JP2000188348A - 気密パッケージ、その製造用構体、その製造用構体の製造方法および気密パッケージの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 絶縁性ベースの開口部を封止材を介してキャ
ップで封止した気密パッケージにおいて、気密パッケー
ジ内に有害ガスが含まれない気密パツケージを提供す
る。 【解決手段】 気密パツケージ製造用構体である絶縁性
ベース１のキャップ封止面に、多孔質でかつ独立した気
泡を含まない低融点ガラスからなる封止材層９ａを形成
して、この絶縁性ベース１にキャップを重ね合わせて、
前記封止材層９ａを加熱溶融させて封止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁性ベース内に
水晶振動素子、水晶発振素子、ＳＡＷデバイス素子等の
電子素子を封入しキャップで封止した気密パツケージに
関する。本発明はまた、絶縁性ベース内に水晶振動素子
等の電子素子を封入しキャップで封止する気密パツケー
ジの製造用構体である絶縁性ベースおよび／またはキャ
ップに関する。本発明はまた、絶縁性ベース内に水晶振
動素子、水晶発振素子、ＳＡＷデバイス素子等の電子素
子を封入しキャップで封止する気密パツケージの製造用
構体である絶縁性ベースおよびまたはキャップの製造方
法に関する。本発明はさらにまた、絶縁性ベース内に水
晶振動素子、水晶発振素子、ＳＡＷデバイス素子等の電
子素子を封入しキャップで封止する気密パツケージの製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】水晶振動素子、水晶発振素子、ＳＡＷデ
バイス素子等の電子素子用の気密パッケージとして、絶
縁性ベースと、この絶縁性ベース内から絶縁性ベース外
に導出された導電体と、絶縁性ベースの開口部に封止さ
れたキャップを有するものがある。そのような気密パッ
ケージの典型的なものについて、以下説明する。図１２
は従来の気密パツケージの斜視図で、図１３は図１２の
気密パツケージの縦断面図、図１４は図１２の気密パッ
ケージ製造用の構体である絶縁性ベースの平面図であ
る。図において、６１はアルミナセラミック等の絶縁性
ベースで、底板部６２と枠体部６３とを有する。６４、
６５は絶縁性ベース６１内から絶縁性ベース６１外に導
出されている導電ペーストの焼き付け等による電極、６
６は前記電極６４、６５と同一材料でかつ同時に形成さ
れた後述する水晶振動子等の電子素子の支持部である。
６７は絶縁性ベース６１の開口部にキャップ６９を固着
封止している封止材である。なお、２点鎖線で示す６８
は前記電極６４、６５に導電性接着材等で接続固着され
た水晶振動素子等の電子素子である。

【０００３】上記の構成の気密パツケージを製造する場
合には、図１４に示すように、絶縁性ベース６１および
／またはキャップ６９の封止面に、予め樹脂、低融点ガ
ラス等の封止材層６７ａを形成しておき、絶縁性ベース
６１およびキャップ６９を重ね合わせて封止している。
ところが、封止材層６７ａを樹脂で形成した場合は、封
止時に高温加熱が不要であり、気密パッケージ内に収容
した電子素子６８が加熱されることに起因する特性変動
が生じないという利点がある反面、樹脂封止材層６７ａ
から放出されるガスに起因する電子素子６８の特性変動
が生じるという問題があった。一方、封止材層６７ａを
低融点ガラスで形成した場合は、封止材層６７ａからガ
スが放出されないので、放出ガスに起因する電子素子６
８の特性変動は生じないという利点があるが、封止に際
して加熱が必要であるため、電子素子６８が加熱される
ことに起因する特性変動が避けられないという問題があ
った。このように、樹脂封止材と低融点ガラス封止材と
では一長一短があるが、低融点ガラスからなる封止材層
による封止時の加熱に起因する電子素子の特性変動は封
止時のみの一時的なものであるのに対し、樹脂封止材に
よるガス放出は封止後も継続するため、総合的にみて高
信頼性が要求される用途には、低融点ガラス封止材が用
いられている。ところが、本発明者らは、従来、封止時
にガスを放出しないとされていた低融点ガラス封止材を
使用して封止した気密パッケージにおいても、気密パッ
ケージ内にガスが存在していることを確認した。本発明
者らは、この原因について徹底的に追及した結果、低融
点ガラスそのものはガスを含まないのでガス放出はない
が、低融点ガラスペーストを被着・硬化することにより
封止材層を形成したときに、低融点ガラス粒子間に独立
した気泡が形成されており、この気泡中に含まれる有害
ガスや水分が、封止時の加熱で気泡が破れることによっ
て気密パツケージ内に放出されて、電子素子の特性変動
が生じることが分かった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、気
密パッケージ内に有害ガスや水分が含まれない気密パッ
ケージを提供することを目的とする。本発明はまた、上
記の気密パッケージを製造するための製造用構体である
絶縁性ベースおよび／またはキャップを提供することを
目的とする。本発明はさらに、上記の気密パッケージを
製造するための製造用構体である絶縁性ベースおよび／
またはキャップの製造方法を提供することを目的とす
る。本発明はさらにまた、上記の内部に有害ガスを含ま
ない気密パッケージの製造方法を提供することを目的と
する。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の課題解決手段
は、低融点ガラスによる封止材層を、実質的に多孔質で
かつ独立した気泡を含まない状態に形成するものであ
り、そのような封止材層を設けた気密パツケージの製造
用構体、そのような封止材層を設けた気密パツケージ製
造用構体の製造方法、そのような構体を用いた気密パッ
ケージの製造方法およびそのような構体を用いて製造さ
れた気密パッケージである。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載の発明は、
絶縁性ベースと、この絶縁性ベース内から絶縁性ベース
外に導出された電極と、前記絶縁性ベースの開口部に封
止材を介して固着封止されたキャップとを有する気密パ
ッケージにおいて、前記絶縁性ベースとキャップとは近
似した熱膨張係数を有し、前記封止材は無気孔の低融点
ガラスであることを特徴とする気密パッケージである。

【０００７】本発明の請求項２記載の発明は、絶縁性ベ
ースと、この絶縁性ベース内から絶縁性ベース外に導出
された電極と、前記絶縁性ベースの開口部に封止材を介
して固着封止されるキャップとを有する気密パッケージ
の製造するための構体であって、前記絶縁性ベースとキ
ャップとは近似した熱膨張係数を有し、前記絶縁性ベー
スおよびキャップのいずれか一方または両方の封止面に
被着された封止材が、多孔質でかつ独立した気泡を実質
的に含まないものであることを特徴とする気密パッケー
ジの製造用構体である。

【０００８】本発明の請求項３記載の発明は、絶縁性ベ
ースと、この絶縁性ベース内から絶縁性ベース外に導出
された電極と、前記絶縁性ベースの開口部に封止材を介
して固着封止されるキャップとを有する気密パッケージ
を製造するための構体であって、前記絶縁性ベースとキ
ャップとは近似した熱膨張係数を有し、前記絶縁性ベー
スおよびキャップのいずれか一方または両方の封止面に
被着された封止材が、多孔質でかつ独立した気泡を実質
的に含まないものであり、かつその一部分の幅寸法およ
び／または厚さ寸法が他部分の幅寸法および／または厚
さ寸法よりも小さく形成されていることを特徴とする気
密パッケージの製造用構体である。

【０００９】本発明の請求項４記載の発明は、絶縁性ベ
ースと、この絶縁性ベース内から絶縁性ベース外に導出
された電極と、前記絶縁性ベースの開口部に封止材を介
して固着封止されたキャップとを有する気密パッケージ
を製造するための構体の製造方法であって、前記絶縁性
ベースとキャップとは近似した熱膨張係数を有し、前記
絶縁性ベースおよびキャップのいずれか一方または両方
の封止面に、低融点ガラス粉末を含む封止材ペーストを
塗布する工程と、前記封止材ペーストを加熱して多孔質
でかつ独立した気泡を実質的に含まない封止材層を形成
する工程とを含むことを特徴とする気密パッケージ製造
用構体の製造方法である。

【００１０】本発明の請求項５記載の発明は、絶縁性ベ
ースと、この絶縁性ベース内から絶縁性ベース外に導出
された電極と、前記絶縁性ベースの開口部に封止材を介
して固着封止されたキャップとを有する気密パッケージ
を製造するための構体の製造方法であって、前記絶縁性
ベースとキャップとは近似した熱膨張係数を有し、前記
絶縁性ベースおよびキャップのいずれか一方または両方
の封止面に、低融点ガラス粉末を含む封止材ペーストを
塗布する工程と、前記封止材ペーストを空気中で２５０
〜２９０℃で５〜１５分間加熱して多孔質でかつ独立し
た気泡を実質的に含まない封止材層を形成する工程とを
含むことを特徴とする気密パッケージ製造用構体の製造
方法である。

【００１１】本発明の請求項６記載の発明は、絶縁性ベ
ースと、この絶縁性ベース内から絶縁性ベース外に導出
された電極と、前記絶縁性ベースの開口部に封止材を介
して固着封止されたキャップとを有する気密パッケージ
の製造方法であって、前記絶縁性ベースとキャップとは
近似した熱膨張係数を有し、前記絶縁性ベースおよびキ
ャップのいずれか一方または両方の封止面に低融点ガラ
ス粉末を含む多孔質でかつ独立した気泡を実質的に含ま
ない封止材層を形成したものであり、これら絶縁性ベー
スとキャップとを重ね合わせて真空中および不活性ガス
中のいずれかで加熱して封止材層の低融点ガラスを完全
に溶融させて封止することを特徴とする気密パッケージ
の製造方法ある。

【００１２】

【実施例】本発明の実施例について、以下、図面を参照
して説明する。図１は本発明の第１実施例の気密パッケ
ージＡを製造するための製造構体である絶縁性ベース１
の平面図、図２は図１の絶縁性ベース１におけるＡ−Ａ
線に沿う縦断面図、図３は前記絶縁性ベース１の製造方
法について説明する工程ブロック図、図４は図２の絶縁
性ベース１の低融点ガラスによる封止材層形成前の平面
図である。まず、図４において、１はガラス中にフォル
ステライト粉末を３０〜７０ｗｔ％混合させたグリーン
シートを焼結して製作した熱膨張係数が１０〜１５×１
０^−６／℃のガラスセラミック製の絶縁性ベースで、底
板部２と枠体部３とを有する。４、５は前記絶縁性ベー
ス１の長手方向の両端面部に形成された電極形成用の凹
部、６、７は前記絶縁性ベース１内から絶縁性ベース１
外に導出されている銀パラジウムペースト等を塗布・焼
成して形成された電極で、一方の電極６は一方の凹部４
を通って底板部２の裏面まで延在して形成され、他方の
電極７は枠対部３の下部を迂回して他方の凹部５の端面
部を通って底板部２の裏面まで延在して形成されてい
る。８は電極６、７と同一材料で同時に形成された、い
わゆる「枕」と称される水晶振動素子等の電子素子の支
持部である。次に、この絶縁性ベース１の枠体部３の封
止面に、図１に示すように、低融点ガラスペーストをス
クリーン印刷法またはシリンジ塗布法により被着して、
封止材層９ａを形成する（図３ａ）。このとき、封止材
層９ａは全体を同一の幅寸法および厚さ寸法に形成しな
いで、図１に示すように一部分９ｂの幅寸法および厚さ
寸法が他部分よりも小さくなるように形成する。次に、
この封止材層９ａを形成した絶縁性ベース１を、空気中
で１００〜１４０℃で１０〜２０分間加熱して乾燥する
（図３ｂ）。次に、前記封止材層９ａを形成した絶縁性
ベース１を、空気中で２５０〜２９０℃で５〜１５分間
加熱して硬化させる。すると、前記封止材層９ａは、多
孔質でかつ独立した気泡を含まない状態になる（図３
ｃ）。次に、この絶縁性ベース１の電極６、７に、２点
鎖線で示すように水晶振動素子等の電子素子１０を、銀
ペースト等の導電性接着材（図示省略）で接続固着する
（図３ｄ）。次に、前記封止材層９ａを形成した絶縁性
ベース１の上に、この絶縁性ベース１と熱膨張係数が近
似しているＣｒを１７．００〜１９．００％含むステン
レス鋼等よりなる金属キャップ１１を重ね合わせて、真
空中で、または一旦真空中で有害ガスを吸引除去した後
不活性ガスを導入して不活性ガス中で３１０〜３４０℃
で８〜１０分間加熱して、前記封止材層９ａを溶融させ
て封止する（図３ｅ）。すると、図５に示すような絶縁
性ベース１とキャップ１１とが封止材１１で気密に封止
された気密パッケージＡが得られる。図６は図５の長手
方向の中心軸に沿う縦断面図で、図７はその要部拡大縦
断面図である。前記封止時において、封止材層９ａが多
孔質でかつ独立した気泡を含まないので、封止材層９ａ
に含まれている有害ガスは真空下で完全に除去されるた
め、完成された図５の気密パッケージ内には有害ガスは
含まれない。ここで、図１に示すように、封止材層９ａ
の一部分９ｂの幅寸法および厚さ寸法が他部分よりも小
さくなるように形成しておくと、封止材層９ａが完全に
溶融する前に、前記幅寸法および厚さ寸法が他部分より
も小さくなっている部分９ｂを通って、絶縁性ベース１
とキャップ１１とで囲まれる内部空間の有害ガスを外部
に効率よく排気できる特長がある。なお、前記封止材層
９ａの一部分９ｂは、必ずしも幅寸法および厚さ寸法の
両方を他部分よりも小さくする必要はなく、いずれか一
方を小さくするのみでもよい。また、上記実施例は、絶
縁性ベース１の枠体部３の封止面に封止材層９ａを形成
する場合について説明したが、キャップ１１の封止面に
封止材層を形成してもよい。場合によっては、絶縁性ベ
ース１およびキャップ１１の両方の封止面に封止材層を
形成してもよい。さらに、上記実施例は、ガラスセラミ
ック製の絶縁性ベース１とこれと近似した熱膨張係数を
有するＣｒを１７〜１９％含むステンレス鋼製のキャッ
プ１１の組合せについて説明したが、アルミナセラミッ
ク製の絶縁性ベースとこれと近似した熱膨張係数を有す
る鉄・ニツケル合金製または鉄・ニッケル・コバルト合
金製のキャップとを組み合わせてもよい。

【００１３】図８は本発明の第２実施例の気密パッケー
ジ製造用の構体である絶縁性ベースの平面図で、図面の
煩雑化を避けるために、封止材層は一部のみ示してい
る。図９は図８のＢ−Ｂ線に沿う縦断面図である。図に
おいて、２１はガラス中にフォルステライト粉末を３０
〜７０ｗｔ％混合させたグリーンシートを焼結して製作
した熱膨張係数が１０〜１５×１０^−６／℃のガラスセ
ラミック製の絶縁性ベースで、底板部２２と枠体部２３
とを有する。２４ないし２７は前記絶縁性ベース１の長
手方向の両端面部に形成された電極形成用の凹部、２
８、２９は前記絶縁性ベース２１内から絶縁性ベース２
１外に導出されている銀パラジウムペースト等を塗布・
焼成して形成された電極で、一方の電極２８は一方の凹
部２４の端面部を通って底板部２２の裏面まで延在して
形成され、他方の電極２９は枠体部２３の下部を迂回し
て対角部に位置する他方の凹部２６の端面部を通って底
板部２２の裏面まで延在して形成されている。３０、３
１は電極２８、２９と同一材料で同時に形成された、い
わゆる「枕」と称される水晶振動素子等の電子素子の支
持部である。３２ａは絶縁性ベース２１の封止面である
枠体部２３の上面に形成された前記封止材層９ａと同様
の封止材層で、その一部分３２ｂの幅寸法および厚さ寸
法は他部分の幅寸法および厚さ寸法よりも小さく形成さ
れている。なお、２点鎖線で示す３３は前記電極２８、
２９に導電性接着材等で接続固着される水晶振動素子等
の電子素子である。この実施例のように、封止面である
枠体部２３の上面に多孔質でかつ独立した気泡を含まな
い封止材層３２ａを形成した絶縁性ベース２１を気密パ
ッケージ製造用構体として用いて気密パッケージを製造
した場合においても、前記同様の内部に有害ガスを含ま
ない気密パッケージを製造することができる。

【００１４】図１０は本発明の第３実施例の気密パッケ
ージ製造用の構体である絶縁性ベースの平面図で、図面
の煩雑化を避けるために、封止材層は一部のみ示してい
る。図１１は図１０のＣ−Ｃ線に沿う縦断面図である。
図において、４１はガラス中にフォルステライト粉末を
３０〜７０ｗｔ％混合させたグリーンシートを焼結して
製作した熱膨張係数が１０〜１５×１０^−６／℃のガラ
スセラミック製の絶縁性ベースで、底板部４２と枠体部
４３と、さらに底板部４２の周辺部に沿って中央部より
も所定寸法だけ高くなっている段差部４４を有する。４
５および４６は前記絶縁性ベース４１の長手方向の両端
面部に形成された電極形成用の凹部、４７、４８は前記
絶縁性ベース４１内から絶縁性ベース４１外に導出され
ている銀パラジウムペースト等を塗布・焼成して形成さ
れた電極で、一方の電極４７は段差部４４の上から一方
の凹部４５の端面部を通って底板部４２の裏面まで延在
して形成され、他方の電極４８は段差部４４の上から枠
体部４３の下部を迂回して反対側に位置する他方の凹部
４６の端面部を通って底板部４２の裏面まで延在して形
成されている。４９ａは絶縁性ベース４１の封止面であ
る枠体部４３の上面に形成された前記封止材層９ａ、３
２ａと同様の封止材層で、その一部分４９ｂの幅寸法お
よび厚さ寸法は他部分の幅寸法および厚さ寸法よりも小
さく形成されている。なお、２点鎖線で示す５０は前記
電極４７、４８に導電性接着材等で接続固着される水晶
振動素子等の電子素子である。この実施例のように、封
止面である枠体部４３の上面に多孔質でかつ独立した気
泡を含まない封止材層４９ａを形成した絶縁性ベース４
１を気密パッケージ製造用構体として用いて気密パッケ
ージを製造した場合においても、前記同様の内部にガス
を含まない気密パッケージを製造することができる。さ
らに、この実施例の絶縁性ベース４１のように、底板部
４２の周辺部に中央部よりも所定寸法だけ高い段差部４
４を設けて、この段差部４４の上に電極４７、４８を形
成すると、図１ないし図９に示す実施例のように、所定
高さ寸法の電極６、７、２８、２９および支持部８、３
０、３１全体を、銀パラジウム等の電極材料で形成する
場合に比較して、段差部４４それ自体を水晶振動素子等
の電子素子５０の支持部として利用できるので、電極４
７、４８は薄くてもよいため、高価な銀パラジウム等の
電極材料の使用量を大幅に低減でき、したがって原価低
減が図れるという特長がある。

【００１５】

【発明の効果】本発明は以上のように、絶縁性ベース
と、この絶縁性ベース内から絶縁性ベース外に導出され
た電極と、前記絶縁性ベースの開口部に封止材を介して
固着封止されたキャップとを有する気密パッケージにお
いて、前記絶縁性ベースおよびキャップは近似した熱膨
張係数を有し、前記絶縁性ベースおよび／またはキャッ
プの封止面に多孔質でかつ独立した気泡を含まない低融
点ガラスからなる封止材層を形成した気密パツケージ製
造用構体を用いて製造された気密パッケージであるの
で、内部に有害ガスを含まない気密パッケージが提供で
きる。本発明はまた、絶縁性ベースと、この絶縁性ベー
ス内から絶縁性ベース外に導出された電極と、前記絶縁
性ベースの開口部に封止材を介して固着封止されたキャ
ップとを有する気密パッケージの製造用構体であって、
前記絶縁性ベースおよびキャップは近似した熱膨張係数
を有し、前記絶縁性ベースおよび／またはキャップの封
止面に多孔質でかつ独立した気泡を含まない低融点ガラ
スからなる封止材層を形成した気密パツケージ製造用構
体であるから、この製造用構体を用いて製造された気密
パッケージは、内部に有害ガスを含まない気密パッケー
ジが提供できる。本発明はさらに、絶縁性ベースと、こ
の絶縁性ベース内から絶縁性ベース外に導出された電極
と、前記絶縁性ベースの開口部に固着封止されたキャッ
プとを有する気密パッケージ製造用構体の製造方法にお
いて、前記絶縁性ベースおよびキャップは近似した熱膨
張係数を有し、前記絶縁性ベースおよびキャップのいず
れか一方または両方の封止面に低融点ガラスからなる封
止材ペーストを被着して、空気中で２５０〜２９０℃で
５〜１５分間加熱することにより、多孔質でかつ独立し
た気泡を含まない封止材層を形成することができる。本
発明はさらにまた、絶縁性ベースと、この絶縁性ベース
内から絶縁性ベース外に導出された電極と、前記絶縁性
ベースの開口部に固着封止されたキャップとを有し、前
記絶縁性ベースとキャップは近似した熱膨張係数を有
し、前記絶縁性ベースおよび／またはキャップの封止面
に多孔質でかつ独立した気泡を含まない低融点ガラスか
らなる封止材層を形成した気密パツケージ製造用構体を
用いて気密パッケージを製造する方法であるから、内部
に有害ガスを含まない気密パッケージが提供できるとい
う効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１実施例の気密パッケージＡの製
造用構体である絶縁性ベースの平面図

【図２】 図１の絶縁性ベースのＡ−Ａ線に沿う縦断面
図

【図３】 本発明の気密パッケージＡの製造方法につい
て説明するための工程ブロック図

【図４】 本発明の第１実施例の気密パッケージＡの製
造用構体である絶縁性ベースの封止材層形成前の平面図

【図５】 本発明により製造した気密パッケージＡの斜
視図

【図６】 図５気密パッケージＡの縦断面図

【図７】 図５気密パッケージＡの要部拡大縦断面図

【図８】 本発明の第２実施例の製造用構体である絶縁
性ベースの平面図

【図９】 図８のＢ−Ｂ線に沿う縦断面図

【図１０】 本発明の第３実施例の気密パッケージ製造
用構体である絶縁性ベースの平面図

【図１１】 図１０のＣ−Ｃ線に沿う縦断面図

【図１２】 従来の気密パッケージの斜視図

【図１３】 図１２の気密パッケージの縦断面図

【図１４】 図１２の気密パッケージを製造用構体であ
る絶縁性ベースの平面図

【符号の説明】

１、２１、４１ 絶縁性ベース ２、２２、４２ 底板部 ３、２３、４３ 枠体部 ６、７、２８、２９、４７、４８ 電極 ９ 封止材 ９ａ、３２ａ、４９ａ 封止材層 １０、３３、５０ 電子素子（水晶振動素子） １１ キャップ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁性ベースと、この絶縁性ベース内から
   絶縁性ベース外に導出された電極と、前記絶縁性ベース
   の開口部に封止材を介して固着封止されたキャップとを
   有する気密パッケージにおいて、前記絶縁性ベースとキ
   ャップとは近似した熱膨張係数を有し、前記封止材は多
   孔質でかつ独立した気孔を含まない低融点ガラスからな
   る封止材層を加熱溶融したものであることを特徴とする
   気密パッケージ。
2. 【請求項２】絶縁性ベースと、この絶縁性ベース内から
   絶縁性ベース外に導出された電極と、前記絶縁性ベース
   の開口部に封止材を介して固着封止されるキャップとを
   有する気密パッケージの製造するための構体であって、
   前記絶縁性ベースとキャップとは近似した熱膨張係数を
   有し、前記絶縁性ベースおよびキャップのいずれか一方
   または両方の封止面に被着された封止材が、多孔質でか
   つ独立した気泡を実質的に含まないものであることを特
   徴とする気密パッケージの製造用構体。
3. 【請求項３】絶縁性ベースと、この絶縁性ベース内から
   絶縁性ベース外に導出された電極と、前記絶縁性ベース
   の開口部に封止材を介して固着封止されるキャップとを
   有する気密パッケージを製造するための構体であって、
   前記絶縁性ベースとキャップとは近似した熱膨張係数を
   有し、前記絶縁性ベースおよびキャップのいずれか一方
   または両方の封止面に被着された封止材が、多孔質でか
   つ独立した気泡を実質的に含まないものであり、かつそ
   の一部分の幅寸法および／または厚さ寸法が他部分の幅
   寸法および／または厚さ寸法よりも小さく形成されてい
   ることを特徴とする気密パッケージの製造用構体。
4. 【請求項４】絶縁性ベースと、この絶縁性ベース内から
   絶縁性ベース外に導出された電極と、前記絶縁性ベース
   の開口部に封止材を介して固着封止されたキャップとを
   有する気密パッケージを製造するための構体の製造方法
   であって、前記絶縁性ベースとキャップとは近似した熱
   膨張係数を有し、前記絶縁性ベースおよびキャップのい
   ずれか一方または両方の封止面に、低融点ガラス粉末を
   含む封止材ペーストを塗布する工程と、前記封止材ペー
   ストを加熱して多孔質でかつ独立した気泡を実質的に含
   まない封止材層を形成する工程とを含むことを特徴とす
   る気密パッケージ製造用構体の製造方法。
5. 【請求項５】絶縁性ベースと、この絶縁性ベース内から
   絶縁性ベース外に導出された電極と、前記絶縁性ベース
   の開口部に封止材を介して固着封止されたキャップとを
   有する気密パッケージを製造するための構体の製造方法
   であって、前記絶縁性ベースとキャップとは近似した熱
   膨張係数を有し、前記絶縁性ベースおよびキャップのい
   ずれか一方または両方の封止面に、低融点ガラス粉末を
   含む封止材ペーストを塗布する工程と、前記封止材ペー
   ストを空気中で２５０〜２９０℃で５〜１５分間加熱し
   て多孔質でかつ独立した気泡を実質的に含まない封止材
   層を形成する工程とを含むことを特徴とする気密パッケ
   ージ製造用構体の製造方法。
6. 【請求項６】絶縁性ベースと、この絶縁性ベース内から
   絶縁性ベース外に導出された電極と、前記絶縁性ベース
   の開口部に封止材を介して固着封止されたキャップとを
   有する気密パッケージの製造方法であって、前記絶縁性
   ベースとキャップとは近似した熱膨張係数を有し、前記
   絶縁性ベースおよびキャップのいずれか一方または両方
   の封止面に低融点ガラス粉末を含む多孔質でかつ独立し
   た気泡を実質的に含まない封止材層を形成したものであ
   り、これら絶縁性ベースとキャップとを重ね合わせて真
   空中および不活性ガス中のいずれかで加熱して封止材層
   の低融点ガラスを完全に溶融させて封止することを特徴
   とする気密パッケージの製造方法。