JP2000194330A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JP2000194330A JP29476799A JP29476799A JP2000194330A JP 2000194330 A JP2000194330 A JP 2000194330A JP 29476799 A JP29476799 A JP 29476799A JP 29476799 A JP29476799 A JP 29476799A JP 2000194330 A JP2000194330 A JP 2000194330A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 水平走査駆動手段の回路規模を小さくできる
液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 水平走査駆動手段が、nビットの表示デ
ータを格納する格納手段と、nビットの表示データのそ
れぞれのビット値に応じて、表示制御部から供給される
時間制御信号または第1レベルの電圧を選択するn個の
スイッチング手段と、n個のスイッチング手段の各出力
電圧が第1レベルの電圧の場合に、出力状態を変化させ
る演算結果伝達手段と、演算結果伝達手段の出力状態の
変化に応じて、電源部から供給される階調電圧における
演算結果伝達手段の出力状態変化時の電圧レベルを映像
信号電圧として映像信号線に供給する出力回路手段とを
備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
わり、特に、各画素に映像信号電圧を供給する回路に適
用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】画素毎に能動素子(例えば、薄膜トラン
ジスタ)を有し、この能動素子をスイッチング駆動する
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、ノート型パソ
コン等の表示装置として広く使用されている。このアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の1つに、TFT(Th
in Film Transister)方式の液晶表示モジュールが知
られている。このTFT方式の液晶表示モジュールで
は、薄膜トランジスタ(TFT)を介して画素電極に映
像信号電圧(階調電圧)を印加するため、各画素間のク
ロストークがなく、単純マトリクス型液晶表示装置のよ
うにクロストーク防止するための特殊な駆動方法を用い
ることなく、多階調表示が可能である。アクティブマト
リクス型液晶表示装置において、前記多階調表示を可能
にするために、各画素に多階調の映像信号電圧を印加す
る駆動方法として、特開平5−35200号公報に記載
されている方法が知られている。前記公報(特開平5−
35200号)に記載されている方法は、2m個の電圧
バスラインを設け、この2m個の電圧バスラインから供
給される階調電圧を、1走査期間(1走査ライン)の間
k個の階段状に変化させる。そして、nビットの表示
データの上位mビットの値により、前記2m個の電圧バ
スラインのいずれかの一つを選択し、また、nビットの
表示データの下位k(k=n−m)ビットの値により、
当該選択された電圧バスライン上の階調電圧の階段状に
変化する電圧レベルの一つ選択して、各画素の画素電極
に印加するものである。例えば、表示データが3ビット
(n=3)であり、また、mが1、kが2である場合、
2本の電圧バスラインを設け、この2本の電圧バスライ
ン上の階調電圧の電圧レベルを、1走査期間の間、それ
ぞれ4個の階段状に変化させるようにし、そして、3ビ
ットの表示データの上位1ビットの値により、2本の電
圧バスラインのいずれか1本の電圧バスライン上の階調
電圧を選択し、当該選択された電圧バスライン上の4個
の階段状に変化する電圧レベルの一つを、3ビットの表
示データの下位2ビットの値により選択し、各画素の画
素電極に印加すようにしたものである。前記公報に記載
された駆動方法によれば、各画素に映像信号電圧を印加
する回路の動作速度を低減でき、また、電圧バスライン
の本数を低減することが可能である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】近年、液晶表示装置に
おいては、64階調、あるいは256階調へとより多階
調化が進みつつある。そして、前記公報に記載された駆
動方法により、64階調、あるいは256階調を実現す
る場合に、選択された電圧バスライン上における、2k
個の階段状に変化する電圧レベルを選択する選択回路の
回路規模が大きくなり、当該選択回路を液晶表示パネル
内に組み込む場合には、当該選択回路の占有面積が大き
くなり、液晶表示パネルが大型化するという問題点があ
った。本発明は、前記従来技術の問題点を解決するため
になされたものであり、本発明の目的は、液晶表示装置
において、水平走査駆動手段の回路規模を小さくするこ
とが可能となる技術を提供することにある。本発明の前
記目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面に
よって明らかにする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【0005】即ち、本発明は、一方が透明の互いに対向
する2枚の基板と、前記2枚の基板に挟まれた液晶層と
を有する液晶表示装置で、複数の画素と、前記複数の画
素に映像信号電圧を印加する複数の映像信号線と、前記
複数の映像信号線に映像信号電圧を供給する駆動手段
と、前記駆動手段に複数個の階調電圧を供給する電源部
と、前記駆動手段を制御する表示制御手段とを備える液
晶表示装置であって、前記表示制御手段は、前記駆動手
段に対して、少なくともnビットの表示データと、p種
類の時間制御信号を供給し、前記電源部は、前記駆動手
段に対して、電圧レベルがそれぞれ異なり、1走査期間
内にその電圧レベルが時間とともに変化する2m個の階
調電圧を供給し、前記駆動手段は、前記表示制御手段か
ら送信されるnビットの表示データを格納する格納手段
と、前記各映像信号線毎に設けられ、前記格納手段に格
納されたnビットの表示データのmビットのビット値に
応じて、前記電源部から供給される2m個の階調電圧の
中のいずれか1つを選択する選択手段と、前記各映像信
号線毎に設けられ、前記格納手段に格納されたnビット
の表示データのpビットのそれぞれのビット値に応じ
て、前記表示制御部から供給される時間制御信号または
第1レベルの電圧を選択するp個のスイッチング手段
と、前記各映像信号線毎に設けられ、前記p個のスイッ
チング手段の各出力電圧が第1レベルの電圧の場合に、
出力状態を変化させる論理回路手段と、前記各映像信号
線毎に設けられ、前記論理回路手段の出力状態の変化に
応じて、前記選択手段により選択された階調電圧におけ
る、前記論理回路手段の出力状態変化時の電圧レベルを
映像信号電圧として、前記各映像信号線に供給する出力
回路手段とを備えることを特徴とする。
【0006】また、本発明は、マトリクス状に設けられ
る複数の画素と、前記複数の画素の列または行方向の画
素に映像信号電圧を印加する複数の映像信号線と、前記
複数の映像信号線に映像信号電圧を供給する駆動手段
と、少なくとも、前記駆動手段に複数個の階調電圧を供
給する電源部と、前記駆動手段を制御する表示制御手段
とを備える液晶表示装置であって、前記表示制御手段
は、前記駆動手段に対して、少なくともnビットの表示
データと、n個の時間制御信号を供給し、前記電源部
は、前記駆動手段に対して、1走査期間内にその電圧レ
ベルが時間とともに変化する階調電圧を供給し、前記駆
動手段は、前記表示制御手段から送信されるnビットの
表示データを格納する格納手段と、前記各映像信号線毎
に設けられ、前記格納手段に格納されたnビットの表示
データのそれぞれのビット値に応じて、前記表示制御部
から供給される時間制御信号または第1レベルの電圧を
選択するn個のスイッチング手段と、前記各映像信号線
毎に設けられ、前記n個のスイッチング手段の各出力電
圧が第1レベルの電圧の場合に、出力状態を変化させる
演算結果伝達手段と、前記各映像信号線毎に設けられ、
前記演算結果伝達手段の出力状態の変化に応じて、前記
電源部から供給される階調電圧における、前記演算結果
伝達手段の出力状態変化時の電圧レベルを映像信号電圧
として、前記各映像信号線に供給する出力回路手段とを
備えることを特徴とする。
【0007】また、本発明は、透明の互いに対向する2
枚の基板と、前記2枚の基板に挟まれた液晶層とを有す
る液晶表示装置で、複数の画素と、前記複数の画素に映
像信号電圧を印加する複数の映像信号線と、前記複数の
映像信号線に映像信号電圧を供給する駆動回路と、前記
駆動回路に表示データを供給する複数の表示データ線
と、前記駆動回路に複数の階調電圧を供給する階調電圧
線とを有する液晶表示装置であって、前記駆動回路は、
前記表示データ線毎に設けられ、前記表示データ線によ
り供給される表示データに基づいて演算を行う複数の表
示データ演算回路と、前記表示データ演算回路の演算結
果に従い、前記階調電圧線により供給される複数の階調
電圧の中のいずれか1つの階調電圧を映像信号電圧とし
て前記映像信号線に出力する階調電圧出力回路と、前記
各表示データ演算回路の演算結果を前記階調電圧出力回
路に伝える演算結果伝達線とを備え、前記複数の表示デ
ータ演算回路と、前記階調電圧出力回路と、前記演算結
果伝達線とは、前記各映像信号線毎に設けられ、かつ、
前記複数の表示データ演算回路と、前記階調電圧出力回
路とは、前記映像信号線毎に演算結果伝達線で直列に接
続されていることを特徴とする。
【0008】また、本発明は、互いに対向する2枚の基
板と、前記2枚の基板に挟まれた液晶層とを有する液晶
表示装置で、複数の画素と、前記複数の画素に映像信号
電圧を印加する複数の映像信号線と、前記複数の映像信
号線に映像信号電圧を供給する駆動回路と、前記駆動回
路に表示データを供給する複数の表示データ線と、前記
駆動回路に、時間に従って周期的に変化する階調電圧を
供給する階調電圧線と、前記駆動回路に、パルス信号を
供給する複数の制御信号線とを有する液晶表示装置であ
って、前記駆動回路は、前記表示データ線毎に設けら
れ、前記表示データ線により供給される表示データと、
前記複数の制御信号線の中の対応する時間制御線により
供給されるパルス信号との演算を行う複数の演算回路
と、前記複数の演算回路の値に応じて、前記階調電圧線
により供給される階調電圧の中のいずれか1つの階調電
圧を選択する選択手段とを備え、前記複数の演算回路
と、前記選択手段とは、前記各映像信号線毎に設けら
れ、前記表示データは、前記表示データ線毎に設けられ
る格納手段に格納されることを特徴とする。
【0009】また、本発明は、互いに対向する2枚の基
板と、前記2枚の基板に挟まれた液晶層とを有する液晶
表示装置で、複数の画素と、前記複数の画素に映像信号
電圧を印加する複数の映像信号線と、前記複数の映像信
号線に映像信号電圧を供給する駆動回路と、前記駆動回
路に、nビットの表示データを供給するn本の表示デー
タ線と、前記駆動回路に、時間に従って周期的に2n
階に変化する階調電圧を供給する階調電圧線と、前記駆
動回路に、前記階調電圧の変化に従い値が変化するデー
タを供給するn本の制御信号線とを有する液晶表示装置
であって、前記駆動回路は、表示データ線毎に設けら
れ、前記表示データ線により供給される表示データと、
前記n個の制御信号線の中の対応する制御信号線により
供給されるデータとで演算を行うn個の演算回路と、前
記n個の演算回路の演算結果に応じて、前記階調電圧線
により供給される階調電圧の中のいずれか1つの階調電
圧を選択し、映像信号電圧として出力する出力回路とを
有し、前記n個の演算回路と、前記出力回路とは、前記
各映像信号線毎に設けられ、かつ、前記n個の演算回路
は、前記各映像信号線の延長線上に設けられていること
を特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明実施の形態を図面を
参照して説明する。なお、発明の実施の形態を説明する
ための全図において、同一機能を有するものは同一符号
を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【0011】[実施の形態1]図1は、本発明の実施の
形態1のTFT方式の液晶表示モジュールの全体の概略
構成を示すブロック図である。本実施の形態の液晶表示
モジュールは、液晶表示パネル(本発明の液晶表示素
子)10と、表示制御装置11と、電源回路12とで構
成される。液晶表示パネル10は、表示部110と、垂
直画素ライン選択回路(以下、水平走査回路と称す
る。)120と、水平画素ライン選択回路(以下、垂直
走査回路と称する。)130とから構成される。ここ
で、水平走査回路120は、メモリアドレス選択回路
(以下、水平シフトレジスタ回路と称する。)121
と、デジタル信号メモリアレイ122と、第1の選択回
路(上位ビット選択回路)123と、第2の選択回路
(下位ビット選択回路)124とから構成される。
【0012】図2は、本実施の形態の液晶表示パネル1
0の一例の等価回路を示す回路図である。なお、図2で
は、表示制御装置11から、水平走査回路120および
垂直走査回路130に入力される信号と、電源回路12
から水平走査回路120に入力される階調電圧とを合わ
せて図示している。本実施の形態の表示部110は、マ
トリクス状に配置される画素を有し、各画素は隣接する
2本のゲート信号線(走査信号線または水平信号線)
(G)と、隣接する2本のドレイン信号線(映像信号線
または垂直信号線)(D)との交差領域(4本の信号線
で囲まれた領域)内に配置される。各画素は、例えば、
ポリシリコントランジスタ(以下、Poly−SiTr
と称する。)からなる薄膜トランジスタ(TFT)を有
し、マトリクス状に配置された各画素の各列毎の各薄膜
トランジスタ(TFT)のドレイン領域は、それぞれド
レイン信号線(D)に接続され、また、マトリクス状に
配置された各画素の各薄膜トランジスタ(TFT)のソ
ース領域は、画素電極(ITO1)に接続される。な
お、ドレイン領域およびソース領域は、本来その間のバ
イアス極性によって決まるもので、本実施の形態の液晶
表示装置では、その極性は動作中反転するので、ドレイ
ン領域、ソース領域は動作中入れ替わるものであるが、
本明細書では、便宜上一方をドレイン領域、他方をソー
ス領域と固定して説明する。
【0013】マトリクス状に配置された各画素の各行毎
の各薄膜トランジスタ(TFT)のゲート電極は、それ
ぞれゲート信号線(G)に接続され、各薄膜トランジス
タ(TFT)は、ゲート電極に正のバイアス電圧を印加
すると導通し、ゲート電極に負のバイアス電圧を印加す
ると不導通になる。また、画素電極(ITO1)とコモ
ン電極(対向電極)(ITO2)との間に液晶層が設け
られるので、画素電極(ITO1)とコモン電極(IT
O2)との間には、液晶容量(CLC)が等価的に接続
される。さらに、薄膜トランジスタ(TFT)のソース
領域と共通信号線(CN)との間には保持容量(CST
G)が形成され、この共通信号線(CN)には、コモン
電極に印加される(VCOM)の駆動電圧が印加され
る。なお、図2は回路図であるが、実際の幾何学的配置
に対応して描かれている。マトリクス状に配置された各
画素の各列毎の各薄膜トランジスタ(TFT)のドレイ
ン領域は、それぞれ映像信号線(D)に接続され、この
映像信号線(D)は、第2の選択回路124に接続され
る。マトリクス状に配置された各画素の各行毎の各薄膜
トランジスタ(TFT)のゲート電極は、それぞれゲー
ト信号線(G)に接続され、このゲート信号線(G)
は、垂直走査回路130に接続される。
【0014】表示制御装置11は、1個の半導体集積回
路(LSI)から構成され、コンピュータ本体側から送
信されてくるクロック信号、ディスプレイタイミング信
号、水平同期信号、垂直同期信号の各表示制御信号およ
び表示用デ−タ(R・G・B)を基に、水平走査回路1
20、および垂直走査回路130を制御・駆動する。図
1に示す電源回路12は、水平走査回路120に階調電
圧(VA1〜VA8)を供給し、また、薄膜トランジス
タ(TFT)のゲート電極に印加する駆動電圧(正のバ
イアス電圧および負のバイアス電圧)を垂直走査回路1
30に供給し、さらに、(VCOM)の駆動電圧をコモ
ン電極(ITO2)に供給する。
【0015】次に、表示データが6ビットの場合におけ
る、本実施の形態の液晶表示モジュールの動作の概略を
説明する。表示制御装置11は、垂直同期信号入力後
に、第1番目のディスプレイタイミング信号が入力され
ると、これを第1番目の表示ラインと判断して垂直走査
回路130にスタートパルス(SY)を出力する。ま
た、表示制御装置11は、水平同期信号に基づいて、1
水平走査時間毎に、表示部110の各ゲート信号線
(G)に順次正のバイアス電圧を印加するように、垂直
走査回路130に1水平走査時間周期のシフトクロック
であるクロック(CLG)を出力する。これにより、垂
直走査回路130は、ゲート信号線(G)を順次選択し
て、選択したゲート信号線(G)に正のバイアス電圧を
出力し、選択されたゲート信号線(G)にゲート電極が
接続される薄膜トランジスタ(TFT)を1走査期間オ
ンとする。
【0016】表示制御装置11は、ディスプレイタイミ
ング信号が入力されると、これを表示開始位置と判断
し、受け取った単純1列の6ビットの表示データを、水
平走査回路120のデジタル信号メモリアレイ122に
出力する。同時に、表示制御装置11は、水平走査回路
120の水平シフトレジスタ回路121に、スタートパ
ルス(DX)と、表示データラッチ用クロック(CL
D)を出力する。これにより、水平シフトレジスタ回路
121は、デジタル信号メモリアレイ122に、表示デ
ータ取り込み用シフトパルス(SH)を順次出力する。
デジタル信号メモリアレイ122は、この表示データ取
り込み用シフトパルス(SH)により、表示データを順
次格納し、表示データの上位ビットを第1の選択回路1
23に、表示データの下位ビットを第2の選択回路12
4に出力する。
【0017】第1の選択回路123には、複数の階調電
圧(図2では、8個)が入力されており、第1の選択回
路123は、表示データの上位ビットで、この複数の階
調電圧のいずれか1つを選択して、第2の選択回路12
4に出力する。この場合に、この複数の階調電圧は、1
走査期間内に、所定のタイミングでその電圧レベルが階
段状に変化する。第2の選択回路124は、表示データ
の下位ビットにより、第1の選択回路123で選択され
た階調電圧の、あるタイミングにおける電圧レベルを選
択して、ドレイン信号線(D)に出力する。これによ
り、選択されたゲート信号線(G)にゲート電極が接続
される薄膜トランジスタ(TFT)を有する画素に、表
示データに対応した階調電圧が書き込まれ、表示部11
0に画像が表示される。なお、図1に示す水平走査回路
120および垂直走査回路130は、液晶表示パネルに
組み込まれており、薄膜トランジスタ(TFT)と同じ
くPoly−SiTrで構成され、同一の基板上に形成
される。
【0018】図3は、図1,図2に示すデジタル信号メ
モリアレイ122の回路構成を示す回路図である。図3
に示すように、デジタル信号メモリアレイ122は、第
1のラッチ回路122Aと第2のラッチ回路122Bと
を備え、第1のラッチ回路122Aは、水平シフトレジ
スタ回路121からの表示データ取り込み用シフトパル
ス(SH)により、表示制御装置11からの表示データ
を順次ラッチする。第2のラッチ回路122Bは、表示
制御装置11からの出力タイミング制御用クロック(C
LA)により、第1のラッチ回路122Aに取り込まれ
た表示データをラッチし、当該表示データの上位3ビッ
トを第1の選択回路(123)に、下位3ビットを第2
の選択回路(124)に出力する。
【0019】図4は、図1,2に示す第1の選択回路1
23の1ドレイン信号線(D)当たりの選択回路の回路
構成を示す回路図である。同図において、B6は表示デ
ータの6ビット目、B5は表示データの5ビット目、B
4は表示データの4ビット目を表している。図4に示す
ように、第1の選択回路123内の1ドレイン信号線
(D)当たりの選択回路は、p型MOSトランジスタ
(以下、単に、PMOSと称する。)とn型MOSトラ
ンジスタ(以下、単に、NMOSと称する。)とで構成
される第1ないし第3のゲート回路(GT1〜GT3)
を8組有する。各ゲート回路(GT1)のPMOSおよ
びNMOSのゲート電極には、表示データの6ビット
(B6)目の正相出力あるいは反転出力が印加され、ま
た、各ゲート回路(GT2)のPMOSおよびNMOS
のゲート電極には、表示データの5ビット(B5)目の
正相出力あるいは反転出力が印加され、さらに、各ゲー
ト回路(GT3)のPMOSおよびNMOSのゲート電
極には、表示データの4ビット(B4)目の正相出力あ
るいは反転出力が印加される。そして、この各ゲート回
路(GT1〜GT3)のPMOSおよびNMOSのゲー
ト電極に印加する各ビットの正相出力あるいは反転出力
の組み合わせを変更することにより、8本の電圧バスラ
イン(131〜138)のいずれか一本の階調電圧を選
択して、第2の選択回路124に出力する。この場合
に、図5に示すように、各電圧バスライン(131〜1
38)上の階調電圧(VA1〜VA8)は、その電圧レ
ベルがそれぞれ異なっており、かつ、その電圧レベル
は、1走査期間内に8段階の階段状に変化する。
【0020】図6は、図1,2に示す第2の選択回路1
24の1ドレイン信号線(D)当たりの選択回路の回路
構成を示す回路図である。同図において、B3は表示デ
ータの3ビット目、B2は表示データの2ビット目、B
1は表示データの1ビット目を表し、また、141〜1
43、例えば、図7に示すような波形の時間制御
パルスが供給される時間制御信号線である。なお、図7
において、は表示データの3ビット(B3)目用、
は表示データの2ビット(B2)目用、は表示データ
の1ビット(B1)目用の時間制御パルスである。この
時間制御パルスは、Highレベル(以下、単に、Hレ
ベルと称する。)の電圧レベルと、Lowレベル(以
下、単に、Lレベルと称する。)の電圧レベルとが交互
に繰り返されるパルスであって、表示データの1ビット
(B1)用の時間制御パルスの周期をkとするとき、
表示データの2ビット(B2)目用の時間制御パルス
の周期が2k、表示データの3ビット(B3)目用の時
間制御パルス周期が4k(2×2×k)となるパルス
である。また、この時間制御パルス(〜)は、図7
中のtn−tn-1の期間内で、各階調電圧の階段状ステッ
プの中央付近で立ち上がるように構成する。これは、時
間制御パルスの立ち上がりのタイミングで、ドレイン信
号線(D)に印加される階調電圧が決定されるので、時
間制御パルスの電圧変化に要する時間を考慮して、ドレ
イン信号線(D)に印加される階調電圧を確実に決定で
きるようにするためである。
【0021】図6に示すPMOS(PT1)およびNM
OS(NT1)から成るCMOS構成のスイッチング回
路(SW1)は、それぞれのゲート電極に表示データの
1ビット目の正相出力が入力され、表示データの1ビッ
ト目がHレベルの場合は、時間制御パルスを出力し、
表示データの1ビット目がLレベルの場合は、VD(H
レベル)を出力する。同様に、PMOS(PT2)およ
びNMOS(NT2)から成るCMOS構成のスイッチ
ング回路(SW2)は、表示データの2ビット目がHレ
ベルの場合は、時間制御パルスを出力し、表示データ
の2ビット目がLレベルの場合は、VD(Hレベル)を
出力する。また、PMOS(PT3)およびNMOS
(NT3)から成るCMOS構成のスイッチング回路
(SW3)は、表示データの3ビット目がHレベルの場
合は、時間制御パルスを出力し、表示データの3ビッ
ト目がLレベルの場合は、VD(Hレベル)を出力す
る。
【0022】各PMOS(PT4〜PT6)、および各
NMOS(NT4〜NT6)は、各スイッチング回路
(SW1〜SW3)の出力を入力とする3入力ナンド回
路を構成し、この3入力ナンド回路は、各入力ノード
(N1,N2,N3)に入力される信号がHレベルとな
らない限り、その出力ノードをHレベルに保つ。PMO
S(PT7)、NMOS(NT7)およびPMOS(P
T11)は、それぞれのゲート電極に、図7に示すリセ
ットパルスが入力されるスイッチングトランジスタで
ある。リセットパルスがHレベルときに、PMOS
(PT7)はオフとなるので、ノード(N4)とノード
(N5)との間の電気的接続が遮断され、同じく、PM
OS(PT11)もオフとなるので、ノード(N6)と
ノード(N8)との間の電気的接続が遮断される。これ
により、ノード(N6)は、回路内の他のノードとの間
の電気的接続が遮断される。同時に、リセットパルス
がHレベルときに、NMOS(NT7)がオンとなるの
で、ノード(N6)を電源電位(VD)に接続し、ノー
ド(N6)を初期状態とする。また、リセットパルス
がLレベルのときには、PMOS(PT7)およびPM
OS(PT11)がオン、NMOS(NT7)がオフと
なるので、ノード(N4)とノード(N5)との間、お
よびノード(N6)とノード(N8)との間を電気的に
接続し、かつ、ノード(N6)を電源電位(VD)から
切り離す。
【0023】PMOS(PT8)およびNMOS(NT
8)は、PMOS(PT7)およびNMOS(NT1
1)がオンの場合に、ナンド回路の出力(ノード(N
4),(N5),(N6)の電位)を入力とするインバ
ータ回路(IV1)である。また、PMOS(PT9)
およびNMOS(NT9)は、インバータ回路(IV
1)の出力を入力とするインバータ回路(IV2)であ
る。このインバータ回路(IV2)の出力は、PMOS
(PT11)がオンの場合に、インバータ回路(IV
1)の入力となっているので、NMOS(NT7)ある
いはNMOS(NT11)がオフとなり、インバータ回
路(IV1)の入力が、ナンド回路の出力と電気的に切
り離されると、この2つのインバータ回路(IV1,I
V2)はラッチ回路となり、インバータ回路(IV1,
IV2)の状態を維持する。ここで、PMOS(PT1
1)の役割は、インバータ回路(IV1)が、ナンド回
路の出力から電気的に切り離された時に、暗電流または
リークなどによるノード(N6)の電位変化を、インバ
ータ回路(IV2)の出力で補うだけの役割であり、こ
のPMOS(PT11)は、実質的に大きなON抵抗を
もつトランジスタとする必要がある。即ち、ナンド回路
の出力が、HレベルからLレベルに変化した時に、PM
OS(PT11)を介して入力されるインバータ回路
(IV2)のHレベルの電位(ノード(N8)の電位)
が、ナンド回路のLレベルの出力に実質的に影響せず、
インバータ(IV1)の出力が反転し、ノード(N7)
の電位をLレベルからHレベルに変化する程度に高抵抗
にする必要がある。この動作をより確実にするために、
PMOS(PT11)とノード(N6)との間に高抵抗
を挿入してもよい。
【0024】NMOS(NT11)は、インバータ回路
(IV2)の出力がゲート電極に印加されるスイッチン
グトランジスタであり、ノード(N6)がHレベルのと
きオン、ノード(N6)がLレベルのときオフとなる。
即ち、ノード(N8)がひとたびLレベルとなると、リ
セットパルスにより初期状態に設定されるまで、ノー
ド(N5)とノード(N6)との間の電気的接続が遮断
される。このノード(N8)は、PMOS(PT11)
を介してノード(N6)と電気的接続されている。これ
は、ノード(N6)の電位がHレベルからLレベルに変
化した時に、このPMOS(PT11)がノード(N
8)のHレベルの電位に対して抵抗成分として働き、L
レベル状態を安定に作る役割を担う。
【0025】PMOS(PT10)およびNMOS(N
T10)はゲート回路(GT4)であり、PMOS(P
T10)のゲート電極にはインバータ回路(IV1)の
出力が、NMOS(NT11)のゲート電極にはインバ
ータ回路(IV2)の出力が印加される。インバータ回
路(IV1)の出力がLレベル、インバータ回路(IV
2)の出力がHレベルのとき、ゲート回路(GT4)は
オンとなり、第1の選択回路123で選択された階調電
圧をドレイン信号線(D)に供給する。また、インバー
タ回路(IV1)の出力がHレベル、インバータ回路
(IV2)の出力がLレベルのときに、ゲート回路(G
T4)はオフとなり、第1の選択回路123で選択され
た階調電圧を、ドレイン信号線(D)から切り離す。こ
のゲート回路(GT4)は、一旦オフとなると、次にリ
セットパルスがHレベルになるまで、オフ状態を維持
するので、各画素に書き込まれる階調電圧は、第1の選
択回路123で選択された階調電圧の時間とともに変化
する電圧レベルにおける、ゲート回路(GT4)がオフ
となるタイミング時の電圧レベルの電圧となる。C0
は、ドレイン信号線(D)の電位を保持する容量素子で
あり、この容量素子(C0)は、MOSトランジスタの
ゲート容量および配線容量を使用するようにしてもよ
い。
【0026】今、表示データの下位3ビットが「1,
0,1」の場合を例に挙げて、第2の選択回路124の
動作を説明する。表示データの下位3ビットが「1,
0,1」の場合に、スイッチング回路(SW1)は時間
制御パルスを、スイッチ回路(SW2)はVDの電位
を、スイッチ回路(SW3)は時間制御パルスを出力
する。時刻t0のタイミングの前に、リセットパルス
がHレベルとなり、ノード(N6)がHレベルの初期状
態とされる。この間に、インバータ回路(IV1)の出
力は、HレベルからLレベルに変化し、インバータ回路
(IV2)の出力は、LレベルからHレベルに変化す
る。なお、リセットパルスのHレベルは、前記した動
作が確実に実行されるのに十分な期間に設定する必要が
ある。この初期状態が終わると、NMOS(NT11)
がオンとなり、ノード(N5)とノード(N6)とが電
気的に接続され、同時にゲート回路(GT4)もオンと
なり、第1の選択回路123で選択された階調電圧がド
レイン信号線(D)に供給される。従って、ドレイン信
号線(D)の電位は、図7に示すの階調電圧のt0の
タイミングにおける電圧レベルの電位となる。
【0027】時刻t0において、リセットパルスが、
HレベルからLレベルに変化し、これにより、NMOS
(NT7)がオフとなり、ノード(N6)は電源電位
(VD)から切り離され、同時に、PMOS(PT7)
がオンとなりノード(N4)とノード(N5)とが電気
的に接続され、さらに、PMOS(PT11)がオンと
なりノード(N6)とノード(N8)とが電気的に接続
される。即ち、ナンド回路の出力が、インバータ回路
(IV1)の入力となる。時刻t0のタイミングでは、
ナンド回路の3入力は、Lレベル、Hレベル、Lレベル
であるので、ナンド回路の出力はHレベルであり、初期
設定時同様、ゲート回路(GT4)はオンとなり、第1
の選択回路123で選択された階調電圧がドレイン信号
線(D)に供給される。従って、ドレイン信号線(D)
の電位は、図7に示すの階調電圧のt0のタイミング
における電圧レベルの電位となる。
【0028】時刻t1のタイミングにおいて、ナンド回
路の3入力は、Hレベル、Hレベル、Lレベルとなる
が、依然として、ナンド回路の出力はHレベルであり、
ゲート回路(GT4)はオン状態を維持し、第1の選択
回路123で選択された階調電圧がドレイン信号線
(D)に供給される。従って、ドレイン信号線(D)の
電位は、図7に示すの階調電圧のt1のタイミングに
おける電圧レベルの電位となる。同様に、時刻t2,t
3,t4のタイミングにおいても、ナンド回路の3入力
のいずれか1つは、Lレベルとなるので、ナンド回路の
出力はHレベルであり、ゲート回路(GT4)はオン状
態を維持し、第1の選択回路123で選択された階調電
圧がドレイン信号線(D)に供給される。従って、時刻
t2,t3,t4のタイミングにおいて、ドレイン信号
線(D)の電位は、図7に示すの階調電圧のt2,t
3,t4のタイミングにおける電圧レベルの電位とな
る。
【0029】時刻t5のタイミングで、時間制御パルス
がLレベルからHレベルに立ち上がると、初めてナン
ド回路の3入力は、すべてHレベルとなり、ナンド回路
の出力はLレベルとなる。これにより、ノード(N
5)、およびノード(N6)がLレベルとなり、インバ
ータ回路(IV1)の出力はLレベルからHレベルに変
化し、インバータ回路(IV2)の出力はHレベルから
Lレベルに変化する。したがって、ゲート回路(GT
4)はオフとなり、ドレイン信号線(D)の電位を時刻
t5の直前の電位、即ち、時刻t5の電位と同じ電位と
した状態で、第1の選択回路123で選択された階調電
圧を、ドレイン信号線(D)から切り離す。同時に、ノ
ード(N8)の電位がLレベルに変化することにより、
NMOS(NT11)がオフとなり、ナンド回路とイン
バータ回路(IV1)との間の電気的接続を遮断する。
したがって、これ以降は、リセットパルスがHレベル
となり、初期状態に設置されるまでは、ナンド回路の出
力、即ち、スイッチ回路(SW1〜SW3)からの出力
に関わらず、この状態が維持される。したがって、リセ
ットパルスがHレベルになる前に、ドレイン信号線
(D)の電位を画素に書き込むことにより、表示データ
に対応した階調電圧が画素に書き込まれることになる。
【0030】図8は、本発明の前に本発明者により検討
された第1の選択回路および第2の選択回路の回路構成
を示す回路図である。この図8において、第1の選択回
路223は、本実施の形態の第1の選択回路123と同
じ回路構成である。また、第2の選択回路224は、本
実施の形態の第1の選択回路123と同様な回路構成で
あり、各ゲート回路(GT31〜GT33)のPMOS
およびNMOSのゲート電極に印加する表示データの下
位3ビットの正相出力あるいは反転出力の組み合わせを
変更することにより、図9に示す8本の時間制御信号線
(241〜248)上の時間制御信号(TP1〜TP
8)のいずれか一つの時間制御信号を選択し、この選択
時間制御信号によりゲート回路(GT4)をオンからオ
フに変化させるようにしたものである。この図8に示す
第2の選択回路224は、表示データの下位3ビットに
対し、8本の時間制御信号線(241〜248)が必要
であるとともに、時間制御信号線1本当たり6個のトラ
ンジスタが必要であるので、全体として48個のトラン
ジスタが必要となり、液晶表示パネル10内に、これら
の回路を組み込むような場合には、これらの回路が占め
る面積が大きくなるという問題点があった。その上、表
示データのビット数を上げ、より多階調化、例えば、表
示データを8ビット構成として256階調を実現する場
合に、上位4ビットと下位4ビットとに分離し、下位4
ビットで時間制御パルスを選択するものとすると、時間
制御信号線として16本が必要であり、また、第2の選
択回路は128のトランジスタを必要とする。このよう
に、図8に示す回路構成では、多階調化のために、表示
データのビット数を1ビット増加毎に、回路規模が2倍
となり、表示階調数が大きくなるにつれて、その占有面
積が増大する。
【0031】これに対して、本実施の形態の第2の選択
回路124の回路構成によれば、時間制御信号線は、リ
セットパルス信号線を含めて4本であり、また、トラン
ジスタの総数は20個であり、図8に示す回路構成と比
して、回路規模を著しく低減することができる。また、
本実施の形態において、第1の選択回路123および第
2の選択回路124において必要となるトランジスタの
総数は、ドレイン信号線(D)一本当たり76個である
が、回路構成を変更し、上位ビットを2ビットに、下位
ビットを4ビットとすると、第1の選択回路123およ
び第2の選択回路124において必要となるトランジス
タの総数は、ドレイン信号線(D)一本当たり46個
(上位ビット20個、下位ビット26個)、また、信号
線の本数は9本(電圧バスライン4本、時間制御信号線
(リセットパルス信号線を含む)5本)となる。また、
上位ビットを1ビット、下位ビットを5ビットとする
と、第1の選択回路123および第2の選択回路124
において必要となるトランジスタの総数は、ドレイン信
号線(D)一本当たり36個(上位ビット6個、下位ビ
ット30個)、また、信号線の本数は8本(電圧バスラ
イン2本、時間制御信号線(リセットパルス信号線を含
む)6本)となる。
【0032】さらに、多階調化のために表示データのビ
ット数が増加すると、本実施の形態の回路構成と図8に
示す回路構成との差はより顕著となる。例えば、表示デ
ータが8ビット構成であり、上位ビット数と下位ビット
数とをそれぞれ4ビットとすると、図8に示す回路構成
では、入力線は32本(電圧バスライン16本、時間制
御信号線16本)必要となり、第1の選択回路223お
よび第2の選択回路224において必要となるトランジ
スタの総数は、ドレイン信号線(D)一本当たり274
個(上位ビット136個、下位ビット138個)必要と
なるが、本実施の形態の回路構成では、信号線の本数は
21本(電圧バスライン16本、時間制御信号線(リセ
ットパルス信号線を含む)5本)、第1の選択回路22
3および第2の選択回路224において必要となるトラ
ンジスタの総数は、ドレイン信号線(D)一本当たり1
62個(上位ビット136個、下位ビット26個)でよ
い。この場合に、上位ビット数を1ビット、下位ビット
数を7ビットとすると、本実施の形態の回路構成では、
信号線の本数は10本(電圧バスライン2本、時間制御
信号線8本)必要となり、第1の選択回路123および
第2の選択回路124において必要となるトランジスタ
の総数は、ドレイン信号線(D)一本当たり44個(上
位ビット6個、下位ビット38個)で済む。このよう
に、本実施の形態によれば、信号線の本数、および第1
の選択回路123および第2の選択回路124において
必要となるトランジスタの総数を低減することが可能と
なる。
【0033】[実施の形態2]図10は、本発明の実施
の形態2のTFT方式の液晶表示モジュールにおける、
第2の選択回路124の回路構成を示す回路図である。
本実施の形態の第2の選択回路124は、ノード(N
6)とノード(N8)との間にNMOS(NT12)を
接続し、このNMOS(NT12)のゲート電極に、図
11に示すパルスを印加し、暗電流またはリークなど
によるノード(N6)の電位変化を抑えるようにしたも
のである。本実施の形態においても、信号線の本数、お
よび第1の選択回路123および第2の選択回路124
において必要となるトランジスタの総数を低減すること
が可能となる。
【0034】[実施の形態3]図12は、本発明の実施
の形態3のTFT方式の液晶表示モジュールにおける、
第2の選択回路124の回路構成を示す回路図である。
本実施の形態の第2の選択回路124は、3入力ナンド
回路の出力がゲート電極に印加されるPMOS(PT1
1)と、リセットパルスがゲート電極に印加されるPM
OS(PT7)およびNMOS(NT7)とを、電源電
位(VD)と基準電位(GND)との間に接続し、PM
OS(PT7)とNMOS(NT7)との接続点(ノー
ド(N5))の電位をインバータ回路(IV1)に入力
するようにした点で、前記実施の形態1の第1の選択回
路124と相違する。本実施の形態の第2の選択回路1
24において、リセットパルスがHレベルになると、
NMOS(NT7)がオンとなり、ノード(N5)がL
レベルとなる。それにより、インバータ回路(IV1)
の出力がHレベル、インバータ回路(IV2)の出力が
Lレベルとなり、ゲート回路(GT4)がオンとなる。
【0035】リセットパルスがLレベルとなると、N
MOS(NT7)がオフ、PMOS(PT7)がオンと
なるが、PMOS(PT11)がオフの場合には、ノー
ド(N5)はフローティング状態となる。しかしなが
ら、前記実施の形態1で説明したように、インバータ回
路(IV1)およびインバータ回路(IV2)がラッチ
回路を構成するので、ノード(N5)がフローティング
状態となっても、ゲート回路(GT4)のオン状態が維
持される。そして、前記実施の形態1と同様、時刻t5
で3入力ナンド回路の出力がLレベルとなると、PMO
S(PT11)がオンとなり、ノード(N5)はHレベ
ルとなる。それにより、インバータ回路(IV1)の出
力がLレベル、インバータ回路(IV2)の出力がHレ
ベルとなり、ゲート回路(GT4)がオフとなり、この
状態は、再びリセットパルスがHレベルとなるまで維
持される。本実施の形態においても、信号線の本数、お
よび第1の選択回路123および第2の選択回路124
おいて必要となるトランジスタ総数を低減することが可
能となる。
【0036】なお、本発明における第2の選択回路12
4の回路構成は、前記各実施の形態に示すものに限定さ
れるものではなく、例えば、図13(a)〜図13
(d)に示す回路構成を採用することも可能である。こ
の図13において、NAND1はナンド回路、NOR1
はノア回路である。また、N1,N2,N3は、それぞ
れ図6に示すノード(N1)、ノード(N2)、ノード
(N3)を示し、矢印先のPT10,NT10は、この
信号が、PMOS(PT10)のゲート電極、NMOS
(NT10)のゲート電極に印加されることを表してい
る。
【0037】[実施の形態4]図14は、本発明の実施
の形態4のTFT方式の液晶表示モジュールの全体の概
略構成を示すブロック図である。本実施の形態の液晶表
示モジュールは、前記各実施の形態の第1の選択回路1
23および第2の選択回路124が、単一の選択回路3
24により構成される。図14において、表示部110
は、少なくとも一方が透明な、対向する一対の基板と、
この基板間に挟持される液晶層と、マトリクス状に配置
される画素を有し、各画素は隣接する2本のゲート信号
線(走査信号線または水平信号線)(G)と、隣接する
2本のドレイン信号線(映像信号線または垂直信号線)
(D)との交差領域(4本の信号線で囲まれた領域)内
に配置される。各画素は、例えば、ポリシリコントラン
ジスタからなる薄膜トランジスタ(TFT)を有し、各
画素の各薄膜トランジスタ(TFT)は、画素電極(I
TO1)に接続される。なお、図14では、図が複雑に
なることを避けるために、薄膜トランジスタ(TFT)
は、回路記号で表わしている。また、画素は1個だけ記
載しているが、実際には画素はマトリクス状に複数配置
されている。各画素は隣接する2本のドレイン信号線
(D)の間に配置されている。各画素には、表示データ
に従った階調電圧が各ドレイン信号線(D)により供給
される。選択回路324は、表示データに従った階調電
圧を選択し、各ドレイン信号線(D)に供給する。選択
回路324には、データライン(DD1〜DD3)によ
り表示データが供給されている。本実施の形態は表示デ
ータが3ビットの場合を示しているため、データライン
(DD1〜DD3)は3本である。なお、データライン
数は、表示データに従い任意に選ぶことが可能である。
データライン(DD1〜DD3)は、選択回路324に
設けられた表示データ演算回路325に接続されてい
る。表示データ演算回路325では表示データにもとづ
き演算がおこなわれる。表示データ演算回路325での
演算結果に従い、階調電圧出力回路326から階調電圧
が出力される。表示データ演算回路325、階調電圧出
力回路326は、ドレイン信号線(D)毎に設けられ
る。また、表示データ演算回路325はデータライン
(DD1〜DD3)毎に個別に設けられている。本実施
の形態では、データラインが3本であるから、各ドレイ
ン信号線毎に表示データ演算回路325は3個づつ設け
られている。
【0038】表示データ演算回路325を個別に分割し
て設けることで、表示データ演算回路325をデータラ
イン毎に設けることが可能になり、表示データ演算回路
325の配置をデータライン(DD1〜DD3)の配置
に合わせて設けている。本実施の形態では、ドレイン信
号線の延長線上と、データライン(DD1〜DD3)と
の交点近傍に表示データ演算回路325が設けられてい
る。また、隣合うデータラインの間隔は、表示データ演
算回路325が設けられるように、十分に広くとられて
いる。画素の大きさで制限される隣合うドレイン信号線
(D)の間隔に比較して、隣合うデータラインの間隔は
余裕がある。そのため、表示データ演算回路325の配
置をデータライン(DD1〜DD3)の配置に合わせて
設けることで、表示データ演算回路325を設ける領域
が確保できる。また、表示データ演算回路325が設け
られる領域は、隣合う2本のドレイン信号線(D)と隣
合う2本のデータラインとに囲まれた領域であり、表示
データ演算回路325はドレイン信号線(D)の延長線
上に一列に並んで設けられている。
【0039】同一基板上に水平走査回路120と、表示
部110が設けられる液晶表示素子10の場合、水平走
査回路120は表示部110周辺の限られた領域に設け
られる。水平走査回路120を構成する表示データ演算
回路325や、階調電圧出力回路326の配置もまた限
られたものになる。本実施の形態のように、表示データ
演算回路325はドレイン信号線(D)の延長線上に、
隣接する2本のドレイン信号線(D)の間隔内の幅で、
1列に並んで設けることで、限られた領域を有効に用い
ることができる。前述したように、表示部110には、
画素を挟んで、隣接する2本のドレイン信号線(D)が
設けられている。表示データ演算回路325や、階調電
圧出力回路326はこの各ドレイン信号線毎に設けられ
る。そのため、表示データ演算回路325や、階調電圧
出力回路326を形成する領域の幅が、隣接する2本の
ドレイン信号線(D)の間隔以内に収まらなければ、隣
り合う表示データ演算回路325や、階調電圧出力回路
326と形成する領域が重なってしまうという問題があ
る。本実施の形態では、表示データ演算回路325を各
データライン毎に個別に、ドレイン信号線(D)の延長
線上に1列に並べて設けることで、隣接する2本のドレ
イン信号線(D)の間隔以内に表示データ演算回路32
5を設けることが可能となっている。さらに、本実施の
形態では、各データライン毎に隣接して表示データ演算
回路325を設けている。そのため、データライン(D
D1〜DD3)から表示データ演算回路325までの配
線を短くすることができる。データライン(DD1〜D
D3)から表示データ演算回路325までの間に、他の
回路や配線が設けられていると、データラインからそれ
らの構成までの配線を設ける幅が必要となる。そのた
め、限られた2本のドレイン信号線(D)の間隔以内に
必要な構成を設けることが困難になる。
【0040】図15は、表示データが3ビットの場合の
水平走査回路120の回路構成を示すブロック図であ
る。なお、図15では、図面が複雑になることを避け
て、1本のドレイン信号線(D)について、選択回路3
24の構成を示している。選択回路324には表示デー
タ演算回路325が設けられている。表示データ演算回
路325は、データライン毎に設けられており、各表示
データ演算回路325には、時間制御信号線(161〜
163)が接続されている。同図において、328は表
示データ保持回路であり、水平シフトレジスタ121か
ら出力するタイミング信号線の信号に従って、データラ
イン(DD1〜DD3)の表示データを記憶する。ま
た、329は演算回路であり、表示データ保持回路32
8の出力と、時間制御信号線のデータとの間で演算を行
い、演算結果を演算結果伝達回路(330(1)〜33
0(3))に出力する。階調電圧出力回路326は演算
結果に従い、階調電圧を選択して出力する。演算結果伝
達回路(330(1)〜330(3))は、演算結果信
号線152で直列に接続されている。また、演算結果信
号線152により、演算結果伝達回路(330(1)〜
330(3))と階調電圧出力回路326とは直列に接
続されている。演算結果伝達回路(330(1)〜33
0(3))と階調電圧出力回路326とが、演算結果信
号線152で直列に接続されているため、演算回路32
9と階調電圧出力回路326とを個別に接続する配線の
配線領域が省略可能になっている。
【0041】表示データ演算回路325では、演算回路
329で表示データ保持回路328の値と、時間制御信
号線(161〜163)の制御信号とを演算し演算結果
を演算結果伝達回路(330(1)〜330(3))に
伝える。表示データ保持回路328と演算回路329と
を各データライン(DD1〜DD3)毎に設けること
で、表示データ保持回路328と演算回路329との間
の配線を短くすることが可能である。階調電圧出力回路
326には、電圧バスライン151が接続されている。
電圧バスライン151の電圧値は、時間に従い変化して
おり、また、電圧値の変化は一定の周期で繰り返されて
いる。時間制御信号線(161〜163)の時間制御信
号は、データライン(DD1〜DD3)の表示データに
対応する電圧バスライン151の階調電圧値を選択する
ために使われる。選択回路324は、図14に示す表示
制御装置11が出力する表示データの値に従い、電圧バ
スライン151の階調電圧を選択して出力する。電圧バ
スライン151の階調電圧は、時間と共に周期的に変化
している。そのため、電圧バスライン151から希望の
電圧を選択するには、電圧バスライン151の電圧が希
望の電圧値になった期間に、電圧バスライン151の電
圧を保持する。電圧バスライン151の電圧が希望の電
圧値になる期間に規則性があれば、電圧バスライン15
1の電圧を保持する期間を指定すれば、希望の電圧を選
択することが可能である。選択回路324はデータライ
ン(DD1〜DD3)の値と、時間制御信号線161〜
163の制御信号の示す値とを演算して演算結果によ
り、電圧バスライン151の電圧を保持する期間を指定
して、電圧バスライン151の階調電圧を選択する。時
間制御信号線(161〜163)で表される値は時間に
従い変化し、また、前述したように電圧バスライン15
1の電圧は規則性を持って変化している。時間制御信号
線(161〜163)が表わす値の変化を電圧バスライ
ン151の電圧の変化の持つ規則性に従うようにすれ
ば、時間制御信号線(161〜163)が表わす値で、
電圧バスライン151の電圧を知ることができる。
【0042】図15の選択回路324では、各データラ
イン毎演算が行われている。即ち、本実施の形態では、
表示データは3ビットの場合を示しているので、データ
ライン(DD1〜DD3)の数は3本であり、時間制御
信号線(161〜163)の数も3本である。データラ
インDD1と時間制御信号線163との間で演算が行わ
れて、その演算結果は演算結果伝達回路330(1)に
出力される。他の2本も同じように、データラインDD
2と時間制御信号線162との間の演算結果は、演算結
果伝達回路330(2)に出力され、データラインDD
3と時間制御信号線161との間の演算結果は、演算結
果伝達回路330(3)に出力される。各演算結果伝達
回路(330(1)〜330(3))は、各演算回路3
29の出力を論理演算し階調電圧出力回路326に演算
結果を出力する論理回路の機能を有している。各演算結
果伝達回路(330(1)〜330(3))がスイッチ
ング回路の場合、演算結果伝達回路は、演算結果信号線
152で直列に接続されているので、演算結果伝達回路
(330(1)〜330(3))で表現できる状態は、
演算結果伝達回路(330(1)〜330(3))が全
てONで、階調電圧出力回路326に電圧(VDD)が
伝えられる状態と、演算結果伝達回路(330(1)〜
330(3))の1つでもOFFで、階調電圧出力回路
326に電圧(VDD)が伝わらない状態の2つの状態
だけである。
【0043】本実施の形態では、n個の演算結果伝達回
路(330(1)〜330(3))の中からスイッチン
グ回路として機能させる演算結果伝達回路を選択する構
成としている。本構成とすることで、n個の演算結果伝
達回路(330(1)〜330(3))が、演算結果信
号線152で直列に接続されていても、2nの状態を表
わすことができる。表1に、演算結果伝達回路(330
(1)〜330(3))の内、どの演算結果伝達回路を
スイッチング回路とするかを選ぶ、選びかたを示す。表
1の中で、(−)は演算結果伝達回路(330(1)〜
330(3))が常にONである状態を示しており、ま
た、SWは演算結果伝達回路(330(1)〜330
(3))がスイッチング回路として働く事を示してい
る。演算結果伝達回路(330(1)〜330(3))
はスイッチング回路であるが、演算結果伝達回路(33
0(1)〜330(3))が常にONであるように設定
するということは、スイッチング回路が無い事と同じと
考えられる。
【0044】
【表1】
【0045】スイッチング回路を直列に接続した場合で
は、スイッチング回路が全てONと1つでもOFFの2
つの状態しか選ぶことができないが、n個のスイッチン
グ回路の中からどのスイッチング回路を選ぶかで状態を
分けると、2n個の状態を選ぶことができる。そのた
め、演算回路329から時間制御信号線のデータをもと
に、電圧バスライン151の階調電圧の変化する周期に
合わせて、任意の時間にスイッチング回路をONとする
ような演算結果を出力すれば、スイチング回路がONし
た時間の電圧バスライン151の階調電圧を選択するこ
とができる。
【0046】図16、図17は、本実施の形態におい
て、表示データが3ビットの場合の選択回路324の一
例の回路構成を示す回路図である。なお、図16のAで
示す線の端は図17のAで示す端部につながり、図16
のBで示す線の端は図17のBで示す端部につながって
いる。本実施の形態の液晶表示モジュールでは、選択回
路324内の電圧バスラインは1本であり、この電圧バ
スライン151に、図18のに示すような、その電圧
レベルが8段階の階段状に変化する階調電圧が供給され
る。また、161〜169は時間制御信号線であり、こ
の時間制御信号線(161〜169)には、図18に示
す〜のような波形の時間制御パルスが供給される。
なお、図16において、DD1が最下位ビット、DD2
が第2ビット、DD3が第3ビットのデータライン、C
M1,CM2,CM3はメモリ容量である。
【0047】以下、図16、図17に示す回路におい
て、3ビットの表示データが「1,0,1」の場合にお
ける、選択回路324の動作を図20を用いて説明す
る。なお、図20は、選択回路324の動作を説明する
ためのタイミングチャートである。まず、表示データは
表示データ保持回路328を構成するメモリ容量(CM
1〜CM3)に取り込まれる。本実施の形態の選択回路
324では、1走査期間毎、1本のゲート信号線(G)
に正のバイアス電圧を印加して、選択されたゲート信号
線(G)に接続された各画素に階調電圧の書き込みを行
う。表示データは、画素に階調電圧の書き込みが行われ
る前に選択回路324に取り込まれる。n番目のゲート
信号線(G)に接続された各画素に階調電圧の書き込み
が行われている間に、(n+1)番目の画素に書き込み
が行われる表示データは選択回路324に取り込まれ
る。
【0048】図16に示す回路では、1走査期間内に水
平走査回路120の水平シフトレジスタ回路121の出
力端子(HSR3)からHレベルの表示データ取り込み
用シフトパルス(SH)が出力される。表示データ取り
込み用シフトパルス(SH)が出力されるとノード(N
9)がHレベルとなるので、各データ取込トランジスタ
(NMTM1〜NMTM3)がオンなり、各データライ
ン(DD1〜DD3)から、各メモリ容量(CM1〜C
M3)に、3ビットの表示データの各ビット値に相当す
る電圧が格納される。図19に示すように、本実施の形
態では、表示データの「1」はLレベル、表示データ
「0」はHレベルとしている。そのため、表示データが
「1」の時、メモリ容量に蓄えられる電圧レベルはLレ
ベルである。今、メモリ容量(CM1,CM2,CM
3)に「1,0,1」の3ビットの表示データに対応す
る電圧が格納される場合を考えているので、メモリ容量
CM1に保持される電圧レベルはLレベル、メモリ容量
CM2の電圧レベルはHレベル、メモリ容量CM3の電
圧レベルはLレベルとなる。このように、本実施の形態
の選択回路324では、各画素に階調電圧の書き込みを
行う1走査期間の前の1走査期間に、各メモリ容量(C
M1〜CM3)に、3ビットの表示データの各ビット値
に相当する電圧が保持されている。
【0049】次の1走査期間となると、図20に示す時
刻t0までの間、図20に示すパルスがHレベルであ
るので、演算結果信号線152に接続した演算結果信号
線リセットトランジスタ(PMTIN1)はオフとなっ
ている。この後、図20に示すリセットパルスがHレ
ベルとなり、階調電圧出力回路リセットトランジスタ
(NMTR1)がオンとなる。この場合に、各演算結果
伝達トランジスタ(PMTT1〜PMTT3)はすべて
オンとなっているので、各ノード(N1〜N4)はLレ
ベル(負の電源電位Vss)となる。また、図17に示
す、階調電圧出力回路326の各PMOS(PMT5,
PMT6,PMT7)と各NMOS(NMT5,NMT
6,NMT7)は、ノード(N4)の電位を入力とする
レベルシフト回路を構成するが、ノード(N4)の電位
がLレベルの場合に、レベルシフト回路の第1の出力
(ノード(N6))はHレベル、レベルシフト回路の第
2の出力(ノード(N7))はLレベルとなる。これに
より、PMOSゲートトランジスタ(PMTAG)およ
びNMOSゲートトランジスタ(NMTAG)からなる
ゲート回路(GT5)はオンとなり、ゲート回路(GT
5)からは、図18のに示す階調電圧のV0の電圧レ
ベルの電位が出力される。
【0050】次に、図20に示すパルスがLレベルか
らHレベルに変化し、これにより、各メモリデータ転送
トランジスタ(NMTTG1〜NMTTG3)がオンと
なり、各メモリ容量(CM1〜CM3)に蓄えられたレ
ベル電位が、表示データ演算回路325を構成する演算
トランジスタ(PMTG1〜PMTG3,NMTG1〜
NMTG3)のゲート電極に伝えられる。演算トランジ
スタ(PMTG1〜PMTG3,NMTG1〜NMTG
3)のゲート電極には、1走査期間前のレベル電位が蓄
えられているため、各メモリ容量(CM1〜CM3)に
蓄えられたレベル電位と1走査期間前のレベル電位との
容量分割で決まる電位が、ノード(N10)、ノード
(N11)およびノード(N12)の電位となる。この
状態における各ノード(N10〜N12)の電位が、各
PMOS演算トランジスタ(PMTG1〜PMTG3)
および各NMOS演算トランジスタ(NMTG1〜NM
TG3)で構成される、CMOSインバータ回路と同じ
回路構成の表示データ演算回路325に入力される。な
お、表示データ演算回路325は、図6に示したスイッ
チング回路(SW1〜SW3)と同じ動作をする。但
し、PMOSトランジスタとNMOSトランジスタの配
置が逆であるため、出力する信号の極性は反対となる。
表示データ演算回路325では、各メモリ容量(CM1
〜CM3)に蓄えられたHレベルまたはLレベルを反映
するように、各PMOS演算トランジスタ(PMTG1
〜PMTG3)および各NMOS演算トランジスタ(N
MTG1〜NMTG3)のゲート容量と、メモリ容量
(CM1〜CM3)の容量値が設定されている。なお、
表示データ保持回路328をインバータ回路で形成する
ことも可能である、例えば、図12のインバータ回路
(IV1,IV2)で示すようなインバータ回路を2個
用いてラッチ回路を形成し、表示データ保持回路328
として使用することが可能である。その場合には、使用
するトランジスタの数は増えるが、容量値の設定は不要
である。
【0051】図20に示すパルスがLレベルからHレ
ベルに変化すると、各メモリ容量(CM1〜CM3)に
蓄えられた電圧レベルに応じて、各表示データ演算回路
325の各PMOS演算トランジスタ(PMTG1〜P
MTG3)あるいは各NMOS演算トランジスタ(NM
TG1〜NMTG3)のいずれか一方がオンとなり、各
演算結果伝達トランジスタ(PMTT1〜PMTT3)
のゲート電極に、Vssの電位あるいは時間制御パルス
(,,)が印加される。本例の場合、各表示デー
タ演算回路325の各PMOS演算トランジスタ(PM
TG1〜PMTG3)と各NMOS演算トランジスタ
(NMTG1〜NMTG3)のオン・オフ状態、および
各演算結果伝達トランジスタ(PMTT1〜PMTT
3)のゲート電極の接続先は、表2の通りとなる。
【0052】
【表2】
【0053】この後、図20に示すパルスがHレベル
からLレベルに変化するが、前記表2に示す状態は維持
される。次に、時刻t0のタイミングで、図20に示す
パルスがHレベルからLレベルに変化し、演算結果信
号線リセットトランジスタ(PMTIN1)がオンとな
り、ノード(N1)の電位が(VDD)の電位(Hレベ
ル)となる。この時の、各演算結果伝達トランジスタ
(PMTT1〜PMTT3)のオン・オフ状態、および
各ノード(N1〜N7)の電圧レベルを表3に示す。
【0054】
【表3】
【0055】なお、表3において、ノード(N8)の電
圧レベルは、ドレイン信号線(D)の電圧レベルを表し
ている。以下、表4〜表10も同様である。次に、時刻
t1のタイミングにおいて、図20に示す時間制御パル
スがHレベルからLレベルに変化し、演算結果伝達ト
ランジスタ(PMTT3)がオンとなるが、演算結果伝
達トランジスタ(PMTT1)がオフのため、各ノード
(N1〜N7)の電圧レベルは変化せず、ゲート回路
(GT5)もオン状態を維持する。時刻t1直後の各演
算結果伝達トランジスタ(PMTT1〜PMTT3)の
オン・オフ状態、および各ノード(N1〜N7)の電圧
レベルを表4に示す。
【0056】
【表4】
【0057】同様に、時刻t2、t3のタイミングにお
いても、演算結果伝達トランジスタ(PMTT1)がオ
フのため、各ノード(N1〜N7)の電圧レベルは変化
せず、ゲート回路(GT5)もオン状態を維持する。時
刻t2、t3直後の各演算結果伝達トランジスタ((P
MTT1〜PMTT3)のオン・オフ状態、および各ノ
ード(N1〜N7)の電圧レベルを表5、表6に示す。
【0058】
【表5】
【0059】
【表6】
【0060】時刻t4のタイミングにおいて、図20に
示す時間制御パルスがHレベルからLレベルに変化
し、演算結果伝達トランジスタ(PMTT1)がオンと
なり、各ノード(N1,N2,N3)がHレベルに変化
するが、図20に示す時間制御パルスがHレベルのた
め、各ノード(N4〜N7)の電圧レベルは変化せず、
ゲート回路(GT5)もオン状態を維持する。時刻t4
直後の各演算結果伝達トランジスタ(PMTT1〜PM
TT3)のオン・オフ状態、および各ノード(N1〜N
7)の電圧レベルを表7に示す。
【0061】
【表7】
【0062】時刻t5のタイミングにおいて、図20に
示す時間制御パルスがLレベルに変化するため、ノー
ド(N4)がHレベル、ノード(N5)がLレベルに変
化し、それに伴い、ノード(N6)がLレベル、ノード
(N7)がHレベルに変化する。したがって、ゲート回
路(GT5)はオフとなり、ドレイン信号線(D)の電
位は、時刻t5の直前の電圧レベルの電位となる。時刻
t5直後の各演算結果伝達トランジスタ((PMTT1
〜PMTT3)のオン・オフ状態、および各ノード(N
1〜N7)の電圧レベルを表8に示す。
【0063】
【表8】
【0064】これ以降は、リセットパルスがHレベル
となり、初期状態に設置されるまでは、各演算結果伝達
トランジスタ(PMTT1〜PMTT3)のオン・オフ
状態、および各ノード(N1〜N7)の電圧レベルは、
図20に示す時間制御パルスの電圧レベルに関わらず、
この状態が維持される。したがって、リセットパルス
がHレベルになる前に、ドレイン信号線(D)の電位を
画素に書き込むことにより、表示データに対応した階調
電圧が画素に書き込まれることになる。なお、時刻t
6、t7直後の各演算結果伝達トランジスタ(PMTT
1〜PMTT3)のオン・オフ状態、および各ノード
(N1〜N7)の電圧レベルを表9、表10に示す。
【0065】
【表9】
【0066】
【表10】
【0067】上記動作の間に、水平シフトレジスタ回路
121の走査が行われ、次の走査ラインのデータ(図1
9(b)に示すデータ)が各映像信号線(D)毎のメモ
リ容量(C1,C2,C3)に保持される。この後、図
18に示す階調電圧をV0の電圧に戻し、再び時刻t0
からt7までの走査を繰り返す。また、この時、垂直走
査回路130は、次の走査ラインを選択する。
【0068】本実施の形態では、ゲート回路(GT5)
に制御電圧を印加するノード(N2,N3,N4)以外
は、表示データの各ビット毎の構成要素(例えば、PM
OS演算トランジスタ(PMTG1,PMTT1)、N
MOS演算トランジスタ(NMTG1,NMTT1),
メモリ容量(CM1)、負の電源(Vss)、および電
圧バスライン151)を独立に形成することができるの
で、各ビット間をわたる配線などが不要となる。したが
って、本実施の形態の液晶表示モジュールは、特に高密
度レイアウトが要求される小型の液晶表示装置に適して
いる。例えば、0.7インチ(対角17.78mm)の
XGAタイプの液晶表示パネルに、選択回路等を内蔵さ
せようとすると、約14μmのピッチ(幅)にレイアウ
トする必要がある。しかしながら、例えば、表示データ
が8ビットで、2μmのラインアンドスペースの配線を
使用すると、前記図8に示す回路構成では、デジタル信
号メモリアレイ122から第1の選択回路223および
第2の選択回路224への配線だけでも32μm必要で
あり、レイアウト不可能になるが、本実施の形態の回路
構成では容易に実現可能となる。また、本実施の形態で
は、表示データが3ビットの場合を例に挙げて説明した
が、表示データの各ビット当たり構成要素(例えば、P
MOSトランジスタ(PMTG1,PMTT1)、NM
OSトランジスタ(NMTG1,NMTT1)、メモリ
容量(CM1)、負の電源(Vss)、および時間制御
信号線)を追加するだけで、表示データのビット数が増
加した場合でも容易に対応可能である。例えば、表示デ
ータが8ビットであっても、トランジスタの総数は、1
ドレイン信号線(D)当たり50個で済む。
【0069】さらに、本実施の形態において、時間制御
信号線(161〜169)と負の電源電位(Vss)の
電源ラインとの配線を逆にすることにより、p型電界効
果型トランジスタ(PMTT1,PMTT2,PMTT
3)をn型電界効果型トランジスタに置き換えることも
可能である。しかしながら、本実施の形態のように、P
MOSトランジスタ(PMTT1,PMTT2,PMT
T3)を使用することにより、ノード(N2,N3,N
4)がフローティング状態の時に、電界効果型トランジ
スタのオン・オフにより、電界効果型トランジスタのゲ
ート電極下でチャージポンピングが発生したとしても、
ノード(N2,N3,N4)の電位を引き下げる方向、
即ち、より強いLレベルとなるだけであるので、ゲート
回路(GT5)のオンレベルの不安定要素となることが
なく、ゲート回路(GT5)の誤動作を防止することが
できる。逆に、ノード(N2,N3,N4)がHレベル
になった場合には、ノード(N2,N3,N4)の電位
を引き下げる方向に働くが、この場合は、上位ビット側
からの補充が周期的に行われるため、各ノード容量を適
当な値に設定することにより不安定動作を回避すること
ができる。また、ゲート回路(GT5)をオフにする制
御電圧をHレベルの電圧とする場合に、p型電界効果型
トランジスタによる回路構成では、しきい値電圧の低下
なく、電圧を次のノードに伝えることができ、さらに、
放電モードでの動作であるため、次のノードの充電速度
も早いという利点を有している。なお、電源電圧(VD
D)入力側の電界効果型トランジスタ(PMOS(PM
TIN1)をp型電界効果型トランジスタとしているの
も同じ理由である。
【0070】一般に、液晶層は、長時間同じ電圧(直流
電圧)が印加されていると、液晶層の傾きが固定化さ
れ、結果として残像現象を引き起こし、液晶層の寿命を
縮めることになる。これを防止するために、このTFT
方式の液晶表示モジュールおいては、液晶層に印加する
電圧をある一定時間毎に交流化、即ち、コモン電極に印
加する電圧を基準にして、画素電極に印加する電圧を、
一定時間毎に正電圧側/負電圧側に変化させるようにし
ている。以下、前記各実施の形態のTFT方式の液晶表
示モジュールにおける交流化駆動方法について説明す
る。液晶層に交流電圧を印加する駆動方法として、コモ
ン対称法とコモン反転法の2通りの方法が知られてい
る。コモン反転法とは、コモン電極(ITO2)に印加
される電圧と画素電極(ITO1)に印加する電圧と
を、交互に正、負に反転させる方法である。また、コモ
ン対称法とは、図コモン電極(ITO2)に印加される
電圧を一定とし、画素電極(ITO1)に印加する電圧
を、コモン電極(ITO2)に印加される電圧を基準に
して、交互に正、負に反転させる方法であり、このコモ
ン対称法は、低消費電力と表示品質の点で優れている。
【0071】本実施の形態の液晶表示モジュールにおい
ては、電源回路12から供給する階調電圧の極性を変化
させることにより、どちらの方式にも対応可能である。
例えば、図21に示すように、奇数フレームの奇数ライ
ンに正極性の階調電圧を、奇数フレームの偶数ラインに
負極性の階調電圧を印加し、さらに、偶数フレームの奇
数ラインに負極性の階調電圧を、また、偶数フレームの
偶数ラインに正極性の階調電圧を印加する交流化駆動方
法を採用する場合であっても、電源回路12から第1の
選択回路123あるいは選択回路324に、一走査ライ
ン毎に、正極性あるいは負極性の階調電圧(VA1〜V
A8)を供給することにより容易に対応可能である。ま
た、このコモン対称法の一つに、図22に示すドット反
転法がある。このドット反転法とは、図22に示すよう
に、例えば、奇数フレームの奇数ラインでは、奇数番目
のドレイン信号線(D)に負極性の階調電圧(図22で
は●で示す)が、また、偶数番目のドレイン信号線
(D)に正極性の階調電圧(図22では○で示す)が印
加される。さらに、奇数フレームの偶数ラインでは、奇
数番目のドレイン信号線(D)に正極性の階調電圧が、
また、偶数番目のドレイン信号線(D)に負極生の階調
電圧が印加される。また、各ライン毎の極性はフレーム
毎に反転され、即ち、図22に示すように、偶数フレー
ムの奇数ラインでは、奇数番目のドレイン信号線(D)
に正極性の階調電圧が、また、偶数番目のドレイン信号
線(D)に負極生の階調電圧が印加される。また、偶数
フレームの偶数ラインでは、奇数番目のドレイン信号線
(D)に負極性の階調電圧が、また、偶数番目のドレイ
ン信号線(D)に正極性の階調電圧が印加される。この
ドット反転法を使用することにより、隣り合うドレイン
信号線(D)に印加される電圧が逆極性となるため、コ
モン電極(ITO2)や薄膜トランジスタ(TFT)の
ゲート電極に流れる電流が隣同志で打ち消し合い、消費
電力を低減することができる。また、コモン電極(IT
O2)に流れる電流が少なく電圧降下が大きくならない
ため、コモン電極(ITO2)の電圧レベルが安定し、
表示品質の低下を最小限に抑えることができる。
【0072】前記実施の形態1〜3の液晶表示モジュー
ルにおいて、前記ドット反転法を採用する場合には、図
23に示すように、2系統の電圧バスライン(171,
172)を設け、一方の電圧バスライン171から、第
1の選択回路123内の各ドレイン信号線(D)当たり
の選択回路の中の、奇数番目の選択回路(図23に示す
123Aに階調電圧を供給し、また、他方の電圧バスラ
イン172から、第1の選択回路123内の各ドレイン
信号線(D)当たりの選択回路の中の、偶数番目の選択
回路(図23に示す123B)に階調電圧を供給するよ
うにして、各走査ライン毎に、電源回路12から2系統
の電圧バスラインに正極性あるいは負極性の階調電圧を
供給するようにすればよい。また、前記実施の形態4の
液晶表示モジュールにおいても、前記同様、2系統の電
圧バスラインを設け、一方の電圧バスラインから、選択
回路324内の各ドレイン信号線(D)当たりの選択回
路の中の、奇数番目の選択回路に階調電圧を供給し、ま
た、他方の電圧バスラインから、選択回路324内の各
ドレイン信号線(D)当たりの選択回路の中の、偶数番
目の選択回路に階調電圧を供給するようにして、各走査
ライン毎に、電源回路12から2系統の電圧バスライン
に正極性あるいは負極性の階調電圧を供給するようにす
ればよい。なお、前記各実施の形態では、水平走査回路
120および垂直走査回路130を、液晶表示パネル内
に組み込まれた実施の形態について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、水平走査回路120
および垂直走査回路130は、液晶表示パネルの外部に
設けるようにしてもよい。以上、本発明者によってなさ
れた発明を、前記発明の実施の形態に基づき具体的に説
明したが、本発明は、前記発明の実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種
々変更可能であることは勿論である。
【0073】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。 (1)本発明によれば、水平走査駆動手段内の信号線の
本数、およびトランジスタの総数を低減することが可能
となり、水平走査駆動手段の回路規模を小型化すること
ができる。 (2)本発明によれば、液晶表示素子内に水平駆動手段
路を組み込む場合に、水平駆動手段が占有する面積を少
なくすることが可能となる。 (3)本発明によれば、液晶表示素子を小型化すること
が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1のTFT方式の液晶表示
モジュールの全体の概略構成を示すブロック図である。
【図2】本発明の実施の形態1の液晶表示パネルの一例
の等価回路を示す回路図である。
【図3】図1、図2に示すデジタル信号メモリアレイの
回路構成を示す回路図である。
【図4】図1、図2に示す第1の選択回路の1ドレイン
信号線(D)当たりの選択回路の回路構成を示す回路図
である。
【図5】図4に示す各電圧バスラインに供給される階調
電圧(VA1〜VA8)における、1走査期間内の電圧
レベルの変化を示す波形図である。
【図6】図1、図2に示す第2の選択回路の1ドレイン
信号線(D)当たりの選択回路の回路構成を示す回路図
である。
【図7】図6に示す時間制御パルス(,,)の波
形を示す波形図である。
【図8】本発明の前に本発明者により検討された第1の
選択回路および第2の選択回路の回路構成を示す回路図
である。
【図9】図8に示す各時間制御信号線に供給される時間
制御信号(TP1〜TP8)の波形を示す波形図であ
る。
【図10】本発明の実施の形態2のTFT方式の液晶表
示モジュールにおける、第2の選択回路の1ドレイン信
号線(D)当たりの選択回路の回路構成を示す回路図で
ある。
【図11】図10に示す時間制御パルス(,,,
)の波形を示す波形図である。
【図12】本発明の実施の形態3のTFT方式の液晶表
示モジュールにおける、第2の選択回路の1ドレイン信
号線(D)当たりの選択回路の回路構成を示す回路図で
ある。
【図13】本発明における第2の選択回路として採用可
能な他の回路構成を示す回路図である。
【図14】本発明の実施の形態4のTFT方式の液晶表
示モジュールの全体の概略構成を示すブロック図であ
る。
【図15】本発明の実施の形態4において、表示データ
が3ビットの場合の水平走査回路の回路構成を示すブロ
ック図である。
【図16】本発明の実施の形態4において、表示データ
が3ビットの場合の選択回路の回路構成を示す回路図で
ある。
【図17】本発明の実施の形態4において、表示データ
が3ビットの場合の選択回路の回路構成を示す回路図で
ある。
【図18】図16に示す時間制御パルス(,,,
,)の波形を示す波形図である。
【図19】本発明の実施の形態4における、表示データ
の電圧レベルを示す波形図である。
【図20】本発明の実施の形態4における、各PMOS
(PMTT1〜PMTT3)のオン・オフ状態、および
各ノード(N1〜N4)電位を示す波形図である。
【図21】本発明の各実施の形態における交流化駆動方
法の一例を説明するための図である。
【図22】液晶表示モジュールの駆動方法として、ドッ
ト反転法を使用した場合に、ドレイン信号線(D)に出
力される階調電圧の極性を説明するための図である。
【図23】本発明の各実施の形態において、ドット反転
法を採用するための回路構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
10…液晶表示パネル(液晶表示素子)、11…表示制
御装置、12…電源回路、110…表示部、120…垂
直画素ライン選択回路(水平走査回路)、121…メモ
リアドレス選択回路(水平シフトレジスタ回路)、12
2…デジタル信号メモリアレイ、122A…第1のラッ
チ回路、122B…第2のラッチ回路、123,223
…第1の選択回路(上位ビット選択回路)、123A,
123B…第1の選択回路123内の1ドレイン信号線
(D)当たりの選択回路、124,224…第2の選択
回路(下位ビット選択回路)、130…水平画素ライン
選択回路(垂直走査回路)、131〜138,151,
171,172…電圧バスライン、141〜143,1
61〜169,241〜248…時間制御信号線、15
2…演算結果信号線、324…選択回路、325…表示
データ演算回路、326…階調電圧出力回路、328…
表示データ保持回路、329…演算回路、330(1)
〜330(3)…演算結果伝達回路、G…ゲート信号線
(走査信号線または水平信号線)、D…ドレイン信号線
(映像信号線または垂直信号線)、TFT…薄膜トラン
ジスタ、ITO…画素電極、ITO2…コモン電極(対
向電極)、CLC…液晶容量、C0…容量素子、CN…共
通信号線、CSTG…保持容量、GT…ゲート回路、P
T,PMT,PMTIN1,PMTT,PMTG,PM
TAG…p型MOSトランジスタ、NT、NTM,NM
TM,NMTR1,NMTG,NMTAG,NMTTG
…n型MOSトランジスタ、NAND1…ナンド回路、
NOR1…ノア回路。CM1,CM2,CM3…メモリ
容量、DD1〜DD3…データライン。
フロントページの続き (72)発明者 佐藤 秀夫 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 景山 寛 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一方が透明の互いに対向する2枚の基板
    と、前記2枚の基板に挟まれた液晶層とを有する液晶表
    示装置で、 複数の画素と、 前記複数の画素に映像信号電圧を印加する複数の映像信
    号線と、 前記複数の映像信号線に映像信号電圧を供給する駆動手
    段と、 前記駆動手段に複数個の階調電圧を供給する電源部と、 前記駆動手段を制御する表示制御手段とを備える液晶表
    示装置であって、 前記表示制御手段は、前記駆動手段に対して、少なくと
    もnビットの表示データと、p種類の時間制御信号を供
    給し、 前記電源部は、前記駆動手段に対して、電圧レベルがそ
    れぞれ異なり、1走査期間内にその電圧レベルが時間と
    ともに変化する2m個の階調電圧を供給し、 前記駆動手段は、前記表示制御手段から送信されるnビ
    ットの表示データを格納する格納手段と、 前記各映像信号線毎に設けられ、前記格納手段に格納さ
    れたnビットの表示データのmビットのビット値に応じ
    て、前記電源部から供給される2m個の階調電圧の中の
    いずれか1つを選択する選択手段と、 前記各映像信号線毎に設けられ、前記格納手段に格納さ
    れたnビットの表示データのpビットのそれぞれのビッ
    ト値に応じて、前記表示制御部から供給される時間制御
    信号または第1レベルの電圧を選択するp個のスイッチ
    ング手段と、 前記各映像信号線毎に設けられ、前記p個のスイッチン
    グ手段の各出力電圧が第1レベルの電圧の場合に、出力
    状態を変化させる論理回路手段と、 前記各映像信号線毎に設けられ、前記論理回路手段の出
    力状態の変化に応じて、前記選択手段により選択された
    階調電圧における、前記論理回路手段の出力状態変化時
    の電圧レベルを映像信号電圧として、前記各映像信号線
    に供給する出力回路手段とを備えることを特徴とする液
    晶表示装置。
  2. 【請求項2】 前記電源部から前記駆動手段に対して供
    給される2m個の階調電圧は、1走査期間内にその電圧
    レベルが2p段階に変化する階段状の電圧であることを
    特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項3】 前記表示制御手段から前記駆動手段に対
    して供給されるp個の時間制御信号は、第1レベルの電
    圧と第2レベルの電圧とが交互に繰り返されるパルス信
    号であって、 表示データの最下位ビットの値に応じて前記スイッチン
    グ手段により選択されるパルス信号の周期をkとする
    時、表示データの第i(i=2,…,p)番目のビット
    の値に応じて前記スイッチング手段により選択されるパ
    ルス信号の周期は、k×2(i-1)であることを特徴とす
    る請求項1または請求項2に記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項4】 マトリクス状に設けられる複数の画素
    と、 前記複数の画素の列または行方向の画素に映像信号電圧
    を印加する複数の映像信号線と、 前記複数の映像信号線に映像信号電圧を供給する駆動手
    段と、 少なくとも、前記駆動手段に複数個の階調電圧を供給す
    る電源部と、 前記駆動手段を制御する表示制御手段とを備える液晶表
    示装置であって、 前記表示制御手段は、前記駆動手段に対して、少なくと
    もnビットの表示データと、n個の時間制御信号を供給
    し、 前記電源部は、前記駆動手段に対して、1走査期間内に
    その電圧レベルが時間とともに変化する階調電圧を供給
    し、 前記駆動手段は、前記表示制御手段から送信されるnビ
    ットの表示データを格納する格納手段と、 前記各映像信号線毎に設けられ、前記格納手段に格納さ
    れたnビットの表示データのそれぞれのビット値に応じ
    て、前記表示制御部から供給される時間制御信号または
    第1レベルの電圧を選択するn個のスイッチング手段
    と、 前記各映像信号線毎に設けられ、前記n個のスイッチン
    グ手段の各出力電圧が第1レベルの電圧の場合に、出力
    状態を変化させる演算結果伝達手段と、 前記各映像信号線毎に設けられ、前記演算結果伝達手段
    の出力状態の変化に応じて、前記電源部から供給される
    階調電圧における、前記演算結果伝達手段の出力状態変
    化時の電圧レベルを映像信号電圧として、前記各映像信
    号線に供給する出力回路手段とを備えることを特徴とす
    る液晶表示装置。
  5. 【請求項5】 前記格納手段は、前記表示制御手段から
    送信されるnビットの表示データのそれぞれのビット値
    の電圧を保持するn個の容量素子であることを特徴とす
    る請求項4に記載の液晶表示装置。
  6. 【請求項6】 前記電源部から前記駆動手段に対して供
    給される階調電圧は、1走査期間内にその電圧レベルが
    n段階に変化する階段状の電圧であることを特徴とす
    る請求項4または請求項6に記載の液晶表示装置。
  7. 【請求項7】 前記表示制御手段から前記駆動手段に対
    して供給されるn個の時間制御信号は、第1レベルの電
    圧と第2レベルの電圧とが交互に繰り返されるパルス信
    号であって、 表示データの最下位ビットの値に応じて前記スイッチン
    グ手段により選択されるパルス信号の周期をkとする
    時、表示データの第i(i=2,…,n)番目のビット
    のビット値に応じて前記スイッチング手段により選択さ
    れるパルス信号の周期は、k×2(i-1)であることを特
    徴とする請求項4ないし請求項6のいずれか1項に記載
    の液晶表示装置。
  8. 【請求項8】 透明の互いに対向する2枚の基板と、前
    記2枚の基板に挟まれた液晶層とを有する液晶表示装置
    で、 複数の画素と、 前記複数の画素に映像信号電圧を印加する複数の映像信
    号線と、 前記複数の映像信号線に映像信号電圧を供給する駆動回
    路と、 前記駆動回路に表示データを供給する複数の表示データ
    線と、 前記駆動回路に複数の階調電圧を供給する階調電圧線と
    を有する液晶表示装置であって、 前記駆動回路は、前記表示データ線毎に設けられ、前記
    表示データ線により供給される表示データに基づいて演
    算を行う複数の表示データ演算回路と、 前記表示データ演算回路の演算結果に従い、前記階調電
    圧線により供給される複数の階調電圧の中のいずれか1
    つの階調電圧を映像信号電圧として前記映像信号線に出
    力する階調電圧出力回路と、 前記各表示データ演算回路の演算結果を前記階調電圧出
    力回路に伝える演算結果伝達線とを備え、 前記複数の表示データ演算回路と、前記階調電圧出力回
    路と、前記演算結果伝達線とは、前記各映像信号線毎に
    設けられ、かつ、前記複数の表示データ演算回路と、前
    記階調電圧出力回路とは、前記映像信号線毎に演算結果
    伝達線で直列に接続されていることを特徴とする液晶表
    示装置。
  9. 【請求項9】 前記階調電圧線は、1本の階調電圧線で
    複数の電圧レベルの階調電圧を供給することを特徴とす
    る請求項8に記載の液晶表示装置。
  10. 【請求項10】 前記複数の表示データ演算回路は、前
    記映像信号線の延長線上に一列に形成されていることを
    特徴とする請求項8または請求項9に記載の液晶表示装
    置。
  11. 【請求項11】 前記一列に形成された複数の表示デー
    タ演算回路の中の一端の表示データ演算回路以外の表示
    データ演算回路は、隣接する表示データ線の間に形成さ
    れていることを特徴とする請求項10に記載の液晶表示
    装置。
  12. 【請求項12】 互いに対向する2枚の基板と、前記2
    枚の基板に挟まれた液晶層とを有する液晶表示装置で、 複数の画素と、 前記複数の画素に映像信号電圧を印加する複数の映像信
    号線と、 前記複数の映像信号線に映像信号電圧を供給する駆動回
    路と、 前記駆動回路に表示データを供給する複数の表示データ
    線と、 前記駆動回路に、時間に従って周期的に変化する階調電
    圧を供給する階調電圧線と、 前記駆動回路に、パルス信号を供給する複数の制御信号
    線とを有する液晶表示装置であって、 前記駆動回路は、前記表示データ線毎に設けられ、前記
    表示データ線により供給される表示データと、前記複数
    の制御信号線の中の対応する時間制御線により供給され
    るパルス信号との演算を行う複数の演算回路と、 前記複数の演算回路の値に応じて、前記階調電圧線によ
    り供給される階調電圧の中のいずれか1つの階調電圧を
    選択する選択手段とを備え、 前記複数の演算回路と、前記選択手段とは、前記各映像
    信号線毎に設けられ、 前記表示データは、前記表示データ線毎に設けられる格
    納手段に格納されることを特徴とする液晶表示装置。
  13. 【請求項13】 前記階調電圧は、時間に従い電圧レベ
    ルが階段状に変化することを特徴とする請求項12に記
    載の液晶表示装置。
  14. 【請求項14】 前記複数の格納手段は、前記各映像信
    号線の延長線上に一列に形成されていることを特徴とす
    る請求項12または請求項13に記載の液晶表示装置。
  15. 【請求項15】 前記一列に形成された複数の格納手段
    の中の一端の格納手段以外の格納手段は、隣接する表示
    データ線の間に形成されていることを特徴とする請求項
    14に記載の液晶表示装置。
  16. 【請求項16】 前記選択手段は、選択した前記階調電
    圧を前記映像信号線に出力することを特徴とする請求項
    12ないし請求項15のいずれか1項に記載の液晶表示
    装置。
  17. 【請求項17】 互いに対向する2枚の基板と、前記2
    枚の基板に挟まれた液晶層とを有する液晶表示装置で、 複数の画素と、 前記複数の画素に映像信号電圧を印加する複数の映像信
    号線と、 前記複数の映像信号線に映像信号電圧を供給する駆動回
    路と、 前記駆動回路に、nビットの表示データを供給するn本
    の表示データ線と、 前記駆動回路に、時間に従って周期的に2n段階に変化
    する階調電圧を供給する階調電圧線と、 前記駆動回路に、前記階調電圧の変化に従い値が変化す
    るデータを供給するn本の制御信号線とを有する液晶表
    示装置であって、 前記駆動回路は、表示データ線毎に設けられ、前記表示
    データ線により供給される表示データと、前記n個の制
    御信号線の中の対応する制御信号線により供給されるデ
    ータとで演算を行うn個の演算回路と、 前記n個の演算回路の演算結果に応じて、前記階調電圧
    線により供給される階調電圧の中のいずれか1つの階調
    電圧を選択し、映像信号電圧として出力する出力回路と
    を有し、 前記n個の演算回路と、前記出力回路とは、前記各映像
    信号線毎に設けられ、かつ、前記n個の演算回路は、前
    記各映像信号線の延長線上に設けられていることを特徴
    とする液晶表示装置。
  18. 【請求項18】 前記n個の演算回路の出力に接続され
    たn個のスイッチング素子と、 前記n個のスイッチング素子を直列に接続する演算結果
    伝達線とを有することを特徴とする請求項17に記載の
    液晶表示装置。
  19. 【請求項19】 前記n個の演算回路は一列に形成さ
    れ、 前記一列に形成されたn個の演算回路の中の一端の演算
    回路以外の演算回路は、隣接する表示データ線の間に形
    成されていることを特徴とする請求項17または請求項
    18に記載の液晶表示装置。
  20. 【請求項20】 前記出力回路は、前記階調電圧を前記
    映像信号線に出力するゲート回路を有し、 前記ゲート回路は、選択した階調電圧を映像信号線に出
    力した後オフとなることを特徴とする請求項17ないし
    請求項19のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
  21. 【請求項21】 前記出力回路は、前記階調電圧を前記
    映像信号線に出力するゲート回路を有し、 前記ゲート回路は、前記演算結果伝達線の信号によりオ
    ン・オフが切り替わることを特徴とする請求項17ない
    し請求項20のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
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