JP2000183603A - Lowpass filter - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、主としてＶＨＦ
帯、ＵＨＦ帯、マイクロ波帯、およびミリ波帯で用いら
れる低域通過フィルタに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention
The present invention relates to a low-pass filter used in a band, a UHF band, a microwave band, and a millimeter wave band.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図１８は例えば特開平３−１２８５０１
号公報に示された従来の低域通過フィルタを示す概略構
成図であり、図において、１は直方体の筐体状を成す外
導体、２は外導体１の内部を中央から２つに仕切るよう
に設けられた誘電体基板、３は誘電体基板２の両面に対
向して蛇行するパターンにエッチングにより形成された
箔状の内導体で、それぞれ複数の幅広部３ａと幅狭部３
ｂ，３ｃとから構成されている。幅広部３ａはその４つ
が互いに近接して略一直線上に配置され、幅狭部３ｂは
その３つが幅広部３ａを電気的に直列に接続するように
設けられ、それぞれ２個所で直角に屈曲形成されてい
る。また、幅狭部３ｃは両端の幅広部３ａから導出され
ている。４は誘電体基板２の両面の幅広部３ａと外導体
１の内面との間に介在された誘電体棒、５，６は外導体
１に設けられた同軸状の入出力端子であり、それぞれの
中心導体が幅狭部３ｃと接続されている。７は幅狭部３
ｂ，３ｃと外導体１とから構成される高インピーダンス
線路、８は幅広部３ａと外導体１と誘電体棒４とから構
成される低インピーダンス線路である。2. Description of the Related Art FIG.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a conventional low-pass filter disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. H10-207, FIG. The dielectric substrate 3 is a foil-shaped inner conductor formed by etching in a meandering pattern opposite to both surfaces of the dielectric substrate 2, and has a plurality of wide portions 3a and narrow portions 3 respectively.
b, 3c. Four of the wide portions 3a are arranged substantially in a straight line close to each other, and three of the narrow portions 3b are provided so as to electrically connect the wide portions 3a in series. Have been. The narrow portion 3c is derived from the wide portions 3a at both ends. Reference numeral 4 denotes a dielectric rod interposed between the wide portions 3a on both surfaces of the dielectric substrate 2 and the inner surface of the outer conductor 1, and reference numerals 5 and 6 denote coaxial input / output terminals provided on the outer conductor 1. Are connected to the narrow portion 3c. 7 is narrow part 3
A high impedance line composed of b, 3c and the outer conductor 1, and a low impedance line 8 composed of the wide portion 3a, the outer conductor 1, and the dielectric rod 4.
【０００３】次に動作について説明する。図１９は従来
の低域通過フィルタの等価回路図であり、図１８に示し
た低域通過フィルタを等価回路で表したものである。図
において、Ｌ1 〜Ｌ3 はインダクタンスであり、高イン
ピーダンス線路７に対応し、幅狭部３ｂ，３ｃの線路幅
によって大きさが決定されるものである。Ｃ1 ，Ｃ2 は
キャパシタンスであり、低インピーダンス線路８に対応
し、幅広部３ａの線路幅および誘電体棒４の誘電率によ
って大きさが決定されるものである。このとき、高イン
ピーダンス線路７および低インピーダンス線路８は、擬
似的に集中定数回路のインダクタンスおよびキャパシタ
ンスとして機能する必要があるため、それぞれの軸長は
通過帯域周波数の波長に比べて十分に小さく設定されて
いる。また、ＣP2，ＣP3は通過特性に減衰極を得るため
のキャパシタンスであり、隣接する低インピーダンス線
路８間の結合容量に対応し、隣接する幅広部３ａ間の距
離によって大きさが決定されるものである。以上のよう
に、図１８に示す従来の構成は、図１９に示す等価回路
で表されるため、低域通過フィルタとしての機能を有す
る。Next, the operation will be described. FIG. 19 is an equivalent circuit diagram of the conventional low-pass filter, and shows the low-pass filter shown in FIG. 18 by an equivalent circuit. In FIG, L 1 ~L 3 is the inductance, corresponding to the high impedance line 7, in which the magnitude is determined by the narrow portion 3b, 3c of the line width. C 1 and C 2 are capacitances corresponding to the low impedance line 8, and their sizes are determined by the line width of the wide portion 3 a and the dielectric constant of the dielectric rod 4. At this time, since the high-impedance line 7 and the low-impedance line 8 need to artificially function as inductance and capacitance of the lumped constant circuit, their respective axial lengths are set sufficiently smaller than the wavelength of the passband frequency. ing. Further, C P2 and C P3 are capacitances for obtaining an attenuation pole in the pass characteristics, correspond to the coupling capacitance between the adjacent low impedance lines 8, and are determined by the distance between the adjacent wide portions 3a. Things. As described above, the conventional configuration shown in FIG. 18 is represented by the equivalent circuit shown in FIG. 19, and thus has a function as a low-pass filter.
【０００４】さらに、インダクタンスＬi （ｉ＝１，
２，３，・・・）とキャパシタンスＣ Piとは、共振周波
数ｆ0 ＝１／２π√Ｌi ＣPiの並列共振回路を構成す
る。このため、この並列共振回路が、フィルタの通過帯
域の周波数では全体として必要なインダクタンスとして
動作し、且つ、通過帯域より高い周波数、即ち、阻止帯
域周波数ｆ0 で並列共振を生じるようにＬi およびＣPi
の値を設定すれば、このフィルタの通過特性は図２０に
示すように共振周波数ｆ0 に減衰極を有する低域通過特
性となる。従って、この共振周波数ｆ0 を阻止帯域の適
当な位置に選ぶことにより、急峻な帯域外減衰特性を有
する低域通過フィルタが得られる。Further, the inductance Li (I = 1,
2,3, ...) and capacitance C PiIs the resonance frequency
Number f0 = 1 / 2π√Li CPiThe parallel resonance circuit of
You. For this reason, this parallel resonance circuit
In the frequency range, the required inductance as a whole
Operate and have a higher frequency than the passband, ie, the stopband
Band frequency f0 So that parallel resonance occurs ati And CPi
, The pass characteristic of this filter is shown in FIG.
As shown, the resonance frequency f0 Low pass characteristics with attenuation poles
And sex. Therefore, this resonance frequency f0 The stopband fit
Choosing the right position provides steep out-of-band attenuation characteristics.
A low-pass filter is obtained.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】従来の低域通過フィル
タは以上のように構成されているので、隣接する低イン
ピーダンス線路８の結合区間の長さは比較的短く、特に
トリプレート線路等の均一媒質中で線路を構成する場合
には、隣接低インピーダンス線路８の結合は必ずしも十
分には得られない。このため、キャパシタンスＣPiとし
て大きな値を得ることができず、減衰極周波数ｆ0 を通
過帯域近傍まで低く設定することが難しくなるという課
題があった。Since the conventional low-pass filter is constructed as described above, the length of the coupling section between adjacent low-impedance lines 8 is relatively short. When a line is formed in a medium, the connection between adjacent low impedance lines 8 is not always sufficiently obtained. For this reason, a large value cannot be obtained as the capacitance C Pi , and there is a problem that it is difficult to set the attenuation pole frequency f 0 as low as near the pass band.
【０００６】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、トリプレート線路やマイクロスト
リップ線路等の平面形回路の簡単な構成にした場合で
も、通過帯域近傍に減衰極を設定することができ、急峻
な帯域外減衰特性を有する低域通過フィルタを得ること
を目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an attenuation pole is set in the vicinity of a pass band even when a simple structure of a planar circuit such as a triplate line or a microstrip line is used. And a low-pass filter having a steep out-of-band attenuation characteristic.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】この発明に係る低域通過
フィルタは、通過周波数の波長よりも短い高インピーダ
ンス線路と、通過周波数の１／４波長よりも短い２つ１
組の先端開放スタブにより形成されると共に、２つの先
端開放スタブの開放端が同一方向を向くように略平行に
配置され、２つの先端開放スタブの開放端とは逆側の端
部が高インピーダンス線路の両端に接続された結合線路
とを備えたものである。SUMMARY OF THE INVENTION A low-pass filter according to the present invention comprises a high-impedance line shorter than the wavelength of the pass frequency and a two-pass filter shorter than a quarter wavelength of the pass frequency.
The two open stubs are formed by a pair of open stubs, and are arranged substantially parallel so that the open ends of the two open stubs face in the same direction, and the ends opposite to the open ends of the two open stubs have high impedance. And a coupled line connected to both ends of the line.
【０００８】この発明に係る低域通過フィルタは、第１
の高インピーダンス線路の両端に接続され、長さが通過
周波数の波長よりも短い２つの第２の高インピーダンス
線路を備えたものである。The low-pass filter according to the present invention has a first
Are connected to both ends of the high-impedance line, and have two second high-impedance lines whose length is shorter than the wavelength of the passing frequency.
【０００９】この発明に係る低域通過フィルタは、第１
の高インピーダンス線路の両端にその第１の高インピー
ダンス線路と並列接続され、長さが通過周波数の波長に
比べて短い第２の高インピーダンス線路を備えたもので
ある。The low-pass filter according to the present invention has a first
And a second high-impedance line connected in parallel with the first high-impedance line at both ends of the high-impedance line and having a shorter length than the wavelength of the passing frequency.
【００１０】この発明に係る低域通過フィルタは、第２
の高インピーダンス線路の両端に接続され、通過周波数
の波長よりも短い２つの低インピーダンス線路を備えた
ものである。The low-pass filter according to the present invention has a second
And two low impedance lines connected to both ends of the high impedance line and having a wavelength shorter than the passing frequency.
【００１１】この発明に係る低域通過フィルタは、通過
周波数の１／４波長よりも長く１／２波長よりも短い２
つ１組の先端短絡スタブにより形成されると共に、２つ
の先端短絡スタブの短絡端が同一方向を向くように略平
行に配置され、２つの先端短絡スタブの短絡端とは逆側
の端部が高インピーダンス線路の両端に接続された結合
線路を備えたものである。[0011] The low-pass filter according to the present invention includes a filter having a frequency longer than 1/4 wavelength and shorter than 1/2 wavelength.
The short-circuit ends of the two short-circuit stubs are arranged substantially in parallel so that the short-circuit ends of the two short-circuit stubs are oriented in the same direction. It is provided with a coupling line connected to both ends of a high impedance line.
【００１２】この発明に係る低域通過フィルタは、トリ
プレート線路により形成されたものである。A low-pass filter according to the present invention is formed by a triplate line.
【００１３】この発明に係る低域通過フィルタは、マイ
クロストリップ線路により形成されたものである。[0013] A low-pass filter according to the present invention is formed by a microstrip line.
【００１４】この発明に係る低域通過フィルタは、コプ
レーナ線路により形成されたものである。The low-pass filter according to the present invention is formed by a coplanar line.
【００１５】この発明に係る低域通過フィルタは、多層
高周波回路により構成され、結合線路の２つのストリッ
プ導体は誘電体基板の表裏に１つずつ形成され、２つの
ストリップ導体の幅広面が誘電体基板を介して略対向し
て配置されたものである。The low-pass filter according to the present invention comprises a multilayer high-frequency circuit, wherein two strip conductors of the coupling line are formed one on each of the front and back surfaces of a dielectric substrate, and the wide surfaces of the two strip conductors are formed of a dielectric. They are arranged substantially facing each other with the substrate interposed therebetween.
【００１６】この発明に係る低域通過フィルタは、多層
高周波回路により構成され、２組の結合線路が、開放端
あるいは短絡端とは逆側の各２個所の端部同士を相互に
接続されて並列接続され、高インピーダンス線路または
第１の高インピーダンス線路が、２組の結合線路とは異
なる層に形成され、２つの結合線路の２個所の接続点同
士が高インピーダンス線路または第１の高インピーダン
ス線路の両端に接続されたものである。The low-pass filter according to the present invention comprises a multilayer high-frequency circuit, and two sets of coupling lines are connected to each other at two ends opposite to the open end or the short-circuited end. The high-impedance line or the first high-impedance line is connected in parallel, and is formed on a layer different from the two sets of coupled lines, and the two connection points of the two coupled lines are connected to the high-impedance line or the first high-impedance line. It is connected to both ends of the track.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１による低
域通過フィルタを示す概略構成図であり、図において、
Ｐ１は入力端子、Ｐ２は出力端子、１１ａは入力端子Ｐ
１および出力端子Ｐ２に一端が接続された２つの高イン
ピーダンス線路（第２の高インピーダンス線路）、１１
ｂは２つの高インピーダンス線路１１ａの他端間に接続
された高インピーダンス線路（第１の高インピーダンス
線路）であり、これら各高インピーダンス線路１１ａ，
１１ｂの軸長は、通過周波数の波長に比べて十分小さく
設定されている。１２は２つの先端開放スタブであり、
１２０は２つ１組の先端開放スタブ１２により構成され
た結合線路である。これら２つの先端開放スタブ１２
は、これらの開放端が同一方向を向くように略平行に配
置され、開放端とは逆側の端部が高インピーダンス線路
１１ｂの両端に接続されている。また、これら各先端開
放スタブ１２の電気長は、通過周波数の波長の１／４に
比べて小さく設定されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below. Embodiment 1 FIG. FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a low-pass filter according to Embodiment 1 of the present invention.
P1 is an input terminal, P2 is an output terminal, 11a is an input terminal P
1 and two high impedance lines (second high impedance lines) each having one end connected to the output terminal P2, 11
b is a high-impedance line (first high-impedance line) connected between the other ends of the two high-impedance lines 11a.
The axis length of 11b is set sufficiently smaller than the wavelength of the passing frequency. 12 is two open end stubs,
Reference numeral 120 denotes a coupling line constituted by a pair of open-end stubs 12. These two open-end stubs 12
Are arranged substantially parallel so that their open ends face the same direction, and the ends opposite to the open ends are connected to both ends of the high impedance line 11b. Further, the electrical length of each of these open-end stubs 12 is set to be smaller than １ ／ of the wavelength of the passing frequency.
【００１８】次に動作について説明する。図２は、上記
の結合線路１２０を示す概略構成図であり、図におい
て、θは先端開放スタブ１２の電気長である。図３は結
合線路１２０の等価回路図であり、図において、Ｙe ，
Ｙ0 は結合線路１２０の偶モードおよび奇モードの特性
アドミタンスである。このとき、θ＜π／２を満たす角
周波数ωにおいて、図３（ａ）の回路は近似的に図３
（ｂ）の等価回路で表すことができる。図３（ｂ）の式
からわかるように、直列キャパシタンスＣP は特性アド
ミタンスＹe とＹ0 との差、即ち、先端開放スタブ１２
間の結合容量、および先端開放スタブ１２の電気長θに
よって変化し、並列キャパシタンスＣは、特性アドミタ
ンスＹe 、即ち、主として先端開放スタブ１２の特性イ
ンピーダンス、および先端開放スタブ１２の電気長θに
よって変化する。従って、結合線路１２０においては、
先端開放スタブ１２の電気長θを０＜θ＜π／２の範囲
で調整することにより、図３（ｂ）に示す直列キャパシ
タンスＣP として比較的大きな値を得ることが可能であ
る。Next, the operation will be described. FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing the above-described coupling line 120. In the drawing, θ is the electrical length of the stub 12 having an open end. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the coupling line 120, in which Y e ,
Y 0 is the characteristic admittance of the even mode and the odd mode of the coupling line 120. At this time, at the angular frequency ω satisfying θ <π / 2, the circuit of FIG.
It can be represented by the equivalent circuit of (b). As can be seen from equation in FIG. 3 (b), the difference between the series capacitance C P is characteristic admittance Y e and Y 0, i.e., open stub 12
And the parallel capacitance C varies with the characteristic admittance Y e , i.e., mainly the characteristic impedance of the open stub 12 and the electrical length θ of the open stub 12. I do. Therefore, in the coupling line 120,
By adjusting the electrical length of the open-end stub 12 theta in the range of 0 <θ <π / 2, it is possible to obtain a relatively large value as the series capacitance C P shown in FIG. 3 (b).
【００１９】図４は、上記の低域通過フィルタの等価回
路図であり、図１に示した低域通過フィルタの等価回路
は、図３（ａ）の回路をそのまま用いると図４（ａ）で
表すことができる。ここで、Ｌ1 は高インピーダンス線
路１１ａによる直列インダクタンス、Ｌ2 は高インピー
ダンス線路１１ｂによる直列インダクタンスである。さ
らに、図４（ａ）に対して図３（ａ）と図３（ｂ）との
関係を適用すると、最終的に、図１の構成に対して図４
（ｂ）に示す等価回路が得られる。図４（ｂ）の等価回
路はキャパシタンスＣP2とインダクタンスＬ2 による並
列共振回路を含んでいることから、図１に示すフィルタ
は、図１８および図１９に示した従来の場合と同様に、
図２０に示すような有極特性を有する低域通過フィルタ
の機能を有する。FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the low-pass filter described above. The equivalent circuit of the low-pass filter shown in FIG. 1 can be obtained by using the circuit of FIG. Can be represented by Here, L 1 is series inductance, L 2 due to the high impedance lines 11a are series inductance by the high impedance lines 11b. Further, when the relationship between FIG. 3A and FIG. 3B is applied to FIG. 4A, finally, the configuration of FIG.
The equivalent circuit shown in FIG. Since the equivalent circuit of FIG. 4 (b) which contains a parallel resonant circuit of the capacitance C P2 and the inductance L 2, the filter shown in FIG. 1, as in the case of prior art shown in FIGS. 18 and 19,
It has the function of a low-pass filter having polar characteristics as shown in FIG.
【００２０】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、図３（ｂ）の説明で述べたように、図１に示した低
域通過フィルタにおいては、結合線路１２０を含む構成
としたことにより、先端開放スタブ１２の電気長θをθ
＜π／２の範囲で大きく設定することで、従来に比べて
キャパシタンスＣP2を大きくすることができる効果を奏
する。このキャパシタンスＣP2を大きくすることができ
ることにより、通過帯域近傍まで減衰極の周波数を低く
設定することが可能であり、従って、急峻な帯域外減衰
特性を持つ低域通過フィルタが得られる。尚、上記実施
の形態１では、図１に示したように、２つの高インピー
ダンス線路１１ａと、１つの高インピーダンス線路１１
ｂと、２つ１組の先端開放スタブ１２により構成された
結合線路１２０によって低域通過フィルタを構成した
が、高インピーダンス線路１１ａは、所望の帯域外減衰
特性に応じて設けなくとも複数設けても良く、また、高
インピーダンス線路１１ｂは、複数設けても良い。さら
に、図１に示した低域通過フィルタを複数段に接続して
所望の帯域外減衰特性を持つように構成しても良い。さ
らに、上記実施の形態１では、高インピーダンス線路１
１ａを結合線路１２０よりも入出力端子Ｐ１，Ｐ２側に
配置した場合について示したが、高インピーダンス線路
１１ａを結合線路１２０と高インピーダンス線路１１ｂ
との接続点の間に配置しても良く、上記実施の形態１と
同様の効果を奏する。As described above, according to the first embodiment, as described in the description of FIG. 3B, the low-pass filter shown in FIG. Thus, the electrical length θ of the open-end stub 12 is
<By setting larger in the range of [pi / 2, the effect that it is possible to increase the capacitance C P2 as compared with the prior art. Since the capacitance C P2 can be increased, the frequency of the attenuation pole can be set low to near the pass band, so that a low-pass filter having a steep out-of-band attenuation characteristic can be obtained. In the first embodiment, as shown in FIG. 1, two high impedance lines 11a and one high impedance line 11a
b and the coupled line 120 constituted by the pair of open-end stubs 12 constitutes a low-pass filter, but a plurality of high-impedance lines 11a are provided according to desired out-of-band attenuation characteristics. Alternatively, a plurality of high impedance lines 11b may be provided. Further, the low-pass filter shown in FIG. 1 may be connected in a plurality of stages to have a desired out-of-band attenuation characteristic. Further, in the first embodiment, the high impedance line 1
1a is arranged on the side of the input / output terminals P1 and P2 with respect to the coupling line 120, but the high impedance line 11a is connected to the coupling line 120 and the high impedance line 11b.
May be arranged between the connection points of the first embodiment and the second embodiment, and the same effect as in the first embodiment can be obtained.
【００２１】実施の形態２．図５はこの発明の実施の形
態２によるトリプレート線路により形成した低域通過フ
ィルタを示す概略構成図であり、図１に示した低域通過
フィルタをトリプレート線路により形成したものであ
る。図において、１３ａ，１３ｂは誘電体基板、１４ａ
は誘電体基板１３ａの一方の面に密着して形成された膜
状の外導体、１４ｂは誘電体基板１３ｂの一方の面に密
着して形成された膜状の外導体、１５ａは誘電体基板１
３ａの他方の面に密着して形成された幅狭のストリップ
導体、１５ｂは誘電体基板１３ｂの他方の面に密着して
形成された幅狭のストリップ導体、１６は誘電体基板１
３ａの他方の面に密着して形成された一端開放のストリ
ップ導体、１７はストリップ導体である。Embodiment 2 FIG. FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing a low-pass filter formed by a triplate line according to a second embodiment of the present invention, in which the low-pass filter shown in FIG. 1 is formed by a triplate line. In the figure, 13a and 13b are dielectric substrates, 14a
Is a film-shaped outer conductor formed in close contact with one surface of the dielectric substrate 13a, 14b is a film-shaped outer conductor formed in close contact with one surface of the dielectric substrate 13b, and 15a is a dielectric substrate 1
3a, a narrow strip conductor formed in close contact with the other surface of the dielectric substrate 13b; 15b, a narrow strip conductor formed in close contact with the other surface of the dielectric substrate 13b;
A strip conductor 17 having one end open and formed in close contact with the other surface of 3a is a strip conductor.
【００２２】１５０ａは誘電体基板１３ａ，１３ｂと外
導体１４ａ，１４ｂとストリップ導体１５ａとから成る
高インピーダンス線路（第２の高インピーダンス線
路）、１５０ｂは誘電体基板１３ａ，１３ｂと外導体１
４ａ，１４ｂとストリップ導体１５ｂとから成る高イン
ピーダンス線路（第１の高インピーダンス線路）、１６
０は誘電体基板１３ａ，１３ｂと外導体１４ａ，１４ｂ
とストリップ導体１６とから成る先端開放スタブ、１６
１は開放端が同一方向を向くように略平行に配置された
２つ１組の先端開放スタブ１６０から成る結合線路、１
７０は誘電体基板１３ａ，１３ｂと外導体１４ａ，１４
ｂとストリップ導体１７とから成る入出力線路、Ｐ１は
入力端子、Ｐ２は出力端子である。Reference numeral 150a denotes a high-impedance line (second high-impedance line) including the dielectric substrates 13a and 13b, the outer conductors 14a and 14b, and the strip conductor 15a, and 150b denotes the dielectric substrates 13a and 13b and the outer conductor 1
High-impedance lines (first high-impedance lines) composed of 4a, 14b and strip conductor 15b, 16
0 denotes the dielectric substrates 13a and 13b and the outer conductors 14a and 14b
Open-end stub, consisting of
Reference numeral 1 denotes a coupled line composed of a pair of open-end stubs 160 arranged substantially in parallel so that the open ends face the same direction.
70 denotes dielectric substrates 13a and 13b and outer conductors 14a and 14
An input / output line composed of b and the strip conductor 17, P1 is an input terminal, and P2 is an output terminal.
【００２３】誘電体基板１３ａと誘電体基板１３ｂは、
誘電体基板１３ａのうちのストリップ導体１５ａ，１５
ｂ，１６，１７が密着して形成された面と、誘電体基板
１３ｂのうちの外導体１４ｂが形成されていない面とが
対向するように重ねられている。このため、高インピー
ダンス線路１５０ａ、高インピーダンス線路１５０ｂ、
結合線路１６１、および入出力線路１７０はトリプレー
ト線路により構成されている。高インピーダンス線路１
５０ａ，１５０ｂの軸長は、いずれも通過周波数の波長
に対して十分小さく設定されている。結合線路１６１の
開放端とは逆側の２個所の端部の間には、高インピーダ
ンス線路１５０ｂが接続されている。高インピーダンス
線路１５０ａは一端が結合線路１６１と高インピーダン
ス線路１５０ｂとの接続点に、他端が入力端子Ｐ１ある
いは出力端子Ｐ２に接続されている。図５に示した低域
通過フィルタの等価回路は、図１の場合と同様に図４
（ｂ）で表される。The dielectric substrate 13a and the dielectric substrate 13b are
Strip conductors 15a, 15 of dielectric substrate 13a
The surface of the dielectric substrate 13b where the outer conductors 14b are not formed is opposed to the surface of the dielectric substrate 13b where the outer conductors 14b are not formed. Therefore, the high impedance line 150a, the high impedance line 150b,
The coupling line 161 and the input / output line 170 are constituted by triplate lines. High impedance line 1
The axial length of each of 50a and 150b is set sufficiently small with respect to the wavelength of the passing frequency. The high impedance line 150b is connected between two ends of the coupling line 161 on the opposite side to the open end. One end of the high impedance line 150a is connected to a connection point between the coupling line 161 and the high impedance line 150b, and the other end is connected to the input terminal P1 or the output terminal P2. The equivalent circuit of the low-pass filter shown in FIG. 5 is similar to that of FIG.
It is represented by (b).
【００２４】以上のように、この実施の形態２によれ
ば、実施の形態１の効果に加えて、低域通過フィルタを
トリプレート線路により形成したので、誘電体基板１３
ａ上に導体パターンをフォトエッチング等により形成で
きるため、小形で寸法精度が高く安定した特性の低域通
過フィルタが、比較的容易に得られる効果を奏する。As described above, according to the second embodiment, in addition to the effects of the first embodiment, since the low-pass filter is formed by the triplate line,
Since the conductor pattern can be formed on the substrate a by photo-etching or the like, a small-sized low-pass filter having high dimensional accuracy and stable characteristics can be obtained relatively easily.
【００２５】実施の形態３．図６はこの発明の実施の形
態３による低域通過フィルタを示す概略構成図であり、
図において、１９は高インピーダンス線路１１ａのそれ
ぞれの両端と入力端子Ｐ１および出力端子Ｐ２との間に
接続された２つの低インピーダンス線路である。低イン
ピーダンス線路１９の軸長は、通過周波数の波長に対し
て十分小さく設定されている。その他の構成は、図１と
同一構成である。また、図７は、上記の低域通過フィル
タの等価回路図であり、図において、Ｃ 1 は低インピー
ダンス線路１９に対応する並列キャパシタンスであり、
その他の構成は、図４（ｂ）と同一構成である。Embodiment 3 FIG. 6 shows an embodiment of the present invention.
It is a schematic block diagram which shows the low-pass filter by state 3.
In the figure, 19 is that of the high impedance line 11a.
Between both ends and the input terminal P1 and the output terminal P2
Two connected low impedance lines. Low Inn
The axial length of the impedance line 19 is
Is set small enough. Other configurations are shown in FIG.
They have the same configuration. FIG. 7 shows the above low-pass filter.
FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of 1 Is low impedance
A parallel capacitance corresponding to the dance line 19,
Other configurations are the same as those in FIG.
【００２６】以上のように、この実施の形態３によれ
ば、実施の形態１の効果に加えて、低インピーダンス線
路１９による並列キャパシタンスＣ1 を追加したので、
低域通過フィルタとしての段数が多くなり、より急峻な
帯域外減衰特性が得られる効果を奏する。尚、上記実施
の形態３では、入出力端子Ｐ１，Ｐ２から低インピーダ
ンス線路１９、高インピーダンス線路１１ａ、結合線路
１２０の順で接続したが、入出力端子Ｐ１，Ｐ２から結
合線路１２０、高インピーダンス線路１１ａ、低インピ
ーダンス線路１９の順で接続してもよく、同様な効果を
奏する。[0026] As described above, according to the third embodiment, in addition to the effects of the first embodiment, since the adding parallel capacitance C 1 due to the low impedance line 19,
The number of stages as a low-pass filter is increased, and an effect of obtaining a steeper out-of-band attenuation characteristic is obtained. In the third embodiment, the input / output terminals P1 and P2 are connected in the order of the low impedance line 19, the high impedance line 11a, and the coupling line 120. However, the input / output terminals P1 and P2 are connected to the coupling line 120 and the high impedance line. 11a and the low impedance line 19 may be connected in this order, and a similar effect is obtained.
【００２７】実施の形態４．図８はこの発明の実施の形
態４によるトリプレート線路により形成した低域通過フ
ィルタを示す概略構成図であり、図６に示した低域通過
フィルタをトリプレート線路により形成したものであ
る。図において、２０は誘電体基板１３ａの他方の面に
密着して形成された幅広のストリップ導体、２００は誘
電体基板１３ａ，１３ｂと外導体１４ａ，１４ｂとスト
リップ導体２０とから成る低インピーダンス線路であ
る。図５の場合と同様に、高インピーダンス線路１５０
ａ、高インピーダンス線路１５０ｂ、結合線路１６１、
入出力線路１７０、および低インピーダンス線路２００
はトリプレート線路により構成されている。高インピー
ダンス線路１５０ａ、高インピーダンス線路１５０ｂ、
および低インピーダンス線路２００の軸長は、いずれも
通過周波数の波長に対して十分小さく設定されている。
２つの低インピーダンス線路２００のそれぞれは、一端
が高インピーダンス線路１５０ａに、他端が入力端子Ｐ
１あるいは出力端子Ｐ２に接続されている。図８に示し
た低域通過フィルタの等価回路は、図６の場合と同様に
図７で表される。その他の構成は、図５と同一構成であ
る。Embodiment 4 FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing a low-pass filter formed by a triplate line according to a fourth embodiment of the present invention, in which the low-pass filter shown in FIG. 6 is formed by a triplate line. In the figure, reference numeral 20 denotes a wide strip conductor formed in close contact with the other surface of the dielectric substrate 13a, and reference numeral 200 denotes a low impedance line composed of the dielectric substrates 13a and 13b, the outer conductors 14a and 14b, and the strip conductor 20. is there. As in the case of FIG.
a, high impedance line 150b, coupling line 161,
Input / output line 170 and low impedance line 200
Is constituted by a triplate line. High impedance line 150a, high impedance line 150b,
In addition, the axial length of each of the low impedance lines 200 is set sufficiently small with respect to the wavelength of the passing frequency.
Each of the two low impedance lines 200 has one end connected to the high impedance line 150a and the other end connected to the input terminal P.
1 or the output terminal P2. The equivalent circuit of the low-pass filter shown in FIG. 8 is represented in FIG. 7 as in the case of FIG. Other configurations are the same as those in FIG.
【００２８】以上のように、この実施の形態４によれ
ば、実施の形態３の効果に加えて、低域通過フィルタを
トリプレート線路により形成したので、誘電体基板１３
ａ上に導体パターンをフォトエッチング等により形成で
きるため、小形で寸法精度が高く安定した特性の低域通
過フィルタが、比較的容易に得られる効果を奏する。As described above, according to the fourth embodiment, in addition to the effect of the third embodiment, since the low-pass filter is formed by the triplate line,
Since the conductor pattern can be formed on the substrate a by photo-etching or the like, a small-sized low-pass filter having high dimensional accuracy and stable characteristics can be obtained relatively easily.
【００２９】実施の形態５．図９はこの発明の実施の形
態５による低域通過フィルタを示す概略構成図であり、
図において、２１は２つの先端短絡スタブであり、２１
０は２つ１組の先端短絡スタブ２１により構成された結
合線路である。これら２つの先端短絡スタブ２１は、こ
れらの短絡端が同一方向を向くように略平行に配置さ
れ、短絡端とは逆側の端部が高インピーダンス線路１１
ｂの両端に接続されている。また、これら各先端短絡ス
タブ２１の電気長は、通過周波数の波長の１／４に比べ
て大きく波長の１／２に比べて小さく設定されている。
その他の構成は、図１と同一構成である。Embodiment 5 FIG. 9 is a schematic configuration diagram showing a low-pass filter according to Embodiment 5 of the present invention.
In the figure, reference numeral 21 denotes two tip short-circuit stubs;
Reference numeral 0 denotes a coupled line constituted by a pair of tip short-circuiting stubs 21. These two tip short-circuit stubs 21 are arranged substantially in parallel so that these short-circuit ends face the same direction, and the end opposite to the short-circuit end has a high impedance line 11.
b are connected to both ends. The electrical length of each of the tip short-circuit stubs 21 is set to be larger than １ ／ of the wavelength of the passing frequency and smaller than 波長 of the wavelength.
Other configurations are the same as those in FIG.
【００３０】次に動作について説明する。図１０は、上
記の結合線路２１０を示す概略構成図であり、図におい
て、θは先端短絡スタブ２１の電気長である。図１１は
結合線路２１０の等価回路図であり、図において、Ｙ
e ，Ｙ0 は結合線路２１０の偶モードおよび奇モードの
特性アドミタンスである。このとき、π／２＜θ＜πを
満たす角周波数ωにおいて、図１１（ａ）の回路は近似
的に図１１（ｂ）の等価回路で表される。図１１（ｂ）
の式からわかるように、直列キャパシタンスＣP は特性
アドミタンスＹe とＹ 0 との差、即ち、先端短絡スタブ
２１間の結合容量、および先端短絡スタブ２１の電気長
θによって変化し、並列キャパシタンスＣは、特性アド
ミタンスＹe 、即ち、主として先端短絡スタブ２１の特
性インピーダンス、および先端短絡スタブ２１の電気長
θによって変化する。即ち、結合線路２１０において
は、先端短絡スタブ２１の電気長θを調整することによ
り、図１１（ｂ）に示す直列キャパシタンスＣP として
比較的大きな値を得ることが可能である。Next, the operation will be described. FIG.
FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing the coupling line 210 of FIG.
Is the electrical length of the tip short-circuit stub 21. FIG.
FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the coupling line 210, in which Y
e , Y0 Are the even and odd modes of the coupling line 210.
Characteristic admittance. At this time, π / 2 <θ <π
At the satisfying angular frequency ω, the circuit of FIG.
11 (b). FIG. 11B
As can be seen from the equation, the series capacitance CP Is a characteristic
Admittance Ye And Y 0 Difference, that is, the tip short-circuit stub
And the electrical length of the stub 21
θ, and the parallel capacitance C
Mittens Ye That is, the characteristics of the tip short-circuit stub 21 are mainly
Impedance and electrical length of the tip short-circuit stub 21
It changes with θ. That is, in the coupling line 210,
Is adjusted by adjusting the electrical length θ of the tip short-circuit stub 21.
And the series capacitance C shown in FIG.P As
It is possible to obtain relatively large values.
【００３１】図１２は、上記の低域通過フィルタの等価
回路図であり、図９に示した低域通過フィルタの等価回
路は、図１１（ａ）の回路をそのまま用いると図１２
（ａ）で表すことができる。さらに、図１２（ａ）に対
して図１１の関係を適用すると、最終的に、図９の構成
に対して図１２（ｂ）に示す等価回路が得られる。図１
２（ｂ）の等価回路はキャパシタンスＣP2とインダクタ
ンスＬ2 による並列共振回路を含んでいることから、図
９に示したフィルタは、図１８および図１９に示した従
来の場合と同様に、図２０に示したような有極特性を有
する低域通過フィルタの機能を有する。FIG. 12 is an equivalent circuit diagram of the low-pass filter described above. The equivalent circuit of the low-pass filter shown in FIG. 9 can be obtained by using the circuit of FIG.
It can be represented by (a). Further, when the relationship in FIG. 11 is applied to FIG. 12A, an equivalent circuit shown in FIG. 12B is finally obtained for the configuration in FIG. FIG.
Since the equivalent circuit of 2 (b) which contains a parallel resonant circuit of the capacitance C P2 and the inductance L 2, the filter shown in FIG. 9, as in the case of prior art shown in FIGS. 18 and 19, FIG. It has the function of a low-pass filter having polar characteristics as shown in FIG.
【００３２】以上のように、この実施の形態５によれ
ば、図１１（ｂ）の説明で述べたように、図９に示した
低域通過フィルタにおいては、結合線路２１０を含む構
成としたことにより、先端短絡スタブ２１の電気長θを
π／２＜θ＜πの範囲で大きくすることで、従来に比べ
てキャパシタンスＣP2を大きくすることができる効果を
奏する。このキャパシタンスＣP2を大きくできる効果に
より、通過帯域近傍まで減衰極の周波数を低く設定する
ことが可能であり、従って、急峻な帯域外減衰特性を持
つ低域通過フィルタが得られる効果がある。As described above, according to the fifth embodiment, as described in the description of FIG. 11B, the low-pass filter shown in FIG. it Accordingly, by increasing the electrical length theta of short-circuited stub 21 in a range of π / 2 <θ <π, an effect that can increase the capacitance C P2 as compared with the prior art. Due to the effect of increasing the capacitance C P2 , the frequency of the attenuation pole can be set low to near the pass band, and therefore, a low-pass filter having a steep out-of-band attenuation characteristic can be obtained.
【００３３】実施の形態６．図１３はこの発明の実施の
形態６による低域通過フィルタを示す概略構成図であ
り、図９に示した低域通過フィルタをトリプレート線路
により形成したものである。図において、２２は誘電体
基板１３ａの他方の面に密着して形成された一端短絡の
ストリップ導体、２３はストリップ導体２２の一端を外
導体１４ａおよび外導体１４ｂに接続して短絡するスル
ーホール、２２０は誘電体基板１３ａ，１３ｂと外導体
１４ａ，１４ｂとストリップ導体２２とスルーホール２
３とから成る先端短絡スタブ、２２１は短絡端が同一方
向を向くように略平行に配置された２つ１組の先端短絡
スタブ２２０から成る結合線路である。Embodiment 6 FIG. FIG. 13 is a schematic configuration diagram showing a low-pass filter according to Embodiment 6 of the present invention, in which the low-pass filter shown in FIG. 9 is formed by a triplate line. In the figure, reference numeral 22 denotes a strip conductor short-circuited at one end formed in close contact with the other surface of the dielectric substrate 13a; 23, a through-hole connecting one end of the strip conductor 22 to the outer conductor 14a and the outer conductor 14b to short-circuit; 220 is a dielectric substrate 13a, 13b, outer conductors 14a, 14b, strip conductor 22, and through hole 2
3 is a coupled line composed of a pair of tip short-circuit stubs 220 arranged substantially in parallel so that the short-circuit ends face the same direction.
【００３４】誘電体基板１３ａと誘電体基板１３ｂは誘
電体基板１３ａのうちのストリップ導体１５ａ，１５
ｂ，２２，１７が密着して形成された面と、誘電体基板
１３ｂのうちの外導体１４ｂが形成されていない面とが
対向するように重ねられている。このため、高インピー
ダンス線路１５０ａと高インピーダンス線路１５０ｂ、
結合線路２２１、および入出力線路１７０はトリプレー
ト線路により構成されている。高インピーダンス線路１
５０ａ，１５０ｂの軸長は通過周波数の波長に対して十
分小さく設定されている。一方、先端短絡スタブ２２０
の軸長は、１／４波長より長く、１／２波長より短く設
定されている。結合線路２２１の短絡端とは逆側に位置
する２個所の端部の間には、高インピーダンス線路１５
０ｂが接続されている。高インピーダンス線路１５０ａ
は一端が結合線路２２１と高インピーダンス線路１５０
ｂとの接続点に、他端が入力端子Ｐ１あるいは出力端子
Ｐ２に接続されている。図１３に示した低域通過フィル
タの等価回路は、図９の場合と同様に図１２（ｂ）で表
される。その他の構成は、図８と同一構成である。The dielectric substrates 13a and 13b are strip conductors 15a and 15b of the dielectric substrate 13a.
The surface on which b, 22, and 17 are closely attached and the surface of the dielectric substrate 13b on which the outer conductor 14b is not formed are overlapped so as to face each other. Therefore, the high impedance lines 150a and 150b,
The coupling line 221 and the input / output line 170 are constituted by triplate lines. High impedance line 1
The axial lengths of 50a and 150b are set sufficiently small with respect to the wavelength of the pass frequency. On the other hand, the tip short-circuit stub 220
Is set longer than 波長 wavelength and shorter than 波長 wavelength. A high impedance line 15 is provided between two ends of the coupling line 221 opposite to the short-circuited end.
0b is connected. High impedance line 150a
One end has a coupling line 221 and a high impedance line 150
The other end is connected to the input terminal P1 or the output terminal P2 at the connection point with b. The equivalent circuit of the low-pass filter shown in FIG. 13 is represented in FIG. 12B as in the case of FIG. Other configurations are the same as those in FIG.
【００３５】以上のように、この実施の形態６によれ
ば、実施の形態５の効果に加えて、低域通過フィルタを
トリプレート線路により形成したので、誘電体基板１３
ａ上に導体パターンをフォトエッチング等により形成で
きるため、小形で寸法精度が高く安定した特性の低域通
過フィルタが、比較的容易に得られる効果を奏する。As described above, according to the sixth embodiment, in addition to the effect of the fifth embodiment, since the low-pass filter is formed by the triplate line, the dielectric substrate 13
Since the conductor pattern can be formed on the substrate a by photo-etching or the like, a small-sized low-pass filter having high dimensional accuracy and stable characteristics can be obtained relatively easily.
【００３６】実施の形態７．図１４はこの発明の実施の
形態７による低域通過フィルタを示す概略構成図であ
り、図１に示した低域通過フィルタをマイクロストリッ
プ線路により形成したものである。図において、２４
ａ，２４ｂは誘電体基板１３ａの他方の面に密着して形
成された幅狭のストリップ導体、２５は誘電体基板１３
ａの他方の面に密着して形成された一端開放のストリッ
プ導体、２６はストリップ導体、２４０ａは誘電体基板
１３ａと外導体１４ａとストリップ導体２４ａとから成
る高インピーダンス線路（第２の高インピーダンス線
路）、２４０ｂは誘電体基板１３ａと外導体１４ａとス
トリップ導体２４ｂとから成る高インピーダンス線路
（第１の高インピーダンス線路）、２５０は誘電体基板
１３ａと外導体１４ａとストリップ導体２５とから成る
先端開放スタブ、２５１は開放端が同一方向を向くよう
に略平行に配置された２つ１組の先端開放スタブ２５０
から成る結合線路、２６０は誘電体基板１３ａと外導体
１４ａとストリップ導体２６とから成る入出力線路であ
る。各高インピーダンス線路２４０ａ，２４０ｂの軸長
は、いずれも通過周波数の波長に対して十分小さく設定
されている。結合線路２５１の開放端とは逆側に位置す
る２個所の端部の間には、高インピーダンス線路２４０
ｂが接続されている。高インピーダンス線路２４０ａは
一端が結合線路２５１と高インピーダンス線路２４０ｂ
との接続点に、他端が入力端子Ｐ１あるいは出力端子Ｐ
２に接続されている。図１４に示した低域通過フィルタ
の等価回路は、図１の場合と同様に図４（ｂ）で表され
る。その他の構成は、図５と同一構成である。Embodiment 7 FIG. 14 is a schematic configuration diagram showing a low-pass filter according to Embodiment 7 of the present invention, in which the low-pass filter shown in FIG. 1 is formed by a microstrip line. In the figure, 24
a and 24b are narrow strip conductors formed in close contact with the other surface of the dielectric substrate 13a;
a strip conductor, one end of which is formed in close contact with the other surface of a, 26 is a strip conductor, 240a is a high-impedance line (second high-impedance line) including the dielectric substrate 13a, the outer conductor 14a, and the strip conductor 24a. ), 240b are high-impedance lines (first high-impedance lines) each including the dielectric substrate 13a, the outer conductor 14a, and the strip conductor 24b, and 250 is an open end including the dielectric substrate 13a, the outer conductor 14a, and the strip conductor 25. The stub 251 is a pair of open-end stubs 250 arranged substantially in parallel so that the open ends face the same direction.
Numeral 260 denotes an input / output line including the dielectric substrate 13a, the outer conductor 14a, and the strip conductor 26. The axial length of each of the high impedance lines 240a and 240b is set sufficiently small with respect to the wavelength of the passing frequency. A high impedance line 240 is connected between two ends of the coupling line 251 opposite to the open end.
b is connected. One end of the high impedance line 240a is connected to the coupling line 251 and the high impedance line 240b.
The other end is connected to the input terminal P1 or the output terminal P
2 are connected. The equivalent circuit of the low-pass filter shown in FIG. 14 is represented in FIG. 4B as in the case of FIG. Other configurations are the same as those in FIG.
【００３７】以上のように、この実施の形態７によれ
ば、実施の形態１の効果に加えて、低域通過フィルタを
マイクロストリップ線路により形成したので、誘電体基
板１３ａ上に導体パターンをフォトエッチング等により
形成できるため、小形で寸法精度が高く安定した特性の
低域通過フィルタが、比較的容易に得られる効果を奏す
る。As described above, according to the seventh embodiment, in addition to the effect of the first embodiment, since the low-pass filter is formed by the microstrip line, the conductor pattern can be formed on the dielectric substrate 13a by photolithography. Since it can be formed by etching or the like, a small-sized low-pass filter having high dimensional accuracy and stable characteristics can be obtained relatively easily.
【００３８】実施の形態８．図１５はこの発明の実施の
形態８による低域通過フィルタを示す概略構成図であ
り、図１に示した低域通過フィルタを誘電体基板が３層
の線路により形成したものである。図において、１３ｃ
は誘電体基板１３ａと誘電体基板１３ｂとの間に挿入さ
れた誘電体基板、２７ａ，２７ｂは誘電体基板１３ｃの
いずれかの面に密着して形成された幅狭のストリップ導
体、２８は誘電体基板１３ｃのいずれかの面に密着して
形成された一端開放のストリップ導体、２９は誘電体基
板１３ｃのいずれかの面に密着して形成されたストリッ
プ導体、３８は誘電体基板１３ｃの表裏面に形成された
ストリップ導体２７ｂを接続するスルーホール、２７０
ａは誘電体基板１３ａ〜１３ｃと外導体１４ａ，１４ｂ
とストリップ導体２７ａとから成る高インピーダンス線
路（第２の高インピーダンス線路）、２７０ｂは誘電体
基板１３ａ〜１３ｃと外導体１４ａ，１４ｂとストリッ
プ導体２７ｂとスルーホール３８とから成る高インピー
ダンス線路（第１の高インピーダンス線路）、２８０は
誘電体基板１３ａ〜１３ｃと外導体１４ａ，１４ｂとス
トリップ導体２８とから成る先端開放スタブ、２８１は
開放端が同一方向を向くように略平行に配置された２つ
１組の先端開放スタブ２８０から成る結合線路、２９０
は誘電体基板１３ａ〜１３ｃと外導体１４ａ，１４ｂと
ストリップ導体２９とから成る入出力線路である。Embodiment 8 FIG. FIG. 15 is a schematic configuration diagram showing a low-pass filter according to Embodiment 8 of the present invention, in which the low-pass filter shown in FIG. 1 is formed by three layers of dielectric substrates. In the figure, 13c
Is a dielectric substrate inserted between the dielectric substrates 13a and 13b, 27a and 27b are narrow strip conductors formed in close contact with any surface of the dielectric substrate 13c, and 28 is a dielectric strip conductor. One end of a strip conductor formed in close contact with any surface of the body substrate 13c, 29 is a strip conductor formed in close contact with any surface of the dielectric substrate 13c, and 38 is a surface of the dielectric substrate 13c. Through hole 270 for connecting strip conductor 27b formed on the back surface
a is the dielectric substrates 13a to 13c and the outer conductors 14a and 14b
270b is a high impedance line (first high impedance line) composed of dielectric substrates 13a to 13c, outer conductors 14a and 14b, strip conductor 27b, and through hole 38. A high-impedance line), 280 an open-end stub composed of dielectric substrates 13a to 13c, outer conductors 14a and 14b, and a strip conductor 28; 281 two stubs arranged substantially in parallel so that the open ends face the same direction Coupled line consisting of a set of open-ended stubs 280, 290
Is an input / output line composed of dielectric substrates 13a to 13c, outer conductors 14a and 14b, and strip conductor 29.
【００３９】高インピーダンス線路２７０ａ、高インピ
ーダンス線路２７０ｂ、結合線路２８１、および入出力
線路２９０は断面内におけるそれぞれのストリップ導体
の位置が、誘電体基板１３ｃの厚みの１／２だけ中央か
らシフトした状態のトリプレート線路により構成されて
いる。高インピーダンス線路２７０ａおよび高インピー
ダンス線路２７０ｂの軸長は、いずれも通過周波数の波
長に対して十分小さく設定されている。結合線路２８１
を構成する２つの先端開放スタブ２８０の各ストリップ
導体２８は、誘電体基板１３ｃを介して幅広面が略対向
するように配置されている。結合線路２８１の開放端と
は逆側に位置する２個所の端部の間には、高インピーダ
ンス線路２７０ｂが接続されている。高インピーダンス
線路２７０ａは一端が結合線路２８１と高インピーダン
ス線路２７０ｂとの接続点に、他端が入力端子Ｐ１ある
いは出力端子Ｐ２に接続されている。図１５の低域通過
フィルタの等価回路は、図１の場合と同様に図４（ｂ）
で表される。その他の構成は、図５と同一構成である。The high impedance line 270a, the high impedance line 270b, the coupling line 281, and the input / output line 290 are in a state where the position of each strip conductor in the cross section is shifted from the center by half the thickness of the dielectric substrate 13c. Of the triplate line. The axial lengths of the high impedance line 270a and the high impedance line 270b are both set sufficiently small with respect to the wavelength of the passing frequency. Coupling line 281
The strip conductors 28 of the two open-end stubs 280 are arranged so that the wide surfaces are substantially opposed to each other via the dielectric substrate 13c. A high-impedance line 270b is connected between two ends of the coupling line 281 opposite to the open end. One end of the high impedance line 270a is connected to a connection point between the coupling line 281 and the high impedance line 270b, and the other end is connected to the input terminal P1 or the output terminal P2. The equivalent circuit of the low-pass filter of FIG. 15 is similar to that of FIG.
It is represented by Other configurations are the same as those in FIG.
【００４０】以上のように、この実施の形態８によれ
ば、実施の形態２の効果に加えて、先端開放スタブ２８
０の各ストリップ導体２８が、誘電体基板１３ｃを介し
て幅広面が略対向するように配置されているため、比較
的大きな結合容量ＣP2が得られ、より急峻な帯域外減衰
特性が得られる効果を奏する。As described above, according to the eighth embodiment, in addition to the effects of the second embodiment, the stub 28 having the open end is provided.
Since each of the zero strip conductors 28 is arranged so that the wide surfaces are substantially opposed to each other via the dielectric substrate 13c, a relatively large coupling capacitance CP2 is obtained, and a steeper out-of-band attenuation characteristic is obtained. It works.
【００４１】実施の形態９．図１６はこの発明の実施の
形態９による低域通過フィルタを示す概略構成図であ
り、図１に示した低域通過フィルタを誘電体基板が３層
の線路により形成したものである。図において、３１
ａ，３１ｂは誘電体基板１３ｃのいずれかの面に密着し
て形成された一端開放のストリップ導体であり、３１０
ａ，３１０ｂは誘電体基板１３ａ〜１３ｃと外導体１４
ａ，１４ｂとストリップ導体３１ａ，３１ｂとから成る
先端開放スタブ、３１１ａは開放端が同一方向を向くよ
うに略平行に配置された２つ１組の先端開放スタブ３１
０ａから成る結合線路、３１１ｂは開放端が同一方向を
向くように略平行に配置された２つ１組の先端開放スタ
ブ３１０ｂから成る結合線路である。Embodiment 9 FIG. 16 is a schematic configuration diagram showing a low-pass filter according to a ninth embodiment of the present invention, in which the low-pass filter shown in FIG. 1 is formed by three layers of dielectric substrates. In the figure, 31
Reference numerals a and 31b denote strip conductors having one end open and formed in close contact with any surface of the dielectric substrate 13c;
a, 310b are the dielectric substrates 13a to 13c and the outer conductor 14;
The open-end stubs 311a composed of a and 14b and the strip conductors 31a and 31b are a pair of open-end stubs 31 arranged in parallel so that the open ends face the same direction.
A coupled line 3a composed of Oa is a coupled line composed of a pair of open-end stubs 310b arranged substantially in parallel so that the open ends face the same direction.
【００４２】高インピーダンス線路２７０ａと高インピ
ーダンス線路２７０ｂ、結合線路３１１ａ，３１１ｂ、
および入出力線路２９０は断面内におけるそれぞれのス
トリップ導体の位置が、誘電体基板１３ｃの厚みの１／
２だけ中央からシフトした状態のトリプレート線路によ
り構成されている。高インピーダンス線路２７０ａおよ
び高インピーダンス線路２７０ｂの軸長は、いずれも通
過周波数の波長に対して十分小さく設定されている。結
合線路３１１ａと結合線路３１１ｂは、それぞれの開放
端とは逆側の端部同士が並列接続され、これら２個所の
接続点は、誘電体基板１３ｃの裏面に設けられたストリ
ップ導体２７ｂおよびスルーホール３８を介して、相互
に接続されている。高インピーダンス線路２７０ａは一
端が結合線路３１１ａと結合線路３１１ｂの接続点に、
他端が入力端子Ｐ１あるいは出力端子Ｐ２に接続されて
いる。図１６に示した低域通過フィルタの等価回路は図
４（ｂ）と同様になるが、キャパシタンスＣP2および直
列キャパシタンスＣP のパラメータが、２つの結合線路
３１１ａ，３１１ｂのパラメータに増える。その他の構
成は、図１５と同一構成である。The high impedance lines 270a and 270b, the coupling lines 311a and 311b,
And the position of each strip conductor in the cross section is 1/1 / th of the thickness of the dielectric substrate 13c.
It is composed of a triplate line shifted from the center by two. The axial lengths of the high impedance line 270a and the high impedance line 270b are both set sufficiently small with respect to the wavelength of the passing frequency. The coupling line 311a and the coupling line 311b have their ends opposite to the open ends connected in parallel, and these two connection points are formed by a strip conductor 27b and a through hole provided on the back surface of the dielectric substrate 13c. They are interconnected via 38. One end of the high impedance line 270a is connected to a connection point between the coupling line 311a and the coupling line 311b.
The other end is connected to the input terminal P1 or the output terminal P2. An equivalent circuit of the low-pass filter shown in FIG. 16 is similar to FIG 4 (b), but the parameters of the capacitance C P2 and series capacitance C P is, two coupled lines 311a, increases the parameters 311b. Other configurations are the same as those in FIG.
【００４３】以上のように、この実施の形態９によれ
ば、実施の形態２の効果に加えて、キャパシタンスＣP2
および直列キャパシタンスＣP のパラメータが、２つの
結合線路３１１ａ，３１１ｂのパラメータに増えるた
め、設計の自由度を増加させることができる効果を奏す
る。As described above, according to the ninth embodiment, in addition to the effect of the second embodiment, the capacitance C P2
And parameters of the series capacitance C P is, two coupled lines 311a, since increased to parameters of 311b, an effect that can increase the degree of freedom in design.
【００４４】実施の形態１０．図１７はこの発明の実施
の形態１０による低域通過フィルタを示す概略構成図で
あり、図１に示した低域通過フィルタをコプレーナ線路
により形成したものである。図において、１４ｃは誘電
体基板１３ａの他方の面に密着して形成された地導体、
３３ａ，３３ｂは誘電体基板１３ａの他方の面に密着し
て形成された幅狭のストリップ導体、３４は誘電体基板
１３ａの他方の面に密着して形成された一端開放のスト
リップ導体、３５はストリップ導体、３６は誘電体基板
１３ａの他方の面に密着して形成された導体パッド、３
７は地導体１４ｃを同電位に保つための導体ワイヤ、３
３０ａは誘電体基板１３ａと地導体１４ｃとストリップ
導体３３ａとから成る高インピーダンス線路（第２の高
インピーダンス線路）、３３０ｂは誘電体基板１３ａと
地導体１４ｃとストリップ導体３３ｂとから成る高イン
ピーダンス線路（第１の高インピーダンス線路）、３４
０は誘電体基板１３ａと地導体１４ｃとストリップ導体
３４とから成る先端開放スタブ、３４１は開放端が同一
方向を向くように略平行に配置された２つ１組の先端開
放スタブ３４０から成る結合線路、３５０は誘電体基板
１３ａと地導体１４ｃとストリップ導体３５とから成る
入出力線路である。Embodiment 10 FIG. FIG. 17 is a schematic configuration diagram showing a low-pass filter according to Embodiment 10 of the present invention, in which the low-pass filter shown in FIG. 1 is formed by a coplanar line. In the figure, 14c is a ground conductor formed in close contact with the other surface of the dielectric substrate 13a,
33a and 33b are narrow strip conductors formed in close contact with the other surface of the dielectric substrate 13a; 34 is a strip conductor formed in close contact with the other surface of the dielectric substrate 13a; Strip conductors 36 are conductor pads formed in close contact with the other surface of the dielectric substrate 13a.
7 is a conductor wire for keeping the ground conductor 14c at the same potential, 3
Reference numeral 30a denotes a high impedance line (second high impedance line) including the dielectric substrate 13a, the ground conductor 14c, and the strip conductor 33a, and reference numeral 330b denotes a high impedance line (including the dielectric substrate 13a, the ground conductor 14c, and the strip conductor 33b). A first high impedance line), 34
Reference numeral 0 denotes an open-end stub composed of the dielectric substrate 13a, the ground conductor 14c, and the strip conductor 34, and reference numeral 341 denotes a coupling composed of a pair of open-end stubs 340 arranged in parallel so that the open ends face the same direction. A line 350 is an input / output line including the dielectric substrate 13a, the ground conductor 14c, and the strip conductor 35.
【００４５】高インピーダンス線路３３０ａおよび高イ
ンピーダンス線路３３０ｂの軸長は、いずれも通過周波
数の波長に対して十分小さく設定されている。結合線路
３４１の開放端とは逆側に位置する２個所の端部の間に
は、高インピーダンス線路３３０ｂが接続されている。
高インピーダンス線路３３０ａは一端が結合線路３４１
と高インピーダンス線路３３０ｂとの接続点に、他端が
入力端子Ｐ１あるいは出力端子Ｐ２に接続されている。
図１７に示した低域通過フィルタの等価回路は、図１の
場合と同様に図４（ｂ）で表される。その他の構成は、
図５と同一構成である。The axial lengths of the high impedance line 330a and the high impedance line 330b are both set sufficiently small with respect to the wavelength of the passing frequency. A high impedance line 330b is connected between two ends of the coupling line 341 opposite to the open end.
One end of the high impedance line 330a is a coupling line 341.
The other end is connected to the input terminal P1 or the output terminal P2 at the connection point between the input terminal P1 and the high impedance line 330b.
The equivalent circuit of the low-pass filter shown in FIG. 17 is represented in FIG. 4B as in the case of FIG. Other configurations are
This is the same configuration as FIG.
【００４６】以上のように、この実施の形態１０によれ
ば、実施の形態１の効果に加えて、低域通過フィルタを
コプレーナ線路により形成したので、誘電体基板１３ａ
上に導体パターンをフォトエッチング等により形成でき
るため、小形で寸法精度が高く安定した特性の低域通過
フィルタが、比較的容易に得られる効果を奏する。ま
た、コプレーナ線路により形成したので、誘電体基板１
３ａの片側表面のみに低域通過フィルタの回路を構成で
きる効果を奏する。As described above, according to the tenth embodiment, in addition to the effect of the first embodiment, since the low-pass filter is formed by the coplanar line, the dielectric substrate 13a
Since the conductor pattern can be formed thereon by photoetching or the like, a small-sized low-pass filter having high dimensional accuracy and stable characteristics can be obtained relatively easily. Also, the dielectric substrate 1 is formed by the coplanar line.
There is an effect that the circuit of the low-pass filter can be formed only on one surface of the substrate 3a.
【００４７】[0047]
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、通過
周波数の波長よりも短い高インピーダンス線路と、通過
周波数の１／４波長よりも短い２つ１組の先端開放スタ
ブにより形成されると共に、２つの先端開放スタブの開
放端が同一方向を向くように略平行に配置され、２つの
先端開放スタブの開放端とは逆側の端部が高インピーダ
ンス線路の両端に接続された結合線路とを備えるよう構
成したので、先端開放スタブの長さを大きく設定するこ
とで、従来に比べてキャパシタンスを大きくすることが
でき、通過帯域近傍まで減衰極の周波数を低く設定する
ことが可能であり、従って、急峻な帯域外減衰特性を持
つ低域通過フィルタが得られる効果がある。As described above, according to the present invention, a high-impedance line shorter than the wavelength of the pass frequency and a pair of open-end stubs shorter than a quarter wavelength of the pass frequency are formed. And a coupled line in which the open ends of the two open-end stubs are arranged substantially in parallel so as to face in the same direction, and the ends opposite to the open ends of the two open-end stubs are connected to both ends of the high impedance line. By setting the length of the open-end stub to be large, the capacitance can be increased as compared with the conventional case, and the frequency of the attenuation pole can be set low to near the pass band. Therefore, there is an effect that a low-pass filter having a steep out-of-band attenuation characteristic can be obtained.
【００４８】この発明によれば、第１の高インピーダン
ス線路の両端に接続され、長さが通過周波数の波長より
も短い２つの第２の高インピーダンス線路を備えるよう
構成したので、さらに、急峻な帯域外減衰特性を持つ低
域通過フィルタが得られる効果がある。According to the present invention, since two second high-impedance lines connected to both ends of the first high-impedance line and having a length shorter than the wavelength of the passing frequency are provided, the steepness is further increased. There is an effect that a low-pass filter having an out-of-band attenuation characteristic can be obtained.
【００４９】この発明によれば、第１の高インピーダン
ス線路の両端にその第１の高インピーダンス線路と並列
接続され、長さが通過周波数の波長に比べて短い第２の
高インピーダンス線路を備えるよう構成したので、さら
に、急峻な帯域外減衰特性を持つ低域通過フィルタが得
られる効果がある。According to the present invention, the second high impedance line is connected to both ends of the first high impedance line in parallel with the first high impedance line and has a length shorter than the wavelength of the passing frequency. With this configuration, a low-pass filter having a steep out-of-band attenuation characteristic can be obtained.
【００５０】この発明によれば、第２の高インピーダン
ス線路の両端に接続され、通過周波数の波長よりも短い
２つの低インピーダンス線路を備えるよう構成したの
で、さらに、急峻な帯域外減衰特性を持つ低域通過フィ
ルタが得られる効果がある。According to the present invention, two low-impedance lines connected to both ends of the second high-impedance line and shorter than the wavelength of the passing frequency are provided, so that they further have a steep out-of-band attenuation characteristic. There is an effect that a low-pass filter can be obtained.
【００５１】この発明によれば、通過周波数の１／４波
長よりも長く１／２波長よりも短い２つ１組の先端短絡
スタブにより形成されると共に、２つの先端短絡スタブ
の短絡端が同一方向を向くように略平行に配置され、２
つの先端短絡スタブの短絡端とは逆側の端部が高インピ
ーダンス線路の両端に接続された結合線路を備えるよう
構成したので、さらに、先端開放スタブの長さを大きく
設定することで、従来に比べてキャパシタンスを大きく
することができ、通過帯域近傍まで減衰極の周波数を低
く設定することが可能であり、従って、急峻な帯域外減
衰特性を持つ低域通過フィルタが得られる効果がある。According to the present invention, the pair of short-circuited stubs is formed by a pair of short-circuited stubs longer than 長 く wavelength and shorter than 波長 wavelength of the pass frequency, and the short-circuited ends of the two short-circuited stubs are the same. Are arranged substantially parallel to each other,
Since the end opposite to the short-circuit end of the two tip short-circuit stubs is configured to have a coupling line connected to both ends of the high-impedance line, by further increasing the length of the open-end stub, In comparison with this, the capacitance can be increased, and the frequency of the attenuation pole can be set to be low near the pass band. Therefore, there is an effect that a low-pass filter having a steep out-of-band attenuation characteristic can be obtained.
【００５２】この発明によれば、トリプレート線路によ
り形成されるように構成したので、小形で寸法精度が高
く安定した特性の低域通過フィルタが、比較的容易に得
られる効果がある。According to the present invention, since the filter is formed by the triplate line, a small-sized low-pass filter having high dimensional accuracy and stable characteristics can be obtained relatively easily.
【００５３】この発明によれば、マイクロストリップ線
路により形成されるように構成したので、小形で寸法精
度が高く安定した特性の低域通過フィルタが、比較的容
易に得られる効果がある。According to the present invention, since the filter is formed by the microstrip line, a small-sized low-pass filter having high dimensional accuracy and stable characteristics can be obtained relatively easily.
【００５４】この発明によれば、コプレーナ線路により
形成されるように構成したので、小形で寸法精度が高く
安定した特性の低域通過フィルタが、比較的容易に得ら
れる効果がある。According to the present invention, since the filter is formed by the coplanar line, a small-sized low-pass filter having high dimensional accuracy and stable characteristics can be obtained relatively easily.
【００５５】この発明によれば、多層高周波回路により
構成され、結合線路の２つのストリップ導体は誘電体基
板の表裏に１つずつ形成され、２つのストリップ導体の
幅広面が誘電体基板を介して略対向して配置されるよう
に構成したので、さらに、従来に比べてキャパシタンス
を大きくすることができ、より急峻な帯域外減衰特性を
持つ低域通過フィルタが得られる効果がある。According to the present invention, the two strip conductors of the coupling line are formed one by one on the front and back of the dielectric substrate, and the wide surfaces of the two strip conductors are interposed via the dielectric substrate. Since they are arranged so as to be substantially opposed to each other, the capacitance can be further increased as compared with the related art, and there is an effect that a low-pass filter having steeper out-of-band attenuation characteristics can be obtained.
【００５６】この発明によれば、多層高周波回路により
構成され、２組の結合線路が、開放端あるいは短絡端と
は逆側の各２個所の端部同士を相互に接続されて並列接
続され、高インピーダンス線路または第１の高インピー
ダンス線路が、２組の結合線路とは異なる層に形成さ
れ、２つの結合線路の２個所の接続点同士が高インピー
ダンス線路または第１の高インピーダンス線路の両端に
接続されるように構成したので、結合容量のパラメータ
が、２つの結合線路のパラメータに増えるため、設計の
自由度を増加させることができる低域通過フィルタが得
られる効果がある。According to the present invention, the two sets of coupling lines are constituted by a multilayer high-frequency circuit, and are connected in parallel by mutually connecting the two ends on the opposite side to the open end or the short-circuit end, A high-impedance line or a first high-impedance line is formed on a layer different from the two sets of coupled lines, and two connection points of the two coupled lines are connected to both ends of the high-impedance line or the first high-impedance line. Since the configuration is such that the connection is made, the parameter of the coupling capacitance is increased to the parameter of the two coupling lines, so that there is an effect of obtaining a low-pass filter that can increase the degree of freedom in design.
【図１】 この発明の実施の形態１による低域通過フィ
ルタを示す概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a low-pass filter according to Embodiment 1 of the present invention.
【図２】 上記低域通過フィルタの結合線路を示す概略
構成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a coupling line of the low-pass filter.
【図３】 上記結合線路の等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the coupling line.
【図４】 上記低域通過フィルタの等価回路図である。FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the low-pass filter.
【図５】 この発明の実施の形態２によるトリプレート
線路により形成した低域通過フィルタを示す概略構成図
である。FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing a low-pass filter formed by a triplate line according to a second embodiment of the present invention.
【図６】 この発明の実施の形態３による低域通過フィ
ルタを示す概略構成図である。FIG. 6 is a schematic configuration diagram showing a low-pass filter according to Embodiment 3 of the present invention.
【図７】 上記低域通過フィルタの等価回路図である。FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of the low-pass filter.
【図８】 この発明の実施の形態４によるトリプレート
線路により形成した低域通過フィルタを示す概略構成図
である。FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing a low-pass filter formed by a triplate line according to a fourth embodiment of the present invention.
【図９】 この発明の実施の形態５による低域通過フィ
ルタを示す概略構成図である。FIG. 9 is a schematic configuration diagram showing a low-pass filter according to Embodiment 5 of the present invention.
【図１０】 上記低域通過フィルタの結合線路を示す概
略構成図である。FIG. 10 is a schematic configuration diagram showing a coupling line of the low-pass filter.
【図１１】 上記結合線路の等価回路図である。FIG. 11 is an equivalent circuit diagram of the coupling line.
【図１２】 上記低域通過フィルタの等価回路図であ
る。FIG. 12 is an equivalent circuit diagram of the low-pass filter.
【図１３】 この発明の実施の形態６によるトリプレー
ト線路により形成した低域通過フィルタを示す概略構成
図である。FIG. 13 is a schematic configuration diagram showing a low-pass filter formed by a triplate line according to a sixth embodiment of the present invention.
【図１４】 この発明の実施の形態７によるマイクロス
トリップ線路により形成した低域通過フィルタを示す概
略構成図である。FIG. 14 is a schematic configuration diagram showing a low-pass filter formed by a microstrip line according to a seventh embodiment of the present invention.
【図１５】 この発明の実施の形態８によるトリプレー
ト線路により形成した低域通過フィルタを示す概略構成
図である。FIG. 15 is a schematic configuration diagram showing a low-pass filter formed by a triplate line according to an eighth embodiment of the present invention.
【図１６】 この発明の実施の形態９によるトリプレー
ト線路により形成した低域通過フィルタを示す概略構成
図である。FIG. 16 is a schematic configuration diagram showing a low-pass filter formed by a triplate line according to a ninth embodiment of the present invention.
【図１７】 この発明の実施の形態１０によるコプレー
ナ線路により形成した低域通過フィルタを示す概略構成
図である。FIG. 17 is a schematic configuration diagram showing a low-pass filter formed by a coplanar line according to a tenth embodiment of the present invention.
【図１８】 従来の低域通過フィルタを示す概略構成図
である。FIG. 18 is a schematic configuration diagram showing a conventional low-pass filter.
【図１９】 従来の低域通過フィルタを示す等価回路図
である。FIG. 19 is an equivalent circuit diagram showing a conventional low-pass filter.
【図２０】 従来およびこの発明の実施の形態による低
域通過フィルタの通過特性を示す特性図である。FIG. 20 is a characteristic diagram showing pass characteristics of a low-pass filter according to the related art and the embodiment of the present invention.
１１ａ，１５０ａ，２４０ａ，２７０ａ，３３０ａ 高
インピーダンス線路（第２の高インピーダンス線路）、
１１ｂ，１５０ｂ，２４０ｂ，２７０ｂ，３３０ｂ 高
インピーダンス線路（第１の高インピーダンス線路）、
１２，１６０，２５０，２８０，３１０ａ，３１０ｂ，
３４０ 先端開放スタブ、１９，２００低インピーダン
ス線路、２８ ストリップ導体、１２０，１６１，２１
０，２２１，２５１，２８１，３１１ａ，３１１ｂ，３
４１ 結合線路、２１，２２０先端短絡スタブ。11a, 150a, 240a, 270a, 330a High impedance line (second high impedance line),
11b, 150b, 240b, 270b, 330b High impedance line (first high impedance line),
12, 160, 250, 280, 310a, 310b,
340 Open-end stub, 19,200 low impedance line, 28 strip conductor, 120,161,21
0,221,251,281,311a, 311b, 3
41 Coupled line, 21,220 tip short-circuit stub.
─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成１２年３月１０日（２０００．３．１
０）[Submission date] March 10, 2000 (200.3.1.1)
0)
【手続補正１】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２０[Correction target item name] 0020
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００２０】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、図３（ｂ）の説明で述べたように、図１に示した低
域通過フィルタにおいては、結合線路１２０を含む構成
としたことにより、先端開放スタブ１２の電気長θをθ
＜π／２の範囲で大きく設定することで、従来に比べて
キャパシタンスＣP2を大きくすることができる効果を奏
する。このキャパシタンスＣP2を大きくすることができ
ることにより、通過帯域近傍まで減衰極の周波数を低く
設定することが可能であり、従って、急峻な帯域外減衰
特性を持つ低域通過フィルタが得られる。尚、上記実施
の形態１では、図１に示したように、２つの高インピー
ダンス線路１１ａと、１つの高インピーダンス線路１１
ｂと、２つ１組の先端開放スタブ１２により構成された
結合線路１２０によって低域通過フィルタを構成した
が、高インピーダンス線路１１ａは、所望の帯域外減衰
特性に応じて設けなくとも複数設けても良く、また、結
合線路１２０を高インピーダンス線路１１ａあるいは１
１ｂを介して継続接続するなどして、図１に示した低域
通過フィルタを複数段に接続して所望の帯域外減衰特性
を持つように構成しても良い。 ─────────────────────────────────────────────────────
As described above, according to the first embodiment, as described in the description of FIG. 3B, the low-pass filter shown in FIG. Thus, the electrical length θ of the open-end stub 12 is
<By setting larger in the range of [pi / 2, the effect that it is possible to increase the capacitance C P2 as compared with the prior art. Since the capacitance C P2 can be increased, the frequency of the attenuation pole can be set low to near the pass band, so that a low-pass filter having a steep out-of-band attenuation characteristic can be obtained. In the first embodiment, as shown in FIG. 1, two high impedance lines 11a and one high impedance line 11a
b and the coupled line 120 constituted by the pair of open-end stubs 12 constitutes a low-pass filter, but a plurality of high-impedance lines 11a are provided according to desired out-of-band attenuation characteristics. It may be, also, sintered
The combined line 120 is connected to the high impedance line 11a or 1
The low-pass filter shown in FIG. 1 may be connected in a plurality of stages, for example, by continuous connection via 1b, so as to have a desired out-of-band attenuation characteristic . ────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成１２年３月１３日（２０００．３．１
３）[Submission date] March 13, 2000 (200.3.1)
3)
【手続補正１】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００３４[Correction target item name] 0034
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００３４】誘電体基板１３ａと誘電体基板１３ｂは誘
電体基板１３ａのうちのストリップ導体１５ａ，１５
ｂ，２２，１７が密着して形成された面と、誘電体基板
１３ｂのうちの外導体１４ｂが形成されていない面とが
対向するように重ねられている。このため、高インピー
ダンス線路１５０ａと高インピーダンス線路１５０ｂ、
結合線路２２１、および入出力線路１７０はトリプレー
ト線路により構成されている。高インピーダンス線路１
５０ａ，１５０ｂの軸長は通過周波数の波長に対して十
分小さく設定されている。一方、先端短絡スタブ２２０
の軸長は、１／４波長より長く、１／２波長より短く設
定されている。結合線路２２１の短絡端とは逆側に位置
する２個所の端部の間には、高インピーダンス線路１５
０ｂが接続されている。高インピーダンス線路１５０ａ
は一端が結合線路２２１と高インピーダンス線路１５０
ｂとの接続点に、他端が入力端子Ｐ１あるいは出力端子
Ｐ２に接続されている。図１３に示した低域通過フィル
タの等価回路は、図９の場合と同様に図１２（ｂ）で表
される。 The dielectric substrates 13a and 13b are strip conductors 15a and 15b of the dielectric substrate 13a.
The surface on which b, 22, and 17 are closely attached and the surface of the dielectric substrate 13b on which the outer conductor 14b is not formed are overlapped so as to face each other. Therefore, the high impedance lines 150a and 150b,
The coupling line 221 and the input / output line 170 are constituted by triplate lines. High impedance line 1
The axial lengths of 50a and 150b are set sufficiently small with respect to the wavelength of the pass frequency. On the other hand, the tip short-circuit stub 220
Is set longer than 波長 wavelength and shorter than 波長 wavelength. A high impedance line 15 is provided between two ends of the coupling line 221 opposite to the short-circuited end.
0b is connected. High impedance line 150a
One end has a coupling line 221 and a high impedance line 150
The other end is connected to the input terminal P1 or the output terminal P2 at the connection point with b. The equivalent circuit of the low-pass filter shown in FIG. 13 is represented in FIG. 12B as in the case of FIG .
【手続補正２】[Procedure amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００４３[Correction target item name] 0043
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００４３】以上のように、この実施の形態９によれ
ば、実施の形態２の効果に加えて、キャパシタンスＣP2
および直列キャパシタンスＣ 2 のパラメータが、２つの
結合線路３１１ａ，３１１ｂのパラメータに増えるた
め、設計の自由度を増加させることができる効果を奏す
る。As described above, according to the ninth embodiment, in addition to the effect of the second embodiment, the capacitance C P2
And parameters of the series capacitance C 2 is two coupled lines 311a, since increased to parameters of 311b, an effect that can increase the degree of freedom in design.
【手続補正３】[Procedure amendment 3]
【補正対象書類名】図面[Document name to be amended] Drawing
【補正対象項目名】図３[Correction target item name] Figure 3
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【図３】 FIG. 3
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大和田 哲 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 有賀 博 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5J006 HB02 HB03 HB11 HB13 JA03 JA11 LA03 LA21 NA08 NB10 NC02 NE17 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Tetsu Owada 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Mitsui Electric Co., Ltd. (72) Inventor Hiroshi Ariga 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo F term in Ryo Denki Co., Ltd. (reference) 5J006 HB02 HB03 HB11 HB13 JA03 JA11 LA03 LA21 NA08 NB10 NC02 NE17
Claims (10)
インピーダンス線路と、長さが通過周波数の波長の１／
４に比べて短い２つ１組の先端開放スタブにより形成さ
れると共に、それら２つの先端開放スタブの開放端が同
一方向を向くように略平行に配置され、それら２つの先
端開放スタブの開放端とは逆側の端部が上記高インピー
ダンス線路の両端に接続された結合線路とを備えた低域
通過フィルタ。1. A high-impedance line whose length is shorter than a wavelength of a pass frequency, and a length of 1/1 of the wavelength of the pass frequency.
4 are formed by a pair of open-end stubs which are shorter than the open-end stubs, and the open ends of the two open-end stubs are arranged substantially in parallel so as to face in the same direction. And a coupled line whose opposite end is connected to both ends of the high impedance line.
１の高インピーダンス線路と、上記第１の高インピーダ
ンス線路の両端に接続され、長さが通過周波数の波長に
比べて短い２つの第２の高インピーダンス線路と、長さ
が通過周波数の波長の１／４に比べて短い２つ１組の先
端開放スタブにより形成されると共に、それら２つの先
端開放スタブの開放端が同一方向を向くように略平行に
配置され、それら２つの先端開放スタブの開放端とは逆
側の端部が上記第１の高インピーダンス線路の両端に接
続された結合線路とを備えた低域通過フィルタ。2. A first high-impedance line whose length is shorter than the wavelength of the pass frequency, and two high-impedance lines connected to both ends of the first high-impedance line and whose length is shorter than the wavelength of the pass frequency. The second high-impedance line is formed by a pair of open-end stubs whose length is shorter than 1/4 of the wavelength of the pass frequency, and the open ends of the two open-end stubs are oriented in the same direction. A low-pass filter comprising: a pair of coupling lines connected to both ends of the first high-impedance line, the ends being opposite to the open ends of the two open-end stubs.
１の高インピーダンス線路と、上記第１の高インピーダ
ンス線路の両端にその第１の高インピーダンス線路と並
列接続され、長さが通過周波数の波長に比べて短い第２
の高インピーダンス線路と、長さが通過周波数の波長の
１／４に比べて短い２つ１組の先端開放スタブにより形
成されると共に、それら２つの先端開放スタブの開放端
が同一方向を向くように略平行に配置され、それら２つ
の先端開放スタブの開放端とは逆側の端部が上記第１の
高インピーダンス線路の両端に接続された結合線路とを
備えた低域通過フィルタ。3. A first high-impedance line whose length is shorter than the wavelength of the passing frequency, and both ends of the first high-impedance line are connected in parallel with the first high-impedance line, and the length of the first high-impedance line is short. Second shorter than the wavelength of the frequency
And a pair of open-end stubs whose length is shorter than 1/4 of the wavelength of the passing frequency, and the open ends of the two open-end stubs face in the same direction. And a coupling line connected to both ends of the first high-impedance line at ends opposite to the open ends of the two open-end stubs.
１の高インピーダンス線路と、上記第１の高インピーダ
ンス線路の両端に接続され、長さが通過周波数の波長に
比べて短い２つの第２の高インピーダンス線路と、上記
第２の高インピーダンス線路のそれぞれの両端に接続さ
れ、長さが通過周波数の波長に比べて短い２つの低イン
ピーダンス線路と、長さが通過周波数の波長の１／４に
比べて短い２つ１組の先端開放スタブにより形成される
と共に、それら２つの先端開放スタブの開放端が同一方
向を向くように略平行に配置され、それら２つの先端開
放スタブの開放端とは逆側の端部が上記第１の高インピ
ーダンス線路の両端に接続された結合線路とを備えた低
域通過フィルタ。4. A first high-impedance line whose length is shorter than the wavelength of the passing frequency, and two first high-impedance lines connected to both ends of the first high-impedance line and whose length is shorter than the wavelength of the passing frequency. A second high-impedance line, two low-impedance lines connected to both ends of the second high-impedance line and having a length shorter than the wavelength of the pass frequency, and a length of one of the wavelengths of the pass frequency. / 4 are formed by a pair of open-end stubs shorter than / 4, and the open ends of the two open-end stubs are arranged substantially parallel so that the open ends face the same direction. A low-pass filter comprising: a coupling line whose opposite end is connected to both ends of the first high-impedance line.
インピーダンス線路と、長さが通過周波数の波長の１／
４に比べて長く１／２に比べて短い２つ１組の先端短絡
スタブにより形成されると共に、それら２つの先端短絡
スタブの短絡端が同一方向を向くように略平行に配置さ
れ、それら２つの先端短絡スタブの短絡端とは逆側の端
部が上記高インピーダンス線路の両端に接続された結合
線路とを備えた低域通過フィルタ。5. A high-impedance line whose length is shorter than the wavelength of the pass frequency, and a length of 1/1 of the wavelength of the pass frequency.
4 is formed by a pair of short-circuit stubs which are longer than 短 い and shorter than 、, and are arranged substantially in parallel so that the short-circuit ends of the two short-circuit stubs are directed in the same direction. A low-pass filter comprising: two short-circuited stubs; and a coupled line connected to both ends of the high-impedance line at ends opposite to the short-circuited end.
を特徴とする請求項１から請求項５のうちのいずれか１
項記載の低域通過フィルタ。6. The method according to claim 1, wherein the triplate line is formed.
The low-pass filter according to the item.
たことを特徴とする請求項１から請求項５のうちのいず
れか１項記載の低域通過フィルタ。7. The low-pass filter according to claim 1, wherein the low-pass filter is formed by a microstrip line.
特徴とする請求項１から請求項５のうちのいずれか１項
記載の低域通過フィルタ。8. The low-pass filter according to claim 1, wherein the low-pass filter is formed by a coplanar line.
路の２つのストリップ導体は誘電体基板の表裏に１つず
つ形成され、それら２つのストリップ導体の幅広面がそ
の誘電体基板を介して略対向して配置されたことを特徴
とする請求項６項記載の低域通過フィルタ。9. A multi-layered high-frequency circuit, wherein two strip conductors of a coupling line are formed one by one on the front and back of a dielectric substrate, and the wide surfaces of the two strip conductors are substantially opposed to each other via the dielectric substrate. 7. The low-pass filter according to claim 6, wherein the low-pass filter is disposed.
の結合線路が、それぞれの開放端あるいは短絡端とは逆
側の各２個所の端部同士を相互に接続されて並列接続さ
れ、高インピーダンス線路または第１の高インピーダン
ス線路が、それら２組の結合線路とは異なる層に形成さ
れ、それら２つの結合線路の２個所の接続点同士がその
高インピーダンス線路または第１の高インピーダンス線
路の両端に接続されたことを特徴とする請求項６項記載
の低域通過フィルタ。10. A multi-layer high-frequency circuit, wherein two sets of coupled lines are connected in parallel by mutually connecting two ends on the opposite side of the respective open ends or short-circuit ends, and have a high impedance. A line or a first high impedance line is formed on a layer different from the two sets of coupled lines, and two connection points of the two coupled lines are connected to both ends of the high impedance line or the first high impedance line. 7. The low-pass filter according to claim 6, wherein the low-pass filter is connected to a filter.
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| JP35181498A JP2000183603A (en) | 1998-12-10 | 1998-12-10 | Lowpass filter |
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|---|---|---|---|
| JP35181498A JP2000183603A (en) | 1998-12-10 | 1998-12-10 | Lowpass filter |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000183603A true JP2000183603A (en) | 2000-06-30 |
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ID=18419794
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|---|---|---|---|
| JP35181498A Pending JP2000183603A (en) | 1998-12-10 | 1998-12-10 | Lowpass filter |
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| JP (1) | JP2000183603A (en) |
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