JP2000214572A - Photomask and exposure device with same - Google Patents
Photomask and exposure device with sameInfo
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、孤立パターンと密
集パターンが混在するフォトマスク及びそれを備えた露
光装置に関するものである。特には、孤立パターンの線
幅が細くなるのを抑制できるフォトマスク及びそれを備
えた露光装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photomask in which an isolated pattern and a dense pattern are mixed, and an exposure apparatus having the same. In particular, the present invention relates to a photomask capable of suppressing a line width of an isolated pattern from becoming thin, and an exposure apparatus having the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図５（ａ）は、従来の露光装置に適用し
たフォトマスクの一部を示す断面図であり、図５（ｂ）
は、図５（ａ）に示すフォトマスクを用いて露光した際
の光強度Ｉとその位置Ｘの関係を示すグラフであり、図
５（ｃ）は、図５（ａ）に示すフォトマスクを用いてレ
ジスト膜を露光することにより得られるレジストパター
ンを示す断面図である。2. Description of the Related Art FIG. 5A is a sectional view showing a part of a photomask applied to a conventional exposure apparatus, and FIG.
5A is a graph showing the relationship between the light intensity I and the position X when the exposure is performed using the photomask shown in FIG. 5A, and FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a resist pattern obtained by exposing a resist film using the method.
【０００３】図５（ａ）に示すフォトマスク１００は、
ガラス基板１１０と、その下に形成されたクロムからな
るラインパターン１１１ａ〜１１１ｃと、から構成され
ている。このフォトマスク１００の製作方法は、ガラス
基板１１０の全面上にクロムを成膜し、このクロム膜上
にレジストを塗布し、このレジスト膜を描画、現像し、
エッチングすることによりガラス基板１１０上にクロム
のラインパターン１１１ａ〜１１１ｃを形成し、該レジ
スト膜を剥離した後、このガラス基板１１０にペリクル
（図示せず）を装着するものである。[0005] A photomask 100 shown in FIG.
It comprises a glass substrate 110 and line patterns 111a to 111c made of chromium formed thereunder. In the method of manufacturing the photomask 100, chromium is formed on the entire surface of the glass substrate 110, a resist is applied on the chromium film, and the resist film is drawn and developed.
The chromium line patterns 111a to 111c are formed on the glass substrate 110 by etching, and after removing the resist film, a pellicle (not shown) is mounted on the glass substrate 110.
【０００４】このフォトマスク１００を露光装置（図示
せず）に適用して投影レンズにより縮小投影露光した
際、該フォトマスク１００を透過した光の強度は図５
（ｂ）に示すようなものとなる。図５（ｂ）において点
線はレジストが感光する光強度のボーダーを示してい
る。この図から分かるように、フォトマスク１００にお
いて、密集ラインパターン１１１ａ，１１１ｂの光強度
はレジストを感光するのに適したものとなっているが、
孤立ラインパターン１１１ｃの光強度はレジストを感光
するのに不十分なものである。When the photomask 100 is applied to an exposure apparatus (not shown) and subjected to reduction projection exposure by a projection lens, the intensity of light transmitted through the photomask 100 is as shown in FIG.
The result is as shown in FIG. In FIG. 5B, the dotted line indicates the border of the light intensity to which the resist is exposed. As can be seen from this figure, in the photomask 100, the light intensity of the dense line patterns 111a and 111b is suitable for exposing the resist.
The light intensity of the isolated line pattern 111c is insufficient to expose the resist.
【０００５】フォトマスク１００を用いて基板１１５上
に塗布されたポジ型レジストを露光し現像すると、図５
（ｃ）に示すように、基板１１５上に密集ラインパター
ン１１９ａ，１１９ｂ及び孤立ラインパターン１１９ｃ
を形成することができる。このとき、密集ラインパター
ン１１９ａ，１１９ｂは所望の幅を有するパターンとな
っているが、孤立ラインパターン１１９ｃは所望の幅よ
り細い幅を有するラインパターンとなってしまう。When the positive resist coated on the substrate 115 is exposed and developed using the photomask 100, the resist shown in FIG.
As shown in (c), dense line patterns 119a and 119b and isolated line patterns 119c are formed on the substrate 115.
Can be formed. At this time, the dense line patterns 119a and 119b are patterns having a desired width, but the isolated line patterns 119c are line patterns having a width smaller than the desired width.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上記のように孤立ライ
ンパターン１１９ｃの線幅が細くなるのは、適正露光量
が密集パターンより下がり、なおかつパターンの疎密に
よって露光時に密集ラインパターン１１９ａ，１１９ｂ
と孤立パターン１１９ｃの間に、合焦点のずれや焦点深
度などの露光特性の相違が生じ、その結果、著しい寸法
変動を生じるためと考えられる。このように孤立パター
ンにおいては寸法変動が大きく、結果として量産不可能
なレベルのフォーカスマージンしかとれないことがあ
る。As described above, the line width of the isolated line pattern 119c is reduced because the proper exposure amount is lower than the dense pattern, and the dense line patterns 119a and 119b are exposed at the time of exposure due to the pattern density.
It is considered that there is a difference in exposure characteristics such as a shift of the focal point and a depth of focus between the image and the isolated pattern 119c, and as a result, a remarkable dimensional change occurs. As described above, in an isolated pattern, dimensional fluctuation is large, and as a result, a focus margin of a level that cannot be mass-produced may be obtained.
【０００７】このような問題を改善したフォトマスクの
一例を図６（ａ）に示している。FIG. 6A shows an example of a photomask in which such a problem is solved.
【０００８】図６（ａ）は、図５（ａ）に示すフォトマ
スクを改善したフォトマスクの一部を示す断面図であ
り、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示すフォトマスクを用
いて露光した際の光強度Ｉとその位置Ｘの関係を示すグ
ラフであり、図６（ｃ）は、図６（ａ）に示すフォトマ
スクを用いてレジスト膜を露光することにより得られる
レジストパターンを示す断面図である。FIG. 6A is a cross-sectional view showing a part of a photomask obtained by improving the photomask shown in FIG. 5A. FIG. 6B is a cross-sectional view showing the photomask shown in FIG. FIG. 6C is a graph showing the relationship between the light intensity I and the position X at the time of exposing using FIG. 6C. FIG. 6C is obtained by exposing the resist film using the photomask shown in FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a resist pattern.
【０００９】図６（ａ）に示すフォトマスク１０１は、
ガラス基板１１０と、その下に形成されたクロムからな
るラインパターン１１１ａ〜１１１ｃ及び該パターン１
１１ｃ近傍に配置されたダミーパターン１１３と、から
構成されている。このダミーパターン１１３は解像限界
以下の幅まで細くしたものである。このフォトマスク１
０１の製作方法は、図５（ａ）に示すフォトマスクと同
様である。The photomask 101 shown in FIG.
Glass substrate 110, line patterns 111a to 111c made of chromium formed thereunder, and pattern 1
11c, and a dummy pattern 113 arranged near 11c. The dummy pattern 113 is thinned to a width equal to or less than the resolution limit. This photomask 1
The method of manufacturing No. 01 is the same as that of the photomask shown in FIG.
【００１０】このフォトマスク１０１を露光装置（図示
せず）に適用して投影レンズにより縮小投影露光した
際、該フォトマスク１０１を透過した光の強度は図６
（ｂ）に示すようなものとなる。図６（ｂ）において点
線はレジストが感光する光強度のボーダーを示してい
る。この図から分かるように、フォトマスク１０１にお
いて、密集ラインパターン１１１ａ，１１１ｂの光強度
と同様に孤立ラインパターン１１１ｃの光強度もレジス
トを感光するのに適したものとすることができた。これ
は、孤立ラインパターン１１１ｃの近傍にダミーパター
ン１１３を設けることによって孤立パターン１１１ｃの
光強度に影響を与え、その光強度を密集パターン１１１
ａ，１１１ｂの光強度に近づけることができたからであ
る。When this photomask 101 is applied to an exposure apparatus (not shown) and subjected to reduction projection exposure by a projection lens, the intensity of light transmitted through the photomask 101 is as shown in FIG.
The result is as shown in FIG. In FIG. 6B, the dotted line indicates the border of the light intensity to which the resist is exposed. As can be seen from this figure, in the photomask 101, the light intensity of the isolated line pattern 111c as well as the light intensity of the dense line patterns 111a and 111b could be made suitable for exposing the resist. This affects the light intensity of the isolated pattern 111c by providing the dummy pattern 113 near the isolated line pattern 111c, and reduces the light intensity of the isolated pattern 111c.
This is because it was possible to approach the light intensity of a, 111b.
【００１１】フォトマスク１０１を用いて基板１１５上
に塗布されたポジ型レジストを露光し現像すると、図６
（ｃ）に示すように、基板１１５上に密集ラインパター
ン１１９ａ，１１９ｂ及び孤立ラインパターン１１９ｃ
を形成することができる。このとき、密集ラインパター
ン１１９ａ，１１９ｂと同様に孤立ラインパターン１１
９ｃも所望の幅を有するパターンとすることができる。
なお、図６（ａ）のダミーパターン１１３はレジストパ
ターンとして形成されることがない。これは、ダミーパ
ターン１１３は解像限界以下の幅まで細くしているから
である。When the positive resist applied on the substrate 115 is exposed and developed by using the photomask 101, FIG.
As shown in (c), dense line patterns 119a and 119b and isolated line patterns 119c are formed on the substrate 115.
Can be formed. At this time, the isolated line pattern 11 is similar to the dense line patterns 119a and 119b.
9c can also be a pattern having a desired width.
The dummy pattern 113 in FIG. 6A is not formed as a resist pattern. This is because the dummy pattern 113 is narrowed to a width equal to or less than the resolution limit.
【００１２】しかしながら、このようなダミーパターン
１１３を配置するという方法を用いても、孤立パターン
を密集パターンと同様の線幅で形成できないことがあ
る。即ち、現在では、パターンの微細化が進み、作ろう
とする孤立ラインパターンが解像限界に近いものとなっ
ているので、ダミーパターンはさらに微細なものとしな
ければならないが、ダミーパターンをあまり微細なもの
とすると上述したような作用を奏しないからである。However, even when such a method of arranging the dummy patterns 113 is used, an isolated pattern may not be formed with the same line width as the dense pattern. That is, at present, the miniaturization of the pattern is progressing, and the isolated line pattern to be formed is close to the resolution limit. Therefore, the dummy pattern must be made finer. This is because the above-described operation is not exerted.
【００１３】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、孤立パターンと密集パタ
ーンが混在するフォトマスクであっても、孤立パターン
の線幅が細くなるのを抑制できるフォトマスク及びそれ
を備えた露光装置を提供することにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to reduce the line width of an isolated pattern even in a photomask in which an isolated pattern and a dense pattern are mixed. An object of the present invention is to provide a photomask which can be suppressed and an exposure apparatus having the photomask.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るフォトマスクは、基板と、該基板の上
に配置された孤立パターンと、該孤立パターンの近傍に
形成された位相シフタの補助パターンと、を具備するこ
とを特徴とする。また、上記補助パターンと上記孤立パ
ターンとの間隔は、その下限がデザインルールの最小ス
ペース分であり、その上限が該孤立パターンの幅の３倍
であることが好ましい。また、上記補助パターンの幅が
解像限界以下であることが好ましい。To solve the above problems, a photomask according to the present invention comprises a substrate, an isolated pattern disposed on the substrate, and a phase shifter formed near the isolated pattern. And an auxiliary pattern. It is preferable that the lower limit of the interval between the auxiliary pattern and the isolated pattern is the minimum space of the design rule, and the upper limit is three times the width of the isolated pattern. Further, the width of the auxiliary pattern is preferably equal to or less than the resolution limit.
【００１５】上記フォトマスクでは、孤立パターンの近
傍に位相シフタの補助パターンを配置する。これによ
り、パターンの微細化が進み作ろうとする孤立パターン
が解像限界に近いものとなっても、孤立パターンの幅が
密集パターンに比べて細くなるのを抑制することができ
る。In the photomask, an auxiliary pattern of the phase shifter is arranged near the isolated pattern. This makes it possible to suppress the width of the isolated pattern from becoming narrower than that of the dense pattern, even if the isolated pattern to be formed is close to the resolution limit as the pattern becomes finer.
【００１６】また、上記フォトマスクにおいては、上記
基板の上に配置された密集パターンをさらに含み、該密
集パターンがパターン／スペースの比が１／３を越えな
いパターンであり、上記孤立パターンがパターン／スペ
ースの比が１／３を越えるパターンであることが好まし
い。The photomask further includes a dense pattern disposed on the substrate, wherein the dense pattern is a pattern having a pattern / space ratio not exceeding 1/3, and the isolated pattern is a pattern. It is preferable that the pattern has a / space ratio exceeding 1/3.
【００１７】本発明に係るフォトマスクを備えた露光装
置は、基板と、該基板の上に配置された孤立パターン
と、該孤立パターンの近傍に形成された位相シフタの補
助パターンと、を具備することを特徴とする。また、上
記補助パターンと上記孤立パターンとの間隔は、その下
限がデザインルールの最小スペース分であり、その上限
が該孤立パターンの幅の３倍であることが好ましい。An exposure apparatus having a photomask according to the present invention includes a substrate, an isolated pattern disposed on the substrate, and an auxiliary pattern of a phase shifter formed near the isolated pattern. It is characterized by the following. It is preferable that the lower limit of the interval between the auxiliary pattern and the isolated pattern is the minimum space of the design rule, and the upper limit is three times the width of the isolated pattern.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施の形態について説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１９】図１（ａ）は、本発明の実施の形態による
露光装置に適用したフォトマスクの一部を示す断面図で
ある。図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すフォトマスクを
用いて露光した際の光強度Ｉとその位置Ｘの関係を示す
グラフである。図１（ｃ）は、図１（ａ）に示すフォト
マスクを用いてレジスト膜を露光した際の該レジスト膜
の状態を示す断面図である。図１（ｄ）は、図１（ｃ）
に示す露光後のレジスト膜を現像することにより得られ
るレジストパターンを示す断面図である。FIG. 1A is a sectional view showing a part of a photomask applied to an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 1B is a graph showing the relationship between the light intensity I and the position X when exposing using the photomask shown in FIG. 1A. FIG. 1C is a cross-sectional view illustrating a state of the resist film when the resist film is exposed using the photomask illustrated in FIG. FIG. 1 (d) is the same as FIG. 1 (c).
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a resist pattern obtained by developing the exposed resist film shown in FIG.
【００２０】図１（ａ）に示すフォトマスク１は、ガラ
ス基板１０と、該ガラス基板１０下に形成されたクロム
からなる密集ラインパターン１１ａ，１１ｂ及び孤立ラ
インパターン１１ｃと、該ガラス基板１０下に形成され
且つ該孤立ラインパターン１１ｃの近傍に形成された位
相シフタの補助パターン１３と、から構成されている。The photomask 1 shown in FIG. 1A includes a glass substrate 10, dense line patterns 11 a and 11 b and isolated line patterns 11 c made of chromium formed under the glass substrate 10. And the auxiliary pattern 13 of the phase shifter formed near the isolated line pattern 11c.
【００２１】ここで、孤立ラインパターン１１ｃとは、
ライン／スペースの比が１／３を越えるラインパターン
をいい、密集ラインパターン１１ａ，１１ｂとは、ライ
ン／スペースの比が１／３を越えないラインパターンを
いう。各種レジスト材料を用いて実験したところ、ライ
ンパターンの場合はおおむねライン／スペースの比が１
／３よりも離れるとレジストの焦点深度などの露光特性
が変わらなくなるので、このように定義する。Here, the isolated line pattern 11c is
A line pattern having a line / space ratio exceeding 1/3 is referred to, and the dense line patterns 11a and 11b are line patterns having a line / space ratio not exceeding 1/3. Experiments using various resist materials showed that the line / space ratio was about 1 for the line pattern.
When the distance is more than / 3, the exposure characteristics such as the depth of focus of the resist do not change.
【００２２】また、位相シフタの補助パターン１３の線
幅は、解像限界以下が好ましく、例えば光源がエキシマ
の場合は６０〜８０ｎｍ程度が好ましい。また、補助パ
ターン１３は１８０°位相シフタを用いるのが好まし
い。また、位相シフタの補助パターン１３の材料として
は、種々の材料を使用することが可能であり、例えば、
光源にかかわらず用いられる石英基板、ｉ線ハーフトー
ンマスクに用いられるＣｒＯＮ，ＭｏＳｉＯＮ，ＷＳｉ
ＯＮ，ＳｉＮ等、及びＳＯＧ(Spin On Glass)などを使
用することが可能である。The line width of the auxiliary pattern 13 of the phase shifter is preferably equal to or less than the resolution limit. For example, when the light source is an excimer, it is preferably about 60 to 80 nm. Preferably, the auxiliary pattern 13 uses a 180 ° phase shifter. Further, as a material of the auxiliary pattern 13 of the phase shifter, various materials can be used.
Quartz substrate used regardless of light source, CrON, MoSiON, WSi used for i-line halftone mask
ON, SiN, etc., and SOG (Spin On Glass) can be used.
【００２３】また、孤立ラインパターン１１ｃと位相シ
フタの補助パターン１３との間の距離Ｌは、その下限が
デザインルールの最小スペース分であることが好まし
く、その上限が孤立ラインパターンの幅の３倍であるこ
とが好ましい。The lower limit of the distance L between the isolated line pattern 11c and the auxiliary pattern 13 of the phase shifter is preferably the minimum space of the design rule, and the upper limit is three times the width of the isolated line pattern. It is preferred that
【００２４】図１（ａ）のフォトマスク１の製作方法
は、ガラス基板１０の全面上にクロムを成膜し、このク
ロム膜上にレジストを塗布し、このレジスト膜を描画、
現像し、エッチングすることによりガラス基板１０上に
クロムのラインパターン１１ａ〜１１ｃを形成し、該レ
ジスト膜を剥離した後、さらにガラス基板１０上の孤立
パターン１１ｃから距離Ｌの位置に位相シフタの補助パ
ターン１３を形成した後、このガラス基板１０にペリク
ル（図示せず）を装着するものである。In the method of manufacturing the photomask 1 shown in FIG. 1A, a chromium film is formed on the entire surface of a glass substrate 10, a resist is applied on the chromium film, and the resist film is drawn.
Chromium line patterns 11a to 11c are formed on the glass substrate 10 by developing and etching, and after removing the resist film, the phase shifter is further assisted at a position at a distance L from the isolated pattern 11c on the glass substrate 10. After the pattern 13 is formed, a pellicle (not shown) is mounted on the glass substrate 10.
【００２５】このフォトマスク１を露光装置（図示せ
ず）に適用して投影レンズにより縮小投影露光した際、
該フォトマスク１を透過した光の強度は図１（ｂ）に示
すようなものとなる。この図から分かるように、フォト
マスク１において、密集ラインパターン１１ａ，１１ｂ
の光強度と孤立ラインパターン１１ｃの光強度はともに
レジストを感光するのに適したものとなっている。これ
は、位相シフタの補助パターン１３を孤立パターン１１
ｃから距離Ｌの位置に配置したことにより、露光の際の
孤立ラインパターン１１ｃのフォーカスマージンを向上
させることができたからである。When this photomask 1 is applied to an exposure apparatus (not shown) and subjected to reduction projection exposure by a projection lens,
The intensity of the light transmitted through the photomask 1 is as shown in FIG. As can be seen from this figure, in the photomask 1, the dense line patterns 11a, 11b
And the light intensity of the isolated line pattern 11c are both suitable for exposing the resist. This is because the auxiliary pattern 13 of the phase shifter is
This is because the focus margin of the isolated line pattern 11c at the time of exposure can be improved by arranging it at a distance L from c.
【００２６】フォトマスク１を用いて基板１５上に塗布
されたポジ型レジスト１７を露光すると、図１（ｃ）に
示すように、基板１５上に密集ラインパターン１９ａ，
１１９ｂ及び孤立ラインパターン１９ｃを露光すること
ができる。更に補助パターン１３の転写パターン１９ｄ
が基板１５上に露光される。When the positive resist 17 applied on the substrate 15 is exposed using the photomask 1, as shown in FIG. 1C, the dense line pattern 19a,
119b and the isolated line pattern 19c can be exposed. Further, a transfer pattern 19d of the auxiliary pattern 13
Is exposed on the substrate 15.
【００２７】次に、図１（ｄ）に示すように、このレジ
スト膜１７を現像する。これにより、基板１５上に、密
集ラインパターン１９ａ，１９ｂ及び孤立ラインパター
ン１９ｃを形成することができる。このとき、密集ライ
ンパターン１９ａ，１９ｂと孤立ラインパターン１９ｃ
はともに所望の幅を有するパターンとなっている。な
お、上記転写パターン１９ｄはレジストパターンが形成
される最小寸法以下のパターンとなるため、現像後の基
板１５上にはそのパターンは形成されることがない。Next, as shown in FIG. 1D, the resist film 17 is developed. Thus, the dense line patterns 19a and 19b and the isolated line pattern 19c can be formed on the substrate 15. At this time, the dense line patterns 19a and 19b and the isolated line pattern 19c
Are patterns having a desired width. Note that the transfer pattern 19d is a pattern having a size smaller than or equal to the minimum dimension on which a resist pattern is formed, and therefore, the pattern is not formed on the substrate 15 after development.
【００２８】上記実施の形態によれば、フォトマスク１
の孤立ラインパターン１１ｃの近傍に位相シフタの補助
パターン１３を配置することにより、パターンの微細化
が進み、作ろうとする孤立ラインパターン１９ｃが解像
限界に近いものであっても、孤立ラインパターン１９ｃ
の線幅が密集ラインパターン１９ａ，１９ｂに比べて細
くなるのを抑制することができる。According to the above embodiment, the photomask 1
By arranging the auxiliary pattern 13 of the phase shifter in the vicinity of the isolated line pattern 11c, miniaturization of the pattern progresses, and even if the isolated line pattern 19c to be formed is close to the resolution limit, the isolated line pattern 19c
Can be suppressed from becoming narrower than the dense line patterns 19a and 19b.
【００２９】また、上述したように補助パターン１３
は、基板１５上のレジストに転写されないので、関連工
程（例えばゲート形成工程、コンタクト形成工程等）に
影響を与えることがない。Further, as described above, the auxiliary pattern 13
Is not transferred to the resist on the substrate 15, so that it does not affect the related processes (for example, the gate forming process, the contact forming process, etc.).
【００３０】また、透明の位相シフタ材料を用いて補助
パターン１３を形成すれば、補助パターン１３がフォト
マスク検査装置で欠陥として検出されることがないの
で、フォトマスクの検査工程においてフォトマスク１に
補助パターン１３があることによって問題が生じること
がない。Further, if the auxiliary pattern 13 is formed by using a transparent phase shifter material, the auxiliary pattern 13 is not detected as a defect by the photomask inspection apparatus. The presence of the auxiliary pattern 13 does not cause any problem.
【００３１】尚、上記実施の形態では、フォトマスク１
において、孤立ラインパターン１１ｃの一方側に位相シ
フタの補助パターン１３を形成しているが、孤立ライン
パターン１１ｃの両側に位相シフタの補助パターンを形
成することも可能である。In the above embodiment, the photomask 1
In the above, the auxiliary pattern 13 of the phase shifter is formed on one side of the isolated line pattern 11c, but it is also possible to form the auxiliary pattern of the phase shifter on both sides of the isolated line pattern 11c.
【００３２】次に、図１（ａ）に示す本実施の形態によ
るフォトマスクの位相シフタの補助パターン１３と図６
（ａ）に示す従来のフォトマスクを改善したフォトマス
クのダミーパターン１１３について、露光した際のＸ線
方向断面の光強度分布をシミュレーションした結果を説
明する。Next, the auxiliary pattern 13 of the phase shifter of the photomask according to this embodiment shown in FIG.
A description will be given of the result of simulating the light intensity distribution of a cross section in the X-ray direction upon exposure of the dummy pattern 113 of the photomask obtained by improving the conventional photomask shown in FIG.
【００３３】図２（ａ）は、図１（ａ）に示すフォトマ
スク１に用いた位相シフタの補助パターン１３を拡大し
た断面図であり、図２（ｂ）は、図６（ａ）に示すフォ
トマスク１０１に用いたダミーパターン１１３を拡大し
た断面図である。FIG. 2A is an enlarged sectional view of the auxiliary pattern 13 of the phase shifter used for the photomask 1 shown in FIG. 1A, and FIG. 2B is a sectional view of FIG. FIG. 4 is an enlarged sectional view of a dummy pattern 113 used for the photomask 101 shown in FIG.
【００３４】図２（ａ）に示す補助パターン１３は、露
光光の透過率がほぼ１００％で周囲との位相差が１８０
°の位相シフタからなるラインパターンであり、その線
幅が６０ｎｍで高さが３０００ｎｍである。図２（ｂ）
に示すダミーパターン１１３は、露光光の透過率が０％
のクロムからなるラインパターンであり、ぞの線幅が６
０ｎｍで高さが３０００ｎｍである。The auxiliary pattern 13 shown in FIG. 2A has an exposure light transmittance of almost 100% and a phase difference of 180% from the surroundings.
And a line pattern having a line width of 60 nm and a height of 3000 nm. FIG. 2 (b)
The dummy pattern 113 shown in FIG.
Is a line pattern made of chrome with a line width of 6
The height is 3000 nm at 0 nm.
【００３５】図３は、図２（ａ）に示す補助パターン１
３を備えたフォトマスクを波長３６５ｎｍの露光光、開
口数ＮＡ＝０．５７の投影レンズを用いて縮小投影露光
（１／５）した際のシミュレーション結果であるＸ方向
断面の光強度分布を示す図である。図４は、図２（ｂ）
に示すダミーパターン１１３を備えたフォトマスクを波
長３６５ｎｍの露光光、開口数ＮＡ＝０．５７の投影レ
ンズを用いて縮小投影露光（１／５）した際のシミュレ
ーション結果であるＸ方向断面の光強度分布を示す図で
ある。FIG. 3 shows the auxiliary pattern 1 shown in FIG.
3 shows a light intensity distribution in a cross section in the X direction, which is a simulation result when a photomask provided with No. 3 is subjected to reduction projection exposure (５) using exposure light having a wavelength of 365 nm and a projection lens having a numerical aperture NA = 0.57. FIG. FIG. 4 shows the state shown in FIG.
X-direction cross-sectional light which is a simulation result when a photomask having the dummy pattern 113 shown in FIG. 1 is subjected to reduced projection exposure (1/5) using 365 nm exposure light and a projection lens having a numerical aperture NA = 0.57. It is a figure showing an intensity distribution.
【００３６】図３と図４を比較すると、光強度のコント
ラストが位相シフタの補助パターンの方が高くなってい
ることがわかる。このことより、露光光の波長以下のパ
ターン形成に対して位相シフタの補助パターン１３は従
来のクロムパターン１１３より大きなダミーパターンと
しての作用効果を奏するといえる。つまり、６０ｎｍと
いう非常に狭い線幅のラインパターンをダミーパターン
として用いた場合、位相シフタの補助パターン１３は孤
立パターンの光強度に影響を与えることができ、その光
強度を密集パターンの光強度に近づけることができる
が、クロムのダミーパターンは孤立パターンの光強度を
密集パターンのそれに近づけることができないといえ
る。従って、このシミュレーション結果は、本実施の形
態の効果を裏付けるものとなっている。A comparison between FIG. 3 and FIG. 4 shows that the contrast of the light intensity is higher in the auxiliary pattern of the phase shifter. From this, it can be said that the auxiliary pattern 13 of the phase shifter has a larger effect as a dummy pattern than the conventional chrome pattern 113 for forming a pattern having a wavelength equal to or less than the wavelength of the exposure light. That is, when a line pattern having a very narrow line width of 60 nm is used as the dummy pattern, the auxiliary pattern 13 of the phase shifter can affect the light intensity of the isolated pattern, and the light intensity is reduced to the light intensity of the dense pattern. It can be said that the chromium dummy pattern cannot bring the light intensity of the isolated pattern close to that of the dense pattern. Therefore, the simulation result supports the effect of the present embodiment.
【００３７】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。The present invention is not limited to the above embodiment, but can be implemented with various modifications.
【００３８】[0038]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、孤
立パターンの近傍に位相シフタの補助パターンを配置す
る。したがって、孤立パターンと密集パターンが混在す
るフォトマスクであっても、孤立パターンの線幅が細く
なるのを抑制できるフォトマスク及びそれを備えた露光
装置を提供することができる。As described above, according to the present invention, the auxiliary pattern of the phase shifter is arranged near the isolated pattern. Therefore, it is possible to provide a photomask capable of suppressing a line width of an isolated pattern from being reduced even when a photomask in which an isolated pattern and a dense pattern are mixed, and an exposure apparatus including the same.
【図１】図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態に
よる露光装置に適用したフォトマスクを説明するための
図である。FIGS. 1A to 1D are views for explaining a photomask applied to an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】図２（ａ）は、図１（ａ）に示すフォトマスク
に用いた位相シフタの補助パターンを拡大した断面図で
あり、図２（ｂ）は、図６（ａ）に示すフォトマスクに
用いたダミーパターンを拡大した断面図である。FIG. 2A is an enlarged cross-sectional view of an auxiliary pattern of a phase shifter used for the photomask shown in FIG. 1A, and FIG. 2B is a view shown in FIG. It is sectional drawing to which the dummy pattern used for the photomask was expanded.
【図３】図２（ａ）に示す補助パターンを備えたフォト
マスクを露光した際のシミュレーション結果であるＸ方
向断面の光強度分布を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a light intensity distribution in a cross section in the X direction, which is a simulation result when a photomask having the auxiliary pattern shown in FIG. 2A is exposed.
【図４】図２（ｂ）に示すダミーパターンを備えたフォ
トマスクを露光した際のシミュレーション結果であるＸ
方向断面の光強度分布を示す図である。FIG. 4 is a simulation result X when a photomask having a dummy pattern shown in FIG. 2B is exposed;
It is a figure which shows the light intensity distribution of the cross section in a direction.
【図５】図５（ａ）〜（ｃ）は、従来の露光装置に適用
したフォトマスクを説明するための図である。FIGS. 5A to 5C are views for explaining a photomask applied to a conventional exposure apparatus.
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は、図５に示すフォトマス
クを改善したフォトマスクを説明するための図である。6 (a) to 6 (c) are views for explaining a photomask in which the photomask shown in FIG. 5 is improved.
１ フォトマスク １０ ガラス
基板 １１ａ，１１ｂ 密集ラインパターン １１ｃ 孤
立ラインパターン １３ 補助パターン １５ 基板 １７ レジスト １９ａ，１９ｂ 密集ラインパターン（レジストパター
ン） １９ｃ 孤立ラインパターン（レジストパターン） １９ｄ 補助パターンの転写パターン １００，１０
１ フォトマスク １１０ ガラス基板 １１１ａ，１１１ｂ 密集ラインパターン １１１ｃ 孤立ラインパターン １１３ ダ
ミーパターン １１５ 基板 １１９ａ，１１９ｂ 密集ラインパターン（レジストパ
ターン） １１９ｃ 孤立ラインパターン（レジストパターン）Reference Signs List 1 photomask 10 glass substrate 11a, 11b dense line pattern 11c isolated line pattern 13 auxiliary pattern 15 substrate 17 resist 19a, 19b dense line pattern (resist pattern) 19c isolated line pattern (resist pattern) 19d auxiliary pattern transfer pattern 100, 10
Reference Signs List 1 photomask 110 glass substrate 111a, 111b dense line pattern 111c isolated line pattern 113 dummy pattern 115 substrate 119a, 119b dense line pattern (resist pattern) 119c isolated line pattern (resist pattern)
Claims (6)
ターンと、 を具備することを特徴とするフォトマスク。1. A photomask, comprising: a substrate; an isolated pattern disposed on the substrate; and a phase shifter auxiliary pattern formed near the isolated pattern.
の間隔は、その下限がデザインルールの最小スペース分
であり、その上限が該孤立パターンの幅の３倍であるこ
とを特徴とする請求項1記載のフォトマスク。2. An interval between the auxiliary pattern and the isolated pattern, wherein a lower limit thereof is a minimum space of a design rule, and an upper limit thereof is three times a width of the isolated pattern. The photomask as described.
あることを特徴とする請求項1又は２記載のフォトマス
ク。3. The photomask according to claim 1, wherein a width of the auxiliary pattern is equal to or less than a resolution limit.
をさらに含み、該密集パターンがパターン／スペースの
比が１／３を越えないパターンであり、上記孤立パター
ンがパターン／スペースの比が１／３を越えるパターン
であることを特徴とする請求項1〜３のうちいずれか１
項記載のフォトマスク。4. A dense pattern further comprising a dense pattern disposed on the substrate, wherein the dense pattern is a pattern having a pattern / space ratio not exceeding 1/3, and the isolated pattern having a pattern / space ratio of 1 4. The pattern according to claim 1, wherein the pattern is more than / 3.
The photomask according to the item.
ターンと、 を具備することを特徴とするフォトマスクを備えた露光
装置。5. An exposure comprising a photomask, comprising: a substrate; an isolated pattern disposed on the substrate; and a phase shifter auxiliary pattern formed in the vicinity of the isolated pattern. apparatus.
の間隔は、その下限がデザインルールの最小スペース分
であり、その上限が該孤立パターンの幅の３倍であるこ
とを特徴とする請求項５記載のフォトマスクを備えた露
光装置。6. The space between the auxiliary pattern and the isolated pattern, the lower limit of which is the minimum space of the design rule, and the upper limit thereof is three times the width of the isolated pattern. An exposure apparatus provided with the photomask described in the above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1713199A JP2000214572A (en) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | Photomask and exposure device with same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1713199A JP2000214572A (en) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | Photomask and exposure device with same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000214572A true JP2000214572A (en) | 2000-08-04 |
Family
ID=11935492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1713199A Withdrawn JP2000214572A (en) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | Photomask and exposure device with same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000214572A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004022850A (en) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Renesas Technology Corp | Method of manufacturing semiconductor memory device |
| US7026081B2 (en) | 2001-09-28 | 2006-04-11 | Asml Masktools B.V. | Optical proximity correction method utilizing phase-edges as sub-resolution assist features |
-
1999
- 1999-01-26 JP JP1713199A patent/JP2000214572A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7026081B2 (en) | 2001-09-28 | 2006-04-11 | Asml Masktools B.V. | Optical proximity correction method utilizing phase-edges as sub-resolution assist features |
| US7399559B2 (en) | 2001-09-28 | 2008-07-15 | Asml Masktools B.V. | Optical proximity correction method utilizing phase-edges as sub-resolution assist features |
| JP2004022850A (en) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Renesas Technology Corp | Method of manufacturing semiconductor memory device |
| JP4536314B2 (en) * | 2002-06-18 | 2010-09-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device |
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