JP2000182219A - Substrate having magneto-resistance element, its manufacture, and machining method for substrate having magneto-resistance element - Google Patents
Substrate having magneto-resistance element, its manufacture, and machining method for substrate having magneto-resistance elementInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果を発
揮する磁気抵抗効果素子と同じ構造で形成され、且つ前
記磁気抵抗効果素子の直流抵抗値を測定するためのモニ
ター素子が形成された基板において、直流抵抗の測定時
に、前記モニター素子がショートしないように、モニタ
ー素子の上下に形成されるギャップ層部分の構造を改善
した磁気抵抗効果素子を有する基板及びその製造方法、
ならびに磁気抵抗効果素子を有する基板の加工方法に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate having the same structure as a magnetoresistive element exhibiting a magnetoresistive effect and having a monitor element for measuring a DC resistance value of the magnetoresistive effect element formed thereon. In measuring the direct current resistance, a substrate having a magnetoresistive effect element having an improved structure of a gap layer portion formed above and below the monitor element so that the monitor element is not short-circuited, and a method of manufacturing the same.
In addition, the present invention relates to a method for processing a substrate having a magnetoresistive element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図２０は、従来の磁気抵抗効果素子を有
する基板をＡＢＳ面側から見た部分断面図である。図２
０に示すように、例えばＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ（アルミナ−
チタンカーバイト）からなる基板１の上には、Ａｌ2Ｏ3
などの下地絶縁層１３が形成されている。また前記下地
絶縁層１３の上には、ＮｉＦｅ合金などの磁性材料で形
成された下部シールド層１２が形成され、さらに前記下
部シールド層１２の上には、Ａｌ2Ｏ3などの絶縁材料か
ら成る下部ギャップ層３が形成されている。2. Description of the Related Art FIG. 20 is a partial sectional view of a substrate having a conventional magnetoresistive element as viewed from the ABS side. FIG.
0, for example, Al 2 O 3 —TiC (alumina-
On a substrate 1 made of titanium carbide), Al 2 O 3
A base insulating layer 13 is formed. A lower shield layer 12 made of a magnetic material such as a NiFe alloy is formed on the base insulating layer 13, and an insulating material such as Al 2 O 3 is formed on the lower shield layer 12. A lower gap layer 3 is formed.
【０００３】そして図２０に示すように、複数の磁気抵
抗効果素子４と、１つのモニター素子５とが、下部ギャ
ップ層３上であって、ＡＢＳ面方向（図示Ｘ方向）に一
列に並んで形成されている（なおインダクティブヘッド
は図示されていない）。As shown in FIG. 20, a plurality of magnetoresistive elements 4 and one monitor element 5 are arranged on the lower gap layer 3 in a line in the ABS plane direction (X direction in the drawing). (The inductive head is not shown).
【０００４】図２０に示すように磁気抵抗効果素子４の
中央部には、例えば反強磁性層、固定磁性層、非磁性導
電層、及びフリー磁性層で構成されたスピンバルブ膜
（ＧＭＲ素子の１種）から成る多層膜６が形成されてい
る。前記スピンバルブ膜は巨大磁気抵抗効果を利用した
素子であり、記録媒体からの洩れ磁界の変化に応じて電
気抵抗が変わり、これにより記録信号が検出されるよう
になっている。また図に示すように前記多層膜６の両側
には、Ｃｒ（クロム）などの非磁性金属材料で形成され
た電極層７が形成されている。As shown in FIG. 20, in the center of the magnetoresistive effect element 4, for example, a spin valve film (of a GMR element) composed of an antiferromagnetic layer, a pinned magnetic layer, a nonmagnetic conductive layer, and a free magnetic layer. 1) is formed. The spin valve film is an element utilizing a giant magnetoresistance effect, and its electric resistance changes according to a change in a leakage magnetic field from a recording medium, whereby a recording signal is detected. As shown in the figure, electrode layers 7 made of a nonmagnetic metal material such as Cr (chromium) are formed on both sides of the multilayer film 6.
【０００５】また前記モニター素子５も、前記磁気抵抗
効果素子４と全く同じ構造で形成されている。すなわ
ち、前記モニター素子５の中央部には磁気抵抗効果を発
揮する多層膜８が形成され、前記多層膜の両側には、Ｃ
ｒ（クロム）などの電極層９が形成されている。磁気抵
抗効果素子４とモニター素子５は、下部ギャップ層３上
に同時にパターン形成される。The monitor element 5 has the same structure as the magnetoresistive element 4. That is, a multilayer film 8 exhibiting a magnetoresistive effect is formed at the center of the monitor element 5, and a C film is formed on both sides of the multilayer film.
An electrode layer 9 of r (chromium) or the like is formed. The magnetoresistive element 4 and the monitor element 5 are simultaneously patterned on the lower gap layer 3.
【０００６】図２０に示すように前記磁気抵抗効果素子
４及びモニター素子５の上には、Ａｌ2Ｏ3などの絶縁材
料で形成された上部ギャップ層１０が形成され、さらに
前記上部ギャップ層１０の上にはＮｉＦｅ合金（パーマ
ロイ）などで形成された上部シールド層１１が形成され
ている。As shown in FIG. 20, an upper gap layer 10 made of an insulating material such as Al 2 O 3 is formed on the magnetoresistive element 4 and the monitor element 5. An upper shield layer 11 made of a NiFe alloy (permalloy) or the like is formed on the upper layer.
【０００７】ところで、モニター素子５は、前記モニタ
ー素子５と同列に形成された複数の磁気抵抗効果素子４
の直流抵抗（ＤＣＲ）をある所定値に定めるために設け
られた、いわゆる加工用モニターであり、加工用モニタ
ーとしての役割を果たした後、前記モニター素子は除去
される。The monitor element 5 includes a plurality of magnetoresistance effect elements 4 formed in the same row as the monitor element 5.
Is a so-called processing monitor provided to set the DC resistance (DCR) of the device to a predetermined value, and after acting as a processing monitor, the monitor element is removed.
【０００８】磁気抵抗効果素子４の直流抵抗（ＤＣＲ）
をある所定値に定めるためには、前記モニター素子５を
構成する電極層９間の直流抵抗を測定しながら、磁気抵
抗効果素子４及びモニター素子５のＡＢＳ面（図示Ｘ方
向）を研削加工する（ハイト出し）。そして、所定の直
流抵抗値となったら、前記ＡＢＳ面の研削加工を終了す
る。[0008] DC resistance (DCR) of the magnetoresistive element 4
Is set to a predetermined value, the ABS of the magnetoresistive element 4 and the monitor element 5 (in the X direction in the drawing) is ground while measuring the DC resistance between the electrode layers 9 constituting the monitor element 5. (Height out). When the predetermined DC resistance value is reached, the grinding of the ABS is terminated.
【０００９】前述したように、複数の磁気抵抗効果素子
４及び１つのモニター素子５は同じ構造で、しかもＡＢ
Ｓ面と平行に一列上に形成されているので、前記磁気抵
抗効果素子４及びモニター素子５のハイト方向（図示Ｙ
方向）の長さ寸法はすべて同じ寸法であり、したがっ
て、前記ＡＢＳ面の研削加工によって、複数の磁気抵抗
効果素子４及びモニター素子５を、すべて同じ直流抵抗
値に設定できる。As described above, the plurality of magnetoresistive elements 4 and one monitor element 5 have the same structure,
Since they are formed in a line in parallel with the S plane, the height direction of the magnetoresistive element 4 and the monitor element 5 (Y in the drawing)
The lengths in the directions are all the same, and therefore, by grinding the ABS surface, the plurality of magnetoresistive elements 4 and the monitor elements 5 can all be set to the same DC resistance value.
【００１０】すなわち、研削加工を施してモニター素子
５の直流抵抗値がある所定の直流抵抗値に達すると、磁
気抵抗効果素子４側の直流抵抗値も所定の直流抵抗値に
達していることになる。That is, when the DC resistance of the monitor element 5 reaches a predetermined DC resistance after grinding, the DC resistance of the magnetoresistive element 4 also reaches the predetermined DC resistance. Become.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記モニター
素子５を構成する電極層９間の直流抵抗を測定しなが
ら、磁気抵抗効果素子４及びモニター素子５のＡＢＳ面
を研削加工している際に、ＡＢＳ面に露出しているシー
ルド層１２，１１及び電極層９がスメアリング（だれ）
を起し、前記電極層７と前記シールド層１２，１１とが
電気的に接触し、前記電極層７とシールド層１２，１１
間がショートすることがわかった。However, while measuring the DC resistance between the electrode layers 9 constituting the monitor element 5 and grinding the ABS surfaces of the magnetoresistive effect element 4 and the monitor element 5, , The shield layers 12 and 11 and the electrode layer 9 exposed on the ABS surface are smeared.
Then, the electrode layer 7 and the shield layers 12 and 11 come into electrical contact, and the electrode layer 7 and the shield layers 12 and 11
It turns out that a short circuit occurs.
【００１２】例えば図２１に示すように、モニター素子
５の下側に形成されている下部シールド層１２にだれ１
２ａが発生し、このだれ１２ａと電極層９とが電気的に
接続された状態になる。このため、モニター素子５の電
極層９間での直流抵抗（ＤＣＲ）を正確に測定できず、
磁気抵抗効果素子４のハイト方向（図示Ｙ方向）への長
さ寸法を所定の直流抵抗を示す寸法値で形成することが
できなかった。For example, as shown in FIG. 21, the lower shield layer 12 formed below the monitor element 5
2a is generated, and the drain 12a and the electrode layer 9 are electrically connected. For this reason, the DC resistance (DCR) between the electrode layers 9 of the monitor element 5 cannot be measured accurately,
The length dimension of the magnetoresistive effect element 4 in the height direction (Y direction in the drawing) could not be formed with a dimension value indicating a predetermined DC resistance.
【００１３】特に、下部ギャップ層３の厚さ寸法で決定
されるギャップ長Ｇ１と、上部ギャップ層１０の厚さ寸
法で決定されるギャップ長Ｇ２が、７００オングストロ
ーム以下になると上記問題点は顕著に表れることが確認
されている。In particular, when the gap length G1 determined by the thickness dimension of the lower gap layer 3 and the gap length G2 determined by the thickness dimension of the upper gap layer 10 become 700 angstroms or less, the above problem is remarkable. It has been confirmed to appear.
【００１４】なおＡＢＳ面の研削加工によって、モニタ
ー素子５における電極層９とシールド層１２，１１間の
みならず、例えば図２１に示すように、磁気抵抗効果素
子４の下側に形成されている下部シールド層１２にもだ
れ１２ａが発生し、磁気抵抗効果素子４の電極層７とシ
ールド層１２間も電気的に接続された状態となるが、研
削加工終了後に、磁気抵抗効果素子４のＡＢＳ面はラッ
プ加工が施されて、だれた電極層７とシールド層１２，
１１は除去されるので、製品化された磁気ヘッドにおけ
る前記磁気抵抗効果素子４の電極層７とシールド層１
２，１１間は電気的に絶縁状態に保たれている。By the grinding of the ABS, the monitor element 5 is formed not only between the electrode layer 9 and the shield layers 12 and 11 but also below the magnetoresistive element 4 as shown in FIG. A droop 12 a occurs in the lower shield layer 12, and the electrode layer 7 of the magnetoresistive element 4 and the shield layer 12 are electrically connected to each other. The surface is wrapped, so that the electrode layer 7 and the shield layer 12,
11 is removed, so that the electrode layer 7 and the shield layer 1 of the magnetoresistive element 4 in the commercialized magnetic head are removed.
Between 2 and 11 is kept electrically insulated.
【００１５】本発明は上記問題点を解決するためのもの
であり、特に、モニター素子における電極層とシールド
層間でのショートを防止し、ハイト出し加工を施しなが
ら、正確に直流抵抗を測定できる磁気抵抗効果素子を有
する基板及びその製造方法、ならびに磁気抵抗効果素子
を有する基板の加工方法を提供することを目的としてい
る。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and in particular, it is possible to prevent a short circuit between an electrode layer and a shield layer in a monitor element, and to accurately measure a DC resistance while performing height processing. It is an object to provide a substrate having a resistance effect element, a method for manufacturing the same, and a method for processing a substrate having a magnetoresistance effect element.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に下部
シールド層とその上の下部ギャップ層とが形成され、磁
気抵抗効果を発揮する多層膜と前記多層膜に導通する電
極層を有する複数の磁気抵抗効果素子、及び前記磁気抵
抗効果素子と実質的に同じ構成の加工用のモニター素子
とが、前記下部ギャップ層上に並んで配置された基板に
おいて、前記モニター素子と下部シールド層との間に
は、前記下部ギャップ層の他に絶縁層がＡＢＳ面に露出
して形成され、ＡＢＳ面に現れるモニター素子と下部シ
ールド層との間隔が、同じくＡＢＳ面に現れる前記磁気
抵抗効果素子と下部シールド層との間隔よりも広いこと
を特徴とするものである。According to the present invention, a lower shield layer and a lower gap layer formed thereon are formed on a substrate and include a multilayer film exhibiting a magnetoresistive effect and an electrode layer conducting to the multilayer film. A plurality of magnetoresistive elements, and a monitor element for processing having substantially the same configuration as the magnetoresistive element, on a substrate arranged side by side on the lower gap layer, the monitor element and the lower shield layer. Between the lower gap layer and the insulating layer, an insulating layer is formed so as to be exposed on the ABS, and the distance between the monitor element and the lower shield layer appearing on the ABS is different from that of the magnetoresistive element appearing on the ABS. It is characterized in that it is wider than the gap with the lower shield layer.
【００１７】本発明では、前記下部ギャップ層の膜厚と
絶縁層の膜厚とを合わせた総合膜厚は７００オングスト
ローム以上であることが好ましい。In the present invention, the total thickness including the thickness of the lower gap layer and the thickness of the insulating layer is preferably at least 700 Å.
【００１８】本発明における基板の具体的な構造として
は、下部シールド層上に絶縁層が形成され、さらに前記
絶縁層の上に下部ギャップ層が形成されており、前記下
部ギャップ層の上に前記モニター素子が形成されている
ことが好ましい。As a specific structure of the substrate in the present invention, an insulating layer is formed on a lower shield layer, a lower gap layer is formed on the insulating layer, and the lower gap layer is formed on the lower gap layer. Preferably, a monitoring element is formed.
【００１９】上記構造の一例としては、下部シールド層
表面に凹部が形成され、この凹部内に絶縁層が形成され
ており、さらに前記絶縁層の上に下部ギャップ層を介し
てモニター素子が形成されていることが好ましい。As an example of the above structure, a concave portion is formed on the surface of the lower shield layer, an insulating layer is formed in the concave portion, and a monitor element is formed on the insulating layer via a lower gap layer. Is preferred.
【００２０】また前記下部シールド層の凹部内に形成さ
れた絶縁層表面と、下部シールド層表面とが同一平面状
で形成されていることがより好ましい。It is more preferable that the surface of the insulating layer formed in the concave portion of the lower shield layer and the surface of the lower shield layer are formed in the same plane.
【００２１】または本発明では、前記絶縁層が下部シー
ルド層の表面に重ねられて、絶縁層の上面と下部シール
ド層の表面との間に段差が形成され、前記段差の部分
で、前記絶縁層の側面に、傾斜面が形成されていてもよ
い。Alternatively, in the present invention, the insulating layer is superimposed on the surface of the lower shield layer, and a step is formed between the upper surface of the insulating layer and the surface of the lower shield layer. May have an inclined surface formed on the side surface thereof.
【００２２】また本発明では、前記絶縁層は、Ｓｉ
Ｏ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ
あるいはＷＯ3のうちいずれかの絶縁材料で形成されて
いることが好ましい。In the present invention, the insulating layer may be made of Si.
O 2 , Ta 2 O 5 , TiO, Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , AlN
Alternatively, it is preferable to be formed of any insulating material of WO 3 .
【００２３】さらに本発明では、前記絶縁層は、磁気抵
抗効果素子を構成する前記多層膜の下側を除く領域で、
且つ磁気抵抗効果素子を構成する電極層の下側にまで形
成されていてもよい。Further, in the present invention, the insulating layer is formed in a region excluding a lower side of the multilayer film constituting the magnetoresistive effect element.
Further, it may be formed even below the electrode layer constituting the magnetoresistive element.
【００２４】また本発明は、基板上に下部シールド層と
その上の下部ギャップ層とが形成され、磁気抵抗効果を
発揮する多層膜と前記多層膜に導通する電極層を有する
複数の磁気抵抗効果素子、及び前記磁気抵抗効果素子と
実質的に同じ構成の加工用のモニター素子とが、前記下
部ギャップ層上に並んで配置された基板において、前記
磁気抵抗効果素子とモニター素子の上には上部ギャップ
層の他に、絶縁層がＡＢＳ面に露出して形成され、ＡＢ
Ｓ面に現れるモニター素子と上部シールド層との間隔
が、同じくＡＢＳ面に現れる前記磁気抵抗効果素子と上
部シールド層との間隔よりも広いことを特徴とするもの
である。According to the present invention, there is also provided a plurality of magnetoresistive effects having a lower shield layer and a lower gap layer formed thereon formed on a substrate and having a multilayer film exhibiting a magnetoresistance effect and an electrode layer conducting to the multilayer film. An element, and a processing monitor element having substantially the same configuration as that of the magnetoresistive element, on a substrate arranged side by side on the lower gap layer, wherein an upper part is provided above the magnetoresistive element and the monitor element. In addition to the gap layer, an insulating layer is formed so as to be exposed on the ABS surface.
The distance between the monitor element and the upper shield layer appearing on the S surface is wider than the distance between the magnetoresistive element and the upper shield layer also appearing on the ABS surface.
【００２５】本発明では、前記上部ギャップ層の膜厚と
絶縁層の膜厚とを合わせた総合膜厚は７００オングスト
ローム以上であることが好ましい。In the present invention, it is preferable that the total film thickness including the film thickness of the upper gap layer and the film thickness of the insulating layer is 700 Å or more.
【００２６】また、前記絶縁層は、磁気抵抗効果素子を
構成する前記多層膜の上側を除く領域で、且つ磁気抵抗
効果素子を構成する電極層の上側にまで形成されていて
もよい。Further, the insulating layer may be formed in a region excluding the upper side of the multilayer film constituting the magnetoresistive element and up to the upper side of the electrode layer constituting the magnetoresistive element.
【００２７】さらに、磁気抵抗効果素子の電極層に重な
る領域にまで形成されている絶縁層は、ＡＢＳ面から露
出して形成されていてもよい。Further, the insulating layer formed up to the region overlapping with the electrode layer of the magnetoresistive element may be formed so as to be exposed from the ABS surface.
【００２８】さらに本発明は、磁気抵抗効果素子を有す
る基板の製造方法において、基板の上に下部シールド層
を形成した後、リフトオフ用のレジスト層を前記下部シ
ールド層の上に形成する工程と、前記レジスト層が形成
されていない下部シールド層表面をエッチングで一定の
深さだけ除去して、前記下部シールド層表面に凹部を形
成する工程と、前記下部シールド層表面に形成された凹
部内に絶縁層を形成し、その後、前記レジスト層を除去
する工程と、前記下部シールド層及び絶縁層の上に下部
ギャップ層を形成する工程と、絶縁層が形成されていな
い下部ギャップ層の上に、磁気抵抗効果を発揮する多層
膜と前記多層膜に導通する電極層とを有する複数の磁気
抵抗効果素子を、また絶縁層が形成されている下部ギャ
ップ層の上に、磁気抵抗効果素子と実質的に同じ構成の
加工用のモニター素子とを互いに列を成すように形成す
る工程と、を有することを特徴とするものである。Further, according to the present invention, in a method of manufacturing a substrate having a magnetoresistive effect element, a step of forming a lower shield layer on the substrate, and then forming a lift-off resist layer on the lower shield layer, A step of etching the surface of the lower shield layer on which the resist layer is not formed to a certain depth to form a recess on the surface of the lower shield layer, and insulating in the recess formed on the surface of the lower shield layer. Forming a layer, then removing the resist layer; forming a lower gap layer on the lower shield layer and the insulating layer; and forming a magnetic layer on the lower gap layer on which the insulating layer is not formed. A plurality of magnetoresistive elements each having a multilayer film exhibiting a resistance effect and an electrode layer conducting to the multilayer film are formed on the lower gap layer on which the insulating layer is formed. A step of forming a resistive element substantially monitoring device for working the same configuration so as to form a row with each other, is characterized in that it has a.
【００２９】本発明では、下部シールド層の表面に形成
される前記凹部を、磁気抵抗効果素子の電極層が形成さ
れるべき位置にまで形成し、前記凹部内に絶縁層を形成
した後、磁気抵抗効果素子の電極層を、絶縁層と重なる
下部ギャップ層の上に形成してもよい。In the present invention, the concave portion formed on the surface of the lower shield layer is formed up to the position where the electrode layer of the magnetoresistive element is to be formed, and after the insulating layer is formed in the concave portion, The electrode layer of the resistance effect element may be formed on the lower gap layer overlapping with the insulating layer.
【００３０】また本発明では、下部シールド層の表面に
形成される前記凹部を、少なくとも磁気抵抗効果素子の
前記多層膜よりも後方側において電極層の下側に形成す
ることが好ましい。In the present invention, it is preferable that the recess formed on the surface of the lower shield layer is formed at least on the rear side of the multilayer film of the magnetoresistive element and below the electrode layer.
【００３１】さらに本発明は、磁気抵抗効果素子を有す
る基板の製造方法において、基板の上に下部シールド層
を形成し、さらに前記下部シールド層の上に絶縁材料層
を形成する工程と、前記絶縁材料層の上にレジスト層を
形成して、レジスト層で覆われていない絶縁材料層をエ
ッチングによって除去し、レジスト層の下側に形成され
た絶縁材料層を絶縁層として残す工程と、前記レジスト
層を除去し、絶縁層上から下部シールド層上にかけて下
部ギャップ層を形成する工程と、絶縁層が形成されてい
ない下部ギャップ層の上に、磁気抵抗効果を発揮する多
層膜と前記多層膜に導通する電極層とを有する複数の磁
気抵抗効果素子を、また絶縁層が形成されている下部ギ
ャップ層の上に、磁気抵抗効果素子と実質的に同じ構成
の加工用のモニター素子とを互いに列を成すように形成
する工程と、有することを特徴とするものである。Further, according to the present invention, in a method for manufacturing a substrate having a magnetoresistive effect element, a step of forming a lower shield layer on the substrate and further forming an insulating material layer on the lower shield layer; Forming a resist layer on the material layer, removing the insulating material layer not covered with the resist layer by etching, leaving the insulating material layer formed below the resist layer as an insulating layer; Removing the layer and forming a lower gap layer from above the insulating layer to above the lower shield layer; and forming a magnetoresistive multilayer film and the multilayer film on the lower gap layer where the insulating layer is not formed. A plurality of magnetoresistive elements having conductive electrode layers, and a processing monitor having substantially the same configuration as the magnetoresistive elements on the lower gap layer on which the insulating layer is formed; Forming an element to one another form a row, and is characterized in that it has.
【００３２】本発明では、前記絶縁層を、磁気抵抗効果
素子の電極層が形成される下側にまで形成し、磁気抵抗
効果素子の電極層を、絶縁層と重なる下部ギャップ層の
上に形成してもよい。In the present invention, the insulating layer is formed up to the lower side where the electrode layer of the magnetoresistive element is formed, and the electrode layer of the magnetoresistive element is formed on the lower gap layer overlapping the insulating layer. May be.
【００３３】また本発明では、磁気抵抗効果素子の電極
層の下側にまで形成された絶縁層を、ＡＢＳ面から露出
するように形成してもよい。さらに本発明では、前記絶
縁層の側部に傾斜面を形成することが好ましい。In the present invention, the insulating layer formed under the electrode layer of the magnetoresistive element may be formed so as to be exposed from the ABS. Further, in the present invention, it is preferable that an inclined surface is formed on a side portion of the insulating layer.
【００３４】本発明では、等方性エッチングを使用し
て、絶縁層の側部に傾斜面を形成することが好ましい。In the present invention, it is preferable to form an inclined surface on the side of the insulating layer by using isotropic etching.
【００３５】あるいは、絶縁材料層の上にレジスト層を
形成した後、前記レジスト層を熱処理することによっ
て、前記レジスト層の側部に傾斜面を形成し、異方性エ
ッチングを使用して、前記レジスト層下に残された絶縁
層の側部に傾斜面を形成することが好ましい。Alternatively, after forming a resist layer on the insulating material layer, a heat treatment is performed on the resist layer to form an inclined surface on a side portion of the resist layer. It is preferable to form an inclined surface on the side of the insulating layer left under the resist layer.
【００３６】本発明では、前記絶縁材料層を、Ｓｉ
Ｏ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ
あるいはＷＯ3のうちいずれかの絶縁材料で形成するこ
とが好ましい。In the present invention, the insulating material layer is made of Si
O 2 , Ta 2 O 5 , TiO, Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , AlN
Alternatively, it is preferable to be formed of any insulating material of WO 3 .
【００３７】また本発明は、磁気抵抗効果素子を有する
基板の加工方法において、前述した磁気抵抗効果素子を
有する基板を用い、前記モニター素子の電極層間の直流
抵抗値を測定しながら、所定の直流抵抗値に達するま
で、磁気抵抗効果素子及びモニター素子のＡＢＳ面から
ハイト方向に研削加工することを特徴とするものであ
る。According to the present invention, there is provided a method of processing a substrate having a magnetoresistive effect element, wherein the substrate having the above-described magnetoresistive effect element is used to measure a predetermined direct current while measuring a direct current resistance value between electrode layers of the monitor element. Until the resistance value is reached, grinding is performed in the height direction from the ABS of the magnetoresistive element and the monitor element.
【００３８】スピンバルブ膜（ＧＭＲ素子の１種）など
で構成された磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッドスラ
イダは、まず、複数の磁気抵抗効果素子が形成されたウ
エハー状の形体から、様々な加工が施されることにより
形成される。A magnetic head slider having a magnetoresistive element formed of a spin valve film (a kind of GMR element) or the like is manufactured by first performing various processes from a wafer-like form having a plurality of magnetoresistive elements formed thereon. Is formed.
【００３９】ところで、前記スライダに形成された磁気
抵抗効果素子の露出面をＡＢＳ面と称し、記録媒体信号
の再生時において、この露出するＡＢＳ面が記録媒体と
対向する。また、ＡＢＳ面に垂直方向であって、前記Ａ
ＢＳ面が記録媒体と対向する際における前記記録媒体か
ら離れる方向をハイト方向と称しているが、このハイト
方向における磁気抵抗効果素子の長さ寸法は、前記磁気
抵抗効果素子の直流抵抗を決定する上で非常に重要な寸
法である。The exposed surface of the magnetoresistive element formed on the slider is referred to as an ABS surface, and the exposed ABS surface faces the recording medium when reproducing a recording medium signal. Also, in the direction perpendicular to the ABS surface,
The direction away from the recording medium when the BS surface faces the recording medium is referred to as a height direction, and the length of the magnetoresistive element in the height direction determines the DC resistance of the magnetoresistive element. This is a very important dimension above.
【００４０】磁気抵抗効果素子のハイト方向への長さ
を、前記直流抵抗との関係から所定寸法に研削加工（ハ
イト出し加工）するために、前記磁気抵抗効果素子と全
く同じ構造を有するモニター素子を、基板上に形成され
た磁気抵抗効果素子の形成位置と同列上に形成し、この
モニター素子の直流抵抗を測定しながら、磁気抵抗効果
素子及びモニター素子のＡＢＳ面に対してハイト出し加
工を施している。そして、所定の直流抵抗値となった時
点でハイト出し加工を終了すると、磁気抵抗効果素子
は、所定の直流抵抗を有するハイト方向の長さ寸法によ
って形成された状態となっている。A monitor element having exactly the same structure as that of the magnetoresistive element in order to grind the height of the magnetoresistive element in the height direction to a predetermined size in relation to the direct current resistance. Is formed on the same line as the position where the magnetoresistive element formed on the substrate is formed, and while measuring the DC resistance of the monitor element, a height setting process is performed on the ABS of the magnetoresistive element and the monitor element. I am giving. When the height setting processing is completed at the time when the predetermined DC resistance value is reached, the magnetoresistive effect element is in a state formed by the length dimension in the height direction having the predetermined DC resistance.
【００４１】しかしながら、今日における高記録密度化
に伴い、モニター素子の上下に形成されているギャップ
層の膜厚が小さくなると、ハイト出し加工によって、前
記ギャップ層の上下に形成されて、ＡＢＳ面に露出して
いるシールド層がスメアリング（だれ）を生じ、直流抵
抗の測定時に、ＡＢＳ面におけるモニター素子と、シー
ルド層との間で、ショートを起すといった問題があっ
た。However, if the thickness of the gap layer formed above and below the monitor element becomes smaller with the recent increase in recording density, the gap is formed above and below the gap layer by height processing to form the gap layer on the ABS. There is a problem in that the exposed shield layer causes smearing, causing a short circuit between the monitor element on the ABS and the shield layer when measuring the DC resistance.
【００４２】特に、ハイト出し加工では、モニター素子
の下側に形成されている下部シールド層から、モニター
素子の上側に形成されている上部シールド層方向にかけ
て、モニター素子のＡＢＳ面を研削加工していること、
及び、実際には、モニター素子の下側に形成される下部
ギャップ層の膜厚が、モニター素子の上側に形成される
上部ギャップ層の膜厚よりも小さく形成されることなど
から、下部シールド層にスメアリングが生じると、ＡＢ
Ｓ面における下部シールド層と、モニター素子との間
で、電気的な接続が発生しやすく、大きな問題となる。In particular, in the height setting processing, the ABS of the monitor element is ground from the lower shield layer formed below the monitor element to the upper shield layer formed above the monitor element. That
In addition, since the thickness of the lower gap layer formed below the monitor element is actually smaller than the thickness of the upper gap layer formed above the monitor element, the lower shield layer When smearing occurs on the
Electrical connection easily occurs between the lower shield layer on the S surface and the monitor element, which is a major problem.
【００４３】そこで本発明では、モニター素子と下部シ
ールド層との間に、下部ギャップ層以外に、絶縁層を設
け、従来よりも、前記モニター素子と下部シールド層と
の間隔を広くすることにより、たとえＡＢＳ面に露出し
ている前記下部シールド層にスメアリングが生じても、
前記モニター素子と下部シールド層間に電気的な接続が
発生するのを防止することができる。Therefore, in the present invention, an insulating layer is provided between the monitor element and the lower shield layer, in addition to the lower gap layer, so that the distance between the monitor element and the lower shield layer is made wider than in the prior art. Even if smearing occurs in the lower shield layer exposed on the ABS surface,
An electrical connection between the monitor element and the lower shield layer can be prevented.
【００４４】[0044]
【発明の実施の形態】図１は、本発明における磁気抵抗
効果素子を有する基板の形状を示す斜視図、図２は、図
１に示す基板の２−２線の部分断面図である。図１に
は、複数の磁気抵抗効果素子が成膜されたＡｌ2Ｏ3−Ｔ
ｉＣ（アルミナ−チタンカーバイト）製の円形状のウエ
ハーを、４角形のブロック状に加工した基板２０が図示
されている。FIG. 1 is a perspective view showing the shape of a substrate having a magnetoresistive element according to the present invention, and FIG. 2 is a partial cross-sectional view taken along line 2-2 of the substrate shown in FIG. FIG. 1 shows an Al 2 O 3 —T on which a plurality of magnetoresistive elements are formed.
A substrate 20 obtained by processing a circular wafer made of iC (alumina-titanium carbide) into a square block is shown.
【００４５】図１に示すように基板２０上には、磁気抵
抗効果素子２１が図示Ｘ方向及びＹ方向に等間隔で形成
され、この図示Ｘ方向の最も左側に形成された磁気抵抗
効果素子を、モニター素子２２としている。As shown in FIG. 1, on a substrate 20, magnetoresistive elements 21 are formed at regular intervals in the X and Y directions in the drawing, and the magnetoresistive effect element formed on the leftmost side in the X direction shown in FIG. , Monitor element 22.
【００４６】すなわち図１に示すように、複数の磁気抵
抗効果素子２１と１つのモニター素子２２が図示Ｘ方向
に一列に形成されて磁気抵抗効果素子形成領域Ａが構成
されている。そして、複数の磁気抵抗効果素子２１と１
つのモニター素子２２とで構成される磁気抵抗効果素子
形成領域Ａが、基板２０上に図示Ｙ方向に複数列設けら
れている。That is, as shown in FIG. 1, a plurality of magnetoresistive elements 21 and one monitor element 22 are formed in a line in the X direction in the drawing to form a magnetoresistive element forming area A. Then, the plurality of magnetoresistance effect elements 21 and 1
A plurality of magnetoresistive element formation regions A each including one monitor element 22 are provided on the substrate 20 in a plurality of rows in the Y direction in the drawing.
【００４７】基板２０の正面２３は、ＡＢＳ面（Ａｉｒ
Ｂｅａｒｉｎｇ Ｓｕｒｔａｃｅ）と呼ばれており、
今、このＡＢＳ面２３に、Ｙ方向の最も図示手前側の磁
気抵抗効果素子形成領域Ａを構成する複数の磁気抵抗効
果素子２１と１つのモニター素子２２の正面構造が露出
した状態となっている。The front surface 23 of the substrate 20 has an ABS surface (Air
Bearing Surface)
Now, the front surface of the plurality of magnetoresistive elements 21 and one monitor element 22 constituting the magnetoresistive element forming area A closest to the drawing in the Y direction is exposed on the ABS surface 23. .
【００４８】そして前記ＡＢＳ面２３に対し、所定の寸
法値だけ研削加工（ハイト出し加工）が施され、さらに
前記ＡＢＳ面にレール部（図示しない）の形成、クラウ
ン形成等の所定の加工が施された後、基板２０が２４−
２４線上を符号２５方向から切断される。切断された基
板２０は、複数の磁気抵抗効果素子２１と１つのモニタ
ー素子２２とで構成される磁気抵抗効果素子形成領域Ａ
が１列だけ形成された、いわゆるスライダバーと呼ばれ
るものであり、前記スライダバーが保持治具に固定され
た後、前記スライダバーが各磁気抵抗効果素子２１間か
ら切断されて、磁気ヘッドスライダが完成する。なお、
モニター素子２２を有する基板（スライダ）は、最終的
に除去され、製品化されることはない。Then, the ABS 23 is subjected to grinding (height processing) by a predetermined dimension value, and the ABS is further subjected to predetermined processing such as formation of a rail (not shown) and formation of a crown. After that, the substrate 20 is
24 lines are cut from the 25 direction. The cut substrate 20 has a magnetoresistive element formation region A including a plurality of magnetoresistive elements 21 and one monitor element 22.
Are formed in only one row, so-called a slider bar. After the slider bar is fixed to a holding jig, the slider bar is cut from between the respective magnetoresistive elements 21 so that the magnetic head slider is moved. Complete. In addition,
The substrate (slider) having the monitor element 22 is finally removed and is not manufactured.
【００４９】図２に示すように、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣから
なる基板２０の上には、Ａｌ2Ｏ3などの下地絶縁層１９
が形成されている。そして、前記下地絶縁層１９の上に
は、例えばＮｉＦｅ合金（パーマロイ）で形成された下
部シールド層２６が形成されている。また前記下部シー
ルド層２６の上には、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3（アルミ
ナ）、Ｔｉ2Ｏ3、ＴｉＯ、ＷＯ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮな
どの絶縁材料で形成され、ギャップ長Ｇ１を有する下部
ギャップ層２７が形成されている。そして前記下部ギャ
ップ層２７の上に、複数の磁気抵抗効果素子２１と、１
つのモニター素子２２とがＸ方向（ＡＢＳ面方向）に一
列に並んで形成されている。As shown in FIG. 2, a base insulating layer 19 such as Al 2 O 3 is formed on a substrate 20 made of Al 2 O 3 —TiC.
Are formed. A lower shield layer 26 made of, for example, a NiFe alloy (permalloy) is formed on the base insulating layer 19. On the lower shield layer 26, an insulating material such as SiO 2 , Al 2 O 3 (alumina), Ti 2 O 3 , TiO, WO 3 , Si 3 N 4 , and AlN is formed. The lower gap layer 27 is formed. On the lower gap layer 27, a plurality of magnetoresistive elements 21 and 1
The two monitor elements 22 are formed in a line in the X direction (ABS plane direction).
【００５０】図２に示すように磁気抵抗効果素子２１
は、例えばスピンバルブ膜に代表される巨大磁気抵抗効
果を利用したＧＭＲ素子や、異方性磁気抵抗効果を利用
したＡＭＲ素子で構成された多層膜２９と、前記多層膜
２９の両側に形成されたハードバイアス層（図示しな
い）とＣｒ（クロム）などで形成された、前記多層膜２
９に導通する電極層３０とで構成されている。なお前記
モニター素子２２は、磁気抵抗効果素子２１と全く同じ
構造で形成されている。As shown in FIG.
Are formed on both sides of the multilayer film 29 including, for example, a GMR element utilizing a giant magnetoresistance effect represented by a spin valve film, and an AMR element utilizing an anisotropic magnetoresistance effect. The multilayer film 2 formed of a hard bias layer (not shown) and Cr (chromium) or the like.
9 and an electrode layer 30 that conducts to the electrode 9. The monitor element 22 has exactly the same structure as the magnetoresistive element 21.
【００５１】図２に示すように、磁気抵抗効果素子２１
及びモニター素子２２の上には、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ
3（アルミナ）、Ｔｉ2Ｏ3、ＴｉＯ、ＷＯ3、Ｓｉ3Ｎ4、
ＡｌＮなどの絶縁材料で形成され、ギャップ長Ｇ２を有
する上部ギャップ層３１が形成されている。そして前記
上部ギャップ層３１の上には、ＮｉＦｅ合金などで形成
された上部シールド層３２が形成されている。As shown in FIG. 2, the magneto-resistance effect element 21
SiO 2 , Al 2 O
3 (alumina), Ti 2 O 3 , TiO, WO 3 , Si 3 N 4 ,
An upper gap layer 31 formed of an insulating material such as AlN and having a gap length G2 is formed. On the upper gap layer 31, an upper shield layer 32 made of a NiFe alloy or the like is formed.
【００５２】上述した下部シールド層２６から上部シー
ルド層３２までの多層構造体は、製品化された磁気ヘッ
ドの再生ヘッド部に相当する部分である。例えば磁気抵
抗効果素子２１の多層膜２９がスピンバルブ膜で構成さ
れている場合、記録媒体からの磁界が図２の紙面垂直方
向に侵入してくると、前記スピンバルブ膜を構成するフ
リー磁性層の磁化が変動し、スピンバルブ膜を構成する
固定磁性層の固定磁化と前記フリー磁性層の変動磁化と
の関係により直流抵抗が変化し、記録磁界が再生され
る。The above-described multilayer structure from the lower shield layer 26 to the upper shield layer 32 is a portion corresponding to a reproducing head portion of a commercialized magnetic head. For example, when the multilayer film 29 of the magnetoresistive element 21 is formed of a spin valve film, when a magnetic field from a recording medium enters in a direction perpendicular to the plane of FIG. 2, the free magnetic layer forming the spin valve film is formed. The DC resistance changes due to the relationship between the fixed magnetization of the fixed magnetic layer forming the spin valve film and the fluctuating magnetization of the free magnetic layer, and the recording magnetic field is reproduced.
【００５３】また、製品化された磁気ヘッドが、再生ヘ
ッドのみで構成されているのではなく、書き込み用のイ
ンダクティブヘッドをも有する、いわゆる複合型薄膜磁
気ヘッドであってもよい。この場合、図２に示す上部シ
ールド層３２の上に、コイルとコアとで構成される書き
込み用のインダクティブヘッドが形成される。ただし、
最終的に磁気ヘッドとなる部分は、磁気抵抗効果素子２
１が形成されている基板上２０であるため、製品化され
ないモニター素子２２の上にインダクティブヘッドを形
成する必要はない。The commercialized magnetic head may be a so-called composite thin-film magnetic head having not only a read head but also an inductive head for writing. In this case, a write inductive head including a coil and a core is formed on the upper shield layer 32 shown in FIG. However,
The part which finally becomes the magnetic head is the magnetoresistive element 2
Since the substrate 1 is formed on the substrate 20, it is not necessary to form an inductive head on the monitor element 22 which is not manufactured.
【００５４】図２に示すように、モニター素子２２の下
側に位置する下部シールド層２６表面には、一定の深さ
寸法ｈ１及びモニター素子２２よりも大きな幅寸法ｔ１
で形成された凹部２６ａが形成されている。そして前記
凹部２６ａ内には、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）、
Ｔｉ2Ｏ3、ＴｉＯ、ＷＯ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮなどの絶
縁材料で形成された絶縁層２８が形成されている。なお
本発明では、前記絶縁層２８の表面と、下部シールド層
２６の表面とが同一平面状で形成されることが好まし
い。また前記絶縁層２８はＡＢＳ面（記録媒体との対向
面）から露出して形成されている。As shown in FIG. 2, the surface of the lower shield layer 26 located below the monitor element 22 has a constant depth dimension h1 and a width dimension t1 larger than the monitor element 22.
Is formed. Then, SiO 2 , Al 2 O 3 (alumina),
An insulating layer 28 made of an insulating material such as Ti 2 O 3 , TiO, WO 3 , Si 3 N 4 , and AlN is formed. In the present invention, it is preferable that the surface of the insulating layer 28 and the surface of the lower shield layer 26 are formed in the same plane. The insulating layer 28 is formed so as to be exposed from the ABS (the surface facing the recording medium).
【００５５】本発明では前記絶縁層２８の形成によっ
て、モニター素子２２と下部シールド層２６との間隔
が、磁気抵抗効果素子２１と下部シールド層２６との間
隔よりも大きくなっている。In the present invention, by forming the insulating layer 28, the distance between the monitor element 22 and the lower shield layer 26 is larger than the distance between the magnetoresistive element 21 and the lower shield layer 26.
【００５６】本発明では、絶縁層２８の膜厚ｈ１と下部
ギャップ層２７の膜厚（ギャップ長）Ｇ１とを足した総
合膜厚が７００オングストローム以上であることが好ま
しい。In the present invention, it is preferable that the total film thickness obtained by adding the film thickness h1 of the insulating layer 28 and the film thickness (gap length) G1 of the lower gap layer 27 is 700 Å or more.
【００５７】図３は本発明の他の実施形態を示す基板の
部分断面図である。図３に示す実施例では、モニター素
子２２が形成されるべき位置の下側であって、下部シー
ルド層２６上に一定の厚さ寸法ｈ２を有し、前記モニタ
ー素子２２の幅寸法よりも大きな幅寸法ｔ２を有する絶
縁層３５が形成されている。FIG. 3 is a partial sectional view of a substrate showing another embodiment of the present invention. In the embodiment shown in FIG. 3, it has a constant thickness dimension h2 on the lower shield layer 26 below the position where the monitor element 22 is to be formed, and is larger than the width dimension of the monitor element 22. An insulating layer 35 having a width dimension t2 is formed.
【００５８】なお前記絶縁層３５は、後で詳述するよう
に、プラズマエッチング（等方性エッチング）またはＲ
ＩＥエッチング（異方性エッチング）可能な絶縁材料で
形成されている必要性があり、本発明では、前記絶縁層
３５がＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＷＯ3、Ａｌ2Ｏ3、
Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮなどの絶縁材料によって形成されてい
る。The insulating layer 35 is formed by plasma etching (isotropic etching) or R
It is necessary that the insulating layer 35 is made of an insulating material that can be subjected to IE etching (anisotropic etching). In the present invention, the insulating layer 35 is made of SiO 2 , Ta 2 O 5 , TiO, WO 3 , Al 2 O 3 ,
It is formed of an insulating material such as Si 3 N 4 and AlN.
【００５９】また、図３に示すように、前記絶縁層３５
の側部には傾斜面３５ａが形成されていることが好まし
い。そして、前記絶縁層３５から、下部シールド層２６
上にかけて下部ギャップ層２７が形成されている。Further, as shown in FIG.
It is preferable that an inclined surface 35a is formed on the side portion of. Then, the lower shield layer 26 is formed from the insulating layer 35.
A lower gap layer 27 is formed upward.
【００６０】図３に示すように、絶縁層３５が形成され
ている下部ギャップ層２７の上にモニター素子２２が形
成されており、従って、前記モニター素子と、下部シー
ルド層２６との間隔が、磁気抵抗効果素子２１と下部シ
ールド層２６との間隔よりも大きくなっている。As shown in FIG. 3, the monitor element 22 is formed on the lower gap layer 27 on which the insulating layer 35 is formed, so that the distance between the monitor element and the lower shield layer 26 is The distance is larger than the distance between the magnetoresistive element 21 and the lower shield layer 26.
【００６１】本発明では、絶縁層３５の膜厚ｈ２と下部
ギャップ層２７の膜厚（ギャップ長）Ｇ１とを足した総
合膜厚が７００オングストローム以上であることが好ま
しい。なお前記絶縁層３５は、ＡＢＳ面（記録媒体との
対向面）に露出して形成されている。In the present invention, it is preferable that the total thickness obtained by adding the thickness h2 of the insulating layer 35 and the thickness (gap length) G1 of the lower gap layer 27 is 700 Å or more. The insulating layer 35 is formed so as to be exposed on the ABS surface (the surface facing the recording medium).
【００６２】図４，５は、本発明の他の実施形態を示す
基板の部分断面図である。図４に示す実施例では、モニ
ター素子２２の下側に形成された絶縁層３６が、磁気抵
抗効果素子２１の電極層３０の下側にまで形成されてい
る。FIGS. 4 and 5 are partial cross-sectional views of a substrate showing another embodiment of the present invention. In the embodiment shown in FIG. 4, the insulating layer 36 formed below the monitor element 22 is formed below the electrode layer 30 of the magnetoresistive element 21.
【００６３】図４に示すように、下部シールド層２６表
面には、一定の深さ寸法ｈ３を有する凹部２６ｂが形成
されており、この凹部２６ｂは、モニター素子２２が形
成されるべき下側のみならず、磁気抵抗効果素子２１の
電極層３０が形成されるべき下側にも形成されている。
そして、前記凹部２６ｂ内にＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などで
形成された絶縁層３６が形成されている。本発明では、
絶縁層３６の膜厚ｈ３と下部ギャップ層２７の膜厚（ギ
ャップ長）Ｇ１とを足した総合膜厚が７００オングスト
ローム以上であることが好ましい。なおモニター素子２
２の下側に形成された絶縁層３６はＡＢＳ面から露出し
て形成されるが、磁気抵抗効果素子２１の電極層３０の
下側に形成された絶縁層３６はＡＢＳ面から露出して形
成されていても、いなくてもどちらでもよい。磁気抵抗
効果素子２１の下側に形成される絶縁層３６は、例えば
図６に示す点線の範囲である。As shown in FIG. 4, a concave portion 26b having a certain depth dimension h3 is formed on the surface of the lower shield layer 26, and this concave portion 26b is formed only on the lower side where the monitor element 22 is to be formed. Instead, it is also formed on the lower side of the magnetoresistive element 21 where the electrode layer 30 is to be formed.
Then, an insulating layer 36 made of Al 2 O 3 , SiO 2 or the like is formed in the concave portion 26b. In the present invention,
It is preferable that the total thickness obtained by adding the thickness h3 of the insulating layer 36 and the thickness (gap length) G1 of the lower gap layer 27 is 700 Å or more. Monitor element 2
2, the insulating layer 36 formed below the electrode layer 30 of the magnetoresistive element 21 is formed exposed from the ABS surface. It may or may not be done. The insulating layer 36 formed below the magnetoresistive element 21 is, for example, in a range indicated by a dotted line in FIG.
【００６４】図６は、磁気抵抗効果素子２１の形状を上
から見た平面図である。図６に示すように、多層膜２９
の両側に形成される電極層３０は、ＡＢＳ面から後方側
（ハイト方向）に延びて形成されている。図６に示すよ
うに、点線の範囲に形成された絶縁層３６は、多層膜２
９下には形成されていない。これは、多層膜２９の下側
に絶縁層３６が形成されると、実質的に多層膜２９と下
部シールド層２６間の間隔が広がることによって、ギャ
ップ長Ｇ１が長くなり、高記録密度化に対応できなくな
るからである。FIG. 6 is a plan view of the shape of the magnetoresistive element 21 as viewed from above. As shown in FIG.
The electrode layers 30 formed on both sides are formed to extend rearward (in the height direction) from the ABS surface. As shown in FIG. 6, the insulating layer 36 formed in the range of the dotted line
9 are not formed. This is because, when the insulating layer 36 is formed below the multilayer film 29, the gap length G1 becomes longer because the gap between the multilayer film 29 and the lower shield layer 26 is substantially widened, and the recording density is increased. This is because it is no longer possible.
【００６５】なお図４に示すように、磁気抵抗効果素子
２１の電極層３０の下側にも絶縁層３６を設ける理由
は、下部ギャップ層２７の膜厚（ギャップ長Ｇ１）がよ
り小さく形成されると、特に図６に示すように幅寸法が
大きく形成された電極層３０の後方側と下部シールド層
２６とが、下部ギャップ層２７に形成されるピンホール
などの発生によって電気的に接続しやすくなってしまい
好ましくないからである。また前述したように、前記絶
縁層３６はＡＢＳ面にまで形成され、前記絶縁層３６が
ＡＢＳ面から露出していてもよい。As shown in FIG. 4, the reason why the insulating layer 36 is also provided below the electrode layer 30 of the magnetoresistive element 21 is that the lower gap layer 27 has a smaller thickness (gap length G1). Then, particularly, the rear side of the electrode layer 30 having a large width as shown in FIG. 6 and the lower shield layer 26 are electrically connected to each other by generation of pinholes and the like formed in the lower gap layer 27. This is because it becomes easy and is not preferable. Further, as described above, the insulating layer 36 may be formed up to the ABS surface, and the insulating layer 36 may be exposed from the ABS surface.
【００６６】図４に示すように、磁気抵抗効果素子２１
及びモニター素子２２の上側には、膜厚（ギャップ長）
Ｇ２の上部ギャップ層３１が形成され、さらに本発明で
は、モニター素子２２の上側に、前記上部ギャップ層３
１を介して絶縁層３８が形成されている。前記絶縁層３
８は、その膜厚がｈ４で形成され、さらに前記絶縁層３
８は、少なくとも前記モニター素子２２の平面状の大き
さを覆うだけの大きさで形成されている。図４に示すよ
うに、前記絶縁層３８は、その幅寸法が、モニター素子
２２の幅寸法よりも大きい幅寸法ｔ３で形成されてい
る。As shown in FIG. 4, the magnetoresistance effect element 21
And a film thickness (gap length) on the upper side of the monitor element 22.
An upper gap layer 31 of G2 is formed. Further, in the present invention, the upper gap layer 3 is formed above the monitor element 22.
1, an insulating layer 38 is formed. The insulating layer 3
8 is formed with a thickness of h4,
8 is formed to have a size that covers at least the planar size of the monitor element 22. As shown in FIG. 4, the insulating layer 38 has a width t3 that is larger than the width of the monitor element 22.
【００６７】上部ギャップ層３１の上に絶縁層３８を設
けることで、モニター素子２２と上部シールド層３２と
の間隔は大きくなり、ＡＢＳ面の研削加工の際に、例え
ば前記モニター素子２２のＡＢＳ面に露出する電極層３
４にスメアリング（だれ）が発生しても、ＡＢＳ面にお
ける前記モニター素子２２と上部シールド層３２との電
気的な絶縁を適切に保つことができる。本発明では、絶
縁層３８の膜厚ｈ４と上部ギャップ層３１の膜厚（ギャ
ップ長）Ｇ２とを足した総合膜厚が７００オングストロ
ーム以上であることが好ましい。また前記絶縁層３８は
ＡＢＳ面から露出して形成されている。By providing the insulating layer 38 on the upper gap layer 31, the distance between the monitor element 22 and the upper shield layer 32 is increased, and when the ABS is ground, for example, the ABS of the monitor 22 is removed. Exposed electrode layer 3
Even if smearing occurs, electrical insulation between the monitor element 22 and the upper shield layer 32 on the ABS can be appropriately maintained. In the present invention, it is preferable that the total film thickness obtained by adding the film thickness h4 of the insulating layer 38 and the film thickness (gap length) G2 of the upper gap layer 31 is 700 Å or more. The insulating layer 38 is formed so as to be exposed from the ABS.
【００６８】図５に示す実施例においても、図４に示す
実施例と同様に、下部シールド層２６上に形成された絶
縁層３９が、モニター素子２２の下側のみならず、磁気
抵抗効果素子２１の電極層３０にまで形成されている。In the embodiment shown in FIG. 5, similarly to the embodiment shown in FIG. 4, the insulating layer 39 formed on the lower shield layer 26 is formed not only on the lower side of the monitor element 22 but also on the magnetoresistive element. It is formed up to 21 electrode layers 30.
【００６９】また前記絶縁層３９が、プラズマエッチン
グ（等方性エッチング）またはＲＩＥエッチング（異方
性エッチング）にて形成される場合、本発明では、前記
絶縁層３９がＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＷＯ3、Ａｌ
2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮなどの絶縁材料によって形成さ
れている。なお前記絶縁層３９がリフトオフ法で形成さ
れる場合は、どのような絶縁材料で形成されていてもよ
い。When the insulating layer 39 is formed by plasma etching (isotropic etching) or RIE etching (anisotropic etching), in the present invention, the insulating layer 39 is made of SiO 2 , Ta 2 O 5 , TiO, WO 3 , Al
It is formed of an insulating material such as 2 O 3 , Si 3 N 4 , and AlN. When the insulating layer 39 is formed by a lift-off method, any insulating material may be used.
【００７０】また図５に示すように、前記絶縁層３９の
側部には傾斜面３９ａが形成されていることが好まし
い。特に図５に示す実施例では、前記絶縁層３９が、磁
気抵抗効果素子２１の電極層３０の下側にまで形成さ
れ、前記磁気抵抗効果素子の多層膜２９の下側には形成
されないので、磁気抵抗効果素子２１を形成する場所に
は、絶縁層３９の形成による段差が発生している。従っ
て、前記磁気抵抗効果素子２１形成のパターン精度を向
上させるには、絶縁層３９の側部に傾斜面３９ａが形成
されていることが好ましい。As shown in FIG. 5, it is preferable that an inclined surface 39 a is formed on a side portion of the insulating layer 39. In particular, in the embodiment shown in FIG. 5, the insulating layer 39 is formed under the electrode layer 30 of the magnetoresistive element 21 and is not formed under the multilayer film 29 of the magnetoresistive element. At the place where the magnetoresistance effect element 21 is formed, a step occurs due to the formation of the insulating layer 39. Therefore, in order to improve the pattern accuracy of the formation of the magnetoresistive element 21, it is preferable that the inclined surface 39a is formed on the side of the insulating layer 39.
【００７１】図５に示すように、磁気抵抗効果素子２１
及びモニター素子２２の上には、上部ギャップ層３１が
形成され、さらに前記上部ギャップ層３１の上には、絶
縁層４０が形成されている。前記絶縁層４０は、モニタ
ー素子２２の上側から、磁気抵抗効果素子２１の電極層
３０上にまで形成されている。モニター素子２２上の絶
縁層４０はＡＢＳ面から露出して形成されるが、磁気抵
抗効果素子２１の電極層３０の上に形成された前記絶縁
層４０は、ＡＢＳ面から露出して形成されていても、い
なくてもどちらでもよい。As shown in FIG. 5, the magnetoresistance effect element 21
An upper gap layer 31 is formed on the monitor element 22, and an insulating layer 40 is formed on the upper gap layer 31. The insulating layer 40 is formed from above the monitor element 22 to over the electrode layer 30 of the magnetoresistive element 21. The insulating layer 40 on the monitor element 22 is formed to be exposed from the ABS, whereas the insulating layer 40 formed on the electrode layer 30 of the magnetoresistive element 21 is formed to be exposed from the ABS. Either or not.
【００７２】前記絶縁層４０の形成により、ＡＢＳ面の
研削加工によって、モニター素子２２のＡＢＳ面に露出
している電極層３４にスメアリング（だれ）が発生して
も、ＡＢＳ面において前記磁気抵抗効果素子２１と上部
シールド層３２との間の電気的な絶縁を適正に保つこと
ができ、同時に、磁気抵抗効果素子２１内部における電
極層３０と上部シールド層３２間の電気的な絶縁を適正
に保つことができる。By the formation of the insulating layer 40, even if smearing occurs on the electrode layer 34 exposed on the ABS surface of the monitor element 22 due to the grinding of the ABS surface, the magnetoresistance on the ABS surface is reduced. Electrical insulation between the effect element 21 and the upper shield layer 32 can be properly maintained, and at the same time, electrical insulation between the electrode layer 30 and the upper shield layer 32 inside the magnetoresistive effect element 21 can be appropriately maintained. Can be kept.
【００７３】本発明では、絶縁層３９の膜厚と下部ギャ
ップ層２７の膜厚（ギャップ長）Ｇ１とを足した総合膜
厚、及び絶縁層４０の膜厚と上部ギャップ層３１の膜厚
（ギャップ長）Ｇ２とを足したが７００オングストロー
ム以上であることが好ましい。In the present invention, the total thickness obtained by adding the thickness of the insulating layer 39 and the thickness (gap length) G1 of the lower gap layer 27, and the thickness of the insulating layer 40 and the thickness of the upper gap layer 31 ( (Gap length) G2, but is preferably 700 Å or more.
【００７４】以上のように、本発明では、下部シールド
層２６とモニター素子２２との間に下部ギャップ層２７
の他に、絶縁層を形成しているので、下部シールド層２
６とモニター素子２２との間隔を従来に比べて大きくす
ることができ、したがって、ＡＢＳ面の研削加工によっ
て、ＡＢＳ面に露出する下部シールド層２６にスメアリ
ング（だれ）が発生しても、ＡＢＳ面における前記モニ
ター素子２２と下部シールド層２６との間の電気的な絶
縁を適正に保つことができる。As described above, according to the present invention, the lower gap layer 27 is provided between the lower shield layer 26 and the monitor element 22.
In addition, since an insulating layer is formed, the lower shield layer 2
Therefore, even if the lower shield layer 26 exposed on the ABS surface is smeared by the grinding of the ABS surface, the distance between the ABS and the monitor element 22 can be increased. Electrical insulation between the monitor element 22 and the lower shield layer 26 on the surface can be appropriately maintained.
【００７５】なお本発明では、下部ギャップ層２７の膜
厚と絶縁層の膜厚を足した総合膜厚を７００オングスト
ローム以上で形成することにより、より適切に、ＡＢＳ
面における前記モニター素子２２と下部シールド層２６
との間の電気的な絶縁を適正に保つことができる。In the present invention, the total thickness of the lower gap layer 27 plus the thickness of the insulating layer is formed to be 700 Å or more, so that the ABS can be more appropriately adjusted.
Monitor element 22 and lower shield layer 26 on the surface
And electrical insulation between them can be properly maintained.
【００７６】次に、主にモニター素子２２の下側に形成
される層の製造方法について図面を参照しながら説明す
る。まず、図２に示すように、絶縁層２８をリフトオフ
法で形成する場合について説明する。Next, a method of manufacturing a layer mainly formed below the monitor element 22 will be described with reference to the drawings. First, the case where the insulating layer 28 is formed by a lift-off method as shown in FIG. 2 will be described.
【００７７】図７に示す工程では、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ
（アルミナ−チタンカーバイト）基板２０の上に形成さ
れたＡｌ2Ｏ3等の下地絶縁層１９の上に、ＮｉＦｅ合金
などの磁性材料によって形成された下部シールド層２６
を形成し、さらに前記下部シールド層２６の上に、一定
の間隔ｔ４をおいてリフトオフ用のレジスト層４１を形
成する。前記一定の間隔ｔ４は、後の工程で形成される
モニター素子２２の幅寸法よりも大きい寸法で形成され
ている。In the step shown in FIG. 7, Al 2 O 3 —TiC
(Alumina-titanium carbide) A lower shield layer 26 formed of a magnetic material such as a NiFe alloy on a base insulating layer 19 such as Al 2 O 3 formed on a substrate 20.
Is formed, and a resist layer 41 for lift-off is formed on the lower shield layer 26 at a predetermined interval t4. The constant interval t4 is formed to have a dimension larger than the width dimension of the monitor element 22 formed in a later step.
【００７８】図８に示す工程では、イオンミリングによ
って、前記レジスト層４１に覆われていない下部シール
ド層２６表面を深さ寸法ｈ５だけ削りとり、図９では、
例えばＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料で形成された
絶縁層４２をスパッタ法等によって、前記下部シールド
層２６表面の凹部２６ａ内に形成する。このとき、前記
下部シールド層２６表面と、絶縁層４２表面とが同一平
面状で形成されることが好ましい。また図９における工
程では、レジスト層４１上に絶縁材料層４３が形成され
る。In the step shown in FIG. 8, the surface of the lower shield layer 26 not covered with the resist layer 41 is cut off by the depth dimension h5 by ion milling.
For example, an insulating layer 42 made of an insulating material such as Al 2 O 3 or SiO 2 is formed in the concave portion 26 a on the surface of the lower shield layer 26 by a sputtering method or the like. At this time, it is preferable that the surface of the lower shield layer 26 and the surface of the insulating layer 42 are formed in the same plane. In the step shown in FIG. 9, an insulating material layer 43 is formed on the resist layer 41.
【００７９】図１０に示す工程では、前記レジスト層４
１をリフトオフによって除去し、さらに下部シールド層
２６表面及び絶縁層４２表面にＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2など
の絶縁材料で形成された下部ギャップ層２７を形成す
る。In the step shown in FIG.
1 is removed by lift-off, and a lower gap layer 27 made of an insulating material such as Al 2 O 3 or SiO 2 is formed on the surface of the lower shield layer 26 and the surface of the insulating layer 42.
【００８０】そして図１１に示すように、下部シールド
層２６の凹部２６ａ内に形成された絶縁層４２の上に、
下部ギャップ層２７を介してモニター素子２２をパター
ン形成する。Then, as shown in FIG. 11, on the insulating layer 42 formed in the concave portion 26a of the lower shield layer 26,
The monitor element 22 is patterned through the lower gap layer 27.
【００８１】なお図１１に示す工程で、モニター素子２
２の形成と同時に、複数の磁気抵抗効果素子２１を絶縁
層４２が形成されていない下部ギャップ層２７の上に形
成する。このとき、複数の磁気抵抗効果素子２１と１つ
のモニター素子２２とが列をなして形成されるようにす
る。In the process shown in FIG.
Simultaneously with the formation of 2, the plurality of magnetoresistive elements 21 are formed on the lower gap layer 27 where the insulating layer 42 is not formed. At this time, the plurality of magnetoresistive elements 21 and one monitor element 22 are formed in a row.
【００８２】また図８に示す下部シールド層２６表面に
形成される前記凹部２６ａを、磁気抵抗効果素子２１の
電極層３０が形成されるべき位置にも形成し、前記凹部
２６ａ内に絶縁層４２を形成した後、モニター素子２２
と同時にパターン形成される磁気抵抗効果素子２１のう
ち、磁気抵抗効果を利用した多層膜２９を下部ギャップ
層２７の上に形成し、電極層３０を、絶縁層４２が形成
されている下部ギャップ層２７の上に形成してもよい。The concave portion 26a formed on the surface of the lower shield layer 26 shown in FIG. 8 is also formed at the position where the electrode layer 30 of the magnetoresistive element 21 is to be formed, and the insulating layer 42 is formed in the concave portion 26a. After forming, the monitor element 22
At the same time, of the magnetoresistive elements 21 to be patterned, a multilayer film 29 utilizing the magnetoresistance effect is formed on the lower gap layer 27, and the electrode layer 30 is replaced with the lower gap layer on which the insulating layer 42 is formed. 27 may be formed.
【００８３】また下部シールド層２６表面に形成される
前記凹部２６ａを、少なくともモニター素子２２と同時
にパターン形成される磁気抵抗効果素子２１の多層膜２
９よりも後方側に形成される電極層３０の下側にまで形
成し、前記凹部２６ａ内に絶縁層４２を形成してもよ
い。Further, the concave portion 26 a formed on the surface of the lower shield layer 26 is provided with the multilayer film 2 of the magnetoresistive effect element 21 which is patterned at least simultaneously with the monitor element 22.
9, the insulating layer 42 may be formed in the recess 26a.
【００８４】次に本発明における他の製造方法について
図１２から図１５を参照しながら説明する。図１２に示
す工程では、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ（アルミナ−チタンカー
バイト）基板２０の上に形成されたＡｌ2Ｏ3等の絶縁層
１９の上に、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＷＯ3、Ａｌ
2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮのうちいずれかの絶縁材料で形
成された絶縁材料層４３を形成している。Next, another manufacturing method according to the present invention will be described with reference to FIGS. In the step shown in FIG. 12, SiO 2 , Ta 2 O 5 , and TiO 2 are formed on an insulating layer 19 such as Al 2 O 3 formed on an Al 2 O 3 —TiC (alumina-titanium carbide) substrate 20. , WO 3 , Al
An insulating material layer 43 made of any one of 2 O 3 , Si 3 N 4 and AlN is formed.
【００８５】そして、図１３に示すように、前記絶縁材
料層４３の上に、一定の幅寸法ｔ５を有するレジスト層
４６を形成する。なお前記幅寸法ｔ５は、後の工程で形
成されるモニター素子２２の幅寸法よりも大きい寸法値
である。Then, as shown in FIG. 13, a resist layer 46 having a constant width dimension t5 is formed on the insulating material layer 43. The width t5 is a dimension value larger than the width of the monitor element 22 formed in a later step.
【００８６】次に図１４に示す工程では、ＣＦ4ガス、
ＢＣｌ3ガスによる等方性エッチング（プラズマエッチ
ング）によって、前記レジスト層４６に覆われていない
絶縁材料層４３を除去する。[0086] In the step shown in FIG. 14, CF 4 gas,
The insulating material layer 43 not covered with the resist layer 46 is removed by isotropic etching (plasma etching) using a BCl 3 gas.
【００８７】前述したＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、Ｗ
Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4の絶縁材料は、ＣＦ4ガスによ
る等方性エッチングによってエッチング可能な材料であ
り、ＣＦ4ガスを用いることにより、パーマロイ等で形
成された下部シールド層２６表面にエッチングによる損
傷を与えることがない。The above-mentioned SiO 2 , Ta 2 O 5 , TiO, W
O 3, insulating material Al 2 O 3, Si 3 N 4 is an etchable material by isotropic etching with CF 4 gas, by using a CF 4 gas, a lower shield layer formed of permalloy 26 does not damage the surface by etching.
【００８８】またＡｌ2Ｏ3、ＡｌＮは、ＢＣｌ3ガスで
エッチング可能である。このエッチングの際、下部シー
ルド層２６表面も前記エッチングの影響を受けるが、エ
ッチングレート等を適正に制御することで、前記下部シ
ールド層２０表面はほとんどエッチングされない。Further, Al 2 O 3 and AlN can be etched with BCl 3 gas. At the time of this etching, the surface of the lower shield layer 26 is also affected by the etching, but by appropriately controlling the etching rate and the like, the surface of the lower shield layer 20 is hardly etched.
【００８９】しかも等方性エッチングの後、洗浄を施す
ことで、前記下部シールド層２６表面の腐食部分が適正
に除去され、したがって前記下部シールド層２６にエッ
チングによる損傷を与えないで、絶縁材料層４３のパタ
ーン形成が可能である。Further, by performing cleaning after the isotropic etching, the corroded portion on the surface of the lower shield layer 26 is properly removed, and therefore, the lower shield layer 26 is not damaged by the etching, and the insulating material layer is not damaged. 43 patterns can be formed.
【００９０】そして、レジスト層４６の下に残された絶
縁材料層４３が絶縁層４４として残される。なおこの絶
縁層４４の幅寸法ｔ５は、後の工程で形成されるモニタ
ー素子２２の幅寸法よりも大きい寸法値である。Then, the insulating material layer 43 left under the resist layer 46 is left as the insulating layer 44. The width dimension t5 of the insulating layer 44 is a dimension value larger than the width dimension of the monitor element 22 formed in a later step.
【００９１】また絶縁層４４の形成に、等方性エッチン
グを使用しているため、図１４に示すように、前記絶縁
層４４の側部には、傾斜面４４ａが形成される。そし
て、前記絶縁層４４の上に形成されているレジスト層４
６を除去し、さらに図１５に示すように、前記絶縁層４
４上から下部シールド層２６上にかけて下部ギャップ層
２７を形成する。そして図１５に示すように、絶縁層４
４の上に、下部ギャップ層２７を介してモニター素子２
２をパターン形成する。Since isotropic etching is used to form the insulating layer 44, an inclined surface 44a is formed on the side of the insulating layer 44 as shown in FIG. The resist layer 4 formed on the insulating layer 44
6 is removed, and as shown in FIG.
4 and a lower gap layer 27 is formed from above the lower shield layer 26. Then, as shown in FIG.
4 and the monitor element 2 via the lower gap layer 27.
2 is patterned.
【００９２】さらに図１６から図１９には、本発明にお
ける他の製造方法について図示されている。図１６で
は、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ（アルミナ−チタンカーバイト）
基板２０上に形成されたＡｌ2Ｏ3等の下地絶縁層１９の
上に、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＷＯ3、Ａｌ2Ｏ3、
Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮのうちいずれかの絶縁材料で形成され
た絶縁材料層４３を形成し、さらに前記絶縁材料層４３
上に、後の工程で形成されるモニター素子２２の幅寸法
よりも大きい幅寸法ｔ７を有するレジスト層４５を形成
する。FIGS. 16 to 19 show another manufacturing method according to the present invention. In FIG. 16, Al 2 O 3 —TiC (alumina-titanium carbide)
On a base insulating layer 19 such as Al 2 O 3 formed on the substrate 20, SiO 2 , Ta 2 O 5 , TiO, WO 3 , Al 2 O 3 ,
Forming an insulating material layer 43 made of any one of Si 3 N 4 and AlN;
A resist layer 45 having a width t7 larger than the width of the monitor element 22 formed in a later step is formed thereon.
【００９３】次に図１７に示す工程では、前記レジスト
層４５に対し熱処理を施す。この熱処理によって図１７
に示すように前記レジスト層４５は、その側部がだれ
て、前記側部に傾斜面４５ａが形成される。Next, in the step shown in FIG. 17, a heat treatment is performed on the resist layer 45. By this heat treatment, FIG.
As shown in (2), the side of the resist layer 45 is stripped, and an inclined surface 45a is formed on the side.
【００９４】そして、図１８に示す工程では、ＣＦ4ガ
ス、ＢＣｌガスによる例えばＲＩＥ等の異方性エッチン
グによって、レジスト層４５に覆われていない絶縁材料
層４３を除去する。In the step shown in FIG. 18, the insulating material layer 43 not covered with the resist layer 45 is removed by anisotropic etching such as RIE using CF 4 gas or BCl gas.
【００９５】前述したＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、Ｗ
Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮの絶縁材料は、ＣＦ4
ガスによる異方性エッチングによってエッチング可能な
材料であり、ＣＦ4ガスを用いることにより、パーマロ
イ等で形成された下部シールド層２６表面にエッチング
による損傷を与えることがない。The aforementioned SiO 2 , Ta 2 O 5 , TiO, W
The insulating material of O 3 , Al 2 O 3 , Si 3 N 4 and AlN is CF 4
It is a material that can be etched by anisotropic etching with a gas. By using CF 4 gas, the surface of the lower shield layer 26 made of permalloy or the like is not damaged by etching.
【００９６】またＡｌ2Ｏ3、ＡｌＮは、ＢＣｌ3ガスで
エッチング可能である。このエッチングの際、下部シー
ルド層２６表面も前記エッチングの影響を受けるが、エ
ッチングレート等を適正に制御することで、前記下部シ
ールド層２０表面はほとんどエッチングされない。Al 2 O 3 and AlN can be etched with BCl 3 gas. At the time of this etching, the surface of the lower shield layer 26 is also affected by the etching, but by appropriately controlling the etching rate and the like, the surface of the lower shield layer 20 is hardly etched.
【００９７】しかも異方性エッチング（例えばＲＩＥ）
の後、洗浄を施すことで、前記下部シールド層２６表面
の腐食部分が適正に除去され、したがって前記下部シー
ルド層２６にエッチングによる損傷を与えないで、絶縁
材料層４３のパターン形成が可能である。Moreover, anisotropic etching (for example, RIE)
Thereafter, by performing cleaning, the corroded portion on the surface of the lower shield layer 26 is properly removed, and therefore, the insulating material layer 43 can be patterned without damaging the lower shield layer 26 by etching. .
【００９８】レジスト層４５の下側に残された絶縁材料
層４３は、絶縁層４４であり、この絶縁層４４には、そ
の側部に傾斜面４４ａが形成されている。その理由は図
１７で、レジスト層４５に熱処理を施して、側部に傾斜
面４５ａを形成したことにより、前記傾斜面４５ａ部分
のレジスト層４５の膜厚は薄くなり、このため前記傾斜
面４５ａ部分のレジスト層４５も、前記傾斜面４５ａの
膜厚に応じてエッチングの影響を受けて削り取られる。
したがって、前記レジスト層４５の傾斜面４５ａが膜厚
に応じて削り取られることにより、前記レジスト層４５
の傾斜面４５ａ下に形成された絶縁層４４の側部も、エ
ッチングの影響を受けて、傾斜面４４ａが形成されるの
である。The insulating material layer 43 left under the resist layer 45 is an insulating layer 44, and the insulating layer 44 has an inclined surface 44a on its side. The reason for this is that in FIG. 17, the resist layer 45 is subjected to a heat treatment to form the inclined surface 45a on the side, so that the film thickness of the resist layer 45 at the inclined surface 45a becomes thinner. A portion of the resist layer 45 is also removed under the influence of the etching in accordance with the thickness of the inclined surface 45a.
Therefore, the inclined surface 45a of the resist layer 45 is scraped off according to the film thickness, so that the resist layer 45 is removed.
The side surface of the insulating layer 44 formed under the inclined surface 45a is also affected by the etching, so that the inclined surface 44a is formed.
【００９９】そして、絶縁層４４の上に形成されている
レジスト層４５を除去し、前記絶縁層４４上から下部シ
ールド層２６上にかけて下部ギャップ層２７を形成し、
さらに前記絶縁層４４上に、前記下部ギャップ層２７を
介してモニター素子２２を形成する。なおこのモニター
素子２２の形成と同時に、複数の磁気抵抗効果素子２１
を絶縁層４４が形成されていない下部ギャップ層２７の
上に形成する。このとき、複数の磁気抵抗効果素子２１
と１つのモニター素子２２とが列をなして形成されるよ
うにする。Then, the resist layer 45 formed on the insulating layer 44 is removed, and a lower gap layer 27 is formed from the insulating layer 44 to the lower shield layer 26.
Further, the monitor element 22 is formed on the insulating layer 44 with the lower gap layer 27 interposed therebetween. At the same time as the formation of the monitor element 22, a plurality of magnetoresistive effect elements 21
Is formed on the lower gap layer 27 where the insulating layer 44 is not formed. At this time, the plurality of magnetoresistance effect elements 21
And one monitor element 22 are formed in a row.
【０１００】また図１２から図１５に示した製造工程及
び図１６から図１９に示した製造工程では、モニター素
子２２が形成される下側にのみ絶縁層４４を形成してい
るが、さらに図１４及び図１８に示す絶縁層４４を磁気
抵抗効果素子２１の電極層３０が形成される下側にまで
形成し、図１５及び図１９に示す工程で、モニター素子
２２と同時にパターン形成される磁気抵抗効果素子２１
のうち、磁気抵抗効果を利用した多層膜２９を下部ギャ
ップ層２７の上に形成し、電極層３０を、絶縁層４４が
形成されている下部ギャップ層２７の上に形成してもよ
い。In the manufacturing steps shown in FIGS. 12 to 15 and the manufacturing steps shown in FIGS. 16 to 19, the insulating layer 44 is formed only on the lower side where the monitor element 22 is formed. The insulating layer 44 shown in FIG. 14 and FIG. 18 is formed up to the lower side of the magnetoresistive element 21 where the electrode layer 30 is formed, and in the process shown in FIG. Resistance effect element 21
Among them, the multilayer film 29 utilizing the magnetoresistance effect may be formed on the lower gap layer 27, and the electrode layer 30 may be formed on the lower gap layer 27 on which the insulating layer 44 is formed.
【０１０１】特に、磁気抵抗効果素子２１の電極層３０
の下側に形成される絶縁層４４には傾斜面４４ａが形成
されていることが好ましい。傾斜面４４ａが形成されて
いることにより、磁気抵抗効果素子２１のパターン形成
を精度よく行なうことが可能である。In particular, the electrode layer 30 of the magnetoresistance effect element 21
It is preferable that an inclined surface 44a is formed in the insulating layer 44 formed below the insulating layer 44. By forming the inclined surface 44a, it is possible to accurately form the pattern of the magnetoresistive element 21.
【０１０２】また前記絶縁層４４を、少なくともモニタ
ー素子２２と同時にパターン形成される磁気抵抗効果素
子２１の多層膜２９よりも後方側に形成される電極層３
０の下側にまで形成してもよい。あるいは磁気抵抗効果
素子２１の電極層３０の下側に形成される絶縁層４４を
ＡＢＳ面から露出するように形成してもよい。The insulating layer 44 is formed on the electrode layer 3 formed on the back side of the multilayer film 29 of the magnetoresistive element 21 which is patterned at least simultaneously with the monitor element 22.
It may be formed to the lower side of 0. Alternatively, the insulating layer 44 formed below the electrode layer 30 of the magnetoresistive effect element 21 may be formed so as to be exposed from the ABS.
【０１０３】なお上部ギャップ層３１の上に形成される
絶縁層の形成は、図１２から図１５、あるいは図１６か
ら図１９に示す製造方法を用いて形成することが好まし
い。また前記上部ギャップ層３１の上に形成される絶縁
層を、モニター素子２２の形成と同時にパターン形成さ
れる磁気抵抗効果素子２１の電極層３０の上側にまで形
成した場合は、前記電極層３０の上側に形成された絶縁
層をＡＢＳ面から露出するように形成してもよい。The insulating layer formed on the upper gap layer 31 is preferably formed by using the manufacturing method shown in FIGS. 12 to 15 or FIGS. When the insulating layer formed on the upper gap layer 31 is formed up to the upper side of the electrode layer 30 of the magnetoresistive element 21 which is patterned simultaneously with the formation of the monitor element 22, The insulating layer formed on the upper side may be formed so as to be exposed from the ABS.
【０１０４】本発明では、上述したモニター素子２２を
有する基板を用い、磁気抵抗効果素子２１の直流抵抗
を、ある所定値に設定するハイト出し加工を施してい
る。本発明におけるハイト出し加工法は、モニター素子
２２の電極層３４間の直流抵抗を測定しながら、図１に
示すＡＢＳ面２３に対して研削加工（ハイト出し加工）
を施す。In the present invention, the substrate having the above-described monitor element 22 is used, and height adjustment processing for setting the DC resistance of the magnetoresistive effect element 21 to a predetermined value is performed. The height processing method according to the present invention involves grinding (height processing) the ABS 23 shown in FIG. 1 while measuring the DC resistance between the electrode layers 34 of the monitor element 22.
Is applied.
【０１０５】この研削加工により、磁気抵抗効果素子２
１及びモニター素子２２のハイト方向の長さ寸法は短く
なっていき、モニター素子２２の電極層３４間の直流抵
抗は徐々に大きくなっていく。By this grinding, the magnetoresistive element 2
1 and the length of the monitor element 22 in the height direction are reduced, and the DC resistance between the electrode layers 34 of the monitor element 22 is gradually increased.
【０１０６】ＡＢＳ面２３から、例えば図６に示す一点
鎖線４７−４７まで研削加工したときに、モニター素子
２２の直流抵抗値が所定値に達したら、そこで研削加工
を終了すると、磁気抵抗効果素子２１は、所定の直流抵
抗を有するハイト方向の長さ寸法によって形成された状
態となっている。When the DC resistance value of the monitor element 22 reaches a predetermined value when the grinding process is performed from the ABS surface 23 to, for example, the alternate long and short dash line 47-47 shown in FIG. Reference numeral 21 denotes a state formed by a length dimension in the height direction having a predetermined DC resistance.
【０１０７】[0107]
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、モニター
素子と下部シールド層との間に下部ギャップ層の他に、
絶縁層をＡＢＳ面から露出して形成することで、前記モ
ニター素子と下部シールド層との間隔を従来に比べて大
きくすることができ、ＡＢＳ面の研削加工によって、Ａ
ＢＳ面に露出する下部シールド層及び／またはモニター
素子の電極層にスメアリングが発生しても、ＡＢＳ面に
おける前記モニター素子と上部シールド層との間の電気
的な絶縁を適正に保つことができる。According to the present invention described in detail above, in addition to the lower gap layer between the monitor element and the lower shield layer,
By forming the insulating layer so as to be exposed from the ABS surface, the distance between the monitor element and the lower shield layer can be increased as compared with the conventional case.
Even if smearing occurs on the lower shield layer exposed on the BS surface and / or the electrode layer of the monitor element, electrical insulation between the monitor element and the upper shield layer on the ABS surface can be appropriately maintained. .
【０１０８】なお前記モニター素子と上部シールド層と
の間に形成される下部シールド層と絶縁層との総合膜厚
を７００オングストローム以上で形成すると、より適性
に、ＡＢＳ面における前記モニター素子と上部シールド
層との間の電気的な絶縁を適正に保つことができる。If the total thickness of the lower shield layer and the insulating layer formed between the monitor element and the upper shield layer is formed to be 700 Å or more, the monitor element and the upper shield layer on the ABS can be more appropriately formed. Electrical insulation between the layers can be properly maintained.
【０１０９】また本発明では、前記絶縁層を、製品化が
される磁気抵抗効果素子の電極層の下側にまで形成して
もよい。これにより、下部ギャップ層の膜厚が小さくな
っても、前記磁気抵抗効果素子の内部での電極層と下部
シールド層間の電気的な絶縁を適性に保つことができ
る。In the present invention, the insulating layer may be formed under the electrode layer of the magnetoresistive element to be manufactured. Thereby, even if the thickness of the lower gap layer is reduced, the electrical insulation between the electrode layer and the lower shield layer inside the magnetoresistive element can be appropriately maintained.
【図１】本発明における磁気抵抗効果素子を有する基板
の形状を示す斜視図、FIG. 1 is a perspective view showing the shape of a substrate having a magnetoresistive element according to the present invention.
【図２】図１に示す２−２線の部分断面図、FIG. 2 is a partial cross-sectional view taken along line 2-2 shown in FIG. 1;
【図３】本発明における第２の実施形態の構造を示す基
板の部分断面図、FIG. 3 is a partial sectional view of a substrate showing a structure according to a second embodiment of the present invention;
【図４】本発明における第３の実施形態の構造を示す基
板の部分断面図、FIG. 4 is a partial sectional view of a substrate showing a structure according to a third embodiment of the present invention;
【図５】本発明における第４の実施形態の構造を示す基
板の部分断面図、FIG. 5 is a partial sectional view of a substrate showing a structure according to a fourth embodiment of the present invention;
【図６】磁気抵抗効果素子の平面図、FIG. 6 is a plan view of a magnetoresistive element,
【図７】本発明における磁気抵抗効果素子を有する基板
の製造方法を示す一工程図、FIG. 7 is a process diagram showing a method for manufacturing a substrate having a magnetoresistive element according to the present invention;
【図８】図７に示す工程の次に行われる一工程図、8 is a process drawing performed after the step shown in FIG. 7,
【図９】図８に示す工程の次に行われる一工程図、9 is a view showing a step performed after the step shown in FIG. 8;
【図１０】図９に示す工程の次に行われる一工程図、10 is a process chart performed after the step shown in FIG. 9,
【図１１】図１０に示す工程の次に行われる一工程図、11 is a process drawing performed after the step shown in FIG. 10,
【図１２】本発明における磁気抵抗効果素子を有する基
板の第２の製造方法を示す一工程図、FIG. 12 is a process diagram showing a second method for manufacturing a substrate having a magnetoresistive element according to the present invention;
【図１３】図１２に示す工程の次に行われる一工程図、13 is a process drawing performed after the step shown in FIG. 12,
【図１４】図１３に示す工程の次に行われる一工程図、14 is a process chart performed after the step shown in FIG. 13;
【図１５】図１４に示す工程の次に行われる一工程図、15 is a process chart performed after the step shown in FIG. 14,
【図１６】本発明における磁気抵抗効果素子を有する基
板の第３の製造方法を示す一工程図、FIG. 16 is a process drawing showing a third method for manufacturing a substrate having a magnetoresistive element according to the present invention;
【図１７】図１６に示す工程の次に行われる一工程図、17 is a view showing a step performed after the step shown in FIG. 16;
【図１８】図１７に示す工程の次に行われる一工程図、18 is a view showing a step performed after the step shown in FIG. 17;
【図１９】図１８に示す工程の次に行われる一工程図、19 is a process drawing performed after the step shown in FIG. 18;
【図２０】従来における磁気抵抗効果素子を有する基板
の構造を示す部分断面図、FIG. 20 is a partial cross-sectional view showing the structure of a substrate having a conventional magnetoresistive element.
【図２１】従来における問題点を示す部分断面図、FIG. 21 is a partial cross-sectional view showing a conventional problem.
１９ 下地絶縁層 ２０ 基板 ２１ 磁気抵抗効果素子 ２２ モニター素子 ２３ ＡＢＳ面 ２６ 下部シールド層 ２７ 下部ギャップ層 ２８、３５、３６、３９、４０、４２、４４ 絶縁層 ２９、３３ 多層膜 ３０、３４ 電極層 ３１ 上部ギャップ層 ３２ 上部シールド層 ４１ リフトオフ用レジスト層 ４５、４６ レジスト層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 19 Base insulating layer 20 Substrate 21 Magnetoresistive element 22 Monitor element 23 ABS 26 Lower shield layer 27 Lower gap layer 28, 35, 36, 39, 40, 42, 44 Insulating layer 29, 33 Multilayer film 30, 34 Electrode layer 31 upper gap layer 32 upper shield layer 41 lift-off resist layer 45, 46 resist layer
Claims (23)
ギャップ層とが形成され、磁気抵抗効果を発揮する多層
膜と前記多層膜に導通する電極層を有する複数の磁気抵
抗効果素子、及び前記磁気抵抗効果素子と実質的に同じ
構成の加工用のモニター素子とが、前記下部ギャップ層
上に並んで配置された基板において、前記モニター素子
と下部シールド層との間には、前記下部ギャップ層の他
に絶縁層がＡＢＳ面に露出して形成され、ＡＢＳ面に現
れるモニター素子と下部シールド層との間隔が、同じく
ＡＢＳ面に現れる前記磁気抵抗効果素子と下部シールド
層との間隔よりも広いことを特徴とする磁気抵抗効果素
子を有する基板。1. A plurality of magnetoresistive elements each having a lower shield layer and a lower gap layer formed thereon formed on a substrate, and having a multilayer film exhibiting a magnetoresistance effect and an electrode layer conducting to the multilayer film. A processing monitor element having substantially the same configuration as that of the magnetoresistive element is provided on a substrate arranged side by side on the lower gap layer, and the lower gap is provided between the monitor element and the lower shield layer. In addition to the layers, an insulating layer is formed so as to be exposed on the ABS surface, and a distance between the monitor element and the lower shield layer appearing on the ABS surface is larger than a distance between the magnetoresistive element and the lower shield layer also appearing on the ABS surface. A substrate having a magnetoresistive element, which is wide.
厚とを合わせた総合膜厚は７００オングストローム以上
である請求項１記載の磁気抵抗効果素子を有する基板。2. The substrate having a magnetoresistive element according to claim 1, wherein the total thickness including the thickness of the lower gap layer and the thickness of the insulating layer is 700 Å or more.
さらに前記絶縁層の上に下部ギャップ層が形成されてお
り、前記下部ギャップ層の上に前記モニター素子が形成
されている請求項１または２に記載の磁気抵抗効果素子
を有する基板。3. An insulating layer is formed on the lower shield layer,
The substrate having a magnetoresistive element according to claim 1, wherein a lower gap layer is further formed on the insulating layer, and the monitor element is formed on the lower gap layer.
この凹部内に絶縁層が形成されており、さらに前記絶縁
層の上に下部ギャップ層を介してモニター素子が形成さ
れている請求項３記載の磁気抵抗効果素子を有する基
板。4. A concave portion is formed on a surface of the lower shield layer,
4. The substrate having a magnetoresistive element according to claim 3, wherein an insulating layer is formed in the recess, and a monitor element is formed on the insulating layer via a lower gap layer.
た絶縁層表面と、下部シールド層表面とが同一平面状で
形成されている請求項４記載の磁気抵抗効果素子を有す
る基板。5. The substrate having a magnetoresistive element according to claim 4, wherein the surface of the insulating layer formed in the recess of the lower shield layer and the surface of the lower shield layer are formed in the same plane.
ねられて、絶縁層の上面と下部シールド層の表面との間
に段差が形成され、前記段差の部分で、前記絶縁層の側
面に、傾斜面が形成されている請求項３記載の磁気抵抗
効果素子を有する基板。6. The insulating layer is superimposed on a surface of the lower shield layer, and a step is formed between an upper surface of the insulating layer and a surface of the lower shield layer. 4. A substrate having a magnetoresistive element according to claim 3, wherein an inclined surface is formed.
ｉＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮあるいはＷＯ3のう
ちいずれかの絶縁材料で形成されている請求項１ないし
６に記載の磁気抵抗効果素子を有する基板。7. The insulating layer is made of SiO 2 , Ta 2 O 5 , T
7. The substrate having the magnetoresistive element according to claim 1, wherein the substrate is formed of any one of iO, Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , AlN and WO 3 .
する前記多層膜の下側を除く領域で、且つ磁気抵抗効果
素子を構成する電極層の下側にまで形成されている請求
項１ないし７のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子を有
する基板。8. The device according to claim 1, wherein the insulating layer is formed in a region excluding a lower side of the multilayer film forming the magnetoresistive element and under an electrode layer forming the magnetoresistive effect element. 8. A substrate having the magnetoresistive element according to any one of claims 7 to 7.
ギャップ層とが形成され、磁気抵抗効果を発揮する多層
膜と前記多層膜に導通する電極層を有する複数の磁気抵
抗効果素子、及び前記磁気抵抗効果素子と実質的に同じ
構成の加工用のモニター素子とが、前記下部ギャップ層
上に並んで配置された基板において、前記磁気抵抗効果
素子とモニター素子の上には上部ギャップ層の他に、絶
縁層がＡＢＳ面に露出して形成され、ＡＢＳ面に現れる
モニター素子と上部シールド層との間隔が、同じくＡＢ
Ｓ面に現れる前記磁気抵抗効果素子と上部シールド層と
の間隔よりも広いことを特徴とする磁気抵抗効果素子を
有する基板。9. A plurality of magnetoresistive elements having a lower shield layer and a lower gap layer formed thereon formed on a substrate and having a multilayer film exhibiting a magnetoresistance effect and an electrode layer conducting to the multilayer film; A monitor element for processing having substantially the same configuration as that of the magnetoresistive element is disposed on a substrate arranged side by side on the lower gap layer, and an upper gap layer is provided on the magnetoresistive element and the monitor element. In addition, an insulating layer is formed so as to be exposed on the ABS surface, and the distance between the monitor element and the upper shield layer which appears on the ABS surface is also equal to AB.
A substrate having a magnetoresistive element, which is wider than a distance between the magnetoresistive element and an upper shield layer appearing on an S plane.
膜厚とを合わせた総合膜厚は７００オングストローム以
上である請求項９記載の磁気抵抗効果素子を有する基
板。10. The substrate having a magnetoresistive element according to claim 9, wherein the total film thickness including the film thickness of the upper gap layer and the film thickness of the insulating layer is 700 Å or more.
成する前記多層膜の上側を除く領域で、且つ磁気抵抗効
果素子を構成する電極層の上側にまで形成されている請
求項１０記載の磁気抵抗効果素子を有する基板。11. The device according to claim 10, wherein the insulating layer is formed in a region excluding the upper side of the multilayer film forming the magneto-resistance effect element and up to an upper side of the electrode layer forming the magneto-resistance effect element. A substrate having a magnetoresistive element.
域にまで形成されている絶縁層は、ＡＢＳ面から露出し
て形成される請求項８または１１記載の磁気抵抗効果素
子を有する基板。12. The substrate having the magnetoresistive element according to claim 8, wherein the insulating layer formed up to a region overlapping the electrode layer of the magnetoresistive element is formed so as to be exposed from the ABS.
後、リフトオフ用のレジスト層を前記下部シールド層の
上に形成する工程と、 前記レジスト層が形成されていない下部シールド層表面
をエッチングで一定の深さだけ除去して、前記下部シー
ルド層表面に凹部を形成する工程と、 前記下部シールド層表面に形成された凹部内に絶縁層を
形成し、その後、前記レジスト層を除去する工程と、 前記下部シールド層及び絶縁層の上に下部ギャップ層を
形成する工程と、 絶縁層が形成されていない下部ギャップ層の上に、磁気
抵抗効果を発揮する多層膜と前記多層膜に導通する電極
層とを有する複数の磁気抵抗効果素子を、また絶縁層が
形成されている下部ギャップ層の上に、磁気抵抗効果素
子と実質的に同じ構成の加工用のモニター素子とを互い
に列を成すように形成する工程と、を有することを特徴
とする磁気抵抗効果素子を有する基板の製造方法。13. A step of forming a lower shield layer on the substrate, forming a lift-off resist layer on the lower shield layer, and etching a surface of the lower shield layer on which the resist layer is not formed by etching. Removing only a certain depth to form a concave portion on the surface of the lower shield layer, forming an insulating layer in the concave portion formed on the surface of the lower shield layer, and then removing the resist layer; Forming a lower gap layer on the lower shield layer and the insulating layer; and forming, on the lower gap layer on which the insulating layer is not formed, a multilayer film exhibiting a magnetoresistive effect and an electrode conducting to the multilayer film. A plurality of magnetoresistive elements having a layer and a monitor element for processing having substantially the same configuration as the magnetoresistive element on the lower gap layer on which the insulating layer is formed. Method of producing a substrate having a magneto-resistance effect element and having a step of forming such a row are.
記凹部を、磁気抵抗効果素子の電極層が形成されるべき
位置にまで形成し、前記凹部内に絶縁層を形成した後、
磁気抵抗効果素子の電極層を、絶縁層と重なる下部ギャ
ップ層の上に形成する請求項１３記載の磁気抵抗効果素
子を有する基板の製造方法。14. The method according to claim 1, wherein the concave portion formed on the surface of the lower shield layer is formed up to a position where an electrode layer of the magnetoresistive element is to be formed, and an insulating layer is formed in the concave portion.
14. The method for manufacturing a substrate having a magnetoresistive element according to claim 13, wherein the electrode layer of the magnetoresistive element is formed on a lower gap layer overlapping the insulating layer.
記凹部を、少なくとも磁気抵抗効果素子の前記多層膜よ
りも後方側において電極層の下側に形成する請求項１４
記載の磁気抵抗効果素子を有する基板の製造方法。15. The concave portion formed on the surface of the lower shield layer is formed below the electrode layer at least on the back side of the multilayer film of the magnetoresistive element.
A method for manufacturing a substrate having the magnetoresistive element according to any one of the preceding claims.
さらに前記下部シールド層の上に絶縁材料層を形成する
工程と、 前記絶縁材料層の上にレジスト層を形成して、レジスト
層で覆われていない絶縁材料層をエッチングによって除
去し、レジスト層の下側に形成された絶縁材料層を絶縁
層として残す工程と、 前記レジスト層を除去し、絶縁層上から下部シールド層
上にかけて下部ギャップ層を形成する工程と、 絶縁層が形成されていない下部ギャップ層の上に、磁気
抵抗効果を発揮する多層膜と前記多層膜に導通する電極
層とを有する複数の磁気抵抗効果素子を、また絶縁層が
形成されている下部ギャップ層の上に、磁気抵抗効果素
子と実質的に同じ構成の加工用のモニター素子とを互い
に列を成すように形成する工程と、有することを特徴と
する磁気抵抗効果素子を有する基板の製造方法。16. A lower shield layer is formed on a substrate,
Further forming an insulating material layer on the lower shield layer, forming a resist layer on the insulating material layer, removing the insulating material layer not covered by the resist layer by etching, Leaving the insulating material layer formed on the lower side as an insulating layer; removing the resist layer to form a lower gap layer from above the insulating layer to above the lower shield layer; and forming a lower gap layer where the insulating layer is not formed. On the gap layer, a plurality of magnetoresistive elements having a multilayer film exhibiting a magnetoresistive effect and an electrode layer conducting to the multilayer film, and on a lower gap layer on which an insulating layer is formed, A method of manufacturing a substrate having a magnetoresistive element, comprising: forming a resistive element and a monitor element for processing having substantially the same configuration so as to form a line with each other.
極層が形成される下側にまで形成し、磁気抵抗効果素子
の電極層を、絶縁層と重なる下部ギャップ層の上に形成
する請求項１６記載の磁気抵抗効果素子を有する基板の
製造方法。17. The method according to claim 17, wherein the insulating layer is formed to a lower side where an electrode layer of the magnetoresistive element is formed, and the electrode layer of the magnetoresistive element is formed on a lower gap layer overlapping the insulating layer. Item 17. A method for manufacturing a substrate having the magnetoresistance effect element according to Item 16.
で形成された絶縁層を、ＡＢＳ面から露出するように形
成する請求項１７記載の磁気抵抗効果素子を有する基板
の製造方法。18. The method for manufacturing a substrate having a magnetoresistive element according to claim 17, wherein the insulating layer formed up to the lower side of the electrode layer of the magnetoresistive element is formed so as to be exposed from the ABS.
請求項１６ないし１８のいずれかに記載の磁気抵抗効果
素子を有する基板の製造方法。19. The method according to claim 16, wherein an inclined surface is formed on a side portion of the insulating layer.
の側部に傾斜面を形成する請求項１９記載の磁気抵抗効
果素子を有する基板の製造方法。20. The method for manufacturing a substrate having a magnetoresistive element according to claim 19, wherein an inclined surface is formed on a side portion of the insulating layer by using isotropic etching.
た後、 前記レジスト層を熱処理することによって、前記レジス
ト層の側部に傾斜面を形成し、異方性エッチングを使用
して、前記レジスト層下に残された絶縁層の側部に傾斜
面を形成する請求項１９記載の磁気抵抗効果素子を有す
る基板の製造方法。21. After forming a resist layer on the insulating material layer, by heat-treating the resist layer, an inclined surface is formed on a side portion of the resist layer, and the anisotropic etching is performed using anisotropic etching. 20. The method for manufacturing a substrate having a magnetoresistive element according to claim 19, wherein an inclined surface is formed on a side portion of the insulating layer left under the resist layer.
5、ＴｉＯ、Ａｌ2Ｏ 3、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮあるいはＷＯ3
のうちいずれかの絶縁材料で形成する請求項１３ないし
２１のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子を有する基
板。22. The insulating material layer is made of SiO.Two, TaTwoO
Five, TiO, AlTwoO Three, SiThreeNFour, AlN or WOThree
13. The method according to claim 13, wherein the insulating material is made of any one of the following insulating materials.
21. A base having the magnetoresistance effect element according to any one of
Board.
された磁気抵抗効果素子を有する基板を用い、前記モニ
ター素子の電極層間の直流抵抗値を測定しながら、所定
の直流抵抗値に達するまで、磁気抵抗効果素子及びモニ
ター素子のＡＢＳ面からハイト方向に研削加工すること
を特徴とする磁気抵抗効果素子を有する基板の加工方
法。23. Using a substrate having the magnetoresistive element according to claim 1, measuring a DC resistance between electrode layers of the monitor element until a predetermined DC resistance is reached. A method of processing a substrate having a magnetoresistive element, wherein the substrate is ground in the height direction from the ABS of the magnetoresistive element and the monitor element.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10354341A JP2000182219A (en) | 1998-12-14 | 1998-12-14 | Substrate having magneto-resistance element, its manufacture, and machining method for substrate having magneto-resistance element |
| US09/456,151 US6344951B1 (en) | 1998-12-14 | 1999-12-07 | Substrate having magnetoresistive elements and monitor element capable of preventing a short circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10354341A JP2000182219A (en) | 1998-12-14 | 1998-12-14 | Substrate having magneto-resistance element, its manufacture, and machining method for substrate having magneto-resistance element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000182219A true JP2000182219A (en) | 2000-06-30 |
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ID=18436906
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| JP10354341A Pending JP2000182219A (en) | 1998-12-14 | 1998-12-14 | Substrate having magneto-resistance element, its manufacture, and machining method for substrate having magneto-resistance element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000182219A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7026823B2 (en) | 2003-05-29 | 2006-04-11 | Tdk Corporation | Magnetic head smear detecting method and device |
| US7542405B2 (en) | 2002-06-05 | 2009-06-02 | Lg Electronics Inc. | High-density optical disc, method for recording and reproducing encrypted data thereon |
| JP2014132624A (en) * | 2012-12-04 | 2014-07-17 | Nichia Chem Ind Ltd | Semiconductor element manufacturing method |
-
1998
- 1998-12-14 JP JP10354341A patent/JP2000182219A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7542405B2 (en) | 2002-06-05 | 2009-06-02 | Lg Electronics Inc. | High-density optical disc, method for recording and reproducing encrypted data thereon |
| US7026823B2 (en) | 2003-05-29 | 2006-04-11 | Tdk Corporation | Magnetic head smear detecting method and device |
| JP2014132624A (en) * | 2012-12-04 | 2014-07-17 | Nichia Chem Ind Ltd | Semiconductor element manufacturing method |
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