JP2000218218A - Formation of coating film and coating system - Google Patents
Formation of coating film and coating systemInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示装置（ＬＣＤ）基板等の基板の表面上に例えばレ
ジスト膜のような塗布膜を形成する塗布膜形成方法およ
び塗布処理システムに関する。The present invention relates to a coating film forming method and a coating processing system for forming a coating film such as a resist film on a surface of a substrate such as a semiconductor wafer or a liquid crystal display (LCD) substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程においては、半導体ウ
エハの表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理
と、レジスト塗布後の半導体ウエハに対して所定のパタ
ーンの露光処理を行った後にそのパターンを現像する現
像処理とが行われている。このレジスト塗布処理におい
ては、半導体ウエハ表面にレジスト液を均一に塗布する
ための方法としてスピンコーティング法等が多用されて
いる。2. Description of the Related Art For example, in a photolithography step in a semiconductor device manufacturing process, a resist coating process for forming a resist film on the surface of a semiconductor wafer and an exposure process of a predetermined pattern on the semiconductor wafer after the resist coating are performed. After that, a development process for developing the pattern is performed. In this resist coating process, a spin coating method or the like is frequently used as a method for uniformly applying a resist liquid on the surface of a semiconductor wafer.
【０００３】図９は、このスピンコーティング法の概要
を示すものである。例えばスピンチャック１４１により
真空吸着によって半導体ウエハＷを固定保持した状態
で、図示しない回転駆動手段によりスピンチャック１４
１とともに半導体ウエハＷを回転させ、半導体ウエハＷ
の上方に配置されたレジストノズル１４２からその表面
の中央にレジスト液を滴下する。滴下されたレジスト液
は、遠心力によって半導体ウエハＷの径方向外方に向か
って広げられる。その後レジスト液の滴下を停止し、半
導体ウエハＷを所定速度で回転させて、残余のレジスト
を振り切るとともに乾燥させている。これにより、半導
体ウエハ上に均一な膜厚を有するレジスト膜が形成され
る。FIG. 9 shows an outline of the spin coating method. For example, in a state where the semiconductor wafer W is fixedly held by the vacuum chuck by the spin chuck 141, the spin chuck 14 is
1 and the semiconductor wafer W is rotated.
A resist liquid is dropped from the resist nozzle 142 disposed above the center of the surface of the resist nozzle. The dropped resist liquid is spread radially outward of the semiconductor wafer W by centrifugal force. Thereafter, the dropping of the resist solution is stopped, and the semiconductor wafer W is rotated at a predetermined speed to shake off the remaining resist and to dry it. As a result, a resist film having a uniform thickness is formed on the semiconductor wafer.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
レジスト膜の表面には、種々の原因によりパーティクル
が付着することがあるが、このような表面のパーティク
ルは露光および現像後の回路パターンの欠陥の原因にな
るため、このようなパーティクルの付着が発生した場合
に、それを解消する必要がある。By the way, particles may adhere to the surface of such a resist film due to various causes, and such particles on the surface may have defects in the circuit pattern after exposure and development. Therefore, when such particles adhere, it is necessary to eliminate them.
【０００５】このパーティクルは、レジスト液の塗布中
または塗布後に半導体ウエハ上に生じるが、その分布パ
ターンとしては、例えば、パーティクルがウエハの全面
に分布するパターン、パーティクルがウエハの周辺部に
集中して分布するパターン、パーティクルがウエハの中
心部に集中して分布するパターン、パーティクルがウエ
ハの中心部から放射状に延びて分布するパターン、また
はパーティクルがウエハの周辺部にクレーター形状で分
布するパターン等がある。The particles are formed on the semiconductor wafer during or after the application of the resist solution. The distribution pattern of the particles is, for example, a pattern in which the particles are distributed over the entire surface of the wafer, or the particles are concentrated on the peripheral portion of the wafer. There are a distributed pattern, a pattern in which particles are concentrated and distributed at the center of the wafer, a pattern in which particles extend radially from the central portion of the wafer, and a pattern in which particles are distributed in a crater shape around the wafer. .
【０００６】このような各種のパターンは種々の原因で
生じるが、これらを解消するため、従来は、技術者各人
の経験に基づき、試行錯誤により個々別々の手段を講じ
てパーティクルの発生を解消するようにしており、各種
のパターンであらわれるパーティクルの防止に関して、
体系的な対策といったものが存在しない。[0006] These various patterns are caused by various causes, and in order to solve them, conventionally, based on the experience of each engineer, individual means are taken by trial and error to eliminate the generation of particles. In order to prevent particles appearing in various patterns,
There are no systematic measures.
【０００７】したがって、塗布膜表面にパーティクルが
発生した場合に、その原因を突き止め、パーティクルを
解消するのに時間がかかり、生産性を悪化させてしま
う。Therefore, when particles are generated on the surface of the coating film, it takes time to find out the cause and eliminate the particles, thereby deteriorating productivity.
【０００８】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、各種のパターンで現れる塗布膜表面のパーティ
クルを速やかに解消して、健全な塗布膜を形成すること
ができる塗布膜形成方法および塗布処理システムを提供
することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and a coating film forming method and a coating film capable of quickly removing particles on the coating film surface appearing in various patterns and forming a sound coating film. It is an object to provide a processing system.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の第１の観点によれば、基板上に形成された
塗布膜表面に発生するパーティクルを解消するための対
策をパーティクル分布状態毎に予め把握しておく工程
と、基板上に塗布膜を形成する工程と、塗布膜に付着し
たパーティクルの分布状態を検出する工程と、前記予め
把握された塗布膜表面のパーティクル付着を解消するた
めの対策に基づいて、検出されたパーティクル分布状態
に応じた対策を講じる工程と、対策後の条件で次の基板
に塗布膜を形成する工程とを具備することを特徴とする
塗布膜形成方法が提供される。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for solving the above-described problems, which is to reduce the number of particles generated on the surface of a coating film formed on a substrate. Grasping each time in advance, forming a coating film on a substrate, detecting a distribution state of particles adhering to the coating film, and eliminating the previously grasped particle adhesion on the surface of the coating film. Forming a coating film on a next substrate under the conditions after the countermeasures, based on the countermeasures for the particles, and a step of taking a countermeasure according to the detected particle distribution state. Is provided.
【００１０】本発明の第２の観点によれば、基板上にノ
ズルから塗布液を供給して塗布膜を形成する工程と、基
板上に形成された塗布膜に付着したパーティクルの分布
状態を検出する工程と、このパーティクルの分布状態に
応じて、塗布液のミストを排気するための排気圧の状
態、基板の側縁部および背面の洗浄状態、ならびに塗布
液供給ノズルの状態のいずれかを調整する工程と、上記
いずれかの状態を調整後の条件で次の基板の塗布膜を形
成する工程とを具備することを特徴とする塗布膜形成方
法が提供される。According to a second aspect of the present invention, a step of supplying a coating liquid from a nozzle to a substrate to form a coating film, and detecting a distribution state of particles attached to the coating film formed on the substrate. And the state of the exhaust pressure for exhausting the mist of the coating liquid, the cleaning state of the side edges and the back surface of the substrate, and the state of the coating liquid supply nozzle according to the distribution state of the particles. And a step of forming a coating film on the next substrate under the condition after any one of the above conditions has been adjusted.
【００１１】本発明の第３の観点によれば、基板に疎水
化処理を施す工程と、基板上にノズルから塗布液を供給
して塗布膜を形成する工程と、基板上に形成された塗布
膜に付着したパーティクルの分布状態を検出する工程
と、このパーティクルの分布状態に応じて、塗布液のミ
ストを排気するための排気圧の状態、基板の側縁部およ
び背面の洗浄状態、塗布液供給ノズルの状態、ならびに
疎水化処理の状態ののいずれかを調整する工程と、上記
いずれかの状態を調整後の条件で次の基板の塗布膜を形
成する工程とを具備することを特徴とする塗布膜形成方
法が提供される。According to a third aspect of the present invention, a step of subjecting a substrate to a hydrophobic treatment, a step of supplying a coating liquid from a nozzle onto the substrate to form a coating film, and a step of forming a coating film on the substrate A step of detecting a distribution state of particles attached to the film; a state of an exhaust pressure for exhausting a mist of the coating liquid, a cleaning state of side edges and a back surface of the substrate, and a coating liquid according to the distribution state of the particles. A state of the supply nozzle, and a step of adjusting any one of the states of the hydrophobic treatment, and a step of forming a coating film of the next substrate under the condition after adjusting any one of the above states, A coating film forming method is provided.
【００１２】本発明の第４の観点によれば、処理容器内
に収容された基板を回転させながら、塗布液供給ノズル
から塗布液を基板に吐出して、基板に塗布膜を形成し、
塗布液の吐出の際に排気手段により塗布液のミストを排
気する塗布処理ユニットと、基板に対して熱的処理を施
す複数の熱的処理ユニットと、基板に形成された塗布膜
に付着したパーティクルの分布状態を検出する検出手段
とを具備し、前記検出手段により検出されたパーティク
ルの分布状態に応じて、塗布液のミストを排気する排気
圧の状態、基板の側縁部および背面の洗浄状態、ならび
に塗布液供給ノズルの状態のいずれかを調整することを
特徴とする塗布処理システムが提供される。According to a fourth aspect of the present invention, a coating liquid is discharged from a coating liquid supply nozzle onto a substrate while rotating the substrate housed in a processing container to form a coating film on the substrate.
A coating processing unit that discharges the mist of the coating liquid by a discharge unit when discharging the coating liquid, a plurality of thermal processing units that perform thermal processing on the substrate, and particles attached to the coating film formed on the substrate Detecting means for detecting the distribution state of the particles, and in accordance with the distribution state of the particles detected by the detecting means, the state of the exhaust pressure for exhausting the mist of the coating liquid, the cleaning state of the side edges and the back surface of the substrate And adjusting a state of the application liquid supply nozzle.
【００１３】本発明においては、本発明者らがパーティ
クルの分布状態を生じさせる原因を分析することによ
り、各原因に対応するパーティクル付着を解消するため
の対策をパーティクル分布状態毎に予め把握し、これら
予め把握されたパーティクル分布毎の対策に基づいて、
検出されたパーティクル分布状態に応じた対策を講じ、
その対策後の条件で次の基板に塗布膜を形成するので、
各種のパターンで現れる塗布膜表面のパーティクルを速
やかに解消することができ、生産性を悪化させることな
く、パーティクルが存在しない健全な塗布膜を形成する
ことができる。In the present invention, the present inventors analyze the causes of the particle distribution state, and grasp in advance for each particle distribution state a measure for eliminating the adhesion of particles corresponding to each cause. Based on these previously determined measures for each particle distribution,
Take measures according to the detected particle distribution state,
Since a coating film is formed on the next substrate under the conditions after the measures,
Particles on the surface of the coating film appearing in various patterns can be quickly eliminated, and a sound coating film free of particles can be formed without deteriorating productivity.
【００１４】また、本発明においては、検出されたパー
ティクルの分布状態に応じて、塗布液のミストを排気す
るための排気圧の状態、基板の側縁部および背面の洗浄
状態、ならびに塗布液供給ノズルの状態のいずれかを選
択して調整するので、パーティクルの分布状態に応じ
て、パーティクルの発生を解消するための最適な手段を
速やかに講じることができる。したがって、技術者が試
行錯誤をすることなく、迅速に塗布膜表面のパーティク
ルを解消することができ、生産性を悪化させることな
く、パーティクルが存在しない健全な塗布膜を形成する
ことができる。Further, in the present invention, the state of the exhaust pressure for exhausting the mist of the coating liquid, the cleaning state of the side edges and the back surface of the substrate, and the supply of the coating liquid are provided in accordance with the distribution state of the detected particles. Since any one of the nozzle states is selected and adjusted, it is possible to promptly take an optimal means for eliminating the generation of particles according to the distribution state of the particles. Therefore, particles on the surface of the coating film can be quickly eliminated without a technician performing trial and error, and a sound coating film without particles can be formed without deteriorating productivity.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図に基
づいて説明する。図１ないし図３は、各々本発明の実施
の形態が採用された半導体ウエハ（以下、「ウエハ」と
いう）の塗布現像処理システム１の全体構成の図であっ
て、図１は平面、図２は正面、図３は背面をそれぞれ示
している。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIGS. 1 to 3 are views showing the overall configuration of a coating and developing system 1 for a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as “wafer”) to which an embodiment of the present invention is applied. FIG. 1 is a plan view and FIG. 3 shows the front, and FIG. 3 shows the back.
【００１６】この塗布現像処理システム１は、図１に示
すように、被処理基板としてウエハＷをウエハカセット
ＣＲで複数枚、例えば２５枚単位で外部からシステムに
搬入したり、あるいはシステムから搬出したり、ウエハ
カセットＣＲに対してウエハＷを搬入・搬出したりする
ためのカセットステーション１０と、塗布現像工程の中
で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処
理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ステーシ
ョン１１と、この処理ステーション１１に隣接して設け
られる露光装置（図示せず）との間でウエハＷを受け渡
しするためのインターフェイス部１２とを一体に接続し
た構成を有している。As shown in FIG. 1, the coating and developing system 1 loads a plurality of wafers W as substrates to be processed in a wafer cassette CR, for example, into the system in units of 25 wafers, or unloads the wafers from the system. A cassette station 10 for loading and unloading wafers W into and out of the wafer cassette CR, and various single-wafer processing units for performing predetermined processing on the wafers W one by one in a coating and developing process. A configuration in which a processing station 11 arranged in multiple stages and an interface unit 12 for transferring a wafer W between an exposure apparatus (not shown) provided adjacent to the processing station 11 are integrally connected. have.
【００１７】前記カセットステーション１０では、図１
に示すように、カセット載置台２０上の位置決め突起２
０ａの位置に、複数個例えば４個までのウエハカセット
ＣＲが、夫々のウエハ出入口を処理ステーション１１側
に向けてＸ方向に一列に載置され、このカセット配列方
向（Ｘ方向）およびウエハカセットＣＲ内に収納された
ウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向：垂直方向）に移動可
能なウエハ搬送体２１が各ウエハカセットＣＲに選択的
にアクセスするようになっている。In the cassette station 10, FIG.
As shown in FIG.
At a position 0a, a plurality of wafer cassettes CR, for example, up to four wafer cassettes CR are placed in a line in the X direction with their respective wafer entrances facing the processing station 11 side. A wafer carrier 21 that can move in the wafer arrangement direction (Z direction: vertical direction) of the wafers stored in the cassette selectively accesses each wafer cassette CR.
【００１８】さらにこのウエハ搬送体２１は、θ方向に
回転自在に構成されており、後述するように処理ステー
ション１１側の第３の処理ユニット群Ｇ３の多段ユニッ
ト部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）および
イクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスでき
るようになっている。Furthermore the wafer transfer member 21 is configured to be rotatable in θ direction, alignment belonging to the third multi-stage unit of the processing unit group G 3 of the processing station 11 side as described later unit (ALIM) And an extension unit (EXT).
【００１９】前記処理ステーション１１には、図１に示
すように、ウエハ搬送装置を備えた垂直搬送型の主ウエ
ハ搬送機構２２が設けられ、その周りに全ての処理ユニ
ットが１組または複数の組に亙って多段に配置されてい
る。As shown in FIG. 1, the processing station 11 is provided with a vertical transfer type main wafer transfer mechanism 22 equipped with a wafer transfer device, and all the processing units are surrounded by one or more sets. Are arranged in multiple stages.
【００２０】主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すよう
に、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上
下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持
体４９はモータ（図示せず）の回転軸に接続されてお
り、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中
心としてウエハ搬送装置４６と一体に回転し、それによ
りこのウエハ搬送装置４６は、θ方向に回転自在となっ
ている。なお筒状支持体４９は前記モータによって回転
される別の回転軸（図示せず）に接続するように構成し
てもよい。As shown in FIG. 3, the main wafer transfer mechanism 22 is provided with a wafer transfer device 46 inside a tubular support 49 so as to be able to move up and down in the vertical direction (Z direction). The cylindrical support 49 is connected to a rotation shaft of a motor (not shown), and is rotated integrally with the wafer transfer device 46 about the rotation shaft by the rotation driving force of the motor, whereby the wafer transfer is performed. The device 46 is rotatable in the θ direction. Note that the cylindrical support 49 may be configured to be connected to another rotating shaft (not shown) rotated by the motor.
【００２１】ウエハ搬送装置４６は、搬送基台４７の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材４８を備え、これ
らの保持部材４８によって各処理ユニット間でのウエハ
Ｗの受け渡しを実現している。The wafer transfer device 46 includes a plurality of holding members 48 movable in the front-rear direction of the transfer base 47, and the transfer of the wafer W between the processing units is realized by these holding members 48. .
【００２２】また、図１に示すように、この例では、５
つの処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２、Ｇ ３、Ｇ４、Ｇ５が配
置可能な構成であり、第１および第２の処理ユニット群
Ｇ１、Ｇ２の多段ユニットは、システム正面（図１にお
いて手前）側に配置され、第３の処理ユニット群Ｇ３の
多段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配
置され、第４の処理ユニット群Ｇ４の多段ユニットはイ
ンターフェイス部１２に隣接して配置され、第５の処理
ユニット群Ｇ５の多段ユニットは背面側に配置されるこ
とが可能である。In this example, as shown in FIG.
Processing unit group G1, G2, G 3, G4, G5Is arranged
First and second processing unit groups
G1, G2The multi-stage unit is located at the front of the system (Fig. 1).
And the third processing unit group G3of
The multi-stage unit is arranged adjacent to the cassette station 10.
And a fourth processing unit group G4Multi-stage unit
Fifth processing, which is disposed adjacent to the
Unit group G5Multi-stage unit is located on the rear side.
And it is possible.
【００２３】図２に示すように、第１の処理ユニット群
Ｇ１では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに
載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニッ
ト、例えばレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）および
現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられて
いる。第２の処理ユニット群Ｇ２でも、２台のスピンナ
型処理ユニット、例えばレジスト塗布処理ユニット（Ｃ
ＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段
に重ねられている。これらレジスト塗布処理ユニット
（ＣＯＴ）は、レジスト液の排液が機械的にもメンテナ
ンスの上でも面倒であることから、このように下段に配
置するのが好ましい。しかし、必要に応じて適宜上段に
配置することももちろん可能である。As shown in FIG. 2, the first processing unit group G 1, 2 spinner-type processing units of the wafer W is mounted on a spin chuck performs predetermined processing in a cup CP, for example, a resist coating unit (COT) and the developing unit (DEV) are stacked in two stages from the bottom. Second processing even unit group G 2, two spinner-type processing units, for example, a resist coating unit (C
OT) and the developing unit (DEV) are stacked in two stages from the bottom. The resist coating unit (COT) is preferably disposed at the lower stage because drainage of the resist solution is troublesome both mechanically and for maintenance. However, it is of course possible to appropriately arrange the upper stage as needed.
【００２４】図３に示すように、第３の処理ユニット群
Ｇ３では、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を
行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行う
クーリングユニット（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高
めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユ
ニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニッ
ト（ＡＬＩＭ）、イクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニ
ット（ＰＲＥＢＡＫＥ）および露光処理後の加熱処理を
行うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が、下
から順に例えば８段に重ねられている。As shown in FIG. 3, the third in the processing unit group G 3, oven-type processing units of the wafer W is placed on a mounting table SP performs predetermined processing, for example, a cooling unit (COL) , An adhesion unit (AD) for performing a so-called hydrophobizing process for improving the fixability of a resist, an alignment unit (ALIM) for positioning, and an extension unit (EX)
T), a pre-baking unit (PREBAKE) for performing a heating process before the exposure process and a post-baking unit (POBAKE) for performing a heating process after the exposure process are stacked in, for example, eight stages from the bottom.
【００２５】第４の処理ユニット群Ｇ４でも、オーブン
型の処理ユニット、例えばクーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）、イクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ
ＣＯＬ）、イクステンションユニット（ＥＸＴ）、クー
リングユニット（ＣＯＬ）、プリベーキングユニット
（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポストベーキングユニット
（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられ
ている。[0025] Even the fourth processing unit group G 4, oven-type processing units, for example, a cooling unit (CO
L), extension cooling unit (EXT
COL), an extension unit (EXT), a cooling unit (COL), a pre-baking unit (PREBAKE), and a post-baking unit (POBAKE) are stacked in order from the bottom, for example, in eight stages.
【００２６】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニッ
ト（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いベ
ーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベーキン
グユニット（ＰＯＢＡＫＥ）およびアドヒージョンユニ
ット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱
的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、ラ
ンダムな多段配置としてもよい。As described above, the cooling unit (COL) and the extension cooling unit (EXTCOL) having a low processing temperature are arranged in the lower stage, and the baking unit (PREBAKE), the post-baking unit (POBAKE) and the adhesion having a high processing temperature are arranged. By arranging the units (AD) in the upper stage, thermal mutual interference between the units can be reduced. Of course, a random multi-stage arrangement may be used.
【００２７】前記インターフェイス部１２は、図１に示
すように、奥行方向（Ｘ方向）については、前記処理ス
テーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向について
はより小さなサイズに設定されている。そしてこのイン
ターフェイス部１２の正面部には、可搬性のピックアッ
プカセットＣＲと、定置型のバッファカセットＢＲが２
段に配置され、他方、背面部には周辺露光装置２３が配
置され、さらに、中央部には、ウエハ搬送体２４が設け
られている。このウエハ搬送体２４は、Ｘ方向、Ｚ方向
に移動して両カセットＣＲ、ＢＲおよび周辺露光装置２
３にアクセスするようになっている。前記ウエハ搬送体
２４は、θ方向にも回転自在となるように構成されてお
り、前記処理ステーション１１側の第４の処理ユニット
群Ｇ４の多段ユニットに属するイクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光装置側のウエハ
受け渡し台（図示せず）にもアクセスできるようになっ
ている。As shown in FIG. 1, the interface section 12 has the same dimensions as the processing station 11 in the depth direction (X direction), but is set smaller in the width direction. A portable pickup cassette CR and a stationary buffer cassette BR are provided in front of the interface section 12.
On the other hand, a peripheral exposing device 23 is arranged on the back side, and a wafer carrier 24 is provided on the central part. The wafer carrier 24 moves in the X and Z directions to move the cassettes CR and BR and the peripheral exposure device 2.
3 is accessed. The wafer transfer body 24 is configured so as also to be rotatable in the θ direction, wherein the processing station 11 side of the fourth processing unit extension units belonging to the multi-stage units of group G 4 (EXT) and, further Can also access a wafer transfer table (not shown) on the adjacent exposure apparatus side.
【００２８】また前記塗布現像処理システム１では、図
１に示すように、既述の如く主ウエハ搬送機構２２の背
面側にも破線で示した第５の処理ユニット群Ｇ５の多段
ユニットが配置できるようになっているが、この第５の
処理ユニット群Ｇ５の多段ユニットは、案内レール２５
に沿って主ウエハ搬送機構２２からみて、側方へシフト
できるように構成されている。したがって、この第５の
処理ユニット群Ｇ５の多段ユニットを図示の如く設けた
場合でも、前記案内レール２５に沿ってスライドするこ
とにより、空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構
２２に対して背後からメンテナンス作業が容易に行える
ようになっている。なお第５の処理ユニット群Ｇ５の多
段ユニットは、そのように案内レール２５に沿った直線
状のスライドシフトに限らず、図１中の一点鎖線の往復
回動矢印で示したように、システム外方へと回動シフト
させるように構成しても、主ウエハ搬送機構２２に対す
るメンテナンス作業のスペース確保が容易である。In the coating and developing system 1, as shown in FIG. 1, a multi-stage unit of the fifth processing unit group G5 indicated by a broken line is also arranged on the back side of the main wafer transfer mechanism 22 as described above. Although the multi-stage unit of the fifth processing unit group G5 has the guide rail 25
, And can be shifted to the side as viewed from the main wafer transfer mechanism 22. Therefore, even when provided as a multi-stage unit of the fifth processing unit group G 5 shown, by sliding along the guide rail 25, the space portion can be secured, to the main wafer transfer mechanism 22 The maintenance work can be easily performed from behind. Note that the multi-stage unit of the fifth processing unit group G5 is not limited to such a linear slide shift along the guide rail 25, but may be a system as shown by a one-dot chain line reciprocating rotation arrow in FIG. Even if it is configured to rotate outward, it is easy to secure a space for maintenance work on the main wafer transfer mechanism 22.
【００２９】このようなレジスト塗布現像処理システム
においては、カセットステーション１０において、ウエ
ハ搬送体２１によりウエハカセットＣＲから一枚のウエ
ハＷが取り出され、処理ユニット群Ｇ３のイクステンシ
ョンユニット（ＥＸＴ）に搬送される。そして、ウエハ
Ｗは、主ウエハ搬送機構２２のウエハ搬送装置４６によ
り、まず、アドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）におい
て、レジストの定着性を高めるための疎水化処理（ＨＭ
ＤＳ処理）が施される。この処理は加熱を伴うため、そ
の後ウエハＷは、ウエハ搬送装置４６により、クーリン
グユニット（ＣＯＬ）に搬送されて冷却される。引き続
き、ウエハＷは、ウエハ搬送装置４６によりレジスト塗
布ユニット（ＣＯＴ）に搬送され、後述するようにして
塗布膜が形成される。[0029] In such a resist coating and developing system, in the cassette station 10, one wafer W from the wafer cassette CR by the wafer transfer body 21 is taken out, the extension unit of the processing unit group G 3 (EXT) Conveyed. Then, the wafer W is first processed by the wafer transfer device 46 of the main wafer transfer mechanism 22 in an adhesion processing unit (AD) so as to make the wafer W hydrophobic (HM) to enhance the fixability of the resist.
DS processing). Since this process involves heating, the wafer W is then transferred to a cooling unit (COL) by the wafer transfer device 46 and cooled. Subsequently, the wafer W is transferred by the wafer transfer device 46 to a resist coating unit (COT), and a coating film is formed as described later.
【００３０】塗布処理終了後、ウエハＷはプリベーキン
グユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）にてプリベーク処理さ
れ、その後クーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却され
る。冷却されたウエハＷは、アライメントユニット（Ａ
ＬＩＭ）に搬送され、そこでアライメントされた後、処
理ユニット群Ｇ４のイクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）に搬送される。After the completion of the coating process, the wafer W is pre-baked in a pre-baking unit (PREBAKE), and then cooled in a cooling unit (COL). The cooled wafer W is supplied to the alignment unit (A
Is conveyed to LIM), where it is aligned, extension unit of the processing unit group G 4 (EX
T).
【００３１】その後、ウエハＷはウエハ搬送体２４によ
りインターフェース部１２に搬送去れ、周辺露光装置２
３により周辺露光されて余分なレジストが除去された
後、インターフェース部１２に隣接して設けられた図示
しない露光装置により所定のパターンに露光される。After that, the wafer W is transferred to the interface section 12 by the wafer transfer body 24, and
After the peripheral resist is exposed by 3 to remove the excess resist, the resist is exposed to a predetermined pattern by an exposure device (not shown) provided adjacent to the interface section 12.
【００３２】露光後のウエハＷは、再びインターフェー
ス部１２に戻され、ウエハ搬送体２４により、イクステ
ンションユニット（ＥＸＴ）に搬送される。そして、ウ
エハＷは、ウエハ搬送装置４６により、いずれかのポス
トベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）に搬送されてポ
ストエクスポージャーベーク処理が施され、次いで、ク
ーリングユニット（ＣＯＬ）により冷却される。The exposed wafer W is returned to the interface section 12 again, and is carried by the wafer carrier 24 to the extension unit (EXT). Then, the wafer W is transferred to any one of the post-baking units (POBAKE) by the wafer transfer device 46 and subjected to post-exposure bake processing, and then cooled by the cooling unit (COL).
【００３３】その後、ウエハＷは現像ユニット（ＤＥ
Ｖ）に搬送され、そこで露光パターンを現像する。現像
終了後、ウエハＷはいずれかのポストベーキングユニッ
ト（ＰＯＢＡＫＥ）に搬送されてポストベーク処理が施
され、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により冷
却される。このような一連の処理が終了後、処理ユニッ
ト群Ｇ３のイクステンションユニット（ＥＸＴ）を介し
てカセットステーション１０に戻され、いずれかのカセ
ットＣＲに収容される。Thereafter, the wafer W is transferred to the developing unit (DE
V), where the exposure pattern is developed. After the development is completed, the wafer W is transferred to any one of the post-baking units (POBAKE) and subjected to post-baking, and then cooled by the cooling unit (COL). After such a series of processing is ended, the returned to the cassette station 10 via extension unit of the processing unit group G 3 a (EXT), it is inserted into one of the cassettes CR.
【００３４】次に、本実施形態におけるレジスト塗布処
理ユニット（ＣＯＴ）について説明する。図４および図
５は、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）の全体構成
を示す概略断面図および概略平面図である。Next, the resist coating unit (COT) in this embodiment will be described. 4 and 5 are a schematic cross-sectional view and a schematic plan view showing the entire configuration of the resist coating unit (COT).
【００３５】このレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）
の中央部には環状のカップＣＰが配置され、カップＣＰ
の内側にはスピンチャック５２が配置されている。スピ
ンチャック５２は真空吸着によってウエハＷを固定保持
した状態で駆動モータ５４によって回転駆動される。駆
動モータ５４は、ユニット底板５０に設けられた開口５
０ａに昇降移動可能に配置され、たとえばアルミニウム
からなるキャップ状のフランジ部材５８を介してたとえ
ばエアシリンダからなる昇降駆動手段６０および昇降ガ
イド手段６２と結合されている。駆動モータ５４の側面
にはたとえばＳＵＳからなる筒状の冷却ジャケット６４
が取り付けられ、フランジ部材５８は、この冷却ジャケ
ット６４の上半部を覆うように取り付けられている。This resist coating unit (COT)
An annular cup CP is arranged at the center of the
The spin chuck 52 is arranged inside the. The spin chuck 52 is rotationally driven by a drive motor 54 in a state where the wafer W is fixedly held by vacuum suction. The drive motor 54 is connected to the opening 5 provided in the unit bottom plate 50.
0a, and is coupled to a lifting drive means 60 and a lifting guide means 62, for example, an air cylinder, via a cap-like flange member 58 made of, for example, aluminum. A cylindrical cooling jacket 64 made of, for example, SUS is provided on a side surface of the drive motor 54.
The flange member 58 is attached so as to cover the upper half of the cooling jacket 64.
【００３６】レジスト塗布時、フランジ部材５８の下端
５８ａは、開口５０ａの外周付近でユニット底板５０に
密着し、これによってユニット内部が密閉される。スピ
ンチャック５２と主ウエハ搬送機構２２の保持部材４８
との間でウエハＷの受け渡しが行われる時は、昇降駆動
手段６０が駆動モータ５４ないしスピンチャック５２を
上方へ持ち上げることでフランジ部材５８の下端がユニ
ット底板５０から浮くようになっている。At the time of resist application, the lower end 58a of the flange member 58 is in close contact with the unit bottom plate 50 near the outer periphery of the opening 50a, thereby sealing the inside of the unit. Spin chuck 52 and holding member 48 of main wafer transfer mechanism 22
When the transfer of the wafer W is performed, the lower end of the flange member 58 floats from the unit bottom plate 50 by the lifting drive means 60 lifting the drive motor 54 or the spin chuck 52 upward.
【００３７】ウエハＷの表面にレジスト液を供給するた
めのレジストノズル８６は、レジスト供給管８８を介し
てレジスト供給部（後述する）に接続されている。この
レジストノズル８６はレジストノズルスキャンアーム９
２の先端部にノズル保持体１００を介して着脱可能に取
り付けられている。このレジストノズルスキャンアーム
９２は、ユニット底板５０の上に一方向（Ｙ方向）に敷
設されたガイドレール９４上で水平移動可能な垂直支持
部材９６の上端部に取り付けられており、図示しないＹ
方向駆動機構によって垂直支持部材９６と一体にＹ方向
に移動するようになっている。A resist nozzle 86 for supplying a resist solution to the surface of the wafer W is connected to a resist supply section (described later) via a resist supply pipe 88. The resist nozzle 86 is connected to the resist nozzle scan arm 9.
2 is detachably attached to the front end of the nozzle 2 via a nozzle holder 100. The resist nozzle scan arm 92 is attached to the upper end of a vertical support member 96 that can move horizontally on a guide rail 94 laid in one direction (Y direction) on the unit bottom plate 50, and is not shown.
The directional drive mechanism moves in the Y direction integrally with the vertical support member 96.
【００３８】また、レジストノズル８６は、レジスト液
を一旦吐出した後、サックバックされるようになってお
り、これにより、レジスト液の液垂れを防止すると共
に、レジスト液の乾燥を防止している。The resist nozzle 86 is designed to suck back the resist liquid once it has been discharged, thereby preventing the resist liquid from dripping and drying the resist liquid. .
【００３９】さらに、レジストノズルスキャンアーム９
２は、レジストノズル待機部９０でレジストノズル８６
を選択的に取り付けるためにＹ方向と直角なＸ方向にも
移動可能であり、図示しないＸ方向駆動機構によってＸ
方向にも移動するようになっている。Further, the resist nozzle scan arm 9
Reference numeral 2 denotes a resist nozzle 86 in a resist nozzle standby unit 90.
Can also be moved in the X direction perpendicular to the Y direction to selectively attach
It also moves in the direction.
【００４０】さらに、レジストノズル待機部９０でレジ
ストノズル８６の吐出口が溶媒雰囲気室の口９０ａに挿
入され、中で溶媒の雰囲気に晒されることで、ノズル先
端のレジスト液が固化または劣化しないようになってい
る。また、複数本のレジストノズル８６が設けられ、例
えばレジスト液の種類に応じてそれらのノズルが使い分
けられるようになっている。Further, in the resist nozzle standby section 90, the discharge port of the resist nozzle 86 is inserted into the port 90a of the solvent atmosphere chamber and exposed to the solvent atmosphere so that the resist liquid at the nozzle tip does not solidify or deteriorate. It has become. Further, a plurality of resist nozzles 86 are provided, and these nozzles can be selectively used depending on, for example, the type of the resist liquid.
【００４１】レジストノズルスキャンアーム９２の先端
部（ノズル保持体１００）には、ウエハ表面へのレジス
ト液の供給に先立ってウエハ表面にウエハ表面を濡らす
ための溶剤例えばシンナーを供給する溶剤ノズル１０１
が取り付けられている。この溶剤ノズル１０１は図示し
ない溶剤供給管を介して溶剤供給部（後述する）に接続
されている。溶剤ノズル１０１とレジストノズル８６は
レジストノズルスキャンアーム９２のＹ移動方向に沿う
直線上に各々の吐出口が位置するように取り付けられて
いる。At the tip (nozzle holder 100) of the resist nozzle scan arm 92, a solvent nozzle 101 for supplying a solvent for wetting the wafer surface, for example, a thinner, to the wafer surface prior to the supply of the resist solution to the wafer surface.
Is attached. The solvent nozzle 101 is connected to a solvent supply unit (described later) via a solvent supply pipe (not shown). The solvent nozzle 101 and the resist nozzle 86 are attached so that each discharge port is located on a straight line along the Y movement direction of the resist nozzle scan arm 92.
【００４２】ガイドレール９４上には、レジストノズル
スキャンアーム９２を支持する垂直支持部材８６だけで
なく、リンスノズルスキャンアーム１２０を支持しＹ方
向に移動可能な垂直支持部材１２２も設けられている。
このリンスノズルスキャンアーム１２０の先端部にはサ
イドリンス用のリンスノズル１２４が取り付けられてい
る。Ｙ方向駆動機構（図示せず）によってリンスノズル
スキャンアーム１２０およびリンスノズル１２４はカッ
プＣＰの側方に設定されたリンスノズル待機位置（実線
の位置）とスピンチャック５２に設置されているウエハ
Ｗの周辺部の真上に設定されたリンス液吐出位置（点線
の位置）との間で並進または直線移動するようになって
いる。On the guide rail 94, not only a vertical support member 86 for supporting the resist nozzle scan arm 92 but also a vertical support member 122 for supporting the rinse nozzle scan arm 120 and movable in the Y direction are provided.
A rinsing nozzle 124 for side rinsing is attached to the tip of the rinsing nozzle scan arm 120. The rinsing nozzle scan arm 120 and the rinsing nozzle 124 are moved by the Y-direction drive mechanism (not shown) to the rinsing nozzle standby position (the position indicated by the solid line) set on the side of the cup CP and the wafer W installed on the spin chuck 52. It is configured to translate or linearly move between a rinsing liquid discharge position (a position indicated by a dotted line) set immediately above the peripheral portion.
【００４３】図６はレジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）の制御系の構成を示す図である。制御部１３０は、
レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）内の各部を制御す
るもので、例えば駆動モータ５４の駆動を制御する他、
レジスト供給部１３１や溶剤供給部１３２等を制御す
る。例えば、制御部１３０は、駆動モータ５４の回転速
度を数段階、例えばレジスト塗布時に３段階に制御して
いる。また、制御部１３０は、レジスト供給部１３１か
らレジストノズル８６へのレジスト液の供給や、溶剤供
給部１３２から溶剤ノズル１０１への溶剤、例えばシン
ナーの供給を制御している。FIG. 6 shows a resist coating unit (CO
It is a figure which shows the structure of the control system of T). The control unit 130
It controls each part in the resist coating unit (COT). For example, in addition to controlling the drive of the drive motor 54,
It controls the resist supply unit 131, the solvent supply unit 132, and the like. For example, the control unit 130 controls the rotation speed of the drive motor 54 in several stages, for example, in three stages during resist coating. The control unit 130 controls the supply of the resist liquid from the resist supply unit 131 to the resist nozzle 86 and the supply of a solvent, for example, a thinner from the solvent supply unit 132 to the solvent nozzle 101.
【００４４】このように構成されたレジスト塗布処理ユ
ニット（ＣＯＴ）において、レジスト液の消費量が従来
よりも少ない省レジスト方式のレジスト液の塗布の処理
動作について、以下に説明する。The processing operation of applying the resist liquid in the resist coating processing unit (COT) configured as described above in the resist-saving method in which the consumption of the resist liquid is smaller than that in the conventional method will be described below.
【００４５】まず、主ウエハ搬送機構２２の保持部材４
８によってレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）内のカ
ップＣＰの真上までウエハＷが搬送されると、そのウエ
ハＷは、例えばエアシリンダからなる昇降駆動手段６０
および昇降ガイド手段６２によって上昇してきたスピン
チャック５２によって真空吸着される。主ウエハ搬送機
構２２はウエハＷをスピンチャック５２に真空吸着せし
めた後、保持部材４８をレジスト塗布処理ユニット（Ｃ
ＯＴ）内から引き戻し、レジスト塗布処理ユニット（Ｃ
ＯＴ）へのウエハＷの受け渡しを終える。First, the holding member 4 of the main wafer transfer mechanism 22
When the wafer W is transported to a position directly above the cup CP in the resist coating unit (COT) by 8, the wafer W is lifted and lowered by an elevating drive unit 60 such as an air cylinder
Then, the wafer is vacuum-sucked by the spin chuck 52 which has been raised by the elevating guide means 62. After the main wafer transfer mechanism 22 vacuum-adsorbs the wafer W to the spin chuck 52, the main wafer transfer mechanism 22 sets the holding member 48 to the resist coating unit (C).
Pull back from inside OT), resist coating unit (C
The delivery of the wafer W to the OT) is completed.
【００４６】次いで、スピンチャック５２はウエハＷが
カップＣＰ内の定位置まで下降し、駆動モータ５４によ
ってスピンチャック５２の回転駆動が開始される。その
後、レジストノズル待機部９０からのノズル保持体１０
０の移動が開始される。このノズル保持体１００の移動
はＹ方向に沿って行われる。Then, the spin chuck 52 moves the wafer W down to a fixed position in the cup CP, and the driving motor 54 starts rotating the spin chuck 52. After that, the nozzle holder 10 from the resist nozzle standby unit 90
The movement of 0 is started. The movement of the nozzle holder 100 is performed along the Y direction.
【００４７】溶剤ノズル１０１の吐出口がスピンチャッ
ク５２の中心（ウエハＷの中心）上に到達したところ
で、溶剤、例えばシンナーを、回転するウエハＷの表面
に供給する。ウエハＷの表面に供給された溶剤は遠心力
によってウエハ中心からその周囲全域にむらなく広が
る。このように、レジスト液の塗布に先立ってシンナー
等の溶剤で半導体ウエハＷ表面の表面全体を濡らす、い
わゆるプリウエット処理を行うことにより、レジストが
より拡散しやすくなり、結果としてより少量のレジスト
液量で均一なレジスト膜を形成することができる。When the discharge port of the solvent nozzle 101 reaches the center of the spin chuck 52 (the center of the wafer W), a solvent, for example, a thinner is supplied to the surface of the rotating wafer W. The solvent supplied to the surface of the wafer W is uniformly spread from the center of the wafer to the entire area around the wafer by centrifugal force. As described above, by performing a so-called pre-wet treatment in which the entire surface of the semiconductor wafer W is wetted with a solvent such as a thinner prior to the application of the resist solution, the resist is more easily diffused, and as a result, a smaller amount of the resist solution is used. It is possible to form a uniform resist film by the amount.
【００４８】続いて、ノズル保持体１００は、レジスト
ノズル８６の吐出口がスピンチャック５２の中心（ウエ
ハＷの中心）上に到達するまでＹ方向に移動され、レジ
ストノズル８６の吐出口からレジスト液が、回転するウ
エハＷの表面の中心に滴下され、遠心力によりウエハＷ
の中心から周辺に向けて拡散されて、ウエハＷ上にレジ
スト膜が形成される。この時、図示しない排気手段によ
り、吐出するレジスト液の周囲に飛散するミストを回収
し、これにより、後述するように、レジスト膜へのパー
ティクルの付着を防止する。Subsequently, the nozzle holder 100 is moved in the Y direction until the discharge port of the resist nozzle 86 reaches the center of the spin chuck 52 (the center of the wafer W). Is dropped on the center of the surface of the rotating wafer W, and the wafer W
Is diffused from the center to the periphery to form a resist film on the wafer W. At this time, mist scattered around the discharged resist liquid is collected by an exhaust means (not shown), thereby preventing particles from adhering to the resist film as described later.
【００４９】レジスト液の滴下終了後、ウエハＷの回転
速度が加速されて、残余のレジスト液が振り切られると
ともに乾燥され、所定厚さのレジスト膜が形成される。After the completion of the dropping of the resist solution, the rotation speed of the wafer W is accelerated, and the remaining resist solution is shaken off and dried to form a resist film having a predetermined thickness.
【００５０】その後、ノズル保持体１００がホームポジ
ションに戻され、図示しない洗浄手段により、ウエハＷ
の背面がバックリンスされ、また、必要があれば、図示
しない洗浄手段により、ウエハＷの側縁部がサイドリン
スされる。その後、ウエハＷの回転速度が加速されて、
バックリンスおよびサイドリンスのリンス液が振り切っ
て捨てられ、その後、ウエハＷの回転が停止されて、塗
布処理工程が終了する。Thereafter, the nozzle holder 100 is returned to the home position, and the wafer W is
Is back-rinsed, and if necessary, side edges of the wafer W are side-rinsed by cleaning means (not shown). Thereafter, the rotation speed of the wafer W is accelerated,
The rinsing liquid of the back rinsing and the side rinsing is shaken off and discarded, and thereafter, the rotation of the wafer W is stopped, and the coating process ends.
【００５１】次に、ウエハＷ上にレジスト液を供給して
形成されたレジスト膜のパーティクルを解消するための
対策について説明する。Next, measures for eliminating particles of the resist film formed by supplying the resist solution onto the wafer W will be described.
【００５２】ウエハＷに形成されたレジスト膜表面のパ
ーティクルは、種々の原因によりいくつかのパターンで
生じるが、このようなパーティクルが存在するとパター
ンの欠陥につながるため、解消する必要がある。本実施
の形態では、パーティクルが生じる現象を観察して、パ
ーティクルの分布を図７のＮｏ．１〜５に示す５個のパ
ターンとして分類し、各パターンごとに、パーティクル
が生じる原因を分析し、各原因に対応してパーティクル
を解消する対策を予め把握して図７に示すような一覧表
を作成する。Particles on the surface of the resist film formed on the wafer W are generated in several patterns due to various causes. However, the presence of such particles leads to pattern defects, and thus needs to be eliminated. In the present embodiment, a phenomenon in which particles are generated is observed, and the distribution of particles is changed to No. in FIG. It is classified into five patterns shown in 1 to 5, and for each pattern, the cause of the generation of particles is analyzed, and a countermeasure for eliminating particles corresponding to each cause is grasped in advance, and a list as shown in FIG. Create
【００５３】パーティクルの分布パターンを検出する工
程としては、一日に一回、レジスト膜の膜厚チェックを
行う際に同時に、ウエハＷ上のパーティクルの分布状態
をチェックすることが考えられる。また、塗布・現像を
終えたウエハＷの歩留まりが低下した場合に、その原因
を調べる一環として、パーティクルの分布状態をチェッ
クすることが考えられる。このようにしてパーティクル
分布状態を把握する際には、例えばレジスト塗布現像処
理システム外において、例えば目視または顕微鏡観察、
さらにはパーティクルカウンターにより行う。As a step of detecting the particle distribution pattern, it is conceivable to check the distribution state of the particles on the wafer W at the same time as checking the thickness of the resist film once a day. In addition, when the yield of the wafer W after coating and development is reduced, it is conceivable to check the distribution state of the particles as a part of investigating the cause. When grasping the particle distribution state in this way, for example, outside the resist coating and developing processing system, for example, visual or microscopic observation,
Further, it is performed by a particle counter.
【００５４】また、レジスト塗布現像システム内に検出
手段としてパーティクルカウンターを設ければ、例え
ば、レジスト塗布を終え、プリベーキングユニット（Ｐ
ＲＥＢＡＫＥ）により露光処理前の加熱処理を行って、
クーリングユニット（ＣＯＬ）により冷却処理を行った
後に、インラインでウエハＷ上のパーティクルの分布状
態を測定することができる。このようなパーティクルカ
ウンターは、例えば、図８に示すように、処理ユニット
群Ｇ４の一つの冷却ユニット（ＣＯＬ）の代わりに設け
られた検出ユニット１１０内に設置することができる。
このようにパーティクルカウンターをシステム内に設置
すれば、パーティクルカウンターで検出したパーティク
ル分布状態のパターンに応じて、制御部１３０がパーテ
ィクルを解消するように、所定部分の調整を行うように
することも可能である。If a particle counter is provided as a detecting means in the resist coating and developing system, for example, the resist coating is completed and the pre-baking unit (P
REBAKE) to perform a heating process before the exposure process,
After the cooling process is performed by the cooling unit (COL), the distribution state of the particles on the wafer W can be measured in-line. Such a particle counter, for example, can be installed as shown in FIG. 8, in the detection unit 110 provided in place of one of the cooling units of the processing unit group G 4 (COL).
If the particle counter is installed in the system as described above, the control unit 130 can adjust a predetermined portion according to the pattern of the particle distribution state detected by the particle counter so as to eliminate the particles. It is.
【００５５】次に、パーティクルの分布状態の態様と、
その原因および対策とを個々に説明する。図７のＮｏ．
１は、パーティクルがウエハＷの全面に分布するパター
ンである。このパターンの第１の原因としては、レジス
トノズル８６からレジスト液を吐出する際、このレジス
ト液の汚れに起因して生じたミストがウエハＷに付着す
るからと推測される。第２の原因としては、カップＣＰ
内のレジスト液のミストを排気するための排気手段（図
示略）の排気圧が比較的低いことに起因して、このミス
トを十分に回収できないからと推測される。第１の原因
に対する対策としては、レジストノズル８６からレジス
ト液のダミーディスペンスを行って、汚れのないレジス
ト液を吐出することが考えられる。第２の原因に対する
対策としては、ミストを十分に回収するため、排気手段
（図示略）の排気圧を高くすることが考えられる。Next, the state of the distribution state of the particles,
The causes and countermeasures will be described individually. In FIG.
1 is a pattern in which particles are distributed over the entire surface of the wafer W. The first cause of this pattern is presumed to be that when the resist liquid is discharged from the resist nozzle 86, mist generated due to contamination of the resist liquid adheres to the wafer W. The second cause is the cup CP
It is presumed that this mist cannot be sufficiently collected due to the relatively low exhaust pressure of the exhaust means (not shown) for exhausting the mist of the resist solution in the inside. As a countermeasure against the first cause, it is conceivable to perform a dummy dispensing of the resist liquid from the resist nozzle 86 and discharge a clean resist liquid. As a countermeasure against the second cause, it is conceivable to increase the exhaust pressure of an exhaust unit (not shown) in order to sufficiently collect the mist.
【００５６】図７のＮｏ．２は、パーティクルがウエハ
Ｗの周辺部に集中して分布するパターンである。このパ
ターンの原因としては、サイドリンスやバックリンスの
洗浄手段（図示略）によりウエハＷの側縁部および背面
を洗浄する際、リンス液の「跳ね」がウエハＷに付着す
るからと考えられる。この対策としては、サイドリンス
やバックリンスの洗浄手段（図示略）の吐出量、吐出角
度および吐出位置の高さを調整して、リンス液の「跳
ね」を防止することが有効であると考えられる。In FIG. Reference numeral 2 denotes a pattern in which particles are concentrated and distributed around the wafer W. It is considered that the cause of this pattern is that “bounce” of the rinsing liquid adheres to the wafer W when cleaning the side edges and the back surface of the wafer W by means for cleaning side rinse and back rinse (not shown). As a countermeasure, it is considered effective to adjust the discharge amount, discharge angle and discharge position of the side rinse and back rinse cleaning means (not shown) to prevent "rinsing" of the rinse liquid. Can be
【００５７】図７のＮｏ．３は、パーティクルがウエハ
Ｗの中心部に集中して分布するパターンである。このパ
ターンの第１の原因としては、レジストノズル８６から
レジスト液を吐出する際、このレジストノズル８６の汚
れに起因して生じたミストがウエハＷに付着するからと
推測される。第２の原因としては、アドヒージョンユニ
ット（ＡＤ）により疎水化処理を行う際、発塵等に起因
して、パーティクルがウエハＷに付着するからと推測さ
れる。第１の原因に対する対策としては、レジストノズ
ル８６の洗浄を行ってこのノズル自体の汚れを除去する
か、または、レジストノズル８６のサックバックの状態
を確認してレジスト液の液垂れまたは乾燥を十分に防止
できているかを確認することが考えられる。第２の原因
に対する対策としては、アドヒージョンユニット（Ａ
Ｄ）内でのウエハＷの搬送状態を検査してパーティクル
が生じているか否かを確認するか、または、アドヒージ
ョンユニット（ＡＤ）からの発塵の場合には、アドヒー
ジョンユニット（ＡＤ）のみだけのエージングを行うこ
とが考えられる。In FIG. 3 is a pattern in which particles are concentrated and distributed at the center of the wafer W. The first cause of this pattern is presumed to be that mist generated due to contamination of the resist nozzle 86 adheres to the wafer W when the resist liquid is discharged from the resist nozzle 86. The second cause is presumed to be that particles adhere to the wafer W due to dust generation or the like when performing the hydrophobic treatment by the adhesion unit (AD). As a countermeasure against the first cause, the resist nozzle 86 is washed to remove dirt from the nozzle itself, or the state of the suck back of the resist nozzle 86 is checked to sufficiently drip or dry the resist liquid. It is conceivable to confirm whether the problem has been prevented. As a countermeasure against the second cause, the adhesion unit (A
The transfer state of the wafer W in D) is inspected to check whether particles are generated, or in the case of dust generation from the adhesion unit (AD), the adhesion unit (AD) is used. It is conceivable that only aging is performed.
【００５８】図７のＮｏ．４は、パーティクルがウエハ
Ｗの中心部から放射状に延びて分布するパターンであ
る。このパターンの原因としては、レジストノズル８６
からレジスト液を吐出する際、このレジストノズル８６
の汚れに起因して生じたミストがウエハＷに付着するか
らと推測される。これに対する対策としては、Ｎｏ．３
の場合と同様に、レジストノズル８６の洗浄を行ってこ
のノズル自体の汚れを除去するか、または、レジストノ
ズル８６のサックバックの状態を確認してレジスト液の
液垂れまたは乾燥を十分に防止できているかを確認する
ことが考えられる。In FIG. Reference numeral 4 denotes a pattern in which particles extend radially from the center of the wafer W and are distributed. The reason for this pattern is that the resist nozzle 86
When the resist liquid is discharged from the resist nozzle 86,
It is presumed that the mist generated due to the dirt adheres to the wafer W. As a countermeasure against this, 3
As in the case of (1), the resist nozzle 86 can be washed to remove dirt from the nozzle itself, or the suck-back state of the resist nozzle 86 can be checked to sufficiently prevent the resist solution from dripping or drying. It is conceivable to check whether
【００５９】図７のＮｏ．５は、パーティクルがウエハ
Ｗの周辺部にクレーター形状で分布するパターンであ
り、顕微鏡により拡大すると、パーティクルがクレータ
ー形状であることが観察される。このパターンの原因と
しては、Ｎｏ．２の場合と同様に、サイドリンスの洗浄
手段（図示略）によりウエハＷの側縁部を洗浄する際、
リンス液の「跳ね」がウエハＷに付着するからと考えら
れる。この対策としては、サイドリンスの洗浄手段（図
示略）の吐出量、吐出角度および吐出位置の高さを調整
して、リンス液の「跳ね」を防止することが有効である
と考えられる。In FIG. Reference numeral 5 denotes a pattern in which particles are distributed in a crater shape at the periphery of the wafer W. When the particles are enlarged by a microscope, it is observed that the particles have a crater shape. The cause of this pattern is No. As in the case of 2, when cleaning the side edges of the wafer W by the side rinse cleaning means (not shown),
It is considered that the “bounce” of the rinsing liquid adheres to the wafer W. As a countermeasure, it is considered effective to adjust the discharge amount, the discharge angle, and the height of the discharge position of the cleaning means (not shown) for the side rinse to prevent “bounce” of the rinse liquid.
【００６０】このようにして、図７に示したような一覧
表に基づいて、検出されたウエハＷのレジスト膜表面の
パーティクルの分布状態に応じて、パーティクルを解消
するための対策を講じ、対策後の条件で次のウエハＷに
レジスト塗布処理を行う。As described above, based on the list as shown in FIG. 7, according to the distribution state of the particles on the surface of the resist film of the detected wafer W, a measure for eliminating the particles is taken. A resist coating process is performed on the next wafer W under later conditions.
【００６１】以上のように、本実施の形態では、パーテ
ィクルの分布状態の５つの態様とその原因および解消の
ための対策とを予め図７に示すような一覧表にまとめ、
各分布パターンに応じて、パーティクル解消対策とし
て、ミストのための排気手段（図示略）の排気圧の状
態、サイドリンスやバックリンスの洗浄状態、レジスト
ノズルの状態、および疎水化処理の状態のいずれかを選
択して調整するようにしているので、パーティクルの発
生を解消するための最適な手段を速やかに講じることが
できる。したがって、技術者が試行錯誤をすることな
く、迅速にウエハＷ上のレジスト膜表面のパーティクル
を解消することができ、生産性を悪化させることなく、
パーティクルが存在しない健全なレジスト膜を形成する
ことができる。As described above, in the present embodiment, five modes of the distribution state of particles, their causes, and countermeasures for eliminating them are summarized in a list as shown in FIG.
According to each distribution pattern, as a measure for eliminating particles, any one of a state of an exhaust pressure of an exhaust unit (not shown) for mist, a state of cleaning side rinse and back rinse, a state of a resist nozzle, and a state of a hydrophobic treatment Since the selection is made and the adjustment is made, it is possible to promptly take an optimal means for eliminating the generation of particles. Therefore, the particles on the surface of the resist film on the wafer W can be quickly eliminated without a technician performing trial and error, and without lowering the productivity.
A sound resist film free of particles can be formed.
【００６２】また、上述したように、パーティクルを検
出する検出手段としてパーティクルカウンターをレジス
ト塗布現像処理システム内に組み込めば、インラインで
パーティクルの分布状態を把握することができ、一層迅
速にパーティクルの分布状態の把握およびその対策を行
うことができ、極めて迅速にウエハＷ上のパーティクル
を解消することができる。As described above, if a particle counter is incorporated in the resist coating and developing processing system as a means for detecting particles, the distribution state of the particles can be grasped in-line, and the distribution state of the particles can be more quickly determined. Can be grasped and countermeasures can be taken, and particles on the wafer W can be eliminated very quickly.
【００６３】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、半導体ウエハにレジスト液を塗布する塗布装置に
ついて説明したが、半導体ウエハ以外の他の被処理基
板、例えばＬＣＤ基板にレジスト液を塗布する場合にも
本発明を適用することができる。また、塗布膜としても
レジスト膜に限らず他の膜であってもよい。Note that the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible. For example, in the above embodiment, the coating apparatus for applying a resist liquid to a semiconductor wafer has been described. However, the present invention is also applied to a case where a resist liquid is applied to a substrate to be processed other than the semiconductor wafer, for example, an LCD substrate. be able to. Further, the coating film is not limited to the resist film, but may be another film.
【００６４】[0064]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
パーティクル付着を解消するための対策をパーティクル
分布状態毎に予め把握し、これら予め把握されたパーテ
ィクル分布毎の対策に基づいて、検出されたパーティク
ル分布状態に応じた対策を講じ、その対策後の条件で次
の基板に塗布膜を形成するので、各種のパターンで現れ
る塗布膜表面のパーティクルを速やかに解消することが
でき、生産性を悪化させることなく、パーティクルが存
在しない健全な塗布膜を形成することができる。As described above, according to the present invention,
Measures for eliminating particle adhesion are grasped in advance for each particle distribution state, and based on these previously grasped measures for each particle distribution, measures are taken according to the detected particle distribution state, and conditions after the measures are taken. Since the coating film is formed on the next substrate, particles on the coating film surface appearing in various patterns can be quickly eliminated, and a sound coating film free of particles can be formed without deteriorating productivity. be able to.
【００６５】また、本発明によれば、検出されたパーテ
ィクルの分布状態に応じて、塗布液のミストを排気する
ための排気圧の状態、基板の側縁部および背面の洗浄状
態、ならびに塗布液供給ノズルの状態のいずれかを選択
して調整するので、パーティクルの分布状態に応じて、
パーティクルの発生を解消するための最適な手段を速や
かに講じることができる。したがって、技術者が試行錯
誤をすることなく、迅速に塗布膜表面のパーティクルを
解消することができ、生産性を悪化させることなく、パ
ーティクルが存在しない健全な塗布膜を形成することが
できる。Further, according to the present invention, the state of the exhaust pressure for exhausting the mist of the coating liquid, the cleaning state of the side edges and the back surface of the substrate, and the coating liquid according to the distribution state of the detected particles. Select and adjust the state of the supply nozzle, so depending on the distribution of particles,
Optimal means for eliminating the generation of particles can be promptly taken. Therefore, particles on the surface of the coating film can be quickly eliminated without a technician performing trial and error, and a sound coating film without particles can be formed without deteriorating productivity.
【図１】本発明の一実施の形態である半導体ウエハの塗
布現像処理システムの全体構成の平面図。FIG. 1 is a plan view of the overall configuration of a semiconductor wafer coating and developing processing system according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１に示す塗布現像処理システムの正面図。FIG. 2 is a front view of the coating and developing system shown in FIG.
【図３】図１に示す塗布現像処理システムの背面図。FIG. 3 is a rear view of the coating and developing system shown in FIG. 1;
【図４】図１に示した塗布現像処理システムに装着した
レジスト塗布装置の全体構成の断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view of the overall configuration of a resist coating apparatus mounted on the coating and developing processing system shown in FIG.
【図５】図４に示したレジスト塗布装置の平面図。5 is a plan view of the resist coating device shown in FIG.
【図６】図４に示したレジスト塗布装置の制御系の構成
を示す図。FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a control system of the resist coating apparatus shown in FIG.
【図７】種々のパーティクル分布状態と、各々の発生原
因およびパーティクルを解消する対策とを一覧にして示
す図。FIG. 7 is a view showing a list of various particle distribution states, causes of each generation, and countermeasures for eliminating particles;
【図８】パーティクルカウンターが設置された検出ユニ
ットを備えたレジスト塗布現像システムの一部を示す背
面図。FIG. 8 is a rear view illustrating a part of a resist coating and developing system including a detection unit provided with a particle counter.
【図９】従来のレジスト塗布装置の概略構成図。FIG. 9 is a schematic configuration diagram of a conventional resist coating apparatus.
５２……スピンチャック ８６……レジストノズル（塗布液供給ノズル） １１０……検出ユニット １３０……制御部 Ｗ……半導体ウエハ（基板） ＣＯＴ……レジスト塗布処理ユニット ＡＤ……アドヒージョンユニット（疎水化処理ユニッ
ト） ＰＲＥＢＡＫＥ……プリベーキングユニット ＣＯＬ……クーリングユニット52: Spin chuck 86: Resist nozzle (coating liquid supply nozzle) 110: Detection unit 130: Control unit W: Semiconductor wafer (substrate) COT: Resist coating unit AD: Adhesion unit (hydrophobic) PREBAKE: Pre-baking unit COL: Cooling unit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｄ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/027 H01L 21/30 564D
Claims (15)
るパーティクルを解消するための対策をパーティクル分
布状態毎に予め把握しておく工程と、 基板上に塗布膜を形成する工程と、 塗布膜に付着したパーティクルの分布状態を検出する工
程と、 前記予め把握された塗布膜表面のパーティクル付着を解
消するための対策に基づいて、検出されたパーティクル
分布状態に応じた対策を講じる工程と、 対策後の条件で次の基板に塗布膜を形成する工程とを具
備することを特徴とする塗布膜形成方法。A step of previously taking measures for eliminating particles generated on the surface of a coating film formed on the substrate for each particle distribution state; a step of forming a coating film on the substrate; A step of detecting a distribution state of particles attached to the film, and a step of taking a measure according to the detected particle distribution state, based on a measure for eliminating the adhesion of particles on the surface of the coating film that has been grasped in advance, Forming a coating film on the next substrate under the conditions after the countermeasure.
態の場合に、対策として前記塗布液供給ノズルの状態ま
たは前記排気圧の状態を調整するようにし、パーティク
ルが基板の周辺部に集中して分布している場合に、対策
として基板の側縁部および背面の洗浄状態を調整するよ
うにし、パーティクルが基板の中心部に集中して分布し
ている場合に、対策として塗布液供給ノズルの状態を調
整するようにし、パーティクルが基板の中心部から放射
状に延びて分布している場合に、対策として前記塗布液
供給ノズルの状態を調整するようにし、パーティクルが
基板の周辺部にクレーター形状で分布している場合に、
対策として基板の側縁部の洗浄状態を調整するようにし
たことを特徴とする請求項１に記載の塗布膜形成方法。2. When the particles are distributed over the entire surface of the substrate, the state of the application liquid supply nozzle or the state of the exhaust pressure is adjusted as a countermeasure so that the particles are concentrated and distributed around the substrate. As a countermeasure, adjust the cleaning state of the side edge and back surface of the substrate as a countermeasure, and if the particles are concentrated and distributed at the center of the substrate, adjust the state of the coating liquid supply nozzle as a countermeasure. When the particles are distributed radially extending from the center of the substrate, the state of the coating liquid supply nozzle is adjusted as a measure, and the particles are distributed in a crater shape around the substrate. If you have
2. The method according to claim 1, wherein a cleaning state of a side edge of the substrate is adjusted as a measure.
工程をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載
の塗布膜形成方法。3. The method according to claim 1, further comprising a step of subjecting the substrate to a hydrophobic treatment before forming the coating film.
態の場合に、対策として前記塗布液供給ノズルの状態ま
たは前記排気圧の状態を調整するようにし、パーティク
ルが基板の周辺部に集中して分布している場合に、対策
として基板の側縁部および背面の洗浄状態を調整するよ
うにし、パーティクルが基板の中心部に集中して分布し
ている場合に、対策として塗布液供給ノズルの状態また
は疎水化処理の状態を調整するようにし、パーティクル
が基板の中心部から放射状に延びて分布している場合
に、対策として前記塗布液供給ノズルの状態を調整する
ようにし、パーティクルが基板の周辺部にクレーター形
状で分布している場合に、対策として基板の側縁部の洗
浄状態を調整するようにしたことを特徴とする請求項３
に記載の塗布膜形成方法。4. When the particles are distributed over the entire surface of the substrate, the state of the application liquid supply nozzle or the state of the exhaust pressure is adjusted as a countermeasure, and the particles are concentrated and distributed on the peripheral portion of the substrate. As a countermeasure, adjust the cleaning state of the side edge and back surface of the substrate as a countermeasure.If particles are concentrated and distributed at the center of the substrate, as a countermeasure, the state of the coating liquid supply nozzle or The state of the hydrophobic treatment is adjusted, and when the particles are radially distributed from the center of the substrate and distributed, the state of the coating liquid supply nozzle is adjusted as a countermeasure, so that the particles are located in the peripheral portion of the substrate. 4. A cleaning state of a side edge of a substrate is adjusted as a countermeasure when the distribution is in a crater shape.
3. The method for forming a coating film according to item 1.
布膜を形成する工程と、 基板上に形成された塗布膜に付着したパーティクルの分
布状態を検出する工程と、 このパーティクルの分布状態に応じて、塗布液のミスト
を排気するための排気圧の状態、基板の側縁部および背
面の洗浄状態、ならびに塗布液供給ノズルの状態のいず
れかを調整する工程と、 上記いずれかの状態を調整後の条件で次の基板の塗布膜
を形成する工程とを具備することを特徴とする塗布膜形
成方法。5. A step of supplying a coating liquid from a nozzle onto a substrate to form a coating film, a step of detecting a distribution state of particles attached to the coating film formed on the substrate, and a distribution state of the particles. Adjusting any one of the state of the exhaust pressure for exhausting the mist of the coating liquid, the cleaning state of the side edges and the back surface of the substrate, and the state of the coating liquid supply nozzle according to the above, Forming a coating film of the next substrate under the condition after adjusting the above.
工程と、 基板上に形成された塗布膜に付着したパーティクルの分
布状態を検出する工程と、 このパーティクルの分布状態に応じて、塗布液のミスト
を排気するための排気圧の状態、基板の側縁部および背
面の洗浄状態、塗布液供給ノズルの状態、ならびに疎水
化処理の状態ののいずれかを調整する工程と、 上記いずれかの状態を調整後の条件で次の基板の塗布膜
を形成する工程とを具備することを特徴とする塗布膜形
成方法。6. A step of performing a hydrophobizing treatment on a substrate, a step of supplying a coating liquid from a nozzle to the substrate to form a coating film, and a step of distributing particles attached to the coating film formed on the substrate. The step of detecting, and the state of the exhaust pressure for exhausting the mist of the coating liquid, the cleaning state of the side edges and the back surface of the substrate, the state of the coating liquid supply nozzle, and the hydrophobic treatment according to the distribution state of the particles. And a step of forming a coating film on the next substrate under the condition after adjusting any of the above conditions.
パーティクルが基板の全面に分布した状態の場合に、前
記塗布液供給ノズルの状態または前記排気圧の状態を調
整することを特徴とする請求項５または請求項６に記載
の塗布膜形成方法。7. The distribution state of the detected particles is as follows:
7. The method according to claim 5, wherein when the particles are distributed over the entire surface of the substrate, the state of the application liquid supply nozzle or the state of the exhaust pressure is adjusted. 8.
パーティクルが基板の周辺部に集中して分布した状態の
場合に、基板の側縁部および背面の洗浄状態を調整する
ことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の塗布
膜形成方法。8. The distribution state of the detected particles is as follows:
7. The method according to claim 5, wherein when the particles are concentrated and distributed around the periphery of the substrate, the cleaning state of the side edges and the back surface of the substrate is adjusted.
パーティクルが基板の中心部に集中して分布している状
態の場合に、前記塗布液供給ノズルの状態を調整するこ
とを特徴とする請求項５または請求項６に記載の塗布膜
形成方法。9. The distribution state of the detected particles is as follows:
7. The method according to claim 5, wherein the state of the application liquid supply nozzle is adjusted when particles are concentrated and distributed at the center of the substrate.
が、パーティクルが基板の中心部に集中して分布してい
る状態の場合に、疎水化処理の状態を調整することを特
徴とする請求項６に記載の塗布膜形成方法。10. The method according to claim 6, wherein when the detected distribution state of the particles is a state in which the particles are concentrated and distributed at the center of the substrate, the state of the hydrophobic treatment is adjusted. The method for forming a coating film according to the above.
が、パーティクルが基板の中心部から放射状に延びて分
布している状態の場合に、前記塗布液供給ノズルの状態
を調整することを特徴とする請求項５または請求項６に
記載の塗布膜形成方法。11. When the detected distribution state of the particles is such that the particles extend radially from the center of the substrate and are distributed, the state of the coating liquid supply nozzle is adjusted. 7. The method for forming a coating film according to claim 5 or 6.
が、パーティクルが基板の周辺部にクレーター形状で分
布している状態の場合に、基板の側縁部の洗浄状態を調
整することを特徴とする請求項５または請求項６に記載
の塗布膜形成方法。12. A cleaning method for adjusting a cleaning state of a side edge portion of a substrate when the distribution state of the detected particles is such that the particles are distributed in a crater shape around the substrate. 7. The method for forming a coating film according to claim 5 or 6.
せながら、塗布液供給ノズルから塗布液を基板に吐出し
て、基板に塗布膜を形成し、塗布液の吐出の際に排気手
段により塗布液のミストを排気する塗布処理ユニット
と、 基板に対して熱的処理を施す複数の熱的処理ユニット
と、 基板に形成された塗布膜に付着したパーティクルの分布
状態を検出する検出手段とを具備し、 前記検出手段により検出されたパーティクルの分布状態
に応じて、塗布液のミストを排気する排気圧の状態、基
板の側縁部および背面の洗浄状態、ならびに塗布液供給
ノズルの状態のいずれかを調整することを特徴とする塗
布処理システム。13. A coating liquid is discharged from a coating liquid supply nozzle onto a substrate while rotating a substrate housed in a processing container to form a coating film on the substrate. A coating processing unit for exhausting the mist of the coating liquid, a plurality of thermal processing units for performing thermal processing on the substrate, and a detecting unit for detecting a distribution state of particles attached to the coating film formed on the substrate. Any one of a state of an exhaust pressure for exhausting a mist of a coating liquid, a cleaning state of a side edge and a back surface of a substrate, and a state of a coating liquid supply nozzle according to a distribution state of particles detected by the detection unit. A coating treatment system characterized by adjusting the temperature.
理を施す疎水化処理ユニットをさらに具備し、前記検出
手段により検出されたパーティクルの分布状態に応じ
て、塗布液のミストを排気する排気圧の状態、基板の側
縁部および背面の洗浄状態、塗布液供給ノズルの状態、
ならびに疎水化処理の状態のいずれかを調整することを
特徴とする請求項１３に記載の塗布処理システム。14. A hydrophobizing unit for hydrophobizing a substrate before forming a coating film, wherein a mist of the coating liquid is exhausted according to a distribution state of the particles detected by the detecting means. The state of the exhaust pressure, the cleaning state of the side edges and the back surface of the substrate, the state of the coating liquid supply nozzle,
14. The coating processing system according to claim 13, wherein one of the states of the hydrophobic treatment is adjusted.
トおよび熱的処理ユニットとともに同一筐体内に設けら
れていることを特徴とする請求項１３または請求項１４
に記載の塗布処理システム。15. The apparatus according to claim 13, wherein the detection means is provided in the same housing together with the coating processing unit and the thermal processing unit.
3. The coating processing system according to 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2498099A JP3352419B2 (en) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | Coating film forming method and coating processing system |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000218218A true JP2000218218A (en) | 2000-08-08 |
| JP3352419B2 JP3352419B2 (en) | 2002-12-03 |
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ID=12153139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3352419B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000223403A (en) * | 1999-02-02 | 2000-08-11 | Tokyo Electron Ltd | Coating-film forming method and coating system |
| JP2003234278A (en) * | 2002-02-08 | 2003-08-22 | Toshiba Corp | Liquid film treatment method and device thereof |
| JP2004045491A (en) * | 2002-07-09 | 2004-02-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Method for forming film of positive type photosensitive resin |
-
1999
- 1999-02-02 JP JP2498099A patent/JP3352419B2/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP2000223403A (en) * | 1999-02-02 | 2000-08-11 | Tokyo Electron Ltd | Coating-film forming method and coating system |
| JP2003234278A (en) * | 2002-02-08 | 2003-08-22 | Toshiba Corp | Liquid film treatment method and device thereof |
| JP2004045491A (en) * | 2002-07-09 | 2004-02-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Method for forming film of positive type photosensitive resin |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JP3352419B2 (en) | 2002-12-03 |
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