JP2000206672A - バイナリパタ―ン及び位相シフトパタ―ンを備えたデュアルフォトマスク - Google Patents
バイナリパタ―ン及び位相シフトパタ―ンを備えたデュアルフォトマスクInfo
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- JP2000206672A JP2000206672A JP828299A JP828299A JP2000206672A JP 2000206672 A JP2000206672 A JP 2000206672A JP 828299 A JP828299 A JP 828299A JP 828299 A JP828299 A JP 828299A JP 2000206672 A JP2000206672 A JP 2000206672A
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- photomask
- dual
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- psm
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】集積回路製造でのフォトリソグラフィーにおい
て使用され、マスクリツーリングなしに半導体ウエハ上
に２重露光操作を行なうことができる、デュアルフォト
マスクを提供すること。 【解決手段】デュアルフォトマスクは、レティクルガラ
ス板上に位相シフトマスク（ＰＳＭ）クロム領域及びバ
イナリ（ＢＩＮ）クロム領域が隣接して配置されたレテ
ィクルガラス板を備える。使用においては、デュアルフ
ォトマスクは、一つ目の位置では、ＢＩＮクロム領域か
らのパターンがウエハに転写されるのを可能にし、他の
位置では、ＰＳＭクロム領域からのパターンが転写され
るのを可能にする、２つのあらかじめ定められた位置の
間でシフトされる。露光スキャナーが、デュアルフォト
マスクを通してウエハを露光するために使用される。デ
ュアルフォトマスクは、従来の技術の場合のような２つ
のマスクを使用することによるパターン転写の位置ずれ
の欠点をなくすことができ、更に、歩留りが向上し、ウ
エハ製造のコストを減少することを可能にする。
て使用され、マスクリツーリングなしに半導体ウエハ上
に２重露光操作を行なうことができる、デュアルフォト
マスクを提供すること。 【解決手段】デュアルフォトマスクは、レティクルガラ
ス板上に位相シフトマスク（ＰＳＭ）クロム領域及びバ
イナリ（ＢＩＮ）クロム領域が隣接して配置されたレテ
ィクルガラス板を備える。使用においては、デュアルフ
ォトマスクは、一つ目の位置では、ＢＩＮクロム領域か
らのパターンがウエハに転写されるのを可能にし、他の
位置では、ＰＳＭクロム領域からのパターンが転写され
るのを可能にする、２つのあらかじめ定められた位置の
間でシフトされる。露光スキャナーが、デュアルフォト
マスクを通してウエハを露光するために使用される。デ
ュアルフォトマスクは、従来の技術の場合のような２つ
のマスクを使用することによるパターン転写の位置ずれ
の欠点をなくすことができ、更に、歩留りが向上し、ウ
エハ製造のコストを減少することを可能にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造技術に
関する。特に、フォトリソグラフィーの２重露光操作に
使用されるバイナリ（ＢＩＮ）パターン及び位相シフト
マスク（ＰＳＭ）パターンを備えたデュアルフォトマス
クに関する。
関する。特に、フォトリソグラフィーの２重露光操作に
使用されるバイナリ（ＢＩＮ）パターン及び位相シフト
マスク（ＰＳＭ）パターンを備えたデュアルフォトマス
クに関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の製造を達成するのには、非常
に精密な技術が必要である。製造工程におけるどんなに
微小なエラーでも、製造されたウエハの信頼性を低く
し、又はむらがあり使用できないものとし、ウエハの歩
留りを悪化させる。
に精密な技術が必要である。製造工程におけるどんなに
微小なエラーでも、製造されたウエハの信頼性を低く
し、又はむらがあり使用できないものとし、ウエハの歩
留りを悪化させる。
【０００３】フォトリソグラフィーは、半導体製造にお
いて、最も重要な工程である。フォトリソグラフィーは
色々な回路素子、例えば集積回路内のＭＯＳ（金属−酸
化物半導体）素子及び不純物ドープ領域の製造のため
に、フォトレジスト層にあらかじめ定められたパターン
を形成するのに用いられる。ＩＣ製造工程を完了するた
めには、典型的にいくつかのフォトリソグラフィーのス
テップが必要である。フォトリソグラフィー工程は、塗
布、露光、及び現像の３つの基本ステップを含む。
いて、最も重要な工程である。フォトリソグラフィーは
色々な回路素子、例えば集積回路内のＭＯＳ（金属−酸
化物半導体）素子及び不純物ドープ領域の製造のため
に、フォトレジスト層にあらかじめ定められたパターン
を形成するのに用いられる。ＩＣ製造工程を完了するた
めには、典型的にいくつかのフォトリソグラフィーのス
テップが必要である。フォトリソグラフィー工程は、塗
布、露光、及び現像の３つの基本ステップを含む。
【０００４】塗布ステップにおいて、フォトレジスト層
は、ウエハの上部表面全体を覆うように塗布される。露
光ステップにおいて、フォトレジスト層は、あらかじめ
定められたフォトマスクを通した光に露光される。そし
て、現像ステップにおいて、フォトレジスト層は、露光
された部分又は露光されていない部分のどちらかを取り
除いて、フォトレジスト層中に転写された潜在パターン
を形成するために現像される。このフォトリソグラフィ
ー工程において、フォトマスクからフォトレジスト層へ
のパターン転写は、フォトマスクからフォトレジスト層
への正確な位置合わせが必要である。さもないと、全体
の製造されたウエハは使用できなくなり、廃棄されなけ
ればならない可能性がある。
は、ウエハの上部表面全体を覆うように塗布される。露
光ステップにおいて、フォトレジスト層は、あらかじめ
定められたフォトマスクを通した光に露光される。そし
て、現像ステップにおいて、フォトレジスト層は、露光
された部分又は露光されていない部分のどちらかを取り
除いて、フォトレジスト層中に転写された潜在パターン
を形成するために現像される。このフォトリソグラフィ
ー工程において、フォトマスクからフォトレジスト層へ
のパターン転写は、フォトマスクからフォトレジスト層
への正確な位置合わせが必要である。さもないと、全体
の製造されたウエハは使用できなくなり、廃棄されなけ
ればならない可能性がある。
【０００５】高い解像度をもって転写されたパターンを
製造する通常の方法は、ステッパーで制御されたバイナ
リマスク（ＢＩＮ）及び位相シフトマスク（ＰＳＭ）の
２種類のマスクの連続によって、２重露光操作における
フォトレジスト層を処理することである。この２重露光
操作において、フォトレジスト層は、最初に第１露光と
して、ＢＩＮマスクに露光され、次に第２露光のため
に、ＢＩＮマスクはＰＳＭマスクに置き換えられる（マ
スクリツーリングと呼ぶ）。
製造する通常の方法は、ステッパーで制御されたバイナ
リマスク（ＢＩＮ）及び位相シフトマスク（ＰＳＭ）の
２種類のマスクの連続によって、２重露光操作における
フォトレジスト層を処理することである。この２重露光
操作において、フォトレジスト層は、最初に第１露光と
して、ＢＩＮマスクに露光され、次に第２露光のため
に、ＢＩＮマスクはＰＳＭマスクに置き換えられる（マ
スクリツーリングと呼ぶ）。
【０００６】しかしながら、前述の２重露光操作におけ
る一つの欠点は、第１のマスクを使用したフォトレジス
ト層中の以前露光された領域に正確に位置を合わせるよ
うに、２度目のマスクによるパターン転写を可能にする
ような方法で、２度目のマスクを正確に位置決めするの
が困難であることである。位置がずれていた場合、製造
されたウエハは欠陥がある可能性があり、したがってウ
エハ製造の歩留りを減少させる。
る一つの欠点は、第１のマスクを使用したフォトレジス
ト層中の以前露光された領域に正確に位置を合わせるよ
うに、２度目のマスクによるパターン転写を可能にする
ような方法で、２度目のマスクを正確に位置決めするの
が困難であることである。位置がずれていた場合、製造
されたウエハは欠陥がある可能性があり、したがってウ
エハ製造の歩留りを減少させる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、マスクリツーリングなしに２重露光操作をする
ために用いることのできる、ＢＩＮパターン及びＰＳＭ
パターンを備えたデュアルフォトマスクを提供すること
である。
目的は、マスクリツーリングなしに２重露光操作をする
ために用いることのできる、ＢＩＮパターン及びＰＳＭ
パターンを備えたデュアルフォトマスクを提供すること
である。
【０００８】本発明の別の目的は、２つのマスクを用い
ることにより生じる転写されたパターンの位置ずれをな
くすことのできる、ＢＩＮパターン及びＰＳＭパターン
を備えたデュアルフォトマスクを提供することである。
ることにより生じる転写されたパターンの位置ずれをな
くすことのできる、ＢＩＮパターン及びＰＳＭパターン
を備えたデュアルフォトマスクを提供することである。
【０００９】本発明の更に別の目的は、高い歩留りをも
つウエハ製造を可能にするＢＩＮパターン及びＰＳＭパ
ターンを備えたデュアルフォトマスクを提供することで
ある。
つウエハ製造を可能にするＢＩＮパターン及びＰＳＭパ
ターンを備えたデュアルフォトマスクを提供することで
ある。
【００１０】本発明の前述及び他の目的にしたがって、
ＢＩＮパターン及びＰＳＭパターンを備えたデュアルフ
ォトマスクは提供される。
ＢＩＮパターン及びＰＳＭパターンを備えたデュアルフ
ォトマスクは提供される。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のデュアルフォト
マスクは、レティクルガラス板と、レティクルガラス板
上に形成されたＰＳＭクロム領域と、レティクルガラス
板上に形成され、かつＰＳＭクロム領域に隣接して配置
されたＢＩＮクロム領域とを備える。操作の間、デュア
ルフォトマスクは、一つ目の位置では、ＢＩＮクロム領
域からのパターンがウエハに転写されるのを可能にし、
他の位置では、ＰＳＭクロム領域からのパターンが転写
されるのを可能にする、２つのあらかじめ定められた位
置の間でシフトされる。
マスクは、レティクルガラス板と、レティクルガラス板
上に形成されたＰＳＭクロム領域と、レティクルガラス
板上に形成され、かつＰＳＭクロム領域に隣接して配置
されたＢＩＮクロム領域とを備える。操作の間、デュア
ルフォトマスクは、一つ目の位置では、ＢＩＮクロム領
域からのパターンがウエハに転写されるのを可能にし、
他の位置では、ＰＳＭクロム領域からのパターンが転写
されるのを可能にする、２つのあらかじめ定められた位
置の間でシフトされる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明は実施の形態の、詳細な説
明を読むことで更に十分に理解することができる。
明を読むことで更に十分に理解することができる。
【００１３】本発明による、デュアルフォトマスクの実
施の形態は、図１及び図２を参照にして以下に示され
る。
施の形態は、図１及び図２を参照にして以下に示され
る。
【００１４】図１、図２を参照にして、ここでは、参照
番号１０で、ひとまとめに指示された本発明のデュアル
フォトマスクは、典型的に大きさが５インチのレティク
ルガラス板１２上に構成される。ＰＳＭクロム領域１４
によって実現されたＰＳＭパターン、及びＢＩＮクロム
領域１６によって実現されたＢＩＮパターンは、レティ
クルガラス板１２上に隣接する方法で形成される。ＰＳ
Ｍクロム領域１４及びＢＩＮクロム領域１６は、フォト
リソグラフィー工程中のパターン転写に使用される。そ
れぞれのＰＳＭクロム領域１４及びＢＩＮクロム領域１
６の機能は、通常のＰＳＭマスク及びＢＩＮマスクと同
じであるので、それについての記述は、更に詳細に説明
されない。ＰＳＭクロム領域１４は、転写されたパター
ン中に、０°から１８０°までの位相シフトを起こすこ
とができる。
番号１０で、ひとまとめに指示された本発明のデュアル
フォトマスクは、典型的に大きさが５インチのレティク
ルガラス板１２上に構成される。ＰＳＭクロム領域１４
によって実現されたＰＳＭパターン、及びＢＩＮクロム
領域１６によって実現されたＢＩＮパターンは、レティ
クルガラス板１２上に隣接する方法で形成される。ＰＳ
Ｍクロム領域１４及びＢＩＮクロム領域１６は、フォト
リソグラフィー工程中のパターン転写に使用される。そ
れぞれのＰＳＭクロム領域１４及びＢＩＮクロム領域１
６の機能は、通常のＰＳＭマスク及びＢＩＮマスクと同
じであるので、それについての記述は、更に詳細に説明
されない。ＰＳＭクロム領域１４は、転写されたパター
ン中に、０°から１８０°までの位相シフトを起こすこ
とができる。
【００１５】更に、照準点１７が、フォトリソグラフィ
ー工程におけるデュアルフォトマスク１０の位置決めの
ために、ＰＳＭクロム領域１４及びＢＩＮクロム領域１
６の周囲に配置されている。更に、薄膜フレーム１８
は、ＰＳＭクロム領域１４及びＢＩＮクロム領域１６
が、ほこり及び異物によって、汚されたり、損傷をうけ
ることから保護する目的のために、ＰＳＭクロム領域１
４及びＢＩＮクロム領域１６の両方を覆うのに使用され
る。
ー工程におけるデュアルフォトマスク１０の位置決めの
ために、ＰＳＭクロム領域１４及びＢＩＮクロム領域１
６の周囲に配置されている。更に、薄膜フレーム１８
は、ＰＳＭクロム領域１４及びＢＩＮクロム領域１６
が、ほこり及び異物によって、汚されたり、損傷をうけ
ることから保護する目的のために、ＰＳＭクロム領域１
４及びＢＩＮクロム領域１６の両方を覆うのに使用され
る。
【００１６】図３と図４は、それぞれ、ウエハ２０上に
２重露光操作を行うフォトリソグラフィー工程中のデュ
アルフォトマスクの適用を描写するために用いられた概
略図である。ここでは、ＰＳＭクロム領域１４によって
定められたパターン、及びＢＩＮクロム領域１６によっ
て定められたパターンが、参照番号２３で指示されたタ
ーゲット領域に転写されることとする。
２重露光操作を行うフォトリソグラフィー工程中のデュ
アルフォトマスクの適用を描写するために用いられた概
略図である。ここでは、ＰＳＭクロム領域１４によって
定められたパターン、及びＢＩＮクロム領域１６によっ
て定められたパターンが、参照番号２３で指示されたタ
ーゲット領域に転写されることとする。
【００１７】２重露光操作において、第１のステップ
は、参照番号２１によって指示された第１のあらかじめ
定められた位置に、デュアルフォトマスク１０を配置す
ることである。この位置２１において、デュアルフォト
マスク１０上のＢＩＮクロム領域１６は、ターゲット領
域２３に位置を合わせられる。露光スキャナー２４は、
次にＢＩＮクロム領域１６を通してターゲット領域２３
を光で露光するために使用される。
は、参照番号２１によって指示された第１のあらかじめ
定められた位置に、デュアルフォトマスク１０を配置す
ることである。この位置２１において、デュアルフォト
マスク１０上のＢＩＮクロム領域１６は、ターゲット領
域２３に位置を合わせられる。露光スキャナー２４は、
次にＢＩＮクロム領域１６を通してターゲット領域２３
を光で露光するために使用される。
【００１８】続いて、デュアルフォトマスク１０は、参
照番号２２で指示された第２のあらかじめ定められた位
置へあらかじめ定められた移動により右にシフトされ
る。この２２の位置で、デュアルフォトマスク１０上の
ＰＳＭクロム領域１４は、ターゲット領域２３に位置を
合わせられる。次に、同じ露光スキャナー２４が、ＰＳ
Ｍクロム領域１４を通してターゲット領域２３を光で露
光するために使用される。
照番号２２で指示された第２のあらかじめ定められた位
置へあらかじめ定められた移動により右にシフトされ
る。この２２の位置で、デュアルフォトマスク１０上の
ＰＳＭクロム領域１４は、ターゲット領域２３に位置を
合わせられる。次に、同じ露光スキャナー２４が、ＰＳ
Ｍクロム領域１４を通してターゲット領域２３を光で露
光するために使用される。
【００１９】以上に述べた２重露光操作の結果として、
ターゲット領域２３はＢＩＮクロム領域１６からのパタ
ーンを、次にＰＳＭクロム領域１４からのパターンを連
続して受け取る。これにより、本発明のデュアルフォト
マスク１０によるターゲット領域２３上の２重露光操作
が完了する。以上述べられた２重露光操作はウエハ中の
全てのターゲット領域が露光されるまで、繰り返され
る。
ターゲット領域２３はＢＩＮクロム領域１６からのパタ
ーンを、次にＰＳＭクロム領域１４からのパターンを連
続して受け取る。これにより、本発明のデュアルフォト
マスク１０によるターゲット領域２３上の２重露光操作
が完了する。以上述べられた２重露光操作はウエハ中の
全てのターゲット領域が露光されるまで、繰り返され
る。
【００２０】以上の説明から理解されるように、本発明
のデュアルフォトマスクは、従来の技術の場合のような
マスクリツーリングなしに２重露光操作を行うことが可
能となる。これにより、２番目に転写されたＰＳＭパタ
ーンが、１番目に転写されたＢＩＮパターンに更に正確
に位置を合わせられることが可能となる。したがって、
本発明はウエハ製造の歩留りを向上することができる。
更に、同じ板上でのＰＳＭクロム領域及びＢＩＮクロム
領域の集積により、デュアルフォトマスクの製造コスト
を、かなり減少することができる。
のデュアルフォトマスクは、従来の技術の場合のような
マスクリツーリングなしに２重露光操作を行うことが可
能となる。これにより、２番目に転写されたＰＳＭパタ
ーンが、１番目に転写されたＢＩＮパターンに更に正確
に位置を合わせられることが可能となる。したがって、
本発明はウエハ製造の歩留りを向上することができる。
更に、同じ板上でのＰＳＭクロム領域及びＢＩＮクロム
領域の集積により、デュアルフォトマスクの製造コスト
を、かなり減少することができる。
【００２１】結論として、本発明は、同じマスク上のＰ
ＳＭクロム領域及びＢＩＮクロム領域の集積（位置ずれ
なしに２重露光操作を更に正確に行うことを可能にする
デュアルフォトマスクと呼ばれる）に特徴づけられる。
本発明はしたがって歩留りを向上し、ウエハ製造のコス
トを減少させることができる。
ＳＭクロム領域及びＢＩＮクロム領域の集積（位置ずれ
なしに２重露光操作を更に正確に行うことを可能にする
デュアルフォトマスクと呼ばれる）に特徴づけられる。
本発明はしたがって歩留りを向上し、ウエハ製造のコス
トを減少させることができる。
【００２２】本発明を実施の形態を用いて説明した。し
かし、本発明の範囲は実施の形態に記載の内容のみに限
定されない。逆に、色々な改良や、似たような配置も発
明の範囲に含まれる。請求の範囲はしたがって、最も広
い解釈に基づいて解釈されるべきであり、それらの変更
や似たような配置を、全て対象に含めるものである。
かし、本発明の範囲は実施の形態に記載の内容のみに限
定されない。逆に、色々な改良や、似たような配置も発
明の範囲に含まれる。請求の範囲はしたがって、最も広
い解釈に基づいて解釈されるべきであり、それらの変更
や似たような配置を、全て対象に含めるものである。
【００２３】
【発明の効果】本発明のデュアルフォトマスクを使用す
ることで、マスクリツーリングなしに２重露光操作をす
ることができ、そのため、２重露光操作を位置ずれなし
に正確に行なうことができる。したがって、歩留りを向
上し、ウエハ製造のコストを減少することができる。
ることで、マスクリツーリングなしに２重露光操作をす
ることができ、そのため、２重露光操作を位置ずれなし
に正確に行なうことができる。したがって、歩留りを向
上し、ウエハ製造のコストを減少することができる。
【図１】本発明のデュアルフォトマスクの平面の概略図
である。
である。
【図２】本発明のデュアルフォトマスクの断面の概略図
である。
である。
【図３】ウエハ上に２重露光操作を行うためのデュアル
フォトマスクの適用を示す概略図である。
フォトマスクの適用を示す概略図である。
【図４】ウエハ上に２重露光操作を行うためのデュアル
フォトマスクの適用を示す概略図である。
フォトマスクの適用を示す概略図である。
１０…デュアルフォトマスク １２…レティクルガラス板 １４…ＰＳＭクロム領域 １６…ＢＩＮクロム領域 １７…照準点 １８…薄膜フレーム ２０…ウエハ ２１…第１のあらかじめ定められた位置 ２２…第２のあらかじめ定められた位置 ２３…ターゲット領域 ２４…露光スキャナー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H095 BA02 BB02 BB03 BC19 BE03 BE08 5F046 AA12 AA25 BA04 BA08 CB17 EB02
Claims (6)
- 【請求項１】 レティクルガラス板と、前記レティクル
ガラス板上に形成されたＰＳＭクロム領域と、前記レテ
ィクルガラス板上に形成され、かつ前記ＰＳＭクロム領
域に隣接して配置されたＢＩＮクロム領域とを備えたこ
とを特徴とするデュアルフォトマスク。 - 【請求項２】 フォトリソグラフィー工程における前記
デュアルフォトマスクの位置決めを補助するために、前
記レティクルガラス板上の、前記ＰＳＭクロム領域及び
前記ＢＩＮクロム領域の周囲に配置された照準点を更に
備えたことを特徴とする請求項１に記載のデュアルフォ
トマスク。 - 【請求項３】 前記ＰＳＭクロム領域及び前記ＢＩＮク
ロム領域を保護するために、前記ＰＳＭクロム領域と前
記ＢＩＮクロム領域とを覆う薄膜フレームを更に備えた
ことを特徴とする請求項１に記載のデュアルフォトマス
ク。 - 【請求項４】 前記レティクルガラス板の大きさが、５
インチであることを特徴とする請求項１に記載のデュア
ルフォトマスク。 - 【請求項５】 前記ＰＳＭクロム領域が、０°から１８
０°までの位相シフトを起こすことができることを特徴
とする請求項１に記載のデュアルフォトマスク。 - 【請求項６】 前記デュアルフォトマスクを通してウエ
ハを露光するために露光スキャナーが使用されるフォト
リソグラフィー工程に使用されることを特徴とする請求
項１に記載のデュアルフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP828299A JP2000206672A (ja) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | バイナリパタ―ン及び位相シフトパタ―ンを備えたデュアルフォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP828299A JP2000206672A (ja) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | バイナリパタ―ン及び位相シフトパタ―ンを備えたデュアルフォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000206672A true JP2000206672A (ja) | 2000-07-28 |
Family
ID=11688839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP828299A Pending JP2000206672A (ja) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | バイナリパタ―ン及び位相シフトパタ―ンを備えたデュアルフォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000206672A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007072423A (ja) * | 2005-09-03 | 2007-03-22 | Hynix Semiconductor Inc | 二重露光用フォトマスク及びこれを用いた二重露光方法 |
| KR100895401B1 (ko) | 2007-12-28 | 2009-05-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토 마스크 및 반도체 소자의 형성 방법 |
-
1999
- 1999-01-14 JP JP828299A patent/JP2000206672A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007072423A (ja) * | 2005-09-03 | 2007-03-22 | Hynix Semiconductor Inc | 二重露光用フォトマスク及びこれを用いた二重露光方法 |
| KR100895401B1 (ko) | 2007-12-28 | 2009-05-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토 마스크 및 반도체 소자의 형성 방법 |
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