JP2000211938A - 光ファイバ線引炉 - Google Patents
光ファイバ線引炉Info
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/02—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor
- C03B37/025—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor from reheated softened tubes, rods, fibres or filaments, e.g. drawing fibres from preforms
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ファイバの強度低下を防止することのでき
る光ファイバ線引炉を提供すること。 【解決手段】 炉芯管内に光ファイバ母材を挿入すると
共に加熱溶融し光ファイバに線引きする光ファイバ線引
炉において、上記炉芯管の内部にＳｉＯ2 の保護管を設
置し、その上端を発熱体下端よりも下方に位置させたこ
とを特徴とする光ファイバ線引炉。
る光ファイバ線引炉を提供すること。 【解決手段】 炉芯管内に光ファイバ母材を挿入すると
共に加熱溶融し光ファイバに線引きする光ファイバ線引
炉において、上記炉芯管の内部にＳｉＯ2 の保護管を設
置し、その上端を発熱体下端よりも下方に位置させたこ
とを特徴とする光ファイバ線引炉。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバ母材を
加熱溶融して光ファイバを得るための光ファイバ線引炉
に関する。
加熱溶融して光ファイバを得るための光ファイバ線引炉
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光ファイバの線引は一般に光ファ
イバ線引炉の円筒状加熱管の上端から光ファイバ母材を
挿入し、円筒状加熱管の中央部の最高温度部分で加熱溶
融して所望の外径を有する光ファイバに線引し、円筒状
加熱管の下端から引き出すことによって行われている。
ここで光ファイバ母材が石英ガラスの場合は、線引炉内
において該光ファイバ母材が高温で溶融されるので発生
するＳｉ、ＳｉＯ2 が炉芯管内で使用されているカーボ
ン部品と反応し、ＳｉＣ、ＳｉＯ2 を生成し、これが炉
芯管内の低温部分に付着堆積する。この堆積物が、剥が
れ落ちて光ファイバに接触するため光ファイバの強度劣
化を引き起こす。
イバ線引炉の円筒状加熱管の上端から光ファイバ母材を
挿入し、円筒状加熱管の中央部の最高温度部分で加熱溶
融して所望の外径を有する光ファイバに線引し、円筒状
加熱管の下端から引き出すことによって行われている。
ここで光ファイバ母材が石英ガラスの場合は、線引炉内
において該光ファイバ母材が高温で溶融されるので発生
するＳｉ、ＳｉＯ2 が炉芯管内で使用されているカーボ
ン部品と反応し、ＳｉＣ、ＳｉＯ2 を生成し、これが炉
芯管内の低温部分に付着堆積する。この堆積物が、剥が
れ落ちて光ファイバに接触するため光ファイバの強度劣
化を引き起こす。
【０００３】上記の問題点を解決するため雰囲気遮断用
の内筒を設けることが提案された。すなわち、実開平３
−２７３８号公報では、円筒状加熱管と光ファイバ母材
との間の間隙の上部及び円筒状加熱管と光ファイバとの
間の間隙の下部の少なくとも一方に上記加熱管内に発生
するダストが光ファイバ母材及び光ファイバに付着する
のを防止する保護管を設けることが提案され、実公平３
−３２５０２号公報には、炉芯管の内部でかつ光ファイ
バの送り出し側に第２の炉芯管を設けることが開示され
ている。更に特開平４−３１０５３２号公報には、線引
炉のヒータ下部の炉芯管に冷却室を設け、この冷却室を
冷却しつつ、冷却室から強制排気してＳｉＣ、ＳｉＯ2
の付着による光ファイバの強度低下を防止することが開
示されている。
の内筒を設けることが提案された。すなわち、実開平３
−２７３８号公報では、円筒状加熱管と光ファイバ母材
との間の間隙の上部及び円筒状加熱管と光ファイバとの
間の間隙の下部の少なくとも一方に上記加熱管内に発生
するダストが光ファイバ母材及び光ファイバに付着する
のを防止する保護管を設けることが提案され、実公平３
−３２５０２号公報には、炉芯管の内部でかつ光ファイ
バの送り出し側に第２の炉芯管を設けることが開示され
ている。更に特開平４−３１０５３２号公報には、線引
炉のヒータ下部の炉芯管に冷却室を設け、この冷却室を
冷却しつつ、冷却室から強制排気してＳｉＣ、ＳｉＯ2
の付着による光ファイバの強度低下を防止することが開
示されている。
【０００４】しかし、上記いずれの場合も炉芯管内部に
急激な温度分布が形成されるため局所的に上記生成物が
付着し結局剥離落下し易い状態となってしまう。特に特
開平４−３１０５３２号公報の場合には、強制排気のた
めの排気通路が付着物により短時間で閉塞してしまい実
用的ではない。
急激な温度分布が形成されるため局所的に上記生成物が
付着し結局剥離落下し易い状態となってしまう。特に特
開平４−３１０５３２号公報の場合には、強制排気のた
めの排気通路が付着物により短時間で閉塞してしまい実
用的ではない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】通常光ファイバ母材の
線引に使用される炉芯管はカーボン等の材質で構成され
ているので炉芯管下部開口部からの大気の流入が原因で
素材自体の酸化消耗を引き起こし、カーボン微粒子が発
生する。これも光ファイバの強度劣化を引き起こす一因
となっている。また、線引炉は光ファイバ母材を２００
０℃以上の高温で加熱溶融するため、炉体は冷却水等の
循環を行っており、しかも炉芯管で使用されているカー
ボンは熱伝導率がおよそ１００Ｗ・ｍ-1・Ｋ-1前後と
（本発明で使用するＳｉＯ2 はおよそ２０Ｗ・ｍ-1・Ｋ
-1）高いので、冷却された炉体の影響を受け易く、炉芯
管内に局所的低温部が形成されてしまう。従って、上記
の公知の技術では、(1) 炉芯管内に局所的低温部が存在
することによりＳｉＣ、ＳｉＯ2 の局所的付着がより顕
在化し、剥離落下すること(2) ＳｉＣ、ＳｉＯ2 の付着
を防止したとしても、炉芯管下部開口部からの大気の流
入は完全に防止することは不可能であり、炉芯管素材自
体が酸化消耗し、カーボン微粒子を発生すること等の問
題が避けられない。
線引に使用される炉芯管はカーボン等の材質で構成され
ているので炉芯管下部開口部からの大気の流入が原因で
素材自体の酸化消耗を引き起こし、カーボン微粒子が発
生する。これも光ファイバの強度劣化を引き起こす一因
となっている。また、線引炉は光ファイバ母材を２００
０℃以上の高温で加熱溶融するため、炉体は冷却水等の
循環を行っており、しかも炉芯管で使用されているカー
ボンは熱伝導率がおよそ１００Ｗ・ｍ-1・Ｋ-1前後と
（本発明で使用するＳｉＯ2 はおよそ２０Ｗ・ｍ-1・Ｋ
-1）高いので、冷却された炉体の影響を受け易く、炉芯
管内に局所的低温部が形成されてしまう。従って、上記
の公知の技術では、(1) 炉芯管内に局所的低温部が存在
することによりＳｉＣ、ＳｉＯ2 の局所的付着がより顕
在化し、剥離落下すること(2) ＳｉＣ、ＳｉＯ2 の付着
を防止したとしても、炉芯管下部開口部からの大気の流
入は完全に防止することは不可能であり、炉芯管素材自
体が酸化消耗し、カーボン微粒子を発生すること等の問
題が避けられない。
【０００６】本発明の目的とするところは、上記の公知
技術の諸問題を解消し、炉芯管内の局所的低温部を解消
でき、Ｓｉ、ＳｉＯ2 、ＳｉＣ等の微粒子の局所的付着
堆積を防止することで光ファイバの強度低下を効果的に
防止するようにした光ファイバの線引炉を提供すること
にある。
技術の諸問題を解消し、炉芯管内の局所的低温部を解消
でき、Ｓｉ、ＳｉＯ2 、ＳｉＣ等の微粒子の局所的付着
堆積を防止することで光ファイバの強度低下を効果的に
防止するようにした光ファイバの線引炉を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、下記の各
発明により達成することができる。 （１）炉芯管内に光ファイバ母材を挿入するとともに加
熱溶融し光ファイバに線引する光ファイバ線引炉におい
て、上記炉芯管の内部にＳｉＯ2 ガラスの保護管を設置
し、その上端を発熱体下端よりも下方に位置させたこと
を特徴とする光ファイバ線引炉。 （２）炉芯管内に光ファイバ母材を挿入するとともに加
熱溶融し光ファイバに線引する光ファイバ線引炉におい
て、上記炉芯管の内部にＳｉＯ2 ガラスの保護管を設置
し、その上端を１０００℃以下の位置に位置させたこと
を特徴とする光ファイバ線引炉。
発明により達成することができる。 （１）炉芯管内に光ファイバ母材を挿入するとともに加
熱溶融し光ファイバに線引する光ファイバ線引炉におい
て、上記炉芯管の内部にＳｉＯ2 ガラスの保護管を設置
し、その上端を発熱体下端よりも下方に位置させたこと
を特徴とする光ファイバ線引炉。 （２）炉芯管内に光ファイバ母材を挿入するとともに加
熱溶融し光ファイバに線引する光ファイバ線引炉におい
て、上記炉芯管の内部にＳｉＯ2 ガラスの保護管を設置
し、その上端を１０００℃以下の位置に位置させたこと
を特徴とする光ファイバ線引炉。
【０００８】（３）保護管が炉芯管の下部に光ファイバ
を取り囲む炉芯管と同軸に設けられた上記（１）又は
（２）のいずれかに記載された光ファイバ線引炉。 （４）保護管の上端が炉体の下端壁より上方に位置され
た上記（１）〜（３）のいずれかに記載された光ファイ
バ線引炉。
を取り囲む炉芯管と同軸に設けられた上記（１）又は
（２）のいずれかに記載された光ファイバ線引炉。 （４）保護管の上端が炉体の下端壁より上方に位置され
た上記（１）〜（３）のいずれかに記載された光ファイ
バ線引炉。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る光ファイバ線
引炉を添付の図面に従って説明する。図１に示す本発明
の光ファイバ線引炉によれば、光ファイバ線引炉の炉体
７の中心部には、光ファイバ母材１が供給される炉芯管
３が上下に貫通していて、炉芯管３の上端及び下端は炉
体７の上端壁７ｂ及び下端壁７ｃにそれぞれ固定されて
いる。また炉体７の側壁７ａ、上端壁７ｂ、下端壁７ｃ
及び炉芯管３で囲まれた環状空間には、炉芯管３を取り
巻く発熱体８が設けられている。一般的には、側壁７
ａ、上端壁７ｂ及び下端壁７ｃの内部は冷却水等の冷却
媒体が循環している。炉芯管３上方には、不活性ガス導
入口９が設けられ、これら不活性ガスは炉芯管３内部に
所定の流量が流れるようになっている。炉芯管３下方に
は、炉芯管３内に流入しようとする外気を抑制するシャ
ッタ６が設けられている。発熱体８は炉芯管３を加熱
し、その中央部を最高温度、例えば約２１００℃に、両
端は低い温度、例えば約８００℃に、中央から両端に向
かって一様に低下する温度分布を与えている。炉芯管３
の下部には光ファイバ２を取り囲む炉芯管と同軸の保護
管４を、保護管の上端が発熱体８の下端よりも下方に位
置するように配置して保護管の冷却効果を高めている。
保護管４は炉芯管に引っかけるかシャッタ６に乗せて固
定する。この場合、保護管４の上端は下端壁７ｃより上
方に位置させると下端壁７ｃの内部に循環している冷却
水の影響による局所的低温部をなくすことができるので
好ましい。ここで保護管４は高純度ＳｉＯ2 で構成する
のが耐熱性に優れ、かつ不純物を発生しないという理由
で好ましい。
引炉を添付の図面に従って説明する。図１に示す本発明
の光ファイバ線引炉によれば、光ファイバ線引炉の炉体
７の中心部には、光ファイバ母材１が供給される炉芯管
３が上下に貫通していて、炉芯管３の上端及び下端は炉
体７の上端壁７ｂ及び下端壁７ｃにそれぞれ固定されて
いる。また炉体７の側壁７ａ、上端壁７ｂ、下端壁７ｃ
及び炉芯管３で囲まれた環状空間には、炉芯管３を取り
巻く発熱体８が設けられている。一般的には、側壁７
ａ、上端壁７ｂ及び下端壁７ｃの内部は冷却水等の冷却
媒体が循環している。炉芯管３上方には、不活性ガス導
入口９が設けられ、これら不活性ガスは炉芯管３内部に
所定の流量が流れるようになっている。炉芯管３下方に
は、炉芯管３内に流入しようとする外気を抑制するシャ
ッタ６が設けられている。発熱体８は炉芯管３を加熱
し、その中央部を最高温度、例えば約２１００℃に、両
端は低い温度、例えば約８００℃に、中央から両端に向
かって一様に低下する温度分布を与えている。炉芯管３
の下部には光ファイバ２を取り囲む炉芯管と同軸の保護
管４を、保護管の上端が発熱体８の下端よりも下方に位
置するように配置して保護管の冷却効果を高めている。
保護管４は炉芯管に引っかけるかシャッタ６に乗せて固
定する。この場合、保護管４の上端は下端壁７ｃより上
方に位置させると下端壁７ｃの内部に循環している冷却
水の影響による局所的低温部をなくすことができるので
好ましい。ここで保護管４は高純度ＳｉＯ2 で構成する
のが耐熱性に優れ、かつ不純物を発生しないという理由
で好ましい。
【００１０】図１に示された本発明の光ファイバ線引炉
によれば、炉芯管３上部の母材挿入口５から、光ファイ
バ母材１は挿入され、光ファイバ母材１の先端部は炉芯
管３の最高温度部分で加熱溶融され、光ファイバ２に線
引される。線引された光ファイバ２はシャッタ６を通過
し巻き取り装置（図示せず）に巻き取られる。光ファイ
バ母材１が炉芯管３の最高温度部で加熱溶融される際、
最高温度部付近で発生したＳｉ、ＳｉＯ2 、ＳｉＣ微粒
子や線引炉を構成するカーボン製部品、例えば炉芯管３
の内表面と反応したＳｉＣ等の微粒子は、不活性ガス導
入口９から導入された不活性ガスの流れに従い、炉芯管
３の上方から下方へ流れるが、Ｓｉ、ＳｉＯ2 、ＳｉＣ
等の微粒子は炉芯管３の下方に配置されている保護管４
の内表面に均一に付着し、光ファイバ２の強度劣化を未
然に防ぐことが出来る。また、保護管４はＳｉＯ2 ガラ
ス製であるから、結晶化の進行を防止するためにもその
上端をおよそ１０００℃以下となる位置に設置すること
が望ましい。その理由は結晶化が進行するともろくなり
ＳｉＯ2 ガラス管が破壊するおそれがあるからである。
によれば、炉芯管３上部の母材挿入口５から、光ファイ
バ母材１は挿入され、光ファイバ母材１の先端部は炉芯
管３の最高温度部分で加熱溶融され、光ファイバ２に線
引される。線引された光ファイバ２はシャッタ６を通過
し巻き取り装置（図示せず）に巻き取られる。光ファイ
バ母材１が炉芯管３の最高温度部で加熱溶融される際、
最高温度部付近で発生したＳｉ、ＳｉＯ2 、ＳｉＣ微粒
子や線引炉を構成するカーボン製部品、例えば炉芯管３
の内表面と反応したＳｉＣ等の微粒子は、不活性ガス導
入口９から導入された不活性ガスの流れに従い、炉芯管
３の上方から下方へ流れるが、Ｓｉ、ＳｉＯ2 、ＳｉＣ
等の微粒子は炉芯管３の下方に配置されている保護管４
の内表面に均一に付着し、光ファイバ２の強度劣化を未
然に防ぐことが出来る。また、保護管４はＳｉＯ2 ガラ
ス製であるから、結晶化の進行を防止するためにもその
上端をおよそ１０００℃以下となる位置に設置すること
が望ましい。その理由は結晶化が進行するともろくなり
ＳｉＯ2 ガラス管が破壊するおそれがあるからである。
【００１１】以上の説明から明らかなように、本発明の
線引炉においては、内部に冷却水等の冷却媒体が循環し
ている下端壁に固定されているために生じる、炉芯管の
局所的低温部上に熱伝導率の低いＳｉＯ2 ガラスを保護
管として使用することで、局所的低温部の形成を解消で
き、Ｓｉ、ＳｉＯ2 、ＳｉＣ等の微粒子の局所的付着を
防止することができるので、破断頻度が少なく強度に優
れた光ファイバを得ることができる。
線引炉においては、内部に冷却水等の冷却媒体が循環し
ている下端壁に固定されているために生じる、炉芯管の
局所的低温部上に熱伝導率の低いＳｉＯ2 ガラスを保護
管として使用することで、局所的低温部の形成を解消で
き、Ｓｉ、ＳｉＯ2 、ＳｉＣ等の微粒子の局所的付着を
防止することができるので、破断頻度が少なく強度に優
れた光ファイバを得ることができる。
【００１２】
【実施例】以下本発明を実施例により更に詳細に説明す
る。 （実施例１）図１に示される本発明に係る線引炉を用
い、内径５０ｍｍのカーボン製炉芯管３上部の母材挿入
口５から光ファイバ母材１を挿入した。炉芯管３の下部
に内径４５ｍｍのＳｉＯ2 ガラス製保護管４をその上端
が発熱体下端よりも下方に位置するように置き、発熱体
８により炉芯管３を加熱し、その中央部の最高温度を約
２１００℃とし、両端は約８００℃に保って中央から両
端に向かって一様に低下する図２（ａ）右側に示される
ような温度分布を与えた。その間に不活性ガス導入口９
より不活性ガス（Ｎ2 ）を流量１０ＳＬＭで流した。上
記条件で連続６０００ｋｍ線引したところ外径１２５μ
ｍの光ファイバが得られた。線引後樹脂を被覆して最終
的には外径２５０μｍの光ファイバを得た。保護管４の
表面にはＳｉ、ＳｉＯ2 、ＳｉＣ等の付着堆積物が図２
（ａ）左側に示されるように均一に形成された。
る。 （実施例１）図１に示される本発明に係る線引炉を用
い、内径５０ｍｍのカーボン製炉芯管３上部の母材挿入
口５から光ファイバ母材１を挿入した。炉芯管３の下部
に内径４５ｍｍのＳｉＯ2 ガラス製保護管４をその上端
が発熱体下端よりも下方に位置するように置き、発熱体
８により炉芯管３を加熱し、その中央部の最高温度を約
２１００℃とし、両端は約８００℃に保って中央から両
端に向かって一様に低下する図２（ａ）右側に示される
ような温度分布を与えた。その間に不活性ガス導入口９
より不活性ガス（Ｎ2 ）を流量１０ＳＬＭで流した。上
記条件で連続６０００ｋｍ線引したところ外径１２５μ
ｍの光ファイバが得られた。線引後樹脂を被覆して最終
的には外径２５０μｍの光ファイバを得た。保護管４の
表面にはＳｉ、ＳｉＯ2 、ＳｉＣ等の付着堆積物が図２
（ａ）左側に示されるように均一に形成された。
【００１３】（実施例２）線引条件を炉芯管内径１００
ｍｍ、炉芯管の中央最高温度は約２２００℃、ＳｉＯ2
ガラス製保護管内径９５ｍｍ、不活性ガス流量（Ｎ2 ）
１５ＳＬＭに変えたほかは実施例１と同様に連続６００
０ｋｍの線引を行ったところ外径１２５μｍの光ファイ
バが得られた。線引後樹脂を被覆して最終的に外径２５
０μｍの光ファイバを得た。
ｍｍ、炉芯管の中央最高温度は約２２００℃、ＳｉＯ2
ガラス製保護管内径９５ｍｍ、不活性ガス流量（Ｎ2 ）
１５ＳＬＭに変えたほかは実施例１と同様に連続６００
０ｋｍの線引を行ったところ外径１２５μｍの光ファイ
バが得られた。線引後樹脂を被覆して最終的に外径２５
０μｍの光ファイバを得た。
【００１４】（比較例１）保護管を使用しないほかは実
施例１と同一の条件で線引を行った。図２（ｂ）左側に
示されるように炉芯管に付着堆積物が不均一に形成さ
れ、炉内温度分布も不均一であった。
施例１と同一の条件で線引を行った。図２（ｂ）左側に
示されるように炉芯管に付着堆積物が不均一に形成さ
れ、炉内温度分布も不均一であった。
【００１５】（比較例２）保護管を使用しないほかは実
施例２と同一の条件で線引を行った。
施例２と同一の条件で線引を行った。
【００１６】上記実施例と比較例の結果をまとめると次
の様であった。実施例１，２の結果では保護管４表面上
にはほぼ均一にＳｉ、ＳｉＯ2 、ＳｉＣ等の堆積が確認
できた。比較例１，２の結果では炉芯管が炉体下端壁に
固定されている所で局所的に堆積しており約３０００ｋ
ｍ線引した所で線引不能となった。また、下シャッタか
らの大気の流入により、炉芯管表面は酸化消耗しており
カーボン微粒子が堆積していた。実施例と比較例のサン
プルについて、１．２ｋｇｆのプルーフテストを実施し
た結果、実施例１，２で得られた光ファイバの破断頻度
は３回／１０００ｋｍ以下であるのに対し比較例１，２
で得られた光ファイバの破断頻度は５回／１０００ｋｍ
以上であった。以上の結果から、本発明の線引方法で製
造された実施例１，２の光ファイバは何れも高強度であ
ることが確認された。
の様であった。実施例１，２の結果では保護管４表面上
にはほぼ均一にＳｉ、ＳｉＯ2 、ＳｉＣ等の堆積が確認
できた。比較例１，２の結果では炉芯管が炉体下端壁に
固定されている所で局所的に堆積しており約３０００ｋ
ｍ線引した所で線引不能となった。また、下シャッタか
らの大気の流入により、炉芯管表面は酸化消耗しており
カーボン微粒子が堆積していた。実施例と比較例のサン
プルについて、１．２ｋｇｆのプルーフテストを実施し
た結果、実施例１，２で得られた光ファイバの破断頻度
は３回／１０００ｋｍ以下であるのに対し比較例１，２
で得られた光ファイバの破断頻度は５回／１０００ｋｍ
以上であった。以上の結果から、本発明の線引方法で製
造された実施例１，２の光ファイバは何れも高強度であ
ることが確認された。
【００１７】
【発明の効果】光ファイバ線引炉の炉芯管内にＳｉＯ2
ガラスからなる保護管を発熱体に対して特定の位置関係
で設置し、局所的低温部の形成を解消し、Ｓｉ、ＳｉＯ
2 、ＳｉＣ等の微粒子の局所的付着を防止することがで
きる。それにより、光ファイバの強度低下を防止するこ
とができる。
ガラスからなる保護管を発熱体に対して特定の位置関係
で設置し、局所的低温部の形成を解消し、Ｓｉ、ＳｉＯ
2 、ＳｉＣ等の微粒子の局所的付着を防止することがで
きる。それにより、光ファイバの強度低下を防止するこ
とができる。
【図１】図１は、本発明に係る光ファイバ線引炉の一具
体化例を示す概念図である。
体化例を示す概念図である。
【図２】図２（ａ）は本発明に係る光ファイバ線引炉に
おいて保護管壁上の堆積物の付着状況を示す概念図（左
側）とそれに対応した炉内温度分布のグラフを示し（右
側）、図２（ｂ）は比較例における堆積物の付着状況を
示す概念図（左側）とそれに対応した炉内温度分布を示
すグラフ（右側）である。
おいて保護管壁上の堆積物の付着状況を示す概念図（左
側）とそれに対応した炉内温度分布のグラフを示し（右
側）、図２（ｂ）は比較例における堆積物の付着状況を
示す概念図（左側）とそれに対応した炉内温度分布を示
すグラフ（右側）である。
１：光ファイバ母材 ２：光ファイバ ３：炉芯管 ４：保護管 ５：母材挿入口 ６：シャッタ ７：炉体 ７ａ：側壁 ７ｂ：上端壁 ７ｃ：下端壁 ８：発熱体 ９：不活性ガス導入口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内野 史貴 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 早川 保 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 石附 孝博 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内
Claims (4)
- 【請求項１】 炉芯管内に光ファイバ母材を挿入すると
ともに加熱溶融し光ファイバに線引する光ファイバ線引
炉において、上記炉芯管の内部にＳｉＯ2 ガラスの保護
管を設置し、その上端を発熱体下端よりも下方に位置さ
せたことを特徴とする光ファイバ線引炉。 - 【請求項２】 炉芯管内に光ファイバ母材を挿入すると
ともに加熱溶融し光ファイバに線引する光ファイバ線引
炉において、上記炉芯管の内部にＳｉＯ2 ガラスの保護
管を設置し、その上端を１０００℃以下の位置に位置さ
せたことを特徴とする光ファイバ線引炉。 - 【請求項３】 保護管が炉芯管の下部に光ファイバを取
り囲む炉芯管と同軸に設けられた請求項１又は２のいず
れかに記載された光ファイバ線引炉。 - 【請求項４】 保護管の上端が炉体の下端壁より上方に
位置された請求項１〜３のいずれかに記載された光ファ
イバ線引炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1312899A JP2000211938A (ja) | 1999-01-21 | 1999-01-21 | 光ファイバ線引炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1312899A JP2000211938A (ja) | 1999-01-21 | 1999-01-21 | 光ファイバ線引炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000211938A true JP2000211938A (ja) | 2000-08-02 |
Family
ID=11824530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1312899A Pending JP2000211938A (ja) | 1999-01-21 | 1999-01-21 | 光ファイバ線引炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000211938A (ja) |
-
1999
- 1999-01-21 JP JP1312899A patent/JP2000211938A/ja active Pending
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