JP2000208911A - 電極パッド上にバンプを形成したソルダーレジスト層付実装基板の製造方法 - Google Patents
電極パッド上にバンプを形成したソルダーレジスト層付実装基板の製造方法Info
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Abstract
供給して所望の大きさのはんだバンプを形成することが
でき、電極パッド配列ピッチが微細化しても隣接バンプ
間ではんだブリッジが生ずる可能性が小さい実装基板を
提供する。 【解決手段】 表面に形成された複数の電極パッド3を
有する配線基板30上にソルダーレジスト層4を形成
し、その表面上にドライフィルムを形成し、これらソル
ダーレジスト層4及びドライフィルムに開口を形成し、
これら開口内へはんだペーストを充填し、リフローを行
ってはんだペーストを溶融及び固化させてはんだバンプ
1を形成し、しかる後にドライフィルムを除去すること
で、はんだバンプ1の付設された電極パッド3により構
成される前記電極部どうしの間にソルダーレジスト層4
が形成され、はんだバンプ1の頂部がソルダーレジスト
層4の表面より上方に位置している実装基板が提供され
る。
Description
野に属するものであり、特に配線基板の電極パッド上に
バンプ(はんだプリコートを含む)を形成したソルダー
レジスト層付の実装基板及びその製造方法に関するもの
である。
この種の実装基板即ち電極パッド上にはんだバンプ(は
んだプリコート)や金属バンプなどのバンプを形成した
実装基板を製造する方法としては、スクリーン印刷を用
いたものが主流であった。また、はんだバンプを形成す
る方法としては、一般に、(1)無電解はんだめっき液
にて電極パッド表面にはんだを供給した後にフュージン
グを施すめっき法、(2)ホット・エアー・レベラー法
にてはんだを供給する浸漬法(はんだディップ法)、
(3)印刷用マスク(テトロンスクリーン、メタルマス
ク、プラスチックマスク等)を利用し、はんだバンプ用
のはんだペーストをそのまま印刷供給した後に硬化させ
るはんだペースト印刷法(スーパーソルダー法)、
(4)はんだ供給を施すパッド部に形成した粘着層には
んだ粉末をふりかけた後、リフローを行い、硬化させる
はんだ粉末法(特開平7−74459号公報参照)など
がある。
極パッドに供給されるはんだ量のバラツキが大きく、特
に電極パッド配列のピッチが微細化するにつれて隣接パ
ッド間ではんだブリッジが生ずる可能性が大きい等の欠
点がある。
は、基板表面に粘着されたフィルム状マスクを介してス
キージを用いてクリームはんだを印刷し、マスクを剥離
する方法が開示されている。
は、第1のソルダーレジスト層上により幅の狭い第2の
ソルダーレジスト層を形成し、電極パッド間に該電極パ
ッドより厚いソルダーレジスト層を形成することで、は
んだブリッジの発生を防止することが開示されている。
は、ソルダーダムと電極パッドとの間に空隙を設けるこ
とにより、素子実装時の不良発生率を低減させることが
開示されている。
バンプ付きパッド間のはんだブリッジの発生を防止でき
且つ微細ピッチの電極パッド上にバンプを形成したソル
ダーレジスト層付きの実装基板を開示してはいない。
に鑑みて、各電極パッド上に所望量のはんだペーストや
金属ペーストを供給して所望の大きさのはんだバンプや
金属バンプを形成することができ、しかも、電極パッド
配列のピッチが微細化しても隣接バンプ間ではんだブリ
ッジが生ずる可能性が極めて小さい、改良された実装基
板を提供することを目的とするものである。
如き目的を達成するものとして、配線基板の表面に形成
された複数の電極パッドのそれぞれの上面にはバンプが
付設されており、該バンプの付設された電極パッドによ
り電極部が構成されており、前記配線基板上には前記電
極部どうしの間には該電極部に接するソルダーレジスト
層が形成されており、前記バンプの頂部は前記ソルダー
レジスト層の表面より上方に位置していることを特徴と
する、電極パッド上にバンプを形成したソルダーレジス
ト層付実装基板、が提供される。
はんだバンプまたは金属バンプである。前記バンプの前
記ソルダーレジスト層の表面より上方に位置している部
分の表面には表面処理層が付されていても良い。
達成するものとして、表面に形成された複数の電極パッ
ドを有する配線基板の表面上に前記電極パッドをも覆う
ようにしてソルダーレジスト層を形成し、該ソルダーレ
ジスト層の表面上にエッチングドライフィルムを形成
し、これらソルダーレジスト層及びエッチングドライフ
ィルムに前記電極パッドに対応する位置において開口を
形成し、これら開口内へはんだペーストまたは金属ペー
ストを前記エッチングドライフィルムの表面と同等の高
さまで充填し、リフローまたはベーキングを行って前記
はんだペーストまたは金属ペーストを溶融及び固化させ
てはんだバンプまたは金属バンプを形成し、しかる後に
前記エッチングドライフィルムを除去することを特徴と
する、電極パッド上にバンプを形成したソルダーレジス
ト層付実装基板の製造方法、が提供される。
レジスト層及びエッチングドライフィルムに開口を形成
する工程は、前記ソルダーレジスト層の形成及び前記エ
ッチングドライフィルムの形成の後になされる。
レジスト層及びエッチングドライフィルムに開口を形成
する工程は、前記ソルダーレジスト層を形成した後に前
記エッチングドライフィルムの形成の前に前記ソルダー
レジスト膜に第1開口を形成する第1工程と、前記エッ
チングドライフィルムの形成の後に該エッチングドライ
フィルムに前記第1開口に対応する位置において第2開
口を形成する第2工程とからなる。
により前記エッチングドライフィルムに形成される第2
開口の径は前記第1工程により前記ソルダーレジスト層
に形成される第1開口の径より大きい。
はんだペーストまたは金属ペーストを充填する工程は、
スキージを用いて行われる。
グドライフィルムを除去する工程の後に、前記金属バン
プの露出部分の表面に表面処理層を形成する。
レジスト層の表面上でのエッチングドライフィルムの形
成は、エッチングドライフィルムを貼付することにより
なされる。
成は、レーザ加工またはソルダーレジスト層のレーザ加
工とエッチングドライフィルムの露光・現像との組み合
わせにより行なわれる。
のはんだペーストまたは金属ペーストの充填は、前記開
口内へのはんだペーストまたは金属ペーストの導入と導
入されたはんだペーストまたは金属ペーストの加圧とを
交互に行うことでなされる。
ンプを形成したソルダーレジスト層付実装基板及びその
製造方法の実施の形態について図面を参照しながら説明
する。
形態を示す模式的断面図である。図1において、同等の
機能を有する部材または部分には同一の符号が付されて
いる。
おいて、配線基板30の表面(上面)上には該配線基板
の配線の複数の電極パッド3が形成されている。各電極
パッド3の表面(上面)上には、はんだバンプ1が付設
されている。これら電極パッド3と金属バンプ1とで電
極部が構成されている。配線基板30上には電極部どう
しの間に該電極部に接してソルダーレジスト層4が形成
されている。ソルダーレジスト層4は電極パッド3を完
全に覆っているが、はんだバンプ1を完全には覆ってい
ない。即ち、電極パッド3の下部はソルダーレジスト層
4により覆われているが、電極パッド3の上部はソルダ
ーレジスト層4の表面より上方に位置していて該ソルダ
ーレジスト層4で覆われてはいない。かくして、はんだ
バンプ1の頂部はソルダーレジスト層4の表面より上方
に位置しており、全てのはんだバンプ1の頂部はソルダ
ーレジスト層4の表面から同等の高さに位置している。
はんだバンプ1の表面には水溶性プリフラックス層やニ
ッケル−金めっき層、すずめっき層、すず−銀めっき
層、パラジウムめっき層などの表面処理層を付すること
ができる。また、ソルダーレジスト層4は、パーマネン
トの樹脂層であれば、それ以外の所望の樹脂層(例えば
アディティブめっきレジスト層など)を含んでいてもよ
い。
おいては、各電極パッド3の表面(上面)上に、金属バ
ンプ(例えばニッケルバンプ、パラジウムバンプ、金バ
ンプなど)2が付設されている。これら電極パッド3と
金属バンプ1とで電極部が構成されている。本実施形態
は、バンプが金属バンプである点を除いて図1(A)の
実施形態と同様である。
おいては、金属バンプ2のソルダーレジスト層4から上
方へと突出せる部分(上部)の表面には表面処理層11
が付されている。表面処理層11としては、水溶性プリ
フラックス層、ニッケル−金めっき層、すずめっき層、
すず−銀めっき層、パラジウムめっき層などを用いるこ
とができる。
3の表面には、ニッケル−金めっき層、すずめっき層、
すず−銀めっき層、パラジウムめっき層などの表面処理
層が形成されていてもよい。
のはんだバンプ1または金属バンプ2の上部がソルダー
レジスト層4の表面から同等の高さに突出しており、し
かも、これら複数のはんだバンプ1または金属バンプ2
を含む電極部の間には該電極部に接してソルダーレジス
ト層4が介在しているので、隣接電極部間での短絡など
の不具合が生ずる可能性は極めて小さく、半導体装置そ
の他の素子をはんだ付けにより取り付ける際の作業性が
良好である。
に示されている配線基板の製造方法の一実施形態を示す
模式的工程断面図である。
表面に複数の電極パッド3が形成されている配線基板3
0の表面上にソルダーレジスト層4を形成し、該ソルダ
ーレジスト層4により電極パッド3を覆う。ソルダーレ
ジスト層4の形成は、例えば熱硬化型または光硬化型の
ソルダーレジスト(SR)インク[例えば太陽インク製
造株式会社製パッケージ用熱硬化型(二液性)絶縁材料
S−500R01/ HD−50R−01等]をスクリー
ン印刷法、ロールコート法、カーテンコート法、スプレ
ーコート法等により塗布し、硬化させることで行うこと
ができる。ソルダーレジスト層4の厚さは、例えば20
〜50μmである。尚、電極パッド3の表面には、表面
に水溶性プリフラックス層、ニッケル−金めっき層、す
ずめっき層、すず−銀めっき層、パラジウムめっき層な
どの表面処理層が形成されていてもよい。
ソルダーレジスト層4の表面上に、エッチングドライフ
ィルム5を形成する。このエッチングドライフィルム5
は、例えばアルカリ可溶性光硬化型のエッチングドライ
フィルムであり、例えば日立化成(株)製フォテックH
−N150(厚み:50μm)、フォテックH−W47
5(厚み:75μm)等を選択することが可能である。
エッチングドライフィルム5の形成は貼付により行うこ
とができる。エッチングドライフィルム5は、加熱圧着
または適宜の接着剤を用いて直接貼付してもよいし、あ
るいは粘着剤層とマイラーフィルムとでエッチングドラ
イフィルム5を挟持してなる粘着剤付き耐熱シート(例
えばデュポン社製:カプトン等)を貼付してもよい。
尚、粘着剤付き耐熱シートを貼付した場合には、直後に
マイラーフィルムを剥離してもよいし、後工程で開口を
形成した後、あるいは後工程で該開口内にはんだバンプ
用ペーストあるいは金属バンプ用ペーストを充填した
後、あるいは後工程ではんだバンプ用ペーストのリフロ
ーあるいは金属バンプ用ペーストのベーキング後に剥離
してもよい。エッチングドライフィルム5の厚さは、例
えば20〜75μmであり、この厚さは後工程で形成す
べきはんだバンプあるいは金属バンプのソルダーレジス
ト層4の表面からの所望の突出高さに応じて設定され
る。尚、上記粘着剤付き耐熱シートを貼付し、後工程で
該開口内にはんだバンプ用ペーストあるいは金属バンプ
用ペーストを充填する工程の後にマイラーフィルムを剥
離する場合には、粘着剤付き耐熱シートとして所望の突
出高さに応じたものが選択される。
レーザ加工により、ソルダーレジスト層4及びエッチン
グドライフィルム5(あるいは粘着剤付き耐熱シート)
の電極パッド3の上方位置の部分に、パッド3の外径以
下であって形成すべきはんだバンプまたは金属バンプの
所望の外径に対応する内径の開口Aを形成する。該開口
Aは、ソルダーレジスト層4に形成された第1開口4a
とエッチングドライフィルム5に形成された第2開口5
aとからなる。第1開口4aの形成は第2開口5aの形
成に引き続いて行われる。
ドライフィルム5上からスキージ10を利用して、はん
だバンプ用ペースト8あるいは金属バンプ用ペースト9
を印刷供給する。そして、図3(A)に示されているよ
うに、はんだバンプ用ペースト8あるいは金属バンプ用
ペースト9をオートクレーブなどで例えば6Kgf/c
m2 以上の圧力で10分間以上加圧して、開口A内のは
んだバンプ用ペースト8あるいは金属バンプ用ペースト
9の脱泡を行なう。そして、図3(B)に示されている
ように、再びドライフィルム5上からスキージ10を利
用して、はんだバンプ用ペースト8あるいは金属バンプ
用ペースト9を印刷供給する。図3(A)及び(B)の
工程を繰り返すことで、図3(C)に示されているよう
に、ドライフィルム5の表面の面位置まで十分な量のペ
ースト供給を行う。
トを貼付し、開口内にはんだバンプ用ペーストあるいは
金属バンプ用ペーストを充填する工程の後にマイラーフ
ィルムを剥離するような場合をも、便宜上、開口内へは
んだペーストまたは金属ペーストをエッチングドライフ
ィルムの表面と同等の高さまで充填する、と表現するこ
ととする。
用いた場合には、図3(D)に示されているように、は
んだペースト8のリフローを行ない硬化させることで、
はんだバンプ1を形成する。その後、苛性ソーダや有機
溶剤たとえばエタノールアミンなどのアルカリ溶剤にて
ドライフィルム5を剥離除去し、洗浄を行なうことで、
図1(A)に示される実装基板が得られる。
いた場合には、図3(C)の工程の後に、図3(E)に
示されているように、ペースト9のベーキングを行ない
硬化させることで、金属バンプ2を形成する。その後、
苛性ソーダや溶剤にてドライフィルム5を剥離除去し、
洗浄を行なうことで、図1(B)に示される実装基板が
得られる。
層4の表面より上方へと突出せる部分(上部)の表面に
ニッケル−金めっき、すずめっき、すず−銀めっき、パ
ラジウムめっきなどの表面処理を行なって表面処理層1
1が付することにより、図1(C)に示される実装基板
が得られる。
ば、ソルダーレジスト層4上に形成したドライフィルム
5をマスクとして用いてペースト印刷を行なうので、配
線基板がそり・ねじれ等を有するものであっても、コプ
ラナリティー追従が可能となり、各バンプ形成のための
印刷ペースト量を安定化させることができ、更に、ペー
ストのにじみ等の印刷不具合を防ぐことが可能である。
また、マスクパターンを直接配線基板上で形成する為、
開口位置ひいてはバンプ位置の精度が向上する。
るドライフィルム5は、最終的には剥離されるので、得
られたソルダーレジスト層付実装基板ではソルダーレジ
スト層4の表面にははんだや金属は存在せず、良好なは
んだレジスト性が得られる。
は、通常の基板プロセスの流用が可能であり、新規設備
を要せずして高精度な加工が可能である。
に示されている配線基板の製造方法の他の実施形態を示
す模式的工程断面図である。これらの図において、上記
図1〜3におけると同様の部材には同一の符号が付され
ている。
表面に複数の電極パッド3が形成されている配線基板3
0の表面上にソルダーレジスト層4を形成し、該ソルダ
ーレジスト層4により電極パッド3を覆う。この工程
は、図2(A)の工程と同一である。
レーザ加工により、ソルダーレジスト層4の電極パッド
3の上方位置の部分に、パッド3の外径以下であって形
成すべきはんだバンプまたは金属バンプの所望の外径に
対応する内径の第1開口4aを形成する。
ソルダーレジスト層4の表面上に、エッチングドライフ
ィルム5を付与する。
ドライフィルム5の表面上に付与した露光用マスク12
を介して、ドライフィルム5を露光及び現像する。これ
により、ドライフィルム5の電極パッド3の上方位置の
部分に、第1開口4aに対応して第2開口5aが形成さ
れる。この第2開口5aは、ソルダーレジスト層4に形
成された第1開口5bより大きな内径を有する。第1開
口4a及び第2開口5aにより開口Aが構成される。
ドライフィルム5上からスキージ10を利用して、はん
だバンプ用ペースト8あるいは金属バンプ用ペースト9
を印刷供給する。そして、図5(A)〜(B)に示され
ているように、図3(A)〜(B)と同様にして、はん
だバンプ用ペースト8あるいは金属バンプ用ペースト9
の加圧による脱泡とはんだバンプ用ペースト8あるいは
金属バンプ用ペースト9の印刷供給とを繰り返すこと
で、図5(C)に示されているように、ドライフィルム
5の表面の面位置まで十分な量のペースト供給を行う。
用いた場合には、図5(D)に示されているように、は
んだペースト8のリフローを行ない硬化させることで、
はんだバンプ1を形成する。その後、苛性ソーダや有機
溶剤たとえばエタノールアミンなどのアルカリ溶剤にて
ドライフィルム5を剥離除去し、洗浄を行なうことで、
図1(A)に示される実装基板が得られる。この工程
は、図3(D)の工程に対応している。
いた場合には、図5(C)の工程の後に、図5(E)に
示されているように、ペースト9のベーキングを行ない
硬化させることで、金属バンプ2を形成する。その後、
苛性ソーダや有機溶剤たとえばエタノールアミンなどの
アルカリ溶剤にてドライフィルム5を剥離除去し、洗浄
を行なうことで、図1(B)に示される実装基板が得ら
れる。この工程は、図3(E)の工程に対応している。
ソルダーレジスト層2の表面より上方においては、リフ
ローまたはベーキングの際にはんだペースト8や金属ペ
ースト9が凝集してほぼソルダーレジスト層4に形成さ
れた上記第1開口4aの内径と同様な外径を持つように
なる。
層4の表面より上方へと突出せる部分(上部)の表面に
ニッケル−金めっき、すずめっき、すず−銀めっき、パ
ラジウムめっきなどの表面処理を行なって表面処理層1
1が付することにより、図1(C)に示される実装基板
が得られる。
実施形態と同様な効果を奏することができる。
ド上にバンプを形成したソルダーレジスト層付実装基板
によれば、複数のはんだバンプまたは金属バンプの上部
がソルダーレジスト層の表面から同等の高さに突出して
おり、しかも、これら複数のはんだバンプまたは金属バ
ンプを含む電極部の間には該電極部に接してソルダーレ
ジスト層が介在しているので、半導体装置その他の素子
をはんだ付けにより取り付ける際にも隣接電極部間での
短絡などの不具合が生ずる可能性は極めて小さく、取り
付け作業の作業性が良好である。
成したソルダーレジスト層付実装基板の製造方法によれ
ば、ソルダーレジスト層上に形成したドライフィルムを
マスクとして用いてペースト印刷を行なうので、配線基
板がそり・ねじれ等を有するものであっても、コプラナ
リティー追従が可能となり、各バンプ形成のための印刷
ペースト量を安定化させることができる。更に、ペース
トのにじみ等の印刷不具合を防ぐことが可能である。ま
た、マスクパターンを直接配線基板上で形成する為、開
口位置ひいてはバンプ位置の精度が向上する。更に、こ
のマスクパターンとして利用されるドライフィルムは、
最終的には剥離されるので、得られたソルダーレジスト
層付実装基板ではソルダーレジスト層の表面にははんだ
や金属は存在せず、良好なはんだレジスト性が得られ
る。
模式的断面図である。
施形態を示す模式的工程断面図である。
施形態を示す模式的工程断面図である。
実施形態を示す模式的工程断面図である。
実施形態を示す模式的工程断面図である。
18)
ダーレジスト層付実装基板の製造方法
野に属するものであり、特に配線基板の電極パッド上に
バンプ(はんだプリコートを含む)を形成したソルダー
レジスト層付の実装基板の製造方法に関するものであ
る。
如き目的を達成し得る電極パッド上にバンプを形成した
ソルダーレジスト層付実装基板の製造方法が提供され
る。
基板の製造方法は、表面に形成された複数の電極パッド
を有する配線基板の表面上に前記電極パッドをも覆うよ
うにしてソルダーレジスト層を形成し、該ソルダーレジ
スト層の表面上にエッチングドライフィルムを形成し、
これらソルダーレジスト層及びエッチングドライフィル
ムに前記電極パッドに対応する位置において開口を形成
し、これら開口内へはんだペーストまたは金属ペースト
を前記エッチングドライフィルムの表面と同等の高さま
で充填し、リフローまたはベーキングを行って前記はん
だペーストまたは金属ペーストを溶融及び固化させては
んだバンプまたは金属バンプを形成し、しかる後に前記
エッチングドライフィルムを除去することを特徴とす
る。
エッチングドライフィルムに形成した開口内へ充填した
はんだペーストまたは金属ペーストを溶融及び固化させ
てはんだバンプまたは金属バンプを形成した後に、前記
エッチングドライフィルムを除去する点に特徴を有する
ものである。
ンプを形成したソルダーレジスト層付実装基板の製造方
法の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
得られる電極パッド上にバンプを形成したソルダーレジ
スト層付実装基板によれば、複数のはんだバンプまたは
金属バンプの上部がソルダーレジスト層の表面から同等
の高さに突出しており、しかも、これら複数のはんだバ
ンプまたは金属バンプを含む電極部の間には該電極部に
接してソルダーレジスト層が介在しているので、半導体
装置その他の素子をはんだ付けにより取り付ける際にも
隣接電極部間での短絡などの不具合が生ずる可能性は極
めて小さく、取り付け作業の作業性が良好である。ま
た、本発明の電極パッド上にバンプを形成したソルダー
レジスト層付実装基板の製造方法によれば、ソルダーレ
ジスト層上に形成したドライフィルムをマスクとして用
いてペースト印刷を行なうので、配線基板がそり・ねじ
れ等を有するものであっても、コプラナリティー追従が
可能となり、各バンプ形成のための印刷ペースト量を安
定化させることができる。更に、ペーストのにじみ等の
印刷不具合を防ぐことが可能である。また、マスクパタ
ーンを直接配線基板上で形成する為、開口位置ひいては
バンプ位置の精度が向上する。更に、このマスクパター
ンとして利用されるドライフィルムは、最終的には剥離
されるので、得られたソルダーレジスト層付実装基板で
はソルダーレジスト層の表面にははんだや金属は存在せ
ず、良好なはんだレジスト性が得られる。
Claims (13)
- 【請求項1】 配線基板の表面に形成された複数の電極
パッドのそれぞれの上面にはバンプが付設されており、
該バンプの付設された電極パッドにより電極部が構成さ
れており、前記配線基板上には前記電極部どうしの間に
は該電極部に接するソルダーレジスト層が形成されてお
り、前記バンプの頂部は前記ソルダーレジスト層の表面
より上方に位置していることを特徴とする、電極パッド
上にバンプを形成したソルダーレジスト層付実装基板。 - 【請求項2】 前記バンプははんだバンプであることを
特徴とする、請求項1に記載のソルダーレジスト層付実
装基板。 - 【請求項3】 前記バンプは金属バンプであることを特
徴とする、請求項1に記載のソルダーレジスト層付実装
基板。 - 【請求項4】 前記バンプの前記ソルダーレジスト層の
表面より上方に位置している部分の表面には表面処理層
が付されていることを特徴とする、請求項1〜3のいず
れかに記載のソルダーレジスト層付実装基板。 - 【請求項5】 表面に形成された複数の電極パッドを有
する配線基板の表面上に前記電極パッドをも覆うように
してソルダーレジスト層を形成し、該ソルダーレジスト
層の表面上にエッチングドライフィルムを形成し、これ
らソルダーレジスト層及びエッチングドライフィルムに
前記電極パッドに対応する位置において開口を形成し、
これら開口内へはんだペーストまたは金属ペーストを前
記エッチングドライフィルムの表面と同等の高さまで充
填し、リフローまたはベーキングを行って前記はんだペ
ーストまたは金属ペーストを溶融及び固化させてはんだ
バンプまたは金属バンプを形成し、しかる後に前記エッ
チングドライフィルムを除去することを特徴とする、電
極パッド上にバンプを形成したソルダーレジスト層付実
装基板の製造方法。 - 【請求項6】 前記ソルダーレジスト層及びエッチング
ドライフィルムに開口を形成する工程は、前記ソルダー
レジスト層の形成及び前記エッチングドライフィルムの
形成の後になされることを特徴とする、請求項5に記載
のソルダーレジスト層付実装基板の製造方法。 - 【請求項7】 前記ソルダーレジスト層及びエッチング
ドライフィルムに開口を形成する工程は、前記ソルダー
レジスト層を形成した後に前記エッチングドライフィル
ムの形成の前に前記ソルダーレジスト膜に第1開口を形
成する第1工程と、前記エッチングドライフィルムの形
成の後に該エッチングドライフィルムに前記第1開口に
対応する位置において第2開口を形成する第2工程とか
らなることを特徴とする、請求項5に記載のソルダーレ
ジスト層付実装基板の製造方法。 - 【請求項8】 前記第2工程により前記エッチングドラ
イフィルムに形成される第2開口の径は前記第1工程に
より前記ソルダーレジスト層に形成される第1開口の径
より大きいことを特徴とする、請求項7に記載のソルダ
ーレジスト層付実装基板の製造方法。 - 【請求項9】 前記開口内へはんだペーストまたは金属
ペーストを充填する工程は、スキージを用いて行われる
ことを特徴とする、請求項5〜8のいずれかに記載のソ
ルダーレジスト層付実装基板の製造方法。 - 【請求項10】 前記エッチングドライフィルムを除去
する工程の後に、前記金属バンプの露出部分の表面に表
面処理層を形成することを特徴とする、請求項5〜9の
いずれかに記載のソルダーレジスト層付実装基板の製造
方法。 - 【請求項11】 前記ソルダーレジスト層の表面上での
エッチングドライフィルムの形成は、エッチングドライ
フィルムを貼付することによりなされることを特徴とす
る、請求項5〜10のいずれかに記載のソルダーレジス
ト層付実装基板の製造方法。 - 【請求項12】 前記開口の形成は、レーザ加工または
ソルダーレジスト層のレーザ加工とエッチングドライフ
ィルムの露光・現像との組み合わせにより行なわれるこ
とを特徴とする、請求項5〜11のいずれかに記載のソ
ルダーレジスト層付実装基板の製造方法。 - 【請求項13】 前記開口内へのはんだペーストまたは
金属ペーストの充填は、前記開口内へのはんだペースト
または金属ペーストの導入と導入されたはんだペースト
または金属ペーストの加圧とを交互に行うことでなされ
ることを特徴とする、請求項5〜12のいずれかに記載
のソルダーレジスト層付実装基板の製造方法。
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JP11009375A JP3056192B1 (ja) | 1999-01-18 | 1999-01-18 | 電極パッド上にバンプを形成したソルダーレジスト層付実装基板の製造方法 |
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Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002134890A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JP2002134891A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JP2002134923A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JP2002134889A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JP2004140313A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-05-13 | Jsr Corp | 二層積層膜を用いた電極パッド上へのバンプ形成方法 |
WO2005081064A1 (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Jsr Corporation | バンプ形成用二層積層膜、およびバンプ形成方法 |
JP2009105259A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | プリント基板 |
JP2010049262A (ja) * | 2009-09-14 | 2010-03-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
JP2010109104A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Kyocer Slc Technologies Corp | 配線基板およびその製造方法 |
JP2010225716A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Toppan Printing Co Ltd | 配線基板、配線基板の製造方法、および半導体装置 |
KR101060791B1 (ko) * | 2009-08-10 | 2011-08-30 | 삼성전기주식회사 | 솔더 범프 제조방법 |
KR101069980B1 (ko) * | 2009-09-15 | 2011-10-04 | 삼성전기주식회사 | 솔더 범프 형성 방법 |
KR101173397B1 (ko) * | 2010-12-24 | 2012-08-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 인쇄회로기판의 제조 방법 |
KR101258869B1 (ko) * | 2009-09-04 | 2013-04-29 | 아페리오(주) | 플립칩 실장을 위한 미세 피치의 금속 범프 제조 방법 |
KR101278426B1 (ko) | 2010-09-02 | 2013-06-24 | 삼성전기주식회사 | 반도체 패키지 기판의 제조방법 |
KR20130088347A (ko) * | 2012-01-31 | 2013-08-08 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그의 제조방법 |
JP2014078551A (ja) * | 2012-10-09 | 2014-05-01 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板、配線基板の製造方法 |
KR20150013035A (ko) | 2013-07-25 | 2015-02-04 | 산에이카가쿠 가부시키가이샤 | 땜납 범프 형성용 수지 조성물, 땜납 범프 형성 방법, 및 땜납 범프를 구비한 부재 |
US9706652B2 (en) | 2010-12-24 | 2017-07-11 | Lg Innotek Co., Ltd. | Printed circuit board and method for manufacturing same |
CN111698834A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-09-22 | 百强电子(深圳)有限公司 | 一种厚铜板阻焊印制方法 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6608385B2 (en) * | 1998-11-30 | 2003-08-19 | Advantest Corp. | Contact structure and production method thereof and probe contact assembly using same |
JP2002093811A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-29 | Sony Corp | 電極および半導体装置の製造方法 |
JP3875077B2 (ja) * | 2001-11-16 | 2007-01-31 | 富士通株式会社 | 電子デバイス及びデバイス接続方法 |
TWI244129B (en) * | 2002-10-25 | 2005-11-21 | Via Tech Inc | Bonding column process |
US7180186B2 (en) * | 2003-07-31 | 2007-02-20 | Cts Corporation | Ball grid array package |
US20060160346A1 (en) * | 2005-01-19 | 2006-07-20 | Intel Corporation | Substrate bump formation |
US7714451B2 (en) * | 2005-02-18 | 2010-05-11 | Stats Chippac Ltd. | Semiconductor package system with thermal die bonding |
US7517788B2 (en) * | 2005-12-29 | 2009-04-14 | Intel Corporation | System, apparatus, and method for advanced solder bumping |
TWM397591U (en) * | 2010-04-22 | 2011-02-01 | Mao Bang Electronic Co Ltd | Bumping structure |
CN104517921B (zh) * | 2013-09-30 | 2017-09-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 键合基底及其形成方法、三维封装结构及其形成方法 |
US9966341B1 (en) * | 2016-10-31 | 2018-05-08 | Infineon Technologies Americas Corp. | Input/output pins for chip-embedded substrate |
CN109922607A (zh) * | 2019-03-19 | 2019-06-21 | 金禄(清远)精密科研投资有限公司 | 一种低压喷涂阻焊电路板制作工艺 |
CN113923885B (zh) * | 2021-09-18 | 2023-05-05 | 厦门大学 | 用于焊接微小芯片的柔性线路板的制作方法 |
CN114585175B (zh) * | 2022-04-29 | 2022-07-15 | 广东科翔电子科技股份有限公司 | 一种Mini-LED焊盘加高方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5024372A (en) * | 1989-01-03 | 1991-06-18 | Motorola, Inc. | Method of making high density solder bumps and a substrate socket for high density solder bumps |
JP3215424B2 (ja) * | 1992-03-24 | 2001-10-09 | ユニシス・コーポレイション | 微細自己整合特性を有する集積回路モジュール |
US5313021A (en) * | 1992-09-18 | 1994-05-17 | Aptix Corporation | Circuit board for high pin count surface mount pin grid arrays |
US5597469A (en) * | 1995-02-13 | 1997-01-28 | International Business Machines Corporation | Process for selective application of solder to circuit packages |
US5868302A (en) * | 1995-09-06 | 1999-02-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for mounting electronic component |
JPH11145176A (ja) * | 1997-11-11 | 1999-05-28 | Fujitsu Ltd | ハンダバンプの形成方法及び予備ハンダの形成方法 |
-
1999
- 1999-01-18 JP JP11009375A patent/JP3056192B1/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-01-18 US US09/484,857 patent/US6420255B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002134890A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JP2002134891A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JP2002134923A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JP2002134889A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JP4514308B2 (ja) * | 2000-10-19 | 2010-07-28 | イビデン株式会社 | 多層プリント配線板の製造方法 |
JP4514309B2 (ja) * | 2000-10-19 | 2010-07-28 | イビデン株式会社 | 多層プリント配線板の製造方法 |
JP4518660B2 (ja) * | 2000-10-19 | 2010-08-04 | イビデン株式会社 | 多層プリント配線板の製造方法 |
JP4484350B2 (ja) * | 2000-10-19 | 2010-06-16 | イビデン株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
US7265044B2 (en) | 2002-08-22 | 2007-09-04 | Jsr Corporation | Method for forming bump on electrode pad with use of double-layered film |
JP2004140313A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-05-13 | Jsr Corp | 二層積層膜を用いた電極パッド上へのバンプ形成方法 |
WO2005081064A1 (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Jsr Corporation | バンプ形成用二層積層膜、およびバンプ形成方法 |
JP2009105259A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | プリント基板 |
JP2010109104A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Kyocer Slc Technologies Corp | 配線基板およびその製造方法 |
JP2010225716A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Toppan Printing Co Ltd | 配線基板、配線基板の製造方法、および半導体装置 |
KR101060791B1 (ko) * | 2009-08-10 | 2011-08-30 | 삼성전기주식회사 | 솔더 범프 제조방법 |
KR101258869B1 (ko) * | 2009-09-04 | 2013-04-29 | 아페리오(주) | 플립칩 실장을 위한 미세 피치의 금속 범프 제조 방법 |
JP2010049262A (ja) * | 2009-09-14 | 2010-03-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
KR101069980B1 (ko) * | 2009-09-15 | 2011-10-04 | 삼성전기주식회사 | 솔더 범프 형성 방법 |
KR101278426B1 (ko) | 2010-09-02 | 2013-06-24 | 삼성전기주식회사 | 반도체 패키지 기판의 제조방법 |
US9706652B2 (en) | 2010-12-24 | 2017-07-11 | Lg Innotek Co., Ltd. | Printed circuit board and method for manufacturing same |
KR101173397B1 (ko) * | 2010-12-24 | 2012-08-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 인쇄회로기판의 제조 방법 |
KR20130088347A (ko) * | 2012-01-31 | 2013-08-08 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그의 제조방법 |
KR101884431B1 (ko) * | 2012-01-31 | 2018-08-02 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그의 제조방법 |
JP2014078551A (ja) * | 2012-10-09 | 2014-05-01 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板、配線基板の製造方法 |
KR20150013035A (ko) | 2013-07-25 | 2015-02-04 | 산에이카가쿠 가부시키가이샤 | 땜납 범프 형성용 수지 조성물, 땜납 범프 형성 방법, 및 땜납 범프를 구비한 부재 |
DE102014010775A1 (de) | 2013-07-25 | 2015-02-26 | San-Ei Kagaku Co. Ltd. | Harzzusammensetzung zur Lötpunktbildung, Lötpunkt-Bildungsverfahren und Bauelement mit Lötpunkten |
US9415469B2 (en) | 2013-07-25 | 2016-08-16 | San-Ei Kagaku Co., Ltd. | Resin composition for solder bump formation, solder bump formation method, and member having solder bumps |
CN111698834A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-09-22 | 百强电子(深圳)有限公司 | 一种厚铜板阻焊印制方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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