JP2000195867A - 象嵌技法を利用した微細金属パタ―ン形成方法 - Google Patents
象嵌技法を利用した微細金属パタ―ン形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属膜の幅を広く確保可能として素子の動作
速度を向上させることができ、従来のように金属膜，拡
散防止膜及び接着膜を同時に蝕刻せずに、金属膜のみを
蝕刻することにより工程を容易に制御可能である象嵌技
法を利用した半導体素子の微細金属パターン形成方法を
提供する。 【解決手段】 接着膜（glue layer）及び拡散防止膜を
順に形成する第１ステップと、上記拡散防止膜上に上記
微細パターン領域を定義する絶縁膜パターンを形成する
第２ステップと、上記微細パターン領域に金属膜を形成
する第３ステップと、上記金属膜上に蝕刻停止膜を形成
する第４ステップと、上記絶縁膜パターンを除去して上
記拡散防止膜を露出させる第５ステップと、上記蝕刻停
止膜を蝕刻マスクとして上記拡散防止膜及び上記接着膜
を選択的に蝕刻する第６ステップとを含む構成とする。
速度を向上させることができ、従来のように金属膜，拡
散防止膜及び接着膜を同時に蝕刻せずに、金属膜のみを
蝕刻することにより工程を容易に制御可能である象嵌技
法を利用した半導体素子の微細金属パターン形成方法を
提供する。 【解決手段】 接着膜（glue layer）及び拡散防止膜を
順に形成する第１ステップと、上記拡散防止膜上に上記
微細パターン領域を定義する絶縁膜パターンを形成する
第２ステップと、上記微細パターン領域に金属膜を形成
する第３ステップと、上記金属膜上に蝕刻停止膜を形成
する第４ステップと、上記絶縁膜パターンを除去して上
記拡散防止膜を露出させる第５ステップと、上記蝕刻停
止膜を蝕刻マスクとして上記拡散防止膜及び上記接着膜
を選択的に蝕刻する第６ステップとを含む構成とする。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は半導体素子製造方法
に関し、特にワードライン（word line）またはビット
ライン（bit line）のような微細パターン形成におい
て、微細パターンを絶縁する絶縁膜パターンを形成し、
絶縁膜パターン間に形成されたホール内に伝導膜材料を
伝導膜パターンの高さより低く蒸着するかあるいはホー
ル内に伝導膜材料を蒸着した後、この伝導膜を蝕刻して
微細パターンを形成するようにした象嵌技法を利用した
半導体素子の微細金属パターン形成方法に関するもので
ある。
に関し、特にワードライン（word line）またはビット
ライン（bit line）のような微細パターン形成におい
て、微細パターンを絶縁する絶縁膜パターンを形成し、
絶縁膜パターン間に形成されたホール内に伝導膜材料を
伝導膜パターンの高さより低く蒸着するかあるいはホー
ル内に伝導膜材料を蒸着した後、この伝導膜を蝕刻して
微細パターンを形成するようにした象嵌技法を利用した
半導体素子の微細金属パターン形成方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】添付した図１ないし図７を参照し従来の
象嵌技法を利用した微細金属パターン形成方法を説明す
る。
象嵌技法を利用した微細金属パターン形成方法を説明す
る。
【０００３】まず、図１に示したように半導体基板１０
上に第１絶縁膜１１を形成して、第１絶縁膜１１を選択
的に蝕刻し、金属パターンが形成される部分を露出させ
る。
上に第１絶縁膜１１を形成して、第１絶縁膜１１を選択
的に蝕刻し、金属パターンが形成される部分を露出させ
る。
【０００４】次に、図２に示したように、全体構造上に
第２絶縁膜を蒸着し、第２絶縁膜を全面蝕刻して、第１
絶縁膜１１側壁に絶縁膜スペーサ１２を形成する。
第２絶縁膜を蒸着し、第２絶縁膜を全面蝕刻して、第１
絶縁膜１１側壁に絶縁膜スペーサ１２を形成する。
【０００５】次に、図３に示したように、全体構造上に
金属膜と下部層（半導体基板）との間の接着力を向上さ
せるための接着膜（glue layer）１３を形成し、接着膜
１３上に接着膜１３と金属膜との間の相互反応を抑制す
るための拡散防止膜１４を蒸着した後、図４に示したよ
うに、拡散防止膜１４上に金属膜１５を形成する。
金属膜と下部層（半導体基板）との間の接着力を向上さ
せるための接着膜（glue layer）１３を形成し、接着膜
１３上に接着膜１３と金属膜との間の相互反応を抑制す
るための拡散防止膜１４を蒸着した後、図４に示したよ
うに、拡散防止膜１４上に金属膜１５を形成する。
【０００６】次に、図５に示したように、金属膜１５，
拡散防止膜１４及び接着膜１３を蝕刻して絶縁膜１１及
び絶縁膜スペーサ１２によって絶縁される金属パターン
を形成する。
拡散防止膜１４及び接着膜１３を蝕刻して絶縁膜１１及
び絶縁膜スペーサ１２によって絶縁される金属パターン
を形成する。
【０００７】次に、図６に示したように、以後に実施さ
れる自己整列コンタクト（Self Align Contact）形成の
ための第１絶縁膜１１の蝕刻工程で、金属パターンを保
護するための蝕刻停止膜（etch stop layer）１６を蒸
着する。
れる自己整列コンタクト（Self Align Contact）形成の
ための第１絶縁膜１１の蝕刻工程で、金属パターンを保
護するための蝕刻停止膜（etch stop layer）１６を蒸
着する。
【０００８】次に、図７に示したように、絶縁膜１１が
露出するまで蝕刻停止膜１６を化学的機械的に研磨（ch
emical mechanical polishing）または蝕刻して金属パ
ターン上にのみ蝕刻停止膜１６が残るように平坦化させ
る。
露出するまで蝕刻停止膜１６を化学的機械的に研磨（ch
emical mechanical polishing）または蝕刻して金属パ
ターン上にのみ蝕刻停止膜１６が残るように平坦化させ
る。
【０００９】前述のような従来の象嵌技法を利用した微
細金属パターン形成方法は、微細金属パターンの主材料
である金属膜１５を、拡散防止膜１４及び接着膜１３と
共に一度に蝕刻することから工程制御が容易ではなく、
拡散防止膜１４及び接着膜１３が金属膜１５の両側面及
び底面を取り囲む構造で微細パターンが形成されること
により、金属パターンの主材料である金属膜１５の幅が
意図したものより狭くなり、速い動作速度を得ることが
難しいという問題がある。
細金属パターン形成方法は、微細金属パターンの主材料
である金属膜１５を、拡散防止膜１４及び接着膜１３と
共に一度に蝕刻することから工程制御が容易ではなく、
拡散防止膜１４及び接着膜１３が金属膜１５の両側面及
び底面を取り囲む構造で微細パターンが形成されること
により、金属パターンの主材料である金属膜１５の幅が
意図したものより狭くなり、速い動作速度を得ることが
難しいという問題がある。
【００１０】このような従来の技術を０．１３μm以下
の線幅を有する高集積素子製造に適用する場合には、金
属膜の幅を広く確保するためにスペーサをなす第２絶縁
膜１２、拡散防止膜１４及び接着膜１３の厚さをできる
だけ減らす必要がある等の工程開発上の難しさがある。
の線幅を有する高集積素子製造に適用する場合には、金
属膜の幅を広く確保するためにスペーサをなす第２絶縁
膜１２、拡散防止膜１４及び接着膜１３の厚さをできる
だけ減らす必要がある等の工程開発上の難しさがある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点を
解決するために創案されたものであり、微細パターンの
主材料である金属膜の幅をさらに大きく確保することに
より素子の動作速度を向上させ、従来の技術におけるよ
うな金属膜、拡散防止膜及び接着膜を同時に蝕刻せずに
金属膜のみを蝕刻することにより、工程を容易に制御す
ることができる、象嵌技法を利用した半導体素子の微細
金属パターン形成方法を提供することにその目的があ
る。
解決するために創案されたものであり、微細パターンの
主材料である金属膜の幅をさらに大きく確保することに
より素子の動作速度を向上させ、従来の技術におけるよ
うな金属膜、拡散防止膜及び接着膜を同時に蝕刻せずに
金属膜のみを蝕刻することにより、工程を容易に制御す
ることができる、象嵌技法を利用した半導体素子の微細
金属パターン形成方法を提供することにその目的があ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、接着膜（glue layer）及び拡散防止膜を順
に形成する第１ステップと、上記拡散防止膜上に上記微
細パターン領域を定義する絶縁膜パターンを形成する第
２ステップと、上記微細パターン領域に金属膜を形成す
る第３ステップと、上記金属膜上に蝕刻停止膜を形成す
る第４ステップと、上記絶縁膜パターンを除去して上記
拡散防止膜を露出させる第５ステップと、上記蝕刻停止
膜を蝕刻マスクとして上記拡散防止膜及び上記接着膜を
選択的に蝕刻する第６ステップとを含む構成とする。
に本発明は、接着膜（glue layer）及び拡散防止膜を順
に形成する第１ステップと、上記拡散防止膜上に上記微
細パターン領域を定義する絶縁膜パターンを形成する第
２ステップと、上記微細パターン領域に金属膜を形成す
る第３ステップと、上記金属膜上に蝕刻停止膜を形成す
る第４ステップと、上記絶縁膜パターンを除去して上記
拡散防止膜を露出させる第５ステップと、上記蝕刻停止
膜を蝕刻マスクとして上記拡散防止膜及び上記接着膜を
選択的に蝕刻する第６ステップとを含む構成とする。
【００１３】また、上記目的を達成するために本発明
は、接着膜（glue layer）及び拡散防止膜を順に形成す
る第１ステップと、上記拡散防止膜上に第１絶縁膜を形
成し、上記第１絶縁膜を選択的に蝕刻して微細パターン
領域を定義する第１絶縁膜パターンを形成する第２ステ
ップと、上記第２ステップが完了した全体構造上に第２
絶縁膜を形成して、上記第２絶縁膜を全面蝕刻して上記
第１絶縁膜パターン側壁に絶縁膜スペーサを形成する第
３ステップと、上記微細パターン領域に金属膜を形成す
る第４ステップと、上記金属膜上に蝕刻停止膜を形成す
る第５ステップと、上記絶縁膜パターンを除去して上記
拡散防止膜を露出させる第６ステップと、上記蝕刻停止
膜を蝕刻マスクとして上記拡散防止膜及び上記接着膜を
選択的に蝕刻する第７ステップとを含む構成とする。
は、接着膜（glue layer）及び拡散防止膜を順に形成す
る第１ステップと、上記拡散防止膜上に第１絶縁膜を形
成し、上記第１絶縁膜を選択的に蝕刻して微細パターン
領域を定義する第１絶縁膜パターンを形成する第２ステ
ップと、上記第２ステップが完了した全体構造上に第２
絶縁膜を形成して、上記第２絶縁膜を全面蝕刻して上記
第１絶縁膜パターン側壁に絶縁膜スペーサを形成する第
３ステップと、上記微細パターン領域に金属膜を形成す
る第４ステップと、上記金属膜上に蝕刻停止膜を形成す
る第５ステップと、上記絶縁膜パターンを除去して上記
拡散防止膜を露出させる第６ステップと、上記蝕刻停止
膜を蝕刻マスクとして上記拡散防止膜及び上記接着膜を
選択的に蝕刻する第７ステップとを含む構成とする。
【００１４】本発明においては、金属膜と下部層との間
の接着力を向上させるための接着膜及び金属膜と接着膜
との間の相互反応を防止するための拡散防止膜をまず蒸
着して、微細金属パターンの間を絶縁するための絶縁膜
を形成し、絶縁膜を蝕刻して微細金属パターンと連結す
る拡散防止膜を露出させた後、金属膜を形成し、微細金
属パターンを形成することにより、微細パターンの主材
料である金属膜の幅を増加させて素子の動作速度を向上
させるだけでなく金属膜のみを蝕刻することにより、工
程を容易に制御可能である点に特徴がある。
の接着力を向上させるための接着膜及び金属膜と接着膜
との間の相互反応を防止するための拡散防止膜をまず蒸
着して、微細金属パターンの間を絶縁するための絶縁膜
を形成し、絶縁膜を蝕刻して微細金属パターンと連結す
る拡散防止膜を露出させた後、金属膜を形成し、微細金
属パターンを形成することにより、微細パターンの主材
料である金属膜の幅を増加させて素子の動作速度を向上
させるだけでなく金属膜のみを蝕刻することにより、工
程を容易に制御可能である点に特徴がある。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例にかかる
象嵌技法を利用した微細金属パターン形成方法を図８な
いし図１８を参照して説明する。
象嵌技法を利用した微細金属パターン形成方法を図８な
いし図１８を参照して説明する。
【００１６】まず、図８に示したように、半導体基板２
０上に金属膜と下部層（半導体基板）との間の接着力を
向上させるための接着膜２１と、この接着膜２１と金属
膜との間の相互反応を抑制するための拡散防止膜２２を
順に形成する。この際、接着膜２１はＴｉ等で形成し、
拡散防止膜２２をＴｉＮまたはＷＮｘ等で形成する。
０上に金属膜と下部層（半導体基板）との間の接着力を
向上させるための接着膜２１と、この接着膜２１と金属
膜との間の相互反応を抑制するための拡散防止膜２２を
順に形成する。この際、接着膜２１はＴｉ等で形成し、
拡散防止膜２２をＴｉＮまたはＷＮｘ等で形成する。
【００１７】次に、図９に示したように、拡散防止膜２
２上にＳｉＯ2 系列の絶縁物質で第１絶縁膜２３を形成
し、図１０に示したように、第１絶縁膜２３を選択的に
蝕刻して金属パターンが形成される部分の拡散防止膜２
２を露出させる第１絶縁膜２３パターンを形成した後、
図１１に示したように、全体構造上にＳｉＮまたはＳｉ
ＯＮ系列の絶縁物質で第２絶縁膜を蒸着し、この後、第
２絶縁膜を全面蝕刻して第１絶縁膜２３パターンの側壁
に絶縁膜スペーサ２４を形成する。上記絶縁膜スペーサ
２４は、以後の第１絶縁膜２３パターンを除去する工程
で微細金属パターンを保護するためのものである。
２上にＳｉＯ2 系列の絶縁物質で第１絶縁膜２３を形成
し、図１０に示したように、第１絶縁膜２３を選択的に
蝕刻して金属パターンが形成される部分の拡散防止膜２
２を露出させる第１絶縁膜２３パターンを形成した後、
図１１に示したように、全体構造上にＳｉＮまたはＳｉ
ＯＮ系列の絶縁物質で第２絶縁膜を蒸着し、この後、第
２絶縁膜を全面蝕刻して第１絶縁膜２３パターンの側壁
に絶縁膜スペーサ２４を形成する。上記絶縁膜スペーサ
２４は、以後の第１絶縁膜２３パターンを除去する工程
で微細金属パターンを保護するためのものである。
【００１８】次に、図１２に示したように、金属膜２５
を形成して金属パターンが形成される領域を埋め込み、
図１３に示したように、第１絶縁膜２３パターンの表面
が露出するまで金属膜２５を化学的機械的に研磨した
後、図１４に示したように、金属膜２５を蝕刻して第１
絶縁膜２３パターンより金属膜２５が低くなるようにす
る。
を形成して金属パターンが形成される領域を埋め込み、
図１３に示したように、第１絶縁膜２３パターンの表面
が露出するまで金属膜２５を化学的機械的に研磨した
後、図１４に示したように、金属膜２５を蝕刻して第１
絶縁膜２３パターンより金属膜２５が低くなるようにす
る。
【００１９】次に、図１５に示したように、以後に実施
される自己整列コンタクト（Self Align Contact）形成
のための第１絶縁膜２３パターンの除去工程で金属膜２
５を保護するためにＳｉＮまたはＳｉＯＮ等で蝕刻停止
膜（etch stop layer）２６を蒸着し、図１６に示した
ように、第１絶縁膜２３パターンの表面が露出される時
まで蝕刻停止膜２６を化学的機械的に研磨または蝕刻し
て金属膜２５上にのみ蝕刻停止膜２６が残るように平坦
化させる。
される自己整列コンタクト（Self Align Contact）形成
のための第１絶縁膜２３パターンの除去工程で金属膜２
５を保護するためにＳｉＮまたはＳｉＯＮ等で蝕刻停止
膜（etch stop layer）２６を蒸着し、図１６に示した
ように、第１絶縁膜２３パターンの表面が露出される時
まで蝕刻停止膜２６を化学的機械的に研磨または蝕刻し
て金属膜２５上にのみ蝕刻停止膜２６が残るように平坦
化させる。
【００２０】次に、図１７に示したように、第１絶縁膜
２３のパターンを除去して拡散防止膜２２を露出させ、
図１８に示したように、拡散防止膜２２及び接着膜２１
を選択的に蝕刻して微細金属パターン形成工程を完了す
る。この際、拡散防止膜２２及び接着膜２１の蝕刻の際
に、蝕刻停止膜２６を蝕刻マスクとして利用する。
２３のパターンを除去して拡散防止膜２２を露出させ、
図１８に示したように、拡散防止膜２２及び接着膜２１
を選択的に蝕刻して微細金属パターン形成工程を完了す
る。この際、拡散防止膜２２及び接着膜２１の蝕刻の際
に、蝕刻停止膜２６を蝕刻マスクとして利用する。
【００２１】本発明の他の実施例にかかる象嵌技法を利
用した微細金属パターン形成方法を図１９ないし図２６
を参照して説明する。
用した微細金属パターン形成方法を図１９ないし図２６
を参照して説明する。
【００２２】まず、図１９に示したように、半導体基板
３０上に金属膜と下部層（半導体基板）との間の接着力
を向上させるための接着膜３１及び接着膜３１と金属膜
との間の相互反応を抑制するための拡散防止膜３２を順
に形成する。この際、接着膜３１はＴｉ等で形成し、拡
散防止膜３２はＴｉＮまたはＷＮｘ等で形成する。
３０上に金属膜と下部層（半導体基板）との間の接着力
を向上させるための接着膜３１及び接着膜３１と金属膜
との間の相互反応を抑制するための拡散防止膜３２を順
に形成する。この際、接着膜３１はＴｉ等で形成し、拡
散防止膜３２はＴｉＮまたはＷＮｘ等で形成する。
【００２３】次に、図２０に示したように、拡散防止膜
３２上にＳｉＯ2 系列の絶縁物質で第１絶縁膜３３を形
成し、この第１絶縁膜３３を選択的に蝕刻して金属パタ
ーンが形成される部分の拡散防止膜３２を露出させる第
１絶縁膜３３パターンを形成した後、図２１に示したよ
うに、全体構造上にＳｉＮまたはＳｉＯＮ系列の絶縁物
質で第２絶縁膜を蒸着し、この第２絶縁膜を全面蝕刻し
て第１絶縁膜３３のパターン側壁に絶縁膜スペーサ３４
を形成する。上記絶縁膜スペーサ３４は、以後の第１絶
縁膜３３パターンの除去工程で微細金属パターンを保護
するためのものである。
３２上にＳｉＯ2 系列の絶縁物質で第１絶縁膜３３を形
成し、この第１絶縁膜３３を選択的に蝕刻して金属パタ
ーンが形成される部分の拡散防止膜３２を露出させる第
１絶縁膜３３パターンを形成した後、図２１に示したよ
うに、全体構造上にＳｉＮまたはＳｉＯＮ系列の絶縁物
質で第２絶縁膜を蒸着し、この第２絶縁膜を全面蝕刻し
て第１絶縁膜３３のパターン側壁に絶縁膜スペーサ３４
を形成する。上記絶縁膜スペーサ３４は、以後の第１絶
縁膜３３パターンの除去工程で微細金属パターンを保護
するためのものである。
【００２４】次に、図２２に示したように微細金属パタ
ーンが形成される領域に選択的な蒸着方法で所望厚さの
金属膜３５を形成する。この際、金属膜３５が第１絶縁
膜３３パターンより高くならないようにする。
ーンが形成される領域に選択的な蒸着方法で所望厚さの
金属膜３５を形成する。この際、金属膜３５が第１絶縁
膜３３パターンより高くならないようにする。
【００２５】次に、図２３に示したように、以後に実施
される自己整列コンタクト形成のための第１絶縁膜３３
の蝕刻工程で金属膜３５を保護するために、ＳｉＮまた
はＳｉＯＮ等で蝕刻停止膜３６を蒸着し、図２４に示し
たように第１絶縁膜３３パターン表面が露出するまで蝕
刻停止膜３６を化学的機械的に研磨または蝕刻して、金
属膜３５上のみに蝕刻停止膜３６が残るように平坦化さ
せる。
される自己整列コンタクト形成のための第１絶縁膜３３
の蝕刻工程で金属膜３５を保護するために、ＳｉＮまた
はＳｉＯＮ等で蝕刻停止膜３６を蒸着し、図２４に示し
たように第１絶縁膜３３パターン表面が露出するまで蝕
刻停止膜３６を化学的機械的に研磨または蝕刻して、金
属膜３５上のみに蝕刻停止膜３６が残るように平坦化さ
せる。
【００２６】次に、図２５に示したように、第１絶縁膜
３３のパターンを除去して拡散防止膜３２を露出させ、
図２６に示したように、拡散防止膜３２及び接着膜３１
を選択的に蝕刻して微細金属パターン形成工程を完了す
る。この際、拡散防止膜３２及び接着膜３１の蝕刻の際
に蝕刻停止膜３６を蝕刻マスクとして利用する。
３３のパターンを除去して拡散防止膜３２を露出させ、
図２６に示したように、拡散防止膜３２及び接着膜３１
を選択的に蝕刻して微細金属パターン形成工程を完了す
る。この際、拡散防止膜３２及び接着膜３１の蝕刻の際
に蝕刻停止膜３６を蝕刻マスクとして利用する。
【００２７】以上説明した本発明は、前述の実施例及び
添付した図面により限定されるものではなく、本発明の
技術的思想を逸脱しない範囲で様々な置換，変形及び変
更が可能であることは、本発明が属する技術分野におけ
る通常の知識を有する当業者においては自明である。
添付した図面により限定されるものではなく、本発明の
技術的思想を逸脱しない範囲で様々な置換，変形及び変
更が可能であることは、本発明が属する技術分野におけ
る通常の知識を有する当業者においては自明である。
【００２８】
【発明の効果】上記説明のように本発明においては、従
来の象嵌技法を利用した微細金属パターン形成方法に比
べて、容易な工程にて微細金属パターンを形成でき、ま
た、金属パターンの幅を増加させることができることか
ら、素子の動作速度を向上させることができる効果を奏
する。
来の象嵌技法を利用した微細金属パターン形成方法に比
べて、容易な工程にて微細金属パターンを形成でき、ま
た、金属パターンの幅を増加させることができることか
ら、素子の動作速度を向上させることができる効果を奏
する。
【図１】従来の象嵌技法を利用した微細金属パターンの
形成工程を示す断面図である。
形成工程を示す断面図である。
【図２】従来の象嵌技法を利用した微細金属パターンの
形成工程を示す断面図である。
形成工程を示す断面図である。
【図３】従来の象嵌技法を利用した微細金属パターンの
形成工程を示す断面図である。
形成工程を示す断面図である。
【図４】従来の象嵌技法を利用した微細金属パターンの
形成工程を示す断面図である。
形成工程を示す断面図である。
【図５】従来の象嵌技法を利用した微細金属パターンの
形成工程を示す断面図である。
形成工程を示す断面図である。
【図６】従来の象嵌技法を利用した微細金属パターンの
形成工程を示す断面図である。
形成工程を示す断面図である。
【図７】従来の象嵌技法を利用した微細金属パターンの
形成工程を示す断面図である。
形成工程を示す断面図である。
【図８】本発明の一実施例にかかる象嵌技法を利用した
微細金属パターンの形成工程を示す断面図である。
微細金属パターンの形成工程を示す断面図である。
【図９】本発明の一実施例にかかる象嵌技法を利用した
微細金属パターンの形成工程を示す断面図である。
微細金属パターンの形成工程を示す断面図である。
【図１０】本発明の一実施例にかかる象嵌技法を利用し
た微細金属パターンの形成工程を示す断面図である。
た微細金属パターンの形成工程を示す断面図である。
【図１１】本発明の一実施例にかかる象嵌技法を利用し
た微細金属パターンの形成工程を示す断面図である。
た微細金属パターンの形成工程を示す断面図である。
【図１２】本発明の一実施例にかかる象嵌技法を利用し
た微細金属パターンの形成工程を示す断面図である。
た微細金属パターンの形成工程を示す断面図である。
【図１３】本発明の一実施例にかかる象嵌技法を利用し
た微細金属パターンの形成工程を示す断面図である。
た微細金属パターンの形成工程を示す断面図である。
【図１４】本発明の一実施例にかかる象嵌技法を利用し
た微細金属パターンの形成工程を示す断面図である。
た微細金属パターンの形成工程を示す断面図である。
【図１５】本発明の一実施例にかかる象嵌技法を利用し
た微細金属パターンの形成工程を示す断面図である。
た微細金属パターンの形成工程を示す断面図である。
【図１６】本発明の一実施例にかかる象嵌技法を利用し
た微細金属パターンの形成工程を示す断面図である。
た微細金属パターンの形成工程を示す断面図である。
【図１７】本発明の一実施例にかかる象嵌技法を利用し
た微細金属パターンの形成工程を示す断面図である。
た微細金属パターンの形成工程を示す断面図である。
【図１８】本発明の一実施例にかかる象嵌技法を利用し
た微細金属パターンの形成工程を示す断面図である。
た微細金属パターンの形成工程を示す断面図である。
【図１９】本発明の他の実施例にかかる象嵌技法を利用
した微細金属パターンの形成工程の断面図である。
した微細金属パターンの形成工程の断面図である。
【図２０】本発明の他の実施例にかかる象嵌技法を利用
した微細金属パターンの形成工程の断面図である。
した微細金属パターンの形成工程の断面図である。
【図２１】本発明の他の実施例にかかる象嵌技法を利用
した微細金属パターンの形成工程の断面図である。
した微細金属パターンの形成工程の断面図である。
【図２２】本発明の他の実施例にかかる象嵌技法を利用
した微細金属パターンの形成工程の断面図である。
した微細金属パターンの形成工程の断面図である。
【図２３】本発明の他の実施例にかかる象嵌技法を利用
した微細金属パターンの形成工程の断面図である。
した微細金属パターンの形成工程の断面図である。
【図２４】本発明の他の実施例にかかる象嵌技法を利用
した微細金属パターンの形成工程の断面図である。
した微細金属パターンの形成工程の断面図である。
【図２５】本発明の他の実施例にかかる象嵌技法を利用
した微細金属パターンの形成工程の断面図である。
した微細金属パターンの形成工程の断面図である。
【図２６】本発明の他の実施例にかかる象嵌技法を利用
した微細金属パターンの形成工程の断面図である。
した微細金属パターンの形成工程の断面図である。
２０、３０ 半導体基板 ２１、３１ 接着膜 ２２、３２ 拡散防止膜 ２３、３３ 第１絶縁膜 ２４、３４ 絶縁膜スペーサ ２５、３５ 金属膜 ２６、３６ 蝕刻停止膜
Claims (6)
- 【請求項１】 象嵌技法を利用した微細パターン形成方
法において、 接着膜（glue layer）及び拡散防止膜を順に形成する第
１ステップと、 上記拡散防止膜上に上記微細パターン領域を定義するた
めの絶縁膜パターンを形成する第２ステップと、 上記微細パターン領域に金属膜を形成する第３ステップ
と、 上記金属膜上に蝕刻停止膜を形成する第４ステップと、 上記絶縁膜パターンを除去して上記拡散防止膜を露出さ
せる第５ステップと、 上記蝕刻停止膜を蝕刻マスクとして上記拡散防止膜及び
上記接着膜を選択的に蝕刻する第６ステップと、 を含む象嵌技法を利用した微細パターン形成方法。 - 【請求項２】 象嵌技法を利用した微細パターン形成方
法において、 接着膜（glue layer）及び拡散防止膜を順に形成する第
１ステップと、 上記拡散防止膜上に第１絶縁膜を形成し、上記第１絶縁
膜を選択的に蝕刻して微細パターン領域を定義する第１
絶縁膜パターンを形成する第２ステップと、 上記第２ステップが完了した全体構造上に第２絶縁膜を
形成して、上記第２絶縁膜を全面蝕刻して上記第１絶縁
膜パターン側壁に絶縁膜スペーサを形成する第３ステッ
プと、 上記微細パターン領域に金属膜を形成する第４ステップ
と、 上記金属膜上に蝕刻停止膜を形成する第５ステップと、 上記絶縁膜パターンを除去して上記拡散防止膜を露出さ
せる第６ステップと、 上記蝕刻停止膜を蝕刻マスクとして上記拡散防止膜及び
上記接着膜を選択的に蝕刻する第７ステップと、 を含む象嵌技法を利用した微細パターン形成方法。 - 【請求項３】 上記第４ステップは、 上記第３ステップが完了した全体構造上に金属膜を形成
するステップと、 上記第１絶縁膜パターンの表面が露出される時まで上記
金属膜を化学的機械的に研磨するステップと、 上記第１絶縁膜パターンの高さより上記金属膜の高さが
低くなるようにするために上記金属膜を蝕刻するステッ
プとを含むことを特徴とする請求項２記載の象嵌技法を
利用した微細パターン形成方法。 - 【請求項４】 上記第４ステップは、 上記金属膜を選択的成長法で形成し、上記第１絶縁膜パ
ターンの高さより上記金属膜の高さが低くなるようにす
ることを特徴とする請求項２記載の象嵌技法を利用した
微細パターン形成方法。 - 【請求項５】 上記第５ステップは、 上記第４ステップが完了した全体構造上に上記蝕刻停止
膜を形成するステップと、 上記第１絶縁膜パターンの表面が露出される時まで上記
蝕刻停止膜を化学的機械的に研磨するステップと、 を含むことを特徴とする請求項３又は４記載の象嵌技法
を利用した微細パターン形成方法。 - 【請求項６】 上記第１絶縁膜はＳｉＯ2 系絶縁物質で
形成されて、 上記第２絶縁膜及び上記蝕刻停止膜は各々ＳｉＮまたは
ＳｉＯＮ系列の絶縁物質で形成されることを特徴とする
請求項５記載の象嵌技法を利用した微細パターン形成方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019980058559A KR100316017B1 (ko) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | 상감기법을이용한미세금속패턴형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000195867A true JP2000195867A (ja) | 2000-07-14 |
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Family
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|---|---|---|---|
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| US20090200668A1 (en) * | 2008-02-07 | 2009-08-13 | International Business Machines Corporation | Interconnect structure with high leakage resistance |
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| US10340141B2 (en) * | 2017-04-28 | 2019-07-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Patterning method for semiconductor device and structures resulting therefrom |
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| JPH095833A (ja) | 1995-06-22 | 1997-01-10 | Canon Inc | 光学機器 |
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| JP3161503B2 (ja) | 1995-08-25 | 2001-04-25 | 日本電信電話株式会社 | 音声メッセージの通信装置および通信システム |
| JPH0998284A (ja) | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Nec Corp | ファクシミリ装置 |
| JPH09204408A (ja) | 1996-01-26 | 1997-08-05 | Nec Eng Ltd | コンピュータ診断処理システム |
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| US5935762A (en) | 1997-10-14 | 1999-08-10 | Industrial Technology Research Institute | Two-layered TSI process for dual damascene patterning |
| US5877076A (en) | 1997-10-14 | 1999-03-02 | Industrial Technology Research Institute | Opposed two-layered photoresist process for dual damascene patterning |
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| US5946567A (en) | 1998-03-20 | 1999-08-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for making metal capacitors for deep submicrometer processes for semiconductor integrated circuits |
| TW396524B (en) * | 1998-06-26 | 2000-07-01 | United Microelectronics Corp | A method for fabricating dual damascene |
| TW430946B (en) * | 1998-07-22 | 2001-04-21 | United Microelectronics Corp | Dual damascene process |
-
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- 1998-12-24 KR KR1019980058559A patent/KR100316017B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-12-06 JP JP34687699A patent/JP3932345B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-12-21 US US09/471,575 patent/US6348414B1/en not_active Expired - Lifetime
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