JP2000216474A - Semiconductor laser module and its driving method - Google Patents
Semiconductor laser module and its driving methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明が属する技術分野】本発明は、光通信の分野で用
いられる半導体レーザモジュールおよび半導体レーザモ
ジュールの駆動方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser module used in the field of optical communication and a method for driving the semiconductor laser module.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図６（ａ）には半導体レーザモジュール
の一構造例が断面により模式的に示され、図６（ｂ）に
は図６（ａ）に示す半導体レーザモジュールの電気配線
の一例が示されている。図６（ａ）に示す半導体レーザ
モジュール１は半導体レーザ素子２と光ファイバ３を光
学的に結合させてモジュール化したものである。2. Description of the Related Art FIG. 6A schematically shows a structural example of a semiconductor laser module by a cross section, and FIG. 6B shows an example of electric wiring of the semiconductor laser module shown in FIG. It is shown. The semiconductor laser module 1 shown in FIG. 6A is a module in which a semiconductor laser element 2 and an optical fiber 3 are optically coupled.
【０００３】すなわち、図６（ａ）に示すように、パッ
ケージ４の内底壁面４ａ上にサーモモジュール５が設け
られている。このサーモモジュール５は複数のペルチエ
素子５ａが高熱伝導体（例えば、窒化アルミ）の板部材
５ｂ，５ｃ（第１の基板、第２の基板）によって挟み込
まれた形態と成している。この例では、上記板部材５ｂ
が上記パッケージ４の内底壁面４ａ上に固定され、この
板部材５ｂにペルチエ素子５ａの放熱側が半田により設
置され、このペルチエ素子５ａの吸熱側に上記板部材５
ｃが半田により固定されている。[0006] That is, as shown in FIG. 6 (a), a thermo module 5 is provided on an inner bottom wall surface 4 a of a package 4. The thermo module 5 has a configuration in which a plurality of Peltier elements 5a are sandwiched between plate members 5b and 5c (first substrate and second substrate) made of a high thermal conductor (for example, aluminum nitride). In this example, the plate member 5b
Is fixed on the inner bottom wall surface 4a of the package 4, the radiating side of the Peltier element 5a is mounted on the plate member 5b by soldering, and the plate member 5 is mounted on the heat absorbing side of the Peltier element 5a.
c is fixed by solder.
【０００４】このようなサーモモジュール５は上記ペル
チエ素子５ａに流す電流の向きに応じて発熱動作（加熱
動作）と吸熱動作（冷却動作）が変化し、また、その発
熱量や吸熱量はペルチエ素子５ａの通電電流量に応じて
変化するものである。In such a thermo module 5, a heating operation (heating operation) and a heat absorbing operation (cooling operation) change according to the direction of the current flowing through the Peltier element 5a. It changes according to the amount of current flowing in 5a.
【０００５】このようなサーモモジュール５の上側（つ
まり、板部材５ｃ上）には部品の取り付け用部材である
基板６が半田（例えば、ＩｎＰｂＡｇ共晶半田（融点１
４８℃））により固定設置されている。この基板６の上
側には支持部材７，８とレンズ９が固定されている。上
記支持部材７には上記半導体レーザ素子２が配置される
と共に、半導体レーザ素子２の温度を検知するためのサ
ーミスタ１０が設けられている。上記支持部材８には上
記半導体レーザ素子２の発光状態を監視するモニター用
のフォトダイオード１１が配設されている。上記半導体
レーザ素子２としては、例えば、１３１０nm帯および１
５５０nm帯の信号光波長帯のものや、１４８０nm帯や９
８０nm帯等の光ファイバ増幅器の励起光の波長帯のもの
が一般的に用いられている。On the upper side of the thermo module 5 (that is, on the plate member 5c), a substrate 6 as a component mounting member is soldered (for example, InPbAg eutectic solder (having a melting point of 1).
48 ° C.)). Support members 7, 8 and a lens 9 are fixed above the substrate 6. The semiconductor laser element 2 is disposed on the support member 7 and a thermistor 10 for detecting the temperature of the semiconductor laser element 2 is provided. The support member 8 is provided with a monitoring photodiode 11 for monitoring the light emitting state of the semiconductor laser element 2. As the semiconductor laser device 2, for example, a 1310 nm band and 1
550 nm band signal light wavelength band, 1480 nm band or 9
The wavelength band of the pump light of the optical fiber amplifier such as the 80 nm band is generally used.
【０００６】パッケージ４の側壁４ｂには貫通孔４ｃが
形成され、この貫通孔４ｃには光ファイバ支持部材１２
が嵌合装着されている。この光ファイバ支持部材１２は
挿通孔１２ａを有し、光ファイバ３の端部側がパッケー
ジ４の外部から上記挿通孔１２ａの内部に導入されてい
る。また、挿通孔１２ａの内部には上記光ファイバ３の
先端と間隔を介してレンズ１４が配設されている。A through hole 4c is formed in a side wall 4b of the package 4, and an optical fiber support member 12 is formed in the through hole 4c.
Are fitted and mounted. The optical fiber support member 12 has an insertion hole 12a, and the end side of the optical fiber 3 is introduced from the outside of the package 4 into the inside of the insertion hole 12a. In addition, a lens 14 is disposed inside the insertion hole 12a with an interval from the tip of the optical fiber 3.
【０００７】上記パッケージ４には、図６（ｂ）に示す
ように、リードピン１６が複数本（図６（ｂ）に示す例
では１４本）外部に向けて突出形成されている。また、
パッケージ４の内部には上記半導体レーザ素子２、サー
モモジュール５、サーミスタ１０、フォトダイオード１
１を上記リードピン１６に導通接続させるための導体パ
ターンやリード線等の導通手段１７が設けられている。
それら導通手段１７とリードピン１６によって、上記半
導体レーザ素子２、サーモモジュール５、サーミスタ１
０、フォトダイオード１１をそれぞれ半導体レーザモジ
ュール駆動用の駆動制御手段（図示せず）に導通接続さ
せることができる。As shown in FIG. 6B, a plurality of lead pins 16 (14 in the example shown in FIG. 6B) are formed on the package 4 so as to protrude outward. Also,
Inside the package 4, the semiconductor laser element 2, the thermo module 5, the thermistor 10, the photodiode 1
Conductive means 17 such as a conductor pattern or a lead wire for electrically connecting the lead wire 1 to the lead pin 16 is provided.
The semiconductor laser device 2, the thermomodule 5, the thermistor 1 are connected to the conducting means 17 and the lead pins 16 by the conducting means 17 and the lead pins 16.
0, the photodiodes 11 can be electrically connected to drive control means (not shown) for driving the semiconductor laser module.
【０００８】具体的には、図６（ｂ）に示す例では、上
記半導体レーザ素子２は上記導通手段１７とリードピン
１６（１６ｇ，１６ｈ）によって、また、サーモモジュ
ール５は上記導通手段１７とリードピン１６（１６ａ，
１６ｆ）によって、さらに、サーミスタ１０は導通手段
１７とリードピン１６（１６ｂ，１６ｅ）によって、ま
た、上記フォトダイオード１１は導通手段１７とリード
ピン１６（１６ｃ，１６ｄ）によってそれぞれ上記駆動
制御手段に導通接続される。More specifically, in the example shown in FIG. 6B, the semiconductor laser element 2 is connected to the conducting means 17 and the lead pins 16 (16g, 16h), and the thermo module 5 is connected to the conducting means 17 and the lead pins. 16 (16a,
16f), the thermistor 10 is conductively connected to the drive control means by the conductive means 17 and the lead pins 16 (16b, 16e), and the photodiode 11 is conductively connected to the drive control means by the conductive means 17 and the lead pins 16 (16c, 16d). You.
【０００９】図６に示す半導体レーザモジュール１は上
記のように構成されている。このような半導体レーザモ
ジュール１を上記駆動制御手段に導通接続し、上記駆動
制御手段から半導体レーザモジュール１の半導体レーザ
素子２に電流を供給すると、半導体レーザ素子２からレ
ーザ光が放射される。この放射されたレーザ光は上記レ
ンズ９，１４から成る結合用光学系によって集光されて
光ファイバ３に入射し、光ファイバ３内を伝搬して所望
の用途に供される。The semiconductor laser module 1 shown in FIG. 6 is configured as described above. When such a semiconductor laser module 1 is conductively connected to the drive control means and a current is supplied from the drive control means to the semiconductor laser element 2 of the semiconductor laser module 1, laser light is emitted from the semiconductor laser element 2. The emitted laser light is condensed by the coupling optical system composed of the lenses 9 and 14, is incident on the optical fiber 3, propagates in the optical fiber 3, and is used for a desired application.
【００１０】ところで、上記半導体レーザ素子２から放
射されるレーザ光の強度および波長は半導体レーザ素子
２自体の温度に応じて変動する。このため、上記レーザ
光の強度および波長を一定に制御すべく、上記駆動制御
手段は、上記サーミスタ１０から出力される出力値に基
づいて、半導体レーザ素子２の温度が一定となるよう
に、サーモモジュール５の通電電流の向きおよび通電量
を制御してサーモモジュール５の加熱動作あるいは冷却
動作を制御している。このサーモモジュール５による温
度制御によって、半導体レーザ素子２はほぼ一定の温度
に保たれ、半導体レーザ素子２から出射されるレーザ光
の強度および波長を一定にすることができる。The intensity and wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser device 2 fluctuate according to the temperature of the semiconductor laser device 2 itself. For this reason, in order to control the intensity and wavelength of the laser light to be constant, the drive control means operates based on the output value output from the thermistor 10 so that the temperature of the semiconductor laser element 2 becomes constant. The heating operation or the cooling operation of the thermomodule 5 is controlled by controlling the direction and amount of current supplied to the module 5. By the temperature control by the thermo module 5, the semiconductor laser element 2 is maintained at a substantially constant temperature, and the intensity and wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser element 2 can be made constant.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例え
ば、操作ミスや過電圧発生等によって、サーモモジュー
ル５を加熱動作させる加熱方向の過電流がサーモモジュ
ール５に通電してしまう異常事態が発生する場合があ
る。この場合、サーモモジュール５が異常に高温加熱し
てサーモモジュール５上に配設されている半導体レーザ
素子２、基板６、レンズ９等の部品が急激に（例えば、
１０秒間でサーミスタ１０の指示温度が２００℃以上に
上昇するというように急激に）加熱される。However, an abnormal situation may occur in which an overcurrent in the heating direction for heating the thermomodule 5 is supplied to the thermomodule 5 due to, for example, an operation error or occurrence of an overvoltage. . In this case, the thermo module 5 is heated to an abnormally high temperature, and the components such as the semiconductor laser device 2, the substrate 6, and the lens 9 disposed on the thermo module 5 rapidly (for example,
In 10 seconds, the temperature of the thermistor 10 is rapidly increased (for example, the indicated temperature rises to 200 ° C. or more).
【００１２】ところで、上記サーモモジュール５の板部
材５ｃがパッケージ４の側壁や光ファイバ支持部材１２
に熱的に接続されている場合には上記サーモモジュール
５から発せられた熱の一部は上記パッケージ４の側壁や
光ファイバ支持部材１２を介して外部に放出される。こ
のため、上記のようにサーモモジュール５が異常に高温
加熱した際には、その高温の熱の一部が上記サーモモジ
ュール５から光ファイバ支持部材１２を介して外部に放
熱されることとなり、半導体レーザ素子２やレンズ９等
のサーモモジュール５上の部品に伝熱される熱量が抑制
されて上記サーモモジュール５上の部品の温度上昇を緩
和することができる。By the way, the plate member 5c of the thermo module 5 is connected to the side wall of the package 4 or the optical fiber supporting member 12a.
When the thermal module 5 is thermally connected, a part of the heat generated from the thermo module 5 is released to the outside via the side wall of the package 4 and the optical fiber supporting member 12. For this reason, when the thermo module 5 is abnormally heated to a high temperature as described above, a part of the high temperature heat is radiated to the outside from the thermo module 5 via the optical fiber supporting member 12, and the semiconductor The amount of heat transferred to the components on the thermo module 5 such as the laser element 2 and the lens 9 is suppressed, and the temperature rise of the components on the thermo module 5 can be reduced.
【００１３】しかし、図６に示す例では、サーモモジュ
ール５上の部品と、上記パッケージ４の側壁や光ファイ
バ支持部材１２とは熱的に独立した状態である。このた
めに、サーモモジュール５上の部品の熱がパッケージ４
の側壁や光ファイバ支持部材１２を通してパッケージ４
の外部に放熱されることは殆ど無い。このような場合に
は、上記サーモモジュール５の異常高温加熱が発生した
際にはそのサーモモジュール５の高温の熱がサーモモジ
ュール５上の部品に伝熱され蓄積されてしまう。このた
め、サーモモジュール５上の部品の温度上昇は顕著なも
のとなり、次に示すような事態が発生し易くなり、問題
である。However, in the example shown in FIG. 6, the components on the thermo module 5 and the side wall of the package 4 and the optical fiber supporting member 12 are in a thermally independent state. For this reason, the heat of the components on the
Package 4 through side wall of optical fiber support member 12
The heat is hardly radiated outside. In such a case, when abnormal high-temperature heating of the thermo-module 5 occurs, the high-temperature heat of the thermo-module 5 is transmitted to components on the thermo-module 5 and accumulated. For this reason, the temperature rise of the components on the thermo module 5 becomes remarkable, and the following situation is likely to occur, which is a problem.
【００１４】例えば、上記の如く、加熱方向の過電流通
電に起因したサーモモジュール５の高温加熱によって半
導体レーザ素子２の温度が高温に上昇した場合には、半
導体レーザ素子２の結晶内部の欠陥が成長し、半導体レ
ーザ素子２の特性が大幅に劣化してしまうという問題が
生じる。For example, as described above, when the temperature of the semiconductor laser element 2 rises to a high temperature due to the high temperature heating of the thermo module 5 caused by the overcurrent flow in the heating direction, the defect inside the crystal of the semiconductor laser element 2 becomes defective. This causes a problem that the characteristics of the semiconductor laser element 2 are greatly deteriorated.
【００１５】また、基板６は上述したようにサーモモジ
ュール５の板部材５ｃに例えばＩｎＰｂＡｇ共晶半田
（融点１４８℃）等の半田（熱溶融接続材料）により固
定されている。このために、上記の如くサーモモジュー
ル５が異常に高温加熱した場合には、上記半田が溶融し
て基板６の位置ずれが生じることがある。この基板６の
位置ずれにより、半導体レーザ素子２およびレンズ９が
正規の位置からずれ、光ファイバ３に対して半導体レー
ザ素子２およびレンズ９がずれる光結合のずれ（調芯ず
れ）が生じてしまうという問題が生じる。特に、上記基
板６の位置ずれに起因して半導体レーザ素子２が光ファ
イバ３に対して角度ずれを起こすと、例えば、０．２°
の角度ずれによって光出力が９５％も低下してしまうと
いう如く、光出力が大幅に低下してしまう。As described above, the substrate 6 is fixed to the plate member 5c of the thermo module 5 by a solder (hot-melt connection material) such as, for example, InPbAg eutectic solder (melting point: 148 ° C.). For this reason, when the thermo module 5 is abnormally heated to a high temperature as described above, the solder may be melted and the substrate 6 may be displaced. Due to the displacement of the substrate 6, the semiconductor laser element 2 and the lens 9 are displaced from their normal positions, and a displacement of optical coupling (alignment deviation) occurs in which the semiconductor laser element 2 and the lens 9 are displaced with respect to the optical fiber 3. The problem arises. In particular, when the semiconductor laser element 2 causes an angular shift with respect to the optical fiber 3 due to the positional shift of the substrate 6, for example, 0.2 °
As a result, the optical output is greatly reduced, for example, the optical output is reduced by as much as 95% due to the angular deviation.
【００１６】さらに、上記ガラス製のレンズ９は、例え
ば、金属製のホルダに低融点ガラスを利用して接着固定
され、このレンズ付金属製ホルダが上記基板６に固定さ
れてレンズ９が基板６に取り付けられることがある。こ
の場合、上記のように、サーモモジュール５が急激に異
常加熱した際には、ガラスと金属の熱膨張率の大きな差
によって、上記レンズ９と金属製ホルダとの接合部分
（低融点ガラス）にクラックが発生してしまう。このク
ラック発生により、レンズ９が上記金属製ホルダから外
れ、半導体レーザ素子２と光ファイバ３の光結合が損な
われてしまうという問題が生じる。Further, the glass lens 9 is adhered and fixed to a metal holder using low-melting glass, for example. The metal holder with the lens is fixed to the substrate 6 so that the lens 9 is attached to the substrate 6. May be attached to. In this case, as described above, when the thermo module 5 suddenly abnormally heats, a large difference in the coefficient of thermal expansion between the glass and the metal causes a large difference in the thermal expansion coefficient between the lens 9 and the metal holder (low-melting glass). Cracks occur. Due to the occurrence of the crack, the lens 9 comes off from the metal holder, causing a problem that optical coupling between the semiconductor laser element 2 and the optical fiber 3 is impaired.
【００１７】さらに、前述したように、ペルチエ素子５
ａと板部材５ｂ，５ｃとは半田を利用して結合されてい
るので、上記サーモモジュール５の異常加熱により、上
記半田が溶融し、例えばペルチエ素子５ａが外れる等し
てサーモモジュール５自体が破損する虞がある。Further, as described above, the Peltier element 5
a and the plate members 5b and 5c are connected by using solder, so that the abnormal melting of the thermo module 5 causes the solder to melt and the Peltier element 5a to come off, for example, to break the thermo module 5 itself. There is a risk of doing so.
【００１８】本発明は上記課題を解決するために成され
たものであり、その目的は、サーモモジュールへの加熱
方向の過電流通電を防止し、その過電流通電に起因した
問題発生を回避することができる半導体レーザモジュー
ルおよび半導体レーザモジュールの駆動方法を提供する
ことにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to prevent an overcurrent from flowing to a thermo module in a heating direction and avoid a problem caused by the overcurrent. It is an object of the present invention to provide a semiconductor laser module and a driving method of the semiconductor laser module that can be used.
【００１９】[0019]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は次に示す構成をもって前記課題を解決す
る手段としている。すなわち、第１の発明の半導体レー
ザモジュールは、半導体レーザ素子と、この半導体レー
ザ素子の温度を調整するサーモモジュールと、上記半導
体レーザ素子から出射されたレーザ光と光学的に結合さ
れる光ファイバとを有する半導体レーザモジュールにお
いて、上記サーモモジュールは該サーモモジュールに通
電する電流量に応じて半導体レーザ素子の温度を可変調
整する構成と成し、上記サーモモジュールに過電流が流
れるのを抑制する過電流制限手段を設けた構成をもって
前記課題を解決する手段としている。In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides means for solving the above-mentioned problems with the following constitution. That is, a semiconductor laser module according to a first aspect of the present invention includes a semiconductor laser device, a thermo module for adjusting the temperature of the semiconductor laser device, and an optical fiber optically coupled to laser light emitted from the semiconductor laser device. In the semiconductor laser module having a thermoelectric module, the thermomodule is configured to variably adjust the temperature of the semiconductor laser element in accordance with the amount of current supplied to the thermomodule, and the overcurrent that suppresses the overcurrent from flowing through the thermomodule is provided. The above-mentioned problem is solved by a configuration provided with a restricting means.
【００２０】第２の発明の半導体レーザモジュールは、
上記第１の発明の構成を備え、サーモモジュールは通電
電流の向きに応じて加熱動作と冷却動作を変化させる構
成と成し、過電流制限手段は上記サーモモジュールを加
熱動作させる加熱方向の電流をサーモモジュールに流す
電流経路上に設けられていることを特徴として構成され
ている。According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor laser module.
With the configuration of the first aspect, the thermo module is configured to change the heating operation and the cooling operation according to the direction of the supplied current, and the overcurrent limiting means controls the current in the heating direction for heating the thermo module. It is characterized in that it is provided on a current path flowing through the thermo module.
【００２１】第３の発明の半導体レーザモジュールは、
上記第２の発明の構成を備え、加熱方向の電流をサーモ
モジュールに流す電流経路にはサーモモジュールの上流
側と下流側とをサーモモジュールを迂回して短絡するバ
イパス通路が設けられ、このバイパス通路には抵抗体が
介設されると共に、加熱の電流方向を順方向としたダイ
オードが上記抵抗体と直列に設けられており、上記バイ
パス通路と抵抗体とダイオードは、加熱方向の電流をサ
ーモモジュールとバイパス通路に分流通電させて加熱方
向の過電流がサーモモジュールに通電するのを緩和する
過電流制限手段と成していることを特徴として構成され
ている。According to a third aspect of the present invention, there is provided a semiconductor laser module comprising:
The current path in which the current in the heating direction flows to the thermomodule is provided with a bypass path that short-circuits the upstream and downstream sides of the thermomodule bypassing the thermomodule, and includes a bypass path. In addition, a resistor is interposed, and a diode having a heating current direction as a forward direction is provided in series with the resistor.The bypass path, the resistor, and the diode transmit a current in the heating direction to a thermo module. And a bypass current flowing through the bypass passage to reduce overcurrent in the heating direction to flow to the thermomodule.
【００２２】第４の発明の半導体レーザモジュールは、
上記第１又は第２又は第３の発明の構成を備え、サーモ
モジュールはペルチエ素子を第１の基板と第２の基板に
より挟み込んで構成され、上記第１の基板と第２の基板
のうちの何れか一方側に半導体レーザ素子が配置されて
サーモモジュールと熱的に接続されており、また、半導
体レーザ素子から出射されたレーザ光を集光して光ファ
イバに導入するためのレンズを有し、このレンズは該レ
ンズの取り付け用部材を固定している熱溶融接続材料を
介してサーモモジュールの半導体レーザ素子を配置して
いる側の基板と熱的に接続される構成と成していること
を特徴として構成されている。A semiconductor laser module according to a fourth aspect of the present invention comprises:
The thermo module includes the configuration of the first, second, or third invention, and includes a Peltier element sandwiched between a first substrate and a second substrate. A semiconductor laser element is arranged on one side and is thermally connected to the thermo module, and has a lens for condensing laser light emitted from the semiconductor laser element and introducing it to an optical fiber. The lens is configured so as to be thermally connected to the substrate on the side where the semiconductor laser element of the thermo module is disposed via a heat fusion connection material fixing the mounting member of the lens. It is configured as a feature.
【００２３】第５の発明の半導体レーザモジュールは、
上記第１又は第２又は第３の発明の構成を備え、光ファ
イバはレーザ光が入射する端部に半導体レーザ素子から
出射されたレーザ光を集光するレンズが形成されている
レンズ付光ファイバであることを特徴として構成されて
いる。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor laser module comprising:
The optical fiber with the lens according to the first, second, or third aspect of the present invention, wherein the optical fiber is provided with a lens for condensing the laser light emitted from the semiconductor laser element at the end where the laser light is incident. It is characterized by the following.
【００２４】第６の発明の半導体レーザモジュールは、
上記第１〜第５の発明の何れか１つの発明の構成を備
え、サーモモジュールはペルチエ素子を第１の基板と第
２の基板により挟み込んで構成され、上記第１の基板と
第２の基板のうちの何れか一方側に半導体レーザ素子が
配置されてサーモモジュールと熱的に接続されている構
成を備え、上記半導体レーザ素子とサーモモジュールは
パッケージ内に収容配置されており、上記パッケージに
は該パッケージの内部から外部に通じる貫通孔が設けら
れ、この貫通孔には熱伝導性材料から成る光ファイバ支
持部材が嵌合装着され、この光ファイバ支持部材に設け
られた挿通孔を通して光ファイバの端部側がパッケージ
の外部から内部に導入されており、サーモモジュールの
半導体レーザ素子を配置した側の基板は上記光ファイバ
支持部材と熱的に独立し、サーモモジュールの半導体レ
ーザ素子を配置した側の基板から上記光ファイバ支持部
材を介してパッケージの外部への熱の放出が制限される
ことを特徴として構成されている。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor laser module comprising:
The thermo module comprises the configuration of any one of the first to fifth aspects of the present invention, wherein the thermo module includes a Peltier element sandwiched between a first substrate and a second substrate, and the first substrate and the second substrate The semiconductor laser device is arranged on any one of the sides and is configured to be thermally connected to a thermo module, the semiconductor laser device and the thermo module are housed and arranged in a package, and the package includes A through hole communicating from the inside to the outside of the package is provided, and an optical fiber supporting member made of a heat conductive material is fitted and mounted in the through hole, and an optical fiber supporting member is inserted through the through hole provided in the optical fiber supporting member. The end side is introduced from the outside of the package to the inside, and the substrate on the side where the semiconductor laser device of the thermo module is arranged is thermally insulated from the optical fiber supporting member. And it is configured as characterized in that the release of heat from the side of the substrate disposing the semiconductor laser element of the thermo module to the outside of the package via the optical fiber supporting member is limited.
【００２５】第７の発明の半導体レーザモジュールの駆
動方法は、半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子
の温度を調整するサーモモジュールと、上記半導体レー
ザ素子から出射されたレーザ光と光学的に結合される光
ファイバとを有する半導体レーザモジュールの駆動方法
において、上記サーモモジュールを半導体レーザ素子に
熱的に接続し、半導体レーザ素子の温度を該サーモモジ
ュールに通電する電流量に応じて調整し、サーモモジュ
ールへの電流の通電経路には過電流制限手段を設けてサ
ーモモジュールへの過電流通電を抑制することを特徴と
して構成されている。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method for driving a semiconductor laser module, wherein the semiconductor laser element, a thermo module for adjusting the temperature of the semiconductor laser element, and optically coupled with the laser beam emitted from the semiconductor laser element. A method for driving a semiconductor laser module having an optical fiber, wherein the thermomodule is thermally connected to a semiconductor laser element, and the temperature of the semiconductor laser element is adjusted according to the amount of current flowing through the thermomodule. An overcurrent limiting means is provided in a current supply path to the current supply to suppress overcurrent supply to the thermo module.
【００２６】第８の発明の半導体レーザモジュールの駆
動方法は、半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子
の温度を調整するサーモモジュールと、上記半導体レー
ザ素子から出射されたレーザ光と光学的に結合される光
ファイバとを有する半導体レーザモジュールの駆動方法
において、上記サーモモジュールは通電電流の向きに応
じて加熱動作と冷却動作を変化させる構成と成し、この
サーモモジュールを半導体レーザ素子に熱的に接続し、
サーモモジュールを加熱動作させる加熱方向の電流をサ
ーモモジュールに流す電流経路にはサーモモジュールの
上流側と下流側とをサーモモジュールを迂回して短絡す
るバイパス通路を設け、このバイパス通路には抵抗体を
介設し、加熱方向の電流をサーモモジュールとバイパス
通路に分流してサーモモジュールへの加熱方向の過電流
通電を緩和することを特徴として構成されている。According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a driving method of a semiconductor laser module, wherein the semiconductor laser element, a thermo module for adjusting the temperature of the semiconductor laser element, and optically coupled with the laser beam emitted from the semiconductor laser element. In the method for driving a semiconductor laser module having an optical fiber, the thermo module has a configuration in which a heating operation and a cooling operation are changed in accordance with a direction of a supplied current, and the thermo module is thermally connected to the semiconductor laser element. And
A current path in which a current in a heating direction for heating the thermo module is supplied to the thermo module is provided with a bypass path that short-circuits the upstream and downstream sides of the thermo module bypassing the thermo module, and a resistor is provided in the bypass path. It is configured to intervene and divert the current in the heating direction to the thermomodule and the bypass passage to alleviate the overcurrent in the heating module to the thermomodule.
【００２７】上記構成の発明において、過電流制限手段
は、操作ミスや過電圧発生に起因して過電流が発生した
際に、その過電流がサーモモジュールへ通電するのを抑
制する。このように、サーモモジュールへの過電流通電
が抑制されるので、例えば、サーモモジュールへの加熱
方向の過電流通電に起因した様々な問題発生を防止する
ことができる。これにより、半導体レーザモジュールの
光結合や耐久の信頼性を格段に向上させることができ
る。In the invention having the above structure, when an overcurrent occurs due to an erroneous operation or an overvoltage, the overcurrent limiting unit suppresses the overcurrent from flowing to the thermo module. As described above, since overcurrent supply to the thermomodule is suppressed, it is possible to prevent various problems caused by overcurrent supply to the thermomodule in the heating direction, for example. Thereby, the reliability of optical coupling and durability of the semiconductor laser module can be remarkably improved.
【００２８】[0028]
【発明の実施の形態】以下に、この発明に係る実施形態
例を図面に基づいて説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２９】図１には第１の実施形態例において特徴的
な半導体レーザモジュールの電気配線例が示されてい
る。この第１の実施形態例において特徴的なことは、図
１に示すように、過電流制限手段（逆電流制限手段）で
ある過電流制限回路２０を設けたことである。それ以外
の構成は前記図６に示した半導体レーザモジュールと同
様であり、この第１の実施形態例の説明では、上記図６
に示した半導体レーザモジュールと同一構成部分には同
一符号を付し、その重複説明は省略する。FIG. 1 shows an example of electric wiring of a semiconductor laser module which is characteristic in the first embodiment. The feature of the first embodiment is that an overcurrent limiting circuit 20 as an overcurrent limiting means (reverse current limiting means) is provided as shown in FIG. The other configuration is the same as that of the semiconductor laser module shown in FIG. 6, and in the description of the first embodiment, FIG.
The same reference numerals are given to the same components as those of the semiconductor laser module shown in FIG.
【００３０】半導体レーザモジュール１は常温以上の環
境下で使用される場合が多く、サーモモジュール５は冷
却動作だけしか行わないと想定されることが多いが、こ
の第１の実施形態例では、サーモモジュール５は冷却動
作だけでなく、加熱動作をも行う場合を考慮して、次に
示すような過電流制限回路２０をパッケージ４の内部に
設けている。In many cases, the semiconductor laser module 1 is used in an environment at normal temperature or higher, and it is often assumed that the thermo module 5 only performs a cooling operation. The module 5 is provided with the following overcurrent limiting circuit 20 inside the package 4 in consideration of performing not only the cooling operation but also the heating operation.
【００３１】すなわち、この第１の実施形態例では、過
電流制限回路２０はバイパス通路２１と抵抗体２２とダ
イオード２３を有して構成されている。That is, in the first embodiment, the overcurrent limiting circuit 20 has a bypass passage 21, a resistor 22, and a diode 23.
【００３２】図１において、上記バイパス通路２１の一
端側はサーモモジュール５よりもリードピン１６ａ側の
点Ｘに接続し、バイパス通路２１の他端側はサーモモジ
ュール５よりもリードピン１６ｆ側の点Ｙに接続されて
いる。In FIG. 1, one end of the bypass passage 21 is connected to a point X closer to the lead pin 16a than the thermo module 5, and the other end of the bypass passage 21 is connected to a point Y closer to the lead pin 16f than the thermo module 5. It is connected.
【００３３】この第１の実施形態例では、リードピン１
６ｆからリードピン１６ａに向かう方向に電流が通電し
た場合にサーモモジュール５が加熱動作を行い、また、
反対に、リードピン１６ａからリードピン１６ｆに向か
う方向に電流が通電した場合にはサーモモジュール５が
冷却動作を行うように構成されている。このことから、
換言すれば、上記バイパス通路２１はサーモモジュール
５への加熱方向の電流経路におけるサーモモジュール５
の上流側Ｙと下流側Ｘをサーモモジュール５を迂回して
短絡している。In the first embodiment, the lead pin 1
When a current flows in a direction from 6f to the lead pin 16a, the thermo module 5 performs a heating operation, and
Conversely, when current flows in a direction from the lead pin 16a to the lead pin 16f, the thermo module 5 is configured to perform a cooling operation. From this,
In other words, the bypass passage 21 is connected to the thermo module 5 in the current path in the heating direction to the thermo module 5.
Are short-circuited by bypassing the thermo-module 5 between the upstream side Y and the downstream side X.
【００３４】このバイパス通路２１には抵抗体２２が介
設されると共に、サーモモジュール５を加熱動作させる
加熱の電流方向を順方向としたダイオード２３が上記抵
抗体２２と直列に設けられている。A resistor 22 is provided in the bypass passage 21, and a diode 23 having a forward current direction of heating for heating the thermomodule 5 is provided in series with the resistor 22.
【００３５】この第１の実施形態例に示す半導体レーザ
モジュール１は上記のように構成されている。以下に、
上記過電流制限回路２０の回路動作例を簡単に説明す
る。例えば、上記半導体レーザモジュール１をリードピ
ン１６を利用して半導体レーザモジュール駆動用の駆動
制御手段に導通接続する。この状態で、上記駆動制御手
段によって、リードピン１６ａからリードピン１６ｆに
向かう方向の電流、つまり、サーモモジュール５を冷却
動作させる冷却方向の電流が通電している場合には、上
記過電流制限回路２０のダイオード２３は導通オフ状態
となる。これにより、上記冷却方向の電流は、バイパス
通路２１には通電せずに、全て、サーモモジュール５に
流れ込む。The semiconductor laser module 1 shown in the first embodiment is configured as described above. less than,
An example of the circuit operation of the overcurrent limiting circuit 20 will be briefly described. For example, the semiconductor laser module 1 is electrically connected to drive control means for driving the semiconductor laser module using the lead pins 16. In this state, when a current in a direction from the lead pin 16a to the lead pin 16f, that is, a current in a cooling direction for cooling the thermomodule 5 is supplied by the drive control means, the overcurrent limiting circuit 20 The diode 23 is turned off. As a result, all the current in the cooling direction flows into the thermomodule 5 without passing through the bypass passage 21.
【００３６】また、反対に、リードピン１６ｆからリー
ドピン１６ａに向かう方向の電流（逆電流）、つまり、
サーモモジュール５を加熱動作させる加熱方向の電流が
通電している場合には、上記ダイオード２３は導通オン
状態となる。これにより、上記加熱方向の電流は、サー
モモジュール５が持つ抵抗値と、抵抗体２２の抵抗値と
の比に応じて、サーモモジュール５とバイパス通路２１
とに分流して通電する。On the other hand, a current (reverse current) in the direction from the lead pin 16f to the lead pin 16a, that is,
When a current in the heating direction for heating the thermomodule 5 is applied, the diode 23 is turned on. As a result, the current in the heating direction depends on the ratio of the resistance value of the thermo module 5 to the resistance value of the resistor 22 and the thermo module 5 and the bypass passage 21.
And is energized.
【００３７】加熱方向の過電流が発生した場合には、上
記の如く、その過電流はサーモモジュール５とバイパス
通路２１とに分流して流れる。これにより、上記過電流
の全てがサーモモジュール５に通電してしまう場合に比
べて、サーモモジュール５への過電流通電を緩和するこ
とができる。なお、上記抵抗体２２の抵抗値は仕様に応
じて適宜設定されるものである。When an overcurrent occurs in the heating direction, the overcurrent is divided and flows to the thermomodule 5 and the bypass passage 21 as described above. This makes it possible to ease the overcurrent supply to the thermomodule 5 as compared to the case where all of the overcurrent is supplied to the thermomodule 5. The resistance value of the resistor 22 is appropriately set according to the specifications.
【００３８】この第１の実施形態例では、前記したよう
に、サーモモジュール５の半導体レーザ素子を配置して
いる側の基板（板部材（ここでは板部材５ｃ））はパッ
ケージ４の側壁や光ファイバ支持部材１２と熱的に独立
している。このため、サーモモジュール５に加熱方向の
過電流が通電した際には、その過電流通電に起因したサ
ーモモジュール５の高温加熱の熱がパッケージ４の側壁
や光ファイバ支持部材１２を介してパッケージ４の外部
に放熱されず、サーモモジュール５上の部品に蓄熱され
て加熱方向の過電流通電に起因した様々な問題が発生し
易い。In the first embodiment, as described above, the substrate (the plate member (here, the plate member 5c)) of the thermo module 5 on which the semiconductor laser element is disposed is formed by the side wall of the package 4 or the light. It is thermally independent of the fiber support member 12. Therefore, when an overcurrent in the heating direction is applied to the thermomodule 5, the heat of the high temperature heating of the thermomodule 5 caused by the overcurrent is applied to the package 4 via the side wall of the package 4 and the optical fiber support member 12. Is not dissipated to the outside, but is stored in the components on the thermo module 5, and various problems due to overcurrent flow in the heating direction are likely to occur.
【００３９】これに対して、この第１の実施形態例で
は、過電流制限回路２０を設け、該過電流制限回路２０
によって、サーモモジュール５への加熱方向の過電流通
電を緩和する構成としたので、サーモモジュール５への
加熱方向の過電流通電に起因した様々な問題を回避する
ことができる。On the other hand, in the first embodiment, the overcurrent limiting circuit 20 is provided.
Thus, the configuration in which the overcurrent is supplied to the thermo module 5 in the heating direction is reduced, so that various problems caused by the over current supplied to the thermo module 5 in the heating direction can be avoided.
【００４０】つまり、加熱方向の過電流通電に起因した
サーモモジュール５の異常加熱を抑制することができ、
これにより、半導体レーザ素子２が高温に加熱されるの
を防止することができる。このため、高温加熱による半
導体レーザ素子２の結晶内部の欠陥の成長を回避するこ
とができて半導体レーザ素子２の特性劣化を防止するこ
とができる。That is, it is possible to suppress abnormal heating of the thermo module 5 due to overcurrent application in the heating direction.
Thereby, the semiconductor laser element 2 can be prevented from being heated to a high temperature. For this reason, it is possible to avoid the growth of defects inside the crystal of the semiconductor laser element 2 due to high-temperature heating, and to prevent the characteristic deterioration of the semiconductor laser element 2.
【００４１】また、半導体レーザ素子２やレンズ９等の
部品の取り付け用部材である基板６とサーモモジュール
５とを接続する半田等の熱溶融接続材料がサーモモジュ
ール５の高温加熱に起因して溶融するのを回避すること
ができ、これにより、基板６の位置ずれを防止すること
ができる。このことにより、光ファイバ３に対する半導
体レーザ素子２やレンズ９の位置ずれが回避されて光フ
ァイバ３と半導体レーザ素子２の光結合ずれの発生を抑
制でき、光出力低下を防止することができる。Further, a hot-melt connecting material such as solder for connecting the substrate 6 and the thermo-module 5, which are members for mounting components such as the semiconductor laser element 2 and the lens 9, is melted due to the high-temperature heating of the thermo-module 5. Can be avoided, whereby the displacement of the substrate 6 can be prevented. As a result, the displacement of the semiconductor laser element 2 and the lens 9 with respect to the optical fiber 3 is avoided, and the occurrence of optical coupling deviation between the optical fiber 3 and the semiconductor laser element 2 can be suppressed, and a decrease in optical output can be prevented.
【００４２】さらに、サーモモジュール５の急激な温度
上昇に起因したレンズ９と金属ホルダとの結合部分のク
ラック発生を抑制することができる。これにより、クラ
ック発生に起因したレンズ９外れを防止することがで
き、半導体レーザ素子２と光ファイバ３の光結合が損な
われてしまうという事態発生を回避することができる。Further, it is possible to suppress the occurrence of cracks at the joint between the lens 9 and the metal holder due to the rapid rise in temperature of the thermomodule 5. Thereby, the lens 9 can be prevented from coming off due to the crack, and the occurrence of a situation in which the optical coupling between the semiconductor laser element 2 and the optical fiber 3 is impaired can be avoided.
【００４３】さらに、ペルチエ素子５ａと板部材５ｂ，
５ｃ間の半田溶融も防止することができるので、サーモ
モジュール５自体の破損をも回避することができる。Further, the Peltier element 5a and the plate member 5b,
Since the solder melting between 5c can also be prevented, breakage of the thermo module 5 itself can be avoided.
【００４４】以上のように、この第１の実施形態例にお
いて特徴的な過電流制限回路２０を設けることによっ
て、サーモモジュール５への加熱方向の過電流通電に起
因した様々な問題を防止することができる。このことに
より、半導体レーザモジュール１の光結合や耐久の信頼
性を格段に向上させることができる。As described above, by providing the characteristic overcurrent limiting circuit 20 in the first embodiment, it is possible to prevent various problems caused by overcurrent application to the thermo module 5 in the heating direction. Can be. Thereby, the reliability of the optical coupling and durability of the semiconductor laser module 1 can be remarkably improved.
【００４５】以下に、第２の実施形態例を説明する。こ
の第２の実施形態例が前記第１の実施形態例と異なる特
徴的なことは、図２に示すように、サーモモジュール５
に並列にサージ電流通電用のコンデンサ２５を設けたこ
とである。それ以外の構成は前記第１の実施形態例と同
様であり、この第２の実施形態例の説明では、前記第１
の実施形態例と同一構成部分には同一符号を付し、その
重複説明は省略する。Hereinafter, a second embodiment will be described. The characteristic feature of the second embodiment different from the first embodiment is that, as shown in FIG.
And a capacitor 25 for supplying a surge current. Other configurations are the same as those of the first embodiment. In the description of the second embodiment, the first embodiment will be described.
The same components as those of the embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated.
【００４６】この第２の実施形態例では、上記のよう
に、コンデンサ２５をサーモモジュール５に並列に設け
たので、瞬間的な大電流であるサージ電流が発生した際
には、そのサージ電流が上記コンデンサ２５に通電して
サーモモジュール５には通電しない。これにより、サー
ジ電流通電に起因したサーモモジュール５の破損を防止
することができる。In the second embodiment, as described above, since the capacitor 25 is provided in parallel with the thermo module 5, when a surge current that is a large instantaneous current occurs, the surge current is reduced. The capacitor 25 is energized and the thermo module 5 is not energized. Thus, it is possible to prevent the thermo module 5 from being damaged due to the surge current supply.
【００４７】つまり、サージ電流は周波数が高いもので
あり、また、コンデンサは周波数が高くなる程そのイン
ピーダンスが小さくなる。このために、上記サージ電流
が発生してサーモモジュール５に通電しようとしても、
そのサージ電流の殆どは上記コンデンサ２５に流れるこ
ととなる。これにより、サージ電流がサーモモジュール
５に通電するのを抑制することができ、サージ電流通電
に起因したサーモモジュール５の破損問題を防止するこ
とができる。また、サーモモジュール５に加熱方向のサ
ージ電流が通電すると、サーモモジュール５上の部品が
瞬間的に温度上昇して前述したような様々な問題が生じ
る虞があるが、この第２の実施形態例では、上記のよう
に、コンデンサ２５によって、サーモモジュール５への
サージ電流通電が抑制されるので、前記したような半導
体レーザ素子２の特性劣化問題や、半導体レーザ素子２
と光ファイバ３の光結合ずれ問題や、レンズ９外れに起
因して光結合が損なわれる問題等の様々な問題を防止す
ることができる。That is, the surge current has a high frequency, and the impedance of the capacitor decreases as the frequency increases. For this reason, even if the surge current is generated and the thermo module 5 is to be energized,
Most of the surge current flows through the capacitor 25. Thereby, it is possible to suppress the surge current from flowing through the thermomodule 5, and it is possible to prevent the thermomodule 5 from being damaged due to the surge current. In addition, when a surge current in the heating direction is applied to the thermo module 5, the temperature of components on the thermo module 5 rises instantaneously, which may cause various problems as described above. In this case, as described above, the surge current supply to the thermo module 5 is suppressed by the capacitor 25, so that the characteristic deterioration of the semiconductor laser
Various problems such as a problem of optical coupling deviation between the optical fiber 3 and the optical fiber 3 and a problem of optical coupling being lost due to the detachment of the lens 9 can be prevented.
【００４８】この第２の実施形態例によれば、前記第１
の実施形態例と同様に、過電流制限回路２０が設けられ
ているので、前記第１の実施形態例と同様に、上記過電
流制限回路２０によって、サーモモジュール５への加熱
方向の過電流通電を抑制することができ、加熱方向の過
電流通電に起因した様々な問題を防止することができ
る。その上、上記のように、コンデンサ２５をサーモモ
ジュール５に並列に設けたので、該コンデンサ２５によ
って、サージ電流通電に起因した問題発生をも防止する
ことができる。According to the second embodiment, the first
Since the overcurrent limiting circuit 20 is provided in the same manner as in the first embodiment, the overcurrent limiting circuit 20 supplies overcurrent to the thermomodule 5 in the heating direction, as in the first embodiment. Can be suppressed, and various problems caused by overcurrent application in the heating direction can be prevented. In addition, since the capacitor 25 is provided in parallel with the thermo module 5 as described above, the capacitor 25 can also prevent a problem caused by surge current conduction.
【００４９】なお、この発明は上記各実施形態例に限定
されるものではなく、様々な実施の形態を採り得る。例
えば、上記各実施形態例では、半導体レーザモジュール
１が常温以上の環境下だけでなく、常温よりも低い低温
環境下で使用されることをも考慮して、サーモモジュー
ル５が冷却動作だけでなく、加熱動作をも行うことを想
定した。このことから、サーモモジュール５に加熱方向
の電流を通電させるために、バイパス通路２１には抵抗
体２２が介設されていた。しかし、例えば、半導体レー
ザモジュール１が常温以上の環境下で使用されることし
か想定せず、つまり、サーモモジュール５が冷却動作し
か行わないと想定される場合には、上記抵抗体２２を設
けなくともよい。It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiments, but can take various embodiments. For example, in each of the above embodiments, taking into account that the semiconductor laser module 1 is used not only in an environment at or above normal temperature but also in a low-temperature environment lower than normal temperature, It is assumed that a heating operation is also performed. For this reason, the resistor 22 is provided in the bypass passage 21 in order to supply a current in the heating direction to the thermomodule 5. However, for example, when it is assumed that the semiconductor laser module 1 is used only in an environment of normal temperature or higher, that is, when it is assumed that the thermo module 5 only performs a cooling operation, the resistor 22 is not provided. May be.
【００５０】この場合には、加熱方向の電流のほぼ全て
がバイパス通路２１を通電し、サーモモジュール５には
殆ど通電しないこととなる。このことにより、加熱方向
の過電流がサーモモジュール５に通電するのを確実に防
止することができる。これにより、サーモモジュール５
への加熱方向の過電流通電に起因にした上記したような
様々な問題発生をより一層確実に回避することができ
る。In this case, almost all of the current in the heating direction flows through the bypass passage 21, and almost no current flows through the thermomodule 5. As a result, it is possible to reliably prevent the overcurrent in the heating direction from being supplied to the thermomodule 5. Thereby, the thermo module 5
Thus, it is possible to more reliably avoid the occurrence of the various problems described above due to the overcurrent flow in the heating direction.
【００５１】また、上記同様にサーモモジュール５が冷
却動作しか行わないと想定される場合には、加熱方向の
電流をサーモモジュール５に通電させなくてよいので、
上記バイパス通路２１を設けずに、冷却の電流方向を順
方向としたダイオードをサーモモジュール５に直列に設
けてもよい。つまり、ダイオードによって、サーモモジ
ュール５への加熱方向の電流通電を全て阻止する構成と
してもよい。Further, when it is assumed that the thermo module 5 performs only the cooling operation as described above, it is not necessary to supply the current in the heating direction to the thermo module 5.
Instead of providing the bypass passage 21, a diode whose cooling current direction is the forward direction may be provided in series with the thermomodule 5. That is, the configuration may be such that all the current flow to the thermomodule 5 in the heating direction is blocked by the diode.
【００５２】また、上記各実施形態例では、上記過電流
制限回路２０はパッケージ４内に設けられており、過電
流制限機能付半導体レーザモジュールの例を示したが、
例えば、図３に示すように、従来と同様の構成を持つ半
導体レーザモジュール１と、半導体レーザモジュール用
の駆動制御手段との間に、図３の点線で囲まれているよ
うなバイパス通路２１と抵抗体２２とダイオード２３と
から成る過電流制限回路２０を設けて半導体レーザモジ
ュールを駆動するようにしてもよい。さらに、同様に、
上記第２の実施形態例に示したと同様のコンデンサ２５
も、図３の鎖線に示すように、半導体レーザモジュール
１の外に設けてもよい。上記図３に示す半導体レーザモ
ジュール１の外部に設けられる過電流制限回路２０、コ
ンデンサ２５は上記各実施形態例に示した過電流制限回
路２０、コンデンサ２５と同様な機能を果たし、上記各
実施形態例と同様の効果を奏することができる。In each of the above embodiments, the overcurrent limiting circuit 20 is provided in the package 4, and the example of the semiconductor laser module with the overcurrent limiting function has been described.
For example, as shown in FIG. 3, a bypass passage 21 surrounded by a dotted line in FIG. 3 is provided between the semiconductor laser module 1 having the same configuration as the conventional one and the drive control means for the semiconductor laser module. An overcurrent limiting circuit 20 including a resistor 22 and a diode 23 may be provided to drive the semiconductor laser module. In addition,
The same capacitor 25 as shown in the second embodiment.
May be provided outside the semiconductor laser module 1 as shown by a chain line in FIG. The overcurrent limiting circuit 20 and the capacitor 25 provided outside the semiconductor laser module 1 shown in FIG. 3 perform the same functions as those of the overcurrent limiting circuit 20 and the capacitor 25 shown in each of the above embodiments. The same effect as the example can be obtained.
【００５３】さらに、上記各実施形態例では、図６
（ａ）に示すように、光ファイバ３とは別個のレンズ
９，１４を用いて結合用光学系を形成していたが、図４
に示すように、上記レンズ９，１４を利用せずに、レン
ズ付光ファイバ３を用いて結合用光学系を形成してもよ
い。上記レンズ付光ファイバ３とは、半導体レーザ素子
２から出射されたレーザ光を集光するレンズ３ａを備え
た光ファイバである。Further, in each of the above embodiments, FIG.
As shown in FIG. 4A, the coupling optical system is formed by using lenses 9 and 14 separate from the optical fiber 3;
As shown in (1), the coupling optical system may be formed by using the optical fiber with lens 3 without using the lenses 9 and 14. The optical fiber with lens 3 is an optical fiber provided with a lens 3a for condensing laser light emitted from the semiconductor laser device 2.
【００５４】上記レンズ付光ファイバ３は、次に示すよ
うに、半導体レーザモジュール１に組み込まれる。例え
ば、図４に示すように、基板６に固定部材（例えばステ
ンレス製）２７が取り付けられ、この固定部材２７に光
ファイバ支持部材２８がＹＡＧレーザ溶接等により固定
されている。また、パッケージ４に形成された貫通孔４
ｃには光ファイバ支持部材２９が嵌合装着してＰｂＳｎ
半田等の接合材料３０により固定されている。上記光フ
ァイバ支持部材２８，２９にはそれぞれ挿通孔が設けら
れており、これら挿通孔を通して光ファイバ３がパッケ
ージ４の外部から内部に導入され、この光ファイバ３の
先端と半導体レーザ素子２とは光結合が成される適宜の
間隔を介して配置されている。上記以外の構成は前記図
６（ａ）に示す構成と同様であり、ここでは、その重複
説明は省略する。The optical fiber with lens 3 is incorporated in the semiconductor laser module 1 as shown below. For example, as shown in FIG. 4, a fixing member (for example, made of stainless steel) 27 is attached to the substrate 6, and an optical fiber supporting member 28 is fixed to the fixing member 27 by YAG laser welding or the like. In addition, the through hole 4 formed in the package 4
The optical fiber support member 29 is fitted and mounted on
It is fixed by a bonding material 30 such as solder. The optical fiber supporting members 28 and 29 are provided with insertion holes, respectively, and the optical fiber 3 is introduced into the package 4 from the outside through the insertion holes. They are arranged at appropriate intervals where optical coupling is achieved. The configuration other than the above is the same as the configuration shown in FIG. 6A, and the description thereof will not be repeated.
【００５５】上記光ファイバ支持部材２８，２９は例え
ばＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の熱伝導性材料により構成さ
れている。図４に示す構成では、サーモモジュール５に
おける半導体レーザ素子２が配置されている側の基板
（つまり、板部材５ｃ）は厳密には光ファイバ３を通し
て光ファイバ支持部材２９に熱的に接続されている。し
かし、光ファイバ３は例えば１２５μｍ程度の細径であ
るために、サーモモジュール５の板部材５ｃから光ファ
イバ３を通して光ファイバ支持部材２９に伝熱される熱
量は非常に僅かである。The optical fiber supporting members 28 and 29 are made of a heat conductive material such as an Fe-Ni-Co alloy. In the configuration shown in FIG. 4, the substrate (that is, the plate member 5 c) of the thermo module 5 on which the semiconductor laser element 2 is disposed is strictly thermally connected to the optical fiber support member 29 through the optical fiber 3. I have. However, since the optical fiber 3 has a small diameter of, for example, about 125 μm, the amount of heat transferred from the plate member 5 c of the thermomodule 5 to the optical fiber supporting member 29 through the optical fiber 3 is very small.
【００５６】これにより、サーモモジュール５の板部材
５ｃは上記光ファイバ支持部材２９と熱的に独立してい
ると同様である。すなわち、この図４に示す構成では、
サーモモジュール５の板部材５ｃから上記光ファイバ支
持部材２９を介してパッケージ４の外部への熱の放出が
制限される構成である。このような構成では、前記した
ように、サーモモジュール５への過電流通電に起因して
サーモモジュール５が異常に高温加熱した際に、その高
温の熱がサーモモジュール５上の部品に蓄積されて様々
な問題が生じる。これに対して、上記各実施形態例に示
したようなサーモモジュール５への過電流通電を抑制す
る構成を備えることによって、上記サーモモジュール５
への過電流通電に起因した問題を防止することができ、
非常に有効である。As a result, the plate member 5c of the thermo module 5 is similar to the optical fiber support member 29 in that it is thermally independent. That is, in the configuration shown in FIG.
The configuration is such that the release of heat from the plate member 5c of the thermo module 5 to the outside of the package 4 via the optical fiber support member 29 is restricted. In such a configuration, as described above, when the thermo module 5 is abnormally heated to a high temperature due to the overcurrent flow to the thermo module 5, the high temperature heat is accumulated in the components on the thermo module 5. Various problems arise. On the other hand, by providing a configuration for suppressing overcurrent from flowing to the thermo module 5 as shown in the above embodiments, the thermo module 5
Can prevent problems caused by overcurrent
Very effective.
【００５７】さらに、この発明の応用例として、図５に
示すような構成としてもよい。この図５に示す例は、サ
ーモモジュール５を電流制御ではなく、電圧制御するも
のを対象にし、サーモモジュール５への過電圧印加に起
因した問題発生を回避することができるものである。つ
まり、図５において、サーモモジュール５に過電圧制限
手段３１を直列に設けている。上記過電圧制限手段３１
は冷却方向の通電方向を順方向としたダイオード３２
と、抵抗体３３との並列接続体により構成されている。Further, as an application example of the present invention, a configuration as shown in FIG. 5 may be adopted. The example shown in FIG. 5 is intended for controlling not the current control but the voltage of the thermomodule 5, and can avoid the problem caused by the application of the overvoltage to the thermomodule 5. That is, in FIG. 5, the thermo module 5 is provided with the overvoltage limiting means 31 in series. The overvoltage limiting means 31
Is a diode 32 whose forward direction is the direction of cooling.
And a resistor 33 in parallel connection.
【００５８】図５に示す構成では、冷却方向の電圧がサ
ーモモジュール５に印加しているときにはダイオード３
２は導通オン状態であり、電流は上記抵抗体３３には殆
ど流れずに、ほぼ全てダイオード３２に流れる。これに
より、リードピン１６ａ，１６ｆ間に印加する電圧はほ
ぼ全てサーモモジュール５に印加する。In the configuration shown in FIG. 5, when the voltage in the cooling direction is applied to the thermo module 5, the diode 3
Reference numeral 2 denotes a conductive ON state, and almost all of the current flows through the diode 32 without flowing through the resistor 33. As a result, almost all the voltage applied between the lead pins 16a and 16f is applied to the thermo module 5.
【００５９】これに対して、加熱方向の電圧がサーモモ
ジュール５に印加しているときにはダイオード３２は導
通オフ状態となり、電流は抵抗体３３に通電するので、
リードピン１６ａ，１６ｆ間に印加する電圧はサーモモ
ジュール５と抵抗体３３とに分圧して印加することとな
る。このことから、リードピン１６ａ，１６ｆ間に過電
圧が発生した際には、その過電圧はサーモモジュール５
と抵抗体３３に分圧して印加することとなる。このた
め、サーモモジュール５への過電圧印加を緩和すること
ができて、サーモモジュール５への過電圧印加に起因し
た問題を防止することができる。このような過電圧制限
制御と、上記各実施形態例に示したような過電流制限手
段とを共に設けてもよい。On the other hand, when the voltage in the heating direction is applied to the thermo module 5, the diode 32 is turned off and the current flows through the resistor 33.
The voltage applied between the lead pins 16a and 16f is divided and applied to the thermo module 5 and the resistor 33. Accordingly, when an overvoltage occurs between the lead pins 16a and 16f, the overvoltage is
And a voltage is applied to the resistor 33. For this reason, the application of the overvoltage to the thermo module 5 can be eased, and the problem caused by the application of the over voltage to the thermo module 5 can be prevented. Such overvoltage limiting control and overcurrent limiting means as described in the above embodiments may be provided together.
【００６０】[0060]
【発明の効果】この発明の半導体レーザモジュールおよ
び半導体レーザモジュールの駆動方法によれば、半導体
レーザモジュールの内部あるいは外部に過電流制限手段
を設け、該過電流制限手段によって、サーモモジュール
への過電流通電を抑制する構成とした。この構成を備え
ることによって、サーモモジュールへの過電流通電に起
因した問題発生を回避することができる。According to the semiconductor laser module and the driving method of the semiconductor laser module of the present invention, the overcurrent limiting means is provided inside or outside the semiconductor laser module, and the overcurrent limiting means allows the overcurrent to be supplied to the thermo module. The configuration is such that the energization is suppressed. With this configuration, it is possible to avoid problems caused by overcurrent supply to the thermo module.
【００６１】サーモモジュールを加熱動作させる加熱方
向の電流をサーモモジュールに流す電流経路上に過電流
制限手段を設けたものにあっては、その過電流制限手段
によりサーモモジュールへの加熱方向の過電流を抑制す
ることができる。サーモモジュールに加熱方向の過電流
が通電すると、サーモモジュールが異常に高温加熱して
様々な問題を発生させてしまう。これに対して、上記の
如く、過電流制限手段を設けて加熱方向の過電流を抑制
する構成とすることによって、サーモモジュールへの加
熱方向の過電流通電に起因した様々な問題を防止するこ
とができる。つまり、サーモモジュールの異常加熱に起
因した半導体レーザ素子の特性劣化問題や光結合ずれの
問題やレンズ外れによる光結合損失問題やサーモモジュ
ールの破損問題等を防止することができる。In the case where an overcurrent limiting means is provided on a current path for flowing a current in a heating direction for heating the thermomodule to the thermomodule, the overcurrent limiting means causes an overcurrent in the heating direction to the thermomodule. Can be suppressed. When an overcurrent in the heating direction is applied to the thermo module, the thermo module is heated to an abnormally high temperature, causing various problems. On the other hand, as described above, by providing the overcurrent limiting means to suppress the overcurrent in the heating direction, it is possible to prevent various problems due to the overcurrent application to the thermo module in the heating direction. Can be. In other words, it is possible to prevent a problem of characteristic deterioration of the semiconductor laser device due to abnormal heating of the thermo module, a problem of optical coupling shift, a problem of optical coupling loss due to detachment of the lens, a problem of breakage of the thermo module, and the like.
【００６２】過電流制限手段がバイパス通路と抵抗体と
ダイオードを有して構成されているものにあっては、簡
単な構成で、サーモモジュールへの過電流通電を抑制す
ることができる。When the overcurrent limiting means has a bypass passage, a resistor, and a diode, it is possible to suppress the overcurrent from flowing to the thermo module with a simple configuration.
【００６３】サーモモジュールの半導体レーザ素子が配
置されている側の基板が光ファイバ支持部材と熱的に独
立し、上記サーモモジュールの基板から上記光ファイバ
支持部材を介してパッケージの外部への熱の放出が制限
されるものにあっては、サーモモジュールへの加熱方向
の過電流通電が発生した際に、サーモモジュールから発
せられた高温の熱はパッケージの外部に放熱されずに殆
どの熱がサーモモジュールに熱的に接続している半導体
レーザ素子等の部品に伝熱されて蓄積され、その部品の
急激な温度上昇を引き起こして様々な重大な事態を招く
虞がある。このような構成のものに、本発明において特
徴的な過電流制限手段を設けることによって、上記サー
モモジュールへの加熱方向の過電流通電を抑制すること
ができ、これにより、上記重大な事態発生を防止するこ
とができ、非常に有効である。The substrate on the side of the thermo module on which the semiconductor laser element is disposed is thermally independent of the optical fiber supporting member, and the heat from the substrate of the thermo module to the outside of the package via the optical fiber supporting member. When the overcurrent is applied to the thermo module in the heating direction, the high-temperature heat generated from the thermo module is not radiated to the outside of the package. Heat is transferred to and accumulated in components such as a semiconductor laser device that is thermally connected to the module, and there is a possibility that the temperature of the component may be rapidly increased to cause various serious situations. By providing the overcurrent limiting means characteristic of the present invention to such a configuration, it is possible to suppress the overcurrent from flowing to the thermo module in the heating direction. It can be prevented and is very effective.
【図１】第１の実施形態例において特徴的な半導体レー
ザモジュールの電気配線の一例を示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram showing an example of an electrical wiring of a semiconductor laser module which is characteristic in the first embodiment.
【図２】第２の実施形態例において特徴的な半導体レー
ザモジュールの電気配線例を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory view showing an example of electrical wiring of a semiconductor laser module which is characteristic in the second embodiment.
【図３】その他の実施形態例を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing another embodiment.
【図４】さらに、その他の実施形態例を示す説明図であ
る。FIG. 4 is an explanatory view showing still another embodiment.
【図５】さらにまた、その他の実施形態例を示す説明図
である。FIG. 5 is an explanatory view showing still another embodiment.
【図６】半導体レーザモジュールの一構造例およびその
半導体レーザモジュールの従来の電気配線例を示す説明
図である。FIG. 6 is an explanatory view showing an example of a structure of a semiconductor laser module and an example of a conventional electric wiring of the semiconductor laser module.
１ 半導体レーザモジュール ２ 半導体レーザ素子 ３ 光ファイバ ４ パッケージ ５ サーモモジュール ９，１４ レンズ １２，２９ 光ファイバ支持部材 ２０ 過電流制限手段 ２１ バイパス通路 ２２ 抵抗体 ２３ ダイオード ２５ コンデンサ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor laser module 2 Semiconductor laser element 3 Optical fiber 4 Package 5 Thermo module 9, 14 Lens 12, 29 Optical fiber support member 20 Overcurrent limiting means 21 Bypass passage 22 Resistor 23 Diode 25 Capacitor
Claims (8)
素子の温度を調整するサーモモジュールと、上記半導体
レーザ素子から出射されたレーザ光と光学的に結合され
る光ファイバとを有する半導体レーザモジュールにおい
て、上記サーモモジュールは該サーモモジュールに通電
する電流量に応じて半導体レーザ素子の温度を可変調整
する構成と成し、上記サーモモジュールに過電流が流れ
るのを抑制する過電流制限手段を設けたことを特徴とす
る半導体レーザモジュール。1. A semiconductor laser module comprising: a semiconductor laser device; a thermo module for adjusting a temperature of the semiconductor laser device; and an optical fiber optically coupled to laser light emitted from the semiconductor laser device. The thermo module is configured to variably adjust the temperature of the semiconductor laser element according to the amount of current supplied to the thermo module, and is provided with overcurrent limiting means for suppressing an overcurrent from flowing through the thermo module. Characteristic semiconductor laser module.
じて加熱動作と冷却動作を変化させる構成と成し、過電
流制限手段は上記サーモモジュールを加熱動作させる加
熱方向の電流をサーモモジュールに流す電流経路上に設
けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体レ
ーザモジュール。2. The thermo module according to claim 1, wherein the heating operation and the cooling operation are changed in accordance with the direction of the supplied current, and the overcurrent limiting means supplies a current in the heating direction for heating the thermo module to the thermo module. 2. The semiconductor laser module according to claim 1, wherein the semiconductor laser module is provided on a path.
す電流経路にはサーモモジュールの上流側と下流側とを
サーモモジュールを迂回して短絡するバイパス通路が設
けられ、このバイパス通路には抵抗体が介設されると共
に、加熱の電流方向を順方向としたダイオードが上記抵
抗体と直列に設けられており、上記バイパス通路と抵抗
体とダイオードは、加熱方向の電流をサーモモジュール
とバイパス通路に分流通電させて加熱方向の過電流がサ
ーモモジュールに通電するのを緩和する過電流制限手段
と成していることを特徴とする請求項２記載の半導体レ
ーザモジュール。3. A current path in which a current in a heating direction flows through the thermo module is provided with a bypass path that short-circuits the upstream and downstream sides of the thermo module bypassing the thermo module, and a resistor is provided in the bypass path. A diode is provided in series with the resistor, with the heating current flowing in the forward direction, and the bypass passage, the resistor, and the diode divide the heating direction current into the thermomodule and the bypass passage. 3. The semiconductor laser module according to claim 2, wherein the semiconductor laser module serves as overcurrent limiting means for reducing current flowing through the thermomodule by flowing an electric current.
の基板と第２の基板により挟み込んで構成され、上記第
１の基板と第２の基板のうちの何れか一方側に半導体レ
ーザ素子が配置されてサーモモジュールと熱的に接続さ
れており、また、半導体レーザ素子から出射されたレー
ザ光を集光して光ファイバに導入するためのレンズを有
し、このレンズは該レンズの取り付け用部材を固定して
いる熱溶融接続材料を介してサーモモジュールの半導体
レーザ素子を配置している側の基板と熱的に接続される
構成と成していることを特徴とする請求項１又は請求項
２又は請求項３記載の半導体レーザモジュール。4. The thermo module includes a Peltier element as a first element.
A semiconductor laser element is disposed on one of the first substrate and the second substrate, and is thermally connected to the thermo module. A lens for condensing laser light emitted from a semiconductor laser element and introducing the laser light into an optical fiber, wherein the lens is a thermo-module via a hot-melt connection material fixing a member for mounting the lens. 4. The semiconductor laser module according to claim 1, wherein said semiconductor laser module is configured to be thermally connected to a substrate on which said semiconductor laser element is disposed.
半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を集光するレ
ンズが形成されているレンズ付光ファイバであることを
特徴とする請求項１又は請求項２又は請求項３記載の半
導体レーザモジュール。5. The optical fiber according to claim 1, wherein the optical fiber is a lens-equipped optical fiber in which a lens for condensing the laser light emitted from the semiconductor laser element is formed at an end where the laser light is incident. The semiconductor laser module according to claim 2.
の基板と第２の基板により挟み込んで構成され、上記第
１の基板と第２の基板のうちの何れか一方側に半導体レ
ーザ素子が配置されてサーモモジュールと熱的に接続さ
れている構成を備え、上記半導体レーザ素子とサーモモ
ジュールはパッケージ内に収容配置されており、上記パ
ッケージには該パッケージの内部から外部に通じる貫通
孔が設けられ、この貫通孔には熱伝導性材料から成る光
ファイバ支持部材が嵌合装着され、この光ファイバ支持
部材に設けられた挿通孔を通して光ファイバの端部側が
パッケージの外部から内部に導入されており、サーモモ
ジュールの半導体レーザ素子を配置した側の基板は上記
光ファイバ支持部材と熱的に独立し、サーモモジュール
の半導体レーザ素子を配置した側の基板から上記光ファ
イバ支持部材を介してパッケージの外部への熱の放出が
制限されることを特徴とした請求項１乃至請求項５の何
れか１つに記載の半導体レーザモジュール。6. The thermo module includes a first Peltier element.
And a semiconductor laser element is disposed on one of the first substrate and the second substrate and is thermally connected to the thermo module. The semiconductor laser device and the thermo module are housed and arranged in a package, and the package is provided with a through hole extending from the inside of the package to the outside, and the through hole has an optical fiber made of a heat conductive material. The support member is fitted and mounted, and the end side of the optical fiber is introduced from the outside of the package to the inside through the insertion hole provided in the optical fiber support member, and the substrate on the side where the semiconductor laser element of the thermo module is arranged is It is thermally independent from the optical fiber support member, and is separated from the substrate on the side where the semiconductor laser element of the thermo module is disposed via the optical fiber support member. The semiconductor laser module according to any one of claims 1 to 5 heat release to the outside of the package is characterized in that it is limited Te.
素子の温度を調整するサーモモジュールと、上記半導体
レーザ素子から出射されたレーザ光と光学的に結合され
る光ファイバとを有する半導体レーザモジュールの駆動
方法において、上記サーモモジュールを半導体レーザ素
子に熱的に接続し、半導体レーザ素子の温度を該サーモ
モジュールに通電する電流量に応じて調整し、サーモモ
ジュールへの電流の通電経路には過電流制限手段を設け
てサーモモジュールへの過電流通電を抑制することを特
徴とした半導体レーザモジュールの駆動方法。7. Driving of a semiconductor laser module having a semiconductor laser element, a thermo module for adjusting the temperature of the semiconductor laser element, and an optical fiber optically coupled to laser light emitted from the semiconductor laser element In the method, the thermo module is thermally connected to a semiconductor laser device, and the temperature of the semiconductor laser device is adjusted according to the amount of current supplied to the thermo module. A method for driving a semiconductor laser module, characterized in that a means is provided to suppress overcurrent from flowing to a thermo module.
素子の温度を調整するサーモモジュールと、上記半導体
レーザ素子から出射されたレーザ光と光学的に結合され
る光ファイバとを有する半導体レーザモジュールの駆動
方法において、上記サーモモジュールは通電電流の向き
に応じて加熱動作と冷却動作を変化させる構成と成し、
このサーモモジュールを半導体レーザ素子に熱的に接続
し、サーモモジュールを加熱動作させる加熱方向の電流
をサーモモジュールに流す電流経路にはサーモモジュー
ルの上流側と下流側とをサーモモジュールを迂回して短
絡するバイパス通路を設け、このバイパス通路には抵抗
体を介設し、加熱方向の電流をサーモモジュールとバイ
パス通路に分流してサーモモジュールへの加熱方向の過
電流通電を緩和することを特徴とした半導体レーザモジ
ュールの駆動方法。8. Driving a semiconductor laser module including a semiconductor laser device, a thermo module for adjusting the temperature of the semiconductor laser device, and an optical fiber optically coupled to laser light emitted from the semiconductor laser device. In the method, the thermo module is configured to change a heating operation and a cooling operation according to a direction of an energizing current,
This thermo module is thermally connected to the semiconductor laser element, and the current path in the heating direction for heating the thermo module to flow through the thermo module is short-circuited by bypassing the thermo module to the upstream and downstream sides of the thermo module. A bypass path is provided, and a resistor is interposed in the bypass path to divert the current in the heating direction to the thermo module and the bypass path to mitigate overcurrent in the heating direction to the thermo module. A method for driving a semiconductor laser module.
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP31099299A JP3469833B2 (en) | 1998-11-19 | 1999-11-01 | Semiconductor laser module, overcurrent limiting circuit therefor, and method of driving semiconductor laser module |
| EP00927782A EP1146613B1 (en) | 1999-11-01 | 2000-05-17 | Semiconductor laser module and method of driving semiconductor laser module |
| DE60044577T DE60044577D1 (en) | 1999-11-01 | 2000-05-17 | SEMICONDUCTOR LASER MODULE AND METHOD FOR CONTROLLING A SEMICONDUCTOR LASER MODULE |
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1168537A1 (en) * | 2000-06-22 | 2002-01-02 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, and method for driving the semiconductor laser module |
| US6385222B1 (en) | 1998-11-19 | 2002-05-07 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, and method for driving the semiconductor laser module |
| WO2002039154A1 (en) * | 2000-11-07 | 2002-05-16 | The Furukawa Electric Co.,Ltd. | Semiconductor laser module, and raman amplifier using the semiconductor laser module |
| JP2003309317A (en) * | 2002-02-12 | 2003-10-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Optical device, method for starting the optical device, method for driving the optical device, and optical communication apparatus |
| US6996145B2 (en) | 1999-11-01 | 2006-02-07 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, and method for driving the semiconductor laser module |
-
1999
- 1999-11-01 JP JP31099299A patent/JP3469833B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6385222B1 (en) | 1998-11-19 | 2002-05-07 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, and method for driving the semiconductor laser module |
| US6996145B2 (en) | 1999-11-01 | 2006-02-07 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, and method for driving the semiconductor laser module |
| EP1168537A1 (en) * | 2000-06-22 | 2002-01-02 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, and method for driving the semiconductor laser module |
| WO2002039154A1 (en) * | 2000-11-07 | 2002-05-16 | The Furukawa Electric Co.,Ltd. | Semiconductor laser module, and raman amplifier using the semiconductor laser module |
| JP2002148489A (en) * | 2000-11-07 | 2002-05-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Semiconductor laser module and raman amplifier using the semiconductor laser module |
| JP2003309317A (en) * | 2002-02-12 | 2003-10-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Optical device, method for starting the optical device, method for driving the optical device, and optical communication apparatus |
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