JP2000196114A - Solar battery - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池、特に異な
るバンドギャップを有する単位太陽電池を積層したタン
デム型の太陽電池の改良に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement in a solar cell, particularly a tandem type solar cell in which unit solar cells having different band gaps are stacked.
【０００２】[0002]
【従来の技術】異なるバンドギャップを有する単位太陽
電池を積層することにより、広い波長域で光電変換効率
を向上させたタンデム型太陽電池が知られている。特開
平４−２２６０８４号公報にも、このようなタンデム型
の太陽電池が開示されている。2. Description of the Related Art There is known a tandem type solar cell in which photoelectric conversion efficiency is improved in a wide wavelength range by stacking unit solar cells having different band gaps. Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 4-226084 discloses such a tandem-type solar cell.
【０００３】図４には、このような従来のタンデム型太
陽電池の断面図が示される。図４において、太陽電池１
０は、光入射側（図の上側）の単位太陽電池である上部
セル１２と、裏面側の単位太陽電池である下部セル１４
とが積層された構造となっており、一般に上部セル１２
としてバンドギャップ（Ｅｇ）の大きい太陽電池が使用
され、下部セル１４としてバンドギャップの小さい太陽
電池が使用されている。また、太陽電池１０の光入射側
には上部電極１８が、裏面側には下部電極２０がそれぞ
れ設けられており、上部セル１２及び下部セル１４で発
生したキャリアである電子は上部電極１８から、正孔は
下部電極２０からそれぞれ取り出される。FIG. 4 is a cross-sectional view of such a conventional tandem solar cell. In FIG. 4, solar cell 1
0 denotes an upper cell 12 which is a unit solar cell on the light incident side (upper side in the figure) and a lower cell 14 which is a unit solar cell on the back side
Are laminated, and generally, the upper cell 12
A solar cell having a large band gap (Eg) is used as the solar cell, and a solar cell having a small band gap is used as the lower cell 14. An upper electrode 18 is provided on the light incident side of the solar cell 10, and a lower electrode 20 is provided on the back surface side. Electrons, which are carriers generated in the upper cell 12 and the lower cell 14, are emitted from the upper electrode 18. The holes are respectively extracted from the lower electrode 20.
【０００４】この場合、上部セル１２と下部セル１４と
では、それぞれのバンドレベルに隔たりがあるので、上
部セル１２と下部セル１４との接合面で電子及び正孔の
キャリア移動が妨げられる。このため、この接合部分に
トンネルダイオード１６を配置し、接合部分でのキャリ
アの移動を可能としている。[0004] In this case, since the upper cell 12 and the lower cell 14 are separated from each other in band level, carrier movement of electrons and holes is prevented at the junction surface between the upper cell 12 and the lower cell 14. For this reason, the tunnel diode 16 is arranged at this junction to enable the movement of carriers at the junction.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、図４に示され
た従来の太陽電池１０においては、上部セル１２と下部
セル１４との間に設けられたトンネルダイオード１６及
びこれらの界面での抵抗損失や少数キャリアの再結合損
失が多いという問題があった。特に、上記界面では格子
の不整合による欠陥密度が高く、この部分での少数キャ
リアの再結合損失が多かった。However, in the conventional solar cell 10 shown in FIG. 4, the tunnel diode 16 provided between the upper cell 12 and the lower cell 14 and the resistance loss at the interface between them. Also, there is a problem that the recombination loss of the minority carrier is large. In particular, at the interface, the defect density due to lattice mismatch was high, and the recombination loss of minority carriers at this portion was large.
【０００６】本発明は、上記従来の課題に鑑みなされた
ものであり、その目的は、キャリア再結合損失を低減
し、発電効率の高い太陽電池を提供することにある。[0006] The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a solar cell having high power generation efficiency with reduced carrier recombination loss.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、異なるバンドギャップを有する単位太陽
電池を積層したタンデム型の太陽電池であって、太陽電
池の光入射面に設けられ、光入射側の単位太陽電池の一
方の電極となる上部電極と、太陽電池の裏面に設けら
れ、この裏面側に形成されたｎ層とｐ層とにそれぞれ独
立して接続されて光入射側の単位太陽電池の他方の電極
と裏面側の単位太陽電池の一対の電極とに兼用される裏
面電極と、を備え、上記異なるバンドギャップを有する
単位太陽電池のうち裏面側の単位太陽電池の最上面に、
面内に開口部が形成されるように絶縁層を設けたことを
特徴とする。In order to achieve the above object, the present invention is directed to a tandem type solar cell in which unit solar cells having different band gaps are stacked, provided on a light incident surface of the solar cell. An upper electrode serving as one electrode of the unit solar cell on the light incident side, and an n-layer and a p-layer provided on the back surface of the solar cell and independently formed on the back surface of the solar cell. And a back electrode which is also used as a pair of electrodes of the unit solar cell on the back side and the other electrode of the unit solar cell on the back side. On the top,
An insulating layer is provided so that an opening is formed in a plane.
【０００８】また、上記太陽電池において、開口部の総
面積は全表面積の０．０１〜１０％であることを特徴と
する。In the above solar cell, the total area of the openings is 0.01 to 10% of the total surface area.
【０００９】また、上記太陽電池において、開口部の総
面積は全表面積の０．１〜２％であることを特徴とす
る。In the above solar cell, the total area of the openings is 0.1 to 2% of the total surface area.
【００１０】また、異なるバンドギャップを有する単位
太陽電池を積層したタンデム型の太陽電池であって、太
陽電池の光入射面に設けられ、光入射側の単位太陽電池
の一方の電極となる上部電極と、太陽電池の裏面に設け
られ、この裏面側に形成されたｎ層とｐ層とにそれぞれ
独立して接続されて光入射側の単位太陽電池の他方の電
極と裏面側の単位太陽電池の一対の電極とに兼用される
裏面電極と、を備え、異なるバンドギャップを有する単
位太陽電池の間に、水素またはハロゲンを含有する中間
層を設けたことを特徴とする。A tandem type solar cell in which unit solar cells having different band gaps are stacked, wherein the upper electrode is provided on a light incident surface of the solar cell and serves as one electrode of the unit solar cell on the light incident side. And the other electrode of the unit solar cell on the light incident side and the other electrode of the unit solar cell on the back side, which are provided on the back surface of the solar cell and are independently connected to the n-layer and the p-layer formed on the back surface, respectively. A back electrode also serving as a pair of electrodes, and an intermediate layer containing hydrogen or halogen is provided between unit solar cells having different band gaps.
【００１１】また、上記太陽電池において、水素または
ハロゲンの濃度は１ｐｐｍ〜３０％であることを特徴と
する。Further, in the above solar cell, the concentration of hydrogen or halogen is 1 ppm to 30%.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態（以下
実施形態という）を、図面に従って説明する。Embodiments of the present invention (hereinafter referred to as embodiments) will be described below with reference to the drawings.
【００１３】実施形態１．図１には、本発明に係る太陽
電池の実施形態１の構成の断面図が示される。図１にお
いて、太陽電池１０は、バンドギャップ（Ｅｇ）の広い
半導体材料で構成される単位太陽電池である上部セル１
２とバンドギャップの狭い半導体材料で構成される単位
太陽電池である下部セル１４とが積層されたタンデム型
の構造となっている。上部セル１２は、ｎ+層、ｐ層、
ｐ+層が積層されて構成されており、本発明に係る光入
射側の単位太陽電池を構成する。また、その最上部に形
成されたｎ+層に接続されて上部電極１８が設けられて
いる。さらに、ｎ+層の上には絶縁膜２４が形成されて
いる。絶縁膜２４は透明材料で構成されており、太陽光
はこの絶縁膜２４を介して太陽電池１０に入射してく
る。Embodiment 1 FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a solar cell according to Embodiment 1 of the present invention. In FIG. 1, a solar cell 10 is an upper cell 1 which is a unit solar cell made of a semiconductor material having a wide band gap (Eg).
2 and a lower cell 14, which is a unit solar cell made of a semiconductor material having a narrow band gap, has a tandem structure. The upper cell 12 includes an n + layer, a p layer,
It is configured by stacking p + layers, and constitutes the unit solar cell on the light incident side according to the present invention. Further, an upper electrode 18 is provided so as to be connected to the n + layer formed on the uppermost portion. Further, an insulating film 24 is formed on the n + layer. The insulating film 24 is made of a transparent material, and sunlight enters the solar cell 10 through the insulating film 24.
【００１４】また、下部セル１４は、基板となるｐ層の
裏面にｎ+層、ｐ+層が交互に設けられている。各ｎ+層
には負極２６が、各ｐ+層には正極２８がそれぞれ独立
して接続されており、本発明に係る裏面電極を構成して
いる。これらの負極２６及び正極２８は、下部セル１４
の一対の電極を構成するとともに、正極２８が上部セル
１２の一方の電極である上部電極１８に対して他方の電
極としても兼用されている。なお、下部セル１４が本発
明に係る裏面側の単位太陽電池に相当する。In the lower cell 14, n + layers and p + layers are alternately provided on the back surface of the p layer serving as a substrate. A negative electrode 26 is connected to each of the n + layers, and a positive electrode 28 is connected to each of the p + layers independently, and constitutes a back electrode according to the present invention. These negative electrode 26 and positive electrode 28 are connected to lower cell 14.
And the positive electrode 28 is also used as the other electrode with respect to the upper electrode 18 which is one electrode of the upper cell 12. The lower cell 14 corresponds to the unit solar cell on the back side according to the present invention.
【００１５】上述した上部セル１２には、例えば材料と
してＡｌＧａＡｓを使用することができる。そのバンド
ギャップは１．８２ｅＶである。また、この場合ｎ+層
のドーパント濃度は１×１０19ｃｍ-3であり、その厚み
は０．１μｍである。また、ｐ層のドーパント濃度は１
×１０16ｃｍ-3であり、その厚みは１．０μｍである。
更に、ｐ+層のドーパント濃度は１×１０19ｃｍ-3であ
り、その厚みは０．１μｍである。For the upper cell 12 described above, for example, AlGaAs can be used as a material. Its band gap is 1.82 eV. In this case, the dopant concentration of the n + layer is 1 × 10 19 cm −3 , and its thickness is 0.1 μm. The dopant concentration of the p-layer is 1
× 10 16 cm -3 and its thickness is 1.0 μm.
Further, the p + layer has a dopant concentration of 1 × 10 19 cm −3 and a thickness of 0.1 μm.
【００１６】また、下部セル１４の材料としては、例え
ばＳｉを使用することができる。そのバンドギャップは
１．１１ｅＶである。また、この場合ｎ+層のドーパン
ト濃度は１×１０19ｃｍ-3であり、その厚みは１．０μ
ｍである。また、ｐ層のドーパント濃度は５×１０13ｃ
ｍ-3であり、その厚みは１００μｍである。更に、ｐ+
層のドーパント濃度は１×１０19ｃｍ-3であり、その厚
みは１．０μｍである。As a material of the lower cell 14, for example, Si can be used. Its band gap is 1.11 eV. In this case, the n + layer has a dopant concentration of 1 × 10 19 cm −3 and a thickness of 1.0 μm.
m. The dopant concentration of the p layer is 5 × 10 13 c
m −3 and its thickness is 100 μm. Furthermore, p +
The dopant concentration of the layer is 1 × 10 19 cm −3 and its thickness is 1.0 μm.
【００１７】なお、上部セル１２の材料としてはＧａＡ
ｓを使用することもできる。そのバンドギャップは１．
４２ｅＶである。また、下部セル１４の材料としてはＧ
ｅも使用することができ、そのバンドギャップは０．６
６ｅＶである。The material of the upper cell 12 is GaAs.
s can also be used. The band gap is 1.
42 eV. The material of the lower cell 14 is G
e can also be used and have a band gap of 0.6
6 eV.
【００１８】本実施形態において特徴的な点は、下部セ
ル１４の最上面に絶縁層２２を設けた点にある。絶縁層
２２を形成することにより、下部セル１４の上部表面に
存在する未結合手と絶縁層２２を形成する酸素あるいは
窒素とが結合し、格子の欠陥を消滅させることができ
る。これにより、上部セル１２と下部セル１４との界面
における欠陥の存在に基づく少数キャリアの再結合損失
を減少させることができる。A feature of this embodiment is that an insulating layer 22 is provided on the uppermost surface of the lower cell 14. By forming the insulating layer 22, dangling bonds existing on the upper surface of the lower cell 14 and oxygen or nitrogen forming the insulating layer 22 are bonded, and lattice defects can be eliminated. Thereby, it is possible to reduce the recombination loss of minority carriers based on the presence of defects at the interface between the upper cell 12 and the lower cell 14.
【００１９】この絶縁層２２の材料としては、たとえば
ＳｉＯ2、ＳｉＮｘ、ＳｉＣ等を使用することができ
る。また、絶縁層２２の厚さとしては、１〜５０００ｎ
ｍの範囲がよく、特に５０〜５００ｎｍの範囲が好まし
い。As a material of the insulating layer 22, for example, SiO 2 , SiNx, SiC or the like can be used. The thickness of the insulating layer 22 is 1 to 5000 n
The range of m is good, and the range of 50 to 500 nm is particularly preferable.
【００２０】ただし、上部セル１２と下部セル１４との
間に絶縁層２２を設けただけでは、上部セル１２で発生
したキャリア（正孔）を下部セル１４の裏面に設けられ
た正極２８まで移動させることができなくなり、かえっ
て発電効率を落とすこととなる。そこで、絶縁層２２に
は、所定の面積割合で開口部３０が設けられている。こ
の開口部３０の面積割合としては、下部セル１４の最上
面の全表面積に対して、開口部３０の面積が０．０１〜
１０％、好ましくは０．１〜２％とするのがよい。開口
部３０の面積割合を大きくすると、上部セル１２で発生
したキャリアである正孔の移動が良好となり、抵抗損失
を小さくすることができるが、開口部３０の部分におけ
る再結合損失が増加する。従って、上述のような面積割
合とするのが好適である。However, only by providing the insulating layer 22 between the upper cell 12 and the lower cell 14, carriers (holes) generated in the upper cell 12 move to the positive electrode 28 provided on the back surface of the lower cell 14. And the power generation efficiency is reduced. Therefore, the openings 30 are provided in the insulating layer 22 at a predetermined area ratio. The area ratio of the opening 30 is such that the area of the opening 30 is 0.01 to 100% of the total surface area of the uppermost surface of the lower cell 14.
It is good to be 10%, preferably 0.1 to 2%. When the area ratio of the opening 30 is increased, the movement of holes, which are carriers generated in the upper cell 12, is improved and the resistance loss can be reduced, but the recombination loss in the opening 30 increases. Therefore, it is preferable to set the area ratio as described above.
【００２１】図２（ａ），（ｂ）には、絶縁層２２に設
けられた開口部３０の配置の例が示される。図２（ａ）
が開口部３０を正方状に配置した例であり、図２（ｂ）
が六方状に配置した例である。なお、開口部３０の配置
パターンとしてはこれらに限られるものではなく、下部
セル１４の最上面にほぼ均一に分散できていればよい。FIGS. 2A and 2B show examples of the arrangement of the openings 30 provided in the insulating layer 22. FIG. FIG. 2 (a)
Fig. 2B shows an example in which the openings 30 are arranged in a square shape.
Are examples arranged in a hexagon. Note that the arrangement pattern of the openings 30 is not limited to these, and it is sufficient that the openings 30 can be dispersed almost uniformly on the uppermost surface of the lower cell 14.
【００２２】本実施形態に係る太陽電池１０を形成する
際には、まず下部セル１４を形成し、その最上面に絶縁
層２２を形成してから上部セル１２を形成する。この場
合、絶縁層２２の上に形成される上部セル１２のｐ+層
は、その種結晶部が開口部３０の部分に限られるため、
結晶粒径が大きくなる。このため、結晶界面が減少し、
界面でのキャリアの再結合損失が減少するという効果も
得られる。When forming the solar cell 10 according to the present embodiment, first, the lower cell 14 is formed, the insulating layer 22 is formed on the uppermost surface, and then the upper cell 12 is formed. In this case, since the p + layer of the upper cell 12 formed on the insulating layer 22 has a seed crystal portion limited to the opening portion 30,
The crystal grain size increases. For this reason, the crystal interface decreases,
The effect of reducing the recombination loss of carriers at the interface is also obtained.
【００２３】なお、開口部３０におけるｐ+層の不純物
濃度をさらに高め（ｐ++）れば、上部セル１２で発生し
たキャリアの移動をより容易に行うことができ、抵抗損
失をさらに低減することができる。If the impurity concentration of the p + layer in opening 30 is further increased (p ++ ), carriers generated in upper cell 12 can be more easily moved, and the resistance loss can be further reduced. be able to.
【００２４】以上のとおり、本実施形態に係る太陽電池
１０においては、絶縁層２２の形成により下部セル１４
の最上面の格子欠陥を減少でき、キャリア再結合による
損失を減少させるとともに、絶縁層２２に開口部３０を
設け抵抗損失も低減している。これにより、発電効率の
高い太陽電池を実現できる。As described above, in the solar cell 10 according to the present embodiment, the lower cell 14
Can reduce the lattice defects on the uppermost surface, reduce the loss due to carrier recombination, and provide an opening 30 in the insulating layer 22 to reduce the resistance loss. Thereby, a solar cell with high power generation efficiency can be realized.
【００２５】実施形態２．図３には、本発明に係る太陽
電池の実施形態２の構成の断面図が示され、図１と共通
部分には同一符号を付してその説明を省略する。Embodiment 2 FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view of the configuration of the solar cell according to the second embodiment of the present invention, and the same reference numerals are given to the same parts as in FIG. 1 and the description is omitted.
【００２６】図３において、本実施形態に係る太陽電池
１０は、上部セル１２と下部セル１４との間に、水素ま
たはハロゲンを含有する中間層３２が設けられている。
本実施形態では、水素等を含有した中間層３２を下部セ
ル１４の最上面に形成した後に、上部セル１２を形成
し、その後還元雰囲気等で熱処理を行う。これにより、
上部セル１２と下部セル１４との界面に水素やハロゲン
等の元素が拡散し、ここに存在する未結合手と結合し、
界面における格子欠陥を減少させる。これによって、界
面部分でのキャリア再結合損失を減少させることができ
る。したがって、タンデム型太陽電池の発電量を増加で
き、光電変換効率を向上させることが可能となる。In FIG. 3, the solar cell 10 according to the present embodiment is provided with an intermediate layer 32 containing hydrogen or halogen between the upper cell 12 and the lower cell 14.
In the present embodiment, after the intermediate layer 32 containing hydrogen or the like is formed on the uppermost surface of the lower cell 14, the upper cell 12 is formed, and then heat treatment is performed in a reducing atmosphere or the like. This allows
Elements such as hydrogen and halogen diffuse into the interface between the upper cell 12 and the lower cell 14 and combine with the dangling bonds existing there,
Reduce lattice defects at the interface. As a result, carrier recombination loss at the interface can be reduced. Therefore, the power generation amount of the tandem solar cell can be increased, and the photoelectric conversion efficiency can be improved.
【００２７】上述した中間層３２の厚みとしては、例え
ば１〜１０００ｎｍ程度がよい。厚くしすぎると、抵抗
損失が大きくなり、また薄すぎると中間層３２を設けた
効果を発揮できなくなる。The thickness of the intermediate layer 32 is preferably, for example, about 1 to 1000 nm. If the thickness is too large, the resistance loss increases. If the thickness is too small, the effect of providing the intermediate layer 32 cannot be exhibited.
【００２８】また、中間層３２に含有される水素やハロ
ゲン等の濃度は、１ｐｐｍ〜３０％程度がよい。この濃
度も高くしすぎると抵抗損失が大きくなり、また低すぎ
ると効果が発揮できない。なお、中間層３２への水素や
ハロゲンの添加方法としては、例えばイオン注入等を使
用することができる。The concentration of hydrogen, halogen and the like contained in the intermediate layer 32 is preferably about 1 ppm to 30%. If the concentration is too high, the resistance loss increases, and if it is too low, the effect cannot be exhibited. As a method for adding hydrogen or halogen to the intermediate layer 32, for example, ion implantation or the like can be used.
【００２９】本実施形態においては、中間層３２は下部
セル１４の最上面に形成しているが、これを上部セル１
２の最下面に形成してもよい。また、実施形態１に示さ
れた、開口部３０を有する絶縁層２２に水素やハロゲン
等を含有させ、熱処理等により上部セル１２と下部セル
１４との界面に拡散させても、未結合手を減少させる効
果を得られる。In the present embodiment, the intermediate layer 32 is formed on the uppermost surface of the lower cell 14, but this is
2 may be formed on the lowermost surface. Further, even if hydrogen, halogen, or the like is contained in the insulating layer 22 having the opening 30 shown in the first embodiment and is diffused at the interface between the upper cell 12 and the lower cell 14 by heat treatment or the like, unbonded bonds can be obtained. The effect of reducing is obtained.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
絶縁層により、格子欠陥を低減でき、また同時に開口部
によりキャリアの通過が可能となるので、再結合損失と
抵抗損失とを同時に低減することができる。As described above, according to the present invention,
The insulating layer can reduce lattice defects, and at the same time allow carriers to pass through the opening, so that recombination loss and resistance loss can be reduced at the same time.
【００３１】また、水素やハロゲンを未結合手と結合さ
せることにより、格子欠陥を低減でき、上部セルと下部
セルとの界面における再結合損失を低減することができ
る。By combining hydrogen and halogen with dangling bonds, lattice defects can be reduced and recombination loss at the interface between the upper cell and the lower cell can be reduced.
【図１】 本発明に係る太陽電池の実施形態１の構成の
断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a configuration of a solar cell according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 図１に示された開口部の配置の例を示す図で
ある。FIG. 2 is a diagram showing an example of an arrangement of openings shown in FIG. 1;
【図３】 本発明に係る太陽電池の実施形態２の構成の
断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a configuration of a solar cell according to a second embodiment of the present invention.
【図４】 従来におけるタンデム型太陽電池の構造を示
す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a structure of a conventional tandem solar cell.
１０ 太陽電池、１２ 上部セル、１４ 下部セル、１
６ トンネルダイオード、１８ 上部電極、２０ 下部
電極、２２ 絶縁層、２４ 絶縁膜、２６ 負極、２８
正極、３０ 開口部、３２ 中間層。10 solar cells, 12 upper cells, 14 lower cells, 1
6 tunnel diode, 18 upper electrode, 20 lower electrode, 22 insulating layer, 24 insulating film, 26 negative electrode, 28
Positive electrode, 30 openings, 32 intermediate layers.
Claims (5)
電池を積層したタンデム型の太陽電池であって、 前記太陽電池の光入射面に設けられ、光入射側の前記単
位太陽電池の一方の電極となる上部電極と、 前記太陽電池の裏面に設けられ、この裏面側に形成され
たｎ層とｐ層とにそれぞれ独立して接続されて前記光入
射側の単位太陽電池の他方の電極と裏面側の前記単位太
陽電池の一対の電極とに兼用される裏面電極と、を備
え、 前記異なるバンドギャップを有する単位太陽電池のうち
裏面側の単位太陽電池の最上面に、面内に開口部が形成
されるように絶縁層を設けたことを特徴とする太陽電
池。1. A tandem type solar cell in which unit solar cells having different band gaps are stacked, provided on a light incident surface of the solar cell, and serving as one electrode of the unit solar cell on a light incident side. An upper electrode, provided on the back surface of the solar cell, and independently connected to an n-layer and a p-layer formed on the back surface, respectively, and the other electrode of the unit solar cell on the light incident side and the back electrode A back electrode that is also used as a pair of electrodes of the unit solar cell; and an upper surface of the unit solar cell on the back side of the unit solar cells having the different band gaps, an opening is formed in the plane. A solar cell comprising an insulating layer provided as described above.
開口部の総面積は全表面積の０．０１〜１０％であるこ
とを特徴とする太陽電池。2. The solar cell according to claim 1, wherein the total area of the openings is 0.01 to 10% of the total surface area.
開口部の総面積は全表面積の０．１〜２％であることを
特徴とする太陽電池。3. The solar cell according to claim 1, wherein the total area of the openings is 0.1 to 2% of the total surface area.
電池を積層したタンデム型の太陽電池であって、 前記太陽電池の光入射面に設けられ、光入射側の前記単
位太陽電池の一方の電極となる上部電極と、 前記太陽電池の裏面に設けられ、この裏面側に形成され
たｎ層とｐ層とにそれぞれ独立して接続されて前記光入
射側の単位太陽電池の他方の電極と裏面側の前記単位太
陽電池の一対の電極とに兼用される裏面電極と、を備
え、 前記異なるバンドギャップを有する単位太陽電池の間
に、水素またはハロゲンを含有する中間層を設けたこと
を特徴とする太陽電池。4. A tandem solar cell in which unit solar cells having different band gaps are stacked, provided on a light incident surface of the solar cell, and serving as one electrode of the unit solar cell on a light incident side. An upper electrode, provided on the back surface of the solar cell, and independently connected to an n-layer and a p-layer formed on the back surface, respectively, and the other electrode of the unit solar cell on the light incident side and the back electrode A back electrode used also as a pair of electrodes of the unit solar cell, wherein an intermediate layer containing hydrogen or halogen is provided between the unit solar cells having different band gaps. battery.
水素またはハロゲンの濃度は１ｐｐｍ〜３０％であるこ
とを特徴とする太陽電池。5. The solar cell according to claim 4, wherein the concentration of the hydrogen or the halogen is 1 ppm to 30%.
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