
3を溶融スラグSが流れ始めた吹製初期段階(b)で
は、電磁弁ノズルV2 を開き、ノズル,〜から冷
却水を噴射する。なお、スラグ樋3を流れる溶融スラグ
Sの流量は、工業用カメラの撮像結果を画像処理するこ
とやスラグ樋3の温度測定等により検出される。或い
は、製造された水砕スラグを輸送するコンベヤに設けて
いる秤量器を用い、溶融スラグSの流量を演算すること
もできる。
【0012】溶融スラグSの流量が定常化した段階
(c)では、電磁弁V1 ,V2 に加えて電磁弁V3 も開
き、ノズルからの冷却水噴射を追加する。また、通常
経路A及び直送経路Bを流れる冷却水の水量比率を調節
し、溶融スラグSに吹き付けられる冷却水の温度を適正
に維持する。更に、大量の溶融スラグSが流れる場合
(d)、電磁弁V4 も開き、全てのノズル〜から冷
却水を噴射する。冷却水の噴射量に応じ、給水槽22に
設けられている給水ポンプ24の運転台数を増減する。
このように、スラグ樋3を流れる溶融スラグSの流量に
応じて噴射形態及び噴射水量を調節することにより、適
正な吹製条件が維持される。また、温水タンク20から
直送経路Bを経て給水槽22に送り込まれる温水の流量
を制御することで、溶融スラグに吹き付けられる冷却水
の温度が適正に管理される。
(c)では、電磁弁V1 ,V2 に加えて電磁弁V3 も開
き、ノズルからの冷却水噴射を追加する。また、通常
経路A及び直送経路Bを流れる冷却水の水量比率を調節
し、溶融スラグSに吹き付けられる冷却水の温度を適正
に維持する。更に、大量の溶融スラグSが流れる場合
(d)、電磁弁V4 も開き、全てのノズル〜から冷
却水を噴射する。冷却水の噴射量に応じ、給水槽22に
設けられている給水ポンプ24の運転台数を増減する。
このように、スラグ樋3を流れる溶融スラグSの流量に
応じて噴射形態及び噴射水量を調節することにより、適
正な吹製条件が維持される。また、温水タンク20から
直送経路Bを経て給水槽22に送り込まれる温水の流量
を制御することで、溶融スラグに吹き付けられる冷却水
の温度が適正に管理される。
【0013】溶融スラグSに吹き付けられる冷却水の水
温が高いほど、溶融スラグSと冷却水との間で2N3 -+
H2 0→H2 +N2 +O2 -等のガス発生反応が活発に進
行し、発生したガスがスラグ粒子に分散するため、水砕
スラグの被破砕性が向上する。しかし、高すぎる水温で
は溶融スラグSの周囲に蒸気膜ができ、緩冷却となって
ガラス化率が低下する。本発明者等による調査・研究の
結果、冷却水の水温を70〜85℃に維持するとき、ガ
ラス化率が98%以上で被破砕性に優れた水砕スラグが
得られることが判った。適正水温70〜85℃は、溶融
スラグSの流量に応じた返送経路C,Dの開閉,給水ポ
ンプ24の稼動台数,給水槽23への流量制御等により
容易に達成できる。この点、直送経路Bのみをもつ配管
系統では、温水タンク20における温度制御だけで冷却
水温度を調節せざるを得ず、水砕に必要な多量の冷却水
の温度管理には不向きである。
温が高いほど、溶融スラグSと冷却水との間で2N3 -+
H2 0→H2 +N2 +O2 -等のガス発生反応が活発に進
行し、発生したガスがスラグ粒子に分散するため、水砕
スラグの被破砕性が向上する。しかし、高すぎる水温で
は溶融スラグSの周囲に蒸気膜ができ、緩冷却となって
ガラス化率が低下する。本発明者等による調査・研究の
結果、冷却水の水温を70〜85℃に維持するとき、ガ
ラス化率が98%以上で被破砕性に優れた水砕スラグが
得られることが判った。適正水温70〜85℃は、溶融
スラグSの流量に応じた返送経路C,Dの開閉,給水ポ
ンプ24の稼動台数,給水槽23への流量制御等により
容易に達成できる。この点、直送経路Bのみをもつ配管
系統では、温水タンク20における温度制御だけで冷却
水温度を調節せざるを得ず、水砕に必要な多量の冷却水
の温度管理には不向きである。
【0014】
【実施例】高炉に設けている3本の出銑口を交互に使用
して溶銑・溶融スラグを排出し、出銑樋2からスラグ樋
3に分流した溶融スラグSに冷却水を噴射して水砕スラ
グを製造した。このときの操業諸元を図6に示すよう
に、溶融スラグSの流量に応じて返送経路C,Dの開
閉,給水ポンプ24の稼動台数,給水槽23への流量制
御を実施し、水温を70〜85℃の範囲に維持して噴射
パターンをa→b→c→d(図5)に切り替えた。得ら
れた水砕スラグの比表面積を、JIS R5201に規
定されるブレーン法で測定した。図7の測定結果にみら
れるように、70℃以上の冷却水を使用し噴射パターン
を変更するとき、比表面積が4100cm2 /gを超え
る微粒状の水砕スラグが得られた。この水砕スラグのガ
ラス化率は、98%以上であり、セメント,土壌改良
剤,細骨材等として使用される高品質の原料であった。
これに対し、水温制御及び噴射パターンの変更なしで溶
融スラグSを水砕した場合(×)、高い温度の冷却水を
使用するほど比表面積が大きくなったが、本発明例に比
較すると低い比表面積の水砕スラグであった。水温制御
した場合(○)でも、噴射パターンの変更を伴った場合
(●)に比較すると比表面積の小さな水砕スラグになっ
ていた。
して溶銑・溶融スラグを排出し、出銑樋2からスラグ樋
3に分流した溶融スラグSに冷却水を噴射して水砕スラ
グを製造した。このときの操業諸元を図6に示すよう
に、溶融スラグSの流量に応じて返送経路C,Dの開
閉,給水ポンプ24の稼動台数,給水槽23への流量制
御を実施し、水温を70〜85℃の範囲に維持して噴射
パターンをa→b→c→d(図5)に切り替えた。得ら
れた水砕スラグの比表面積を、JIS R5201に規
定されるブレーン法で測定した。図7の測定結果にみら
れるように、70℃以上の冷却水を使用し噴射パターン
を変更するとき、比表面積が4100cm2 /gを超え
る微粒状の水砕スラグが得られた。この水砕スラグのガ
ラス化率は、98%以上であり、セメント,土壌改良
剤,細骨材等として使用される高品質の原料であった。
これに対し、水温制御及び噴射パターンの変更なしで溶
融スラグSを水砕した場合(×)、高い温度の冷却水を
使用するほど比表面積が大きくなったが、本発明例に比
較すると低い比表面積の水砕スラグであった。水温制御
した場合(○)でも、噴射パターンの変更を伴った場合
(●)に比較すると比表面積の小さな水砕スラグになっ
ていた。
【0015】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、スラグ樋を流れる溶融スラグに冷却水を噴射して水
砕スラグを製造する際、温水タンクから給水槽に直送さ
れる水量を制御すると共に、水温70〜85℃の冷却水
の噴射パターンを溶融スラグの流量変化に応じて切り替
えている。これにより、被破砕性に優れガラス化率の高
い水砕スラグが安定して製造され、セメント,土壌改良
剤,細骨材等に高品質原料として使用される。
は、スラグ樋を流れる溶融スラグに冷却水を噴射して水
砕スラグを製造する際、温水タンクから給水槽に直送さ
れる水量を制御すると共に、水温70〜85℃の冷却水
の噴射パターンを溶融スラグの流量変化に応じて切り替
えている。これにより、被破砕性に優れガラス化率の高
い水砕スラグが安定して製造され、セメント,土壌改良
剤,細骨材等に高品質原料として使用される。
【図1】 水砕スラグ製造装置が配置された高炉回り
【図2】 水砕スラグの粒子構造
【図3】 本発明で使用する吹製函
【図4】 冷却水の配管系統
【図5】 溶融スラグの流量に応じて変更される噴射パ
ターン
ターン
【図6】 実施例で採用した操業諸元の変化
【図7】 水砕スラグの比表面積に及ぼす冷却水の温度
及び噴射パターンの影響を表わしたグラフ
及び噴射パターンの影響を表わしたグラフ
1:高炉本体 2:出銑樋 3:スラグ樋 4,
10:吹製函 11:ヘッダ 121 〜127 :給
水管 20:温水タンク 21:冷却塔 22:給水槽 24:給水ポンプ 〜:ノズル A:通常経路 B:直送経路 C,D:返送経路 S:溶融スラグ V1 〜V4 :電磁弁 V5 〜V
7 :流量調整弁 a:ガラス質の実質部 b:開気泡 c:閉気泡
10:吹製函 11:ヘッダ 121 〜127 :給
水管 20:温水タンク 21:冷却塔 22:給水槽 24:給水ポンプ 〜:ノズル A:通常経路 B:直送経路 C,D:返送経路 S:溶融スラグ V1 〜V4 :電磁弁 V5 〜V
7 :流量調整弁 a:ガラス質の実質部 b:開気泡 c:閉気泡
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柳川 俊雄 広島県呉市昭和町11番1号 日新製鋼株式 会社呉製鉄所内 (72)発明者 住岡 耕二 広島県呉市昭和町11番1号 日新製鋼株式 会社呉製鉄所内 (72)発明者 下畦 五千雄 広島県呉市昭和町11番1号 日新製鋼株式 会社呉製鉄所内 Fターム(参考) 4G012 JH03
Claims (2)
- 【請求項1】 高炉から排出されスラグ樋を流れる溶融
スラグにスラグ樋の周囲に配置された複数のノズルから
冷却水を吹き付けて水砕スラグを製造する際、溶融スラ
グとの接触で昇温した冷却水を温水タンクから冷却塔を
経由して給水槽に送ると共に給水槽に直送し、冷却塔経
由の冷却水と温水タンクから直送された冷却水の流量比
率によって冷却水の温度を70〜85℃に調整し、給水
槽からヘッダを経てノズルに至る給水管に設けられた電
磁弁を溶融スラグの流量増加に応じて開き、冷却水の噴
射パターンを変更する水砕スラグの製造方法。 - 【請求項2】 温水タンクと、冷却水が温水タンクから
通常経路を経て送られ、給水槽に送り出す冷却塔と、冷
却水が温水タンクから直送経路を経て送られる給水槽
と、給水槽から冷却水をヘッダに送り出す複数の給水ポ
ンプと、スラグ樋の周囲に配置された複数のノズルと、
ヘッダとノズルとを結ぶ給水管に設けられている電磁弁
と、ヘッダから温水タンクに冷却水を返送する返送経路
とを備えている水砕スラグ製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11024499A JP2000219545A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | 水砕スラグの製造方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11024499A JP2000219545A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | 水砕スラグの製造方法及び装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000219545A true JP2000219545A (ja) | 2000-08-08 |
Family
ID=12139890
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11024499A Withdrawn JP2000219545A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | 水砕スラグの製造方法及び装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000219545A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100765070B1 (ko) * | 2001-04-09 | 2007-10-08 | 주식회사 포스코 | 고로 수재설비의 슬라그 냉각 및 수재 미립자 포집장치 및방법 |
JP2011219292A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Nippon Steel Corp | 水砕樋 |
US10941758B2 (en) | 2016-05-03 | 2021-03-09 | Lg Electronics Inc. | Linear compressor and method for manufacturing a linear compressor |
CN115925284A (zh) * | 2022-12-20 | 2023-04-07 | 攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司 | 一种废熔盐高温水淬的***及方法 |
-
1999
- 1999-02-02 JP JP11024499A patent/JP2000219545A/ja not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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