JP2000216371A - Charge transfer device, and its manufacture - Google Patents
Charge transfer device, and its manufactureInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ゲート電極を備え
る電荷転送装置とその製造方法に関し、特にたとえば単
層ゲート電極を備える電荷転送装置に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a charge transfer device having a gate electrode and a method of manufacturing the same, and more particularly to, for example, a charge transfer device having a single-layer gate electrode.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、電荷転送装置は、小型化・高画質
化が進展し、その製造技術についても微細化の一途を辿
っている。2. Description of the Related Art In recent years, the charge transfer device has been reduced in size and image quality, and its manufacturing technology has continued to be miniaturized.
【０００３】電荷転送装置の中でも、単層ゲート電極を
用いた電荷転送装置は、感度向上の点から注目されてい
る。[0003] Among charge transfer devices, a charge transfer device using a single-layer gate electrode has attracted attention from the viewpoint of improving sensitivity.
【０００４】図７を参照して、従来の電荷転送装置の製
造方法について、一例を説明する。Referring to FIG. 7, an example of a conventional method for manufacturing a charge transfer device will be described.
【０００５】まず、図７（ａ）に示すように、半導体基
板１上に、ゲート絶縁膜２、ポリシリコン膜３、レジス
トマスク４を形成する。レジストマスク４は、後に形成
するゲート電極に対応する位置に形成される。その後、
図７（ｂ）に示すように、レジストマスク４が形成され
ていない部分のポリシリコン膜３をエッチングによって
除去し、ゲート電極５を形成する。その後、図７（ｃ）
に示すように、レジストマスク４を除去する。その後、
図７（ｄ）および図７（ｅ）に示すように、パシベーシ
ョン絶縁膜６をＣＶＤ法によって形成する。図７（ｄ）
は、パシベーション絶縁膜６を形成する中間段階の状態
を示している。First, as shown in FIG. 7A, a gate insulating film 2, a polysilicon film 3, and a resist mask 4 are formed on a semiconductor substrate 1. The resist mask 4 is formed at a position corresponding to a gate electrode to be formed later. afterwards,
As shown in FIG. 7B, a portion of the polysilicon film 3 where the resist mask 4 is not formed is removed by etching, and a gate electrode 5 is formed. Then, FIG.
As shown in (2), the resist mask 4 is removed. afterwards,
As shown in FIGS. 7D and 7E, a passivation insulating film 6 is formed by a CVD method. FIG. 7D
Shows an intermediate state in which the passivation insulating film 6 is formed.
【０００６】ここで、電荷転送効率を向上させるために
は、隣接するゲート電極間の距離ｄ（図７（ｃ）参照）
を短くすることが有効である。しかし、ゲート電極間の
距離ｄを短くすると、隣接するゲート電極間の絶縁耐圧
が低下するため、電荷転送装置の信頼性が低下するとい
う問題がある。Here, in order to improve the charge transfer efficiency, the distance d between adjacent gate electrodes (see FIG. 7C)
It is effective to shorten. However, when the distance d between the gate electrodes is reduced, the withstand voltage between the adjacent gate electrodes is reduced, so that there is a problem that the reliability of the charge transfer device is reduced.
【０００７】そこで、隣接するゲート電極間の絶縁耐圧
の向上等を目的として、パシベーション絶縁膜６によっ
て隣接するゲート電極間を埋める必要がある。Therefore, it is necessary to fill the gap between the adjacent gate electrodes with the passivation insulating film 6 for the purpose of improving the dielectric strength between the adjacent gate electrodes.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の電荷転送装置の製造方法では、パシベーション絶縁
膜６を形成する際に、パシベーション絶縁膜６中に空孔
（ボイド）７が形成されてしまうという問題があった
（図７（ｅ）参照）。これは、パシベーション絶縁膜６
を形成する際に、ゲート電極５のエッジ５ａ（図７
（ｃ）参照）での膜成長速度が速いためである。すなわ
ち、ゲート電極５のエッジ５ａでは、上方から飛来する
成膜分子と、ゲート電極５間のギャップ（ゲートギャッ
プ）から飛来する成膜分子とによって成膜されるため、
他の部分よりも膜成長速度が速く、図７（ｄ）および
（ｅ）に示すように、空孔７が形成されてしまう。空孔
７は、ゲート電極５間の距離ｄを短くするほど形成され
やすく、距離ｄがゲート電極５の膜厚よりも小さい場合
には特に形成されやすい。このような空孔７が形成され
ると、ゲート電極５間の絶縁耐圧を向上させることがで
きないという問題がある。However, in the conventional method of manufacturing a charge transfer device, when forming the passivation insulating film 6, voids (voids) 7 are formed in the passivation insulating film 6. There was a problem (see FIG. 7E). This is the passivation insulating film 6
Is formed, the edge 5a of the gate electrode 5 (FIG. 7)
This is because the film growth rate in (c) is high. That is, at the edge 5 a of the gate electrode 5, a film is formed by film molecules flying from above and film molecules flying from a gap (gate gap) between the gate electrodes 5.
The film growth rate is higher than in the other portions, and the holes 7 are formed as shown in FIGS. 7D and 7E. The holes 7 are more likely to be formed as the distance d between the gate electrodes 5 is shorter, and are particularly easily formed when the distance d is smaller than the thickness of the gate electrode 5. When such holes 7 are formed, there is a problem that the withstand voltage between the gate electrodes 5 cannot be improved.
【０００９】そのため、本発明は、空孔７のないパシベ
ーション絶縁膜を用いてゲート電極間を埋め込むことに
よって、電荷転送効率および信頼性が高い電荷転送装置
およびその製造方法を提供することを目的とする。Accordingly, an object of the present invention is to provide a charge transfer device having high charge transfer efficiency and high reliability by filling a space between gate electrodes using a passivation insulating film having no holes 7, and a method of manufacturing the same. I do.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の電荷転送装置は、半導体上に形成されたゲ
ート絶縁膜と前記ゲート絶縁膜上に形成された複数のゲ
ート電極とを備える電荷転送装置であって、前記ゲート
電極の側壁に形成されたサイドウォールと、前記ゲート
電極を覆うように形成されたパシベーション絶縁膜とを
含み、前記パシベーション絶縁膜が空孔を有しないこと
を特徴とする。上記電荷転送装置では、ゲート電極の側
壁にサイドウォールを形成することによって、空孔を有
しないパシベーション絶縁膜でゲート電極を埋め込むこ
とができる。したがって、上記電荷転送装置によれば、
電荷転送効率および信頼性が高い電荷転送装置が得られ
る。In order to achieve the above object, a charge transfer device according to the present invention comprises a gate insulating film formed on a semiconductor and a plurality of gate electrodes formed on the gate insulating film. A charge transfer device, comprising: a sidewall formed on a side wall of the gate electrode; and a passivation insulating film formed so as to cover the gate electrode, wherein the passivation insulating film has no holes. Features. In the above charge transfer device, by forming the sidewall on the side wall of the gate electrode, the gate electrode can be buried with the passivation insulating film having no holes. Therefore, according to the charge transfer device,
A charge transfer device with high charge transfer efficiency and high reliability is obtained.
【００１１】上記電荷転送装置においては、サイドウォ
ールの表面の断面形状が略円弧状であることが好まし
い。サイドウォールの表面の断面形状を略円弧状にする
ことによって、パシベーション絶縁膜に空孔が形成する
ことをより防止することができるため、電荷転送効率お
よび信頼性がさらに高い電荷転送装置が得られる。In the above-described charge transfer device, it is preferable that the cross-sectional shape of the surface of the sidewall is substantially arc-shaped. By forming the cross-sectional shape of the side wall surface into a substantially arc shape, it is possible to further prevent the formation of holes in the passivation insulating film, so that a charge transfer device with higher charge transfer efficiency and reliability can be obtained. .
【００１２】上記電荷転送装置においては、サイドウォ
ールを絶縁物で形成することによって、隣接するゲート
電極間の絶縁耐圧を高めることができるため、電荷転送
効率および信頼性がさらに高い電荷転送装置が得られ
る。In the above-described charge transfer device, since the withstand voltage between adjacent gate electrodes can be increased by forming the sidewalls from an insulator, a charge transfer device with higher charge transfer efficiency and reliability can be obtained. Can be
【００１３】上記電荷転送装置においては、サイドウォ
ールを導電性物質で形成することによって、サイドウォ
ールをゲート電極の一部として機能させることができ
る。In the above-described charge transfer device, the sidewall can be made to function as a part of the gate electrode by forming the sidewall from a conductive material.
【００１４】上記電荷転送装置においては、ゲート絶縁
膜の表面とサイドウォールの表面とがなす角度が、７０
度以上９０度未満であることが好ましい。ゲート絶縁膜
の表面とサイドウォールの表面とがなす角度を７０度以
上９０度未満とすることによって、パシベーション絶縁
膜に空孔が形成することをより防止することができる上
記電荷転送装置においては、隣接するゲート電極間の距
離が、ゲート電極の膜厚よりも小さいことが好ましい。
隣接するゲート電極間の距離を小さくすることによっ
て、電荷転送効率をさらに高くすることができる。In the above charge transfer device, the angle between the surface of the gate insulating film and the surface of the sidewall is 70 degrees.
It is preferable that it is not less than 90 degrees and not more than 90 degrees. In the above-described charge transfer device, by forming an angle between the surface of the gate insulating film and the surface of the sidewall to be 70 degrees or more and less than 90 degrees, it is possible to further prevent formation of holes in the passivation insulating film. It is preferable that the distance between adjacent gate electrodes is smaller than the thickness of the gate electrode.
By reducing the distance between adjacent gate electrodes, the charge transfer efficiency can be further increased.
【００１５】上記電荷転送装置においては、隣接するゲ
ート電極間の距離が、０．２５μｍ以下であることが好
ましい。隣接するゲート電極間の距離を０．２５μｍ以
下とすることによって、電荷転送効率がさらに高い電荷
転送装置が得られる。In the above charge transfer device, the distance between adjacent gate electrodes is preferably 0.25 μm or less. By setting the distance between adjacent gate electrodes to 0.25 μm or less, a charge transfer device with higher charge transfer efficiency can be obtained.
【００１６】本発明の電荷転送装置の製造方法は、半導
体上に形成されたゲート絶縁膜と前記ゲート絶縁膜上に
形成された複数のゲート電極とを備える電荷転送装置の
製造方法であって、前記半導体上に前記ゲート絶縁膜を
形成したのち前記ゲート絶縁膜上に複数の前記ゲート電
極を分離して形成する第１の工程と、前記ゲート電極の
側壁に、表面の断面形状が略円弧状のサイドウォールを
形成する第２の工程と、前記ゲート電極を覆うようにパ
シベーション絶縁膜を形成する第３の工程とを含むこと
を特徴とする。上記電荷転送装置の製造方法では、ゲー
ト電極の側面にサイドウォールを形成した後に、前記ゲ
ート電極を覆うようにパシベーション絶縁膜を形成す
る。したがって、上記電荷転送装置の製造方法によれ
ば、パシベーション絶縁膜に空孔が形成されることを防
止できるため、空孔が無いパシベーション絶縁膜でゲー
ト電極を埋め込むことができ、電荷転送効率および信頼
性が高い電荷転送装置を製造できる。A method of manufacturing a charge transfer device according to the present invention is a method of manufacturing a charge transfer device including a gate insulating film formed on a semiconductor and a plurality of gate electrodes formed on the gate insulating film. A first step of forming the gate insulating film on the semiconductor and then separating and forming the plurality of gate electrodes on the gate insulating film; and forming a substantially arc-shaped cross-sectional surface on a side wall of the gate electrode. And a third step of forming a passivation insulating film so as to cover the gate electrode. In the method for manufacturing a charge transfer device, a sidewall is formed on a side surface of the gate electrode, and then a passivation insulating film is formed to cover the gate electrode. Therefore, according to the method of manufacturing the charge transfer device, since holes can be prevented from being formed in the passivation insulating film, the gate electrode can be embedded with the passivation insulating film having no holes, and the charge transfer efficiency and reliability can be improved. A charge transfer device with high reliability can be manufactured.
【００１７】上記電荷転送装置の製造方法においては、
第２の工程は、前記ゲート電極を覆うようにサイドウォ
ール形成用薄膜を形成したのちサイドウォール形成用薄
膜をエッチング防止膜までエッチバックすることによっ
てサイドウォールを形成する工程を含むことが好まし
い。第２の工程が上記工程を含むことによって、サイド
ウォールを容易に形成できる。In the method for manufacturing a charge transfer device,
Preferably, the second step includes a step of forming a sidewall by forming a sidewall forming thin film so as to cover the gate electrode, and then etching back the sidewall forming thin film to an etching prevention film. When the second step includes the above steps, the sidewall can be easily formed.
【００１８】上記電荷転送装置の製造方法においては、
第１の工程は、ゲート絶縁膜上にポリシリコン膜とエッ
チング防止膜とを積層したのちエッチング防止膜上であ
ってゲート電極に対応する位置に形成されたレジストマ
スクを形成する工程と、レジストマスクを用いてエッチ
ング防止膜をエッチングしたのちポリシリコン膜をエッ
チングしてゲート電極を形成する工程とを含み、第２の
工程は、ゲート電極およびエッチング防止膜を覆うよう
にサイドウォール形成用薄膜を形成したのちサイドウォ
ール形成用薄膜をエッチング防止膜までエッチバックす
ることによってサイドウォールを形成する工程を含むこ
とが好ましい。エッチング防止膜を形成することによっ
て、サイドウォール形成用薄膜をエッチバックする際に
ゲート電極がエッチングされることを防止できるため、
信頼性がさらに高い電荷転送装置を製造できる。In the method for manufacturing a charge transfer device,
A first step of laminating a polysilicon film and an etching prevention film on the gate insulating film and then forming a resist mask formed on the etching prevention film at a position corresponding to the gate electrode; Forming a gate electrode by etching the polysilicon film after etching the etching prevention film by using a method, and forming a thin film for forming a sidewall so as to cover the gate electrode and the etching prevention film in the second step. After that, it is preferable to include a step of forming the sidewall by etching back the sidewall forming thin film to the etching prevention film. By forming the etching prevention film, it is possible to prevent the gate electrode from being etched when etching back the sidewall forming thin film,
A charge transfer device with even higher reliability can be manufactured.
【００１９】上記電荷転送装置の製造方法では、第２の
工程は、ゲート絶縁膜およびゲート電極を覆うようにエ
ッチング防止膜を形成したのちエッチング防止膜上にサ
イドウォール形成用薄膜を形成する工程と、サイドウォ
ール形成用薄膜をエッチング防止膜までエッチバックし
てゲート電極の側壁にサイドウォールを形成する工程と
を含むことが好ましい。ゲート絶縁膜およびゲート電極
を覆うようにエッチング防止膜を形成することによっ
て、サイドウォール形成用薄膜をエッチバックする際に
ゲート絶縁膜およびゲート電極がエッチングされること
を防止できるため、信頼性がさらに高い電荷転送装置を
製造できる。In the above method of manufacturing a charge transfer device, the second step includes a step of forming an etching prevention film so as to cover the gate insulating film and the gate electrode, and then forming a thin film for forming a sidewall on the etching prevention film. And forming a sidewall on the side wall of the gate electrode by etching back the sidewall forming thin film to the etching prevention film. By forming the etching prevention film so as to cover the gate insulating film and the gate electrode, the gate insulating film and the gate electrode can be prevented from being etched when the sidewall forming thin film is etched back, so that the reliability is further improved. A high charge transfer device can be manufactured.
【００２０】[0020]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態について説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２１】（実施形態１）実施形態１では、単層ゲー
ト電極を備える本発明の電荷転送装置の一例を説明す
る。Embodiment 1 In Embodiment 1, an example of a charge transfer device of the present invention including a single-layer gate electrode will be described.
【００２２】実施形態１の電荷転送装置１０について、
ゲート絶縁膜１１、ゲート電極１２およびフォトダイオ
ード１３の位置関係を図１に模式的に示す。図１を参照
して、電荷転送装置１０のゲート電極１２は、ゲート絶
縁膜１１上に分離して形成される。With respect to the charge transfer device 10 of the first embodiment,
FIG. 1 schematically shows the positional relationship among the gate insulating film 11, the gate electrode 12, and the photodiode 13. Referring to FIG. 1, gate electrode 12 of charge transfer device 10 is formed separately on gate insulating film 11.
【００２３】図１の線Ｘ−Ｙにおける電荷転送装置１０
の断面図を図２（ａ）に示す。なお、線Ｘ−Ｙの断面図
と線Ｙ−Ｚの断面図とは略等しい。Charge transfer device 10 along line XY in FIG.
Is shown in FIG. 2 (a). Note that the cross-sectional view taken along line XY is substantially equal to the cross-sectional view taken along line YZ.
【００２４】図２（ａ）を参照して、電荷転送装置１０
は、半導体基板１４と、半導体基板１４上に形成された
ゲート絶縁膜１１と、ゲート絶縁膜１１上に分離して形
成された複数のゲート電極１２と、サイドウォール１５
と、ゲート電極１２を覆うように形成されたパシベーシ
ョン絶縁膜１６とを備える。サイドウォール１５は、ゲ
ート電極１２の側壁のうち少なくとも電荷転送方向の側
壁に形成される。なお、図１および図２では図示してい
ないが、パシベーション絶縁膜１６上には、必要に応じ
て、ポリシリコンやタングステンシリサイド等からなる
遮光膜が形成される（以下の実施形態において同じ）。Referring to FIG. 2A, the charge transfer device 10
Is a semiconductor substrate 14, a gate insulating film 11 formed on the semiconductor substrate 14, a plurality of gate electrodes 12 formed separately on the gate insulating film 11,
And a passivation insulating film 16 formed to cover the gate electrode 12. The side wall 15 is formed on at least a side wall of the gate electrode 12 in the charge transfer direction. Although not shown in FIGS. 1 and 2, a light-shielding film made of polysilicon, tungsten silicide, or the like is formed on the passivation insulating film 16 as necessary (the same applies to the following embodiments).
【００２５】ゲート絶縁膜１１は、たとえば半導体基板
１４の熱酸化膜である。Gate insulating film 11 is, for example, a thermal oxide film of semiconductor substrate 14.
【００２６】ゲート電極１２は、たとえばポリシリコン
膜である。Gate electrode 12 is, for example, a polysilicon film.
【００２７】半導体基板１４は、たとえばシリコン単結
晶基板である。The semiconductor substrate 14 is, for example, a silicon single crystal substrate.
【００２８】サイドウォール１５は、パシベーション絶
縁膜１６に空孔が形成されることを防止するために形成
される。The sidewalls 15 are formed to prevent holes from being formed in the passivation insulating film 16.
【００２９】サイドウォール１５には、導電性物質また
は絶縁物を用いることができる。導電性物質としては、
たとえば、ポリシリコンを用いることができる。導電性
物質を用いてサイドウォール１５を形成することによっ
て、サイドウォール１５をゲート電極１２の一部として
機能させることができる。これによって、隣接するゲー
ト電極間の距離を小さくすることができ、電荷転送効率
をさらに高くすることができる。一方、絶縁物として
は、たとえば、ＳｉＮ膜やＴＥＯＳ膜を用いることがで
きる。絶縁物を用いてサイドウォール１５を形成するこ
とによって、ゲート電極１２間の絶縁耐圧を高め、電荷
転送装置の信頼性を向上させることができる。The sidewall 15 can be made of a conductive material or an insulator. As a conductive substance,
For example, polysilicon can be used. By forming the sidewall 15 using a conductive substance, the sidewall 15 can function as a part of the gate electrode 12. As a result, the distance between adjacent gate electrodes can be reduced, and the charge transfer efficiency can be further increased. On the other hand, as the insulator, for example, a SiN film or a TEOS film can be used. By forming the sidewalls 15 using an insulator, the withstand voltage between the gate electrodes 12 can be increased, and the reliability of the charge transfer device can be improved.
【００３０】図２（ｂ）に、サイドウォール１５の断面
図を模式的に示す。なお、図２（ｂ）では、ハッチング
を省略している。図２（ｂ）に示すように、サイドウォ
ール１５によって、ゲート電極１２のエッジ（図７
（ｃ）５ａ参照）部分の段差が除去される。したがっ
て、電荷転送装置１０は、サイドウォール１５を備える
ことによって、パシベーション絶縁膜１６に空孔が形成
されることを防止できる。なお、サイドウォール表面１
５ａの断面形状は略円弧状であることが好ましい。ま
た、サイドウォール表面１５ａとゲート絶縁膜１１の表
面とがなす角度αを、７０度以上９０度未満とすること
によって、パシベーション絶縁膜１６に空孔が形成され
ることをより防止できる。さらに、電荷転送方向に隣接
するゲート電極１１間の距離ｄをゲート電極１２の膜厚
よりも小さくすることが好ましい。また、距離ｄを０．
２５μｍ以下とすることによって、電荷転送効率を向上
させることができる。FIG. 2B schematically shows a cross-sectional view of the side wall 15. In FIG. 2B, hatching is omitted. As shown in FIG. 2B, the edge of the gate electrode 12 (see FIG.
(See (c) 5a) The step of the portion is removed. Therefore, the charge transfer device 10 can prevent the formation of holes in the passivation insulating film 16 by providing the sidewalls 15. The side wall surface 1
The cross-sectional shape of 5a is preferably a substantially arc shape. In addition, when the angle α formed between the sidewall surface 15a and the surface of the gate insulating film 11 is 70 degrees or more and less than 90 degrees, formation of holes in the passivation insulating film 16 can be further prevented. Further, it is preferable that the distance d between the adjacent gate electrodes 11 in the charge transfer direction is smaller than the thickness of the gate electrode 12. Also, the distance d is set to 0.
When the thickness is 25 μm or less, the charge transfer efficiency can be improved.
【００３１】パシベーション絶縁膜１６は、たとえば、
ＳｉＮ膜やシリコン酸化膜等からなり、空孔を有しな
い。パシベーション絶縁膜１６に絶縁性が高い材料を用
いることによって、ゲート電極１２間の絶縁耐圧を高め
ることができる。The passivation insulating film 16 is formed, for example, by
It is made of a SiN film, a silicon oxide film, or the like, and has no holes. By using a material having a high insulating property for the passivation insulating film 16, the withstand voltage between the gate electrodes 12 can be increased.
【００３２】なお、電荷転送装置１０は、図３に示すよ
うな構造であってもよい。図３（ａ）の電荷転送装置１
０ａは、ゲート電極１２とパシベーション絶縁膜１６と
の界面にエッチング防止膜１７ａを備える。図３（ｂ）
の電荷転送装置１０ｂは、ゲート電極１２とパシベーシ
ョン絶縁膜１６との界面、およびゲート電極１２とサイ
ドウォール１５との界面に、エッチング防止膜１７ｂを
備える。The charge transfer device 10 may have a structure as shown in FIG. The charge transfer device 1 shown in FIG.
Numeral 0a includes an etching prevention film 17a at the interface between the gate electrode 12 and the passivation insulating film 16. FIG. 3 (b)
The charge transfer device 10b includes an etching prevention film 17b at the interface between the gate electrode 12 and the passivation insulating film 16 and at the interface between the gate electrode 12 and the sidewall 15.
【００３３】エッチング防止膜１７ａおよび１７ｂは、
サイドウォール１５を形成する際にゲート電極１２等が
エッチングされることを防止するために形成される。エ
ッチング防止膜１７ａおよび１７ｂの材料は、ゲート電
極１２の材質やエッチングの方法によって選択される。
ゲート電極１２がポリシリコンの場合には、エッチング
防止膜１７ａおよび１７ｂの材料として、たとえばＳｉ
Ｎ膜等を用いることができる。エッチング防止膜１７ａ
に絶縁性が高い材料を用いることによって、電荷転送装
置の信頼性を高めることができる。The etching prevention films 17a and 17b are
It is formed to prevent the gate electrode 12 and the like from being etched when forming the sidewalls 15. The material of the etching prevention films 17a and 17b is selected depending on the material of the gate electrode 12 and an etching method.
When gate electrode 12 is made of polysilicon, the material of etching prevention films 17a and 17b is, for example, Si.
An N film or the like can be used. Etching prevention film 17a
By using a material having high insulating property, the reliability of the charge transfer device can be improved.
【００３４】実施形態１の電荷転送装置１０、１０ａお
よび１０ｂでは、空孔のないパシベーション絶縁膜１６
によってゲート電極１２が埋め込まれている。したがっ
て、電荷転送装置１０、１０ａおよび１０ｂによれば、
電荷転送効率および信頼性が高い電荷転送装置が得られ
る。In the charge transfer devices 10, 10 a and 10 b of the first embodiment, the passivation insulating film 16
The gate electrode 12 is buried. Therefore, according to the charge transfer devices 10, 10a and 10b,
A charge transfer device with high charge transfer efficiency and high reliability is obtained.
【００３５】（実施形態２）実施形態２では、実施形態
１で説明した電荷転送装置１０の製造方法の一例につい
て説明する。なお、ゲート絶縁膜１１、ゲート電極１
２、半導体基板１４、サイドウォール１５、パシベーシ
ョン絶縁膜１６については、実施形態１で説明したもの
と同様であるので重複する説明を省略する。Embodiment 2 In Embodiment 2, an example of a method for manufacturing the charge transfer device 10 described in Embodiment 1 will be described. The gate insulating film 11 and the gate electrode 1
2, the semiconductor substrate 14, the sidewalls 15, and the passivation insulating film 16 are the same as those described in the first embodiment, and thus redundant description will be omitted.
【００３６】図４（ａ）を参照して、まず、半導体基板
１４上にゲート絶縁膜１１、ポリシリコン膜４１、レジ
ストマスク４２を形成する。ゲート絶縁膜１１は、たと
えば半導体基板１４の熱酸化によって形成できる。ポリ
シリコン膜４１は、たとえばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって形成
できる。レジストマスク４２は、ゲート電極１２（図１
および図２参照）に対応する位置に形成される。Referring to FIG. 4A, first, a gate insulating film 11, a polysilicon film 41, and a resist mask 42 are formed on a semiconductor substrate 14. Gate insulating film 11 can be formed by, for example, thermal oxidation of semiconductor substrate 14. The polysilicon film 41 is formed, for example, by CVD (Chemical).
It can be formed by a Vapor Deposition method. The resist mask 42 is formed on the gate electrode 12 (FIG. 1).
And FIG. 2).
【００３７】その後、図４（ｂ）に示すように、レジス
トマスク４２をマスクとしてポリシリコン膜４１をエッ
チングすることによって、ゲート電極１２を形成する。
隣接するゲート電極１２間には、ゲートギャップ４３が
形成される。Thereafter, as shown in FIG. 4B, the gate electrode 12 is formed by etching the polysilicon film 41 using the resist mask 42 as a mask.
A gate gap 43 is formed between adjacent gate electrodes 12.
【００３８】その後、図４（ｃ）に示すように、レジス
トマスク４２を除去した後、ゲート電極１２およびゲー
トギャップ４３を覆うようにサイドウォール形成用薄膜
４４を形成する。サイドウォール形成用薄膜４４は、た
とえば、ＳｉＮ膜やシリコン酸化膜からなり、たとえば
ＣＶＤ法によって形成できる。Thereafter, as shown in FIG. 4C, after removing the resist mask 42, a thin film 44 for forming a sidewall is formed so as to cover the gate electrode 12 and the gate gap 43. The side wall forming thin film 44 is made of, for example, a SiN film or a silicon oxide film, and can be formed by, for example, a CVD method.
【００３９】その後、図４（ｄ）に示すように、サイド
ウォール形成用薄膜４４をエッチバックすることによっ
て、ゲート電極１２の側壁にサイドウォール１５を形成
する。サイドウォール形成用薄膜４４は、たとえばドラ
イエッチングでエッチングできる。Thereafter, as shown in FIG. 4D, the side wall 15 is formed on the side wall of the gate electrode 12 by etching back the side wall forming thin film 44. The sidewall forming thin film 44 can be etched by, for example, dry etching.
【００４０】その後、図４（ｅ）に示すように、ゲート
電極１２およびゲートギャップ４３を覆うようにパシベ
ーション絶縁膜１６を形成する。このとき、ゲート電極
１２の側壁にはサイドウォール１５が形成されているた
め、従来の電荷転送装置の製造方法（図７参照）とは異
なり、ゲート電極１２のエッジ部分で膜成長が促進され
ることを抑制できる。したがって、実施形態２の製造方
法によれば、パシベーション絶縁膜１６に空孔が形成さ
れない。Thereafter, as shown in FIG. 4E, a passivation insulating film 16 is formed so as to cover the gate electrode 12 and the gate gap 43. At this time, since the sidewall 15 is formed on the side wall of the gate electrode 12, the film growth is promoted at the edge of the gate electrode 12, unlike the conventional method of manufacturing the charge transfer device (see FIG. 7). Can be suppressed. Therefore, according to the manufacturing method of Embodiment 2, no holes are formed in the passivation insulating film 16.
【００４１】このようにして、電荷転送装置１０が形成
される。Thus, the charge transfer device 10 is formed.
【００４２】上記実施形態２の製造方法では、電荷転送
装置１０を容易に製造することができる。したがって、
上記実施形態２の製造方法によれば、電荷転送効率およ
び信頼性が高い電荷転送装置を容易に製造することがで
きる。According to the manufacturing method of the second embodiment, the charge transfer device 10 can be easily manufactured. Therefore,
According to the manufacturing method of the second embodiment, a charge transfer device having high charge transfer efficiency and high reliability can be easily manufactured.
【００４３】（実施形態３）実施形態３では、実施形態
１で説明した電荷転送装置１０ａの製造方法の一例につ
いて説明する。なお、実施形態１および実施形態２で説
明したものと重複する部分については説明を省略する。Embodiment 3 In Embodiment 3, an example of a method for manufacturing the charge transfer device 10a described in Embodiment 1 will be described. Note that the description of the same portions as those described in the first and second embodiments will be omitted.
【００４４】図５（ａ）を参照して、まず、半導体基板
１４上にゲート絶縁膜１１、ポリシリコン膜４１、エッ
チング防止膜１７ａおよびレジストマスク４２を形成す
る。エッチング防止膜１７ａは、たとえばＣＶＤ法など
で製造できる。Referring to FIG. 5A, first, a gate insulating film 11, a polysilicon film 41, an etching preventing film 17a and a resist mask 42 are formed on a semiconductor substrate 14. The etching prevention film 17a can be manufactured by, for example, a CVD method.
【００４５】その後、図５（ｂ）に示すように、レジス
トマスク４２をマスクとして、エッチング防止膜１７ａ
をエッチングする。さらに、レジストマスク４２または
エッチング防止膜１７ａをマスクとしてポリシリコン膜
４１をエッチングすることによって、ゲート電極１２を
形成する。隣接するゲート電極１２間には、ゲートギャ
ップ４３が形成される。なお、エッチングは、たとえば
ドライエッチングで行うことができる。Thereafter, as shown in FIG. 5B, using the resist mask 42 as a mask, the etching prevention film 17a is formed.
Is etched. Further, the gate electrode 12 is formed by etching the polysilicon film 41 using the resist mask 42 or the etching prevention film 17a as a mask. A gate gap 43 is formed between adjacent gate electrodes 12. The etching can be performed by, for example, dry etching.
【００４６】その後、図５（ｃ）に示すように、レジス
トマスク４２を除去した後、エッチング防止膜１７ａが
形成されたゲート電極１２およびゲートギャップ４３を
覆うようにサイドウォール形成用薄膜４４を形成する。
サイドウォール形成用薄膜４４は、たとえばＣＶＤ法に
よって形成できる。Thereafter, as shown in FIG. 5C, after removing the resist mask 42, a thin film 44 for forming a sidewall is formed so as to cover the gate electrode 12 and the gate gap 43 on which the etching prevention film 17a is formed. I do.
The side wall forming thin film 44 can be formed by, for example, a CVD method.
【００４７】その後、図５（ｄ）に示すように、サイド
ウォール形成用薄膜４４をエッチバックすることによっ
て、ゲート電極１２の側壁にサイドウォール１５を形成
する。なお、実施形態３の製造方法では、エッチング防
止膜１７ａが形成されているため、サイドウォール形成
用薄膜４４をエッチバックする際にゲート電極１２がエ
ッチングされることを防止できる。Thereafter, as shown in FIG. 5D, the sidewall 15 is formed on the sidewall of the gate electrode 12 by etching back the sidewall forming thin film 44. In the manufacturing method of the third embodiment, since the etching prevention film 17a is formed, the gate electrode 12 can be prevented from being etched when the sidewall forming thin film 44 is etched back.
【００４８】その後、図５（ｅ）に示すように、エッチ
ング防止膜１７ａが形成されたゲート電極１２およびゲ
ートギャップ４３を覆うようにパシベーション絶縁膜１
６を形成する。このとき、ゲート電極１２の側壁にはサ
イドウォール１５が形成されているため、従来の電荷転
送装置（図７参照）とは異なり、パシベーション絶縁膜
１６には空孔が形成されない。Thereafter, as shown in FIG. 5E, the passivation insulating film 1 is formed so as to cover the gate electrode 12 and the gate gap 43 on which the etching preventing film 17a is formed.
6 is formed. At this time, since the side wall 15 is formed on the side wall of the gate electrode 12, unlike the conventional charge transfer device (see FIG. 7), no holes are formed in the passivation insulating film 16.
【００４９】このようにして、電荷転送装置１０ａが形
成される。Thus, the charge transfer device 10a is formed.
【００５０】上記実施形態３の製造方法では、電荷転送
装置１０ａを容易に製造することができる。したがっ
て、上記実施形態３の製造方法によれば、電荷転送効率
および信頼性が高い電荷転送装置を容易に製造すること
ができる。According to the manufacturing method of the third embodiment, the charge transfer device 10a can be easily manufactured. Therefore, according to the manufacturing method of the third embodiment, a charge transfer device having high charge transfer efficiency and high reliability can be easily manufactured.
【００５１】（実施形態４）実施形態４では、実施形態
１で説明した電荷転送装置１０ｂの製造方法の一例につ
いて説明する。なお、実施形態１ないし実施形態３で説
明したものと重複する部分については説明を省略する。(Embodiment 4) In Embodiment 4, an example of a method of manufacturing the charge transfer device 10b described in Embodiment 1 will be described. The description of the same parts as those described in the first to third embodiments will be omitted.
【００５２】図６（ａ）を参照して、まず、半導体基板
１４上にゲート絶縁膜１１、ポリシリコン膜４１および
レジストマスク４２を形成する。Referring to FIG. 6A, first, a gate insulating film 11, a polysilicon film 41, and a resist mask 42 are formed on a semiconductor substrate 14.
【００５３】その後、図６（ｂ）に示すように、レジス
トマスク４２をマスクとしてポリシリコン膜４１をエッ
チングすることによって、ゲート電極１２を形成する。
隣接するゲート電極１２間には、ゲートギャップ４３が
形成される。そして、ゲート絶縁膜１１およびゲート電
極１２を覆うようにエッチング防止膜１７ｂを形成す
る。Thereafter, as shown in FIG. 6B, the gate electrode 12 is formed by etching the polysilicon film 41 using the resist mask 42 as a mask.
A gate gap 43 is formed between adjacent gate electrodes 12. Then, an etching prevention film 17b is formed so as to cover the gate insulating film 11 and the gate electrode 12.
【００５４】その後、図６（ｃ）に示すように、エッチ
ング防止膜１７ｂが形成されたゲート電極１２を覆うよ
うにサイドウォール形成用薄膜４４を形成する。サイド
ウォール形成用薄膜４４は、たとえばＣＶＤ法によって
形成できる。Thereafter, as shown in FIG. 6C, a thin film 44 for forming a sidewall is formed so as to cover the gate electrode 12 on which the etching preventing film 17b is formed. The side wall forming thin film 44 can be formed by, for example, a CVD method.
【００５５】その後、図６（ｄ）に示すように、サイド
ウォール形成用薄膜４４をエッチバックすることによっ
て、ゲート電極１２の側壁にサイドウォール１５を形成
する。なお、実施形態４の製造方法では、エッチング防
止膜１７ｂが形成されているため、サイドウォール形成
用薄膜４４をエッチバックする際に、ゲート絶縁膜１１
およびゲート電極１２がエッチングされることを防止で
きる。Thereafter, as shown in FIG. 6D, the side wall 15 is formed on the side wall of the gate electrode 12 by etching back the side wall forming thin film 44. In the manufacturing method of the fourth embodiment, since the etching prevention film 17b is formed, the gate insulating film 11 is etched when the sidewall forming thin film 44 is etched back.
In addition, it is possible to prevent the gate electrode 12 from being etched.
【００５６】その後、図６（ｅ）に示すように、エッチ
ング防止膜１７ｂが形成されたゲート電極１２を覆うよ
うにパシベーション絶縁膜１６を形成する。このとき、
ゲート電極１２の側壁にはサイドウォール１５が形成さ
れているため、従来の電荷転送装置（図７参照）とは異
なり、パシベーション絶縁膜１６には空孔が形成されな
い。Thereafter, as shown in FIG. 6E, a passivation insulating film 16 is formed so as to cover the gate electrode 12 on which the etching preventing film 17b is formed. At this time,
Since the sidewalls 15 are formed on the side walls of the gate electrode 12, unlike the conventional charge transfer device (see FIG. 7), no holes are formed in the passivation insulating film 16.
【００５７】このようにして、電荷転送装置１０ｂが形
成される。Thus, the charge transfer device 10b is formed.
【００５８】上記実施形態４の製造方法では、電荷転送
装置１０ｂを容易に製造することができる。したがっ
て、上記実施形態４の製造方法によれば、電荷転送効率
および信頼性が高い電荷転送装置を容易に製造すること
ができる。According to the manufacturing method of the fourth embodiment, the charge transfer device 10b can be easily manufactured. Therefore, according to the manufacturing method of Embodiment 4, a charge transfer device having high charge transfer efficiency and high reliability can be easily manufactured.
【００５９】[0059]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電荷転送
装置では、隣接するゲート電極間の距離を狭くしても、
空孔のないパシベーション絶縁膜によってゲート電極を
埋め込むことができる。したがって、本発明の電荷転送
装置によれば、電荷転送効率および信頼性が高い電荷転
送装置が得られる。As described above, in the charge transfer device of the present invention, even if the distance between adjacent gate electrodes is reduced,
The gate electrode can be buried by a passivation insulating film without holes. Therefore, according to the charge transfer device of the present invention, a charge transfer device having high charge transfer efficiency and high reliability can be obtained.
【００６０】また、本発明の電荷転送装置の製造方法で
は、パシベーション絶縁膜を形成する前にゲート電極の
側壁に、表面の断面形状が略円弧状のサイドウォールを
形成する。したがって、本発明の電荷転送装置の製造方
法によれば、空孔のないパシベーション絶縁膜によって
ゲート電極を埋め込むことができ、電荷転送効率および
信頼性が高い電荷転送装置を容易に製造することができ
る。In the method of manufacturing a charge transfer device according to the present invention, before forming the passivation insulating film, a sidewall having a substantially arc-shaped cross section is formed on the side wall of the gate electrode. Therefore, according to the method for manufacturing the charge transfer device of the present invention, the gate electrode can be buried with the passivation insulating film having no holes, and the charge transfer device having high charge transfer efficiency and high reliability can be easily manufactured. .
【図１】 本発明の電荷転送装置について、ゲート絶縁
膜およびゲート電極の配置を模式的に示す平面図であ
る。FIG. 1 is a plan view schematically showing the arrangement of a gate insulating film and a gate electrode in a charge transfer device of the present invention.
【図２】 本発明の電荷転送装置について、（ａ）は一
実施形態を示す断面図、（ｂ）は（ａ）の一部拡大図で
ある。FIG. 2A is a cross-sectional view showing an embodiment of the charge transfer device of the present invention, and FIG. 2B is a partially enlarged view of FIG.
【図３】 （ａ）および（ｂ）は、本発明の電荷転送装
置について、他の実施形態を示す断面図である。FIGS. 3A and 3B are cross-sectional views showing another embodiment of the charge transfer device of the present invention.
【図４】 本発明の電荷転送装置の製造方法について、
一実施形態を示す工程図である。FIG. 4 shows a method of manufacturing the charge transfer device of the present invention.
It is a process drawing showing one embodiment.
【図５】 本発明の電荷転送装置の製造方法について、
他の一実施形態を示す工程図である。FIG. 5 shows a method of manufacturing the charge transfer device of the present invention.
It is a process drawing showing other one embodiment.
【図６】 本発明の電荷転送装置の製造方法について、
その他の一実施形態を示す工程図である。FIG. 6 shows a method of manufacturing the charge transfer device of the present invention.
It is a process drawing showing other one embodiment.
【図７】 従来の電荷転送装置の製造方法について、一
実施形態を示す工程図である。FIG. 7 is a process chart showing one embodiment of a conventional method for manufacturing a charge transfer device.
１０、１０ａ、１０ｂ 電荷転送装置 １１ ゲート絶縁膜 １２ ゲート電極 １３ フォトダイオード １４ 半導体基板 １５ サイドウォール １５ａ サイドウォール表面 １６ パシベーション絶縁膜 １７ａ、１７ｂ エッチング防止膜 ４１ ポリシリコン膜 ４２ レジストマスク ４３ ゲートギャップ ４４ サイドウォール形成用薄膜 ｄ 距離 α 角度 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10, 10a, 10b Charge transfer device 11 Gate insulating film 12 Gate electrode 13 Photodiode 14 Semiconductor substrate 15 Side wall 15a Side wall surface 16 Passivation insulating film 17a, 17b Etch prevention film 41 Polysilicon film 42 Resist mask 43 Gate gap 44 Side Thin film for wall formation d distance α angle
Claims (11)
記ゲート絶縁膜上に形成された複数のゲート電極とを備
える電荷転送装置であって、 前記ゲート電極の側壁に形成されたサイドウォールと、 前記ゲート電極を覆うように形成されたパシベーション
絶縁膜とを含み、 前記パシベーション絶縁膜が空孔を有しないことを特徴
とする電荷転送装置。1. A charge transfer device comprising: a gate insulating film formed on a semiconductor; and a plurality of gate electrodes formed on the gate insulating film, wherein the side wall formed on a side wall of the gate electrode; And a passivation insulating film formed so as to cover the gate electrode, wherein the passivation insulating film has no holes.
略円弧状である請求項１に記載の電荷転送装置。2. The charge transfer device according to claim 1, wherein a cross-sectional shape of a surface of the sidewall is substantially arc-shaped.
請求項１に記載の電荷転送装置。3. The charge transfer device according to claim 1, wherein the sidewall is made of an insulator.
なる請求項１に記載の電荷転送装置。4. The charge transfer device according to claim 1, wherein the sidewall is made of a conductive material.
ォールの表面とがなす角度が、７０度以上９０度未満で
ある請求項１ないし４のいずれかに記載の電荷転送装
置。5. The charge transfer device according to claim 1, wherein an angle between the surface of the gate insulating film and the surface of the sidewall is 70 degrees or more and less than 90 degrees.
記ゲート電極の膜厚よりも小さい請求項１ないし４のい
ずれかに記載の電荷転送装置。6. The charge transfer device according to claim 1, wherein a distance between the adjacent gate electrodes is smaller than a thickness of the gate electrode.
０．２５μｍ以下である請求項１ないし４のいずれかに
記載の電荷転送装置。7. The distance between adjacent gate electrodes is:
The charge transfer device according to claim 1, wherein the thickness of the charge transfer device is 0.25 μm or less.
記ゲート絶縁膜上に形成された複数のゲート電極とを備
える電荷転送装置の製造方法であって、 前記半導体上に前記ゲート絶縁膜を形成したのち前記ゲ
ート絶縁膜上に複数の前記ゲート電極を分離して形成す
る第１の工程と、 前記ゲート電極の側壁に、表面の断面形状が略円弧状の
サイドウォールを形成する第２の工程と、 前記ゲート電極を覆うようにパシベーション絶縁膜を形
成する第３の工程とを含むことを特徴とする電荷転送装
置の製造方法。8. A method of manufacturing a charge transfer device, comprising: a gate insulating film formed on a semiconductor; and a plurality of gate electrodes formed on the gate insulating film, wherein the gate insulating film is formed on the semiconductor. A first step of separating and forming a plurality of the gate electrodes on the gate insulating film after the formation, and a second step of forming a sidewall having a substantially arc-shaped cross-sectional surface on a side wall of the gate electrode. And a third step of forming a passivation insulating film so as to cover the gate electrode.
うようにサイドウォール形成用薄膜を形成したのち前記
サイドウォール形成用薄膜を前記エッチング防止膜まで
エッチバックすることによって前記サイドウォールを形
成する工程を含む請求項８に記載の電荷転送装置の製造
方法。9. In the second step, the side wall is formed by forming a side wall forming thin film so as to cover the gate electrode, and then etching back the side wall forming thin film to the etching prevention film. The method for manufacturing a charge transfer device according to claim 8, further comprising the step of:
上にポリシリコン膜とエッチング防止膜とを積層したの
ち前記エッチング防止膜上であって前記ゲート電極に対
応する位置にレジストマスクを形成する工程と、前記レ
ジストマスクを用いて前記エッチング防止膜をエッチン
グしたのち前記ポリシリコン膜をエッチングして前記ゲ
ート電極を形成する工程とを含み、 前記第２の工程は、前記ゲート電極および前記エッチン
グ防止膜を覆うようにサイドウォール形成用薄膜を形成
したのち前記サイドウォール形成用薄膜を前記エッチン
グ防止膜までエッチバックすることによって前記サイド
ウォールを形成する工程を含む請求項８に記載の電荷転
送装置の製造方法。10. The first step includes, after laminating a polysilicon film and an etching prevention film on the gate insulating film, forming a resist mask on the etching prevention film at a position corresponding to the gate electrode. And etching the polysilicon film using the resist mask, and then etching the polysilicon film to form the gate electrode. The second step includes forming the gate electrode and the etching 9. The charge transfer device according to claim 8, further comprising: forming a sidewall forming thin film so as to cover the prevention film, and then forming the sidewall by etching back the sidewall forming thin film to the etching prevention film. Manufacturing method.
および前記ゲート電極を覆うようにエッチング防止膜を
形成したのち前記エッチング防止膜上にサイドウォール
形成用薄膜を形成する工程と、 前記サイドウォール形成用薄膜を前記エッチング防止膜
までエッチバックして前記ゲート電極の側壁にサイドウ
ォールを形成する工程とを含む請求項８に記載の電荷転
送装置の製造方法。11. The second step includes: forming an etching prevention film so as to cover the gate insulating film and the gate electrode; and then forming a sidewall forming thin film on the etching prevention film; 9. The method of manufacturing a charge transfer device according to claim 8, further comprising the step of: etching back the thin film for forming a wall to the etching prevention film to form a sidewall on a side wall of the gate electrode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11016691A JP2000216371A (en) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | Charge transfer device, and its manufacture |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11016691A JP2000216371A (en) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | Charge transfer device, and its manufacture |
Publications (1)
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|---|---|
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|---|---|
| JP (1) | JP2000216371A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002299597A (en) * | 2001-04-04 | 2002-10-11 | Sony Corp | Solid state image sensing element and its manufacturing method |
| JP2008535242A (en) * | 2005-03-28 | 2008-08-28 | ケネット・インコーポレーテッド | Manufacturing method of CCD in conventional CMOS process |
| JP2016219792A (en) * | 2015-05-19 | 2016-12-22 | キヤノン株式会社 | Solid-state imaging apparatus, method for manufacturing solid-state imaging apparatus, and imaging system |
| US10381389B2 (en) | 2015-05-19 | 2019-08-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state imaging device, manufacturing method of solid state imaging device, and imaging system |
-
1999
- 1999-01-26 JP JP11016691A patent/JP2000216371A/en not_active Ceased
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002299597A (en) * | 2001-04-04 | 2002-10-11 | Sony Corp | Solid state image sensing element and its manufacturing method |
| JP2008535242A (en) * | 2005-03-28 | 2008-08-28 | ケネット・インコーポレーテッド | Manufacturing method of CCD in conventional CMOS process |
| JP2016219792A (en) * | 2015-05-19 | 2016-12-22 | キヤノン株式会社 | Solid-state imaging apparatus, method for manufacturing solid-state imaging apparatus, and imaging system |
| US10381389B2 (en) | 2015-05-19 | 2019-08-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state imaging device, manufacturing method of solid state imaging device, and imaging system |
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